TW202207280A

TW202207280A - 碳化矽基板的製造方法、碳化矽基板以及由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法

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Publication number: TW202207280A
Application number: TW110111496A
Authority: TW
Inventors: 金子忠昭; 堂島大地
Original assignee: 學校法人關西學院; 日商豊田通商股份有限公司
Priority date: 2020-04-14
Filing date: 2021-03-30
Publication date: 2022-02-16
Also published as: EP4137619A4; EP4137619A1; JP7758910B2; TWI896631B; WO2021210394A1; JPWO2021210394A1; US20230197456A1; US12255073B2; CN115398043A

Abstract

本發明的所欲解決之課題為提供一種新穎的技術，能夠去除由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層。本發明是一種碳化矽基板的製造方法，係包含：加工步驟，係進行雷射加工，前述雷射加工係對碳化矽基板照射雷射藉此將前述碳化矽基板的一部分予以去除；以及應變層去除步驟，係將前述碳化矽基板熱處理，藉此將由前述加工步驟導入至前述碳化矽基板的應變層予以去除。又，本發明是一種由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法，係用以去除由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層，並包含：應變層去除步驟，係將碳化矽基板熱處理。

Description

碳化矽基板的製造方法、碳化矽基板以及由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法

本發明係關於一種碳化矽基板的製造方法、碳化矽基板以及由雷射加工(laser processing)導入至碳化矽基板的應變層(strain layer)的去除方法。

在半導體基板的製造中，在習知上採用藉由對半導體基板照射雷射以加工該半導體基板的手法。

於專利文獻1係揭示有一種發明，係將對於加工對象物具有吸收性的波長之雷射光線的聚光點定位在加工對象物的上表面，向加工對象物照射雷射光線且施予燒蝕(ablation)加工，以在加工對象物的上表面形成槽。另外，能夠理解為專利文獻1所記載的發明是可以針對公知的半導體材料應用的手法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平10-305420號公報。

[發明所欲解決之課題]

然而，在針對上述加工對象物進行雷射光線的照射之手法中，應變可能會因為該照射而被導入至作為加工對象物的半導體基板。由於該應變為半導體基板中的差排(dislocation)之產生要因，因此較期望為去除該應變。

例如，於在碳化矽基板中產生了差排之情形下，有著該差排會被繼承至藉由將該碳化矽基板作為基底基板之磊晶成長(epitaxial growth)所形成的成長層之疑慮。因此，較期望為去除碳化矽基板中的上述應變。

本發明的所欲解決之課題為提供一種新穎的技術，能夠去除由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層。 [用以解決課題之手段]

用以解決上述課題之本發明是一種碳化矽基板的製造方法，係包含：加工步驟，係進行雷射加工，前述雷射加工係對碳化矽基板照射雷射藉此將前述碳化矽基板的一部分予以去除；以及應變層去除步驟，係將前述碳化矽基板熱處理，藉此將由前述加工步驟導入至前述碳化矽基板的應變層予以去除。如此，本發明係能夠將被導入至碳化矽基板的應變層予以去除。如此，本發明係能夠將由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層予以去除。

在本發明之一較佳形態中，前述加工步驟是在前述碳化矽基板形成貫通孔的步驟。如此，本發明係能夠形成橫方向的溫度梯度(temperature gradient)，前述溫度梯度係成為沿著a軸方向進行之結晶成長之中的驅動力。

在本發明之一較佳形態中，前述應變層去除步驟是將前述碳化矽基板在準密閉空間內蝕刻的步驟。

在本發明之一較佳形態中，前述應變層去除步驟是將前述碳化矽基板在矽氛圍(silicon atmosphere)下蝕刻的步驟。如此，本發明係能夠將碳化矽基板表面中的上壁以及側壁予以平坦化。

又，本發明也關於一種由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法，係用以去除由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層，並包含：應變層去除步驟，係將碳化矽基板熱處理。亦即，用以解決上述課題之本發明是一種由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法，係用以去除由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層，並包含：應變層去除步驟，係在進行對碳化矽基板的雷射加工之後，將碳化矽基板熱處理。

在本發明之一較佳形態中，前述應變層去除步驟是將前述碳化矽基板在矽氛圍下蝕刻的步驟。 [發明功效]

根據所揭示的技術，能夠提供一種新穎的技術，能夠去除由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層。

在一併結合圖式及申請專利範圍時，藉由參酌以下所記載的用以實施發明的形態，能夠明瞭其他的課題、特徵及優點。

以下參照隨附圖式來詳細地說明本發明之碳化矽基板的製造方法之理想的實施形態。

本發明的技術性範圍並非限定於隨附圖式所示的實施形態，在申請專利範圍所記載的範圍內能夠適宜變更。

本說明書隨附的圖式為概念圖，各構件之相對的尺寸等並不限定本發明。

在本說明書中，雖以說明發明為目的而有基於圖式的上下來指稱上或下之情形，但並非基於本發明之碳化矽基板的使用態樣等之間的關係將上下予以限定。

另外，在以下之實施形態的說明以及隨附圖式中，對同樣的構成附加同一符號且省略重複的說明。

＜碳化矽基板的製造方法＞圖1以及圖2係表示本發明的實施形態之碳化矽基板(以下簡單記為「SiC基板」)的製造方法之步驟。

實施形態之SiC基板的製造方法可包含：加工步驟S11，係進行雷射加工，前述雷射加工係對SiC基板10照射雷射L藉此將SiC基板10的一部分予以去除；以及應變層去除步驟S12，係將SiC基板10熱處理，藉此將由加工步驟S11導入至SiC基板10的應變層12予以去除。

又，能夠理解為：本實施形態是一種由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法，係用以去除由雷射加工導入至SiC基板10的應變層12，並包含：應變層去除步驟S12，係在進行對SiC基板10的雷射加工之後，將SiC基板10熱處理。

SiC基板10(相當於SiC晶圓)可以是單晶SiC基板，也可以是多晶SiC基板，也可以是由體結晶(bulk crystal)加工而成的晶圓、基板，也可以是包含磊晶成長層的晶圓、基板，也可以是方晶圓。

又，關於SiC基板10，對該結晶同質異形體(crystal polymorphism)、偏離方向(off-direction)、偏離角(off-angle)、晶圓尺寸、基板厚度、摻雜濃度(doping concentration)、包含摻雜物(dopant)元素之添加元素的原子種沒有限制。

以下，針對實施形態之各步驟詳細地說明。

加工步驟S11是進行以下的雷射加工之步驟：對SiC基板10照射雷射L，藉此將SiC基板10的一部分予以去除。

本說明書中的說明裡的「雷射加工」係指以下加工：將對於作為加工對象物之SiC基板10具有吸收性的波長之雷射光線的聚光點定位於SiC基板10的上表面或內部，對SiC基板10照射雷射光線，藉此進行SiC基板10之上表面上的槽之形成或SiC基板10之內部的損傷區域之形成。

又，雷射加工係指以下手法：將具有與構成加工對象物之材料中的結合能量同等的能量之光波對著加工對象物一邊控制雷射照射部分(相當於聚光點)一邊照射且聚光，藉此將加工對象物的一部分選擇性地加工。

又，加工步驟S11較佳為對SiC基板10照射具有532 nm之波長的雷射L之步驟。

雷射L之波長較佳為808 nm以下，又較佳為650 nm以下，又較佳為635 nm以下，又較佳為589 nm以下，又較佳為532 nm以下，又較佳為473 nm以下，又較佳為460 nm以下，又較佳為445 nm以下，又較佳為405 nm以下。

又，雷射L之波長較佳為355 nm以上，又較佳為405 nm以上，又較佳為445 nm以上，又較佳為460 nm以上，又較佳為532 nm以上，又較佳為589 nm以上，又較佳為635 nm以上，又較佳為650 nm以上。

作為例子，雷射L之波長是被分類為可見光區之波長帶中的波長。

又，加工步驟S11係可基於公知或慣用的光學系統來實施。

又，加工步驟S11係可因應雷射L之波長等來適宜採用公知或慣用的光源。

又，關於在加工步驟S11中所用的雷射L，對其活性介質、振盪形態、重複頻率、脈衝寬度(pulse width)、束點徑(beam spot diameter)、輸出功率(output power)以及偏光特性沒有限制。

在加工步驟S11中所用的光學系統係適宜具有公知或慣用的鏡子、具備對準(alignment)用的軸旋轉馬達等之掃描器(scanner)、聚光透鏡(condensing lens)以及光柵(grating)。

關於在加工步驟S11中所用的光學系統之聚光用透鏡，其倍率以及數值孔徑(NA(Numerical Aperture))沒有限制。

又，加工步驟S11是在SiC基板10形成貫通孔11的步驟。

能夠理解為：在此，加工步驟S11是藉由形成貫通孔11使SiC基板10的強度降低之脆加工步驟。

另外，加工步驟S11係在貫通孔11的形成中，將雷射照射部分(相當於聚光點)於SiC基板10的膜厚方向掃描。

作為例子，貫通孔11只要是使SiC基板10之強度降低的形狀(圖案(pattern))則能夠採用。

又，作為例子，貫通孔11只要是包含劣角(inferior angle)之形狀(圖案)則能夠採用。

又較期望為，在將SiC基板10當作基底基板的磊晶成長中，設定為可得到所期望的成長層之形狀(圖案)。

此時，加工步驟S11係因應於該形狀(圖案)，將雷射L在SiC基板10之面內掃描。

另外，較期望為加工步驟S11係根據SiC基板10、該成長層的半導體材料之物理性質(結晶方位等)、成長手法採用最佳的圖案。另外，對該形狀(圖案)之寬度以及深度沒有限制。

又，加工步驟S11是將SiC基板10之表面加工成台面(mesa)狀的步驟。

本說明書中的說明裡的「台面狀」係指：相當於凹凸形狀，且對該凹凸形狀中的上壁以及側壁所成的角沒有限制。

又，對加工步驟S11中的加工深度沒有限制。

另外，在加工步驟S11是將SiC基板10之表面加工成台面狀的步驟時，加工步驟S11係在SiC基板10的表面形成凹部以取代上述貫通孔11。

又，加工步驟S11係將雷射L的焦點從SiC基板10的表面(相當於上表面)往底面(相當於下表面)掃描，藉此形成貫通孔11或凸部。

又，加工步驟S11係能夠適宜採用例如日本專利特開平10-305420號公報、特開2002-192370號公報以及特開2016-111147號公報等所記載之方法等公知技術的至少一部分。

應變層去除步驟S12是以下步驟：將SiC基板10熱處理，藉此將由加工步驟S11導入至SiC基板10的應變層12予以去除。另外，能夠理解為：作為例子，應變層12係相當於損傷層。

又，應變層去除步驟S12係能夠採用以下手段：將SiC基板10熱處理，藉此蝕刻SiC基板10。

又，應變層去除步驟S12只要是能夠去除應變層12之手段，則當然能夠採用。

又，應變層去除步驟S12是藉由熱蝕刻去除應變層12之步驟。

又，應變層去除步驟S12是將SiC基板10在準密閉空間內蝕刻的步驟。另外，本說明書中的說明裡的「準密閉空間」係指以下空間：設置有SiC基板10的容器內、試料室內能夠抽真空，也能夠將已在容器內、試料室內產生的蒸氣之至少一部分封入。

又，應變層去除步驟S12是將SiC基板10在矽氛圍下(Si氛圍下)蝕刻的步驟。另外，本說明書中的說明裡的「矽氛圍」係指相當於包含矽元素之氣相種的蒸氣壓。

另外，作為例子，應變層去除步驟S12是以下步驟：將SiC基板10收容於SiC容器50內，將該SiC容器50收容於TaC(碳化鉭)容器60等高熔點容器，將包含SiC基板10的該高熔點容器熱處理。

此時，上述高熔點容器係具備：矽蒸氣供給源64，係能夠將包含矽元素之氣相種的蒸氣壓對SiC容器50之外部供給。

另外，作為例子，應變層去除步驟S12是將SiC基板10收容於上述高熔點容器，將包含SiC基板10的該高熔點容器熱處理的步驟。

此時，高熔點容器係具備：矽蒸氣供給源64，係能夠供給包含矽元素之氣相種的蒸氣壓。

作為例子，本說明書中的說明裡的「矽蒸氣供給源64」是固體的矽(矽片、矽粉末等的矽丸(Si pellet))、矽化合物，可設成薄膜的態樣。

根據本發明，藉由包含將SiC基板10熱處理的應變層去除步驟S12，能夠去除由雷射加工導入至SiC基板10的應變層12。

以下，本說明書將說明藉由磊晶成長形成成長層20之形態，該磊晶成長係將藉由應變層去除步驟S12去除了應變層12之SiC基板10當作基底基板。

另外，根據本發明的實施形態，作為例子，去除了應變層12之SiC基板10係可提供為SiC以及AlN(氮化鋁)等材料之磊晶成長的基底基板。

＜結晶成長步驟S20＞結晶成長步驟S20是在應變層去除步驟S12後的SiC基板10上形成成長層20之步驟。

成長層20的材料可以是與SiC基板10相同的材料(相當於同質磊晶成長(homo-epitaxial growth))，也可以是與SiC基板10不同的材料(相當於異質磊晶成長(hetero-epitaxial growth))。

成長層20的材料可以是一般進行磊晶成長的材料。

又，成長層20的材料可以是SiC基板10的材料，也可以是可作為SiC基板10之材料而採用的公知的材料，也可以是可在SiC基板10上磊晶成長之公知的材料。

作為例子，實施形態之成長層20的材料為AlN。

又，結晶成長步驟S20較佳為以物理氣相傳輸(Physical Vapor Transport：PVT)法形成成長層20之步驟。

結晶成長步驟S20係能夠採用PVT、昇華再結晶法、改良雷利法(improved Lely method)、化學氣相傳輸(Chemical Vapor Transport：CVT)法等公知的氣相成長法(相當於氣相磊晶法)作為成長層20之成長手法。

另外，結晶成長步驟S20係能夠採用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition：PVD)法以取代PVT。另外，結晶成長步驟S20係能夠採用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition：CVD)法以取代CVT。

又，結晶成長步驟S20係能夠採用TSSG(Top-Seeded Solution Growth；頂部種晶溶液成長)法、準穩定溶媒磊晶法(Metastable Solvent Epitaxy：MSE)等公知的液相成長法(相當於液相磊晶法)作為成長層20的成長手法。

又，結晶成長步驟S20係能夠採用CZ(Czochralski；柴可拉斯基)法作為成長層20的成長手法。

結晶成長步驟S20係能夠因應SiC基板10以及成長層20各自的材料來適宜地選擇採用成長手法。

圖3是說明實施形態之結晶成長步驟S20的說明圖。

實施形態之結晶成長步驟S20是使SiC基板10與成為成長層20之原料的半導體材料40在具有準密閉空間的坩堝30內相對(對峙)而進行配置且加熱的步驟。

藉由加熱該坩堝30(SiC基板10以及半導體材料40)，原料經由原料輸送空間31從半導體材料40被往SiC基板10上輸送。

又，結晶成長步驟S20係能夠採用溫度梯度作為在SiC基板10以及半導體材料40間輸送原料的驅動力。

在此，在結晶成長步驟S20中，由已從半導體材料40昇華的原子種所構成的蒸氣在原料輸送空間31中擴散，藉此被輸送，且在溫度被設定得比半導體材料40還低的SiC基板10上成為過飽和而凝結。

又，結晶成長步驟S20係能夠採用SiC基板10以及半導體材料40間的化學位能差(chemical potential difference)作為上述驅動力。

在此，在結晶成長步驟S20中，由已從半導體材料40昇華的原子種所構成的蒸氣在原料輸送空間31中擴散，藉此被輸送，且在化學位能比半導體材料40還低的SiC基板10上成為過飽和而凝結。

又，結晶成長步驟S20是以下的形成成長層20之步驟：從SiC基板10沿著c軸方向進行結晶成長(相當於c軸優勢成長)，藉此形成陸部21，且從陸部21沿著a軸方向進行結晶成長(相當於a軸優勢成長)藉此形成翼部22。另外，a軸優勢成長係可包含從貫通孔11的側面或凹部的側面沿著a軸方向的結晶成長。

另外，成長層20係包含陸部21以及翼部22。實施形態之貫通孔11或凹部係位於翼部22之正下方。

本說明書中的說明裡的「c軸優勢成長」以及「a軸優勢成長」係可基於結晶成長步驟S20中的加熱條件來適宜控制。

作為例子，上述加熱條件為c軸方向以及a軸方向的溫度梯度，且可包含該溫度梯度的歷程。該歷程係指相當於加熱中的溫度梯度的推移、變化。

又，作為例子，上述加熱條件為包含氮氣的惰性氣體之背壓、分壓，且可包含該背壓、分壓的歷程。該歷程係指相當於加熱中的背壓等的推移、變化。

又，作為例子，上述加熱條件為加熱溫度，且可包含該加熱溫度的歷程。該歷程係指相當於加熱中的加熱溫度等的推移、變化。

另外，作為例子，結晶成長步驟S20係可基於D.Dojima,et al.,Journal of Crystal Growth,483,206(2018)所記載之條件、手法等進行c軸優勢成長以及a軸優勢成長的控制、切換。

另外，結晶成長步驟S20係可使用摻雜氣體來調整成長層20的摻雜濃度。另外，結晶成長步驟S20係可採用摻雜濃度與SiC基板10不同的半導體材料40，藉此調整成長層20的摻雜濃度。

＜實施例＞舉出實施例來更具體地說明本發明。

(SiC基板10) 半導體材料：4H-SiC(4H型碳化矽)。基板尺寸：橫寬10 mm × 縱寬 10 mm × 厚度 524 μm。

(加工步驟S11) 實施例之加工步驟S11是對SiC基板10照射雷射來形成貫通孔11之步驟。

(雷射加工條件) 波長：532 nm。輸出功率：3W／cm² 。點徑：40 μm。

(應變層去除步驟S12) 圖4是說明實施例之應變層去除步驟S12的說明圖。

實施例之應變層去除步驟S12係將SiC基板10收容於SiC容器50內，進一步地將SiC容器50收容於TaC容器60且加熱。

(SiC容器50) 材料：多晶SiC。容器尺寸：直徑60 mm × 高度4 mm。 SiC基板10與SiC容器50的底面之間的距離：2 mm。

(SiC容器50的詳細) 如圖6所示，SiC容器50是具備能夠互相地嵌合的上容器51與下容器52之嵌合容器。

於上容器51與下容器52的嵌合部係形成有微小的間隙53，且構成為能夠從該間隙53進行SiC容器50內的排氣(抽真空)。

SiC容器50係具有：蝕刻空間54，係在SiC基板10被配置於溫度梯度之高溫側的狀態下，藉由使被配置於溫度梯度之低溫側的SiC容器50的一部分與SiC基板10相對而形成。

蝕刻空間54是以下空間：將被設置於SiC基板10與SiC容器50的底面之間的溫度差作為驅動力，將矽原子以及碳原子從SiC基板10往SiC容器50輸送且進行蝕刻。

又，SiC容器50係具有：基板保持具55，係將SiC基板10中空地保持來形成蝕刻空間54。

另外，SiC容器50也可以視加熱爐之溫度梯度的方向而不設置基板保持具55。

例如，SiC容器50在加熱爐以溫度從下容器52朝向上容器51而降低的方式形成溫度梯度之情形下，也可以不設置基板保持具55地在下容器52的底面配置SiC基板10。

(TaC容器60的詳細) TaC容器60與SiC容器50同樣地是具備能夠互相地嵌合的上容器61與下容器62的嵌合容器，且構成為能夠收容SiC容器50。

於上容器61與下容器62的嵌合部係形成有微小的間隙63，且構成為能夠從該間隙63進行TaC容器60內的排氣(抽真空)。

TaC容器60係具有：矽蒸氣供給源64，係能夠對TaC容器60內供給包含矽元素之氣相種的蒸氣壓。

矽蒸氣供給源64只要是在加熱處理時使包含矽元素之氣相種的蒸氣壓於TaC容器60內產生之構成即可。

(加熱條件) 將已以上述條件配置的SiC基板10用以下的條件加熱處理。加熱溫度：1800℃。蝕刻量：8 μm。另外，為了實現以下的蝕刻量，對應變層去除步驟S12適宜設定加熱時間以及溫度梯度。

圖5係表示加工步驟S11後的SiC基板10之剖面SEM(Scanning Election Microscope；掃描式電子顯微鏡)像以及俯瞰SEM像。

圖6係表示經過了加工步驟S11以及應變層去除步驟S12的SiC基板10之剖面SEM像以及俯瞰SEM像。

根據圖5以及圖6，能夠理解為：SiC基板10的表面係藉由應變層去除步驟S12而被平坦化。

圖7係表示經過了加工步驟S11的SiC基板10之EBSD(Electron BackScattering Diffraction；電子背向散射繞射)映射像(mapping image)。

圖8係表示經過了加工步驟S11以及應變層去除步驟S12的SiC基板10之EBSD映射像。

圖7以及圖8係表示剪應變(shear strain)成分E₁₂ 的映射像。

根據圖7以及圖8，能夠理解為：SiC基板10的應變係藉由應變層去除步驟S12而被去除。

根據本發明，能夠將由雷射加工所造成的在圖案形成的過程中被導入至SiC基板10的應變層12予以去除。

藉此，能夠將圖案的上壁以及側壁各自的附近中的差排等缺陷之密度予以減低，且能夠將成長面會從上壁及／或側壁推進的結晶成長(相當於磊晶成長)中的差排等缺陷之繼承予以抑制。

10:SiC基板(碳化矽基板) 11:貫通孔 12:應變層 20:成長層 21:陸部 22:翼部 30:坩堝 31:原料輸送空間 40:半導體材料 50:SiC容器 51,61:上容器 52,62:下容器 53,63:間隙 54:蝕刻空間 55:基板保持具 60:TaC容器 64:矽蒸氣供給源 L:雷射 S11:加工步驟 S12:應變層去除步驟 S20:結晶成長步驟

[圖1]是說明實施形態之碳化矽基板的製造方法的說明圖。 [圖2]是說明實施形態之加工步驟以及應變層去除步驟的說明圖。 [圖3]是說明實施形態之結晶成長步驟的說明圖。 [圖4]是說明實施例之應變層去除步驟的說明圖。 [圖5]是實施例之碳化矽基板的觀察像。 [圖6]是實施例之碳化矽基板的觀察像。 [圖7]是表示實施例之碳化矽基板的應變分布的圖。 [圖8]是表示實施例之碳化矽基板的應變分布的圖。

10:SiC基板(碳化矽基板)

11:貫通孔

S11:加工步驟

S12:應變層去除步驟

Claims

一種碳化矽基板的製造方法，係包含：加工步驟，係進行雷射加工，前述雷射加工係對碳化矽基板照射雷射藉此將前述碳化矽基板的一部分予以去除；以及應變層去除步驟，係將前述碳化矽基板熱處理，藉此將由前述加工步驟導入至前述碳化矽基板的應變層予以去除。
如請求項1所記載之碳化矽基板的製造方法，其中前述加工步驟是在前述碳化矽基板形成貫通孔的步驟。
如請求項1或2所記載之碳化矽基板的製造方法，其中前述應變層去除步驟是將前述碳化矽基板在準密閉空間內蝕刻的步驟。
如請求項1或2所記載之碳化矽基板的製造方法，其中前述應變層去除步驟是將前述碳化矽基板在矽氛圍下蝕刻的步驟。
如請求項3所記載之碳化矽基板的製造方法，其中前述應變層去除步驟是將前述碳化矽基板在矽氛圍下蝕刻的步驟。
一種碳化矽基板，係由請求項1至5中任一項所記載之碳化矽基板的製造方法所製造。
一種由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法，係用以去除由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層，並包含：應變層去除步驟，係將碳化矽基板熱處理。
如請求項7所記載之由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法，其中前述應變層去除步驟是將前述碳化矽基板在準密閉空間內蝕刻的步驟。
如請求項7或8所記載之由雷射加工導入至碳化矽基板的應變層的去除方法，其中前述應變層去除步驟是將前述碳化矽基板在矽氛圍下蝕刻的步驟。