TW202333211A

TW202333211A - 半導體裝置之製造方法

Info

Publication number: TW202333211A
Application number: TW111136761A
Authority: TW
Inventors: 中石康喜; 篠田智則; 根本拓; 田村桜子; 加太章生; 川田智史
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2021-09-29
Filing date: 2022-09-28
Publication date: 2023-08-16
Also published as: WO2023054318A1; JPWO2023054318A1

Abstract

本發明係關於一種半導體裝置之製造方法，其特徵為使用兩面黏著片，該兩面黏著至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑(X2)，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，該製造方法依序具有特定的步驟1～4，並於特定的時期具有能量線照射步驟。

Description

半導體裝置之製造方法

本發明係關於半導體裝置之製造方法。

在半導體裝置之製造過程，半導體晶圓經由藉由研削，薄化厚度之研削步驟、進行切斷分離而個片化之個片化步驟等，加工在半導體晶片。此時，半導體晶圓以暫時固定在暫時固定用薄片的狀態，實施指定的加工。實施指定的加工所得之半導體晶片，從暫時固定用薄片分離之後，如有必要適當地實施將半導體晶片彼此之間隔擴大的擴張步驟、配列擴大間隔之複數個半導體晶片之再配列步驟、使半導體晶片之內外反轉之反轉步驟等後，實裝在基板。在上述各步驟，可使用適合在個別的用途之暫時固定用薄片。

專利文獻1中有揭示一種電子零件切斷時之暫時固定用之加熱剝離型黏著薄片，其係在基材之至少單面有設置含有熱膨脹性微小球之熱膨脹性黏著層。同文獻中有記載該加熱剝離型黏著薄片在電子零件切斷時，為了對被著體確保指定的大小之接觸面積，能夠發揮防止晶片脫離等之接著不良情形之接著性，另一方面，在使用後，加熱使熱膨脹性微小球膨脹，並藉由使與被著體之接觸面積減少，即能夠輕易地剝離之內容。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第3594853號公報

[發明欲解決之課題]

將暫時固定用薄片利用在加工對象物之加工時，有以於暫時固定用薄片一側之面貼附加工對象物，並於另一側的面貼附支撐體之狀態，實施指定的加工。此情況下，作為暫時固定用薄片，有使用兩面具有黏著劑層之兩面黏著片。於此，貼附加工對象物於兩面黏著片之一側的面之黏著劑層，將另一側的面之黏著劑層利用熱膨脹的作用，作為降低黏著力之加熱剝離型黏著劑層，將設置加熱剝離型黏著劑層的面貼附在支撐體時，有難以從貼附在兩面黏著片之加工對象物的面，分離加工對象物的問題。

本發明係鑑於上述問題點而完成者，以提供一種半導體裝置之製造方法作為目的，該製造方法係將加工對象物貼附於兩面黏著片之一面側之外層的黏著劑層，將支撐體貼附於另一面側之外層的黏著劑層，來加工加工對象物之半導體裝置之製造方法，於加工後，可將加工對象物及支撐體輕易從兩面黏著片分離。 [用以解決課題之手段]

本發明者等發現作為兩面黏著片，係使用作為一面側之外層的黏著劑層為加熱剝離型黏著劑層，作為另一面側之外層的黏著劑層為能量線硬化性黏著劑層之兩面黏著片，在將加工對象物貼附於上述能量線硬化性黏著劑層，將支撐體貼附於上述加熱剝離型黏著劑層，來加工加工對象物之半導體裝置之製造方法，藉由以特定的時期進行用以使能量線硬化性黏著劑層硬化之能量線照射步驟，可解決上述課題，而終至完成本發明。

亦即，本發明係關於下述[1]～[12]。 [1] 一種半導體裝置之製造方法，其係使用兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，該兩面黏著片至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑層(X2)，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，該製造方法依序具有下述步驟1～4，步驟1：包含下述步驟：將加工對象物貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)的貼附加工對象物的步驟，與將支撐體貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X1)的貼附支撐體的步驟；步驟2：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來加工前述加工對象物的步驟；步驟3：將前述兩面黏著片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，來分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟；步驟4：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟，能量線照射步驟：以前述熱膨脹性粒子不膨脹之方式，對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。 [2] 一種半導體裝置之製造方法，其係使用兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，該兩面黏著片至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑層(X2)，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，該製造方法依序具有下述步驟1～4，步驟1：包含下述步驟：將加工對象物貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)的貼附加工對象物的步驟，與將支撐體貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X1)的貼附支撐體的步驟；步驟2：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來加工前述加工對象物的步驟；步驟3：將前述兩面黏著片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，來分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟；步驟4：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟，能量線照射步驟：以前述熱膨脹性層之溫度不超過比前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)低5℃之溫度之方式，對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。 [3] 一種半導體裝置之製造方法，其係使用兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，該兩面黏著片至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑層(X2)，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，將由鹼石灰玻璃組成的厚度1.1mm的玻璃板積層至前述兩面黏著片之黏著劑層(X2)而成積層體，並以前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘來得到全光線穿透率測定用積層體(L _A)，該全光線穿透率測定用積層體(L _A)之在厚度方向之波長380nm之全光線穿透率(T _A)為未滿20%，該製造方法依序具有下述步驟1～4，步驟1：包含下述步驟：將加工對象物貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)的貼附加工對象物的步驟，與將支撐體貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X1)的貼附支撐體的步驟；步驟2：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來加工前述加工對象物的步驟；步驟3：將前述兩面黏著片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，來分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟；步驟4：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟，能量線照射步驟：對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。 [4] 如上述[1]～[3]中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，對於前述兩面黏著片以一邊施予冷卻處理一邊進行前述能量線照射步驟。 [5] 如上述[1]～[4]中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述能量線照射步驟係在填充有氣體的腔室內進行的步驟，並滿足下述要件(I)或(II)， (I)前述能量線照射步驟係於前述能量線照射步驟中使前述腔室內所填充的氣體之至少一部分取代成自前述腔室外所供給的氣體的步驟； (II)前述能量線照射步驟係進而重複對於一個兩面黏著片照射能量線後再開始對於其他的兩面黏著片照射能量線之循環，來對於複數個兩面黏著片依序照射能量線的步驟，前述重複之循環，於至少1次的循環中，在對於前述一個兩面黏著片照射能量線後至開始對前述於其他的兩面黏著片照射能量線之前，使前述腔室內所填充的氣體之至少一部分取代成自前述腔室外所供給的氣體。 [6] 如上述[1]～[5]中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟2包含將前述加工對象物研削的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在將前述加工對象物研削的步驟之前之至少任一時期進行前述能量線照射步驟。 [7] 如上述[1]～[6]中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟1係下述步驟：在前述貼附加工對象物的步驟之後進行前述貼附支撐體的步驟，並且，在前述貼附加工對象物的步驟之後且在前述貼附支撐體的步驟之前進行前述能量線照射步驟。 [8] 如上述[1]～[7]中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)以外的全部的層及前述支撐體係具有能量線穿透性，並且，在前述步驟1的貼附支撐體的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期，從前述支撐體側照射能量線來進行前述能量線照射步驟。 [9] 如上述[1]～[8]中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上、未滿125℃。 [10] 如上述[1]～[9]中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述兩面黏著片進而具有基材層(Y)，並依序具有前述黏著劑層(X1)、前述基材層(Y)與前述黏著劑層(X2)。 [11] 如上述[10]所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述黏著劑層(X1)及前述基材層(Y)中之至少任一層為前述熱膨脹性層。 [12] 如上述[1]～[11]中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟2包含將前述加工對象物研削及個片化的步驟，作為前述加工對象物的預備個片化的步驟，進而具有：在前述研削及個片化的步驟之前，對前述加工對象物的貼附於前述黏著劑層(X2)之側之面形成作為預定分割線的溝槽的步驟、或在前述研削及個片化的步驟之前，對前述加工對象物之內部形成作為預定分割線的改質區域的步驟，將前述加工對象物研削及個片化的步驟係下述步驟：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來將前述加工對象物的與貼附於前述黏著劑層(X2)之面為相反側之面研削，以前述溝槽或前述改質區域作為起點，將前述加工對象物於前述預定分割線進行分割並個片化的步驟。 [發明效果]

藉由本發明時，可提供一種半導體裝置之製造方法作為目的，該製造方法係將加工對象物貼附於兩面黏著片之一面側之外層的黏著劑層，將支撐體貼附於另一面側之外層的黏著劑層，來加工加工對象物之半導體裝置之製造方法，於加工後，可將加工對象物及支撐體輕易從兩面黏著片分離。

在本說明書，對於較佳之數值範圍(例如含量等的範圍)，階段性所記載之下限值及上限值可分別獨立組合。例如，亦可從「較佳為10～90，更佳為30～60」之記載，組合「較佳之下限值(10)」與「更佳之上限值(60)」，定為「10～60」。

於本說明書的說明使用之圖方便上，以擴大或是簡略化成為重要部分之部來表示。因此，各構成要素之尺寸比率、數等不限於與實際相同。

本說明書所記載之作用機序為推測，並非限定發揮本發明之效果的機序者。

在本說明書，所謂「有效成分」，係意指為成為對象之組成物所含有之成分當中，去除稀釋溶劑之成分。

在本說明書，所謂「(甲基)丙烯酸」，係意指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」雙方，其他類似用語亦相同。

在本說明書，所謂「半導體裝置」，係意指藉由利用半導體特性，可進行機能之裝置全般。作為半導體裝置，例如可列舉具備積體電路之晶圓、具備積體電路之經薄化的晶圓、具備積體電路之晶片、具備積體電路之經薄化的晶片、包含此等之晶片的電子零件、具備該電子零件之電子設備類等。

在本說明書，所謂「能量線」，係意指於電磁波或荷電粒子線當中，具有能量量子者，例如可列舉紫外線、伽馬射線等之電磁放射線；電子束等之粒子放射線等。在本說明書，所謂「能量線聚合性」，係意指藉由照射能量線進行聚合之性質。又，所謂「能量線硬化性」，係意指藉由照射能量線而硬化之性質。

在本說明書，「層」為「非熱膨脹性層」或是為「熱膨脹性層」，係藉由以下之方法判斷。成為判斷的對象之層含有熱膨脹性粒子時，將該層以熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)加熱處理3分鐘。從下述式算出之體積變化率未滿5%時，該層判斷為「非熱膨脹性層」，為5%以上時，該層判斷為「熱膨脹性層」。・體積變化率(%)={(加熱處理後之前述層之體積-加熱處理前之前述層之體積)/加熱處理前之前述層之體積}×100 在本說明書，「層」為非熱膨脹性層時，從上述式算出之非熱膨脹性層之體積變化率(%)為未滿5%，較佳為未滿2%，更佳為未滿1%，再更佳為未滿0.1%，又再更佳為未滿0.01%。又，在本說明書，非熱膨脹性層未實質含有熱膨脹性粒子，成為判斷的對象之層實質上未包含熱膨脹性粒子時，該層判斷為「非熱膨脹性層」。具體而言，非熱膨脹性層中之熱膨脹性粒子的含量相對於非熱膨脹性層的全質量(100質量%)，較佳為未滿3質量%，更佳為未滿1質量%，再更佳為未滿0.1質量%，又再更佳為未滿0.01質量%，又再更佳為未滿0.001質量%，最佳為未含有熱膨脹性粒子。

在本說明書，所謂半導體晶圓之「電路面」，係意指電路所形成的面，所謂半導體晶圓之「背面」，係意指電路所未形成的面。

在本說明書，各層的厚度為在23℃之厚度，具體而言，係根據實施例所記載之方法所測定之值。

在本說明書，各層之黏著力係意指對於矽鏡晶圓的鏡面之黏著力，係意指於23℃、50%RH(相對濕度)的環境下，根據JIS Z0237：2000，藉由180°剝離法，在拉伸速度300mm/min所測定之黏著力。

在本說明書，質量平均分子量(Mw)係以凝膠滲透層析(GPC)法測定之標準聚苯乙烯換算之值，具體而言，係根據實施例所記載之方法所測定之值。

在本說明書，全光線穿透率係藉由紫外可見分光法，測定穿透光譜所得之值，具體而言，係根據實施例所記載之方法所測定之值。

[半導體裝置之製造方法] 本發明之第一態樣之半導體裝置之製造方法(以下，亦稱為「第一態樣之製造方法」)，其係使用兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，該兩面黏著片至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑層，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，該製造方法依序具有下述步驟1～4，步驟1：包含下述步驟：將加工對象物貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)的貼附加工對象物的步驟，與將支撐體貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X1)的貼附支撐體的步驟；步驟2：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來加工前述加工對象物的步驟；步驟3：將前述兩面黏著片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，來分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟；步驟4：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟，能量線照射步驟：以前述熱膨脹性粒子不膨脹之方式，對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。

本發明之第二態樣之半導體裝置之製造方法(以下，亦稱為「第二態樣之製造方法」)，其係使用上述兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，依序具有上述步驟1～4，在步驟1之貼附加工對象物的步驟之後且於步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟。能量線照射步驟：以前述熱膨脹性層之溫度不超過比前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)低5℃之溫度之方式，對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。

本發明之第三態樣之半導體裝置之製造方法(以下，亦稱為「第三態樣之製造方法」)，其係使用兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，該兩面黏著片至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑層(X2)，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，將由鹼石灰玻璃組成的厚度1.1mm的玻璃板積層至前述兩面黏著片之黏著劑層(X2)而成積層體，並以前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘來得到全光線穿透率測定用積層體(L _A)，該全光線穿透率測定用積層體(L _A)之在厚度方向之波長380nm之全光線穿透率(T _A)為未滿20%，該製造方法依序具有上述步驟1～4，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟，能量線照射步驟：對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。

尚，以下之說明除非另有規定，定為對於第一態樣、第二態樣及第三態樣之製造方法之全部進行說明者。

於本實施形態之製造方法，係使用兩面黏著片之製造方法，該兩面黏著片具有：作為一面側之外層，係加熱剝離型黏著劑層之黏著劑層(X1)，作為另一面側之外層，係能量線硬化性黏著劑層之黏著劑層(X2)，以將支撐體貼附於黏著劑層(X1)，將工對象物貼附於黏著劑層(X2)的狀態，來加工加工對象物。如此，兩面黏著片之一側的面之黏著劑層、與另一側的面之黏著劑層藉由使降低黏著力的作用機構成為不同者，進行降低任一側之黏著劑層之黏著力的處理時，可非刻意間迴避降低至另一側之黏著劑層之黏著力為止。於加工對象物之加工後，兩面黏著片雖從支撐體及加工後之加工對象物剝離，但本實施形態之製造方法係具有能量線照射步驟，該能量線照射步驟係於較將黏著劑層(X1)從支撐體加熱剝離的步驟之前，對兩面黏著片之黏著劑層(X2)照射能量線，來使黏著劑層(X2)硬化。亦即，藉由本實施形態之製造方法時，對黏著劑層(X2)照射能量線時，熱膨脹性層之熱膨脹性粒子為抑制仍然膨脹的狀態。於熱膨脹性層之熱膨脹性粒子膨脹之後，對黏著劑層(X2)照射能量線時，起因於經膨脹之熱膨脹性粒子，降低熱膨脹性層之能量線的穿透率，經照射之能量線變難以到達黏著劑層(X2)。因此，有黏著劑層(X2)的硬化變不充分的情況。另一方面，根據本實施形態之製造方法，朝向黏著劑層(X2)照射之能量線，即使透過熱膨脹性層，亦可良好地到達黏著劑層(X2)。其結果，可有效率地硬化黏著劑層(X2)，加工後之加工對象物可輕易從黏著劑層(X2)分離。

以下，初次對於使用在第一態樣、第二態樣及第三態樣之製造方法的兩面黏著片進行說明，然後，對於各步驟進行說明。

[兩面黏著片] 使用在本實施形態之製造方法的兩面黏著片(以下，亦稱為「本實施形態之兩面黏著片」)，至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)、與作為另一面側之外層的黏著劑層(X2)，黏著劑層(X2)為能量線硬化性黏著劑層，黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層。

本實施形態之兩面黏著片從簡單化構成的觀點來看，雖亦可為僅具有黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)者，但從提高兩面黏著片之自我支撐性，提昇兩面黏著片之操作性及加工對象物之加工精度的觀點來看，較佳為進一步具有基材層(Y)，並依序具有黏著劑層(X1)、與基材層(Y)、與黏著劑層(X2)者。

圖1(a)及(b)中表示本實施形態之兩面黏著片之剖面示意圖。圖1(a)所示之兩面黏著片1a為僅具有黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)之兩面黏著片。圖1(b)所示之兩面黏著片1b為依序具有黏著劑層(X1)、與基材層(Y)、與黏著劑層(X2)的兩面黏著片。

＜熱膨脹性層＞本實施形態之兩面黏著片係黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層。熱膨脹性層之數雖可為1層，亦可為2層以上，但較佳為1層。熱膨脹性層可為黏著劑層(X1)，亦可為黏著劑層(X1)以外的層。本實施形態之兩面黏著片具有基材層(Y)時，較佳為黏著劑層(X1)及基材層(Y)當中之至少任一者為熱膨脹性層，更佳為基材層(Y)為熱膨脹性層。基材層(Y)為熱膨脹性層時，有起因於熱膨脹前之熱膨脹性粒子的凹凸變難以表出至黏著劑層(X1)的表面，黏著劑層(X1)與支撐體的密著性容易變良好的傾向。

熱膨脹性層的厚度雖有必要本實施形態之兩面黏著片所具有之各層當中，因應任一層是否為熱膨脹性層來適當決定，但從提昇加熱剝離時之剝離性的觀點，並從以長條的狀態製造兩面黏著片時之捲繞適性的觀點等來看，較佳為15～250μm，更佳為50～225μm，再更佳為75～150μm。

(熱膨脹性粒子) 熱膨脹性粒子若為藉由加熱膨脹之粒子，則並未特別限定。熱膨脹性粒子可1種單獨使用，亦可併用2種以上。

熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)，較佳為50℃以上且未滿225℃，更佳為55～200℃，再更佳為60～180℃，又再更佳為70～155℃，又再更佳為75～130℃。熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上時，有可抑制因在將加工對象物進行加工時所發生之摩擦熱、能量線照射步驟時之反應熱等導致之非刻意膨脹的傾向。又，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)未滿225℃時，有可抑制在進行加熱剝離時之加工對象物之熱變化的傾向。又，除了上述之理由，在後述之步驟3，對加工對象物之背面貼附熱硬化性薄膜時，從抑制熱硬化性薄膜的非刻意之硬化反應的進行的觀點等來看，較佳為降低熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)，具體而言，可定為50℃以上且未滿125℃，較佳可定為70～110℃的範圍。

尚，在本說明書，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)，係意指根據以下之方法所測定之值。 ≪熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)之測定法≫ 製作於直徑6.0mm(內徑5.65mm)、深度4.8mm之鋁杯，加入成為測定對象之熱膨脹性粒子0.5mg，並從其上，放上鋁蓋(直徑5.6mm、厚度0.1mm)的試料。使用動態黏彈性測定裝置，於該試料從鋁蓋上部，以藉由增壓器加入0.01N之力的狀態，測定試料的高度。而且，以藉由增壓器加入0.01N之力的狀態，以10℃/min的昇溫速度從20℃加熱至300℃，測定在增壓器之垂直方向的變位量，並將對正方向之變位開始溫度定為膨脹開始溫度(t)。

熱膨脹性粒子較佳為由外殼與內包成分所構成之微膠囊化化發泡劑，該外殼係由熱塑性樹脂所構成，該內包成分係內包在該外殼，且加熱至指定的溫度為止時氣化。作為構成微膠囊化化發泡劑的外殼之熱塑性樹脂，例如可列舉聚合聚乙烯基醇、聚乙烯縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚氯化亞乙烯、聚碸，或形成此等之熱塑性樹脂所包含之構成單位的單體的2種以上所得之共聚物等。

作為內包在微膠囊化化發泡劑之外殼的成分之內包成分，例如可列舉丙烷、丙烯、丁烯、n-丁烷、異丁烷、異戊烷、新戊烷、n-戊烷、n-己烷、異己烷、n-庚烷、n-辛烷、環丙烷、環丁烷、石油醚等之低沸點液體。此等當中，將熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)定為未滿50℃以上125℃時，內包成分較佳為丙烷、異丁烷、n-戊烷、環丙烷。內包成分可1種單獨使用，亦可併用2種以上。熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)可藉由適當選擇內包成分的種類來調整。

熱膨脹性粒子在23℃之膨脹前的平均粒子徑(D ₅₀)，較佳為3～100μm，更佳為4～70μm，再更佳為6～60μm，又再更佳為10～50μm。熱膨脹性粒子在23℃之膨脹前的90%粒子徑(D ₉₀)，較佳為10～150μm，更佳為15～100μm，再更佳為20～90μm，又再更佳為25～80μm。熱膨脹性粒子之膨脹前之平均粒子徑(D ₅₀)及90%粒子徑(D ₉₀)可分別藉由實施例所記載之方法測定。

加熱至熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上之溫度時的體積最大膨脹率，較佳為1.5～200倍，更佳為2～150倍，再更佳為2.5～120倍，又再更佳為3～100倍。

熱膨脹性層中之熱膨脹性粒子的含量，相對於熱膨脹性層的全質量(100質量%)，較佳為3～45質量%，更佳為7～40質量%，再更佳為10～35質量%。熱膨脹性粒子的含量為3質量%以上時，有提昇加熱剝離時之剝離性的傾向。又，熱膨脹性粒子的含量為45質量%以下時，有在用以形成熱膨脹性層之組成物的調製，熱膨脹性粒子與其他成分的混合變容易的傾向。

＜黏著劑層(X1)＞黏著劑層(X1)係作為在本實施形態之兩面黏著片的一面側之外層的黏著劑層。黏著劑層(X1)係起因於藉由加熱而膨脹之熱膨脹性粒子的凹凸形成在表面之層，於表面形成凹凸之黏著劑層(X1)降低與被著體的接觸面積，可輕易從被著體剝離。黏著劑層(X1)例如可由含有黏著性樹脂之黏著劑組成物(x-1)形成。

(黏著劑組成物(x-1)) 黏著劑組成物(x-1)係含有黏著性樹脂。

[黏著性樹脂] 作為黏著性樹脂，例如可列舉樹脂以單獨具有黏著性，且質量平均分子量(Mw)為1萬以上之聚合物。尚，黏著性樹脂亦可為單獨不具有黏著性，且可藉由黏著賦予劑或可塑劑的添加，來表現黏著性者。黏著性樹脂的質量平均分子量(Mw)從黏著劑層(X1)之黏著力提昇的觀點來看，較佳為1萬～200萬，更佳為2萬～150萬，再更佳為3萬～100萬。黏著性樹脂可1種單獨使用，亦可併用2種以上。

黏著性樹脂，亦可為具有1種單獨的構成單位之聚合物，亦可為具有2種以上的構成單位之共聚物。黏著性樹脂為共聚物時，共聚物之形態亦可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物之任一種。

作為黏著性樹脂，例如可列舉丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚異丁烯系樹脂、聚酯系樹脂、烯烴系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚乙烯基醚系樹脂等。此等當中，從表現黏著劑層(X1)優異之黏著力的觀點來看，較佳為黏著性樹脂含有丙烯酸系樹脂。

黏著性樹脂中之丙烯酸系樹脂的含量，相對於黏著劑組成物(x-1)所含有之黏著性樹脂的全量(100質量%)，較佳為30～100質量%，更佳為50～100質量%，再更佳為70～100質量%，又再更佳為85～100質量%。

丙烯酸系樹脂的質量平均分子量(Mw)，較佳為10萬～150萬，更佳為20萬～130萬，再更佳為35萬～120萬，又再更佳為50萬～110萬。

作為丙烯酸系樹脂，例如可列舉含有源自具有烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之聚合物、含有源自具有環狀構造之(甲基)丙烯酸酯的構成單位之聚合物等。此等當中，較佳為含有源自具有烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之聚合物，更佳為具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯(a1’)(以下，亦稱為「單體(a1’)」)的構成單位(a1)，及源自含有官能基之單體(a2’)(以下，亦稱為「單體(a2’)」)的構成單位(a2)之丙烯酸系共聚物(A1)。

單體(a1’)所具有之烷基之碳數從表現黏著劑層(X1)優異之黏著力的觀點來看，較佳為1～24，更佳為1～12，再更佳為2～10，又再更佳為4～8。尚，本說明書中，除非另有規定，「烷基」定為可為直鏈狀，亦可為分枝鏈狀者。

作為單體(a1’)，例如可列舉甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丁基(甲基)丙烯酸酯、sec-丁基(甲基)丙烯酸酯、iso-丁基(甲基)丙烯酸酯、tert-丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、月桂基(甲基)丙烯酸酯、十二烷基(甲基)丙烯酸酯、硬脂基(甲基)丙烯酸酯等。此等當中，較佳為n-丁基丙烯酸酯、2-乙基己基丙烯酸酯。單體(a1’)可1種單獨使用，亦可併用2種以上。

構成單位(a1)的含量相對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)，較佳為50～99.9質量%，更佳為60～99.0質量%，再更佳為70～97.0質量%，又再更佳為80～95.0質量%。

作為單體(a2’)所具有之官能基，例如可列舉羥基、羧基、胺基、環氧基等。亦即，作為單體(a2’)，例如可列舉含有羥基之單體、含有羧基之單體、含有胺基之單體、含有環氧基之單體等。此等當中，較佳為含有羥基之單體、含有羧基之單體，更佳為含有羥基之單體。單體(a2’)可1種單獨使用，亦可併用2種以上。

作為含有羥基之單體，例如可列舉2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯類；乙烯基醇、烯丙基醇等之不飽和醇類等之含有羥基之化合物。

作為含有羧基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸及其酐；2-(丙烯醯氧基)乙基琥珀酸酯、2-羧基乙基(甲基)丙烯酸酯等。

構成單位(a2)的含量相對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)，較佳為0.1～30質量%，更佳為0.5～20質量%，再更佳為1.0～15質量%，又再更佳為3.0～10質量%。

丙烯酸系共聚物(A1)可進一步具有源自單體(a1’)及(a2’)以外之其他單體(a3’)的構成單位(a3)。尚，在丙烯酸系共聚物(A1)，構成單位(a1)及(a2)的合計含量，相對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)，較佳為70～100質量%，更佳為80～100質量%，再更佳為90～100質量%，又再更佳為95～100質量%。

在黏著劑組成物(x-1)中之黏著性樹脂的含量，相對於黏著劑組成物(x-1)之有效成分的全量(100質量%)，較佳為35～100質量%，更佳為50～100質量%，再更佳為60～100質量%，又再更佳為70～99.5質量%。

[交聯劑] 黏著劑組成物(x-1)含有具有官能基之黏著性樹脂時，較佳為進一步含有交聯劑。交聯劑係與具有官能基之黏著性樹脂進行反應，將該官能基作為交聯起點，來交聯黏著性樹脂彼此者。

作為交聯劑，例如可列舉異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、吖丙啶系交聯劑、金屬螯合系交聯劑等。交聯劑可1種單獨使用，亦可併用2種以上。此等之交聯劑當中，從提高凝聚力，提昇黏著力的觀點、取得容易性等之觀點來看，較佳為異氰酸酯系交聯劑。作為異氰酸酯系交聯劑，例如可列舉甲伸苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯撐基二異氰酸酯等之芳香族聚異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、聯環庚烷三異氰酸酯、環伸戊基二異氰酸酯、環伸己基二異氰酸酯、甲基環伸己基二異氰酸酯、亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯、氫化二甲苯撐基二異氰酸酯等之脂環式聚異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯等之非環式脂肪族聚異氰酸酯；等之多元異氰酸酯化合物等。又，作為異氰酸酯系交聯劑，例如亦可列舉上述多元異氰酸酯化合物之三羥甲基丙烷加成型改質體、與水反應之雙縮脲型改質體、包含異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改質體等。此等當中，從抑制在加熱時之黏著劑層(X1)的彈性率的降低，並抑制源自黏著劑層(X1)的殘渣附著在支撐體的觀點來看，較佳為使用包含異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改質體，更佳為使用非環式脂肪族聚異氰酸酯之異氰脲酸酯型改質體，再更佳為使用六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯型改質體。

交聯劑的含量雖可藉由黏著性樹脂所具有之官能基之數適當調整，但相對於具有官能基之黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01～10質量份，更佳為0.03～7質量份，再更佳為0.05～5質量份。

[黏著賦予劑] 黏著劑組成物(x-1)從更加提昇黏著力的觀點來看，可進一步含有黏著賦予劑。在本說明書，所謂「黏著賦予劑」，係指其為補助性提昇黏著性樹脂的黏著力之成分，且質量平均分子量(Mw)未滿1萬者。黏著賦予劑的質量平均分子量(Mw)為未滿1萬，較佳為400～9,000，更佳為500～8,000，再更佳為800～5,000。

作為黏著賦予劑，例如可列舉共聚合於松脂系樹脂、萜烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、石油腦的熱分解生成之戊烯、異戊二烯、胡椒鹼、1,3-戊二烯等之C5餾分所得之C5系石油樹脂、共聚合於石油腦的熱分解生成之茚、乙烯基甲苯等之C9餾分所得之C9系石油樹脂、氫化此等之氫化樹脂等。

黏著賦予劑的含量相對於黏著劑組成物(x-1)之有效成分的全量(100質量%)，較佳為0.01～65質量%，更佳為0.1～50質量%，再更佳為1～40質量%，又再更佳為2～30質量%。

[黏著劑用添加劑] 黏著劑組成物(x-1)於不損害本發明之效果的範圍，除了上述各成分以外，亦可含有使用在一般的黏著劑之黏著劑用添加劑。作為黏著劑用添加劑，例如可列舉抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、防鏽劑、顏料、染料、延遲劑、反應促進劑(觸媒)、紫外線吸收劑等。尚，黏著劑用添加劑可分別單獨使用，亦可併用2種以上。

黏著劑組成物(x-1)含有黏著劑用添加劑時，個別的黏著劑用添加劑的含量，分別獨立相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.0001～20質量份，更佳為0.001～10質量份。

(聚合性組成物) 黏著劑層(X1)為熱膨脹性層時，黏著劑層(X1)雖可藉由上述之黏著劑組成物(x-1)形成，但從抑制因經塗布後之乾燥步驟導致之熱膨脹性粒子之膨脹的觀點來看，較佳為對於含有能量線聚合性成分及熱膨脹性粒子之聚合性組成物，照射能量線而形成。藉由於黏著劑層(X1)的形成使用聚合性組成物，由於不需要使用溶劑，並可省略乾燥步驟，故可選擇具有比較低的膨脹開始溫度(t)之熱膨脹性粒子。作為能量線聚合性成分，可使用例如作為上述之黏著性樹脂所說明之丙烯酸系樹脂的原料單體所列舉之各種單體。聚合性組成物從充分進行能量線聚合反應的觀點來看，較佳為含有光聚合起始劑。光聚合起始劑可使用於後述之無溶劑型樹脂組成物(y-1a)所說明之光聚合起始劑。又，聚合性組成物可含有於上述之黏著劑組成物(x-1)所說明之交聯劑、黏著賦予劑、黏著劑用添加劑等。

(使熱膨脹性層熱膨脹前之黏著劑層(X1)的黏著力) 使熱膨脹性層熱膨脹前之黏著劑層(X1)的黏著力，較佳為0.1～12.0N/25mm，更佳為0.5～9.0N/25mm，再更佳為1.0～8.0N/25mm，又再更佳為1.2～7.5N/25mm。使熱膨脹性層熱膨脹前之黏著劑層(X1)的黏著力為0.1N/25mm以上時，有可更有效果地抑制來自在暫時固定時之支撐體的非刻意剝離、位置偏移等的傾向。又，上述黏著力為12.0N/25mm以下時，可更加提昇加熱剝離時之剝離性。

(使熱膨脹性層熱膨脹後之黏著劑層(X1)的黏著力) 使熱膨脹性層熱膨脹後之黏著劑層(X1)的黏著力，較佳為1.5N/25mm以下，更佳為0.05N/25mm以下，再更佳為0.01N/25mm以下，又再更佳為0N/25mm。尚，所謂黏著力為0N/25mm，係意指在上述之黏著力之測定方法，為測定界限以下之黏著力，亦包含為了測定，固定兩面黏著片時，黏著力過小，而非刻意剝離的情況。

(黏著劑層(X1)的厚度) 黏著劑層(X1)的厚度表現良好之黏著力，並且基材層(Y)等之黏著劑層(X1)以外的層為熱膨脹性層時，從藉由加熱使該熱膨脹性層中之熱膨脹性粒子膨脹時，於黏著劑層(X1)的黏著表面良好地形成凹凸的觀點來看，較佳為3～10μm，更佳為3～8μm，再更佳為3～7μm。

＜基材層(Y)＞基材層(Y)較佳為由非黏著性的基材所構成之層。在基材層(Y)的表面之探針黏性值，通常雖未滿50mN/5mmφ，但較佳為未滿30mN/5mmφ，更佳為未滿10mN/5mmφ，再更佳為未滿5mN/5mmφ。尚，在本說明書，在基材的表面之探針黏性值，係意指藉由以下之方法所測定之值。 ≪探針黏性值之測定方法≫ 可將成為測定對象之基材切斷成一邊10mm之正方形後，於23℃、50%RH(相對濕度)的環境下，靜置24小時者作為試驗樣品，並於23℃、50%RH(相對濕度)的環境下，使用定位試驗機(日本特殊測器股份有限公司製、製品名「NTS-4800」)，將在試驗樣品的表面之探針黏性值依照JIS Z0237：1991測定。具體而言，可將直徑5mm之不鏽鋼製之探針以1秒、接觸荷重0.98N/cm ²與試驗樣品的表面接觸後，將該探針以10mm/秒的速度，測定從試驗樣品的表面分離所需要的力量，並將所得之值定為該試驗樣品之探針黏性值。

基材層(Y)中從提昇與其他層之層間密著性的觀點來看，可實施例如藉由氧化法、凹凸化法等之表面處理、易接著處理或底漆處理。作為氧化法，例如可列舉電暈放電處理、電漿放電處理、鉻酸處理(濕式)、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，作為凹凸化法，例如可列舉噴砂法、溶劑處理法等。

基材層(Y)可為熱膨脹性層(以下，亦稱為「熱膨脹性基材層(Y1)」)，亦可為非熱膨脹性層(以下，亦稱為「非熱膨脹性基材層(Y2)」)。基材層(Y)包含熱膨脹性基材層(Y1)時，從將因熱膨脹性粒子之膨脹導致之熱膨脹性基材層(Y1)的變形良好地傳導到黏著劑層(X1)的觀點來看，較佳為與熱膨脹性基材層(Y1)一同包含非熱膨脹性基材層(Y2)。亦即，本實施形態之兩面黏著片較佳為依序具有黏著劑層(X1)、與熱膨脹性基材層(Y1)、與非熱膨脹性基材層(Y2)、與黏著劑層(X2)。於圖2表示具有依序積層黏著劑層(X1)、與熱膨脹性基材層(Y1)、與非熱膨脹性基材層(Y2)、與黏著劑層(X2)的積層構造之兩面黏著片1c的剖面示意圖。

＜熱膨脹性基材層(Y1)＞熱膨脹性基材層(Y1)可由例如含有樹脂及熱膨脹性粒子之樹脂組成物(y-1)形成。

(樹脂組成物(y-1)) 樹脂組成物(y-1)係含有樹脂及熱膨脹性粒子之樹脂組成物。

[樹脂] 樹脂可為非黏著性樹脂，亦可為黏著性樹脂。樹脂組成物(y-1)所含有之樹脂即使為黏著性樹脂，亦可在從樹脂組成物(y-1)，形成熱膨脹性基材層(Y1)的過程，黏著性樹脂與聚合性化合物聚合反應，所得之樹脂成為非黏著性樹脂，熱膨脹性基材層(Y1)為非黏著性即可。樹脂可1種單獨使用，亦可併用2種以上。

樹脂的質量平均分子量(Mw)，較佳為1,000～100萬，更佳為1,000～70萬，再更佳為1,000～50萬。

樹脂可為具有1種單獨的構成單位之聚合物，亦可為具有2種以上的構成單位之共聚物。樹脂為共聚物時，共聚物之形態亦可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物之任一種。

作為樹脂組成物(y-1)所含有之樹脂，從於黏著劑層(X1)的黏著表面容易形成凹凸的觀點，及使得熱膨脹後之薄片形狀維持性變良好的觀點來看，較佳為含有選自由丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂所構成之群租中之1種以上。

≪丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂≫ 作為丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂，較佳為以下之丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂(U1)。・聚合胺基甲酸酯預聚物(UP)、與含有(甲基)丙烯酸酯之乙烯基化合物而成之丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂(U1)。尚，在本說明書，所謂預聚物，係意指為聚合單體而成之化合物，並藉由進行進一步之聚合，可構成聚合物的化合物。

作為胺基甲酸酯預聚物(UP)，可列舉多元醇與多元異氰酸酯的反應物。尚，胺基甲酸酯預聚物(UP)較佳為進一步實施使用鏈延長劑之鏈延長反應所得者。

作為成為胺基甲酸酯預聚物(UP)的原料之多元醇，例如可列舉伸烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯醯胺型多元醇、酯・醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。此等之多元醇可1種單獨使用，亦可併用2種以上。作為多元醇，較佳為二醇，更佳為酯型二醇、伸烷基型二醇、碳酸酯型二醇，再更佳為酯型二醇、碳酸酯型二醇。

作為酯型二醇，例如可列舉選自1,3-丙烷二醇、1,4-丁烷二醇、1,5-戊烷二醇、新戊二醇、1,6-己烷二醇等之烷烴二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之伸烷基二醇；等之二醇類中之1種或2種以上、與選自鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、萘二羧酸、4,4-二苯基二羧酸、二苯基甲烷-4,4’-二羧酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、雜酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸、環己烷-1,3-二羧酸、環己烷-1,4-二羧酸、六氫鄰苯二甲酸、六氫間苯二甲酸、六氫對苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸等之二羧酸及此等之酐中之1種或2種以上的縮聚物。具體而言，例如可列舉聚己二酸二乙酯二醇、聚己二酸二丁酯二醇、聚己二酸六亞甲酯二醇、聚間苯二甲酸六亞甲酯二醇、聚新己二酸戊酯二醇、聚乙烯丙烯己二酸酯二醇、聚乙烯己二酸二丁酯二醇、聚丁烯己二酸六亞甲酯二醇、聚二己二酸二乙酯二醇、聚(聚四亞甲基醚)己二酸酯二醇、聚(3-甲基伸戊基己二酸酯)二醇、聚乙烯壬二酸酯二醇、聚乙烯癸二酸酯二醇、聚壬二酸二丁酯二醇、聚癸二酸二丁酯二醇、聚新對苯二甲酸戊酯二醇等。

作為成為胺基甲酸酯預聚物(UP)的原料之多元異氰酸酯，例如可列舉芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環式聚異氰酸酯等。多元異氰酸酯可1種單獨使用，亦可併用2種以上。又，多元異氰酸酯亦可為三羥甲基丙烷加成型改質體、與水反應之雙縮脲型改質體、含有異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改質體。

此等當中，作為多元異氰酸酯，較佳為二異氰酸酯，更佳為4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、2,4-甲伸苯基二異氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯(2,6-TDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HMDI)、脂環式二異氰酸酯。

作為脂環式二異氰酸酯，例如縮可列舉3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯(異佛爾酮二異氰酸酯、IPDI)、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯等，但較佳為異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)。

胺基甲酸酯預聚物(UP)較佳為於兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚物。作為乙烯性不飽和基，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等，此等當中，較佳為(甲基)丙烯醯基。作為對直鏈胺基甲酸酯預聚物之兩末端導入乙烯性不飽和基之方法，例如可列舉使反應二醇與二異氰酸酯化合物而成之直鏈胺基甲酸酯預聚物的末端之NCO基、與羥基烷基(甲基)丙烯酸酯進行反應之方法。作為與末端之NCO基反應的羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉與作為上述之單體(a2’)所列舉之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯為相同者。

≪烯烴系樹脂≫ 烯烴系樹脂為至少具有源自烯烴單體的構成單位之聚合物。作為烯烴單體，較佳為碳數2～8之α-烯烴，具體而言，可列舉乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯等。此等當中，較佳為乙烯、丙烯。

烯烴系樹脂亦可為實施進一步選自酸改質、羥基改質及丙烯醯基改質中之1種以上的改質之改質烯烴系樹脂。

作為對於烯烴系樹脂，實施酸改質而成之酸改質烯烴系樹脂，例如可列舉於無改質之烯烴系樹脂接枝聚合不飽和羧酸或其酐而成之改質聚合物。作為不飽和羧酸或其酐，例如可列舉馬來酸、富馬酸、衣康酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫鄰苯二甲酸、烏頭酸、(甲基)丙烯酸、馬來酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降冰片烯二羧酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐等。不飽和羧酸或其酐可1種單獨使用，亦可併用2種以上。

作為對於烯烴系樹脂，實施丙烯醯基改質而成之丙烯醯基改質烯烴系樹脂，例如可列舉於主鏈之無改質的烯烴系樹脂，作為側鏈，接枝聚合烷基(甲基)丙烯酸酯而成之改質聚合物。作為烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之烷基之碳數，較佳為1～20，更佳為1～16，再更佳為1～12。作為烷基(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉與作為上述之單體(a1’)所列舉之烷基(甲基)丙烯酸酯為相同者。

作為對於烯烴系樹脂，實施羥基改質而成之羥基改質烯烴系樹脂，例如可列舉於主鏈之無改質的烯烴系樹脂，接枝聚合含有羥基之化合物而成之改質聚合物。作為含有羥基之化合物，例如可列舉與作為上述之單體(a2’)所列舉之含有羥基之化合物為相同者。

≪丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂≫ 樹脂組成物(y-1)於不損害本發明之效果的範圍，可含有丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂。作為這般的樹脂，例如可列舉聚氯化乙烯基、聚氯化亞乙烯、聚乙烯基醇等之乙烯基系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；非相當於丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂之聚胺基甲酸酯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等之聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸系樹脂；氟系樹脂等。

惟，從使得熱膨脹後之薄片形狀維持性變良好的觀點來看，樹脂組成物(y-1)中之丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂的含量以較少者較佳，以未含有更佳。樹脂組成物(y-1)含有丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂時，其含量相對於樹脂組成物(y-1)所含有之樹脂的全量(100質量%)，較佳為未滿30質量%，更佳為未滿20質量%，再更佳為未滿10質量%，又再更佳為未滿5質量%，又再更佳為未滿1質量%。

[基材用添加劑] 樹脂組成物(y-1)於不損害本發明之效果的範圍，如有必要可含有基材用添加劑。作為基材用添加劑，例如可列舉紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、潤滑劑、抗結塊劑、著色劑等。基材用添加劑可分別單獨使用，亦可併用2種以上。樹脂組成物(y-1)含有基材用添加劑時，個別的基材用添加劑的含量分別獨立相對於樹脂100質量份，較佳為0.0001～20質量份，更佳為0.001～10質量份。

樹脂組成物(y-1)可用溶劑稀釋。作為溶劑，可列舉甲苯等之芳香族烴類；乙酸乙酯等之酯類；甲基乙基酮、丙酮等之酮類；異丙基醇等之醇類等之有機溶劑。惟，與黏著劑層(X1)含有熱膨脹性粒子的情況相同，從抑制因經塗布後之乾燥步驟導致之熱膨脹性粒子之膨脹的觀點來看，較佳為含有能量線聚合性成分及熱膨脹性粒子，且對於未包含溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y-1a)，照射能量線，而形成熱膨脹性基材層(Y1)。

(無溶劑型樹脂組成物(y-1a)) 作為無溶劑型樹脂組成物(y-1a)之一態樣，可列舉摻合作為能量線聚合性成分的質量平均分子量(Mw)為50,000以下之具有乙烯性不飽和基之寡聚物(以下，亦單稱為「具有乙烯性不飽和基之寡聚物」)及能量線聚合性單體、與上述之熱膨脹性粒子而成，或是未摻合溶劑之樹脂組成物。於這般的無溶劑型樹脂組成物(y-1a)，雖未摻合溶劑，但能量線聚合性單體為有助於具有乙烯性不飽和基之寡聚物之可塑性的提昇者。藉由對無溶劑型樹脂組成物(y-1a)照射能量線，聚合具有乙烯性不飽和基之寡聚物、能量線聚合性單體等，而形成熱膨脹性基材層(Y1)。作為乙烯性不飽和基，可列舉與上述者為相同者，此等當中，較佳為(甲基)丙烯醯基。

具有乙烯性不飽和基之寡聚物的質量平均分子量(Mw)為50,000以下，較佳為1,000～50,000，更佳為2,000～40,000，再更佳為3,000～35,000，又再更佳為4,000～30,000。

作為具有乙烯性不飽和基之寡聚物，上述之樹脂組成物(y-1)所含有之樹脂當中，較佳為具有質量平均分子量(Mw)為50,000以下之乙烯性不飽和基者，其中，更佳為上述之胺基甲酸酯預聚物(UP)，再更佳為於兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚物。作為具有乙烯性不飽和基之寡聚物，亦可使用對上述之烯烴系樹脂，導入乙烯性不飽和基所得之具有乙烯性不飽和基之改質烯烴系樹脂。

在無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中，具有乙烯性不飽和基之寡聚物及能量線聚合性單體的合計含量，相對於無溶劑型樹脂組成物(y-1a)的全量(100質量%)，較佳為70～99.5質量%，更佳為75～99.2質量%，再更佳為80～98.8質量%，又再更佳為85～98.5質量%。

能量線聚合性單體為具有能量線聚合性官能基之單體。作為能量線聚合性官能基，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等之乙烯性不飽和基。此等當中，較佳為(甲基)丙烯醯基。能量線聚合性單體雖亦可為僅具有一個能量線聚合性官能基之能量線聚合性單官能單體，亦可為具有二個以上能量線聚合性官能基之能量線聚合性多官能單體，但從得到不妨礙熱膨脹性粒子之膨脹的柔軟之熱膨脹性基材層(Y1)的觀點來看，較佳為至少使用能量線聚合性單官能單體。作為能量線聚合性單官能單體，例如可列舉異冰片基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烷基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基氧基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛烷(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷丙烯酸酯等之脂環式聚合性化合物；苯基羥基丙基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、酚環氧乙烷改質丙烯酸酯等之芳香族聚合性化合物；四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、嗎啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基環己酮等之雜環式聚合性化合物等。此等當中，較佳為異冰片基(甲基)丙烯酸酯、苯基羥基丙基丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯。能量線聚合性單體可1種單獨使用，亦可併用2種以上，亦可組合能量線聚合性單官能單體、與能量線聚合性多官能單體使用。

在無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中，具有乙烯性不飽和基之寡聚物、與能量線聚合性單體的含量比[具有乙烯性不飽和基之寡聚物/能量線聚合性單體]，以質量比較佳為20/80～85/15，更佳為25/75～80/20，再更佳為30/70～75/25。

無溶劑型樹脂組成物(y-1a)從即使藉由比較低能量之能量線的照射，亦可使得充分進行硬化反應變可能的觀點來看，較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、苄基苯基硫化物、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮雙異丁腈、二苄基、二乙醯、β-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。此等當中，較佳為1-羥基環己基苯基酮。光聚合起始劑可1種單獨使用，亦可併用2種以上。光聚合起始劑的含量相對於具有乙烯性不飽和基之寡聚物及能量線聚合性單體的全量(100質量份)，較佳為0.01～5質量份，更佳為0.01～4質量份，再更佳為0.02～3質量份。

(熱膨脹性基材層(Y1)的厚度) 熱膨脹性基材層(Y1)之熱膨脹前的厚度，較佳為15～250μm，更佳為50～225μm，再更佳為75～150μm。熱膨脹性基材層(Y1)之熱膨脹前的厚度為15μm以上時，有起因於熱膨脹前之熱膨脹性粒子的凹凸難以表出至黏著劑層(X1)的表面的傾向，亦容易提昇加熱剝離時之剝離性。又，熱膨脹性基材層(Y1)之熱膨脹前的厚度為250μm以下時，有兩面黏著片之操作性優異之傾向。

＜非熱膨脹性基材層(Y2)＞作為非熱膨脹性基材層(Y2)之形成材料，例如可列舉樹脂、金屬、紙材等。作為樹脂，例如可列舉聚乙烯、聚丙烯等之聚烯烴樹脂；聚氯化乙烯基、聚氯化亞乙烯、聚乙烯基醇、乙烯-乙酸乙烯基共聚物、乙烯-乙烯基醇共聚物等之乙烯基系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；聚胺基甲酸酯、丙烯醯基改質聚胺基甲酸酯等之胺基甲酸酯樹脂；聚甲基戊烯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等之聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸系樹脂；氟系樹脂等。作為金屬，例如可列舉鋁、錫、鉻、鈦等。作為紙材，例如可列舉薄葉紙、中質紙、上質紙、含浸紙、塗層紙、銅版紙、硫酸紙、玻璃紙等。此等當中，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂。

此等之形成材料可由1種構成，亦可併用2種以上。作為併用2種以上之形成材料的非熱膨脹性基材層(Y2)，例如可列舉將紙材以聚乙烯等之熱塑性樹脂積層者、於含有樹脂之樹脂薄膜或薄片的表面形成金屬膜者等。尚，作為金屬層之形成方法，例如可列舉將上述金屬藉由真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍等之PVD法蒸鍍之方法，或將由上述金屬所構成之金屬箔使用一般的黏著劑貼附之方法等。

非熱膨脹性基材層(Y2)含有樹脂時，亦可與該樹脂一起含有亦可包含在樹脂組成物(y-1)之上述之基材用添加劑。

(非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃之儲藏彈性率E’(23)) 非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃之儲藏彈性率E’(23)，較佳為5.0×10 ⁷～5.0×10 ⁹Pa，更佳為5.0×10 ⁸～4.5×10 ⁹Pa，再更佳為1.0×10 ⁹～4.0×10 ⁹Pa。非熱膨脹性基材層(Y2)之儲藏彈性率E’(23)為5.0×10 ⁷Pa以上時，有容易提昇兩面黏著片之耐變形性的傾向。又，非熱膨脹性基材層(Y2)之儲藏彈性率E’(23)為5.0×10 ⁹Pa以下時，有兩面黏著片之操作性優異的傾向。尚，在本說明書，非熱膨脹性基材層(Y2)之儲藏彈性率E’(23)，係意指藉由實施例所記載之方法所測定之值。

(非熱膨脹性基材層(Y2)的厚度) 非熱膨脹性基材層(Y2)的厚度，較佳為5～500μm，更佳為15～300μm，再更佳為20～200μm。非熱膨脹性基材層(Y2)的厚度為5μm以上時，有容易提昇兩面黏著片之耐變形性的傾向。又，非熱膨脹性基材層(Y2)的厚度為500μm以下時，有兩面黏著片之操作性優異的傾向。

＜黏著劑層(X2)＞黏著劑層(X2)為作為在本實施形態之兩面黏著片之另一面側之外層的黏著劑層，為具有藉由照射能量線硬化之性質的能量線硬化性黏著劑層。黏著劑層(X2)可由例如含有能量線聚合性成分之黏著劑組成物(x-2)形成。

(黏著劑組成物(x-2)) 黏著劑組成物(x-2)為含有能量線聚合性成分者。作為能量線聚合性成分，較佳為含有具有能量線聚合性官能基之黏著性樹脂(以下，亦稱為「能量線聚合性黏著性樹脂」)。尚，能量線聚合性黏著性樹脂亦可為單獨未具有黏著性，並藉由黏著賦予劑或可塑劑的添加，表現黏著性者。

[能量線聚合性黏著性樹脂] 作為能量線聚合性黏著性樹脂所具有之能量線聚合性官能基，可列舉與上述者為相同者。此等當中，較佳為(甲基)丙烯醯基。能量線聚合性黏著性樹脂可1種單獨使用，亦可併用2種以上。

能量線聚合性黏著性樹脂，亦可為具有1種單獨的構成單位者，亦可為具有2種以上的構成單位之共聚物。能量線聚合性黏著性樹脂為共聚物時，共聚物之形態可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物之任一種。

作為能量線聚合性黏著性樹脂，例如可列舉具有能量線聚合性之、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂等。此等當中，較佳為具有能量線聚合性之丙烯酸系樹脂，更佳為具有能量線聚合性之丙烯酸系共聚物(以下，亦稱為「丙烯酸系共聚物(A2)」)。

丙烯酸系共聚物(A2)從更加提昇黏著劑層(X2)之黏著力的觀點來看，較佳為含有源自烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位。源自烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位，可為1種單獨或2種以上。烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之烷基之碳數，較佳為4～12，更佳為4～8，再更佳為4～6。作為烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、辛基(甲基)丙烯酸酯、異辛基(甲基)丙烯酸酯、壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、十一烷基(甲基)丙烯酸酯、十二烷基(甲基)丙烯酸酯等。此等當中，較佳為丁基(甲基)丙烯酸酯，更佳為丁基丙烯酸酯。烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯的含量，從黏著性的觀點來看，源自構成丙烯酸系共聚物(A2)之丙烯酸系單體的全構成單位中，較佳為20～80質量%，更佳為30～70質量%，再更佳為40～60質量%。

丙烯酸系共聚物(A2)從使得黏著劑層(X2)之彈性率及黏著特性變良好的觀點來看，較佳為與源自烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位一起含有源自烷基之碳數為1～3之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位。源自烷基之碳數為1～3之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位，可為1種單獨或2種以上。作為烷基之碳數為1～3之烷基(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丙基(甲基)丙烯酸酯等。此等當中，較佳為甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯，更佳為甲基丙烯酸甲酯、乙基丙烯酸酯。源自烷基之碳數為1～3之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位的含量，源自構成丙烯酸系共聚物(A2)之丙烯酸系單體的全構成單位中，較佳為1～35質量%，更佳為5～30質量%，再更佳為15～25質量%。

丙烯酸系共聚物(A2)較佳為進一步含有源自含有官能基之單體的構成單位。藉由含有源自丙烯酸系共聚物(A2)為含有官能基之單體的構成單位，可導入作為與交聯劑進行反應之交聯起點的官能基，或使得與乙烯性含有不飽和基之化合物進行反應，於丙烯酸系共聚物(A2)之側鏈導入乙烯性不飽和基變可能的官能基。源自丙烯酸系共聚物(A2)所含有之含有官能基之單體的構成單位，可為1種單獨或2種以上。

作為含有官能基之單體，例如可列舉與作為上述之單體(a2’)所列舉之含有羥基之單體、含有羧基之單體為相同者。此等當中，較佳為含有羥基之單體，更佳為2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯，再更佳為2-羥基乙基丙烯酸酯。

源自含有官能基之單體的構成單位的含量，源自構成丙烯酸系共聚物(A2)之丙烯酸系單體的全構成單位中，較佳為1～40質量%，更佳為10～35質量%，再更佳為20～30質量%。

丙烯酸系共聚物(A2)除了上述的構成單位以外，亦可含有源自可與丙烯酸系單體共聚合之其他單體的構成單位。源自丙烯酸系共聚物(A2)所含有之其他單體的構成單位，可為1種單獨或2種以上。

丙烯酸系共聚物(A2)為了賦予能量線硬化性，較佳為導入乙烯性不飽和基者。乙烯性不飽和基，可藉由例如使含有源自含有官能基之單體的構成單位之丙烯酸系共聚物(A2)的官能基、與和該官能基具有反應性之反應性取代基及具有乙烯性不飽和基之化合物(以下，亦稱為「含有不飽和基之化合物」)的反應性取代基進行反應來導入。含有不飽和基之化合物可1種單獨使用，亦可併用2種以上。

作為具有含有不飽和基之化合物的乙烯性不飽和基，可列舉與上述者為相同者，此等當中，較佳為(甲基)丙烯醯基。作為含有不飽和基之化合物所具有之反應性取代基，例如可列舉異氰酸酯基、縮水甘油基等。作為含有不飽和基之化合物，例如可列舉2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯等。此等當中，較佳為2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯，更佳為2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。

使含有源自含有官能基之單體的構成單位之丙烯酸系共聚物(A2)、與含有不飽和基之化合物進行反應時，丙烯酸系共聚物(A2)中之官能基的總數中，與含有不飽和基之化合物反應之官能基的比率，較佳為30～96莫耳%，更佳為60～94莫耳%，再更佳為80～92莫耳%。與含有不飽和基之化合物進行反應之官能基的比率為上述範圍時，可對於丙烯酸系共聚物(A2)所賦予之能量線硬化性的調整容易，並且使未與含有不飽和基之化合物反應之官能基與交聯劑進行反應，來交聯丙烯酸系共聚物(A2)。

丙烯酸系共聚物(A2)的質量平均分子量(Mw)，較佳為20萬～150萬，更佳為30萬～100萬，再更佳為40萬～60萬。丙烯酸系共聚物(A2)的質量平均分子量(Mw)為上述範圍時，有黏著力及凝聚力變更為良好的傾向。

在黏著劑組成物(x-2)中之丙烯酸系共聚物(A2)的含量相對於黏著劑組成物(x-2)之有效成分的全量(100質量%)，較佳為60～99質量%，更佳為70～95質量%，再更佳為80～90質量%。

[能量線硬化性化合物] 黏著劑組成物(x-2)以調整黏著劑層(X2)之凝聚力為目的，可進一步含有上述各成分以外之能量線硬化性化合物。能量線硬化性化合物可1種單獨使用，亦可併用2種以上。作為能量線硬化性化合物，例如可列舉可藉由能量線照射聚合硬化之單體或寡聚物。作為能量線硬化性化合物，例如可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇(甲基)丙烯酸酯等之多元(甲基)丙烯酸酯單體；胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等之寡聚物；等。此等當中，較佳為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯較佳為多官能胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。黏著劑組成物(x-2)含有能量線硬化性化合物時，能量線硬化性化合物的含量相對於能量線聚合性黏著性樹脂100質量份，較佳為1～30質量份，更佳為5～20質量份，再更佳為8～15質量份。

[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(x-2)從即使藉由比較低能量之能量線的照射，亦使得充分進行硬化反應變可能的觀點來看，較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉與於無溶劑型樹脂組成物(y-1a)的說明所列舉之光聚合起始劑為相同者。此等當中，較佳為2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮。光聚合起始劑可1種單獨使用，亦可併用2種以上。在黏著劑組成物(x-2)中之光聚合起始劑的含量，相對於能量線聚合性黏著性樹脂的全量100質量份，較佳為0.01～10質量份，更佳為0.03～5質量份，再更佳為0.05～3質量份。

[交聯劑] 能量線聚合性黏著性樹脂進一步具有能量線聚合性官能基以外之官能基者時，較佳為黏著劑組成物(x-2)進一步含有交聯劑。作為交聯劑，例如可列舉與於黏著劑組成物(x-1)的說明所列舉之交聯劑為相同者。此等當中，較佳為多元異氰酸酯化合物之三羥甲基丙烷加成型改質體，更佳為芳香族聚異氰酸酯化合物之三羥甲基丙烷加成型改質體，再更佳為甲伸苯基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成型改質體。在黏著劑組成物(x-2)中之交聯劑的含量，雖藉由能量線聚合性黏著性樹脂所具有之官能基之數適當調整，但相對於能量線聚合性黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01～10質量份，更佳為0.03～7質量份，再更佳為0.05～5質量份。

[黏著賦予劑] 黏著劑組成物(x-2)從更加提昇黏著力的觀點來看，可進一步含有黏著賦予劑。作為黏著賦予劑，例如可列舉與於黏著劑組成物(x-1)的說明所列舉之黏著賦予劑為相同者。

[黏著劑用添加劑] 黏著劑組成物(x-2)於不損害本發明之效果的範圍，除了上述之添加劑以外，亦可含有使用在一般的黏著劑之黏著劑用添加劑。作為黏著劑用添加劑，例如可列舉與於黏著劑組成物(x-1)之說明所列舉之黏著劑用添加劑為相同者。

(黏著劑層(X2)的厚度) 黏著劑層(X2)的厚度較佳為5～150μm，更佳為8～100μm，再更佳為12～70μm，又再更佳為15～50μm。黏著劑層(X2)的厚度為上述範圍時，有可良好地固定在加工對象物的傾向。

＜兩面黏著片之全光線穿透率＞如上述，本實施形態之製造方法係於硬化黏著劑層(X2)時，難以接受因膨脹後之熱膨脹性層導致之能量線穿透性的降低的影響。因此，藉由本實施形態之製造方法時，係具有即使在使用例如熱膨脹性層中之熱膨脹性粒子的含量高，或熱膨脹性層的厚度厚，因膨脹後之熱膨脹性層導致之能量線穿透性的降低較大之兩面黏著片的情況下，亦能得到黏著劑層(X2)之良好的硬化性的特徵。因此，將由鹼石灰玻璃組成的厚度1.1mm的玻璃板積層至使熱膨脹性層膨脹後之兩面黏著片之能量線穿透性的指標即兩面黏著片之黏著劑層(X2)而成積層體，並以熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘來得到全光線穿透率測定用積層體(L _A)，該全光線穿透率測定用積層體(L _A)之在厚度方向之波長380nm之全光線穿透率(T _A)，例如亦可為未滿60%，亦可為未滿50%，亦可為未滿40%，亦可為未滿30%，亦可為未滿20%，亦可為未滿15%，亦可為未滿10%。以上的範圍當中，從即使於因膨脹後之熱膨脹性層導致之能量線穿透性的降低的情況，亦可有效果地表示得到黏著劑層(X2)之良好的硬化性之所謂本實施形態之製造方法的特徵的觀點來看，較佳為兩面黏著片之全光線穿透率(T _A)較低，從該觀點來看，使用在本發明之第三態樣之製造方法的兩面黏著片，係使用上述之全光線穿透率(T _A)未滿20%之兩面黏著片。尚，作為全光線穿透率(T _A)未滿20%之兩面黏著片，如上述，除了提高熱膨脹性層中之熱膨脹性粒子的含量者，或增厚熱膨脹性層的厚度者之外，例如可列舉於基材層(Y)或黏著劑層(X1)選擇能量線穿透性低之材料時之兩面黏著片。

＜兩面黏著片之製造方法＞本實施形態之兩面黏著片之製造方法並未特別限制，可藉由例如包含黏著劑層(X1)之步驟、形成黏著劑層(X2)之步驟等的方法製造。此等的步驟之順序並未特別限定，可同時進行。

黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)可藉由例如，將黏著劑組成物(x-1)或黏著劑組成物(x-2)塗布在構成剝離薄片或基材層(Y)之基材上後，並進行乾燥來形成。將黏著劑層(X1)使用聚合性組成物形成時，可藉由將聚合性組成物塗布在構成剝離薄片或基材層(Y)之基材上後，照射能量線，形成黏著劑層(X1)。作為塗布黏著劑組成物(x-1)及黏著劑組成物(x-2)之方法，例如可列舉旋塗法、噴塗法、棒塗布法、刀塗布法、輥塗布法、刀刃塗布法、模具塗布法、凹版塗布法等。

形成在剝離薄片上之黏著劑層(X1)或黏著劑層(X2)，因應所期望之兩面黏著片的構成，例如可貼合黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)彼此，亦可將黏著劑層(X1)貼合在基材一側的面，亦可將黏著劑層(X2)貼合在基材之另一側的面。

接著，一邊參照圖3～9，一邊對於本實施形態之製造方法之各步驟進行說明。尚，於圖3～9雖表示作為兩面黏著片，係使用兩面黏著片1c，將加工對象物之半導體晶圓W藉由隱形先切割法，進行研削及個片化之實施形態，但本實施形態之製造方法並非被限定於以下之實施形態者。

＜步驟1＞步驟1係包含將加工對象物貼附於兩面黏著片所具有的黏著劑層(X2)的貼附加工對象物的步驟，與將支撐體貼附於兩面黏著片所具有的黏著劑層(X1)的貼附支撐體的步驟。

於本實施形態之製造方法，藉由加熱，將支撐體貼附於大幅降低密著性的黏著劑層(X1)。藉此，即使是支撐體由硬質之材質所構成者的情況，亦不會彎曲兩面黏著片及支撐體，並可輕易分離兩者。

(加工對象物) 作為加工對象物，例如可列舉半導體晶片、半導體晶圓、化合物半導體、半導體封裝、電子零件、LED元件、藍寶石基板、玻璃基板、顯示器、面板用基板等。此等當中，本實施形態之製造方法適合在半導體晶圓的加工。尚，為如藍寶石或玻璃之絕緣體，即使為直接與半導體裝置的半導體特性不關連之材料，只要能使用在半導體裝置，亦可成為本實施形態之加工對象物。作為半導體晶圓，例如可列舉矽晶圓；砷化鎵、碳化矽、鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鎵、銦化燐等之晶圓等。半導體晶圓之加工前的厚度通常為500～1,000μm。

(支撐體) 支撐體的材質因應加工對象物之種類、加工內容等，考量機械強度、耐熱性等所要求之特性適當選擇即可。作為支撐體的材質，例如可列舉SUS等之金屬材料；玻璃、矽晶圓等之非金屬無機材料；環氧樹脂、ABS樹脂、丙烯酸系樹脂、工程塑膠、超級工程塑膠、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等之樹脂材料；玻璃環氧樹脂等之複合材料等，此等當中，較佳為SUS、玻璃、矽晶圓。作為工程塑膠，例如可列舉尼龍、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等。作為超級工程塑膠，例如可列舉聚苯硫醚(PPS)、聚醚碸(PES)、聚醚醚酮(PEEK)等。如後述，將能量線照射步驟於步驟1之支撐體貼附步驟之後、步驟3之前之至少任一時期，從支撐體側，照射能量線進行的情況下，支撐體較佳為具有能量線穿透性者。作為具有能量線穿透性之支撐體，可列舉玻璃、樹脂材料等。另一方面，作為能量線穿透性低之支撐體，可列舉金屬材料、矽晶圓等。

支撐體較佳為貼附在黏著劑層(X1)之黏著表面的全面。因此，貼附在黏著劑層(X1)的黏著表面側之支撐體的表面的面積，較佳為黏著劑層(X1)之黏著表面的面積以上。又，較佳為貼附在黏著劑層(X1)之黏著表面側的支撐體的面為平面狀。支撐體的形狀雖並未特別限定，但較佳為板狀。支撐體的厚度雖考量所要求之特性適當選擇即可，但較佳為20μm以上50mm以下，更佳為60μm以上20mm以下。

於圖3表示於兩面黏著片1c所具有之黏著劑層(X2)貼附半導體晶圓W，於黏著劑層(X1)貼附支撐體2之剖面圖。半導體晶圓W以電路面W1成為黏著劑層(X2)側的方式貼附。

＜步驟2＞步驟2係透過兩面黏著片並以加工對象物被支撐體支撐之狀態下，來加工加工對象物之與貼附在黏著劑層(X2)的面為相反側的面的步驟。

步驟2較佳為包含對於加工對象物，實施選自研削及個片化中之1以上的加工的步驟(以下，亦稱為「形狀加工步驟」)，更佳為包含研削及個片化加工對象物的步驟。

作為形狀加工步驟，例如可列舉使用磨床等之研削處理；藉由刀刃切割法、雷射切割法、電漿切割法之個片化處理；藉由刀刃先切割法(DBG；Dicing Before Grinding)、隱形先切割法(SDBG：Stealth Dicing Before Grinding)之研削及個片化；等。此等當中，適合藉由刀刃先切割法或隱形先切割法之研削及個片化。

刀刃先切割法係預先於加工對象物之一側的面，以較其厚度更淺的深度形成預定分割線之溝槽後，背面研削至研削面至少到達溝槽為止，一邊使其薄化，一邊個片化之方法。到達研削面之溝槽，成為貫通加工對象物之凹槽，並以預定分割線進行個片化。預先形成之溝槽，可藉由例如使用具備切割刀刃之晶圓切割裝置等的切割形成。加工對象物為半導體晶圓時，溝槽形成在半導體晶圓的電路面。

隱形先切割法係藉由雷射光之照射而在半導體晶圓等之加工對象物之內部形成預定分割線之改質區域，進行研削處理，一邊薄化加工對象物，一邊進行個片化之方法。具體而言，一邊研削具有改質區域之加工對象物並使其薄化，此時一邊藉由施加在加工對象物之壓力，將該改質區域作為起點，朝向與加工對象物之黏著劑層的貼附面，使龜裂伸展，將加工對象物以預定分割線進行個片化。形成改質區域後之研削厚度，雖亦可為到達改質區域的厚度，但嚴密上即使無法到達改質區域，亦可研削至接近改質區域的位置為止，並以研削研磨石等之加工壓力割斷。改質區域為藉由多光子吸收而脆質化之部分，藉由對加工對象物之內部配合焦點之雷射光的照射形成。雷射光的入射面並未特別限定，透過兩面黏著片照射在加工對象物即可。

步驟2包含研削及個片化加工對象物的步驟時，較佳為進一步包含在研削及個片化的步驟之前，對加工對象物的貼附於黏著劑層(X2)之側之面形成作為預定分割線的溝槽的步驟，或在研削及個片化的步驟之前，對加工對象物之內部形成作為預定分割線的改質區域的步驟。而且，研削及個片化加工對象物的步驟，較佳為透過兩面黏著片並以加工對象物被支撐體支撐之狀態下，來將加工對象物的與貼附於黏著劑層(X2)之面為相反側之面研削，以上述溝槽或改質區域作為起點，將加工對象物於預定分割線進行分割並個片化的步驟。溝槽之形成方法及改質區域之形成方法，係如上述所說明。溝槽之形成係於將加工對象物貼附在本實施形態之兩面黏著片之前實施。另一方面，改質區域之形成雖可於將加工對象物貼附在本實施形態之兩面黏著片之前實施，亦可於貼附之後實施，但從將具有經脆質化之部分的加工對象物從改質區域的形成，至個片化為止之間，可保持在支撐體上的觀點來看，較佳為於貼附後實施。

在本實施形態之製造方法，研削加工對象物時，研削後之加工對象物的厚度，較佳為5～100μm，更佳為10～45μm。在本實施形態之製造方法，個片化半導體晶圓等之加工對象物，製造晶片時，在所得之晶片的平面視的大小，較佳為未滿600mm ²，更佳為未滿400mm ²，再更佳為未滿300mm ²。尚，所謂平面視，係指在厚度方向上查看。在晶片之平面視的形狀可為方形，亦可為矩形等之細長形狀。

於圖4表示對於貼附在黏著劑層(X2)的半導體晶圓W，使用雷射光照射裝置3，形成複數個改質區域4的步驟。雷射光從半導體晶圓W的背面W2側照射，於半導體晶圓W的內部略等間隔形成複數個改質區域4。

於圖5(a)及(b)表示說明一邊薄化半導體晶圓W，一邊個片化成複數個半導體晶片CP的步驟之剖面圖。如圖5(a)所示，將形成改質區域4之半導體晶圓W的背面W2藉由磨床5研削，此時，藉由施加在半導體晶圓W之壓力，產生將改質區域4作為起點之割斷。藉此，如圖5(b)所示，得到薄化及個片化半導體晶圓W之複數個半導體晶片CP。研削及個片化半導體晶圓W時，較佳為支撐體2固定在夾頭座等之固定座上。

步驟2如有必要可包含貼附半導體用膠帶於與加工對象物之黏著劑層(X2)為相反側的面的步驟(以下，亦稱為「半導體用膠帶貼附步驟」)。作為半導體用膠帶，例如可列舉固晶材料薄膜、切割膠帶等之公知的半導體用膠帶。半導體用膠帶可僅貼附1種，亦可貼附2種以上。半導體用膠帶較佳為於上述之形狀加工步驟之後，貼附在與加工對象物之黏著劑層(X2)為相反側的面，更佳為於研削及個片化上述之加工對象物的步驟之後，貼附在與經個片化之加工對象物的黏著劑層(X2)為相反側的面。

於圖6表示於複數個半導體晶片CP之與黏著劑層(X2)為相反側的面，作為固晶材料薄膜，貼附具備支撐薄片7之熱硬化性薄膜6的剖面圖。

＜能量線照射步驟＞本實施形態之製造方法其係步驟1之貼附加工對象物的步驟之後，於步驟3前之至少任一時期具有能量線照射步驟。於能量線照射步驟，對兩面黏著片之黏著劑層(X2)照射能量線，使黏著劑層(X2)硬化。加工對象物之半導體晶圓等，其本身即使能量線穿透性低，或具有能量線穿透性，亦藉由被設置在加工對象物上之電路配線或電極等，妨礙能量線的穿透。因此，於兩面黏著片，使與貼附加工對象物的面為相反側的面成為對向，照射能量線。於本實施形態之製造方法，由於在較步驟3之前進行能量線照射步驟，朝向黏著劑層(X2)照射之能量線，即使透過熱膨脹性層，亦可良好地到達黏著劑層(X2)。能量線照射步驟可僅進行1次，亦可分成複數次進行。

進行能量線照射步驟的時期，若為於步驟1之貼附加工對象物的步驟之後，於步驟3之前，則並未特別限定，例如可列舉下述之時期(a)～(c)。 (a)於步驟1之貼附加工對象物的步驟之後，步驟2之前之至少任一時期 (b)步驟2內之任一時期 (c)於步驟2之後，步驟3之前

在上述時期(a)，進行能量線照射步驟時，即使採用刀刃先切割法或隱形先切割法，在能量線照射步驟，半導體晶圓W尚未對複數個半導體晶片CP進行個片化。半導體晶圓W於對複數個半導體晶片CP進行個片化後，實施能量線照射步驟時，通過複數個半導體晶片CP彼此的間隙，能量線照射在半導體用膠帶，半導體用膠帶所具有之黏著劑為能量線反應性者的情況下，有導致反應進行之虞。藉此，產生來自半導體用膠帶之複數個半導體晶片CP的剝離等之問題。藉由將上述時期(a)作為進行能量線照射步驟的時期選擇，可防止這般的問題。上述時期(a)更具體而言，因應於步驟1進行之加工的順序，例如可選擇下述之時期(a1)～(a3)之至少任一種。 (a1)步驟1係於貼附加工對象物的步驟之後，在進行支撐體貼附步驟的步驟時，於貼附加工對象物的步驟之後，支撐體貼附步驟之前 (a2)步驟1係於貼附加工對象物的步驟之後，在進行支撐體貼附步驟的步驟時，於支撐體貼附步驟之後，步驟2之前 (a3)步驟1係與支撐體貼附步驟之後或支撐體貼附步驟同時，在進行貼附加工對象物的步驟的步驟時，於貼附加工對象物的步驟之後，步驟2之前

上述時期(b)更具體而言，因應於步驟2進行之加工內容，可選擇例如下述之時期(b1)及(b2)之至少任一種。 (b1)步驟2係於包含個片化預備步驟時，於個片化預備步驟後，於之後之研削及個片化之前 (b2)步驟2係於包含形狀加工步驟及形狀加工步驟後之半導體用膠帶貼附步驟時，於形狀加工步驟之後，於半導體用膠帶貼附步驟之前

步驟2作為形狀加工步驟，包含研削加工對象物的步驟，對上述時期(a)及(b1)之至少任一時期進行能量線照射步驟時，亦即，於較研削加工對象物的步驟之前，進行能量線照射步驟時，於研削加工對象物時，貼附在加工對象物的黏著劑層(X2)硬化，成為彈性率高的狀態。因此，有效果地抑制在研削時之加工對象物之隱沒、振動、移動等，可提昇加工對象物之加工精度。具體而言，可抑制藉由研削而薄化之加工對象物的厚度的不均、個片化時之削片等。另一方面，作為時期(c)，例如結束步驟2後，即使於用以進行步驟3之輸送前，進行能量線照射步驟的情況下，由於藉由硬化之黏著劑層(X2)，可有效果地抑制輸送時所產生之振動等，可抑制加工對象物之破損。尚，黏著劑層(X2)藉由進行能量線照射步驟，雖降低黏著力，但如研削及個片化，對於在剪斷方向或加壓方向加上力量之加工，可發揮充分之保持力。

又，於時期(a1)進行能量線照射步驟的情況下，由於在能量線照射時未貼附支撐體，故作為支撐體，可選擇能量線穿透性低者。尚，兩面黏著片所具有之黏著劑層(X2)以外之全部層及支撐體，為具有能量線穿透性者時，亦可將能量線照射步驟於步驟1之支撐體貼附步驟之後、步驟3之前之至少任一時期，從支撐體側照射能量線來進行。

藉由照射能量線，黏著劑層(X2)雖硬化，但藉由此時所發生之反應熱等，有熱膨脹性層之熱膨脹性粒子未故意膨脹的情況。尤其是藉由上述之半導體用膠帶貼附步驟，將半導體用膠帶貼附在加工對象物的情況下，為了抑制在加熱剝離時之半導體用膠帶的熱變化，有使用膨脹開始溫度(t)低之熱膨脹性粒子的情況。該情況下，有容易產生上述之非刻意膨脹的傾向。熱膨脹性粒子膨脹的兩面黏著片，不僅有較步驟3之前非刻意從支撐體剝離之虞，更有藉由區域，導致熱膨脹性粒子之膨脹的程度成為不均一，降低加工對象物之研削後之厚度精度，或於加工對象物產生裂縫、削片等的情況。又，進行個片化預備步驟時，兩面黏著片的厚度之不均一性有對雷射之照射位置的正確性帶來影響的情況。從該觀點來看，本發明之第一態樣之製造方法作為能量線照射步驟，係具有未使熱膨脹性粒子膨脹，對兩面黏著片之黏著劑層(X2)照射能量線，來使黏著劑層(X2)硬化的步驟者，本發明之第二態樣之製造方法作為能量線照射步驟，係具有以熱膨脹性層之溫度不超過比熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)低5℃之溫度之方式，對於兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使黏著劑層(X2)硬化的步驟。尚，在本發明之第一態樣之製造方法，熱膨脹性粒子未膨脹，可從例如於能量線照射步驟前後，對熱膨脹性層的厚度無變化來確認。又，在本發明之第二態樣之製造方法，比熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)低5℃之溫度，可藉由例如依照後述之實施例的[在能量線照射步驟時之黏著薄片之溫度測定]所記載之方法的方法來確認。

作為於能量線照射步驟時抑制熱膨脹性粒子之膨脹的方法，例如可列舉將能量線照射步驟對於兩面黏著片，一邊實施冷卻處理，一邊進行之方法、調整能量線的光量之方法等。

作為一邊實施冷卻處理一邊進行之方法，例如可列舉作為冷卻處理，進行使兩面黏著片所存在的環境之溫度低下之處理之方法、作為冷卻處理，進行對兩面黏著片直接或間接接觸熱傳導體的處理之方法等。

進行使兩面黏著片所存在的環境之溫度低下之處理之能量線照射步驟，較佳為在於填充有氣體的腔室內進行的步驟，滿足下述之要件(I)或(II)的步驟。 (I)能量線照射步驟係於能量線照射步驟中使腔室內所填充的氣體之至少一部分取代成自腔室外所供給的氣體的步驟。 (II)能量線照射步驟係進而重複對於一個兩面黏著片照射能量線後再開始對於其他的兩面黏著片照射能量線之循環，來對於複數個兩面黏著片依序照射能量線的步驟，該重複之循環，於至少1次的循環中，在上述對於一個兩面黏著片照射能量線後至上述開始對於其他的兩面黏著片照射能量線之前，使腔室內所填充的氣體之至少一部分取代成自腔室外所供給的氣體。

藉由滿足上述要件(I)或(II)，可降低腔室內的環境之溫度，藉此，可冷卻兩面黏著片。自腔室內之氣體及腔室外所供給之氣體雖可為空氣，亦可為氮、氬等之惰性氣體，但從使能量線硬化反應良好地進行的觀點來看，較佳為惰性氣體，更佳為氮。自腔室外所供給之氣體之溫度，若為比腔室內的環境之溫度低者即可，例如亦可為室溫，亦可冷卻至未滿室溫。在上述要件(I)，氣體的取代可於進行能量線照射之間、連續性進行，亦可斷續性進行。在上述要件(II)，進行氣體的取代之循環的時期，並未特別限定，雖可定期性進行，亦可因應腔室內的環境之溫度，不定期進行，但較佳為每1循環進行。

作為進行對兩面黏著片直接或間接接觸熱傳導體的處理之能量線照射步驟，較佳為例如以於與貼附在黏著劑層(X2)的加工對象物之黏著劑層(X2)為相反側的表面，接觸熱傳導體的狀態，進行能量線照射的步驟。熱傳導體為了提高冷卻效果，例如可為具有於內部使冷媒等流通等之人工的冷卻機構者，亦可為不具有人工的冷卻機構者。熱傳導體本身即使並未故意冷卻，亦可藉由將自與兩面黏著片的接觸面吸熱之熱從熱傳導體本身的表面自然散熱，發揮冷卻效果。熱傳導體的材質雖並未特別限定，但從熱傳導率的觀點來看，較佳為例如銅、鋁、鐵、不鏽鋼等之金屬。又，亦可設置散熱鰭片等之散熱手段。

作為調整能量線的光量之方法，例如因應能量線的種類及兩面黏著片的構成，適當選擇兩面黏著片之溫度成為熱膨脹性粒子未膨脹的範圍般的光量即可。例如，使用紫外線作為能量線時，在波長365nm的光量，從一邊抑制兩面黏著片之溫度上昇，一邊硬化黏著劑層(X2)的觀點來看，較佳為50～1,000mJ/cm ²，更佳為100～900mJ/cm ²，再更佳為300～850mJ/cm ²。又，如有必要藉由分成複數次進行能量線照射，亦可抑制兩面黏著片之溫度上昇。

使用紫外線作為能量線時，作為紫外線源，可使用例如無電極燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、LED-UV等。此等當中，從容易抑制兩面黏著片之溫度上昇的觀點來看，較佳為LED-UV。又，照射紫外線時，使用反射板時，作為反射板，可使用例如鋁鏡、冷光鏡等之公知的反射板。此等當中，從容易抑制兩面黏著片之溫度上昇的觀點來看，較佳為冷光鏡。惟，使用LED-UV等之直進性優異之紫外線源時，亦可不使用反射板。

於能量線照射步驟時抑制熱膨脹性粒子之膨脹的方法，可組合2個以上採用。例如，可進行使兩面黏著片所存在的環境之溫度低下之處理，並且調整能量線的光量。藉由此等之手段的採用等，抑制熱膨脹性層的溫度上昇雖較佳，但藉由以熱膨脹性層的溫度較佳不超過70℃的方式實施本步驟，更佳為以未超過60℃的方式實施本步驟，例如使用膨脹開始溫度(t)之值為75～105℃之熱膨脹性粒子的情況下，可有效率地抑制熱膨脹性粒子之膨脹。能量線照射時之熱膨脹性層之溫度通常為維持在5℃以上，較佳為維持在10℃以上。

＜步驟3＞步驟3係將兩面黏著片加熱至熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，來分離黏著劑層(X1)與支撐體的步驟。於圖7表示說明加熱兩面黏著片1c，分離黏著劑層(X1)與支撐體2的步驟之剖面圖。

在步驟3之加熱溫度為熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，較佳為「比膨脹開始溫度(t)高之溫度」，更佳為「膨脹開始溫度(t)+2℃」以上，再更佳為「膨脹開始溫度(t)+4℃」以上，又再更佳為「膨脹開始溫度(t)+5℃」以上。又，在步驟3之加熱溫度從抑制在省能量性及加熱剝離時之加工對象物之熱變化的觀點來看，較佳為「膨脹開始溫度(t)+50℃」以下，更佳為「膨脹開始溫度(t)+40℃」以下，再更佳為「膨脹開始溫度(t)+20℃」以下。在步驟3之加熱溫度從抑制加工對象物之熱變化的觀點來看，在膨脹開始溫度(t)以上的範圍內，較佳為未滿125℃，更佳為120℃以下，再更佳為115℃以下，又再更佳為110℃以下，又再更佳為105℃以下。

＜步驟4＞步驟4係分離黏著劑層(X2)與加工對象物的步驟。黏著劑層(X2)由於藉由能量線照射步驟而硬化，降低黏著力，故藉由公知之剝離手段，可從加工對象物輕易剝離。

於圖8表示說明分離黏著劑層(X2)與複數個半導體晶片CP的步驟之剖面圖。貼附所得之複數個半導體晶片CP的熱硬化性薄膜6，較佳為分割成與半導體晶片CP為相同形狀，而得到附熱硬化性薄膜6之半導體晶片CP。作為熱硬化性薄膜6之分割方法，可適用例如藉由雷射光之雷射切割、擴張、溶斷等之方法。於圖9表示分割成於支撐薄片7上與半導體晶片CP為相同形狀之附熱硬化性薄膜6之半導體晶片CP。

支撐薄片7上之附熱硬化性薄膜6之半導體晶片CP進而如有必要可適當實施擴張半導體晶片CP彼此的間隔的擴張步驟等後，撿起，自熱硬化性薄膜6側貼附在基板(固晶材料)。然後，藉由使熱硬化性薄膜6熱硬化，可固著半導體晶片CP與基板。 [實施例]

對於本發明，雖藉由以下之實施例具體說明，但本發明並非被限定於以下之實施例。尚，在各例之物性值係藉由以下之方法所測定之值。

[質量平均分子量(Mw)] 使用凝膠滲透層析裝置(東曹股份有限公司製、製品名「HLC-8020」)，用下述之條件下測定，使用在標準聚苯乙烯換算所測定之值。 (測定條件) ・管柱：依序連結「TSK guard column HXL-L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(皆為東曹股份有限公司製) ・管柱溫度：40℃ ・展開溶媒：四氫呋喃・流速：1.0mL/min

[各層的厚度] 使用Teclock股份有限公司製之定壓厚度測定器(型號：「PG-02J」、依據標準規格：JIS K6783、Z1702、Z1709)，在23℃測定。

[熱膨脹性粒子之平均粒子徑(D ₅₀)、90%粒子徑(D ₉₀)] 使用雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如，Malvern公司製、製品名「Mastersizer 3000」)，測定在23℃之膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子分布，並將從粒子分布的粒子徑較小者所計算之累積體積頻度相當於50%及90%之粒子徑分別定為「熱膨脹性粒子之平均粒子徑(D ₅₀)」及「熱膨脹性粒子之90%粒子徑(D ₉₀)」。

[非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃之儲藏彈性率E’(23)] 將裁斷成縱30mm×橫5mm之非熱膨脹性基材層(Y2)作為試驗樣品，使用動態黏彈性測定裝置(TAInstruments公司製、製品名「DMAQ800」)，以試驗開始溫度0℃、試驗結束溫度200℃、昇溫速度3℃/分鐘、振動數1Hz、振幅20μm的條件，測定在23℃之儲藏彈性率E’。其結果，後述之非熱膨脹性基材層(Y2)的PET薄膜在23℃之儲藏彈性率E’(23)為2.27×10 ⁹Pa。

[在厚度方向之波長380nm的全光線穿透率之測定方法] 在以下之條件，測定各測定試料的穿透光譜，取得在厚度方向之波長380nm的全光線穿透率。＜測定條件＞測定波長範圍：200～800nm 測定溫度：23℃ 測定環境：空氣測定裝置：具備積分球附屬裝置(島津製作所股份有限公司製、製品名「ISR-3100」)之紫外可見近紅外分光光度計(島津製作所股份有限公司製、製品名「UV-3600」)

[在能量線照射步驟時之黏著薄片之溫度測定] 以發現適合本實施形態之製造方法的能量線照射條件作為目的，針對藉由相對於能量線硬化型黏著劑層之能量線照射的溫度上昇進行調査。

參考例1 於12英寸規格之矽晶圓及環框，作為具有紫外線硬化性的黏著劑層之單面黏著薄片，貼附LINTEC股份有限公司製之半導體加工用薄片「D-675」。而且，於與該黏著薄片之矽晶圓接著的表面為相反側的表面上，設置溫度測定用之熱電對。熱電對之設置位置在黏著薄片之平面視，作為圓形的黏著薄片之中心。接著，作為紫外線照射裝置，係使用LINTEC股份有限公司製「RAD-2010m/12」，以在波長365nm之照度230mW/cm ²、表1所示之光量(在波長365nm者)，測定將紫外線照射在黏著薄片後之黏著薄片之溫度。尚，安裝在上述之紫外線照射裝置的UV燈為高壓水銀燈，反射板為鋁鏡。

參考例2 在參考例1，除了將反射板變更為冷光鏡之外，其他與參考例1同樣進行，將紫外線照射在黏著薄片，測定黏著薄片之溫度。將結果示於表1。

參考例3 在參考例1，除了將紫外線照射裝置變更為於365nm選擇性具有光線強度之LED-UV燈，且將照度變更為2,000 mW/cm ²之外，其他與參考例1同樣進行，將紫外線照射在黏著薄片，測定黏著薄片之溫度。尚，LED-UV燈由於對照射之紫外線有直進性，故未設置反射板。將結果示於表1。

[表1]

	燈的種類	反射板的種類	光量	黏著薄片之溫度
(mJ/cm ²)	(℃)
參考例1	高壓水銀燈	鋁鏡	400	57
800	76
參考例2	高壓水銀燈	冷光鏡	400	52
800	68
參考例3	LED-VU燈	無反射板	400	37
800	47

從表1瞭解到對於能量線硬化性黏著劑層，照射之紫外線的光量越多，越提高黏著薄片之溫度。又，藉由參考例1～3之對比，瞭解到相較鋁鏡，冷光鏡者更可抑制黏著薄片之溫度上昇，相較高壓水銀燈，LED-UV燈者更可抑制黏著薄片之溫度上昇。

[兩面黏著片之製造及全光線穿透率之測定] 接著，製造可使用在本實施形態之製造方法的兩面黏著片，並調查在使該兩面黏著片之熱膨脹性層膨脹時對全光線穿透率的影響。使用在兩面黏著片的製造之材料的細節係如以下。

(黏著性樹脂) ・丙烯酸系共聚物(A1)：具有源自由n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸(AA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)=86/8/1/5(質量比)所構成之原料單體的構成單位之含有Mw60萬之丙烯酸系共聚物的溶液、稀釋溶劑：乙酸乙酯、固體成分濃度：40質量% ・丙烯酸系共聚物(A2)：於具有源自由n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)=52/20/28(質量比)所構成之原料單體的構成單位之丙烯酸系共聚物，將2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)相對於丙烯酸系共聚物中之全羥基的附加率，以莫耳數基準成為90%的方式進行反應之含有Mw50萬之能量線硬化性的丙烯酸系共聚物的溶液、稀釋溶劑：乙酸乙酯、固體成分濃度：35質量%

(交聯劑) ・異氰酸酯系交聯劑(i)：東曹股份有限公司製、製品名「CORONATE(註冊商標)HX」、六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯型改質體、固體成分濃度：100質量% ・異氰酸酯系交聯劑(ii)：東曹股份有限公司製、製品名「CORONATE(註冊商標)L」、含有三羥甲基丙烷改質甲伸苯基二異氰酸酯之溶液、固體成分濃度：75質量%

(能量線硬化性化合物) ・能量線硬化性化合物(i)：日本合成化學工業股份有限公司製、製品名「Shikou UT-4332」、多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯

(光聚合起始劑) ・光聚合起始劑(i)：雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦・光聚合起始劑(ii)：1-羥基環己基苯基酮

(添加劑) ・酞菁系顏料

(熱膨脹性粒子) ・熱膨脹性粒子：Nouryon公司製、製品名「Expancel (註冊商標)031-40」(DU型)、膨脹開始溫度(t)= 88℃、平均粒子徑(D ₅₀)=12.6μm、90%粒子徑(D ₉₀)= 26.2μm

(剝離材) ・重剝離薄膜：LINTEC股份有限公司製、製品名「SP-PET382150」、於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的單面設置由聚矽氧系剝離劑所形成之剝離劑層者、厚度：38μm ・輕剝離薄膜：LINTEC股份有限公司製、製品名「SP-PET381031」、於PET薄膜的單面設置由聚矽氧系剝離劑所形成之剝離劑層者、厚度：38μm

＜兩面黏著片之製造＞製造例1 (黏著劑層(X1)之形成) 對丙烯酸系共聚物(A1)之固體成分100質量份摻合異氰酸酯系交聯劑(i)0.74質量份(固體成分比)，並以甲苯稀釋，均一攪拌，調製有效成分濃度25質量%的黏著劑組成物(x-1)。而且，於重剝離薄膜的剝離面上，塗布黏著劑組成物(x-1)，形成塗膜，並將該塗膜於100℃乾燥60秒，而形成厚度5μm的黏著劑層(X1)。

(黏著劑層(X2)之形成) 對丙烯酸系共聚物(A2)之固體成分100質量份摻合能量線硬化性化合物(i)12質量份(固體成分比)、異氰酸酯系交聯劑(ii)1.1質量份(固體成分比)、光聚合起始劑(i)1質量份(固體成分比)，並以甲苯稀釋，均一攪拌，調製有效成分濃度30質量%的黏著劑組成物(x-2)。而且，於輕剝離薄膜的剝離面上，塗布黏著劑組成物(x-2)，形成塗膜，並將該塗膜於100℃乾燥60秒，而形成厚度20μm的黏著劑層(X2)。

(積層熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)的基材積層體之形成) 於使酯型二醇、與異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)進行反應所得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，使2-羥基乙基丙烯酸酯反應，而得到質量平均分子量(Mw)5,000的寡聚物，即兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚物(具有乙烯性不飽和基之寡聚物)。而且，於上述合成之胺基甲酸酯預聚物40質量份(固體成分比)，作為能量線聚合性單體，係摻合異冰片基丙烯酸酯(IBXA)40質量份(固體成分比)，及苯基羥基丙基丙烯酸酯(HPPA)20質量份(固體成分比)，進而摻合環己基丙烯酸酯(CHA)20質量份(固體成分比)、光聚合起始劑(ii)2.0質量份(固體成分比)，及作為添加劑之酞菁系顏料0.2質量份(固體成分比)，來調製能量線硬化性組成物。而且，對該能量線硬化性組成物，將熱膨脹性粒子相對於所得之熱膨脹性基材層(Y1)全質量(100質量%)之熱膨脹性粒子的含量成為30質量%的方式進行摻合，來調製未含有溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y-1a)。

接著，作為非熱膨脹性基材層(Y2)，準備PET薄膜(東洋紡股份有限公司製、製品名「Cosmo Shine (註冊商標)A4300」、厚度：50μm)。於該PET薄膜的單面，將無溶劑型樹脂組成物(y-1a)以所形成之熱膨脹性基材層(Y1)的厚度成為100μm的方式進行塗布，而形成塗膜。而且，使用紫外線照射裝置(Eyegraphics股份有限公司製、製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈(Eyegraphics股份有限公司製、製品名「H04-L41」)，以照度160 mW/cm ²、光量500mJ/cm ²的條件，照射紫外線，使該塗膜硬化，而得到熱膨脹性基材層(Y1)形成在作為非熱膨脹性基材層(Y2)之PET薄膜上的基材積層體。尚，紫外線照射時之上述之照度及光量係使用照度・光量計(EIT公司製、製品名「UV Power Puck II」)所測定之值。

(附剝離材之兩面黏著片之形成) 貼合於上述形成之黏著劑層(X1)的黏著表面、與基材積層體之熱膨脹性基材層(Y1)的表面。接著，貼合於上述形成之黏著劑層(X2)的黏著表面、與基材積層體之PET薄膜的表面。藉此，製作具有以下的構成之附剝離材之兩面黏著片。＜重剝離薄膜＞/＜黏著劑層(X1)、厚度：5μm＞/＜熱膨脹性基材層(Y1)、厚度：100μm＞/＜非熱膨脹性基材層(Y2)、厚度：50μm＞/＜黏著劑層(X2)、厚度：20μm＞/＜輕剝離薄膜＞

＜全光線穿透率(T _A)及(T _B)之測定＞自於製造例1所得之附剝離材之兩面黏著片之黏著劑層(X2)，去除輕剝離薄膜，並於經表出之黏著劑層(X2)的黏著表面上，將玻璃板(鹼石灰玻璃、厚度1.1mm)使用真空層壓機(Nikko-materials股份有限公司製、製品名「V-130」)，於60℃在0.2MPa的條件，沖壓30秒並貼附，自黏著劑層(X1)，去除重剝離薄膜，製作積層熱膨脹前之兩面黏著片與玻璃板的全光線穿透率測定用積層體(L _B)。又，將以與上述為相同方法製作之全光線穿透率測定用積層體(L _B)成為玻璃板與熱板接觸之側，以兩面黏著片成為未與熱板接觸之側的方式，載置在熱板上，並以110℃(亦即，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)的88℃+22℃之溫度)加熱1分鐘。藉此，製作積層熱膨脹後之兩面黏著片與玻璃板的全光線穿透率測定用積層體(L _A)。將上述製作之全光線穿透率測定用積層體(L _A)及全光線穿透率測定用積層體(L _B)作為測定試料，在上述之條件，將光線的入射面作為黏著劑層(X1)側的面，測定在兩面黏著片的厚度方向之波長380nm的全光線穿透率。其結果，積層熱膨脹前之兩面黏著片與玻璃板的全光線穿透率測定用積層體(L _B)之全光線穿透率(T _B)之值為40.1%，積層熱膨脹後之兩面黏著片與玻璃板的全光線穿透率測定用積層體(L _A)之全光線穿透率(T _A)之值為15.2%。由以上之結果，瞭解到製造例1之兩面黏著片於加熱剝離後，大幅降低紫外線的穿透性。因此，即使於加熱剝離後透過熱膨脹性層，對於黏著劑層(X2)，照射紫外線，充分使黏著劑層(X2)硬化有困難。另一方面，於本實施形態之製造方法，如於製造例1所得之兩面黏著片，即使在使用於加熱剝離後大幅降低紫外線的穿透性之兩面黏著片的情況下，由於對黏著劑層(X2)照射紫外線時，抑制熱膨脹性層之膨脹，故亦可充分使黏著劑層(X2)硬化。

1a,1b,1c:兩面黏著片 2:支撐體 3:雷射光照射裝置 4:改質區域 5:磨床 6:熱硬化性薄膜 7:支撐薄片 W:半導體晶圓 W1:半導體晶圓的電路面 W2:半導體晶圓的背面 CP:半導體晶片 (X1):黏著劑層(X1) (X2):黏著劑層(X2) (Y):基材層(Y) (Y1):熱膨脹性基材層(Y1) (Y2):非熱膨脹性基材層(Y2)

[圖1]表示使用在本發明之製造方法的兩面黏著片的構成之一例的剖面圖。 [圖2]表示使用在本發明之製造方法的兩面黏著片的構成之另一例的剖面圖。 [圖3]說明本發明之半導體裝置之製造方法的步驟之一例的剖面圖。 [圖4]說明本發明之半導體裝置之製造方法的步驟之一例的剖面圖。 [圖5]說明本發明之半導體裝置之製造方法的步驟之一例的剖面圖。 [圖6]說明本發明之半導體裝置之製造方法的步驟之一例的剖面圖。 [圖7]說明本發明之半導體裝置之製造方法的步驟之一例的剖面圖。 [圖8]說明本發明之半導體裝置之製造方法的步驟之一例的剖面圖。 [圖9]說明本發明之半導體裝置之製造方法的步驟之一例的剖面圖。

1a,1b:兩面黏著片

(X1):黏著劑層(X1)

(X2):黏著劑層(X2)

(Y):基材層(Y)

Claims

一種半導體裝置之製造方法，其係使用兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，該兩面黏著片至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑層(X2)，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，該製造方法依序具有下述步驟1～4，步驟1：包含下述步驟：將加工對象物貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)的貼附加工對象物的步驟，與將支撐體貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X1)的貼附支撐體的步驟；步驟2：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來加工前述加工對象物的步驟；步驟3：將前述兩面黏著片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，來分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟；步驟4：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟，能量線照射步驟：以前述熱膨脹性粒子不膨脹之方式，對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其係使用兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，該兩面黏著片至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑層(X2)，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，該製造方法依序具有下述步驟1～4，步驟1：包含下述步驟：將加工對象物貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)的貼附加工對象物的步驟，與將支撐體貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X1)的貼附支撐體的步驟；步驟2：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來加工前述加工對象物的步驟；步驟3：將前述兩面黏著片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，來分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟；步驟4：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟，能量線照射步驟：以前述熱膨脹性層之溫度不超過比前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)低5℃之溫度之方式，對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其係使用兩面黏著片的半導體裝置之製造方法，該兩面黏著片至少具有作為一面側之外層的黏著劑層(X1)與作為另一面側之外層的黏著劑層(X2)，前述黏著劑層(X2)係能量線硬化性黏著劑層，前述黏著劑層(X2)以外的層之至少任一層係含有熱膨脹性粒子的熱膨脹性層，將由鹼石灰玻璃組成的厚度1.1mm的玻璃板積層至前述兩面黏著片之黏著劑層(X2)而成積層體，並以前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘來得到全光線穿透率測定用積層體(L _A)，該全光線穿透率測定用積層體(L _A)之在厚度方向之波長380nm之全光線穿透率(T _A)為未滿20%，該製造方法依序具有下述步驟1～4，步驟1：包含下述步驟：將加工對象物貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)的貼附加工對象物的步驟，與將支撐體貼附於前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X1)的貼附支撐體的步驟；步驟2：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來加工前述加工對象物的步驟；步驟3：將前述兩面黏著片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，來分離前述黏著劑層(X1)與前述支撐體的步驟；步驟4：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期具有下述能量線照射步驟，能量線照射步驟：對於前述兩面黏著片之前述黏著劑層(X2)照射能量線，來使前述黏著劑層(X2)硬化的步驟。
如請求項1～3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中，對於前述兩面黏著片以一邊施予冷卻處理一邊進行前述能量線照射步驟。
如請求項1～3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中，前述能量線照射步驟係在填充有氣體的腔室內進行的步驟，並滿足下述要件(I)或(II)， (I)前述能量線照射步驟係於前述能量線照射步驟中使前述腔室內所填充的氣體之至少一部分取代成自前述腔室外所供給的氣體的步驟； (II)前述能量線照射步驟係進而重複對於一個兩面黏著片照射能量線後再開始對於其他的兩面黏著片照射能量線之循環，來對於複數個兩面黏著片依序照射能量線的步驟，前述重複之循環，於至少1次的循環中，在對於前述一個兩面黏著片照射能量線後至開始對於前述其他的兩面黏著片照射能量線之前，使前述腔室內所填充的氣體之至少一部分取代成自前述腔室外所供給的氣體。
如請求項1～3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟2包含將前述加工對象物研削的步驟，在前述步驟1的貼附加工對象物的步驟之後且在將前述加工對象物研削的步驟之前之至少任一時期進行前述能量線照射步驟。
如請求項1～3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟1係下述步驟：在前述貼附加工對象物的步驟之後進行前述貼附支撐體的步驟，並且，在前述貼附加工對象物的步驟之後且在前述貼附支撐體的步驟之前進行前述能量線照射步驟。
如請求項1～3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中，前述兩面黏著片所具有的前述黏著劑層(X2)以外的全部的層及前述支撐體係具有能量線穿透性，並且，在前述步驟1的貼附支撐體的步驟之後且在前述步驟3之前之至少任一時期，從前述支撐體側照射能量線來進行前述能量線照射步驟。
如請求項1～3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上、未滿125℃。
如請求項1～3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中，前述兩面黏著片進而具有基材層(Y)，並依序具有前述黏著劑層(X1)、前述基材層(Y)與前述黏著劑層(X2)。
如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中，前述黏著劑層(X1)及前述基材層(Y)中之至少任一層為前述熱膨脹性層。
如請求項1～3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟2包含將前述加工對象物研削及個片化的步驟，作為前述加工對象物的預備個片化的步驟，進而具有：在前述研削及個片化的步驟之前，對前述加工對象物的貼附於前述黏著劑層(X2)之側之面形成作為預定分割線的溝槽的步驟、或在前述研削及個片化的步驟之前，對前述加工對象物之內部形成作為預定分割線的改質區域的步驟，將前述加工對象物研削及個片化的步驟係下述步驟：透過前述兩面黏著片並以前述加工對象物被前述支撐體支撐之狀態下，來將前述加工對象物的與貼附於前述黏著劑層(X2)之面為相反側之面研削，以前述溝槽或前述改質區域作為起點，將前述加工對象物於前述預定分割線進行分割並個片化的步驟。