TW202430886A

TW202430886A - 連接裝置

Info

Publication number: TW202430886A
Application number: TW112144613A
Authority: TW
Inventors: 吉見英章
Original assignee: 日商友華股份有限公司
Priority date: 2022-12-21
Filing date: 2023-11-17
Publication date: 2024-08-01
Also published as: JP2024088964A; WO2024135182A1

Abstract

本發明的連接裝置，係將檢查對象物及檢查基板電性連接，該檢查對象物係具備：基板、以及連接導體；該連接導體係位於前述基板之與前述檢查基板相向的預定面側。

Description

連接裝置

本發明係關於一種連接裝置。

近年來開發出各式各樣用以將積體電路(IC)等的檢查對象物、與PCB(Printed Circuit Board)等的檢查基板電性連接的連接裝置。例如，如專利文獻1所記載般，當檢查對象物被檢查時，連接裝置係配置於檢查對象物及檢查基板之間。專利文獻1揭示的連接裝置，係具備：支持基板，係使連接配線貫通；複數個配線圖案，係位於支持基板的與檢查對象物相向的面側；以及複數個探針，係裝設於複數個配線圖案。一部分的探針，係經由一部分的配線圖案而彼此電性連接。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本專利公開公報特開2018-179758號

例如，如專利文獻1所記載般，會有配線基板係位於支持基板的與檢查對象物相向之面側的情形。然而，當配線圖案位於支持基板的與檢查對象物相向之面側的情形，卻會有難以確保支持基板的與檢查對象物向之面側的平坦性的課題。

本發明的目的的一例在於確保連接裝置的與檢查對象物相向之面側的平坦性。本發明之其他目的將可由本說明書的記載更臻明瞭。

本發明的一態樣係一種連接裝置，係將檢查對象物及檢查基板電性連接，該連接裝置係具備：

基板；以及

連接導體，係位於前述基板之與前述檢查基板相向的預定面側。

根據本發明的上述態樣，可確保連接裝置的與檢查對象物相向之面側的平坦性。

10:連接裝置

20:檢查對象物

22:第一電極

30:檢查基板

32:第二電極

100:基板

100R:原基板

102:第一面

104:第二面

106:貫通孔

110:接觸盤

112:第一接觸盤層

114:第二接觸盤層

120:探針

130:絕緣層

132:第一絕緣層

132a:第一開口圖案

134:第二絕緣層

134a:第二開口圖案

136:第三絕緣層

136a:第三開口圖案

140,140T:連接導體

142,142T:第一連接導體

142s:第一晶種層

142a,142aT:第一通孔

142b,142bT:第一配線

142p:第一鍍覆層

144,144T:第二連接導體

144s:第二晶種層

144a,144aT:第二通孔

144b,144bT:第二配線

144p:第二鍍覆層

150:連接墊

200:接腳塊

210:彈簧針

302:第一阻劑

302a:第一阻劑開口

304:第二阻劑

304a:第二阻劑開口

S:隔間

圖1係實施型態的連接裝置的剖視圖。

圖2係用以說明實施型態的連接裝置的製造方法的一例之圖。

圖3係用以說明實施型態的連接裝置的製造方法的一例之圖。

圖4係用以說明實施型態的連接裝置的製造方法的一例之圖。

以下使用圖式來說明本發明的實施型態。在所有圖式中，對於相同的構成要素係賦予相同的符號，且適當省略說明。

圖1係實施型態的連接裝置10的剖視圖。圖1中，與連接裝置10一併圖示檢查對象物20、檢查基板30及接腳塊(pin block)200。

圖1中，為了便於說明，圖示了顯示Z方向的Z軸。Z方向為平行於連結檢查對象物20及檢查基板30之虛擬線的方向。以下，視需要將Z軸箭頭所指向之側稱為+Z側，將Z軸箭頭所指向的相反側稱為-Z側。例如，+Z側及-Z側分別為垂直方向的上側及下側。以下視需要將垂直於垂直方向的方向稱為水平方向(橫方向)。

連接裝置10係電性連接檢查對象物20及檢查基板30。連接裝置10係沿著Z方向配置於檢查對象物20及檢查基板30之間。在圖1所示之例中，接腳塊200係沿著Z方向配置於連接裝置10及檢查基板30之間。連接裝置10係具備：基板100、複數個接觸盤110、複數個探針120、絕緣層130、連接導體140及複數個連接墊150。檢查對象物20例如為IC。檢查基板30例如為PCB。

基板100為陶瓷基板，具體而言為LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics，低溫共燒陶瓷)基板。惟，基板100亦可為與陶瓷基板不同種類的基板。

基板100係具有第一面102及第二面104。第一面102係基板100的+Z側之面。第一面102、與檢查對象物20的-Z側之面係彼此相向。第二面104係基板100的-Z側之面。第二面104、與檢查基板30的+Z側之面係隔著接腳塊200而彼此相向。

基板100係劃設複數個貫通孔(through hole)106。從+Z側觀看時，複數個貫通孔106例如配置成大致格子狀。惟，從Z方向觀看時的複數個貫通孔106的佈局(layout)不限定於此例。圖1係示意性地圖示沿著圖內的橫方向排列的五個貫通孔106。各貫通孔106係在第一面102及第二面104之間沿大致平行於Z方向貫通基板100。在各貫通孔106之圍繞著Z方向的內側面係設有金屬等的內部導體。內部導體係覆蓋各貫通孔106的圍繞著Z方向的內側面。內部導體並沒有埋入各貫通孔106的整體內部空間。亦即，各貫通孔106為中空。惟，內部導體亦可埋入各貫通孔106的整體內部空間。亦即，各貫通孔106亦可為實心。

複數個接觸盤110係位於第一面102側。從+Z側觀看時，複數個接觸盤110例如配置成大致格子狀。惟，從+Z側觀看時的複數個接觸盤110的佈局並不限定於此例。圖1係示意性圖示沿著圖內的橫方向排列的五個接觸盤110。複數個接觸盤110各者的至少一部分及複數個貫通孔106各者的至少一部分係沿著Z方向彼此重疊。複數個接觸盤110各者的-Z側之面及複數個貫通孔106各者的+Z側的端部的內部導體係彼此電性連接。圖1所示之例中，複數個接觸盤110各者的-Z側之面及複數個貫通孔106各者的+Z側之端部的內部導體係彼此直接接觸。

在實施型態中，各接觸盤110係包含第一接觸盤層112及第二接觸盤層114。第一接觸盤層112及第二接觸盤層114係隨著遠離第一面102而沿著Z方向依序積層。第一接觸盤層112係由比第二接觸盤層 114的材料廉價的材料所形成。第一接觸盤層112例如由銅來形成。因此，與各接觸盤110整體由第二接觸盤層114的材料所形成的情形比較，就可廉價地形成各接觸盤110。第二接觸盤層114係由耐氧化性比第一接觸盤層112材料還高的材料所形成。第二接觸盤層114例如由金所形成。因此，與各接觸盤110整體由第一接觸盤層112的材料所形成的情形相比較，就可使各接觸盤110的耐氧化性提升。惟，各接觸盤110亦可為單一材料的接觸盤層。或者，接觸盤110亦可為包含三層以上的接觸盤層。

複數個探針120各者係裝設於複數個接觸盤110各者的+Z側的面側。圖1係示意性地圖示沿著圖內的橫方向排列的五個探針120。複數個探針120各者的-Z側的端部及複數個接觸盤110各者的+Z側之面係彼此電性連接。複數個探針120各者的+Z側的端部及位於檢查對象物20的-Z側之面側的複數個第一電極22各者係彼此相向。在圖1所示之例中，各探針120係具有懸臂(cantilever)構造。具體而言，各探針120的+Z側的端部係朝向大致垂直於Z軸方向的方向彎折。因此，各探針120的+Z側的端部係可朝向各第一電極22彈推。惟，各探針120的構造不限定於此例。例如，各探針120的+Z側的端部亦可藉由螺旋彈簧等彈性體而可朝向檢查對象物20彈推。

絕緣層130係位於第二面104側。在圖1所示之例中，絕緣層130係含有第一絕緣層132、第二絕緣層134及第三絕緣層136。第一絕緣層132、第二絕緣層134及第三絕緣層136係隨著遠離第二面104而沿著Z方向依序積層。第一絕緣層132、第二絕緣層134及第三絕緣層136各者例如為聚亞醯胺等樹脂層。惟，絕緣層130亦可為單一絕緣層。或者，絕緣層130亦可包含沿Z方向積層的兩層的絕緣層、或沿Z方向積層的四層以上的絕緣層。

複數個連接導體140的至少一部分係埋入至絕緣層130。圖1係示意性地圖示沿著圖內的橫方向排列的四個連接導體140。圖1所示之例中，各連接導體140係包含：第一連接導體142及第二連接導體144。第一連接導體142及第二連接導體144例如含有銅及銅合金的至少一方。

針對圖1內自左起第一個、第二個及第四個的連接導體140加以說明。如以下，圖1內自左起第一個、第二個及第四個的連接導體140係分別與圖1內自左起第一個、第二個及第五個的貫通孔106的內部導體電性連接。

第一連接導體142係包含：第一通孔142a及第一配線142b。在圖1所示之例中，第一通孔142a及第一配線142b係彼此形成一體。第一通孔142a係沿大致平行於Z方向貫通第一絕緣層132。第一通孔142a的+Z側的端部及貫通孔106的-Z側的端部的內部導體係彼此電性連接。第一配線142b係沿大致平行於水平方向的方向延伸。第一配線142b不僅可朝圖1內的橫方向延伸，還可朝圖1的紙面外側或紙面內側延伸。第一配線142b係位於第一絕緣層132的-Z側的面側。第一配線142b係藉由第二絕緣層134所覆蓋。第一配線142b的+Z側之面及第一通孔142a的-Z側的端部係彼此電性連接。

第二連接導體144係包含第二通孔144a及第二配線144b。在圖1所示之例中，第二通孔144a及第二配線144b係彼此形成一體。第二通孔144a係沿大致平行於Z方向貫通第二絕緣層134。第二通孔144a 的+Z側的端部及第一配線142b的-Z側之面係彼此電性連接。第二配線144b係沿大致平行於水平方向的方向延伸。第二配線144b不僅可朝圖1內的橫方向延伸，還可朝圖1的紙面外側或紙面內側延伸。第二配線144b係位於第二絕緣層134的-Z側的面側。第二配線144b係藉由第三絕緣層136所覆蓋。第二配線144b的+Z側之面及第二通孔144a的-Z側的端部係彼此電性連接。

針對圖1內自左起第三個的連接導體140加以說明。以下，視需要將圖1內自左起第三個連接導體140記載為連接導體140T。連接導體140T係包含第一連接導體142T及第二連接導體144T。除了以下幾點之外，連接導體140T係與圖1內自左起第一個、第二個及第四個的連接導體140相同。

第一連接導體142T係包含兩個第一通孔142aT及第一配線142bT。兩個的第一通孔142aT各者的+Z側的端部、圖1內自左起第三個及第四個的貫通孔106各者的-Z側的端部的內部導體係彼此電性連接。兩個的第一通孔142aT係與相同的第一配線142bT電性連接。因此，可將大致相同的電位經由連接導體140T供給至圖1內自左起第三個及第四個的貫通孔106的內部導體。亦即，圖1內自左起第三個及第四個的貫通孔106內的內部導體係彼此短路。作為供給至該等貫通孔106的內部導體的電位，例示有電源電位及/或接地電位。與圖1內自左起第一個、第二個及第四個的連接導體140的第二連接導體144相同，第二連接導體144T係含有第二通孔144aT及第二配線144bT。

複數個連接墊150係位於絕緣層130的-Z側之面。從-Z側觀看時，複數個連接墊150例如配置成大致格子狀。惟，從-Z側觀看時的複數個連接墊150的佈局並不限定於此例。圖1係示意性第圖示沿著圖內的橫方向排列的四個連接墊150。複數個連接墊150的-Z側之面的至少一部分係從第三絕緣層136之-Z側的面朝接腳塊200露出。連接墊150的+Z側之面及第二配線144b的-Z側之面係彼此電性連接。在實施型態，各連接墊150係由耐氧化性比連接導體140的材料還高的材料所形成。各連接墊150係例如由金所形成。在實施型態中，各連接墊150係覆蓋各連接導體140的-Z側之面的至少一部分。因此，可藉由連接墊150來抑制連接導體140的氧化。

複數個彈簧針(pogo pin)210係被接腳塊200支持。接腳塊200係例如由樹脂等絕緣體所形成。圖1係示意性地圖示沿著圖內的橫方向排列的四個彈簧針210。複數個彈簧針210各者的+Z側的端部及複數個連接墊150各者的-Z側之面係彼此相向。複數個彈簧針210各者的-Z側的端部及位於檢查基板30的+Z側的面側的複數個第二電極32係彼此相向。各彈簧針210的-Z側的端部係藉由設於各彈簧針210內部的未圖示的螺旋彈簧，形成可朝第二電極32彈推。

參照圖1，說明使用連接裝置10的檢查對象物20的檢查。

在此檢查中，複數個探針120各者的+Z側的端部、與檢查對象物20的複數個第一電極22各者係彼此接觸。複數個彈簧針210各者的+Z側的端部、與複數個連接墊150各者的-Z側之面係彼此連接。因此，各第一電極22及第二電極32係經由各探針120、各接觸盤110、設於各貫通孔106的內部導體、各連接導體140、及各彈簧針210而彼此電性連接。

在實施型態中，在檢查對象物20的檢查中，當各連接墊150的-Z側之面及彈簧針210的+Z側的端部彼此接觸時，可將絕緣層130作為緩和對於各連接墊150的荷重的構件並發揮功能。因此，與未設有絕緣層130的情形相比較，可使連接裝置10的耐久性提升。

接著，參照圖1，針對連接裝置10的檢查對象物20側之電極的節距(pitch)、數量等的佈局、與連接裝置10的檢查基板30側之電極的節距、數量等的佈局的關係加以說明。在實施型態中，連接裝置10的檢查對象物20側之電極的佈局、與連接裝置10的檢查基板30側之電極的佈局係可依據連接導體140而彼此不相同。在實施型態中，連接裝置10的檢查對象物20側的電極係相當於接觸盤110。在實施型態中，連接裝置10的檢查基板30側的電極係相當於連接墊150。

針對實施型態中的接觸盤110的水平方向的節距及連接墊150的水平方向的節距的關係加以說明。

各連接導體140中，各第一配線142b及各第二配線144b係沿著大致平行於水平方向的方向延伸。因此，可使貫通孔106的-Z側的端部的水平方向內的位置、以及與設於該貫通孔106的內部導體電性連接的連接墊150的水平方向內的位置彼此沿水平方向偏移。因此，可將接觸盤110的水平方向的節距及連接墊150的水平方向的節距因應連接導體140的構造而相互轉換。

各連接導體140係具有沿Z方向至少部分性地彼此重疊的複數個配線。在圖1所示之例中，在各連接導體140中，第一配線142b及第二配線144b係沿Z方向至少部分性地彼此重疊。因此，在實施型態中，可將接觸盤110的水平方向的節距及連接墊150的水平方向的節距藉由複數層的配線而相互轉換。因此，與將接觸盤110的水平方向的節距及連接墊150的水平方向的節距藉由單層的配線而相互轉換的情形比較，可使接觸盤110的水平方向的節距及連接墊150的水平方向的節距的轉換自由度提升。

針對實施型態中的接觸盤110的數量及連接墊150的數量的關係加以說明。

在圖1所示之例中，沿著圖內的橫方向排列的接觸盤110的數量五個、與沿著圖內的橫方向排列的連接墊150的數量四個係依據沿著圖內的橫方向排列的四個連接導體140而彼此不相同。亦即，連接墊150的數量係比接觸盤110的數量還少。具體而言，在圖1所示之例中，圖內自左起第三個的貫通孔106的內部導體、與圖內自左起第四個貫通孔106的內部導體係與連接導體140T電性連接。連接導體140T係與圖內自左起的第三個之單一的連接墊150電性連接。因此，與將各個連接導體140設置於此等兩個貫通孔106的情形相比較，可減少達一個連接墊150的數量。

接觸盤110的數量及連接墊150的數量的關係不限定於圖1所示之例。為了使接觸盤110的數量及連接墊150的數量彼此不相同，只要將複數個貫通孔106的內部導體、與一個連接導體140彼此電性連接即可。例如，亦可將三個貫通孔106的內部導體、與一個連接導體140彼此電性連接。

圖1所示之例中，連接墊150的數量係少於接觸盤110的數量。然而，連接墊150的數量亦可依據連接導體140而多於接觸盤110的數量。亦即，為了使連接墊150的數量多於接觸盤110的數量，亦可使一個連接導體140、與複數個連接墊150彼此電性連接。該情形，該一個連接導體140、與一個貫通孔106的內部導體係彼此電性連接。

接著，參照圖1，說明連接裝置10的第一面102側的平坦性。

在實施型態中，連接導體140不位於第一面102側，而是位於第二面104側。探討假設連接導體140位於第一面102側的狀態。在此狀態，複數個連接墊150、基板100、絕緣層130及複數個探針120係依此順序從-Z側排列到+Z側。絕緣層130係設有複數個連接導體140。在此狀態下，會有比較難以確保連接裝置10的第一面102側的平坦性的情形。這是由於要確保第一絕緣層132、第二絕緣層134等大致平行於水平方向之方向的長度比較長的絕緣層之Z方向厚度的均勻性比較困難。再者，要確保第一配線142b、第二配線144b等大致平行於水平方向之方向的長度比較長的配線之Z方向厚度的均勻性比較困難。而且，連接導體140的Z方向的高度可能會依據第一配線142b及第二配線144b沿Z方向彼此疊合的區域面積而發生落差。在實施型態中，接觸盤110係位於第一面102側。接觸盤110係可視作將第一接觸盤層112及第二接觸盤層114設為一體的單層配線。因此，不用設置相當於絕緣層130的絕緣層，而可形成接觸盤110。此外，相較於第一配線142b及/或第二配線144b等(用於轉換連接裝置10的檢查對象物20側之電極的節距及連接裝置10的檢查基板30側之電極的節距)之配線的大致平行於水平方向的長度，接觸盤110的大致平行於水平方向的長度或寬度係容易設得較短。因此，在實施型態中，與連接導體140位於第一面102側的情形相比較，可容易確保連接裝置10的第一面102側的平坦性。

接著，參照圖1說明基板100的成品率。

如上述，實施型態中，連接裝置10的檢查對象物20側之電極的佈局、與連接裝置10的檢查基板30側之電極的佈局會依據複數個連接導體140而彼此不相同。因此，基板100並不需要具有用以使連接裝置10的檢查對象物20側之電極的佈局、與連接裝置10的檢查基板30側之電極的佈局彼此不相同的內部配線。假設基板100具有如此般的內部配線時，基板100的成品率就會相對降低。相對於此，實施型態中，基板100係劃設貫通孔106。亦即，實施型態中，與基板100具有上述的內部配線的情形相比較，可將基板100設為單純的構造。因此，與基板100具有上述的內部配線的情形相比較，可使基板100的成品率提升。惟，若不考量基板100的成品率的提升，基板100亦可具有上述的內部配線。

在實施型態中，具有絕緣層130及連接導體140的配線層係位於基板100的第二面104側。如此的配線層的好壞判定係可藉由外觀檢查來進行。再者，基板100具有上述的內部配線的情形，會有以電性檢查來進行基板100的該內部配線的好壞判定的情形。然而，在此電性檢查中，會有檢查痕跡殘留於基板100的接觸盤及/或連接墊的可能性。若配線被設在如此的檢查痕跡上時，會有連接裝置10的成品率惡化的可能性。相對於此，實施型態中，不會進行基板100的電性檢查。因此，可抑制因電性檢查所導致的成品率的惡化。

圖2至圖4係用以說明實施型態的連接裝置10的製造方法的一例之圖。圖2至圖4的Z軸的朝向係在紙面中的上下方向與圖1的Z軸的朝向相反。在此例中，連接裝置10係藉由以下方式製造。

首先，如圖2所示，預備原基板100R。原基板100R係預先形成有使用圖1所說明的複數個貫通孔106。為了簡化圖示，圖2至圖4中沒有圖示貫通孔106。原基板100R的第二面104亦可預先施予粗化處理。藉由粗化處理可使第二面104、與第一絕緣層132等設於第二面104之層的附著性提升。原基板100R的第一面102亦同樣地預先施予粗化處理。

圖2至圖4係圖示從原基板100R切出來的兩個基板100的兩個隔間S。為了簡化圖示，圖2至圖4中在各隔間S中形成一個連接導體140。然而，實際上，在各隔間S中也會有形成複數個連接導體140的情形。從原基板100R切出來的基板100的數量不限定為兩個，也會有三個以上的情形。

接著，如圖2所示，在原基板100R的第二面104側的各隔間S中形成第一絕緣層132。第一絕緣層132例如採用光刻(photolithography)技術來形成。在各隔間S中，第一絕緣層132係劃設第一開口圖案132a。在各隔間S中，第一開口圖案132a係使第二面104的一部分朝-Z側露出。

接著，如圖2所示，以橫跨原基板100R的第二面104側的兩個隔間S方式形成第一晶種層142s。第一晶種層142s係例如藉由濺鍍、離子鍍等方法來形成。第一晶種層142s係例如含有：隨著遠離第二面104而沿Z方向依序積層的銅層及鈦鎢合金層(TiW/Cu)。

接著，如圖2所示，形成第一阻劑302。第一阻劑302係例如使用光刻技術來形成。在各隔間S中，第一阻劑302係劃設第一阻劑開口302a。在圖2所示之例中，第一阻劑302的一部分係覆蓋在第一晶種層142s中的在兩個隔間S之間延伸的部分。各第一阻劑開口302a的至少一部分及各第一開口圖案132a的至少一部分係沿著Z方向彼此重疊。在各隔間S中，第一阻劑開口302a係使第一晶種層142s的-Z側之面的一部分朝-Z側露出。

接著，如圖2所示，藉由使用第一晶種層142s的電解鍍覆來形成第一鍍覆層142p。第一鍍覆層142p例如為銅層。在各隔間S中，第一鍍覆層142p係埋入至第一開口圖案132a及第一阻劑開口302a。因此，在各隔間S中，於第一晶種層142s及第一鍍覆層142p中之埋入至第一開口圖案132a的部分係成為第一通孔142a。在各隔間S中，第一晶種層142s及第一鍍覆層142p中之埋入至第一阻劑開口302a的部分係成為第一配線142b。

接著，如圖3所示，除去第一阻劑302。

接著，如圖3所示，藉由蝕刻來除去第一晶種層142s中之沿Z方向沒有與第一鍍覆層142p重疊的部分。因此，各隔間S的第一連接導體142係彼此電性絕緣。在此蝕刻中，例如使用選擇性地蝕刻第一晶種層142s而非蝕刻第一鍍覆層142p的蝕刻劑。

為了簡化圖示，圖2至圖4中，第一晶種層142s的Z方向的厚度及第一鍍覆層142p的Z方向的厚度係示意性地描繪成大致相等。然而，實際上第一鍍覆層142p的Z方向的厚度係形成為第一晶種層142s的Z方向的厚度約10倍以上。因此，即使藉由蝕刻來除去第一晶種層142s中之沿Z方向未與第一鍍覆層142p重疊的部分、以及第一鍍覆層142p的一部分，第一鍍覆層142p的Z方向的整體厚度大致沒有變化。

接著，如圖3所示，在各隔間S中形成第二絕緣層134。第二絕緣層134係例如使用光刻技術來形成。在各隔間S中，第二絕緣層134係劃設第二開口圖案134a。第二絕緣層134係覆蓋第二開口圖案134a之外的第一連接導體142。在各隔間S中，第二開口圖案134a係使第一連接導體142的-Z側之面的一部分朝-Z側露出。

接著，如圖3所示，以橫跨原基板100R的第二面104側的兩個隔間S方式形成第二晶種層144s。第二晶種層144s係例如藉由濺鍍、離子鍍等方法來形成。第二晶種層144s係例如含有：隨著遠離第二面104而沿Z方向依序積層的銅層及鈦鎢合金層(TiW/Cu)。

接著，如圖3所示，形成第二阻劑304。第二阻劑304係例如使用光刻技術來形成。在各隔間S中，第二阻劑304係劃設第二阻劑開口304a。在圖3所示之例中，第二阻劑304的一部分係覆蓋在第二晶種層144s中的在兩個隔間S之間延伸的部分。各第二阻劑開口304a的至少一部分及各第二開口圖案134a的至少一部分係沿著Z方向彼此重疊。在各隔間S中，第二阻劑開口304a係使第二晶種層144s的-Z側之面的一部分朝-Z側露出。

接著，如圖3所示，藉由使用第二晶種層144s的電解鍍覆來形成第二鍍覆層144p。第二鍍覆層144p例如為銅層。在各隔間S中，第二鍍覆層144p係埋入至第二開口圖案134a及第二阻劑開口304a。因此，在各隔間S中，於第二晶種層144s及第二鍍覆層144p中之埋入第二開口圖案134a的部分係成為第二通孔144a。在各隔間S中，第二晶種層144s及第二鍍覆層144p中之埋入至第二阻劑開口304a的部分係成為第二配線144b。

接著，如圖4所示，除去第二阻劑304。

接著，如圖4所示，藉由蝕刻來除去第二晶種層144s中之沿Z方向沒有與第二鍍覆層144p重疊的部分。因此，各隔間S的第二連接導體144係彼此電性絕緣。在此蝕刻中，例如使用選擇性地蝕刻第二晶種層144s而非蝕刻第二鍍覆層144p的蝕刻劑。與第一晶種層142s及第一鍍覆層142p之上述的蝕刻相同，即使藉由蝕刻來除去第二晶種層144s中之沿Z方向未與第二鍍覆層144p重疊的部分、以及第二鍍覆層144p的一部分，第二鍍覆層144p的Z方向的整體厚度大致沒有變化。

接著，如圖4所示，各隔間S中形成第三絕緣層136。第三絕緣層136係例如使用光刻技術來形成。在各隔間S中，第三絕緣層136係劃設第三開口圖案136a。第三絕緣層136係覆蓋第三開口圖案136a之外的第二連接導體144。在各隔間S中，第三開口圖案136a係使第二連接導體144的-Z側之面的一部分朝-Z側露出。

接著，在各隔間S中，於第三絕緣層136的第三開口圖案136a形成連接墊150。接著，在各隔間S中，於原基板100R的第一面102側形成接觸盤110。其中，亦可在形成接觸盤110之後再形成連接墊150。接著，藉由切割從原基板100R的兩個隔間S切出兩個基板100。接著，將探針120裝設於接觸盤110的+Z側的面側。

依如上述方式，製造實施型態的連接裝置10。

如上述，在實施型態中，係從一個原基板100R切出複數個基板100。因此，當原基板100R具有上述的內部配線時，會有比較難以抑制切出在內部配線的好壞判定中判定為不良的基板100的可能性。相對於此，在實施型態中，原基板100R不需具有上述的內部配線。因此，與原基板100R具有內部配線的情形相比較，可容易有效率地從原基板100R切出在好壞判定中判定為良好的基板100。

以上，參照圖式說明本發明的實施型態，惟該等說明為本發明的例示，亦可採用上述以外的各式各樣的構成。

例如，在實施型態中，複數個接觸盤110的佈局及複數個連接墊150的佈局彼此不相同。然而，複數個接觸盤110的佈局及複數個連接墊150的佈局亦可彼此相同。

根據本說明書，提供下態樣的連接裝置。

(態樣1)

態樣1中，連接裝置係將檢查對象物及檢查基板電性連接者，其具備：基板、以及連接導體；該連接導體係位於前述基板之與前述檢查基板相向的預定面側。

「預定面」係相當於上述實施型態的「第二面」。

根據上述的態樣，與將連接導體設於基板之與檢查對象物相向的面側的情形相比較，可確保連接裝置之與檢查對象物相向之面側的平坦性。

(態樣2)

態樣2中，前記基板係劃設貫通孔，該貫通孔係設有與前述連接導體電性連接的內部導體。

根據上述態樣，與基板具有內部配線，該內部配線用以使連接裝置之與檢查對象物相向之面側的電極的佈局、與連接裝置之與檢查基板相向之面側的電極的佈局彼此不相同的情形相比較，可將基板設為單純的構造。因此，與基板具有該內部配線的情形相比較，可使基板的良品率提升。

(態樣3)

態樣3中，前述基板係具有與前述連接導體電性連接的複數個內部導體。

根據上述的態樣，與將各個連接導體電性連接於複數個內部導體的情形相比較，可減少檢查基板的電極的數量。根據上述的態樣，可將大致相同的電位經由連接導體供給至複數個內部導體。

(態樣4)

態樣4中，前述連接導體係具有至少彼此部分地重疊的複數個配線。

根據上述態樣，可將連接裝置之與檢查對象物相向之面側的電極的節距、與連接裝置之與檢查基板相向之面側的電極的節距藉由至少彼此部分地重疊的複數個配線而相互轉換。因此，與使該節距藉由沒有彼此重疊的複數個配線而相互轉換的情形相比較，可使該節距的轉換的自由度提升。

(態樣5)

態樣5中，連接裝置更具備絕緣層，該絕緣層係埋入有前述連接導體的至少一部分。

根據上述的態樣，在檢查對象物的檢查中，當連接裝置之與檢查基板相向之面側的電極、與彈簧針等的外部構件彼此接觸時，可將絕緣層作為緩和對於該電極的荷重的構件並發揮功能。因此，與未設有絕緣層的情形相比較，可使連接裝置的耐久性提升。

(態樣6)

態樣6中，連接裝置係更具備接觸盤，該接觸盤係位於前述基板之與前述檢查對象物相向的另一預定面側。

「另一預定面」係相當於上述實施型態的「第一面」。

接觸盤的長度或寬度係相較於連接導體的長度容易設為較短。而且，不用將絕緣層設於另一預定面側，就可形成接觸盤。因此，根據上述態樣，與連接導體位於基板的另一預定面側的情形相比較，可容易確保連接裝置的另一預定面側的平坦性。

本申請案係主張以2022年12月21日所申請之日本專利申請特願2022-204032號為基礎的優先權，且將其揭示的所有內容併入此處。