TWI245581B - Light emitting display - Google Patents

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1245581 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本^明係有關於一種控制各矩陣狀配置發光元件之發光 動作，以、隹一 ^ 仃顯示之發光型顯示裝置，尤其是一種具有有 機發光二極體元件等發光元件，且其具有一由光波長程度 或其以下之厘 予度之缚膜層積而成之構造的這種發光型顯示 裝置。 【先前技術】 有柢:¾ 光一極體（〇rganic di〇 心）元件係一 種在一由有機薄膜所組成之發光層上注入正負電荷，而將 U變換成光能以進行發光的元件。具有—有機發光二極 體元件來作為發光元件之發光型顯示裝置（以下，稱之為 「OLED顯示器」），與一以液晶顯示裝置為代表之非發光 型顯示裝置不g，由於係自發光型，因而不需要背光等輔 助光源，0而可相當薄型與輕量。進一步，〇led顯示器 具有視角廣、顯示之響應速度快等特徵。 所謂有機發光二極體元件7〇已知包含有：形成於圖_ 例不之透明基板6上作為陽極的透明電極2〇〇丨作為陰極之 由光反射性金屬所組成之反射電極3〇〇H，位於這些 電極之間自陰極側依序層疊電子輸送層1〇1、發光層1〇2、 電洞傳輸層⑻而成三層構造之有機層⑽。構成有機發光 二極體元件70之這些層的厚度，一般自數十至數百細，約 為光波長程度，或其以下，1由於反射電極係鏡面狀，因 而來自發光層之放射光會受到干涉。在有機發光二極體元 92375.doc 1245581 件70中，由於該干涉效果，實際上朝向觀察者looo的光 2000，將會因為視角之不同，而致發光光譜產生變化，因 而玄备.彩發头變化夕PS顥。右益姨電激發朵·元株φ亦右斑 此相同之問題。 對於此問題，在發光元件上設有一使光散射之構造 揭示於下述專利文獻1、2中 [專利文獻1]:曰本特開平H_329742號公報 [專利文獻2]:曰本特開2〇〇2_27〇365號公報 在這些文獻當中，述及由於由元件所放出之光，被光散 射體所散射，且各種行進方向與相位差之光相混合，因而 因干涉所生之對於視角之變化大幅地減低。 [專利文獻3]:特開平4-328295號公報 又，在專利文獻3中，揭示有一種藉由將電子傳送層之 =度’設定成其所生之輝度會含有厚度輝度衰減特性之二 隸大值’且其振幅超越其收轉度值者的這種可以減低 -因光干涉所生顏色因視角而變化的元件。此點係考量到 在由毛光層所放射之光當中’因朝向直接觀看者側之光， 、口月面$極所反射而朝向觀看者之光兩者間之相位差 涉，而根據電子輸送層之厚度輝度衰減特性，來 [專利文獻4]:日本特開平7-240277號公報 又’在專利文獻4中，揭 其利用干涉效果m 光二極體元件， 明+朽 纟透明電極與基板間之界面，或是透 明電極與高折射率底 ^疋還 層間之界面’或是透明電極與低折射 92375.doc 1245581 層12。接者，再於透明基板6上層積一用以構成τρτ之閘極 絕緣層16或其它層間絕緣層18、2〇。 #這楛，為主動拓陳鳃動刮m 顧彔裴中，卽變成扁 一包含發光層之由有機層100、透明電極2〇〇、反射電極 300所構成之有機發光二極體元件7〇，與透明基板6之間， 存在有數個不同折射率之薄層。這些薄層之厚度一般在數 十nm至數百nm，因而由發光層所發出而朝向觀看者⑺⑽ 之光2000，將受到干涉之影響。 圖18顯不一習知主動矩陣驅動型〇LED顯示器之發光光 譜測量結果例，且為-綠色發光光譜之視角關係變化圖。 當視角變化時，由於光干涉之影響，發光強度相對於波長 之比率將發生變化。又，圖19顯示_f知主動矩陣驅動型 OLED顯示器之色度與視角關係之測量例圖示。該圖以視 角每隔15度來顯示出在顯示紅色、綠色、藍色這三原色與 白色時視角由0度至75度之色度變化圖。由此觀之，在習 知主動矩陣驅動型0乙£!)顯示器中，因視角之不同，將產 生一難以容許之色彩變化。 相對於此，為了抑制一因視角之不同所致色彩變化，習 知曾提議在發光元件上設一用以將光發散之裝置。在此情 形下’若設置-可以充分抑制干涉之影響的光發散層等發 月欠I置’在明受;之環境下， 因該發散裝置，而散亂反射 充分黑而有些泛白。因此， 法獲得充分對比之另一問題 由外部入射至顯示裝置之光將 ，而使應該黑色之顯示變得不 將產生一在明亮之環境下，無 92375.doc 1245581 圖20為一顯示一對習知主動矩陣驅動型OLED顯示器之 綠色像素中之干涉強度與視角之關聯性作一試算之結果 圖。^圖所π ’為菊知主勤拓陳驢動刨川m顧彔酱中， 在可見波長領域中，幾乎都存在有一因底層與層間絕緣層 間之界面之反射所引起之干涉強度之極大值或極小值，且 產生極大值之波長與產生極小值之波長間之間隔，在短波 長側狹窄至僅數十nm。又，干涉強度之極大值或極小值， 隨著視角之增大，在短波長側，將移動7〇至丨4〇 nm左右。 因此，即使藉由控制習知技術所著重之電子傳輸層之厚 度、或陰極（反射電極）至陽極（透明電極）間之光學厚度， 而採用一能使所要波長之強度會因光之干涉而被增強之條 件，亦會如圖20所示，在視角〇度時存在於一比所要波長 逛長波側之干涉強度的極大值或極小值，會隨著視角由〇 度向30度、45度、60度，而在發光波長領域移動性出現， 因而觀看著所看到之發光光譜將產生變化而使色彩有所變 化。 【發明内容】

本發明之課題即在於一種具有有機發光二極體元件等會 受光干涉影響之發光元件的發光型顯示裝置中，提供—種 實現一因視角所致色彩變化相當小之顯示的發光型顯示I 置。 主動矩陣驅動型OLED顯示器之色彩因視角所致之變 化，已知並無法僅由習知技術所考量之電子傳輸層之尸 度，或是由陰極至陽極之光學厚度獲得控制，而是必彡貝_ 92375.doc -12- 1245581 里 因底層或層間絕緣層之界面所成反射所引起之干涉。 又，在習知技術中，在設定干涉條件時，通常僅著重於發 先 >古县領磁’然而知此£1；後不約奋分的。總之，Pi發頻 在視角為0度之條件下，比發光波長還長之波長側的干涉 強度狀態’對於一因視角之不同所致色彩變化而言係相當 重要的。 若對應於申請專利範圍第丨至16項來說明一根據上述而 成之解決手段的話，將如下之（1)至（丨6)。 (1) 一種具有用以構成複數個配置成矩陣狀像素之發光 元件的顯示裝置，具特徵在於在視角〇度時對於由構成該 發光元件之發光層所放射出來之光的干涉強度（以下，亦 稱之為「干涉強度」）會是極大值的波長，係一比一由該 發光層所放射出來之光強度（以下亦稱之為「發光強度」） 為最大時之波長，還短之波長。 (2) 根據（1)之特徵，若用另一種表現的話，係指在一種 具有用以構成複數個配置成矩陣狀像素之發光元件的顯示 裝置中，具特徵在於當對於一由構成該發光元件之發光層 所放射出來之光的干涉強度在視角〇度時會是極大值的波 長，設定為Ximax，且將發光強度為最大時之波長設定為 Xemax時，將滿足\imax<Xemax之關係。 (3) 或者，在一種具有用以構成複數個配置成矩陣狀像 素之發光元件的顯示裝置中，具特徵在於在視角〇度時對 於由構成該發光元件之發光層所放射出來之光的干涉強度 會是極小值的波長，係一比一由該發光層所放射出來之光 92375.doc -13- 1245581 藉此，即使視角變大，由於干涉強度之極小值不會落在 毛光強度會最大之波長，進而不會使發光光譜之形狀有大 又化囚而色必囡視角所致之變化即矣到抑制。 (6) 在一種具有用以構成複數個配置成矩陣狀像素之發 光元件的顯示裝置中，具特徵在於由該構成發光元件之發 光層所放射出來之光係白色光，或有複數個發光強度極大 值存在，且在視角〇度時相對於一由該發光層所放射出來 之光的干涉強度會是極大值的波長，在可見波長領域，係 一比由該發光層所放射出來之光強度為最大時之波長，還 短之波長，且該干涉強度為極小值之波長，係一比一由該 發光層所放射出來之光強度為極大值之波長，還長之波 長’且不存在於可見波長領域。 在此場合，同上述（1)至（3)一樣，干涉強度為極大值或 極小值雖隨著視角之增加，向短波長側移動，但即使視角 增大’干涉強度之極大值或極小值並未移動至發光波長領 域中，因而發光光譜之形狀幾乎沒有變化，因而視角即使 變化，色彩之變化亦被抑制。 (7) 在一種具有用以構成複數個配置成矩陣狀像素之發 光元件的顯示裝置中’具特徵在於當將對於一由構成該發 光元件之發光層所放射出來之光的干涉強度在視角〇度時 為極大值的波長，設定為Ximax，並將具有極小值之波長 設定為Zimin，且將該發光層所射之光強度為最大時之波 長設定為 Xemax時，將滿足Xemax-50 nmUimaxclemax， 或是Xemax+70 nm幺λίηύη之關係。 92375.doc -15- 1245581 (8)在上述⑺中，該發光元件係一有機發光二極體元 件，且具特徵在於當構成該有機發光二極體元件之有機層 的'辱皮^㈣奈區駐τ，在綠基傍奈Μα，在^ 像素區為BT時，關係為RT2GT2BT。 · 在此場合，根據一干涉強度係極大值之波長，在電洞傳 輸層或電子傳輸層等有機層愈厚時，會向長波長側移動之 狀況，藉由滿足上述厚度條件，在一抑制一因視角之不同 所致色變化之狀態下’將可增加對於各種顏色之干涉強 度，並提高發光效率。 ⑼又’為了滿足上述干涉強度之條件，該顯示裝置係 一種由透明基板側取出光且在該透明基板上形成有一用以 控制發光兀件之亮滅之切換元件的主動矩陣驅動型顯示裝 置，且至少在，亥像素發光區域中，構成該等切換元件之數 層絕緣層當中，至少有一層被選擇性除去。 (10) 尤其是，該被選擇性除去之薄層為一其與該透明基 板或構成該發光元件之透明電極間之折射率差在以上 者。 在此場合，藉由反射面數，或是整體厚度之減少，干涉 強度處於極值（極大值或極小值）之波長間的間隔將變長， 而能實現上述干涉強度之條件，因視角所引起之色變化因 而可以減小。 (11) 前述切換元件係由低溫多晶石夕TFT所構成，為了滿 足上述干涉強度之條件，在像素之發光區域中，形成於該 切換兀件與該透明基板間之底層，以及構成該切換元件之 92375.doc -16- 1245581 複數層絕緣層都被除去。 ()進v，5亥切換元件在其四周用一離子阻播層圍起 〇 在（11)(12)之場合下，一旦為了滿足上述干涉強度條 件’而除去發光區域中之底層，雖然來自透明基板之鈉或 鉀等離子之混入途徑不見了，但藉由以離子阻檔層沿四周 圍住切換元件，將可以防止低溫多晶矽TFT因離子之混入 所致之閾值電壓之變動。 (13) 在種具有用以構成複數個配置成矩陣狀像素之發 光元件的顯示裝置中，由該顯示裝置向觀看者側取出之光 強度，在視角為〇度時，成為最大。 (14) 進一步，具特徵在於由該顯示裝置向觀看者側取出 之光強度係最大之波長的變化量，在視角由〇度至6〇度之 間時，在10 nm以下。 這些表示在一滿足上述干涉強度條件之顯示裝置中所得 到之發光光譜特徵。因此，藉由滿足（13)至（14)之特徵， 將可以實現一色彩因視角之變化所致之變化相當小的顯示 裝置。 (15) 在一種具有用以構成複數個配置成矩陣狀像素之發 光元件的顯示裝置中，具特徵在於該顯示裝置係一由形成 有该發光元件之基板之相反側取出光的顯示裝置，且當將 對於一由構成該發光元件之發光層所放射出來之光的干涉 強度在視角0度時為極大值的波長，設定為Ximax，而為極 小值之波長則設定為Ximin，並將發光層所放射之光強度 92375.doc 17 1245581 為最大時之波長設定為Xemax時，將滿足hmax<aeniax， 以及 Ximin>Xemax+70 nm之關係。 夂（1 6)( 1 S) φ 5貝传徵夂於該發先元株夂龙帀出铡凡吉 光牙透性電極，且在該電極之光取出側這一面上，具有 一折射率為1 ·4〜2.0之透明體。 上述（15)係由一與形成有發光元件之基板相反之一側來 取出光’亦即一所謂頂發光型顯示裝置。在此場合，隨著 視角、交大’干涉強度為極大值或極小值之波長雖有向短波 長側移動，但即使視角變大，干涉強度之極大值或極小值 仍沒有移動至一該發光層所放射出之光強度為最大之波長 範圍。因此，干涉強度之視角關聯性對於發光光譜之形狀 的影響即相當小，色彩因視角之變化所致之變化亦受到抑 制。 又’（16)係在頂發光型之發光型顯示裝置中，於形成於 發光元件之光取出側的光穿透性電極，亦即透明電極之光 取出側上’具有一折射率比氣體還高之透明體，藉此，將 可以減低透明電極之光取出側界面上之反射。在此情形， 干涉強度較弱，且干涉強度之極大值與極小值之差異變 小，因而因視角之不同所致干涉強度大小之變化即變小， 進而色彩因視角所致之變化即變小。 又’本發明並不限定於上述構成以及後述之實施例之構 成’只要不脫一規定本發明所揭示干涉強度條件之技術思 想，係可以作各種變更的。 【實施方式】 92375.doc -18- 1245581 3有構成各像素之發光層的有機層係、依其材料所定顏色 (包士含白色）而發光並進行單色顯示，或者要實現_多色顯 ::’係險了白色發光有機層外’並組合紅、、綠、藍等彩 色遽色片而進行彩色顯示。 圖1為一用以說明一根據本發明而成之顯示裝置之實施 例構成中在-像素附近的圖解截面圖。又，圖2為一顯示 -根據本發明而成之顯示裝置之像素部構造的部分平面 圖、亥顯不裝置為一種具有一由薄膜電晶體所組成之切換 元件/、有機毛光一極體元件之主動矩陣驅動型顯示

器。圖3為一 圖解地顯示顯示裝置1之整體佈局的方塊圖。 圖4為一構成其顯示部2之主動矩陣等效電路圖。 如圖3(A)所不，顯不裝置丨在一由玻璃等透明絕緣性美 板所組成之透明基板6之約略中央部位上，設有顯示部2 = 在顯示部2之上方側，設置有一對資料線7輸出影像信號的 資料驅動電路3，而在左側則設置有一對閘極線8輸出掃描 h唬的掃描驅動電路4。這些驅動電路3、4係由^^通道型與 P通道型TFT(thin film transistor)所組成之互補型電路所構 成之移位暫存器電路（shift register)、準位切換器 shifter)電路、類比切換電路等所構成。又，共同電位接線 9係配置成與資料線7同方向延伸。又，顯示裝置丨如圖 3(B)所示，為一腳座5所支撐，且可以作為一電視影像、

包月自影像等監視裝置。又，若使其内藏有電視調譜界 並可單獨作為一電視接收機使用。 在顯示裝置1中 和主動矩陣驅動型液晶 顯示裝置_ 92375.doc -19 - 1245581 樣’在透明基板6上，設有複數條閘極線，以及複數條在 -與該等極線之延伸方向相垂直之方向上延伸的資料 線·且如圄4所+ ’良問拯線⑴、〇2 · . ，夂尙n條 貝料線D1、D2、…、Dn相交又的地方’矩陣狀配置有像 素60。各像素包含有：發光元件7〇;儲存電容4〇;由N通 道型TFT構成之切換電晶體3〇，其閘極電極連接至閘極 線，而源極/汲極電極之其中一方連接至資料線，另一方 連接至儲存電容4〇;以及由P通道型TFT構成之驅動電晶 體1〇，其閘極電極連接至該儲存電容4〇，其源極電極連接 至一與該資料線同方向延伸之共同電位接線9,其汲極電 極連接至構成發光元件7〇之有機發光二極體元件之其中一 电極（陽極）。又，構成發光元件7〇之有機發光二極體元件 之另一電極（陰極）係連接至所有像素共通之電流供應線， 而被保持在一定之電位Va。 像素60之驅動係由第一列之閘極線⑴開始，依序供應開 啟電壓，並在一個圖框期間内，對m列之閘極線，依序供 μ X私C (掃描化唬）。藉由掃描信號，一旦各切換電晶體 3〇變成ON狀態，纟自資料線之影像信號，即經由切換電 曰曰體30而被寫入儲存電容4〇。亦即，在本驅動方法中，在 某一條閑極線被供應開啟電壓期間，連接至該資料線之所 有切換電晶體將成導通狀態，在此同時，資料電壓被供應 至η行資料線。 “ 在貝料電壓在開啟（turn〇Ν)電壓被供應至閘極線之期 間破儲存在儲存電容40中，使得驅動電晶體丨〇之閘極電 92375.doc -20- 1245581 極在即使切換電晶體3〇成為〇FF狀 卜 亦因儲存電容 40而在一個圖框期間被約略保持於一 个曰田於影像Y吕5虎之電 “之電S值舍親定㈣電具體…間炻電獄， 精此而使流經驅動電晶體10之電流值受到控制，進而使有 機發光二極體元件70之發光受到 “丄 尤又旬控制。至於發光之停止則 猎由將驅動電晶體10變成〇FF狀態而達成。 :言之，為了控制發光量’在對應於像素6〇之間極線8 上有被施加開啟電塵之期間，藉由經資料線7而施加-對 應於影像貧訊之電麼，將可以控制像㈣之發光量。因 此，藉由對應於影像資訊而控制該等複數個構成顯示部2 之像素的發光量，即可顯示出 一 1< 衫像。又，自電壓施 加至發光元件70之陰極與陽極這 W從绝兩鳊開始，至開始發光之 這一段響應時間，通常 曰 巾你μδ以下，因而可以實現一即使 是動作迅速之影像亦可追隨之影像顯示。 在此，例如當想要實現一谁 進仃全衫顯示之顯示裝置時， 發光元件70將依一特定之順序，將發出紅色、綠色、藍色 其中-種光者呈矩陣狀配置。亦即，將有機發光二極體之 發先波長設定成就每個像素對應於紅色、綠色 原色者。 其次’參照圖1與圖2夾％ 、 口 ； 5兄明顯示裝置1之像素附近的構 k。圖2為一用以說明顯干担嬰 ”、、、/、衣置1之像素部之平面構造的部 分圖解平面圖。圖1為一 一 ”、、”、、1不出一個像素附近沿圖2上之A- A’線截取之截面構造的圖解截面圖。

在4顯不裝置中，於#產I 坡离寺絕緣性透明基板6上，具有 92375.doc -21 - 1245581 由薄膜電晶體所組成之切換元件1〇、3〇。構成像素電路 之驅動電晶體10以及切換電晶體30等切換元件係由多晶矽 缚膜電晶艘所構成。 夕曰日矽薄膜電晶體係於—含有源極/汲極區域13、17以 及通道多晶矽層14之多晶矽層±，形成有一閘極絕緣層 16閘極線層15、-第-層間絕緣層18、-源極/汲極 電極層19、以及一第二層間絕緣層川。

=，在多晶矽薄膜電晶體與透明基板6之間，還具有一 由氮化石夕層所構成之第一底層i i，用以阻擔納或卸等離子 攸透明基板6混入該多晶矽層14與閘極絕緣層16 ;且在第 :底層11與多晶梦層之間，還具有—由氧化石夕層所組成之 弟—底層12。 在本實施例所揭顯示裝置中，基於後述之理由，第一4 第二底層u、12,以及閘極絕緣層16，和第—與第二❸

層18、20等，其在-相當於像素之發光區域61的部分，{ 被選擇性除去’或者沒有形成，而形成一開口部。 /有機發光二極體元件70中，作為陽極之透明電極20 係作成島狀而覆蓋一成在/会本^ ^ 士 復意成為像素之發光區域61的部分。土 時，透明電極細係通過—貫穿第二層間絕緣層20之孔， :被連接至汲極電極19,且在發光區域㈣，係沒有隔毫 絶緣層而直接形成在透明基板6上。 如圖2中所不’在切換雪曰斯 換私日日體30、驅動電晶體10、資剩 =?線8、共同電位接線9等非發光區域，以及透明 w上之非發純域上，係形成有—具有—對應於像 92375.doc -22- 1245581 素發光區域61之開口之如圖1所示的第三層間絕緣層2卜 含有發光層之有機層1嶋係、形以透明電極上而覆蓋 #奈3钿在發龙區祛 … u外之区城，#隔菩箪二層間堪縿 層21而與透明電極相隔離。在有機層_之上方，在顯示 部2之整面上，开^^ 7成有一於有機發光二極體元件7〇中作為 陰極之反射電極3〇〇。 又本戶、轭例係一種該由有機發光二極體元件7〇之發光 層中放射並朝向觀看者1000之光厕，係由其上形成有有 機發光二極體元件70之透明基板6側取出，之所謂底發光 型〇LED顯示器。有機發光二極體元㈣之有機層_可以 使用一於陽極（透明電極_)與陰極（反射電極300)之間， 自陰極（反射電極300)側依序層積配置電子傳輸層、發光 層、電洞傳輸層而成者。 像這樣之有機發光二極體元件一旦在作為陽極之透明電 極扇與作為陰極之反射電極扇之間，施加有直流電壓， 由透月电極200被注入之電洞即經由電洞傳輸層，而由反 :電極300注入之電子則經由電子傳輸層，分別到達發光 曰’產生電子-電洞之再結合，而產生特定的波長發光。 又，在有機發光二極體元件70之有機層1〇〇中，亦可以 使用一兼用發光層與電子傳輸層的材料。χ，在陽極（透 明電極200)與電洞傳輸層之間， 區七Β 以使用一陽極緩衝 層’或疋一配置有電洞注入層者。 =透明電極)最好使用—工作函數相當高之透明 电極材料’例如ITO(indlumtmoxlde)即很好。又，亦可使 92375.doc -23- 1245581 用 InZnO。 作為陰極之反射電極300可以使用一工作函數相當低之 A1、厶鲞、炙ΑΚΤι•厶务笨。簞簟鈕的紝直驄 動電壓相當鬲，壽命較短，因而可以使用一在其與有機層 100之間，插入一極薄之Li化合物（氧化鋰Li2〇5氟化鋰 LiF)，以獲得一與Al-Li合金匹配之特性者。又，以一與鋰 和鋰等反應性較高之金屬，對一與陰極相接之部分的有機 層進行摻雜，以降低驅動電壓亦可。

又，為提高及發光層所放射之光的利用效率，反射電極 300最好由光反射率較尚之材料所構成。有機層工⑼使用一 種在施加特定電壓於陽極（透明電極2〇〇)與陰極（反射電極 300)之間，並流通電流時，會以所要之顏色發光之材料。 紅色發光用材料可以使用例如，電洞傳輸層為a_NpD (N、N’-di(a-荅（naphthyl)-N、N，-聯二苯（diphenyl)1、卜二 苯-4、4’-二胺（diamine))、或是三苯二胺介電質TpD(N、 Ν'雙（3-甲基（methylDl、1，-二苯 _4、4，_ 二胺）等，而電子 傳輸性發光層（兼作為電子傳輸層與發光層）則可以使用一 例如在Alq3(三（8_喹啉酸鹽）化鋁）中，分散有1^1^_1(4_(氰 基亞甲基（methylene))-2-甲基冬(p_二甲基氨Mh_吡喃而 成者。 至於綠色發光用材料則可以使用例如將電洞傳輸層使用 α-NPD或是三苯二胺介電質TPD等，而電子傳輸發光層（兼 作為電子傳輸層與發光層）則使用Alq3、Bebq、或是摻雜 有口奎吖酮之Alq3等。 92375.doc -24- 1245581 作為監色發光用材料可以使用例如，其中之電洞傳輸層 為α-NPD或是三苯二胺介電質TPD ;而發光層為例如 HPVRK4 沁、健 π?-二架 Λ 嬌）二菜）、由此鱼 RC7vRiiA4，_ 雙（2-咔唑（carbazole)乙烯）二苯所組成之材料、或是一以 二苯丙炔（di-styrel-allylene)介電質為主體並摻雜有二苯胺 (di-Styrel-amine)介電質作為客體而成者；另外電子傳輸層 可以使用例如Alq3等。另外，電子傳輸性發光層（兼作為 電子傳輸層與發光層）則可以使用一例如Ζη(〇χζ)2(2_(〇^^ 月女（hydroxy-phenyl))·本氧氮雜茂（benzoxazole)之辞錯體） 等。 進一步，除了上述低分子系材料以外，可以使用高分子 糸材料。咼分子糸材料例如可以使用PEDT/pss (polyethylene dioxythiophene與 p〇lystylene sulph〇nate之混 合層）與PPV(p〇ly(p_phenylene vinylen)之層積層來作為 電洞傳輸層、發光層。又，綠色之發光可以藉由在ppv中 調合綠色墨水來實現，而紅色發光可以在綠色墨水中予以 調合添加若丹明l〇1(rh〇damine)作為紅色發光摻雜劑而成 者來實現，至於藍色發光層可以使用 F8(P〇iy(di〇ctymuorene))。又，以亦可作為電子傳輸層。 另外，高分子系材料除此之外，亦可以使用Ρνκ(聚乙烯 (polyvinyl)叶唑）之類含有色素之聚合物。 以上任何一種材料在構成有機層1〇〇時之各層厚度都薄 到數十nm左右，一般而言為一比光波長還小者。又，本發 明不限定於上述材料。亦即，芸右一玎一 I右有可以以更咼之效率來 92375.doc 1245581 發出所要之顏色’並實現-更長壽命之材料，都可以使 用。 & 圖 圖 6、圖 7 矣 一 no , , κ 明一椒攄太藤明而成之顧示奘詈 之一製程例的說明圖，且為一依製造順序來說们像素附 近^截面的圖解圖。本實施例雖為一使用所謂頂問極構造 的薄膜電晶體，但本發明並非一將底間極構造之薄膜電曰 體排除在外者。以下，依順序說明本製程之概要。、^ 圖5(A)為一顯示出在一透明基板6上形成第一與第二底 層11、12、源極/汲極區域13、17或通道多晶石夕層等所 成之島狀多晶矽層、閘極絕緣層16、以及閘極電極。之 後丄再層積-第-層間絕緣層18之狀態下的圖解截面圖。 第底層由說化石夕所構成。此層被認為具有—阻擔來自 透明基板6之鈉（Na)或鉀（κ)離子的功能。在第一底層11上 方，層積有-氧化石夕層作為第二底層12，在其上方並形成 有一用以形成通道多晶矽層14與源極/汲極區域i3、I?等 皁兀之島狀多晶矽層。多晶矽層係將形成於第二底層U上 之非結晶矽層加工成島狀，再以雷射退火之方式予以结晶 化而得。在多W層上’層積—由氧切所組成之間極^ 緣層16，再於其上形成一由鈦（Ti)或鎢（w)等導電性薄膜所 成之閘極電極15。之後，以閘極電極15為料，施以適當 之石舞離子摻雜處理，藉以在多⑭層上形成源極/沒極Z 域13、17等，再形成第一層間絕緣層丨8。 其次，如圖5(B)所示，在對應於源極/汲極區域i3、I?之 部分，貫通第一層間絕緣層18與閘極絕緣層16而形成接觸 92375.doc -26- 1245581 ^之後會成為像素之發光區域61的部分，以及汲 極電極13會與透明電極相連接之區域，-起將第二底層12 二笨：蜃心…M W㈣心一刼昤去而形成心 部。第一層間絕緣層18、閘極絕緣層16、以及第二底層12 全都由氧化矽所構成。目此，藉由所謂照相蝕刻技術，將 可乂在不:t日加光罩數或製程數之下，同時形成—貫通第一 €門、巴緣層1 8與閘極絕緣層丨6之接觸孔，以及第一層間絕 緣層18、閘極絕緣層16與第二底層12中相當於發光區域之 區域的開口部。 其次，如H5(C)所示，形成源極/汲極電極層19。源極或 没極電極層19經由該貫通第一層間絕緣層18與閘極絕緣層 16之接觸孔而與源極/汲極區域13、17相連接。又，之後 要形成發光元件之透明電極與汲極電極13之間的連接，係 由源極/汲極電極層丨9跨過第一層間絕緣層丨8、閘極絕緣 層16及第二底層12之落差’而使—部分亦形成於第一底層 11上，藉此而與it明電極相接而達《。此點在之後要形成 之透明電極基於光學上之理由而要相當薄時，由於在跨過 -由第-層間絕緣層18、閘極絕緣層16、以及第二底層12 所構成之大落差時，易有斷線等不良情事發生，因而藉由 以源極/汲極電極層19來跨越該落差，將可以防止該不良 情事。又，源極/沒極電極層19可以使用—由鈦或鹤等夹 住紹層上下方而成之三層層積構造。 其次，如圖6(A)所示，覆蓋源極/汲極電極層19，而以 氮化矽形成第二層間絕緣層2〇。 92375.doc -27- 1245581 ()斤不’在源極/汲極電極層19之一對應於 形成於第—底 -曰 方之邛分的位置上，形成一貫通第二 問绍.錄厝9 〇夕技 ‘。，th瞎，名之德I忐為復音之發糸 品^ 61的部分上，與第二層間絕緣層20—起地除去第一底 而形成開口部。第二層間絕緣層2G與第-底層11都 、，氮化矽所構成，因此，藉由一照相蝕刻技術，即可在 不《加光罩數與製程數之下，同時形成一貫通第二層間絕 緣層2〇之接觸孔’以及第二層間絕緣層2q與第—底層^中 相當於發光區域之開口部。 八人如圖6(C)所示，藉由濺鍍等而形成一由IT〇所組 成之透明包極200，再以照相蝕刻技術加工成島狀。此 日寸，透明電極200係經由一形成於第二層間絕緣層2〇上之 接觸孔，而與汲極電極層19相連接。 其-人，如圖7(A)所示，形成一在一相當於發光區域61之 區域上具有開口的第三層間絕緣層21。第三層間絕緣層21 可以是一氮化矽等無機材料、或是感光性聚醯亞胺或壓克 力系樹脂等有機材料、或是這些之層積層等。 ’、人如圖7(Β)所示，形成一覆蓋像素發光區域61之由 發光層等所組成之有機層100。有機層100可以使用上述有 機材料。有機層100之塗佈在有機層1〇〇係低分子系時，可 、使用例如下述非專利文獻1中所記載而已知之利用遮 罩而成之真空蒸鍍有機層的圖案化成膜技術。 [非專利文獻1]

Passive s. Miyaguchi, et al.:fOrganic LED Fullcolor 92375.doc -28- 1245581 其次，就一對於屬本發明主幹之發光層所放射出來之光 的干涉強度（以下，單稱為「干涉強度」）之條件作說明。 右未發日目中，在一見#該配罜成祐時狀而樺成複鼓個像条 之發光元件的顯示裝置中，至少將像素發光區域中之膜的 構成，設定成當對於發光層所放射之光的干涉強度（以 下，單稱之為「干涉強度」）在視角〇度時為極大值的波 長，比發光層所放射出之光強度（以下亦稱之為「發光強 度」）為最大時之波長還短。亦即，當設定成在視角0度時 干涉強度為極大值之波長為Ximax，而發光強度為最大時 之波長為Xemax時，膜之構成滿足hmax<；Umaxi關係。 此時，干涉強度在視角為0度時係極小值之波長，最好不 存在於一比發光強度會是最大之波長還靠長波長側的可見 波長區域内。 藉由設定成上述條件，即使視角變大，而使干涉強度為 極值（極大值或極小值）之波長向短波長側移動，干涉強度 之極大值亦將遠離發光波長區域，使得干涉強度之極小值 不至於進入其發光強度會是最大之波長。因此，雖然因為 干涉之效果而使發光強度之絕對值變小，但由於發光強度 相對於發光波長之比率（發光光譜之形狀）的變化亦相當 小，因而因視角所致之顏色變化將受到抑制。 換言之，因視角所致之顏色變化，在發光強度為最大之 波長，通過干涉強度為極大值或極小值時之波長時，會變 大，因而如何使干涉強度為極大值或極小值之波長，在即 使視角有變化時，亦不致於成為發光強度為最大之波長， 92375.doc -30- 1245581 將是相當重要的。 又’因視角之變化所致干涉強度之成為極值的波長移 勒’么波矣念夫時亦念夫，甚為藍色约移動7〇 左古， 在紅色約移動140 nm左右。因此，若將干涉強度在視角為 〇度時會成為極小值之波長設定為umin的話，若為藍色發 光之像素的話’將滿足Xemax+7〇 nmuimin之關係，而若 為紅色發光像素的話，若使其滿足Umax+14〇 nm^imin之 關係的活，即使視角變大而使干涉強度會是極小值之波 長’向短波長側移動，干涉強度之極小值亦不至於進入發 光強度會疋最大之波長，因而發光光譜之形狀變化將變 小’因視角所致之色彩變化即受到抑制。 又，在本發明之顯示裝置中，當將干涉強度在視角為〇 度時會是極大值之波長設定為λί1ηαχ，並將發光強度為最 大之波長設定為Xemax時，最好滿足xemax-5〇 nms XimaxcXemaxt ^ # 。 廷是因為藉由該將干涉強度為最大值之波長Ximax設定 成向短波長側偏離該發光強度會是最大之波長^111心約5〇 nm以上的條件，貫際上觀看者所看到之發光強度將顯著降 低一半程度左右之故。 因此’藉由滿足上述條件，由於在視角為〇度附近因干 涉之故發光強度被加強，一因視角所致之色彩變化將受到 抑制，同時可以實現一更明亮之顯示裝置。 圖8頒不出一在滿足上述條件之本實施例中視角為Q度時 之干涉強度的波長相關性，與發光強度會最大之波長間的 92375.doc -31 - 1245581 子傳輸層之厚度為20 nm。 相同地，綠色像素之設計厚度為在發光區域61中之透明 雷炼200夕慝度為SO nm，右燠廢1 00夕屢度爲Π $ nm。 中有機層100之厚度的内容包括電洞柱入層與電洞傳輸層 之合計厚度40 nm，發光層之厚度45 nm，電子傳輸層之厚 度 30 nm 〇 相同地’紅色像素之设计厚度為在發光區域61中之透明 電極200之厚度為80 nm，有機層1〇〇之厚度為155 nm。其 中有機層100之厚度的内容包括電洞柱入層與電洞傳輸層 之合計厚度40 nm，發光層之厚度30 nm，電子傳輸層之厚 度 85 nm 〇 又’在本實施例中所揭各薄層厚度中構成有機層1〇〇之 電洞傳輸層與電洞注入層若不對每種發光色作改變而都設 疋為40 nm，亦即全色共通化的話，將可以減少製程，並 使產出率提高。 又，§將紅色像素之發光區域令之有機層厚度RT設定為 155 nm，綠色像素之發光區域之有機層厚度gT設定為 nm，藍色像素之發光區域之有機層厚度bt設定為85 時，將滿足取阶訂之關係。此點所根據之原理係當電 洞傳輸層、電洞注人層、或電子傳輸層變厚時，干涉強度 為極大值之波長將向長波長側移動。亦即，這是因為在一 已抑制-因視角所致色變化之狀態下，當藉由干涉效果來 只光強度更強日$ ’對於發光波長愈長之顏色，將其有機 層之厚度作得愈厚即可有效果。 92375.doc -33- Ϊ245581 圖9為一顯示本實施例所揭OLED顯示器之發光光譜者， 且為一顯示綠色發光光譜之視角相關性之圖示。如圖所 π，右未實施例中，雖妖視角螬如眸瘀龙強度夕繮對值變 J、，但發光強度相對於波長之比率，亦即發光光譜之形 狀，變化相當小。因此，雖然視角增加發光強度降低而變 暗’但仍能抑制顏色之變化。 總之’在本發明所揭發光型顯示裝置中，由發光層所發 出而由觀看者看到之光強度，在視角〇度時有最大，隨著 硯角之增加而變小。更正確而言，在一由發光層所發出而 為觀看者所看到之光的強度會是最大之波長下，視角0度 ¥光之強度會是最大，隨著視角之增加而變小。進一步， 由發光型顯不裝置向觀看著取出之光強度會是最大之波長 的變化量，其視角即使由0度變化至60度，亦在10 下。 此點是因為在視角增加之同時，干涉強度呈極大值之波 長將向短波長側移動，並遠離發光強度呈最大之波長之 故。因此，在本發明所揭發光型顯示裝置中，即使視角變 化，發光光譜之形狀變化仍相當小，因而色彩之變化可受 到抑制。 圖10顯示本實施例所揭0LED顯示器之色度與視角的相 關係。本圖就視角由〇度至75度之間每隔15度描繪出當要 顯示紅色、綠色、藍色這三原色、與白色時之色度。 相對於此，可以了解到，與習知圖19所示使用相同發光 材料之OLED顯示器之色度視角相關性相比，色度因視角 92375.doc ，34 - 1245581 所引起之變化變小了。例如5白色之色度差值在習知 為〇·〇5左右’而在本實施例中則小到〇〇1左右。 又，奐泼足 > 述千涉強度之鉻株時，如未資炝例所+， 至少在像素之發光區域中，除去底層與層間絕緣層係極為 重要的。若如習知之主動矩陣驅動型0]1£1)顯示器般，在 發光區域中存在有底層與層間絕緣層的話干涉強度，將因 為這些薄層當中折射率不同之各層之間的界面而產生反 射，由於這因反射所引起之干涉，干涉強度呈極值（極大 值或極小值）之波長間的間隔即變短。因此，將有數個干 V強度極值出現在彳見波長區4，而I法滿足本發明所揭 之干涉強度條件。此-現象在改變發光二極體元件之薄層 條件下，有可能超出可控制範圍。 因此，藉由除去發光區域中之底層與層㈤、絕、緣層，並減 少不同折射率之界面，且減少反射面數量與全體之厚产， 將是控制干涉條件之必要者。亦即，在發絲域/=本 實施例般，將對於發光元件之動作屬不必要之薄層予以除 去’以確保該干涉強度呈極值之波長的控制範圍，將是相 當重要的。 又’在發光區域中將對於發光元件之動作屬不必要之薄 料Γ除t之際，若切換元件係由低溫多^TFT所構成 日T ’最好還留意以下幾點。 、亦即最好至少在切換元件所要被形成之區域，形成一用 以阻擋來自透明基板之離子的離子阻擋層，且切換元件之 王方位都被離子阻擋層所圍起來。此點係為了防止一所謂 92375.doc •35- 1245581 當有來自透明基板之鈉或鉀等離子混入時，低溫多晶矽 TFT之閾值會產生變動之此一問題的處置方式，且係為了 防小雜早魅* 一田爲昤去發龙區域中夕容居而彬成夕斩雜 子進入路徑來混入之故。 離子阻擋層最好為緻密之薄層，例如，氮切即相當適 合。參照圖1，在本實施例中，藉由由氮化石夕所形成之第 -底層11與第二層間絕緣層20，切換元件(在圖中為驅動 電晶體10)即全方位受到包圍，而成一防止離子混入之構 造。藉在本發明中，即可防止一因離子之混入所致之 TFT閾值電壓變動。 又，在本實施例中，纟一相當於發光區域之區域中，由 於除去底層或層間絕緣層，將可以防止一因這些薄層之層 應力所致基板反曲、微裂之情形發生。 因此，在上述實施例中，雖僅就紅色、綠色、藍色之全 部顏色之像素發光區域，來描述了一應用本發明所示干涉 強度條件之場合。然而理所當然地，I了抑制一因視角之 變化所引起之色彩變化，當㈣好是就所有顏色之像素發 光區域，來應用本發明之干涉強度條件。，然而，本發明在 由數個用以放射出各種不同顏色之光的像素所構成之發 光型顯示裝置中，並不排除一僅對至少一個顏色的像素發 光區域，來應用本發明之干涉強度條件之場合。 又，在上述貫施例中，雖僅就一在可見波長區域僅存在 個干涉強度極大值之場合作說明，然而本發明並不限定 於此。例如，就紅色像素而言，在一比發光強度呈最大之 92375.doc -36- 1245581 波長還短之短波長側，即存在有數個干涉強度極大值，對 此也不成問題。 圖η顯示出視㈣膚下之紅&發純素發純域中，千 涉強度之波長相，生’與發光強度呈最大之波長間之關係 圖。如圖所示，就一紅色發光像素而t，即使在可見波長 區域，在有數個干涉強度極大值，由於其都在—比發光強 度呈最大之波長還短之短波長側，仍能滿足本發明所揭之 干涉強度條件。 其次’說明本發明之其它實施例。圖12為一顯示出在一 個像素附近之本發明所揭顯示裝置之截面構造，且和上述 實施例相同之部分給予相同符號’並省略其詳細說明。在 圖1所不之上述實施例中，透明電極2〇〇在跨越一由第一層 間絕緣層18、閘極絕緣層16、與第二底層12所組成之落差 之際，為了避免斷線，係採用一源極/汲極電極層19跨越 一由第一層間絕緣層丨8、閘極絕緣層丨6與第二底層所成之 落差的構造。 相對於此，在本實施例中，如圖12所示，透明電極2〇〇 係透過一跨越一由第一層間絕緣層18、閘極絕緣層Μ與第 二底層12所成落差之源極/汲極電極層19,而與汲極電極 13相接。在此場合，藉由控制蝕刻條件，即可將第一層間 絕緣層18、閘極絕緣層16、第二底層12、第一底層丨丨及第 一層間絕緣層2 0之加工端面作成平緩斜面。 在本實施例中，由於源極/汲極電極層19沒有伸長出 來，因而可以確保更廣的發光區域61。此場合亦可藉由一 92375.doc -37- 1245581 由氮化矽所組成之第一底層u與第2層間絕緣 + 4么- 曰i u rfq使 /換元件（在圖甲為驅動電晶體10)全面被包圍起來，進而 離子之混入可被防止，而防止一因離子之混入所 TFT閾值電壓的變動。 其次，說明本發明之其它實施例。圖13為—顯示出鄉 明所揭顯示裝置之截面構造之—個像素附近的圖解截: 圖，其中與上述實施例相同之部分，給予相同符號，並省 略其詳細說明。在本實施例中，第二底層12、閘極絕緣層 16、以及第-層間絕緣層18在像素之發光區域61内被除 去’但第-底層11與第二層間絕緣層20則未被除去。 在上述實施例中’為了滿^本發明所揭上述干涉條件， 至少在像素之發光區域内’已除去底層與層間絕緣層。缺 而、’本發明並不限定於該構成，只要滿足本發明所揭上述 干涉條件，在發光區域中，並不一定要完全除去底層或層 間絕緣層。 在本實施例中，與—由1T0所構成之透明電極200間之折 射率差較小的氮化石夕所構成之第一底層⑽第二層間絕緣 層20’並沒有除離發光區域’但一與透明電極扇間之折 射率差較大之氧化石夕所摄点、沾结_ — β 構成的弟二底層12、閘極絕緣層 16、與第-層間絕緣層18，則除離一相當於發光區域之區 域。 在此場合’藉由除去—由氧化石夕所成之薄層，折射率差 較大者僅剩第-底層U與透明基板6間之界面，且反射面 數量及全體厚度已減少。因此，干涉強度呈極值（極大值 92375.doc -38- 1245581 或極i、值）之波長間的間隔將變長，藉由該構成發光元件 之薄層厚度來控制干涉條件，即可使一因視角所致之色變 化縮小。 又，本實施例由於沒有將一屬離子阻擋性薄層之由氮化 、、、、成的弟底層11和苐二層間絕緣層2 0，除離發光區 域因而切換元件（在圖中為驅動電晶體1 〇)即為離子阻擋 f生層所後盍，而可以防止一因離子之混入所造成的閾 值電壓之變動。進一步，如本實施例所示，比起將所有的 底層或層間絕緣層除離像素之發光區域，僅除去部分薄層 者其產出率提高，生產性即提高。 其中，當要從各底層與層間絕緣層當中，選擇要除離發 光區域之薄層時，只要是其與透明基板6或透明電極2〇〇間 之折射率差在0_4以上之薄層即可。這是因為在折射率差 為0.4以上之薄層界面中，將產生一反射率達2〜3%以上之 故意性反射，因而若除去該薄層的話，反射面數量與整體 厚度即減少，擴展該控制干涉條件之範圍的效果即變大之 故。 其次，說明本發明之其它實施例。圖14為本發明所揭顯 示裝置在一個像素附近之截面構造的圖解截面圖，其中與 上述實施例相同之部分給予相同符號，並省略其詳細說 明。 本實施例所揭係由一與有機發光二極體元件7〇形成所在 之基板6相反方向取出光之所謂頂發光型〇LED顯示器。因 此，當構成有機發光二極體元件7〇之反射電極3〇〇係與驅 92375.doc -39- 1245581 動電晶體10相接，且及封 射笔極300作為陰極時，驅動電晶 體10係Ν通道型TFT。 在此揚合，人勒w 成切換元件之間極絕緣層16、第一與第二層間絕緣層18、， 2〇、第一與第二底層^ 力 。因此，沒有必要除去該發光 區域中之這些薄層。又， 在一由發光層所發出之光射向觀 看者1000之際，由於％古、， 、/有必要通過基板6，因而在本實施 例中，基板沒有必要是透明的。 在頁I光里OLED顯不态中，藉由作成一滿足本發明所 揭干涉條件之薄層構造時，一因視角之變化所引起之色彩 變化亦受到抑制。 又’在頂發光型之場合，於—相對於可見光為透明且具 有氣體阻障性的透明密封構件綱與—基板6之間，藉由一 框狀塗佈於顯示裝置之顯示部周圍之具有黏著性的密封 劑，而構成密閉密封。該透明密封構件5〇〇可以是一玻璃 板、-施有氣體阻隔處理的樹脂薄m、或I一由薄玻璃板 與樹脂薄膜層積而成者。 在此場合，密封構件5〇〇與基板間之間隙5〇1最好是以一 折射率1·4〜2.0左右之透明體來填滿，俾使其與密封構件或 透明電極間之折射率差最小。這是因為藉由將透明電極 2〇〇與間隙5〇1之間的界面，或是間隙5〇1與透明密封構件 500間之界面上之反射變小，將可以縮小這些界面上之反 射所造成之對干涉強度之影響。 總之，這些界面上之反射變小的話，干涉強度將變弱， 92375.doc -40- 1245581

干涉強度之極大值與極小伯々& S日。糾· 之變化所致之干涉強度之 肤轡化亦轡d、，因而因視 特別言之，使透明體之厚度較可干涉距離為 ^ ^ 一'例 而言例如為30 μιη以上時，可進而減小干涉的影響，故 加抑制視角所致之色彩變化。 200上，層積形成一具# 是藉由交替重複層積一 取代像這樣之使用透明密封構件，亦可以在透明電極 、啊处％何料，或 無機之透明材料與有機之透明材 具有氣體阻隔性之無機透明材料 料，來層積形成一具有氣體阻隔性之薄層，藉此而達成密 封亦可。在此場合，最好該由透明電極2〇〇至外氣間之薄 層構造，不會對干涉強度有所影響。 例如，在層積不同材料之場合，最好藉由選擇折射率差 較小的材料，即可縮小界面上之反射，而縮小其對干涉強 度之影響，或是將厚度設定成比可干涉距離還厚，例如3〇 μιη以上，而不至於對干涉強度有所影響。 其次，說明本發明之其它實施例。關於〇LED顯示器之 全彩化，已有一些方式已被提案與印證。除了如上述實施 例般，直接塗佈三原色（紅色、綠色、藍色）發光元件所成 像素之方式（以下，稱之為RGB並置型）外，亦已提案有一 種組合一白色發光與紅色、綠色、藍色之三原色濾色片的 方式（以下’稱之為白光RGB法（RGB by white))。在白光 RGB法中，作為發光層者僅有白色一種，因而具有製造容 易之特長。 92375.doc -41 - 1245581 本實施例之顯示裝置在上述實施例下，除了將分別塗佈 紅色發光、綠色發光、藍色發光之有機層，全都作為白色 發来之有機層，爯於發来元件之氺敗出相丨丨 a认/ 色顯示用像素下之紅色光穿透濾色片、一作為綠色顯示用 像素下之綠色光穿透濾色片、以及一作為藍色顯示用像素 下之藍色光穿透濾色片之外，其它基本構造與上述實施例 相同’因此，相同之部分省略其詳細說明。濾色片可用染 色法、顏料分散法、或是印刷法等已知之技術分別塗佈 用以實現白色光之有機層可以是一層積數種不同發光色 之發光層之構造，亦可以是在一發光層中，摻雜不同發光 色色素之構成。 前者之構造可以是例如TPD、以奈耳紅（nailered)部分性 地換雜Alq3，再組合1，2,4 -三唾（triazole)介電體（TAZ)者。 又’後者之構造可以是在PVK中摻雜三種色素，例如 1，1，4,4-四苯基〇的？1^1^1)-1，3-丁二烯（1)1^(^116)(丁？6)、 香豆素（coumarin)6、DCM1而成者。藉由任何一種，白色 發光有機層最好都使用一種發光效率高、壽命長之可得白 色發光者。 圖15顯示出本實施例在視角〇度時之干涉強度的波長相 關性’以及其與發光強度為極大值之最短波長間之關係 圖。在白色發光之有機發光二極體元件之發光強度上，於 可見波長區域存在有複數個極大值。 因此，為了縮小一因視角所引起之色彩變化時，有必要 使干涉強度呈極值的波長，在即使視角變化了，亦不與發 92375.doc -42- 1245581 光強度呈極大值之複數個波長相重疊。因此，干涉條件即 應如圖15所例示般，最好干涉強度在視角〇度時為極大值 之油县，力可目.姑县區媸，應屮務央強磨s炻女佶夕畏鉑 波長還短，且干涉強度呈極小值之波長不存在於可見波長 區域内。 此一場合亦和上述實施例一樣，干涉強度之極大值或極 小值雖因視角之增加而向短波長側移動，然因即使視角變 大’在發光波長區域中，干涉強度之極大值或極小值並沒 有移動，因而發光光譜之形狀幾乎沒有變化。因此，即使 視角變化，色彩之變化亦被抑制得很小。 又，在到此為止所述之實施例所揭OLED顯示器中，一 用以抑制外光反射之手段可以是一由偏光板與1/4波長濾 片所組成之所謂圓偏光板。圓偏光板在底發光型時，係配 置於透明基板之觀看者側，而在頂發光型時係配置於透明 在封構件之觀看著側。在一具有圓偏光板之OLED顯示器 中’一因接線或反射電極等所致外光之反射將因圓偏光板 之作用而減低，即使在明亮環境下，亦可實現一高的對比 度。 又’用以構成顯示裝置之顯示部的像素之配置，可以是 一種直條狀配置、瑪賽克配置、或是一三角（Δ)配置。只 要配合顯示裝置之規格選擇適當之配置即可。 又’本發明並不限定於上述實施例之構成，只要不脫該 滿足本發明所規定干涉強度條件的技術思想，不用說都可 作各種變更。 92375.doc -43- 1245581 製程例在一像素附近之截面的圖解圖。 圖8為一顯示出本發明所揭顯示裝置之一實施例在視角〇 度時之千：步強度的欢兵柏關性，以及其與發光强度旦果；^ 值之波長間之關係的圖示。 圖9為一顯示出本發明所揭顯示裝置之發光光譜之視角 相關性之一例的圖示。 圖10為一顯示出本發明所揭顯示裝置之一實施例的色度 與視角相關性的圖示。 圖11為一顯示出本發明所揭顯示裝置之一實施例在視角 〇度日守位於紅色發光像素之發光區域中之干涉強度的波長 相關1± ’以及其與發光強度呈最大值之波長間之關係的圖 示0 圖12為晶員不本發明所揭顯示裝置之一實施例之構造巧 一像素附近之圖解截面圖。 圖13為一顯示本發明所揭顯示裝置之-實施例之構造4 一像素附近之圖解截面圖。 圖14為^ 一顯不本明自^g _ 月所揭顯示裝置之一實施例之構造4 一像素附近之圖解截面圖。 圖：為-顯示出本發明所揭顯示裝置之一實施例在視， 大V:二？度的波長相關性，以及其與發光強度以 大值之取短波長間之關係的圖示。 圖16為一顯示習知 略截面圖。 七毛先二極體元件之一例之局部相 白知頭示裝置在 像素附近之圖解截面圖 92375.doc -45- 1245581 圖1 8為—顯示習知顯示裝置之發光光譜之視角相關性之 一例的圖示。 圖1 Q為—顯十習知顯+裝畳之色度夠说角相關性之一例 的圖示。 圖20為一顯示出試算習知顯示裝置之干涉強度的視角相 關性後所得結果之一例的圖示。 【主要元件符號說明】 1 顯示裝置 2 顯示部 3 資料驅動電路 4 掃描驅動電路 6 透明基板 7 資料線 8 閘極線 9 共同電位接線 10 驅動電晶體 11 第一底層 12 弟二底層 13, 17 源極/汲極區域 14 通道多晶矽層 15 閘極電極 16 閘極絕緣層 18 第一層間絕緣層 19 源極/沒極電極層 92375.doc -46- 1245581 20 第二層間絕緣層 21 第三層間絕緣層 λΠ 切拖電異體 40 儲存電容 60 像素 61 發光區域 70 有機發光二極體元件 100 有機層 200 透明電極 300 反射電極 400 密封裝置 401 間隙 92375.doc -47-

Claims (1)

1. 更)正太 6月） I245$8>ii〇9i67號專利申請案 中文申睛專利範圍替換本(94年 十、申請專利範圍： 一種發光型顯示裝置，其特徵在於具有用以構成複數個 配置成矩陣之像素的發光元件，在視角0度時對於由構 成该發光元件之發光層所放射出來之光的干涉強度會是 極大值的波長，係短於由該發光層所放射出來之光強度 為最大時之波長。 2· 一種發光型顯示裝置，其特徵在於具有用以構成複數個 配置成矩陣狀像素之發光元件，在視角〇度時對於由構 成该發光元件之發光層所放射出來之光的干涉強度會是 極小值的波長，係長於由該發光層所放射出來之光強度 為取大時之波長，且不存在於可見波長領域。 3. —種發光型顯示裝置，其特徵在於具有用以構成複數個 配置成矩陣狀像素之發光元件，當將對於一由構成該發 光元件之發光層所放射出來之光的干涉強度在視角〇度 時會是極大值的波長設定為，且將該發光層所放 射出之光強度會是最大時之波長設定為人⑽狀時，係滿 足 Xemax -50 nmUimax<^emax之關係。 4· 一種發光型顯不裝置，其特徵在於具有用以構成複數個 配置成矩陣狀像素之發光元件，當將對於一由構成該發 光元件之發光層所放射出來之光的干涉強度在視角〇度 時會是極小值的波長設定為λίιηίη，且將由該發光層所放 射之光強度為最大時之波長設定為Xemax時，係滿足 Xemax +70 nm<Ximin之關係。 92375-940614.doc 1245581 5. —種發光型顯示裝置，其特徵在於具有用以構成複數個 配置成矩陣狀像素之發光元件，由該構成發光元件之發 光層所放射出來之光係白色光，或者有複數個發光強度 極大值存在，且在視角〇度時對於一由該發光層所放射 出來之光的干涉強度會是極大值的波長，在可見波長領 域，係紐於由該發光層所放射出來之光強度為最大時之 波長，且該干涉強度為極小值之波長，係長於由該發光 層所放射出來之光強度為極大值之波長，且不存在於可 見波長領域。 6· 種彩色發光型顯示裝置，具有用以構成複數個配置成 矩陣狀像素之發光元件，當將對於一由構成該發光元件 之發光層所放射出來之光的干涉強度在視角〇度時為極 大值的波長設定為Ximax，並將具有極小值之波長設定 為Ximin，且將該發光層所放射之光強度為最大時之波長 設定為Xemax時，係滿足kmax _5〇 nm< ^max<;Umax， 或是 Xemax +70 nmUimin之關係。 Ί·如請求項6所述之彩色發光型顯示裝置，其中該發光元 件係一有機發光二極體元件，且當構成該有機發光二極 體元件之有機膜的膜厚在紅色像素為RT，在綠色像素為 GT，在藍色像素為β丁時，關係為RT^GT》BT。 8_ —種發光型顯示裝置，其特徵在於具有用以構成複數個 配置成矩陣狀像素之發光元件，該顯示裝置係一種由透 明基板側取出光且在該透明基板上形成有一用以控制發 光元件之π滅之切換元件的主動矩陣驅動型顯示裝置， 92375-940614.doc 1245581 至少在錢素發光區域中，構成該等切換元件之數層絕 緣膜當中，至少有一層被選擇性除去；進一步，當將對 於一由構成該發光元件之發光層所放射出來之光的干涉 強度在視角〇度時為極大值的波長設定為hmax，並將具 有極小值之波長設定為hmin，且將該發光層所放射之光 強度為最大時之波長設定為“㈤狀時，將滿s^max_5〇 nmUimax<Umax，或是umax+7〇nmuimii^ 關係。 9·如請求項8所述之發光型顯示裝置，其中該被選擇性除 去之膜，其與該透明基板或構成該發光元件之透明電極 間之折射率差在0.4以上者。 1〇_如請求項8所述之發光型顯示裝置，其中該切換元件係 由低溫多晶石夕TFT所構成，且在該像素之發光區域中， 形成於該切換元件與該透明基板間之底層膜、以及構成 該切換元件之複數層絕緣層都被除去。 11·如請求項10所述之發光型顯示裝置，其中該切換元件之 全方位均被一離子阻擋性膜所圍起來。 12. —種發光型顯示裝置，其特徵在於具有用以構成複數個 配置成矩陣狀像素之發光元件，且由該發光型顯示裳置 向觀看者側取出之光強度，在視角為0度時為最大。 13·如請求項12所述之發光型顯示裝置，其中由該發光型顯 示裝置向觀看者側取出之光強度係最大之波長的變化 量，在視角由0度變化至60度時，係在1〇 nm以下。 14· 一種發光型顯示裝置，其特徵在於具有用以構成複數個 配置成矩陣狀像素之發光元件，且該發光型顯示裝置係 92375-940614.doc 1245581 成有。亥發光元件之基板之相反侧取出光的發光型 顯示爿士署 、 ’’、、、/、衣置’當將對於一由構成該發光元件之發光層所放 射出來夕 ^ 光的干涉強度在視角0度時為極大值的波長設 疋為Ximax ’而為極小值之波長則設定為λίπιίη，並將一 由°亥^光層所放射之光強度為最大時之波長設定為 λ e m a X 時，在^ 、、尤 〇 λ · a 货W雨足 Ximax<aemax，以及 XiminUemax+70 nm之關係。 15. 如明求項14所述之發光型顯示裝置，其中該發光元件在 光取出側具有一光穿透性電極，且在該電極之光取出側 之面上，具有一折射率為i ·4〜2 〇之透明體。 92375-940614.doc