TW202515404A - 蓋構件及封裝體 - Google Patents

Abstract

玻璃製的蓋構件(4)具備：板狀的框部(7)、及從框部(7)突出之圓頂狀的突出部(8)。突出部(8)具有內表面(8a)及外表面(8b)。突出部(8)具備：頂部(13)、及與框部(7)構成為一體之基部(11)。在突出部(8)的內表面(8a)形成有抗反射膜(10a)。形成於突出部(8)的基部(11)之抗反射膜(10a)的厚度(Ta1)除以形成於突出部(8)的頂部(13)之抗反射膜(10a)的厚度而得到的值(Ta1/Ta3)為0.75以上且小於1。

Description

蓋構件及封裝體

本發明係關於封裝體用的蓋構件、以及具有蓋構件的封裝體。

例如在專利文獻1揭示一種封裝體，其係具備：供構裝發光元件(LED元件)之基體(基板)、以覆蓋發光元件的方式固定於基體之圓頂狀的蓋構件(透光性罩)、及用於將基體和蓋構件接合之黏著材。在該封裝體，藉由將蓋構件構成為圓頂狀，在蓋構件和基體之間確保用於收容發光元件的空間。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-66169號公報

[發明所欲解決之問題]

針對使用上述那樣圓頂狀的蓋構件之封裝體，為了進一步提升性能的研發正在推動中。

本發明之目的，是為了使含有發光元件之封裝體所使用的蓋構件之光取出效率(light extraction efficiency)提高。 [解決問題之技術手段]

(1) 本發明是為了解決上述問題而開發完成的，係提供一種蓋構件，其係含有發光元件之封裝體所使用之玻璃製的蓋構件，其特徵在於，係具備：板狀的框部、及從前述框部突出之圓頂狀的突出部，前述突出部具有內表面及外表面，前述突出部具備：頂部、及與前述框部構成為一體之基部，在前述突出部之前述內表面形成有抗反射膜，形成於前述基部之前述抗反射膜的厚度除以形成於前述頂部之前述抗反射膜的厚度所得到的值為0.75以上且小於1。

依據該構成，在蓋構件之突出部的內表面形成抗反射膜，利用突出部能讓從發光元件發出的光效率良好地穿透。藉此，可將在封裝體所使用之蓋構件的光取出效率盡可能提高。抗反射膜的厚度越小抗反射效果越低。於是，將形成於突出部的基部之抗反射膜的厚度除以形成於突出部的頂部之抗反射膜的厚度所得到的值設為0.75以上且小於1，能使突出部的基部之抗反射膜的厚度盡可能接近突出部的頂部之抗反射膜的厚度。因此，蓋構件在突出部不存在抗反射膜的厚度極薄的部位。藉此，能使蓋構件的光取出效率提高。

(2)在上述(1)所載的蓋構件中，前述突出部之前述頂部的厚度比前述突出部之前述基部的厚度更薄。

依據該構成，蓋構件的突出部中之頂部的厚度比基部的厚度更薄，可提高該突出部的透射率。此外，由於突出部之基部的厚度比頂部的厚度更厚，能使該基部的強度比頂部的強度更高。因此，能讓蓋構件的光取出效率提高和強度確保兩者兼顧。

(3)在上述(1)或(2)所載的蓋構件中，前述框部具有：與前述突出部之前述內表面相連的第一主面、及與前述突出部的前述外表面相連之第二主面，在前述框部之前述第一主面形成有前述抗反射膜。

依據該構成，形成於框部的第一主面之抗反射膜，在將框部接合於基體時，具有將作用於接合部分的應力予以緩和的功能，因此能將蓋構件不受損害地接合於封裝體之基體。

(4)在上述(3)所載的蓋構件中，在形成於前述框部的前述第一主面之前述抗反射膜之與前述第一主面側為相反的一側形成有金屬層。

依據該構成，在蓋構件形成接合材時，藉由使用該金屬層，使接合材和金屬層良好地相容，結果能將蓋構件和封裝體之基體適當地接合。

(5)在上述(1)至(4)之任一者所載的蓋構件中，前述抗反射膜包含氧化鉿膜。

如果前述抗反射膜是氧化鉿膜，在將框部接合於基體時，可顯著提升將作用於接合部分的應力予以緩和的功能。因此，能將蓋構件不受損害地接合於封裝體之基體。

(6)在上述(1)至(5)之任一者所載的蓋構件中，在前述突出部之前述外表面形成有第二抗反射膜。

依據該構成，能將蓋構件的光取出效率進一步提高。

(7)在上述(6)所載的蓋構件中，形成於前述頂部之前述第二抗反射膜的厚度比形成於前述基部之前述第二抗反射膜的厚度更厚。

(8)在上述(1)至(7)之任一者所載的蓋構件中，前述突出部以既定的突出角度從前述框部突出，前述突出部的前述突出角度為10°~80°。

當讓突出部和濺鍍裝置相對向且從濺鍍裝置朝向突出部的內表面將粒子飛濺來形成抗反射膜的情況，可在突出部的頂部形成具有按照設計的膜厚之抗反射膜。然而，若突出角度超過80°，堆積於基部的粒子量變少，難以形成具有按照設計的膜厚之抗反射膜。相對於此，只要突出角度為80°以下，甚至在突出部的基部也能有效率地形成抗反射膜的成分。如此，可形成足夠厚度的抗反射膜，因此可將突出部之光取出效率提高。又若突出角度小於10°，從封裝發光元件之收容空間的觀點來看變得不合適。

(9)在上述(1)至(8)之任一者所載的蓋構件中，前述突出部具有：形成於前述內表面側之開口部，前述開口部的開口長度L和前述突出部的突出高度H之比(L/H)為1.2~8。

當讓突出部和濺鍍裝置相對向且從濺鍍裝置朝向突出部的內表面將粒子飛濺來形成抗反射膜的情況，可在突出部的頂部形成具有按照設計的膜厚之抗反射膜。然而，若比(L/H)小於1.2，堆積於基部的粒子量變少，難以形成具有按照設計的膜厚之抗反射膜。相對於此，只要比(L/H)為1.2以上，甚至在突出部的基部也能有效率地形成抗反射膜的成分。如此，可形成足夠厚度的抗反射膜，因此可將突出部之光取出效率提高。又若比(L/H)超過8，從封裝發光元件之收容空間的觀點來看變得不合適。

(10)在上述(9)所載的蓋構件中，前述開口部構成為四角形狀。

(11)在上述(1)至(10)之任一者所載的蓋構件中，前述內表面具有：與前述框部之前述第一主面相連且朝向前述突出部的內側凸出的第一曲面、朝向前述突出部的外側凸出之第二曲面、及位於前述第一曲面和前述第二曲面間之反曲點。

依據該構成，蓋構件的形狀變平滑，可具有耐外部撞撃性。又在具有該反曲點之蓋構件的情況，因為突出部的光取出效率有可能降低，藉由將前述的突出角度、開口部的開口長度L和突出部的突出高度H之比(L/H)予以規定，可將突出部之光取出效率提高。

(12)本發明是為了解決上述問題而開發完成的，係提供一種封裝體，其係具備：發光元件、支承前述發光元件之基體、以及上述(1)至(11)之任一者所載的蓋構件。

依據該構成，在蓋構件之突出部的內表面形成抗反射膜，利用突出部能讓從發光元件發出的光效率良好地穿透。藉此，可將封裝體的光取出效率盡可能提高。抗反射膜的厚度越小抗反射效果越低。於是，將形成於突出部的基部之抗反射膜的厚度除以形成於突出部的頂部之抗反射膜的厚度所得到的值設為0.75以上且小於1，能使突出部的基部之抗反射膜的厚度盡可能接近突出部的頂部之抗反射膜的厚度。因此，蓋構件在突出部不存在抗反射膜的厚度極薄的部位。藉此，能使封裝體的光取出效率提高。 [發明之效果]

依據本發明，能使含有發光元件之封裝體所使用之蓋構件的光取出效率提高。

以下，針對用於實施本發明的形態，參照圖式做說明。圖1至圖20係顯示本發明的蓋構件及封裝體之一實施形態。

如圖1及圖2所示般，封裝體1係具備：基體2、由基體2支承之發光元件3、覆蓋基體2及發光元件3之蓋構件4、以及將基體2和蓋構件4氣密接合之封止部5。

圖3及圖4顯示與蓋構件4接合之前的基體2。基體2具有：支承發光元件3之第一主面2a、位於第一主面2a的相反側之第二主面2b、形成於第一主面2a之金屬層6。

作為基體2的材質，可列舉例如氮化鋁、氧化鋁、碳化矽、氮化矽等陶瓷、由該等陶瓷和玻璃粉末混合燒結而成的玻璃陶瓷、Fe-Ni-Co合金、Cu-W合金、Kovar(註冊商標)等合金等。

如圖4所示般，金屬層6具有包圍發光元件3之框形狀。金屬層6形成為四角形狀，但並不限定於此形狀。金屬層6例如以包圍發光元件3的方式形成為圓形狀亦可。

金屬層6從第一主面2a側起依序包含基底層、中間層及表層共三層。作為基底層用之金屬，可列舉例如Cr、Ta、W、Ti、Mo、Ni、Pt等。作為中間層用之金屬，可列舉例如Ni、Pt、Pd等。作為表層用之金屬，可列舉例如Au、Sn、Ag、Ni、Pt等。作為金屬層6用之金屬，可以是單一金屬，也可以是合金。

作為將金屬層6形成於基體2的第一主面2a之方法，可列舉例如濺鍍法、真空蒸鍍法、使用離子輔助或離子鍍之真空蒸鍍法、及CVD法等成膜法。

發光元件3固定在基體2之第一主面2a。在本實施形態中，是例示使用紫外線照射用LED作為發光元件3之封裝體1，但本發明的發光元件3並不限定於本實施形態，可採用紅外線LED、可見光LED。

圖5至圖7顯示與基體2接合之前的蓋構件4。蓋構件4係將板玻璃的一部分進行成形而製造出。蓋構件4所使用的玻璃，較佳為無鹼玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、石英玻璃、結晶化玻璃。如果是無鹼玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃，可兼顧高透射率、成型時的高加工性。又如果是石英玻璃，可維持成型時的加工性，且在紫外線區具有顯著高的透射率。又如果是結晶化玻璃，可兼顧高透射率和高破壞強度。

當玻璃為硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃或無鹼玻璃的情況，作為玻璃組成，以質量%計，較佳為含有SiO ₂:50~75%、Al ₂O ₃:1~25%、B ₂O ₃:0~30%、Li ₂O+Na ₂O+ K ₂O:0~20%、MgO+CaO+SrO+BaO:0~20%。只要玻璃的組成在上述組成範圍內，就屬於這些玻璃系。

在結晶化玻璃的情況較佳為低熱膨脹結晶化玻璃，作為玻璃組成，以質量%計係含有SiO ₂:60~80%、Al ₂O ₃:3~30%、Li ₂O+Na ₂O+K ₂O:1~20%、MgO+CaO+SrO+ BaO:5~20%，且讓β石英固溶體或β鋰輝石從玻璃內部以結晶的形式析出。在此的低熱膨脹是指，在30~300℃的溫度範圍內，熱膨脹係數的值為-10×10 ^-7/℃~20×10 ^-7/℃。

如圖2及圖5所示般，蓋構件4具備：板狀的框部7、從框部7突出之圓頂狀的突出部8、用於將框部7和突出部8連結之連結部9、第一抗反射膜10a及第二抗反射膜10b。

框部7例如具有一定的厚度，但不限定於此態樣。框部7的厚度例如0.2mm~2mm。框部7具有：第一主面7a、及位於第一主面7a的相反側之第二主面7b。第一主面7a的表面粗糙度(算術平均粗糙度)Ra，較佳為1nm以下，更佳為0.5nm以下，又更佳為0.3nm以下。第二主面7b的表面粗糙度Ra，較佳為1nm以下，更佳為0.5nm以下，又更佳為0.3nm以下。

突出部8係用於連同基體2的第一主面2a一起形成發光元件3之收容空間。突出部8形成於框部7的中央位置，但不限定於此態樣。突出部8具有：構成為凹狀的曲面之內表面8a、構成為凸狀的曲面之外表面8b、以及形成於內表面8a側之開口部8c。又突出部8具備基部11、中途部12、頂部13。基部11是與連結部9構成為一體。中途部12位於基部11和頂部13之間。

突出部8的基部11定義如下。如圖2所示般，畫出頂部13的法線(以下稱為「第一線」)L1，進而畫出沿著框部7的第二主面7b之直線(以下稱為「第二線」)L2。將從第一線L1和突出部8的內表面8a之交點P2到第二線L2和突出部8的內表面8a之交點P3為止之突出部8的部分，在剖面視下分割成四等分。亦即，以將從交點P2到交點P3為止之突出部8的部分四等分的方式，從第一線L1和第二線L2的交點P1畫出直線L3~L5(以下稱為：第三線L3、第四線L4及第五線L5)。

將用各直線L3~L5分割後的部分，從交點P2朝向交點P1分別稱為第一部分、第二部分、第三部分及第四部分。

基部11是第一部分和第二部分的邊界部。亦即，基部11是第三線L3與突出部8交叉的部分。又將第三線L3與突出部8的內表面8a相交的部分稱為第一基部11a，將第三線L3與突出部8的外表面8b相交的部分稱為第二基部11b。

又如圖5所示般，在從第一線L1和第二線L2的交點P1畫出與第二線L2的夾角為60°的直線(以下稱為「第六線」)L6時，中途部12是該第六線L6與突出部8相交的部分。

以下，將從第一線L1和突出部8的內表面8a之交點P2到上述交點P1的距離稱為突出部8之突出高度，並用符號H表示。突出部8之突出高度H是例如0.5mm~ 80mm。

突出部8的外徑D，是位於第二基部11b的點之集合圓的直徑，例如2mm~150mm。如圖5所示般，突出部8的厚度隨著從基部11朝向頂部13而逐漸變薄。因此，頂部13的厚度Tmin比基部11的厚度(第一基部11a和第二基部11b的距離)Tmax更薄。

基部11的厚度Tmax是例如0.19mm~1.9mm。頂部13的厚度Tmin是例如0.15mm~1.0mm。基部11的厚度Tmax和頂部13的厚度Tmin之比(Tmin/Tmax)，較佳為0.08~0.9，更佳為0.1~0.8，又更佳為0.2~0.5。

如圖5所示般，突出部8以既定的突出角度θ從框部7突出。突出角度θ定義如下。

從位於第一線L1上之突出高度H之一半(H/2)的高度位置之點P4畫出與第二線L2平行的直線(以下稱為「第七線」)L7，將該第七線L7與突出部8的內表面8a之交點稱為P5。畫出通過交點P3和交點P5的直線(以下稱為「第八線」)L8，將該第八線L8與沿著框部7之第一主面7a畫出的第九線L9所夾的角度(銳角)稱為突出角度θ。

在本實施形態中，突出角度θ較佳為10°~80°，更佳為20°~70°，又更佳為20°以上且小於40°。

突出部8的內表面8a及外表面8b構成為，從基部11到頂部13連續的曲面。內表面8a之表面粗糙度Ra較佳為1nm以下，更佳為0.5nm以下，又更佳為0.3nm以下。外表面8b之表面粗糙度Ra較佳為1nm以下，更佳為0.5nm以下，又更佳為0.3nm以下。

突出部8之開口部8c，在將蓋構件4固定於基體2時，是用於將設置於基體2上之發光元件3放入突出部8的內側。如圖7所示般，突出部8之開口部8c構成為圓形狀，但不並限定於此形狀。

開口部8c的開口長度L(在本實施形態，開口部8c的直徑)是例如1.5mm~80mm。開口部8c的開口長度L和突出部8的突出高度H之比(L/H)，較佳為1.2以上、1.6以上、2.1以上，較佳為8以下、5以下、3以下。

如圖2及圖5所示般，連結部9為了將基部11和框部7連結而具有彎曲形狀。連結部9具有：將框部7的第一主面7a和突出部8的內表面8a連結之第一曲面9a、將突出部8的外表面8b和框部7的第二主面7b連結之第二曲面9b。

第一曲面9a的曲率半徑比第二曲面9b的曲率半徑大。第一曲面9a的曲率半徑較佳為0.5mm以上、1mm以上，較佳為5mm以下、4mm以下。第二曲面9b的曲率半徑較佳為0.5mm以上、1mm以上，較佳為5mm以下、4mm以下。第一曲面9a的表面粗糙度Ra較佳為1.0nm以下，更佳為0.5nm以下，又更佳為0.3nm以下。第二曲面9b的表面粗糙度Ra較佳為1nm以下，更佳為0.5nm以下，又更佳為0.3nm以下。

第一抗反射膜10a形成於突出部8的內表面8a及框部7的第一主面7a。第一抗反射膜10a例如具有多層膜構造，該多層膜構造是交互地含有作為第一膜之氧化矽膜(SiO ₂)、作為第二膜之氧化鉿膜(HfO ₂)。

如圖6所示般，在第一抗反射膜10a中之形成於突出部8的內表面8a之部分(以下稱為「抗反射部」)10a1構成為，隨著從突出部8的頂部13朝向基部11其膜厚逐漸變薄。亦即，抗反射部10a1中，形成於頂部13的部分之厚度Ta3最厚，形成於基部11的部分之厚度Ta1比形成於頂部13的部分之厚度Ta3更薄。

位於突出部8的基部11之第一抗反射膜10a的厚度Ta1(參照圖6)，較佳為0.12μm~0.64μm。位於突出部8的中途部12之第一抗反射膜10a的厚度Ta2，較佳為0.14μm~0.72μm。位於突出部8的頂部13之第一抗反射膜10a的厚度Ta3，較佳為0.15μm~0.8μm。

形成於突出部8的基部11之第一抗反射膜10a的厚度Ta1除以形成於突出部8的頂部13之第一抗反射膜10a的厚度Ta3所得到的值(Ta1/Ta3)，較佳為0.75以上且小於1，更佳為0.85~0.95。

第一抗反射膜10a的厚度越偏離設計值抗反射效果越低。於是，將形成於突出部8的基部11之第一抗反射膜10a的厚度Ta1除以形成於突出部8的頂部13之第一抗反射膜10a的厚度Ta3所得到的值(Ta1/Ta3)設為0.75以上且小於1，能夠使形成於突出部8的基部11之第一抗反射膜10a的厚度Ta1盡可能接近形成於突出部8的頂部13之第一抗反射膜10a的厚度Ta3。因此，蓋構件4在突出部8不存在第一抗反射膜10a的厚度極薄的部位。如此，可提高蓋構件4的光取出效率。

在第一抗反射膜10a中之形成於框部7的第一主面7a之部分(以下稱為「緩衝部」)10a2，具有一定的膜厚。緩衝部10a2除了防止紫外線反射的功能以外，還具有：在將蓋構件4接合於基體2時將作用於框部7的應力予以緩和的功能。

第二抗反射膜10b形成於突出部8的外表面8b及框部7的第二主面7b。第二抗反射膜10b例如具有多層膜構造，該多層膜構造是交互地含有作為第一膜之氧化矽膜(SiO ₂)、作為第二膜之氧化鉿膜(HfO ₂)。

在第二抗反射膜10b中之形成於突出部8之外表面8b的部分(以下稱為「抗反射部」)10b1構成為，隨著從頂部13朝向基部11其膜厚逐漸變薄。亦即，抗反射部10b1中，形成於頂部13的部分之厚度Tb3最厚，形成於基部11的部分之厚度Tb1比形成於頂部13的部分之厚度Tb3更薄。

位於突出部8的基部11之第二抗反射膜10b的厚度Tb1，較佳為0.12μm~0.64μm。位於突出部8的中途部12之第二抗反射膜10b的厚度Tb2，較佳為0.14μm~ 0.72μm。位於突出部8的頂部13之第二抗反射膜10b的厚度Tb3，較佳為0.15μm~0.8μm。

形成於突出部8的基部11之第二抗反射膜10b的厚度Tb1除以形成於突出部8的頂部13之第二抗反射膜10b的厚度Tb3所得到的值(Tb1/Tb3)，較佳為0.75以上且小於1，更佳為0.85~0.95。

第二抗反射膜10b的厚度越小抗反射效果越低。於是，將形成於突出部8的基部11之第二抗反射膜10b的厚度Tb1除以形成於突出部8的頂部13之第二抗反射膜10b的厚度Tb3所得到的值(Tb1/Tb3)設為0.75以上且小於1，能夠使突出部8的基部11之第二抗反射膜19b的厚度Tb1盡可能接近突出部8的頂部13之第二抗反射膜Tb3的厚度。因此，蓋構件4在突出部8不存在第二抗反射膜10b的厚度極薄的部位。如此，可提高蓋構件4的光取出效率。

又當光取出效率足夠的情況，無須形成第二抗反射膜10b。但當使用硼矽酸鹽玻璃等耐候性弱的玻璃作為蓋構件的情況，有可能由於外部環境而造成蓋構件4劣化，結果導致光取出效率降低。在此情況，可替代在蓋構件4形成第二抗反射膜10b，而形成SiO ₂膜或Al ₂O ₃膜來作為具有耐候性的膜。又也能以積層於第二抗反射膜10b的形式，形成SiO ₂膜或Al ₂O ₃膜來作為具有耐候性的膜。

如圖2、圖5及圖7所示般，在第一抗反射膜10a之緩衝部10a2形成有金屬層14及接合部15。緩衝部10a2的楊氏模數較佳為250GPa以下，更佳為200GPa以下，又更佳為150GPa以下，特佳為100GPa以下。藉由如此般規定上限，可提升緩衝部10a2的緩衝性，能夠獲得將接合部15和蓋構件4(框部7)之熱膨脹係數的差異所產生的應力予以緩和的效果。又框部7的熱膨脹係數比接合部15的熱膨脹係數小。又框部7的熱膨脹係數比基體2的熱膨脹係數小。

緩衝部10a2的厚度較佳為0.1μm以上、0.2μm以上，更佳為1μm以下、0.8μm以下。藉由如此般規定下限，可進一步提升緩衝部10a2的緩衝性，能夠獲得將接合部15和蓋構件4(框部7)之熱膨脹係數的差異所產生的應力予以緩和的效果。又藉由如此般規定上限，能夠降低緩衝部10a2的製造成本。

如圖5及圖7所示般，金屬層14形成為與緩衝部10a2重疊。金屬層14形成於緩衝部10a2之與框部7的第一主面7a接觸之面為相反側的面。如圖7所示般，金屬層14對應於基體2之金屬層6的形狀而具有四角形的框形狀。金屬層14的形狀並不限定於本實施形態。金屬層14也可以具有圓形狀等其他各種的框形狀。金屬層14從緩衝部10a2側起依序包含基底層、中間層、及表層共三層。

作為基底層用的金屬，可列舉例如Cr、Ta、W、Ti、Mo、Ni、Pt等。在基底層採用Cr的情況，基底層的楊氏模數較佳為279GPa以下。作為中間層用的金屬，可列舉例如Ni、Pt、Pd等。作為表層用的金屬，可列舉例如Au、Sn、Ag、Ni、Pt等。金屬層14用的金屬，可以是單一金屬，也可以是合金。

如圖5及圖7所示般，接合部15是以重疊於金屬層14的方式構成為層狀。如圖5所示般，接合部15是接觸金屬層14中之與緩衝部10a2接觸的部位之相反側的部位。如圖7所示般，接合部15係對應於緩衝部10a2及金屬層14的形狀而具有四角形的框形狀。接合部15的形狀並不限定於本實施形態，亦可為圓形等其他各種的框形狀。

接合部15是由金屬系接合材所構成。作為金屬系接合材，可使用作為軟焊材、硬焊材之市售者。作為金屬系接合材，可列舉例如Au-Sn合金、Pb-Sn合金、Au-Ge合金、Sn-Ni合金等。又藉由使接合部15的寬度比緩衝部10a2的寬度窄，可降低接合部15和蓋構件4之熱膨脹係數的差異所產生之應力的影響。在本實施形態，是針對使用Au-Sn合金來作為金屬系接合材的情況做說明。

封止部5係將基體2的金屬層6和蓋構件4的金屬層14利用接合部15接合成一體而形成的。

接下來，針對封裝體1的製造方法做說明。本方法具備：準備基體2及蓋構件4之準備工序、將基體2和蓋構件4接合之接合工序。

在準備工序，在基體2的第一主面2a形成了金屬層6之後，在該第一主面2a上搭載發光元件3。

又在準備工序，藉由在板玻璃將突出部8成形而形成了蓋構件4之後，在蓋構件4形成第一抗反射膜10a。然後，在第一抗反射膜10a之緩衝部10a2形成金屬層14及接合部15。又也可以在蓋構件4形成第二抗反射膜10b，藉此進一步提高光取出效率。

以下，針對製造蓋構件4的工序，參照圖8至圖10做說明。該工序包含：成形工序、成膜工序。

圖8係顯示在成形工序所使用的成形裝置。成形裝置16具備：支承板玻璃GS之支承台17、重疊配置在由支承台17支承的板玻璃GS上之遮蔽構件18、及為了將蓋構件4的突出部8成形而讓板玻璃GS的一部分產生熱變形之加熱源19。而且，成形裝置16具備：將支承台17和遮蔽構件18朝互相接近的方向按壓之按壓構件20、及用於對板玻璃GS的一部分施加外力之外力產生裝置21。

支承台17具備：支承板玻璃GS之支承部17a、及具有被支承部17a包圍的開口部且容許板玻璃GS之一部分的熱變形之空間部17b。支承台17之支承部17a具有：支承板玻璃GS的主面之支承面。在本實施形態中，支承台17的開口部具有圓形狀的開口緣E1，但亦可具有例如三角形狀、四角形狀等多角形狀、橢圓形狀等形狀之開口緣。

又支承台17之空間部17b，可由貫通孔所形成，亦可由具有內底部之凹部所形成。支承台17之空間部17b構成為，能將蓋構件4之突出部8全體在非接觸的狀態下進行成形。作為構成支承台17的材料，可列舉例如金屬、陶瓷等。

並不限定於上述的構成，為了將蓋構件4的形狀精度良好地成形，在空間部17b設置用於接收板玻璃GS之接收治具亦可。接收治具是由金屬或陶瓷所構成。如前述般，較佳為將蓋構件4之突出部8全體在非接觸的狀態下進行成形，藉由將與板玻璃GS接觸之接收治具之面的品質提高(減少表面粗糙度、表面起伏)，縱使是使用接收治具的情況，仍可將蓋構件4精度良好地成形。

如圖8所示般，遮蔽構件18具有貫通孔18a。本實施形態之遮蔽構件18的貫通孔18a雖具有圓形狀的內周緣E2，但也可以具有例如三角形狀、四角形狀等多角形狀、橢圓形狀等形狀的內周緣。

支承台17及遮蔽構件18構成為，將遮蔽構件18之貫通孔18a的內周緣E2之至少一部分配置在比支承台17的開口緣E1更內側。具體而言，支承台17及遮蔽構件18構成為，將遮蔽構件18之貫通孔18a的內周緣E2全體配置在比支承台17的開口緣E1更內側。

當將支承台17之開口部的開口面積設為100%的情況，遮蔽構件18之貫通孔18a的剖面積較佳為95%以下，更佳為80%以下。遮蔽構件18之貫通孔18a的內周緣E2之至少一部分，較佳為配置成比支承台17的開口緣E1更靠內側1mm以上，更佳為配置成更靠內側3mm以上。

遮蔽構件18較佳為，由600℃下具有1[W/(m･K)]以下的導熱係數之材料所構成。作為構成遮蔽構件18的材料，例如陶瓷是適當的。遮蔽構件18的厚度較佳為1mm以上。本實施形態的遮蔽構件18具有覆蓋板玻璃GS之外周緣全體的外形。

加熱源19配置成從遮蔽構件18側將板玻璃GS加熱。本實施形態的加熱源19是朝向板玻璃GS噴射火焰FL的燃燒器。藉由使用燃燒器，可讓板玻璃GS比較迅速地軟化。又加熱源19的加熱方式亦可為例如電阻加熱、雷射加熱。又加熱源19亦可將不同加熱方式的加熱源組合而構成。

按壓構件20是例如將遮蔽構件18朝向支承台17按壓。作為將按壓構件20按壓之按壓機構，可列舉例如流體缸、線性致動器等。又按壓構件20亦可構成為，對於固定住的遮蔽構件18將支承台17按壓。

作為外力產生裝置21可使用例如排氣裝置。排氣裝置，藉由將存在於支承台17之空間部17b內的氣體排出，使支承台17的空間部17b內成為負壓。藉此，將板玻璃GS的一部分朝向支承台17的空間部17b內吸引，而能促進板玻璃GS的一部分之熱變形。作為排氣裝置，例如使用文氏管機構之泵是適當的。

又外力產生裝置21並不限定於排氣裝置，亦可為從遮蔽構件18側朝向板玻璃GS的一部分噴射高壓氣體之高壓氣體產生裝置。藉此，將板玻璃GS的一部分朝向支承台17的空間部17b加壓，可促進板玻璃GS的一部分之熱變形。又亦可將泵和高壓氣體產生裝置並用來促進板玻璃GS的一部分之熱變形。

如圖8及圖9所示般，在成形工序，首先在由支承台17支承之板玻璃GS上重疊配置遮蔽構件18。在此情況，支承台17及遮蔽構件18構成為，將遮蔽構件18之貫通孔18a的內周緣E2之至少一部分配置在比支承台17之開口緣E1更內側。然後，按壓構件20將支承台17和遮蔽構件18以互相抵接的方式按壓。藉此，可抑制被夾在支承台17和遮蔽構件18之間的板玻璃GS之位置偏移。

接下來，在成形工序，藉由加熱源19從遮蔽構件18側將板玻璃GS加熱。藉此，使板玻璃GS的一部分產生熱變形，而讓突出部8成形。

在上述的成形工序，可將支承台17的開口緣E1用遮蔽構件18覆蓋。藉此，可藉由沿著遮蔽構件18之貫通孔18a的內周緣E2之板玻璃GS的熱變形來形成蓋構件4的連結部9。亦即，讓蓋構件4的連結部9以不與支承台17接觸的方式成形。藉由該成形工序形成為具有框部7、突出部8及連結部9之蓋構件4。

又在蓋構件4形成突出部8之方法(蓋構件4的製造方法)，除了上述以外，亦可採用以下方法，亦即，在具有凹部的金屬製或陶瓷製的模具上載置板玻璃GS，使用具有與前述凹部嵌合之凸部的金屬製或陶瓷製的模具將板玻璃GS進行熱壓。該熱壓的加熱溫度，較佳為板玻璃GS的降伏點以上，更佳為板玻璃GS的軟化點以上。

當成形工序結束時，實行成膜工序。圖10顯示在成膜工序所使用的成膜裝置。在本實施形態，作為成膜裝置是例示例如磁控管濺鍍裝置等濺鍍裝置，但本發明並不限定於此構成，也可以使用進行真空蒸鍍法等其他的物理蒸鍍法之成膜裝置。

成膜裝置22具備：真空腔室23、讓成為抗反射膜10a,10b的成膜材料之粒子飛濺的靶24a,24b。

真空腔室23是在其內部收容靶24a,24b。真空腔室23的內部空間是藉由真空泵而設定成既定的真空度。可對真空腔室23內供應氬氣等惰性氣體。

靶24a,24b包含：用於在蓋構件4形成第一抗反射膜10a之第一靶24a、及用於在蓋構件4形成第二抗反射膜10b之第二靶24b。除了這些靶24a,24b以外，在真空腔室23還配置用於形成金屬層14之靶(圖示省略)。

第一靶24a及第二靶24b，為了形成第一抗反射膜10a及第二抗反射膜10b的第一膜(SiO ₂)及第二膜(HfO ₂)而包含複數個靶。

如圖10所示般，在成膜工序，將蓋構件4收容於真空腔室23。然後，讓從第一靶24a飛濺出的粒子附著於蓋構件4之突出部8的內表面8a及框部7的第一主面7a，藉此形成第一抗反射膜10a。同樣的，讓從第二靶24b飛濺出的粒子附著於蓋構件4之突出部8的外表面8b及框部7的第二主面7b，藉此形成第二抗反射膜10b。

附著於蓋構件4之突出部8的粒子量，在頂部13的位置最多，朝向基部11逐漸變少。如此般，附著於突出部8之粒子量的差異，是由於突出部8之突出角度θ的影響。

在蓋構件4形成了抗反射膜10a,10b之後，以與第一抗反射膜10a之緩衝部10a2重疊的方式形成金屬層14。藉由上述成膜裝置22讓從用於形成金屬層14的靶(圖示省略)飛濺出的粒子附著於緩衝部10a2，藉此形成金屬層14。金屬層14是通過遮蔽構件讓粒子附著於緩衝部10a2而形成為框形狀。

然後，以與金屬層14重疊的方式形成接合部15。接合部15是例如藉由將糊狀的金屬系接合材以與金屬層14重疊的方式塗布的工序(塗布工序)來形成。作為塗布工序的具體例可舉出：使用遮罩(mask)之印刷法(網版印刷法)、使用塗布機(dispenser)之塗布法等。

接合部15，並不限定於上述方法，例如將事先形成為既定的框形狀之金屬系接合材的成形體以重疊於框部7之第一主面7a的金屬層14的方式進行配置亦可。

當將接合部15用之金屬系接合材塗布於框部7的第一主面7a，實行用於將該金屬系接合材固定在第一主面7a的金屬層14之熱處理工序。熱處理工序具備加熱工序、冷卻工序。

在加熱工序，可將蓋構件4使用迴焊爐(reflow oven)等的加熱裝置進行加熱，而讓金屬系接合材熔融。加熱工序是例如可在爐內填充有氮氣的狀態下實施。在加熱工序，蓋構件4被加熱到300℃以上的溫度。

在冷卻工序，在框部7的第一主面7a上呈熔融狀態的金屬系接合材，被冷卻而固化。冷卻工序較佳為以冷卻速度50℃/分進行徐冷。在冷卻工序，起因於框部7和接合部15之熱膨脹係數的差異會在蓋構件4產生應力，第一抗反射膜10a的緩衝部10a2可將該應力緩和。

如圖11所示般，在接合工序，將經由準備工序所製造的蓋構件4重疊於基體2。具體而言，讓蓋構件4的框部7之第一主面7a與基體2相對向，並讓接合部15與形成於基體2的第一主面2a之金屬層6接觸。

接下來，如圖12所示般，在蓋構件4的框部7載置按壓構件25。按壓構件25具有：重物(weight)25a、及支承重物25a之支承構件25b。作為重物25a及支承構件25b是使用例如金屬製或陶瓷製者。

支承構件25b具有：支承重物25a之第一支承部25b1、支承第一支承部25b1之第二支承部25b2。

第一支承部25b1具有：供載置重物25a的支承面(上表面)。第二支承部25b2包含複數個棒狀構件。第二支承部25b2是從第一支承部25b1的下表面朝下方突出。

第二支承部25b2具有：與蓋構件4的框部7接觸之接觸部25b3。接觸部25b3構成為尖端狀。接觸部25b3透過第二抗反射膜10b來與框部7的第二主面7b接觸。

按壓構件25，藉由使複數個第二支承部25b2之各接觸部25b3與框部7接觸，在蓋構件4上以自撐的狀態將該蓋構件4按壓。藉由按壓構件25將蓋構件4按壓，能讓形成於蓋構件4的框部7之接合部15和形成於基體2的第一主面2a之金屬層6緊貼。

然後，將金屬層6和接合部15在壓接的狀態下加熱(加熱工序)。藉此，使接合部15的金屬系接合材成為熔融狀態。又在該加熱工序，因為第二支承部25b2之尖端狀的接觸部25b3與蓋構件4的框部7接觸，可將接觸部25b3和框部7的接觸面積盡可能縮小。藉此，可將從框部7朝按壓構件25的第二支承部25b2之熱傳遞抑制在最小限度。

然後，將熔融狀態的金屬系接合材冷卻而讓其固化(冷卻工序)。在冷卻工序，起因於基體2和蓋構件4的框部7之熱膨脹係數的差異會在框部7產生應力。在此情況，第一抗反射膜10a的緩衝部10a2以緩和該應力的方式變形。藉此，可減少框部7的損壞。

當冷卻工序結束，則形成利用接合部15將基體2的金屬層6和蓋構件4的金屬層14接合成一體之封止部5。經由以上處理，完成可確保氣密性的封裝體1。

圖13係顯示用於製造蓋構件4之玻璃基板的例子。玻璃基板G具備：框部7、從框部7突出之複數個突出部8、及抗反射膜10a,10b。各突出部8具有與上述蓋構件4的突出部8相同的構成。各突出部8，是利用上述成形裝置16讓大型的板玻璃GS之複數處產生熱變形而形成的。只要將該玻璃基板G沿著切斷線CL切斷，就能效率良好地製造出具有突出部8、框部7及抗反射膜10a,10b之複數個蓋構件。又也可以在第一抗反射膜10a形成有金屬層14及接合部15。

圖14顯示蓋構件的其他例。在本例中，蓋構件4係具備：框部7、從框部7突出之複數個突出部8、抗反射膜10a,10b、金屬層14及接合部15。該蓋構件4的各構成要素具有與上述(圖5)的蓋構件4相同的構成。該蓋構件4，當在基體2載置有複數個發光元件3的情況，可藉由複數個突出部8將各發光元件3個別地封止。

圖15顯示蓋構件的其他例。在該例中，蓋構件4的內表面8a具有：曲率半徑不同的第一曲面8a1及第二曲面8a2、位於第一曲面8a1和第二曲面8a2間之邊界部8a3。形成於突出部8的基部11側之第一曲面8a1的曲率半徑，比形成於突出部8的頂部13側之第二曲面8a2的曲率半徑更小。

蓋構件4的外表面8b具有：曲率半徑不同的第一曲面8b1及第二曲面8b2、位於第一曲面8b1和第二曲面8b2間之邊界部8b3。形成於突出部8的基部11側之第一曲面8b1的曲率半徑，比形成於突出部8的頂部13側之第二曲面8b2的曲率半徑小。

圖16及圖17顯示蓋構件的其他例之俯視圖。在本例中，蓋構件4具有：排列成多行多列之複數個突出部8、抗反射膜10a,10b(省略第一抗反射膜10a的圖示)、金屬層14(圖示省略)及接合部15(圖示省略)。圖16所示的蓋構件4具有：俯視呈圓形狀之複數個突出部8。另一方面，圖17所示的蓋構件4具有：俯視呈四角形狀之複數個突出部8。又關於具有排列成多行多列之複數個突出部8的蓋構件4，可在相鄰的突出部8彼此間的平滑面形成切割道(scribe line)並沿著該切割道將蓋構件4割斷，或利用刀片切割(blade dicing)方式、雷射剝蝕(laser ablation)方式進行切割，而獲得複數個蓋構件，又獲得任意形狀的蓋構件。

圖18顯示蓋構件的其他例之仰視圖。在本例中，蓋構件4是與圖17所示的例子同樣的，具有俯視呈四角形狀的突出部8。依據該構成，突出部8的開口部8c構成為四角形狀(例如正方形狀)。當開口部8c構成為正方形狀的情況，其開口長度L相當於正方形之一邊的長度。當開口部8c構成為長方形狀的情況，其開口長度L相當於長方形之長邊的長度。

圖19顯示蓋構件的製造方法(封裝體的製造方法中之準備工序)的其他例。在本例顯示在形成有抗反射膜10a,10b及金屬層14之玻璃基板G上形成接合部15的工序。具體而言是說明，在藉由網版印刷法來形成接合部15時，將玻璃基板G固定在支承裝置26的情況。

支承裝置26具備：支承玻璃基板G之支承板27、支承支承板27之吸引台29。

支承板27構成為可相對於吸引台29裝卸自如。支承板27具有：可將玻璃基板G的突出部8及連結部9插入之開口部28。支承板27，以使玻璃基板G的突出部8朝向下方的狀態將突出部8及連結部9插入開口部28，可不與突出部8及連結部9接觸而僅支承玻璃基板G之框部7。

吸引台29具備：支承支承板27之支承部30、用於將玻璃基板G固定於支承板27之吸引口31。支承部30具有：支承支承板27的周緣部之支承面30a。

吸引台29在由支承部30支承的支承板27和吸引口31之間具有空間部29a。吸引口31連接於未圖示的泵等吸引裝置(排氣裝置)。

吸引台29，在將載置有玻璃基板G之支承板27由支承部30支承的狀態下，將存在於空間部29a內的氣體從吸引口31排出，藉此使空間部29a內成為負壓。如此，玻璃基板G透過支承板27之開口部28被朝空間部29a側吸引，藉此固定於支承板27。然後，利用網版印刷法以與玻璃基板G之金屬層14重疊的方式塗布接合部15用之糊狀的金屬系接合材。

如上述般藉由支承裝置26支承玻璃基板G，可將接合部15精度良好地形成。

圖20顯示封裝體的其他例。本例的封裝體1具備：搭載有複數個發光元件3之基體2、圖14所例示的蓋構件4。該蓋構件4是藉由複數個突出部8及封止部5將搭載於基體2之各發光元件3個別封止。

依據以上所說明之本實施形態的封裝體1，藉由在蓋構件4之突出部8的內表面8a及外表面8b形成抗反射膜10a,10b，可利用突出部8讓從發光元件3發出的光效率良好地穿透。藉此，能將使用了蓋構件4之封裝體1的光取出效率儘可能提高。

在該蓋構件4中，將形成於突出部8的基部11之第一抗反射膜10a的厚度Ta1除以形成於突出部8的頂部13之第一抗反射膜10a的厚度Ta3而得到的值(Ta1/Ta3)設為0.75以上且小於1，可提高光取出效率。

又本發明並不限定於上述實施形態的構成，也不限定於上述作用效果。本發明在不脫離本發明的要旨之範圍內可進行各種變更。

在上述實施形態，雖顯示形成有第一抗反射膜10a及第二抗反射膜10b之蓋構件4及玻璃基板G，但本發明並不限定於此構成。本發明的蓋構件4及玻璃基板G，也可以僅具有第一抗反射膜10a。

在上述實施形態所例示的蓋構件4，雖具有構成為頂部13的厚度比基部11的厚度更薄之突出部8，但本發明並不限定於此構成。本發明也能適用於：具備從基部11到頂部13厚度恆定的突出部8之蓋構件4。

圖21顯示蓋構件之其他例。在本例中，蓋構件4的內表面8a具有：朝向突出部8的內側凸出之第一曲面8a1、朝向突出部8的外側凸出之第二曲面8a2、位於第一曲面8a1和第二曲面8a2間之反曲點8a3。第一曲面8a1形成在比第二曲面8a2更靠突出部8的基部11之位置。第一曲面8a1的曲率中心位於突出部8的外側。第二曲面8a2形成在比第一曲面8a1更靠頂部13的位置。第二曲面8a2的曲率中心位於突出部8的內側。

蓋構件4的外表面8b具有：朝向突出部8的內側凸出的第一曲面8b1、朝向突出部8的外側凸出的第二曲面8b2、位於第一曲面8b1和第二曲面8b2間的反曲點8b3。第一曲面8b1形成在比第二曲面8b2更靠突出部8的基部11之位置。第一曲面8b1的曲率中心位於突出部8的外側。第二曲面8b2形成在比第一曲面8b1更靠突出部8的頂部13之位置。第二曲面8b2的曲率中心位在突出部8的內側。反曲點8a3和反曲點8b3設置在比框部7的第二主面7b更上方(頂部13側)。

內表面8a及外表面8b之各反曲點8a3,8b3，可藉由圖8及圖9所示的成形裝置及成形方法來形成於蓋構件4。

當像本例的蓋構件4那樣具備形成有反曲點8a3,8b3之突出部8的情況，藉由將突出角度θ設定成10°~80°，可提高蓋構件4的光取出效率。突出角度θ更佳為20°~70°，又更佳為20°以上且小於40°。

在本例中，突出角度θ的規定與圖5的實施形態不同。在本例中，突出角度θ是反曲點8a3的切線L8與框部7的第一主面7a所夾的角(銳角)。具體而言，將反曲點8a3的切線L8與沿著框部7的第一主面7a畫出之第九線L9所夾的角度(銳角)稱為突出角度θ。在本例中，關於開口部8c的開口長度L和突出高度H是與圖5所示的實施形態相同。

在本例中，抗反射膜(10a,10b)雖不一定是必須的構成，但較佳為設置抗反射膜(10a,10b)，抗反射膜(10a,10b)的材質、厚度之較佳形態是與圖5所示的實施形態相同。在本例中，突出部8的厚度(基部11的厚度、頂部13的厚度)、外徑之較佳形態是與圖5所示的實施形態相同。

圖22至圖26顯示封裝體及蓋構件的其他例。在本例，蓋構件的形狀與上述實施形態不同。如圖22至圖24所示般，本例的蓋構件4的頂部13構成為平板狀。如此般在蓋構件4形成平板狀的頂部13，可在與頂部13相關之蓋構件4的內表面8a及外表面8b形成均一厚度的抗反射膜10a,10b。又藉由在蓋構件4形成平板狀的頂部13，能將頂部13和發光元件3的距離D1儘可能縮小。此外，使從發光元件3發出的光更容易朝平板狀的頂部13垂直入射。因此，可將蓋構件4的光取出效率大幅提高。

接下來，針對本例中之封裝體1的製造方法(蓋構件4的製造方法)做說明。在本方法，封裝體1的製造方法中之準備工序與圖8及圖9所示的例子不同。如圖25所示般，成形裝置16具備：支承台17、遮蔽構件18、加熱源19、按壓構件20、外力產生裝置21、成形模具(接收治具)32。支承台17、遮蔽構件18、加熱源19、按壓構件20及外力產生裝置21的構成是與圖8所例示者相同。

成形模具32配置在支承台17的空間部17b內。成形模具32具有：用於將經由加熱而軟化之板玻璃GS的一部分成形之成形面32a。成形面32a構成為平坦面狀。成形面32a的表面粗糙度(算術平均粗糙度)Ra是例如0.1nm~10nm。

如圖26所示般，在成形工序，在由支承台17支承的板玻璃GS上重疊配置遮蔽構件18。在此情況，遮蔽構件18的貫通孔18a之內周緣E2的至少一部分配置在比支承台17的開口緣E1更內側。然後，按壓構件20將支承台17和遮蔽構件18朝互相接近的方向按壓。

接著，藉由加熱源19從遮蔽構件18側將板玻璃GS加熱。藉此，使板玻璃GS的一部分產生熱變形。這時，變形後的板玻璃GS之一部分與成形模具32的成形面32a接觸。如此，板玻璃GS的一部分被成形為平板狀。藉由該成形工序來形成蓋構件4，該蓋構件4具有：框部7、包含平板狀的頂部13之突出部8、連結部9。

藉由對該蓋構件4實施在圖10至圖12所例示的成膜工序及接合工序，可製造出封裝體1。 [實施例]

以下針對本發明的實施例做說明，但本發明並不限定於此實施例。

本案發明人等，為了確認本發明的效果，進行了測量基於蓋構件的光取出效率之試驗。在該試驗，是準備有在突出部的內表面具有抗反射膜之實施例及比較例的蓋構件(試樣No.1~No.8)，對各例測量光取出效率。關於各試樣，是做成具有圖21所示的形狀之蓋構件。

關於光取出效率，是測量未經由蓋構件而從發光元件發出的光(波長265nm)之能量EN1，並測量讓從發光元件發出的光(波長265nm)穿透蓋構件的情況之能量EN2，由雙方能量比(EN2/EN1)來算出光取出效率。

試驗條件及測量結果如表1所示。

在表1中，以試樣No.7的比較例之光取出效率(EN2/EN1)為基準，在實施例中，將光取出效率為基準的1.1倍以上者判定為良「○」，將小於1.1倍者判定為不佳「×」。

如表1所示般可判明，當形成於突出部的基部之第一抗反射膜的厚度Ta1除以形成於突出部的頂部之第一抗反射膜的厚度Ta3而得到的值(Ta1/Ta3)為0.75以上且小於1的情況(試樣No.1~No.6)，可提高光取出效率。

1:封裝體 2:基體 3:發光元件 4:蓋構件 7:框部 7a:框部的第一主面 7b:框部的第二主面 8:突出部 8a:突出部的內表面 8a1:突出部的內表面之第一曲面 8a2:突出部的內表面之第二曲面 8a3:突出部的內表面之反曲點 8b:突出部的外表面 8c:突出部的開口部 10a:第一抗反射膜 10b:第二抗反射膜 11:基部 13:頂部 14:金屬層 Ta1:突出部的基部之第一抗反射膜的厚度 Ta3:突出部的頂部之第一抗反射膜的厚度 Tb1:突出部的基部之第二抗反射膜的厚度 Tb3:突出部的頂部之第二抗反射膜的厚度 Tmin:突出部的頂部之厚度 Tmax:突出部的基部之厚度 θ:突出角度

[圖1]係封裝體之立體圖。 [圖2]係封裝體之剖面圖。 [圖3]係基體之剖面圖。 [圖4]係基體之俯視圖。 [圖5]係蓋構件之剖面圖。 [圖6]係蓋構件的主要部分之剖面圖。 [圖7]係蓋構件之仰視圖。 [圖8]係顯示封裝體的製造方法之準備工序的剖面圖。 [圖9]係顯示封裝體的製造方法之準備工序的剖面圖。 [圖10]係顯示封裝體的製造方法之成膜工序的剖面圖。 [圖11]係顯示封裝體的製造方法之接合工序的剖面圖。 [圖12]係顯示封裝體的製造方法之接合工序的剖面圖。 [圖13]係顯示用於製造封裝體用的蓋構件之玻璃基板的剖面圖。 [圖14]係顯示蓋構件的其他例之剖面圖。 [圖15]係顯示蓋構件的其他例之剖面圖。 [圖16]係顯示蓋構件的其他例之俯視圖。 [圖17]係顯示蓋構件的其他例之俯視圖。 [圖18]係顯示蓋構件的其他例之仰視圖。 [圖19]係顯示封裝體的製造方法之準備工序的其他例之剖面圖。 [圖20]係顯示封裝體的其他例之剖面圖。 [圖21]係顯示蓋構件的其他例之剖面圖。 [圖22]係顯示封裝體的其他例之剖面圖。 [圖23]係蓋構件之剖面圖。 [圖24]係蓋構件之剖面圖。 [圖25]係顯示封裝體的製造方法之準備工序的剖面圖。 [圖26]係顯示封裝體的製造方法之準備工序的剖面圖。

4:蓋構件

7:框部

7a:框部的第一主面

7b:框部的第二主面

8:突出部

8a:突出部的內表面

8b:突出部的外表面

8c:突出部的開口部

9:連結部

10a1,10b1:抗反射部

11:基部

11a:第一基部

11b:第二基部

12:中途部

13:頂部

Ta1:突出部的基部之第一抗反射膜的厚度

Ta2:突出部的中途部之第一抗反射膜的厚度

Ta3:突出部的頂部之第一抗反射膜的厚度

Tb1:突出部的基部之第二抗反射膜的厚度

Tb2:突出部的中途部之第一抗反射膜的厚度

Tb3:突出部的頂部之第二抗反射膜的厚度

L1:直線(第一線)

L2:直線(第二線)

L3:直線(第三線)

L6:直線(第六線)

P1,P2,P3:交點

Claims (12)

1. 一種蓋構件，係含有發光元件之封裝體所使用之玻璃製的蓋構件，其特徵在於， 係具備：板狀的框部、及從前述框部突出之圓頂狀的突出部， 前述突出部具有內表面及外表面， 前述突出部具備：頂部、及與前述框部構成為一體之基部， 在前述突出部之前述內表面形成有抗反射膜， 形成於前述基部之前述抗反射膜的厚度除以形成於前述頂部之前述抗反射膜的厚度所得到的值為0.75以上且小於1。
2. 如請求項1之蓋構件，其中， 前述突出部之前述頂部的厚度比前述突出部之前述基部的厚度更薄。
3. 如請求項1或2之蓋構件，其中， 前述框部具有：與前述突出部之前述內表面相連的第一主面、及與前述突出部之前述外表面相連的第二主面， 在前述框部之前述第一主面形成有前述抗反射膜。
4. 如請求項3之蓋構件，其中， 在形成於前述框部的前述第一主面之前述抗反射膜之與前述第一主面側為相反的一側形成有金屬層。
5. 如請求項1或2之蓋構件，其中， 前述抗反射膜包含氧化鉿膜。
6. 如請求項1或2之蓋構件，其中， 在前述突出部之前述外表面形成有第二抗反射膜。
7. 如請求項6之蓋構件，其中， 形成於前述頂部之前述第二抗反射膜的厚度比形成於前述基部之前述第二抗反射膜的厚度更厚。
8. 如請求項1或2之蓋構件，其中， 前述突出部係以既定的突出角度從前述框部突出， 前述突出部的前述突出角度為10°~80°。
9. 如請求項1或2之蓋構件，其中， 前述突出部具有：形成於前述內表面側之開口部， 前述開口部的開口長度L和前述突出部的突出高度H之比(L/H)為1.2~8。
10. 如請求項9之蓋構件，其中， 前述開口部構成為四角形狀。
11. 如請求項1或2之蓋構件，其中， 前述內表面具有：與前述框部之前述第一主面相連且朝向前述突出部的內側凸出的第一曲面、朝向前述突出部的外側凸出之第二曲面、及位於前述第一曲面和前述第二曲面間之反曲點。
12. 一種封裝體，係具備：發光元件、支承前述發光元件之基體、以及如請求項1或2之蓋構件。

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