TW202204479A - 液晶配向劑、液晶配向膜及液晶元件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種液晶配向劑,其可獲得不易產生殘像、塗佈性良好且力學強度高的液晶配向膜。一種液晶配向劑,含有:聚合物[A],包含結構單元(U1)且不包含結構單元(U2);以及聚合物[B],包含結構單元(U2)及結構單元(U3)。結構單元(U1):源自具有式(1)所表示的部分結構的二胺的結構單元。結構單元(U2):源自具有式(2)所表示的部分結構的二胺的結構單元。結構單元(U3):源自具有部分結構Y(-(CH2
)n
-等)的二胺的結構單元。式(1)中,X1
及X2
為二價芳香環基。R1
及R2
為單鍵、碳數1~4的烷二基等。Y1
及Y2
為-NR3
-CO-。Z1
為二價有機基等。A1
及A2
為二價芳香環基。B1
為-NR4
-或二價芳香族雜環基。
Description
本發明涉及一種液晶配向劑、液晶配向膜及液晶元件。
作為液晶元件的液晶材料,在垂直配向(Vertical Alignment,VA)驅動方式或多域垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)驅動方式等的液晶元件中使用負型液晶,在扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型或面內切換(In-Plane Switching,IPS)驅動方式、邊緣場切換(Fringe Field Switching,FFS)驅動方式等的液晶元件中使用正型液晶。另外,近年來,為了實現液晶元件的進一步高精細化,也提出了在IPS驅動方式或FFS驅動方式的液晶元件中使用負型液晶(例如參照專利文獻1)。
近年來,液晶元件應用於從液晶電視或信息顯示器等相對較大型的顯示裝置至智能手機等小型顯示裝置的廣泛用途中。伴隨著此種液晶元件的多用途化,要求液晶元件的進一步高品質化。因此,先前提出了使液晶配向劑含有具有含氮間伸芳基(meta-arylene)結構的聚合物,由此獲得電阻值低且透明性高的液晶配向膜,並且獲得因蓄積電荷所引起的燒痕(直流(Direct Current,DC)殘像)少的液晶元件(例如參照專利文獻2)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2016/152928號
[專利文獻2]國際公開第2019/093037號
[發明所要解決的問題]
在液晶元件中產生的殘像除DC殘像以外,還有因液晶的配向方向相對於初始配向偏離所引起的交流(Alternating Current,AC)殘像。為了抑制殘像的產生來實現液晶元件的進一步高精細化,要求除DC殘像以外,還能夠抑制AC殘像。另外,在如專利文獻2的技術那樣將間伸芳基結構導入至聚合物中的情況下,擔憂因將剛直的結構導入至主鏈中而聚合物的溶解性降低,液晶配向劑的塗佈性降低。進而,當考慮通過摩擦法來獲得液晶配向膜的情況或抑制良率降低等時,對使用液晶配向劑所形成的膜要求高力學強度。然而,難以同時滿足所述多個特性,液晶配向劑有進一步改善的餘地。
本發明是鑒於所述課題而成,其主要目的在於提供一種液晶配向劑,所述液晶配向劑可獲得不易產生殘像、塗佈性良好且力學強度高的液晶配向膜。
[解決問題的技術手段]
本發明人們為了解決所述課題而進行努力研究,發現通過使用分子結構不同的多種聚合物,可解決所述課題,從而完成了本發明。具體而言,通過本發明而提供以下的手段。
<1> 一種液晶配向劑,含有:聚合物[A],具有下述結構單元(U1)且不具有下述結構單元(U2);以及聚合物[B],具有下述結構單元(U2)及下述結構單元(U3)。
結構單元(U1):源自具有下述式(1)所表示的部分結構的二胺的結構單元
結構單元(U2):源自具有下述式(2)所表示的部分結構的二胺的結構單元
結構單元(U3):源自具有下述部分結構Y的二胺的結構單元
部分結構Y:-(CH2
)n
-所表示的結構(其中,n為1~20的整數)、在-(CH2
)n+1
-所表示的結構中任意的亞甲基被-O-、-S-、-COO-、-NR7
-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-、-NR7
-CO-NR8
-或含氮非芳香族雜環基取代而成的結構(其中,R7
及R8
分別獨立地為氫原子或一價有機基;在n為2以上的情況下,-O-、-S-、-COO-、-NR7
-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-、-NR7
-CO-NR8
-及含氮非芳香族雜環基相互不鄰接)、-O-、-S-、-COO-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-或-NR7
-CO-NR8
-
[化1]
(式(1)中,X1
及X2
分別獨立地為二價芳香環基;其中,在X1
所具有的芳香環中,在與R1
的鍵結位置及“*”所鍵結的基的鍵結位置不同的位置未鍵結取代基,在X2
所具有的芳香環中,在與R2
的鍵結位置及“*”所鍵結的基的鍵結位置不同的位置未鍵結取代基;R1
及R2
分別獨立地為單鍵、碳數1~10的烷二基或碳數1~10的經取代的烷二基;Y1
及Y2
分別獨立地為*1
-NR3
-CO-或*1
-CO-NR3
-;R3
為氫原子或一價有機基;“*1
”表示與Z1
的鍵結鍵;Z1
為單鍵或二價有機基;m為0或1;在m為0的情況下,R1
及R2
中至少一者為碳數1~10的烷二基或經取代的烷二基;“*”表示鍵結鍵)
[化2]
(式(2)中,A1
及A2
分別獨立地為二價芳香環基;B1
為-NR4
-或二價芳香族雜環基;在B1
為二價芳香族雜環基的情況下,R5
及R6
分別獨立地為氫原子或一價有機基;在B1
為-NR4
-的情況下,R4
、R5
及R6
為以下的(i)或(ii);
(i)R4
為氫原子或一價有機基;R5
及R6
分別獨立地為氫原子或一價有機基、或者表示R5
與R6
相互結合並與A1
、-NR4
-及A2
一起構成的環結構;
(ii)R4
及R5
分別獨立地為氫原子或一價有機基、或者表示R4
與R5
相互結合並與A1
及氮原子一起構成的環結構;R6
為氫原子或一價有機基;
“*”表示鍵結鍵)
<2> 一種液晶配向膜,其是由所述<1>的液晶配向劑形成。
<3> 一種液晶元件,包括所述<2>的液晶配向膜。
[發明的效果]
根據本發明的液晶配向劑,可獲得不易產生殘像、塗佈性優異且力學強度高的液晶配向膜。特別是,根據本發明的液晶配向劑,可獲得能夠兼顧AC殘像特性及DC殘像特性的液晶配向膜。
本公開的液晶配向劑含有聚合物[A]及作為與聚合物[A]不同的聚合物的聚合物[B]。以下,對本公開的液晶配向劑中所含的各成分、及視需要任意調配的其他成分進行說明。
此外,在本說明書中,“烴基”是包含鏈狀烴基、脂環式烴基及芳香族烴基的含義。所謂“鏈狀烴基”是指在主鏈中不含環狀結構,僅由鏈狀結構構成的直鏈狀烴基及分支狀烴基。其中,可為飽和也可為不飽和。所謂“脂環式烴基”是指僅包含脂環式烴結構作為環結構,而不含芳香環結構的烴基。其中,無需僅由脂環式烴結構構成,也包含在其一部分中具有鏈狀結構的基。所謂“芳香族烴基”是指包含芳香環結構作為環結構的烴基。其中,無需僅由芳香環結構構成,也可在其一部分中包含鏈狀結構或脂環式烴結構。所謂“結構單元”是指主要構成主鏈結構的單元,且為至少在主鏈結構中包含2個以上的單元。關於各成分及各化合物,只要未特別提及,則可單獨使用一種,也可組合使用兩種以上。
<聚合物[A]>
聚合物[A]為含有源自具有下述式(1)所表示的部分結構的二胺(以下也稱為“特定二胺(A)”)的結構單元(U1)的聚合物。
[化3]
(式(1)中,X1
及X2
分別獨立地為二價芳香環基;其中,在X1
所具有的芳香環中,在與R1
的鍵結位置及“*”所鍵結的基的鍵結位置不同的位置未鍵結取代基,在X2
所具有的芳香環中,在與R2
的鍵結位置及“*”所鍵結的基的鍵結位置不同的位置未鍵結取代基;R1
及R2
分別獨立地為單鍵、碳數1~10的烷二基或碳數1~10的經取代的烷二基;Y1
及Y2
分別獨立地為*1
-NR3
-CO-或*1
-CO-NR3
-;R3
為氫原子或一價有機基;“*1
”表示與Z1
的鍵結鍵;Z1
為單鍵或二價有機基;m為0或1;R1
及R2
中至少一者為碳數1~10的烷二基或經取代的烷二基;“*”表示鍵結鍵)
·結構單元(U1)
結構單元(U1)為源自包含2個芳香環與至少1個醯胺鍵(-NR3
-CO-)的二胺的結構單元。在所述式(1)中,X1
及X2
的二價芳香環基優選為芳香族烴基。作為X1
、X2
的具體例,可列舉將與苯環、萘環及蒽環等芳香族烴環的構成環的碳原子鍵結的任意2個氫原子去除而成的基。
此外,X1
及X2
所具有的芳香環不具有取代基。即,在X1
所具有的芳香環中,在與R1
的鍵結位置及和由“*”表示的鍵結鍵鍵結的基的鍵結位置不同的位置未鍵結取代基。另外,同樣,在X2
所具有的芳香環中,在與R2
的鍵結位置及和由“*”表示的鍵結鍵鍵結的基的鍵結位置不同的位置也未鍵結取代基。
就實現液晶配向膜的高密度化,提高殘像的減低效果及膜的力學強度的觀點而言,X1
及X2
的二價芳香環基優選為伸苯基,特別優選為1,4-伸苯基。
在R1
及R2
為碳數1~10的烷二基的情況下,作為R1
及R2
,可列舉:亞甲基、伸乙基、1,3-丙烷二基、1,4-丁烷二基、1,5-戊烷二基等直鏈狀烷二基;1,2-丙烷二基、1,2-丁烷二基、2-甲基-1,3-丙烷二基等分支狀烷二基。在R1
及R2
為碳數1~10的經取代的烷二基的情況下,作為取代基,可列舉:鹵素原子、羥基、胺基、氰基、烷氧基、經保護的羥基、經保護的胺基等。
就可提高液晶元件的電壓保持特性及可靠性的方面而言,R1
及R2
中至少一者優選為碳數1~10的烷二基或碳數1~10的經取代的烷二基,優選為R1
及R2
均為碳數1~10的烷二基或碳數1~10的經取代的烷二基。就顯示出良好的電壓保持特性及液晶配向性的方面而言,R1
及R2
的碳數優選為1~8,更優選為碳數2~8。就可提高液晶配向性且殘像減低的效果高的方面而言,R1
及R2
優選為直鏈狀。
Y1
及Y2
為醯胺鍵(*1
-NR3
-CO-或*1
-CO-NR3
-)。R3
的一價有機基優選為碳數1~10的一價烴基、或者通過脫離而產生氫原子的基(保護基)。在R3
為一價烴基的情況下,所述一價烴基優選為碳數1~3的烷基或苯基,更優選為碳數1~3的烷基。
在R3
為保護基的情況下,所述保護基優選為通過熱而脫離的一價基,例如可列舉:胺基甲酸酯系保護基、醯胺系保護基、醯亞胺系保護基、磺醯胺系保護基等。這些中,就由熱引起的脫離性高的方面而言,優選為胺基甲酸酯系保護基,作為其具體例,可列舉:叔丁氧基羰基、苄基氧基羰基、1,1-二甲基-2-鹵代乙氧基羰基、烯丙氧基羰基、2-(三甲基矽烷基)乙氧基羰基、9-芴基甲氧基羰基、烯丙氧基羰基等。就由熱引起的脫離性優異且可減少經脫保護的部分的膜中的殘存量的方面而言,這些中,特別優選為叔丁氧基羰基(Boc基)。
R3
優選為氫原子、碳數1~3的烷基或保護基,特別優選為氫原子、碳數1~3的烷基或叔丁氧基羰基。
Z1
為單鍵或二價有機基。就可提高液晶元件的電壓保持特性及液晶配向性的方面而言,Z1
優選為二價有機基。
在Z1
為二價有機基的情況下,作為所述二價有機基,可列舉碳數1~20的二價烴基、在所述烴基的碳-碳鍵間具有-O-、-S-或-NR3
-(其中,R3
與Y1
及Y2
中的R3
為相同含義)的二價基等。此外,Z1
相對於Y1
及Y2
的醯胺鍵利用烴基進行鍵結。
就可提高聚合物[A]的溶解性的方面而言,這些中,Z1
的二價有機基優選為碳數1~20的二價鏈狀烴基、碳數4~20的二價脂環式烴基或在鏈狀烴基的碳-碳鍵間具有-O-、-S-或-NR3
-的二價基,特別優選為碳數1~20的烷二基或碳數4~12的伸環烷基。
Z1
的碳數優選為1~12,更優選為1~10。
m為0或1,就可進一步提高AC殘像的減低效果的方面而言,優選為1。
特定二胺(A)優選為芳香族二胺,其中,優選為具有能夠將所述式(1)所表示的部分結構導入至聚合物[A]的主鏈中的結構的芳香族二胺。具體而言,特定二胺(A)特別優選為下述式(DA)所表示的化合物。此外,所謂“主鏈”是指聚合物中包含最長原子鏈的“主幹”的部分。容許所述“主幹”的部分包含環結構。例如,所謂“在主鏈中具有特定結構”是指所述特定結構構成主鏈的一部分。所謂“側鏈”是指從聚合物的“主幹”分支的部分。
[化4]
(式(DA)中,R1
、R2
、Y1
、Y2
、Z1
及m與所述式(1)為相同含義)
在所述式(DA)中,關於R1
、R2
、Y1
、Y2
、Z1
及m的例示及優選例,可應用所述式(1)的說明。
聚合物[A]只要是具有結構單元(U1)的聚合物即可,就可形成與液晶的親和性及力學強度高且可靠性高的液晶配向膜的方面而言,優選為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。在聚合物[A]為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種的情況下,可將所述式(1)所表示的部分結構導入至聚合物[A]的主鏈中。另外,通過將所述式(1)所表示的部分結構導入至聚合物的主鏈中,可進一步提高殘像的減低及膜強度的改善效果而優選。
(聚醯胺酸)
在聚合物[A]為聚醯胺酸的情況下,所述聚醯胺酸(以下也稱為“聚醯胺酸[A]”)例如可通過使四羧酸二酐與包含特定二胺(A)的二胺化合物反應而獲得。
·四羧酸二酐
作為聚醯胺酸[A]的合成中使用的四羧酸二酐,例如可列舉:脂肪族四羧酸二酐、脂環式四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐等。作為這些的具體例,脂肪族四羧酸二酐可列舉1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、乙二胺四乙酸二酐等;脂環式四羧酸二酐可列舉:1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-3a,4,5,9b-四氫萘並[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-8-甲基-3a,4,5,9b-四氫萘並[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、2,4,6,8-四羧基雙環[3.3.0]辛烷-2:4,6:8-二酐、環戊烷四羧酸二酐、環己烷四羧酸二酐等;芳香族四羧酸二酐可列舉均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐、乙二醇雙偏苯三酸酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐、4,4'-羰基二鄰苯二甲酸酐等,除此以外,還可使用日本專利特開2010-97188號公報中記載的四羧酸二酐。作為四羧酸二酐,可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
就可獲得相對於溶劑的溶解性高、且顯示出良好的電特性及低殘像特性的液晶配向膜的方面而言,聚醯胺酸[A]的合成中使用的四羧酸二酐優選為包含選自由脂肪族四羧酸二酐及脂環式四羧酸二酐所組成的群組中的至少一種化合物,更優選為包含脂環式四羧酸二酐。相對於聚醯胺酸[A]的合成中使用的四羧酸二酐的總量,脂環式四羧酸二酐的使用比例優選為20莫耳%以上,更優選為40莫耳%以上,進而優選為50莫耳%以上。
·二胺化合物
聚醯胺酸[A]的合成中使用的二胺化合物可僅為特定二胺(A),也可與特定二胺(A)一起使用和特定二胺(A)不同的二胺(以下也稱為“其他二胺(A)”)。作為其他二胺(A),可列舉:脂肪族二胺、脂環式二胺、芳香族二胺、二胺基有機矽氧烷等。作為其他二胺(A)的具體例,例如可列舉:對苯二胺、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基乙烷、4,4'-二胺基二苯基丙烷、4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯、2,5-二胺基苯甲酸、3,5-二胺基苯甲酸、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、4,4'-二胺基二苯基醚、N,N'-二(5-胺基-2-吡啶基)-N,N'-二(叔丁氧基羰基)乙二胺、6,6'-(五亞甲基二氧基)雙(3-胺基吡啶)、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯等。
在合成聚醯胺酸[A]時,就充分實現殘像的減低的觀點及獲得力學強度高的液晶配向膜的觀點而言,相對於聚醯胺酸[A]的合成中使用的二胺化合物的總量,特定二胺(A)的比例優選為10莫耳%以上,更優選為15莫耳%以上,進而優選為20莫耳%以上,進而更優選為30莫耳%以上,尤其優選為40莫耳%以上,特別優選為60莫耳%以上。另外,相對於聚醯胺酸[A]的合成中使用的二胺化合物的總量,特定二胺(A)的比例可在100莫耳%以下的範圍內設定。
·聚醯胺酸的合成
聚醯胺酸[A]可通過使四羧酸二酐與二胺化合物和視需要的分子量調整劑反應而獲得。在聚醯胺酸的合成反應中,四羧酸二酐與二胺化合物的使用比例優選為相對於二胺化合物的胺基1當量,四羧酸二酐的酸酐基成為0.2當量~2當量的比例。作為分子量調整劑,例如可列舉:馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐等酸單酐;苯胺、環己胺、正丁胺等單胺化合物;異氰酸苯酯、異氰酸萘酯等單異氰酸酯化合物等。相對於所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的合計100質量份,分子量調整劑的使用比例優選為設為20質量份以下。
聚醯胺酸的合成反應優選為在有機溶媒中進行。此時的反應溫度優選為-20℃~150℃,反應時間優選為0.1小時~24小時。作為反應中使用的有機溶媒,例如可列舉:非質子性極性溶媒、酚系溶媒、醇系溶媒、酮系溶媒、酯系溶媒、醚系溶媒、鹵化烴、烴等。作為這些的具體例,優選為使用選自由N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、四甲基脲、六甲基磷醯三胺、間甲酚、二甲酚及鹵化苯酚所組成的群組中的一種以上作為反應溶媒,或者使用這些的一種以上與其他有機溶媒(例如丁基溶纖劑、二乙二醇二乙醚等)的混合物。有機溶媒的使用量(a)優選為設為四羧酸二酐及二胺的合計量(b)相對於反應溶液的總量(a+b)而成為0.1質量%~50質量%的量。
以所述方式獲得溶解聚醯胺酸[A]而成的聚合物溶液。所述聚合物溶液可直接供於液晶配向劑的製備,也可在將聚合物溶液中所含的聚醯胺酸[A]分離之後供於液晶配向劑的製備。
(聚醯胺酸酯)
在聚合物[A]為聚醯胺酸酯的情況下,所述聚醯胺酸酯例如可通過如下方法等而獲得:[I]使聚醯胺酸[A]與酯化劑反應的方法;[II]使四羧酸二酯與包含特定二胺(A)的二胺化合物反應的方法;[III]使四羧酸二酯二鹵化物與包含特定二胺(A)的二胺化合物反應的方法。聚醯胺酸酯可僅具有醯胺酸酯結構,也可為醯胺酸結構與醯胺酸酯結構並存的部分酯化物。溶解聚醯胺酸酯而成的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備,也可在將反應溶液中所含的聚醯胺酸酯分離之後供於液晶配向劑的製備。
(聚醯亞胺)
在聚合物[A]為聚醯亞胺的情況下,所述聚醯亞胺例如可通過對以所述方式合成的聚醯胺酸[A]進行脫水閉環並加以醯亞胺化而獲得。聚醯亞胺可為對作為其前驅物的聚醯胺酸所具有的全部醯胺酸結構進行脫水閉環而成的完全醯亞胺化物,也可為僅對醯胺酸結構的一部分進行脫水閉環,使醯胺酸結構與醯亞胺環結構並存的部分醯亞胺化物。聚醯亞胺的醯亞胺化率優選為20%~99%,更優選為30%~90%。此外,醯亞胺化率是以百分率表示醯亞胺環結構的數量相對於聚醯亞胺的醯胺酸結構的數量與醯亞胺環結構的數量的合計而言所占的比例。此處,醯亞胺環的一部分可為異醯亞胺環。
聚醯胺酸的脫水閉環優選為通過如下方法來進行:將聚醯胺酸溶解於有機溶媒中,向所述溶液中添加脫水劑及脫水閉環催化劑,視需要進行加熱。在所述方法中,作為脫水劑,例如可使用乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐等酸酐。相對於聚醯胺酸的醯胺酸結構的1莫耳,脫水劑的使用量優選為設為0.01莫耳~20莫耳。作為脫水閉環催化劑,例如可使用吡啶、三甲基吡啶、二甲基吡啶、三乙胺等三級胺。相對於所使用的脫水劑1莫耳,脫水閉環催化劑的使用量優選為設為0.01莫耳~10莫耳。作為脫水閉環反應中所使用的有機溶媒,可列舉作為聚醯胺酸的合成中所使用的有機溶媒而例示的有機溶媒。脫水閉環反應的反應溫度優選為0℃~180℃。反應時間優選為1.0小時~120小時。此外,含有聚醯亞胺的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備,也可在將聚醯亞胺分離之後供於液晶配向劑的製備。
<聚合物[B]>
聚合物[B]為具有結構單元(U2)與結構單元(U3)的聚合物。以下,對聚合物[B]所具有的各結構單元進行詳細說明。
·結構單元(U2)
結構單元(U2)為源自具有下述式(2)所表示的部分結構的二胺(以下也稱為“特定二胺(B1)”)的結構單元。通過結構單元(U2)而對聚合物[B]賦予緩和液晶配向膜中的蓄積電荷的功能。此外,所述聚合物[A]不具有結構單元(U2),在這一方面,聚合物[B]與聚合物[A]不同。
[化8]
(式(2)中,A1
及A2
分別獨立地為二價芳香環基;B1
為-NR4
-或二價芳香族雜環基;在B1
為二價芳香族雜環基的情況下,R5
及R6
分別獨立地為氫原子或一價有機基;在B1
為-NR4
-的情況下,R4
、R5
及R6
為以下的(i)或(ii);
(i)R4
為氫原子或一價有機基;R5
及R6
分別獨立地為氫原子或一價有機基、或者表示R5
與R6
相互結合並與A1
、-NR4
-及A2
一起構成的環結構;
(ii)R4
及R5
分別獨立地為氫原子或一價有機基、或者表示R4
與R5
相互結合並與A1
及氮原子一起構成的環結構;R6
為氫原子或一價有機基;
“*”表示鍵結鍵)
此外,在本說明書中,所謂其他聚合物“不具有”液晶配向劑中所含的多種聚合物中至少一種聚合物所具有的結構單元(以下稱為“特定單元”)是容許其他聚合物在不損及本發明的效果的範圍內具有所述特定單元的含義。在本說明書中,在記載為其他聚合物“不具有”特定單元的情況下,相對於其他聚合物所具有的所有結構單元,其他聚合物中的特定單元的含量優選為1莫耳%以下,更優選為0.5莫耳%以下,進而優選為0.1莫耳%以下。
在所述式(2)中,作為A1
及A2
的二價芳香環基,可列舉二價芳香族烴基及二價芳香族雜環基。作為二價芳香族雜環基,可列舉含氮芳香族雜環基、含氧芳香族雜環基、含硫芳香族雜環基等,優選為含氮芳香族雜環基。此外,A1
及A2
也可在芳香環部分具有取代基。作為所述取代基,可列舉碳數1~5的烷基、鹵素原子等。
作為A1
、A2
的具體例,二價芳香族烴基可列舉將與苯環、萘環或蒽環的構成環的碳原子鍵結的任意2個氫原子去除而成的基;二價含氮芳香族雜環基可列舉將與吡啶環、嘧啶環、噠嗪環或吡嗪環的構成環的碳原子鍵結的任意2個氫原子去除而成的基;二價含氧芳香族雜環基可列舉將與呋喃環的構成環的碳原子鍵結的任意2個氫原子去除而成的基;二價含硫芳香族雜環基可列舉將與噻吩環的構成環的碳原子鍵結的任意2個氫原子去除而成的基。就實現液晶配向膜的高密度化及高透過率化的觀點而言,A1
及A2
的二價芳香環基優選為二價芳香族烴基,更優選為伸苯基。
B1
為-NR4
-或二價芳香族雜環基。在B1
為二價芳香族雜環基的情況下,作為所述芳香族雜環基,可列舉A1
、A2
中例示的二價芳香族雜環基。這些中,就蓄積電荷的緩和效果高的方面而言,B1
的二價芳香族雜環基優選為將與吡咯環、呋喃環及噻吩環的構成環的碳原子鍵結的任意2個氫原子去除而成的基。
在B1
為二價芳香族雜環基的情況下,R5
及R6
分別獨立地為氫原子或一價有機基。關於R5
的具體例及優選例,可引用所述R3
的說明。作為R6
的一價有機基,可列舉:碳數1~3的烷基、鹵素原子、氰基等。
在B1
為-NR4
-的情況下,R4
、R5
及R6
滿足所述(i)或(ii)。在R4
、R5
及R6
滿足所述(i)的情況下,R4
為氫原子或一價有機基。關於R4
的具體例及優選例,可引用所述R3
的說明。關於R5
及R6
為氫原子或一價有機基時的具體例及優選例,同樣可引用所述R3
的說明。關於R5
及R6
,在R5
與R6
相互結合並與A1
、-NR4
-及A2
一起構成環結構的情況下,作為所述環結構,可列舉:咔唑結構、9-甲基咔唑結構、9-乙基咔唑結構等。
在R4
、R5
及R6
滿足所述(ii)的情況下,關於R4
為氫原子或一價有機基時的具體例及優選例,可引用所述R3
的說明。在R5
及R6
為氫原子或一價有機基的情況下,作為所述一價有機基,可列舉:碳數1~3的烷基、鹵素原子、氰基等。
關於R4
及R5
,在R4
與R5
相互結合並與A1
及氮原子一起構成環結構的情況下,作為所述環結構,可列舉吲哚啉結構、異吲哚啉結構等。
作為所述式(2)所表示的部分結構的優選的具體例,在B1
為-NR4
-的情況下,可列舉下述式(2-1)~式(2-7)各自所表示的部分結構等;在B1
為二價芳香族雜環基的情況下,可列舉下述式(2-8)~式(2-10)各自所表示的部分結構等。
[化9]
(式(2-1)~式(2-10)中,R4
及R33
分別獨立地為氫原子或一價有機基;“*”表示鍵結鍵)
特定二胺(B1)可僅具有1個所述式(2)所表示的部分結構,也可具有2個以上。就確保聚合物[B]的溶解性的觀點而言,優選為1個或2個。特定二胺(B1)優選為芳香族二胺,其中,優選為具有能夠將所述式(2)所表示的部分結構導入至聚合物[B]的主鏈中的結構的芳香族二胺。作為特定二胺(B1)的具體例,可列舉下述式(DB-1)~式(DB-21)各自所表示的化合物等。此外,特定二胺(B1)不具有結構單元(U3)所具有的部分結構Y。
[化10]
[化11]
[化12]
·結構單元(U3)
結構單元(U3)為源自具有下述部分結構Y的二胺(以下也稱為“特定二胺(B2)”)的結構單元。此外,特定二胺(B2)為不具有所述式(2)所表示的部分結構的化合物,且與特定二胺(B1)不同。通過聚合物[B2]具有結構單元(U2)以及結構單元(U3),可提高聚合物[B2]的溶解性,且可獲得顯示出低殘像特性(特別是AC殘像的減低)的液晶配向膜。
部分結構Y:-(CH2
)n
-所表示的結構(其中,n為1~20的整數)、在-(CH2
)n+1
-所表示的結構中任意的亞甲基被-O-、-S-、-COO-、-NR7
-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-、-NR7
-CO-NR8
-或含氮非芳香族雜環基取代而成的結構(其中,R7
及R8
分別獨立地為氫原子或一價有機基;在n為2以上的情況下,-O-、-S-、-COO-、-NR7
-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-、-NR7
-CO-NR8
-及含氮非芳香族雜環基相互不鄰接)、-O-、-S-、-COO-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-或-NR7
-CO-NR8
-
在部分結構Y中,就可提高聚合物[B]的溶解性的改善效果且低殘像特性(AC殘像及DC殘像的減低)的改善效果及液晶配向膜的力學強度的觀點而言,n優選為1~14,更優選為1~12。在部分結構Y為-(CH2
)n+1
-所表示的結構中任意的亞甲基被-O-等取代而成的結構(以下也稱為“含雜原子的結構”)的情況下,n優選為2以上,更優選為2~14。
在部分結構Y中,作為含氮非芳香族雜環基,可列舉:呱啶-1,4-二基、呱嗪-1,4-二基、2-氧代-4-咪唑烷酮-1,3-二基等。
關於R7
及R8
的例示及優選例,可引用所述R3
的說明。
作為部分結構Y,這些中,優選為-(CH2
)n
-所表示的結構、含雜原子的結構或-O-,更優選為-(CH2
)n
-所表示的結構或含雜原子的結構。
特定二胺(B2)若為具有部分結構Y的二胺,則並無特別限定,例如可列舉:脂肪族二胺、脂環式二胺、芳香族二胺、二胺基有機矽氧烷等。特定二胺(B2)優選為具有能夠將部分結構Y導入至聚合物[B]的主鏈中的結構,具體而言,優選為下述式(DB2)所表示的化合物。
[化13]
(式(DB2)中,Y3
為-(CH2
)n
-所表示的結構、在-(CH2
)n+1
-所表示的結構中任意的亞甲基被-O-、-S-、-COO-、-NR7
-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-、-NR7
-CO-NR8
-或含氮非芳香族雜環基取代而成的結構(含雜原子的結構)、-O-、-S-、-COO-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-或-NR7
-CO-NR8
-;A3
及A4
分別獨立地為單鍵、經取代或未經取代的伸環己基、或者經取代或未經取代的伸苯基;n、R7
及R8
的定義與所述為相同含義;在n為2以上的情況下,在所述含雜原子的結構中,-O-、-S-、-COO-、-NR7
-、-NR7
-CO-、-NR7
-COO-、-NR7
-CO-NR8
-及含氮非芳香族雜環基相互不鄰接)
作為特定二胺(B2)的具體例,脂肪族二胺可列舉間苯二甲胺(m-xylylenediamine)、五亞甲基二胺、六亞甲基二胺等;脂環式二胺可列舉4,4'-亞甲基雙(環己基胺)等;芳香族二胺可列舉4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基乙烷、4,4'-二胺基二苯基丙烷、4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺、1,3-雙(4-胺基苯基)脲、1,3-雙(4-胺基苯乙基)脲、1,3-雙(4-胺基苄基)脲、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、雙[2-(4-胺基苯基)乙基]己二酸、4,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-[4,4'-丙烷-1,3-二基雙(呱啶-1,4-二基)]二苯胺、二乙二醇雙(4-胺基苯基)醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、所述式(DA-1)~式(DA-15)及式(DA-17)~式(DA-20)各自所表示的化合物、下述式(DC-1)~式(DC-7)各自所表示的化合物等;二胺基有機矽氧烷可列舉1,3-雙(3-胺基丙基)-四甲基二矽氧烷等。
[化14]
作為特定二胺(B2),這些中,優選為使用選自由4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基乙烷、4,4'-二胺基二苯基醚、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷、4,4'-[4,4'-丙烷-1,3-二基雙(呱啶-1,4-二基)]二苯胺、雙[2-(4-胺基苯基)乙基]己二酸、二乙二醇雙(4-胺基苯基)醚、六亞甲基二胺、六亞甲基二胺及所述式(DC-5)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種。
就與聚合物[A]的親和性高的方面而言,聚合物[B]優選為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。特別是,通過聚合物[B]在主鏈中具有所述式(2)所表示的部分結構與部分結構Y,在提高聚合物[B]的溶解性的同時,可迅速緩和蓄積電荷,且可充分減低AC殘像,就此方面而言優選。
在聚合物[B]為聚醯胺酸的情況下,所述聚醯胺酸(以下也稱為“聚醯胺酸[B]”)可通過使四羧酸二酐與包含特定二胺(B1)及特定二胺(B2)的二胺化合物反應而獲得。關於作為聚合物[B]的聚醯胺酸[B]、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺,也可與聚合物[A]同樣地製造。
作為聚合物[B]的合成中使用的四羧酸二酐,可引用聚合物[A]的合成中使用的四羧酸二酐的例示及優選例的說明。即,聚醯胺酸[B]的合成中使用的四羧酸二酐優選為包含選自由脂肪族四羧酸二酐及脂環式四羧酸二酐所組成的群組中的至少一種化合物,更優選為包含脂環式四羧酸二酐。相對於聚醯胺酸[B]的合成中使用的四羧酸二酐的總量,脂環式四羧酸二酐的使用比例優選為20莫耳%以上,更優選為40莫耳%以上,進而優選為50莫耳%以上。
另外,在合成作為聚合物[B]的聚醯胺酸[B]、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺時,作為二胺化合物,也可進而使用與特定二胺(B1)及特定二胺(B2)不同的化合物(以下也稱為“其他二胺(B)”)。作為其他二胺(B),可列舉:對苯二胺、3,5-二胺基苯甲酸、2,5-二胺基苯甲酸、4,4-二胺基-2,2'-二甲基聯苯、3,5-二胺基-N,N-雙(吡啶-3-基甲基)苯甲醯胺等。在合成時,相對於聚合物[B]的合成中使用的二胺化合物的總量,其他二胺(B)的使用量優選為20莫耳%以下,更優選為10莫耳%以下。
在合成聚合物[B]時,就可迅速緩和殘留電荷並充分實現DC殘像的減低的方面而言,相對於聚合物[B]的合成中使用的二胺化合物的總量,特定二胺(B1)的使用量優選為5莫耳%以上,更優選為10莫耳%以上,進而優選為15莫耳%以上。另外,就抑制AC殘像的觀點及確保聚合物[B]的溶解性的觀點而言,相對於聚合物[B]的合成中使用的二胺化合物的總量,特定二胺(B1)的使用量優選為95莫耳%以下,更優選為80莫耳%以下,進而優選為70莫耳%以下。
就可提高聚合物[B]的溶解性的方面而言,相對於聚合物[B]的合成中使用的二胺化合物的總量,特定二胺(B2)的使用量優選為5莫耳%以上,更優選為10莫耳%以上,進而優選為15莫耳%以上。另外,就充分實現DC殘像的減低的觀點而言,相對於聚合物[B]的合成中使用的二胺化合物的總量,特定二胺(B2)的使用量優選為90莫耳%以下,更優選為80莫耳%以下,進而優選為70莫耳%以下。
此外,關於聚醯胺酸[B]等各聚合物的合成方法中的各種條件等,可引用所述聚合物[A]的說明。
關於液晶配向劑的製備中使用的聚合物[A]及聚合物[B]的溶液黏度,在製成濃度10質量%的溶液時,優選為具有10 mPa·s~800 mPa·s的溶液黏度,更優選為具有15 mPa·s~500 mPa·s的溶液黏度。此外,溶液黏度(mPa·s)為對於使用聚合物的良溶媒(例如γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮等)所製備的濃度10質量%的聚合物溶液,使用E型旋轉黏度計在25℃下測定而得的值。
對於聚合物[A]及聚合物[B]的各個,通過凝膠滲透色譜法(Gel Permeation Chromatography,GPC)而測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)優選為1,000~500,000,更優選為2,000~300,000。另外,Mw與通過GPC而測定的聚苯乙烯換算的數量平均分子量(Mn)的比所表示的分子量分佈(Mw/Mn)優選為7以下,更優選為5以下。
在液晶配向劑中,就充分實現AC殘像的減低的觀點而言,相對於液晶配向劑中所含的聚合物成分的總量,聚合物[A]的含量優選為1質量%以上,更優選為2質量%以上,進而優選為5質量%以上,進而更優選為10質量%以上。另外,就通過緩和殘留電荷來減低DC殘像的觀點而言,相對於液晶配向劑中所含的聚合物成分的總量,聚合物[A]的含量優選為90質量%以下,更優選為80質量%以下,進而優選為70質量%以下。
相對於液晶配向劑中所含的聚合物成分的總量,聚合物[B]的含量優選為10質量%以上,更優選為20質量%以上,進而優選為30質量%以上。另外,相對於液晶配向劑中所含的聚合物成分的總量,聚合物[B]的含量優選為99質量%以下,更優選為98質量%以下,進而優選為95質量%以下,進而更優選為90質量%以下。
<其他成分>
液晶配向劑除聚合物[A]及聚合物[B]以外,也可視需要含有與聚合物[A]及聚合物[B]不同的成分(以下也稱為“其他成分”)。
(其他聚合物)
本公開的液晶配向劑也可含有與聚合物[A]及聚合物[B]不同的聚合物(以下也稱為“其他聚合物”)作為聚合物成分。其他聚合物的主骨架並無特別限定。作為其他聚合物,例如可列舉:聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚有機矽氧烷、聚酯、聚烯胺、聚脲、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯并噁唑前驅物、聚苯并噁唑、纖維素衍生物、聚縮醛、(甲基)丙烯酸系聚合物、苯乙烯系聚合物、馬來醯亞胺系聚合物或苯乙烯-馬來醯亞胺系聚合物。就與聚合物[A]及聚合物[B]併用時和液晶的親和性高、且提高液晶元件的可靠性的觀點而言,其他聚合物優選為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
在使液晶配向劑含有其他聚合物的情況下,在液晶配向劑中,相對於聚合物[A]、聚合物[B]及其他聚合物的合計量,其他聚合物的含量優選為30質量%以下,更優選為20質量%以下,進而優選為10質量%以下,進而更優選為5質量%以下。
(溶劑)
本公開的液晶配向劑是以聚合物[A]、聚合物[B]及視需要而使用的其他成分優選為分散或溶解於適當的溶媒中而成的液狀的組成物的形式來製備。
作為溶劑,可優選地使用有機溶媒。作為其具體例,可列舉:N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、1,2-二甲基-2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、苯酚、γ-丁內酯、γ-丁內醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、二丙酮醇、1-己醇、2-己醇、丙烷-1,2-二醇、3-甲氧基-1-丁醇、乙二醇單甲醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇-正丙醚、乙二醇-異丙醚、乙二醇-正丁醚(丁基溶纖劑)、乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二異丁基酮、丙酸異戊酯、異丁酸異戊酯、二異戊醚、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、丙二醇單甲醚(Propylene Glycol Monomethyl Ether,PGME)、二乙二醇二乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate,PGMEA)、丙二醇二乙酸酯、環戊酮、環己酮等。
作為液晶配向劑中所含的其他成分,除所述以外,例如可列舉:抗氧化劑、金屬螯合物化合物、硬化促進劑、界面活性劑、填充劑、分散劑、光增感劑等。其他成分的調配比例可在不損及本公開的效果的範圍內,根據各化合物而適宜選擇。
液晶配向劑中的固體成分濃度(液晶配向劑的溶媒以外的成分的合計質量在液晶配向劑的總質量中所占的比例)是考慮黏性、揮發性等而適宜選擇,優選為1質量%~10質量%的範圍。若固體成分濃度為1質量%以上,則可充分確保塗膜的膜厚,容易獲得顯示出良好的液晶配向性的液晶配向膜。另一方面,若固體成分濃度為10質量%以下,則可使塗膜為適當的厚度,容易獲得顯示出良好的液晶配向性的液晶配向膜,另外,液晶配向劑的黏性變得適度而有可使塗佈性良好的傾向。
《液晶配向膜及液晶元件》
本公開的液晶配向膜可通過如所述那樣製備的液晶配向劑而製造。另外,本公開的液晶元件包括使用上述所說明的液晶配向劑而形成的液晶配向膜。液晶元件中的液晶的驅動方式並無特別限定,例如可應用於TN型、超扭轉向列(Super Twisted Nematic,STN)型、VA型(包含垂直配向-多域垂直配向(Vertical Alignment-Multi-domain Vertical Alignment,VA-MVA)型、垂直配向-圖案式垂直配向(Vertical Alignment-Patterned Vertical Alignment,VA-PVA)型等)、IPS型、FFS型、光學補償彎曲(Optically Compensated Bend,OCB)型、聚合物穩定配向(Polymer Sustained Alignment,PSA)型等各種模式。液晶元件例如可通過包括以下的步驟1~步驟3的方法來製造。步驟1根據所期望的運行模式而使用不同的基板。步驟2及步驟3在各運行模式中共通。
<步驟1:塗膜的形成>
首先,通過在基板上塗佈液晶配向劑,優選為對塗佈面進行加熱而在基板上形成塗膜。作為基板,例如可使用:浮法玻璃、鈉玻璃等玻璃;包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚碸、聚碳酸酯、聚(脂環式烯烴)等塑膠的透明基板。作為設置於基板的其中一面的透明導電膜,可列舉包含氧化錫(SnO2
)的奈塞(NESA)膜(美國PPG公司註冊商標)、包含氧化銦-氧化錫(In2
O3
-SnO2
)的氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)膜等。在製造TN型、STN型或VA型液晶元件的情況下,使用兩片設置有經圖案化的透明導電膜的基板。另一方面,在製造IPS型或FFS型液晶元件的情況下,使用設置有經圖案化為梳齒型的電極的基板、與未設置電極的相向基板。
液晶配向劑對於基板的塗佈方法並無特別限定,例如可通過旋塗方式、印刷方式(例如膠版印刷方式、柔版印刷方式等)、噴墨方式、狹縫塗佈方式、棒塗佈機方式、擠壓模(extrusion die)方式、直接凹版塗佈機(direct gravure coater)方式、腔室刮刀塗佈機(chamber doctor coater)方式、膠版凹版塗佈機(offset gravure coater)方式、含浸塗佈機方式、MB塗佈機方式法等來進行。
在塗佈液晶配向劑後,出於防止所塗佈的液晶配向劑的流掛等目的,優選為實施預加熱(預烘烤)。預烘烤溫度優選為30℃~200℃,預烘烤時間優選為0.25分鐘~10分鐘。其後,將溶劑完全去除,視需要以對聚合物中存在的醯胺酸結構進行熱醯亞胺化為目的而實施煆燒(後烘烤)步驟。此時的煆燒溫度(後烘烤溫度)優選為80℃~280℃,更優選為80℃~250℃。後烘烤時間優選為5分鐘~200分鐘。所形成的膜的膜厚優選為0.001 μm~1 μm。
<步驟2:配向處理>
在製造TN型、STN型、IPS型或FFS型液晶元件的情況下,實施對所述步驟1中形成的塗膜賦予液晶配向能力的處理(配向處理)。由此,液晶分子的配向能力被賦予至塗膜而形成液晶配向膜。作為配向處理,優選為使用利用棉等對基板上所形成的塗膜的表面進行擦拭的摩擦處理、或對塗膜進行光照射來賦予液晶配向能力的光配向處理。在製造垂直配向型液晶元件的情況下,可將所述步驟1中形成的塗膜直接用作液晶配向膜,為了進一步提高液晶配向能力,也可對所述塗膜實施配向處理。
用於光配向的光照射可通過以下方法等來進行:對後烘烤步驟後的塗膜進行照射的方法;對預烘烤步驟後且後烘烤步驟前的塗膜進行照射的方法;在預烘烤步驟及後烘烤步驟的至少任一步驟中,在塗膜的加熱中對塗膜進行照射的方法。作為照射至塗膜的放射線,例如可使用包含150 nm~800 nm的波長的光的紫外線及可見光線。優選為包含200 nm~400 nm的波長的光的紫外線。在放射線為偏光的情況下,可為直線偏光,也可為部分偏光。在所使用的放射線為直線偏光或部分偏光的情況下,照射可自垂直於基板面的方向進行,也可自斜方向進行,或者也可將這些方向加以組合而進行。非偏光的放射線時的照射方向設為斜方向。
作為所使用的光源,例如可列舉:低壓水銀燈、高壓水銀燈、氘燈、金屬鹵化物燈、氬共振燈、氙燈、准分子雷射等。放射線的照射量優選為200 J/m2
~30,000 J/m2
,更優選為500 J/m2
~10,000 J/m2
。在用於賦予配向能力的光照射後,也可進行如下處理:使用例如水、有機溶媒(例如甲醇、異丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基溶纖劑、乳酸乙酯等)或它們的混合物對基板表面進行清洗的處理、或對基板進行加熱的處理。
<步驟3:液晶單元的構築>
準備兩片以所述方式形成有液晶配向膜的基板,在相向配置的兩片基板間配置液晶,由此製造液晶單元。在製造液晶單元時,例如可列舉如下方法等:以液晶配向膜相向的方式將兩片基板隔著間隙相向配置,利用密封劑將兩片基板的周邊部貼合,向由基板表面與密封劑包圍的單元間隙內注入填充液晶並將注入孔封閉的方法、利用液晶滴注(One Drop Fill,ODF)方式的方法。作為密封劑,例如可使用含有硬化劑及作為間隔物的氧化鋁球的環氧樹脂等。作為液晶,可使用正型及負型的任一種,優選為負型。作為負型液晶,例如可列舉默克(Merck)公司製造的“MLC-6608”、“MLC-6609”、“MLC-6610”、“MLC-7026-100”等。特別是,在IPS型及FFS型液晶元件中使用負型液晶的情況下,可減小電極上部的透過損失,可實現對比度提高,就此方面而言優選。另外,作為液晶,可列舉向列液晶、碟狀液晶,其中,優選為向列液晶。
在製造液晶顯示裝置的情況下,繼而,在液晶單元的外側表面貼合偏光板,獲得液晶顯示元件。作為偏光板,可列舉:利用乙酸纖維素保護膜夾持被稱為“H膜”的偏光膜而成的偏光板或者包含H膜其本身的偏光板,所述“H膜”是一邊使聚乙烯醇延伸配向一邊使其吸收碘的膜。
本發明的液晶元件可有效地應用於各種用途。具體而言,例如可用作鐘錶、便攜式遊戲機、文字處理器(word processor)、筆記本型個人電腦、汽車導航系統(car navigation system)、攝影機(camcorder)、個人數字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、數字照相機(digital camera)、行動電話機、智能手機、各種監視器、液晶電視、信息顯示器等各種顯示裝置或調光裝置、相位差膜等。
[實施例]
以下,基於實施例對實施方式進行更詳細說明,但本發明並不由以下的實施例限定性地解釋。
在以下的例子中,通過以下的方法來測定聚合物溶液中的聚醯亞胺的醯亞胺化率。以下的實施例中所使用的原料化合物及聚合物的必需量是通過視需要反覆進行下述合成例中所示的合成規模下的合成來確保。
[聚醯亞胺的醯亞胺化率]
將聚醯亞胺的溶液投入至純水中,將所獲得的沉澱在室溫下充分減壓乾燥後,溶解於氘化二甲基亞碸中,以四甲基矽烷為基準物質,在室溫下測定1
H-核磁共振(1
H-Nuclear Magnetic Resonance,1
H-NMR)。根據所獲得的1
H-NMR光譜,通過下述數式(1)而求出醯亞胺化率[%]。
醯亞胺化率[%]=(1-(β1/(β2×α)))×100 …(1)
(數式(1)中,β1是在化學位移10 ppm附近出現的源自NH基的質子的峰值面積,β2是源自其他質子的峰值面積,α是其他質子相對於聚合物的前驅物(聚醯胺酸)中的NH基的1個質子的個數比例)
(二胺化合物)
·化合物(DA-1)~化合物(DA-14):所述式(DA-1)~式(DA-14)各自所表示的化合物
·化合物(DB-1)~化合物(DB-20):所述式(DB-1)~式(DB-20)各自所表示的化合物
·化合物(d-1)~化合物(d-5):下述式(d-1)~式(d-5)各自所表示的化合物
·化合物(b-1)~化合物(b-11):下述式(b-1)~式(b-11)各自所表示的化合物
[化16]
[化17]
<聚合物的合成>
1.聚醯胺酸的合成
[合成例1]
將作為四羧酸二酐的化合物(c-2)100莫耳份、作為二胺化合物的化合物(DA-1)100莫耳份溶解於N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone,NMP)中,在室溫下進行6小時反應,獲得含有15質量%的聚醯胺酸(將其設為“聚合物(PAA-1)”)的溶液。
[合成例2~合成例17、合成例23~合成例46]
將所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的種類及量如下述表1及表2所記載那樣變更,除此以外,進行與合成例1相同的操作,獲得含有聚醯胺酸(聚合物(PAA-2)~聚合物(PAA-41))的溶液。此外,表1及表2中,四羧酸二酐的調配量表示相對於各聚合物的合成中使用的四羧酸二酐的總量的比例(莫耳%)。二胺化合物的調配量表示相對於各聚合物的合成中使用的二胺化合物的總量的比例(莫耳%)。
2.聚醯亞胺的合成
[合成例18]
將作為四羧酸二酐的化合物(c-1)90莫耳份及化合物(c-5)10莫耳份、作為二胺化合物的化合物(DA-2)100莫耳份溶解於NMP中,在室溫下進行6小時反應,獲得含有15質量%的聚醯胺酸的溶液。繼而,向所獲得的聚醯胺酸溶液中追加NMP而製成聚醯胺酸濃度10質量%的溶液,添加吡啶及乙酸酐而在60℃下進行4小時脫水閉環反應。在脫水閉環反應後,利用新的NMP對系統內的溶媒進行溶媒置換,由此獲得含有15質量%的、醯亞胺化率約80%的聚醯亞胺(將其設為“聚合體(PI-1)”)的溶液。
[合成例19~合成例22]
將所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的種類及量如下述表1所記載那樣變更,除此以外,進行與合成例18相同的操作,獲得含有聚醯亞胺(聚合物(PI-2)~聚合物(PI-5))的溶液。
[表1]
| 合成例 | 聚合物名稱 | 酸二酐1 | 酸二酐2 | 特定二胺(A) | 其他二胺1 | 其他二胺2 | |||||
| 種類 | 量 | 種類 | 量 | 種類 | 量 | 種類 | 量 | 種類 | 量 | ||
| 1 | PAA-1 | c-2 | 100 | DA-1 | 100 | ||||||
| 2 | PAA-2 | c-1 | 100 | DA-2 | 100 | ||||||
| 3 | PAA-3 | c-1 | 80 | c-4 | 20 | DA-3 | 100 | ||||
| 4 | PAA-4 | c-1 | 100 | DA-4 | 100 | ||||||
| 5 | PAA-5 | c-2 | 100 | DA-5 | 100 | ||||||
| 6 | PAA-6 | c-1 | 100 | DA-6 | 100 | ||||||
| 7 | PAA-7 | c-1 | 100 | DA-7 | 100 | ||||||
| 8 | PAA-8 | c-2 | 70 | c-1 | 30 | DA-8 | 60 | b-7 | 30 | b-1 | 10 |
| 9 | PAA-9 | c-1 | 100 | DA-9 | 100 | ||||||
| 10 | PAA-10 | c-1 | 100 | DA-10 | 100 | ||||||
| 11 | PAA-11 | c-2 | 100 | DA-11 | 100 | ||||||
| 12 | PAA-12 | c-1 | 100 | DA-12 | 100 | ||||||
| 13 | PAA-13 | c-2 | 80 | c-4 | 20 | DA-13 | 70 | b-4 | 30 | ||
| 14 | PAA-14 | c-2 | 100 | DA-14 | 70 | b-4 | 30 | ||||
| 15 | PAA-15 | c-1 | 100 | d-1 | 100 | ||||||
| 16 | PAA-16 | c-1 | 100 | d-2 | 100 | ||||||
| 17 | PAA-17 | c-2 | 100 | d-3 | 100 | ||||||
| 18 | PI-1 | c-1 | 90 | c-5 | 10 | DA-2 | 100 | ||||
| 19 | PI-2 | c-2 | 70 | c-1 | 30 | DA-5 | 80 | b-7 | 20 | ||
| 20 | PI-3 | c-2 | 70 | c-1 | 30 | DA-9 | 100 | ||||
| 21 | PI-4 | c-2 | 100 | DA-2 | 30 | b-7 | 70 | ||||
| 22 | PI-5 | c-2 | 100 | DA-2 | 15 | b-11 | 85 |
[表2]
| 合成例 | 聚合物名稱 | 酸二酐1 | 酸二酐2 | 特定二胺(B1) | 特定二胺(B2) | 特定二胺(B2) | 其他二胺 | ||||||
| 種類 | 量 | 種類 | 量 | 種類 | 量 | 種類 | 量 | 種類 | 量 | 種類 | 量 | ||
| 23 | PAA-18 | c-3 | 70 | c-1 | 30 | DB-1 | 70 | d-1 | 30 | ||||
| 24 | PAA-19 | c-5 | 70 | c-1 | 30 | DB-2 | 60 | DA-1 | 40 | ||||
| 25 | PAA-20 | c-3 | 70 | c-1 | 30 | DB-3 | 70 | b-2 | 30 | ||||
| 26 | PAA-21 | c-1 | 100 | DB-4 | 70 | b-2 | 30 | ||||||
| 27 | PAA-22 | c-5 | 50 | c-1 | 50 | DB-5 | 50 | b-4 | 50 | ||||
| 28 | PAA-23 | c-5 | 50 | c-1 | 50 | DB-6 | 60 | b-3 | 40 | ||||
| 29 | PAA-24 | c-5 | 50 | c-1 | 50 | DB-7 | 50 | b-8 | 50 | ||||
| 30 | PAA-25 | c-5 | 50 | c-1 | 50 | DB-8 | 40 | b-5 | 60 | ||||
| 31 | PAA-26 | c-5 | 50 | c-1 | 50 | DB-9 | 50 | b-10 | 50 | ||||
| 32 | PAA-27 | c-5 | 80 | c-1 | 20 | DB-10 | 40 | d-1 | 50 | b-8 | 10 | ||
| 33 | PAA-28 | c-5 | 60 | c-4 | 40 | DB-11 | 60 | b-6 | 40 | ||||
| 34 | PAA-29 | c-5 | 60 | c-3 | 40 | DB-12 | 40 | b-5 | 60 | ||||
| 35 | PAA-30 | c-5 | 60 | c-4 | 40 | DB-13 | 70 | b-5 | 20 | b-8 | 10 | ||
| 36 | PAA-31 | c-1 | 70 | c-5 | 30 | DB-14 | 40 | b-5 | 60 | ||||
| 37 | PAA-32 | c-3 | 60 | c-1 | 40 | DB-15 | 50 | b-8 | 50 | ||||
| 38 | PAA-33 | c-1 | 50 | c-5 | 50 | DB-16 | 40 | b-10 | 60 | ||||
| 39 | PAA-34 | c-1 | 60 | c-5 | 40 | DB-17 | 40 | b-9 | 60 | ||||
| 40 | PAA-35 | c-1 | 80 | c-5 | 20 | DB-18 | 30 | b-2 | 70 | ||||
| 41 | PAA-36 | c-1 | 50 | c-5 | 50 | DB-19 | 40 | b-7 | 60 | ||||
| 42 | PAA-37 | c-1 | 100 | DB-20 | 40 | b-2 | 60 | ||||||
| 43 | PAA-38 | c-1 | 100 | DB-20 | 100 | ||||||||
| 44 | PAA-39 | c-1 | 100 | b-3 | 30 | d-4 | 70 | ||||||
| 45 | PAA-40 | c-1 | 100 | b-3 | 30 | d-5 | 70 | ||||||
| 46 | PAA-41 | c-1 | 100 | DB-19 | 70 | b-1 | 30 |
[實施例1]
1.液晶配向劑的製備
使用合成例1中獲得的聚合物(PAA-1)的溶液及合成例41中獲得的聚合物(PAA-36)的溶液,利用NMP及丁基溶纖劑(Butyl Cellosolve,BC)進行稀釋,獲得固體成分濃度為4.0質量%、溶劑組成比為NMP:BC=80:20(質量比)的溶液。利用孔徑0.2 μm的過濾器對所述溶液進行過濾,由此製備液晶配向劑(R-1)。
2.使用摩擦法的FFS型液晶單元的製造
準備在單面依次積層有平板電極(底電極)、絕緣層及梳齒狀電極(頂電極)的玻璃基板(設為第一基板)、以及未設置電極的玻璃基板(設為第二基板)。繼而,使用旋轉器對第一基板的電極形成面及第二基板的單面分別塗佈液晶配向劑(R-1),在110℃的熱板上加熱(預烘烤)3分鐘。其後,在對庫內進行了氮置換的230℃的烘箱中,進行30分鐘乾燥(後烘烤),而形成平均膜厚0.08 μm的塗膜。繼而,對於塗膜表面,利用具有捲繞有人造絲布的輥的摩擦機器,以輥轉速1000 rpm、平台移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.3 mm進行摩擦處理。其後,在超純水中進行1分鐘超音波清洗,繼而在100℃潔淨烘箱中乾燥10分鐘,由此獲得具有液晶配向膜的一對基板。
繼而,對於具有液晶配向膜的一對基板,在形成有液晶配向膜的面的緣部殘留液晶注入口,絲網印刷塗佈加入有直徑3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑。其後,將基板重疊並壓接,在150℃下歷時1小時使接著劑熱硬化。繼而,自液晶注入口向一對基板間的間隙填充負型液晶(默克(Merck)公司製造,MLC-6608),然後利用環氧系接著劑將液晶注入口封閉。進而,為了去除液晶注入時的流動配向,而將其在120℃下加熱,然後緩緩冷卻至室溫,從而製造液晶單元。此外,在重疊一對基板時,使各個基板的摩擦方法成為反平行。
3.噴墨塗佈性的評價(溶解性的評價)
作為塗佈液晶配向劑的基板,使用將帶包含ITO的透明電極的玻璃基板在200℃的熱板上加熱1分鐘,繼而進行紫外線/臭氧清洗,使透明電極面的水的接觸角為10°以下之後不久的基板。使用噴墨塗佈機(芝浦機電(Shibaura Mechatronics)(股)製造)將所述1.中製備的液晶配向劑(R-1)塗佈於所述帶透明電極的玻璃基板的透明電極面上。此時的塗佈條件設為以2,500次/(噴嘴·分鐘)、噴出量250 mg/10秒進行2個往返(共計4次)塗佈。塗佈後,靜置1分鐘,然後在80℃下進行加熱,由此形成平均膜厚0.1 μm的塗膜。對於所獲得的塗膜,在干涉條紋計測燈(鈉燈)照射下,用肉眼觀察不均及凹陷的數量。將不均及凹陷的部位合計為0的情況設為“優良(◎)”,將不均及凹陷的部位合計為1以上且未滿3的情況設為“良好(○)”,將不均及凹陷的部位合計為3以上的情況設為“不良(×)”來進行評價。此外,在噴墨塗佈性良好的情況下,可以說所述液晶配向劑的製備中使用的聚合物的溶解性良好。其結果,所述實施例的液晶配向劑的噴墨塗佈性“優良”。
4.AC殘像特性的評價
對於所述2.中製造的FFS型液晶單元,以交流電壓10 V驅動72小時後,使用在光源與光量檢測器之間配置有偏振器與檢偏器的裝置來測定下述數式(2)所表示的最小相對透過率(%)。
最小相對透過率(%)=(β-B0)/(B100-B0)×100 …(2)
(數式(2)中,B0為空白(blank)且正交尼科耳(crossed nicols)下的光的透過量;B100為空白且平行尼科耳(parallel nicols)下的光的透過量;β為正交尼科耳下且在偏振器與檢偏器之間夾持液晶單元而成為最小的光透過量)
暗狀態的黑電平由液晶單元的最小相對透過率表示,在FFS型液晶單元中,暗狀態下的黑電平越小,對比度(contrast)特性越優異,可以說AC殘像特性優異。將最小相對透過率未滿0.3%的情況設為“優良(◎)”,將0.3%以上且未滿2.0%的情況設為“良好(○)”,將2.0%以上的情況設為“不良(×)”。其結果,在所述實施例中為“良好”的評價。
5.電特性的評價
將所述2.中製造的FFS型液晶單元靜置在60℃的烘箱中,然後使用東洋特克尼卡(Technica)公司製造的VHR測定裝置“VHR-1”,在1 V、1670 msec的條件下測定電壓保持率(VHR)。作為評價基準,在VHR為80%以上的情況下,設為“優良(◎)”,在未滿80%且70%以上的情況下,設為“良好(○)”,在未滿70%且60%以上的情況下,設為“可(△)”,在未滿60%的情況下,設為“不可(×)”。其結果,所述實施例的VHR的評價為“優良”。
6.光照射後的可靠性的評價
對所述2.中製造的FFS型液晶單元的可靠性進行評價。評價是以如下方式進行。首先,對液晶單元施加60微秒的1 V的電壓後,測定自施加解除起1670毫秒後的電壓保持率(VHR1)。繼而,在60℃下對液晶單元照射一周的冷陰極螢光燈(Cold Cathode Fluorescent Lamp,CCFL)(背光)後,在室溫中靜置而自然冷卻到室溫。冷卻後,對液晶單元施加60微秒的1 V的電壓後,測定自施加解除起1670毫秒後的電壓保持率(VHR2)。此外,測定裝置使用東洋特克尼卡(Technica)公司製造的VHR測定裝置“VHR-1”。根據VHR1與VHR2的差值(ΔVHR=VHR1-VHR2)來算出此時的VHR的變化率(ΔVHR),根據ΔVHR來評價可靠性。將ΔVHR未滿10%的情況判定為“優良(◎)”,將10%以上且未滿15%的情況判定為“良好(○)”,將15%以上且未滿20%的情況判定為“可(△)”,將20%以上的情況判定為“不可(×)”。其結果,在所述實施例中為可靠性“優良”。
7.DC殘像特性的評價
對於所述2.中製造的液晶單元,以AC 2.5 V進行驅動並將任意兩個畫素之間的亮度差設定為0,然後以AC 2.5 V進行驅動且僅對其中一畫素以DC 1V施加20分鐘,從而使電荷蓄積。當結束DC 1V的施加並僅返回至以AC 2.5 V進行的驅動時,通過所蓄積的電荷而在兩個畫素之間產生亮度差。通過觀測所述亮度差的經時變化,而算出殘留DC值衰減過程的緩和時間。將緩和時間未滿10秒的情況判定為“優良(◎)”,將緩和時間為10秒以上且未滿20秒的情況判定為“良好(○)”,將緩和時間為20秒以上的情況判定為“不良(×)”。其結果,在所述實施例中為“優良”的評價。
8.耐摩擦性的評價
使用旋轉器將所述1.中製備的液晶配向劑(R-1)塗佈於玻璃基板上,在110℃的熱板上加熱(預烘烤)3分鐘。其後,在對庫內進行了氮置換的230℃的烘箱中,進行30分鐘乾燥(後烘烤),形成平均膜厚0.08 μm的塗膜,使用霧度計(hazemeter)來測定塗膜的霧度值。繼而,對於所述塗膜,利用具有捲繞有棉布的輥的摩擦機器,以輥轉速1000 rpm、平台移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.3 mm實施5次摩擦處理。其後,使用霧度計來測定液晶配向膜的霧度值,通過下述數式(3)來計算與摩擦處理前的霧度值的差(霧度變化值)。
霧度變化值(%)=〔摩擦處理後的膜的霧度值(%)〕-〔摩擦處理前的膜的霧度值(%)〕 …(3)
對於液晶配向膜的耐摩擦性,將霧度變化值未滿0.8的情況評價為“優良(◎)”,將霧度變化值為0.8以上且未滿1.5的情況評價為“良好(○)”,將霧度變化值為1.5以上的情況評價為“不良(×)”。若霧度變化值未滿1.5(更優選為未滿0.8),則可以說膜強度充分高且耐摩擦性優異。其結果,在所述實施例中為耐摩擦性“優良”。
[實施例2~實施例21及比較例1~比較例8]
將液晶配向劑的組成如下述表3那樣變更,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑。另外,使用所獲得的液晶配向劑,與實施例1同樣地,通過摩擦法來製造FFS型液晶單元,並進行各種評價。將這些的結果示於下述表4中。表3中,調配量表示各聚合物相對於液晶配向劑的製備中使用的聚合物成分的總量的以固體成分計的調配量(質量份)。
[實施例22、實施例23]
除將液晶配向劑的組成如下述表3那樣變更的方面及對液晶配向膜使用光配向法來代替摩擦法的方面以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑,並且製造FFS型液晶單元,進行各種評價。將結果示於表4中。基於光配向法的液晶配向膜的形成是按照以下的程序來進行。
(基於光配向法的液晶配向膜的形成)
在單面依次積層有平板電極(底電極)、絕緣層及梳齒狀電極(頂電極)的玻璃基板、以及未設置電極的相向玻璃基板各自的面上,利用旋轉器來塗佈液晶配向劑,在80℃的熱板上加熱(預烘烤)1分鐘。其後,在對庫內進行了氮置換的230℃的烘箱中,進行30分鐘乾燥(後烘烤),形成平均膜厚0.1 μm的塗膜。使用Hg-Xe燈自基板法線方向對所獲得的塗膜照射包含經直線偏光的254 nm的明線的紫外線1,000 J/m2
而進行光配向處理。此外,所述照射量是使用以波長254 nm為基準而測量的光量計進行測量而得的值。繼而,將實施有光配向處理的塗膜在230℃的潔淨烘箱中加熱30分鐘而進行熱處理,形成液晶配向膜。
另外,通過分別將後烘烤後的紫外線照射量在100 J/m2
~10,000 J/m2
的範圍內進行變更而實施所述一系列的操作,而製造紫外線照射量不同的3個以上的液晶單元,使用顯示出最好的配向特性的曝光量(最佳曝光量)的液晶單元,與實施例1同樣地進行各種評價。
[表3]
| 聚合物[A] | 其他聚合物1 | 聚合物[B] | 其他聚合物2 | |||||
| 種類 | 調配量 (質量份) | 種類 | 調配量 (質量份) | 種類 | 調配量 (質量份) | 種類 | 調配量 (質量份) | |
| 實施例1 | PAA-1 | 40 | - | - | PAA-36 | 60 | - | - |
| 實施例2 | PAA-2 | 30 | - | - | PAA-37 | 70 | - | - |
| 實施例3 | PAA-3 | 40 | - | - | PAA-18 | 60 | - | - |
| 實施例4 | PAA-4 | 40 | - | - | PAA-19 | 60 | - | - |
| 實施例5 | PAA-5 | 50 | - | - | PAA-35 | 50 | - | - |
| 實施例6 | PAA-6 | 50 | - | - | PAA-34 | 50 | - | - |
| 實施例7 | PAA-7 | 50 | - | - | PAA-22 | 50 | - | - |
| 實施例8 | PAA-8 | 40 | - | - | PAA-20 | 60 | - | - |
| 實施例9 | PAA-9 | 50 | - | - | PAA-21 | 50 | - | - |
| 實施例10 | PAA-10 | 40 | - | - | PAA-23 | 60 | - | - |
| 實施例11 | PAA-11 | 50 | - | - | PAA-24 | 50 | - | - |
| 實施例12 | PAA-12 | 30 | - | - | PAA-26 | 70 | - | - |
| 實施例13 | PAA-13 | 40 | - | - | PAA-25 | 60 | - | - |
| 實施例14 | PAA-14 | 50 | - | - | PAA-27 | 50 | - | - |
| 實施例15 | PI-1 | 30 | - | - | PAA-33 | 70 | - | - |
| 實施例16 | PI-2 | 30 | - | - | PAA-28 | 70 | - | - |
| 實施例17 | PI-3 | 40 | - | - | PAA-29 | 60 | - | - |
| 實施例18 | PI-1 | 20 | - | - | PAA-30 | 80 | - | - |
| 實施例19 | PAA-1 | 50 | - | - | PAA-31 | 50 | - | - |
| 實施例20 | PI-2 | 30 | - | - | PAA-32 | 70 | - | - |
| 實施例21 | PAA-2 | 50 | - | - | PAA-34 | 50 | - | - |
| 實施例22 | PI-4 | 40 | - | - | PAA-21 | 60 | - | - |
| 實施例23 | PI-5 | 40 | - | - | PAA-35 | 60 | - | - |
| 比較例1 | PAA-1 | 100 | - | - | - | - | - | - |
| 比較例2 | - | - | PAA-15 | 50 | PAA-26 | 50 | - | - |
| 比較例3 | - | - | PAA-16 | 30 | PAA-26 | 70 | - | - |
| 比較例4 | - | - | PAA-17 | 50 | PAA-34 | 50 | - | - |
| 比較例5 | PAA-2 | 30 | - | - | - | - | PAA-38 | 70 |
| 比較例6 | PAA-1 | 40 | - | - | - | - | PAA-39 | 60 |
| 比較例7 | PAA-2 | 30 | - | - | - | - | PAA-40 | 70 |
| 比較例8 | PAA-1 | 40 | - | - | - | - | PAA-41 | 60 |
[表4]
| 評價 | ||||||
| 噴墨塗佈性 | AC殘像特性 | VHR | 可靠性 | DC殘像特性 | 耐摩擦性 | |
| 實施例1 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例2 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例3 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例4 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例5 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例6 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例7 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 實施例8 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例9 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例10 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 實施例11 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例12 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 實施例13 | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ |
| 實施例14 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例15 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例16 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例17 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例18 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例19 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例20 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例21 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例22 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例23 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ |
| 比較例1 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | × | ◎ |
| 比較例2 | ◎ | × | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 比較例3 | ◎ | × | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 比較例4 | ○ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | × |
| 比較例5 | × | × | ○ | ○ | ◎ | × |
| 比較例6 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | × | ◎ |
| 比較例7 | × | × | ○ | × | ◎ | × |
| 比較例8 | × | × | ○ | ○ | ◎ | × |
如表4所示,與比較例1~比較例8相比,實施例1~實施例23取得了噴墨塗佈性、AC殘像特性、VHR、可靠性、DC殘像特性及耐摩擦性各種特性的平衡。特別是,實施例1~實施例6、實施例8、實施例9、實施例11及實施例14~實施例22的任一特性均為“◎”的評價且優異。相對於此,比較例1~比較例8的噴墨塗佈性、AC殘像特性、可靠性、DC殘像特性及耐摩擦性中至少任一特性為“×”的評價。
根據以上結果而明確,根據包含聚合物[A]與聚合物[B]的液晶配向劑,可製造能減少液晶顯示元件的殘像且力學強度高的液晶配向膜。另外,明確:可獲得聚合物[A]及聚合物[B]的溶解性良好且塗佈性優異的液晶配向劑。
無
Claims (7)
- 一種液晶配向劑,含有: 聚合物[A],具有下述結構單元(U1)且不具有下述結構單元(U2);以及 聚合物[B],具有下述結構單元(U2)及下述結構單元(U3); 結構單元(U1):源自具有下述式(1)所表示的部分結構的二胺的結構單元; 結構單元(U2):源自具有下述式(2)所表示的部分結構的二胺的結構單元; 結構單元(U3):源自具有下述部分結構Y的二胺的結構單元; 部分結構Y:-(CH2 )n -所表示的結構(其中,n為1~20的整數),在-(CH2 )n+1 -所表示的結構中任意的亞甲基被-O-、-S-、-COO-、-NR7 -、-NR7 -CO-、-NR7 -COO-、-NR7 -CO-NR8 -或含氮非芳香族雜環基取代而成的結構(其中,R7 及R8 分別獨立地為氫原子或一價有機基;在n為2以上的情況下,-O-、-S-、-COO-、-NR7 -、-NR7 -CO-、-NR7 -COO-、-NR7 -CO-NR8 -及含氮非芳香族雜環基相互不鄰接),-O-,-S-,-COO-,-NR7 -CO-,-NR7 -COO-或-NR7 -CO-NR8 -; (式(1)中,X1 及X2 分別獨立地為二價芳香環基;其中,在X1 所具有的芳香環中,在與R1 的鍵結位置及“*”所鍵結的基的鍵結位置不同的位置未鍵結取代基,在X2 所具有的芳香環中,在與R2 的鍵結位置及“*”所鍵結的基的鍵結位置不同的位置未鍵結取代基;R1 及R2 分別獨立地為單鍵、碳數1~10的烷二基或碳數1~10的經取代的烷二基;Y1 及Y2 分別獨立地為*1 -NR3 -CO-或*1 -CO-NR3 -;R3 為氫原子或一價有機基;“*1 ”表示與Z1 的鍵結鍵;Z1 為單鍵或二價有機基;m為0或1;在m為0的情況下,R1 及R2 中至少一者為碳數1~10的烷二基或經取代的烷二基;“*”表示鍵結鍵); (式(2)中,A1 及A2 分別獨立地為二價芳香環基;B1 為-NR4 -或二價芳香族雜環基;在B1 為二價芳香族雜環基的情況下,R5 及R6 分別獨立地為氫原子或一價有機基;在B1 為-NR4 -的情況下,R4 、R5 及R6 為以下的(i)或(ii); (i)R4 為氫原子或一價有機基;R5 及R6 分別獨立地為氫原子或一價有機基,或者表示R5 與R6 相互結合並與A1 、-NR4 -及A2 一起構成的環結構; (ii)R4 及R5 分別獨立地為氫原子或一價有機基,或者表示R4 與R5 相互結合並與A1 及氮原子一起構成的環結構;R6 為氫原子或一價有機基; “*”表示鍵結鍵)。
- 如請求項1所述的液晶配向劑,其中,所述聚合物[A]及所述聚合物[B]為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
- 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑,其中,所述R1 及所述R2 中至少一者為碳數1~10的烷二基或經取代的烷二基。
- 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑,其中,所述聚合物[B]中,相對於所述聚合物[B]所具有的二胺單元的總量而包含5質量%~95質量%的所述結構單元(U2)。
- 一種液晶配向膜,其是使用如請求項1至請求項5中任一項所述的液晶配向劑而形成。
- 一種液晶元件,包括如請求項6所述的液晶配向膜。
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