[go: up one dir, main page]

TW202301310A - 微型發光二極體顯示裝置 - Google Patents

微型發光二極體顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202301310A
TW202301310A TW110131126A TW110131126A TW202301310A TW 202301310 A TW202301310 A TW 202301310A TW 110131126 A TW110131126 A TW 110131126A TW 110131126 A TW110131126 A TW 110131126A TW 202301310 A TW202301310 A TW 202301310A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pixel
row
pixel regions
enabled
sub
Prior art date
Application number
TW110131126A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI776647B (zh
Inventor
李允立
廖冠詠
Original Assignee
錼創顯示科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 錼創顯示科技股份有限公司 filed Critical 錼創顯示科技股份有限公司
Priority to US17/728,212 priority Critical patent/US12211884B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI776647B publication Critical patent/TWI776647B/zh
Publication of TW202301310A publication Critical patent/TW202301310A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0221—Manufacture or treatment of multiple TFTs comprising manufacture, treatment or patterning of TFT semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H10W90/00—
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明係一種微型發光二極體顯示裝置，係主要包含多個呈矩陣排列的像素區及一顯示驅動電路，各該像素區係包含有多個並排的子像素區；其中該顯示驅動電路於第一驅動模式下，係依序致能多條行像素區，並於致能其中一條行像素區時，控制其上各該像素區之其中一個子像素區顯示一顏色，而於第二驅動模式下，同樣依序致能多條行像素區，但於致能其中一條行像素區時，控制其上各像素區之所有子像素區同時顯示相同顏色，來達到高亮度影像的要求，且不必消耗過多功率。

Description

微型發光二極體顯示裝置
本發明係關於一種自發光顯示裝置，尤指一種微型發光二極體顯示裝置。
在一般的自發光顯示裝置中(例如OLED、LED)，包含一顯示區域及非顯示區域；其中該顯示區域係設置有驅動電路，而該顯示區域上包含有呈矩陣排列的多個像素區、多條掃描線及多條資料線。各該像素區包含有三個不同色光(紅光、綠光、藍光)的子像素，各該子像素利用掃描線及資料線控制發光以呈現影像。更詳細來說，是藉由位於非顯示區域的驅動電路連接該些資料線，並依據待顯示之影像中各像素內容，來決定對應子像素區的發光元件輸出資料訊號，也就是利用電流大小驅動控制發光元件的發光。上述自發光顯示裝置為滿足高亮度需求，依據發光元件的電壓及電流特性曲線，提高供應給發光元件的電壓，以加大其導通電流而提升其發光亮度；然而，增大的導通電流會產生過大的驅動電路負載，提升整體功率消耗；因此，對於現有自發光顯示裝置提升顯像亮度的作法有必要進一步改良之。
有鑑於上述現有自發光顯示裝置的技術缺點，本發明主要目的係提供一種高亮度顯示的微型發光二極體顯示裝置。
欲達上述目的所使用的主要技術手段係令該微型發光二極體顯示裝置包含： 多個像素區，係呈n*m矩陣排列，以構成n條行像素區及m條列像素區；其中各該像素區係包含k個並排的子像素區，且各該子像素區係設置有j個不同色光的微型發光二極體； 一顯示驅動電路，係電性連接各該像素區，並包含一第一驅動模式及一第二驅動模式；其中： 於該第一驅動模式下，該顯示驅動電路係依序致能該n條行像素區，並於欲致能其中一條行像素區時，控制被致能之該條行像素區上的各該像素區的其中一個子像素區顯示一顏色；以及 於該第二驅動模式下，該顯示驅動電路係依序致能該n條行像素區，並於欲致能其中一條行像素區時，控制被致能之該條行像素區上的各該像素區的該k個子像素區同時顯示相同顏色。
由上述說明可知，本發明微型發光二極體顯示裝置係主要由該顯示驅動電路在該第二驅動模式下，控制該被致能之行像素區的各該像素區的該k個子像素區同時顯示相同顏色，相較該第一驅動模式下只該被致能之行像素區的各該像素區的其中一個子像素區顯示一顏色，整體亮度可大幅提升，滿足高亮度顯像的需求；因此，本發明不必增加電流來提升顯影亮度，可避免過大功率消耗。
欲達上述目的所使用的主要技術手段係令另一微型發光二極體顯示裝置包含： 多個像素群，係呈n*m矩陣排列，以構成n條行像素群及m條列像素群；其中各該像素群係包含k個並排的像素區，且各該像素區係設置有j個不同色光的微型發光二極體； 一顯示驅動電路，係電性連接各該像素群，並包含一第一驅動模式及一第二驅動模式；其中： 於該第一驅動模式下，該顯示驅動電路係依序對該n*k條行像素區輸出一掃描訊號，使n*k條行像素區依序被致能，並對各該被致能之像素區輸出一影像資料訊號，以顯示一顏色；以及 於該第二驅動模式下，該顯示驅動電路係依序致能該n條行像素群，並於其中一該條行像素群被致能時，對被致能之該條行像素群上的各該像素群的k個像素區同時輸出一掃描訊號，並對該k個像素區輸出一影像資料訊號，以顯示相同顏色。
由上述說明可知，本發明微型發光二極體顯示裝置係主要由該顯示驅動電路在該第二驅動模式下，同時發出一掃描訊號予該被致能之像素群的k個像素區，並對該k個像素區發出相同的一影像資料訊號，令該k個像素區顯示相同顏色，相較該第一驅動模式下只控制單一像素區顯示一特定顏色，整體亮度可大幅提升，滿足高亮度顯像的需求；因此，本發明不必增加電流來提升顯影亮度，可避免過大功率消耗。
本發明係提出一種微型發光二極體顯示裝置，以下謹以多個實施例配合圖式詳加說明本發明技術內容。
首先請參閱圖1與圖2A，係本發明微型發光二極體顯示裝置的第一實施例，其包含有多個像素區10及一顯示驅動電路30；其中該顯示驅動電路30係電性連接該些像素區10，以驅動該些像素區10。
上述多個像素區10係呈n*m矩陣排列，以構成n條行像素區11及m條列像素區12，各該像素區10係包含k個並排的子像素區20，且各該子像素區20係設置有j組不同色光的微型發光二極體以調配出顯示影像的顏色；於本實施例，相鄰像素區10的間距小於100µm，各該微型發光二極體100a、100b、100c的尺寸小於30µm。再如圖2A所示，為本發明之各該像素區10的第一實施例，其包含4個子像素區(k=4)，且各該子像素區20係包含有3 (j=3)個不同色光的微型發光二極體100a、100b、100c，且電連接一掃描線311；又各該像素區10中具有相同色光微型發光二極體100a、100b、100c係共同電連接一資料線321；較佳地，各該子像素區20係至少包含紅光、綠光及藍光的微型發光二極體100a、100b、100c(j=3)，也就是在本實施例中，陣列組成的微型發光二極體100a、100b、100c在行方向連接同一掃描線311，在列方向連接同一資料線321，因此本實施例的每一像素區10係包含有4條掃描線以及3條資料線。再如圖7A所示，本實施例可將各該微型發光二極體100a、100b、100c的二電極直接電連接至對應的掃描線311(V S)及資料線321(V D)，亦可如圖7B所示，各該微型發光二極體100a、100b、100c的其中一電極係透過一像素驅動電路101電連接至對應的掃描線311及資料線321與一系統電源的一第一電位(高電位端V DD)，另一電極則連接至該系統電源的一第二電位(低電位端V SS)，該像素區動電路可為2T1C驅動電路，即包含有二電晶體T D、T S及一儲存電容C S，亦可採3T1C、6T2C等類似驅動電路。
上述顯示驅動電路30係包含有一掃描模組31及一資料模組32，配合圖2A所示，該掃描模組31係與各行像素區11的k條掃描線311電連接，而該資料模組32係與各列像素群12的至少3條資料線321電連接。又該顯示驅動電路30係包含有一第一驅動模式及一第二驅動模式。
於上述第一驅動模式中，請配合參閱圖2B所示，該顯示驅動電路30係透過該掃描模組31在一個圖框週期(Frame period)中依序致能該n條行像素區11，當欲致能其中一條行像素區11時，由該掃描模組31可選擇該條行像素區11上的各該像素區10的其中一子像素區20的掃描線311輸出一掃描訊號，即只致能其中一子像素區20(亦可致能小於k個子像素區20)，並透過該資料模組32對各該被致能之子像素區20輸出一影像資料訊號，以顯示對應影像資料的顏色。於本實施例中，由於各該像素區10包含k個子像素區20，若該顯示驅動電路30只選擇致能其中一行像素區11時，在一個圖框週期中該顯示驅動電路30會依序輸出n個掃描訊號；此時，該顯示驅動電路30係透過該資料模組32則是輸出m*j個影像資料訊號予該些被致能之子像素區20。
此外，本實施例之微型發光二極體顯示裝置可在上述第一驅動模式下提升顯示畫面的解析度（例如，本實施例在第一顯示模式下的像素數目為(n*k)*m），以呈現更精細的顯示畫面。舉例來說，若欲提升顯示畫面的解析度，在一個圖框週期(Frame period)中依序致能該n條行像素區11，且可控制該掃描模組31依序對4(k=4)條掃描線311發出一掃描訊號S1~S4，以依序致能同一像素區10中的各該4組子像素區20，令該顯示驅動電路30在一個圖框週期中依序輸出n*k個掃描訊號，再由該顯示驅動電路30係透過該資料模組32輸出m*j個影像資料訊號予該些被致能之子像素區20，以顯示(n*k)*m的顯影畫面。
於上述第二驅動模式中，請配合參閱圖2C所示，該顯示驅動電路30係透過該掃描模組31依序致能該n條行像素區11，於欲致能其中一行像素區11時，由該掃描模組31對該被致能之行像素區11上的各該像素區10的k個子像素區20的k條掃描線311同時輸出一掃描訊號S1~S4，並對同時被致能之k個子像素區20輸出一影像資料訊號，以顯示相同顏色。也就是各該像素區10的k個子像素區20是接收同一影像資料訊號，在第二顯示模式下，可在不增加驅動電流負載的情況下令各該像素區10提高k倍顯示亮度。
上述第一驅動模式及第二驅動模式中的該資料模組32所輸出的影像資料訊號係可包含至少3個定電流調整週期訊號，或包含3個變電流訊號，使接收該影像資料訊號之該子像素區20的至少3個不同色光的微型發光二極體100a、100b、100c，分別發出預定的灰階顏色，以混合成為對應該影像資料的色光。
請參閱圖3所示，為本發明微型發光二極體顯示裝置的第二實施例，與圖1的第一實施例相似，即包含有多個像素區10及一顯示驅動電路30；不同之處包含該顯示驅動電路的掃描模組31係包含有k個掃描單元310，以分別電連接至該n行像素群區11中各該像素區10之k條掃描線311。舉例來說，第一個掃描單元310連接該些像素區10的該些第一條掃描線311，第二個掃描單元310連接該些像素區10的該些第二條掃描線311，第k個掃描單元310連接該些像素區10的該些第k條掃描線311。本實施例可選擇同時開k個掃描單元310，在第二顯示模式下，若同時開k個掃描單元310並具有相同的時序訊號，即對各該像素區10的k個子像素區20的k條掃描線311同時輸出掃描訊號，而提升k倍的亮度。在第一驅動模式時，k個掃描單元310則是具有錯開的時序訊號以分時輸出掃描訊號，進一步提升顯示解析度。
再請參閱圖4A所示，為本發明之各該像素區10的第二實施例，其包含k個子像素區20，各該子像素區20係包含有不同色光的微型發光二極體100a、100b、100c。與圖2A所示像素區10的實施例不同之處在於，每條行像素區11上的所有像素區10係共同連接一條掃描線311，每條列像素區12的所有像素區10係連接j*k條資料線321，即各該像素區10的該k個子像素區20中所有不同色光的微型發光二極體100a、100b、100c係共同電連接一掃描線311，但分別電連接一資料線321；較佳地，各組不同色光的微型發光二極體100a、100b、100c係至少包含紅光、綠光及藍光的微型發光二極體，因此本實施例的各行像素區11係包含有1條掃描線311，各列像素區12係包含12條資料線321。
於本實施例之第一驅動模式下，當一顯示驅動電路30於欲致能其中一條行像素區11時，配合圖4B所示，透過該掃描模組31對該條行像素區11的單一掃描線311輸出一掃描訊號S1、S2、S3…或Sn，即可同時致能同一像素區10的該k個子像素區20，且透過該資料模組32選擇至少其中一個子像素區20對應的j條資料線（本實施例中j=3），並對其輸出一影像資料訊號，令被致能的像素區10的其中一子像素區20顯示其所對應接收之影像資料訊號的顏色；如此，在一個圖框週期中，即能顯示具有n*m解析度的一影像畫面。若欲進一步提升該影像畫面的解析度達(n*k)*m，可在致能該像素區10期間，由該資料模組32對該k個子像素區20分別輸出對應的影像資料訊號，令每一個子像素區20顯示對應的顏色。
於本實施例之第二驅動模式下，當該顯示驅動電路30欲致能其中一條行像素區11時，如圖4B所示，同樣對該行像素區11的單一掃描線311輸出一掃描訊號S1、S2、S3…或Sn，以同時致能各該像素區10中的該k個子像素區20，再由該資料模組32輸出相同影像資料訊號予被致能之該k個子像素區20，令被致能的k個像素區20同時顯示其所對應接收之影像資料訊號的顏色，提升k倍的亮度。也就是說，各像素區10中的D 1,1-D 1,4是輸出相同訊號、D 1,5-D 1,8輸出相同訊號、D 1,9-D 1,12輸出相同訊號，令各像素區10形成一影像畫素點。
由圖2A及圖4A可知，本發明微型發光二極體顯示裝置的該顯示驅動電路30在該第一驅動模式下，該顯示驅動電路30係依序致能該n條行像素區11，當欲致能其中一條行像素區11時，控制該條行像素區111的各該像素區10的其中一個子像素區20會分別顯示一顏色以作為一個影像畫素點；而在該第二驅動模式下，該顯示驅動電路30係依序致能該n條行像素區11，當欲致能其中一條行像素區11時，對該條行像素區11的各該像素區10的該k個子像素區20同時輸出一掃描訊號，並對同一條行像素區11內的該些被致能之子像素區20輸出一影像資料訊號，使各該被致能之像素區10內的k個子像素區20顯示相同顏色以組成一個影像畫素點；因此，本發明微型發光二極體顯示裝置在第二驅動模式下的整體亮度可大幅提升，滿足高亮度顯像的需求；因此，本發明不必增加電流來提升顯影亮度，可避免過大功率消耗。
再請參閱圖5與圖6A，係本發明微型發光二極體顯示裝置的第三實施例，其包含有多個像素群40及一顯示驅動電路30；其中該顯示驅動電路30係電性連接該些像素群40，以驅動該些像素群40。
上述多個像素群40係呈n*m矩陣排列，以構成n條行像素群41及m條列像素區42，各該像素群40係包含k個並排的像素區50，且各該像素區50係設置有3(j=3)個不同色光的微型發光二極體，以調配出顯示影像的顏色。於一實施例，相鄰像素區10的間距小於100µm，各該微型發光二極體100a、100b、100c的尺寸小於30µm。再如圖6A所示，為本發明之各該像素群40的一實施例，其包含4個像素區50(k=4)，該4個像素區10係並分別電連接一掃描線311；又此4個像素區50的不同色光的微型發光二極體100a、100b、100c係分別電連接一資料線321；較佳地，各組不同色光的微型發光二極體100a、100b、100c係至少包含紅光、綠光及藍光的微型發光二極體，因此本實施例的各條行像素群41係包含有4條掃描線311，各條列像素區42係包含12條資料線321。
上述顯示驅動電路30係包含有一掃描模組31及一資料模組32，配合圖6A所示，該掃描模組31係與各行像素群41的k條掃描線311電連接，而該資料模組32係與各列像素群31的12條資料線321電連接。該顯示驅動電路30係包含有一第一驅動模式及一第二驅動模式。
於上述第一驅動模式中，請配合參閱圖6B所示，在一個圖框週期(Frame period)中，該顯示驅動電路30係透過該掃描模組31依序對n*k行像素區10輸出一掃描訊號S11~Sn4，使n*k行像素區10依序被致能，並透過該資料模組32對該些被致能之像素區50輸出一影像資料訊號，以顯示其所對應該影像資料的一顏色。
於上述第二驅動模式中，在一個圖框週期(Frame period)中，該顯示驅動電路30係依序致能該n條行像素群41，當欲致能其中一條行像素群41時，如圖6C所示，對其k個像素區50同時輸出一掃描訊號S1~S4，並對該k個像素區10輸出一相同的影像資料訊號，使各該被致能之像素群40內的k個像素區50顯示相同顏色；如此，雖然會使本實施例微型發光二極體顯示裝置的畫面解析度下降，但可提升畫面的整體亮度，滿足高亮度顯像的需求；此外，由於k個像素區50同時接收掃描訊號，相較第一驅動模式依序對n*k行像素區50輸出掃描訊號，本實施例的圖框週期時間得以縮短，以提高圖框更新率(frame rate)。因此，第一驅動模式下影像的解析度係高於第二驅動模式下影像的解析度，但第一驅動模式下影像的亮度小於第二驅動模式下影像的亮度。
上述資料模組的影像資料訊號係包含不同定電流調整週期訊號，或包含不同變電流訊號，使接收該影像資料訊號之該像素區的不同色光的微型發光二極體，發出預定的灰階顏色，以混合成其所對應該影像資料的色光。
綜上所述，本發明第一實施例是係主要令各該像素區域中包含k個並排的子像素區，若欲提高顯影亮度，第二亮度控制模式下可控制各該像素區的全部子像素區同時發出相同特定色光，以提升整體亮度；而本發明第二實施例係主要在該第二驅動模式下，同時驅動相鄰像素區(同一像素群)以顯示相同的特定色光，相較該第一驅動模式下僅驅動單一像素區發出一特定色光，整體亮度可大幅提，滿足高亮度顯像的需求。
以上所述僅是本發明的實施例而已，並非對本發明做任何形式上的限制，雖然本發明已以實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明技術方案的範圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
10:像素區 100a、100b、100c:微型發光二極體 101:像素驅動電路 11:行像素區 12:列像素區 20:子像素區 30:顯示驅動電路 31:掃描模組 310:掃描單元 311:掃描線 32:資料模組 321:資料線 40:像素群 41:行像素群 42:列像素群 50:像素區
圖1：本發明微型發光二極體顯示裝置的第一實施例的一結構示意圖。 圖2A：本發明微型發光二極體顯示裝置的單一像素區的電路示意圖。 圖2B：於第一驅動模式下，圖2A的掃描訊號的時序圖。 圖2C：於第二驅動模式下，圖2A的掃描訊號的時序圖。 圖3：本發明微型發光二極體顯示裝置的第二實施例的一結構示意圖。 圖4A：本發明微型發光二極體顯示裝置的另一單一像素區的電路示意圖。 圖4B：於第一驅動模式下，圖4A的掃描訊號的時序圖。 圖5：本發明微型發光二極體顯示裝置的第三實施例的一結構示意圖。 圖6A：本發明微型發光二極體顯示裝置的其中一像素群的電路示意圖。 圖6B：於第一驅動模式下，圖6A的掃描訊號的時序圖。 圖6C：於第二驅動模式下，圖6A的掃描訊號的時序圖。 圖7A：本發明微型發光二極體顯示裝置的一微型發光二極體的一等效電路圖。 圖7B：本發明微型發光二極體顯示裝置的一微型發光二極體的另一等效電路圖。
10:像素區
100a、100b、100c:微型發光二極體
20:子像素區
30:顯示驅動電路
31:掃描模組
311:掃描線
32:資料模組
321:資料線

Claims (12)

  1. 一種微型發光二極體顯示裝置，包括： 多個像素區，係呈n*m矩陣排列，以構成n條行像素區及m條列像素區；其中各該像素區係包含k個並排的子像素區，且各該子像素區係設置有j個不同色光的微型發光二極體； 一顯示驅動電路，係電性連接各該像素區，並包含一第一驅動模式及一第二驅動模式；其中： 於該第一驅動模式下，該顯示驅動電路係依序致能該n條行像素區，並於欲致能其中一條行像素區時，控制被致能之該條行像素區上的各該像素區的至少一個子像素區顯示一；以及 於該第二驅動模式下，該顯示驅動電路係依序致能該n條行像素區，並於欲致能其中一條行像素區時，控制被致能之該條行像素區上的各該像素區的該k個子像素區同時顯示相同顏色。
  2. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中： 各該條行像素區係以k條掃描線分別電連接與其上各該像素區的k個並排的子像素區； 各該列像素區係以j條資料線分別電連接其上各該像素區的相同色光的微型發光二極體；以及 該顯示驅動電路係包含一掃描模組及一資料模組；其中： 於該第一驅動模式下，該顯示驅動電路於致能其中一條行像素區時，對被致能之該條行像素區上的各該像素區的其中一子像素區輸出一掃描訊號，並透過該資料模組對各該被致能之子像素區輸出一影像資料訊號，以顯示對應影像資料的顏色；以及 於該第二驅動模式下，該顯示驅動電路於致能其中一條行像素區時，對被致能之該條行像素區上的各該像素區的k個子像素區同時輸出一掃描訊號，並對同時被致能之k個子像素區輸出一影像資料訊號，以顯示相同顏色。
  3. 如請求項2所述之微型發光二極體顯示裝置，其中於該第一驅動模式下，當該顯示驅動電路依序致能其中一條行像素區時，控制該掃描模組依序對k條掃描線發出一掃描訊號，以依序致能該k組子像素區，並由該資料模組對該k組子像素區分別輸出一影像資料訊號，以顯示其所對應接收之影像資料訊號的顏色。
  4. 如請求項2所述之微型發光二極體顯示裝置，其中該資料掃描模組可進一步包含k個掃描單元，以分別電連接至該n條行像素群區中各該像素區之k條掃描線。
  5. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中該掃描模組係包含有k個掃描單元，以分別電連接至該n行像素群區中各該像素區之k條掃描線；其中： 於該第一驅動模式下，該k個掃描單元係分時輸出掃描訊號；以及 於該第二驅動模式下，該k個掃描單元係同時輸出掃描訊號。
  6. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中： 各該條行像素區係以一條掃描線係共同電連接與其上各該像素區的k個並排的子像素區； 各該列像素區係以j*k條資料線分別電連接其上各該像素區的j*k個微型發光二極體；以及 該顯示驅動電路係包含一掃描模組及一資料模組；其中： 於該第一驅動模式下，該顯示驅動電路於致能其中一條行像素區時，對該條行像素區的單一掃描線輸出一掃描訊號，且透過該資料模組選擇其中一個子像素區的j條資料線，並對其輸出一影像資料訊號，令被致能的像素區的其中一子像素區顯示其所對應接收之影像資料訊號的顏色；以及 於該第二驅動模式下，該顯示驅動電路於致能其中一條行像素區時，對該條行像素區的單一掃描線輸出一掃描訊號，且透過該資料模組輸出相同影像資料訊號予被致能之該k個子像素區，令被致能的k個像素區同時顯示其所對應接收之影像資料的顏色。
  7. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中各該微型發光二極體係透過一像素驅動電路電連接至一系統電源、其對應的該掃描線與其對應的該資料線，且該第一電極電連接至該系統電源的一第一電位端，該第二電極電連接至該系統電源的一第二電位端。
  8. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示裝置，其中以該第一驅動模式顯示一特定影像時具有一第一亮度，當以該第二驅動模式顯示該特定影像時具有一第二亮度；其中該第一亮度小於該第二亮度。
  9. 如請求項1中所述之微型發光二極體顯示裝置，其中各該像素區間的間距小於100µm，各該微型發光二極體的尺寸小於30µm。
  10. 一種微型發光二極體顯示裝置，包括： 多個像素群，係呈n*m矩陣排列，以構成n條行像素群及m條列像素群；其中各該像素群係包含k個並排的像素區，且各該像素區係設置有j個不同色光的微型發光二極體； 一顯示驅動電路，係電性連接各該像素群，並包含一第一驅動模式及一第二驅動模式；其中： 於該第一驅動模式下，該顯示驅動電路係依序對該n*k條行像素區輸出一掃描訊號，使該n*k條行像素區依序被致能，並對各該被致能之像素區輸出一影像資料訊號，以顯示一顏色；以及 於該第二驅動模式下，該顯示驅動電路係依序致能該n條行像素群，並於其中一條行像素群被致能時，對被致能之該條行像素群上的各該像素群的k個像素區同時輸出一掃描訊號，並對該k個像素區輸出一影像資料訊號，以顯示相同顏色。
  11. 如請求項10所述之微型發光二極體顯示裝置，其中： 各該條行像素群係以k條掃描線分別電連接與其上各該像素群的k個並排的子像素區； 各該列像素群係以j*k條資料線分別電連接其上各該像素群的j*k個微型發光二極體；以及 該顯示驅動電路係包含一掃描模組及一資料模組；其中： 於該第一驅動模式下，該顯示驅動電路於致能其中一條行像素群時，對被致能之該條行像素群上的各該像素群的k個像素區依序輸出一掃描訊號，並透過該資料模組對各該被致能之像素區輸出一影像資料訊號，以發出對應影像資料的色光；以及 於該第二驅動模式下，該顯示驅動電路於致能其中一條行像素群時，對被致能之該條行像素群上的各該像素群的k個像素區同時輸出一掃描訊號，且透過該資料模組輸出相同影像資料訊號予被致能之該k個子像素區，令被致能的k個像素區同時顯示其所對應接收之影像資料的顏色。
  12. 如請求項10所述之微型發光二極體顯示裝置，其中以該第一驅動模式顯示一特定影像時具有一第一解析度與一第一亮度，當以該第二驅動模式顯示該特定影像時具具有一第二解析度與一第二亮度，該第一解析度高於該第二解析度且該第一亮度小於該第二亮度。
TW110131126A 2021-06-29 2021-08-23 微型發光二極體顯示裝置 TWI776647B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/728,212 US12211884B2 (en) 2021-06-29 2022-04-25 Micro-LED display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163215996P 2021-06-29 2021-06-29
US63/215,996 2021-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI776647B TWI776647B (zh) 2022-09-01
TW202301310A true TW202301310A (zh) 2023-01-01

Family

ID=78252456

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110128003A TWI783602B (zh) 2021-06-29 2021-07-30 微型發光二極體面板及其製造方法
TW110131126A TWI776647B (zh) 2021-06-29 2021-08-23 微型發光二極體顯示裝置
TW111100625A TWI795164B (zh) 2021-06-29 2022-01-06 微型發光二極體顯示面板及其畫素驅動電路

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110128003A TWI783602B (zh) 2021-06-29 2021-07-30 微型發光二極體面板及其製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111100625A TWI795164B (zh) 2021-06-29 2022-01-06 微型發光二極體顯示面板及其畫素驅動電路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11810500B2 (zh)
CN (4) CN118398612A (zh)
TW (3) TWI783602B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114141716A (zh) 2021-11-24 2022-03-04 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板的制备方法、显示面板及电子设备
CN114758620B (zh) * 2022-04-26 2023-06-30 武汉天马微电子有限公司 显示模组及其驱动方法、显示装置
KR20230155635A (ko) * 2022-05-03 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20240108064A (ko) * 2022-12-30 2024-07-09 엘지디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
US20240313149A1 (en) * 2023-03-13 2024-09-19 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of manufacturing micro devices
TWI857808B (zh) * 2023-10-18 2024-10-01 友達光電股份有限公司 畫素驅動電路
US20260004709A1 (en) * 2024-06-26 2026-01-01 AUO Corporation Pixel array
CN119169961A (zh) * 2024-09-14 2024-12-20 维沃移动通信有限公司 显示发光器件、显示屏幕和电子设备

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0130411D0 (en) * 2001-12-20 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
KR100649246B1 (ko) * 2004-06-30 2006-11-24 삼성에스디아이 주식회사 역다중화 장치와, 이를 이용한 표시 장치 및 그 표시 패널
KR20060076041A (ko) * 2004-12-29 2006-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 다이오드 표시장치
KR100747259B1 (ko) * 2005-09-05 2007-08-07 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자 및 그 표시장치, 그 구동방법
KR101229773B1 (ko) * 2007-04-02 2013-02-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 램프 구동 장치
KR20090010826A (ko) * 2007-07-24 2009-01-30 삼성전자주식회사 표시장치 및 표시장치의 구동방법
TWI410929B (zh) * 2010-04-16 2013-10-01 Au Optronics Corp 有機發光二極體的畫素電路及其顯示器與驅動方法
JP2013015803A (ja) * 2011-06-10 2013-01-24 Jvc Kenwood Corp 液晶表示装置及びその駆動方法
JP6076468B2 (ja) * 2013-04-02 2017-02-08 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
US11145787B2 (en) * 2014-10-31 2021-10-12 eLux, Inc. System and method for light emitting diode (LED) display repair
JP2016136235A (ja) * 2015-01-19 2016-07-28 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
CN206003477U (zh) * 2016-08-31 2017-03-08 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 子像素电路、像素电路和显示设备
CN106297672B (zh) * 2016-10-28 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动方法和显示设备
KR102605174B1 (ko) * 2016-12-19 2023-11-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
KR102772357B1 (ko) * 2016-12-20 2025-02-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 이를 포함하는 발광 다이오드 디스플레이 장치
CN108257516A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 显示器及其修补方法
CN106531110B (zh) * 2017-01-03 2022-01-18 京东方科技集团股份有限公司 驱动电路、驱动方法和显示装置
JP2018159819A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置
CN106875890B (zh) * 2017-04-27 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板、显示设备及驱动方法
US10522524B2 (en) * 2017-06-30 2019-12-31 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for fabricating the same
CN107274822A (zh) * 2017-07-04 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 扫描驱动电路及驱动方法、阵列基板和显示装置
TWI639230B (zh) * 2017-08-03 2018-10-21 PlayNitride Inc. 微型發光二極體顯示面板
CN108630146B (zh) * 2018-05-14 2019-11-12 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板的驱动方法、有机发光显示面板和显示装置
TWI679627B (zh) * 2018-06-28 2019-12-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
TWI674525B (zh) * 2018-08-14 2019-10-11 友達光電股份有限公司 抗反射整合觸控顯示面板
US10658392B1 (en) * 2018-11-15 2020-05-19 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro light-emitting diode display device and micro light-emitting diode driving circuit thereof
CN110189691B (zh) * 2019-05-14 2021-03-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示面板
TWI790405B (zh) * 2019-06-21 2023-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 半導體材料基板、微型發光二極體面板及其製造方法
CN110491896B (zh) * 2019-08-16 2022-01-04 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件显示装置及其制造方法
US20210074207A1 (en) * 2019-09-06 2021-03-11 Google Llc Gradual change of pixel-resolution in oled display
US11676529B2 (en) * 2019-12-23 2023-06-13 Intel Corporation Methods and apparatus for in-pixel driving of micro-LEDs
KR102690265B1 (ko) * 2020-02-05 2024-08-01 삼성전자주식회사 공통 led 구동 회로를 포함하는 발광 소자 기반 디스플레이 패널 및 발광 소자 디스플레이 장치
CN111369933B (zh) * 2020-03-23 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 亚像素电路、像素驱动方法、显示面板和显示装置
US12230181B2 (en) * 2020-06-27 2025-02-18 Intel Corporation Redundant sub-pixels in a light-emitting diode display
CN112967680B (zh) * 2021-03-18 2022-12-16 合肥京东方卓印科技有限公司 像素结构及其驱动方法、显示基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN113594197A (zh) 2021-11-02
CN113611246B (zh) 2024-12-20
CN114220392A (zh) 2022-03-22
TWI795164B (zh) 2023-03-01
CN114220392B (zh) 2024-09-03
TW202301313A (zh) 2023-01-01
CN113594197B (zh) 2024-06-21
CN118398612A (zh) 2024-07-26
US11810500B2 (en) 2023-11-07
TW202301664A (zh) 2023-01-01
US20220415247A1 (en) 2022-12-29
TWI783602B (zh) 2022-11-11
TWI776647B (zh) 2022-09-01
CN113611246A (zh) 2021-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI776647B (zh) 微型發光二極體顯示裝置
US11069298B2 (en) Driving circuit, display panel, driving method and display device
US10497301B2 (en) Light-emitting device (LED) and LED displaying circuit
CN109285502B (zh) Oled显示面板
WO2021164732A1 (zh) 显示装置及其驱动方法
US11200847B2 (en) Display panel, display device and drive method
CN111968569B (zh) 一种像素电路、阵列基板及其驱动方法、显示面板
CN102142219B (zh) 自发光器件面板、图像显示设备和被动驱动方法
WO2017107290A1 (zh) Oled显示装置及源极驱动器
US20190236997A1 (en) Display driving method and organic light-emitting display device thereof
CN1670804A (zh) 显示设备及其驱动方法
CN109449183B (zh) 像素结构、显示面板及显示面板的控制方法
WO2016138756A1 (zh) Oled像素单元及其驱动方法、oled显示装置
CN111627383B (zh) 一种led驱动电路、灯板及显示面板
TWI834387B (zh) 用於發光二極體面板的驅動電路及其發光二極體面板
US12211884B2 (en) Micro-LED display device
JP2003131619A (ja) 自己発光型表示装置
WO2025000605A1 (zh) 显示面板的驱动方法、像素驱动电路及显示面板
JP2002287664A (ja) 表示パネルとその駆動方法
CN111316345B (zh) 子像素电路、主动式电激发光显示器及其驱动方法
US11922861B1 (en) Micro light-emitting diode display device and driving method thereof
TWI866025B (zh) 微發光二極體顯示面板
CN118982960A (zh) 一种共用数据引线的彩色Micro-LED器件结构及其驱动方法
US20060238468A1 (en) Light emitting device and display device
KR20070101023A (ko) 표시 장치 및 그의 구동 방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent