TW202301666A

TW202301666A - 顯示裝置

Info

Publication number: TW202301666A
Application number: TW111109068A
Authority: TW
Inventors: 金志允
Original assignee: 南韓商三星顯示器有限公司
Priority date: 2021-03-11
Filing date: 2022-03-11
Publication date: 2023-01-01
Also published as: KR20220128534A; CN115132784A; EP4068409B1; EP4068409A3; CN217334097U; EP4068409A2; US20220293701A1; EP4539121A1

Abstract

一種顯示裝置，包含：基底層；第一電極，其位於基底層的上方；擋牆，其位於基底層的上方；發光元件，其包含位於第一電極的上方的耦合電極層；以及，第二電極，其位於發光元件的上方。並且，第一電極與擋牆彼此間隔開。

Description

顯示裝置

相關申請之交互參照

本申請主張於2021年3月11日提交至韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office，KIPO)的韓國專利申請案號10-2021-0032301的優先權，其全部內容透過引用合併於此。

本揭露的各種實施例涉及一種顯示裝置。

隨著對資訊顯示器的興趣的增加以及對使用可攜式資訊媒體的需求增加，對顯示裝置的需求顯著地增加，並且其商業化也在持續進行。

本揭露的各種實施例係針對一種顯示裝置，其可以提升顯示面板的產量並且提升顯示面板的亮度及效率。

本揭露的一個實施例可以提供一種顯示裝置，包含：基底層；第一電極，其位於基底層的上方；擋牆，其位於基底層的上方；發光元件，其包含位於第一電極的上方的耦合電極層；以及，第二電極，其位於發光元件的上方。第一電極與擋牆可以彼此間隔開。

在一個實施例中，第一電極的末端與擋牆的末端之間的距離可以介於1µm至2µm的範圍內。

在一個實施例中，發光元件可以包含：第一半導體層；主動層，其位於第一半導體層的第一表面上；以及，第二半導體層，其位於主動層的第一表面上，並且耦合電極層可以位於第一半導體層的第二表面上。

在一個實施例中，耦合電極層可以電性連接至第一電極。

在一個實施例中，第二半導體層可以電性連接至第二電極。

在一個實施例中，第一電極的厚度可以介於1100Å至1300Å的範圍內。

在一個實施例中，顯示裝置可以進一步包含像素電路層，其位於基底層的上方，其中像素電路層可以包含：電晶體，其位於基底層的上方，並且電晶體包含主動層、閘電極、第一電極以及第二電極；以及，鈍化層，其覆蓋電晶體。第一電極可以透過鈍化層的接觸孔電性連接至電晶體的第二電極。

本揭露的一個實施例可以提供一種顯示裝置，包含：發射區域；非發射區域，其包圍發射區域；擋牆，其位於非發射區域中，並且包含對應於發射區域的開口；第一電極，其位於擋牆的開口中；發光元件，其位於發射區域中，並且包含耦合電極層；以及第二電極，其與擋牆及第一電極完全地重疊，並且第一電極及擋牆可以彼此間隔開。

在一個實施例中，第一電極的外側與擋牆的內側之間的距離可以介於1µm至2µm的範圍內。

在一個實施例中，第一電極可以為陽極電極，第一電極可以透過一接觸孔電性連接至驅動電晶體的電極，並且接觸孔可以位於發射區域中。

在一個實施例中，耦合電極層可以電性連接至第一電極。

在一個實施例中，第二半導體層可以電性連接至第二電極。

本揭露的一個實施例提供一種顯示裝置，包含：基底層；像素電路層，其位於基底層的上方；第一電極，其位於像素電路層的上方；絕緣層，其覆蓋至少一部份的第一電極及像素電路層；擋牆，其位於絕緣層的上方；發光元件，其包含位於第一電極的上方的耦合電極層；以及，第二電極，其位於發光元件的上方。

在一個實施例中，擋牆的末端與位於第一電極的上方的絕緣層的末端之間的距離可以介於1µm至2µm的範圍內。

在一個實施例中，位於第一電極的上方的絕緣層的厚度可以介於100Å至500Å的範圍內。

在一個實施例中，發光元件可以包含：第一半導體層；主動層，其位於第一半導體層的第一表面上；以及。第二半導體層，其位於主動層的第一表面上，並且耦合電極層可以位於第一半導體層的第二表面上。

在一個實施例中，像素電路層可以包含：電晶體，其位於基底層的上方，電晶體包含主動層、閘電極、第一電極以及第二電極；以及，鈍化層，其覆蓋電晶體，並且第一電極可以透過鈍化層的接觸孔電性連接至電晶體的第二電極。

在一個實施例中，第一電極可以為陽極電極，並且耦合電極層可以電性連接至第一電極。

在一個實施例中，第二電極可以為陰極電極，並且第二半導體層可以電性連接至第二電極。

由於本揭露允許各種變化及眾多實施例，將在附圖中繪示出特定的實施例並且在書面說明中進行詳細說明。然而，這並非旨在限定本揭露於特定的實現模式，並且應當理解的是，在不脫離本揭露的概念及技術範圍的所有變更、均等物及替代物皆包含在本揭露中。

可以理解的是，儘管術語「第一」、「第二」及其相似術語可以在本文中用於說明各種元件，但這些元件不應受到這些術語的限定。這些術語用於將一個元件與另一個元件區分開。例如，在不背離本揭露的教示的情況下，下文中所討論的第一元件可以稱作第二元件。同樣地，第二元件也可以稱作第一元件。在本揭露中，單數形式也意圖包含複數形式，除非上下文有明確地另外指出。

可以進一步理解的是，當在本說明書中使用「包含(comprise)」、「包含(include)」、「具有(have)」等術語時，其指定所陳述的特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其組合存在，但不排除一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其組合的存在或添加。進一步地，當諸如層、膜、區域或板的第一部分設置在第二部分上時，第一部分不僅可以直接位於第二部分上，而且可以有第三部分介於其之間。此外，當表示在第二部分上形成有諸如層、膜、區域或板的第一部分時，形成有第一部分的第二部分的表面不限於第二部分的上表面，也可以包含諸如第二部分的側表面或下表面的其他表面。相反地，當諸如層、膜、區域或板的第一部分位於第二部分之下時，第一部分不僅可以直接位於第二部分之下，而且可以有第三部分插入在其之間。

可以理解的是，術語「接觸(contact)」、「連接至(connected to)」及「耦合至(coupled to)」可以包含物理及/或電性的接觸、連接或耦接。

出於其含義及解釋的目的，用語「中的至少一個(at least one of)」旨在包含「選自於此群組中的至少一個(at least one selected from the group of)」的含義。例如，「A及B中的至少一個(at least one of A and B)」可以理解為表示「A、B或A及B」。

除非另有定義，否則本文中所使用的所有術語(包含技術術語及科學術語)具有與本揭露所屬領域具有通常知識者所理解的相同的含義。可以進一步理解的是，除非另有明確的定義，術語，例如在常用字典中所定義的術語，應解釋為具有在其相關領域及本揭露的上下文中的含義一致的含義，並且除非在本文中有明確的定義，否則不應理想化或過於正式的解釋。

在下文中，將參照所附圖式以說明根據實施例的顯示裝置。

第1圖及第2圖為繪示出根據一個實施例的包含在顯示裝置中的發光元件的示意透視圖，以及第3圖為繪示出根據一個實施例的包含在顯示裝置中的發光元件的示意剖面圖。

參照第1圖至第3圖，根據實施例的發光元件LD包含第一半導體層110、主動層120、第二半導體層130及耦合電極層140。例如，發光元件LD可以配置為透過在高度H方向上依序堆疊耦合電極層140、第一半導體層110、主動層120及第二半導體層130而形成的堆疊體。

在發光元件LD的高度H方向上，發光元件LD的上表面可以稱作第一表面FS1，並且發光元件LD的下表面可以稱作第二表面FS2。

發光元件LD的第一表面FS1及第二表面FS2中的每一個可以形成為具有預定的形狀。例如，如第1圖中所繪示，發光元件LD的第一表面FS1及第二表面FS2可以形成為圓形或橢圓形。此外，如第2圖中所繪示，發光元件LD的第一表面FS1及第二表面FS2可以形成為正方形或長方形。本揭露不限定於此，並且第一表面FS1及第二表面FS2可以形成為諸如正三角形、正五邊形或六邊形的多邊形。

發光元件LD可以具有預定的形狀，並且發光元件LD的第一表面FS1的面積以及發光元件LD的第二表面FS2的面積可以彼此不同。發光元件LD的截面積可以在寬度D的方向上變化。例如，發光元件LD的第一表面FS1的面積以及發光元件LD的第二表面FS2的面積可以彼此不同。因此，如第1圖及第2圖所繪示，在一個實施例中，發光元件LD可以具有上下表面具有不同面積的截圓錐(truncated cone)或截角錐(truncated pyramid)的形狀。進一步地，在一個實施例中，發光元件LD可以透過將第一半導體層110、主動層120及第二半導體層130堆疊以形成截圓錐或截角錐的形狀而形成，並且可以進一步包含具有與第一半導體層110相同的形狀並且位於其下表面上的耦合電極層140。

發光元件LD可以具有對應於從奈米層級至微米層級的範圍的尺寸。發光元件LD的尺寸不限定於此。發光元件LD的尺寸可以根據使用發光元件LD作為光源的各種裝置，例如顯示裝置，的設計條件進行各種變更。

第一半導體層110可以為第一導電半導體層。例如，第一半導體層110可以包含至少一個p型半導體層。例如，第一半導體層110可以包含p型半導體層，其包含氮化鋁銦鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)及氮化銦(InN)中的至少一種半導體材料，並且摻雜有諸如鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈣(Ca)、鍶(Sr)或鋇(Ba)的第一導電摻雜劑。然而，形成第一半導體層110的材料不限定於此，並且第一半導體層110可以由各種其他材料以形成(或包含各種其他材料)。

在一個實施例中，第一半導體層110可以包含至少一種n型半導體。例如，第一半導體層110可以包含n型半導體，其包含氮化鋁銦鎵、氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵、氮化鋁及氮化銦中的至少一種半導體材料，並且摻雜有諸如矽(Si)、鍺(Ge)或錫(Sn)的第二導電摻雜劑。

主動層120可以設置在第一半導體層110的表面上。主動層120可以設置在第一半導體層110的上方。主動層120可以形成為單量子井結構或多量子井結構。在一個實施例中，可以在主動層120的上方及/或下方形成摻雜有導電摻雜劑的包覆層(未繪示出)。例如，包覆層可以由氮化鋁鎵層或氮化鋁銦鎵層形成。在一個實施例中，可以使用諸如氮化鋁鎵層或氮化鋁銦鎵層的材料以形成主動層120，並且可以使用各種其他材料以形成主動層120。

如果將等於或大於閾值電壓的電壓施加至發光元件LD的上表面及下表面，則發光元件LD透過主動層120中的電子-電洞對(electron-hole pairs)的耦合而發出光。透過使用上述原理以控制發光元件LD的發光，其可以用作各種顯示裝置的光源。

第二半導體層130可以設置在主動層120的表面上。第二半導體層130可以設置在主動層120的上方。第二半導體層130可以包含與第一半導體層110的類型不同類型的第二導電半導體層。例如，第二半導體層130可以包含至少一種n型半導體，其包含氮化鋁銦鎵、氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵、氮化鋁及氮化銦中的至少一種半導體材料，並且摻雜有諸如矽(Si)、鍺(Ge)或錫(Sn)的第二導電摻雜劑。然而，形成第二半導體層130的材料不限定於此，並且第二半導體層130可以由各種其他材料形成。

在一個實施例中，第二半導體層130可以包含至少一個p型半導體層。例如，第二半導體層130可以包含p型半導體層，其包含氮化鋁銦鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)及氮化銦(InN)中的至少一種半導體材料，並且摻雜有諸如鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈣(Ca)、鍶(Sr)或鋇(Ba)的第一導電摻雜劑。

電極層(未繪示出)可以設置在第二半導體層130的表面上。電極層可以包含金屬或金屬氧化物，並且可以包含鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、金(Au)、鎳(Ni)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(ITZO)及其氧化物或合金中的至少一種。進一步地，電極層可以為實質上透明的或半透明的。因此，從發光元件LD產生的光可以在穿過電極層之後發射至發光元件LD的外部。電極層可以直接接觸將在下文中說明的像素的第二電極(例如，陰極)。

耦合電極層140可以設置在第一半導體層110的另一表面上。耦合電極層140可以設置在第一半導體層110的下方。

耦合電極層140可以包含金屬或金屬氧化物。例如，耦合電極層140可以包含金屬、易熔合金(fusible alloy)或共晶合金(eutectic alloy)中的至少一種，其具有優異的電性質及大約300℃或更低的熔點。例如，耦合電極層140可以包含錫(Sn)、鉍(Bi)、銦(In)、鎵(Ga)、銻(Sb)、鉛(Pb)、鎘(Cd)及其合金中的至少一種。耦合電極層140可以包含用於安裝半導體晶片的焊接金屬(soldering metal)。此外，耦合電極層140可以包含鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、金(Au)、鎳(Ni)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(ITZO)及其氧化物或合金中的至少一種。在一個實施例中，耦合電極層140及電極層可以包含相同或不同的材料。

耦合電極層140可以為實質上透明的或半透明的。因此，從發光元件LD產生的光可以在穿過耦合電極層140之後發射至發光元件LD的外部。耦合電極層140可以直接接觸如下所述的像素的第一電極(例如，陽極)。換句話說，由於耦合電極層140直接接觸像素的第一電極，驅動電壓或電流可以穩定地傳輸至發光元件LD的第一半導體層110。因此，耦合電極層140可以增加發光元件LD與第一電極之間的耦合力(coupling force)，從而提供具有改善的亮度、壽命及良率的顯示裝置。

耦合電極層140及電極層可以為歐姆接觸電極或肖特基接觸電極，但本揭露不限定於此。

在上述實施例中，已經說明了第一半導體層110及第二半導體層130中的每一個係由單個層所構成，但本揭露不限定於此。在一個實施例中，根據主動層120的材料，第一半導體層110及第二半導體層130中的每一個可以進一步包含一個或多個層，例如包覆層及/或拉伸應變阻障減少(Tensile Strain Barrier Reducing，TSBR)層。TSBR層可以為佈置在具有不同晶格結構的半導體層之間以作為用於減小晶格常數差異的緩衝的應變緩衝層(strain mitigating layer)。儘管TSBR層可以由諸如p型磷化銦鎵(p-GaInP)、p型磷化鋁銦(p-AlInP)或p型磷化鋁銦鎵(p-AlGaInP)的p型半導體層形成，但是本揭露不限定於此。

在一個實施例中，發光元件LD可以進一步包含除了第一半導體層110、主動層120、第二半導體層130及/或耦合電極層140之外的附加組件。

進一步地，在一個實施例中，發光元件LD可以進一步在其表面上包含絕緣膜。絕緣膜可以形成在發光元件LD的表面上以包圍主動層120的外圓周表面。絕緣膜可以進一步包圍第一半導體層110、第二半導體層130及耦合電極層140中的每一個的區域。然而，絕緣膜可以暴露出具有不同極性的發光元件LD的上表面及下表面。例如，絕緣膜可以不覆蓋而是暴露出在高度H方向上位於發光元件LD兩端的耦合電極層140及第二半導體層130中的每一個的第一端，例如兩個底面(發光元件LD的上下表面)。在發光元件LD的表面，特別是主動層120的表面上，設置有絕緣膜的情況下，可以防止主動層120與至少一個電極或其相似物發生短路。因此，可以確保發光元件LD的電穩定性。

進一步地，透過在發光元件LD的表面上形成絕緣膜，可以減少或最小化在發光元件LD的表面上出現缺陷，從而可以提高發光元件LD的壽命及效率。如果在各發光元件LD上形成絕緣膜，即使在發光元件LD彼此相鄰設置的情況下，也可以防止發光元件LD之間的非期望的短路。

在一個實施例中，可以執行表面處理製程以製造發光元件LD。例如，可以對發光元件LD進行表面處理，使得當發光元件LD與流體溶液(或溶劑)混合並接續供應至各發射區域(例如，各像素的發射區域)時，發光元件LD可以均勻地分佈而不會在溶液中不均勻地聚集。

在下文中，將參照第4圖及第5圖以說明根據一個實施例的顯示裝置的顯示面板及包含在顯示裝置中的像素。

第4圖為繪示出根據一個實施例的顯示裝置的顯示面板的示意平面圖，以及第5圖為繪示出根據一個實施例的顯示裝置的像素的示意電路圖。

首先，參照第4圖，根據實施例的顯示裝置的顯示面板可以包含基底層BSL及設置在基底層BSL上的像素PXL。

具體地，顯示裝置的顯示面板及用於形成其的基底層BSL包含顯示圖像的顯示區域DA以及除了顯示區域DA之外的非顯示區域NDA。非顯示區域NDA可以是配置為包圍顯示區域DA的表框區域(bezel area)。

基底層BSL可以形成(或構成)顯示面板的基底元件。在一個實施例中，基底層BSL可以為剛性或可撓性的基板或薄膜，並且其材料或性質不受特別的限制。例如，基底層BSL可以為由玻璃或強化玻璃製成的剛性基板、由塑膠或金屬材料製成的軟性基板(或薄膜)、或者至少一個絕緣膜，並且其材料及/或其性質沒有特別的限制。

進一步地，基底層BSL可以為透明的，但本揭露不限定於此。例如，基底層BSL可以為透明的、半透明的、不透明的或反射性的基底元件。

顯示區域DA可以位於顯示面板的表面上。例如，顯示區域DA可以位於顯示面板的前表面上，並且可以額外地位於顯示面板的側表面及後表面上。

非顯示區域NDA位於顯示區域DA周圍以包圍顯示區域DA。非顯示區域NDA可以選擇性地包含電性連接至顯示區域DA的像素PXL的線路、焊墊及驅動電路。

儘管在第4圖中僅繪示出了一個像素PXL，但是像素PXL可以實質上分佈並設置在顯示區域DA中。在一個實施例中，像素PXL可以在顯示區域DA中以矩陣(matrix)、條紋(stripe)或PenTile®佈置結構以進行佈置。然而，本揭露不限定於此。

第5圖繪示出包含在第i像素列及第j像素欄中的像素PXL (其中i及j為正整數)。

參照第5圖，像素PXL可以包含驅動電路PXC及發射單元(或發射單元，又或發射部)EMU。

驅動電路PXC可以包含第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3及儲存電容器Cst。

第一電晶體T1(或驅動電晶體)的第一電極可以電性連接至第一供電線PL1，並且其第二電極可以電性連接至發射單元EMU的第一電極EL1(或第二節點N2)。第一電晶體T1的閘電極可以電性連接至第一節點N1。在一個實施例中，第一電極可以為汲電極，並且第二電極可以為源電極。

第一電晶體T1可以回應於第一節點N1的電壓以控制流向發射單元EMU的驅動電流的量。在一個實施例中，第一電晶體T1可以選擇性地包含底部金屬層(未繪示出)。第一電晶體T1的閘電極及底部金屬層可以彼此重疊，並且絕緣層插入至其之間。在一個實施例中，透過將底部金屬層電性連接至第一電晶體T1的第二電極，並且接續應用源型-漏型 (source-sink)技術，使得第一電晶體T1的閾值電壓可以沿負方向或正方向移動。

第二電晶體T2(或開關電晶體)的第一電極可以電性連接至資料線Dj，並且其第二電極可以電性連接至第一節點N1(或第一電晶體T1的閘電極)。第二電晶體T2的閘電極可以電性連接至第一掃描線Si。在第一掃描訊號(例如，高位準電壓)被供應至第一掃描線Si的情況下，第二電晶體T2可以被導通以將資料電壓從資料線Dj傳輸至第一節點N1。

第三電晶體T3的第一電極可以電性連接至感測線SENj，而其第二電極可以電性連接至第二節點N2(或第一電晶體T1的第二電極)。第三電晶體T3的閘電極可以電性連接至第二掃描線CLi。在感測週期的期間第二掃描訊號(例如，高位準電壓)被供應至第二掃描線CLi的情況下，第三電晶體T3可以被導通以電性連接感測線SENj及第二節點N2。

儲存電容器Cst可以電性連接於第一節點N1與第二節點N2之間。儲存電容器Cst可以在一幀的期間充電與供應至第一節點N1的資料訊號相對應的資料電壓。因此，儲存電容器Cst可以儲存與第一節點N1及第二節點N2之間的電壓差相對應的電壓。例如，儲存電容器Cst可以儲存與供應至第一電晶體T1的閘電極的資料電壓以及供應至第一電晶體T1的第二電極的初始化電壓之間的差相對應的電壓。

發射單元EMU可以包含在施加有第一驅動電壓VDD的第一供電線PL1與施加有第二驅動電壓VSS的第二供電線PL2之間並聯地電性連接的發光元件LD。

更具體地，發射單元EMU可以包含在電性連接至第二節點N2的第一電極EL1與電性連接至第二供電線PL2的第二電極EL2之間並聯地電性連接的發光元件LD。在此，第一電極EL1可以為陽極，且第二電極EL2可以為陰極。

第一驅動電壓VDD及第二驅動電壓VSS可以為不同的電壓以使得發光元件LD發光。例如，第一驅動電壓VDD可以設置為高電位電壓，並且第二驅動電壓VSS可以設置為低電位電壓。在此，第一驅動電壓VDD及第二驅動電壓VSS之間的電壓差可以設置為等於或大於在像素PXL的發光週期期間的發光元件LD的閾值電壓的值。因此，發射單元EMU可以產生具有與從第一電晶體T1供應的驅動電流相對應的預定亮度的光。例如，在訊框週期(frame period)期間，第一電晶體T1可以將與對應的訊框資料的灰度值相對應的驅動電流供應至發射單元EMU。供應至發射單元EMU的驅動電流可以被分流並流入至發光元件LD中。因此，各發光元件LD可以發射具有對應於施加至其的電流的亮度的光，且使得發射單元EMU可以發射具有對應於驅動電流的亮度的光。

發射單元EMU可以包含沿第一方向對齊的至少一個發光元件LD以及沿與第一方向相反的第二方向對齊的至少一個發光元件LDr。

在一個實施例中，在第一供電線PL1與第二供電線PL2之間並聯地電連接的發光元件LD可以透過n個串聯級(n serial stages)以電性連接。串聯級可以包含在相同方向上並聯地電連接的發光元件LD。

根據本揭露的像素PXL的電路結構不限定於如第5圖所繪示的。例如，發射單元EMU可以位於第一供電線PL1與第一電晶體T1的第一電極之間。

在第5圖中，電晶體被繪示為N型金氧半導體(NMOS)電晶體。然而，本揭露不限定於此。例如，第一電晶體T1、第二電晶體T2及第三電晶體T3中的至少一個可以實現為P型金氧半導體(PMOS)電晶體。此外，第5圖所繪示的第一電晶體T1、第二電晶體T2及第三電晶體T3可以為薄膜電晶體，且其中每一個皆包含氧化物半導體、非晶矽半導體及多晶矽半導體中的至少一種。

在下文中，將參照第6圖至第8圖以說明根據一個實施例的顯示裝置的配置。

第6圖為繪示出根據一個實施例的顯示裝置的像素的示意平面圖，第7圖為沿第6圖的線VIII-VIII'截取的示意剖面圖，以及第8圖為沿第6圖的線X-IX'截取的示意剖面圖。

為了方便說明，第6圖中省略了電性連接至發光元件LD的一些電晶體及電性連接至電晶體的訊號線。

參照第6圖，像素PXL可以設置在像素區域PXA中，其中像素區域PXA設置於基底層BSL的顯示區域DA中(參照第4圖)。基底層BSL的像素區域PXA可以包含發射區域EMA及除了發射區域EMA之外的非發射區域NEA。非發射區域NEA可以包圍發射區域EMA。

像素PXL可以包含第一像素PXL1、第二像素PXL2及第三像素PXL3。第一像素PXL1、第二像素PXL2及第三像素PXL3中的每一個可以顯示藍色、紅色及綠色。由於第一像素PXL1、第二像素PXL2及第三像素PXL3包含相同的組件，因此在下文中將主要說明第一像素PXL1中所包含的組件。

第一像素PXL1可以包含擋牆(bank)BNK、第一電極EL1、第二電極EL2及發光元件LD。

擋牆BNK位於像素區域PXA的非發射區域NEA中。擋牆BNK可以為一種結構，其相對於與所繪示出的第二像素PXL2相鄰的第一像素PXL1及第三像素PXL3，以定義(或劃分)各像素PXL的發射區域EMA及/或像素區域PXA。在將發光元件LD供應至第一像素PXL1、第二像素PXL2及第三像素PXL3的製程中，擋牆BNK可以為定義出發光元件LD將供應至的區域的像素定義層或堤壩結構。例如，第一像素PXL1、第二像素PXL2及第三像素PXL3的發射區域EMA透過擋牆BNK以進行劃分，使得包含所需數量及/或類型之發光元件LD的混合溶液(例如，墨水)可以供應(或注射)至發射區域EMA。

擋牆BNK可以包含至少一個開口，其暴露出位於像素區域PXA中的擋牆BNK下方的組件。例如，擋牆BNK可以包含暴露出位於擋牆BNK下方的組件的第一開口OPN1。第一開口OPN1可以對應於像素PXL的發射區域EMA。換句話說，第一電極EL1、發光元件LD及第一接觸孔CH1可以位於第一開口OPN1中。在一個實施例中，第一開口OPN1的邊緣可以稱作擋牆BNK的內側。.

第一電極EL1可以位於發射區域EMA中。換句話說，第一電極EL1可以位於擋牆BNK的第一開口OPN1中。第一電極EL1可以設置為與擋牆BNK間隔開。例如，第一電極EL1的外側與擋牆BNK的內側之間的第一距離dd1可以為大約1μm至大約2μm或更小。

在一個實施例中，第一電極EL1在擋牆BNK的第一開口OPN1中與擋牆BNK間隔開。因此，即使在發光元件LD的設置製程中發光元件LD相對於擋牆BNK以一定角度配置，也能夠防止發生顯示裝置的短路。將參照第9圖至第13圖以詳細說明顯示裝置的短路現象及用於防止這種短路現象的本揭露的特徵。

第一電極EL1可以為參照第5圖所說明的發射單元EMU的陽極電極。因此，第一電極EL1可以透過位於發射區域EMA中的第一接觸孔CH1以物理及/或電性連接至第一電晶體T1的第二電極(參照第5圖)。

第一接觸孔CH1可以設置為與發光元件LD重疊。換句話說，發光元件LD可以設置為與電性連接至第一接觸孔CH1的第一電極EL1重疊，並且設置為至少部分地重疊電性連接至第一接觸孔CH1的第一電晶體T1。

在一個實施例中，由於電性連接第一電極EL1及第一電晶體T1的第一接觸孔CH1位於發射區域EMA，因此可以減小非發射區域NEA(或非顯示區域NDA(參照第4圖))並且可以增加發射區域EMA。因此，可以確保開口率，並提高顯示面板的亮度及效率。

第二電極EL2位於整個像素區域PXA。第二電極EL2可以完全地重疊擋牆BNK及第一電極EL1。

第二電極EL2可以為參照第5圖所說明的發射單元EMU的陰極電極。因此，第二電極EL2可以透過接觸孔(未繪示出)物理及/或電性連接至第二驅動電壓VSS(或第二供電線PL2)。

發光元件LD可以位於發射區域EMA中。換句話說，發光元件LD可以任意地設置在擋牆BNK的第一開口OPN1中。

在一個實施例中，由於電性連接第一電極EL1及第一電晶體T1的第一接觸孔CH1位於發射區域EMA中以放大發射區域EMA，因此可以在發射區域EMA中設置大量地發光元件LD。因此，可以增加顯示面板的亮度。

即使第一接觸孔CH1位於發射區域EMA中，也會形成覆蓋(或重疊)第一電極EL1的絕緣層INS(參照第7圖及第8圖)，使其不會影響發光元件LD的性能。

參照第7圖及第8圖，根據一個實施例的顯示裝置可以包含基底層BSL、像素電路層PCL及顯示元件層DPL。

基底層BSL可以為剛性基板或可撓性基板。例如，剛性基板可以由玻璃或石英等製成，並且可撓性基板可以由聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯及聚乙烯醇中的至少一種製成。然而，本揭露的實施例不限定於此。

像素電路層PCL位於基底層BSL的上方。像素電路層PCL可以包含緩衝層BFL、第一電晶體T1、閘極絕緣層GI、層間絕緣層ILD及鈍化層PSV。

緩衝層BFL位於基底層BSL的上方。緩衝層BFL可以防止雜質從外部來源擴散至像素電路層PCL中。緩衝層BFL可以包含諸如氮化矽(SiN _x)、氧化矽(SiO _x)、氧氮化矽(SiO _xN _y)及氧化鋁(AlO _x)的金屬氧化物中的至少一種。在一些實施例中，可以省略緩衝層BFL。

第一電晶體T1包含主動層ACT、閘電極GAT、第一電極TE1及第二電極TE2。在此，第一電晶體T1可以對應於如上所述的第5圖的第一電晶體T1。

主動層ACT位於緩衝層BFL的上方。主動層ACT可以包含多晶矽、非晶矽及氧化物半導體中的至少一種。

主動層ACT可以包含電性連接至第一電晶體T1之第二電極TE2的源極區域、電性連接至第一電極TE1的汲極區域、以及源極區域與汲極區域之間的通道區域。

閘極絕緣層GI位於主動層ACT及緩衝層BFL的上方以覆蓋主動層ACT及緩衝層BFL。閘極絕緣層GI可以包含無機材料。例如，閘極絕緣層GI可以包含氮化矽(SiN _x)、氧化矽(SiO _x)、氧氮化矽(SiO _xN _y)及氧化鋁(AlO _x)中的至少一種。在一個實施例中，閘極絕緣層GI可以包含有機材料。

閘電極GAT位於閘極絕緣層GI的上方。閘電極GAT可以設置為覆蓋主動層ACT的通道區域。

層間絕緣層ILD位於閘電極GAT的上方並且設置為覆蓋(或重疊)閘電極GAT及閘極絕緣層GI。層間絕緣層ILD及閘極絕緣層GI可以包含相同的材料，並且層間絕緣層ILD可以包含氮化矽(SiN _x)、氧化矽(SiO _x)、氧氮化矽(SiO _xN _y)及氧化鋁(AlO _x)中的至少一種。

第一電晶體T1的第一電極TE1及第二電極TE2位於層間絕緣層ILD的上方。第一電極TE1可以穿過閘極絕緣層GI及層間絕緣層ILD以接觸主動層ACT的汲極區域，而第二電極TE2可以穿過閘極絕緣層GI及層間絕緣層ILD以接觸主動層ACT的源極區域。

鈍化層PSV位於第一電晶體T1的第一電極TE1及第二電極TE2的上方，並且設置為覆蓋(或重疊)第一電晶體T1的第一電極TE1及第二電極TE2以及層間絕緣層ILD。鈍化層PSV可以包含無機材料或有機材料。

第一電晶體T1的第二電極TE2及顯示元件層DPL的第一電極EL1可以透過鈍化層PSV的第一接觸孔CH1彼此物理及/或電性連接。

顯示元件層DPL位於像素電路層PCL的上方。顯示元件層DPL可以包含第一電極EL1、擋牆BNK、發光元件LD、絕緣層INS及第二電極EL2。

第一電極EL1位於像素電路層PCL的鈍化層PSV的上方。第一電極EL1可以位於鈍化層PSV的上方以與擋牆BNK間隔開，其將在下文中進行說明。第一電極EL1可以透過鈍化層PSV的第一接觸孔CH1物理及/或電性連接至第一電晶體T1的第二電極TE2。因此，第5圖的第一驅動電壓VDD可以施加至第一電極EL1。

第一電極EL1可以包含透明導電材料。例如，第一電極EL1可以包含銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、其混合物、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅錫(ITZO)等。然而，本揭露不限定於此。

第一電極EL1的厚度tt1可以對應於大約1,100Å至大約1,300Å。更具體地，第一電極EL1的厚度tt1可以為大約1,200Å。例如，在第一電極EL1實現為包含下部層、中間層及上部層的三個層的情況下，包含氧化銦錫的下部層可以實現為具有大約50Å的厚度，包含銀的中間層可以實現為具有大約1,000Å的厚度，並且包含氧化銦錫的上部層可以實現為具有大約70Å的厚度。本揭露不限定於此。在一個實施例中，下部層、中間層及上部層的材料及/或厚度可以變更。

在佈置發光元件LD的製程中，即使至少一個發光元件LD傾斜地位於第一電極EL1的一端(或第一端)上以至少部分地重疊第一端，發光元件LD的耦合電極層140可以僅接觸第一電極EL1並且可以不接觸第二電極EL2。換句話說，可以使得發光元件LD的耦合電極層140不會同時接觸第一電極EL1及第二電極EL2。因此，在發光元件LD電性連接的情況下，可以減少短路的風險。進一步地，發光元件LD傾斜地位於第一電極EL1的第一端上以至少部分地重疊第一端。因此，即使發光元件LD不發光，由於發光元件LD不會發生故障，因此能夠減少顯示裝置的故障。

擋牆BNK位於像素電路層PCL的鈍化層PSV的上方。擋牆BNK可以為能夠劃分各像素區域的結構。第一電極EL1、發光元件LD及其相似物可以位於兩個相鄰的擋牆BNK之間。擋牆BNK可以包含有機材料。

擋牆BNK可以具有梯形或矩形形狀，其橫截面的上側(或頂側)的寬度小於下側(或底表面)的寬度。然而，本揭露不限定於此。在一個實施例中，擋牆BNK可以具有彎曲形狀，其具有諸如半橢圓形狀、半圓形狀等的橫截面。

擋牆BNK的第一端與第一電極EL1的第一端可以彼此間隔開。第一電極EL1的第一端與相鄰的擋牆BNK的第一端可以彼此間隔開第一距離dd1。例如，第一距離dd1可以對應於大約1μm至大約2μm。換句話說，可以確保擋牆BNK與第一電極EL1之間的距離裕度(distance margin)。因此，在佈置發光元件LD的製程中，即使至少一個發光元件LD沿擋牆BNK的側表面傾斜地設置，電性連接第一電極EL1及第二電極EL2的發光元件LD可以與第一電極EL1間隔開。因此，在顯示裝置電性連接的情況下，可以減少短路的可能性。

發光元件LD位於第一電極EL1的上方。具體地，在一個實施例中，發光元件LD的耦合電極層140可以位於第一電極EL1的上方，並且第一電極EL1與發光元件LD的耦合電極層140可以彼此直接接觸。因此，施加至第一電極EL1的第5圖的第一驅動電壓VDD可以傳輸至發光元件LD。由於第一電極EL1直接接觸發光元件LD的耦合電極層140，驅動電壓或電流可以穩定地傳輸至發光元件LD的第一半導體層110(參照第3圖)。此外，發光元件LD的第二半導體層130(參照第3圖)可以直接接觸將在下文中說明的第二電極EL2，以使得發光元件LD可以發光。相反地，不同於第7圖及第8圖中所繪示的，在發光元件LD垂直設置在第一電極EL1的上方的情況下，第一電極EL1及第二電極EL2可能因發光元件LD而發生短路。在下文中將參照第12圖及第13圖以說明取決於發光元件LD的佈置的顯示裝置中短路的發生。

絕緣層INS位於鈍化層PSV及第一電極EL1的上方，並且設置為覆蓋(或重疊)鈍化層PSV及第一電極EL1的至少一部分。此外，絕緣層INS可以位於發光元件LD與擋牆BNK之間，以支撐兩個相鄰的擋牆BNK之間的發光元件LD。絕緣層INS可以定位為覆蓋擋牆BNK的側表面的至少一部分以及發光元件LD的側表面的至少一部分。發光元件LD的上表面可以由絕緣層INS暴露出。

絕緣層INS可以為包含有機材料的有機層。例如，絕緣層INS可以包含聚丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂及苯並環丁烯樹脂中的至少一種。絕緣層INS可以形成為平坦化層，其平坦化顯示元件層DPL以形成第二電極EL2。在一個實施例中，絕緣層INS可以包含無機材料。

第二電極EL2位於絕緣層INS及發光元件LD的上方。第二電極EL2可以設置為覆蓋絕緣層INS的整個表面並且覆蓋發光元件LD的至少一部分。第二電極EL2可以為陰極。在一個實施例中，第二電極EL2可以位於發光元件LD的上表面的上方，並且第二電極EL2可以直接接觸發光元件LD的第二半導體層130(參照第3圖)。因此，施加至第二電極EL2的第5圖的第二驅動電壓VSS可以傳輸至發光元件LD。

在一個實施例中，保護層(未繪示出)可以設置在第二電極EL2的上方。保護層及絕緣層INS可以包含相同的材料，但本揭露不限定於此。保護層可以設置在第二電極EL2的上方以保護第二電極EL2不受外部氧氣或濕氣的影響。進一步地，在一個實施例中，至少一個被覆層(overcoat layer)(例如，平坦化顯示元件層DPL的上表面的層)可以設置在第二電極EL2的上方。

在一個實施例中，顯示元件層DPL可以選擇性地進一步包含光學層(未繪示出)以及保護層。例如，顯示元件層DPL可以進一步包含顏色轉換層(未繪示出)，其包含將發光元件LD所發出的光轉換為特定顏色的光的顏色轉換粒子。

在下文中，將參照第9圖至第11圖以說明顯示裝置的製造方法。

第9圖至第11圖為繪示出根據一個實施例的顯示裝置的製造方法的示意剖面圖，並且透過第9圖至第11圖的方法製造的顯示裝置可以為第7圖所繪示的顯示裝置。

參照第9圖，像素電路層PCL、第一電極EL1及擋牆BNK可以形成在基底層BSL的上方，並且墨水INK可以噴灑至第一電極EL1上。

墨水INK包含溶劑SVL及固體成分，並且固體成分可以包含發光元件LD。溶劑SVL可以由丙酮、水、乙醇、PMEA、甲苯及其相似物組成，並且可以為透過室溫或加熱以蒸發或揮發的物質。

在一個實施例中，由於發光元件LD對應於其下表面或上表面的寬度大於相對表面的寬度的結構(例如，截圓錐或截角錐的形狀)，因此具有相對較大面積的上表面或下表面可以設置為朝向第一電極EL1。例如，在發光元件LD具有截圓錐或截角錐形狀的情況下，具有相對較大面積的耦合電極層140可以設置為朝向第一電極EL1。因此，發光元件LD及第一電極EL1可以彼此物理及/或電性連接。

參照第10圖，在設置發光元件LD之後，溶劑SVL將會揮發。發光元件LD的耦合電極層140可以緊密地接觸電性連接至像素電路層PCL的第一電極EL1，從而發光元件LD可以穩定地佈置在像素電路層PCL的上方。溶劑SVL可以透過室溫或加熱以蒸發或揮發。隨著製程溫度升高，可以提高發光元件LD與第一電極EL1之間的耦合力。

參照第11圖，透過使用加熱器HP可以提高發光元件LD與第一電極EL1之間的耦合力。例如，加熱器HP可以為熱板。

由於加熱器HP放置在基底層BSL的下方以施加熱量，因此可以提高第一電極EL1與發光元件LD的耦合電極層140之間的耦合力。例如，溫度可以升高至使得發光元件LD的耦合電極層140可以凝膠化(gelate)的程度。

然而，本揭露不限定於此。在一個實施例中，可以透過使用雷射以提高發光元件LD與第一電極EL1之間的耦合力。在雷射放置在發光元件LD與第一電極EL1之間，並且具有足以融化耦合電極層140的波長的雷射光束發射至耦合電極層140與第一電極EL1接合的中間介面上的情況下，可以提高第一電極EL1與發光元件LD的耦合電極層140之間的耦合力。

復請參照第7圖，絕緣層INS形成在第一電極EL1的上方。絕緣層INS可以包含有機材料並且可以透過噴墨印刷製程或狹縫塗佈製程以沉積在第一電極EL1及像素電路層PCL上。接續地，在透過乾式蝕刻製程以暴露出發光元件LD的上表面之後，可以在整個像素區域中形成第二電極EL2。

在下文中，將參照第12圖及第13圖以說明根據比較例的顯示裝置及根據實施例的顯示裝置之間的差異。

第12圖為繪示出根據一個比較例的顯示裝置的示意剖面圖，以及第13圖為繪示出根據一個實施例的顯示裝置的示意剖面圖。

首先，參照第12圖，根據比較例的顯示裝置可以包含基底層BSL、像素電路層PCL及顯示元件層DPL。基底層BSL及像素電路層PCL可以與第7圖及第8圖的基底層BSL及像素電路層PCL實質上相同或相似。

顯示元件層DPL可以包含第一電極EL1'、擋牆BNK'、絕緣層INS及第二電極EL2'。

第一電極EL1'位於像素電路層PCL的上方。第一電極EL1'可以為陽極電極。第一電極EL1'可以物理及/或電性連接至包含在像素電路層PCL中的第一電晶體的第二電極。因此，第5圖的第一驅動電壓VDD可以施加至第一電極EL1'。

擋牆BNK'位於像素電路層PCL及第一電極EL1'的至少一部分的上方。擋牆BNK'可以為能夠劃分各像素區域的結構。第一電極EL1'、發光元件LD及其相似物可以位於兩個相鄰的擋牆BNK'之間。擋牆BNK' 可以包含有機材料。

擋牆BNK'的第一端及第一電極EL1'的第一端可以彼此重疊。

發光元件LD可以位於第一電極EL1'的上方。在佈置製程中，發光元件LD可以包含在墨水中並且噴灑至第一電極EL1'上。因此，舉例來說，發光元件LD的耦合電極層140可以沿著擋牆BNK'的斜邊相對於第一電極EL1'的上表面以預定角度設置。

絕緣層INS可以位於發光元件LD與擋牆BNK'之間，以支撐兩個相鄰的擋牆BNK'之間的發光元件LD。

第二電極EL2'可以位於絕緣層INS及發光元件LD的上方。第二電極EL2'可以為陰極。第5圖的第二驅動電壓VSS可以施加至第二電極EL2'，並且接觸發光元件LD的第二電極EL2'可以將第5圖的第二驅動電壓VSS傳輸至發光元件LD。

在比較例中，由於發光元件LD相對於第一電極EL1'的上表面以預定角度傾斜地設置，因此耦合電極層140可以接觸第一電極EL1'及第二電極EL2'。因此，由第一驅動電壓VDD及第二驅動電壓VSS產生的電流可以施加至耦合電極層140，使得在包含發光元件LD的像素PXL中可能發生短路。

相較之下，參照第13圖，根據一個實施例的顯示裝置可以包含基底層BSL、像素電路層PCL及顯示元件層DPL，並且顯示元件層DPL可以包含第一電極EL1、擋牆BNK、絕緣層INS及第二電極EL2。基底層BSL、像素電路層PCL及顯示元件層DPL可以與第7圖及第8圖的基底層BSL、像素電路層PCL及顯示元件層DPL實質上相同或相似。

擋牆BNK的第一端與第一電極EL1的第一端可以彼此間隔開。第一電極EL1的第一端與相鄰的擋牆BNK的第一端可以彼此間隔開第一距離dd1。

在佈置製程中，發光元件LD可以包含在墨水中並且噴灑至第一電極EL1上。因此，舉例來說，發光元件LD的耦合電極層140可以沿著擋牆BNK的斜邊相對於像素電路層PCL的上表面以預定角度設置。

在一個實施例中，由於第一電極EL1的第一端與擋牆BNK的第一端彼此間隔開，因此即使發光元件LD設置為以預定角度傾斜，發光元件LD也可以與第一電極EL1間隔開。換句話說，發光元件LD可以設置為不接觸第一電極EL1。發光元件LD可以設置為僅接觸第二電極EL2。

因此，即使發光元件LD的耦合電極層140以預定角度傾斜地設置在擋牆BNK的側表面上，耦合電極層140仍接觸第一電極EL1或第二電極EL2，從而使得在顯示裝置電性連接的情況下，能夠減少包含發光元件LD的像素PXL的短路。因此，根據一個實施例的顯示裝置可以提高顯示面板的良率，並且可以提高顯示面板的亮度及效率。

在下文中，將參照第14圖及第15圖以說明根據一個實施例的顯示裝置。

第14圖為繪示出根據一個實施例的顯示裝置的像素的示意平面圖，以及第15圖為沿第14圖的線XV-XV'截取的示意剖面圖。

首先，參照第14圖，像素PXL可以設置在像素區域PXA中，且像素區域PXA設置於基底層BSL的顯示區域DA中(參照第4圖)。由於第14圖所繪示的配置與上述第6圖的配置相似，因此在下文中將主要說明其差異。

第一像素PXL1可以包含擋牆BNK、第一電極EL1、第二電極EL2及發光元件LD。

擋牆BNK可以包含至少一個開口，其暴露出位於像素區域PXA中的擋牆BNK下方的組件。例如，擋牆BNK可以包含暴露出位於擋牆BNK下方的組件的第一開口OPN1。第一開口OPN1可以對應於像素PXL的發射區域EMA。換句話說，第一電極EL1、發光元件LD及第一接觸孔CH1可以位於第一開口OPN1中。在一個實施例中，第一開口OPN1的邊緣可以稱作擋牆BNK的內側。

第一電極EL1可以至少部分地重疊擋牆BNK。換句話說，第一電極EL1可以設置為至少部分地重疊擋牆BNK的第一開口OPN1。

第一電極EL1可以為陽極電極。因此，第一電極EL1可以透過位於發射區EMA中的第一接觸孔CH1物理及/或電性連接至第5圖的第一電晶體T1的第二電極。第一接觸孔CH1可以位於非發射區NEA中。

第二電極EL2可以為陰極電極。因此，第二電極EL2可以透過接觸孔(未繪示出)物理及/或電性連接至第二驅動電壓VSS(或第二供電線PL2)。

發光元件LD可以位於發射區域EMA中。換句話說，發光元件LD可以任意地設置在擋牆BNK的第一開口OPN1中。第一像素PXL1可以包含在平面圖中位於第一開口OPN1中的第二開口OPN2。

參照第15圖，根據一個實施例的顯示裝置可以包含基底層BSL、像素電路層PCL及顯示元件層DPL。由於第15圖所繪示的配置與上述第7圖及第8圖的配置相似，因此在下文中將主要說明其差異。

像素電路層PCL位於基底層BSL的上方。

顯示元件層DPL位於像素電路層PCL的上方。顯示元件層DPL可以包含第一電極EL1、擋牆BNK、發光元件LD、第一絕緣層INS1、第二絕緣層INS2及第二電極EL2。

第一電極EL1位於像素電路層PCL的上方。第一電極EL1可以透過鈍化層PSV的第一接觸孔CH1物理及/或電性連接至第5圖的第一電晶體T1的第二電極。因此，第5圖的第一驅動電壓VDD可以施加至第一電極EL1。

第一絕緣層INS1位於像素電路層PCL及第一電極EL1的上方以覆蓋第一電極EL1及像素電路層PCL的至少一部分。設置在第一電極EL1的上方的第一絕緣層INS1的厚度tt2可以介於100Å至500Å的範圍內。

第一絕緣層INS1可以包含無機材料。例如，其可以包含氮化矽(SiN _x)、氧化矽(SiO _x)、氧氮化矽(SiO _xN _y)及氧化鋁(AlO _x)中的至少一種。在一個實施例中，第一絕緣層INS1可以包含有機材料。

擋牆BNK位於第一絕緣層INS1的上方。擋牆BNK可以為能夠劃分各像素區域的結構。第一電極EL1、發光元件LD及其相似物可以位於兩個相鄰的擋牆BNK之間。擋牆BNK可以包含有機材料。

擋牆BNK的第一端與位於第一電極EL1的上方的第一絕緣層INS1的第一端之間的距離可以對應於第二距離dd2。例如，第二距離dd2可以對應於大約1μm至大約2μm。由於第一絕緣層INS1位於擋牆BNK與第一電極EL1之間，因此可以確保擋牆BNK與第一電極EL1之間的距離裕度。

因此，在佈置發光元件LD的製程中，即使至少一個發光元件LD相對於擋牆BNK的側表面以一個角度配置，電性連接第一電極EL1及第二電極EL2的發光元件LD可以與第一電極EL1間隔開。因此，在顯示裝置電性連接的情況下，可以減少短路的可能性。因此，根據一個實施例的顯示裝置可以提高顯示面板的良率，並且可以提高顯示面板的亮度及效率。

發光元件LD位於第一電極EL1的上方。具體地，在一個實施例中，發光元件LD的耦合電極層140可以位於第一電極EL1的上方，並且第一電極EL1及發光元件LD的耦合電極層140可以彼此直接接觸。因此，施加至第一電極EL1的第5圖的第一驅動電壓VDD可以傳輸至發光元件LD。由於第一電極EL1直接接觸發光元件LD的耦合電極層140，驅動電壓或電流可以穩定地傳輸至發光元件LD的第一半導體層110(參照第3圖)。此外，發光元件LD的第二半導體層130(參照第3圖)可以直接接觸將在下文中說明的第二電極EL2，以使得發光元件LD可以發光。

第二絕緣層INS2位於第一電極EL1及第一絕緣層INS1的上方，並且至少部分地覆蓋(或重疊)第一電極EL1及第一絕緣層INS1。此外，第二絕緣層INS2可以位於發光元件LD與擋牆BNK之間，以支撐兩個相鄰的擋牆BNK之間的發光元件LD。第二絕緣層INS2可以設置為覆蓋擋牆BNK的側表面的至少一部分及發光元件LD的側表面的至少一部分。發光元件LD的上表面可以透過第二絕緣層INS2暴露出。

第二絕緣層INS2可以為包含有機材料的有機層。在一個實施例中，第二絕緣層INS2可以包含無機材料。

第二電極EL2位於第二絕緣層INS2及發光元件LD的上方。第二電極EL2可以定位為覆蓋第二絕緣層INS2的整個表面並且覆蓋發光元件LD的至少一部分。第二電極EL2可以為陰極。在一個實施例中，第二電極EL2可以位於發光元件LD的上表面的上方，並且第二電極EL2可以直接接觸發光元件LD的第二半導體層130(參照第3圖)。因此，施加至第二電極EL2的第5圖的第二驅動電壓VSS可以傳輸至發光元件LD。

16圖為繪示出根據一個實施例的顯示裝置的示意剖面圖。由於第16圖所繪示的配置與上述第15圖的配置相似，因此在下文中將主要說明其差異。

參照第16圖，在佈置發光元件LD的製程中，發光元件LD可以包含在墨水中並且噴灑至第一電極EL1及第一絕緣層INS1上。例如，發光元件LD的耦合電極層140可以沿著擋牆BNK的斜邊相對於第一絕緣層INS1的上表面以預定角度設置。

在一個實施例中，由於第一電極EL1及擋牆BNK透過第一絕緣層INS1彼此隔開，因此即使發光元件LD以預定的角度傾斜，發光元件LD也可以設置為不接觸第一電極EL1。發光元件LD可以設置為僅接觸第二電極EL2。

因此，即使發光元件LD的耦合電極層140以預定角度傾斜地設置在擋牆BNK的側表面上，且耦合電極層140接觸第一電極EL1或第二電極EL2，從而使得在顯示裝置電性連接的情況下，可以減少包含發光元件LD的像素PXL的短路。因此，根據一個實施例的顯示裝置可以提高顯示面板的良率，並且可以提高顯示面板的亮度及效率。

儘管在上文中已經說明了各種實施例，本領域具有通常知識者將理解的是，在不脫離本揭露的精神及範圍的情況下，可以進行各種變更、附加及替換。

因此，本說明書中所揭露的實施例僅用於說明目的，而非用於限制本揭露的技術精神。申請專利之發明的範圍必須由所附申請專利範圍所限定。

根據實施例，擋牆與第一電極彼此間隔開。因此，即使發光元件以預定角度傾斜地設置在擋牆的側表面上，發光元件仍接觸第一電極或第二電極，從而使得在顯示裝置電性連接的情況下，可以減少在包含發光元件的像素中發生短路的可能性。

因此，可以提高顯示面板的良率，並且可以提高顯示面板的亮度及效率。

本揭露的功效不限定於上述內容，並且可以在本文中預期各種其他功效。

110:第一半導體層 120:主動層 130:第二半導體層 140:耦合電極層 FS1:第一表面 FS2:第二表面 DA:顯示區域 NDA:非顯示區域 BSL:基底層 PXL:像素 PXA:像素區域 PXL1:第一像素 PXL2:第二像素 PXL3:第三像素 PXC:驅動電路 SENj:感測線 Dj:資料線 Si:第一掃描線 CLi:第二掃描線 Cst:儲存電容器 T1:第一電晶體 T2:第二電晶體 T3:第三電晶體 N1:第一節點 N2:第二節點 EMU:發射單元 PL1:第一供電線 PL2:第二供電線 EL1:第一電極 EL2:第二電極 VDD:第一驅動電壓 VSS:第二驅動電壓 LD,LDr:發光元件 BNK,BNK’:擋牆 OPN1:第一開口 OPN2:第二開口 EMA:發射區域 NEA:非發射區域 EL1,EL1’,TE1:第一電極 EL2,EL2’,TE2:第二電極 CH1:第一接觸孔 BSL:基底層 PCL:像素電路層 DPL:顯示元件層 INS:絕緣層 INS1:第一絕緣層 INS2:第二絕緣層 PSV:鈍化層 ILD:層間絕緣層 GI:閘極絕緣層 BFL:緩衝層 T1:第一電晶體 ACT:主動層 GAT:閘電極 INK:墨水 SVL:溶劑 HP:加熱器 D:寬度 H:高度 dd1:第一距離 dd2:第二距離 tt1,tt2:厚度 DR1:第一方向 DR2:第二方向 DR3:第三方向

透過參考附圖以詳細說明其實施例，可以使得對於根據本揭露的實施例的附加認識變得更加清楚，其中：第1圖及第2圖為繪示出根據本揭露實施例的包含在顯示裝置中的發光元件的示意透視圖。第3圖為繪示出根據本揭露實施例的包含在顯示裝置中的發光元件的示意剖面圖。第4圖為繪示出根據本揭露實施例的顯示裝置的顯示面板的示意平面圖。第5圖為繪示出根據本揭露實施例的顯示裝置的像素的示意電路圖。第6圖為繪示出根據本揭露實施例的顯示裝置的像素的示意平面圖。第7圖為沿第6圖的線VIII-VIII'截取的示意剖面圖。第8圖為沿第6圖的線X-IX'截取的示意剖面圖。第9圖至第11圖為繪示出根據本揭露實施例的顯示裝置的製造方法的示意剖面圖。第12圖為繪示出根據比較例的顯示裝置的示意剖面圖。第13圖為繪示出根據本揭露實施例的顯示裝置的示意剖面圖。第14圖為繪示出根據本揭露實施例的顯示裝置的像素的示意平面圖。第15圖為沿第14圖的線XV-XV'截取的示意剖面圖。第16圖為繪示出根據本揭露實施例的顯示裝置的示意剖面圖。

140:耦合電極層

BSL:基底層

EL1:第一電極

EL2:第二電極

BNK:擋牆

PCL:像素電路層

DPL:顯示元件層

INS:絕緣層

LD:發光元件

dd1:第一距離

tt1:厚度

DR1:第一方向

DR2:第二方向

DR3:第三方向

Claims

一種顯示裝置，包含：一基底層；一第一電極，係位於該基底層的上方；一擋牆，係位於該基底層的上方；一發光元件，係包含位於該第一電極的上方的一耦合電極層；以及一第二電極，係位於該發光元件的上方，其中該第一電極及該擋牆彼此間隔開。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一電極的末端與該擋牆的末端之間的距離介於1µm至2µm的範圍內。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該發光元件包含：一第一半導體層；一主動層，係位於該第一半導體層的第一表面上；以及一第二半導體層，係位於該主動層的第一表面上，並且該耦合電極層位於該第一半導體層的第二表面上。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該耦合電極層電性連接至該第一電極。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二半導體層電性連接至該第二電極。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一電極的厚度介於1100Å至1300Å的範圍內。
如請求項1所述之顯示裝置，其進一步包含一像素電路層，係位於該基底層的上方，其中該像素電路層包含：一電晶體，係位於該基底層的上方，該電晶體包含：一主動層；一閘電極；一第一電極；以及一第二電極；以及一鈍化層，係覆蓋該電晶體，並且該第一電極透過該鈍化層的一接觸孔電性連接至該電晶體的該第二電極。
一種顯示裝置，包含：一發射區域；一非發射區域，係包圍該發射區域；一擋牆，係位於該非發射區域中，並且包含對應於該發射區域的一開口；一第一電極，係位於該擋牆的該開口中；一發光元件，係位於該發射區域中，並且包含一耦合電極層；以及一第二電極，係與該擋牆及該第一電極完全地重疊，其中該第一電極及該擋牆彼此間隔開。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該第一電極的外側與該擋牆的內側之間的距離介於1µm至2µm的範圍內。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該第一電極為陽極電極，該第一電極透過一接觸孔電性連接至一驅動電晶體的電極，並且該接觸孔位於該發射區域中。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該發光元件包含：一第一半導體層；一主動層，係位於該第一半導體層的第一表面上；以及一第二半導體層，係位於該主動層的第一表面上，並且該耦合電極層位於該第一半導體層的第二表面上。
如請求項11所述之顯示裝置，其中該耦合電極層電性連接至該第一電極。
如請求項11所述之顯示裝置，其中該第二半導體層電性連接至該第二電極。
一種顯示裝置，包含：一基底層；一像素電路層，係位於該基底層的上方；一第一電極，係位於該像素電路層的上方；一絕緣層，係覆蓋至少一部份的該第一電極及該像素電路層；一擋牆，係位於該絕緣層的上方；一發光元件，係包含位於該第一電極的上方的一耦合電極層；以及一第二電極，係位於該發光元件的上方。
如請求項14所述之顯示裝置，其中該擋牆的末端與位於該第一電極的上方的該絕緣層的末端之間的距離介於1µm至2µm的範圍內。
如請求項14所述之顯示裝置，其中位於該第一電極的上方的該絕緣層的厚度介於100Å至500Å的範圍內。
如請求項14所述之顯示裝置，其中該發光元件包含：一第一半導體層；一主動層，係位於該第一半導體層的第一表面上；以及一第二半導體層，係位於該主動層的第一表面上，並且該耦合電極層位於該第一半導體層的第二表面上。
如請求項17所述之顯示裝置，其中該像素電路層包含：一電晶體，係位於該基底層的上方，該電晶體包含：一主動層；一閘電極；一第一電極；以及一第二電極；以及一鈍化層，係覆蓋該電晶體，該第一電極透過該鈍化層的一接觸孔電性連接至該電晶體的該第二電極。
如請求項18所述之顯示裝置，其中該第一電極為陽極電極，並且該耦合電極層電性連接至該第一電極。
如請求項18所述之顯示裝置，其中該第二電極為陰極電極，並且該第二半導體層電性連接至該第二電極。