TW202147589A - 影像感測器的製造方法及對準標記結構 - Google Patents
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Abstract
一種影像感測器的製造方法，包括以下步驟。提供基底。基底包括對準標記區與感光元件區。對準標記區的基底具有對準標記。在基底上形成透光層。透光層覆蓋對準標記，且具有平坦的上表面。在對準標記區的透光層上形成第一突出結構。形成覆蓋第一突出結構的有機不透光層。移除位在第一突出結構上的至少一部分有機不透光層，而在對準標記區的有機不透光層中形成暴露出至少一部分對準標記的第一開口。
Description
本發明是有關於一種半導體元件的製造方法及標記結構，且特別是有關於一種影像感測器的製造方法及對準標記結構。
在一些影像感測器(如，螢幕指紋辨識(Fingerprint on Display，FoD)產品中，會使用黑色光阻層來阻擋某些區域的光線。然而，在形成黑色光阻層之後，必須移除位在對準標記上方的部分黑色光阻層，以避免黑色光阻層防礙對準製程的進行。
目前，可使用邊緣球狀物移除(edge bead removal，EBR)製程來移除位在對準標記上方的部分黑色光阻層。然而，上述方法會消耗部分的有效晶粒(die)，而使得晶圓的可用面積減少。除此之外，晶圓內部的區域的對準必須藉由晶圓邊緣(wafer edge)的EBR區域來估算其對準的位置，因此會增加重疊偏移(overlap shift)等風險。
本發明提供一種影像感測器的製造方法及對準標記結構，其可防止有效晶粒區域的損失。
本發明提出一種影像感測器的製造方法，包括以下步驟。提供基底。基底包括對準標記區與感光元件區。對準標記區的基底具有對準標記。在基底上形成透光層。透光層覆蓋對準標記，且具有平坦的上表面。在對準標記區的透光層上形成第一突出結構。形成覆蓋第一突出結構的有機不透光層。移除位在第一突出結構上的至少一部分有機不透光層，而在對準標記區的有機不透光層中形成暴露出至少一部分對準標記的第一開口。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器的製造方法中，第一突出結構可包括對透光層進行圖案化所形成的突出部、圖案化光阻層或其組合。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器的製造方法中，至少一部分有機不透光層的移除方法例如是回蝕刻法、化學機械研磨法或其組合。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器的製造方法中，位在第一突出結構的頂面上的有機不透光層的厚度可小於有機不透光層的其他部分的厚度。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器的製造方法中，更可包括以下步驟。使用由第一開口所暴露出的對準標記進行對準製程。在進行對準製程之後，在有機不透光層上形成圖案化光阻層。使用圖案化光阻層作為罩幕，移除感光元件區的部分有機不透光層，而在感光元件區的有機不透光層中形成第二開口。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器的製造方法中，有機不透光層的材料可為光阻材料，且影像感測器的製造方法更可包括以下步驟。使用由第一開口所暴露出的對準標記進行對準製程。在進行對準製程之後，對感光元件區的有機不透光層進行曝光製程與顯影製程，而在感光元件區的有機不透光層中形成第二開口。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器的製造方法中，更可包括以下步驟。在對準標記區的透光層上形成第一突出結構的步驟中，可同時在感光元件區的透光層上形成第二突出結構。在移除位在第一突出結構上的至少一部分有機不透光層的步驟中，可同時移除位在第二突出結構上的至少一部分有機不透光層，而在感光元件區的有機不透光層中形成第二開口。
本發明提出一種對準標記結構，包括：基底、透光層與有機不透光層。基底具有對準標記。透光層位在基底上，且覆蓋對準標記。有機不透光層位在透光層上，且具有暴露出至少一部分對準標記的開口。有機不透光層在開口的周圍具有突出部。
依照本發明的一實施例所述，在上述對準標記結構中，在透光層上可具有突出結構。
依照本發明的一實施例所述，在上述對準標記結構中，突出部可環繞突出結構。
基於上述，在本發明所提出的影像感測器的製造方法中，在對準標記區的具有平坦上表面的透光層上形成突出結構，且形成覆蓋突出結構的有機不透光層，再移除位在突出結構上的至少一部分有機不透光層，而在對準標記區的有機不透光層中形成暴露出至少一部分對準標記的開口。藉由上述方法在對準標記區的有機不透光層中形成開口，可避免如EBR方法一樣過度移除有機不透光層，因此可防止有效晶粒區域的損失。另外，本發明的晶圓內部的區域的對準可以不需藉由晶圓邊緣的EBR區域來估算其對準的位置，因此對於晶圓面內的重疊對準具有較高的準確性。
此外，在本發明所提出的對準標記結構中，有機不透光層在開口的周圍具有突出部，且在形成具有突出部的有機不透光層的過程中，不會如EBR方法一樣過度移除有機不透光層，因此可防止有效晶粒區域的損失。另一方面，本發明的晶圓內部的區域的對準可以不需藉由晶圓邊緣的EBR區域來估算其對準的位置，因此對於晶圓面內的重疊對準具有較高的準確性。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1F為本發明一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。
請參照圖1A，提供基底100。基底100包括對準標記區R1與感光元件區R2。對準標記區R1的基底100具有對準標記AM。基底100可為半導體基底，如矽基底。此外，依據產品需求，基底100可包括其他所需的膜層(如，紅外線截止濾光層(IR cut filter))或元件(如，位在感光元件區R2中的感光元件)(未示出)。對準標記AM可為基底100上的具有凹凸特徵的圖案。
接著，在基底100上形成透光層102。透光層102覆蓋對準標記AM，且具有平坦的上表面S1。在本實施例中，將透光層102的平坦的上表面S1定義為透光層102的上表面S1的起伏不明顯，亦即對準標記AM的凹凸特徵不會反映在透光層102的上表面S1上。透光層102的材料例如是氧化矽等透光材料。透光層102的形成方法例如是化學氣相沉積法、物理氣相沉積法或旋轉塗佈法。
然後，可在透光層102上形成圖案化光阻層104。圖案化光阻層104可位在對準標記AM的正上方。圖案化光阻層104可藉由微影製程來形成。
請參照圖1B，可利用圖案化光阻層104作為罩幕，移除部分透光層102，而使得透光層102具有突出部P1。藉此，可在對準標記區R1的透光層102上形成突出結構PS1。在本實施例中，突出結構PS1可為對透光層102進行圖案化所形成的突出部P1，但本發明並不以此為限。部分透光層102的移除方法例如是乾式蝕刻法。
請參照圖1C，可移除圖案化光阻層104。圖案化光阻層104的移除方法例如是乾式剝離法(dry stripping)或濕式剝離法(wet stripping)。
接著，形成覆蓋突出結構PS1的有機不透光層106。有機不透光層106可具有遮光性，且更可具有吸光性。有機不透光層106的材料例如是光阻材料等有機材料。舉例來說，有機不透光層106可為黑色光阻層。有機不透光層106的形成方法例如是旋轉塗佈法。此外，在形成有機不透光層106的製程中，由於負載效應(loading effect)，位在突出結構PS1的頂面S2上的有機不透光層106的厚度可小於有機不透光層106的其他部分的厚度。
此外，進行圖案化之前的透光層102的厚度可大於有機不透光層106的厚度。
然後，可對有機不透光層106進行硬化處理。硬化處理可為熱硬化處理或光硬化處理。
請參照圖1D，移除位在突出結構PS1上的至少一部分有機不透光層106，而在對準標記區R1的有機不透光層106中形成暴露出至少一部分對準標記AM的開口OP1。藉此，可暴露出突出結構PS1。在本實施例中，開口OP1是以暴露出整個對準標記AM為例，但本發明並不以此為限。至少一部分有機不透光層106的移除方法例如是回蝕刻法、化學機械研磨法或其組合。在本實施例中，至少一部分有機不透光層106的移除方法是以回蝕刻法為例。
藉此，可形成對準標記結構AS。雖然對準標記結構AS的形成方法是以上述方法為例，但本發明並不以此為限。標記結構AS包括基底100、透光層102與有機不透光層106。基底100具有對準標記AM。透光層102位在基底100上，且覆蓋對準標記AM。有機不透光層106位在透光層102上，且具有暴露出至少一部分對準標記AM的開口OP1。有機不透光層106在開口OP1的周圍具有突出部106a。突出部106a可圍繞開口OP1。此外，在透光層102上可具有突出結構PS1，且突出部106a可圍繞突出結構PS1。
請參照圖1E，可使用由開口OP1所暴露出的對準標記AM進行對準製程。在進行對準製程之後，可在有機不透光層106上形成圖案化光阻層108。圖案化光阻層108可暴露出感光元件區R2的部分有機不透光層106。圖案化光阻層108可藉由微影製程來形成。
請參照圖1F，使用圖案化光阻層108作為罩幕，移除感光元件區R2的部分有機不透光層106，而在感光元件區R2的有機不透光層106中形成開口OP2。開口OP2可暴露出感光元件區R2中的感光元件(未示出)。
接著，可移除圖案化光阻層108。圖案化光阻層108的移除方法例如是乾式剝離法或濕式剝離法。在另一些實施例中，亦不移除圖案化光阻層108。
在本實施例中，雖然開口OP2的形成方法是以上述方法為例，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，有機不透光層106的材料可為光阻材料，且開口OP2的形成方法可包括以下步驟。在形成圖1C中的有機不透光層106之後，先不對有機不透光層106進行硬化處理。接著，在進行圖1D的步驟而形成開口OP1之後，使用由開口OP1所暴露出的對準標記AM進行對準製程。在進行對準製程之後，對感光元件區R2的有機不透光層106進行曝光製程與顯影製程，而在感光元件區R2的有機不透光層106中形成如圖1F所示的開口OP2。在形成開口OP2之後，可對有機不透光層106進行硬化處理。
此外，依據產品需求，可在後續製程中形成其他透光層或微透鏡等所需技術領域具有通常知識者所周知的構件，於此不再說明。
基於上述實施例可知，在影像感測器10的製造方法中，在對準標記區R1的具有平坦上表面S1的透光層102上形成突出結構PS1，且形成覆蓋突出結構PS1的有機不透光層106，再移除位在突出結構PS1上的至少一部分有機不透光層106，而在對準標記區R1的有機不透光層106中形成暴露出至少一部分對準標記AM的開口OP1。藉由上述方法在對準標記區R1的有機不透光層106中形成開口OP1，可避免如EBR方法一樣過度移除有機不透光層106，因此可防止有效晶粒區域的損失。此外，本實施例的晶圓內部的區域的對準可以不需藉由晶圓邊緣的EBR區域來估算其對準的位置，因此對於晶圓面內的重疊對準具有較高的準確性。
此外，在對準標記結構AS中，有機不透光層106在開口OP1的周圍具有突出部106a，且在形成具有突出部106a的有機不透光層106的過程中，不會如EBR方法一樣過度移除有機不透光層106，因此可防止有效晶粒區域的損失。此外，本實施例的晶圓內部的區域的對準可以不需藉由晶圓邊緣的EBR區域來估算其對準的位置，因此對於晶圓面內的重疊對準具有較高的準確性。
圖2A至圖2E為本發明另一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。
請參照圖2A，提供基底200。基底200包括對準標記區R1與感光元件區R2。對準標記區R1的基底200具有對準標記AM。接著，在基底200上形成透光層202。透光層202覆蓋對準標記AM，且具有平坦的上表面S3。關於圖2A中的基底200與透光層202的詳細內容，可參照圖1A中的基底100與透光層102的說明，於此省略其說明。
然後，可在透光層202上形成圖案化光阻層204。藉此，可在對準標記區R1的透光層202上形成突出結構PS2，且可同時在感光元件區R2的透光層202上形成突出結構PS3。在本實施例中，突出結構PS2可為圖案化光阻層204的一部分，且突出結構PS3可為圖案化光阻層204的另一部分，但本發明並不以此為限。突出結構PS2可位在對準標記AM的正上方，且突出結構PS3可位在感光元件(未示出)的正上方。圖案化光阻層204可藉由微影製程來形成。
請參照圖2B，形成覆蓋突出結構PS2與突出結構PS3的有機不透光層206。有機不透光層206可具有遮光性，且更可具有吸光性。有機不透光層206的材料例如是光阻材料等有機材料。舉例來說，有機不透光層206可為黑色光阻層。有機不透光層206的形成方法例如是旋轉塗佈法。此外，在形成有機不透光層206的製程中，由於負載效應，位在突出結構PS2的頂面S4與突出結構PS3的頂面S5上的有機不透光層206的厚度可小於有機不透光層206的其他部分的厚度。
此外，透光層202的厚度可大於有機不透光層206的厚度。
然後，可對有機不透光層206進行硬化處理。硬化處理可為熱硬化處理或光硬化處理。
請參照圖2C，移除位在突出結構PS2上的至少一部分有機不透光層206，而在對準標記區R1的有機不透光層206中形成暴露出至少一部分對準標記AM的開口OP3，且可同時移除位在突出結構PS3上的至少一部分有機不透光層206，而在感光元件區R2的有機不透光層206中形成開口OP4。藉此，可暴露出突出結構PS2與突出結構PS3。在本實施例中，開口OP3是以暴露出整個對準標記AM為例，但本發明並不以此為限。此外，開口OP4可暴露出感光元件區R2中的感光元件(未示出)。至少一部分有機不透光層206的移除方法例如是回蝕刻法、化學機械研磨法或其組合。在本實施例中，至少一部分有機不透光層206的移除方法是以回蝕刻法為例。
此外，有機不透光層206在開口OP3的周圍可具有突出部206a，且在開口OP4的周圍可具有突出部206b。突出部206a可圍繞開口OP3，且突出部206b可圍繞開口OP4。此外，突出部206a可圍繞突出結構PS2，且突出部206b可圍繞突出結構PS3。
請參照圖2D，可藉由化學機械研磨法移除部分有機不透光層206與部分圖案化光阻層204(即，突出結構PS2與突出結構PS3)，以進行平坦化處理，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，可省略圖2D的步驟。
請參照圖2E，可移除圖案化光阻層204(即，突出結構PS2與突出結構PS3)，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，可省略圖2E的步驟。圖案化光阻層204的移除方法例如是乾式剝離法或濕式剝離法。
此外，依據產品需求，可在後續製程中形成其他透光層或微透鏡等所需技術領域具有通常知識者所周知的構件，於此不再說明。
基於上述實施例可知，在影像感測器20的製造方法中，在對準標記區R1的具有平坦上表面S3的透光層202上形成突出結構PS2，且形成覆蓋突出結構PS2的有機不透光層206，再移除位在突出結構PS2上的至少一部分有機不透光層206，而在對準標記區R1的有機不透光層206中形成暴露出至少一部分對準標記AM的開口OP3。藉由上述方法在對準標記區R1的有機不透光層206中形成開口OP3，可避免如EBR方法一樣過度移除有機不透光層206，因此可防止有效晶粒區域的損失。另外，本實施例的晶圓內部的區域的對準可以不需藉由晶圓邊緣的EBR區域來估算其對準的位置，因此對於晶圓面內的重疊對準具有較高的準確性。
圖3A至圖3D為本發明另一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。
請參照圖3A，提供基底300。基底300包括對準標記區R1與感光元件區R2。對準標記區R1的基底300具有對準標記AM。接著，在基底300上形成透光層302。透光層302覆蓋對準標記AM，且具有平坦的上表面S6。關於圖3A中的基底300與透光層302的詳細內容，可參照圖1A中的基底100與透光層102的說明，於此省略其說明。
然後，可在透光層302上形成圖案化光阻層304。部分圖案化光阻層304可位在對準標記區R1中的對準標記AM的正上方，且部分圖案化光阻層304可位在感光元件區R2中的感光元件(未示出)的正上方。圖案化光阻層304可藉由微影製程來形成。
請參照圖3B，可利用圖案化光阻層304作為罩幕，移除部分透光層302，而使得透光層302具有突出部P2與突出部P3。突出部P2可位在對準標記區R1中，且突出部P3可位在感光元件區R2中。藉此，可在對準標記區R1的透光層302上形成突出結構PS4，且可同時在感光元件區R2的透光層302上形成突出結構PS5。在本實施例中，突出結構PS4可包括對透光層302進行圖案化所形成的突出部P2與圖案化光阻層304的一部分，且突出結構PS5可包括對透光層302進行圖案化所形成的突出部P3與圖案化光阻層304的一部分，但本發明並不以此為限。移除部分透光層302的方法例如是乾式蝕刻法。
請參照圖3C，形成覆蓋突出結構PS4與突出結構PS5的有機不透光層306。有機不透光層306可具有遮光性，且更可具有吸光性。有機不透光層306的材料例如是光阻材料等有機材料。舉例來說，有機不透光層306可為黑色光阻層。有機不透光層306的形成方法例如是旋轉塗佈法。此外，在形成有機不透光層306的製程中，由於負載效應，位在突出結構PS4的頂面S7與突出結構PS5的頂面S8上的有機不透光層306的厚度可小於有機不透光層306的其他部分的厚度。
此外，進行圖案化之前的透光層302的厚度可大於有機不透光層306的厚度。
然後，可對有機不透光層306進行硬化處理。硬化處理可為熱硬化處理或光硬化處理。
請參照圖3D，移除位在突出結構PS4上的至少一部分有機不透光層306，而在對準標記區R1的有機不透光層306中形成暴露出至少一部分對準標記AM的開口OP5，且可同時移除位在突出結構PS5上的至少一部分有機不透光層306，而在感光元件區R2的有機不透光層306中形成開口OP6。藉此，可暴露出突出結構PS4與突出結構PS5。在本實施例中，開口OP5是以暴露出整個對準標記AM為例，但本發明並不以此為限。開口OP6可暴露出感光元件區R2中的感光元件(未示出)。在移除至少一部分有機不透光層306的步驟中，可同時移除部分突出結構PS4與部分突出結構PS4。舉例來說，在移除至少一部分有機不透光層306的步驟中，可同時移除圖案化光阻層304、部分突出部P2與部分突出部P3。至少一部分有機不透光層306的移除方法例如是回蝕刻法、化學機械研磨法或其組合。在本實施例中，至少一部分有機不透光層106的移除方法是以先進行回蝕刻製程，再進行化學機械研磨製程為例。
此外，依據產品需求，可在後續製程中形成其他透光層或微透鏡等所需技術領域具有通常知識者所周知的構件，於此不再說明。
基於上述實施例可知，在影像感測器30的製造方法中，在對準標記區R1的具有平坦上表面S6的透光層302上形成突出結構PS4，且形成覆蓋突出結構PS4的有機不透光層306，再移除位在突出結構PS4上的至少一部分有機不透光層306，而在對準標記區R1的有機不透光層306中形成暴露出至少一部分對準標記AM的開口OP5。藉由上述方法在對準標記區R1的有機不透光層306中形成開口OP5，可避免如EBR方法一樣過度移除有機不透光層306，因此可防止有效晶粒區域的損失。另外，本實施例的晶圓內部的區域的對準可以不需藉由晶圓邊緣的EBR區域來估算其對準的位置，因此對於晶圓面內的重疊對準具有較高的準確性。
圖4為本發明另一實施例的影像感測器的剖面圖。
請參照圖3D與圖4，圖4的影像感測器40與圖3D的影像感測器30的差異如下。在圖4的影像感測器40中，在對準標記區R1的有機不透光層306中，暴露出至少一部分對準標記AM的開口OP5的數量為多個。藉此，可在有機不透光層306中形成對準標記AM1。對準標記AM1可包括位在多個開口OP5之間的有機不透光層306與突出結構PS4。此外，圖4中的多個開口OP5的形成方法舉例說明如下。在圖3A至圖3D的製造方法中，藉由調整對準標記區R1中的圖案化光阻層304的光阻圖案的數量與尺寸，可獲得圖4中的多個開口OP5。
綜上所述，在上述實施例的影像感測器的製造方法中，在對準標記區的具有平坦上表面的透光層上形成突出結構，且形成覆蓋突出結構的有機不透光層，再移除位在突出結構上的至少一部分有機不透光層，而在對準標記區的有機不透光層中形成暴露出至少一部分對準標記的開口。藉由上述方法在對準標記區的有機不透光層中形成開口，可避免如EBR方法一樣過度移除有機不透光層，因此可防止有效晶粒區域的損失。另外，本實施例的晶圓內部的區域的對準可以不需藉由晶圓邊緣的EBR區域來估算其對準的位置，因此對於晶圓面內的重疊對準具有較高的準確性。
此外，在上述實施例的對準標記結構中，有機不透光層在開口的周圍具有突出部，且在形成具有突出部的有機不透光層的過程中，不會如EBR方法一樣過度移除有機不透光層，因此可防止有效晶粒區域的損失。另一方面，本實施例的晶圓內部的區域的對準可以不需藉由晶圓邊緣的EBR區域來估算其對準的位置，因此對於晶圓面內的重疊對準具有較高的準確性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10, 20, 30, 40:影像感測器
100, 200, 300:基底
102, 202, 302:透光層
104, 108, 204, 304:圖案化光阻層
106, 206, 306:有機不透光層
106a, 206a, 206b, P1, P2, P3:突出部
AM, AM1:對準標記
AS:對準標記結構
OP1, OP2, OP3, OP4, OP5, OP6:開口
PS1, PS2, PS3, PS4, PS5:突出結構
S1, S3, S6:上表面
S2, S4, S5, S7, S8:頂面
R1:對準標記區
R2:感光元件區
圖1A至圖1F為本發明一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。
圖2A至圖2E為本發明另一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。
圖3A至圖3D為本發明另一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。
圖4為本發明另一實施例的影像感測器的剖面圖。
10:影像感測器
100:基底
102:透光層
106:有機不透光層
106a,P1:突出部
AM:對準標記
AS:對準標記結構
OP1,OP2:開口
PS1:突出結構
R1:對準標記區
R2:感光元件區
Claims (10)
- 一種影像感測器的製造方法，包括： 提供基底，其中所述基底包括對準標記區與感光元件區，且所述對準標記區的所述基底具有對準標記； 在所述基底上形成透光層，其中所述透光層覆蓋所述對準標記，且具有平坦的上表面； 在所述對準標記區的所述透光層上形成第一突出結構； 形成覆蓋所述第一突出結構的有機不透光層；以及 移除位在所述第一突出結構上的至少一部分所述有機不透光層，而在所述對準標記區的所述有機不透光層中形成暴露出至少一部分所述對準標記的第一開口。
- 如請求項1所述的影像感測器的製造方法，其中所述第一突出結構包括對所述透光層進行圖案化所形成的突出部、圖案化光阻層或其組合。
- 如請求項1所述的影像感測器的製造方法，其中至少一部分所述有機不透光層的移除方法包括回蝕刻法、化學機械研磨法或其組合。
- 如請求項1所述的影像感測器的製造方法，其中位在所述第一突出結構的頂面上的所述有機不透光層的厚度小於所述有機不透光層的其他部分的厚度。
- 如請求項1所述的影像感測器的製造方法，更包括： 使用由所述第一開口所暴露出的所述對準標記進行對準製程； 在進行所述對準製程之後，在所述有機不透光層上形成圖案化光阻層；以及 使用所述圖案化光阻層作為罩幕，移除所述感光元件區的部分所述有機不透光層，而在所述感光元件區的所述有機不透光層中形成第二開口。
- 如請求項1所述的影像感測器的製造方法，其中所述有機不透光層的材料包括光阻材料，且所述影像感測器的製造方法更包括： 使用由所述第一開口所暴露出的所述對準標記進行對準製程；以及 在進行所述對準製程之後，對所述感光元件區的所述有機不透光層進行曝光製程與顯影製程，而在所述感光元件區的所述有機不透光層中形成第二開口。
- 如請求項1所述的影像感測器的製造方法，更包括： 在所述對準標記區的所述透光層上形成第一突出結構的步驟中，同時在所述感光元件區的所述透光層上形成第二突出結構；以及 在移除位在所述第一突出結構上的至少一部分所述有機不透光層的步驟中，同時移除位在所述第二突出結構上的至少一部分所述有機不透光層，而在所述感光元件區的所述有機不透光層中形成第二開口。
- 一種對準標記結構，包括： 基底，具有對準標記； 透光層，位在所述基底上，且覆蓋所述對準標記；以及 有機不透光層，位在所述透光層上，且具有暴露出至少一部分所述對準標記的開口，其中所述有機不透光層在所述開口的周圍具有突出部。
- 如請求項8所述的對準標記結構，其中在所述透光層上具有突出結構。
- 如請求項9所述的對準標記結構，其中所述突出部環繞所述突出結構。
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