CN111293146A

CN111293146A - 显示装置

Info

Publication number: CN111293146A
Application number: CN201911254969.0A
Authority: CN
Inventors: 崔晶浩; 康南洙; 金里瑟; 朴兴洙; 李炫植; 李欣承; 黄载薰
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2018-12-10
Filing date: 2019-12-10
Publication date: 2020-06-16
Anticipated expiration: 2039-12-10
Also published as: EP3667754A1; US11056667B2; US20200185638A1; KR102612713B1; EP3667754B1; KR20200071168A; CN111293146B

Abstract

公开了一种显示装置。该显示装置包括：第一基体基底，包括多个像素；像素电极，在所述多个像素中的每个中位于第一基体基底上并包括反射膜；堤层，在像素电极上并部分地暴露像素电极；有机层，在堤层上并电连接到暴露的像素电极；以及共电极，在有机层上，其中，像素电极对420nm至470nm的第一波长范围内的光具有80％或更大的反射率。

Description

显示装置

本申请要求于2018年12月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0158026号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

随着多媒体的发展，显示装置正变得越来越重要。因此，正在开发诸如液晶显示装置(LCD)和有机发光二极管显示装置(OLED)的各种显示装置。

显示装置中的OLED包括作为自发光元件的有机发光元件。有机发光元件可以包括两个面对的电极(像素电极和阴极)以及置于所述两个电极之间的有机发光层。从所述两个电极提供的电子和空穴可以在发光层中复合以产生激子。当产生的激子从激发态变为基态时，可以发射光。

因为OLED不需要光源，所以它们的功耗相对低，可以制造得相对轻质且薄，并具有相对宽的视角、高亮度和对比度以及快响应速度。由于这些高质量的特性，OLED作为下一代显示装置正受到关注。

当OLED是顶发射型时，有机发光元件的像素电极可以包括反射材料，以将从有机发光元件的有机发光层发射的光朝向显示表面反射。

本说明书的背景技术部分包括旨在为示例实施例提供上下文的信息，并且本背景技术部分中的信息不一定构成现有技术。

发明内容

本公开的一些示例实施例的各方面包括一种其中可以改善有机发光元件的效率的显示装置。

本公开的一些示例实施例的各方面还提供一种其中可以减小有机发光元件的共电极的薄层电阻的显示装置。

然而，本公开的一些示例实施例的各方面不限于在此所阐述的一个方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上方面和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。

根据本公开的一些示例实施例，提供了一种显示装置。

根据本公开的一些示例实施例，一种显示装置包括：第一基体基底，包括多个像素；像素电极，在所述多个像素中的每个中位于第一基体基底上并包括反射膜；堤层，在像素电极上并部分地暴露像素电极；有机层，在堤层上并电连接到暴露的像素电极；以及共电极，在有机层上，其中，像素电极对420nm至470nm的第一波长范围内的光具有80％或更大的反射率。

根据一些示例实施例，像素电极对510nm至550nm的第二波长范围内的光的平均反射率与像素电极对420nm至470nm的第一波长范围内的光的平均反射率之间的差小于5％。

根据一些示例实施例，有机层可以发射第一波长范围内的光。

根据一些示例实施例，像素电极还可以包括在反射膜上的上膜，其中，上膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In₂O₃和MgO中的任何一种。

根据一些示例实施例，像素电极还可以包括在反射膜下方的下膜，其中，下膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In₂O₃和MgO中的任何一种。

根据一些示例实施例，反射膜可以包括AlNiX，其中，X是选自于La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb和Lu中的任何一种元素。

根据一些示例实施例，显示装置还可以包括在共电极上方的波长转换图案。

根据一些示例实施例，显示装置还可以包括：填充物，在共电极与波长转换图案之间；滤色器，在波长转换图案上；以及第二基体基底，在滤色器上。

根据一些示例实施例，显示装置还可以包括与像素电极位于同一层上并与像素电极分开的辅助线。

根据一些示例实施例，堤层包括部分地暴露辅助线的上表面的第一接触孔。

根据一些示例实施例，有机层可以在厚度方向上不与第一接触孔叠置并与堤层的暴露的侧表面对齐。

根据一些示例实施例，共电极可以通过第一接触孔电连接到辅助线。

根据一些示例实施例，显示装置还可以包括：源极/漏极导电层，在第一基体基底上；以及平坦化层，在源极/漏极导电层上。

根据一些示例实施例，源极/漏极导电层可以包括漏电极，平坦化层部分地暴露漏电极的上表面，并且像素电极直接接触漏电极的暴露的上表面。

根据一些示例实施例，源极/漏极导电层还可以包括低电位电源电压线，平坦化层包括部分地暴露低电位电源电压线的第二接触孔，并且辅助线通过第二接触孔电连接到低电位电源电压线。

根据一些示例实施例，显示装置还可以包括与辅助线位于同一层上并与辅助线和像素电极分开的第一辅助线。

根据一些示例实施例，源极/漏极导电层还可以包括高电位电源电压线，平坦化层包括部分地暴露高电位电源电压线的第三接触孔，第一辅助线通过第三接触孔电连接到高电位电源电压线。

根据本公开的一些示例实施例，一种显示装置包括：第一基体基底，包括多个像素；第一导电层，包括在第一基体基底上的漏电极、高电位电源电压线和低电位电源电压线；平坦化层，在第一导电层上并部分地暴露漏电极的上表面；第二导电层，在平坦化层上并包括像素电极，像素电极在所述多个像素中的每个中电连接到漏电极的暴露的上表面并包括下膜、堆叠在下膜上的反射膜和堆叠在反射膜上的上膜；堤层，在第二导电层上并部分地暴露像素电极；有机层，在堤层上并电连接到暴露的像素电极；以及共电极，在有机层上，其中，有机层发射420nm至470nm的波长范围内的蓝光，下膜和上膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In₂O₃和MgO中的任何一种，并且反射膜包括AlNiX，其中，X是选自于La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb和Lu中的任何一种元素。

根据一些示例实施例，第二导电层还可以包括与像素电极分开的辅助线，其中，辅助线包括与像素电极相同的材料。

根据一些示例实施例，堤层可以包括部分地暴露辅助线的上表面的第一接触孔，并且共电极通过第一接触孔电连接到辅助线。

根据一些示例实施例，平坦化层包括部分地暴露低电位电源电压线的第二接触孔，并且辅助线通过第二接触孔电连接到低电位电源电压线。

根据一些示例实施例，平坦化层包括部分地暴露高电位电源电压线的第二接触孔，并且辅助线通过第二接触孔电连接到高电位电源电压线。

附图说明

通过以下结合附图对实施例的描述，这些方面和/或其他方面将变得更加明显和容易理解，在附图中：

图1是根据一些示例实施例的显示装置的示意性框图；

图2是根据一些示例实施例的第一像素的示例的电路图；

图3是根据一些示例实施例的显示装置的详细平面图；

图4是图3的区域A的示意性平面图；

图5是沿着图4的线VI-VI′截取的剖视图；

图6是沿着图4的线VII-VII′截取的剖视图；

图7A至图7C是图5的区域B的放大剖视图；

图8是图6的区域C的放大剖视图；

图9是示出像素电极的相对于光的波长的光反射率的曲线图；

图10是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图；

图11是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；

图12是根据图10和图11的实施例的显示装置的修改示例的剖视图；

图13是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图；

图14是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；

图15是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图；

图16是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；

图17是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图；

图18是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；

图19是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图；

图20是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；

图21是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图；

图22是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；

图23是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图；以及

图24是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本发明的一些示例实施例的各方面。

通过将参照附图更详细描述的实施例，发明的方面和特征以及用于实现方面和特征的方法将变得更加清楚。然而，发明不限于在下文中公开的实施例，而是可以以多种形式实现。说明书中限定的诸如详细的构造和元件的内容仅是为了帮助本领域的普通技术人员全面理解发明而提供的特定细节，并且发明仅在所附权利要求书以及他们的等同物的范围内限定。

当元件被描述为与另一元件有关，诸如“在”另一元件“上”或“位于”不同层或一个层“上”时，包括元件直接位于另一元件或层上的情况以及元件经由另一层或又一元件位于另一元件上的情况。相反，当元件被描述为与另一元件有关，诸如“直接在”另一元件“上”或“直接位于”不同层或一个层“上”时，表示元件位于另一元件或层上而在其间没有中间元件或中间层的情况。

图1是根据一些示例实施例的显示装置1的示意性框图。图2是第一像素PX1的示例的电路图。图3是根据一些示例实施例的显示装置1的详细平面图。

显示装置1可以是例如有机发光二极管显示装置(OLED)。在以下实施例中，将作为示例描述应用OLED作为显示装置1的情况。然而，诸如液晶显示装置(LCD)、量子纳米发光显示装置、微发光二极管(LED)装置、场发射显示装置和电泳装置的其他类型的显示装置也是可应用的。

参照图1至图3，根据一些示例实施例的显示装置1可以包括光提供单元100(见图5)和光转换单元200(见图5)。显示装置1还可以包括驱动单元。例如，驱动单元可以包括集成驱动器电路300、扫描驱动器电路400和电源电路600。集成驱动器电路300可以包括数据驱动器310和时序控制器320。此外，光提供单元100可以包括连接到扫描驱动器电路400的扫描线SL、连接到数据驱动器310的数据线DL，以及连接到电源电路600的高电位电压线VDDL和低电位电压线VSSL。扫描线SL、数据线DL、高电位电压线VDDL和低电位电压线VSSL均可以设置为多条。

显示装置1可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NA。驱动单元和/或连接到驱动单元的垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)可以位于非显示区域NA的一侧上或位于非显示区域NA的一侧处。

显示区域DA可以包括多个像素PX。像素PX可以包括发射峰值波长在约610nm至约650nm的范围内的红光的第一像素PX1、发射峰值波长在约510nm至约550nm的范围内的绿光的第二像素PX2，以及发射峰值波长在约430nm至约470nm的范围内的蓝光的第三像素PX3。第二像素PX2可以在第一方向DR₁上位于第一像素PX1的一侧上或位于第一像素PX1的一侧处。第三像素PX3可以在第一方向DR₁上位于第二像素PX2的一侧上或位于第二像素PX2的一侧处。

第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以沿着矩阵方向(例如，沿着像素矩阵的行或列)交替布置。像素PX1至PX3可以以诸如条纹型或pentile型的各种方式布置。

从像素PX1至PX3中的每个输出的光的波长不仅可以通过从其中像素PX1至PX3中的每个中的像素电极被堤层暴露的发光区域发射的光来调节，而且可以通过与发光区域叠置的波长转换层或滤色器来调节。

非显示区域NA可以布置在显示区域DA周围以围绕显示区域DA。非显示区域NA可以包括虚设发光区域，该虚设发光区域具有与发光区域基本上相同的结构，但是被控制为不发射光。可选地，非显示区域NA可以包括发光区域，但是在显示方向上的光的发射可以被遮光构件阻挡。

电源电路600可以由从系统板供应的主电力产生用于驱动光提供单元100所需的电压VSS和VDD，并通过高电位电压线VDDL和低电位电压线VSSL将电压VSS和VDD供应到光提供单元100。

高电位电压线VDDL可以包括主高电位电压线MVDDL和从主高电位电压线MVDDL分支的子高电位电压线SVDDL。主高电位电压线MVDDL可以在与显示区域DA的下短边相邻的非显示区域NA中在第一方向DR₁上延伸。

子高电位电压线SVDDL可以从位于与显示区域DA的下短边相邻的非显示区域NA中的主高电位电压线MVDDL分支并在一个方向上延伸。例如，子高电位电压线SVDDL可以沿着第二方向DR₂从主高电位电压线MVDDL延伸到显示区域DA，并分别经过第一像素PX1至第三像素PX3。子高电位电压线SVDDL可以分别电连接到像素PX1至PX3的晶体管。例如，子高电位电压线SVDDL可以电连接到像素PX1至PX3的驱动晶体管DT的源电极，并将从电源电路600接收的高电位电压VDD分别提供到驱动晶体管DT。

低电位电压线VSSL可以包括主低电位电压线MVSSL和子低电位电压线SVSSL。主低电位电压线MVSSL和子低电位电压线SVSSL可以均设置为多条。

主低电位电压线MVSSL可以沿着与显示区域DA的边缘相邻的非显示区域NA延伸。也就是说，主低电位电压线MVSSL可以围绕显示区域DA。主低电位电压线MVSSL可以电连接到有机发光元件LD的在非显示区域NA中的共电极(例如，阴极)，并向共电极提供低电位电压VSS。

子低电位电压线SVSSL可以从与显示区域DA的下短边相邻的主低电位电压线MVSSL分支并在一个方向上延伸。例如，子低电位电压线SVSSL可以在第二方向DR₂上从主低电位电压线MVSSL延伸到显示区域DA，并可以位于显示区域DA中。另外，子低电位电压线SVSSL可以连接位于显示区域DA的上短边和下短边上的主低电位电压线MVSSL。

子低电位电压线SVSSL可以经过第一像素PX1，但是可以不经过第二像素PX2和第三像素PX3。然而，本公开不限于这种情况，子低电位电压线SVSSL也可以分别位于发射不同颜色的光的第一像素PX1至第三像素PX3中。

集成驱动器电路300输出用于驱动光提供单元100的信号和电压。集成驱动器电路300的数据驱动器310从时序控制器320接收数字视频数据DATA和源极控制信号DCS。数据驱动器310根据源极控制信号DCS将数字视频数据DATA转换为模拟数据电压，并将模拟数据电压供应到光提供单元100的数据线DL。也就是说，集成驱动器电路300的数据电压可以施加到数据线DL。

每条数据线DL可以电连接到集成驱动器电路300的数据驱动器310，并在一个方向上延伸以经过显示区域DA。例如，每条数据线DL可以在第二方向DR₂上延伸。数据线DL可以分别经过第一像素PX1至第三像素PX3。数据线DL可以分别电连接到像素PX1至PX3的晶体管。例如，数据线DL可以分别电连接到像素PX1至PX3的扫描晶体管ST的漏电极。

时序控制器320从主机系统接收数字视频数据DATA和时序信号。另外，时序控制器320产生用于控制数据驱动器310和扫描驱动器电路400的操作时序的控制信号。控制信号可以包括用于控制数据驱动器310的操作时序的源极控制信号DCS和用于控制扫描驱动器电路400的操作时序的扫描控制信号SCS。

扫描驱动器电路400从时序控制器320接收扫描控制信号SCS。扫描驱动器电路400根据扫描控制信号SCS产生扫描信号，并将扫描信号供应到光提供单元100的扫描线SL。每条扫描线SL连接到扫描驱动器电路400并在一个方向上(例如，在第一方向DR₁上)延伸以经过显示区域DA。一条扫描线SL可以经过第一像素PX1至第三像素PX3。在这种情况下，扫描线SL可以电连接到像素PX1至PX3中的每个的晶体管。例如，扫描线SL可以电连接到像素PX1至PX3中的每个的扫描晶体管ST的栅电极。

参照图2，如上所述，第一像素PX1至第三像素PX3中的每个可以连接到数据线DL中的至少一条、扫描线SL中的至少一条以及高电位电压线VDDL。如图2中所示，第一像素PX1可以包括用于向有机发光元件LD供应电流的多个晶体管和至少一个电容器。

每个有机发光元件LD可以包括像素电极、有机层和共电极。在此，像素电极可以是阳极，共电极可以是阴极。

如图2中所示，晶体管可以包括向有机发光元件LD供应电流的驱动晶体管DT和向驱动晶体管DT的栅电极供应数据电压的扫描晶体管ST。驱动晶体管DT和扫描晶体管ST可以形成为薄膜晶体管。

驱动晶体管DT可以包括连接到扫描晶体管ST的源电极的栅电极、连接到高电位电压VDD施加到其的高电位电压线VDDL的源电极以及连接到有机发光元件LD的像素电极的漏电极。扫描晶体管ST可以包括连接到扫描线SL的栅电极、连接到驱动晶体管DT的栅电极的源电极以及连接到数据线DL的漏电极。

电容器Cst形成在驱动晶体管DT的栅电极与源电极之间。电容器Cst存储驱动晶体管DT的栅极电压与源极电压之间的差。

在图2中，作为示例示出了第一像素PX1至第三像素PX3中的每个为包括一个驱动晶体管DT、一个扫描晶体管ST和一个电容器Cst的2晶体管-1电容器(2T1C)像素的情况。然而，本公开不限于这种情况，并且第一像素PX1至第三像素PX3中的每个也可以包括多个扫描晶体管ST和多个电容器Cst。

第二像素PX2和第三像素PX3可以由与第一像素PX1基本上相同的电路图表示，因此省略其详细描述。

图4是图3的区域A的示意性平面图。在图4中，为了便于描述，仅示出了位于像素PX1至PX3中的每个中的子高电位电压线SVDDL、子低电位电压线SVSSL、数据线DL、像素电极151和共电极171。

像素电极151可以位于像素PX1至PX3的每个中。分别位于像素PX1至PX3中的像素电极151可以彼此分隔开。

子高电位电压线SVDDL、子低电位电压线SVSSL和数据线DL可以在显示区域DA中。

子低电位电压线SVSSL可以位于第一像素PX1的像素电极151的一侧上。如上所述，子低电位电压线SVSSL可以在第一像素PX1中，但是不在第二像素PX2和第三像素PX3中。另外，子低电位电压线SVSSL可以位于在第一方向DR₁上位于第三像素PX3的一侧上的另一像素中。

在第一像素PX1中，子高电位电压线SVDDL可以位于子低电位电压线SVSSL与像素电极151之间。子高电位电压线SVDDL可以与子低电位电压线SVSSL分隔开。在第二像素PX2和第三像素PX3的每个中，子高电位电压线SVDDL可以位于相邻像素(例如，PX2和PX3)的各自的像素电极151之间。

在第一像素PX1中，数据线DL可以位于第二像素PX2的子高电位电压线SVDDL与第一像素PX1的像素电极151之间。在第二像素PX2中，数据线DL可以位于第二像素PX2的像素电极151与相邻的第三像素PX3的子高电位电压线SVDDL之间。在第三像素PX3中，数据线DL可以位于第三像素PX3的像素电极151与右侧相邻像素的子低电位电压线SVSSL之间。

子低电位电压线SVSSL的平面宽度W₁可以比子高电位电压线SVDDL的平面宽度W₂和数据线DL的平面宽度W₃大。另外，子高电位电压线SVDDL的平面宽度W₂可以但不限于比数据线DL的平面宽度W₃大。

共电极171可以布置在显示区域DA的整个表面之上。

现在将更详细地描述显示装置1的剖面结构。

图5是沿着图4的线VI-VI′截取的剖视图。图6是沿着图4的线VII-VII′截取的剖视图。图7A至图7C是图5的区域B的放大剖视图。在图5中，为了便于描述，示意性地示出了光提供单元100的构造。例如，图5仅示出了图6的光提供单元100的多个电极之中的连接到像素电极151的漏电极141、像素电极151和共电极171，并且仅示出了光提供单元100的无机膜和/或有机膜之中的平坦化层161、堤层162和薄膜封装层180。另外，图6没有示出图5中示出的布置在光提供单元100上方的元件。

参照图5至图7C，光提供单元100可以包括基体基底、多个电极、布线、具有绝缘功能、平坦化功能和封装功能的多个无机膜和/或有机膜，以及多个有机发光元件，每个有机发光元件包括像素电极151、有机层OL和共电极171。

第一基体基底101可以支撑布置在第一基体基底101上的各种元件。第一基体基底101可以是包含诸如玻璃或石英的刚性材料的刚性基底。可选地，第一基体基底101可以是包含韧性材料的柔性基底。

缓冲层102可以位于第一基体基底101上。缓冲层102可以防止或减少杂质离子的扩散，防止或减少湿气或外部空气的渗透，并执行表面平坦化功能。

半导体层105可以布置在缓冲层102上。半导体层105形成薄膜晶体管TFT的沟道。半导体层105可以位于显示区域DA的像素PX1至PX3中的每个中。半导体层105可以包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等。

作为栅极绝缘膜的第一绝缘层111可以布置在半导体层105上。

栅极导电层可以布置在第一绝缘层111上。栅极导电层可以包括薄膜晶体管TFT的栅电极121。栅极导电层还可以包括将扫描信号传输到存储电容器的第一电极和栅电极121的信号扫描线。

第二绝缘层112和第三绝缘层113可以顺序地堆叠在栅极导电层上。电容器电极可以位于第二绝缘层112与第三绝缘层113之间。

源极/漏极导电层可以布置在第三绝缘层113上。源极/漏极导电层可以包括子低电位电压线SVSSL、子高电位电压线SVDDL、薄膜晶体管TFT的漏电极141和源电极142以及数据线DL。薄膜晶体管TFT的漏电极141和源电极142可以穿过第三绝缘层113、第二绝缘层112和第一绝缘层111的接触孔分别电连接到半导体层105的漏区和源区。子低电位电压线SVSSL、子高电位电压线SVDDL以及薄膜晶体管TFT的漏电极141和源电极142彼此分隔开。

源极/漏极导电层可以包括选自于铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)和钼(Mo)中的一种或更多种金属。源极/漏极导电层可以是如图中示出的单层膜。然而，源极/漏极导电层不限于单层膜，并且也可以是多层膜。例如，源极/漏极导电层可以具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo或Ti/Cu的堆叠结构。

平坦化层161可以布置在源极/漏极导电层上。平坦化层161可以使其中像素电极151布置在平坦化层161上的每个区域平坦化。

平坦化层161可以包括接触孔，每个接触孔暴露漏电极141的上表面。像素电极151可以接触并电连接到漏电极141的通过平坦化层161的接触孔中的每个暴露的上表面。

平坦化层161可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。

像素电极151可以在像素PX1至PX3中的每个中布置在平坦化层161上。像素电极151可以包括下膜、反射膜和上膜的堆叠。稍后将描述像素电极151的堆叠膜。

堤层162可以位于像素电极151上。堤层162可以沿着像素PX1至PX3的边界以格子形状布置。堤层162可以包括以格子形状布置并且均至少部分地暴露像素电极151的开口部分。堤层162可以由有机膜或无机膜制成。另外，堤层162可以由无机膜和有机膜的堆叠制成。

有机层OL可以布置在由堤层162的开口部分中的每个暴露的像素电极151上。尽管有机层OL被示出为形成为在像素PX1至PX3之间没有区别的单件，但是它也可以分成分别形成在像素PX1至PX3中的单独的件。

有机层OL包括有机发光层。在有机发光层中，从阳极和阴极提供的电子和空穴可以复合以产生激子。当产生的激子从激发态变为基态时，可以发射蓝光。有机层OL还可以包括促进空穴和电子的注入/移动的辅助层。现在将参照图7A至图7C更详细地描述有机层OL。

在实施例中，参照图7A，有机层OL可以包括布置在第二像素PX2的像素电极151上的第一空穴传输层HTL1、布置在第一空穴传输层HTL1上的第一发光层EL1和布置在第一发光层EL1上的第一电子传输层ETL1。在当前的实施例中，有机层OL可以仅包括一个发光层，例如，第一发光层EL1，并且第一发光层EL1可以发射蓝光L1。

在实施例中，参照图7B，有机层OLa还可以包括布置在第一发光层EL1上的第一电荷产生层CGL1和布置在第一电荷产生层CGL1上的第二发光层EL2，并且第一电子传输层ETL1可以布置在第二发光层EL2上。第一电荷产生层CGL1可以将电荷注入到发光层EL1和EL2中的每个中。

在实施例中，参照图7C，有机层OLb可以包括三个发光层EL1至EL3以及置于发光层EL1至EL3之间的两个电荷产生层CGL1和CGL2。也就是说，有机层OLb还可以包括位于第一发光层EL1上的第一电荷产生层CGL1、位于第一电荷产生层CGL1上的第二发光层EL2、位于第二发光层EL2上的第二电荷产生层CGL2以及位于第二电荷产生层CGL2上的第三发光层EL3。第一电子传输层ETL1可以位于第三发光层EL3上。

第二发光层EL2和/或第三发光层EL3可以发射具有与从第一发光层EL1发射的蓝光相同或不同的峰值波长的蓝光。

再次参照图5和图6，当像素电极151是有机发光元件的阳极时，共电极171可以是有机发光元件的阴极。共电极171可以包括电子可以容易地注入到其中的低功函数材料，诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba或者它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。

共电极171可以具有透明性或半透明性。如果上述低功函数材料形成为几十至几百埃那么小的厚度，那么共电极171可以具有透明性或半透明性。当使用具有低功函数的薄金属膜时，共电极171还可以包括堆叠在薄金属膜上的透明导电材料层，以确保透明性并减小电阻。透明导电材料层可以是氧化钨(W_xO_x)、氧化钛(TiO₂)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化镁(MgO)等。

薄膜封装层180可以布置在共电极171上。为了防止或减少从外部引入杂质或湿气，薄膜封装层180可以布置在有机发光元件上以封装光提供单元100。薄膜封装层180可以布置在整个表面上，而与像素PX1至PX3无关。薄膜封装层180可以覆盖包括布置在薄膜封装层180下方的共电极171的有机发光元件。有机发光元件可以被第一基体基底101和薄膜封装层180围绕并封装。

薄膜封装层180可以包括顺序地堆叠在共电极171上的第一封装无机膜181、封装有机膜182和第二封装无机膜183。第一封装无机膜181可以布置在共电极171的表面上，封装有机膜182可以布置在第一封装无机膜181的表面上，并且第二封装无机膜183可以布置在封装有机膜182的表面上。

现在将描述光转换单元200。光转换单元200可以包括第二基体基底201、遮光构件220和260、滤色器231至233、光转换图案251至253以及多个堆叠的盖层241至243。

第二基体基底201位于与第一基体基底101相对的位置。第二基体基底201可以由选自于第一基体基底101的示例材料中的材料制成。

第一遮光构件220可以在面对光提供单元100的方向上(在图6中的向下方向上)布置在第二基体基底201的表面上。第一遮光构件220可以布置在光输出区域PA1至PA3的边界处(即，布置在非光输出区域PB中)，以阻挡光的透射。第一遮光构件220可以防止或减少像素PX1至PX3之间的光的颜色混合。第一遮光构件220可以包括有机材料、包含铬的金属材料和炭黑中的至少一种。

滤色器230可以布置在第二基体基底201的表面上。滤色器230可以包括第一滤色器231至第三滤色器233。滤色器231至233可以分别布置在像素PX1至PX3中。第一滤色器231至第三滤色器233中的每个可以是吸收特定波长的光并透射另一特定波长的光的吸收性过滤器。

第一滤色器231可以阻挡或吸收从第一波长转换图案251输出的蓝光L1和红光L2之中的蓝光L1。也就是说，第一滤色器231可以用作阻挡蓝光L1的蓝光阻挡过滤器并可以用作选择性地透射红光L2的红光透射过滤器。第一滤色器231可以包括红色着色剂。

第二滤色器232可以阻挡或吸收从第二波长转换图案252输出的蓝光L1和绿光L3之中的蓝光L1。也就是说，第二滤色器232可以用作阻挡蓝光L1的蓝光阻挡过滤器并可以用作选择性地透射绿光L3的绿光透射过滤器。第二滤色器232可以包括绿色着色剂。

第三滤色器233可以用作透射从光透射图案253输出的蓝光L4的蓝光透射过滤器。第三滤色器233可以包括蓝色着色剂。

盖层240可以包括第一盖层241至第三盖层243。第一盖层241可以位于第一滤色器231、第二滤色器232和第三滤色器233上，以防止或减少外部空气和湿气的引入。第一盖层241可以布置在滤色器231至233的整个表面之上。

第二盖层242可以位于第一盖层241上，以防止或减少滤色器230被损坏和/或污染。第二盖层242可以覆盖第一盖层241。

第一盖层241和第二盖层242可以由无机材料制成。例如，第一盖层241和第二盖层242可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈或氮氧化硅制成。

光转换图案250可以布置在第一盖层241和第二盖层242上。光转换图案250可以包括第一波长转换图案251、第二波长转换图案252和光透射图案253。光转换图案251至253可以分别布置在像素PX1至PX3中。

布置在第一像素PX1中的第一波长转换图案251可以将蓝光L1转换为红光L2并输出红光L2。

第一波长转换图案251可以包括第一基体树脂2511和分散在第一基体树脂2511中的第一波长移位器2512，并且还可以包括分散在第一基体树脂2511中的第一散射体2513。

第一基体树脂2511可以包括有机材料，诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂或酰亚胺树脂。

第一波长移位器2512可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长。第一波长移位器2512的示例可以包括量子点、量子棒和磷光体。

从第一像素PX1的发光区域发射的蓝光L1的一部分可以透射穿过第一波长转换图案251，而不被第一波长移位器2512转换成红光L2。蓝光L1的入射在第一滤色器231上而未被第一波长转换图案251转换的这个部分可以被第一滤色器231阻挡。另一方面，蓝光L1已经被第一波长转换图案251转换为其的红光L2可以通过第一滤色器231透射到外部。

第一散射体2513可以是光散射颗粒。第一散射体2513可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。

位于第二像素PX2中的第二波长转换图案252可以将蓝光L1转换为在约510nm至约550nm的范围内的绿光L3，并输出绿光L3。

第二波长转换图案252可以包括第二基体树脂2521和分散在第二基体树脂2521中的第二波长移位器2522，并且还可以包括分散在第二基体树脂2521中的第二散射体2523。

第二基体树脂2521可以由与第一基体树脂2511相同的材料制成，或者可以包括作为第一基体树脂2511的材料的示例提及的材料中的至少一种。

第二波长移位器2522可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长。第二波长移位器2522可以将具有在430nm至470nm的范围内的峰值波长的蓝光L1转换为具有在510nm至550nm的范围内的峰值波长的绿光L3。蓝光L1的一部分可以透射穿过第二波长转换图案252，而不被第二波长移位器2522转换成绿光L3。蓝光L1的这个部分可以被第二滤色器232阻挡。另一方面，蓝光L1已经被第二波长转换图案252转换为其的绿光L3可以通过第二滤色器232透射到外部。

第二波长移位器2522与上述的第一波长移位器2512基本上相同或相似，因此省略其详细描述。

第二散射体2523与上述的第一散射体2513基本上相同或相似，因此省略其详细描述。

位于第三像素PX3中的光透射图案253可以照原样透射入射的蓝光L1。

光透射图案253还可以包括第三基体树脂2531和分散在第三基体树脂2531中的第三散射体2533。

第三基体树脂2531可以由与第一基体树脂2511相同的材料制成，或者可以包括作为第一基体树脂2511的材料的示例提及的材料中的至少一种。

第三散射体2533与上述的第一散射体2513基本上相同或相似，因此省略其详细描述。

第三盖层243可以布置在光转换图案250上。第三盖层243可以覆盖光转换图案250。第三盖层243可以包括无机材料。第三盖层243可以由与第一盖层241相同的材料制成，或者可以包括在第一盖层241的描述中提到的材料中的至少一种。在实施例中，第三盖层243可以包括氮化硅。

使光转换图案250的下台阶平坦化的有机平坦化层和覆盖有机平坦化层的无机盖层还可以布置在第三盖层243上，但是本公开不限于这种情况。

多个第二遮光图案260可以在非光输出区域PB中布置在第三盖层243上。第二遮光图案260可以防止或减少相邻像素PX1至PX3之间的颜色混合。在示例中，第二遮光图案260可以包括作为第一遮光构件220的材料的示例提及的材料中的至少一种。

填充物700可以布置在光提供单元100与光转换单元200之间。填充物700可以接触光提供单元100的薄膜封装层180并接触光转换单元200的第三盖层243和第二遮光图案260。

填充物700可以使由光转换图案251至253和第二遮光图案260形成的表面台阶平坦化。填充物700可以由具有缓冲功能的材料制成并用作吸收在光提供单元100与光转换单元200之间产生的震动的缓冲构件。例如，填充物700可以由硅类有机材料、环氧类有机材料或丙烯酸类有机材料制成。

现在将参照图8和图9更详细地描述像素电极151。

图8是图6的区域C的放大剖视图。图9是示出相对于光的波长范围的像素电极151的光反射率的曲线图。图9示出了在应用铝合金(AlNiX)作为反射膜的示例的情况下相对于光的波长范围(nm)(水平轴)的反射率(％)(竖直轴)。为了帮助理解本公开，还示出了应用银(Ag)作为反射膜的情况。

根据实施例的像素电极151可以具有如上面所提及的多层结构。像素电极151可以包括下膜155、与下膜155相对布置的上膜154，以及置于下膜155与上膜154之间的反射膜153。

下膜155可以增强像素电极151与位于像素电极151下方的平坦化层161的粘合。下膜155可以包括例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化镁(MgO)或氧化铟(In₂O₃)。

上膜154可以包括空穴可以容易地注入到其中的高功函数材料。例如，上膜154可以包括与下膜155相同的材料。

参照图8，朝向像素电极151提供的光L_i可以包括从有机层OL向下发射的光L₁₁和从有机层OL向上发射然后被共电极171向下反射的光L₁₂。光L_i还可以包括被位于共电极171上方的元件向下反射的光。入射的光L_i可以是具有与蓝光L1相同的峰值波长范围的光。然而，本公开不限于这种情况，并且入射的光L_i还可以包括具有与红光L2和绿光L3相同或相似的峰值波长范围的光。

朝向像素电极151提供的光L_i可以被像素电极151向上反射。例如，朝向像素电极151提供的光L_i可以被上膜154或反射膜153向上反射。

如在此所使用的反射率表示像素电极151的反射率，并且可以定义为被上膜154或反射膜153向上反射的光L_R1和L_R2与朝向像素电极151提供的光L_i的比例。

当像素电极151包括反射膜153时，可以增大被反射膜153向上反射的光L_R2在朝向像素电极151提供的光L_i中的比。也就是说，可以增大整体反射率。

下膜155可以具有第一厚度T_l，反射膜153可以具有第二厚度T₂，上膜154可以具有第三厚度T₃。下膜155的厚度T₁和上膜154的厚度T₃可以比反射膜153的厚度T₂小。

例如，下膜155的厚度T₁和上膜154的厚度T₃可以是约

至约

反射膜153的厚度T₂可以是约

或更大。考虑到工艺稳定性、反射效率和薄化，可以调节反射膜153的厚度T₂。例如，当反射膜153的厚度T₂是约

或更大时，反射膜153可以通过溅射工艺稳定地形成在下膜155上。

此外，当反射膜153的厚度T₂是约

或更大时，像素电极151的反射率在水平轴上的整个波长范围(350nm至750nm)内可以是约80％或更大。也就是说，使反射膜153对入射的光L_i能够具有约80％或更大的反射效率的有效厚度可以是约

或更大。

另一方面，考虑到薄化，反射膜153的厚度T₂可以是

或更小。

另外，随着反射膜153的厚度T₂增大，布置在反射膜153上和下方的上膜154和下膜155的总电阻可以线性和/或非线性地减小。即使在这种情况下，考虑到反射效率和薄化，也可以将AlNiLa的厚度调节为约

至约

反射膜153可以由在蓝光的整个波长范围内具有约80％或更大的反射率的任何材料制成，如将在图9中描述的。所述材料可以是铝镍合金(AlNiX)，其中，X可以包括选自于La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb和Lu中的一种或更多种元素。例如，X可以是镧(La)，AlNiX可以是铝镍镧(AlNiLa)。

参照图9，当应用根据实施例的反射膜153时，在蓝光的整个波长范围(约420nm至约470nm)内，反射率可以是约80％或更大。在图9中，示出了具有铝镍合金(AlNiX)作为反射膜153的像素电极151。在蓝光的整个波长范围内，朝向像素电极151提供的光L_i之中的被像素电极151向上反射的光L_R的平均反射率在约80％至约90％的范围内。

像素电极151在除蓝光的波长范围之外的其他波长范围内的反射率也可以是约80％至约90％。例如，像素电极151在绿光的波长范围(约510nm至约550nm)内的平均反射率与像素电极151在蓝光的波长范围(约420nm至约470nm)内的平均反射率之间的差可以是约5％或更少。

包括银(Ag)作为反射膜的像素电极151对于具有比蓝光的波长长的波长(大于约470nm的波长)的光可以具有比根据实施例的像素电极151高的反射率，但是对于具有比蓝光的波长短的波长(小于约470nm的波长)的光具有比根据实施例的像素电极151低的反射率。

在实施例中，如上所述地应用了蓝色有机发光元件。根据实施例的像素电极151包括作为反射膜153的在蓝光的波长范围内具有优异反射率的材料。因此，在比蓝光的波长范围长的波长范围(大于约470nm)内，包括除了上述材料之外的材料作为反射膜的材料的像素电极可以具有比根据实施例的像素电极151高的反射率。然而，在蓝光的波长范围和比上述波长范围短的波长范围(小于约470nm)内，根据实施例的像素电极151的反射率可以更高。在这方面，根据实施例的像素电极151对于发射蓝光的有机发光元件可以是最佳的，从而改善了蓝色有机发光元件的整体发光效率。

在下文中，将描述其他实施例。在以下实施例中，与上述实施例的元件相同的元件将由相同的附图标记表示，并且将省略或简要地给出元件的描述。

图10是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图。图11是根据一些示例实施例的显示装置2的剖视图。图10和图11分别与图4和图6对应。

参照图10和图11，根据一些示例实施例的显示装置2与图4至图6的显示装置1的不同之处在于显示装置2还包括辅助线152，并且辅助线152通过堤层162_1的接触孔CNT接触共电极171。

例如，辅助线152可以与像素电极151布置在同一层上并与像素电极151分隔开。也就是说，辅助线152可以与像素电极151电隔离。辅助线152可以包括与像素电极151相同的材料。

辅助线152可以沿着一个方向延伸。例如，辅助线152可以形成为单件并沿着第二方向DR₂(见图2)延伸。可选地，辅助线152可以沿着第二方向DR₂延伸，但是可以被划分为岛形。

堤层162_1可以包括暴露辅助线152的上表面的接触孔CNT。另外，与堤层162_1的接触孔CNT叠置的有机层可以通过激光钻孔工艺去除。因此，有机层OL_1可以在厚度方向上不与堤层162_1的接触孔CNT叠置，并可以与堤层162_1的侧表面对齐。在图10中，示出了三个接触孔CNT。然而，接触孔CNT的数量不限于三个，并且也可以是一个、两个或者四个或更多个。

如上所述，共电极171可以包括电子可以容易地注入到其中的低功函数材料。在顶发射显示装置的情况下，低功函数材料可以形成为几十至几百埃那么小的厚度以确保透明性或半透明性。然而，如果使低功函材料变薄，那么会增大共电极171的薄层电阻。

根据当前的实施例的显示装置2还包括辅助线152，该辅助线152与像素电极151形成在同一层上，但与像素电极151电隔离，并且辅助线152可以通过堤层162_1的接触孔CNT接触共电极171。因此，可以增大变薄的共电极171在厚度方向上的面积和/或厚度，从而减小共电极171的总薄层电阻。

此外，当从有机层OL_1发射的光被波长转换图案反射或转换然后提供到布置有辅助线152的区域时，光可以再次朝向显示方向反射。例如，从有机层OL_1发射的光可以是蓝光，并且在被波长转换图案转换之后提供的光可以是绿光和/或红光。根据一些示例实施例的辅助线152可以在约350nm至约750nm的波长范围内具有约5％或更小的反射率差。因此，它可以以基本上均匀的比例反射整个波长范围的光，而不会根据光的波长范围改变反射率。结果，可以改善显示装置的色纯度。

在当前的实施例中，如上所述，应用了蓝色有机发光元件。根据当前的实施例的像素电极151包括作为反射膜153的在蓝光的波长范围内具有优异反射率的材料。因此，在比蓝光的波长范围长的波长范围(大于约470nm)内，包括除了上述材料之外的材料作为反射膜的材料的像素电极可以具有比根据实施例的像素电极151高的反射率。然而，在蓝光的波长范围和比上述波长范围短的波长范围(小于约470nm)内，根据实施例的像素电极151的反射率可以更高。在这方面，根据实施例的像素电极151对于发射蓝光的有机发光元件可以是最佳的，因此改善了蓝色有机发光元件的整体发光效率。

图12是根据图10和图11的实施例的显示装置2的修改示例的剖视图。

参照图12，显示装置与图10和图11的显示装置2的不同之处在于，在堤层162_1的侧表面上还布置有阻光材料层191。

例如，当通过上述激光钻孔工艺去除与堤层162_1的接触孔CNT叠置的有机层OL_1时，有机层OL_1会残留在堤层162_1的侧表面上。在这种情况下，由于像素电极151和共电极171，光会从堤层162_1的侧部的一部分横向发射。因此，在有机层OL_1上的激光钻孔工艺之后，阻光材料层191可以布置在有机层OL_1的在堤层162_1的侧表面上的残留材料与共电极171之间。阻光材料层191也可以在非发光区域PB中布置在有机层OL_1与共电极171之间，但是本公开不限于这种情况。

阻光材料层191可以包括诸如Liq的材料。因此，可以防止或减少由于有机层OL_1的残留有机材料引起的横向光发射。

图13是根据一些示例实施例的显示区域的像素的详细平面图。图14是根据一些示例实施例的显示装置3的剖视图。

参照图13和图14，根据当前的实施例的显示装置3与图11和图12的实施例的不同之处在于，辅助线152_1通过平坦化层161_1的接触孔CNT_1接触子低电位电压线SVSSL，并不接触共电极171。

例如，平坦化层161_1可以包括暴露子低电位电压线SVSSL的上表面的接触孔CNT_1。

在图13中，示出了三个接触孔CNT_1。然而，接触孔CNT_1的数量不限于三个，并且也可以是一个、两个或者四个或更多个。

与像素电极151电隔离的辅助线152_1可以直接接触并电连接到子低电位电压线SVSSL的由接触孔CNT_1暴露的上表面。因此，可以增大子低电位电压线SVSSL在厚度方向上的面积和/或厚度，从而减小子低电位电压线SVSSL的总薄层电阻。

此外，当从有机层OL发射的光被波长转换图案反射或转换然后提供到辅助线152_1所在的区域时，光可以再次朝向显示方向反射。根据当前的实施例的辅助线152_1在约350nm至约750nm的波长范围内可以具有约5％或更小的反射率差。因此，它可以以基本上均匀的比例反射整个波长范围的光，而不会根据光的波长范围改变反射率。结果，可以改善显示装置的色纯度。

图15是根据实施例的显示区域的像素的详细平面图。图16是根据实施例的显示装置4的剖视图。

参照图15和图16，根据当前的实施例的显示装置4与图13和图14的实施例的不同之处在于，每条辅助线152_2通过平坦化层161_2的接触孔CNT_2接触相应的子高电位电压线SVDDL，并不接触子低电位电压线SVSSL。

例如，平坦化层161_2可以包括暴露每条子高电位电压线SVDDL的上表面的接触孔CNT_2。在图15中，示出了三个接触孔CNT_2。然而，接触孔CNT_2的数量不限于三个，并且也可以是一个、两个或者四个或更多个。

与像素电极151电隔离的每条辅助线152_2可以直接接触并电连接到相应的子高电位电压线SVDDL的由接触孔CNT_2暴露的上表面。因此，可以增大每个子高电位电压线SVDDL在厚度方向上的面积和/或厚度，从而减小每条子高电位电压线SVDDL的总薄层电阻。

此外，当从有机层OL发射的光被波长转换图案反射或转换然后提供到每条辅助线152_2所在的区域时，光可以再次朝向显示方向反射。根据当前的实施例的辅助线152_2可以在约350nm至约750nm的波长范围内具有约5％或更小的反射率差。因此，它们可以以基本上均匀的比例反射整个波长范围的光，而不会根据光的波长范围改变反射率。结果，可以改善显示装置的色纯度。

图17是根据实施例的显示区域的像素的详细平面图。图18是根据实施例的显示装置5的剖视图。

参照图17和图18，在根据当前的实施例的显示装置5中，子低电位电压线SVSSL、辅助线152_3和共电极171彼此接触。也就是说，图17和图18的实施例是图11和图14的实施例的组合。因此，将省略或简要给出与图11和图14的元件和特征相同的元件和特征的描述，并且下面将主要描述不同之处。

平坦化层161_3可以包括暴露子低电位电压线SVSSL的上表面的接触孔CNT_1。与像素电极151电隔离的辅助线152_3可以直接接触并电连接到子低电位电压线SVSSL的由接触孔CNT_1暴露的上表面。

另外，堤层162_1可以包括暴露辅助线152_3的上表面的接触孔CNT，并且辅助线152_3可以通过堤层162_1的接触孔CNT接触共电极171。

因此，可以增大共电极171和子低电位电压线SVSSL在厚度方向上的面积和/或厚度，从而减小共电极171和子低电位电压线SVSSL的总薄层电阻。

此外，当从有机层OL_1发射的光被波长转换图案反射或转换然后提供到辅助线152_3所在的区域时，光可以再次朝向显示方向反射。根据当前的实施例的辅助线152_3在约350nm至约750nm的波长范围内可以具有约5％或更小的反射率差。因此，它可以以基本上均匀的比例反射整个波长范围的光，而不会根据光的波长范围改变反射率。结果，可以改善显示装置的色纯度。

图19是根据实施例的显示区域的像素的详细平面图。图20是根据实施例的显示装置6的剖视图。

参照图19和图20，图19和图20的显示装置6是图11的实施例和图16的实施例的组合。因此，在此省略了当前的实施例的详细描述，并且可以在图11和图16的描述中找到当前的实施例的详细描述。

图21是根据实施例的显示区域的像素的详细平面图。图22是根据实施例的显示装置7的剖视图。参照图21和图22，图21和图22的显示装置7是图14的实施例和图16的实施例的组合。因此，在此省略当前的实施例的详细描述，并且可以在图14和图16的描述中找到当前的实施例的详细描述。

图23是根据实施例的显示区域的像素的详细平面图。图24是根据实施例的显示装置8的剖视图。参照图23和图24，图23和图24的显示装置8是图16的实施例和图18的实施例的组合。因此，在此省略当前的实施例的详细描述，并且可以在图16和图18的描述中找到当前的实施例的详细描述。

根据实施例，有机发光元件的像素电极包括对蓝光具有优异反射率的反射膜。因此，能够提供其中蓝色有机发光元件的效率得以改善的显示装置。

根据实施例，辅助像素电极可以与像素电极设置在同一层上，并可以接触有机发光元件的共电极。因此，可以增大共电极在厚度方向上的面积。因此，能够提供其中共电极的总薄层电阻被减小的显示装置。

尽管出于说明性目的已经公开了本发明的优选实施例，但是本领域的技术人员将理解的是，在不脱离如在权利要求书中所公开的发明的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。

然而，实施例的效果不限于在此所阐述的效果。通过参照权利要求书，实施例的上述效果和其他效果对于实施例所属领域的日常技术人员将变得更加明显。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一基体基底，包括多个像素；

像素电极，在所述多个像素中的每个中位于所述第一基体基底上并包括反射膜；

堤层，位于所述像素电极上并部分地暴露所述像素电极；

有机层，位于所述堤层上并电连接到暴露的所述像素电极；以及

共电极，位于所述有机层上，

其中，所述像素电极对420nm至470nm的第一波长范围内的光具有80％或更大的反射率。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电极对510nm至550nm的第二波长范围内的光的平均反射率与所述像素电极对420nm至470nm的所述第一波长范围内的光的平均反射率之间的差小于5％。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述有机层发射所述第一波长范围内的光。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述像素电极还包括位于所述反射膜上的上膜，其中，所述上膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In₂O₃和MgO中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述像素电极还包括位于所述反射膜下方的下膜，其中，所述下膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In₂O₃和MgO中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述反射膜包括AlNiX，其中，X是选自于La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb和Lu中的任何一种元素。

7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述共电极上方的波长转换图案。

8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：

填充物，位于所述共电极与所述波长转换图案之间；

滤色器，位于所述波长转换图案上；以及

第二基体基底，位于所述滤色器上。

9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述像素电极位于同一层上并与所述像素电极分开的辅助线。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述堤层包括部分地暴露所述辅助线的上表面的第一接触孔。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述有机层在厚度方向上不与所述第一接触孔叠置，并与所述堤层的暴露的侧表面对齐。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述共电极通过所述第一接触孔电连接到所述辅助线。

13.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括：

源极/漏极导电层，位于所述第一基体基底上；以及

平坦化层，位于所述源极/漏极导电层上。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述源极/漏极导电层包括漏电极，所述平坦化层部分地暴露所述漏电极的上表面，并且所述像素电极直接接触所述漏电极的暴露的所述上表面。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述源极/漏极导电层还包括低电位电源电压线，所述平坦化层包括部分地暴露所述低电位电源电压线的第二接触孔，并且所述辅助线通过所述第二接触孔电连接到所述低电位电源电压线。

16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述辅助线位于同一层上并与所述辅助线和所述像素电极分开的第一辅助线。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述源极/漏极导电层还包括高电位电源电压线，所述平坦化层包括部分地暴露所述高电位电源电压线的第三接触孔，所述第一辅助线通过所述第三接触孔电连接到所述高电位电源电压线。

18.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一基体基底，包括多个像素；

第一导电层，包括位于所述第一基体基底上的漏电极、高电位电源电压线和低电位电源电压线；

平坦化层，位于所述第一导电层上并部分地暴露所述漏电极的上表面；

第二导电层，位于所述平坦化层上并包括像素电极，所述像素电极在所述多个像素中的每个中电连接到所述漏电极的暴露的所述上表面，并包括下膜、堆叠在所述下膜上的反射膜和堆叠在所述反射膜上的上膜；

堤层，位于所述第二导电层上并部分地暴露所述像素电极；

共电极，位于所述有机层上，

其中，所述有机层发射420nm至470nm的波长范围内的蓝光，所述下膜和所述上膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In₂O₃和MgO中的任何一种，所述反射膜包括AlNiX，其中，X为选自于La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb和Lu中的任何一种元素。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二导电层还包括与所述像素电极分开的辅助线，其中，所述辅助线包括与所述像素电极相同的材料。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述堤层包括部分地暴露所述辅助线的上表面的第一接触孔，并且所述共电极通过所述第一接触孔电连接到所述辅助线。

21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括部分地暴露所述低电位电源电压线的第二接触孔，并且所述辅助线通过所述第二接触孔电连接到所述低电位电源电压线。

22.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括部分地暴露所述高电位电源电压线的第二接触孔，并且所述辅助线通过所述第二接触孔电连接到所述高电位电源电压线。