JP2024064684A - 基板載置台の位置ずれ測定方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定すること。
【解決手段】基板載置台の位置ずれ測定方法は、処理容器の内部に回転可能な基板載置台が設けられた基板処理装置における基板載置台の位置ずれ測定方法である。基板載置台の位置ずれ測定方法は、工程ａ）と、工程ｂ）と、工程ｃ）と、工程ｄ）と、工程ｅ）と、工程ｆ）とを含む。工程ａ）は、基板を搬送するアームによって搬送される基板の初期位置を検出する。工程ｂ）は、基板載置台に基板を載置する。工程ｃ）は、基板載置台の回転により基板を所定の回転角度だけ回転させる。工程ｄ）は、回転後の基板を基板載置台からアームに受け渡す。工程ｅ）は、アームによって搬送される回転後の基板の位置を検出する。工程ｆ）は、基板の初期位置と、回転後の基板の位置と、回転角度とに基づいて、基板の初期位置に対する基板載置台の位置のずれ量を算出する。
【選択図】図８

Description

本開示は、基板載置台の位置ずれ測定方法および基板処理装置に関するものである。

特許文献１は、基板検出センサの検出データに基づいて基板保持部に保持された基板の実際の位置を演算し、設定された論理位置に対する補正値を算出し、その補正値に基づいて基板の搬送位置を修正することを開示する。特許文献２は、センサは、隣り合う処理空間の間に位置し、回転アームの回転動作時に、回転アームに保持されたウエハの位置を検知可能であることを開示する。

特開２０２２－１０７８９８号公報 特開２０２２－１０６５６０号公報

本開示は、基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することができる技術を提供する。

本開示の一態様による基板載置台の位置ずれ測定方法は、処理容器の内部に回転可能な基板載置台が設けられた基板処理装置における基板載置台の位置ずれ測定方法である。基板載置台の位置ずれ測定方法は、工程ａ）と、工程ｂ）と、工程ｃ）と、工程ｄ）と、工程ｅ）と、工程ｆ）とを含む。工程ａ）は、基板を搬送するアームによって搬送される基板の初期位置を検出する。工程ｂ）は、基板載置台に基板を載置する。工程ｃ）は、基板載置台の回転により基板を所定の回転角度だけ回転させる。工程ｄ）は、回転後の基板を基板載置台からアームに受け渡す。工程ｅ）は、アームによって搬送される回転後の基板の位置を検出する。工程ｆ）は、基板の初期位置と、回転後の基板の位置と、回転角度とに基づいて、基板の初期位置に対する基板載置台の位置のずれ量を算出する。

本開示によれば、基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することができるという効果を奏する。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの構成の一例を示す概略平面図である。 図２は、本実施形態に係る基板処理装置の構成の一例を示す分解斜視図である。 図３は、待機位置における処理空間と回転アームの位置関係の一例を示す図である。 図４は、ウエハの保持位置における処理空間と回転アームの位置関係の一例を示す図である。 図５は、本実施形態に係る基板処理装置内のウエハの移動経路の一例を示す図である。 図６は、本実施形態に係る基板処理装置の排気経路の一例を示す図である。 図７は、本実施形態に係る基板処理装置の構成の一例を示す概略断面図である。 図８は、本実施形態に係る載置台の位置ずれ測定処理の一例を示すフローチャートである。 図９は、本実施形態に係るウエハの中心の初期位置に対する載置台の中心の位置のずれ量の一例を示す図である。 図１０は、本実施形態に係る載置台の位置ずれ測定処理の他の一例を示すフローチャートである。 図１１は、変形例に係る載置台の位置ずれ測定処理の一例を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して本願の開示する基板載置台の位置ずれ測定方法および基板処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。

基板処理装置においては、処理容器の内部に設けられた基板載置台の設置位置の誤差や処理容器の熱膨張に起因して、基板載置台と基板載置台に搬送される基板との相対位置にずれが生じる場合がある。基板載置台と基板との相対位置にずれが存在する場合、処理後の基板の特性が悪化する可能性がある。これに対し、基板載置台と基板との相対位置のずれ量を目視で確認することが定期的に行われる。しかしながら、目視による確認では、基板載置台と基板との相対位置のずれ量を高精度に測定することが困難である。また、たとえば複数の基板を同時に１つの処理容器内で処理する形態の基板処理装置では、基板を載置する基板載置台も複数設けられるため、すべての基板載置台に対する目視に伴う作業時間も長くなる。そこで、簡潔かつ迅速に基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することが期待されている。

（実施形態）
［基板処理システムの構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの構成の一例を示す概略平面図である。図１に示す基板処理システム１は、搬入出ポート１１と、搬入出モジュール１２と、真空搬送モジュール１３ａ，１３ｂと、基板処理装置２，２ａ，２ｂとを有する。図１において、Ｘ方向を左右方向、Ｙ方向を前後方向、Ｚ方向を上下方向（高さ方向）、搬入出ポート１１を前後方向の手前側として説明する。搬入出モジュール１２の手前側には搬入出ポート１１、搬入出モジュール１２の奥側には真空搬送モジュール１３ａが、それぞれ互いに前後方向に向けて接続されている。

搬入出ポート１１には、処理対象の基板を収容した搬送容器であるキャリアが載置される。基板は、直径が例えば３００ｍｍの円形基板であるウエハＷである。搬入出モジュール１２は、キャリアと真空搬送モジュール１３ａとの間でウエハＷの搬入出を行うためのモジュールである。搬入出モジュール１２は、搬送アーム１２０により、常圧雰囲気中でキャリアとの間でウエハＷの受け渡しを行う常圧搬送室１２１と、ウエハＷが置かれる雰囲気を常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切り替えるロードロック室１２２とを有する。

真空搬送モジュール１３ａ，１３ｂは、真空雰囲気が形成された真空搬送室１４ａ，１４ｂをそれぞれ有する。真空搬送室１４ａ，１４ｂの内部には、搬送アーム１５ａ，１５ｂがそれぞれ配置されている。真空搬送モジュール１３ａと真空搬送モジュール１３ｂとの間は、真空搬送モジュール１３ａ，１３ｂ間でウエハＷの受け渡しを行うパス１６が配置されている。真空搬送室１４ａ，１４ｂは、それぞれ、例えば平面視において矩形に形成される。真空搬送室１４ａの４つの側壁のうち、左右方向に互いに対向する辺には、基板処理装置２，２ｂがそれぞれ接続されている。真空搬送室１４ｂの４つの側壁のうち、左右方向に互いに対向する辺には、基板処理装置２ａ，２ｂがそれぞれ接続されている。

また、真空搬送室１４ａの４つの側壁のうち、手前側の辺には搬入出モジュール１２内に設置されたロードロック室１２２が接続されている。常圧搬送室１２１とロードロック室１２２との間、ロードロック室１２２と真空搬送モジュール１３ａとの間、真空搬送モジュール１３ａ，１３ｂと基板処理装置２，２ａ，２ｂとの間には、ゲートバルブＧが配置されている。ゲートバルブＧは、互いに接続されるモジュールに各々設けられるウエハＷの搬入出口を開閉する。

搬送アーム１５ａは、真空雰囲気中で搬入出モジュール１２と、基板処理装置２，２ｂと、パス１６との間でウエハＷの搬送を行う。また、搬送アーム１５ｂは、真空雰囲気中でパス１６と基板処理装置２ａ，２ｂとの間でウエハＷの搬送を行う。搬送アーム１５ａ，１５ｂは、多関節アームよりなり、ウエハＷを保持する基板保持部を有する。基板処理装置２，２ａ，２ｂは、真空雰囲気中で複数枚（例えば２枚または４枚）のウエハＷに対して一括で処理ガスを用いた基板処理を行う。このため、基板処理装置２，２ａ，２ｂに一括して２枚のウエハＷを受け渡すように、搬送アーム１５ａ，１５ｂの基板保持部は例えば２枚のウエハＷを同時に保持できるように構成されている。なお、基板処理装置２，２ａは、内部に設けた回転アームにより、真空搬送モジュール１３ａ，１３ｂ側の載置台で受け取ったウエハＷを奥側の載置台へと搬送することができる。

また、真空搬送室１４ａ，１４ｂは、複数のセンサ１７を有する。センサ１７は、例えば２個で１つの組を構成する光学センサであり、１つの組が基板処理装置２，２ａ，２ｂにおける各搬入出口に対応付けて配置される。センサ１７は、搬送アーム１５ａ，１５ｂによって搬送されるウエハＷの位置を検出する。例えば、センサ１７は、ウエハＷの周縁位置の情報を基にウエハＷの中心の位置を検出することができる。センサ１７は、ウエハＷの位置を示す検出結果を後述する制御部８へ出力する。

また、基板処理装置２，２ａ，２ｂは、載置台のＹ方向ピッチ（行間隔）がピッチＰｙで共通であるので、真空搬送モジュール１３ａ，１３ｂの左右方向に互いに対向する辺のいずれの場所にも接続可能である。図１の例では、真空搬送モジュール１３ａに基板処理装置２と基板処理装置２ｂとを接続し、真空搬送モジュール１３ｂに基板処理装置２ａと基板処理装置２ｂとを接続している。なお、基板処理装置２と、基板処理装置２ａとは、プロセスアプリケーションに応じた、１つの載置台に対応する処理空間を含むリアクタの直径が異なり、載置台のＸ方向ピッチ（列間隔）であるピッチＰｘ１，Ｐｘ２が異なる基板処理装置である。また、基板処理装置２ａは、ピッチＰｘ２がピッチＰｙと同じ値である。つまり、ピッチＰｙは、最も大きいリアクタのサイズに対応している。すなわち、基板処理装置２は、基板処理装置２ａよりもリアクタのサイズが小さいので、ピッチＰｘ１をピッチＰｘ２よりも小さくすることができる。

基板処理装置２ａの内部構成は、ピッチＰｘ２がピッチＰｘ１と異なることに関する点を除いて、基板処理装置２と基本的に同様であり、その説明を省略する。なお、基板処理装置２ｂは、載置台を２つ有するタイプの基板処理装置であり、基板処理装置２ｂ内でウエハの搬送は行わず、２枚のウエハを同時に搬入して処理を行い、同時に搬出するタイプの基板処理装置である。

基板処理システム１は、制御部８を有する。制御部８は、例えば、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータである。制御部８は、基板処理システム１の各部を制御する。制御部８は、入力装置を用いて、オペレータが基板処理システム１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部８では、表示装置により、基板処理システム１の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、制御部８の記憶部には、基板処理システム１で実行される各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラム、および、レシピデータ等が格納されている。制御部８のプロセッサが制御プログラムを実行して、レシピデータに従って基板処理システム１の各部を制御することにより、所望の基板処理が基板処理システム１で実行される。

［基板処理装置の構成］
次に、図２から図７を用いて、基板処理装置２を、例えばウエハＷにプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理を行なう成膜装置に適用した例について説明する。図２は、本実施形態に係る基板処理装置の構成の一例を示す分解斜視図である。図２に示すように、基板処理装置２は、平面視長方形の処理容器（真空容器）２０を備えている。処理容器２０は、内部を真空雰囲気に維持可能に構成される。処理容器２０は、後述するガス供給部４およびマニホールド３６で上面の開放部を閉塞して構成される。なお、図２では、処理空間Ｓ１～Ｓ４と、回転アーム３との関係が判りやすいように、内部の隔壁等を省略している。処理容器２０は、真空搬送室１４ａまたは１４ｂに接続される側の側面には、Ｙ方向に並ぶように２個の搬入出口２１が形成されている。搬入出口２１は、ゲートバルブＧ（図１参照）によって開閉される。

処理容器２０の内部には、複数の処理空間Ｓ１～Ｓ４が設けられている。処理空間Ｓ１～Ｓ４には、それぞれ載置台（基板載置台の一例）２２が配置されている。載置台２２は上下方向に移動可能であり、ウエハＷの処理時には上部に移動し、ウエハＷの搬送時には下部に移動する。処理空間Ｓ１～Ｓ４の下部には、処理空間Ｓ１～Ｓ４を接続し、回転アーム３によってウエハＷの搬送が行われる搬送空間Ｔが設けられている。また、処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部の搬送空間Ｔは、各搬入出口２１と接続され、搬送アーム１５ａ，１５ｂ（図１参照）により真空搬送室１４ａ，１４ｂ（図１参照）との間でウエハＷの搬入出が行われる。

処理空間Ｓ１～Ｓ４の各載置台２２は、上面側から見たとき、２行２列にレイアウトされている。当該レイアウトは、行間隔と列間隔とが異なる寸法となっている。つまり、載置台２２のＹ方向ピッチ（行間隔）のピッチＰｙと、Ｘ方向ピッチ（列間隔）のピッチＰｘ１とを比べると、ピッチＰｙ＞ピッチＰｘ１となっている。

図３は、待機位置における処理空間と回転アームの位置関係の一例を示す図である。図４は、ウエハの保持位置における処理空間と回転アームの位置関係の一例を示す図である。図３および図４に示すように、回転アーム３は、載置台２２のそれぞれに載置するウエハＷを保持可能な４つのエンドエフェクタ３２と、２行２列のレイアウトの中心位置に回転軸が位置するベース部材３３とを有する。４つのエンドエフェクタ３２は、Ｘ形状となるようにベース部材３３に接続される。回転アーム３におけるＸ形状は、図４に示すウエハＷの保持位置において、Ｘ形状の行間隔に対応するＹ方向の寸法と、前記列間隔に対応するＸ方向の寸法とが異なる構成となっている。

回転アーム３は、図３に示す待機位置において、処理空間Ｓ１～Ｓ４のそれぞれの間に位置することで、各載置台２２の上下方向の移動を妨げない。図３では、各載置台２２にウエハＷが載置された状態である。この状態から例えば１列目と２列目のウエハＷを入れ替えるように搬送する場合、つまり、処理空間Ｓ１，Ｓ２のウエハＷを処理空間Ｓ３，Ｓ４に搬送し、処理空間Ｓ３，Ｓ４のウエハＷを処理空間Ｓ１，Ｓ２に搬送する場合の回転アーム３の動きについて説明する。

まず、各載置台２２を下側の搬送空間Ｔの受け渡し位置まで移動させ、各載置台２２に設けられた後述するリフトピン２６を上昇させてウエハＷを持ち上げる。次に、回転アーム３を時計回りに約３０°回転させて、図４に示すように各エンドエフェクタ３２を載置台２２とウエハＷとの間に挿入する。続いて、リフトピン２６を下降させて各エンドエフェクタ３２にウエハＷを載置する。次に、回転アーム３を時計回りに１８０°回転させ、各載置台２２上の保持位置にウエハＷを搬送する。各載置台２２がリフトピン２６を上昇させてウエハＷを受け取ると、回転アーム３を反時計回りに約３０°回転させて、待機位置に移動する。このように、回転アーム３によって、１列目と２列目のウエハＷを入れ替えるように搬送することができる。これにより、例えば、処理空間Ｓ１，Ｓ２と、処理空間Ｓ３，Ｓ４とで異なる処理を繰り返すような場合（例えば、成膜処理とアニール処理とを繰り返す場合。）において、ウエハＷの搬送に関する時間を短縮することができる。

図５は、本実施形態に係る基板処理装置内のウエハの移動経路の一例を示す図である。図５では、真空搬送室１４ａから基板処理装置２の内部にウエハＷを搬入する場合の移動経路を説明する。まず、真空搬送室１４ａの搬送アーム１５ａにより、経路Ｆ１で示すように、同じ列の載置台２２に対応する処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部における搬送空間Ｔの受け渡し位置において、各載置台２２に２枚同時にウエハＷが搬入される。処理空間Ｓ１，Ｓ２の各載置台２２がリフトピン２６を上昇させてウエハＷを受け取る。

次に、回転アーム３を待機位置から時計回りに約３０°回転させて、エンドエフェクタ３２を処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部の受け渡し位置にある載置台２２とウエハＷとの間に挿入し、リフトピン２６を下降させて各エンドエフェクタ３２にウエハＷを載置する。ウエハＷを載置すると、経路Ｆ２で示すように、回転アーム３を時計回りに１８０°回転させ、処理空間Ｓ３，Ｓ４の下部における搬送空間Ｔの受け渡し位置にある載置台２２上（回転アーム３の保持位置。）にウエハＷを搬送する。処理空間Ｓ３，Ｓ４の下部の受け渡し位置にある載置台２２が、リフトピン２６を上昇させてウエハＷを受け取ると、回転アーム３を反時計回りに約３０°回転させて、待機位置に移動する。この状態において、処理空間Ｓ１，Ｓ２の載置台２２にはウエハＷが載置されておらず、処理空間Ｓ３，Ｓ４の載置台２２にはウエハＷが載置されている。続いて、真空搬送室１４ａの搬送アーム１５ａにより、経路Ｆ１で示すように、処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部の受け渡し位置において、各載置台２２に２枚同時にウエハＷが搬入される。そして、処理空間Ｓ１，Ｓ２の載置台２２にウエハＷが載置されることで、処理空間Ｓ１～Ｓ４の全ての載置台２２にウエハＷが載置される。

搬出時も同様に、まず、処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部の受け渡し位置にある載置台２２に載置されたウエハＷを、搬送アーム１５ａにより真空搬送室１４ａに先に搬出する。次に、処理空間Ｓ３，Ｓ４の下部の受け渡し位置にある載置台２２に載置されたウエハＷを、回転アーム３により処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部の受け渡し位置にある載置台２２に搬送する。続いて、処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部の受け渡し位置にある載置台２２に載置されたウエハＷを、搬送アーム１５ａにより真空搬送室１４ａに搬出する。このように、２枚同時にウエハＷを搬入出可能な搬送アーム１５ａと、回転アーム３とを用いることで、処理空間Ｓ１～Ｓ４に対してウエハＷを搬入出することができる。

また、基板処理装置２は、回転アーム３に保持されたウエハＷの回転軌跡上の位置であって、行間隔内または列間隔内の回転対称の位置それぞれに、ウエハＷの位置を検出する位置検出センサを有していてもよい。図５の例では、基板処理装置２は、行間隔内である、処理空間Ｓ１とＳ２の間、および、処理空間Ｓ３とＳ４の間に、それぞれ、位置検出センサであるセンサ３１ａ，３１ｂを有する。

センサ３１ａ，３１ｂは、それぞれ、例えば２つの光学センサの組であって、基板処理装置２の中心、つまり２行２列のレイアウトの中心位置を通るＸ方向の直線上に配置される。これは、処理容器２０の熱膨張による膨張方向を２つのセンサで同一方向とすることで、誤差を少なくするためである。なお、センサ３１ａ，３１ｂの配置位置は、基板処理装置２の中心を通る直線上であれば、Ｘ方向に限られない。基板処理装置２は、センサ３１ａ，３１ｂで検出されたウエハＷの前後のエッジと、回転アーム３に設けられた図示しないエンコーダの出力結果とを比較することで、ウエハＷの位置を検出する。

図５の例では、ポジションＰ２４が、処理空間Ｓ２からＳ４への搬送時にウエハＷの後側のエッジがセンサ３１ｂを通過した状態を示し、ポジションＰ４２が、処理空間Ｓ４からＳ２への搬送時にウエハＷの後側のエッジがセンサ３１ａを通過した状態を示している。センサ３１ａ，３１ｂは、例えば、通過したウエハＷの中心の位置を検出することができる。センサ３１ａ，３１ｂは、ウエハＷの位置を示す検出結果を制御部８へ出力する。

図６は、本実施形態に係る基板処理装置の排気経路の一例を示す図である。図６では、後述するガス供給部４を外した状態で処理容器２０を上面から見た場合を示している。図６に示すように、基板処理装置２の中心には、マニホールド３６が配置される。マニホールド３６は、処理空間Ｓ１～Ｓ４に接続される複数の排気路３６１を有する。各排気路３６１は、マニホールド３６の中心下部において、後述するスラストナット３５の孔３５１に接続される。各排気路３６１は、処理空間Ｓ１～Ｓ４の上部に設けられた各ガイド部材３６２内の環状の流路３６３に接続される。つまり、処理空間Ｓ１～Ｓ４内のガスは、流路３６３、排気路３６１、孔３５１を経由して、後述する合流排気口２０５へと排気される。

図７は、本実施形態に係る基板処理装置の構成の一例を示す概略断面図である。図７の断面は、図６に示す基板処理装置２のＡ－Ａ線における断面に相当する。４つの処理空間Ｓ１～Ｓ４は互いに同様に構成され、各々、ウエハＷが載置される載置台２２と、載置台２２と対向して配置されたガス供給部４との間に形成される。言い換えると、処理容器２０内には、４つの処理空間Ｓ１～Ｓ４それぞれについて、載置台２２およびガス供給部４が設けられている。図７には、処理空間Ｓ１とＳ３とを示している。以下、処理空間Ｓ１を例にして説明する。

載置台２２は、下部電極を兼用するものであり、例えば金属もしくは、金属メッシュ電極を埋め込んだ窒化アルミ(ＡｌＮ)からなる扁平な円柱状に形成される。載置台２２は、支持部材２３により下方から支持されている。支持部材２３は、円筒状に形成され、鉛直下方に延伸し、処理容器２０の底部２７を貫通している。支持部材２３の下端部は、処理容器２０の外部に位置し、回転駆動機構６００に接続されている。支持部材２３は、回転駆動機構６００により回転される。載置台２２は、支持部材２３の回転に応じて回転可能に構成されている。また、支持部材２３の下端部には、載置台２２の位置及び傾きを調整する調整機構７００が設けられている。

載置台２２は、調整機構７００により支持部材２３を介して処理位置と受け渡し位置との間で昇降可能に構成されている。図７には、実線にて受け渡し位置にある載置台２２を描き、破線にて処理位置にある載置台２２をそれぞれ示している。また、受け渡し位置では、回転アーム３のエンドエフェクタ３２を載置台２２とウエハＷとの間に挿入し、リフトピン２６からウエハＷを受け取る状態を示している。なお、処理位置とは、基板処理（例えば、成膜処理）を実行するときの位置であり、受け渡し位置とは、搬送アーム１５ａまたは回転アーム３（エンドエフェクタ３２）との間でウエハＷの受け渡しを行う位置である。

載置台２２には、ヒーター２４が埋設されている。ヒーター２４は、載置台２２に載置された各ウエハＷを例えば６０℃～６００℃程度に加熱する。また、載置台２２は、接地電位に接続されている。

また、載置台２２には、複数（例えば３つ）のピン用貫通孔２６ａが設けられており、これらのピン用貫通孔２６ａの内部には、それぞれリフトピン２６が配置されている。ピン用貫通孔２６ａは、載置台２２の載置面（上面）から載置面に対する裏面（下面）まで貫通するように設けられている。リフトピン２６は、ピン用貫通孔２６ａにスライド可能に挿入されている。リフトピン２６の上端は、ピン用貫通孔２６ａの載置面側に吊り下げられている。すなわち、リフトピン２６の上端は、ピン用貫通孔２６ａよりも大きい径を有しており、ピン用貫通孔２６ａの上端には、リフトピン２６の上端よりも径及び厚みが大きく且つリフトピン２６の上端を収容可能な凹部が形成されている。これにより、リフトピン２６の上端は、載置台２２に係止されてピン用貫通孔２６ａの載置面側に吊り下げられる。また、リフトピン２６の下端は、載置台２２の裏面から処理容器２０の底部２７側へ突出しており、不図示の昇降機構に当接可能に設けられている。

載置台２２を処理位置まで上昇させた状態では、リフトピン２６の上端がピン用貫通孔２６ａの載置面側の凹部に収納される。この状態から載置台２２を受け渡し位置に下降させるとともに、リフトピン２６を不図示の昇降機構により上昇させると、図７に示すように、リフトピン２６の上端が載置台２２の載置面から突出する。

ガス供給部４は、処理容器２０の天井部における、載置台２２の上方に、絶縁部材よりなるガイド部材３６２を介して設けられている。ガス供給部４は、上部電極としての機能を有する。ガス供給部４は、蓋体４２と、載置台２２の載置面と対向するように設けられた対向面をなすシャワープレート４３と、蓋体４２とシャワープレート４３との間に形成されたガスの通流室４４とを有する。蓋体４２には、ガス供給管５１が接続されると共に、シャワープレート４３には、厚さ方向に貫通するガス吐出孔４５が例えば縦横に配列され、ガスがシャワー状に載置台２２に向けて吐出される。

各ガス供給部４は、ガス供給管５１を介してガス供給系５０に接続されている。ガス供給系５０は、例えば処理ガスである反応ガス（成膜ガス）や、パージガス、クリーニングガスの供給源や、配管、バルブＶ、流量調整部Ｍ等を備えている。ガス供給系５０は、例えば、クリーニングガス供給源５３と、反応ガス供給源５４と、パージガス供給源５５と、それぞれの供給源の配管に設けられたバルブＶ１～Ｖ３、および、流量調整部Ｍ１～Ｍ３とを有する。

クリーニングガス供給源５３は、流量調整部Ｍ１、バルブＶ１、リモートプラズマユニット（ＲＰＵ：Remote Plasma Unit)５３１を介して、クリーニングガス供給路５３２に接続される。クリーニングガス供給路５３２は、ＲＰＵ５３１の下流側にて４系統に分岐し、それぞれガス供給管５１に接続されている。ＲＰＵ５３１の下流側には分岐された分岐管毎にバルブＶ１１～Ｖ１４が設けられ、クリーニング時は対応するバルブＶ１１～Ｖ１４を開く。なお、図７では便宜上、バルブＶ１１、Ｖ１４のみが示されている。

反応ガス供給源５４およびパージガス供給源５５は、それぞれ流量調整部Ｍ２，Ｍ３、および、バルブＶ２，Ｖ３を介して、ガス供給路５２に接続される。ガス供給路５２は、ガス供給管５１０を介してガス供給管５１に接続される。なお、図７中、ガス供給路５２およびガス供給管５１０は、各ガス供給部４に対応する各供給路および各供給管を纏めて示したものである。

シャワープレート４３には、整合器４０を介して高周波電源４１が接続されている。シャワープレート４３は、載置台２２に対向する上部電極としての機能を有する。上部電極であるシャワープレート４３と下部電極である載置台２２との間に高周波電力を印加すると、容量結合により、シャワープレート４３から処理空間Ｓ１に供給されたガスを（本例では反応ガス）をプラズマ化することができる。

続いて、処理空間Ｓ１～Ｓ４から合流排気口２０５への排気経路について説明する。図６および図７に示すように、排気経路は、処理空間Ｓ１～Ｓ４の上部に設けられた各ガイド部材３６２内の環状の流路３６３から各排気路３６１を通り、マニホールド３６の中心下部の合流部、孔３５１を経由して、合流排気口２０５へと向かう。なお、排気路３６１は、断面が、例えば円形状に形成されている。

各処理空間Ｓ１～Ｓ４の周囲には、各処理空間Ｓ１～Ｓ４をそれぞれ囲むように排気用のガイド部材３６２が設けられている。ガイド部材３６２は、例えば処理位置にある載置台２２の周囲の領域を、当該載置台２２に対して間隔を開けて囲むように設けられた環状体である。ガイド部材３６２は、内部に例えば縦断面が矩形状であって、平面視、環状の流路３６３を形成するように構成されている。図６では、処理空間Ｓ１～Ｓ４、ガイド部材３６２、排気路３６１およびマニホールド３６を概略的に示している。

ガイド部材３６２は、処理空間Ｓ１～Ｓ４に向けて開口するスリット状のスリット排気口３６４を形成する。このようにして、各々の処理空間Ｓ１～Ｓ４の側周部にスリット排気口３６４が周方向に沿って形成されることになる。流路３６３には排気路３６１が接続され、スリット排気口３６４から排気された処理ガスをマニホールド３６の中心下部の合流部、孔３５１へ向けて通流させる。

処理空間Ｓ１－Ｓ２，Ｓ３－Ｓ４の組は、図６に示すように、上面側から見たとき、マニホールド３６を囲んで１８０°回転対称に配置されている。これにより、各処理空間Ｓ１～Ｓ４からスリット排気口３６４、ガイド部材３６２の流路３６３、排気路３６１を介して孔３５１に至る処理ガスの通流路は、孔３５１を囲んで１８０°回転対称に形成されていることになる。

孔３５１は、処理容器２０の中心部に配置された２軸真空シール３４のスラスト配管３４１の内側である合流排気口２０５を介して排気管６１に接続されている。排気管６１は、バルブ機構７を介して真空排気機構をなす真空ポンプ６２に接続されている。真空ポンプ６２は、例えば一つの処理容器２０に一つ設けられており、各真空ポンプ６２の下流側の排気管は合流して、例えば工場排気系に接続される。

バルブ機構７は、排気管６１内に形成された処理ガスの通流路を開閉するものであり、例えばケーシング７１と、開閉部７２とを有する。ケーシング７１の上面には、上流側の排気管６１と接続される第１の開口部７３、ケーシング７１の側面には下流側の排気管と接続される第２の開口部７４がそれぞれ形成されている。

開閉部７２は、例えば第１の開口部７３を塞ぐ大きさに形成された開閉弁７２１と、ケーシング７１の外部に設けられ、開閉弁７２１をケーシング７１内において昇降させる昇降機構７２２とを有する。開閉弁７２１は、図７に一点鎖線で示す第１の開口部７３を塞ぐ閉止位置と、図７に実線で示す第１および第２の開口部７３，７４よりも下方側に退避する開放位置との間で昇降自在に構成される。開閉弁７２１が閉止位置にあるときには、合流排気口２０５の下流端が閉じられて、処理容器２０内の排気が停止される。また、開閉弁７２１が開放位置にあるときには、合流排気口２０５の下流端が開かれて、処理容器２０内が排気される。

続いて、２軸真空シール３４およびスラストナット３５について説明する。２軸真空シール３４は、スラスト配管３４１と、軸受３４２，３４４と、ロータ３４３と、本体部３４５と、磁性流体シール３４６，３４７と、ダイレクトドライブモータ３４８とを有する。

スラスト配管３４１は、回転しない中心軸であり、スラストナット３５を介して、基板処理装置２の中心上部にかかるスラスト荷重を受け止める。つまり、スラスト配管３４１は、処理空間Ｓ１～Ｓ４を真空雰囲気とした際に、基板処理装置２の中心部にかかる真空荷重を受け止めることで、基板処理装置２の上部の変形を抑制する。また、スラスト配管３４１は、中空構造であり、その内部は合流排気口２０５となっている。スラスト配管３４１の上面は、スラストナット３５の下面と当接される。また、スラスト配管３４１の上部の内面と、スラストナット３５の内周側の凸部の外面との間は、図示しないＯリングによって密封されている。

スラストナット３５の外周側面は、ネジ構造となっており、スラストナット３５は処理容器２０の中心部の隔壁に螺合されている。処理容器２０の中心部は、その上部にマニホールド３６が設けられている。スラスト荷重は、マニホールド３６、処理容器２０の中心部の隔壁、スラストナット３５およびスラスト配管３４１で受け止めることになる。

軸受３４２は、ロータ３４３をスラスト配管３４１側で保持するラジアル軸受である。軸受３４４は、ロータ３４３を本体部３４５側で保持するラジアル軸受である。ロータ３４３は、スラスト配管３４１と同心円に配置され、回転アーム３の中心における回転軸である。また、ロータ３４３には、ベース部材３３が接続されている。ロータ３４３が回転することで、回転アーム３、つまりエンドエフェクタ３２およびベース部材３３が回転する。

本体部３４５は、その内部に軸受３４２，３４４と、ロータ３４３と、磁性流体シール３４６，３４７と、ダイレクトドライブモータ３４８を格納する。磁性流体シール３４６，３４７は、ロータ３４３の内周側および外周側に配置され、処理空間Ｓ１～Ｓ４を外部に対して密封する。ダイレクトドライブモータ３４８は、ロータ３４３と接続され、ロータ３４３を駆動することで回転アーム３を回転させる。

このように、２軸真空シール３４は、１軸目の回転しない中心軸であるスラスト配管３４１が処理容器２０の上部の荷重を支えつつ、ガス排気配管の役目を担い、２軸目のロータ３４３が回転アーム３を回転させる役目を担う。

[載置台の位置ずれ測定方法]
次に、実施形態に係る基板処理装置２における載置台２２の位置ずれ測定方法について説明する。図８は、本実施形態に係る載置台２２の位置ずれ測定処理の一例を示すフローチャートである。図８では、真空搬送室１４ａに対して手前側に位置する処理空間Ｓ１，Ｓ２の各載置台２２（以下、適宜「手前側の載置台２２」と呼ぶ。）について、ずれ量を測定する場合を説明する。また、図８では、測定したずれ量に基づく載置台２２の位置の調整を含む一連の処理について説明する。なお、図８に示す各種の処理は、制御部８による制御に基づいて実行される。

制御部８は、搬送アーム１５ａによって真空搬送室１４ａから処理容器２０へウエハＷを搬入する（ステップＳ１０１）。

制御部８は、真空搬送室１４ａから搬入出口２１を介して処理容器２０にウエハＷが搬入される際に、センサ１７を用いて、搬送アーム１５ａによって搬送されるウエハＷの初期位置を検出する（ステップＳ１０２）。ステップＳ１０２では、例えば、制御部８は、ウエハＷの中心の初期位置を検出する。

制御部８は、搬入されたウエハＷが手前側の載置台２２に対応する処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部における搬送空間Ｔの受け渡し位置に到達すると、リフトピン２６を動作させて手前側の載置台２２にウエハＷを載置する（ステップＳ１０３）。制御部８は、手前側の載置台２２にウエハＷが載置されると、載置台２２の回転によりウエハＷを所定の回転角度αだけ回転させる（ステップＳ１０４）。

制御部８は、ウエハＷの回転が終了すると、リフトピン２６を動作させて回転後のウエハＷを載置台２２から搬送アーム１５ａに受け渡す（ステップＳ１０５）。制御部８は、搬送アーム１５ａによって処理容器２０から真空搬送室１４ａへ回転後のウエハＷを搬出する（ステップＳ１０６）。

制御部８は、処理容器２０から搬入出口２１を介して真空搬送室１４ａに回転後のウエハＷが搬出される際に、センサ１７を用いて、搬送アーム１５ａによって搬送される回転後のウエハＷの位置を検出する（ステップＳ１０７）。ステップＳ１０７では、例えば、制御部８は、回転後のウエハＷの中心の位置を検出する。

制御部８は、ステップＳ１０２で検出したウエハＷの初期位置と、ステップＳ１０７で検出した回転後のウエハＷの位置と、回転角度αとに基づいて、ウエハＷの初期位置に対する載置台２２の位置のずれ量を算出する（ステップＳ１０８）。ステップＳ１０８では、例えば、制御部８は、ウエハＷの中心の初期位置と、回転後のウエハＷの中心の位置と、回転角度αとに基づいて、ウエハＷの中心の初期位置に対する載置台２２の中心の位置のずれ量を算出する。

図９は、本実施形態に係るウエハＷの中心の初期位置に対する載置台２２の中心の位置のずれ量の一例を示す図である。図９では、載置台２２における初期位置に位置する回転前のウエハＷが破線により示され、載置台２２の回転により回転角度αだけ回転した回転後のウエハＷが実線により示されている。回転前のウエハＷの中心を基準位置（０，０）として表し、回転後のウエハＷの中心の座標を（ｘ，ｙ）として表すと、載置台２２の中心の座標（Ｘ，Ｙ）は、以下の式（１）、（２）から求められる。つまり、ウエハＷの中心の初期位置に対する載置台２２の中心の位置のずれ量は、座標（Ｘ，Ｙ）として算出される。

なお、制御部８によるずれ量の算出手法は図９に示す手法に限られない。たとえば、制御部８は、ウエハＷのエッジの初期位置と、回転後のウエハＷのエッジの位置と、回転角度αとに基づいて、ウエハＷのエッジの初期位置に対する載置台２２のエッジの位置のずれ量を算出してもよい。

図８の説明に戻る。制御部８は、算出されたずれ量、つまりウエハＷの中心の初期位置に対する載置台２２の中心の位置のずれ量に基づいて、載置台２２の位置を調整する（ステップＳ１０９）。ステップＳ１０９では、例えば、制御部８は、ずれ量がキャンセルされるように、調整機構７００を制御して手前側の載置台２２を移動させる。

なお、図８の例では、制御部８が、算出されたずれ量に基づいて、載置台２２の位置を調整するものとしたが、これに限定されない。制御部８は、算出されたずれ量に基づいて、搬送アーム１５ａによるウエハＷの搬送位置を調整してもよい。かかる場合、制御部８は、ずれ量がキャンセルされるように、搬送アーム１５ａの基板保持部を移動させる。

図１０は、本実施形態に係る載置台２２の位置ずれ測定処理の他の一例を示すフローチャートである。図１０では、真空搬送室１４ａに対して奥側に位置する処理空間Ｓ３，Ｓ４の各載置台２２（以下、適宜「奥側の載置台２２」と呼ぶ。）について、ずれ量を測定する場合を説明する。また、図１０では、測定したずれ量に基づく載置台２２の位置の調整を含む一連の処理について説明する。なお、図１０に示す各種の処理は、制御部８による制御に基づいて実行される。

制御部８は、搬送アーム１５ａによって真空搬送室１４ａから処理容器２０へウエハＷを搬入する（ステップＳ１１１）。

制御部８は、真空搬送室１４ａから搬入出口２１を介して処理容器２０にウエハＷが搬入される際に、センサ１７を用いて、搬送アーム１５ａによって搬送されるウエハＷの初期位置を検出する（ステップＳ１１２）。ステップＳ１１２では、例えば、制御部８は、ウエハＷの中心の初期位置を検出する。

制御部８は、搬入されたウエハＷが手前側の載置台２２に対応する処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部における搬送空間Ｔの受け渡し位置に到達すると、ウエハＷを回転アーム３に載置する（ステップＳ１１３）。ステップＳ１１３では、例えば、制御部８は、手前側の載置台２２からリフトピン２６を上昇させてリフトピン２６によってウエハＷを受け取る。そして、制御部８は、回転アーム３を待機位置から時計回りに約３０°回転させて、エンドエフェクタ３２を処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部の受け渡し位置にある載置台２２とウエハＷとの間に挿入する。そして、制御部８は、リフトピン２６を下降させてエンドエフェクタ３２にウエハＷを載置する。

制御部８は、回転アーム３にウエハＷが載置されると、回転アーム３を時計回りに１８０°回転させ、処理空間Ｓ３，Ｓ４の下部における搬送空間Ｔの受け渡し位置にある奥側の載置台２２にウエハＷを搬送する（ステップＳ１１４）。

制御部８は、回転アーム３に載置されたウエハＷが奥側の載置台２２に対応する処理空間Ｓ３，Ｓ４の下部における搬送空間Ｔの受け渡し位置に到達すると、リフトピン２６を動作させて奥側の載置台２２にウエハＷを載置する（ステップＳ１１５）。制御部８は、奥側の載置台２２にウエハＷが載置されると、載置台２２の回転によりウエハＷを所定の回転角度αだけ回転させる（ステップＳ１１６）。

制御部８は、ウエハＷの回転が終了すると、リフトピン２６を動作させて回転後のウエハＷを載置台２２から回転アーム３に受け渡す（ステップＳ１１７）。

制御部８は、回転アーム３に回転後のウエハＷが受け渡されると、回転アーム３を時計回りに１８０°回転させ、処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部における搬送空間Ｔの受け渡し位置にある手前側の載置台２２に回転後のウエハＷを搬送する（ステップＳ１１８）。

制御部８は、回転後のウエハＷが手前側の載置台２２に対応する処理空間Ｓ１，Ｓ２の下部における搬送空間Ｔの受け渡し位置に到達すると、リフトピン２６を動作させて回転後のウエハＷを回転アーム３から搬送アーム１５ａに受け渡す。制御部８は、搬送アーム１５ａによって処理容器２０から真空搬送室１４ａへ回転後のウエハＷを搬出する（ステップＳ１１９）。

制御部８は、処理容器２０から搬入出口２１を介して真空搬送室１４ａに回転後のウエハＷが搬出される際に、センサ１７を用いて、搬送アーム１５ａによって搬送される回転後のウエハＷの位置を検出する（ステップＳ１２０）。ステップＳ１２０では、例えば、制御部８は、回転後のウエハＷの中心の位置を検出する。

制御部８は、ステップＳ１１２で検出したウエハＷの初期位置と、ステップＳ１２０で検出した回転後のウエハＷの位置と、回転角度αとに基づいて、ウエハＷの初期位置に対する載置台２２の位置のずれ量を算出する（ステップＳ１２１）。ステップＳ１２１では、例えば、制御部８は、ウエハＷの中心の初期位置と、回転後のウエハＷの中心の位置と、回転角度αとに基づいて、ウエハＷの中心の初期位置に対する載置台２２の中心の位置のずれ量を算出する。ステップＳ１２１におけるずれ量の算出手法は図９に示す手法と基本的には同様である。ただし、奥側の載置台２２と手前側の載置台２２とが１８０°の回転対称性を有するため、回転後のウエハＷの中心の座標（ｘ，ｙ）の正負が反転される。

制御部８は、算出されたずれ量、つまりウエハＷの初期位置に対する載置台２２の位置のずれ量に基づいて、載置台２２の位置を調整する（ステップＳ１２２）。ステップＳ１２２では、例えば、制御部８は、ずれ量がキャンセルされるように、調整機構７００を制御して手前側の載置台２２を移動させる。

このように、基板処理装置２では、回転前のウエハＷの初期位置、回転後のウエハＷの位置および回転角度に基づいて、載置台２２とウエハＷとの相対位置のずれ量を測定することができる。つまり、載置台２２とウエハＷとの相対位置のずれ量を目視で確認する作業を実施することなく、簡潔かつ迅速に載置台２２とウエハＷとの相対位置のずれ量を測定することができる。また、基板処理装置２では、処理容器２０を大気開放することなく載置台２２の位置を調整することができる。

[変形例]
上記の実施形態では、真空搬送室１４ａが有するセンサ１７を用いてウエハＷの初期位置及び回転後のウエハＷの位置を検出する場合を例に説明したが、基板処理装置２が有するセンサ３１ａ，３１ｂを用いてもよい。センサ３１ａ，３１ｂを用いてウエハＷの初期位置及び回転後のウエハＷの位置を検出する場合を変形例として説明する。

図１１は、変形例に係る載置台２２の位置ずれ測定処理の一例を示すフローチャートである。図１１では、処理空間Ｓ１～Ｓ４の全ての載置台２２について、ずれ量を一括で測定する場合を説明する。また、図１１では、測定したずれ量に基づく載置台２２の位置の調整を含む一連の処理について説明する。なお、図１１に示す各種の処理は、制御部８による制御に基づいて実行される。また、図１１に示す各種の処理は、処理空間Ｓ１～Ｓ４の全ての載置台２２にウエハＷが載置された後に開始される。

制御部８は、ウエハＷを回転アームに載置する（ステップＳ１３１）。ステップＳ１３１では、例えば、制御部８は、載置台２２からリフトピン２６を上昇させてリフトピン２６によってウエハＷを受け取る。そして、制御部８は、回転アーム３を待機位置から時計回りに約３０°回転させて、エンドエフェクタ３２を処理空間Ｓ１～Ｓ４の下部の受け渡し位置にある載置台２２とウエハＷとの間に挿入する。そして、制御部８は、リフトピン２６を下降させてエンドエフェクタ３２にウエハＷを載置する。

制御部８は、回転アーム３にウエハＷが載置されると、回転アーム３を時計回りに１８０°回転させ、回転アーム３上のウエハＷがセンサ３１ａ，３１ｂを通過するようにウエハＷを搬送する（ステップＳ１３２）。

制御部８は、回転アーム３の回転によってウエハＷが搬送される際に、センサ３１ａ，３１ｂを用いて、ウエハＷの初期位置を検出する（ステップＳ１３３）。ステップＳ１３３では、例えば、制御部８は、ウエハＷの中心の初期位置を検出する。制御部８は、回転アーム３の回転によるウエハＷの搬送が終了すると、回転アーム３をさらに時計回りに１８０°回転させ、回転アーム３にウエハＷが載置された時点の元の位置に戻るようにウエハＷを搬送する。

制御部８は、回転アーム３にウエハＷが載置された時点の元の位置にウエハＷが戻ると、リフトピン２６を動作させて載置台２２にウエハＷを載置する（ステップＳ１３４）。制御部８は、載置台２２にウエハＷが載置されると、載置台２２の回転によりウエハＷを所定の回転角度αだけ回転させる（ステップＳ１３５）。

制御部８は、ウエハＷの回転が終了すると、リフトピン２６を動作させて回転後のウエハＷを載置台２２から回転アーム３に受け渡す（ステップＳ１３６）。

制御部８は、回転アーム３に回転後のウエハＷが受け渡されると、回転アーム３を時計回りに１８０°回転させ、回転アーム３上の回転後のウエハＷがセンサ３１ａ，３１ｂを通過するようにウエハＷを搬送する（ステップＳ１３７）。

制御部８は、回転アーム３の回転によって回転後のウエハＷが搬送される際に、センサ３１ａ，３１ｂを用いて、回転後のウエハＷの位置を検出する（ステップＳ１３８）。ステップＳ１３８では、例えば、制御部８は、回転後のウエハＷの中心の位置を検出する。制御部８は、回転アーム３の回転による回転後のウエハＷの搬送が終了すると、回転アーム３をさらに時計回りに１８０°回転させ、回転アーム３に回転後のウエハＷが受け渡された時点の元の位置に戻るように回転後のウエハＷを搬送する。元の位置に戻された回転後のウエハＷは、搬送アーム１５ａによって処理容器２０から真空搬送室１４ａへ搬出されてもよい。

制御部８は、ステップＳ１３３で検出したウエハＷの初期位置と、ステップＳ１３８で検出した回転後のウエハＷの位置と、回転角度αとに基づいて、ウエハＷの初期位置に対する載置台２２の位置のずれ量を算出する（ステップＳ１３９）。ステップＳ１３９では、例えば、制御部８は、ウエハＷの中心の初期位置と、回転後のウエハＷの中心の位置と、回転角度αとに基づいて、ウエハＷの中心の初期位置に対する載置台２２の中心の位置のずれ量を算出する。ステップＳ１３９におけるずれ量の算出手法は図９に示す手法と同様である。

制御部８は、算出されたずれ量、つまりウエハＷの初期位置に対する載置台２２の位置のずれ量に基づいて、載置台２２の位置を調整する（ステップＳ１４０）。ステップＳ１４０では、例えば、制御部８は、ずれ量がキャンセルされるように、調整機構７００を制御して手前側の載置台２２を移動させる。

このように、変形例の基板処理装置２では、実施形態の基板処理装置２と同様に、回転前のウエハＷの初期位置、回転後のウエハＷの位置および回転角度に基づいて、載置台２２とウエハＷとの相対位置のずれ量を測定することができる。つまり、載置台２２とウエハＷとの相対位置のずれ量を目視で確認する作業を実施することなく、簡潔かつ迅速に載置台２２とウエハＷとの相対位置のずれ量を測定することができる。また、基板処理装置２では、処理容器２０を大気開放することなく載置台２２の位置を調整することができる。

[その他の変形例]
上記の実施形態では、算出されたずれ量に基づいて、載置台２２の位置を調整するものとしたが、これに限定されない。制御部８は、算出されたずれ量に基づいて、搬送アーム１５ａによるウエハＷの搬送位置を調整してもよい。例えば、制御部８は、ずれ量がキャンセルされるように、搬送アーム１５ａの基板保持部を移動させてもよい。

また、上記の実施形態及び変形例において、載置台２２の位置ずれ測定処理は、処理容器２０および載置台２２が加熱された状態で実行してもよい。すなわち、図８のステップＳ１０１～Ｓ１０９、図１０のステップＳ１１１～Ｓ１２２及び図１１のステップＳ１３１～Ｓ１４０は、処理容器２０および載置台２２が加熱された状態で実行してもよい。この場合、基板処理装置２は、処理容器２０および載置台２２の熱膨張に起因した、載置台２２とウエハＷとの相対位置のずれ量を測定し補正することができる。

以上のように、実施形態に係る基板処理装置（例えば、基板処理装置２）は、処理容器（例えば、処理容器２０）と、処理容器の内部に設けられた回転可能な基板載置台（例えば、載置台２２）と、制御部（例えば、制御部８）とを備える。制御部は、工程ａ）と、工程ｂ）と、工程ｃ）と、工程ｄ）と、工程ｅ）と、工程ｆ）とを実行するように各部を制御するように構成される。工程ａ）は、基板（例えば、ウエハＷ）を搬送するアーム（例えば、搬送アーム１５ａ、回転アーム３）によって搬送される基板の初期位置を検出する。工程ｂ）は、基板載置台に基板を載置する。工程ｃ）は、基板載置台の回転により基板を所定の回転角度（例えば、回転角度α）だけ回転させる。工程ｄ）は、回転後の基板を基板載置台からアームに受け渡す。工程ｅ）は、アームによって搬送される回転後の基板の位置を検出する。工程ｆ）は、基板の初期位置と、回転後の基板の位置と、回転角度とに基づいて、基板の初期位置に対する基板載置台の位置のずれ量を算出する。その結果、基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することができる。

また、基板処理装置は、基板を搬送する搬送アーム（例えば、搬送アーム１５ａ）を内部に有する真空搬送室（例えば、真空搬送室１４ａ）に接続されていてもよい。アームは、搬送アームであってもよい。その結果、真空搬送室に基板処理装置が接続された基板処理システム（例えば、基板処理システム１）において、基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することができる。

また、真空搬送室は、搬送アームによって搬送される基板の位置を検出する検出部（例えば、センサ１７）を有してもよい。工程ａ）は、真空搬送室から処理容器に基板が搬入される際に、検出部を用いて、基板の初期位置を検出してもよい。工程ｅ）は、処理容器から真空搬送室に回転後の基板が搬出される際に、検出部を用いて、回転後の基板の位置を検出してもよい。その結果、真空搬送室の検出部による検出結果から基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することができる。

また、処理容器は、各々に基板載置台が設けられた複数の処理空間（例えば、処理空間Ｓ１～Ｓ４）を内部に有してもよい。基板処理装置は、各処理空間の基板載置台に載置される基板を保持可能な複数のエンドエフェクタ（例えば、エンドエフェクタ３２）を有する回転アーム（例えば、回転アーム３）を有してもよい。アームは、回転アームであってもよい。その結果、複数の基板を同時に１つの処理容器内で処理する形態の基板処理装置において、基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することができる。

また、基板処理装置は、回転アームに保持された基板の回転軌跡上の位置に、基板の位置を検出する検出部（例えば、センサ３１ａ，３１ｂ）を有してもよい。工程ａ）は、回転アームの回転によって基板が搬送される際に、検出部を用いて、基板の初期位置を検出してもよい。工程ｅ）は、回転アームの回転によって回転後の基板が搬送される際に、検出部を用いて、回転後の基板の位置を検出する。その結果、基板処理装置の検出部による検出結果から基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することができる。

また、工程ａ）は、基板の中心の初期位置を検出してもよい。工程ｅ）は、回転後の基板の中心の位置を検出してもよい。工程ｆ）は、基板の中心の初期位置と、回転後の基板の中心の位置と、回転角度とに基づいて、基板の中心の初期位置に対する基板載置台の中心の位置のずれ量を算出してもよい。その結果、基板載置台の中心と基板の中心との相対位置のずれ量を測定することができる。

また、制御部は、処理容器および基板載置台が加熱された状態で、工程ａ）から工程ｆ）までの処理を実行してもよい。その結果、処理容器および基板載置台の熱膨張に起因した、基板載置台と基板との相対位置のずれ量を測定することができる。

また、制御部は、工程ｇ）をさらに実行するように各部を制御するように構成されてもよい。工程ｇ）は、算出されたずれ量に基づいて、基板載置台の位置を調整してもよい。その結果、簡潔かつ高精度に基板載置台の位置の調整を行うことができる。

また、制御部は、工程ｈ）をさらに実行するように各部を制御するように構成されてもよい。工程ｈ）は、算出されたずれ量に基づいて、アーム（例えば、搬送アーム１５ａ）による基板の搬送位置を調整してもよい。その結果、簡潔かつ高精度にアームの位置の調整を行うことができる。

このように、制御部は、工程ｇ）又は工程ｈ）を実行するように各部を制御するように構成されてもよい。これにより、処理容器の内部に設けられた基板載置台の設置位置の誤差や、処理容器の熱膨張に起因した基板搬送位置の誤差をキャンセルするための補正を処理容器を開放せず且つ人手を介さずに制御部の制御下でフルオートで実施することが可能となる。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

なお、以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
処理容器の内部に回転可能な基板載置台が設けられた基板処理装置における前記基板載置台の位置ずれ測定方法であって、
ａ）基板を搬送するアームによって搬送される前記基板の初期位置を検出する工程と、
ｂ）前記基板載置台に前記基板を載置する工程と、
ｃ）前記基板載置台の回転により前記基板を所定の回転角度だけ回転させる工程と、
ｄ）回転後の前記基板を前記基板載置台から前記アームに受け渡す工程と、
ｅ）前記アームによって搬送される回転後の前記基板の位置を検出する工程と、
ｆ）前記基板の初期位置と、回転後の前記基板の位置と、前記回転角度とに基づいて、前記基板の初期位置に対する前記基板載置台の位置のずれ量を算出する工程と
を含む、基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記２）
前記基板処理装置は、前記基板を搬送する搬送アームを内部に有する真空搬送室に接続されており、
前記アームは、前記搬送アームである、付記１に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記３）
前記真空搬送室は、前記搬送アームによって搬送される基板の位置を検出する検出部を有し、
前記ａ）は、前記真空搬送室から前記処理容器に前記基板が搬入される際に、前記検出部を用いて、前記基板の初期位置を検出し、
前記ｅ）は、前記処理容器から前記真空搬送室に回転後の前記基板が搬出される際に、前記検出部を用いて、回転後の前記基板の位置を検出する、付記２に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記４）
前記処理容器は、各々に前記基板載置台が設けられた複数の処理空間を内部に有し、
前記基板処理装置は、各前記処理空間の前記基板載置台に載置される前記基板を保持可能な複数のエンドエフェクタを有する回転アームを有し、
前記アームは、前記回転アームである、付記１に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記５）
前記基板処理装置は、前記回転アームに保持された前記基板の回転軌跡上の位置に、前記基板の位置を検出する検出部を有し、
前記ａ）は、前記回転アームの回転によって前記基板が搬送される際に、前記検出部を用いて、前記基板の初期位置を検出し、
前記ｅ）は、前記回転アームの回転によって回転後の前記基板が搬送される際に、前記検出部を用いて、回転後の前記基板の位置を検出する、付記４に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記６）
前記ａ）は、前記基板の中心の初期位置を検出し、
前記ｅ）は、回転後の前記基板の中心の位置を検出し、
前記ｆ）は、前記基板の中心の初期位置と、回転後の前記基板の中心の位置と、前記回転角度とに基づいて、前記基板の中心の初期位置に対する前記基板載置台の中心の位置のずれ量を算出する、付記１～５のいずれか一つに記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記７）
前記処理容器および前記基板載置台が加熱された状態で、前記ａ）から前記ｆ）までの処理を実行する、付記１～６のいずれか一つに記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記８）
ｇ）算出された前記ずれ量に基づいて、前記基板載置台の位置を調整する工程をさらに含む、付記１～７のいずれか一つに記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記９）
ｈ）算出された前記ずれ量に基づいて、前記アームによる基板の搬送位置を調整する工程をさらに含む、付記１～８のいずれか一つに記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
（付記１０）
処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられた回転可能な基板載置台と、
制御部と
を備え、
前記制御部は、
ａ）基板を搬送するアームによって搬送される前記基板の初期位置を検出する工程と、
ｂ）前記基板載置台に前記基板を載置する工程と、
ｃ）前記基板載置台の回転により前記基板を所定の回転角度だけ回転させる工程と、
ｄ）回転後の前記基板を前記基板載置台から前記アームに受け渡す工程と、
ｅ）前記アームによって搬送される回転後の前記基板の位置を検出する工程と、
ｆ）前記基板の初期位置と、回転後の前記基板の位置と、前記回転角度とに基づいて、前記基板の初期位置に対する前記基板載置台の位置のずれ量を算出する工程と
を実行するように各部を制御するように構成される、基板処理装置。

１ 基板処理システム
２，２ａ，２ｂ 基板処理装置
３ 回転アーム
４ ガス供給部
７ バルブ機構
８ 制御部
１１ 搬入出ポート
１２ 搬入出モジュール
１３ａ，１３ｂ 真空搬送モジュール
１４ａ，１４ｂ 真空搬送室
１５ａ，１５ｂ，１２０ 搬送アーム
１６ パス
１７，３１ａ，３１ｂ センサ
２０ 処理容器
２１ 搬入出口
２２ 載置台
２３ 支持部材
２４ ヒーター
２６ リフトピン
２６ａ ピン用貫通孔
２７ 底部
３２ エンドエフェクタ
３３ ベース部材
３４ ２軸真空シール
３５ スラストナット
３６ マニホールド
４０ 整合器
４１ 高周波電源
４２ 蓋体
４３ シャワープレート
４４ 通流室
４５ ガス吐出孔
５０ ガス供給系
５１，５１０ ガス供給管
５２ ガス供給路
５３ クリーニングガス供給源
５４ 反応ガス供給源
５５ パージガス供給源
６１ 排気管
６２ 真空ポンプ
７１ ケーシング
７２ 開閉部
７３ 第１の開口部
７４ 第２の開口部
１２１ 常圧搬送室
１２２ ロードロック室
２０５ 合流排気口
３４１ スラスト配管
３４２，３４４ 軸受
３４３ ロータ
３４５ 本体部
３４６，３４７ 磁性流体シール
３４８ ダイレクトドライブモータ
３６１ 排気路
３６２ ガイド部材
３６３ 流路
３６４ スリット排気口
５３２ クリーニングガス供給路
６００ 回転駆動機構
７００ 調整機構
７２１ 開閉弁
７２２ 昇降機構
Ｇ ゲートバルブ
Ｓ１～Ｓ４ 処理空間
Ｔ 搬送空間
Ｗ ウエハ

Claims (10)

1. 処理容器の内部に回転可能な基板載置台が設けられた基板処理装置における前記基板載置台の位置ずれ測定方法であって、
   ａ）基板を搬送するアームによって搬送される前記基板の初期位置を検出する工程と、
   ｂ）前記基板載置台に前記基板を載置する工程と、
   ｃ）前記基板載置台の回転により前記基板を所定の回転角度だけ回転させる工程と、
   ｄ）回転後の前記基板を前記基板載置台から前記アームに受け渡す工程と、
   ｅ）前記アームによって搬送される回転後の前記基板の位置を検出する工程と、
   ｆ）前記基板の初期位置と、回転後の前記基板の位置と、前記回転角度とに基づいて、前記基板の初期位置に対する前記基板載置台の位置のずれ量を算出する工程と
   を含む、基板載置台の位置ずれ測定方法。
2. 前記基板処理装置は、前記基板を搬送する搬送アームを内部に有する真空搬送室に接続されており、
   前記アームは、前記搬送アームである、請求項１に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
3. 前記真空搬送室は、前記搬送アームによって搬送される基板の位置を検出する検出部を有し、
   前記ａ）は、前記真空搬送室から前記処理容器に前記基板が搬入される際に、前記検出部を用いて、前記基板の初期位置を検出し、
   前記ｅ）は、前記処理容器から前記真空搬送室に回転後の前記基板が搬出される際に、前記検出部を用いて、回転後の前記基板の位置を検出する、請求項２に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
4. 前記処理容器は、各々に前記基板載置台が設けられた複数の処理空間を内部に有し、
   前記基板処理装置は、各前記処理空間の前記基板載置台に載置される前記基板を保持可能な複数のエンドエフェクタを有する回転アームを有し、
   前記アームは、前記回転アームである、請求項１に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
5. 前記基板処理装置は、前記回転アームに保持された前記基板の回転軌跡上の位置に、前記基板の位置を検出する検出部を有し、
   前記ａ）は、前記回転アームの回転によって前記基板が搬送される際に、前記検出部を用いて、前記基板の初期位置を検出し、
   前記ｅ）は、前記回転アームの回転によって回転後の前記基板が搬送される際に、前記検出部を用いて、回転後の前記基板の位置を検出する、請求項４に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
6. 前記ａ）は、前記基板の中心の初期位置を検出し、
   前記ｅ）は、回転後の前記基板の中心の位置を検出し、
   前記ｆ）は、前記基板の中心の初期位置と、回転後の前記基板の中心の位置と、前記回転角度とに基づいて、前記基板の中心の初期位置に対する前記基板載置台の中心の位置のずれ量を算出する、請求項１に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
7. 前記処理容器および前記基板載置台が加熱された状態で、前記ａ）から前記ｆ）までの処理を実行する、請求項１に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
8. ｇ）算出された前記ずれ量に基づいて、前記基板載置台の位置を調整する工程をさらに含む、請求項１に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
9. ｈ）算出された前記ずれ量に基づいて、前記アームによる基板の搬送位置を調整する工程をさらに含む、請求項１に記載の基板載置台の位置ずれ測定方法。
10. 処理容器と、
    前記処理容器の内部に設けられた回転可能な基板載置台と、
    制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    ａ）基板を搬送するアームによって搬送される前記基板の初期位置を検出する工程と、
    ｂ）前記基板載置台に前記基板を載置する工程と、
    ｃ）前記基板載置台の回転により前記基板を所定の回転角度だけ回転させる工程と、
    ｄ）回転後の前記基板を前記基板載置台から前記アームに受け渡す工程と、
    ｅ）前記アームによって搬送される回転後の前記基板の位置を検出する工程と、
    ｆ）前記基板の初期位置と、回転後の前記基板の位置と、前記回転角度とに基づいて、前記基板の初期位置に対する前記基板載置台の位置のずれ量を算出する工程と
    を実行するように各部を制御するように構成される、基板処理装置。

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