TW202440004A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明藉由上側保持裝置保持基板之外周端部，並使用下表面刷洗淨該基板之下表面中央區域。於洗淨基板之下表面中央區域後，基板自上側保持裝置下降，而被交遞至下側保持裝置之吸附保持部。使用處理液來洗淨由吸附保持部保持之基板。俯視下包圍基板之承杯設置為能於可接住處理液之上承杯位置與較上承杯位置靠下方之下承杯位置之間升降。承杯在待機時位於下承杯位置。以基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始各動作，上述基板下降動作係基板自上側保持裝置之高度位置移動至下側保持裝置之高度位置之動作，上述承杯上升動作係自下承杯位置上升至上承杯位置之動作。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種洗淨基板之基板處理裝置及基板處理方法。

為了對液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等中所使用之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等各種基板進行各種處理，可使用基板處理裝置。為了洗淨基板，可使用基板洗淨裝置。

例如，日本專利第5904169號公報中所記載之基板洗淨裝置具備保持晶圓之背面周緣部之2個吸附墊、保持晶圓之背面中央部之旋轉夾頭、及洗淨晶圓之背面之刷。2個吸附墊保持晶圓，並且於橫向上移動。於該狀態下，晶圓之背面中央部被刷洗淨。其後，旋轉夾頭自吸附墊接收晶圓，旋轉夾頭保持晶圓之背面中央部，同時旋轉。於該狀態下，晶圓之背面周緣部被刷洗淨。

於上述基板洗淨裝置中，藉由依序搬入及搬出多個基板，而對各基板進行洗淨處理。因此，只要能縮短處理一個基板所需之期間，便能大幅度提高多個基板之處理效率。故而，於基板洗淨裝置中，要求進一步提高基板處理之產能。

本發明之目的在於，提供一種能提高基板處理之產能之基板處理裝置及基板處理方法。

本發明之一形態之基板處理裝置具備：第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成；第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成；處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成；基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及控制部；且上述第2處理包含使用處理液之處理；上述處理部包含：處理承杯，其以俯視下包圍上述第2基板保持部之方式形成，並且設置為能於與上述第2高度位置對應之上承杯位置和較上述上承杯位置靠下方之下承杯位置之間升降；及承杯驅動部，其使上述處理承杯升降；上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述承杯驅動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及承杯上升動作以上述基板下降動作之期間與上述承杯上升動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述承杯上升動作係使上述處理承杯自上述下承杯位置向上述上承杯位置上升之動作。

本發明之另一形態之基板處理裝置具備：第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成；第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成；處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成；基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及控制部；且上述處理部包含：下表面刷，其藉由與基板之下表面接觸來洗淨上述下表面；及下表面刷移動部，其以能使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動之方式構成，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置；上述第2處理包含上述下表面刷對基板之上述下表面實施之洗淨處理，上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述下表面刷移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及下表面刷準備動作以上述基板下降動作之期間與上述下表面刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作。

本發明之又一形態之基板處理裝置具備：第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成；第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成；處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成；基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及控制部；且上述處理部包含：流體噴嘴，其向基板之上表面噴出包含處理液之流體；及噴嘴移動部，其以能使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動之方式構成，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；上述第2處理包含上述流體噴嘴對基板之上述上表面實施之洗淨處理，上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述噴嘴移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及噴嘴準備動作以上述基板下降動作之期間與上述噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作。

本發明之又一形態之基板處理裝置具備：第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成；第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成；處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成；基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及控制部；且上述處理部包含：端部刷，其藉由與基板之外周端部接觸來洗淨上述外周端部；及端部刷移動部，其以能使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動之方式構成，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；上述第2處理包含上述端部刷對基板之上述外周端部實施之洗淨處理，上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述端部刷移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及端部刷準備動作以上述基板下降動作之期間與上述端部刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。

本發明之又一形態之基板處理方法包含如下步驟：對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理；對由第2基板保持部保持於較第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板進行使用處理液之第2處理；於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；藉由將處理承杯配置於與上述第2高度位置對應之上承杯位置，而接住上述第2處理中所使用之處理液，上述處理承杯以俯視下包圍上述第2基板保持部之方式形成，並且設置為能夠升降；及使上述處理承杯於上述上承杯位置與較上述上承杯位置靠下方之下承杯位置之間升降；且於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述處理承杯升降之步驟，上述承杯上升動作係使上述處理承杯自上述下承杯位置上升至上述上承杯位置之動作。

本發明之又一形態之基板處理方法包含如下步驟：對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理；進行第2處理，上述第2處理包含使下表面刷與由第2基板保持部保持於較第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之下表面接觸來洗淨基板之上述下表面；於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置；且於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與下表面刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述下表面刷移動之步驟，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作。

本發明之又一形態之基板處理方法包含如下步驟：對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理；進行第2處理，上述第2處理包含自流體噴嘴向由第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之上表面噴出包含處理液之流體來洗淨基板之上述上表面；於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；且於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述流體噴嘴移動之步驟，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作。

本發明之又一形態之基板處理方法包含如下步驟：對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理；進行第2處理，上述第2處理包含使端部刷與由第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之外周端部接觸來洗淨基板之上述外周端部；於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；且於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與端部刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述端部刷移動之步驟，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。

根據本發明，能提高基板處理之產能。

以下，使用圖式，對本發明之一實施方式之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。本實施方式之基板處理裝置及基板處理方法係基板洗淨裝置及基板洗淨方法。以下說明中，所謂基板，係指半導體基板(晶圓)、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等中所使用之FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等。又，本實施方式中，基板之上表面係電路形成面(正面)，基板之下表面係與電路形成面為相反側之面(背面)。進而，本實施方式中所使用之基板具有至少一部分呈圓形之外周部。例如，本實施方式中所使用之基板具有除了凹口以外，其他部分皆呈圓形之外周端部。

1.基板洗淨裝置之構成 圖1係本發明之一實施方式之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。圖2係表示圖1之基板洗淨裝置1之內部構成之外觀立體圖。於本實施方式之基板洗淨裝置1中，為了明確位置關係，定義了相互正交之X方向、Y方向及Z方向。圖1及圖2以後之規定圖中酌情以箭頭表示X方向、Y方向及Z方向。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛直方向(上下方向)。

如圖1所示，基板洗淨裝置1具備上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、台座裝置30、交接裝置40、下表面洗淨裝置50、承杯裝置60、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及開關裝置90。該等構成要素設置於單元殼體2內。圖2中以虛線表示單元殼體2。

單元殼體2具有矩形之底面部2a、及自底面部2a之4邊向上方延伸之4個側壁部2b、2c、2d、2e。側壁部2b、2c相互對向，側壁部2d、2e相互對向。於側壁部2b之中央部形成有矩形之開口。該開口係基板W之搬入搬出口2x，於向單元殼體2搬入基板W時及自單元殼體2搬出基板W時使用。圖2中以粗虛線表示搬入搬出口2x。以下說明中，就Y方向而言，將自單元殼體2之內部通過搬入搬出口2x去向單元殼體2之外側之方向(自側壁部2c去向側壁部2b之方向)稱為前方，將其相反方向(自側壁部2b去向側壁部2c之方向)稱為後方。

於側壁部2b之搬入搬出口2x之形成部分及其附近區域設置有開關裝置90。開關裝置90包含以能將搬入搬出口2x打開及關閉之方式構成之擋板91、及驅動擋板91之擋板驅動部92。圖2中以粗兩點鏈線表示擋板91。擋板驅動部92以於向基板洗淨裝置1搬入基板W時及自基板洗淨裝置1搬出基板W時將搬入搬出口2x敞開之方式驅動擋板91。藉此，擋板91成為打開狀態。又，擋板驅動部92以於基板洗淨裝置1中洗淨基板W時，將搬入搬出口2x封閉之方式驅動擋板91。藉此，擋板91成為關閉狀態。

於底面部2a之中央部設置有台座裝置30。台座裝置30包含線性引導器31、可動台座32及台座驅動部33。線性引導器31包含2根軌道，以俯視下自側壁部2b附近沿著Y方向延伸至側壁部2c附近之方式設置。可動台座32以能於線性引導器31之2根軌道上沿著Y方向移動之方式設置。台座驅動部33例如包含脈衝馬達，使可動台座32於線性引導器31上沿著Y方向移動。

於可動台座32上，以沿著Y方向排列之方式設置有下側保持裝置20及下表面洗淨裝置50。下側保持裝置20包含吸附保持部21及吸附保持驅動部22。吸附保持部21係所謂旋轉夾頭，具有能吸附保持基板W之下表面之圓形之吸附面，以能繞著於上下方向上延伸之軸(Z方向之軸)旋轉之方式構成。以下說明中，將藉由吸附保持部21吸附保持基板W時，基板W之下表面中應由吸附保持部21之吸附面吸附之區域稱為下表面中央區域。另一方面，將基板W之下表面中包圍下表面中央區域之區域稱為下表面外側區域。

吸附保持驅動部22包含馬達。吸附保持驅動部22之馬達以旋轉軸向上方突出之方式設置於可動台座32上。吸附保持部21安裝於吸附保持驅動部22之旋轉軸之上端部。又，於吸附保持驅動部22之旋轉軸，形成有用以供吸附保持部21吸附保持基板W之抽吸路徑。該抽吸路徑連接於未圖示之吸氣裝置。吸附保持驅動部22使吸附保持部21繞著上述旋轉軸旋轉。

於可動台座32上，進而在下側保持裝置20附近設置有交接裝置40。交接裝置40包含複數根(本例中為3根)支持銷41、銷連結構件42及銷升降驅動部43。銷連結構件42以俯視下包圍吸附保持部21之方式形成，將複數根支持銷41連結。複數根支持銷41於藉由銷連結構件42而相互連結之狀態下，自銷連結構件42向上方延伸一定長度。銷升降驅動部43使銷連結構件42於可動台座32上升降。藉此，複數根支持銷41相對於吸附保持部21相對地升降。

下表面洗淨裝置50包含下表面刷51、2個基板噴嘴52、2個刷噴嘴52a、52b、氣體噴出部53、升降支持部54、下表面刷旋轉驅動部55a及下表面刷升降驅動部55b。如圖2所示，於可動台座32上，以可升降之方式設置有升降支持部54。升降支持部54具有朝著遠離吸附保持部21之方向(本例中為後方)向斜下方傾斜之上表面54u。

如圖1所示，下表面刷51於俯視下具有圓形之外形，本實施方式中形成得相對較為大型。具體而言，下表面刷51之直徑大於吸附保持部21之吸附面之直徑，例如為吸附保持部21之吸附面之直徑之1.3倍。又，下表面刷51之直徑大於基板W之直徑之1/3且小於1/2。再者，基板W之直徑例如為300 mm。

下表面刷51係海綿刷，較佳為由氟系樹脂等濕潤性相對較低之材料形成。該情形時，污染物附著於下表面刷51之現象將會減少。因此，下表面刷51不易受到污染。本例中，下表面刷51由PTFE(聚四氟乙烯)形成，但實施方式並不限定於此。下表面刷51亦可由PVA(聚乙烯醇)等相對較為軟質之樹脂材料形成。

下表面刷51具有能與基板W之下表面接觸之洗淨面。又，下表面刷51以使洗淨面朝向上方，且使洗淨面能繞著通過該洗淨面之中心於上下方向上延伸之軸旋轉之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u。

2個基板噴嘴52各自以位於下表面刷51附近，且使液體噴出口朝向上方之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u上。於基板噴嘴52連接有下表面洗淨液供給部56(圖5)。下表面洗淨液供給部56向基板噴嘴52供給用於洗淨基板之洗淨液。基板噴嘴52於藉由下表面刷51洗淨基板W時，向基板W之下表面噴出自下表面洗淨液供給部56供給之洗淨液。本實施方式中，作為向基板噴嘴52供給之洗淨液，可使用純水。

2個刷噴嘴52a、52b用以洗淨下表面刷51。2個刷噴嘴52a、52b各自以位於下表面刷51附近之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u上。於刷噴嘴52a、52b連接有刷洗淨液供給部57(圖5)。刷洗淨液供給部57向刷噴嘴52a、52b供給用於洗淨刷之洗淨液。藉此，自刷洗淨液供給部57供給來之洗淨液從刷噴嘴52a、52b向下表面刷51噴出。向2個基板噴嘴52供給之洗淨液與向2個刷噴嘴52a、52b供給之洗淨液相同。故而，本實施方式中，作為向刷噴嘴52a、52b供給之洗淨液，可使用純水。

一刷噴嘴52a以使該刷噴嘴52a之前端部(液體噴出口)朝向下表面刷51之上方之位置之方式，設置於下表面刷51之側方之位置。因此，自刷噴嘴52a噴出之洗淨液被從下表面刷51之側方之位置以形成拋物線之方式導引至下表面刷51之洗淨面之中央部。另一刷噴嘴52b以使該刷噴嘴52b之前端部(液體噴出口)朝向下表面刷51之側部(外周端部)之方式，設置於下表面刷51之側方之位置。因此，自刷噴嘴52b噴出之洗淨液被從下表面刷51之側方之位置導引至下表面刷51之側部(外周端部)。

如下所述，於基板洗淨裝置1之電源接通之期間，下表面刷51基本皆在旋轉。故而，自刷噴嘴52a、52b向下表面刷51噴出洗淨液時，整個下表面刷51皆被洗淨液流暢地沖洗。又，下表面刷51之洗淨面被均勻地打濕。藉此，防止了下表面刷51局部硬化。

氣體噴出部53係具有於一方向上延伸之氣體噴出口之狹縫狀之氣體噴射嘴。氣體噴出部53以能相對於下表面洗淨裝置50之其他構成要素獨立地升降之方式設置於可動台座32上。省略用以使氣體噴出部53升降動作之驅動部之說明。氣體噴出部53之氣體噴射口在俯視下，位於下表面刷51與吸附保持部21之間，且朝向上方。於氣體噴出部53連接有噴出氣體供給部58(圖5)。

噴出氣體供給部58向氣體噴出部53供給氣體。本實施方式中，作為向氣體噴出部53供給之氣體，可使用氮氣等惰性氣體。氣體噴出部53於藉由下表面刷51洗淨基板W時、及下述使基板W之下表面乾燥時，向基板W之下表面噴射自噴出氣體供給部58供給之氣體。該情形時，下表面刷51與吸附保持部21之間會形成沿著X方向延伸之帶狀之氣簾。

圖1之下表面刷旋轉驅動部55a包含馬達，基本上於基板洗淨裝置1之電源接通之期間皆使下表面刷51旋轉。下表面刷升降驅動部55b包含步進馬達或氣缸，使升降支持部54於可動台座32上升降。

於底面部2a之中央部進而設置有承杯裝置60。承杯裝置60包含承杯61及承杯驅動部62。承杯61以俯視下包圍下側保持裝置20及台座裝置30，且可升降之方式設置。圖2中以虛線表示承杯61。承杯驅動部62根據下表面刷51要洗淨基板W之下表面上之哪個部分，來使承杯61於下承杯位置與上承杯位置之間移動。下承杯位置係承杯61之上端部位於較由吸附保持部21吸附保持之基板W靠下方之高度位置。又，上承杯位置係承杯61之上端部位於較吸附保持部21靠上方之高度位置。在承杯61位於上承杯位置之狀態下，承杯61與吸附保持部21於側視下相互重疊。因此，上承杯位置可以說是承杯61與由吸附保持部21吸附保持之基板W之高度位置對應之高度位置。

於較承杯61靠上方之高度位置，以俯視下隔著台座裝置30而對向之方式設置有一對上側保持裝置10A、10B。上側保持裝置10A包含下夾盤11A、上夾盤12A、下夾盤驅動部13A及上夾盤驅動部14A。上側保持裝置10B包含下夾盤11B、上夾盤12B、下夾盤驅動部13B及上夾盤驅動部14B。

圖3係圖1及圖2之下夾盤11A、11B之外觀立體圖。圖3中以粗實線表示下夾盤11A、11B。又，以虛線表示上夾盤12A、12B。於圖3之外觀立體圖中，為了使下夾盤11A、11B之形狀容易理解，各部分之放大縮小比例相較於圖2之外觀立體圖有所變更。

如圖3所示，下夾盤11A、11B以俯視下相對於通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)上延伸之鉛直面對稱之方式配置，且以能於共通之水平面內沿著X方向移動之方式設置。下夾盤11A、11B各自具有2根支持片200。於各支持片200設置有傾斜支持面201及移動限制面202。

於下夾盤11A中，各支持片200之傾斜支持面201以能自下方支持基板W之外周端部，且朝著下夾盤11B向斜下方延伸之方式形成。移動限制面202自傾斜支持面201之上端部向上方延伸一定距離，於下夾盤11A之上端部形成階差。另一方面，於下夾盤11B中，各支持片200之傾斜支持面201以能自下方支持基板W之外周端部，且朝著下夾盤11A向斜下方延伸之方式形成。移動限制面202自傾斜支持面201之上端部向上方延伸一定距離，於下夾盤11B之上端部形成階差。

圖1之下夾盤驅動部13A、13B包含氣缸或馬達來作為致動器。下夾盤驅動部13A、13B使下夾盤11A、11B以下夾盤11A、11B相互靠近之方式，或以下夾盤11A、11B相互遠離之方式移動。此處，X方向上之下夾盤11A、11B之目標位置已預先設定之情形時，下夾盤驅動部13A、13B能基於目標位置之資訊，分別個別地調整X方向上之下夾盤11A、11B之位置。例如，能使下夾盤11A、11B之間之距離小於基板W之外徑。該情形時，能於下夾盤11A、11B之複數個傾斜支持面201上載置基板W。

圖4係圖1及圖2之上夾盤12A、12B之外觀立體圖。圖4中以粗實線表示上夾盤12A、12B。又，以虛線表示下夾盤11A、11B。於圖4之外觀立體圖中，為了使上夾盤12A、12B之形狀容易理解，各部分之放大縮小比例相較於圖2之外觀立體圖有所變更。

如圖4所示，上夾盤12A、12B與下夾盤11A、11B同樣地，以俯視下相對於通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)上延伸之鉛直面對稱之方式配置，且以能於共通之水平面內沿著X方向移動之方式設置。上夾盤12A、12B各自具有2根保持片300。各保持片300具有抵接面301及突出部302。

於上夾盤12A中，各保持片300之抵接面301以朝向上夾盤12B之方式形成於該保持片300之前端下部，且與X方向正交。突出部302以自抵接面301之上端向上夾盤12B突出規定距離之方式形成。另一方面，於上夾盤12B中，各保持片300之抵接面301以朝向上夾盤12A之方式形成於該保持片300之前端下部，且與X方向正交。突出部302以自抵接面301之上端向上夾盤12A突出規定距離之方式形成。

圖1之上夾盤驅動部14A、14B包含氣缸或馬達來作為致動器。上夾盤驅動部14A、14B使上夾盤12A、12B以上夾盤12A、12B相互靠近之方式，或以上夾盤12A、12B相互遠離之方式移動。此處，X方向上之上夾盤12A、12B之目標位置已預先設定之情形時，上夾盤驅動部14A、14B能基於目標位置之資訊，分別個別地調整X方向上之上夾盤12A、12B之位置。

於上述上側保持裝置10A、10B中，上夾盤12A、12B例如向載置於下夾盤11A、11B上之基板W之外周端部移動。藉由使上夾盤12A之2個抵接面301及上夾盤12B之2個抵接面301與基板W之外周端部之複數個部分接觸，而保持基板W之外周端部，使基板W被牢固地固定。

上側保持裝置10A、10B藉由按預先設定之組合調整下夾盤11A、11B之間之距離及上夾盤12A、12B間之距離，而於退避狀態、可載置狀態及保持狀態3個狀態之間切換。

上側保持裝置10A、10B之退避狀態係下夾盤11A、11B之間之距離大於基板W之外徑，且上夾盤12A、12B之間之距離大於基板W之外徑之狀態。該情形時，能使水平姿勢之基板W通過下夾盤11A、11B之間及上夾盤12A、12B之間而於上下方向(Z方向)上移動。

上側保持裝置10A、10B之可載置狀態係指下夾盤11A、11B之間之距離小於基板W之外徑，且上夾盤12A、12B之間之距離大於基板W之外徑之狀態。該情形時，能防止基板W與上夾盤12A、12B之干涉，且能將基板W以水平姿勢載置於下夾盤11A、11B之複數個傾斜支持面201上。又，能將載置於下夾盤11A、11B上之基板W舉起。

上側保持裝置10A、10B之保持狀態係指只能在上側保持裝置10A、10B處於可載置狀態，且於下夾盤11A、11B上載置有基板W之情形時切換之狀態。具體而言，上側保持裝置10A、10B之保持狀態係下夾盤11A、11B之間之距離小於基板W之外徑，且上夾盤12A、12B與下夾盤11A、11B上之基板W之外周端部接觸，而固定基板W之狀態。

此處，於上側保持裝置10A、10B中，自可載置狀態向保持狀態切換時，上夾盤12A、12B以隔著基板W而相互靠近之方式，於X方向上移動。此時，上夾盤12A、12B之移動具體按照以下所述來進行。

首先，一上夾盤向另一上夾盤移動，並於預先設定之目標位置停止。其後，另一上夾盤向一上夾盤移動，與基板W之外周端部之一部分接觸。進而，另一上夾盤向一上夾盤移動，直至該基板W之外周端部之另一部分與一上夾盤接觸為止。如此所述地自可載置狀態向保持狀態切換之情形時，基板W以上述目標位置為基準定位於下夾盤11A、11B上。故而，基板W之尺寸已知之情形時，藉由基於該尺寸來確定目標位置，能將基板W之中心輕易地定位於下述平面基準位置rp(圖6)。

又，於上側保持裝置10A、10B中，自保持狀態向可載置狀態切換時，上夾盤12A、12B以隔著基板W而相互遠離之方式，於X方向上移動。此時，上夾盤12A、12B之移動具體按照以下所述來進行。

首先，在一上夾盤位於預先設定之目標位置之狀態下，另一上夾盤以遠離一上夾盤之方式移動。於另一上夾盤離開基板W之後，一上夾盤以遠離另一上夾盤之方式移動。如此所述地自保持狀態向可載置狀態切換之情形時，基板W以上述目標位置為基準定位於下夾盤11A、11B上。故而，基板W之尺寸已知之情形時，藉由基於該尺寸來確定目標位置，能將基板W之中心輕易地定位於下述平面基準位置rp(圖6)。

如圖1所示，於在Y方向上相互對向之2個側壁部2c、2b分別設置有投光部19a及受光部19b。投光部19a包含投光元件。受光部19b包含受光元件。投光部19a及受光部19b構成透過型之一光電感測器19(圖5)。

投光部19a及受光部19b以投光部19a位於較受光部19b靠下方之方式配置。又，投光部19a及受光部19b以上側保持裝置10A、10B保持著基板W時，連結投光部19a與受光部19b之直線橫切該基板W之方式配置。

於基板洗淨裝置1中，向處於可載置狀態之上側保持裝置10A、10B上載置基板W時，自投光部19a向受光部19b出射光(參照圖2之單點鏈線之箭頭)。基板W正常載置於上側保持裝置10A、10B上之情形時，自投光部19a出射之光會被基板W遮擋。因此，受光部19b不會接收到自投光部19a出射之光。另一方面，基板W未正常載置於上側保持裝置10A、10B上之情形時，自投光部19a出射之光不會被基板W遮擋而向受光部19b入射。故而，能基於自受光部19b之受光元件輸出之受光信號，對基板W是否正常載置於上側保持裝置10A、10B上進行判定。以下說明中，將該判定稱為基板載置狀態判定。

於基板洗淨裝置1中，上側保持裝置10A、10B自可載置狀態向保持狀態切換時，亦自投光部19a向受光部19b出射光。藉此，出於與上述相同之理由，能基於自受光部19b之受光元件輸出之受光信號，對基板W是否被上側保持裝置10A、10B正常保持進行判定。以下說明中，將該判定稱為基板保持狀態判定。

如圖1所示，於承杯61之一側方，以俯視下位於上側保持裝置10B附近之方式設置有上表面洗淨裝置70。上表面洗淨裝置70包含旋轉支持軸71、臂72、噴霧嘴73及上表面洗淨驅動部74。

旋轉支持軸71以於上下方向上延伸，且可升降、可旋轉之方式，由上表面洗淨驅動部74支持於底面部2a上。如圖2所示，臂72以自旋轉支持軸71之上端部沿著水平方向延伸之方式，設置於較上側保持裝置10B靠上方之位置。於臂72之前端部安裝有噴霧嘴73。

於噴霧嘴73連接有上表面洗淨流體供給部75(圖5)。上表面洗淨流體供給部75向噴霧嘴73供給洗淨液及氣體。本實施方式中，作為向噴霧嘴73供給之洗淨液，可使用純水，作為向噴霧嘴73供給之氣體，可使用氮氣等惰性氣體。噴霧嘴73於洗淨基板W之上表面時，將自上表面洗淨流體供給部75供給之洗淨液與氣體混合而生成混合流體，並將生成之混合流體向下方噴射。

上表面洗淨驅動部74包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等，使旋轉支持軸71升降，並且使旋轉支持軸71旋轉。根據上述構成，藉由使噴霧嘴73於由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之上表面上呈圓弧狀移動，能將基板W之整個上表面洗淨。

如圖1所示，於承杯61之另一側方，以俯視下位於上側保持裝置10A附近之方式設置有端部洗淨裝置80。端部洗淨裝置80包含旋轉支持軸81、臂82、斜面刷(bevel brush)83及斜面刷驅動部84。

旋轉支持軸81以於上下方向上延伸，且可升降、可旋轉之方式，由斜面刷驅動部84支持於底面部2a上。如圖2所示，臂82以自旋轉支持軸81之上端部沿著水平方向延伸之方式，設置於較上側保持裝置10A靠上方之位置。於臂82之前端部，以向下方突出且能繞著上下方向之軸旋轉之方式設置有斜面刷83。

斜面刷83之上半部具有倒圓錐台形狀，並且下半部具有圓錐台形狀。藉由該斜面刷83，能以外周面之上下方向上之中央部分將基板W之外周端部洗淨。

斜面刷驅動部84包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等，使旋轉支持軸81升降，並且使旋轉支持軸81旋轉。根據上述構成，藉由使斜面刷83之外周面之中央部分與由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之外周端部接觸，能將基板W之整個外周端部洗淨。

此處，斜面刷驅動部84進而包含內置於臂82中之馬達。該馬達使設置於臂82之前端部之斜面刷83繞著上下方向之軸旋轉。故而，於洗淨基板W之外周端部時，藉由斜面刷83之旋轉，斜面刷83對基板W之外周端部之洗淨力將提高。

2.基板洗淨裝置1之控制體系 圖5係表示圖1之基板洗淨裝置1之控制系統的構成之方塊圖。基板洗淨裝置1具備控制裝置170。控制裝置170包含CPU(中央運算處理裝置)、RAM(隨機存取記憶體)、ROM(唯讀記憶體)及記憶裝置。RAM作為CPU之作業區域來使用。ROM記憶系統程式。記憶裝置記憶基板洗淨程式。

如圖5所示，控制裝置170包含夾盤控制部9A、吸附控制部9B、台座控制部9C、交接控制部9D、下表面洗淨控制部9E、承杯控制部9F、上表面洗淨控制部9G、斜面洗淨控制部9H及搬入搬出控制部9I來作為用以控制複數個基板洗淨裝置1各自之動作之功能部。CPU於RAM上執行記憶裝置內所記憶之基板洗淨程式，藉以實現控制裝置170之功能部。控制裝置170之功能部之一部分或全部亦可藉由電子電路等硬體來實現。

夾盤控制部9A為了接收搬入至基板洗淨裝置1之基板W，並將其保持於吸附保持部21之上方之位置，而控制下夾盤驅動部13A、13B及上夾盤驅動部14A、14B。又，夾盤控制部9A為了進行上述基板載置狀態判定及基板保持狀態判定，而控制光電感測器19。吸附控制部9B為了藉由吸附保持部21吸附保持基板W，並且使被吸附保持之基板W旋轉，而控制吸附保持驅動部22。

台座控制部9C為了使可動台座32相對於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W移動，而控制台座驅動部33。交接控制部9D為了使基板W於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之高度位置與由吸附保持部21保持之基板W之高度位置之間移動，而控制銷升降驅動部43。

下表面洗淨控制部9E為了將基板W之下表面洗淨，而控制下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b、下表面洗淨液供給部56及噴出氣體供給部58。又，下表面洗淨控制部9E為了將下表面刷51洗淨，而控制刷洗淨液供給部57。承杯控制部9F為了於洗淨由吸附保持部21吸附保持之基板W時以承杯61接住自基板W飛散之洗淨液，而控制承杯驅動部62。

上表面洗淨控制部9G為了將由吸附保持部21吸附保持之基板W之上表面洗淨，而控制上表面洗淨驅動部74及上表面洗淨流體供給部75。斜面洗淨控制部9H為了將由吸附保持部21吸附保持之基板W之外周端部洗淨，而控制斜面刷驅動部84。搬入搬出控制部9I為了於向基板洗淨裝置1搬入基板W時及自基板洗淨裝置1搬出基板W時將單元殼體2之搬入搬出口2x打開及關閉，而控制擋板驅動部92。

3.基板洗淨裝置1之動作 圖6～圖20係用以說明圖1之基板洗淨裝置1之動作的一例之模式圖。圖6～圖20各自於上段示出了基板洗淨裝置1之俯視圖。又，於中段示出了沿著Y方向觀察到之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖，於下段示出了沿著X方向觀察到之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖。中段之側視圖對應於圖1之A-A線側視圖，下段之側視圖對應於圖1之B-B線側視圖。再者，為了使基板洗淨裝置1之各構成要素之形狀及動作狀態容易理解，於上段之俯視圖與中段及下段之側視圖之間，有一部分構成要素之放大縮小比例不同。又，圖6～圖21中以兩點鏈線表示承杯61，並且以粗單點鏈線表示基板W之外形。

進而，圖6～圖20之上段之俯視圖中以字符串表示擋板91之狀態或該狀態之變化，並且以字符串表示上側保持裝置10A、10B之狀態或該狀態之變化。又，圖6～圖21之中段之側視圖中以字符串表示下側保持裝置20之狀態或該狀態之變化。再者，所謂下側保持裝置20之狀態，係指表示吸附保持部21是否正在旋轉之狀態。

首先，如圖6所示，作為初始狀態(待機狀態)，假設的是單元殼體2內不存在基板W之狀態。於向基板洗淨裝置1搬入基板W之前之初始狀態下，開關裝置90之擋板91處於關閉狀態。因此，搬入搬出口2x被擋板91封閉。又，上側保持裝置10A、10B處於退避狀態。因此，下夾盤11A、11B維持於彼此之距離較基板W之直徑大得多之狀態。又，上夾盤12A、12B亦維持於彼此之距離較基板W之直徑大得多之狀態。下側保持裝置20處於吸附保持部21停止旋轉之停止狀態。

又，於初始狀態下，台座裝置30之可動台座32以俯視下吸附保持部21之中心位於承杯61之中心之方式配置。此時，下表面洗淨裝置50在可動台座32上，位於與吸附保持部21沿著Y方向隔開一定距離之位置。進而，下表面洗淨裝置50之下表面刷51之洗淨面(上端部)位於較吸附保持部21靠下方。將初始狀態下之下表面刷51之上下方向(Z方向)之位置稱為下表面刷待機位置。基板W由吸附保持部21保持之情形時，下表面刷待機位置位於該基板W之下方。尤其是，本實施方式中，下表面刷待機位置相當於下表面刷51藉由升降支持部54所能升降之上下方向範圍內之最低位置。

又，於初始狀態下，交接裝置40處在複數個支持銷41位於較吸附保持部21靠下方之狀態。進而，承杯裝置60之承杯61位於下承杯位置。以下說明中，將俯視下之承杯61之中心位置稱為平面基準位置rp。又，將俯視下吸附保持部21之中心位於平面基準位置rp時底面部2a上之可動台座32之位置稱為基準水平位置。

進而，於初始狀態下，上表面洗淨裝置70之噴霧嘴73被保持於待機位置，該待機位置於X方向上與承杯61向一側方隔開規定距離，且較上側保持裝置10A、10B及承杯61靠上方。以下，將該初始狀態之噴霧嘴73之待機位置稱為噴霧嘴待機位置。

又，端部洗淨裝置80之斜面刷83被保持於待機位置，該待機位置於X方向上與承杯61向另一側方隔開規定距離，且較上側保持裝置10A、10B及承杯61靠上方。以下，將該初始狀態之斜面刷83之待機位置稱為斜面刷待機位置。

如圖7所示，於向基板洗淨裝置1搬入基板W時，在基板W即將進入單元殼體2內之前之時序，擋板91自關閉狀態切換為打開狀態。又，如圖7中粗實線之箭頭a1所示，藉由使下夾盤11A、11B相互靠近，上側保持裝置10A、10B會自退避狀態切換為可載置狀態。

如上所述，將擋板91自關閉狀態切換為打開狀態之動作稱為擋板打開動作。又，將上側保持裝置10A、10B自退避狀態切換為可載置狀態之動作稱為載置準備動作。該情形時，圖5之夾盤控制部9A及搬入搬出控制部9I以擋板打開動作之期間及載置準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始各動作。

其次，如圖8中粗實線之箭頭a2所示，未圖示之基板搬送機器人之手(基板保持部)Ma通過搬入搬出口2x進入單元殼體2之內部，使基板W移動至單元殼體2內之大致中央之位置。此時，由手Ma保持之基板W位於下夾盤11A及上夾盤12A與下夾盤11B及上夾盤12B之間。

其次，手Ma下降。此時，上側保持裝置10A、10B處於可載置狀態。因此，藉由使手Ma移動至較上側保持裝置10A、10B靠下方，而將保持於手Ma之基板W載置至一對下夾盤11A、11B上。藉此，基板W之下表面周緣部之複數個部分各自由下夾盤11A、11B之複數個支持片200(圖3)支持。其後，空閒之手Ma自搬入搬出口2x退出。

其次，手Ma退出後，如圖9所示，擋板91自打開狀態切換為關閉狀態。又，藉由光電感測器19(圖5)進行基板載置狀態判定。具體而言，自投光部19a向受光部19b出射光，並且基於受光部19b之受光信號，對基板W是否正常載置於上側保持裝置10A、10B上進行判定。此處，判定為基板W未正常載置之情形時，停止基板W之處理。

又，手Ma退出後，如圖9中粗實線之箭頭a3所示，上夾盤12A、12B相互靠近，藉此上夾盤12A、12B之複數個保持片300抵接於基板W之外周端部。從而，上側保持裝置10A、10B自可載置狀態切換為保持狀態，基板W由上側保持裝置10A、10B保持。進行該切換時，如上所述，使上夾盤12A、12B中之一上夾盤移動至目標位置，然後使另一上夾盤向一上夾盤移動，藉此於X方向上準確定位基板W。

此時，進而藉由光電感測器19(圖5)進行基板保持狀態判定。具體而言，自投光部19a向受光部19b出射光，並且基於受光部19b之受光信號，對基板W是否被上側保持裝置10A、10B正常保持進行判定。此處，判定為基板W未被正常保持之情形時，停止基板W之處理。

本實施方式之基板洗淨裝置1中，於由上側保持裝置10A、10B保持著基板W之狀態下，藉由下表面刷51洗淨該基板W之下表面中央區域。因此，手Ma退出後，為了準備基板W之下表面中央區域之洗淨，下表面刷51將移動至與基板W之下表面中最初應該接觸之預先設定區域(初始接觸區域)對向之位置。本例中，設初始接觸區域為基板W之下表面中央區域。

該情形時，具體而言，可動台座32以俯視下使下表面刷51與基板W之初始接觸區域重疊之方式於Y方向上移動。又，升降支持部54以使下表面刷51靠近至與基板W之下表面近接之高度位置之方式上升。更具體而言，圖9之例中，如粗實線之箭頭a4所示，可動台座32自基準水平位置向前方移動，直至俯視時下表面刷51之中心與平面基準位置rp重疊為止。又，如圖9中粗實線之箭頭a5所示，升降支持部54以使下表面刷51自下表面刷待機位置靠近至基板W附近之位置(與基板W隔開約5 mm左右之位置)之方式上升。再者，升降支持部54亦可上升至下表面刷51與基板W之下表面接觸之位置。

如上所述，將擋板91自打開狀態切換為關閉狀態之動作稱為擋板關閉動作。又，將上側保持裝置10A、10B自可載置狀態切換為保持狀態之動作稱為保持切換動作。進而，將下表面刷51以俯視下與基板W之初始接觸區域重疊之方式移動之動作、及於上下方向上自下表面刷待機位置向由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之下表面移動之動作稱為第1刷準備動作。該情形時，圖5之夾盤控制部9A、台座控制部9C、下表面洗淨控制部9E及搬入搬出控制部9I以擋板關閉動作之期間、保持切換動作之期間及第1刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始各動作。

此處，手Ma退出後，進而如圖9中粗實線之箭頭a6所示，吸附保持部21開始旋轉。即，下側保持裝置20自停止狀態切換為旋轉狀態。該下側保持裝置20之切換例如於基板W進入單元殼體2之內部後至基板W被上側保持裝置10A、10B保持為止之期間進行。

其次，下表面刷51被壓抵於基板W之初始接觸區域(本例中為下表面中央區域)。又，如圖10中粗實線之箭頭a7所示，下表面刷51繞著上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此，附著於基板W之下表面中央區域之污染物質被下表面刷51物理剝離。

於圖10之下段，註釋框內示出了下表面刷51與基板W之下表面接觸之部分之放大側視圖。如該註釋框內所註，於下表面刷51與基板W接觸之狀態下，基板噴嘴52及氣體噴出部53保持於與基板W之下表面近接之位置。此時，基板噴嘴52如中空之箭頭a51所示，於下表面刷51附近之位置向基板W之下表面噴出洗淨液。藉此，自基板噴嘴52供給至基板W之下表面之洗淨液被導引至下表面刷51與基板W之接觸部，從而能利用洗淨液沖洗掉被下表面刷51自基板W之背面去除之污染物質。

此處，升降支持部54之上表面54u朝著遠離吸附保持部21之方向向斜下方傾斜。該情形時，當包含污染物質之洗淨液自基板W之下表面滴落至升降支持部54上時，由上表面54u接住之洗淨液將被朝著遠離吸附保持部21之方向導引。

又，藉由下表面刷51洗淨基板W之下表面時，氣體噴出部53如圖10之註釋框內之中空之箭頭a52所示，於下表面刷51與吸附保持部21之間之位置向基板W之下表面噴射氣體。本實施方式中，氣體噴出部53以使氣體噴射口於X方向上延伸之方式安裝於可動台座32上。該情形時，自氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體時，下表面刷51與吸附保持部21之間會形成沿著X方向延伸之帶狀之氣簾。藉此，能防止於利用下表面刷51洗淨基板W之下表面時，包含污染物質之洗淨液向吸附保持部21飛散。故而，能防止於利用下表面刷51洗淨基板W之下表面時，包含污染物質之洗淨液附著於吸附保持部21，從而使吸附保持部21之吸附面保持清潔。

再者，圖10之例中，氣體噴出部53如中空之箭頭a52所示，自氣體噴出部53朝著下表面刷51向斜上方噴射氣體，但本發明並不限定於此。氣體噴出部53亦能以自氣體噴出部53朝著基板W之下表面沿著Z方向之方式噴射氣體。

如上所述，於洗淨基板W之下表面中央區域之期間，下側保持裝置20持續處於旋轉狀態。藉此，即便基板W之洗淨中所使用之洗淨液之液滴等滴落至吸附保持部21上，該液滴等亦會被旋轉之吸附保持部21甩落。從而，能防止洗淨液之液滴等殘留於吸附保持部21上。

其次，於圖10之狀態下，基板W之下表面中央區域之洗淨完成後，升降支持部54以使下表面刷51之洗淨面與基板W隔開規定距離之方式下降。又，停止自基板噴嘴52向基板W噴出洗淨液。此時，繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體。

其後，如圖11中粗實線之箭頭a8所示，可動台座32移動至俯視下較基準水平位置向後方偏移了規定距離之位置。此時，繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體，藉此利用氣簾依序使基板W之下表面中央區域乾燥。再者，利用氣體噴出部53乾燥基板W之下表面中央區域時，亦可使下表面刷51之旋轉暫時停止。

其次，如圖12中粗實線之箭頭a9所示，升降支持部54以使下表面刷51之洗淨面位於較吸附保持部21之吸附面(上端部)靠下方之方式下降。藉此，下表面刷51移動至下表面刷待機位置(高度位置)。再者，下表面刷51亦可於洗淨基板W之下表面中央區域後，且藉由氣體噴出部53使之乾燥前，自與基板W之下表面接觸之位置移動至下表面刷待機位置。

又，如圖12中粗實線之箭頭a10所示，以上夾盤12A、12B離開基板W之外周端部之方式，使上夾盤12A、12B相互遠離。藉此，上側保持裝置10A、10B自保持狀態切換為可載置狀態，基板W以能被舉起之方式支持於下夾盤11A、11B上。進行該切換時，如上所述，在上夾盤12A、12B中之一上夾盤位於目標位置之狀態下，使另一上夾盤以遠離一上夾盤之方式移動。藉此，於X方向上準確定位下夾盤11A、11B上之基板W。

其後，如圖13之中段及下段所示，下側保持裝置20自旋轉狀態切換為停止狀態。即，下側保持裝置20之吸附保持部21停止旋轉。該旋轉之停止例如需要2 sec左右之時間。又，如圖13中粗實線之箭頭a11所示，可動台座32朝著基準水平位置向前方移動。進而，如圖13中粗實線之箭頭a12所示，銷連結構件42以使複數個支持銷41之上端部位於較下夾盤11A、11B略靠上方之方式上升。藉此，由下夾盤11A、11B支持之基板W被複數個支持銷41接收。

此處，圖5之交接控制部9D於複數個支持銷41之上端部自較吸附保持部21靠下方之位置移動至較下夾盤11A、11B之複數個支持片200(圖3)略靠下方之高度位置之期間，使複數個支持銷41高速上升。另一方面，交接控制部9D於複數個支持銷41之上端部自較複數個支持片200略靠下方之高度位置移動至較複數個支持片200略靠上方之高度位置之期間，使複數個支持銷41低速上升。藉此，得以防止複數個支持銷41與基板W接觸時基板W產生破損，並且縮短了處於初始狀態之複數個支持銷41接收到基板W之時間。

如上所述，將下側保持裝置20自旋轉狀態切換為停止狀態之動作稱為旋轉停止動作。又，將可動台座32朝向基準水平位置沿著水平方向(本例中為前方)移動之動作稱為水平移動動作。進而，將複數個支持銷41上升之動作稱為上下移動動作。可動台座32之水平移動動作及複數個支持銷41之上下移動動作係為了將基板W自上側保持裝置10A、10B交遞至下側保持裝置20而進行之動作。該情形時，圖5之夾盤控制部9A、台座控制部9C及交接控制部9D以旋轉停止動作之期間之至少一部分、水平移動動作之期間之至少一部分及上下移動動作之期間之至少一部分相互重疊之方式，開始各動作。

其次，如圖14中粗實線之箭頭a13所示，下夾盤11A、11B相互遠離。藉此，上側保持裝置10A、10B自可載置狀態切換為退避狀態。此時，下夾盤11A、11B位於俯視下不與由複數個支持銷41支持之基板W重疊之位置。藉此，能使被複數個支持銷41以水平姿勢支持之基板W自上側保持裝置10A、10B之間通過而於上下方向(Z方向)上移動。進而，本實施方式中，當上側保持裝置10A、10B處於退避狀態時，下夾盤11A、11B及上夾盤12A、12B位於俯視下不與承杯61重疊之位置。

其次，如圖15中粗實線之箭頭a14所示，銷連結構件42以使複數個支持銷41之上端部位於較吸附保持部21靠下方之方式下降。藉此，支持於複數個支持銷41上之基板W被吸附保持部21接收。於該狀態下，吸附保持部21吸附保持基板W之下表面中央區域。

再者，圖5之交接控制部9D於複數個支持銷41之上端部自較吸附保持部21靠上方之位置移動至較吸附保持部21略靠上方之高度位置之期間，以基板W不浮動之程度使複數個支持銷41高速下降。另一方面，交接控制部9D於複數個支持銷41之上端部自較吸附保持部21略靠上方之高度位置移動至較吸附保持部21靠下方之高度位置之期間，使複數個支持銷41低速下降。藉此，得以防止吸附保持部21與基板W接觸時基板W產生破損，並且縮短了上側保持裝置10A、10B上之基板W被交遞至下側保持裝置20之時間。

此處，如上所述，將由上側保持裝置10A、10B保持之基板W下降並被交遞至下側保持裝置20上之交接裝置40之動作稱為基板下降動作。本實施方式中，以與交接裝置40之基板下降動作之期間中之至少一部分期間重疊之方式，進行以下所說明之承杯上升動作、第2刷準備動作、第1噴嘴準備動作及第3刷準備動作。

承杯上升動作係如圖15中粗實線之箭頭a15所示，使承杯61自下承杯位置上升至上承杯位置之動作。如上所述，下夾盤11A、11B及上夾盤12A、12B於上側保持裝置10A、10B處於退避狀態時，俯視下不與承杯61重疊。因此，上述承杯上升動作較佳為於至少上側保持裝置10A、10B處於退避狀態之時序開始。該情形時，得以防止於承杯61上升時，承杯61與上側保持裝置10A、10B彼此干涉。

第2刷準備動作係如圖15中粗實線之箭頭a16所示，使下表面刷51自下表面刷待機位置朝向由下側保持裝置20保持之基板W之下表面上升之動作。於該第2刷準備動作時，如下述圖17中粗實線之箭頭a23所示，下表面刷51持續旋轉(以沿著上下方向延伸之軸為基準之自轉)。

此處，圖5之下表面洗淨控制部9E於第2刷準備動作中，在下表面刷51到達較基板W之下表面略靠下方之高度位置之時點，暫時使下表面刷51之上升停止或使上升速度降低。藉此，得以防止下表面刷51與基板W接觸時之基板W之破損。

第1噴嘴準備動作係使噴霧嘴73自噴霧嘴待機位置朝向基板W上方之噴霧嘴處理位置移動之動作。於第1噴嘴準備動作之開始時點，噴霧嘴73位於較基板W、上側保持裝置10A、10B及承杯61靠上方之高度位置。第1噴嘴準備動作開始後，上表面洗淨裝置70之旋轉支持軸71旋轉。藉此，如圖15中粗實線之箭頭a17所示，噴霧嘴73自噴霧嘴待機位置移動至基板W上方之位置。然後，旋轉支持軸71下降規定距離。藉此，如圖16中粗實線之箭頭a18所示，噴霧嘴73之前端部下降至距基板W之上表面數cm左右之上方之高度位置，噴霧嘴73到達噴霧嘴處理位置。

第3刷準備動作係使斜面刷83自斜面刷待機位置朝向與基板W之外周端部接觸之斜面刷處理位置移動之動作。於第3刷準備動作之開始時點，斜面刷83位於較基板W、上側保持裝置10A、10B及承杯61靠上方之高度位置。第3刷準備動作開始後，端部洗淨裝置80之旋轉支持軸81旋轉。藉此，如圖15中粗實線之箭頭a19所示，斜面刷83自斜面刷待機位置移動至基板W之外周端部之一部分之上方之位置。又，旋轉支持軸81下降規定距離。藉此，如圖16中粗實線之箭頭a20所示，斜面刷83下降至與基板W之外周端部之一部分接觸之位置，到達斜面刷處理位置。

此處，圖5之斜面洗淨控制部9H於第3刷準備動作中，在斜面刷83到達與基板W之外周端部略微隔開之位置之時點，暫時使斜面刷83之下降停止或使下降速度降低。藉此，得以防止斜面刷83與基板W接觸時之基板W之破損。

其次，如圖17中粗實線之箭頭a21所示，吸附保持部21繞著上下方向之軸(吸附保持驅動部22之旋轉軸之軸心)旋轉。藉此，吸附保持於吸附保持部21之基板W以水平姿勢旋轉。再者，吸附保持部21開始旋轉之時序只要係於自交接裝置40交遞至下側保持裝置20之基板W被吸附保持部21吸附保持之後即可。

其後，自噴霧嘴73向基板W之上表面噴射洗淨液與氣體之混合流體。又，旋轉支持軸71旋轉。藉此，如圖17中粗實線之箭頭a22所示，噴霧嘴73於旋轉之基板W之上方之位置呈圓弧狀移動。藉由向基板W之整個上表面噴射混合流體，而將基板W之整個上表面洗淨。

又，此時，於斜面刷83之外周面之中央部分與基板W之外周端部接觸之狀態下，斜面刷83繞著上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此，附著於基板W之外周端部之污染物質被斜面刷83物理剝離。自基板W之外周端部剝離之污染物質被自噴霧嘴73向基板W噴射之混合流體之洗淨液沖洗掉。

進而，如圖17中粗實線之箭頭a23所示，下表面刷51持續繞著上下方向之軸旋轉(自轉)。進而，基板噴嘴52向基板W之下表面噴出洗淨液，氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體。藉此，能利用下表面刷51將由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之整個下表面外側區域洗淨。下表面刷51之旋轉方向亦可與吸附保持部21之旋轉方向相反。該情形時，能以良好效率將基板W之下表面外側區域洗淨。

再者，升降支持部54亦可構成為能在可動台座32上相對於下側保持裝置20沿著Y方向相對地移動。該情形時，如圖17中粗實線之箭頭a24所示，使升降支持部54於可動台座32上沿著Y方向移動。藉此，在可動台座32固定於規定位置之狀態下，能利用下表面刷51加以洗淨之範圍擴大。

基板W之上表面、外周端部及下表面外側區域之洗淨完成後，停止自噴霧嘴73向基板W噴射混合流體。又，如圖18中粗實線之箭頭a25所示，噴霧嘴73移動至噴霧嘴待機位置(初始狀態之位置)。又，如圖18中粗實線之箭頭a26所示，斜面刷83移動至斜面刷待機位置(初始狀態之位置)。進而，升降支持部54下降。藉此，下表面刷51自與基板W之下表面接觸之位置移動至下表面刷待機位置。又，洗淨液自基板噴嘴52向基板W之噴出、及氣體自氣體噴出部53向基板W之噴射停止。於該狀態下，藉由使吸附保持部21以高速旋轉，附著於基板W之洗淨液便會被甩落，從而整個基板W得到乾燥(旋轉乾燥)。再者，於該旋轉乾燥時，亦可使下表面刷51之旋轉暫時停止。

其次，如圖19中粗實線之箭頭a27所示，承杯61自上承杯位置下降至下承杯位置。其後，自基板洗淨裝置1之單元殼體2內搬出基板W。自單元殼體2內搬出基板W時，於未圖示之基板搬送機器人之手(基板保持部)Ma即將進入單元殼體2內之前之時序，擋板91自關閉狀態切換為打開狀態(擋板打開動作)。

繼而，如圖20中粗實線之箭頭a28所示，基板搬送機器人之手(基板保持部)Ma通過搬入搬出口2x進入單元殼體2內。繼而，手Ma接收吸附保持部21上之基板W，並自搬入搬出口2x退出。手Ma退出後，擋板91自打開狀態切換為關閉狀態(擋板關閉動作)。

再者，亦可繼上述基板W之搬出後，向單元殼體2內搬入未處理之新的基板W(替換基板W)。該情形時，圖5之夾盤控制部9A及搬入搬出控制部9I以用於將處理後之基板W搬出的擋板打開動作之期間與用於使上側保持裝置10A、10B接收未處理之基板W的載置準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始各動作。

如上所述，下表面刷51於基板洗淨裝置1之電源接通之期間，基本上皆在持續地旋轉。圖5之下表面洗淨控制部9E藉由控制刷洗淨液供給部57，而於預先設定之刷洗淨期間，自刷洗淨液供給部57向圖1之刷噴嘴52a、52b供給用於洗淨刷之洗淨液。該情形時，刷洗淨期間亦可包含單元殼體2內不存在基板W之期間。又，刷洗淨期間亦可包含下表面刷51在上下方向上位於下表面刷待機位置之期間。

4.效果 (a)上述基板洗淨裝置1中，利用上側保持裝置10A、10B保持基板W，將該基板W之下表面中央區域洗淨。其次，藉由交接裝置40之基板下降動作，將基板W自上側保持裝置10A、10B交遞至下側保持裝置20。此時，由上側保持裝置10A、10B保持之基板W藉由交接裝置40之基板下降動作自上側保持裝置10A、10B之高度位置下降至下側保持裝置20之吸附保持部21之高度位置。其後，基板W由吸附保持部21吸附保持並旋轉。於該狀態下，基板W之下表面外側區域被下表面洗淨裝置50洗淨。基板W之上表面被上表面洗淨裝置70洗淨，基板W之外周端部被端部洗淨裝置80洗淨。自基板W飛散之洗淨液被承杯61接住來回收或廢棄。

(b)承杯61於不對由下側保持裝置20保持之基板W進行洗淨之期間，於下承杯位置成為待機狀態。藉此，得以防止承杯61與基板洗淨裝置1之其他構成要素之間之干涉。因此，於即將開始對由下側保持裝置20保持之基板W進行洗淨之前，進行使承杯61自下承杯位置上升至上承杯位置之承杯上升動作。

圖5之交接控制部9D及承杯控制部9F以基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分相互重疊之方式，開始各動作。藉此，與以基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間不重疊之方式進行各動作之情形相比，處理一個基板W所需之期間縮短了上述期間之重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

再者，基板下降動作與承杯上升動作較佳為以同時開始或同時結束之方式進行。該情形時，能確保該等2個動作期間中至少一個動作期間那麼長之重疊期間。

(c)又，圖5之交接控制部9D及下表面洗淨控制部9E以基板下降動作之期間與第2刷準備動作之期間之至少一部分相互重疊之方式，開始各動作。藉此，與以基板下降動作之期間與第2刷準備動作之期間不重疊之方式進行各動作之情形相比，處理一個基板W所需之期間縮短了上述期間之重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

再者，基板下降動作與第2刷準備動作較佳為以同時開始或同時結束之方式進行。該情形時，能確保該等2個動作期間中至少一個動作期間那麼長之重疊期間。

(d)又，圖5之交接控制部9D及上表面洗淨控制部9G以基板下降動作之期間與第1噴嘴準備動作之期間之至少一部分相互重疊之方式，開始各動作。藉此，與以基板下降動作之期間與第1噴嘴準備動作之期間不重疊之方式進行各動作之情形相比，處理一個基板W所需之期間縮短了上述期間之重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

再者，基板下降動作與第1噴嘴準備動作較佳為以同時開始或同時結束之方式進行。該情形時，能確保該等2個動作期間中至少一個動作期間那麼長之重疊期間。

(e)進而，圖5之交接控制部9D及斜面洗淨控制部9H以基板下降動作之期間與第3刷準備動作之期間之至少一部分相互重疊之方式，開始各動作。藉此，與以基板下降動作之期間與第3刷準備動作之期間不重疊之方式進行各動作之情形相比，處理一個基板W所需之期間縮短了上述期間之重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

再者，基板下降動作與第3刷準備動作較佳為以同時開始或同時結束之方式進行。該情形時，能確保該等2個動作期間中至少一個動作期間那麼長之重疊期間。

(f)本實施方式中，進而使基板下降動作之期間之至少一部分、承杯上升動作之期間之至少一部分、第2刷準備動作之期間之至少一部分、第1噴嘴準備動作之期間之至少一部分、及第3刷準備動作之期間之至少一部分相互重疊。如此，並行地進行複數個動作之情形時，基板處理之產能進一步提高。

再者，基板下降動作、承杯上升動作、第2刷準備動作、第1噴嘴準備動作及第3刷準備動作較佳為以同時開始或同時結束之方式進行。該情形時，能進一步提高基板處理之產能。

5.其他實施方式 (a)上述實施方式中，基板下降動作之期間之至少一部分、承杯上升動作之期間之至少一部分、第2刷準備動作之期間之至少一部分、第1噴嘴準備動作之期間之至少一部分、及第3刷準備動作之期間之至少一部分相互重疊。但本發明並不限定於此。

於基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分重疊之情形時，第2刷準備動作之期間、第1噴嘴準備動作之期間及第3刷準備動作之期間與基板下降動作之期間亦可不重疊。該情形時，藉由使基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分重疊，如上所述，基板處理之產能亦將提高。

於基板下降動作之期間與第2刷準備動作之期間之至少一部分重疊之情形時，承杯上升動作之期間、第1噴嘴準備動作之期間及第3刷準備動作之期間與基板下降動作之期間亦可不重疊。該情形時，藉由使基板下降動作之期間與第2刷準備動作之期間之至少一部分重疊，如上所述，基板處理之產能亦將提高。

於基板下降動作之期間與第1噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊之情形時，承杯上升動作之期間、第2刷準備動作之期間及第3刷準備動作之期間與基板下降動作之期間亦可不重疊。該情形時，藉由使基板下降動作之期間與第1噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊，如上所述，基板處理之產能亦將提高。

於基板下降動作之期間與第3刷準備動作之期間之至少一部分重疊之情形時，承杯上升動作之期間、第2刷準備動作之期間及第1噴嘴準備動作之期間與基板下降動作之期間亦可不重疊。該情形時，藉由使基板下降動作之期間與第3刷準備動作之期間之至少一部分重疊，如上所述，基板處理之產能亦將提高。

(b)上述實施方式之基板洗淨裝置1亦可具有向由下側保持裝置20吸附保持之基板W之下表面外側區域供給沖洗液之背沖洗噴嘴。進而，基板洗淨裝置1亦可具有向由下側保持裝置20吸附保持之基板W之上表面供給沖洗液之沖洗噴嘴。

圖21係另一實施方式之基板洗淨裝置1之模式性俯視圖。圖22係表示圖21之基板洗淨裝置1之控制系統的構成之方塊圖。圖21之模式性俯視圖對應於圖1之模式性俯視圖。圖22之方塊圖對應於圖5之方塊圖。關於圖21之基板洗淨裝置1，說明與上述實施方式之基板洗淨裝置1不同之方面。

如圖21所示，本例之基板洗淨裝置1除了具備上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、台座裝置30、交接裝置40、下表面洗淨裝置50、承杯裝置60、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及開關裝置90以外，進而具備上表面沖洗裝置210。

上表面沖洗裝置210以於X方向上之承杯61側方之位置與端部洗淨裝置80相鄰之方式設置。上表面沖洗裝置210包含旋轉支持軸211、臂212、沖洗噴嘴213及沖洗驅動部214。

旋轉支持軸211於底面部2a上沿著上下方向延伸，且以能升降、能旋轉之方式由沖洗驅動部214支持。臂212以自旋轉支持軸211之上端部沿著水平方向延伸之方式設置於較上側保持裝置10A靠上方之位置。於臂212之前端部安裝有沖洗噴嘴213。

於沖洗噴嘴213連接有沖洗液供給部215(圖22)。沖洗液供給部215向沖洗噴嘴213供給沖洗液。本例中，使用純水作為供給至沖洗噴嘴213之洗淨液。沖洗噴嘴213於利用噴霧嘴73洗淨基板W之上表面之過程中，或於該洗淨後且乾燥基板W前，將自沖洗液供給部215供給之洗淨液噴出至基板W之上表面。

沖洗驅動部214包含一個或複數個脈衝馬達及氣缸等，使旋轉支持軸211升降，並且使旋轉支持軸211旋轉。根據上述構成，如圖21中粗虛線之箭頭所示，藉由使沖洗噴嘴213呈圓弧狀於由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之上表面上移動，能向基板W之整個上表面供給沖洗液。

又，如上所述，於基板洗淨裝置1進而具有背沖洗噴嘴之情形時，亦能向由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之下表面供給沖洗液。如此，根據圖21之基板洗淨裝置1，能對洗淨後或洗淨中之基板W之上表面及下表面進行沖洗處理。

如圖22所示，作為功能部，本例之控制裝置170除了包含圖5中所記載之各種控制部以外，進而包含沖洗控制部9J。與其他控制部同樣地，CPU於RAM上執行記憶裝置內所記憶之基板洗淨程式，藉以實現沖洗控制部9J之功能。沖洗控制部9J之一部分或全部亦可藉由電子電路等硬體來實現。沖洗控制部9J控制沖洗驅動部214及沖洗液供給部215，以對由吸附保持部21吸附保持之基板W之上表面實施沖洗處理。

於圖21之基板洗淨裝置1中，亦與上述實施方式之基板洗淨裝置1基本上同樣地，對一個基板W進行圖6～圖20所示之一系列處理。此處，於上述一系列處理中，圖22之沖洗控制部9J亦可如下所示，控制沖洗驅動部214及沖洗液供給部215。

圖23係用以說明圖22之沖洗控制部9J對沖洗驅動部214及沖洗液供給部215實施的一控制例之側視圖。圖23之側視圖係沿著Y方向觀察圖21之基板洗淨裝置1所得之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖，對應於圖21之C-C線側視圖。進而，圖23之側視圖所示之基板洗淨裝置1之動作狀態之時序對應於上述實施方式之基板洗淨裝置1之圖15之動作狀態之時序。

如圖23所示，本例中，以與交接裝置40之基板下降動作之期間中之至少一部分期間重疊之方式，進行第2噴嘴準備動作。第2噴嘴準備動作係使沖洗噴嘴213自承杯61側方之沖洗噴嘴待機位置朝向基板W上方之沖洗噴嘴處理位置移動之動作。

於第2噴嘴準備動作之開始時點，沖洗噴嘴213保持於較基板W、上側保持裝置10A、10B及承杯61靠上方之高度位置。第2噴嘴準備動作開始後，上表面沖洗裝置210之旋轉支持軸211旋轉。藉此，如圖23中粗實線之箭頭a29所示，沖洗噴嘴213自沖洗噴嘴待機位置移動至基板W上方之位置。然後，旋轉支持軸211下降規定距離。藉此，沖洗噴嘴213之前端部下降至距基板W之上表面數cm左右之上方之高度位置，沖洗噴嘴213到達沖洗噴嘴處理位置。其後，自位於沖洗噴嘴處理位置之沖洗噴嘴213向基板W之上表面供給沖洗液。

本例中，圖22之交接控制部9D及沖洗控制部9J以基板下降動作之期間與第2噴嘴準備動作之期間之至少一部分相互重疊之方式，開始各動作。藉此，與以基板下降動作之期間與第2噴嘴準備動作之期間不重疊之方式進行各動作之情形相比，處理一個基板W所需之期間縮短了上述期間之重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。再者，於圖21之基板洗淨裝置1，可不設置下表面洗淨裝置50，可不設置上表面洗淨裝置70，亦可不設置端部洗淨裝置80。

再者，本例中，以與交接裝置40之基板下降動作之期間中之至少一部分期間重疊之方式，進行承杯上升動作(圖23之箭頭a15)、第2刷準備動作、第1噴嘴準備動作(圖23之箭頭a17)及第3刷準備動作(圖23之箭頭a19)。但該等動作(承杯上升動作、第2刷準備動作、第1噴嘴準備動作及第3刷準備動作)亦能以不與交接裝置40之基板下降動作之期間重疊之方式進行。

(c)上述實施方式中，針對由上側保持裝置10A、10B保持之基板W，將下表面刷51於基板W之下表面中最先應該接觸之預先設定之區域(初始接觸區域)設定為基板W之下表面中央區域，但本發明並不限定於此。初始接觸區域亦可設定為自下表面中央區域向Y方向偏移規定距離之位置。該情形時，在對基板W之下表面中央區域進行洗淨時，於下表面刷51與初始接觸區域接觸之後，可動台座32以使下表面刷51於下表面上自初始接觸區域移動至下表面中央區域之方式動作。

(d)上述實施方式之基板洗淨裝置1中，上側保持裝置10A、10B構成為保持基板W之外周端部，但本發明並不限定於此。例如，上側保持裝置10A、10B各自亦可具備複數個吸附墊來代替上述下夾盤11A、11B及上夾盤12A、12B，構成為能吸附保持基板W之下表面之一部分。該情形時，上側保持裝置10A、10B吸附保持作為基板W之周緣部之基板W之下表面外側區域。藉此，能於基板W由上側保持裝置10A、10B吸附保持之狀態下，將基板W之下表面中央區域洗淨。

(e)上述實施方式之基板洗淨裝置1中，為了將基板W自上側保持裝置10A、10B交遞至下側保持裝置20，而藉由交接裝置40進行複數個支持銷41之上下移動動作，但本發明並不限定於此。

於基板洗淨裝置1，亦可設置使下側保持裝置20相對於上側保持裝置10A、10B相對地升降之升降驅動部。或者，亦可設置使上側保持裝置10A、10B相對於下側保持裝置20相對地升降之升降驅動部。該等情形時，藉由使下側保持裝置20及上側保持裝置10A、10B中之至少一者相對於另一者相對地升降動作，無需使用複數個支持銷41便能於2個保持裝置間進行基板W之交接。該情形時，無需交接裝置40，下側保持裝置20之升降驅動部或上側保持裝置10A、10B之升降驅動部作為進行基板下降動作之構成要素發揮功能。

(f)上述實施方式之基板洗淨裝置1中，為了將基板W自上側保持裝置10A、10B交遞至下側保持裝置20，而藉由台座裝置30進行可動台座32之水平移動動作，但本發明並不限定於此。

於基板洗淨裝置1，亦可設置使上側保持裝置10A、10B相對於下側保持裝置20沿著Y方向相對地移動之移動驅動部。該情形時，藉由使上側保持裝置10A、10B相對於下側保持裝置20沿著Y方向相對地移動，無需使下側保持裝置20沿著水平方向移動便能於2個保持裝置間進行基板W之交接。

(g)如上述實施方式所示，於基板洗淨用洗淨液與刷洗淨用洗淨液相同之情形時，亦可不設置2個基板噴嘴52。該情形時，於對基板W之下表面中央區域進行洗淨時及對基板W之下表面外側區域進行洗淨時，能使用自刷噴嘴52a、52b噴出至下表面刷51之洗淨液作為基板洗淨用洗淨液。

(h)上述實施方式之基板洗淨裝置1中，於利用下表面刷51對基板W之下表面中央區域進行洗淨之過程中，自2個基板噴嘴52向基板W供給洗淨液，但本發明並不限定於此。

於基板洗淨裝置1中，亦可藉由於利用下表面刷51對基板W之下表面進行洗淨前，預先將下表面刷51洗淨，而使洗淨液滲入下表面刷51。該情形時，藉由使已滲入洗淨液之下表面刷51與基板W之下表面接觸，能於下表面刷51與基板W接觸之狀態下將基板W之下表面洗淨，而無需供給新的洗淨液。

(i)上述實施方式之基板洗淨裝置1只要具有下表面洗淨裝置50、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80中之至少1個裝置即可，亦可不設置除了至少1個裝置以外之裝置。進而，上述實施方式之基板洗淨裝置1亦可具有對由上側保持裝置10A、10B保持之基板W進行除了洗淨處理以外之處理之構成要素。

6.技術方案之各構成要素與實施方式之各部之對應關係 以下，對技術方案之各構成要素與實施方式之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案中所記載之構成或功能之其他各種要素。

上述實施方式中，基板洗淨裝置1係基板處理裝置之例，由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之高度位置係第1高度位置之例，上側保持裝置10A、10B係第1基板保持部之例，由下側保持裝置20保持之基板W之高度位置係第2高度位置之例，下側保持裝置20係第2基板保持部之例。

又，利用下表面刷51進行之基板W之下表面中央區域之洗淨處理係第1處理之例，基板W之上表面之洗淨處理、基板W之外周端部之洗淨處理、基板W之下表面外側區域之洗淨處理及基板W之沖洗處理係第2處理之例，下表面洗淨裝置50、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及上表面沖洗裝置210係處理部之例。

又，交接裝置40係基板移動部之例，控制裝置170係控制部之例，承杯61係處理承杯之例，承杯驅動部62係承杯驅動部之例，下表面刷51係下表面刷之例，升降支持部54及下表面刷升降驅動部55b係下表面刷移動部之例。

又，洗淨液及沖洗液係處理液之例，噴霧嘴73及沖洗噴嘴213係流體噴嘴之例，旋轉支持軸71、臂72、上表面洗淨驅動部74、旋轉支持軸211、臂212及沖洗驅動部214係噴嘴移動部之例，斜面刷83係端部刷之例，旋轉支持軸81、臂82及斜面刷驅動部84係端部刷移動部之例。

7.實施方式之總結 (第1項)第1項之基板處理裝置具備： 第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成； 第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成； 處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成； 基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 控制部；且 上述第2處理包含使用處理液之處理； 上述處理部包含： 處理承杯，其以俯視下包圍上述第2基板保持部之方式形成，並且設置為能於與上述第2高度位置對應之上承杯位置和較上述上承杯位置靠下方之下承杯位置之間升降；及 承杯驅動部，其使上述處理承杯升降； 上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述承杯驅動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及承杯上升動作以上述基板下降動作之期間與上述承杯上升動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述承杯上升動作係使上述處理承杯自上述下承杯位置向上述上承杯位置上升之動作。

於該基板處理裝置中，利用第1基板保持部將基板保持於第1高度位置，進行第1處理。其次，將基板自第1基板保持部交遞至第2基板保持部。此時，藉由基板下降動作使基板自第1高度位置下降至第2高度位置。利用第2基板保持部將基板保持於第2高度位置，進行第2處理。

於第2處理中，使用處理液。因此，處理承杯配置於上承杯位置。第2處理中所使用之處理液被位於上承杯位置之處理承杯接住。處理承杯於不承接處理液之情形時，退避至下承杯位置，以防止與其他構件干涉。因此，於開始第2處理時，必須使處理承杯自下承杯位置上升至上承杯位置。根據上述基板處理裝置，基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分重疊。將該等期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與藉由基板下降動作使基板下降至第2高度位置後開始承杯上升動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。又，與於承杯上升動作後開始基板下降動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第2項)第2項之基板處理裝置具備： 第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成； 第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成； 處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成； 基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 控制部；且 上述處理部包含： 下表面刷，其藉由與基板之下表面接觸來洗淨上述下表面；及 下表面刷移動部，其以能使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動之方式構成，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置； 上述第2處理包含上述下表面刷對基板之上述下表面實施之洗淨處理， 上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述下表面刷移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及下表面刷準備動作以上述基板下降動作之期間與上述下表面刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作。

於該基板處理裝置中，利用第1基板保持部將基板保持於第1高度位置，進行第1處理。其次，將基板自第1基板保持部交遞至第2基板保持部。此時，藉由基板下降動作使基板自第1高度位置下降至第2高度位置。利用第2基板保持部將基板保持於第2高度位置，進行第2處理。

第2處理包含利用下表面刷對基板之下表面進行之洗淨處理。下表面刷於不對基板之下表面進行洗淨之期間，保持於下表面刷待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使下表面刷自下表面刷待機位置移動至下表面刷處理位置。根據上述基板處理裝置，基板下降動作之期間與下表面刷準備動作之期間之至少一部分重疊。將該等期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與藉由基板下降動作使基板下降至第2高度位置後開始下表面刷準備動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第3項)第3項之基板處理裝置具備： 第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成； 第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成； 處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成； 基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 控制部；且 上述處理部包含： 流體噴嘴，其向基板之上表面噴出包含處理液之流體；及 噴嘴移動部，其以能使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動之方式構成，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置； 上述第2處理包含上述流體噴嘴對基板之上述上表面實施之洗淨處理， 上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述噴嘴移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及噴嘴準備動作以上述基板下降動作之期間與上述噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作。

於該基板處理裝置中，利用第1基板保持部將基板保持於第1高度位置，進行第1處理。其次，將基板自第1基板保持部交遞至第2基板保持部。此時，藉由基板下降動作使基板自第1高度位置下降至第2高度位置。利用第2基板保持部將基板保持於第2高度位置，進行第2處理。

第2處理包含利用流體噴嘴對基板之上表面進行之洗淨處理。流體噴嘴於不對基板之上表面進行洗淨之期間，保持於噴嘴待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使流體噴嘴自噴嘴待機位置移動至噴嘴處理位置。根據上述基板處理裝置，基板下降動作之期間與噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊。將該等期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與藉由基板下降動作使基板下降至第2高度位置後開始噴嘴準備動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第4項)第4項之基板處理裝置具備： 第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成； 第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成； 處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成； 基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 控制部；且 上述處理部包含： 端部刷，其藉由與基板之外周端部接觸來洗淨上述外周端部；及 端部刷移動部，其以能使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動之方式構成，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置； 上述第2處理包含上述端部刷對基板之上述外周端部實施之洗淨處理， 上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述端部刷移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及端部刷準備動作以上述基板下降動作之期間與上述端部刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。

於該基板處理裝置中，利用第1基板保持部將基板保持於第1高度位置，進行第1處理。其次，將基板自第1基板保持部交遞至第2基板保持部。此時，藉由基板下降動作使基板自第1高度位置下降至第2高度位置。利用第2基板保持部將基板保持於第2高度位置，進行第2處理。

第2處理包含利用端部刷對基板之外周端部進行之洗淨處理。端部刷於不對基板之外周端部進行洗淨之期間，保持於端部刷待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使端部刷自端部刷待機位置移動至端部刷處理位置。根據上述基板處理裝置，基板下降動作之期間與端部刷準備動作之期間之至少一部分重疊。將該等期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與藉由基板下降動作使基板下降至第2高度位置後開始端部刷準備動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第5項)於第1項之基板處理裝置中，可為： 上述處理部包含： 下表面刷，其藉由與基板之下表面接觸來洗淨上述下表面； 下表面刷移動部，其以能使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動之方式構成，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置； 流體噴嘴，其向基板之上表面噴出包含處理液之流體； 噴嘴移動部，其以能使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動之方式構成，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係遠離由上述第2基板保持部保持之基板之位置； 端部刷，其藉由與基板之外周端部接觸來洗淨上述外周端部；及 端部刷移動部，其以能使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動之方式構成，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係遠離由上述第2基板保持部保持之基板之位置；且 於上述第2處理中，作為上述使用處理液之處理，包含上述下表面刷對基板之上述下表面實施之洗淨處理、上述流體噴嘴對基板之上述上表面實施之洗淨處理、及上述端部刷對基板之上述外周端部實施之洗淨處理， 上述控制部除了控制上述基板移動部及上述承杯驅動部以外，還控制上述下表面刷移動部、上述噴嘴移動部及上述端部刷移動部，藉此使上述基板下降動作、上述承杯上升動作、下表面刷準備動作、噴嘴準備動作及端部刷準備動作以上述基板下降動作之期間之至少一部分、上述承杯上升動作之期間之至少一部分、上述下表面刷準備動作之期間之至少一部分、上述噴嘴準備動作之期間之至少一部分及上述端部刷準備動作之期間之至少一部分中3個以上期間相互重疊之方式進行，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。

該情形時，第2處理包含利用下表面刷對基板之下表面進行之洗淨處理、利用流體噴嘴對基板之上表面進行之洗淨處理、及利用端部刷對基板之外周端部進行之洗淨處理。

下表面刷於不對基板之下表面進行洗淨之期間，保持於下表面刷待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使下表面刷自下表面刷待機位置移動至下表面刷處理位置。

流體噴嘴於不對基板之上表面進行洗淨之期間，保持於噴嘴待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使流體噴嘴自噴嘴待機位置移動至噴嘴處理位置。

端部刷於不對基板之外周端部進行洗淨之期間，保持於端部刷待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使端部刷自端部刷待機位置移動至端部刷處理位置。

根據上述基板處理裝置，基板下降動作之期間之至少一部分、承杯上升動作之期間之至少一部分、下表面刷準備動作之期間之至少一部分、噴嘴準備動作之期間之至少一部分、及端部刷準備動作之期間之至少一部分中3個以上期間相互重疊。將該等3個以上期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與以上述期間中之3個以上期間不相互重疊之方式，進行基板下降動作、承杯上升動作、下表面刷準備動作、噴嘴準備動作及端部刷準備動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第6項)第6項之基板處理方法包含如下步驟： 對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理； 對由第2基板保持部保持於較第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板進行使用處理液之第2處理； 於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作； 藉由將處理承杯配置於與上述第2高度位置對應之上承杯位置，而接住上述第2處理中所使用之處理液，上述處理承杯以俯視下包圍上述第2基板保持部之方式形成，並且設置為能夠升降；及 使上述處理承杯於上述上承杯位置與較上述上承杯位置靠下方之下承杯位置之間升降；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述處理承杯升降之步驟，上述承杯上升動作係使上述處理承杯自上述下承杯位置上升至上述上承杯位置之動作。

於該基板處理方法中，利用第1基板保持部將基板保持於第1高度位置，進行第1處理。其次，將基板自第1基板保持部交遞至第2基板保持部。此時，藉由基板下降動作使基板自第1高度位置下降至第2高度位置。利用第2基板保持部將基板保持於第2高度位置，進行第2處理。

於第2處理中，使用處理液。因此，處理承杯配置於上承杯位置。第2處理中所使用之處理液被位於上承杯位置之處理承杯接住。處理承杯於不承接處理液之情形時，退避至下承杯位置，以防止與其他構件干涉。因此，於開始第2處理時，必須使處理承杯自下承杯位置上升至上承杯位置。根據上述基板處理方法，基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分重疊。將該等期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與藉由基板下降動作使基板下降至第2高度位置後開始承杯上升動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。又，與於承杯上升動作後開始基板下降動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第7項)第7項之基板處理方法包含如下步驟： 對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理； 進行第2處理，上述第2處理包含使下表面刷與由第2基板保持部保持於較第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之下表面接觸來洗淨基板之上述下表面； 於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與下表面刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述下表面刷移動之步驟，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作。

於該基板處理方法中，利用第1基板保持部將基板保持於第1高度位置，進行第1處理。其次，將基板自第1基板保持部交遞至第2基板保持部。此時，藉由基板下降動作使基板自第1高度位置下降至第2高度位置。利用第2基板保持部將基板保持於第2高度位置，進行第2處理。

第2處理包含利用下表面刷對基板之下表面進行之洗淨處理。下表面刷於不對基板之下表面進行洗淨之期間，保持於下表面刷待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使下表面刷自下表面刷待機位置移動至下表面刷處理位置。根據上述基板處理方法，基板下降動作之期間與下表面刷準備動作之期間之至少一部分重疊。將該等期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與藉由基板下降動作使基板下降至第2高度位置後開始下表面刷準備動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第8項)第8項之基板處理方法包含如下步驟： 對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理； 進行第2處理，上述第2處理包含自流體噴嘴向由第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之上表面噴出包含處理液之流體來洗淨基板之上述上表面； 於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述流體噴嘴移動之步驟，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作。

於該基板處理方法中，利用第1基板保持部將基板保持於第1高度位置，進行第1處理。其次，將基板自第1基板保持部交遞至第2基板保持部。此時，藉由基板下降動作使基板自第1高度位置下降至第2高度位置。利用第2基板保持部將基板保持於第2高度位置，進行第2處理。

第2處理包含利用流體噴嘴對基板之上表面進行之洗淨處理。流體噴嘴於不對基板之上表面進行洗淨之期間，保持於噴嘴待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使流體噴嘴自噴嘴待機位置移動至噴嘴處理位置。根據上述基板處理方法，基板下降動作之期間與噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊。將該等期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與藉由基板下降動作使基板下降至第2高度位置後開始噴嘴準備動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第9項)第9項之基板處理方法包含如下步驟： 對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理； 進行第2處理，上述第2處理包含使端部刷與由第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之外周端部接觸來洗淨基板之上述外周端部； 於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與端部刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述端部刷移動之步驟，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。

於該基板處理方法中，利用第1基板保持部將基板保持於第1高度位置，進行第1處理。其次，將基板自第1基板保持部交遞至第2基板保持部。此時，藉由基板下降動作使基板自第1高度位置下降至第2高度位置。利用第2基板保持部將基板保持於第2高度位置，進行第2處理。

第2處理包含利用端部刷對基板之外周端部進行之洗淨處理。端部刷於不對基板之外周端部進行洗淨之期間，保持於端部刷待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使端部刷自端部刷待機位置移動至端部刷處理位置。根據上述基板處理方法，基板下降動作之期間與端部刷準備動作之期間之至少一部分重疊。將該等期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與藉由基板下降動作使基板下降至第2高度位置後開始端部刷準備動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

(第10項)於第6項之基板處理方法中，可為： 使用處理液之上述第2處理包含： 使下表面刷與由上述第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之上述第2高度位置之基板之下表面接觸來洗淨基板之上述下表面； 自流體噴嘴向由上述第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之上述第2高度位置之基板之上表面噴出包含處理液之流體來洗淨基板之上述上表面；及 使上述端部刷與由上述第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之上述第2高度位置之基板之外周端部接觸來洗淨基板之上述外周端部； 上述基板處理方法進而包含如下步驟： 使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置； 使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；及 使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間之至少一部分、上述承杯上升動作之期間之至少一部分、下表面刷準備動作之期間之至少一部分、噴嘴準備動作之期間之至少一部分及端部刷準備動作之期間之至少一部分中3個以上期間相互重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、接住上述處理液之步驟、使上述下表面刷移動之步驟、使上述流體噴嘴移動之步驟、及使上述端部刷移動之步驟，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。

該情形時，第2處理包含利用下表面刷對基板之下表面進行之洗淨處理、利用流體噴嘴對基板之上表面進行之洗淨處理、及利用端部刷對基板之外周端部進行之洗淨處理。

下表面刷於不對基板之下表面進行洗淨之期間，保持於下表面刷待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使下表面刷自下表面刷待機位置移動至下表面刷處理位置。

流體噴嘴於不對基板之上表面進行洗淨之期間，保持於噴嘴待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使流體噴嘴自噴嘴待機位置移動至噴嘴處理位置。

端部刷於不對基板之外周端部進行洗淨之期間，保持於端部刷待機位置。因此，於開始第2處理時，必須使端部刷自端部刷待機位置移動至端部刷處理位置。

根據上述基板處理方法，基板下降動作之期間之至少一部分、承杯上升動作之期間之至少一部分、下表面刷準備動作之期間之至少一部分、噴嘴準備動作之期間之至少一部分、及端部刷準備動作之期間之至少一部分中3個以上期間相互重疊。將該等3個以上期間重疊之期間稱為重疊期間。

藉此，與以上述期間中之3個以上期間不相互重疊之方式，進行基板下降動作、承杯上升動作、下表面刷準備動作、噴嘴準備動作及端部刷準備動作之情形相比，處理一個基板所需之期間縮短了重疊期間那麼長。因此，基板處理之產能提高。

根據上述實施方式之基板處理裝置及基板處理方法，基板處理之產能提高，基板處理之效率提高，因此得以實現基板處理之節能化。又，於該基板處理中使用藥液之情形時，隨著良率之提高，能減少藥液利用之浪費，因此有助於減少地球環境污染。

1:基板洗淨裝置 2:單元殼體 2a:底面部 2b:側壁部 2c:側壁部 2d:側壁部 2e:側壁部 2x:搬入搬出口 9A:夾盤控制部 9B:吸附控制部 9C:台座控制部 9D:交接控制部 9E:下表面洗淨控制部 9F:承杯控制部 9G:上表面洗淨控制部 9H:斜面洗淨控制部 9I:搬入搬出控制部 9J:沖洗控制部 10A:上側保持裝置 10B:上側保持裝置 11A:下夾盤 11B:下夾盤 12A:上夾盤 12B:上夾盤 13A:下夾盤驅動部 13B:下夾盤驅動部 14A:上夾盤驅動部 14B:上夾盤驅動部 19:光電感測器 19a:投光部 19b:受光部 20:下側保持裝置 21:吸附保持部 22:吸附保持驅動部 30:台座裝置 31:線性引導器 32:可動台座 33:台座驅動部 40:交接裝置 41:支持銷 42:銷連結構件 43:銷升降驅動部 50:下表面洗淨裝置 51:下表面刷 52:基板噴嘴 52a:刷噴嘴 52b:刷噴嘴 53:氣體噴出部 54:升降支持部 54u:上表面 55a:下表面刷旋轉驅動部 55b:下表面刷升降驅動部 56:下表面洗淨液供給部 57:刷洗淨液供給部 58:噴出氣體供給部 60:承杯裝置 61:承杯 62:承杯驅動部 70:上表面洗淨裝置 71:旋轉支持軸 72:臂 73:噴霧嘴 74:上表面洗淨驅動部 75:上表面洗淨流體供給部 80:端部洗淨裝置 81:旋轉支持軸 82:臂 83:斜面刷 84:斜面刷驅動部 90:開關裝置 91:擋板 92:擋板驅動部 170:控制裝置 200:支持片 201:傾斜支持面 202:移動限制面 210:上表面沖洗裝置 211:旋轉支持軸 212:臂 213:沖洗噴嘴 214:沖洗驅動部 215:沖洗液供給部 300:保持片 301:抵接面 302:突出部 a1:箭頭 a2:箭頭 a3:箭頭 a4:箭頭 a5:箭頭 a6:箭頭 a7:箭頭 a8:箭頭 a9:箭頭 a10:箭頭 a11:箭頭 a12:箭頭 a13:箭頭 a14:箭頭 a15:箭頭 a16:箭頭 a17:箭頭 a18:箭頭 a19:箭頭 a20:箭頭 a21:箭頭 a22:箭頭 a23:箭頭 a24:箭頭 a25:箭頭 a26:箭頭 a27:箭頭 a28:箭頭 a29:箭頭 a51:箭頭 a52:箭頭 Ma:手 rp:平面基準位置 W:基板

圖1係本發明之一實施方式之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。 圖2係表示圖1之基板洗淨裝置之內部構成之外觀立體圖。 圖3係圖1及圖2之下夾盤之外觀立體圖。 圖4係圖1及圖2之上夾盤之外觀立體圖。 圖5係表示圖1之基板洗淨裝置之控制系統的構成之方塊圖。 圖6係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖7係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖8係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖9係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖10係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖11係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖12係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖13係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖14係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖15係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖16係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖17係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖18係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖19係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖20係用以說明圖1之基板洗淨裝置之動作的一例之模式圖。 圖21係另一實施方式之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。 圖22係表示圖21之基板洗淨裝置之控制系統的構成之方塊圖。 圖23係用以說明圖22之沖洗控制部對沖洗驅動部及沖洗液供給部實施的一控制例之側視圖。

1:基板洗淨裝置

2:單元殼體

11A:下夾盤

11B:下夾盤

12A:上夾盤

12B:上夾盤

21:吸附保持部

32:可動台座

41:支持銷

42:銷連結構件

51:下表面刷

54:升降支持部

61:承杯

70:上表面洗淨裝置

71:旋轉支持軸

73:噴霧嘴

80:端部洗淨裝置

81:旋轉支持軸

83:斜面刷

a14:箭頭

a15:箭頭

a16:箭頭

a17:箭頭

a19:箭頭

rp:平面基準位置

W:基板

Claims (10)

1. 一種基板處理裝置，其具備： 第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成； 第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成； 處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成； 基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 控制部；且 上述第2處理包含使用處理液之處理； 上述處理部包含： 處理承杯，其以俯視下包圍上述第2基板保持部之方式形成，並且設置為能於與上述第2高度位置對應之上承杯位置和較上述上承杯位置靠下方之下承杯位置之間升降；及 承杯驅動部，其使上述處理承杯升降； 上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述承杯驅動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及承杯上升動作以上述基板下降動作之期間與上述承杯上升動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述承杯上升動作係使上述處理承杯自上述下承杯位置向上述上承杯位置上升之動作。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述處理部包含： 下表面刷，其藉由與基板之下表面接觸來洗淨上述下表面； 下表面刷移動部，其以能使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動之方式構成，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置； 流體噴嘴，其向基板之上表面噴出包含處理液之流體； 噴嘴移動部，其以能使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動之方式構成，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係遠離由上述第2基板保持部保持之基板之位置； 端部刷，其藉由與基板之外周端部接觸來洗淨上述外周端部；及 端部刷移動部，其以能使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動之方式構成，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係遠離由上述第2基板保持部保持之基板之位置；且 於上述第2處理中，作為上述使用處理液之處理，包含上述下表面刷對基板之上述下表面實施之洗淨處理、上述流體噴嘴對基板之上述上表面實施之洗淨處理、及上述端部刷對基板之上述外周端部實施之洗淨處理， 上述控制部除了控制上述基板移動部及上述承杯驅動部以外，還控制上述下表面刷移動部、上述噴嘴移動部及上述端部刷移動部，藉此使上述基板下降動作、上述承杯上升動作、下表面刷準備動作、噴嘴準備動作及端部刷準備動作以上述基板下降動作之期間之至少一部分、上述承杯上升動作之期間之至少一部分、上述下表面刷準備動作之期間之至少一部分、上述噴嘴準備動作之期間之至少一部分及上述端部刷準備動作之期間之至少一部分中3個以上期間相互重疊之方式進行，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。
3. 一種基板處理裝置，其具備： 第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成； 第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成； 處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成； 基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 控制部；且 上述處理部包含： 下表面刷，其藉由與基板之下表面接觸來洗淨上述下表面；及 下表面刷移動部，其以能使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動之方式構成，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置； 上述第2處理包含上述下表面刷對基板之上述下表面實施之洗淨處理， 上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述下表面刷移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及下表面刷準備動作以上述基板下降動作之期間與上述下表面刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作。
4. 一種基板處理裝置，其具備： 第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成； 第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成； 處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成； 基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 控制部；且 上述處理部包含： 流體噴嘴，其向基板之上表面噴出包含處理液之流體；及 噴嘴移動部，其以能使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動之方式構成，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置； 上述第2處理包含上述流體噴嘴對基板之上述上表面實施之洗淨處理， 上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述噴嘴移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及噴嘴準備動作以上述基板下降動作之期間與上述噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作。
5. 一種基板處理裝置，其具備： 第1基板保持部，其以能將基板保持於第1高度位置之方式構成； 第2基板保持部，其以能將基板保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之方式構成； 處理部，其以能對由上述第1基板保持部保持之基板進行第1處理，且能對由上述第2基板保持部保持之基板進行第2處理之方式構成； 基板移動部，其為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 控制部；且 上述處理部包含： 端部刷，其藉由與基板之外周端部接觸來洗淨上述外周端部；及 端部刷移動部，其以能使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動之方式構成，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置； 上述第2處理包含上述端部刷對基板之上述外周端部實施之洗淨處理， 上述控制部藉由控制上述基板移動部及上述端部刷移動部，而使由上述基板移動部實施之上述基板下降動作及端部刷準備動作以上述基板下降動作之期間與上述端部刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式進行，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。
6. 一種基板處理方法，其包含如下步驟： 對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理； 對由第2基板保持部保持於較第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板進行使用處理液之第2處理； 於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作； 藉由將處理承杯配置於與上述第2高度位置對應之上承杯位置，而接住上述第2處理中所使用之處理液，上述處理承杯以俯視下包圍上述第2基板保持部之方式形成，並且設置為能夠升降；及 使上述處理承杯於上述上承杯位置與較上述上承杯位置靠下方之下承杯位置之間升降；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與承杯上升動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述處理承杯升降之步驟，上述承杯上升動作係使上述處理承杯自上述下承杯位置上升至上述上承杯位置之動作。
7. 如請求項6之基板處理方法，其中使用處理液之上述第2處理包含： 使下表面刷與由上述第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之上述第2高度位置之基板之下表面接觸來洗淨基板之上述下表面； 自流體噴嘴向由上述第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之上述第2高度位置之基板之上表面噴出包含處理液之流體來洗淨基板之上述上表面；及 使上述端部刷與由上述第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之上述第2高度位置之基板之外周端部接觸來洗淨基板之上述外周端部； 上述基板處理方法進而包含如下步驟： 使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置； 使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；及 使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間之至少一部分、上述承杯上升動作之期間之至少一部分、下表面刷準備動作之期間之至少一部分、噴嘴準備動作之期間之至少一部分及端部刷準備動作之期間之至少一部分中3個以上期間相互重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、接住上述處理液之步驟、使上述下表面刷移動之步驟、使上述流體噴嘴移動之步驟、及使上述端部刷移動之步驟，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。
8. 一種基板處理方法，其包含如下步驟： 對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理； 進行第2處理，上述第2處理包含使下表面刷與由第2基板保持部保持於較第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之下表面接觸來洗淨基板之上述下表面； 於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 使上述下表面刷於下表面刷處理位置與下表面刷待機位置之間移動，上述下表面刷處理位置係上述下表面刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述下表面接觸之位置，上述下表面刷待機位置係遠離上述下表面刷處理位置之位置；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與下表面刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述下表面刷移動之步驟，上述下表面刷準備動作係使上述下表面刷自上述下表面刷待機位置移動至上述下表面刷處理位置之動作。
9. 一種基板處理方法，其包含如下步驟： 對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理； 進行第2處理，上述第2處理包含自流體噴嘴向由第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之上表面噴出包含處理液之流體來洗淨基板之上述上表面； 於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 使上述流體噴嘴於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動，上述噴嘴處理位置係由上述第2基板保持部保持之基板之上方之位置，上述噴嘴待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與噴嘴準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述流體噴嘴移動之步驟，上述噴嘴準備動作係使上述流體噴嘴自上述噴嘴待機位置移動至上述噴嘴處理位置之動作。
10. 一種基板處理方法，其包含如下步驟： 對由第1基板保持部保持於第1高度位置之基板進行第1處理； 進行第2處理，上述第2處理包含使端部刷與由第2基板保持部保持於較上述第1高度位置靠下方之第2高度位置之基板之外周端部接觸來洗淨基板之上述外周端部； 於上述第1處理後且上述第2處理前，為了將基板自上述第1基板保持部交遞至上述第2基板保持部，而進行使基板自上述第1高度位置下降至上述第2高度位置之基板下降動作；及 使上述端部刷於端部刷處理位置與端部刷待機位置之間移動，上述端部刷處理位置係上述端部刷與由上述第2基板保持部保持之基板之上述外周端部接觸之位置，上述端部刷待機位置係從由上述第2基板保持部保持之基板向側方遠離之位置；且 於上述第1處理後且上述第2處理前，以上述基板下降動作之期間與端部刷準備動作之期間之至少一部分重疊之方式，開始進行上述基板下降動作之步驟、及使上述端部刷移動之步驟，上述端部刷準備動作係使上述端部刷自上述端部刷待機位置移動至上述端部刷處理位置之動作。