TW202137303A - 具電磁波屏蔽膜之半導體裝置之製造方法以及端子保護用帶 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置(66)的製造方法，包括：於具有黏彈性層之端子保護用帶之前述黏彈性層(12)，埋設具端子之半導體裝置的端子(91)之步驟；於未埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層(12)之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜(10)之步驟；以及，藉由將前述端子保護用帶進行延伸，而將形成有電磁波屏蔽膜(10)之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。

Description

具電磁波屏蔽膜之半導體裝置之製造方法以及端子保護用帶

本發明係關於一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法以及端子保護用帶。 本案係基於2019年12月6日在日本提出申請之特願2019-221466號主張優先權，並將其內容援引至此。

以往，於將用於MPU(Micro Processor Unit；微處理單元)或閘陣列(gate array)等的多接腳之LSI(Large Scale Integration；大型積體電路)封裝(package)安裝於印刷配線基板之情形中，作為具備複數的電子零件之半導體裝置，係使用於其連接墊部形成有由共晶焊料、高溫焊料、金等所構成之凸狀電極(以下，於本說明書中稱為「端子」)者。而且，採用使該等端子面向、接觸於晶片搭載用基板上之相對應之端子部並進行熔融／擴散接合的安裝方法。

網際網路(Internet)隨著個人電腦之普及而變得普遍，當前，智慧型手機(smartphone)或平板終端亦連接於網際網路，藉由無線通訊技術將經數位化之影像、音樂、照片、文字資訊等經由網際網路傳播之場景日益增加。進而，IoT(Internet of Things；物聯網)普及，將對用以在家電、汽車等各種應用領域中更為智能地使用感測器、RFID(Radio frequency identifier；無線射頻識別器)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems；微機電系統)、無線組件(wireless component)等半導體元件之封裝技術帶來革新的變革。

於如此般電子機器持續進化之過程中，對半導體元件之要求水準逐年提高。尤其若欲響應針對高性能化、小型化、高積體化、低消耗電力化、低成本化之需求，則熱對策、雜訊對策兩者成為要點。

對應於此種熱對策、雜訊對策，例如專利文獻1所揭示般，正採用藉由導電材料將電子零件模組包覆而形成電磁波屏蔽膜之方法。專利文獻1中，將塗佈於經單片化之電子零件模組之頂面及側面之導電性樹脂加熱而進行硬化，形成電磁波屏蔽膜。

專利文獻1所揭示之電子零件的製造方法中，設於集合基板之內面之外部端子電極係以嵌埋於黏著性片材之狀態而被塗佈導電性樹脂。因於黏著性片材之預定位置設有遮罩部，故而可防止外部端子電極與電磁波屏蔽膜出現電性短路。另一方面，於黏著性片材之預定位置設置遮罩部係於步驟上繁雜。

專利文獻2中，揭示了如下之電子零件的製造方法，具備：電極面保護步驟，係於具有基層與設置於基層一面側之黏著劑層之電子零件製造用膜的黏著劑層貼附上未屏蔽電子零件的具備有電極之電極面，而保護電極面；以及屏蔽膜形成步驟，係針對電極面以外之非電極面使用乾式成膜法而形成在非電極面上一體化之導電性的屏蔽膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-151372號公報。 [專利文獻2]日本特開2017-54891號公報。

[發明所欲解決之課題]

對於專利文獻2所揭示之電子零件的製造方法，本案的發明人進行了研究，發現在導電性的屏蔽膜形成後，難以將前述電子零件自電子零件製造用膜剝離，而製造效率降低。

因此，本發明的課題在於提供一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法以及端子保護用帶，前述製造方法將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶進行剝離之步驟中，可容易地剝離，且製造效率高。 [用以解決課題之手段]

亦即，本發明係提供一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法以及於前述製造方法所使用之端子保護用帶。

[1]一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括：於具有黏彈性層之端子保護用帶的前述黏彈性層，埋設具端子之半導體裝置的端子之步驟；於未被埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜之步驟；以及藉由將前述端子保護用帶進行延伸，將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。 [2]一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括：於具有黏彈性層之端子保護用帶之前述黏彈性層埋設具端子之半導體裝置集合體的端子之步驟；切割前述具端子之半導體裝置集合體，使前述具端子之半導體裝置集合體成為於前述端子保護用帶的黏彈性層埋設有端子之具端子之半導體裝置之步驟；於未被埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜之步驟；以及藉由將前述端子保護用帶進行延伸，將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。 [3]如[1]或[2]所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶剝離之前述步驟中前述端子保護用帶的延伸量為1.0mm以上。 [4]如[1]至[3]中任一項所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中當將直徑0.25mm的端子埋設於前述端子保護用帶之前述黏彈性層時，從前述端子保護用帶的厚度方向觀察到出現在前述所埋設之端子的外側之源自氣泡之近似圓形的影子的直徑為0.30mm以上。 [5]如[1]至[4]中任一項所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中在埋設前述具端子之半導體裝置的端子之前述步驟之後、且在形成電磁波屏蔽膜之前述步驟之前，前述端子保護用帶相對於前述具端子之半導體裝置的黏著力為6.5N／25mm以下。 [6]如[1]至[5]中任一項所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述黏彈性層的厚度d1相對於前述具端子之半導體裝置或具端子之半導體裝置集合體的端子的高度h0的比率係滿足1.2≦d1／h0≦5.0。 [7]如[1]至[6]中任一項所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述黏彈性層係具有嵌埋層以及黏著劑層。 [8]如[7]所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中於具有黏彈性層之端子保護用帶之前述黏彈性層埋設具端子之半導體裝置或具端子之半導體裝置集合體的端子之前述步驟中，前述嵌埋層的彈性模數為0.05MPa至20MPa。 [9]如[7]或[8]所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中係依序具有前述黏著劑層、前述嵌埋層、基材。 [10]如[9]所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述基材的楊氏模數為100MPa至2000MPa。 [11]如[7]至[10]中任一項所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述嵌埋層係使用能量線硬化性的構成材料所形成之嵌埋層。 [12]如[7]至[11]中任一項所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述黏著劑層係使用能量線硬化性的黏著劑所形成之黏著劑層。 [13]一種端子保護用帶，係用於如[4]至[12]中任一項所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。 [發明功效]

根據本發明，可提供一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法以及端子保護用帶，前述製造方法將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶進行剝離之步驟中，可容易地剝離，且製造效率高。

[具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法] 本發明的第一實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法係包括：於具有黏彈性層之端子保護用帶的前述黏彈性層埋設具端子之半導體裝置的端子之步驟；於未被埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜之步驟；以及藉由將前述端子保護用帶進行延伸，將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。

本發明的第二實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法係包括：於具有黏彈性層之端子保護用帶之前述黏彈性層埋設具端子之半導體裝置集合體的端子之步驟；切割前述具端子之半導體裝置集合體，使前述具端子之半導體裝置集合體成為於前述端子保護用帶的黏彈性層埋設有端子之具端子之半導體裝置之步驟；於未被埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜之步驟；以及藉由將前述端子保護用帶進行延伸，將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。 以下針對本發明的第一實施形態以及第二實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法所使用之端子保護用帶、以及本發明的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法的各步驟進行詳細地說明。

[端子保護用帶] 圖1係示意性地表示本發明的端子保護用帶的一實施形態之截面圖。再者，關於以下的說明所使用之圖，有時為了容易理解本發明的特徴，方便起見，而放大表示成為主要部之部分的情形，各構成要素的尺寸比率等不一定與實際相同。

如圖1所示之端子保護用帶1，係用於在具端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟之端子保護用帶1，具有黏彈性層12。黏彈性層12較佳係包含嵌埋層13以及黏著劑層14，更佳係由嵌埋層13以及黏著劑層14所構成。

本實施形態之端子保護用帶如圖1所示，亦可於黏彈性層12之嵌埋層13之側之最表層具備剝離膜21，亦可於黏彈性層12之黏著劑層14之側之最表層具備剝離膜20。 本實施形態之端子保護用帶並不限定於圖1所示者，在不損及本發明之功效之範圍內，亦可於如圖1所示者中變更、刪除或追加一部分構成。

如圖1所示之端子保護用帶1可用於如下步驟：將兩方的剝離膜20、剝離膜21剝離，載置於支撐體上，自該端子保護用帶1上將具端子之半導體裝置以端子之側朝下而按壓，將端子埋設於黏彈性層12，進而自該具端子之半導體裝置上形成電磁波屏蔽膜。

本實施形態之端子保護用帶亦可如圖2之端子保護用帶2所示，依序具有黏著劑層14、嵌埋層13及基材11之構成，亦可於黏彈性層12之黏著劑層14之側之最表層具備剝離膜20。 如圖2所示之端子保護用帶2可用於如下步驟：將剝離膜20剝離，將具端子之半導體裝置以端子之側朝下而按壓於作為支撐體之基材11上之黏彈性層12，於黏彈性層12埋設端子，進而自該具端子之半導體裝置上形成電磁波屏蔽膜。

本實施形態之端子保護用帶亦可如圖3之端子保護用帶3所示，依序具有黏著劑層14、嵌埋層13及基材11之構成，且於黏彈性層12之黏著劑層14之側之最表層具備剝離膜20，亦可於基材11中之與黏彈性層12相反之側具備用以貼合於支撐體之第二黏著劑層15(亦即貼合黏著劑層)，亦可為於第二黏著劑層15之側之最表層具備剝離膜22之雙面膠帶。

如圖3所示之端子保護用帶3可用於如下步驟：將剝離膜22剝離，如圖4所示般固定於支撐體30，進而將剝離膜20剝離，將具端子之半導體裝置以端子之側朝下而按壓於黏彈性層12，於黏彈性層12埋設端子，進而自該具端子之半導體裝置上形成電磁波屏蔽膜。

端子保護用帶的斷裂伸長率較佳為10%以上，更佳為15%以上%，又更佳為20%以上。若端子保護用帶的斷裂伸長率為前述下限值以上，則可將端子保護用帶充分地進行延伸，而提高在將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶進行剝離之步驟之剝離性。端子保護用帶的斷裂伸長率亦可未達45%。端子保護用帶的斷裂伸長率係例如較佳為10%以上至未達45%，更佳為15%以上至未達45%，又更佳為20%以上至未達45%。 端子保護用帶的斷裂伸長率可藉由後述的實施例所記載之方法進行測定。

端子保護用帶的斷裂應力較佳為5MPa以上，更佳為10MPa以上，又更佳為15MPa以上。若端子保護用帶的斷裂應力為前述下限值以上，則在端子保護用帶進行延伸時，可均勻地進行延伸。端子保護用帶的斷裂應力亦可為未達30MPa。端子保護用帶的斷裂應力係例如較佳為5MPa以上至未達30MPa，更佳為10MPa以上至未達30MPa，又更佳為15MPa以上至未達30MPa。 端子保護用帶的斷裂應力可藉由後述的實施例所記載之方法進行測定。

以下針對構成本實施形態的端子保護用帶之各層進行說明。

◎黏彈性層 關於本實施形態的端子保護用帶，黏彈性層係用於保護具端子之半導體裝置的端子形成面(換言之為電路面)、以及設置在該端子形成面上之端子。 黏彈性層較佳係具有嵌埋層以及黏著劑層。

黏彈性層的厚度較佳為1μm至1000μm，更佳為5μm至800μm，又更佳為10μm至600μm。 藉由黏彈性層之厚度為前述下限值以上，即便為焊料球等容易產生浮起之端子電極亦可嵌埋。另外，藉由黏彈性層之厚度為前述上限值以下，而抑制端子保護用帶成為過剩之厚度。 此處，所謂「黏彈性層之厚度」，係指黏彈性層整體之厚度，由嵌埋層及黏著劑層之複數層所構成之黏彈性層之厚度係指嵌埋層及黏著劑層之合計厚度。 本說明書中，各層的厚度係例如可依據JIS(Japanese Industrial Standard；日本工業標準)　K6783、Z1702、Z1709，藉由股份有限公司TECLOCK製的定壓厚度測定器(型號：「PG-02J」)進行測定。

於使具端子之半導體裝置之端子形成面密接於黏彈性層12時，較佳為使具端子之半導體裝置之端子形成面直接密接於黏彈性層12中之黏著劑層14。此時，為了防止於端子形成面及端子出現殘糊，黏著劑層14較佳為設定得較嵌埋層13更硬。

從提高將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶進行剝離之步驟中之剝離性的觀點來看，較佳係具端子之半導體裝置的端子相對於黏彈性層12的最外層(例如黏著劑層)之密接性為一定值以下。具端子之半導體裝置的端子相對於黏彈性層12的最外層之密接性，例如可藉由以下的方法進行定量的評價。

若將端子埋設於端子保護用帶的黏彈性層12，並自前述端子保護用帶的厚度方向觀察所埋設之端子，則有時會確認到於所埋設之端子的外側有源自氣泡之近似圓形的影子。該氣泡係表示所埋設之端子與黏彈性層12的最外層之間的空隙，前述近似圓形的影子的面積越大，表示所埋設之端子相對於黏彈性層12的最外層之密接性越低。本實施形態中，將直徑0.25mm的端子埋設於端子保護用帶的黏彈性層12時，從前述端子保護用帶的厚度方向所觀察到出現在前述所埋設之端子的外側之源自氣泡之近似圓形的影子的直徑較佳為0.30mm以上，更佳為0.32mm以上，又更佳為0.34mm以上。若源自氣泡之近似圓形的影子的直徑為前述下限值以上，則具端子之半導體裝置的端子相對於黏彈性層12的最外層之密接性不會變得過高，且提高將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶進行剝離之步驟中之剝離性。再者，源自氣泡之近似圓形的影子的直徑，由於出現在上述的直徑0.25mm的端子的外側，故當然大於0.25mm。源自氣泡之近似圓形的影子的直徑，可採用該影子的最大直徑。源自氣泡之近似圓形的影子的直徑的上限值，只要能展現本發明的效果，並沒有特別限定，例如亦可為1.00mm以下。源自氣泡之近似圓形的影子的直徑，例如較佳為0.30mm以上至0.95mm以下，更佳為0.32mm以上至0.90mm以下，又更佳為0.34mm以上至0.85mm以下。 源自氣泡之近似圓形的影子的直徑可藉由後述的實施例所記載之方法進行測定。

〇黏著劑層 以下，有時將構成黏彈性層的黏著劑層與後述的用以貼合於支撐體的第二黏著劑層相區分而稱為「第一黏著劑層」。 第一黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。本說明書中，所謂「片狀或膜狀」，係指薄膜狀、面内的厚度的差異小、具有可撓性(flexible)者。 作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸系樹脂(由具有(甲基)丙烯醯基之樹脂所構成之黏著劑)、胺基甲酸酯系樹脂(由具有胺基甲酸酯鍵之樹脂所構成之黏著劑)、橡膠系樹脂(由具有橡膠結構之樹脂所構成之黏著劑)、聚矽氧系樹脂(由具有矽氧烷鍵之樹脂所構成之黏著劑)、環氧系樹脂(由具有環氧基之樹脂所構成之黏著劑)、聚乙烯醚、聚碳酸酯等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂。

再者，本發明中，所謂「黏著性樹脂」，為包含具有黏著性之樹脂與具有接著性之樹脂兩者的概念，例如，不僅為樹脂自身具有黏著性者，而且亦包含藉由與添加劑等其它成分併用而顯示黏著性之樹脂、或藉由熱或水等觸發因素之存在而顯示接著性之樹脂等。

第一黏著劑層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上的複數層，若為複數層的情形下，該等複數層可彼此相同亦可不同，該等複數層的組合並沒有特別限定。

再者，本說明書中，不限於第一黏著劑層的情形，所謂「複數層可彼此相同亦可不同」，係指「所有的層亦可相同，所有的層亦可不同，亦可僅一部分的層相同」，進而所謂「複數層彼此不同」，係指「各層的構成材料以及厚度的至少其中一者彼此不同」。

第一黏著劑層的厚度較佳為1μm至1000μm，更佳為2μm至100μm，尤佳為8μm至20μm。 此處，所謂「第一黏著劑層的厚度」，係指第一黏著劑層整體之厚度，例如，所謂由複數層所構成之第一黏著劑層的厚度，係指構成第一黏著劑層之所有的層的合計的厚度。

第一黏著劑層亦可為使用能量線硬化性的黏著劑所形成，亦可為使用非能量線硬化性的黏著劑所形成。由於使用能量線硬化性的黏著劑所形成之第一黏著劑層可容易地調節硬化前以及硬化後之物性故較佳。 本發明中，所謂「能量線」，係指電磁波或荷電粒子線之中具有能量量子者，作為其例，可列舉如紫外線、電子束等。 紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、融合H燈(Fusion H Lamp)或氙燈等作為紫外線源來照射。電子束可照射藉由電子束加速器等所產生者。 本發明中，所謂「能量線硬化性」，係指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，係指即便照射能量線亦不硬化之性質。

使用能量線硬化性的黏著劑來形成第一黏著劑層之情形，硬化前的第一黏著劑層的彈性模數較佳為0.01MPa至0.50MPa，更佳為0.02MPa至0.40MPa，又更佳為0.03MPa至0.35MPa。若硬化前的第一黏著劑層的彈性模數在前述範圍內，可獲得半導體裝置的保持性。 使用能量線硬化性的黏著劑來形成第一黏著劑層之情形、硬化後的第一黏著劑層的彈性模數較佳為1.0MPa至50MPa，更佳為2.0MPa至45MPa，又更佳為3.0MPa至40MPa。若硬化後的第一黏著劑層的彈性模數在前述範圍內，可獲得半導體裝置的保持性。 本說明書中「彈性模數」，係藉由如下之方法所測定之儲存彈性模數：使用黏彈性測定裝置(例如，Rheometrics公司製、裝置名「DYNAMIC　ANALYZER　RDAII」)，將直徑8mm×厚度3mm尺寸的樣品，在1Hz、23℃的環境下以扭轉剪力法測定。 第一黏著劑層的硬化可以上述的第一以及第二實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之任一步驟進行，而較佳係在埋設具端子之半導體裝置(或半導體裝置集合體)的端子之步驟後、且在將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟前進行。

使用非能量線硬化性的黏著劑形成第一黏著劑層之情形，第一黏著劑層的彈性模數較佳為0.10MPa至0.50MPa，更佳為0.11MPa至0.40MPa，又更佳為0.12MPa至0.35MPa。若第一黏著劑層的彈性模數為前述範圍內，可提高將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶進行剝離之步驟中之剝離性。

(第一黏著劑組成物) 第一黏著劑層可使用含有黏著劑之第一黏著劑組成物而形成。例如，於第一黏著劑層之形成對象面塗敷第一黏著劑組成物，根據需要進行乾燥，藉此可於目標部位形成第一黏著劑層。另外，於剝離膜塗敷第一黏著劑組成物，根據需要進行乾燥，藉此可形成目標厚度之第一黏著劑層，亦可將第一黏著劑層轉印至目標部位。第一黏著劑層之更具體之形成方法將與其它層之形成方法一併於下文中詳細說明。第一黏著劑組成物之中於常溫不氣化之成分彼此之含量之比率通常與第一黏著劑層之前述成分彼此之含量之比率相同。再者，本說明書中，所謂「常溫」，係指不特別冷或熱之溫度，亦即平常之溫度，可列舉15℃至25℃之溫度等，例如25℃。

第一黏著劑組成物的塗敷亦可以公知的方法來進行，可列舉例如：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模頭塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、繞線棒(Meyer bar)式塗佈機、吻合式塗佈機等使用各種塗佈機之方法。

第一黏著劑組成物之乾燥條件並無特別限定，第一黏著劑組成物於含有後述的溶劑之情形中，較佳為進行加熱乾燥，於該情形中，例如較佳為以70℃至130℃、10秒鐘至5分鐘之條件進行乾燥。

於第一黏著劑層為能量線硬化性之情形中，作為含有能量線硬化性的黏著劑之第一黏著劑組成物，亦即能量線硬化性之第一黏著劑組成物，例如可列舉：含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)及能量線硬化性化合物之第一黏著劑組成物(I-1)；含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)之第一黏著劑組成物(I-2)；含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性低分子化合物之第一黏著劑組成物(I-3)等。

[第一黏著劑組成物(I-1)] 第一黏著劑組成物(I-1)如上所述，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物。

(黏著性樹脂(I-1a)) 前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸系樹脂。 作為前述丙烯酸系樹脂，例如可列舉至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之丙烯酸系聚合物。 前述丙烯酸系樹脂所具有之結構單元可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等結構單元之組合及比率可任意選擇。

作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉構成烷基酯之烷基之碳數為1至20者，前述烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀。 作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。

再者，本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，係包含「丙烯酸」以及「甲基丙烯酸」的兩者之概念。關於類似於(甲基)丙烯酸之用語亦相同，例如，所謂「(甲基)丙烯酸酯」，係包含「丙烯酸酯」以及「甲基丙烯酸酯」的兩者之概念，所謂「(甲基)丙烯醯基」，係包含「丙烯醯基」以及「甲基丙烯醯基」的兩者之概念。

從提高第一黏著劑層之黏著力之方面來看，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有源自前述烷基之碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。而且，就更提高第一黏著劑層之黏著力之方面來說，前述烷基之碳數較佳為4至12，更佳為4至8。另外，前述烷基之碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯，較佳為丙烯酸烷基酯。

前述丙烯酸系聚合物較佳為除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進而具有源自含官能基之單體之結構單元。 作為前述含官能基之單體，例如可列舉：藉由前述官能基與後述的交聯劑反應而成為交聯之起點、或藉由前述官能基與含不飽和基之化合物中之官能基反應而可於丙烯酸系聚合物之側鏈導入不飽和基之單體。

作為含官能基之單體中之前述官能基，可列舉例如：羥基、羧基、胺基、環氧基等。 亦即，作為含官能基之單體，可列舉例如：含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。

作為前述含羥基之單體，可列舉例如：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(亦即不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等，較佳為(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯，更佳為丙烯酸-2-羥基乙酯。

作為前述含羧基之單體，可列舉例如：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸的酐；甲基丙烯酸-2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。

含官能基之單體較佳為含羥基之單體、含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。

構成前述丙烯酸系聚合物之含官能基之單體可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等含官能基之單體之組合及比率可任意選擇。

於前述丙烯酸系聚合物中，相對於結構單元之總量，源自含官能基之單體之結構單元之含量較佳為1質量%至35質量%，更佳為3質量%至32質量%，尤佳為5質量%至30質量%。

前述丙烯酸系聚合物亦可除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元及源自含官能基之單體之結構單元以外，進而具有源自其它單體之結構單元。 前述其它單體只要可與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚合，則並無特別限定。 作為前述其它單體，可列舉例如：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。

構成前述丙烯酸系聚合物之前述其它單體可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等其它單體之組合及比率可任意選擇。

前述丙烯酸系聚合物可用作上述非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)。 另一方面，使具有能量線聚合性不飽和基(能量線聚合性基)之含不飽和基之化合物與前述丙烯酸系聚合物中之官能基反應而成者可用作上述能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。 再者，於本發明中，所謂「能量線聚合性」，係指藉由照射能量線而聚合之性質。

第一黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等黏著性樹脂(I-1a)之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-1)中，相對於第一黏著劑組成物(I-1)之總質量，黏著性樹脂(I-1a)之含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。

(能量線硬化性化合物) 作為第一黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且藉由照射能量線而可硬化之單體或低聚物。 能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物中，作為低聚物，例如可列舉上述所例示之單體聚合而成之低聚物等。 能量線硬化性化合物從分子量相對較大且不易使第一黏著劑層之儲存彈性模量降低之方面來看，較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物。 本說明書中，所謂「低聚物」，係指重量平均分子量或式量為5,000以下之物質(但是不包括單體)。

第一黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等能量線硬化性化合物之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-1)中，相對於第一黏著劑組成物(I-1)之總質量，前述能量線硬化性化合物之含量較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。

(交聯劑) 於使用除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外進而具有源自含官能基之單體之結構單元的前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形中，第一黏著劑組成物(I-1)較佳為進而含有交聯劑。

前述交聯劑例如與前述官能基反應，將黏著性樹脂(I-1a)彼此交聯。 作為交聯劑，例如可列舉：2,6-二異氰酸甲苯酯等甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、該等二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚、N,N’-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(縮水甘油基胺)等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。 就提高黏著劑之凝聚力而提高第一黏著劑層之黏著力之方面、及容易獲取等方面來看，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。

第一黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等交聯劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-1)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為1質量份至10質量份。

(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-1)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。

作為前述光聚合起始劑，可列舉例如：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-縮酮化合物化合物；、偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；二苯乙二酮(benzil)、聯苄(dibenzyl)、二苯甲酮、2,4-二乙基噻噸酮、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2-氯蒽醌等。 另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用：1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。

第一黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-1)中，相對於前述能量線硬化性化合物之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。

(其它添加劑) 第一黏著劑組成物(I-1)亦可於不損及本發明之功效之範圍內，含有不相當於上述任一成分之其它添加劑。 作為前述其它添加劑，可列舉例如：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、增黏劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知之添加劑。 再者，所謂反應延遲劑，例如為抑制下述情形者：由於混入至第一黏著劑組成物(I-1)中之觸媒之作用，而於保存中之第一黏著劑組成物(I-1)中進行非目標之交聯反應。作為反應延遲劑，可列舉例如藉由對觸媒之螯合而形成螯合錯合物者，更具體而言，可列舉於一分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)者。

第一黏著劑組成物(I-1)所含有之其它添加劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等其它添加劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-1)中，其它添加劑之含量並沒有特別限定，只要根據該其它添加劑之種類而適當選擇即可。

(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶劑。第一黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶劑，而提高對塗敷對象面之塗敷適性。

前述溶劑較佳為有機溶劑，作為前述有機溶劑，可列舉例如：甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。

作為前述溶劑，例如可將製造黏著性樹脂(I-1a)時所用者不自黏著性樹脂(I-1a)中去掉而直接於第一黏著劑組成物(I-1)中使用，亦可於製造第一黏著劑組成物(I-1)時另行添加種類與製造黏著性樹脂(I-1a)時所用者相同或不同之溶劑。

第一黏著劑組成物(I-1)所含有之溶劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等溶劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-1)中，溶劑的含量並沒有特別限定，只要適當調節即可。

(第一黏著劑組成物(I-2)) 第一黏著劑組成物(I-2)如上所述，含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。

(黏著性樹脂(I-2a)) 前述黏著性樹脂(I-2a)例如係藉由使具有能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應而獲得。

前述含不飽和基之化合物為除了前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應而可與黏著性樹脂(I-1a)鍵結之基的化合物。 作為前述能量線聚合性不飽和基，可列舉例如：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(亦稱為乙烯基(ethenyl))、烯丙基(亦稱為2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為可與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應之基，可列舉例如：可與羥基或胺基反應之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及可與羧基或環氧基反應之羥基及胺基等。

作為前述含不飽和基之化合物，可列舉例如：(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等，較佳為(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯，其中尤佳為2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。 前述異氰酸酯化合物可與黏著性樹脂(I-1a)中之羥基反應，將黏著性樹脂(I-1a)中之總羥基設為100mol時的前述異氰酸酯化合物之使用量較佳為10mol至150mol，更佳為20mol至140mol，又更佳為30mol至130mol。

第一黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等黏著性樹脂(I-2a)之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-2)中，相對於第一黏著劑組成物(I-2)之總質量，黏著性樹脂(I-2a)之含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。

(交聯劑) 例如於使用與黏著性樹脂(I-1a)中者相同的具有源自含官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-2a)之情形中，第一黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。

作為第一黏著劑組成物(I-2)中之前述交聯劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等交聯劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為1質量份至10質量份。

(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-2)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。

作為第一黏著劑組成物(I-2)中之前述光聚合起始劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之光聚合起始劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。

(其它添加劑) 第一黏著劑組成物(I-2)亦可於不損及本發明之功效之範圍內，含有不相當於上述任一成分之其它添加劑。 作為第一黏著劑組成物(I-2)中之前述其它添加劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之其它添加劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之其它添加劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等其它添加劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-2)中，其它添加劑之含量並沒有特別限定，只要根據該其它添加劑之種類而適當選擇即可。

(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-2)亦能以與第一黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的而含有溶劑。 作為第一黏著劑組成物(I-2)中之前述溶劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之溶劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之溶劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等溶劑之組合及比率可任意選擇。 於第一黏著劑組成物(I-2)中，溶劑之含量並沒有特別限定，只要適當調節即可。

(第一黏著劑組成物(I-3)) 第一黏著劑組成物(I-3)如上所述，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性低分子化合物。

於第一黏著劑組成物(I-3)中，相對於第一黏著劑組成物(I-3)之總質量，黏著性樹脂(I-2a)之含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。

(能量線硬化性低分子化合物) 作為第一黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性低分子化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且藉由照射能量線而可硬化之單體及低聚物，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性低分子化合物可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等能量線硬化性低分子化合物之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，前述能量線硬化性低分子化合物之含量較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。

(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-3)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。

作為第一黏著劑組成物(I-3)中之前述光聚合起始劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性低分子化合物之總含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。

(其它添加劑) 第一黏著劑組成物(I-3)亦可於不損及本發明之功效之範圍內，含有不相當於上述任一成分之其它添加劑。 作為前述其它添加劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之其它添加劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之其它添加劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等其它添加劑之組合及比率可任意選擇。

於第一黏著劑組成物(I-3)中，其它添加劑之含量並沒有特別限定，只要根據該其它添加劑之種類而適當選擇即可。

(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-3)亦能以與第一黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的而含有溶劑。 作為第一黏著劑組成物(I-3)中之前述溶劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)中之溶劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之溶劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等溶劑之組合及比率可任意選擇。 於第一黏著劑組成物(I-3)中，溶劑之含量並沒有特別限定，只要適當調節即可。

(第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)以外之第一黏著劑組成物) 至此為止，主要對第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)及第一黏著劑組成物(I-3)進行了說明，但作為該等之含有成分而說明者，即便於該等三種第一黏著劑組成物以外之所有第一黏著劑組成物(於本實施形態中，稱為「第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)以外之第一黏著劑組成物」)中亦可同樣地使用。

作為第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)以外之第一黏著劑組成物，除了能量線硬化性之第一黏著劑組成物以外，亦可舉出非能量線硬化性之第一黏著劑組成物。 作為非能量線硬化性之第一黏著劑組成物，可列舉例如：含有丙烯酸系樹脂(具有(甲基)丙烯醯基之樹脂)、胺基甲酸酯系樹脂(具有胺基甲酸酯鍵之樹脂)、橡膠系樹脂(具有橡膠結構之樹脂)、聚矽氧系樹脂(具有矽氧烷鍵之樹脂)、環氧系樹脂(具有環氧基之樹脂)、聚乙烯醚或聚碳酸酯等黏著性樹脂之黏著劑組成物，較佳為含有丙烯酸系樹脂之黏著劑組成物。

第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)以外之第一黏著劑組成物較佳係含有一種或兩種以上的交聯劑，其含量可與上述的第一黏著劑組成物(I-1)等情形相同。

[第一黏著劑組成物的製造方法] 第一黏著劑組成物(I-1)至第一黏著劑組成物(I-3)等前述第一黏著劑組成物係藉由調配前述黏著劑以及根據需要所添加之前述黏著劑以外之成分等用以構成第一黏著劑組成物之各成分而獲得。 調配各成分時之添加順序並沒有特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。 於使用溶劑之情形中，可藉由將溶劑與溶劑以外之任一調配成分混合而將該調配成分預先稀釋而使用，亦可不將溶劑以外之任一調配成分預先稀釋，而藉由將溶劑與該等調配成分混合而使用。 於調配時混合各成分之方法並沒有特別限定，只要自下述方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合器進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等公知之方法。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各調配成分致不劣化則並沒有特別限定，只要適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。

(第一黏著劑層之組成) 本實施形態中之第一黏著劑層之組成係自上述第一黏著劑層組成物中去掉溶劑而成。 於第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-1)之情形之中第一黏著劑層(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)相對於第一黏著劑層(I-1)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，又更佳為60質量%至90質量%。另外，作為本發明之另一方面，黏著性樹脂(I-1a)相對於第一黏著劑層(I-1)之總質量的含有比率亦可為25質量%至80質量%，亦可為30質量%至75質量%，亦可為35質量%至70質量%。另外，能量線硬化性化合物相對於第一黏著劑層(I-1)之總質量的含有比率較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至48質量%，又更佳為5質量%至45質量%。於第一黏著劑層(I-1)含有交聯劑之情形中，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-1)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至8質量%。第一黏著劑層(I-1)含有光聚合起始劑之情形中，光聚合起始劑相對於第一黏著劑層(I-1)的總質量之含有比率較佳為0.5質量%至18.0質量%，更佳為0.7質量%至17.5質量%，又更佳為1.0質量%至15.0質量%。 以下，本說明書中所謂「含有比率」，當對象為單體之情形係指單體本身的含有比率、當為單體聚合之情形係指源自單體之結構單元之含有比率。

於第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-2)之情形中之第一黏著劑層(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)相對於第一黏著劑層(I-2)之總質量的含有比率較佳為70.0質量%至99.0質量%，更佳為72.5質量%至97.5質量%，又更佳為75.0質量%至95.0質量%。於第一黏著劑層(I-2)含有交聯劑之情形中，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-2)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至3.0質量%，更佳為0.2質量%至2.5質量%，又更佳為0.3質量%至2.0質量%。第一黏著劑層(I-2)含有光聚合起始劑之情形中，光聚合起始劑相對於第一黏著劑層(I-2)的總質量之含有比率較佳為0.5質量%至18.0質量%，更佳為0.7質量%至17.5質量%，又更佳為1.0質量%至17.0質量%。

於第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-3)之情形中之第一黏著劑層(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)相對於第一黏著劑層(I-3)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，又更佳為60質量%至90質量%。另外，能量線硬化性低分子化合物相對於第一黏著劑層(I-3)之總質量的含有比率較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至48質量%，又更佳為5質量%至45質量%。於第一黏著劑層(I-3)含有交聯劑之情形中，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-3)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至8質量%。第一黏著劑層(I-3)含有光聚合起始劑之情形中，光聚合起始劑相對於第一黏著劑層(I-3)的總質量之含有比率較佳為0.5質量%至18.0質量%，更佳為0.7質量%至17.5質量%，又更佳為1.0質量%至17.0質量%。

於本實施形態中，較佳為含有黏著性樹脂(1-2a)及交聯劑之第一黏著劑層(I-2)。於該情形中，黏著性樹脂(1-2a)較佳為使具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物來與具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含羥基之單體之單元的丙烯酸系聚合物反應而獲得之丙烯酸系聚合物。交聯劑可使用第一黏著劑組成物(I-1)中所例示之化合物，尤佳為使用2,6-二異氰酸甲苯酯。光聚合起始劑可使用於第一黏著劑組成物(I-1)中所例示之化合物，尤佳為使用1-羥基環己基苯基酮。

源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(1-2a)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為60質量%至98質量%，又更佳為70質量%至97質量%。源自含羥基之單體之單元相對於黏著性樹脂(1-2a)之總質量的含有比率較佳為0.5質量%至15質量%，更佳為1.0質量%至10質量%，又更佳為2.0質量%至10質量%。黏著性樹脂(1-2a)中之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為烷基之碳數為1至12，更佳為1至4。黏著性樹脂(1-2a)較佳為具有兩種以上之源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元，更佳為具有源自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯之結構單元，又更佳為具有源自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯之結構單元。作為黏著性樹脂(1-2a)中之含羥基之單體，可使用上述黏著性樹脂(1-1a)中所例示者，尤佳為使用丙烯酸-2-羥基乙酯。作為具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物，可使用第一黏著劑組成物(I-2)中所例示之化合物，尤佳為使用2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。將前述源自含羥基之單體之總羥基設為100mol時的前述具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物之使用量較佳為20mol至80mol，更佳為25mol至75mol，又更佳為30mol至70mol。

〇嵌埋層 於本實施形態之端子保護用帶中，嵌埋層係指黏彈性層之中埋設具端子之半導體裝置之端子而進行保護之層。 嵌埋層為片狀或膜狀，只要滿足前述條件之關係，則該嵌埋層之構成材料並沒有特別限定。

例如，若目的為抑制因著存在於半導體表面之端子之形狀反映至用以覆蓋成為保護對象的具端子之半導體裝置之端子形成面的黏彈性層所導致之黏彈性層變形之情形中，作為前述嵌埋層之較佳構成材料，從嵌埋層之貼附性進一步提高之方面來看，可列舉(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂等。

嵌埋層可為僅一層(單層)，亦可為兩層以上之複數層，於為複數層之情形中，該等複數層可彼此相同亦可不同，該等複數層之組合並沒有特別限定。

嵌埋層的厚度能以使黏彈性層的厚度成為上述較佳範圍內的方式，根據成為保護對象之具端子之半導體裝置的端子形成面的端子的高度而適當調節，從亦可容易地吸收高度相對較高之端子之影響之方面來看，較佳為50μm至600μm，更佳為70μm至550μm，又更佳為80μm至500μm。藉由嵌埋層之厚度為前述下限值以上，而可形成端子之保護性能更高之黏彈性層。另外，藉由嵌埋層之厚度為前述上限值以下，而提高生產性及成為輥形狀時之捲取適性。 此處，所謂「嵌埋層之厚度」，係指嵌埋層整體之厚度，例如所謂由複數層所構成之嵌埋層之厚度，係指構成嵌埋層之所有層之合計厚度。

嵌埋層較佳為具有與埋設端子相應的柔軟性質，較佳為較第一黏著劑層更為柔軟。

嵌埋層亦可為使用能量線硬化性的構成材料所形成者，亦可為使用非能量線硬化性的構成材料所形成者。使用能量線硬化性的構成材料所形成之嵌埋層可容易地調節硬化前以及硬化後之物性故較佳。 嵌埋層使用能量線硬化性的構成材料而形成之情形中，硬化前的嵌埋層的彈性模數較佳為0.01MPa至1.0MPa，更佳為0.02MPa至0.9MPa，又更佳為0.03MPa至0.8MPa。若硬化前的嵌埋層的彈性模數為前述範圍内，則可獲得半導體裝置的保持性。 嵌埋層使用能量線硬化性的構成材料而形成之情形中，硬化後的嵌埋層的彈性模數較佳為1.0MPa至100MPa，更佳為2.0MPa至95MPa，又更佳為3.0MPa至90MPa。若硬化後的嵌埋層的彈性模數為前述範圍内，則可獲得半導體裝置的保持性。 於嵌埋層係使用含有後述的丙烯酸系樹脂之嵌埋層形成用組成物(I)所形成之嵌埋層(I)的情形中，嵌埋層(I)的硬化可以在上述的第一實施形態以及第二實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之任一步驟進行，而較佳係在埋設具端子之半導體裝置(或半導體裝置集合體)的端子之步驟後、且在將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟前進行。 於嵌埋層係使用含有後述的(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之嵌埋層形成用組成物(II)所形成之嵌埋層(II)的情形中，嵌埋層(II)的硬化可以在上述的第一實施形態以及第二實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之任一步驟進行，而較佳係在埋設具端子之半導體裝置(或半導體裝置集合體)的端子之步驟前進行。

(嵌埋層形成用組成物) 嵌埋層可使用含有該嵌埋層之構成材料之嵌埋層形成用組成物而形成。 例如，於嵌埋層之形成對象面塗敷嵌埋層形成用組成物，根據需要進行乾燥，藉由照射能量線而硬化，藉此可於目標部位形成嵌埋層。另外，亦可於剝離膜塗敷嵌埋層形成用組成物，根據需要進行乾燥，藉由照射能量線而硬化，藉此可形成目標厚度之嵌埋層，而將嵌埋層轉印至目標部位。嵌埋層之更具體之形成方法將與其它層之形成方法一併於下文中詳細說明。嵌埋層形成用組成物之中於常溫不氣化之成分彼此之含量之比率通常與嵌埋層之前述成分彼此之含量之比率相同。

嵌埋層形成用組成物的塗敷只要藉由公知之方法進行即可，可列舉例如：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模頭塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、繞線棒式塗佈機、吻合式塗佈機等使用各種塗佈機之方法。

嵌埋層形成用組成物之乾燥條件並沒有特別限定，嵌埋層形成用組成物於含有後述的溶劑之情形中，較佳為進行加熱乾燥，於該情形中，例如較佳為以70℃至130℃、10秒鐘至5分鐘之條件乾燥。 嵌埋層形成用組成物於具有能量線硬化性之情形中，較佳為藉由照射能量線而硬化。

作為嵌埋層形成用組成物，可列舉例如：含有丙烯酸系樹脂之嵌埋層形成用組成物(I)、含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之嵌埋層形成用組成物(II)等。

(嵌埋層形成用組成物(I)) 嵌埋層形成用組成物(I)含有丙烯酸系樹脂。 作為嵌埋層形成用組成物(I)，可將上述的第一黏著劑組成物(I-1)中之含有作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之組成物、及第一黏著劑組成物(I-2)中之含有於作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)之組成物用作嵌埋層形成用組成物(I)。

嵌埋層形成用組成物(I)中所用之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物與上述的第一黏著劑組成物(I-1)中所用之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之說明相同。 嵌埋層形成用組成物(I)中所用之黏著性樹脂(I-2a)與上述的第一黏著劑組成物(I-2)中所用之黏著性樹脂(I-2a)之說明相同。 嵌埋層形成用組成物(I)較佳為進而含有交聯劑。嵌埋層形成用組成物(I)中所用之交聯劑與上述的第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)中所用之交聯劑之說明相同。 嵌埋層形成用組成物(I)亦可進而含有光聚合起始劑、其它添加劑。嵌埋層形成用組成物(I)中所用之光聚合起始劑、其它添加劑與上述的第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)中所用之光聚合起始劑、其它添加劑之說明相同。 嵌埋層形成用組成物(I)亦可含有溶劑。嵌埋層形成用組成物(I)中所用之溶劑與上述的第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)中所用之溶劑之說明相同。

藉由調整嵌埋層形成用組成物(I)中之黏著性樹脂(I-1a)以及／或是能量線硬化性化合物之分子量，而能以嵌埋層具有與埋設端子相應的柔軟性質之方式設計。 另外，藉由調整嵌埋層形成用組成物(I)中交聯劑之含量，而能以嵌埋層具有與埋設端子相應的柔軟性質之方式設計。

(嵌埋層(I)之組成) 本實施形態中之嵌埋層之組成係自上述嵌埋層形成用組成物(I)中去掉溶劑而成。 於嵌埋層形成用組成物(I)為上述的第一黏著劑組成物(I-1)中之含有作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之組成物之情形的嵌埋層(I)中，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於嵌埋層(I)之總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，又更佳為60質量%至90質量%。作為本發明之另一方面，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於嵌埋層(I)之總質量的含有比率亦可為45質量%至90質量%，亦可為50質量%至85質量%。另外，能量線硬化性化合物相對於嵌埋層(I)之總質量的含有比率較佳為0.5質量%至50質量%，又更佳為5質量%至45質量%。於嵌埋層(I)含有交聯劑之情形中，交聯劑相對於嵌埋層(I)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至8質量%。 嵌埋層(I)含有光聚合起始劑之情形中，光聚合起始劑相對於嵌埋層(I)的總質量之含有比率較佳為0.5質量%至18.0質量%，更佳為0.7質量%至17.5質量%，又更佳為1.0質量%至17.0質量%。

於嵌埋層形成用組成物(I)為含有於作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)之組成物之情形的嵌埋層(I)中，於側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)相對於嵌埋層之總質量的含有比率較佳為10質量%至70質量%，更佳為15質量%至65質量%，又更佳為20質量%至60質量%。於嵌埋層(I)含有交聯劑之情形中，交聯劑相對於嵌埋層(I)之總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至8質量%。嵌埋層(I)含有光聚合起始劑之情形中，光聚合起始劑相對於嵌埋層(I)的總質量之含有比率較佳為0.5質量%至18.0質量%，更佳為0.7質量%至17.5質量%，又更佳為1.0質量%至17.0質量%。本實施形態之嵌埋層(I)亦可進而含有前述作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)。於該情形中，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於嵌埋層(I)之總質量的含有比率較佳為20.0質量%至60.0質量%，更佳為22.5質量%至57.5質量%，又更佳為25.0質量%至55.0質量%。另外，於本實施形態之嵌埋層(I)進而含有前述作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之情形中，前述黏著性樹脂(1-1a)相對於前述黏著性樹脂(1-2a)100質量份的含量較佳為70.0質量份至99.0質量份，更佳為72.5質量份至97.5質量份，又更佳為75.0質量份至95.0質量份。

關於嵌埋層(I)所含的作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)、能量線硬化性化合物、或是於黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)之組成等，亦可與上述的第一黏著劑組成物(I-1)中所用之作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)、能量線硬化性化合物、於黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(1-2a)之說明相同。

於本實施形態中，較佳為含有黏著性樹脂(1-2a)、黏著性樹脂(1-1a)、交聯劑及光聚合起始劑之嵌埋層(I)。於該情形中，黏著性樹脂(1-1a)較佳為具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含羧基之單體之單元的丙烯酸系聚合物。另外，黏著性樹脂(1-2a)較佳為使具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物來和具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含羥基之單體之單元的丙烯酸系聚合物反應而獲得的丙烯酸系聚合物。交聯劑可使用上述的第一黏著劑組成物(I-1)中所例示之化合物，尤佳為使用2,6-二異氰酸甲苯酯、N,N’-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(縮水甘油基胺)。交聯劑可使用上述的第一黏著劑組成物(I-1)中所例示之化合物，尤佳為使用1-羥基環己基苯基酮。

源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(1-1a)之總質量的含有比率較佳為75質量%至99質量%，更佳為80質量%至98質量%，又更佳為85質量%至97質量%。含羧基之單體之結構單元相對於黏著性樹脂(1-1a)之總質量的含有比率較佳為1.0質量%至30質量%，更佳為2.0質量%至25質量%，又更佳為3.0質量%至20質量%，尤佳為5.0質量%至15質量%。黏著性樹脂(1-1a)中之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為烷基之碳數為4至12，更佳為4至8。另外，於黏著性樹脂(1-1a)中，較佳為丙烯酸烷基酯。其中，前述(甲基)丙烯酸烷基酯尤佳為丙烯酸正丁酯。另外，作為黏著性樹脂(1-1a)中之含羧基之單體，可列舉乙烯性不飽和單羧酸、乙烯性不飽和二羧酸、乙烯性不飽和二羧酸之酐，其中較佳為乙烯性不飽和單羧酸，更佳為(甲基)丙烯酸，尤佳為丙烯酸。 本實施形態之黏著性樹脂(1-1a)之重量平均分子量較佳為100,000至800,000，更佳為150,000至700,000，又更佳為200,000至600,000。 再者，於本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則為藉由GPC(Gel Permeation Chromatography；凝膠滲透層析)法測定之聚苯乙烯換算值。

源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(1-2a)之總質量的含有比率較佳為1.0質量%至95質量%，更佳為2.0質量%至90質量%，又更佳為3.0質量%至85質量%。源自含羥基之單體之單元相對於黏著性樹脂(1-2a)之總質量的含有比率較佳為1.0質量%至50質量%，更佳為2.0質量%至45質量%，又更佳為3.0質量%至40質量%。黏著性樹脂(1-2a)中之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為烷基之碳數為1至12，更佳為1至4。黏著性樹脂(1-2a)較佳為具有兩種以上之源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元，更佳為具有源自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯之結構單元，又更佳為具有源自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯之結構單元。作為黏著性樹脂(1-2a)中之含羥基之單體，可使用後述的第一黏著劑組成物(I-1)中所例示者，尤佳為使用丙烯酸-2-羥基乙酯。作為具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物，可使用後述的第一黏著劑組成物(I-2)中所例示之化合物，尤佳為使用2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。將前述源自含羥基之單體的總羥基設為100mol時，前述具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物之使用量較佳為20mol至200mol，更佳為30mol至190mol，又更佳為30mol至180mol。 本實施形態之黏著性樹脂(1-2a)之重量平均分子量較佳為50,000至1,000,000，更佳為60,000至900,000，又更佳為70,000至800,000。

(嵌埋層形成用組成物(II)) 嵌埋層形成用組成物(II)係含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。

((甲基)丙烯酸胺基甲酸酯) (甲基)丙烯酸胺基甲酸酯係於1分子中至少具有(甲基)丙烯醯基以及胺基甲酸酯鍵之化合物，且具有能量線聚合性。 (甲基)丙烯酸胺基甲酸酯亦可為單官能者(於1分子中僅具有1個(甲基)丙烯醯基)，亦可為二官能以上者(於1分子中具有2個以上的(甲基)丙烯醯基)亦即多官能者，較佳係使用至少單官能者。 再者，上述的黏著性樹脂(1－2a)、能量線硬化性化合物、能量線硬化性低分子化合物之中，於1分子中至少具有(甲基)丙烯醯基以及胺基甲酸酯鍵之化合物或樹脂不算入嵌埋層形成用組成物(II)中之(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。

作為嵌埋層形成用組成物所含有之前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯，可列舉例如：使多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應而獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，進而使具有羥基以及(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸系化合物與該末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物反應而獲得者。此處，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」，係指具有胺基甲酸酯鍵、且於分子的末端部具有異氰酸酯基之預聚物。

嵌埋層形成用組成物(II)所含有之(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之組合及比率可任意選擇。

(A)多元醇化合物 前述多元醇化合物只要於1分子中具有2個以上之羥基之化合物即可，並沒有特別限定。 前述多元醇化合物亦可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，併用兩種以上之情形中，該等多元醇化合物之組合及比率可任意選擇。

作為前述多元醇化合物，可列舉例如：伸烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。 前述多元醇化合物亦可為2官能的二醇、3官能的三醇、4官能以上的多元醇等中任一者，從容易獲取且通用性以及反應性等優異的方面來看，較佳為二醇。

・聚醚型多元醇 前述聚醚型多元醇並沒有特別限定，較佳為聚醚型二醇，作為前述聚醚型二醇，可列舉例如以下述式(1)所表示之化合物。

[化1]

(其中上述(1)式中，n為2以上的整數；R為2價的烴基，複數個的R可彼此相同或不同。)

上述(1)式中，n表示以式「－R－O－」所表示之基的重覆單元數，只要是2以上的整數即可並沒有特別限定。 其中n較佳為10至250，更佳為25至205，尤佳為40至185。

上述(1)式中，R只要是2價的烴基即可並沒有特別限定，較佳為伸烷基，更佳為碳數1至6的伸烷基，又更佳為伸乙基、伸丙基或四亞甲基，尤佳為伸丙基或四亞甲基。

上述(1)式所表示之化合物，較佳為聚乙二醇、聚丙二醇或聚丁二醇，更佳為聚丙二醇或聚丁二醇。

藉由使前述聚醚型二醇與前述多元異氰酸酯化合物反應，可獲得具有如下述式(1a)所表示之醚鍵部分之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物作為前述末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物。而且，藉由使用這種前述末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯成為前述具有醚鍵部分之(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯(亦即具有衍生自前述聚醚型二醇之結構單元之(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯)。

[化2]

(其中上述(1a)式中，R以及n係與前述相同。)

・聚酯型多元醇 前述聚酯型多元醇並沒有特別限定，可列舉例如藉由使用多元酸或其衍生物進行酯化反應所獲得之聚酯型多元醇等。再者，於本實施形態中所謂「衍生物」，若無特別限定，係指原本化合物的1個以上的基被其以外之基(取代基)所取代而成者。此處，所謂「基」，不僅是複數個的原子鍵結而成之原子團，亦包括1個的原子。

作為前述多元酸及其衍生物，可列舉如作為聚酯之製造原料而通常被使用之多元酸及其衍生物。 作為前述多元酸，可列舉例如：飽和脂肪族多元酸、不飽和脂肪族多元酸、芳香族多元酸等，亦可使用相當於該等任一者之二聚酸。

作為前述飽和脂肪族多元酸，可列舉例如：草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸等飽和脂肪族二元酸等。 作為前述不飽和脂肪族多元酸，可列舉例如：馬來酸、富馬酸等不飽和脂肪族二元酸等。 作為前述芳香族多元酸，可列舉例如：鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、2,6-萘二羧酸等芳香族二元酸；偏苯三酸等芳香族三元酸；均苯四酸等芳香族四元酸等。

作為前述多元酸的衍生物，可列舉例如：上述的飽和脂肪族多元酸、不飽和脂肪族多元酸以及芳香族多元酸的酸酐、以及氫化二聚酸等。

前述多元酸或其衍生物，皆可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，併用兩種以上之情形中，該等多元酸或其衍生物之組合及比率可任意選擇。

前述多元酸，從適於形成具有適度的硬度之嵌埋層的方面來說，較佳為芳香族多元酸。

為獲得聚酯型多元醇之酯化反應中，亦可根據需要而使用公知的觸媒。 作為前述觸媒，可列舉例如：二丁基錫氧化物、異辛酸亞錫等錫化合物；鈦酸四丁酯、鈦酸四丙酯等烷氧基鈦等。

・聚碳酸酯型多元醇 聚碳酸酯型多元醇並沒有特別限定，可舉出例如：與上述(1)式所表示之化合物相同的二醇反應來和伸烷基碳酸酯反應所獲得者等。 此處，二醇以及伸烷基碳酸酯皆可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，併用兩種以上之情形中，該等二醇以及伸烷基碳酸酯之組合及比率可任意選擇。

自前述多元醇化合物的羥值所算出之數量平均分子量較佳為1000至10000，更佳為2000至9000，尤佳為3000至7000。藉由前述數量平均分子量為1000以上，可抑制胺基甲酸酯鍵的過度生成，使得嵌埋層的黏彈性特性的控制變得更容易。另外，藉由前述數量平均分子量為10000以下，可抑制嵌埋層的過度軟化。 所謂自多元醇化合物的羥值所算出之前述數量平均分子量，係指自下述式所算出之值。 [多元醇化合物的數量平均分子量]＝[多元醇化合物的官能基數]×56.11×1000／[多元醇化合物的羥值(單元：mgKOH／g)]

前述多元醇化合物較佳為聚醚型多元醇，更佳為聚醚型二醇。

(B)多元異氰酸酯化合物 與多元醇化合物進行反應之前述多元異氰酸酯化合物，只要是具有2個以上之異氰酸酯基者即可，並沒有特別限定。 多元異氰酸酯化合物亦可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，併用兩種以上之情形中，該等多元異氰酸酯化合物之組合及比率可任意選擇。

作為前述多元異氰酸酯化合物，可列舉例如：四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等鏈狀脂肪族二異氰酸酯；異佛酮二異氰酸酯、降冰片烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等環狀脂肪族二異氰酸酯；4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、三嗪二異氰酸酯、四亞甲基二甲苯二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯等。 該等之中，由操作性的方面來看，多元異氰酸酯化合物較佳為異佛酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯或二甲苯二異氰酸酯。

(C)(甲基)丙烯酸系化合物 用以與前述末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物進行反應之前述(甲基)丙烯酸系化合物，只要是在1分子中至少具有羥基以及(甲基)丙烯醯基之化合物即可，並沒有特別限定。 前述(甲基)丙烯酸系化合物亦可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，併用兩種以上之情形中，該等(甲基)丙烯酸系化合物之組合及比率可任意選擇。

作為前述(甲基)丙烯酸系化合物，可列舉例如：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基環己酯、(甲基)丙烯酸-5-羥基環辛酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等含羥基之(甲基)丙烯醯胺；乙烯醇、乙烯基苯酚或雙酚A二縮水甘油醚與(甲基)丙烯酸進行反應所獲得之反應物等。 該等之中，前述(甲基)丙烯酸系化合物較佳為含羥基之(甲基)丙烯酸酯，更佳為含羥基之(甲基)丙烯酸烷基酯，尤佳為(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯。

前述末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物與前述(甲基)丙烯酸系化合物之反應，亦可根據需要而使用溶劑、觸媒等來進行。

前述末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物與前述(甲基)丙烯酸系化合物進行反應時的條件，只要適當調節即可，例如反應溫度較佳為60℃至100℃，反應時間較佳為1小時至4小時。

前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯亦可為低聚物、聚合物、以及低聚物與聚合物的混合物中任一者，較佳為低聚物。 例如，前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯的重量平均分子量較佳為1000至100000，更佳為3000至80000，尤佳為5000至65000。藉由前述重量平均分子量為1000以上，於(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯與後述之聚合性單體之聚合物中，起因於源自(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯的構造彼此的分子間力，使嵌埋層的硬度的最佳化變得容易。

(聚合性單體) 嵌埋層形成用組成物(II)從更提高製膜性的方面來看，亦可在前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯以外含有聚合性單體。 前述聚合性單體較佳係具有能量線聚合性且重量平均分子量未達1000之在1分子中至少具有1個的(甲基)丙烯醯基之化合物。

作為前述聚合性單體，可列舉例如：構成烷基酯之烷基係碳數為1至30之鏈狀之(甲基)丙烯酸烷基酯；具有羥基、醯胺基、胺基或環氧基等官能基之含官能基之(甲基)丙烯酸系化合物；具有脂肪族環式基之(甲基)丙烯酸酯；具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯；具有雜環基之(甲基)丙烯酸酯；具有乙烯基之化合物；具有烯丙基之化合物等。

作為具有碳數為1至30的鏈狀烷基之前述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯基、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸異十八烷基酯((甲基)丙烯酸異硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。

作為前述含官能基之(甲基)丙烯酸衍生物，可列舉例如：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等(甲基)丙烯醯胺及其衍生物；具有胺基之(甲基)丙烯酸酯(以下有時稱為「含胺基之(甲基)丙烯酸酯」)；胺基的1個的氫原子經氫原子以外之基所取代而成之具有1取代胺基之(甲基)丙烯酸酯(以下有時稱為「含1取代胺基之(甲基)丙烯酸酯」)；胺基的2個的氫原子經氫原子以外之基所取代而成之具有2取代胺基之(甲基)丙烯酸酯(以下有時稱為「含2取代胺基之(甲基)丙烯酸酯」)；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲酯縮水甘油酯等具有環氧基之(甲基)丙烯酸酯(以下有時稱為「含環氧基之(甲基)丙烯酸酯」)等，較佳為(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯，更佳為丙烯酸-2-羥基丙酯。

此處，所謂「含胺基之(甲基)丙烯酸酯」，係指(甲基)丙烯酸酯的1個或2個以上的氫原子經胺基(－NH₂ )所取代而成之化合物。同樣地，所謂「含1取代胺基之(甲基)丙烯酸酯」，係指(甲基)丙烯酸酯的1個或2個以上的氫原子經1取代胺基所取代而成之化合物，所謂「含2取代胺基之(甲基)丙烯酸酯」，係指(甲基)丙烯酸酯的1個或2個以上的氫原子經2取代胺基所取代而成之化合物。 作為「1取代胺基」以及「2取代胺基」中之氫原子經取代之氫原子以外之基(亦即取代基)，可列舉例如烷基等。

作為前述具有脂肪族環式基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如：(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、 (甲基)丙烯酸二環戊二醇酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯基氧基乙酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷基酯等，較佳為(甲基)丙烯酸異冰片酯，更佳為丙烯酸異冰片酯。

作為前述具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如：(甲基)丙烯酸苯基羥丙酯、(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙酯等。

作為前述具有雜環基之(甲基)丙烯酸酯中之雜環基，亦可為芳香族雜環基以及脂肪族雜環基中任一者。 作為前述具有雜環基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如：(甲基)丙烯酸四氫呋喃酯、(甲基)丙烯醯基嗎啉酯等。

作為前述具有乙烯基之化合物，可列舉例如，苯乙烯、羥乙基乙烯醚、羥丁基乙烯醚、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己內醯胺等。

作為前述具有烯丙基之化合物，可列舉例如烯丙基縮水甘油醚等。

前述聚合性單體從相對於前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之相溶性良好的方面來看，較佳為具有相對大體積的基之聚合性單體，作為此般聚合性單體，可列舉如具有脂肪族環式基之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯、具有雜環基之(甲基)丙烯酸酯，更佳為具有脂肪族環式基之(甲基)丙烯酸酯。

嵌埋層形成用組成物(II)所含有之聚合性單體可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等聚合性單體之組合及比率可任意選擇。

於嵌埋層形成用組成物(II)中，聚合性單體的含量較佳為10質量%至99質量%，更佳為15質量%至95質量%，又更佳為20質量%至90質量%，尤佳為25質量%至80質量%。

(光聚合起始劑) 嵌埋層形成用組成物(II)亦可於前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯以及聚合性單體以外含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之嵌埋層形成用組成物(II)即使照射紫外線等能量相對較低的能量線，仍進行充分的硬化反應。

作為嵌埋層形成用組成物(II)中之光聚合起始劑，可列舉如與第一黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。

嵌埋層形成用組成物(II)所含有之光聚合起始劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。

於嵌埋層形成用組成物(II)中，光聚合起始劑的含量相對於前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯以及聚合性單體的總含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。

((甲基)丙烯酸胺基甲酸酯以外之樹脂成分) 嵌埋層形成用組成物(II)亦可於不損及本發明之功效之範圍內，含有前述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯以外之樹脂成分。 前述樹脂成分的種類以及於該嵌埋層形成用組成物(II)中之含量，可根據目的而適當選擇，並沒有特別限定。

(其它添加劑) 嵌埋層形成用組成物(II)亦可於不損及本發明之功效之範圍內，含有不相當於上述任一成分之其它添加劑。 作為前述其它添加劑，可列舉例如：交聯劑、抗靜電劑、抗氧化劑、鏈轉移劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑、防鏽劑、著色劑(顔料、染料)等公知的添加劑。 例如，作為前述鏈轉移劑，可舉出在1分子中至少具有1個的硫醇基(巰基)之硫醇化合物。

作為前述硫醇化合物，可列舉例如：壬基硫醇、1-十二烷硫醇、1,2-乙二硫醇、1,3-丙二硫醇、三嗪硫醇、三嗪二硫醇、三嗪三硫醇、1,2,3-丙三硫醇、四乙二醇-雙(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇四硫代乙醇酸酯、二季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)、三[(3-巰基丙氧基)-乙基]-異氰脲酸酯、1,4-雙(3-巰基丁氧基)丁烷、季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)、1,3,5-三(3-巰基丁氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6-(1H，3H，5H)-三酮等，較佳為季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)。

嵌埋層形成用組成物(II)所含有之其它添加劑可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等其它添加劑之組合及比率可任意選擇。

於嵌埋層形成用組成物(II)中，其它添加劑之含量並沒有特別限定，只要根據該其它添加劑之種類而適當選擇即可。

(溶劑) 嵌埋層形成用組成物(II)亦可含有溶劑。嵌埋層形成用組成物(II)藉由含有溶劑，而提高對塗敷對象面之塗敷適性。

(嵌埋層(II)之組成) 於本實施形態中，嵌埋層(II)之組成係自上述的嵌埋層形成用組成物(II)摒除溶劑者。 (甲基)丙烯酸胺基甲酸酯相對於嵌埋層(II)的總質量之含有比率較佳為20.0質量%至60.0質量%，更佳為22.5質量%至57.5質量%，又更佳為25.0質量%至55.0質量%。 嵌埋層(II)含有聚合性單體之情形中，聚合性單體相對於嵌埋層(II)的總質量之含有比率較佳為40.0質量%至80.0質量%，更佳為42.5質量%至77.5質量%，又更佳為45.0質量%至75.0質量%。作為聚合性單體，較佳為含有丙烯酸異冰片酯以及丙烯酸-2-羥基丙酯中任一者或兩者。 嵌埋層(II)含有交聯劑之情形中，交聯劑相對於嵌埋層(II)的總質量之含有比率較佳為0.1質量%至5.0質量%，更佳為0.2質量%至4.5質量%，又更佳為0.3質量%至4.0質量%。 嵌埋層(II)含有光聚合起始劑之情形中，光聚合起始劑相對於嵌埋層(II)的總質量之含有比率較佳為0.1質量%至10.0質量%，更佳為0.2質量%至9.0質量%，又更佳為0.3質量%至8.0質量%。作為光聚合起始劑，較佳為含有2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮。 於嵌埋層(II)含有硫醇化合物之情形中，硫醇化合物相對於嵌埋層(II)的總質量之含有比率較佳為0.5質量%至10.0質量%，更佳為0.6質量%至9.0質量%，又更佳為0.7質量%至8.0質量%。作為硫醇化合物，較佳為含有季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)。

[嵌埋層形成用組成物的製造方法] 嵌埋層形成用組成物(I)、嵌埋層形成用組成物(II)等嵌埋層形成用組成物可藉由調配用以構成該組成物之各成分而獲得。 調配各成分時之添加順序並沒有特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。 於使用溶劑之情形中，可藉由將溶劑與溶劑以外之任一調配成分混合來將該調配成分預先稀釋而使用，亦可不將溶劑以外之任一調配成分預先稀釋，而藉由將溶劑與該等調配成分混合而使用。 於調配時混合各成分之方法並沒有特別限定，只要自下述方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合器進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等公知之方法。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各調配成分不致劣化則並沒有特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。

◎基材 基材為片狀或膜狀，作為該基材之構成材料，例如可列舉各種樹脂。 作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(亦稱為LDPE；Low Density Polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(亦稱為LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)、高密度聚乙烯(亦稱為HDPE；High Density Polyethylene)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降莰烯樹脂等聚乙烯以外之聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(亦稱為EVA；Ethylene-Vinyl Acetate)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物等乙烯系共聚物(亦即使用乙烯作為單體所得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(亦即使用氯乙烯作為單體所得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯(亦稱為PET；Polyethylene Terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯、所有結構單元為具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；兩種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與該聚酯以外之樹脂的混合物等聚合物合金。前述聚酯與該聚酯以外之樹脂的聚合物合金較佳為聚酯以外之樹脂之量為相對少量。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：至此為止所例示之前述樹脂之一種或兩種以上交聯而成之交聯樹脂；使用至此為止所例示之前述樹脂之一種或兩種以上的離子聚合物等改質樹脂。

構成基材之樹脂可為僅一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形中，該等之樹脂組合及比率可任意選擇。

基材可為僅一層(單層)，亦可為兩層以上之複數層，於為複數層之情形中，該等複數層可彼此相同亦可不同，該等複數層之組合並沒有特別限定。

基材之厚度較佳為5μm至1000μm，更佳為10μm至500μm，又更佳為15μm至300μm，尤佳為20μm至150μm。 此處，所謂「基材之厚度」，係指基材整體之厚度，例如所謂由複數層所構成之基材之厚度，係指構成基材之所有層之合計厚度。

基材較佳為厚度之精度高，亦即與部位無關而厚度之差異得到抑制。上述構成材料中，作為可用於構成此種厚度之精度高之基材的材料，可列舉例如：聚乙烯、聚乙烯以外之聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。

基材亦可於前述樹脂等主要構成材料以外含有填充材料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。

基材的楊氏模數較佳為100MPa至2000MPa，更佳為150MPa至1500MPa，又更佳為200MPa至1000MPa。若基材的楊氏模數為前述範圍的下限值以上，則可確保形成電磁波屏蔽膜時的尺寸穩定性。若基材的楊氏模數為前述範圍的上限值以下，則提高端子保護用帶的延伸性。 基材的楊氏模數可藉由後述的實施例所記載之方法進行測定。

基材的斷裂伸長率較佳為50%至2000%，更佳為70%至1600%，又更佳為90%至1200%。若基材的斷裂伸長率為前述範圍內，則可藉由後述的[端子保護用帶的延伸方法1]所記載之使用把持構件等將端子保護用帶的外周部抓住並延展之方法(雙軸延伸)以及[端子保護用帶的延伸方法2]所記載之使用環狀框之方法，使得延伸變得容易。 基材的斷裂伸長率可藉由後述的實施例所記載之方法進行測定。

基材的斷裂應力較佳為10MPa至300MPa，更佳為20MPa至250MPa，又更佳為30MPa至200MPa。若基材的斷裂應力為前述範圍內，則可藉由後述的[端子保護用帶的延伸方法1]所記載之使用把持構件等將端子保護用帶的外周部抓住並延展之方法(雙軸延伸)以及[端子保護用帶的延伸方法2]所記載之使用環狀框之方法來進行延伸。 基材的斷裂應力可藉由後述的實施例所記載之方法進行測定。

基材可為透明，亦可為不透明，亦可根據目的而著色，亦可蒸鍍有其它層。 於前述黏彈性層為能量線硬化性之情形中，基材較佳為使能量線穿透。

基材可藉由公知之方法製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物成形而製造。

◎剝離膜 前述剝離膜可為本領域中公知者。 作為較佳之前述剝離膜，可列舉例如：藉由聚矽氧處理等將聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂製膜之至少其中一方表面進行剝離處理而成者；膜之至少其中一表面成為由聚烯烴所構成之剝離面者等。 剝離膜之厚度較佳為與基材之厚度相同。

◎第二黏著劑層 第二黏著劑層(亦即貼合黏著劑層)為用以將本實施形態之端子保護用帶貼合於支撐體之黏著劑層。 前述第二黏著劑層可為該領域中公知者，可自上述第一黏著劑層中所說明者中配合支撐體而適當選擇。 用以形成第二黏著劑層之第二黏著劑組成物與前述第一黏著劑組成物相同，第二黏著劑組成物的製造方法亦與前述第一黏著劑組成物的製造方法相同。

◇端子保護用帶的製造方法 前述端子保護用帶可藉由將上述各層以成為對應之位置關係之方式依序積層而製造。各層之形成方法如上文所說明。

例如，於剝離膜之剝離處理面上塗敷上述嵌埋層形成用組成物，根據需要進行乾燥，藉此積層嵌埋層。於另一剝離膜之剝離處理面上塗敷上述第一黏著劑組成物，根據需要進行乾燥，藉此積層第一黏著劑層。藉由將剝離膜上之嵌埋層與另一剝離膜上之第一黏著劑層貼合，而獲得依序積層有剝離膜、嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用帶。剝離膜只要於使用端子保護用帶時去掉即可。

另外，於基材上將嵌埋層及第一黏著劑層依序於該等之厚度方向積層的端子保護用帶可藉由以下所示之方法而製造。 例如，將上述依序積層有剝離膜、嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用帶的嵌埋層之側之剝離膜剝離，將該端子保護用帶與基材貼合，藉此可獲得於基材上依序積層有嵌埋層、第一黏著劑層及剝離膜之端子保護用帶。剝離膜只要於使用端子保護用帶時去掉即可。

[具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法1] 本發明之一實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括：於具有黏彈性層之端子保護用帶的前述黏彈性層埋設具端子之半導體裝置的端子之步驟；於未被埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜之步驟；以及，藉由將前述端子保護用帶進行延伸，將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。以下，參照圖5來說明本實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。

圖5為示意性地表示本實施形態之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之剖面圖，上述具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法係將依序具有黏著劑層14、嵌埋層13及基材11之端子保護用帶3如圖4所示般固定於支撐體30。

首先，如圖5(a)、圖5(b)所示，將具端子之半導體裝置65以端子91之側、亦即電路基板63之端子形成面63a朝下而按壓於端子保護用帶之黏彈性層12，使端子91埋設於黏彈性層12。 此時，使黏彈性層12與具端子之半導體裝置65之端子91接觸，將具端子之半導體裝置65按壓於端子保護用帶。藉此，使黏彈性層12之黏著劑層14之側之最表面依序壓接於端子91之表面及電路基板63之端子形成面63a。此時，藉由將黏彈性層12加熱，而黏彈性層12軟化，以覆蓋端子91之方式於端子91間擴展(expand)，密接於端子形成面63a，並且覆蓋端子91之表面、尤其是端子形成面63a之附近部位之表面，而埋設端子91。

作為使具端子之半導體裝置65壓接於端子保護用帶之方法，可應用使各種片材壓接於對象物並貼附之公知之方法，可列舉例如使用層壓輥或真空層壓機之方法等。

使具端子之半導體裝置65壓接於端子保護用帶時之壓力並沒有特別限定，較佳為0.1MPa至1.5MPa，更佳為0.3MPa至1.3MPa。加熱溫度較佳為30℃至70℃，更佳為35℃至65℃，尤佳為40℃至60℃。另外，較佳為將黏彈性層12之第一黏著劑層14貼合於端子形成面63a。

於端子保護用帶的黏彈性層12埋設具端子之半導體裝置的端子之步驟中，嵌埋層13的彈性模數較佳為0.05MPa至20MPa，更佳為0.07MPa至18MPa，又更佳為0.09MPa至16MPa。若彈性模數為前述範圍內，則變得容易將具端子之半導體裝置埋設於端子保護用帶。

於未埋設於端子保護用帶的黏彈性層12之具端子之半導體裝置65之露出面塗佈導電性樹脂101(圖5(c))，進而進行熱硬化，藉此形成由導電材料所構成之電磁波屏蔽膜10(圖5(d))。作為藉由導電材料進行包覆而形成電磁波屏蔽膜10之方法，亦可使用濺鍍、離子鍍、噴塗等方法。

在埋設具端子之半導體裝置65之步驟後、且在形成電磁波屏蔽膜之步驟前，前述端子保護用帶3相對於具端子之半導體裝置65之黏著力較佳為1.0N／25mm至6.5N／25mm，更佳為1.1N／25mm至6.0N／25mm，又更佳為1.2N／25mm至5.5N／25mm。 若黏著力為前述範圍內，可提高將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶進行剝離之步驟中之剝離性。前述黏著力的測定方法係於實施例中詳述。

藉由延伸端子保護用帶3，來減少形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置相對於黏彈性層12之接著面積，將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶3剝離(圖5(e))。進行剝離時，較佳係自端子保護用帶3的基材11側將所埋設之端子以銷等進行上推之撿取(picking)。 撿取中上推之高度u1較佳係高於端子91的高度h1，較佳係2.0≦u1／h1≦10。 再者，本說明書中，所謂「端子的高度」，係指端子之中存在於自端子形成面起算最高的位置之部位的高度。

上述端子保護用帶的延伸中之延伸量較佳為1.0mm以上，更佳為2.0mm以上，又更佳為3.0mm以上。若延伸量為前述下限值以上，則形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置相對於黏彈性層12之接著面積變得充分地小，使得形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置容易自端子保護用帶3剝離。延伸量的上限值，只要能展現本發明的效果，並沒有特別限定，亦可為例如20.0mm以下。延伸量例如較佳為1.0mm以上至19.0mm以下，更佳為2.0mm以上至18.0mm以下，又更佳為3.0mm以上至17.0mm以下。 本說明書中所謂「延伸量」，係指「端子保護用帶在延伸後的延伸方向的長度」－「端子保護用帶在延伸前的延伸方向的長度」。當自複數的方向將端子保護用帶進行延伸時，可採用延伸量最多之方向中的延伸量。

如此，可藉由自具有黏彈性層12之端子保護用帶3拾取(pick-up)具電磁波屏蔽膜之半導體裝置66，可取出以電磁波屏蔽膜10被覆之具端子之半導體裝置65(圖5(f))。

於嵌埋層13以及黏著劑層14之任一者或兩者為能量線硬化性之情形中，較佳係在對端子保護用帶的黏彈性層12埋設具端子之半導體裝置的端子之步驟之前、或在對端子保護用帶的黏彈性層12埋設具端子之半導體裝置的端子之步驟之後且在未埋設於端子保護用帶的黏彈性層12之具端子之半導體裝置的露出面形成電磁波屏蔽膜之步驟之前來進行硬化。

如圖5所示之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中，作為電磁波屏蔽的對象之具端子之半導體裝置65亦可為個別被製造之具端子之半導體裝置65，亦可為藉由切割法而單片化之具端子之半導體裝置65。

如圖5所示之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中，顯示了使用端子保護用帶3對經單片化並利用密封樹脂64將各個電子零件61、62密封的具端子之半導體裝置65進行電磁波屏蔽的方法，但亦可如下般，自單片化之前的具端子之半導體裝置集合體6使用端子保護用帶2對具端子之半導體裝置65進行電磁波屏蔽。

[具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法2] 本發明之另一實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括如下步驟：於具有黏彈性層之端子保護用帶之前述黏彈性層，埋設具端子之半導體裝置集合體的端子之步驟；切割前述具端子之半導體裝置集合體，使前述具端子之半導體裝置集合體成為於前述端子保護用帶的黏彈性層埋設有端子之具端子之半導體裝置之步驟；於未被埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜之步驟；以及，藉由將前述端子保護用帶進行延伸，將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。以下，參照圖6來說明本實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。

圖6係示意性地表示本實施形態的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之截面圖，為將依序具有黏著劑層14、嵌埋層13、基材11之端子保護用帶3，以如圖4所示之方式固定於支撐體30。

首先，如圖6(a)、圖6(b)所示，將藉由電路基板63而連結的具端子之半導體裝置集合體6以端子91之側(亦即電路基板63之端子形成面63a)朝下而按壓於端子保護用帶之黏彈性層12，與前述圖5(a)、圖5(b)之時同樣的方式使端子91埋設於黏彈性層12。

此時，一邊對具端子之半導體裝置集合體6自上側施加壓力，一邊與前述圖5(a)、圖5(b)之時同樣的方式使端子91埋設於端子保護用帶之黏彈性層12。

另外，藉由一邊將黏彈性層12加熱一邊貼合，而可使黏彈性層12軟化，使黏彈性層12密接於電路基板63之端子形成面63a。使具端子之半導體裝置集合體6壓接於端子保護用帶時之壓力並沒有特別限定，較佳為0.1MPa至1.5MPa，更佳為0.3MPa至1.3MPa。加熱溫度較佳為30℃至70℃，更佳為35℃至65℃，尤佳為40℃至60℃。另外，較佳為將黏彈性層12之第一黏著劑層14貼合於端子形成面63a。

繼而，切割具端子之半導體裝置集合體6，製成具端子之半導體裝置65(圖6(c))。形成電磁波屏蔽膜之步驟中所用的本發明之端子保護用帶兼作具端子之半導體裝置集合體6之切割膠帶。而且，如圖5所示之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中，於成為電磁波屏蔽對象之具端子之半導體裝置65為藉由切割法而經單片化的具端子之半導體裝置65時，需要拾取切割膠帶上之具端子之半導體裝置並改貼於端子保護用帶的作業(圖5(a))，但如圖6所示之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中，可省略將切割膠帶上之具端子之半導體裝置65改貼於端子保護用帶的作業。

於未埋設於端子保護用帶的黏彈性層12之具端子之半導體裝置65之露出面塗佈導電性樹脂101(圖6(d))。此時，於具端子之半導體裝置集合體6的各具端子之半導體裝置65之交界部分，當導電性樹脂101之分離不充分之情形中，亦可使用擴展裝置等將端子保護用帶延伸。可於經單片化之具端子之半導體裝置65各自之側面塗佈有導電性樹脂101之狀態下，將各個具端子之半導體裝置65單片化。進而，將塗佈於經單片化之具端子之半導體裝置65之頂面及側面的導電性樹脂101加熱而進行硬化，於未埋設於端子保護用帶的黏彈性層12之具端子之半導體裝置65之露出面，形成由導電材料所構成之電磁波屏蔽膜10(圖6(e))。亦可於具端子之半導體裝置65(圖6(c))直接濺鍍導電材料而形成電磁波屏蔽膜10(圖6(e))。

藉由將端子保護用帶3進行延伸，減少形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置相對於黏彈性層12之接著面積，將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶3剝離(圖6(f))。進行剝離時，較佳係自端子保護用帶3的基材11側以銷等進行上推之撿取。

可藉由自具有黏彈性層12之端子保護用帶拾取具電磁波屏蔽膜之半導體裝置66，來取出以電磁波屏蔽膜10被覆之具端子之半導體裝置65(圖6(g))。

於嵌埋層13以及黏著劑層14之任一者或兩者為能量線硬化性之情形中，較佳係在對端子保護用帶的黏彈性層12埋設具端子之半導體集合體的端子之步驟之前、或在將具端子之半導體裝置集合體的端子埋設於端子保護用帶的黏彈性層12之步驟之後且在進行切割之前來進行硬化。

上述的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法1以及具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法2的步驟中，進行端子保護用帶3的延伸之步驟(圖5(e)、圖6(f))中之端子保護用帶3的延伸方法並沒有特別限定，可列舉例如以下的2個方法。

[端子保護用帶的延伸方法1] 本實施形態的端子保護用帶的延伸方法係使用把持構件等將端子保護用帶的外周部抓住並延展之方法。 於本實施形態中，端子保護用帶較佳係至少藉由雙軸延伸進行延伸。 該情形中，端子保護用帶係例如於彼此正交之X軸以及Y軸之中對＋X軸方向、－X軸方向、＋Y軸方向、－Y軸方向的4方向賦予張力來延展。

如上述之雙軸延伸，可使用例如對X軸方向以及Y軸方向賦予張力之分離裝置來進行。此處，設X軸以及Y軸係正交，平行於X軸之方向之中之一設為＋X軸方向、與前述＋X軸方向相反的方向設為－X軸方向，平行於Y軸之方向之中之一設為＋Y軸方向、與前述＋Y軸方向相反的方向設為－Y軸方向。

上述分離裝置針對端子保護用帶，對＋X軸方向、－X軸方向、＋Y軸方向、－Y軸方向的4方向賦予張力，較佳係就此4方向的個別方向具備複數的保持手段以及對應於此等保持手段之複數的張力賦予手段。各方向中，保持手段以及張力賦予手段的數量係根據端子保護用帶的大小而定，例如，亦可為3個以上至10個以下。

[端子保護用帶的延伸方法2] 本實施形態的端子保護用帶的延伸方法，係將端子保護用帶的外周部藉由固定冶具來固定並壓貼擴展器來延展端子保護用帶之方法。 參照圖7，說明本實施形態的端子保護用帶的延伸方法之例。於本實施形態中，黏彈性層12係透過第三黏著劑層16而貼附於環狀框17。 前述第三黏著劑層可為該領域所公知者，可自上述的第一黏著劑層、第二黏著劑層所說明者之中配合環狀框17的材料而適當選擇。 用以形成第三黏著劑層之第三黏著劑組成物，係與前述第一黏著劑組成物、第二黏著劑組成物相同，而第三黏著劑組成物的製造方法亦與前述第一黏著劑組成物的製造方法、第二黏著劑組成物的製造方法相同。 如此，針對外周部被固定於環狀框之端子保護用帶自基材11側來壓貼圓筒狀的擴展器18並向上方推，藉此延展端子保護用帶。

於本發明的端子保護用帶中，端子91的高度h0較佳係低於黏彈性層12的厚度d1，較佳係1.2≦　d1／h0　≦5.0。具體而言，端子91的高度較佳為20μm至300μm，更佳為30μm至270μm，尤佳為40μm至240μm。藉由端子91的高度為前述下限值以上，可更提高端子91的機能。另外，藉由端子91的高度為前述上限值以下，則在抑制黏彈性層12殘留於端子91上部之效果更加提高。 再者，於本說明書中，所謂「端子之高度」，係指端子中存在於距端子形成面最高的位置之部位之高度。於具端子之半導體裝置集合體以及具端子之半導體裝置65具有複數個端子91之情形中，端子91之高度h0可設為該等端子之平均高度。端子之高度例如可藉由非接觸型三維光干涉式表面粗糙度計(日本Veeco公司製造，商品名：Wyko NT1100)進行測定。

端子91之寬度並沒有特別限定，較佳為170μm至350μm，更佳為200μm至320μm，尤佳為230μm至290μm。藉由端子91之寬度為前述下限值以上，則可進一步提高端子91之機能。另外，藉由端子91之寬度為前述上限值以下，而更加提高抑制黏彈性層12殘存於端子91上部的效果。 再者，於本說明書中，所謂「端子之寬度」，係指自對端子形成面垂直方向往下俯視端子時，以直線連結端子表面上之不同2點之間所得的線段之最大值。於端子為球形或半球形時，所謂「端子之寬度」，係指往下俯視端子時的該端子之最大直徑(端子直徑)。

相鄰端子91間之距離(亦即端子間之間距)並沒有特別限定，較佳為250μm至800μm，更佳為300μm至600μm，尤佳為350μm至500μm。藉由前述距離為前述下限值以上，而可進一步提高端子91之嵌埋性。另外，藉由前述距離為前述上限值以下，而更加提高抑制黏彈性層12殘存於端子91上部的效果。 再者，於本說明書中，所謂「相鄰端子間之距離」，係指相鄰端子彼此的表面間之距離之最小值。 [實施例]

以下，藉由具體之實施例對本發明進行更詳細說明。然而，本發明絲毫不限定於以下所示之實施例。

[物性的測定方法] 基材的楊氏模數、於端子保護用帶的黏彈性層埋設端子時的氣泡的量、端子保護用帶相對於具端子之半導體裝置的黏著力、第一黏著劑層以及嵌埋層的彈性模數、基材以及端子保護用帶的斷裂應力、以及基材以及端子保護用帶的斷裂伸長率的測定係藉由以下的方法進行測定。

(基材的楊氏模數) 依據JIS　K7161：2014，測定23℃之基材的拉伸彈性模數來作為楊氏模數。基材的測定時的寬度設為15mm、夾持器間距離為10mm、拉伸速度為50mm／分鐘。

(於端子保護用帶的黏彈性層埋設端子時之氣泡的量) 將直徑0.25mm的端子埋設在端子保護用帶的黏彈性層。使用數位光學顯微鏡(KEYENCE公司製，製品名「VHX-1000」)自基材側測定產生於端子的外側之圓形的空隙的直徑。再者，測定係於後述的[剝離性的評價]中進行紫外線照射後的剝離時進行。亦即，剝離時進行了端子保護用帶的延伸之情形，係於延伸後的端子保護用帶進行了上述測定。

(端子保護用帶相對於具端子之半導體裝置的黏著力) 依據JIS　Z0237：2009如以下方式進行測定。將端子保護用帶裁切為寬度25mm、長度250mm，將剝離片材剝離，將所露出之黏著劑層在23℃、50%RH的環境下，使用2kg橡膠輥貼附於作為被接著體之半導體裝置，在同環境下放置24小時。然後，進行了紫外線照射(照度230mW／cm² 、光量190mJ／cm² )之後，使用萬能型拉伸試驗機(ORIENTEC公司製，製品名「TENSILON UTM-4-100」)，以剝離角度180°、剝離速度300mm／分鐘將端子保護用帶自上述半導體裝置剝離，藉此測定其黏著力。

(第一黏著劑層以及嵌埋層的彈性模數) 使用黏彈性測定裝置(Rheometrics公司製，裝置名「DYNAMIC　ANALYZER　RDAII」)，將直徑8mm×厚度3mm尺寸的樣品在1Hz、23℃的環境下藉由扭轉剪力法進行測定。

(基材以及端子保護用帶的斷裂應力以及斷裂伸長率) 將基材或端子保護用帶作成10mm寬×75mm長的樣品而切出。使樣品測定部位成為10mm寬×25mm長(伸長方向)的方式，將上述樣品設置於拉伸試驗機(ORIENTEC公司製，製品名「TENSILON」)，在23℃、50%RH的環境下使用該拉伸試驗機以拉伸速度200mm／分鐘使之伸長。在上述樣品斷裂為止進行伸長，測定斷裂伸長率(%)以及斷裂應力(MPa)。

[單體] 簡記之單體的正式名稱如以下所示。 HEA：丙烯酸-2-羥基乙酯 BA：丙烯酸正丁酯 MMA：甲基丙烯酸甲酯 AAc：丙烯酸

(黏著劑層形成用組成物A之製造) 製備由BA74質量份、MMA20質量份以及HEA6質量份所構成之丙烯酸系共聚合物加成有2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(相對於HEA而言約50莫耳%)而成之樹脂的溶液(黏著劑主劑，固形成分35質量%)。相對於該黏著劑主劑100質量份，添加作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，製品名「Irgacure 184」、固形成分濃度100%)3質量份、作為交聯劑之2,6-二異氰酸甲苯酯(東洋化學(TOYO-CHEM)股份有限公司製，製品名「BHS　8515」，固形成分濃度：37.5%)0.5質量份，攪拌30分鐘而製備黏著劑層形成用組成物A。

(黏著劑層A之製造) 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面，塗敷前述黏著劑層形成用組成物A，於100℃加熱乾燥1分鐘，藉此製造厚度各自為10μm以及20μm之黏著劑層A。 黏著劑層A的能量線硬化前的彈性模數為0.05MPa，硬化後的彈性模數為24MPa。

(嵌埋層形成用組成物A之製造) 添加由BA 91質量份、AAc 9質量份所構成之丙烯酸系共聚合物的溶液(重量平均分子量(Mw)400,000，黏著劑主劑，固形成分濃度33.6%，Nippon Carbide工業股份有限公司製，製品名「Nissetsu PE-121」)100質量份、以及相對於由BA 62質量份、MMA10質量份以及HEA28質量份所構成之丙烯酸系共聚合物加成有2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(相對於HEA100mol%之加成率成為80mol%)之樹脂的溶液(重量平均分子量(Mw)100,000，黏著劑主劑，固形成分濃度45%，日本合成化學工業股份有限公司製，製品名「coponyl UN-2528LM1」)93.5質量份、作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，製品名「Irgacure 184」，固形成分濃度100%)3質量份、作為交聯劑之2,6-二異氰酸甲苯酯(東洋化學(TOYO-CHEM)股份有限公司製，製品名「BHS-8515」，固形成分濃度：37.5%)2.5質量份、作為交聯劑之N,N’-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(縮水甘油基胺)(三菱氣體化學公司製，製品名「TETRAD-C」，固形成分濃度：5%)2.5質量份，攪拌30分鐘而製備嵌埋層形成用組成物A。

(嵌埋層形成用組成物B之製造) 調配單官能丙烯酸胺基甲酸酯40質量份、丙烯酸異冰片酯(IBXA)45質量份、丙烯酸-2-羥基丙酯(HPA)15質量份、季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)(昭和電工股份有限公司製，製品名「Karenz MT　PE1」，第2級4官能之含硫醇化合物，固形成分濃度100質量%)3.5質量份、交聯劑1.8質量份、以及作為光聚合起始劑之2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF公司製，製品名「DAROCUR 1173」，固形成分濃度100質量%)1.0質量份，製備嵌埋層形成用組成物B。

(基材) 使用厚度80μm的聚乙烯膜作為基材A。 基材A的楊氏模數為340MPa，斷裂伸長率為950%，斷裂應力為45MPa。

(具端子之半導體裝置的準備) 於評價實施例以及比較例的端子保護用帶的剝離性時，準備如下之具端子之半導體裝置。 ・具端子之半導體裝置 半導體裝置的大小：10mm×10mm 端子的高度：250μm 端子直徑：250μm 端子間間距：400μm 端子的數量：10×10＝100個

[剝離性的評價] 將具端子之半導體裝置的端子之側朝下，以壓製壓力(負重1.1MPa)、壓製時間40s、加熱溫度50℃按壓而層壓於端子保護用帶。之後，於常溫放置24小時之後，進行紫外線照射(照度230mW／cm² 、光量190mJ／cm² )之後，根據需要將端子保護用帶進行延伸、拾取，自半導體裝置剝離端子保護用帶並評價可否剝離。評價結果為〇：可剝離，×：不可剝離。

[實施例1] 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面塗敷嵌埋層形成用組成物A，於100℃加熱乾燥1分鐘後，於嵌埋層形成用組成物A之上層壓藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科公司製造之「SP-PET382150」，厚度38μm)之剝離處理面，製造厚度50μm之嵌埋層。 將前述嵌埋層經層壓之剝離膜剝離而使得剝離面彼此貼合，製作厚度100μm的嵌埋層。同樣地將嵌埋層貼合而積層，製作厚度300μm之嵌埋層A。 嵌埋層A的能量線硬化前的彈性模數為0.06MPa，硬化後的彈性模數為65MPa。 於厚度10μm的黏著劑層A貼合厚度300μm的嵌埋層A。進而剝離嵌埋層A之側的剝離膜，貼合於基材A的易接著處理側，製造出圖2所示之基材11／嵌埋層13／黏著劑層14的形態的端子保護用帶1。端子保護用帶1的構成以及物性顯示於表1以及表2(以下相同)。 使用端子保護用帶1進行剝離性的評價。剝離條件以及評價結果如表3所示。

[實施例2] 替代厚度10μm的黏著劑層A而改為使用厚度20μm的黏著劑層A，除此之外係與製造例同樣的方式製造端子保護用帶2。 使用端子保護用帶2進行剝離性的評價。剝離條件以及評價結果如表3所示。

[實施例3] 將嵌埋層形成用組成物A以噴注模式來塗布於聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理而經剝離處理之剝離膜(琳得科公司製「SP-PET381031」，厚度38μm)的剝離處理面而獲得塗膜。 自塗膜側照射紫外線而形成半硬化層。紫外線照射係以如下方式進行：作為紫外線照射裝置，使用帶式輸送機式紫外線照射裝置(EYE GRAPHICS股份有限公司製，製品名「ECS-401GGX」)，作為紫外線源使用高壓汞燈(EYE GRAPHICS股份有限公司製，製品名「H04-L41」，作為照射條件於光波長365nm的照度112mW／cm² 、光量117mJ／cm² (以EYE GRAPHICS股份有限公司製，製品名「UVPF-A1」測定)。 於所形成之半硬化層之上積層基材A，進而進行紫外線照射(使用上述之紫外線照射裝置、紫外線源，作為照射條件，照度271mW／cm² 、光量1,200mJ／cm² )，使得嵌埋層形成用組成物B完全硬化，於基材A上形成厚度300μm的嵌埋層B，獲得基材A與嵌埋層B的積層體。 將剝離膜進行剝離，於嵌埋層B的基材A相反側之面貼合厚度10μm的黏著劑層A，如圖2所示，製造基材11／嵌埋層13／黏著劑層14的形態的端子保護用帶3。 使用端子保護用帶3進行剝離性的評價。剝離條件以及評價結果如表3所示。

[比較例1] 使用端子保護用帶1進行剝離性的評價。剝離條件以及評價結果如表3所示。

[表1]

	端子保護用帶的構成
基材	嵌埋層	黏著劑層
種類	厚度 [μm]	種類	厚度 [μm]	種類	厚度 [μm]
端子保護用帶1	基材A	80	嵌埋層A	300	黏著劑A	10
端子保護用帶2	基材A	80	嵌埋層A	300	黏著劑A	20
端子保護用帶3	基材A	80	嵌埋層B	300	黏著劑A	20

[表2]

	嵌埋層的物性	端子保護用帶的物性
彈性模數 [MPa]	斷裂伸長率 [%]	斷裂應力 [MPa]	黏著力 [N/25mm]
端子保護用帶1	15	35	18	6.2
端子保護用帶2	15	35	18	5.0
端子保護用帶3	1.8	30	15	3.5

[表3]

	端子保護用帶	剝離條件	氣泡的直徑 [mm]	評價結果
延伸量 [mm]	拾取高度 [μm]	剝離性
實施例1	端子保護用帶1	5	1000	0.50	○
實施例2	端子保護用帶2	5	1000	0.40	○
實施例3	端子保護用帶3	5	1000	0.70	○
比較例1	端子保護用帶1	0	1000	0.29	×

由表3所示之結果確認到，本發明的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，於將形成有電磁波屏蔽膜之具端子之半導體裝置自端子保護用帶進行剝離之步驟中，可容易地剝離且提高製造效率。 [產業可利用性]

根據本發明的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，可對具端子之半導體裝置進行電磁波屏蔽，而製造具電磁波屏蔽膜之半導體裝置。

1、2、3:端子保護用帶 10:電磁波屏蔽膜 11:基材 12:黏彈性層 13:嵌埋層 14:黏著劑層 15:第二黏著劑層(貼合黏著劑層) 16:第三黏著劑層 17:環狀框 18:擴展器 20、21、22:剝離膜 30:支撐體 6:具端子之半導體裝置集合體 60:半導體裝置集合體 61、62:電子零件 63:電路基板 63a:端子形成面 64:密封樹脂層 65:具端子之半導體裝置 66:具電磁波屏蔽膜之半導體裝置 91:端子 101:導電性樹脂

[圖1]係示意性地表示本發明的端子保護用帶之一實施形態之截面圖。 [圖2]係示意性地表示本發明的端子保護用帶的另一實施形態之截面圖。 [圖3]係示意性地表示本發明的端子保護用帶的另一實施形態之截面圖。 [圖4]係示意性地表示本發明的端子保護用帶的使用方法之例之截面圖。 [圖5]係示意性地表示本發明的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之一實施形態之截面圖。 [圖6]係示意性地表示本發明的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法的另一實施形態之截面圖。 [圖7]係示意性地表示本發明的具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法中之端子保護用帶的延伸方法之一實施形態之截面圖。

10:電磁波屏蔽膜

11:基材

12:黏彈性層

13:嵌埋層

14:黏著劑層

61、62:電子零件

63:電路基板

63a:端子形成面

64:密封樹脂層

65:具端子之半導體裝置

66:具電磁波屏蔽膜之半導體裝置

91:端子

101:導電性樹脂

Claims (13)

1. 一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括： 於具有黏彈性層之端子保護用帶的前述黏彈性層，埋設具端子之半導體裝置的端子之步驟； 於未被埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜之步驟；以及 藉由將前述端子保護用帶進行延伸，將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。
2. 一種具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包括： 於具有黏彈性層之端子保護用帶之前述黏彈性層，埋設具端子之半導體裝置集合體的端子之步驟； 切割前述具端子之半導體裝置集合體，使前述具端子之半導體裝置集合體成為於前述端子保護用帶的黏彈性層埋設有端子之具端子之半導體裝置之步驟； 於未被埋設於前述端子保護用帶的黏彈性層之前述具端子之半導體裝置的露出面，形成電磁波屏蔽膜之步驟；以及 藉由將前述端子保護用帶進行延伸，將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶進行剝離之步驟。
3. 如請求項1或2所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中將形成有電磁波屏蔽膜之前述具端子之半導體裝置自前述端子保護用帶剝離之前述步驟中，前述端子保護用帶的延伸量為1.0mm以上。
4. 如請求項1或2所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中當將直徑0.25mm的端子埋設於前述端子保護用帶之前述黏彈性層時，從前述端子保護用帶的厚度方向觀察到出現在前述所埋設之端子的外側之源自氣泡之近似圓形的影子的直徑為0.30mm以上。
5. 如請求項1或2所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中在埋設前述具端子之半導體裝置的端子之前述步驟之後、且在形成電磁波屏蔽膜之前述步驟之前，前述端子保護用帶相對於前述具端子之半導體裝置的黏著力為6.5N／25mm以下。
6. 如請求項1或2所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述黏彈性層的厚度d1相對於前述具端子之半導體裝置或具端子之半導體裝置集合體的端子的高度h0的比率係滿足1.2≦d1／h0≦5.0。
7. 如請求項1或2所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述黏彈性層係具有嵌埋層以及黏著劑層。
8. 如請求項7所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中於具有黏彈性層之端子保護用帶之前述黏彈性層埋設具端子之半導體裝置或具端子之半導體裝置集合體的端子之前述步驟中，前述嵌埋層的彈性模數為0.05MPa至20MPa。
9. 如請求項7所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中係依序具有前述黏著劑層、前述嵌埋層、基材。
10. 如請求項9所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述基材的楊氏模數為100MPa至2000MPa。
11. 如請求項7所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述嵌埋層係使用能量線硬化性的構成材料所形成之嵌埋層。
12. 如請求項7所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，其中前述黏著劑層係使用能量線硬化性的黏著劑所形成之黏著劑層。
13. 一種端子保護用帶，係用於如請求項4至12中任一項所記載之具電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。

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