TWI245351B - Integrated circuit chip package and method of assembling the same - Google Patents
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Description
1245351 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 麵魏路巢置之雜紐，制是有關於 會造成晶粒（die)角落剝離的積體電路裝置之封裝方法。 【先前技術】 在積體電路裝置的組裝中，超級球柵陣列（亭γΜ咖卿真A) 触已廣泛應胁電子雜並將其钱㈣連、絲板上，例 (她聊er)或印刷電路板（PCB)。舉例而言，第认及ΐβ圖係分別絡 不出超級球柵陣列（SBGA)基板1〇之上視圖及剖 ^ !：ΓSBGA 10" ° 5 ^ ,1 璃（flUG細edsilieate細，觸）更脆的介 高黏度材料係供作一圍堰14之用。接著封膠材料係侷限於 壞繞的區域之内，如第2A ；5 上 — 斤 圍堰材料n μ 圖之“號16所示。此封膠材料之黏度低於 循環測試中’顯示出液態的封膠材 ^ Μ卿巧鑛應力（global stress) $ 日 g 洛處。此乃晶粒之熱膨脹係數舆 、曰曰粒角 請_圖，其為晶片12=::·斤 ===# W林W)峨路層。= 號2g所心為了增加_ _可靠度及 、、種可防止晶粒角落發生剝離的方法。
DlStefan〇於吴國專利第6，127,724號以及Shim等人於美國專利繁 戰2㈣揭示出傳统的封膠方法。F_池於美國專利第咖 教示-種以樹脂封，曰私—i 利矛W7,482號 衣曰曰粒之方法。這些參考文獻並未教示防止晶粒角落發
0503-A30145TWF l245351 生剝離的方法 【發明内容】 片封’树狄目触於提供-«效社1触频電路』 球拇於提供電路晶_方法，適用於翻 又本毛明之另一目的在於提供一種積 粒角落發生剝離。 種積㈣路曰曰片封裝方法，以防止盖 本發明之又-目的在於提供—種積體電路日日日片封 勝材料之前，先制低熱膨脹係數材料來覆蓋日日日粒料y -入圭; 電路目1，本發明提供—種積體電路日日日料裝方法，將-翻 片附者於—基板上。形成_圍堰，關繞積體電路“ 路曰曰片的所有角落覆蓋一應力緩衝材 、體电 個基板上塗覆-封歸枓聊在積 曰曰片及圍堰内部之整 販上_轉㈣，財__覆聽力 枓係防止積體電路W之角落的封騎料發生剝離。 J㈣材 【實施方式】 本發明提供一種積體電路晶片封梦 (3Β0Λ) 顧畴發㈣峨_類嫩 ^縣4Α及4Β圖，編出_⑽基板1() U係安裝於SBGA基板1〇上。姆| 傾版电給日日乃 可以是環氧化物。現在，於本發明料作為，14。此材料 咖娜3G綱㈣^的^财⑽度、卿脹係數 的曰曰粒角洛。此材料同樣可為環氧化物。
0503-A30145TWF 1245351 因為晶粒與材料30的CTE小，所 同樣地，純與_ 3G之間接觸=者之_ C戰配（m軸㈣低。 油體庫力r⑴、接觸小。前塗覆材料30將晶粒角落處的 、·痛力（_ st醜）降低成小的局部應力㈤血⑽）洛處的 現在’ __係紐·堪14關躺赋 32 〇0 ^ζ； ^5Β 係於熱製程期間供作應力緩衝之 〜的材科30 離。 巾以防止日日㈣洛處的封膠材料發生剝 請參照第6圖，其緣示出晶粒角落之斜視圖。材料 =請參照第其為晶^之勤放大圖，並_ i整個曰應力㈣材料層3〇係覆蓋在晶粒角落處。而封勝材料32係覆 本發明之製财法係融在_餘之前 粒角落，進轉止晶㈣落處的封膠材料發生_。應力、k鱗料覆蓋晶 雖然本發日犯以較佳實施_露如上，财並_以限定本 何热習此顿藝者，在不麟本發明之精神和範㈣ 句任 因此本發明之賴細當視_ ”料職_私者鱗絲躺像，
0503-A30145TWF 7 1245351 圖式簡單說明】 f 1A及2A圖係繪示出習知積體電路晶片組裝之上視圖。 第1B圖係繪示出第1A圖之剖面示意圖。 第2B圖係繪示出第2A圖之剖面示意圖。 f 3圖係緣示㈣知技射發生讎之麻放大圖。 f从及5A圖係繪示出本發明實施例之積體電路晶片組裝之上; 第4B圖係緣示出第4A圖之剖面示意圖。 f 5B圖係緣示出第5A圖之剖面示意圖。 f 6圖係綠不出本發明實施例之晶㈣落之斜視圖。 ^圖係、、曰示出本發明實施例之晶片封裝之剖面放大圖。 【主要元件符號說明】 12〜晶片； W、32〜封膠材料； 20〜剝離； 3〇〜應力緩衝材料。 10〜超、級球柵陣列基板； 14〜圍堪； 18、33〜有致金屬電路層； 22〜收縮；
0503-A30145TWF
Claims (1)
1245351 十、申請專利範圍： 1·-種積體電路晶片之封裝方法，包括·· 提供一基板； 將該積體電路晶片附著於該基板上； 形成一圍堰，以圍繞該積體電路晶片； 在該積體電路晶片的至少一角落覆蓋-應力緩衝材料；以及 在該積體電路晶片及該_内部之該整個基板上覆蓋_封膠 ,2曰如中请專利範圍第i項所述之積體電路晶片之封裝方法，其中該 電路晶片储由-球轉列續著賊基板上。 ^ 电路曰日片係精由-超級球栅陣列而附著於該基板上。 積版 4·如申μ專利細第丨項所述之積體電路晶片之封 係覆蓋該應力缓衝_且該應力緩衝材㈣射該龍電路 角落的封膠材料發生剝離。 、曰曰片之忒 5. 如申請專利範圍第i項所述之積體電路晶片之封 缓衝材料係擇自於親化物及_之任—種。 U該應力 6. 如申請翻細第丨項所述之積體電路晶片之封裝方法 缓衝材料係一低熱膨脹係數材料。 〃中該應力 7·如申請專利範圍第i項所述之積體電路晶片之封裝方法， 電路晶片包含低介電常數介電層。 /、 5亥積體 8·—種積體電路晶片之封裝方法，包括·· 提供一基板； 將該積體電路晶片附著於該基板上； 形成一圍堰，以圍繞該積體電路晶片； 在該積體電路^的至少—綠«—應力緩騎料；以及 在該積體電路晶片及該圍堰内部之該整個基板上覆蓋一封膠材料，其 0503-A30145TWF 1245351 I該封膠㈣覆魏應力__且該應力緩衝㈣係防錢積體電路晶 片之该角落的封膠材料發生剝離。 、 + 9·如巾請專利範圍第8項所述之積體電路⑼之封裝方法，其中該 私路晶片係藉由-球栅陣列而附著於該基板上。 版 體電圍第8項所述之積體電路晶片之封裝方法，其中該積 紅包路日日片係猎由一超級球栅陣列而附著於該基板上。 11.如申請專利範，項所述之積體電路晶片之封裝方法 力緩衝材料係擇自於還氧化物及樹脂之任一種。 ，、中誤應 12·如申明專利範圍第8項所述之積體電路晶片之 力缓衝材料係-低熱膨脹係數材料。 13·如申明專她鮮8項所述之積 、^ ^ 體電路晶片包含低介電常數介電層。 封衣方法，其中該積 14·種積體電路晶片封裝，包括·· 一積體電路晶片，附著於一基板上； 一圍堰，圍繞該積體電路晶片； -應力缓衝㈣，覆蓋該雜電路晶片之至少_纽 -封裝材料，覆蓋該積體電路晶片及該圍翻部敕 15.如申請專利範圍第壯▲板。 晶片係藉由-伽細酿賴^：^輔，她積體電路 晶片項職之频魏晶4塊，針_體電路 牙制缺雜卩翔蝴雜縣板上。 17·如申請專利範圍第14項所 係覆蓋該應力緩衝材料且該應力緩衝材料該封膠材料 的封踢材料發生剥離。 抑止該積體電路晶片之該角落 18.如t騎鄕_ 14顧叙龍魏“ 材;4係擇自於^!氧化物及翻旨之任U該應力緩衝 0503-A30145TWF 10 1245351 19. 如申請專利範圍第14項所述之積體電路晶片封裝，其中該應力缓衝 材料係'^低熱膨服係數材料。 20. 如申請專利範圍第14項所述之積體電路晶片封裝，其中該積體電路 晶片包含低介電常數介電層。 0503-A30145TWF 11
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