TW202348408A - 電磁波屏蔽膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種揮發性成分不易積存於金屬層與導電性接著劑層之間且對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高的電磁波屏蔽膜。 本發明之電磁波屏蔽膜之特徵在於：依序積層有保護層、各向同性導電性接著劑層、金屬層及導電性接著劑層；且上述金屬層具有開口部。

Description

電磁波屏蔽膜

本發明是關於電磁波屏蔽膜。

背景技術 過去以來，在以智慧型手機或平板電腦為首的行動裝置等中，為了阻隔從內部產生的電磁波或從外部入侵的電磁波，而使用黏貼有電磁波屏蔽膜之撓性印刷配線板(FPC)。

近年來，行動裝置朝向多功能化發展。例如，除了必須連接網路外，為了實現高精細、高畫質、3D化、高速化等，需要大容量的訊號處理。因此，為了處理如此大容量的訊號，訊號處理也要更高速化，並要求抑制訊號線受到的雜訊以及要求訊號的傳送特性，對兼具優於現狀之屏蔽特性與傳送特性的對應高頻之撓性印刷配線板的需求一直在提高。

電磁波屏蔽膜具有例如依序積層有接著劑層、作為屏蔽層之金屬薄膜及保護層的構成。在將前述電磁波屏蔽膜疊合於撓性印刷配線板的狀態下進行加熱加壓，電磁波屏蔽膜會經由接著劑層接著於印刷配線板，從而製作屏蔽印刷配線板。然後，藉由焊料回流在屏蔽印刷配線板安裝零件。

於此，具備電磁波屏蔽膜之屏蔽印刷配線板若在加熱加壓步驟或焊料回流步驟中被加熱，將從電磁波屏蔽膜的接著劑層或印刷配線板的保護膜等產生氣體。又，印刷配線板之基底膜由聚醯亞胺等吸溼性高的樹脂形成時，有因加熱而從基底膜產生水蒸氣之情形。從接著劑層、保護膜或者基底膜產生的這些揮發性成分(氣體)無法通過金屬薄膜，所以會積存於金屬薄膜與接著劑層之間。因此，若於焊料回流步驟進行急速的加熱，金屬薄膜與接著劑層的層間密合有可能因為積存於金屬薄膜與接著劑層之間的氣體而被破壞。

關於防止因產生之水蒸氣等氣體所造成之膨脹的方法，有一於金屬薄膜設置開口部的方法。然而，若於金屬薄膜設置開口部，超過1GHz之高頻帶電磁波就容易從金屬薄膜之開口部穿透，電磁波屏蔽膜之屏蔽性降低。 關於用以解決如此問題的方法，專利文獻1中揭示有如下方法：於電磁波屏蔽膜之金屬薄膜設置開口部，再進一步以金屬薄膜覆蓋開口部。 即，專利文獻1揭示一種電磁波屏蔽膜，其具有電磁波屏蔽層及導電性接著劑層，上述電磁波屏蔽層具有：第1屏蔽層(金屬層)，其具有開口部；及第2屏蔽層(金屬層)，其以覆蓋上述第1屏蔽層之上述開口部之方式形成。 先行技術文獻 專利文獻

專利文獻1：國際公開2020/196169號

發明概要 發明欲解決之課題 專利文獻1所記載之電磁波屏蔽膜中，第2屏蔽層(金屬層)較薄，對於高頻帶電磁波之屏蔽性不能說足夠高，還有改良的餘地。 又，雖然也可以考慮增厚第2屏蔽層以提高對於超過1GHz之高頻帶電磁波之屏蔽性的方法，但此時會變得難以解決揮發性成分積存的問題，而難以解決金屬薄膜與接著劑層的層間密合被破壞的問題。

本發明是為解決上述問題而完成的發明，本發明之目的在於提供一種電磁波屏蔽膜，其揮發性成分不易積存於金屬層與導電性接著劑層之間，且對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高。 用以解決課題之手段

本發明之電磁波屏蔽膜之特徵在於：依序積層有保護層、各向同性導電性接著劑層、金屬層及導電性接著劑層；且上述金屬層具有開口部。

本發明之電磁波屏蔽膜中，於金屬層形成有開口部。 因此，在使用本發明之電磁波屏蔽膜製造印刷配線板時，即使產生了揮發性成分，揮發性成分亦可從金屬層之開口部逸出。 因此，於本發明之電磁波屏蔽膜中，可防止揮發性成分積存於金屬層與導電性接著劑層之間。其結果，於本發明之電磁波屏蔽膜中，可防止因揮發性成分而破壞金屬層與導電性接著劑層之間的層間密合。

本發明之電磁波屏蔽膜中，於保護層與金屬層之間配置有各向同性導電性接著劑層。 各向同性導電性接著劑層的一部分將填埋形成於金屬層之開口部。各向同性導電性接著劑層因為具有各向同性導電性，故作為電磁波屏蔽層而發揮功能。 因此，便可藉由各向同性導電性接著劑層來屏蔽欲穿透已形成於金屬層之開口部的高頻帶電磁波。 其結果，本發明之電磁波屏蔽膜對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高。 又，各向同性導電性接著劑層中通常包含展現接著性之接著性樹脂組成物等，如上所述，從金屬層之開口部逸出的揮發性成分可通過各向同性導電性接著劑層之接著性樹脂組成物等。其結果，於本發明之電磁波屏蔽膜中，可防止因揮發性成分而破壞金屬層與導電性接著劑層之間的層間密合，且對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高。

本發明之電磁波屏蔽膜中，上述各向同性導電性接著劑層包含導電性填料及接著性樹脂組成物；上述各向同性導電性接著劑層中，上述導電性填料之重量比率宜大於50重量%且小於90重量%。 若導電性填料之重量比率在上述範圍，各向同性導電性接著劑層之屏蔽性就足夠高，柔軟性也在適當的範圍。 若導電性填料之重量比率為50重量%以下，導電性變低，屏蔽性難以充分提高。 若導電性填料之重量比率為90重量%以上，各向同性導電性接著劑層變硬，柔軟性容易變得不充分。又，接著性降低，金屬層變得容易剝離。

本發明之電磁波屏蔽膜中，上述導電性填料宜為小片狀導電性填料。 若導電性填料為小片狀導電性填料，在彎曲電磁波屏蔽膜時，導電性填料也會彎曲，容易維持導電性填料彼此的接觸。其結果，各向同性導電性接著劑層之導電性不易降低。 因此，在彎曲電磁波屏蔽膜時，各向同性導電性接著劑層之屏蔽性不易降低。

本發明之電磁波屏蔽膜中，上述各向同性導電性接著劑層之厚度宜比3μm厚且比60μm薄。 若各向同性導電性接著劑層之厚度為3μm以下，相對於各向同性導電性接著劑層之厚度，各向同性導電性接著劑層中之導電性填料之粒徑變大，製作時導電性填料就容易從各向同性導電性接著劑層突出，易使電磁波屏蔽膜的製作變困難。 若各向同性導電性接著劑層之厚度為60μm以上，因為過厚，故在製造電磁波屏蔽膜時難以形成各向同性導電性接著劑層。 又，電磁波屏蔽膜整體變厚，為了配置電磁波屏蔽膜需要很大的空間。

本發明之其他態樣之電磁波屏蔽膜之特徵在於：依序積層有保護層、金屬層、各向同性導電性接著劑層及各向異性導電性接著劑層；且上述金屬層具有開口部。

本發明之其他態樣之電磁波屏蔽膜中，金屬層具有開口部。 因此，在使用本發明之電磁波屏蔽膜製造印刷配線板時，即使產生了揮發性成分，揮發性成分亦可從金屬層之開口部逸出。 因此，就本發明之電磁波屏蔽膜而言，可防止揮發性成分積存於金屬層與各向同性導電性接著劑層之間。其結果，於本發明之電磁波屏蔽膜中，可防止因揮發性成分而破壞金屬層與各向同性導電性接著劑層之間的層間密合。

本發明之其他態樣之電磁波屏蔽膜中，於金屬層與各向異性導電性接著劑層之間配置有各向同性導電性接著劑層。 各向同性導電性接著劑層的一部分將填埋形成於金屬層之開口部。各向同性導電性接著劑層因為具有各向同性導電性，故作為電磁波屏蔽層而發揮功能。 因此，便可藉由各向同性導電性接著劑層來屏蔽欲穿透已形成於金屬層之開口部的高頻帶電磁波。 其結果，本發明之電磁波屏蔽膜對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高。

本發明之其他態樣之電磁波屏蔽膜中，上述各向同性導電性接著劑層包含導電性填料及接著性樹脂組成物；上述各向同性導電性接著劑層中，上述導電性填料之重量比率宜大於50重量%且小於90重量%。 若導電性填料之重量比率在上述範圍，各向同性導電性接著劑層之屏蔽性就足夠高，柔軟性也在適當的範圍。 若導電性填料之重量比率為50重量%以下，導電性變低，屏蔽性難以充分提高。 若導電性填料之重量比率為90重量%以上，各向同性導電性接著劑層變硬，柔軟性容易變得不充分。又，接著性降低，金屬層變得容易剝離。

本發明之其他態樣之電磁波屏蔽膜中，上述導電性填料宜為小片狀導電性填料。 若導電性填料為小片狀導電性填料，在彎曲電磁波屏蔽膜時，導電性填料也會彎曲，容易維持導電性填料彼此的接觸。其結果，各向同性導電性接著劑層之導電性不易降低。 因此，在彎曲電磁波屏蔽膜時，各向同性導電性接著劑層之屏蔽性不易降低。

本發明之其他態樣之電磁波屏蔽膜中，上述各向同性導電性接著劑層之厚度宜比3μm厚且比60μm薄。 若各向同性導電性接著劑層之厚度為3μm以下，相對於各向同性導電性接著劑層之厚度，各向同性導電性接著劑層中之導電性填料之粒徑變大，製作時導電性填料就容易從各向同性導電性接著劑層突出，易使電磁波屏蔽膜的製作變困難。 若各向同性導電性接著劑層之厚度為60μm以上，因為過厚，故在製造電磁波屏蔽膜時難以形成各向同性導電性接著劑層。 又，電磁波屏蔽膜整體變厚，為了配置電磁波屏蔽膜需要很大的空間。 發明效果

根據本發明，可提供一種揮發性成分不易積存於金屬層與導電性接著劑層之間且對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高的電磁波屏蔽膜。

用以實施發明之形態 以下，具體說明本發明之電磁波屏蔽膜。然而，本發明不限定於以下實施形態，可於不變更本發明主旨之範圍內進行適當變更後應用。

(第1實施形態) 圖1為示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之一例的剖面圖。 圖1所示之電磁波屏蔽膜10依序積層有保護層20、各向同性導電性接著劑層30、金屬層40及導電性接著劑層50；金屬層40具有開口部41。

電磁波屏蔽膜10中，金屬層40具有開口部41。 因此，在使用電磁波屏蔽膜10製造印刷配線板時，即使產生了揮發性成分，揮發性成分亦可從金屬層40之開口部41逸出。 因此，就電磁波屏蔽膜10而言，可防止揮發性成分積存於金屬層40與導電性接著劑層50之間。其結果，於電磁波屏蔽膜10中，可防止因揮發性成分而破壞金屬層40與導電性接著劑層50之間的層間密合。

電磁波屏蔽膜10中，於保護層20與金屬層40之間配置有各向同性導電性接著劑層30。 各向同性導電性接著劑層30的一部分將填埋形成於金屬層40之開口部41。各向同性導電性接著劑層30因為具有各向同性導電性，故作為電磁波屏蔽層而發揮功能。 因此，便可藉由各向同性導電性接著劑層30來屏蔽欲穿透已形成於金屬層40之開口部41的高頻帶電磁波、尤其是超過1GHz之高頻電磁波。 其結果，電磁波屏蔽膜10對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高。

又，各向同性導電性接著劑層30中包含展現接著性之接著性樹脂組成物等，如上所述，從金屬層40之開口部41逸出的揮發性成分可通過各向同性導電性接著劑層30之接著性樹脂組成物等。其結果，於電磁波屏蔽膜10中，可防止因揮發性成分而破壞金屬層40與導電性接著劑層50之間的層間密合，且對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高。

電磁波屏蔽膜10將黏貼於印刷配線板。 因此，以下用圖式說明具備電磁波屏蔽膜10之屏蔽印刷配線板。 圖2為剖面圖，其示意性顯示具備本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。

圖2所示之屏蔽印刷配線板1由印刷配線板60及黏貼於印刷配線板60之電磁波屏蔽膜10構成。 印刷配線板60由以下構成：基底膜61、配置於基底膜61上且包含接地電路62a之印刷電路62、及覆蓋印刷電路62之覆蓋膜63。再者，於覆蓋膜63中，形成有使接地電路62a露出之開口部63a。 就屏蔽印刷配線板1而言，係以電磁波屏蔽膜10之導電性接著劑層50接觸覆蓋膜63之方式黏貼。 又，電磁波屏蔽膜10之導電性接著劑層50填埋覆蓋膜63之開口部63a而與接地電路62a接觸。 因此，印刷配線板60之接地電路62a便與電磁波屏蔽膜10之各向同性導電性接著劑層30及金屬層40電性連接。藉此，電磁波屏蔽膜10可適當地屏蔽電磁波。

以下，就電磁波屏蔽膜10之各構成進行詳細描述。

(保護層) 電磁波屏蔽膜10中，保護層20只要具有充分的絕緣性並可保護各向同性導電性接著劑層30、金屬層40及導電性接著劑層50就無特別限定，但例如宜由熱塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、活性能量線硬化性樹脂組成物等構成。 關於上述熱塑性樹脂組成物，並無特別限定，可列舉：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物等。

關於上述熱硬化性樹脂組成物，並無特別限定，可列舉：酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等。

關於上述活性能量線硬化性樹脂組成物，並無特別限定，可舉例如分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。

保護層20可由單獨1種材料構成，亦可由2種以上材料構成。

於保護層20中，亦可視需要包含硬化促進劑、賦黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑、抗結塊劑等。

保護層20之厚度並無特別限定，可視需要適當設定，宜為1~15μm、較佳為3~10μm。 若保護層20之厚度小於1μm，因為過薄，故難以充分地保護各向同性導電性接著劑層30、金屬層40及導電性接著劑層50。 若保護層20之厚度大於15μm，因為過厚，故電磁波屏蔽膜10難以彎折，且保護層20本身之韌性降低、變得容易破損。因此，難以應用於要求耐彎折性之構件。

(各向同性導電性接著劑層) 各向同性導電性接著劑層包含導電性填料及接著性樹脂組成物。

導電性填料並無特別限定，可為金屬微粒子、奈米碳管、碳纖維、金屬纖維等。

導電性填料為金屬微粒子時，以金屬填料而言並無特別限定，可為銀粉、銅粉、鎳粉、焊粉、鋁粉、對銅粉實施鍍銀之銀包銅粉、以金屬被覆高分子微粒子或玻璃珠等而成之微粒子等。 此等之中，由經濟性之觀點而言，以可低價取得之銅粉或銀包銅粉為佳。

導電性填料之形狀並無特別限定，可從球狀、小片狀、鱗片狀、樹枝狀、棒狀、纖維狀等中適當選擇。此等之中，以小片狀為佳。 若導電性填料為小片狀導電性填料，在彎曲電磁波屏蔽膜10時，導電性填料也會彎曲，容易維持導電性填料彼此的接觸。其結果，各向同性導電性接著劑層之導電性不易降低。 因此，在彎曲電磁波屏蔽膜10時，各向同性導電性接著劑層之屏蔽性不易降低。

導電性填料之平均長徑並無特別限定，但宜為0.5~15.0μm、較佳為5.0~13.0μm。 若導電性填料之平均長徑為0.5μm以上，各向同性導電性接著劑層之導電性變得良好。 若導電性填料之平均長徑為15.0μm以下，可減薄各向同性導電性接著劑層。 再者，本說明書中所謂導電性填料之平均長徑是指藉由以下方法測得的值。 取得將各向同性導電性接著劑層切斷後的剖面的掃描式電子顯微鏡法(SEM)圖像。所謂導電性填料之平均長徑是指前述SEM圖像中任意5個導電性填料之長徑的平均值。

關於接著性樹脂組成物之材料並無特別限定，可使用：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物等熱塑性樹脂組成物；及酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。 接著性樹脂組成物之材料可為其等中之單獨1種，亦可為2種以上之組合。

各向同性導電性接著劑層30中，導電性填料之重量比率宜大於50重量%且小於90重量%。 再者，導電性填料之重量比率較佳為55重量%以上、更佳為60重量%以上。 又，導電性填料之重量比率較佳為80重量%以下、更佳為75重量%以下、再更佳為69重量%以下。 若導電性填料之重量比率在上述範圍，各向同性導電性接著劑層30之屏蔽性就足夠高，柔軟性也在適當的範圍。 若導電性填料之重量比率為50重量%以下，導電性變低，屏蔽性難以充分提高。 若導電性填料之重量比率為90重量%以上，各向同性導電性接著劑層變硬，柔軟性容易變得不充分。又，接著性降低，金屬層變得容易剝離。

各向同性導電性接著劑層30之厚度宜比3μm厚且比60μm薄。 又，各向同性導電性接著劑層30之厚度較佳為5μm以上、更佳為15μm以上。 又，各向同性導電性接著劑層30之厚度較佳為40μm以下、更佳為20μm以下。 若各向同性導電性接著劑層之厚度為3μm以下，相對於各向同性導電性接著劑層之厚度，各向同性導電性接著劑層中之導電性填料之粒徑變大，製作時導電性填料就容易從各向同性導電性接著劑層突出，易使電磁波屏蔽膜的製作變困難。 若各向同性導電性接著劑層之厚度為60μm以上，因為過厚，故在製造電磁波屏蔽膜時難以形成各向同性導電性接著劑層。 又，電磁波屏蔽膜整體變厚，為了配置電磁波屏蔽膜需要很大的空間。

(金屬層) 金屬層40宜例如由金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦、鋅或此等之合金等構成。若此等金屬層40由此等金屬構成，金屬層40之屏蔽性提高。 此等之中，由高頻帶電磁波之屏蔽性能優異之觀點而言，宜為銅層、銀層，由經濟性之觀點而言，則以銅為佳。

金屬層40之厚度宜為0.5~10μm、較佳為1~6μm。 若金屬層40之厚度為0.5μm以上，則在具有開口部41的同時高頻帶電磁波之屏蔽性更加良好。 再者，即使金屬層40之厚度大於10μm屏蔽性亦幾乎不會再提高，故設為10μm以下即可最大限度地發揮屏蔽性又抑制成本，還可將具備本發明之電磁波屏蔽膜的電子設備設計得較小。

金屬層40具有開口部41。 關於開口部41之平面形狀(即，從電磁波屏蔽膜上表面觀察之形狀)，可列舉：圓形、橢圓形、軌道形、多角形(例如三角形、四角形、五角形、六角形、八角形等)、星形等。其中，由開口部之形成容易性而言，宜為圓形。 又，關於剖面形狀(即，從電磁波屏蔽膜之剖面正面觀察之形狀)，可列舉：矩形、研缽狀(梯形)等。 開口部41可全部為相同形狀、亦可為二種以上不同形狀。

於金屬層40中，開口部41可按固定間隔規則性排列、亦可隨機地形成。 開口部41按固定間隔規則性配置時，其排列圖案並無限定，例如可為以下所示排列圖案。

圖3A~圖3D為俯視圖，其等示意性顯示構成本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜的金屬層中之開口部排列圖案之一例。

如圖3A所示，開口部41的排列圖案可為下述排列圖案：以縱橫連續排列正三角形之平面來看，各開口部41之中心位於正三角形之頂點。

又，如圖3B所示，開口部41的排列圖案可為下述排列圖案：以縱橫連續排列正方形之平面來看，開口部41之中心位於正方形之頂點。

又，如圖3C所示，開口部41的排列圖案可為下述排列圖案：以縱橫連續排列正方形之平面來看，開口部41之中心位於正方形之頂點及正方形之重心。

又，如圖3D所示，開口部41的排列圖案可為下述排列圖案：以縱橫連續排列正六角形之平面來看，開口部41之中心位於正六角形之頂點。

開口部41之開口面積(各開口部之面積)並無特別限定，但宜為50~75000μm ²、較佳為60~35000μm ²、更佳為70~10000μm ²。 若開口部之開口面積小於50μm ²，揮發性成分容易積存於金屬層與導電性接著劑層之間。 若開口部之開口面積大於75000μm ²，電磁波就容易穿透金屬層，屏蔽性容易降低。

於金屬層40中，開口部41之開口率並無特別限定，但宜為2.0~30%、較佳為3.6~15%、更佳為3.6~8.0%。 若開口部之開口率小於2.0%，揮發性成分容易積存於金屬層與導電性接著劑層之間。 若開口部之開口率大於30%，電磁波就容易穿透金屬層，屏蔽性容易降低。又，金屬層之強度容易降低。

(導電性接著劑層) 導電性接著劑層50可具有各向同性導電性、抑或具有各向異性導電性。 如上所述，導電性接著劑層50會與印刷配線板60之接地電路62a接觸。 若導電性接著劑層50具有各向同性導電性及各向異性導電性中任一者，即可經由導電性接著劑層50電性連接印刷配線板60之接地電路62a與電磁波屏蔽膜10之各向同性導電性接著劑層30及金屬層40。藉此，電磁波屏蔽膜10可適當地屏蔽電磁波。

相較於導電性接著劑層50具有各向同性導電性時，導電性接著劑層50具有各向異性導電性時，會更加提高由印刷配線板之訊號電路傳送之高頻訊號的傳送特性。

導電性接著劑層50包含導電性填料及接著性樹脂組成物。

導電性接著劑層50所含導電性填料及接著性樹脂組成物之較佳種類，與上述各向同性導電性接著劑層所含導電性填料及接著性樹脂組成物之較佳種類相同。

導電性接著劑層50所含導電性填料之重量比率宜為10~80重量%。 導電性接著劑層50具有各向異性導電性時，導電性接著劑層50所含導電性填料之重量比率宜為10~40重量%、較佳為15~35重量%。

導電性接著劑層50之厚度並無特別限定，可視需要適當設定，但宜為0.5~30.0μm。 若導電性接著劑層之厚度小於0.5μm，不易獲得良好的導電性。 若導電性接著劑層之厚度大於30.0μm，電磁波屏蔽膜整體變厚而變得不易處理。

(其他構成) 電磁波屏蔽膜10可於保護層20側具備支持體膜、亦可於導電性接著劑層50側具有剝離性膜。 若電磁波屏蔽膜10具有支持體膜或剝離性膜，在輸送電磁波屏蔽膜10、或製造使用有電磁波屏蔽膜10之屏蔽印刷配線板等時的作業中，電磁波屏蔽膜10變得容易處理。 再者，所述支持體膜或剝離性膜會在將電磁波屏蔽膜10配置於印刷配線板等時被剝離。

電磁波屏蔽膜10之根據JISK7129的水蒸氣穿透度，宜於溫度80℃、溼度95%RH、差壓1atm下為40g/m ²･24h以上，較佳為200g/m ²･24h以上。 若電磁波屏蔽膜10具有如此的參數，揮發性成分便容易通過金屬層40。其結果，揮發性成分不易積存於金屬層40與導電性接著劑層50之間。因此，不易因揮發性成分而破壞金屬層40與導電性接著劑層50之層間密合。

以下，就印刷配線板60之各構成之較佳材料進行說明。

印刷配線板60中，基底膜61與覆蓋膜63宜均由工程塑膠構成。例如可列舉：聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺、聚伸苯硫醚(PPS)等樹脂。

印刷配線板60中，印刷電路62可使用銅等一般的電路用材料。

基底膜61與印刷電路62可利用接著劑接著，亦可採取與所謂的無接著劑型覆銅積層板相同之方式不使用接著劑進行接合。又，覆蓋膜63可為將複數片可撓性絕緣膜利用接著劑貼合而成者、亦可藉由感光性絕緣樹脂之塗布、乾燥、曝光、顯影、熱處理等一連串方法形成。

關於將電磁波屏蔽膜10黏貼在印刷配線板60的方法，可採用以往公知之方法。 較佳方法例如為：以電磁波屏蔽膜10之導電性接著劑層50接觸印刷配線板60之覆蓋膜63之方式，將電磁波屏蔽膜10配置於印刷配線板60上之後，以150~200℃、2~5MPa、1~60分鐘之條件進行熱壓接。

接著，就本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法進行說明。 以下所說明之電磁波屏蔽膜之製造方法包含：第1積層體製作步驟，係製作依序積層支持體膜、保護層及各向同性導電性接著劑層而成的第1積層體；第2積層體製作步驟，係製作依序積層剝離性膜、導電性接著劑層及金屬層而成的第2積層體；以及，熱壓接步驟，係將第1積層體與第2積層體進行熱壓接。以下詳述各步驟。

(第1積層體製作步驟) 圖4A~圖4C為步驟圖，其等示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的第1積層體製作步驟之一例。

於第1積層體製作步驟中，首先如圖4A所示，準備表面71a經實施脫模處理之支持體膜71。經實施脫模處理之支持體膜71可使用以往公知者。 接著，如圖4B所示，於經實施脫模處理之支持體膜71的表面71a塗佈保護層用組成物，形成保護層20。

關於塗佈保護層用組成物之方法，可列舉以往公知之塗敷方法，例如可列舉：凹版塗佈方式、接觸塗佈(kiss coating)方式、模塗方式、唇塗(lip coating)方式、缺角輪塗佈(comma coating)方式、刮刀塗佈(blade coating)方式、輥塗方式、刮刀塗佈(knife coating)方式、噴塗方式、棒塗方式、旋轉塗佈方式、浸塗方式等。

接著，將導電性填料及接著性樹脂組成物混合，準備用以形成上述各向同性導電性接著劑層30之各向同性導電性接著劑。混合的導電性填料及接著性樹脂組成物之比率，設為各向同性導電性接著劑層30形成後能夠獲得各向同性導電性之比率。 然後，如圖4C所示，於保護層20上塗佈各向同性導電性接著劑，藉此形成各向同性導電性接著劑層30。 關於塗佈各向同性導電性接著劑之方法，可列舉以往公知之塗敷方法，例如可列舉：凹版塗佈方式、接觸塗佈(kiss coating)方式、模塗方式、唇塗(lip coating)方式、缺角輪塗佈(comma coating)方式、刮刀塗佈(blade coating)方式、輥塗方式、刮刀塗佈(knife coating)方式、噴塗方式、棒塗方式、旋轉塗佈方式、浸塗方式等。

經由以上步驟，可製作第1積層體81。

(第2積層體製作步驟) 圖5A~圖5D為步驟圖，其等示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的第2積層體製作步驟之一例。

於第2積層體製作步驟中，首先如圖5A所示，準備表面72a經實施脫模處理之剝離性膜72。經實施脫模處理之剝離性膜72可使用以往公知者。 接著，將導電性填料及接著性樹脂組成物混合，準備用以形成上述導電性接著劑層50之導電性接著劑。 然後，如圖5B所示，於經實施脫模處理之剝離性膜72的表面72a塗布導電性接著劑，藉此形成導電性接著劑層50。

關於塗佈導電性接著劑之方法，可列舉以往公知之塗敷方法，例如可列舉：凹版塗佈方式、接觸塗佈(kiss coating)方式、模塗方式、唇塗(lip coating)方式、缺角輪塗佈(comma coating)方式、刮刀塗佈(blade coating)方式、輥塗方式、刮刀塗佈(knife coating)方式、噴塗方式、棒塗方式、旋轉塗佈方式、浸塗方式等。

接著，如圖5C所示，於導電性接著劑層50之表面形成金屬層40。

關於形成金屬層之方法，可配置金屬箔來形成，可藉由電鍍或無電鍍覆等鍍覆形成，可藉由蒸鍍形成，亦可藉由印刷形成。 此等方法可藉由以往公知之方法進行。

接著，如圖5D所示，於金屬層40形成開口部41。 關於設置開口部41之方法並無特別限定，可列舉下述方法：於金屬層40形成抗蝕層並進行蝕刻；及，對金屬層40照射雷射。

配置金屬箔作為金屬層40時，亦可於金屬箔預先設置開口部41。 關於對金屬箔設置開口部之方法，可列舉下述方法：照射雷射、以鑽頭開孔、及藉由蝕刻開孔。

藉由蝕刻於金屬箔開孔時，亦可採用以下方法。 首先，準備金屬箔，其由對蝕刻液之溶解性低的難溶性成分、以及對蝕刻液之溶解性較難溶性成分高的易溶性成分構成。 藉由將該金屬箔浸入蝕刻液而使易溶性成分溶解，可於具有易溶性成分的部分形成開口部。 此種情況下，難溶性成分與易溶性成分之組合可舉分別為銅與氧化銅之組合。

關於所述金屬箔，宜為由氧化銅(I)與銅純度為99.9重量%以上之純銅構成的精銅(tough pitch copper)之輥軋銅箔，其中氧化銅相當於易溶性成分、純銅相當於難溶性成分。除了精銅以外，還可使用HA箔(JX金屬製)等包含氧化銅者。進而，由於藉由蝕刻輥軋銅箔就可獲得期望厚度之銅箔，故可使金屬層40之厚度高精度化。

經由以上步驟，可製作第2積層體82。

(熱壓接步驟) 接著，如圖6所示，以第1積層體81之各向同性導電性接著劑層30與第2積層體82之金屬層40接觸之方式，配置第1積層體81及第2積層體82，並進行熱壓接。 熱壓接之條件並無特別限定，但宜為80~130℃、0.01~0.50MPa、0.1~10.0秒之條件。

經由以上步驟，可製造本案第1實施形態之電磁波屏蔽膜10。 再者，該電磁波屏蔽膜10中亦配置有支持體膜71及剝離性膜72，但此等膜會在將電磁波屏蔽膜黏貼在印刷配線板時被剝離。

(第2實施形態) 圖7為示意性顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之一例的剖面圖。 圖7所示之電磁波屏蔽膜110依序積層有保護層120、金屬層140、各向同性導電性接著劑層130及各向異性導電性接著劑層155；金屬層140具有開口部141。

電磁波屏蔽膜110中，金屬層140具有開口部141。 因此，在使用電磁波屏蔽膜110製造印刷配線板時，即使產生了揮發性成分，揮發性成分亦可從金屬層140之開口部141逸出。 因此，就電磁波屏蔽膜110而言，可防止揮發性成分積存於金屬層140與各向同性導電性接著劑層130之間。其結果，於電磁波屏蔽膜110中，可防止因揮發性成分而破壞金屬層140與各向同性導電性接著劑層130之間的層間密合。

電磁波屏蔽膜110中，於金屬層140與各向異性導電性接著劑層155之間配置有各向同性導電性接著劑層130。 各向同性導電性接著劑層130的一部分將填埋形成於金屬層140之開口部141。各向同性導電性接著劑層130因為具有各向同性導電性，故作為電磁波屏蔽層而發揮功能。 因此，便可藉由各向同性導電性接著劑層130來屏蔽欲穿透已形成於金屬層140之開口部141的高頻帶電磁波。 其結果，電磁波屏蔽膜110對高頻帶電磁波之屏蔽性足夠高。

電磁波屏蔽膜110將黏貼於印刷配線板。 因此，以下用圖式說明具備電磁波屏蔽膜110之屏蔽印刷配線板。 圖8為剖面圖，其示意性顯示具備本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。

圖8所示之屏蔽印刷配線板101由印刷配線板160及黏貼在印刷配線板160之電磁波屏蔽膜110構成。 印刷配線板160由以下構成：基底膜161、配置於基底膜161上且包含接地電路162a之印刷電路162、及覆蓋印刷電路162之覆蓋膜163。再者，於覆蓋膜163中，形成有使接地電路162a露出之開口部163a。 就屏蔽印刷配線板101而言，係以電磁波屏蔽膜110之各向異性導電性接著劑層155接觸覆蓋膜163之方式黏貼。 又，電磁波屏蔽膜110之各向異性導電性接著劑層155填埋覆蓋膜163之開口部163a而與接地電路162a接觸。 因此，印刷配線板160之接地電路162a便與電磁波屏蔽膜110之金屬層40及各向同性導電性接著劑層130電性連接。藉此，電磁波屏蔽膜110可適當地屏蔽電磁波。

又，接觸接地電路162a之各向異性導電性接著劑層155因為具有各向異性導電性，所以會提高由印刷配線板160之訊號電路傳送之高頻訊號的傳送特性。

電磁波屏蔽膜110之保護層120、金屬層140及各向同性導電性接著劑層130之較佳構成，與上述電磁波屏蔽膜10之保護層20、金屬層40及各向同性導電性接著劑層30之較佳構成相同。

電磁波屏蔽膜110之各向異性導電性接著劑層155之較佳構成如下。

各向異性導電性接著劑層155包含導電性填料及接著性樹脂組成物。

各向異性導電性接著劑層155所含導電性填料並無特別限定，可為金屬微粒子、奈米碳管、碳纖維、金屬纖維等。

各向異性導電性接著劑層155所含導電性填料為金屬微粒子時，以金屬填料而言並無特別限定，可為銀粉、銅粉、鎳粉、焊粉、鋁粉、對銅粉實施鍍銀之銀包銅粉、以金屬被覆高分子微粒子或玻璃珠等而成之微粒子等。 此等之中，由經濟性之觀點而言，以可低價取得之銅粉或銀包銅粉為佳。

各向異性導電性接著劑層155所含導電性填料之形狀並無特別限定，但宜為球狀。

各向異性導電性接著劑層155所含導電性填料之平均粒徑宜為3~30μm、較佳為5~20μm。

各向異性導電性接著劑層155中，導電性填料之重量比率宜為10~40重量%、較佳為15~35重量%。 若導電性填料之重量比率小於10重量%，各向異性導電性接著劑層難以獲得充分的導電性。 若導電性填料之重量比率大於40重量%，因為導電性填料的量較多，恐將成為具有各向同性導電性之接著劑層。

(其他構成) 電磁波屏蔽膜110中，亦可於保護層120與金屬層140之間形成有錨固層。 關於錨固層之材料，可列舉：胺甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、以胺甲酸酯樹脂為殼且丙烯酸樹脂為核之核殼型複合樹脂、環氧樹脂、醯亞胺樹脂、醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂、酚樹脂、脲甲醛樹脂、使多異氰酸酯與苯酚等封端劑反應而獲得之封端異氰酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮等。

電磁波屏蔽膜110可於保護層120側具備支持體膜、亦可於各向異性導電性接著劑層155側具有剝離性膜。 若電磁波屏蔽膜110具有支持體膜或剝離性膜，在輸送電磁波屏蔽膜110、或製造使用有電磁波屏蔽膜10之屏蔽印刷配線板等時的作業中，電磁波屏蔽膜110變得容易處理。 再者，所述支持體膜或剝離性膜會在將電磁波屏蔽膜110配置於印刷配線板等時被剝離。

電磁波屏蔽膜110之根據JISK7129的水蒸氣穿透度，宜於溫度80℃、溼度95%RH、差壓1atm下為40g/m ²･24h以上，較佳為200g/m ²･24h以上。 若電磁波屏蔽膜110具有如此的參數，揮發性成分便容易通過金屬層。其結果，揮發性成分不易積存於金屬層140與各向同性導電性接著劑層130之間。因此，不易因揮發性成分而破壞金屬層140與各向同性導電性接著劑層130之層間密合。

上述印刷配線板160之各構成之較佳材料與上述印刷配線板60之各構成之較佳材料相同。

電磁波屏蔽膜110可藉由下述方法來製造：在上述電磁波屏蔽膜10之製造方法之第1積層體製作步驟中，不形成各向同性導電性接著劑層，而是在第2積層體製作步驟中，將導電性接著劑層之形成取代為依序形成各向異性導電性接著劑層及各向同性導電性接著劑層。 [實施例]

以下，顯示更具體說明本發明之實施例，但本發明並不限定於此等實施例。

(實施例1) (第1積層體製作步驟) 準備經實施脫模處理之由聚對苯二甲酸乙二酯構成之支持體膜。

接著，於支持體膜表面，以厚度成為5μm之方式塗佈由環氧樹脂構成之樹脂組成物，形成保護層。

接著，將35重量%之作為接著性樹脂組成物之環氧樹脂與65重量%之作為導電性填料之銅粉1進行混合，準備各向同性導電性接著劑。

接著，於保護層上，以厚度成為5μm之方式塗敷該各向同性導電性接著劑。關於塗敷方法，則使用唇塗方式。

經由以上步驟，製作出實施例1之第1積層體。

(第2積層體製作步驟) 準備經實施脫模處理之由聚對苯二甲酸乙二酯構成之剝離性膜。

接著，將80重量%之作為接著性樹脂組成物之含磷環氧樹脂與20重量%之作為導電性填料之銀包銅粉進行混合，準備導電性接著劑。

接著，於支持體膜表面，以厚度成為15μm之方式塗佈導電性接著劑，形成導電性接著劑層。

接著，準備厚度為2μm之銅箔。然後，利用鑽頭於銅箔以成為下述排列之方式形成直徑為50μm之圓形開口部。 即，開口部形成為下述形態：以縱橫連續排列1邊250μm之正方形的平面來看，開口部之中心位於正方形之頂點及正方形之重心。 開口部之開口面積為1970μm ²。 銅箔之開口率為6.28%。

接著，將具有開口部之銅箔配置於導電性接著劑層上來作為金屬層。

經由以上步驟，製作出實施例1之第2積層體。

(熱壓接步驟) 接著，以第1積層體之各向同性導電性接著劑層與第2積層體之金屬層接觸之方式配置第1積層體及第2積層體。 然後，以120℃、0.5MPa、5秒之條件進行熱壓接。

經由以上步驟，製成實施例1之電磁波屏蔽膜。

(實施例2)~(實施例10) 除了將各向同性導電性接著劑層所含導電性填料及厚度如表1所示地變更以外，以與實施例1相同方法製成實施例2~實施例10之電磁波屏蔽膜。 表1所示之銅粉1及銅粉2係使用以下之物。 銅粉1：形狀為小片狀且平均長徑為5μm者 銅粉2：形狀為樹枝狀且平均長徑為8μm者

[表1]

(比較例1) 除了不形成各向同性導電性接著劑層以外，以與實施例1相同方法製成比較例1之電磁波屏蔽膜。

(比較例2) 準備經實施脫模處理之由聚對苯二甲酸乙二酯構成之支持體膜。 於支持體膜表面，以厚度成為5μm之方式塗佈由環氧樹脂構成之樹脂組成物，形成保護層。

接著，藉由蒸鍍法於保護層上形成厚度為0.1μm之銀蒸鍍層。

接著，於銀蒸鍍層上，利用銀糊料以按照5.5%開口率形成圓形且開口面積為1505μm ²之開口部之方式形成鍍覆觸媒層。再者，鍍覆觸媒層之厚度為30nm。開口部之形狀為圓形，開口部之排列圖案作成如呈千鳥狀之排列圖案。 接著，藉由無電鍍覆於鍍覆觸媒層上形成0.5μm之無電銅鍍覆膜。 接著，將上述獲得的無電銅鍍覆膜設置在陰極，並在陽極設置含磷銅，使用含硫酸銅之電鍍液以電流密度2.5A/dm ²進行30分鐘的電鍍，藉此形成合計厚度為2.0μm之具有開口部的銅鍍覆層。

接著，將80重量%之作為接著性樹脂組成物之含磷環氧樹脂與20重量%之作為導電性填料之銀包銅粉進行混合，準備導電性接著劑。 然後，在銅鍍覆層上以厚度成為15μm之方式塗敷該導電性接著劑。關於塗敷方法，則使用唇塗方式。 然後，於100℃下實施30秒加熱處理，藉此使塗膜之溶劑成分揮發而形成導電性接著劑層。 依如上所述方式，製成依序積層有保護層、銀蒸鍍層、具有開口部之銅鍍覆層、導電性接著劑層的比較例2的電磁波屏蔽膜。

(比較例3) 除了將形成之銅鍍覆層如表2所示地變更以外，以與比較例2相同方法製成比較例3之電磁波屏蔽膜。

[表2]

(屏蔽性評價) 關於各電磁波屏蔽膜之屏蔽性，就1GHz、2GHz、5GHz及10GHz利用同軸管法進行測定。將結果顯示於表1~2。 再者，在同軸管法之測定中，係根據ASTM D4935在溫度25℃、相對溼度30~50%之條件下，使用KEYCOM公司之同軸管型屏蔽效應測定系統，測定出各頻率之電磁波因各電磁波屏蔽膜而衰減的衰減量。

(層間剝離評價) 藉由以下方法進行各電磁波屏蔽膜之層間剝離評價。 首先，將各電磁波屏蔽膜藉由熱壓黏貼在印刷配線板上。 接著，將該屏蔽印刷配線板於23℃、63%RH之無塵室內放置7天後，曝露於回流時之溫度條件下30秒，然後評價有無層間剝離。再者，關於回流時之溫度條件，係假設無鉛焊料，並設定最高265℃之溫度曲線。又，層間剝離之有無是使屏蔽印刷配線板通過大氣回流5次，利用目視觀察有無膨脹。將結果顯示於表1~2。 評價基準如下。 〇：在層間剝離評價中未產生膨脹。 ╳：在層間剝離評價中產生了膨脹。

(各向同性導電性接著劑層之加工性之評價) 按以下基準評價製造各實施例及各比較例之電磁波屏蔽膜時各向同性導電性接著劑層之加工性。 〇：塗敷後各向同性導電性接著劑層之厚度為均勻。 △：塗敷後各向同性導電性接著劑層之厚度為不均勻，但在製造電磁波屏蔽膜上是可以容許的。 ╳：各向同性導電性接著劑層的塗敷很困難。

如表1所示，各實施例之電磁波屏蔽膜顯示對高頻帶(超過1GHz之頻帶)電磁波之屏蔽性足夠高。 進而，各實施例之電磁波屏蔽膜顯示揮發性成分不易積存於金屬層與導電性接著劑層之間，不易破壞金屬層與導電性接著劑層之間的層間密合。 此外還顯示，若各向同性導電性接著劑層之厚度較厚、或各向同性導電性接著劑層所含導電性填料之含量較高，則各向同性導電性接著劑層之加工性變低。

1,101:屏蔽印刷配線板 10,110:電磁波屏蔽膜 20,120:保護層 30,130:各向同性導電性接著劑層 40,140:金屬層 41,141:開口部 50:導電性接著劑層 60,160:印刷配線板 61,161:基底膜 62,162:印刷電路 62a,162a:接地電路 63,163:覆蓋膜 63a,163a:覆蓋膜之開口部 71:支持體膜 71a:支持體膜之表面 72:剝離性膜 72a:剝離性膜之表面 81:第1積層體 82:第2積層體 155:各向異性導電性接著劑層

圖1為示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之一例的剖面圖。 圖2為剖面圖，其示意性顯示具備本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。 圖3A為俯視圖，其示意性顯示構成本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜的金屬層中之開口部排列圖案之一例。 圖3B為俯視圖，其示意性顯示構成本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜的金屬層中之開口部排列圖案之一例。 圖3C為俯視圖，其示意性顯示構成本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜的金屬層中之開口部排列圖案之一例。 圖3D為俯視圖，其示意性顯示構成本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜的金屬層中之開口部排列圖案之一例。 圖4A為步驟圖，其示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的第1積層體製作步驟之一例。 圖4B為步驟圖，其示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的第1積層體製作步驟之一例。 圖4C為步驟圖，其示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的第1積層體製作步驟之一例。 圖5A為步驟圖，其示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的第2積層體製作步驟之一例。 圖5B為步驟圖，其示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的第2積層體製作步驟之一例。 圖5C為步驟圖，其示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中第2積層體製作步驟之一例。 圖5D為步驟圖，其示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的第2積層體製作步驟之一例。 圖6為步驟圖，其示意性顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之製造方法中的熱壓接步驟之一例。 圖7為示意性顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之一例的剖面圖。 圖8為剖面圖，其示意性顯示具備本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。

(無)

Claims (8)

1. 一種電磁波屏蔽膜，特徵在於： 依序積層有保護層、各向同性導電性接著劑層、金屬層及導電性接著劑層； 且前述金屬層具有開口部。
2. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其中前述各向同性導電性接著劑層包含導電性填料及接著性樹脂組成物； 前述各向同性導電性接著劑層中，前述導電性填料之重量比率大於50重量%且小於90重量%。
3. 如請求項2之電磁波屏蔽膜，其中前述導電性填料為小片狀導電性填料。
4. 如請求項1至3中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述各向同性導電性接著劑層之厚度比3μm厚且比60μm薄。
5. 一種電磁波屏蔽膜，特徵在於： 依序積層有保護層、金屬層、各向同性導電性接著劑層及各向異性導電性接著劑層； 且前述金屬層具有開口部。
6. 如請求項5之電磁波屏蔽膜，其中前述各向同性導電性接著劑層包含導電性填料及接著性樹脂組成物； 前述各向同性導電性接著劑層中，前述導電性填料之重量比率大於50重量%且小於90重量%。
7. 如請求項6之電磁波屏蔽膜，其中前述導電性填料為小片狀導電性填料。
8. 如請求項5至7中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述各向同性導電性接著劑層之厚度比3μm厚且比60μm薄。

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