TW202234562A

TW202234562A - 基板搬送裝置、基板搬送方法、及基板處理系統

Info

Publication number: TW202234562A
Application number: TW110149399A
Authority: TW
Inventors: 波多野達夫; 樹
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2021-01-12
Filing date: 2021-12-29
Publication date: 2022-09-01
Also published as: US12183612B2; US20220223447A1; CN114765121B; KR102652598B1; TWI890911B; JP2022107898A; KR20220102108A; CN114765121A; JP7797104B2

Abstract

[課題]提供基板搬送裝置、基板搬送方法、及基板處理系統，能夠使用平面馬達向處理室內的搬送位置以高位置精度搬送基板。 [解決手段]搬送基板的基板搬送裝置，具備：使用具備具有保持基板的基板保持部、及在內部具有磁體並使基板保持部移動的基底的搬送單元；具有本體部、在本體部內配列的複數電磁線圈、及對電磁線圈供電，使前述基底磁浮並進行線性驅動的線性驅動部的平面馬達的基板搬送裝置；保持於基板保持部的基板通過時檢出基板的基板檢出感測器；基於基板檢出感測器的檢出資料演算保持於基板保持部的基板的實際位置，算出相對於設定的邏輯位置的補正值，基於該補正值修正基板的搬送位置的搬送控制部。

Description

基板搬送裝置、基板搬送方法、及基板處理系統

本揭示係有關於基板處理裝置、基板處理方法、及基板處理系統。

例如，半導體製程中，在進行基板即半導體晶圓的處理時，使用具備複數處理室、與處理室連接的真空搬送室、設於真空搬送室內的基板搬送裝置的基板處理系統。

作為這種基板搬送裝置，從前，使用多關節臂構造的搬送機器人(例如專利文獻1)。不過，使用搬送機器人的技術，因為存在從真空密封的氣體的侵入的問題、搬送機器人的移動限制的問題，作為能夠解消這些問題的技術提案使用利用磁浮的平面馬達的基板搬送裝置(例如專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2017-168866號公報 [專利文獻2]特表2018-504784號公報

[發明所欲解決的問題]

本揭示提供基板搬送裝置、基板搬送方法、及基板處理系統，能夠使用平面馬達向處理室內的搬送位置以高位置精度搬送基板。 [解決問題的手段]

本揭示的一態樣的基板搬送裝置，係搬送基板的基板搬送裝置，具備：具有保持基板的基板保持部、及在內部具有磁體並使前述基板保持部移動的基底的搬送單元；具有本體部、在前述本體部內配列的複數電磁線圈、及對前述電磁線圈供電，使前述基底磁浮並進行線性驅動的線性驅動部的平面馬達；保持於前述基板保持部的前述基板通過時檢出前述基板的基板檢出感測器；基於前述基板檢出感測器的檢出資料演算保持於前述基板保持部的前述基板的實際位置，算出相對於設定的邏輯位置的補正值，基於該補正值修正前述基板的搬送位置的搬送控制部。 [發明的效果]

根據本揭示，提供基板搬送裝置、基板搬送方法、及基板處理系統，能夠使用平面馬達向處理室內的搬送位置以高位置精度搬送基板。

以下，參照圖式說明關於實施形態。圖1為表示一實施形態的基板處理系統的概略平面圖。

本實施形態的基板處理系統100為對複數基板連續實施處理者。基板的處理沒有特別限定，例如有成膜處理、蝕刻處理、灰化處理、清理處理的各種處理。基板雖沒有特別限定，但以下的說明中，作為基板以使用半導體晶圓(以下也單稱晶圓)的情形為例進行說明。

如圖1所示，基板處理系統100為集塊構造(多腔室型)的系統，具備複數處理裝置110、真空搬送室120、裝載鎖定室130、大氣搬送室140、基板搬送裝置150、及控制部160。

真空搬送室120其平面形狀形成矩形狀，內部減壓成真空氛圍，在長邊側的相對向的壁部，複數處理室110經由閘閥G連接。又，在真空搬送室120的短邊側的一壁部，2個裝載鎖定室130經由閘閥G1連接。在與2個裝載鎖定室130的真空搬送室120的相反側經由閘閥G2連接大氣搬送室140。此外，圖1中，處理室110的配列方向為X方向，與X方向垂直的方向為Y方向。

真空搬送室120內的基板搬送裝置150，對處理室110、裝載鎖定室130，進行基板晶圓W的搬出入。基板搬送裝置150，具備具有實際保持晶圓W的晶圓保持部即末端執行器50的搬送單元20及晶圓檢出感測器60。有關基板搬送裝置150的詳細將於後述。

處理室110與真空搬送室120之間，藉由將閘閥G開放連通而能夠進行基板搬送裝置150所致的晶圓W搬送，藉由將閘閥G關閉進行遮斷。又，裝載鎖定室130與真空搬送室120之間，藉由將閘閥G1開放連通而能夠進行基板搬送裝置150所致的晶圓W搬送，藉由將閘閥G1關閉進行遮斷。

處理室110，具有載置晶圓W的載置台111，在內部減壓成真空氛圍的狀態下對載置於載置台111的晶圓W施加所期望的處理(成膜處理、蝕刻處理、灰化處理、清理處理等)。

裝載鎖定室130，具有載置晶圓W的載置台131，在大氣搬送室140與真空搬送室120之間搬送晶圓W時，在大氣壓與真空之間進行壓力控制。

大氣搬送室140成為大氣氛圍，例如形成清淨空氣的向下流。又，在大氣搬送室140的壁面設置裝載端口(圖未示)。裝載端口，連接收容晶圓W的載體(圖未示)或空的載體。作為載體，例如，能夠使用FOUP(Front Openin g Unified Pod)等。

又，在大氣搬送室140的內部，設置搬送晶圓W的大氣搬送裝置(圖未示)。大氣搬送裝置，取出收容在裝載端口(圖未示)的晶圓W，載置於裝載鎖定室130的載置台131、或將載置於裝載鎖定室130的載置台131的晶圓W取出，收容在裝載端口。裝載鎖定室130與大氣搬送室140之間，藉由將閘閥G2開放連通而能夠進行大氣搬送裝置所致的晶圓W搬送，藉由將閘閥關閉進行遮斷。

控制部160以電腦構成，具有具備CPU的主控制部、輸入裝置、輸出裝置、顯示裝置、記憶裝置(記憶媒體)。主控制部控制基板處理系統100的各構成部的動作。例如，控制各處理室110中的晶圓W的處理、閘閥G、G1、G2的開關等。主控制部所進行的各構成部的控制，藉由內藏於記憶裝置的記憶媒體(硬碟、光碟、半導體記憶體等)中記憶的控制程式即處理配方進行。

又，本實施形態中，控制部160控制基板搬送裝置150的一部分即搬送控制部70。關於搬送控制部70，在後述的基板搬送裝置150的說明中一併說明。

接著，說明關於基板處理系統100的動作之一例。其中，作為基板處理系統100的動作的一例，說明將收容於安裝於裝載端口的載體的晶圓W在處理室110施予處理，收容至安裝在裝載端口的空的載體的動作。此外，以下動作，基於控制部160的處理配方執行。

首先，藉由大氣搬送室140內的大氣搬送裝置(圖未示)從連接至裝載端口的載體將晶圓W取出，開啟閘閥G2搬入大氣氛圍的裝載鎖定室130。接著，將閘閥G2關閉後，將搬入晶圓W的裝載鎖定室130設為對應真空搬送室120的真空狀態。接著，開啟對應的閘閥G1，將裝載鎖定室130之中的晶圓W，藉由搬送單元20的末端執行器50取出，將閘閥G1關閉。接著，開啟對應任一處理室110的閘閥G後，藉由末端執行器50將晶圓W搬入該處理室110並載置於載置台111。接著，從該處理室110使末端執行器50退避，將閘閥G關閉後，在該處理室110進行成膜處理等處理。

在處理室110的處理結束後，開啟對應的閘閥G，搬送單元20的末端執行器50從該處理室110將晶圓W取出。接著，將閘閥G關閉後，開啟閘閥G1，將保持在末端執行器50的晶圓W搬送至裝載鎖定室130。之後，將閘閥G1關閉，將搬入晶圓W的裝載鎖定室130設為大氣氛圍後，開啟閘閥G2，藉由大氣搬送裝置(圖未示)從裝載鎖定室130將晶圓W取出，收納至裝載端口的載體(都未圖示)。

將以上處理對複數晶圓W同時並行，就載體內的所有晶圓W實施處理。

此外，上述說明中，說明藉由基板搬送裝置150，將晶圓W搬送至任一處理室110，在該處理室110進行晶圓W的搬送的期間，將別的晶圓W向其他處理室110搬送晶圓W的平行搬送的情形，但不限於此。例如，將1片晶圓W依序搬送至複數處理室110的串列搬送也可以。

[基板搬送裝置的一例] 接著，關於基板搬送裝置之一例，除了上述圖1以外，基於圖2~5詳細說明。圖2為用來說明基板搬送裝置的搬送單元及平面馬達的剖面圖、圖3為用來說明平面馬達的驅動原理的斜視圖、圖4為用來說明晶圓檢出感測器的側面圖、圖5為用來說明基板搬送裝置的控制系統的區塊圖。

基板搬送裝置150，如圖1所示，具有平面馬達(線性單元)10、搬送單元20、晶圓檢出感測器60、搬送控制部70。

平面馬達(線性單元)10將搬送單元20進行線性驅動。平面馬達(線性單元)10，具有以真空搬送室120的底壁121構成的本體部11、在本體部11的內部遍及全體配置的複數電磁線圈12、對複數電磁線圈12個別供電將搬送單元20進行線性驅動的線性驅動部13。線性驅動部13藉由搬送控制部70的平面馬達控制部72控制。藉由對電磁線圈12供應電流，生成磁場。

搬送單元20具有保持晶圓W的晶圓保持部即末端執行器50、基底30。此外，圖中雖繪出1個搬送單元20，但搬送單元20為2個以上也可以。

如圖3所示，基底30，在其中配列複數永久磁體35而構成，藉由平面馬達(線性單元)10驅動。接著，隨著基底30的驅動移動末端執行器50。藉由將對平面馬達(線性單元)10的電磁線圈12供應的電流的方向，設為因此生成的磁場排斥永久磁體35的方向，基底30從本體部11表面磁浮。基底30，藉由停止向電磁線圈12的電流，停止浮上，成為載置於真空搬送室120的地面，亦即平面馬達10的本體部11表面的狀態。又，藉由平面馬達控制部72將從線性驅動部13供應至電磁線圈12的電流進行個別控制，在使基底30磁浮的狀態下，使基底30沿著平面馬達10的本體部11表面移動，能夠控制其位置。又，藉由電流的控制也能夠控制浮上量。

晶圓檢出感測器60，具有設於對應真空搬送室120中的各處理室110的晶圓搬入出口的部分的2個感測元件部61。如圖4所示，感測元件部61，例如，具有在鉛直方向配置的發光元件61a與受光元件61b，構成光感測器，在晶圓W通過發光元件61a及受光元件61b之間時檢出晶圓W。又，如圖5所示，晶圓檢出感測器60，具有接收來自感測元件部61的信號進行量測的量測部62。

搬送控制部70，具有演算部71與上述平面馬達控制部72。演算部71，取得來自晶圓檢出感測器60的量測部62的信號，演算末端執行器50上的實際的晶圓W的位置，藉由該演算結果算出晶圓位置從邏輯位置的補正值。平面馬達控制部72，基於該補正值修正處理室110的載置台111的晶圓W的搬送位置，控制線性驅動部13，將晶圓W搬送至該修正後的搬送位置。

在以這樣構成的基板搬送裝置150中，藉由平面馬達控制部72控制從平面馬達(線性單元)10的線性驅動部13向電磁線圈12供應的電流生成與永久磁體35相斥的磁場，藉此使基底30磁浮。此時的浮上量能夠藉由電流的控制進行控制。

在磁浮的狀態下，藉由將從線性驅動部13供應至電磁線圈12的電流進行個別控制，使基底30沿著平面馬達10的本體部11表面(真空搬送室120的地面)移動，能夠控制其位置。藉此能夠使搬送單元20移動及旋轉。

藉由搬送單元20將晶圓W搬入處理室110時，在使晶圓W載置於末端執行器50之上的狀態下，使基底30移動，成為末端執行器50對應處理室110的位置。接著，開啟閘閥G後，再使基底30移動將末端執行器50插入處理室110內，將晶圓W向處理室110內的載置台111收授。

此時，搬送控制部70，基於保有的位置資料控制基底30的位置，將晶圓W向處理室110內的載置台111上的目的位置搬送。但是，會有在末端執行器50上晶圓W從預先設定的位置偏差被載置的情形。

具體上，如圖6所示，在搬送控制部70，將載置於末端執行器50的晶圓W的中心的位置設定成邏輯中心O1，搬送控制部70，基於其進行線性驅動中心即基底30的中心M的位置控制。但是，實際上有載置於末端執行器50的晶圓W的物理中心O2的位置從邏輯中心O1的位置偏差的情形。圖6之例中，示出載置於末端執行器50的晶圓W的物理中心O2從邏輯中心O1在X方向偏差x、在Y方向偏差y的狀態。

在使用平面馬達10的線性驅動中，因為沒有從前使用的搬送機器人的那種中心軸，不能進行使中心軸為基準點的搬送補正。因此，晶圓W在末端執行器50上被載置於有偏差的位置的情形中，即便藉由搬送控制部70控制晶圓W的搬送位置，晶圓W也會被載置於從載置台111上的搬送目的位置偏差的位置。

使用平面馬達的基板搬送，如同上述，為使用搬送機器人的技術中的解決來自真空密封的氣體侵入的問題、或搬送機器人的移動被限制的問題者。但是，最近，裝置的微細化的要求變嚴格，為了均勻性及特性的改善，向基板(晶圓)的處理室的載置台的載置精度的要求變嚴格。又，作為基板(晶圓)的處理存在高溫處理及低溫處理，這種情形因熱膨脹差，上述的那種末端執行器上的基板的位置偏差變大的傾向。因此，因末端執行器上的基板的位置偏差引起的相對於搬送目的的位置偏差會成為問題。

因此，本實施形態中，在對應真空搬送室120的各處理室110的晶圓搬入出口的部分設置晶圓檢出感測器60的感測元件部61，在將末端執行器50上的晶圓W搬送至處理室110的載置台111的過程中藉由感測元件部61檢出晶圓W的位置。接著，基於該檢出資料，以搬送控制部70的演算部71演算末端執行器50上的實際的晶圓W的位置，藉由該演算結果算出晶圓位置從邏輯位置的補正值。平面馬達控制部72，基於該補正值修正處理室110的載置台111的晶圓W的搬送位置。接著，控制線性驅動部13進行搬送控制，將晶圓W搬送至修正後的搬送位置。

此時的搬送控制部70進行的順序例示於圖7。首先，對線性驅動部13賦予搬送目的位置即晶圓W的中心座標(X、Y)的指令(步驟ST1)。搬送目的位置為處理室110的載置台111上的位置。

接著，基於指令使線性驅動部13動作(步驟ST2)。藉此，移動搬送單元20的基底30，隨之搬送末端執行器50上的晶圓W。具體上，在晶圓W保持於末端執行器50的狀態下沿著X方向搬送至對應目的的處理室110的位置，再朝向目的的處理室110向Y方向搬送。

接著，藉由晶圓檢出感測器60檢出晶圓W (步驟ST3)。具體上，藉由2個感測元件部61檢出通過的晶圓W，以量測部62量測該檢出信號。

接著，基於晶圓檢出感測器60的檢出資料演算末端執行器50上的晶圓W的物理中心位置O2，算出從邏輯中心O1的補正值(x、y)(步驟ST4)。

接著，基於補正值(x、y)將晶圓W的搬送位置的晶圓W的中心座標修正成(X+x、Y+y)(步驟ST5)。線性驅動部13基於該修正後的搬送位置進行搬送控制。

藉此，能夠將晶圓W向處理室110內的載置台111上的預先設定的搬送位置以高位置精度進行搬送。

晶圓檢出感測器60(感測元件部61)，配置於各處理室110，在將晶圓W搬送至各處理室110時進行一樣的位置補正。

這種位置補正，晶圓W的搬送形態不管是平行搬送還是串列搬送都能夠同樣進行。

[基板搬送裝置的其他例] 接著，說明關於基板搬送裝置的其他例。本例中，搬送單元的構造與上述例不同。圖8為表示本例的基板搬送裝置的搬送單元的平面圖、圖9為表示本例的基板搬送裝置的搬送單元的側面圖。此外，圖8的(a)、(b)分別表示搬送單元的不同姿勢。

本例的搬送單元20´具有2個基底31及32、連桿機構(連桿41、42)、末端執行器50。

基底31、32與上述之例的基底30一樣，其中將複數永久磁體35(圖3參照)配列構成，經由連桿機構(連桿41、42)使末端執行器50移動。藉由將對平面馬達(線性單元)10的電磁線圈12供應的電流的方向，設為因此生成的磁場排斥永久磁體35的方向，基底31、32從本體部11表面磁浮。

構成連桿機構的連桿41、42連接2個基底31、32與末端執行器50。具體上，連桿41的一端側，經由垂直方向的旋轉軸43以旋轉自如與基底31連接。連桿41的另一端側，經由垂直方向的旋轉軸45以旋轉自如與末端執行器50連接。連桿42的一端側，經由垂直方向的旋轉軸44以旋轉自如與基底32連接。連桿42的另一端側，經由垂直方向的旋轉軸46以旋轉自如與末端執行器50連接。

又，連桿機構，以連桿角度連動而運動的方式構成也可以。例如，連桿機構，具備以末端執行器50的延伸方向(相對於連結旋轉軸45、46的線垂直的方向)與連桿41的夾角、和末端執行器50的延伸方向與連桿42的夾角，成為同角的方式進行連動的角度連動機構(圖未示)也可以。角度連動機構(圖未示)，例如，以齒輪及帶件等構成。藉此，連桿機構，藉由使旋轉軸43、44的間隔(亦即基底31、32的間隔)變化，能夠保持末端執行器50的方向進行伸縮。

本例中，末端執行器50連接至連桿機構(連桿41、42)。接著，藉由2個基底31、32與末端執行器50經由連桿機構(連桿41、42)連接，能夠將末端執行器50在圖8(a)的後退位置及圖8(b)的前進位置定位。

亦即，在圖8(a)的後退位置，基底31、32的間隔成為D1，末端執行器50的伸長距離H1決定成唯一。又，在圖8(b)的前進位置，基底31、32的間隔成為D2，末端執行器50的伸長距離H2決定成唯一。

此外，基底31、32的間隔為基底31的基準位置與基底32的基準位置的距離，本例中為旋轉軸43與旋轉軸44的距離。又，伸長距離為連結基底31的旋轉軸43與基底32的旋轉軸44的直線、與載置於末端執行器50的晶圓W的中心的距離。又，47、48為限制連桿41、42的旋轉角度的停止器，因應必要設置。

在以這樣構成的基板搬送裝置20´中，藉由平面馬達控制部72控制從平面馬達(線性單元)10的線性驅動部13向電磁線圈12供應的電流生成與永久磁體35相斥的磁場，藉此成為基底31、32磁浮的狀態。在磁浮的狀態下，藉由將供應至電磁線圈12的電流進行個別控制，使基底31、32沿著平面馬達10的本體部11表面(真空搬送室120的地面)移動，能夠控制其位置。藉此能夠使搬送單元20´移動及旋轉。

又，藉由以基底31、32的間隔成為所期望的間隔的方式，控制向電磁線圈12供應的電流，能夠使末端執行器50的延伸距離變化。例如，在進入處理室110或裝載鎖定室130時，如圖8(b)所示，縮短基底31、32的間隔而使末端執行器50的延伸距離延長。藉此，能夠維持使基底31、32存在於平面馬達10的本體部11表面(真空搬送室120的地面)上的狀態，將末端執行器50插入處理室110內或裝載鎖定室130內。又，例如，在真空搬送室120內使搬送單元20´移動及旋轉時，如圖8(a)所示，擴大基底31、32的間隔而縮短末端執行器50的延伸距離。藉此能夠使保持晶圓W的末端執行器50接近基底31、32，能夠縮小連桿機構(連桿41、42)的垂下、振動而降低搬送中的晶圓W的偏差。

本例中也與上述例一樣，在對應真空搬送室120的各處理室110的晶圓搬入出口的部分設置晶圓檢出感測器60的感測元件部61，在將末端執行器50上的晶圓W搬送至處理室110的載置台111的過程中藉由感測元件部61檢出晶圓W的位置。接著，基於該檢出資料，以搬送控制部70的演算部71演算實際的末端執行器50上的晶圓W的位置，藉由該演算結果算出晶圓位置從邏輯位置的補正值。平面馬達控制部72，基於該補正值修正處理室110的載置台111的晶圓W的搬送位置，控制線性驅動部13，將晶圓W搬送至該修正後的搬送位置。

＜其他適用＞以上，雖利用實施形態來說明，但應注意這次揭示的實施形態，以所有的點來例示但非用來限制者。上述實施形態，在不脫離申請專利範圍及其主旨的情況下，也能夠以各種形態進行省略、置換、變更。

例如，上述實施形態中，作為基板處理系統的搬送單元，雖示出基底為1個之例及2個之例，但3個以上也可以。又，在基底與末端執行器之間使用連桿機構的情形中，作為連桿機構使用多關節也可以、又組合在水平方向變位的連桿機構與在高度方向變化的連桿機構也可以。

又，上述實施形態中將晶圓的搬送目的位置設為處理室的載置台上，但不限於此。

再來，上述實施形態中，作為晶圓檢出感測器雖示出使用感測元件部具有發光元件與受光元件的光感測器之例，但不在此限。

還有，雖表示關於作為基板使用半導體晶圓(晶圓)的情形，但不限於半導體晶圓，是FPD(平面顯示器)基板、及石英基板、陶瓷基板等其他基板也可以。

10:平面馬達 11:本體部 12:電磁線圈 13:線性驅動部 20,20´:搬送單元 30,31,32:基底 35:永久磁體 41,42:連桿 50:末端執行器(基板保持部) 60:晶圓檢出感測器 61:感測元件部 62:量測部 70:搬送控制部 71:演算部 72:平面馬達控制部 100:基板處理系統 110:處理室 120:真空搬送室 130:裝載鎖定室 140:大氣搬送室 150:基板搬送裝置 160:控制部 W:半導體晶圓(基板)

[圖1]表示第1實施形態的基板處理系統的概略平面圖。 [圖2]用來說明基板搬送裝置的一例的搬送單元及平面馬達的剖面圖。 [圖3]說明平面馬達的驅動原理的斜視圖。 [圖4]用來說明晶圓檢出感測器的側面圖。 [圖5]用來說明基板搬送裝置的控制系統的區塊圖。 [圖6]表示末端執行器的晶圓的邏輯中心與實際載置的晶圓的物理中心的平面圖。 [圖7]表示搬送控制部的晶圓搬送的順序例的流程圖。 [圖8]表示基板搬送裝置的其他例的搬送單元的平面圖。 [圖9]表示基板搬送裝置的其他例的搬送單元的側面圖。

13:線性驅動部

20:搬送單元

30:基底

50:末端執行器(基板保持部)

60:晶圓檢出感測器

61:感測元件部

62:量測部

70:搬送控制部

71:演算部

72:平面馬達控制部

W:半導體晶圓(基板)

Claims

一種基板搬送裝置，係搬送基板的基板搬送裝置，具備：具有保持基板的基板保持部、及在內部具有磁體並使前述基板保持部移動的基底的搬送單元；具有本體部、在前述本體部內配列的複數電磁線圈、及對前述電磁線圈供電，使前述基底磁浮並進行線性驅動的線性驅動部的平面馬達；保持於前述基板保持部的前述基板通過時檢出前述基板的基板檢出感測器；基於前述基板檢出感測器的檢出資料演算保持於前述基板保持部的前述基板的實際位置，算出相對於設定的邏輯位置的補正值，基於該補正值修正前述基板的搬送位置的搬送控制部。
如請求項1記載的基板搬送裝置，其中，前述搬送控制部，作為前述基板的前述實際位置演算保持於前述基板保持部的前述基板的物理中心，算出相對於作為前述邏輯位置的前述基板的邏輯中心的補正值。
如請求項1或2記載的基板搬送裝置，其中，前述搬送單元具有1個前述基底，前述基板保持部直接連接至前述基底。
如請求項1或2記載的基板搬送裝置，其中，前述搬送單元具有2個前述基底，且更具有連結前述基底的各者與前述基板保持部的連桿機構。
如請求項1至4中任一項記載的基板搬送裝置，其中，前述基板搬送裝置為設於連接對基板進行處理的處理室的搬送室內並將基板搬送至前述處理室者，前述平面馬達的前述本體部構成前述搬送室的底壁。
如請求項5記載的基板搬送裝置，其中，前述基板檢出感測器，設於對應前述搬送室中的前述處理室的基板搬入出口的位置，在將保持前述基板的前述基板保持部搬送至前述處理室的過程中，檢出前述基板。
一種基板搬送方法，係搬送基板的基板搬送方法，具有：使用具備具有保持基板的基板保持部、及在內部具有磁體並使前述基板保持部移動的基底的搬送單元、和具有本體部、在前述本體部內配列的複數電磁線圈、及對前述電磁線圈供電，使前述基底磁浮並進行線性驅動的線性驅動部的平面馬達的基板搬送裝置，在使前述基板保持於前述基板保持部的狀態下搬送前述基板的過程中，藉由基板檢出感測器檢出前述基板的步驟；基於前述基板檢出感測器的檢出資料演算保持於前述基板保持部的前述基板的實際位置，算出相對於設定的邏輯位置的補正值的步驟；基於該補正值修正前述基板的搬送位置的步驟。
如請求項7記載的基板搬送方法，其中，作為前述基板的前述實際位置演算保持於前述基板保持部的前述基板的物理中心，算出相對於作為前述邏輯位置的前述基板的邏輯中心的補正值。
如請求項7或8記載的基板搬送方法，其中，前述基板搬送裝置為設於連接對基板進行處理的處理室的搬送室內並將基板搬送至前述處理室者，前述平面馬達的前述本體部構成前述搬送室的底壁。
如請求項9記載的基板搬送方法，其中，前述基板檢出感測器，設於對應前述搬送室中的前述處理室的基板搬入出口的位置，在將保持前述基板的前述基板保持部搬送至前述處理室的過程中，檢出前述基板。
一種基板處理系統，具備：對基板進行處理的處理部；連接前述處理室的搬送室；設於前述搬送室的內部，向前述處理室內的搬送位置搬送前述基板的基板搬送裝置；前述基板搬送裝置，具有：具有保持基板的基板保持部、及在內部具有磁體並使前述基板保持部移動的基底的搬送單元；具有本體部、在前述本體部內配列的複數電磁線圈、及對前述電磁線圈供電，使前述基底磁浮並進行線性驅動的線性驅動部的平面馬達；保持於前述基板保持部的前述基板通過時檢出前述基板的基板檢出感測器；基於前述基板檢出感測器的檢出資料演算保持於前述基板保持部的前述基板的實際位置，算出相對於設定的邏輯位置的補正值，基於該補正值修正前述基板的搬送位置的搬送控制部。
如請求項11記載的基板處理系統，其中，前述搬送控制部，作為前述基板的前述實際位置演算保持於前述基板保持部的前述基板的物理中心，算出相對於作為前述邏輯位置的前述基板的邏輯中心的補正值。
如請求項11或12記載的基板處理系統，其中，前述平面馬達的前述本體部構成前述搬送室的底壁。
如請求項11至13任一項記載的基板處理系統，其中，前述基板檢出感測器，設於對應前述處理室的基板搬入出口的位置。