TW202409166A - 光處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明的課題係提供即使在使處裡室內的臭氧濃度降低而進行了工件的處理的情況下，也能夠穩定且均質地進行處理的光處理裝置。 解決手段具備：搬送工件之具有複數搬送滾筒的搬送機構、具有第一搬入口與第一搬出口的主處理室、在主處理室內，在與工件的搬送方向和搬送滾筒的旋轉軸方向正交的方向上，將複數搬送滾筒之間的至少一部分劃分為處理空間和滯留空間的分隔構件、配置於主處理室的處理空間內，朝向由搬送機構搬送的工件的一面，出射主要發光波長為200nm以下的紫外光的紫外光源、向主處理室內導入加工氣體的氣體導入口、具有第二搬入口與第二搬出口，第二搬出口連通於第一搬入口連通的搬入副處理室，搬送滾筒的至少一部分位於比分隔構件靠近處理空間側的位置。

Description

光處理裝置

本發明係關於光處理裝置。

先前，已知有將膜材料、玻璃板等(以下，有將處理對象物統稱為「工件」的狀況。)暴露於透過向氧照射紫外光而生成的臭氧，從而來進行工件的表面處理的技術。例如，在後述專利文獻1中，公開了利用由臭氧所致的氧化反應，對膜材料的表面進行改質處理的方法。另外，在後述專利文獻2中，公開了利用由臭氧所致的氧化反應，對玻璃板的表面進行洗淨處理的方法。 [先前技術] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2012/077553號 [專利文獻2]日本專利第5083318號公報

[發明所欲解決之課題]

近年來，透過將工件暴露於臭氧來處理工件表面的方法不僅用於膜材料的改質處理、玻璃板的清洗處理，還利用於構成薄型顯示器的液晶基板上之細微裝置的處理等。具體而言，例如，利用於由金屬層構成之薄膜電晶體的閘極電極表面的親水化處理中。

然而，在將半導體基板上、液晶基板上的金屬層暴露於臭氧而進行親水化處理的情況下，該金屬層的表面被親水化處理，並且逐漸被氧化而形成金屬氧化膜。尤其，當臭氧濃度過高時，促進金屬氧化膜的形成，在金屬層的表面形成的金屬氧化膜的厚度容易變大。

金屬氧化膜與被氧化前的金屬的物性不同，也取決於所使用的蝕刻溶液等，但一般來說，與被氧化前的金屬相比，反應性差，蝕刻速率慢。因此，金屬氧化膜形成得越厚，越容易產生無法透過蝕刻處理將裝置加工成所希望的形狀的問題。

在此，本發明者們為了抑制上述問題的發生，針對透過比以往的膜材料、玻璃板的處理中之臭氧濃度低的臭氧濃度進行處理的方法進行了研究。

然而，本發明者們等嘗試將處理室內的臭氧濃度控制得比以往低來實施工件的處理，結果臭氧濃度在所希望的範圍內並不穩定，多發生不能允許之程度的處理不均，能夠正常處理的工件非常少。

本發明係有鑑於前述課題，目的為提供即使在使處裡室內的臭氧濃度降低而進行了工件的處理的情況下，也能夠穩定且均質地進行處理的光處理裝置。 [用以解決課題之手段]

本發明的光照射裝置，其特徵為具備： 搬送機構，係搬送前述工件，具有複數搬送滾筒； 主處理室，係具有搬入藉由前述搬送機構搬送的前述工件的第一搬入口，與搬出前述工件的第一搬出口； 分隔構件，係在前述主處理室內，在與前述工件的搬送方向和前述搬送滾筒的旋轉軸方向正交的方向上，將前述複數搬送滾筒之間的至少一部分劃分為處理空間與滯留空間； 紫外光源，係配置於前述主處理室的前述處理空間內，朝向沿著前述搬送機構搬送的前述工件的一面，出射主要發光波長為200nm以下的紫外光； 氣體導入口，係向前述主處理室內導入加工氣體；及 搬入副處理室，係具有搬入所搬送的前述工件的第二搬入口，與搬出前述工件的第二搬出口，前述第二搬出口連通於前述第一搬入口； 前述搬送滾筒的至少一部分位於比前述分隔構件靠前述處理空間側的位置。

於本說明書中「主要發光波長」係指在發射光譜上規定對於某波長λ±10nm的波長區域Z(λ)之狀況中，對於發射光譜內的總積分強度顯示40%以上的積分強度的波長區域Z(λi)之波長λi。

在本說明書中，「加工氣體」是指將惰性氣體和在臭氧的生成中所使用之含氧氣體混合而生成的混合氣體。

在本說明書中，搬入口與搬出口「連通」是指在工件的搬送方向上至少一部分連續地連接的狀態。例如，可以設想使主處理室與搬入副處理室接觸，將第一搬入口與第二搬出口連續地連接的狀態、或經由連結部件連續地連接的狀態等。

分隔構件並不需要是將主處理室內的空間完全分離成處理空間與滯留空間的部件，部分地連通處理空間與滯留空間亦可。但是，在從處理空間側朝向滯留空間側觀察時，相對於分隔構件整體的面積，未配置有分隔構件及搬送機構的區域的面積的合計為10％以下為佳，6％以下更理想。

另外，關於該分隔構件的具體構成，在「實施方式」的項目中一邊參照圖式一邊進行說明。再者，分隔構件不僅可以設置在主處理室中，追加設置在搬入副處理室中亦可。

本發明者們注意到，在要透過比先前低之臭氧濃度來處理工件的情況下，由於存在於外側的氣體(以下，有稱為「外部氣體」的狀況。)流入處理空間內而導致臭氧濃度的相對變動變大，因此無法進行穩定的處理。又，本發明者們還注意到，在將處理室的內部空間整體作為處理空間的情況下，由於自然對流，臭氧難以停留在工件周邊，產生工件未被處理的情況。再者，由於臭氧難以停留在工件周邊，臭氧濃度越低，越容易產生工件未被處理的現象。

因此，根據前述光處理裝置的構成，由於主處理室的第一搬入口連通於搬入副處理室的第二搬出口，因此外部氣體最初從第二搬入口流入搬入副處理室內。亦即，搬入副處理室具有作為緩衝空間的功能，抑制外部氣體直接從第一搬入口流入。

再者，存在於搬入副處理室內的氣體是主處理室的處理空間內的氣體與外部氣體混合而成的混合氣體。因此，在將工件搬入主處理室內時，搬入副處理室內的氣體流入主處理室內，但與外部氣體直接流入的情況相比，該氣體對處理空間內的臭氧濃度的影響較小。

另外，在主處理室內生成的臭氧的絕大多數藉由分隔構件，抑制了通過搬送滾筒而移動至滯留空間側。

也就是說，前述構成的光處理裝置相較於外部氣體直接流入主處理室內的構成，可抑制主處理室內的臭氧濃度的變動，且在處理空間內生成的臭氧容易停留在工件周邊。所以，前述構成的光處理裝置相較於先前的光處理裝置，即使是較低的臭氧濃度，也能夠穩定且均質地處理工件整體。

前述光處理裝置亦可構成為具備： 至少一個主排氣口，係將前述主處理室內的氣體排出； 至少一個第一副排氣口，係將前述搬入副處理室內的氣體排出；及 排氣控制機構，係控制從前述主排氣口及前述第一副排氣口排出的氣體的量； 前述排氣控制機構，係以使每單位時間從前述主排氣口排出的氣體的總量比從前述第一副排氣口排出的氣體的總量少之方式進行控制亦可。

透過採用前述構成，搬入副處理室內的氣壓比主處理室的處理空間內的氣壓低。透過形成此種氣壓關係，可抑制從搬入副處理室的第二搬入口流入的外部氣體流入主處理室的處理空間內。所以，光處理裝置在處理工件的過程中的主處理室的處理空間內的臭氧濃度的變動進一步變小，能夠更加均質地處理工件整體。

前述光處理裝置亦可具備： 搬出副處理室，係形成搬入沿著前述搬送機構搬送的前述工件搬入的第三搬入口與搬出前述工件的第三搬出口，前述第三搬入口連接於前述第一搬出口。

進而，前述光處理裝置亦可構成為具備： 至少一個主排氣口，係將前述主處理室內的氣體排出； 至少一個第一副排氣口，係將前述搬入副處理室內的氣體排出； 至少一個第二副排氣口，係將前述搬出副處理室內的氣體排出；及 排氣控制機構，係控制從前述主排氣口、前述第一副排氣口及前述第二副排氣口排出的氣體的量； 前述排氣控制機構，係以使每單位時間從前述主排氣口排出的氣體的總量比從前述第一副排氣口排出的氣體的總量少，且比從前述第二副排氣口排出的氣體的總量少之方式進行控制。

由於第一搬出口是將工件從主處理室內朝向外側搬出的開口，因此與搬入工件的第一搬入口相比，主處理室內的氣體容易與工件一同向外側漏出。這種氣體從主處理室內的漏出很可能成為處理空間內的臭氧濃度發生紊亂的重要原因。又，存在不少從第一搬出口流入的外部氣體，雖然其與第一搬入口相比很少。

因此，透過採用前述構成，可進一步抑制從第一搬出口側流入的外部氣體的影響。所以，光處理裝置在處理工件的過程中的主處理室的處理空間內的臭氧濃度的變動進一步變小，能夠更加均質地處理工件整體。

前述光處理裝置亦可具備： 抽氣管，係具有配置於前述處理空間內的取入口與配置於前述處理空間外的排出口，從前述取入口抽出前述處理空間內的氣體；及 濃度計，係連接於前述抽氣管的前述排出口，測定從前述排出口流入之氣體的臭氧濃度。

於前述光處理裝置中， 前述抽氣管具備複數前述取入口； 複數前述取入口，係沿著前述搬送滾筒的旋轉軸方向排列亦可。

透過採用前述構成，在發生某些異常、主處理室內的臭氧濃度超過了規定的範圍的情況下、或儘管搬入了工件但臭氧濃度未到達規定的範圍的情況下等，可緊急停止光處理裝置。又，在該構成中，由於可記錄主處理室內的臭氧濃度的變化，因此，例如在處理完畢的工件中發生了不良的情況下，可確認、分析在光處理裝置所致的處理中是否發生了異常。

前述光處理裝置亦可具備： 加工氣體控制部，係基於前述濃度計所測定的臭氧濃度，控制從前述氣體導入口導入至前述主處理室內之加工氣體的流量。

前述光處理裝置亦可具備： 電力控制部，係基於前述濃度計所測定的臭氧濃度，控制向前述紫外光源供給的電力。

透過採用前述構成，可監視主處理室之處理空間內的臭氧濃度，進而可進行回饋控制，以使處理空間內的臭氧濃度穩定在所希望的濃度。所以，光處理裝置在處理工件的過程中的主處理室的處理空間內的臭氧濃度的變動進一步變小，能夠更加均質地處理工件整體。 [發明的效果]

依據本發明，可實現即使在使處裡室內的臭氧濃度降低而進行了工件的處理的情況下，也能夠穩定且均質地進行處理的光處理裝置。

[裝置構成]

以下，針對本發明的光處理裝置，參照圖式來進行說明。再者，關於光處理裝置的以下的各圖式都是示意圖示者，圖式上的尺寸比及個數與實際的尺寸比及個數不一定一致。

又，以下，在說明光處理裝置的構成的基礎上，有具體特定工件而進行說明的狀況。然而，本發明的光處理裝置作為對象的工件並不限定於以下的說明中所特定的工件。

(光處理裝置1) 圖1係從Y方向觀察光處理裝置的一實施方式時的示意圖，圖2係圖1的處理空間A1周邊的放大圖。如圖1所示，光處理裝置1具備主處理室2、搬入副處理室3、搬出副處理室4、由複數搬送滾筒5a構成的搬送機構5、加工氣體控制部10、氣體供給源11以及排氣控制部12。再者，排氣控制部12是一個控制部，但為了方便圖示，分成複數個進行圖示。

在以下的說明中，如圖1所示，將工件W1的搬送方向設為X方向，將搬送機構5所具備之搬送滾筒5a的旋轉軸方向設為Y方向，將與XY平面正交的方向設為Z方向。

又，在表現方向時區別正負的方向時，如「+Z方向」、「-Z方向」般，附加正負的符號記載，不區別正負的方向來表現方向時，僅記載為「Z方向」。

如圖1所示，在光處理裝置1中，朝向+X方向，依次排列有搬入副處理室3、主處理室2、搬出副處理室4。如圖1所示，搬送機構5將載置於搬送滾筒5a上的工件W1向+X方向搬送。

如圖2所示，搬入副處理室3與主處理室2以相互接觸的方式配置，後述的第一搬入口2a與第二搬出口3b連通。又，主處理室2與搬出副處理室4以相互接觸的方式配置，後述的第一搬出口2b與第三搬入口4a連通。

如圖2所示，加工氣體控制部10具備測定處理空間A1內之氣氛氣體的臭氧濃度的濃度計10a。濃度計10a測定藉由抽氣管22抽出的主處理室2內之氣氛氣體G2的臭氧濃度。然後，如圖1所示，加工氣體控制部10基於由濃度計10a測定的臭氧濃度，對氣體供給源11輸出包括與加工氣體G1之流量相關的資訊的控制信號d1。另外，加工氣體控制部10與濃度計10a也可以分體構成。

氣體供給源11基於從加工氣體控制部10輸入的控制信號d1，向主處理室2的配置有紫外光源20的處理空間A1內，以指定的流量供給加工氣體G1。

本實施形態中的加工氣體G1是含有氧氣與氮氣的混合氣體，典型來說不是空氣。再者，作為加工氣體G1，例如也可以採用混合了CDA(乾淨乾燥空氣)與氮氣的混合氣體。本實施形態中的加工氣體G1以氧的含有率為0.1％，氮的含有率為99.9％之方式進行調整。

(主處理室2) 如圖1所示，主處理室2具備複數紫外光源20、配管21、抽氣管22、主排氣口2c、分隔構件2p以及排氣用風扇2f。在主處理室2中收容有搬送機構5的一部分。然後，如圖2所示，在主處理室2的壁面上設有在X方向上對向的第一搬入口2a與第一搬出口2b，構成為工件W1從第一搬入口2a搬入，從第一搬出口2b搬出。

如圖2所示，紫外光源20是對藉由搬送機構5搬送的工件W1照射紫外光的光源。本實施形態中的紫外光源20是在管體內封入含有氙(Xe)氣的發光氣體，並透過從電源部(未圖示)施加電壓而出射主要發光波長為172nm的紫外光的準分子燈。

紫外光源20以在Z方向上與藉由搬送機構5搬送的工件W1的間隔距離為10mm以下之方式配置。

再者，紫外光源20只要是可出射主要發光波長為200nm以下的紫外光的光源，採用準分子燈以外的光源亦可。又，即使在採用準分子燈的情況下，也可以採用封入有含有氙(Xe)氣以外之氣體的發光氣體的準分子燈。

又，本實施形態中的準分子燈是以與管軸正交的面切斷時的形狀呈矩形狀的準分子燈，且為呈也被稱為扁平管形狀的準分子燈，但也可以採用呈扁平管形狀以外的形狀(例如被稱為單管形狀、雙重管形狀的形狀)的準分子燈。

配管21是將從氣體供給源11供給的加工氣體G1導向主處理室2內的構件。在本實施形態中，如圖2所示，配管21的一部分分歧，成為從複數氣體導入口21a供給加工氣體G1的構成。再者，關於配管21的構成或形狀、設置氣體導入口21a的數量等，考慮主處理室2的大小、內部構造等而決定。例如，也可以在X方向上，在主處理室2的中央部側即燈管20之間的空間進一步設置配管21。

在此，如圖2所示，在本實施形態中，配置於搬入副處理室3側的配管21構成為向+X方向噴射加工氣體G1，並且也向-Z方向噴射加工氣體G1。根據該構成，可抑制伴隨著工件W1的搬入之包含外部氣體的氣體從搬入副處理室3向主處理室2流入。

圖3是從X方向觀察主處理室2時的圖式。如圖1～圖3所示，在抽氣管22中，配置於主處理室2內的一端部即取入口22a配置於處理空間A1內，另一端部即排出口22b連接於加工氣體控制部10所具備之測定臭氧濃度的濃度計10a。藉由該構成，抽氣管22將處理空間A1內的含有臭氧的氣氛氣體G2導向濃度計10a。

取入口22a也可以配置於處理空間A1內的任意的位置，但在本實施形態中，為了更準確地監視工件W1周邊的臭氧濃度是否處於所希望的範圍內，在Z方向上配置於與紫外光源20的光出射面20a相同的位置。

如圖3所示，本實施形態的抽氣管22設有合流部22c，複數取入口22a在Y方向上等間隔地排列。再者，在主處理室2足夠小、透過從一處吸引處理空間A1內的氣氛氣體G2，可穩定地測量臭氧濃度的情況下，抽氣管22不具備合流部22c，取入口22a僅為一個亦可。

如圖1所示，主排氣口2c是將主處理室2內的氣氛氣體G2向主處理室2的外側排出的排氣口。在本實施形態中，藉由排氣控制部12控制排氣用風扇2f的轉速來調整從主排氣口2c排出的氣氛氣體G2的量。

圖4A是示意揭示主處理室2內之搬送機構5的構成的立體圖，圖4B是從+Z側觀察圖4A的搬送機構5時的圖式，圖4C是從Y方向觀察圖4A的搬送機構5時的圖式。如圖4A～圖4C所示，分隔構件2p形成有與複數搬送滾筒5a分別對應的複數孔2pb，透過在孔2pb中插通搬送滾筒5a的狀態下進行固定，從而將主處理室2內的空間在Z方向上劃分為處理空間A1與滯留空間A2。而且，如圖4C所示，搬送滾筒5a的一部分比分隔構件2p的主面2pa更向+Z側突出，由此工件W1不被分隔構件2p阻擋地向X方向搬送。

再者，雖然僅為一例，但本實施形態中的分隔構件2p的大小為(X，Y)=(280mm，3400mm)。另外，設於分隔構件2p的孔2pb的大小為(X，Y)=(28mm，13mm)，一個搬送滾筒5a的直徑為45mm，Y方向的長度為11mm。而且，在主處理室2內配置有60個搬送滾筒5a。

(搬入副處理室3) 如圖1所示，搬入副處理室3具備複數副排氣口(3c1、3c2)和分隔構件3p，收容有搬送機構5的一部分。而且，如圖1所示，在搬入副處理室3的壁面設有在X方向上對向的第二搬入口3a與第二搬出口3b，工件W1從第二搬入口3a搬入，從第二搬出口3b搬出。

如圖1所示，在搬入副處理室3中設有分隔構件3p，內側的空間被劃分為搬送機構5的+Z側的空間B1和-Z側的空間B2。

副排氣口3c1是用以吸引存在於空間B1內之氣氛氣體G3並向搬入副處理室3的外側排氣的開口。

副排氣口3c2是用以吸引存在於空間B2內之氣氛氣體G3並向搬入副處理室3的外側排氣的開口。

本實施形態中的副排氣口(3c1、3c2)是將存在於搬入副處理室3之內側的氣氛氣體G3向外側排氣的開口，均相當於第一副排氣口。

如圖1所示，在副排氣口(3c1、3c2)的每一個上設有用於排出搬入副處理室3內的氣氛氣體G3的排氣用風扇3f，透過排氣控制部12控制排氣用風扇3f的轉速，調整對搬入副處理室3內的氣氛氣體G3進行排氣的量。

再者，排氣控制部12以使每單位時間從主排氣口2c排出的氣氛氣體G2的量比從副排氣口(3c1、3c2)排出的氣氛氣體G3的總量少之方式控制排氣用風扇3f。藉此，搬入副處理室3的空間B1的氣壓比主處理室2的處理空間A1的氣壓低，可抑制氣氛氣體G3從搬入副處理室3流入主處理室2。

在本實施形態中，調整為從主排氣口2c每單位時間排出的氣氛氣體G2的量為10L/min，從副排氣口(3c1、3c2)每單位時間排出的氣氛氣體G3的量為950L/min。也就是說，以每單位時間從主排氣口2c排出的氣氛氣體G2的總量比從副排氣口(3c1、3c2)排出的氣氛氣體G3的總量少之方式進行控制。

(搬出副處理室4) 如圖1所示，搬出副處理室4具備複數第二副排氣口(4c1、4c2)與分隔構件4p，收容有搬送機構5的一部分。而且，如圖1所示，在搬出副處理室4的壁面上設有在X方向上對向的第三搬入口4a與第三搬出口4b，工件W1從第三搬入口4a搬入，從第三搬出口4b搬出。

如圖1所示，在搬出副處理室4中設有分隔構件4p，內側的空間被劃分為搬送機構5的+Z側的空間C1與-Z側的空間C2。

副排氣口4c1是用以吸引存在於空間C1內的氣氛氣體G4並向搬出副處理室4的外側排氣的開口。

副排氣口4c2是用以吸引存在於空間C2內的氣氛氣體G4並向搬出副處理室4的外側排氣的開口。

本實施形態中的副排氣口(4c1、4c2)是將存在於搬出副處理室4的內側的氣氛氣體G4向外側排氣的開口，均相當於第二副排氣口。

如圖1所示，在副排氣口(4c1、4c2)的每一個上設有用於排出搬出副處理室4內的氣氛氣體G4的排氣用風扇4f，排氣控制部12控制排氣用風扇4f的轉速，調整對搬出副處理室4內的氣氛氣體G4進行排氣的量。

在本實施形態中，以從副排氣口(4c1、4c2)每單位時間排出的氣氛氣體G4的量為950L/min之方式進行調整。也就是說，以每單位時間從主排氣口2c排出的氣氛氣體G2的總量比從副排氣口(4c1、4c2)排出的氣氛氣體G4的總量少之方式進行控制。

每單位時間從副排氣口(3c1、3c2)排出的氣氛氣體G3的總量和從副排氣口(4c1、4c2)排出的氣氛氣體G4的總量如本實施形態般設定為相同為佳。更詳細地說，每單位時間從副排氣口3c1排出的氣氛氣體G3和從副排氣口4c1排出的氣氛氣體G4的量相同，並且每單位時間從副排氣口3c2排出的氣氛氣體G3和從副排氣口4c2排出的氣氛氣體G4的量相同為佳。但是，從各個排氣口(3c1、3c2、4c1、4c2)排出的氣氛氣體(G3、G4)的量各不相同亦可。

再者，排氣控制部12以使每單位時間從主排氣口2c排出的氣氛氣體G2的量比從副排氣口(4c1、4c2)排出的氣氛氣體G4的總量少之方式控制排氣用風扇4f，。藉此，搬出副處理室4的空間C1的氣壓比主處理室2的處理空間A1的氣壓低，可抑制氣氛氣體G4從搬出副處理室4流入主處理室2。

[驗證實驗] 在此，由於實施了確認本實施形態的光處理裝置1與先前構成的光處理裝置相比，使主處理室2的處理空間A1內的臭氧濃度穩定在更低的濃度的驗證實驗，以下進行說明。

(實施例) 實施例作為上述本實施形態的光處理裝置1。

(比較例1) 圖5A是從Y方向觀察比較例1的構成時的示意圖。如圖5A所示，比較例1除了不具備分隔構件(2p、3p、4p)以外，與實施例相同的構成。

(比較例2) 圖5B是從Y方向觀察比較例2的構成時的示意圖。如圖5B所示，比較例2除了不具備搬入副處理室3、搬出副處理室4及分隔構件2p以外，與實施例相同的構成。

(條件) 臭氧濃度的測定藉由濃度計10a進行。又，不搬送工件W1，臭氧濃度的測定時間設為5分鐘。

(結果) 圖6是揭示濃度計10a所測定之臭氧濃度的時間變化的圖表。如圖6所示，可以確認比較例1的臭氧濃度相對於比較例2，變動被抑制，在更低的濃度下穩定。然後，可以確認實施例相對於比較例1，變動被進一步抑制，在更低的臭氧濃度下穩定。

依據以上內容，光處理裝置1與外部氣體直接流入主處理室2內之先前的構成相比，抑制了主處理室2內的臭氧濃度的變動，且在處理空間A1內生成的臭氧容易停留在工件W1周邊。所以，光處理裝置1相較於先前的光處理裝置，即使是較低的臭氧濃度，也能夠穩定且均質地處理工件整體。

再者，流入主處理室2內的氣體中，伴隨著工件W1的搬入從第一搬入口2a流入處理空間A1內的氣體的比例非常大。因此，根據主處理室2、第一搬入口2a及第一搬出口2b的尺寸，即使光處理裝置1不具備搬出副處理室4，也有可使主處理室2的處理空間A1內的臭氧濃度充分地穩定的狀況。

又，在副處理室(3、4)內，氣氛氣體(G3、G4)的循環對主處理室2的處理空間A1內之臭氧濃度幾乎沒有影響。因此，對於副處理室(3、4)，不設置分隔構件(3p、4p)亦可。

圖7A及圖7B是揭示搬送機構5及分隔構件2p之一構成例的示意圖。如圖7A所示，分隔構件2p作為不設置使搬送滾筒5a貫通的孔2pb而設置收容搬送滾筒5a的收容袋2pc的構成亦可，作為配置於搬送滾筒5a的-Z側之未設有孔2pb、收容袋2pc的板狀的構件亦可。又，在此對分隔構件2p的構成進行了說明，但設於各副處理室(3、4)的分隔構件(3p、4p)作為如上所述的構成亦可，進而，分隔構件(2p、3p、4p)的形狀各不相同亦可。

而且，如圖4A及圖4B所示，搬送滾筒5a在X方向及Y方向上排列，但配置位置可為任意，只要可沒有問題地搬送工件W1，採用不規則的配置亦可。然後，搬送滾筒5a單體的形狀可為任意，如圖7B所示，呈沿Y方向延伸的形狀亦可。

在本實施形態中，具備從各排氣口(2c、3c1、3c2、4c1、4c2)排出各處理室(2、3、4)內之氣氛氣體(G2、G3、G4)的排氣控制機構，但光處理裝置1不具備排氣控制機構亦可。例如，藉由向處理空間A1內供給加工氣體G1，處理空間A1內的氣壓變高，在充分抑制氣氛氣體(G3、G4)的流入而使臭氧濃度穩定的情況下，不具備排氣控制機構亦可。又，氣氛氣體(G2、G3、G4)的排氣量的控制使用排氣用風扇(2f，3f，4f)以外的機構來進行亦可。例如，以可調整排出的氣氛氣體(G2、G3、G4)的量之方式，各排氣口(2c、3c1、3c2、4c1、4c2)經由風量調整用的風門、可變閥等，連通於設置在設施內的排氣用管道亦可。依據該構成，透過風量調整用的風門、可變閥等來調整引入排氣用管道之氣體的量，由此調整從各排氣口(2c、3c1、3c2、4c1、4c2)排出之氣氛氣體(G2、G3、G4)的量。再者，風量調整用的風門、可變閥的控制藉由排氣控制機構自動進行亦可，藉由人手動進行亦可。

在本實施形態中，透過濃度計10a測定處理空間A1內之氣氛氣體G2的臭氧濃度，控制從氣體供給源11供給之加工氣體G1的流量，但作為不具備濃度計10a，而以一定的流量從氣體供給源11供給加工氣體G1的構成亦可。

[其他實施形態] 以下，針對其他實施形態進行說明。

＜1＞圖8是從Y方向觀察光處理裝置1的其他實施形態時的示意圖。如圖8所示，光處理裝置1亦可具備：具有濃度計10a，因應濃度計10a所測定之主處理室2內的氣氛氣體G2的臭氧濃度，控制向紫外光源20供給的電力的電力控制部80。

在前述構成的情況下，例如，使從氣體供給源11供給的加工氣體G1的量設為一定，藉由從紫外光源20出射之紫外光的強度，控制在處理空間A1內生成之臭氧的量。

從紫外光源20出射之紫外光的強度係例如透過驅動電壓、供給的電流的大小、在以交流供給的情況下可藉由頻率、工作比的調整等，與氣體的供給量的調整相比更細微地進行調整。

＜2＞圖9是從Y方向觀察光處理裝置1之與圖8不同的其他實施形態時的示意圖。如圖9所示，光處理裝置1具備用以監視處理空間A1的氣氛氣體G2之臭氧濃度的濃度計90a亦可，進而具備記錄濃度計90a所測定之氣氛氣體G2的臭氧濃度的資料的記錄部90b亦可。又，，光處理裝置1具備將該資料透過無線或有線發送到外部機器的發送部亦可。再者，記錄部90b例如是微電腦等所具備之記憶體、外部機器所具備之硬碟等、或記憶體裝置等單體的記錄媒體等。

透過作為前述構成，例如在處理完畢的工件W1中發生了不良的情況下，可確認處理空間A1內的臭氧濃度是否發生了異常、對不良原因進行分析。又，在以可始終監視處理空間A1內之臭氧濃度的方式構成的情況下，在工件W1的處理中，可偵測處理空間A1內之臭氧濃度的異常。

＜3＞前述之光處理裝置1所具備的構成僅為一例，本發明並不限定於圖示的各構成。

1:光處理裝置 2:主處理室 2a:第一搬入口 2b:第一搬出口 2c:主排氣口 2f:排氣用風扇 2p:分隔構件 2pa:主面 2pb:孔 2pc:收容袋 3:搬入副處理室 3a:第二搬入口 3b:第二搬出口 3c1:副排氣口 3c2:副排氣口 3f:排氣用風扇 3p:分隔構件 4:搬出副處理室 4a:第三搬入口 4b:第三搬出口 4c1:副排氣口 4c2:副排氣口 4f:排氣用風扇 4p:分隔構件 5:搬送機構 5a:搬送滾筒 10:加工氣體控制部 10a:濃度計 11:氣體供給源 12:排氣控制部 20:紫外光源 20a:光出射面 21:配管 21a:氣體導入口 22:抽氣管 22a:取入口 22b:排出口 22c:合流部 80:電力控制部 90a:濃度計 90b:記錄部 A1:處理空間 A2:滯留空間 B1:空間 B2:空間 C1:空間 C2:空間 d1:控制信號 G1:加工氣體 G2:氣氛氣體 G3:氣氛氣體 G4:氣氛氣體 W1:工件

[圖1]從Y方向觀察光處理裝置的一實施方式時的示意圖。 [圖2]圖1的處理空間A1周邊的放大圖。 [圖3]從X方向觀察主處理室時的圖式。 [圖4A]示意揭示主處理室內之搬送機構的構成的立體圖。 [圖4B]從+Z側觀察圖4A的搬送機構時的圖式。 [圖4C]從Y方向觀察圖4A的搬送機構時的圖式。 [圖5A]從Y方向觀察比較例1的構成時的示意圖。 [圖5B]從Y方向觀察比較例2的構成時的示意圖。 [圖6]揭示濃度計所測定之臭氧濃度的時間變化的圖表。 [圖7A]揭示搬送機構及分隔構件之一構成例的示意圖。 [圖7B]揭示搬送機構及分隔構件之一構成例的示意圖。 [圖8]從Y方向觀察光處理裝置的其他實施形態時的示意圖。 [圖9]從Y方向觀察光處理裝置的其他實施形態時的示意圖。

1:光處理裝置

2:主處理室

2a:第一搬入口

2b:第一搬出口

2c:主排氣口

2f:排氣用風扇

2p:分隔構件

3:搬入副處理室

3a:第二搬入口

3b:第二搬出口

3c1:副排氣口

3c2:副排氣口

3f:排氣用風扇

3p:分隔構件

4:搬出副處理室

4a:第三搬入口

4b:第三搬出口

4c1:副排氣口

4c2:副排氣口

4f:排氣用風扇

4p:分隔構件

5:搬送機構

5a:搬送滾筒

10:加工氣體控制部

10a:濃度計

11:氣體供給源

12:排氣控制部

21a:氣體導入口

A1:處理空間

A2:滯留空間

B1:空間

B2:空間

C1:空間

C2:空間

d1:控制信號

G1:加工氣體

G2:氣氛氣體

G3:氣氛氣體

G4:氣氛氣體

W1:工件

Claims (8)

1. 一種光處理裝置，係對所搬送的工件照射紫外光的光處理裝置，其特徵為具備： 搬送機構，係搬送前述工件，具有複數搬送滾筒； 主處理室，係具有搬入藉由前述搬送機構搬送的前述工件的第一搬入口，與搬出前述工件的第一搬出口； 分隔構件，係在前述主處理室內，在與前述工件的搬送方向和前述搬送滾筒的旋轉軸方向正交的方向上，將前述複數搬送滾筒之間的至少一部分劃分為處理空間與滯留空間； 紫外光源，係配置於前述主處理室的前述處理空間內，朝向沿著前述搬送機構搬送的前述工件的一面，出射主要發光波長為200nm以下的紫外光； 氣體導入口，係向前述主處理室內導入加工氣體；及 搬入副處理室，係具有搬入所搬送的前述工件的第二搬入口，與搬出前述工件的第二搬出口，前述第二搬出口連通於前述第一搬入口； 前述搬送滾筒的至少一部分位於比前述分隔構件靠前述處理空間側的位置。
2. 如請求項1所記載之光處理裝置，其中，具備： 至少一個主排氣口，係將前述主處理室內的氣體排出； 至少一個第一副排氣口，係將前述搬入副處理室內的氣體排出；及 排氣控制機構，係控制從前述主排氣口及前述第一副排氣口排出的氣體的量； 前述排氣控制機構，係以使每單位時間從前述主排氣口排出的氣體的總量比從前述第一副排氣口排出的氣體的總量少之方式進行控制。
3. 如請求項1所記載之光處理裝置，其中，具備： 搬出副處理室，係形成搬入沿著前述搬送機構搬送的前述工件搬入的第三搬入口與搬出前述工件的第三搬出口，前述第三搬入口連接於前述第一搬出口。
4. 如請求項3所記載之光處理裝置，其中，具備： 至少一個主排氣口，係將前述主處理室內的氣體排出； 至少一個第一副排氣口，係將前述搬入副處理室內的氣體排出； 至少一個第二副排氣口，係將前述搬出副處理室內的氣體排出；及 排氣控制機構，係控制從前述主排氣口、前述第一副排氣口及前述第二副排氣口排出的氣體的量； 前述排氣控制機構，係以使每單位時間從前述主排氣口排出的氣體的總量比從前述第一副排氣口排出的氣體的總量少，且比從前述第二副排氣口排出的氣體的總量少之方式進行控制。
5. 如請求項1所記載之光處理裝置，其中，具備： 抽氣管，係具有配置於前述處理空間內的取入口與配置於前述處理空間外的排出口，從前述取入口抽出前述處理空間內的氣體；及 濃度計，係連接於前述抽氣管的前述排出口，測定從前述排出口流入之氣體的臭氧濃度。
6. 如請求項5所記載之光處理裝置，其中， 前述抽氣管具備複數前述取入口； 複數前述取入口，係沿著前述搬送滾筒的旋轉軸方向排列。
7. 如請求項5或6所記載之光處理裝置，其中，具備： 加工氣體控制部，係基於前述濃度計所測定的臭氧濃度，控制從前述氣體導入口導入至前述主處理室內之加工氣體的流量。
8. 如請求項5或6所記載之光處理裝置，其中，具備： 電力控制部，係基於前述濃度計所測定的臭氧濃度，控制向前述紫外光源供給的電力。

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