TW202200753A

TW202200753A - 有機電致發光裝置

Info

Publication number: TW202200753A
Application number: TW110108174A
Authority: TW
Inventors: 安瑪帕姆; 克里斯汀艾倫瑞區
Original assignee: 德商麥克專利有限公司
Priority date: 2020-03-11
Filing date: 2021-03-08
Publication date: 2022-01-01
Also published as: WO2021180625A1; KR20220151192A; EP4118695B1; US20230157151A1; JP2023518173A; CN115244723A; US12514107B2; EP4118695A1; JP7794753B2

Abstract

本發明關於一種有機電致發光裝置，其包含一種包含電子傳輸主體材料和電洞傳輸主體材料之混合物，及一種調配物，其包含一種主體材料之混合物及一種包含主體材料之混合物。電子傳輸主體材料對應於一種式(1)化合物，其來自含有經取代之吡啶、嘧啶或三𠯤單元和經取代之其他苯并呋喃或二苯并噻吩單元的二苯并呋喃或二苯并噻吩衍生物之類別。

Description

有機電致發光裝置

早已知道其中使用有機半導體作為功能材料的有機電致發光裝置(例如OLED-有機發光二極體或OLEC-有機發光電化學電池)之結構。除了螢光發光體，在此所使用的發光材料越來越多為呈現磷光而不是螢光的有機金屬錯合物。為了量子力學的原因，有機金屬化合物用作為磷光發光體，可能使能量效率及功率效率增加多達四倍。然而，一般來說，仍然需要改良OLED，且尤其是呈現三重態發光(磷光)之OLED，例如關於效率、操作電壓及壽命。有機電致發光裝置的性質不只由所使用的發光體決定。在此也特別重要的尤其是所使用的其它材料，諸如主體材料和基質材料、電洞阻擋材料、電子傳輸材料、電洞傳輸材料和電子或激子阻擋材料，且此等之中尤其是主體或基質材料。此等材料的改良可導致對有機電致發光裝置的顯著改良。用於有機電子裝置之主體材料為熟習該項技術者所熟知的。術語"基質材料"當意指用於磷光發光體之主體材料時，經常也用在先前技術中。此術語的使用也適用於本發明。在此期間，已經開發多種用於螢光電子裝置和用於磷光電子裝置二者之主體材料。改良電子裝置(尤其是有機電致發光裝置)的性能數據之另一種方法為使用二或多種材料(尤其是主體材料材料或基質材料)的組合。 US 6,392,250 B1揭示由電子傳輸材料、電洞傳輸材料和螢光發光體組成之混合物於OLED的發光層之用途。借助於此混合物，相較於先前技術，可能改良OLED的壽命。 US 6,803,720 B1揭示包含磷光發光體和電洞傳輸材料及電子傳輸材料之混合物於OLED的發光層之用途。電洞傳輸材料和電子傳輸材料二者為小有機分子。根據KR20120129733，例如，含有二個二苯并噻吩單元之化合物可能使用於發光層。 WO2011088877描述特定雜環化合物，其可使用於有機發光裝置中作為發光化合物，或作為主體材料或電洞傳輸材料。根據WO2015169412，三𠯤-二苯并呋喃-咔唑衍生物和三𠯤-二苯并噻吩-咔唑衍生物可能使用於例如發光層中作為主體材料。根據WO2015105251，二苯并呋喃-二苯并呋喃衍生物可能使用於例如發光層中作為主體材料。 US9771373描述作為用於電致發光裝置之發光層的主體材料之特定咔唑衍生物，其可與其他主體材料一起使用。 KR20160046077描述特定三𠯤-二苯并呋喃-咔唑和三𠯤-二苯并噻吩-咔唑衍生物與其他主體材料和特定發光體一起在發光層中。該咔唑在此係經由氮原子鍵結至二苯并呋喃或二苯并噻吩單元。 KR20170113318描述特定雜環化合物，其可用作為有機發光裝置之發光層中的主體材料。 CN107973786描述三𠯤-二苯并呋喃-咔唑和三𠯤-二苯并噻吩-咔唑化合物。三𠯤取代基直接或經由連接子(linker)鍵結在二苯并呋喃/二苯并噻吩之1位置。咔唑衍生物直接或經由氮原子或經由連接子(linker)鍵結在二苯并呋喃/二苯并噻吩之6位置。另外進一步報導，此等材料可以10:90至90:10的比例與雙咔唑H2混合。 US2018337348描述一種電子裝置，其發光層中包含如(例如)表2中所述之二種主體材料。 WO2018174679描述一種電子裝置，其發光層中包含如(例如)表19中所述之二種主體材料。 KR20180061076描述一種電子裝置，其發光層中包含如(例如)表1中所述之二種主體材料。 US2019013490描述一種電子裝置，其發光層中包含如(例如表3)中所述之二種主體材料。 US20190006590描述一種電子裝置，其包含特定順序之二個發光層，其中各發光層含有二種主體材料。第一發光層包含主體1-1和主體1-2。第二發光層包含主體2-1和主體2-2，其中主體1-2和主體2-1為相同的材料。請求項7和8描述特定雙咔唑作為主體材料1-2。請求項9和10描述特定三𠯤衍生物作為主體材料2-2。 US2019047991描述經雙取代之三𠯤-二苯并呋喃衍生物及其作為有機發光裝置中的有機材料之用途。 WO19031679描述有機發光裝置，其發光層中含有第一主體(其包含經雙取代之三𠯤-二苯并呋喃衍生物的材料)和第二主體材料。 US2019037012描述有機發光裝置，其發光層中包含第一主體材料(其包含二個彼此鍵結的二苯并呋喃單元)和第二主體材料，例如雙咔唑。 WO2020022779描述有機發光裝置，其發光層中包含第一主體材料(其包含三個彼此鍵結的二苯并呋喃及/或二苯并噻吩單元)和第二主體材料，例如雙咔唑。 WO2020022860描述有機發光裝置，其發光層中含有氘化三𠯤衍生物和雙咔唑衍生物。然而，在使用此等材料的情況下或在使用該等材料之混合物的情況下，仍然需要改良，尤其是關於有機電致發光裝置的效率、操作電壓及/或壽命。本發明解決的問題因此為提供主體材料的組合，其適合使用於有機電致發光裝置中，尤其是螢光或磷光OLED中，並導致良好的裝置性質，尤其是關於改良的壽命，以及解決的問題為提供對應的電致發光裝置。

現已發現，藉由將至少一種式(1)化合物作為第一主體材料和至少一種式(2)電洞傳輸化合物作為第二主體材料組合於有機電致發光裝置之發光層中來解決此問題及消除先前技術的缺點。該等材料組合使用於製造有機電致發光裝置中之發光層導致此等裝置之非常好的性質，尤其是關於壽命，尤其是具有相等或改良的效率及/或操作電壓。發光層中存在發光成分尤其也顯現該等優點，尤其是在以介於2與15重量%濃度與式(III)發光體組合的情況下。本發明因此首先提供一種有機電致發光裝置，其包含陽極、陰極和至少一層含有至少一層發光層之有機層，其中該至少一層發光層含有至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2

其中所使用的符號和標號如下： X 在各情況下為相同或不同且為CR⁰ 或N，其中至少一個符號X為N； X₂ 在各情況下為相同或不同且為CH、CR¹ 或N，其中不超過2個符號X₂ 可為N； Y和Y₁ 在各情況下為相同或不同且係選自O和S； L 在各情況下為相同或不同且為單鍵或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統； L₁ 在各情況下為相同或不同且為單鍵或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統； R⁰ 在各情況下獨立地為H、D或未經取代或經部分或完全氘化之具有6至18個碳原子之芳族環系統； R* 在各情況下獨立地為D或具有6至18個碳原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統； R# 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、C(=O)R² 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、P(Ar₁ )₂ 、B(Ar₁ )₂ 、Si(Ar₁ )₃ 、Si(R² )₃ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基(thioalkyl)或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至20個碳原子之烯基，彼等各自可經一或多個R² 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R² C=CR² 、Si(R² )₂ 、C=O、C=S、C=NR² 、P(=O)(R² )、SO、SO₂ 、NR² 、O、S或CONR² 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R 在各情況下為相同或不同且係選自CN基團、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統和具有10至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該環系統可經一或多個R² 基團取代且其中當該雜芳族環系統含有一個氮原子時，該雜芳族環系統係經由N鍵結； R¹ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R¹ 可能形成可經一或多個R² 基團取代之單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統； R² 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、N(Ar₁ )₂ 、NH₂ 、N(R³ )₂ 、C(=O)Ar₁ 、C(=O)H、C(=O)R³ 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基，彼等各自可經一或多個R³ 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經HC=CH、R³ C=CR³ 、C≡C、Si(R³ )₂ 、Ge(R³ )₂ 、Sn(R³ )₂ 、C=O、C=S、C=Se、C=NR³ 、P(=O)(R³ )、SO、SO₂ 、NH、NR³ 、O、S、CONH或CONR³ 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個芳族環原子且可經一或多個R³ 基團取代之芳氧基或雜芳氧基，或此等系統的組合，其中二或多個相鄰的取代基R² 隨意地可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R³ 基團取代； R³ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或多個相鄰的R³ 取代基可能一起形成單-或多環的脂族環系統； Ar₁ 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個芳族環原子且可經一或多個非芳族R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar₁ 基團亦可以單鍵或選自N(R³ )、C(R³ )₂ 、O和S的橋而彼此橋聯； Ar₂ 和Ar₃ 在各情況下各自獨立地為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳基或雜芳基； A 在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，

Ar 在各情況下獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； * 表示連接至式(2)之結合位置； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中標號的總和在各情況下a+b+c為1； m和o 在各情況下獨立地為0、1、2、3或4； n和p 在各情況下各自獨立地為0、1、2或3；及 q、r、s、t 在各情況下各自獨立地為0或1。本發明另外提供一種製造有機電致發光裝置之方法及包含至少一種式(1)化合物和至少一種式(2)化合物之混合物、特定材料組合及含有該等混合物或材料組合之調配物。如下所述之對應較佳實施態樣同樣形成本發明標的之部分。透過式(1)化合物和式(2)化合物之特定選擇達到令人驚訝且有利的效果。本發明之有機電致發光裝置為例如有機發光電晶體(OLET)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC、LEC、LEEC)、有機雷射二極體(O-雷射)或有機發光二極體(OLED)。本發明之有機電致發光裝置尤其是有機發光二極體或有機發光電化學電池。本發明之裝置更佳為OLED。含有發光層的本發明裝置之有機層(其含有至少一種式(1)化合物和至少一種式(2)化合物的材料組合，如上述或下述)除了此發光層(EML)，較佳地包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及/或電洞阻擋層(HBL)。本發明裝置可能包括來自此選自EML、HIL、HTL、ETL、EIL和HBL之群組的多層。然而，該裝置也可包含無機材料或完全由無機材料形成的層。較佳的是含有至少一種式(1)化合物和至少一種式(2)化合物之發光層為磷光層，其特徵在於除了如上所述之式(1)和式(2)化合物的主體材料組合，其包含至少一種磷光發光體。發光體和較佳發光體的適當選擇係描述於下文中。芳基在本發明的情況下含有6至40個芳族環原子，較佳為碳原子。雜芳基在本發明的情況下含有5至40個芳族環原子，其中該等環原子包括碳原子和至少一個雜原子，先決條件係碳原子和雜原子之總和合計為至少5。雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳基或雜芳基在此係理解為意指簡單芳族環(即，苯基，衍生自苯)、或簡單雜芳族環(例如衍生自吡啶、嘧啶或噻吩)、或稠合芳基或雜芳基(例如衍生自萘、蒽、菲、喹啉或異喹啉)。具有6至18個碳原子之芳基因此較佳為苯基、萘基、菲基或聯伸三苯基，對作為取代基之芳基的連接沒有限制。芳基或雜芳基在本發明的情況下可具有一或多個R基團，其中取代基R係描述於下文中。芳族環系統在本發明的情況下在環系統中含有6至40個碳原子。芳族環系統也包括如上所述之芳基。具有6至18個碳原子之芳族環系統較佳係選自苯基，完全氘化之苯基、聯苯基、萘基、菲基和聯伸三苯基。雜芳族環系統在本發明的情況下含有5至40個環原子和至少一個雜原子。較佳雜芳族環系統具有10至40個環原子和至少一個雜原子。雜芳族環系統也包括如上所述之雜芳基。雜芳族環系統中之雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統在本發明的情況下係理解為意指不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中多個芳基或雜芳基也可能以非芳族單元(較佳為少於10%之非H的原子)，例如碳、氮或氧原子或羰基所中斷的系統。例如，系統諸如9,9’-螺二茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等因此也應視為在本發明的情況的芳族或雜芳族環系統，且同樣地其中二或更多個芳基例如被直鏈或環狀烷基或被矽基所中斷之系統。此外，其中二或更多個芳基或雜芳基彼此直接鍵結之系統，例如聯苯、聯三苯、聯四苯或聯吡啶，同樣地被涵蓋在芳族或雜芳族環系統的定義中。具有5-40個芳族環原子且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族系統之芳族或雜芳族環系統係理解為意指例如衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、

(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并丙二烯合茀(benzofluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、伸聯苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、伸聯三苯(terphenylene)、茀、螺二茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、順-或反-單苯并茚并茀、順-或反-二苯并茚并茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡𠯤、啡𠯤、啡㗁𠯤、啡噻𠯤、熒紅環(fluorubine)、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、蝶啶、吲

及苯并噻二唑。縮寫Ar₁ 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個芳族環原子且可經一或多個非芳族R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar₁ 基團亦可經由單鍵或選自N(R³ )、C(R³ )₂ 、O和S的橋而彼此橋聯，其中R³ 基團或取代基R³ 具有如上或下所述之定義。較佳地，Ar₁ 為如上所述之具有6至40個芳族環原子之芳基。最佳地，Ar₁ 為可經一或多個非芳族R³ 基團取代之苯基。Ar₁ 較佳為未經取代。縮寫Ar₂ 在各情況下獨立地為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳基或雜芳基，其中R² 基團或取代基R² 具有如上或下所述之定義。具有5至40個芳族環原子之芳基和雜芳基所給出的詳情在此對應地適用。縮寫Ar₃ 在各情況下獨立地為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳基或雜芳基，其中R² 基團或取代基R² 具有如上或下所述之定義。具有5至40個芳族環原子之芳基和雜芳基所給出的詳情在此對應地適用。縮寫Ar在各情況下獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基，其中芳基和雜芳基的詳情對應地適用，如上所述。R#基團或R#基團具有如上所述或後所述之定義。縮寫Ar在各情況下較佳地在各情況下獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40芳族環原子且含有O或S作為雜原子之雜芳基，其可經一或多個R#基團取代，其中如上或下所述之芳基、雜芳基和R#的詳情對應地適用。環狀烷基、烷氧基或硫烷基在本發明的情況下係理解為意指單環、雙環或多環基團。在本發明的情況下，直鏈、支鏈或環狀C₁ -至C₂₀ -烷基係理解為意指(例如)甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、環丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、三級-戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、二級己基、三級己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、1-甲基環戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-雙環[2.2.2]辛基、2-雙環[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二-1-基、1,1-二甲基-正十四-1-基、1,1-二甲基-正十六-1-基、1,1-二甲基-正十八-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四-1-基、1,1-二乙基-正十六-1-基、1,1-二乙基-正十八-1-基、1-(正丙基)環己-1-基、1-(正丁基)環己-1-基、1-(正己基)環己-1-基、1-(正辛基)環己-1-基及1-(正癸基)環己-1-基基團。直鏈或支鏈C₁ -至C₂₀ -烷氧基係理解為意指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、或2-甲基丁氧基。直鏈C₁ -至C₂₀ -硫烷基係理解為意指例如S-烷基，例如硫甲基、1-硫乙基、1-硫-異丙基、1-硫-正丙基、1-硫-異丁基、1-硫-正丁基或1-硫-三級丁基。具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基意指O-芳基或O-雜芳基，且意指芳基或雜芳基經由氧原子鍵結，其中芳基或雜芳基係如上所述定義。具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基意指如上所述之烷基係經芳基或雜芳基取代，其中芳基或雜芳基係如上所述定義。磷光發光體在本發明的情況下為呈現從具有較高自旋多重性(即，自旋態＞1)的激發態，尤其是從激發三重態發光之化合物。在本申請案的情況下，所有具有過渡金屬或鑭系元素的發光錯合物都被視為磷光發光體。下文給出更精確的定義。當將包含如上所述或下述描述為較佳之至少一種式(1)化合物和如上所述或下述描述為較佳之至少一種式(2)化合物的發光層之主體材料用於磷光發光體時，較佳的是當其三重態能量不顯著小於磷光發光體的三重態能量時。關於三重態能階，較佳的是T₁ (發光體)-T₁ (基質)≤ 0.2 eV，更佳地≤ 0.15 eV，最佳地≤ 0.1 eV的情況。T₁ (基質)在此為發光層中基質材料的三重態能階，此條件適用於二種基質材料中的各者，且T₁ (發光體)為磷光發光體的三重態能階。若發光層含有超過二種的基質材料，則上述關係較佳地也適用於每一種其他基質材料。下列為存在於本發明裝置中之主體材料1及其較佳實施態樣的說明。式(1)之主體材料1的較佳實施態樣也適用於本發明之混合物及/或調配物。在式(1)化合物中，符號Y為O或S。在式(1)化合物之一較佳實施態樣中，符號Y較佳為O。本發明因此另外提供如上所述之電致發光裝置，其中主體材料1之Y為O。其中Y較佳為O之式(1)化合物可以式(1a)和(1b)描述

其中Ar₂ 、Ar₃ 、L₁ 、R*、n、m、L、R、p、Y₁ 和o具有上述所給出之定義或下述以較佳所給出之定義。在式(1)化合物之一較佳實施態樣中，符號Y較佳為S。本發明因此另外提供如上所述之電致發光裝置，其中主體材料1中之Y為S。其中Y較佳為S之式(1)化合物可以式(1c)和(1d)描述

其中Ar₂ 、Ar₃ 、L₁ 、R*、n、m、L、R、p、Y₁ 和o具有上述所給出之定義或下述以較佳所給出之定義。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，符號X為CR⁰ 或N，其中至少一個X基團為N。取代基

因此具有下列定義，其中*表示經由L₁ 至二苯并呋喃或二苯并噻吩的鍵結位置及R⁰ 、Ar₂ 和Ar₃ 具有上述所給出之定義或以較佳所給出之定義：

在主體材料1中，X在二個情況下較佳為N且一個X為CR⁰ ，或所有X為N。本發明因此另外提供如上所述或描述為較佳之電致發光裝置，其中，在主體材料1中，符號X在二個情況下為N且一個X為CR⁰ ，或符號X在三個情況下為N。在主體材料1中，所有X更佳為N，其中R⁰ 具有上述所給出或下述所給出之定義。 R⁰ 在各情況下為相同或不同且較佳係選自下列之基團：H、D或未經取代或經部分或完全氘化之具有6至18個碳原子之芳族環系統。R⁰ 在各情況下較佳為H、D或未經取代之具有6至18個碳原子之芳族環系統。R⁰ 在各情況下更佳為H。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L₁ 為單鍵或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L₁ 較佳為一鍵或選自L-1至L-20之基團的連接子。

。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L₁ 更佳為一鍵或選自L-2和L-3之基團的連接子。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L₁ 最佳為一鍵。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L為單鍵或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L較佳為一鍵或選自L-1至L-20之基團的連接子，如上所述。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L更佳為一鍵或選自L-2和L-3之基團的連接子。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L最佳為一鍵。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，o較佳為0、1或2，更佳為0或1，最佳為1，其中R具有上述所給出或下述所給出之較佳定義。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，p較佳為0或1，更佳為0，其中R具有上述所給出或下述所給出之較佳定義。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，m較佳為0、1或2，更佳為0或1，其中R*具有上述所給出或下述所給出之較佳定義。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，n較佳為0或1，更佳為0，其中R*具有上述所給出或下述所給出之較佳定義。 R*在各情況下為相同或不同且較佳係選自D或具有6至18個碳原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統之基團。R*在各情況下較佳為苯基、1,3-聯苯基、1,4-聯苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。R*在各情況下更佳為苯基、1,3-聯苯基、1,4-聯苯基或二苯并呋喃基。 R在各情況下為相同或不同且係選自CN基團、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統和具有10至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該環系統可經一或多個R² 基團取代且其中當雜芳族環系統含有氮原子時，該雜芳族環系統係經由N鍵結。R在各情況下較佳獨立地為苯基、三苯基、聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、N-咔唑基、茀基、螺二茀基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基，其可經一或多個R² 基團取代。N-咔唑基較佳經苯基取代。R在各情況下更佳獨立地為苯基、三苯基、聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、N-咔唑基、茀基、螺二茀基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基或苯基-取代之N-咔唑基。R在各情況下最佳獨立地為苯基、二苯并呋喃基或苯基-取代之N-咔唑基。式(1a)之化合物為式(1)化合物和主體材料1之較佳實施態樣。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，Y₁ 為O或S，較佳為O。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，各Ar₂ 較佳獨立地為具有6至40個碳原子之芳基，如上所述或描述為較佳，其可經一或多個R² 基團取代，或為具有10至40個碳原子之雜芳基，如上所述，其可經一或多個R² 基團取代。在此鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二或更多個R² 基團可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R³ 基團取代。芳基或雜芳基之鍵聯在此不受限制，且可經由碳原子或經由雜原子，例如氮原子。Ar₂ 較佳可選自下列基團Ar-1至Ar-19，其中R² 和Ar₁ 具有上述所指定或指定為較佳之定義，且其中排除二個雜原子彼此以R² 或Ar₁ 之直接鍵聯：

。虛線表示式(1)、(1a)、(1b)、(1c)或(1d)之基團的鍵結位置。更佳地，Ar₂ 為Ar-1、Ar-2、Ar-3、Ar-6、Ar-14、Ar-17和Ar-18，其中R² 和Ar₁ 具有上述所指定或下述指定為較佳之定義。在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物，或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之主體材料的較佳實施態樣中，各Ar₃ 較佳獨立地為具有6至40個碳原子之芳基，如上所述或描述為較佳，其可經一或多個R² 基團取代、或為具有10至40個碳原子之雜芳基，如上所述，其可經一或多個R² 基團取代。在此鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二或更多個R² 基團可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R³ 基團取代。芳基或雜芳基之鍵聯在此不受限制，且可經由碳原子或經由雜原子，例如氮原子。Ar₃ 較佳可選自下列基團Ar-1至Ar-19，其中R² 和Ar₁ 具有上述所指定或指定為較佳之定義，且其中排除二個雜原子彼此以R² 或Ar₁ 之直接鍵聯。更佳地、Ar₃ 為Ar-1、Ar-2和Ar-3，其中R² 和Ar₁ 具有上述所指定或下述指定為較佳之定義。式Ar-1至Ar-19之取代基中的R² ，如上所述，較佳係選自下列之基團：H、D、CN、具有5至40個芳族環原子且可在各情況下經一或多個R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統。式Ar-1至Ar-19之取代基中的R² ，如上所述，更佳為H、D、苯基或N-咔唑基。式Ar-13至Ar-16之取代基中的Ar₁ ，如上所述，較佳為苯基。式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之化合物或式(1)、(1a)、(1b)、(1c)和(1d)之較佳化合物中經由連接子L₁ 或L鍵結之基團的鍵聯在此不受限制，且可經由任何碳原子。更佳地，取代基

係經由連接子L₁ 在位置1鍵結至式(1)、(1a)、(1b)、(1c)或(1d)之基團，其就式(1)化合物而言，其可以式(1e)表示：

其中Ar₂ 、Ar₃ 、X、L₁ 、R*、n、m、Y、L、R、p、o和Y₁ 具有上述所給出或以較佳所給出之定義。取代基

可經由連接子L在任何位置鍵結至式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)和(1e)之基團，在此如以取代基P-1至P-4和P-6至P-9表示：

其中*標記至連接子L的鍵結位置及R、p、o和Y₁ 具有如上所述或描述為較佳之定義。更佳地，P-1鍵結至連接子L。更佳地，取代基

，如上所述或以較佳描述為P-1至P-4和P-5至P-9，係連接至中心二苯并呋喃或二苯并噻吩，在其位置6或8經由連接子L連接至式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)和(1e)的其餘部分。就式(1)化合物而言，此以式(1f)和(1g)之化合物表示：

其中X、Ar₂ 、Ar₃ 、L₁ 、Y、R*、n、m、L、R、p、o、L和Y₁ 具有上述所給出或以較佳所給出之定義，及取代基

同樣具有上述或描述為較佳之定義。式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)和(1g)之化合物中的R³ ，如上所述或描述為較佳，較佳在各情況下係獨立地選自下列之基團：H、CN、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D或CN置換。式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)和(1g)之化合物中的R³ ，如上所述或描述為較佳，更佳在各情況下係獨立地選自H、苯基或氘化苯基。根據本發明選擇並較佳地與至少一種式(2)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)和(1g)之適當主體材料的實例為如下表1中所給出之結構。

較佳與至少一種式(2)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)和(1e)之特別適當化合物為化合物E1至E54。

式(1)化合物或來自表1之較佳化合物和化合物E1至E54之製備為熟習該項技術者已知的。化合物可藉由熟習此項技術者已知的合成步驟(例如溴化、Suzuki偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、等等)製備。一種適合的合成方法概括地顯示於下述流程1中，其中所使用之符號和標號具有上述所給出之定義。

下列說明本發明裝置中存在的主體材料2及其較佳實施態樣。式(2)之主體材料2的較佳實施態樣也適用於本發明之混合物及/或調配物。主體材料2為至少一種式(2)化合物

其中所使用的符號和標號如下： A 在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，

X₂ 在各情況下為相同或不同且為CH、CR¹ 或N，其中不超過2個符號X₂ 可為N； * 表示連接至式(2)之結合位置； R¹ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基(thioalkyl)或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R¹ 可能形成可經一或多個R² 基團取代之單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統； Ar 在各情況下獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基；或具有5至40個芳族環原子之雜芳基，其可經一或多個R#基團取代； R# 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、C(=O)R² 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、P(Ar₁ )₂ 、B(Ar₁ )₂ 、Si(Ar₁ )₃ 、Si(R² )₃ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至20個碳原子之烯基、彼等各自可經一或多個R² 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R² C=CR² 、Si(R² )₂ 、C=O、C=S、C=NR² 、P(=O)(R² )、SO、SO₂ 、NR² 、O、S或CONR² 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R² 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、N(Ar₁ )₂ 、NH₂ 、N(R³ )₂ 、C(=O)Ar₁ 、C(=O)H、C(=O)R³ 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基，彼等各自可經一或多個R³ 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經HC=CH、R³ C=CR³ 、C≡C、Si(R³ )₂ 、Ge(R³ )₂ 、Sn(R³ )₂ 、C=O、C=S、C=Se、C=NR³ 、P(=O)(R³ )、SO、SO₂ 、NH、NR³ 、O、S、CONH或CONR³ 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個芳族環原子且可經一或多個R³ 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或此等系統的組合，其中二或多個相鄰的取代基R² 隨意地可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R³ 基團取代； R³ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或多個相鄰的R³ 取代基可能一起形成單-或多環的脂族環系統； Ar₁ 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個芳族環原子且可經一或多個非芳族R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar₁ 基團亦可經由單鍵或選自N(R³ )、C(R³ )₂ 、O和S的橋而彼此橋聯； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中標號的總和在各情況下a+b+c為1；及 q、r、s、t 在各情況下各自獨立地為0或1。在本發明之一個實施態樣中，就本發明裝置而言，選擇如上所述之式(2)化合物，其係與如上所述或描述為較佳之式(1)化合物或與來自表1之化合物或化合物E1至E54一起使用於發光層中。在式(2)化合物中，a、b、c在各情況下各自獨立地為0或1，其中標號的總和在各情況下a+b+c為1。c較佳定義為1。式(2)化合物可以下列式(2a)、(2b)和(2c)表示：

其中A、R¹ 、q、r、s和t具有上述所給出或下述所給出之定義。在此較佳者為式(2a)化合物。本發明因此另外提供一種如上所述或描述為較佳之有機電致發光裝置，其中主體材料2對應於式(2a)、(2b)或(2c)之化合物。式(2)化合物、和式(2a)至(2c)之化合物或式(2)和(2a)至(2c)之較佳化合物中的R¹ ，如上所述，在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R¹ 可能形成可經一或多個R² 基團取代之單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統。若二或更多個R¹ 基團係鍵結至相鄰的碳原子，則單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統較佳係選自(S-1)至(S-4)之基團

，其中Ar₁ 和R² 具有上述所給出或以較佳所給出之定義及#表示至各個結構之其餘部分的鍵結位置，例如至以式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物中的X₂ 識別的相鄰位置。在此特佳者係選自(S-1)或(S-2)。式(2)化合物和式(2a)至(2c)之化合物或式(2)和(2a)至(2c)之較佳化合物中的R¹ ，如上所述，在各情況下為相同或不同且較佳係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基。取代基R¹ 在各情況下更佳獨立地為CN或具有6至40個碳原子之芳基，如上所述。R¹ 在各情況下更佳獨立地為苯基。在式(2)、(2a)、(2b)或(2c)之化合物中，標號q+r+s的總和為較佳為0、1或2，其中R¹ 具有上述所給出之定義。在式(2)、(2a)、(2b)或(2c)之化合物中，標號q+r+s的總和為較佳為0或1，其中R¹ 具有上述所給出之定義。在式(2)、(2a)、(2b)或(2c)之化合物中，q、r和s較佳為0或1。較佳地，若標號q+r+s的總和為1，則q為1。較佳地，q、r和s為0。在式(4)中

q、r和s為0或1，其中R¹ 具有上述所給出之定義。較佳地，式(4)中標號q+r+s的總和為0或1。在式(4)中，q、r和s更佳為0。在式(3)中

t在各情況下較佳獨立地為0或1。在式(3)中，t較佳為相同且為0。在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之較佳化合物中，X₂ 在各情況下為相同或不同且為CH、CR¹ 或N，其中不超過2個符號X₂ 可為N。在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之較佳化合物中，X₂ 較佳在各情況下為相同或不同且為CH、CR¹ 或N，其中不超過1個符號X₂ 為N。在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之較佳化合物中，X₂ 更佳在各情況下為相同或不同且在二個情況下為CH及在二個情況下為CR¹ ，或在三個情況下為CH及在一個情況下為CR¹ ，其中取代基R¹ 在各情況下獨立地具有上述所給出之定義。 Ar在各情況下獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基，其中R#基團具有上述所給出或下述以較佳所給出之定義。Ar在各情況下較佳獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個芳族環原子且含有O或S作為雜原子之雜芳基，其可經一或多個R#基團取代，其中R#基團具有上述所給出或以較佳所給出之定義。 Ar在各情況下較佳為具有6至18個碳原子且經一或多個R#基團取代之芳基、或可經一或多個R#基團取代之二苯并呋喃基或二苯并噻吩基，其中R#基團具有上述所給出或下述以較佳所給出之定義。Ar更佳為苯基、二苯并呋喃取代之苯基、二苯并噻吩取代之苯基、1,3-聯苯基、1,4-聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、茀基、9,9-二苯基茀基、雙螺茀基、聯伸三苯基、二苯并呋喃基、苯基-經取代之二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或苯基-經取代之二苯并噻吩基。Ar最佳為苯基、1,3-聯苯基、1,4-聯苯基、萘-2-基或三苯基-2-基。在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或較佳式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物中，R#在各情況下為相同或不同且較佳係選自由D、CN和具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統所組成之群組。在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或較佳式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物中，R#在各情況下為相同或不同且更佳為未經取代之具有5至20個芳族環原子之芳族環系統，較佳為苯基。在本發明之一較佳實施態樣中，A符合如上所述或如描述為較佳具有取代基之式(4)。在本發明之一較佳實施態樣中，A符合如上所述或如描述為較佳具有取代基之式(3)。其中A符合式(3)且q、r、s和t為0的式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物可以式(2d)和(2e)表示

，

，其中X₂ 和Ar具有上述所給出或以較佳所給出之定義。本發明因此另外提供一種如上所述或描述為較佳之有機電致發光裝置，其中至少一種式(2)化合物對應於式(2d)化合物或式(2e)化合物。在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)或(2e)化合物之一較佳實施態樣中，式(3)和(4)之取代基各自在吲哚并[3,2,1-jk]咔唑之2位置或5位置彼此連接，如下述圖解形式所示，其中虛線表示至式(3)和(4)之取代基的鍵聯：

。根據本發明選擇且較佳與至少一種式(1)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中的式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)和(2e)之適當主體材料的實例為下表3中所給出之結構。

較佳與至少一種式(1)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中之特別適當的式(2)化合物為表4之化合物H1至H21。

較佳與至少一種式(1)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中之非常特別適當的式(2)化合物為化合物H1、H3、H4、H5、H6、H7、H8、H11和H12。式(2)化合物或較佳式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)和(2e)之化合物及來自表3之化合物和化合物H1至H21的製備為熟習該項技術者已知的。化合物可藉由熟習此項技術者已知的合成步驟(例如溴化、Suzuki偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、等等)製備。一種適合的合成方法概括地顯示於下述流程2中，其中所使用之符號和標號具有上述所給出之定義。

。上述式(1)之主體材料及其描述為較佳之實施態樣或來自表1之化合物和化合物E1至E54可根據需要在本發明裝置中與上述式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)和(2e)之主體材料及其描述為較佳之實施態樣或來自表3之化合物或化合物H1至H21組合。本發明同樣另外提供混合物，其包含至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2

其中所使用的符號和標號如下： X 在各情況下為相同或不同且為CR⁰ 或N，其中至少一個符號X為N； X₂ 在各情況下為相同或不同且為CH、CR¹ 或N，其中不超過2個符號X₂ 可為N； Y和Y₁ 在各情況下為相同或不同且係選自O和S； L 在各情況下為相同或不同且為單鍵或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統； L₁ 在各情況下為相同或不同且為單鍵或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統； R⁰ 在各情況下獨立地為H、D或未經取代或經部分或完全氘化之具有6至18個碳原子之芳族環系統； R* 在各情況下獨立地為D或具有6至18個碳原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統； R# 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、C(=O)R² 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、P(Ar₁ )₂ 、B(Ar₁ )₂ 、Si(Ar₁ )₃ 、Si(R² )₃ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基(thioalkyl)或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至20個碳原子之烯基，彼等各自可經一或多個R² 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R² C=CR² 、Si(R² )₂ 、C=O、C=S、C=NR² 、P(=O)(R² )、SO、SO₂ 、NR² 、O、S或CONR² 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R 在各情況下為相同或不同且係選自CN基團、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統和具有10至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該環系統可經一或多個R² 基團取代且其中當雜芳族環系統含有氮原子時，該雜芳族環系統係經由N鍵結； R¹ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R¹ 可能形成可經一或多個R² 基團取代之單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統； R² 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、N(Ar₁ )₂ 、NH₂ 、N(R³ )₂ 、C(=O)Ar₁ 、C(=O)H、C(=O)R³ 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基，彼等各自可經一或多個R³ 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經HC=CH、R³ C=CR³ 、C≡C、Si(R³ )₂ 、Ge(R³ )₂ 、Sn(R³ )₂ 、C=O、C=S、C=Se、C=NR³ 、P(=O)(R³ )、SO、SO₂ 、NH、NR³ 、O、S、CONH或CONR³ 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個芳族環原子且可經一或多個R³ 基團取代之芳氧基或雜芳氧基，或此等系統的組合，其中二或多個相鄰的取代基R² 隨意地可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R³ 基團取代； R³ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或多個相鄰的R³ 取代基可能一起形成單-或多環的脂族環系統； Ar₁ 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個芳族環原子且可經一或多個非芳族R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar₁ 基團亦可以單鍵或選自N(R³ )、C(R³ )₂ 、O和S的橋而彼此橋聯； Ar₂ 和Ar₃ 在各情況下各自獨立地為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳基或雜芳基； A 在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，

Ar 在各情況下獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； * 表示連接至式(2)之結合位置； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中標號的總和在各情況下a+b+c為1； m和o 在各情況下獨立地為0、1、2、3或4； n和p 在各情況下各自獨立地為0、1、2或3；及 q、r、s、t 在各情況下各自獨立地為0或1。關於式(1)和(2)之主體材料和其較佳實施態樣的細節也對應地適用於本發明之混合物。用於本發明裝置的式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的特佳混合物係藉由組合化合物E1至E54與來自表3之化合物獲得。用於本發明裝置的式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的非常特佳混合物係藉由組合化合物E1至E54與化合物H1至H21獲得，如下表5中所示。

在本發明混合物中或在本發明裝置之發光層中如上所述或描述為較佳之式(1)的電子傳輸主體材料的濃度基於總混合物或基於發光層的總組成物係在從5重量%至90重量%之範圍，較佳地係在從10重量%至85重量%之範圍，更佳地係在從20重量%至85重量%之範圍，甚至更佳地係在從30重量%至80重量%之範圍，非常尤佳地係在從20重量%至60重量%之範圍及最佳地係在從30重量%至50重量%之範圍。在本發明混合物中或在本發明裝置之發光層中如上所述或描述為較佳之式(2)的電洞傳輸主體材料的濃度基於總混合物或基於發光層的總組成物係在從10重量%至95重量%之範圍，較佳地係在從15重量%至90重量%之範圍，更佳地係在從15重量%至80重量%之範圍，甚至更佳地係在從20重量%至70重量%之範圍，非常尤佳地係在從40重量%至80重量%之範圍及最佳地係在從50重量%至70重量%之範圍。本發明也關於一種混合物，以及上述主體材料1和2，如上所述或以較佳描述，尤其是混合物M1至M1134，也含有至少一種磷光發光體。本發明也關於一種如上所述或以較佳描述之有機電致發光裝置，其中發光層、以及上述主體材料1和2，如上所述或以較佳描述，尤其是材料組合M1至M1134，也包含至少一種磷光發光體。術語“磷光發光體”通常包含其中發光係透過從具有較高自旋多重性(即，自旋態＞1)之激發態的自旋禁止躍遷(spin-forbidden transition)，例如透過從三重態或具有甚至較高自旋量子數之狀態(例如五重態)躍遷的化合物。此較佳係理解為意指從三重態的躍遷。適當磷光發光體(=三重態發光體)尤其為在適當激發時發光(較佳地係在可見光區域內)且也含有至少一種原子序大於20(較佳為大於38且少於84，更佳為大於56且少於80)的原子(尤其是具有此原子序的金屬)之化合物。所使用之較佳磷光發光體為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物，尤其是含有銥或鉑之化合物。在本發明的情況下，含有上述金屬的所有發光化合物被認為是磷光發光體。通常，如使用於根據先前技術之磷光OLED及如熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合。上述發光體的實例可見於申請案WO 2016/015815、WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO 2016/015815、WO 2016/124304、WO 2017/032439、WO 2015/036074、WO 2015/117718和WO 2016/015815中。根據本發明之較佳磷光發光體符合式(III)

其中此式(III)之符號和標號定義如下： n+m為3，n為1或2，m為2或1， X為N或CR， R為H、D、或支鏈或直鏈烷基或經部分或完全氘化的支鏈或直鏈烷基。本發明因此另外提供一種如上所述或描述為較佳之有機電致發光裝置，其特徵在於發光層，以及主體材料1和2，包含至少一種符合如上所述之式(III)的磷發光體。在式(III)發光體中，n較佳為1及m較佳為2。在式(III)發光體中，較佳地，一個X係選自N且另一個X為CR。在式(III)發光體中，至少一個R較佳與H不同。在式(III)發光體中，較佳二個與H不同且具有上述關於式(III)之發光體所給出的其他定義中之一者之R。根據本發明之較佳磷光發光體符合式(Ia)、(IIa)和(IIIa)

其中關於此等式(Ia)、(IIa)和(IIIa)之符號和標號係定義如下： R₁ 為H或D，R₂ 為H、D、或具有1至10個碳原子之支鏈或直鏈烷基或經部分或完全氘化之具有1至10個碳原子之支鏈或直鏈烷基或具有4至10個碳原子且可經氘部分或完全取代之環烷基。根據本發明之較佳磷光發光體符合式(IVa)、(Va)和(VIa)

其中關於此等式(IVa)、(Va)和(VIa)所使用之符號和標號係定義如下： R₁ 為H或D，R₂ 為H、D、F或具有1至10個碳原子之支鏈或直鏈烷基或經部分或完全氘化之具有1至10個碳原子之支鏈或直鏈烷基或具有4至10個碳原子且可經氘部分或完全取代之環烷基。磷光發光體的較佳實例係列於下表6中。

磷光多牙發光體的較佳實例係列於下表7中。

在本發明的混合物中或在本發明裝置的發光層中，較佳者為組合任何混合物M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21、M22、M23、M24、M25、M26、M27、M28、M29、M30、M31、M32、M33、M34、M35、M36、M37、M38、M39、M40、M41、M42、M43、M44、M45、M46、M47、M48、M49、M50、M51、M52、M53、M54、M55、M56、M57、M58、M59、M60、M61、M62、M63、M64、M65、M66、M67、M68、M69、M70、M71、M72、M73、M74、M75、M76、M77、M78、M79、M80、M81、M82、M83、M84、M85、M86、M87、M88、M89、M90、M91、M92、M93、M94、M95、M96、M97、M98、M99、M100、M101、M102、M103、M104、M105、M106、M107、M108、M109、M110、M111、M112、M113、M114、M115、M116、M117、M118、M119、M120、M121、M122、M123、M124、M125、M126、M127、M128、M129、M130、M131、M132、M133、M134、M135、M136、M137、M138、M139、M140、M141、M142、M143、M144、M145、M146、M147、M148、M149、M150、M151、M152、M153、M154、M155、M156、M157、M158、M159、M160、M161、M162、M163、M164、M165、M166、M167、M168、M169、M170、M171、M172、M173、M174、M175、M176、M177、M178、M179、M180、M181、M182、M183、M184、M185、M186、M187、M188、M189、M190、M191、M192、M193、M194、M195、M196、M197、M198、M199、M200、M201、M202、M203、M204、M205、M206、M207、M208、M209、M210、M211、M212、M213、M214、M215、M216、M217、M218、M219、M220、M221、M222、M223、M224、M225、M226、M227、M228、M229、M230、M231、M232、M233、M234、M235、M236、M237、M238、M239、M240、M241、M242、M243、M244、M245、M246、M247、M248、M249、M250、M251、M252、M253、M254、M255、M256、M257、M258、M259、M260、M261、M262、M263、M264、M265、M266、M267、M268、M269、M270、M271、M272、M273、M274、M275、M276、M277、M278、M279、M280、M281、M282、M283、M284、M285、M286、M287、M288、M289、M290、M291、M292、M293、M294、M295、M296、M297、M298、M299、M300、M301、M302、M303、M304、M305、M306、M307、M308、M309、M310、M311、M312、M313、M314、M315、M316、M317、M318、M319、M320、M321、M322、M323、M324、M325、M326、M327、M328、M329、M330、M331、M332、M333、M334、M335、M336、M337、M338、M339、M340、M341、M342、M343、M344、M345、M346、M347、M348、M349、M350、M351、M352、M353、M354、M355、M356、M357、M358、M359、M360、M361、M362、M363、M364、M365、M366、M367、M368、M369、M370、M371、M372、M373、M374、M375、M376、M377、M378、M379、M380、M381、M382、M383、M384、M385、M386、M387、M388、M389、M390、M391、M392、M393、M394、M395、M396、M397、M398、M399、M400、M401、M402、M403、M404、M405、M406、M407、M408、M409、M410、M411、M412、M413、M414、M415、M416、M417、M418、M419、M420、M421、M422、M423、M424、M425、M426、M427、M428、M429、M430、M431、M432、M433、M434、M435、M436、M437、M438、M439、M440、M441、M442、M443、M444、M445、M446、M447、M448、M449、M450、M451、M452、M453、M454、M455、M456、M457、M458、M459、M460、M461、M462、M463、M464、M465、M466、M467、M468、M469、M470、M471、M472、M473、M474、M475、M476、M477、M478、M479、M480、M481、M482、M483、M484、M485、M486、M487、M488、M489、M490、M491、M492、M493、M494、M495、M496、M497、M498、M499、M500、M501、M502、M503、M504、M505、M506、M507、M508、M509、M510、M511、M512、M513、M514、M515、M516、M517、M518、M519、M520、M521、M522、M523、M524、M525、M526、M527、M528、M529、M530、M531、M532、M533、M534、M535、M536、M537、M538、M539、M540、M541、M542、M543、M544、M545、M546、M547、M548、M549、M550、M551、M552、M553、M554、M555、M556、M557、M558、M559、M560、M561、M562、M563、M564、M565、M566、M567、M568、M569、M570、M571、M572、M573、M574、M575、M576、M577、M578、M579、M580、M581、M582、M583、M584、M585、M586、M587、M588、M589、M590、M591、M592、M593、M594、M595、M596、M597、M598、M599、M600、M601、M602、M603、M604、M605、M606、M607、M608、M609、M610、M611、M612、M613、M614、M615、M616、M617、M618、M619、M620、M621、M622、M623、M624、M625、M626、M627、M628、M629、M630、M631、M632、M633、M634、M635、M636、M637、M638、M639、M640、M641、M642、M643、M644、M645、M646、M647、M648、M649、M650、M651、M652、M653、M654、M655、M656、M657、M658、M659、M660、M661、M662、M663、M664、M665、M666、M667、M668、M669、M670、M671、M672、M673、M674、M675、M676、M677、M678、M679、M680、M681、M682、M683、M684、M685、M686、M687、M688、M689、M690、M691、M692、M693、M694、M695、M696、M697、M698、M699、M700、M701、M702、M703、M704、M705、M706、M707、M708、M709、M710、M711、M712、M713、M714、M715、M716、M717、M718、M719、M720、M721、M722、M723、M724、M725、M726、M727、M728、M729、M730、M731、M732、M733、M734、M735、M736、M737、M738、M739、M740、M741、M742、M743、M744、M745、M746、M747、M748、M749、M750、M751、M752、M753、M754、M755、M756、M757、M758、M759、M760、M761、M762、M763、M764、M765、M766、M767、M768、M769、M770、M771、M772、M773、M774、M775、M776、M777、M778、M779、M780、M781、M782、M783、M784、M785、M786、M787、M788、M789、M790、M791、M792、M793、M794、M795、M796、M797、M798、M799、M800、M801、M802、M803、M804、M805、M806、M807、M808、M809、M810、M811、M812、M813、M814、M815、M816、M817、M818、M819、M820、M821、M822、M823、M824、M825、M826、M827、M828、M829、M830、M831、M832、M833、M834、M835、M836、M837、M838、M839、M840、M841、M842、M843、M844、M845、M846、M847、M848、M849、M850、M851、M852、M853、M854、M855、M856、M857、M858、M859、M860、M861、M862、M863、M864、M865、M866、M867、M868、M869、M870、M871、M872、M873、M874、M875、M876、M877、M878、M879、M880、M881、M882、M892、M893、M894、M895、M896、M897、M898、M899、M900、M901、M902、M903、M904、M905、M906、M907、M908、M909、M910、M911、M912、M913、M914、M915、M916、M917、M918、M919、M920、M921、M922、M923、M924、M925、M926、M927、M928、M929、M930、M931、M932、M933、M934、M935、M936、M937、M938、M939、M940、M941、M942、M943、M944、M945、M946、M947、M948、M949、M950、M951、M952、M953、M954、M955、M956、M957、M958、M959、M960、M961、M962、M963、M964、M965、M966、M967、M968、M969、M970、M971、M972、M973、M974、M975、M976、M977、M978、M979、M980、M981、M982、M983、M984、M985、M986、M987、M988、M989、M990、M991、M992、M993、M994、M995、M996、M997、M998、M999、M1000、M1001、M1002、M1003、M1004、M1005、M1006、M1007、M1008、M1009、M1010、M1011、M1012、M1013、M1014、M1015、M1016、M1017、M1018、M1019、M1020、M1021、M1022、M1023、M1024、M1025、M1026、M1027、M1028、M1029、M1030、M1031、M1032、M1033、M1034、M1035、M1036、M1037、M1038、M1039、M1040、M1041、M1042、M1043、M1044、M1045、M1046、M1047、M1048、M1049、M1050、M1051、M1052、M1053、M1054、M1055、M1056、M1057、M1058、M1059、M1060、M1061、M1062、M1063、M1064、M1065、M1066、M1067、M1068、M1069、M1070、M1071、M1072、M1073、M1074、M1075、M1076、M1077、M1078、M1079、M1080、M1081、M1082、M1083、M1084、M1085、M1086、M1087、M1088、M1089、M1090、M1091、M1092、M1093、M1094、M1095、M1096、M1097、M1098、M1099、M1100、M1101、M1102、M1103、M1104、M1105、M1106、M1107、M1108、M1109、M1110、M1111、M1112、M1113、M1114、M1115、M1116、M1117、M1118、M1119、M1120、M1121、M1122、M1123、M1124、M1125、M1126、M1127、M1128、M1129、M1130、M1131、M1132、M1133、M1134與式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)之化合物或來自表6或7之化合物。本發明有機電致發光裝置中之發光層(其包含至少一種磷光發光體)較佳為紅外線-發光或黃色-、橙色-、紅色-、綠色-、藍色-或紫外線-發光層，更佳為黃色-或綠色-發光層及最佳為綠色-發光層。黃色發光層在此係理解為意指具有光致發光最大值(photoluminescence maximum)在540至570 nm範圍內之層。橙色-發光層係理解為意指具有光致發光最大值在570至600 nm範圍內之層。紅色-發光層係理解為意指具有光致發光最大值在600至750 nm範圍內之層。綠色-發光層係理解為意指具有光致發光最大值在490至540 nm範圍內之層。藍色-發光層係理解為意指具有光致發光最大值在440至490 nm範圍內之層。層之光致發光最大值在此係藉由在室溫下測量具有50 nm層厚度的層之光致發光光譜(photoluminescence spectrum)而確定，該層具有本發明式(1)和(2)之主體材料的組合和適當發光體。該層的光致發光光譜例如係用商業光致發光光譜儀記錄。所選發光體的光致發光光譜通常係在室溫下以10^-5 莫耳的無氧溶液(oxygen-free solution)測量，適當溶劑為所選發光體以所述濃度溶解於其中的任何溶劑。特別適當的溶劑通常為甲苯或2-甲基-THF，但也可為二氯甲烷。用商業光致發光光譜儀進行量測。三重態能量T1(eV)係從發光體的光致發光光譜測定。首先，測定光致發光光譜的最大峰值Plmax.(nm)。接著藉由下：E(T1，eV)=1240/E(T1，nm)=1240/PLmax.(nm)將最大峰值Plmax.(nm)轉換為eV。較佳磷光發光體因此為紅外光發光體，較佳具有式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7，其三重態能量T₁ 較佳為~1.9 eV至~1.0 eV。較佳磷光發光體因此為紅發光體，較佳具有式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7，其三重態能量T₁ 較佳為~2.1 eV至~1.9 eV。較佳磷光發光體因此為黃發光體，較佳具有式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7，其三重態能量T₁ 較佳為~2.3 eV至~2.1 eV。較佳磷光發光體因此為綠發光體，較佳具有式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7，其三重態能量T₁ 較佳為~2.5 eV至~2.3 eV。較佳磷光發光體因此為藍發光體，較佳具有式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7，其三重態能量T₁ 較佳為~3.1 eV至~2.5 eV。較佳磷光發光體因此為式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7之紫外光發光體，其三重態能量T₁ 較佳為~4.0 eV至~3.1 eV。特佳磷光發光體因此為綠或黃發光體，較佳具有如上所述之式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7。非常特佳磷光發光體因此為綠發光體，較佳具有式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7，其三重態能量T₁ 較佳為~2.5 eV至~2.3 eV。最佳地，綠發光體，較佳具有式(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Va)、(VIa)或來自表6或7，如上所述，係選擇用於本發明之組成物或本發明之發光層。螢光發光體可能存在於本發明裝置之發光層中。較佳螢光發光體係選自芳基胺之類別。芳基胺或芳族胺在本發明的情況下係理解為意指含有三個直接鍵結至氮的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的化合物。較佳地，此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者為稠合環系統，更佳地具有至少14個芳族環原子。此等的較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族

胺或芳族

二胺。芳族蒽胺係理解為意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳地係在9位置)之化合物。芳族蒽二胺係理解為意指其中二個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳地係在9,10-位置)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、

胺及

二胺係類似地定義，其中二芳胺基較佳地係在1-位置或1,6-位置鍵結至芘。其他較佳螢光發光體為茚并茀胺或茚并茀二胺，例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺，例如根據WO 2008/006449、及二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺，例如根據WO 2007/140847、及WO 2010/012328中所揭示的具有稠合芳基之茚并茀衍生物。在本發明之另一較佳實施態樣中，有機電致發光裝置中之至少一層發光層以及如上所述或描述為較佳之主體材料1和2可包含其他主體材料或基質材料，稱為混合型基質系統(mixed-matrix system)。混合型基質系統較佳包含三或四種不同的基質材料，更佳地三種不同的基質材料(換言之，除了如上所述之主體材料1和2外，一種其他基質材料)。可組合用作為混合型基質系統的基質組分之特別適合的基質材料係選自寬帶隙材料、雙極性主體材料、電子傳輸材料(ETM)和電洞傳輸材料(HTM)。寬帶隙材料在本文中係理解為意指在US 7,294,849的揭示範圍內的材料，其特徵在於至少3.5 eV的帶隙，該帶隙係理解為意指材料的HOMO和LUMO能量之間的間隙。在本發明之一個實施態樣中，除了式(1)之電子傳輸主體材料和式(2)之電洞傳輸主體材料的組分以外，混合物不包含其他組分，即，功能性材料。此等為如此用於製備發光層的材料混合物。此等混合物也稱為預混合系統，其係用作為發光層之主體材料的氣相沈積(vapour deposition)中之唯一材料來源且在氣相沈積中具有恆定的混合比。以此方式，可能以簡單且快速的方式達成具有均勻的成分分佈之層的蒸氣沈積而無需精確啟動多種材料來源。在本發明之一替代實施態樣中，除了式(1)之電子傳輸主體材料和式(2)之電洞傳輸主體材料的組分以外，混合物亦包含磷光發光體，如上所述。在氣相沈積中適當混合比的情況下，此混合物也可用作為唯一的材料源，如上所述。本發明裝置之發光層的成分或組分因此可藉由蒸氣沈積法或自溶液處理。如上所述或描述為較佳之主體材料1和2的材料組合，隨意地與如上所述或描述為較佳之磷光發光體，為該目的係以含有至少一種溶劑之調配物提供。此等調配物可為例如溶液、分散液或乳液。為此目的，較佳的是可使用二或更多種溶劑之混合物。本發明因此另外提供一種調配物，其包含如上所述之本發明主體材料1和2的混合物，隨意地與如上所述或描述為較佳之磷光發光體組合，和至少一種溶劑。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苄基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、六甲基茚烷或此等溶劑之混合物。調配物在此也可包含至少一種同樣地使用於本發明裝置之發光層中的其他有機或無機化合物，尤其是其他發光化合物及/或其他基質材料。根據較佳實施態樣和發光化合物，本發明裝置中的發光層較佳含有基於發光體和基質材料的總組成物為介於99.9體積%和1體積%，進一步較佳介於99體積%和10體積%之間，尤佳介於98體積%和60體積%之間，非常尤佳介於97體積%和80體積%之間的由根據較佳實施態樣的至少一種式(1)化合物和至少一種式(2)化合物所構成的基質材料。對應地，本發明裝置中的發光層較佳含有基於發光體和基質材料所構成之發光層的總組成物為介於0.1體積%和99體積%之間，進一步較佳介於1體積%和90體積%之間，更佳介於2體積%和40體積%之間，最佳介於3體積%和20體積%之間的發光體。若化合物係從溶液處理，較佳者為使用按重量%之對應量而非上述按體積%所指明之量。根據較佳實施態樣和發光化合物，本發明裝置中的發光層較佳地含有按體積比的百分比介於3:1和1:3之間，較佳介於1:2.5和1:1之間，更佳介於1:2和1:1之間的式(1)之基質材料和式(2)之基質材料。若化合物係從溶液處理，較佳者為使用按重量%之對應量而非上述按體積%所指明之量。本發明之有機電致發光裝置中的該等層之順序較佳如下：陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。該等層的此順序為較佳順序。同時，在此應再指出的是並非所述該等層全部都必須存在，及/或可另外存在其他層。本發明之有機電致發光裝置可含有二或更多個發光層。發光層中之至少一者為本發明之發光層，含有如上所述之至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2。更佳地，此等發光層在此情況下具有總計幾個介於380 nm與750 nm之間的最大發光值，使得總體結果為白色發光；換言之，發螢光或發磷光且發藍光或黃光或橘光或紅光的各種發光化合物係使用於發光層中。尤佳的是三層系統，即具有三個發光層的系統，其中三層顯示藍色、綠色和橙色或紅色發光(關於基本構造參見例如WO 2005/011013)。應注意：為了產生白光，單獨使用之發射寬波長範圍的發光體化合物亦適合於代替多個發色之發光體化合物。適當電荷傳輸材料如可用於本發明之有機電致發光裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層中或電子傳輸層中，為例如Y. Shirota等人在Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010中所揭示之化合物，或如根據先前技術使用在此等層中的其他材料。使用於電子傳輸層之材料可為任何根據先前技術用作為電子傳輸層中的電子傳輸材料之材料。尤其適合的是鋁錯合物(例如Alq₃ )、鋯錯合物(例如Zrq₄ )、苯并咪唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷呃(diazaphosphole)衍生物及氧化膦衍生物。其他適當材料為上述化合物之衍生物，如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975和WO 2010/072300中所揭示。較佳電洞傳輸材料尤其為可用在電洞傳輸、電洞注入或電子阻擋層中之材料，諸如茚并茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮伸聯三苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、具有稠合芳族系統之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147中所揭示之胺衍生物、單苯并茚并茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)、螺二茀胺(例如根據WO 2012/034627或尚未公開之EP 12000929.5)、茀胺(例如根據WO 2014/015937、WO 2014/015938及WO 2014/015935)；螺二苯并哌喃胺(例如根據WO 2013/083216)及二氫吖啶衍生物(例如WO 2012/150001)。本發明之裝置的適當陰極為具有低功函數之金屬、金屬合金或由各種金屬所組成的多層結構，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等)。另外適合的是由鹼金屬或鹼土金屬和銀所組成的合金，例如由鎂和銀所組成的合金。在多層結構之情況中，除所述金屬之外，也可能使用具有較高功函數之其他金屬，例如Ag或Al，例如，在該情況中通常使用金屬之組合，諸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。較佳亦可於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。用於此目的之可用材料的實例為鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但亦為對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li₂ O、BaF₂ 、MgO、NaF、CsF、Cs₂ CO₃ 、等等)。喹啉酸鋰(LiQ)也可能使用於此目的。此層之層厚度較佳係介於0.5和5 nm之間。較佳陽極為具有高功函數之材料。較佳地，陽極具有相對於真空為大於4.5 eV之功函數。首先，具有高氧化還原電位之金屬適合此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiO_x 、Al/PtO_x )亦可為較佳的。就一些應用而言，至少一個電極必須為透明或部分透明，以使有機材料之照射(有機太陽能電池)或發光(OLED、O-雷射)成為可能。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜型有機材料，尤其是導電性摻雜型聚合物。此外，陽極也可由二或多層(例如ITO的內層和金屬氧化物(較佳氧化鎢、氧化鉬或氧化釩)的外層)組成。在製造過程中，將本發明之有機電致發光裝置適當地(根據應用)結構化，配備接點且最後密封，因為在水及/或空氣存在下本發明裝置的壽命縮短。在本文中不限制本發明裝置的製造。可能藉由昇華方法塗覆一或多層有機層，包括發光層。在此情形下，該等材料係於真空昇華系統中在低於10^-5 毫巴，較佳低於10^-6 毫巴之初壓力下藉由蒸汽沈積施加。然而，在此情形下，初壓力也可能甚至更低，例如低於10^-7 毫巴。本發明之有機電致發光裝置較佳其特徵在於以OVPD (有機蒸氣沈積)方法或輔以載體-氣體昇華法塗覆一或多層。在此情形下，該等材料係在介於10^-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸汽噴墨印刷)方法，其中該等材料係藉由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。本發明之有機電致發光裝置另外較佳特徵在於一或多層包含本發明組成物的有機層係例如以旋轉塗布或以任何印刷法(例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但是更佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)從溶液製造。為此目的，需要可溶性主體材料1和2及磷光發光體。從溶液處理具有例如可以非常簡單和廉價的方式施加發光層的優點。此技術尤其適合於有機電致發光裝置的大量製造。此外，混合方法也是可能的，其中，例如，從溶液施加一或多層及藉由氣相沈積施加一或多個其他層。此等方法為熟習該項技術者一般已知的且可應用於有機電致發光裝置。本發明因此另外提供一種製造如上所述或描述為較佳之本發明有機電致發光裝置之方法，其特徵在於發光層係藉由氣相沈積，尤其藉由昇華方法及/或藉由OVPD(有機氣相沈積)方法及/或輔以載體氣體昇華法、或從溶液，尤其藉由旋轉塗布或藉由印刷方法來施加。在利用氣相沈積製造之情況下，原則上有二種方式，其中本發明之發光層可施加或蒸汽沈積至任何基板或前一層。第一，所使用之材料最初可各自裝入材料源中，及最終自不同的材料源蒸發(“共蒸發”)。第二，可將各種材料預混合(預混合系統)且最初可將混合物裝入單一材料源中，最終從其蒸發(“預混合蒸發”)。以此方式，可能以一種簡單且快速的方式達到具有均勻的成分分佈之發光層的蒸汽沈積，而不需要精確啟動多種材料源。本發明因此另外提供一種製造本發明裝置之方法，其特徵在於至少一種如上所述或描述為較佳之式(1)化合物和至少一種如上所述或描述為較佳之式(2)化合物係從氣相連續地或同時地自至少二種材料源(隨意地與至少一種如上所述或描述為較佳之磷光發光體一起)沈積，並形成發光層。在本發明之一較佳實施態樣中，發光層係利用氣相沈積來施加，其中該組成物中之組分可預混合且從單一材料源蒸發。本發明因此另外提供一種製造本發明裝置之方法，其特徵在於至少一種式(1)化合物及至少一種式(2)化合物係以混合物與至少一種磷光發光體從氣相連續地或同時地沈積，並形成發光層。本發明另外提供一種製造如上所述或描述為較佳之本發明裝置之方法，其特徵在於至少一種如上所述或描述為較佳之式(1)化合物和至少一種如上所述或描述為較佳之式(2)化合物係與至少一種磷光發光體一起從溶液施加以形成發光層。本發明之裝置特徵為超越先前技術之令人驚訝的優點：如上所述，所述主體材料1和2的材料組合之使用尤其導致裝置壽命的增加。下文給出的實施例中顯而易見，藉由比較OLED的數據與來自先前技術的組合，可能確定本發明的基質材料組合在EML中導致壽命增加約19%至65%之裝置，其與發光體濃度無關。應指出本發明中所述之實施態樣的變化係涵蓋在本發明範圍內。除非此被明確排除，否則本發明所揭示之任何特徵可與用於相同目的或相等或類似目的之替代性特徵交換。除非另外陳述，否則本發明中所揭示之任何特徵因此應視為通用系列之實例或視為相等或類似特徵。所有本發明之特徵可以任何方式彼此組合，除非特定特徵及/或步驟是互斥的。這對於本發明的較佳特徵尤其如此。同樣地，非必要組合的特徵可單獨(而不是組合)使用。以本發明揭示之技術教示可予以摘取及與其它實例組合。本發明係以下列實施例更詳細地說明，但並不意欲因此限制本發明。

一般方法：在所有量子化學計算中，使用Gaussian16(Rev. B.01)套裝軟體。中性單重態基態在B3LYP/6-31G(d)能階進行最佳化。在B3LYP/6-31G(d)能階測定B3LYP/6-31G(d)-最佳化基態能量的HOMO及LUMO值。接著，藉由相同方法(B3LYP/6-31G(d))並用最佳化基態幾何來計算TD-DFT單重態及三重態激發(垂直激發)。使用SCF及梯度收斂的標準設定。從能量計算，獲得以哈崔單位(hartree units)表示之被兩個電子佔用的最終軌域(阿爾法occ.特徵值)之HOMO和第一未佔用軌域(阿爾法virt.特徵值)的LUMO，其中HEh和LEh分別表示以哈崔單位表示之HOMO能量和以哈崔單位表示之LUMO能量。此用以測定藉由循環伏安法測量校準之HOMO和LUMO值(以電子伏特表示)，如下：

材料之三重態能階T1係定義為具有由量子化學能量計算發現的最低能量之三重態的相對激發能量(eV)。材料之單重態能階S1係定義為具有由量子化學能量計算發現的第二最低能量之單重態的相對激發能量(eV)。能量最低的單重態係稱為S0。本文中所述方法與所使用的套裝軟體無關且總是產生相同的結果。為此目的常用程式的實例為“Gaussian09”(Gaussian Inc.)和Q-Chem 4.1(Q-Chem, Inc.)。在本情況下，能量係使用套裝軟體“Gaussian16(Rev. B.01)”計算。實施例1：OLED的製備下列實施例(參見表8至10)藉由與先前技術的材料組合比較而呈現本發明的材料組合於OLED之用途。實施例V1至V5和E1a至E5g之預處理：將以50 nm厚度之結構化ITO(氧化銦錫)塗覆之玻璃板在塗覆之前先以氧電漿處理，接著以氬電漿處理。此等經電漿處理的玻璃板形成施加OLED的基板。 OLED基本上具有下列層結構：基板/電洞注入層(HIL)/電洞傳輸層(HTL)/電子阻擋層(EBL)/發光層(EML)/隨意的電洞阻斷層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/隨意的電子注入層(EIL)及最後的陰極。陰極係由厚度100 nm的鋁層形成。OLED的精確結構可見於表8中。製造OLED所需的材料，若彼等之前沒有被描述過，則顯示於表10中。OLED的裝置數據係顯示於表9中。實施例V1和V5為根據先前技術之使用雙咔唑作為電洞傳輸主體的比較例。實施例E1a至E5f顯示本發明OLED之數據。所有材料係於真空室中藉由熱氣相沈積施加。在此情況下，發光層總是由至少二種基質材料和發光摻雜劑(發光體)組成，發光摻雜劑(發光體)係藉由共蒸發以特定的體積比率加至基質材料中。以如E13：BCbz1：TE2(32%：60%：8%)的形式給出之詳細資訊在本文中意指材料E13以32%的體積比例存在於層中，BCbz1以60%的比例存在於層中，及TE2以8%的比例存在於層中。類似地，電子傳輸層亦可由二種材料的混合物組成。電致發光光譜係在1000 cd/m²之發光強度下測量，且由此計算CIE 1931 x和y色座標。表9中的參數U10係指10 mA/cm²電流密度所需之電壓。SE10和EQE10分別指示於10 mA/cm²達到的電流效率和外部量子效率。壽命LT係定義為在以恆定電流密度j₀ 操作的過程中，以cd/m²向前測量，從起始發光強度下降到某一比例L1之後的時間。表9中L1=80%的數字意指LT欄中所報告之壽命對應於發光強度(cd/m²)降至其初始值的80%之後的時間。本發明的混合物於OLED之用途本發明的材料組合可使用於實施例E1a-k、E2a-h、E3a-g、E4a-j、E5a-g作為綠色磷光OLED的發光層中之基質材料。如與先前技術比較，實施例V1至V5中使用材料E7、E8、E13、E15、E18、BCbz1至BCbz5。當比較本發明實施例與對應比較例，可以明顯地看出本發明實施例各自顯示裝置壽命上的明顯優點，與其他可比的OLED性能數據。

除非另有說明，否則下列合成係在保護氣體氛圍下於乾燥溶劑中進行。該等溶劑和試劑可購自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。中括弧內之個別數字或個別化合物所引用之數字係關於從文獻得知之化合物的CAS編號。

將2-(8-氯二苯并呋喃-1-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷(dioxaborolane) [2140871-51-6](32.86 g，100.0 mmol)、2-氯-4-二苯并呋喃-3-基-6-苯基-1,3,5-三𠯤[2142681-84-1](37.57 g，105.0 mmol)和碳酸鈉(22.26 g，210.0 mmol)懸浮在600 ml的乙二醇二甲醚和300 ml的水中並惰性化30 min。隨後，添加三-鄰甲苯基膦(913 mg，3.0 mmol)和接著乙酸鈀(II)(112 mg，0.5 mmol)，並將反應混合物在回流下加熱20 h。冷卻後，將沈澱固體用吸濾濾出並用乙醇洗滌。將粗製產物從間二甲苯再結晶。產量：46.11 g (88 mmol，88%)的固體，以HPLC為98%。可類似地製備下列化合物：可使用管柱層析法進行純化，或可使用標準溶劑諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷、二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等等進行再結晶。

將S1a (46.11 g，88.0 mmol)、雙(頻哪醇)二硼[73183-34-3](25.39 g，100.0 mmol)和乙酸鉀(28.82 g，293.6 mmol)在1,4-二㗁烷(700 ml)中的初進料用氬氣惰性化2 min。隨後，添加XPhos[564483-18-7](456 mg，0.96 mmol)和Pd₂ (dba)₃ [51364-51-3](435 mg，0.48 mmol)並將反應混合物在回流下攪拌26 h。冷卻後，藉由旋轉蒸發將溶劑移除並藉由用甲苯/水萃取將殘餘物進行後處理。將有機相用Na₂ SO₄ 乾燥並藉由旋轉蒸發濃縮至乾。將殘餘物與乙酸乙酯在回流下沸騰2 h，並將固體用吸濾濾出及用乙酸乙酯洗滌。產量：49.4 g (80.2 mmol，91%)的固體；以¹ H NMR為97%。可類似地製備下列化合物：替代X-Phos，可能使用S-Phos或三環己基膦作為配位基、或Pd(dppf)Cl₂ x CH₂ Cl₂ [95464-05-4]用於功能性溴化物基團的硼化。可使用管柱層析法進行純化，或可使用標準溶劑諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷、二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等等進行再結晶。

在惰性氛圍下，將2-溴-7-氯二苯并呋喃[CAS-2355229-03-5](28.15 g，100 mmol)、2-苯基-9H-咔唑[88590-00-5] (25.54 g，105 mmol)和三級丁醇鈉(19.21 g，200 mmol)最初進料至1000 ml的鄰二甲苯中。隨後，一個接一個地添加三-三級丁膦[13716-12-6](在甲苯中之1 mol/l 溶液，5.0 ml，5.0 mmol)和參(二亞苄基丙酮)二鈀[51364-51-3] (1.14 g，1.25 mmol)，及將反應混合物在回流下加熱16 h。將反應混合物冷卻至室溫並藉由用甲苯/水萃取進行後處理。將有機相合併且用Na₂ SO₄ 乾燥、並利用旋轉蒸發器在減壓下將溶劑移除。將所得固體懸浮在300 ml的乙醇中，在回流下攪拌1 h並用吸濾濾出。將粗製產物從乙酸乙酯再結晶。產量：28.4 g (64 mmol，48%)的固體，以¹ H NMR為98%。可類似地製備下列化合物：可使用管柱層析法進行純化，或可使用標準溶劑諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷、二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等等進行再結晶。

在惰性氛圍下，用氬氣將1-溴-8-碘二苯并呋喃[1822311-11-4](37.28 g，100 mmol)、3-苯基-9H-咔唑[103012-26-6](16.71 g，100 mmol)、碳酸鉀(34.55 g，250 mmol)、碘化銅(3.81 g，20.0 mmol)和1,3-二(2-吡啶基)丙烷-1,3-二酮(4.52 g，20.0 mmol)在DMF(350 ml)中的初進料惰性化另外15 min及接著在115℃下攪拌32 h。將混合物放冷至室溫，通過Celite床過濾，並用200毫升的DMF洗滌兩次，及利用旋轉蒸發器將濾液濃縮至乾。藉由用二氯甲烷/水萃取將殘餘物進行後處理，及將有機相用水洗滌兩次和用飽和NaCl溶液洗滌一次並用Na₂ SO₄ 乾燥。添加150 ml的乙醇，利用旋轉蒸發器抽出二氯甲烷至500毫巴，及將沈澱固體用吸濾濾出並用乙醇洗滌。產量：24.71 g (50.6 mmol，51%)的灰色固體；藉由¹ H NMR為95%。可類似地製備下列化合物：可使用管柱層析法進行純化，或可使用標準溶劑諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷、二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等等進行再結晶。

將甲苯(500 ml)和水(150 ml)加至在燒瓶中之三氟甲磺酸8-溴二苯并呋喃-1-基酯[2247123-46-0](47.00 g，118.9 mmol)、4,4,5,5-四甲基-2-(2-聯伸三苯基)-1,3,2-二氧雜環戊硼烷(dioxaborolane) (49.72 g，140.4 mmol)和K₂ CO₃ (32.88 g，237.9 mmol)的初進料，及將混合物用氬氣惰性化30 min。隨後，添加Pd₂ (dba)₃ (545 mg，0.59 mmol)和三-鄰甲苯基膦[6163-58-2](724 mg，2.38 mmol)並將混合物在回流下加熱24 h。冷卻後，將沈澱固體用吸濾濾出和用乙醇洗滌兩次。藉由在回流下在乙醇中攪拌2 h萃取粗製產物，及冷卻後，以抽吸濾出沈澱固體。產量：58.8 g (108 mmol，91%)的固體；純度以¹ H NMR為98%。可類似地製備下列化合物：可使用管柱層析法進行純化，或可使用標準溶劑諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷、二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等等進行再結晶。

化合物的製備 E1的合成：

將四氫呋喃(200 ml)和水(50 ml)加至在燒瓶中之2,4-二苯基-6-[8-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-1-二苯并呋喃基]-1,3,5-三𠯤[2138490-96-5](15.31 g，29.1 mmol)、S1e (15.06 g，27.8 mmol)和K₃ PO₄ (12.17 g，57.3 mmol)的初進料，並將混合物用氬氣惰性化30 min。隨後，添加Pd(OAc)₂ (124 mg，0.55 mmol)和XPhos [564483-18-7](556 mg，1.11 mmol)並將混合物在回流下加熱24 h。冷卻後，將沈澱固體用吸濾濾出並用水洗滌兩次，及用乙醇洗滌兩次。將粗製產物用甲苯/庚烷(1:1)進行熱萃取三次，接著從甲苯再結晶三次及最後在高真空下昇華。產量：14.8 g (18.7 mmol，67%)；純度：以HPLC為＞99.9%。可類似地製備下列化合物：此處所使用的觸媒系統也可為Pd₂ (dba)₃ 與SPhos[657408-07-6]或雙(三苯基膦)氯化鈀(II)[13965-03-2]。純化也可使用管柱層析法、或使用其他標準溶劑(諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷)之再結晶或熱萃取，或使用高沸溶劑(諸如二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、等等)之再結晶進行。

將甲苯(300 ml)和水(100 ml)加至在燒瓶中之2,4-二苯基-6-[8-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-1-二苯并呋喃基]-1,3,5-三𠯤[2138490-96-5](15.31 g，29.1 mmol)、S1d (14.41 g，29.5 mmol)和Na₂ CO₃ (6.17 g，58.2 mmol)的初進料，及將混合物用氬氣惰性化30 min。隨後，添加肆(三苯基膦)鈀(0)[14221-01-3](1.00 g，0.87 mmol)並將混合物在回流下加熱36 h。冷卻後，將反應混合物用甲苯/水萃取進行後處理，將合併之有機相用Na₂ SO₄ 乾燥，及藉由旋轉蒸發將濾液濃縮至乾。將殘餘物懸浮在350 ml的熱EtOH中及在回流下攪拌1 h，冷卻後，將固體以吸濾濾出。將粗製產物用甲苯/庚烷(1:1)進行熱萃取兩次、接著從乙酸正丁酯再結晶三次及最後在高真空下昇華。產量：14.8 g (18.7 mmol，67%)；純度：以HPLC為＞99.9%。可類似地製備下列化合物：此處所使用的觸媒系統(鈀源和配位基)也可為Pd₂ (dba)₃ 與SPhos[657408-07-6](鈀源和配位基)或雙(三苯基膦)氯化鈀(II)[13965-03-2]，而不是肆(三苯基膦)鈀(0)。純化也可使用管柱層析法、或使用其他標準溶劑(諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷)之再結晶或熱萃取，或使用高沸溶劑(諸如二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、等等)之再結晶進行。

將K₃ PO₄ (95.7 g，451 mmol)、三(鄰甲苯基)膦(2.33 g，7.52 mmol)和Pd(OAc)₂ (840 mg，3.76 mmol)加至在惰性氛圍下的9-[1,1'-聯苯]-3-基-3-溴-9H-咔唑(59.88 g，150.3 mmol)[CAS-1428551-28-3]、5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)吲哚并[3,2,1-jk]咔唑(51.1 g，147.3 mmol)[CAS-1454807-26-1]在甲苯(1200 ml)、1,4-二㗁烷(1200 ml)和水(600 ml)中的初進料，及將混合物在回流下攪拌32 h。冷卻後，將混合物用甲苯/水萃取進行後處理，將水相用甲苯(每次500 ml)萃取3次，及將合併之有機相用Na₂ SO₄ 乾燥。首先藉由在EtOH(1500 ml)中攪拌萃取粗製產物。將以吸濾濾出之固體用熱庚烷/甲苯進行萃取兩次，從DMAc再結晶兩次及最後在高真空下昇華。產量：40.5 g (72.5 mmol，48%)；純度：以HPLC為＞99.9%。可類似地製備下列化合物：此處所使用的觸媒系統(鈀源和配位基)也可為Pd₂ (dba)₃ 與SPhos[657408-07-6]、或肆(三苯基膦)鈀(0)或雙(三苯基膦)氯化鈀(II)[13965-03-2]。純化也可使用管柱層析法、或使用其他標準溶劑(諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷)之再結晶或熱萃取，或使用高沸溶劑(諸如二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、等等)之再結晶完成。

Claims

一種有機電致發光裝置，其包含陽極、陰極和至少一層含有至少一層發光層之有機層，其中該至少一層發光層含有至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2

其中所使用的符號和標號如下： X 在各情況下為相同或不同且為CR⁰ 或N，其中至少一個符號X為N； X₂ 在各情況下為相同或不同且為CH、CR¹ 或N，其中不超過2個符號X₂ 可為N； Y和Y₁ 在各情況下為相同或不同且係選自O和S； L 在各情況下為相同或不同且為單鍵或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統； L₁ 在各情況下為相同或不同且為單鍵或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統； R⁰ 在各情況下獨立地為H、D或未經取代或經部分或完全氘化之具有6至18個碳原子之芳族環系統； R* 在各情況下獨立地為D或具有6至18個碳原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統； R# 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、C(=O)R² 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、P(Ar₁ )₂ 、B(Ar₁ )₂ 、Si(Ar₁ )₃ 、Si(R² )₃ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基(thioalkyl)或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至20個碳原子之烯基，彼等各自可經一或多個R² 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R² C=CR² 、Si(R² )₂ 、C=O、C=S、C=NR² 、P(=O)(R² )、SO、SO₂ 、NR² 、O、S或CONR² 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R 在各情況下為相同或不同且係選自CN基團、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統和具有10至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該環系統可經一或多個R² 基團取代且其中當該雜芳族環系統含有一個氮原子時，該雜芳族環系統係經由N鍵結； R¹ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R¹ 可能形成可經一或多個R² 基團取代之單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統； R² 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、N(Ar₁ )₂ 、NH₂ 、N(R³ )₂ 、C(=O)Ar₁ 、C(=O)H、C(=O)R³ 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基，彼等各自可經一或多個R³ 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經HC=CH、R³ C=CR³ 、C≡C、Si(R³ )₂ 、Ge(R³ )₂ 、Sn(R³ )₂ 、C=O、C=S、C=Se、C=NR³ 、P(=O)(R³ )、SO、SO₂ 、NH、NR³ 、O、S、CONH或CONR³ 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個芳族環原子且可經一或多個R³ 基團取代之芳氧基或雜芳氧基，或此等系統的組合，其中二或多個相鄰的取代基R² 隨意地可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R³ 基團取代； R³ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或多個相鄰的R³ 取代基可能一起形成單-或多環的脂族環系統； Ar₁ 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個芳族環原子且可經一或多個非芳族R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar₁ 基團亦可以單鍵或選自N(R³ )、C(R³ )₂ 、O和S的橋而彼此橋聯； Ar₂ 和Ar₃ 在各情況下各自獨立地為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳基或雜芳基； A 在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，
Ar 在各情況下獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； * 表示連接至式(2)之結合位置； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中標號的總和在各情況下a+b+c為1； m和o 在各情況下獨立地為0、1、2、3或4； n和p 在各情況下各自獨立地為0、1、2或3；及 q、r、s、t 在各情況下各自獨立地為0或1。
根據請求項1之有機電致發光裝置，其中主體材料1中之符號Y為O。
根據請求項1或2之有機電致發光裝置，其中主體材料2符合式(2a)、(2b)或(2c)中之一者

其中所使用之符號和標號A、R¹ 、q、r和s係如請求項1中所定義。
根據請求項1至3中一或多項之有機電致發光裝置，其中，在主體材料1中，X在二個情況下為N或X在三個情況下為N。
根據請求項1至4中一或多項之有機電致發光裝置，其為選自下列之電致發光裝置：有機發光電晶體(OLET)、有機場淬熄裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC、LEC、LEEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和有機發光二極體(OLED)。
根據請求項1至5中一或多項之有機電致發光裝置，其除了發光層(EML)之外，包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及/或電洞阻擋層(HBL)。
根據請求項1至6中一或多項之有機電致發光裝置，其中該發光層，以及該至少一種主體材料1和該至少一種主體材料2，含有至少一種磷光發光體。
根據請求項7之有機電致發光裝置，其中該磷光發光體符合式(III)
其中關於此式(III)之符號和標號係定義如下： n+m為3，n為1或2，m為2或1， X為N或CR， R為H、D或支鏈或直鏈烷基或經部分或完全氘化之支鏈或直鏈烷基。
一種製造根據請求項1至8中一或多項之裝置之方法，其特徵在於該發光層係藉由氣相沈積或從溶液施加。
根據請求項9之方法，其中該至少一種式(1)化合物及該至少一種式(2)化合物係從至少兩種材料來源(隨意地與該至少一種磷光發光體)連續或同時從氣相沈積，及形成該發光層。
根據請求項9之方法，其中該至少一種式(1)化合物及該至少一種式(2)化合物係以混合物與該至少一種磷光發光體連續或同時從氣相沈積，及形成該發光層。
根據請求項9之方法，其中該至少一種式(1)化合物及該至少一種式(2)化合物係與該至少一種磷光發光體一起從溶液施加以形成該發光層。
一種混合物，其包含至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2
其中所使用的符號和標號如下： X 在各情況下為相同或不同且為CR⁰ 或N，其中至少一個符號X為N； X₂ 在各情況下為相同或不同且為CH、CR¹ 或N，其中不超過2個符號X₂ 可為N； Y和Y₁ 在各情況下為相同或不同且係選自O和S； L 在各情況下為相同或不同且為單鍵或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統； L₁ 在各情況下為相同或不同且為單鍵或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統； R⁰ 在各情況下獨立地為H、D或未經取代或經部分或完全氘化之具有6至18個碳原子之芳族環系統； R* 在各情況下獨立地為D或具有6至18個碳原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統； R# 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、C(=O)R² 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、P(Ar₁ )₂ 、B(Ar₁ )₂ 、Si(Ar₁ )₃ 、Si(R² )₃ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至20個碳原子之烯基，彼等各自可經一或多個R² 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R² C=CR² 、Si(R² )₂ 、C=O、C=S、C=NR² 、P(=O)(R² )、SO、SO₂ 、NR² 、O、S或CONR² 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R 在各情況下為相同或不同且係選自CN基團、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統和具有10至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該環系統可經一或多個R² 基團取代且其中當該雜芳族環系統含有氮原子時，該雜芳族環系統係經由N鍵結； R¹ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R¹ 可能形成可經一或多個R² 基團取代之單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統； R² 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂ 、N(Ar₁ )₂ 、NH₂ 、N(R³ )₂ 、C(=O)Ar₁ 、C(=O)H、C(=O)R³ 、P(=O)(Ar₁ )₂ 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基，彼等各自可經一或多個R³ 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經HC=CH、R³ C=CR³ 、C≡C、Si(R³ )₂ 、Ge(R³ )₂ 、Sn(R³ )₂ 、C=O、C=S、C=Se、C=NR³ 、P(=O)(R³ )、SO、SO₂ 、NH、NR³ 、O、S、CONH或CONR³ 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個芳族環原子且可經一或多個R³ 基團取代之芳氧基或雜芳氧基，或此等系統的組合，其中二或多個相鄰的取代基R² 隨意地可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R³ 基團取代； R³ 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或多個相鄰的R³ 取代基可能一起形成單-或多環的脂族環系統； Ar₁ 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個芳族環原子且可經一或多個非芳族R³ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar₁ 基團亦可以單鍵或選自N(R³ )、C(R³ )₂ 、O和S的橋而彼此橋聯； Ar₂ 和Ar₃ 在各情況下各自獨立地為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳基或雜芳基； A 在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，
Ar 在各情況下獨立地為具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； * 表示連接至式(2)之結合位置； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中標號的總和在各情況下a + b + c為1； m和o 在各情況下獨立地為0、1、2、3或4； n和p 在各情況下各自獨立地為0、1、2或3；及 q、r、s、t 在各情況下各自獨立地為0或1。
根據請求項13之混合物，其中該混合物由至少一種式(1)化合物、至少一種式(2)化合物和磷光發光體組成。
一種調配物，其包含根據請求項13或14之混合物和至少一種溶劑。