TW202129819A - 基板處理系統之控制方法及基板處理系統 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠特定出已檢測出缺口部之檢測點的基板處理系統之控制方法及基板處理系統。 本發明係一種基板處理系統之控制方法，該基板處理系統具備：第1室，其具有第1載置部；第2室，其具有第2載置部；搬送裝置，其將基板從上述第1室搬送至上述第2室；第1感測器模組，其設置於從上述第1室向上述第2室之搬送路徑上，具有檢測上述基板之外緣位置之至少3個感測器；以及控制部；上述基板處理系統之控制方法包括如下步驟：搬送上述基板，藉由上述第1感測器模組檢測上述基板之外緣位置；以及判定上述第1感測器模組之檢測點是否在形成於上述基板之缺口部檢測出。

Description

基板處理系統之控制方法及基板處理系統

本發明係關於一種基板處理系統之控制方法及基板處理系統。

已知例如將晶圓搬送至對晶圓進行成膜處理等所需處理之處理室中之搬送臂。於晶圓設置有用以表示晶軸方向之定向平面或凹口等缺口部。

專利文獻1中揭示有一種位置辨識裝置，其根據檢測構件之檢測資料算出半導體晶圓之中心位置，上述檢測構件具備可檢測半導體晶圓之端緣位置的複數個感測器。又，專利文獻2中揭示有一種搬送系統，其基於表示基板之通過時點之信號，取得基板之固持位置的偏離，基於所取得之基板之把持位置的偏離來修正搬送機構之搬送動作，而將基板搬送至目標位置。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-18828號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-197454號公報

[發明所欲解決之問題]

專利文獻1所揭示之位置辨識裝置中係使用預先確定之晶圓半徑，判定是否為已檢測出形成於晶圓之定向平面之感測器，從而算出晶圓之中心位置。然，晶圓之半徑有時會因尺寸之容許範圍、製程中因熱引起之膨脹、成膜製程中之張力等而發生變化。因此，專利文獻1中所揭示之方法有無法恰當地特定出已檢測出晶圓之缺口部之感測器之虞。同樣，專利文獻2中所揭示之方法亦有當晶圓之半徑變化時無法恰當地取得固持位置之偏離之虞。

本發明之一形態提供一種能夠特定出已檢測出缺口部之檢測點的基板處理系統之控制方法及基板處理系統。 [解決問題之技術手段]

本發明之一形態之基板處理系統之控制方法的基板處理系統具備：第1室，其具有第1載置部；第2室，其具有第2載置部；搬送裝置，其將基板從上述第1室搬送至上述第2室；第1感測器模組，其設置於上述第1室至上述第2室之搬送路徑上，具有檢測上述基板之外緣位置之至少3個感測器；以及控制部；上述基板處理系統之控制方法包括如下步驟：搬送上述基板，藉由上述第1感測器模組檢測上述基板之外緣位置；以及判定上述第1感測器模組之檢測點是否在形成於上述基板之缺口部檢測出。 [發明之效果]

根據本發明之一態樣，提供一種能夠特定出已檢測出缺口部之檢測點的基板處理系統之控制方法及基板處理系統。

以下，參照圖式，對用以實施本發明之形態進行說明。於各圖式中，有時對相同構成部分標註相同符號，省略重複之說明。

＜基板處理系統＞ 利用圖1，對一實施方式之基板處理系統之整體構成之一例進行說明。圖1係表示一實施方式之基板處理系統之一例之構成的俯視圖。再者，於圖1中，對晶圓W標註點狀陰影來進行圖示。

圖1所示之基板處理系統係群集構造(多室型)之系統。基板處理系統具備：處理室PM(Process Module)1～6、搬送室VTM(Vacuum Transfer Module)、加載互鎖真空室LLM(Load Lock Module)、承載器模組LM(Loader Module)1～2、負載埠LP(Load Port)1～4及控制部100。

將處理室PM1～6減壓至規定之真空氛圍，於其內部對半導體晶圓W(以下亦稱為「晶圓W」)實施所需處理(蝕刻處理、成膜處理、清潔處理、灰化處理等)。處理室PM1～6與搬送室VTM相鄰地配置。處理室PM1～6與搬送室VTM藉由閘閥GV1～6之開閉而連通。處理室PM1具有載置晶圓W之載置部111。同樣，處理室PM2～6分別具有載置晶圓W之載置部。再者，用以進行處理室PM1～6中之處理的各部之動作由控制部100控制。

將搬送室VTM減壓至規定之真空氛圍。又，於搬送室VTM之內部，設置有搬送晶圓W之搬送裝置ARM1。搬送裝置ARM1根據閘閥GV1～6之開閉，於處理室PM1～6與搬送室VTM之間進行晶圓W之搬入及搬出。又，搬送裝置ARM1根據閘閥GV7之開閉，於加載互鎖真空室LLM與搬送室VTM之間進行晶圓W之搬入及搬出。再者，搬送裝置ARM1之動作、閘閥GV1～7之開閉由控制部100控制。

搬送裝置ARM1例如構成為具備基台、第1連桿、第2連桿、及末端效應器124之多關節臂。再者，於圖1中，對搬送裝置ARM1之末端效應器124進行了圖示，省略了其他圖示。末端效應器124之頭端側設置有保持晶圓W之保持部。再者，驅動搬送裝置ARM1之致動器由控制部100控制。

又，於搬送室VTM之內部，設置有偵測晶圓W之感測器模組S1～7。感測器模組S1於搬送裝置ARM1將晶圓W搬入至處理室PM1時，或從處理室PM1搬出時，偵測是否保持有晶圓W以及所保持之晶圓W之偏心量。再者，關於感測器模組S1之偵測方法，利用圖2等在後文進行說明。同樣，感測器模組S2～6於搬送裝置ARM1將晶圓W搬入至處理室PM2～6時，或從處理室PM2～6搬出時，偵測是否保持有晶圓W以及所保持之晶圓W之偏心量。感測器模組S7於搬送裝置ARM1將晶圓W搬入至加載互鎖真空室LLM時，或從加載互鎖真空室LLM搬出時，偵測是否保持有晶圓W及所保持之晶圓W之偏心量。再者，關於感測器模組S7之感測方法，利用圖3等在後文進行說明。感測器模組S1～7例如可使用光學式通過感測器。感測器模組S1～7之檢測值被輸入至控制部100。

加載互鎖真空室LLM設置於搬送室VTM與承載器模組LM1～2之間。加載互鎖真空室LLM可切換大氣氛圍與真空氛圍。加載互鎖真空室LLM與真空氛圍之搬送室VTM藉由閘閥GV7之開閉而連通。加載互鎖真空室LLM與大氣氛圍之承載器模組LM1藉由閘閥GV8之開閉而連通。加載互鎖真空室LLM與大氣氛圍之承載器模組LM2藉由閘閥GV9之開閉而連通。加載互鎖真空室LLM具有載置晶圓W之載置部131。再者，加載互鎖真空室LLM內之真空氛圍或大氣氛圍之切換由控制部100控制。

承載器模組LM1～2為大氣氛圍，例如形成有潔淨空氣之降流。又，於承載器模組LM1之內部，設置有搬送晶圓W之搬送裝置ARM2。搬送裝置ARM2根據閘閥GV8之開閉，於加載互鎖真空室LLM與承載器模組LM1之間進行晶圓W之搬入及搬出。同樣，於承載器模組LM2之內部，設置有搬送晶圓W之搬送裝置ARM3。搬送裝置ARM3根據閘閥GV9之開閉，於加載互鎖真空室LLM與承載器模組LM2之間進行晶圓W之搬入及搬出。再者，搬送裝置ARM2、3之動作、閘閥GV8、9之開閉由控制部100控制。

搬送裝置ARM2例如構成為具備基台、第1連桿、第2連桿、及末端效應器144之多關節臂。再者，於圖1中，對搬送裝置ARM2之末端效應器144進行了圖示，省略了其他圖示。末端效應器144之頭端側設置有保持晶圓W之保持部。再者，驅動搬送裝置ARM2之致動器由控制部100控制。搬送裝置ARM3構成為與搬送裝置ARM2相同之多關節臂。

於承載器模組LM1之壁面，設置有負載埠LP1、2。又，於承載器模組LM2之壁面，設置有負載埠LP3、4。負載埠LP1～4安裝有收容著晶圓W之載具C或空載具C。作為載具C，例如可使用FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式單元匣)等。

搬送裝置ARM2可將收容於負載埠LP1、2中之晶圓W藉由搬送裝置ARM2之保持部保持而取出。又，可將保持於保持部之晶圓W收容於負載埠LP1、2中。同樣，搬送裝置ARM3可將收容於負載埠LP3、4中之晶圓W藉由搬送裝置ARM3之保持部保持而取出。又，可將保持於保持部之晶圓W收容於負載埠LP3、4中。

控制部100具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)及HDD(Hard Disk Drive，硬式磁碟機)。控制部100亦可具有SSD(Solid State Drive，固態磁碟)等其他記憶區域而不限於HDD。於HDD、RAM等記憶區域中，儲存有設定了製程順序、製程條件、搬送條件之配方。

CPU按照配方控制各處理室PM中之晶圓W之處理，控制晶圓W之搬送。於HDD或RAM中可記憶用以執行各處理室PM中之晶圓W之處理及晶圓W之搬送的程式。程式可以儲存於記憶媒體之方式提供，亦可經由網路從外部裝置提供。

＜基板處理系統之動作＞ 其次，對基板處理系統之動作之一例進行說明。此處，作為基板處理系統之動作之一例，按如下動作進行說明：於處理室PM1中，對安裝於負載埠LP1之載具C所收容之晶圓W實施處理，將其收容至安裝於負載埠LP3之空載具C中。再者，於動作之開始時點，閘閥GV1～9關閉，加載互鎖真空室LLM內為大氣氛圍。

控制部100打開閘閥GV8。控制部100控制搬送裝置ARM2，將晶圓W從負載埠LP1之載具C中取出，載置於加載互鎖真空室LLM之載置部131。當晶圓W載置於加載互鎖真空室LLM之載置部131，搬送裝置ARM2從加載互鎖真空室LLM退避時，控制部100關閉閘閥GV8。

控制部100控制加載互鎖真空室LLM之排氣裝置(未圖示)排出室內之空氣，將加載互鎖真空室LLM從大氣氛圍向真空氛圍切換。

其次，如路徑151所示，將加載互鎖真空室LLM之載置部131所載置之晶圓W搬送至處理室PM1，載置於載置部111。具體而言，控制部100打開閘閥GV7。控制部100控制搬送裝置ARM1將末端效應器124插入加載互鎖真空室LLM直至到達預先設定之教導點，保持加載互鎖真空室LLM之載置部131所載置之晶圓W，向搬送室VTM搬送。再者，如下文中利用圖4所說明，將晶圓W從加載互鎖真空室LLM向搬送室VTM搬送時，使用感測器模組S7算出晶圓W之半徑。當末端效應器124從加載互鎖真空室LLM退避時，控制部100關閉閘閥GV7。

控制部100打開閘閥GV1。控制部100控制搬送裝置ARM1將末端效應器124插入處理室PM1直至到達預先設定之教導點，將所保持之晶圓W載置於處理室PM1之載置部111。再者，如下文利用圖6所說明，將晶圓W從搬送室VTM向處理室PM1搬送時，使用感測器模組S1算出晶圓W之中心位置。控制部100控制搬送裝置ARM1，基於所算出之晶圓W之中心位置，調整晶圓W之位置。當末端效應器124從處理室PM1退避時，控制部100關閉閘閥GV1。

控制部100控制處理室PM1，對晶圓W實施所需處理。

當晶圓W之處理結束時，如路徑152所示，將處理室PM1之載置部111所載置之晶圓W搬送至加載互鎖真空室LLM，載置於載置部131。具體而言，控制部100打開閘閥GV1。控制部100控制搬送裝置ARM1將末端效應器124插入處理室PM1直至到達預先設定之教導點，保持處理室PM1之載置部111所載置之晶圓W，向搬送室VTM搬送。當末端效應器124從處理室PM1退避時，控制部100關閉閘閥GV1。

控制部100打開閘閥GV7。控制部100控制搬送裝置ARM1將末端效應器124插入加載互鎖真空室LLM直至到達預先設定之教導點，將所保持之晶圓W載置於加載互鎖真空室LLM之載置部131。當末端效應器124從加載互鎖真空室LLM退避時，控制部100關閉閘閥GV7。

控制部100控制加載互鎖真空室LLM之進氣裝置(未圖示)向室內供給例如潔淨空氣，將加載互鎖真空室LLM從真空氛圍向大氣氛圍切換。

控制部100打開閘閥GV9。控制部100控制搬送裝置ARM3，取出加載互鎖真空室LLM之載置部131所載置之晶圓W，收容於負載埠LP3之載具C中。當晶圓W從加載互鎖真空室LLM之載置部131取出，搬送裝置ARM3從加載互鎖真空室LLM退避時，控制部100關閉閘閥GV9。

以上，對將晶圓W搬送至處理室PM1及從處理室PM1中搬出之例進行了說明，亦可同樣地將晶圓W搬送至處理室PM2～6及從處理室PM2～6中搬出。

＜晶圓之中心位置檢測＞ 其次，利用圖2及圖3，對感測器模組S1～7進行進一步說明。

圖2係對感測器模組S1之構成及感測器模組S1之檢測要領進行說明的模式圖之一例。感測器模組S1具有2個感測器11、12。以下，亦將具有2個感測器11、12之感測器模組S1稱為「2感測器型感測器模組」。感測器11、12例如為光學式通過感測器，檢測將晶圓W從搬送室VTM搬送至處理室PM1或從處理室PM1搬送至搬送室VTM時通過上方之晶圓W之邊緣。感測器11、12隔開規定間隔地配置。又，感測器11、12可相對於基準線10配置於相反側。又，感測器11、12亦可相對於基準線10對稱地配置。所謂基準線10，例如係通過處理室PM1之載置部111之中心且於搬送裝置ARM1搬送晶圓W之方向上延伸之線。

於圖2中，藉由將晶圓W沿基準線10朝上方搬送，而利用感測器11檢測出檢測點21之位置。又，利用感測器12檢測出檢測點22之位置。藉由進一步搬送晶圓W，而利用感測器11檢測出檢測點23之位置。又，利用感測器12檢測出檢測點24之位置。感測器模組S1之檢測值被輸入至控制部100。控制部100基於搬送裝置ARM1之姿勢(末端效應器124之位置、速度)及感測器模組S1之檢測值，算出晶圓W之中心位置。

圖3係對感測器模組S7之構成及感測器模組S7之檢測要領進行說明的模式圖之一例。感測器模組S7具有3個感測器31～33。以下，亦將具有3個感測器31～33之感測器模組S7稱為「3感測器型感測器模組」。感測器31～33例如為光學式通過感測器，檢測將晶圓W從搬送室VTM搬送至加載互鎖真空室LLM或從加載互鎖真空室LLM搬送至搬送室VTM時通過上方之晶圓W之邊緣。感測器31～33隔開規定間隔地配置。又，感測器31、32可相對於基準線30配置於相反側。又，感測器31、32亦可相對於基準線30對稱地配置。所謂基準線30，例如係通過加載互鎖真空室LLM之載置部131之中心且於搬送裝置ARM1搬送晶圓W之方向上延伸之線。

又，感測器33係與感測器32隔開凹口50之開口寬度以上之間隔而配置。再者，於圖3中，圖示了感測器33設置於感測器31與感測器32之間，但感測器33並不限於此，亦可設置於較感測器31與感測器32之間更外側。

於圖3中，藉由將晶圓W沿基準線30朝上方搬送，而利用感測器31檢測出檢測點41之位置。又，利用感測器32檢測出檢測點42之位置。又，利用感測器33檢測出檢測點45之位置。藉由進一步搬送晶圓W，而利用感測器31檢測出檢測點43之位置。又，利用感測器32檢測出檢測點44之位置。又，利用感測器33檢測出檢測點46之位置。感測器模組S7之檢測值被輸入至控制部100。控制部100基於搬送裝置ARM1之姿勢(末端效應器124之位置、速度)及感測器模組S7之檢測值，算出晶圓W之半徑及晶圓W之中心位置。

控制部100根據檢測點假想三角形，求出三角形之外接圓，藉此推定晶圓W之半徑及晶圓W之中心位置。此處，於晶圓W，設置有用以表示晶軸方向之凹口50。於感測器(11～12、31～33)在形成有凹口50之位置檢測出邊緣(於圖2之例中為檢測點22，於圖3之例中為檢測點42)之情形時，有根據包含該檢測點之三角形(例如，於圖2之例中，為由檢測點21、22、23所構成之三角形，於圖3之例中，為由檢測點41、42、43所構成之三角形)推定出之晶圓W之中心位置與實際之晶圓W之中心位置錯開之虞。

圖4係表示基於感測器模組S7之檢測值而算出晶圓W之半徑的處理之一例之流程圖。

於步驟S101中，控制部100從感測器模組S7取得6個檢測點41～46(參照圖3)。具體而言，控制部100控制搬送裝置ARM1，將晶圓W從加載互鎖真空室LLM向搬送室VTM搬送。此時，晶圓W通過感測器模組S7上，藉此檢測出檢測點41～46。

於步驟S102中，控制部100根據6個檢測點41～46形成複數個三角形。此處，形成至少4個三角形。於以下說明中，亦將所形成之4個三角形稱為三角形T1～T4。

於步驟S103中，控制部100分別算出步驟S102中所形成之各三角形T1～T4之外接圓半徑及外接圓中心。

於步驟S104中，控制部100根據步驟S103中所算出之各三角形T1～T4之外接圓半徑算出外接圓半徑之平均值。

於步驟S105中，控制部100判定是否於形成有凹口50之位置檢測出檢測點41～46。

此處，判定步驟S103中所算出之各三角形T1～T4之外接圓中心之偏差是否落在載置精度之範圍內。所謂載置精度係表示將晶圓W載置於載置部111時容許從標準位置位移何種程度之值。於外接圓中心之偏差落在載置精度之範圍內之情形時，判定未於形成有凹口50之位置檢測出檢測點41～46。於外接圓中心之偏差未落在載置精度之範圍內之情形時，則判定於形成有凹口50之位置檢測出任一檢測點41～46。

於在形成有凹口50之位置檢測出檢測點41～46之情形時(S105・是)，控制部100之處理進入步驟S108。於未在形成有凹口50之位置檢測出檢測點41～46之情形時(S105・否)，控制部100之處理進入步驟S106。

於步驟S106中，控制部100判定未在形成有凹口50之位置檢測出檢測點41～46。

於步驟S107中，控制部100算出晶圓W之半徑。此處，基於檢測點41～46(或從檢測點41～46之中選擇之點)，算出晶圓W之半徑。例如可將各三角形T1～T4之外接圓半徑之平均作為晶圓W之半徑。亦可選擇各三角形T1～T4之外接圓半徑中之任一外接圓半徑作為晶圓W之半徑。繼而，結束控制部100之處理。

於步驟S108中，控制部100分別對步驟S103中所算出之各三角形T1～T4之外接圓半徑與步驟S104中所算出之外接圓半徑之平均值的大小關係進行比較，產生判定結果圖形。於以下說明中，將外接圓半徑大於平均值之情形用「○」表示，將外接圓半徑小於平均值之情形用「×」表示。例如，於三角形T1之外接圓半徑大於平均值，三角形T2之外接圓半徑小於平均值，三角形T3之外接圓半徑大於平均值，三角形T4之外接圓半徑小於平均值之情形時，產生「○×○×」之判定結果圖形。

於步驟S109中，控制部100根據預先記憶於控制部100之表格，判定與步驟S108中所產生之判定結果圖形一致者。

圖5係表格之一例。於表格中，對應地記憶有各檢測點41～46為形成有凹口50之位置處之檢測點之情形時各三角形T1～T4之判定結果圖形。例如，於檢測點41為形成有凹口50之位置處之檢測點之情形時，記憶有「○×○×」之判定結果圖形。於檢測點42為形成有凹口50之位置處之檢測點之情形時，記憶有「×○××」之判定結果圖形。於檢測點43為形成有凹口50之位置處之檢測點之情形時，記憶有「×○×○」之判定結果圖形。

此處，於由6個檢測點41～46所形成之20種三角形之中，以與各檢測點41～46對應之判定結果圖形成為唯一之方式，設定三角形T1～T4。

又，於由6個檢測點41～46所形成之20種三角形之中，針對某一三角形與其他三角形成為相同大小圖形之情況，可使用其中任一三角形來製作表格。於此情形時，可將形狀變得較窄之三角形(例如由檢測點42、45及其他檢測點構成之三角形、由檢測點44、46及其他檢測點構成之三角形等)排除。藉此，可使3個檢測點相互分隔，而可減少所算出之外接圓半徑、外接圓中心之誤差。

例如，於步驟S108中產生「○×○×」之判定結果圖形之情形時，於步驟S109中根據表格判定檢測點41為與判定結果圖形一致者，控制部100之處理進入步驟S110。再者，於步驟S108中所產生之判定結果圖形與表格中之內容均不一致之情形時，視為無符合條件者，控制部100之處理進入步驟S110。

於步驟S110中，控制部100判定是否有與表格相符之判定結果圖形。於不存在與表格相符之判定結果圖形之情形時(S110・否)，控制部100之處理進入步驟S106，判定未在形成有凹口50之位置檢測出檢測點41～46。於存在與表格相符之判定結果圖形之情形時(S110・是)，控制部100之處理進入步驟S111，特定為步驟S109中所判定之檢測點(此處為檢測點41)處於形成有凹口50之位置。

於步驟S112中，將步驟S111中所特定出之形成有凹口50之位置之檢測點排除後，算出晶圓W之半徑。此處，基於檢測點42～46(或從檢測點42～46之中選擇之點)，算出晶圓W之半徑。例如可將不包含檢測點41的各三角形之外接圓半徑之平均作為晶圓W之半徑。亦可選擇不包含檢測點41之各三角形之外接圓半徑中之任一外接圓半徑作為晶圓W之半徑。繼而，結束控制部100之處理。

圖6係表示基於感測器模組S1之檢測值算出晶圓W之中心位置的處理之一例之流程圖。

於步驟S201中，控制部100從感測器模組S1取得4個檢測點21～24(參照圖2)。具體而言，控制部100控制搬送裝置ARM1，將晶圓W從搬送室VTM向處理室PM1搬送。此時，晶圓W通過感測器模組S1上，藉此檢測出檢測點21～24。

於步驟S202中，控制部100根據4個檢測點21～24形成複數個三角形。此處，形成4個三角形。

於步驟S203中，控制部100分別算出步驟S202中所形成之各三角形之外接圓半徑及外接圓中心。

於步驟S204中，控制部100判定步驟S203中所算出之各三角形之外接圓中心之偏差是否落在載置精度之範圍內。於外接圓中心之偏差落在載置精度之範圍內之情形時(S204・是)，控制部100之處理進入步驟S205。於外接圓中心之偏差未落在載置精度之範圍內之情形時(S204・否)，控制部100之處理進入步驟S207。

於步驟S205中，控制部100判定未在形成有凹口50之位置檢測出檢測點21～24。

於步驟S206中，控制部100算出晶圓W之半徑及晶圓W之中心位置。此處，基於檢測點21～24(或從檢測點21～24之中選擇之點)，算出晶圓W之中心位置。例如可將各三角形之外接圓中心之平均位置作為晶圓W之中心位置。亦可選擇各三角形之外接圓中心中之任一外接圓中心作為晶圓W之中心位置。藉此，可使所算出之晶圓W之中心位置與實際之晶圓W之中心位置之誤差落在載置精度之範圍內。繼而，結束控制部100之處理。

於步驟S207中，控制部100判定各三角形之外接圓半徑中可視為與藉由圖4所示之處理所算出之晶圓W之半徑同值之外接圓是否為1個。此處，所謂同值，指能夠於計算精度下視為同值者。於可視為與晶圓W之半徑同值之外接圓為1個之情形時(S207・是)，控制部100之處理進入步驟S208。於可視為與晶圓W之半徑同值之外接圓並非1個之情形時(S207・否)，控制部100之處理進入步驟S210。再者，於未能算出應當參照之晶圓W之半徑之情形時，控制部100判定為步驟S207・否，控制部100之處理進入步驟S210。

於步驟S208中，控制部100將檢測點21～24中未用於可視為與晶圓W之半徑同值之外接圓之檢測點特定為形成有凹口50之位置處之檢測點。

於步驟S209中，將步驟S208中所特定之形成有凹口50之位置處之檢測點排除後，算出晶圓W之中心位置。即，算出可視為與晶圓W之半徑同值之外接圓之外接圓中心作為晶圓W之中心位置。繼而，結束控制部100之處理。

於步驟S210中，控制部100使晶圓W從處理室PM1退出，在其偏移後，使其再次進入處理室PM1內。此處之偏移量設為凹口50之開口寬度以上。藉此，於使晶圓W再進入處理室PM1內時，可防止凹口50再次通過感測器11、12之上。並且，控制部100之處理返回至步驟S201。藉此，可於未形成凹口50之位置檢測出晶圓W之外緣位置。

以上，根據一實施方式之基板處理系統，於經由搬送室VTM將晶圓W於加載互鎖真空室LLM與各處理室PM1～6之間搬送之系統中，可提高載置精度。

此處，對參考例之基板處理系統中之晶圓W之中心位置之檢測方法進行說明。於參考例之基板處理系統之檢測方法中，根據4個檢測點形成三角形，判定各三角形之外周圓之半徑R是否處於預先給出的晶圓W之半徑之範圍內，藉此，對形成有凹口50之位置處之檢測點進行判定。然而，晶圓W之半徑必須容許某種程度之尺寸差(例如300±0.2 mm)，難以兼顧晶圓W之半徑之容許度與晶圓W之中心位置之檢測精度(載置精度)。

相對於此，於本實施方式之基板處理系統中，即便未預先給出晶圓W之半徑尺寸，又，即便每個晶圓W之半徑尺寸不同，亦可高精度地求出晶圓W之中心位置，可提高將晶圓W載置於各處理室PM1～6之載置部111時之載置精度。

又，於本實施方式之基板處理系統中，將晶圓W從加載互鎖真空室LLM搬送至各處理室PM1～6，將處理過之晶圓W從各處理室PM1～6搬送至加載互鎖真空室LLM。可將3感測器型感測器模組(參照圖3)用於各搬送路徑共同通過之感測器模組S7，將2感測器型感測器模組(參照圖2)用於各處理室PM1～6之感測器模組S1～6，因此，可減少感測器之數量而降低基板處理系統之成本。

其次，利用圖7，對另一實施方式之基板處理系統之整體構成之一例進行說明。圖7係表示另一實施方式之基板處理系統之一例之構成的俯視圖。再者，於圖7中，對晶圓W標註點狀陰影來進行圖示。

圖7所示之基板處理系統與圖1所示之基板處理系統同樣為群集構造之系統，具備處理室PM1～6、搬送室VTM、加載互鎖真空室LLM、承載器模組LM1～2、負載埠LP1～4及控制部100。

此處，圖7所示之基板處理系統與圖1所示之基板處理系統相比，於處理室PM1之感測器模組S1變更為3感測器型感測器模組(參照圖3)方面不同。再者，感測器模組S1之構成與圖3所示之感測器模組S7之構成相同，省略重複之說明。

又，於圖7所示之基板處理系統中，如晶圓W之路徑153～155所示般進行連續搬送。此處，於經由搬送室VTM將晶圓W從1個室向其他室搬送之各路徑153～155中，至少將3感測器型感測器模組各配置至少1個(參照圖3)。

如路徑153所示，將加載互鎖真空室LLM之載置部131所載置之晶圓W搬送至處理室PM1，載置於處理室PM1之載置部111。此處，於晶圓W通過感測器模組S7時，基於圖4所示之流程算出晶圓W之半徑。又，於晶圓W通過感測器模組S1時，基於圖6所示之流程算出晶圓W之中心位置。基於所算出之晶圓W之中心位置，調整晶圓W之載置位置。

於處理室PM1中，對晶圓W實施所需之第1處理。再者，由於對晶圓W實施第1處理，晶圓W之半徑有時會由於製程中因熱引起之膨脹、成膜製程中之張力等而發生變化。

當晶圓W之第1處理結束時，如路徑154所示，將處理室PM1之載置部111所載置之晶圓W搬送至處理室PM2，載置於處理室PM2之載置部。此處，於晶圓W通過感測器模組S1時，基於圖4所示之流程算出晶圓W之半徑。又，於晶圓W通過感測器模組S2時，基於圖6所示之流程算出晶圓W之中心位置。基於所算出之晶圓W之中心位置，調整晶圓W之載置位置。

於處理室PM2中，對晶圓W實施所需之第2處理。

當晶圓W之第2處理結束時，如路徑155所示，將處理室PM2之載置部所載置之晶圓W搬送至加載互鎖真空室LLM，載置於載置部131。此處，於晶圓W通過感測器模組S7時，基於圖4所示之流程算出晶圓W之半徑及中心位置。基於所算出之晶圓W之中心位置，調整晶圓W之載置位置。

以上，根據另一實施方式之基板處理系統，即便未預先給出晶圓W之半徑尺寸，又，即便每個晶圓W之半徑尺寸不同，亦可高精度地求出晶圓W之中心位置，可提高將晶圓W載置於處理室PM1之載置部111時之載置精度。

又，根據另一實施方式之基板處理系統，於進行連續搬送之構成中，即便由於在處理室PM1中對晶圓W實施所需處理而導致晶圓W之半徑尺寸發生變化，亦可高精度地求出處理過之晶圓W之中心位置，可提高將處理過之晶圓W載置於下一個處理室PM2之載置部111時之載置精度。

再者，於圖7之例中，感測器模組S3～6圖示為2感測器型感測器模組(參照圖2)，但對於感測器模組S3～6而言，亦可於晶圓W之各路徑上配置至少1個以上之3感測器型感測器模組(參照圖3)。

再者，所進行的說明是，在路徑153上，於晶圓W通過感測器模組S7時算出晶圓W之半徑，於晶圓W通過感測器模組S1時算出晶圓W之中心位置，但並不限於此。亦可為如下構成：在路徑153上，於晶圓W通過感測器模組S1時，基於圖4所示之流程算出晶圓W之半徑及中心位置。於此構成中，於步驟S107或步驟S112中，控制部100算出晶圓W之半徑，並且算出晶圓W之中心位置。於步驟S107中算出晶圓W之中心位置時，基於檢測點41～46(或從檢測點41～46之中選擇之點)，算出晶圓W之半徑及晶圓W之中心位置。例如，亦可將各三角形T1～T4之外接圓中心之平均位置作為晶圓W之中心位置。亦可選擇各三角形T1～T4之外接圓中心中之任一外接圓中心作為晶圓W之中心位置。又，於步驟S112中算出晶圓W之中心位置時，將步驟S111中所特定出之形成有凹口50之位置處之檢測點(此處為檢測點41)排除後，算出晶圓W之半徑及晶圓W之中心位置。即，基於檢測點42～46(或從檢測點42～46之中選擇之點)，算出晶圓W之半徑及晶圓W之中心位置。例如，亦可將不包含檢測點41之各三角形之外接圓中心之平均位置作為晶圓W之中心位置。亦可選擇不包含檢測點41之各三角形之外接圓中心中之任一外接圓中心作為晶圓W之中心位置。

又，亦可將感測器模組S1設為3感測器型感測器模組(參照圖3)，將感測器模組S2、S7設為2感測器型感測器模組(參照圖2)。藉由設置於路徑153之感測器模組S1，可高精度地求出晶圓W之半徑及中心位置，可提高將晶圓W載置於處理室PM1之載置部111時之載置精度。又，可藉由設置於路徑154上之感測器模組S1而高精度地求出晶圓W之半徑，藉由設置於路徑154上之感測器模組S2而高精度地求出晶圓W之中心位置，可提高將晶圓W載置於處理室PM2之載置部111時之載置精度。

再者，於路徑155上，配置有2感測器型感測器模組S2、S7。於將晶圓W載置於加載互鎖真空室LLM之載置部131時，當晶圓W通過感測器模組S7時，基於圖6所示之流程算出晶圓W之中心位置。此處，於將晶圓W載置於加載互鎖真空室LLM之載置部131時，不要求與將晶圓W載置於處理室PM1、2之載置部111時相當之高載置精度。即，於圖6所示之流程中，步驟S204所容許之載置精度範圍變大。藉此，即便基於藉由2感測器型感測器模組(參照圖2)所算出之晶圓W之中心位置(S206)進行控制，亦可滿足所要求之載置精度地載置晶圓W。又，於步驟S204中，於外接圓中心之偏差未落在載置精度之範圍內之情形時(S204・否)，控制部100之處理進入步驟S207。於此情形時，未能算出應當參照之晶圓W之半徑，因此控制部100判定為步驟S207・否，控制部100之處理進入步驟S210。

其次，利用圖8，對又一實施方式之基板處理系統之整體構成之一例進行說明。圖8係表示又一實施方式之基板處理系統之一例之構成的俯視圖。再者，於圖8中，對晶圓W標註點狀陰影來進行圖示。

圖8所示之基板處理系統與圖1所示之基板處理系統同樣為群集構造之系統，具備處理室PM1～6、搬送室VTM、加載互鎖真空室LLM、承載器模組LM1～2、負載埠LP1～4及控制部100。

處理室PM1具有俯視下呈2×2列行狀載置合計4片晶圓W之載置部111～114。同樣，處理室PM2～6分別具有載置4片晶圓W之載置部。加載互鎖真空室LLM具有俯視下呈2×2列行狀載置合計4片晶圓W之載置部131～134。又，處理室PM1～6之載置部111～114之配置與加載互鎖真空室LLM之載置部131～134之配置相同。

搬送裝置ARM1構成為具備基台121、第1連桿122、第2連桿123、及末端效應器124之多關節臂。第1連桿122之一端側係相對於基台121以上下方向為旋轉軸旋動自如地安裝。又，基台121可使第1連桿122在上下方向升降。第2連桿123之一端側係相對於第1連桿122之另一端側以上下方向為旋轉軸旋動自如地安裝。末端效應器124之基端側係相對於第2連桿123之另一端側以上下方向為旋轉軸旋動自如地安裝。末端效應器124之頭端側設置有複數個保持晶圓W之保持部。驅動第1連桿122之升降、基台121與第1連桿122之關節、第1連桿122與第2連桿123之關節、第2連桿123與末端效應器124之關節的致動器由控制部100控制。

末端效應器124形成為頭端側分支之叉狀，具有基端部240、及從基端部240延伸之2個板片(叉分枝部)241、242。板片241、242從基端部240朝相同方向延伸，形成為相同高度。板片241具有沿板片241之長度方向保持複數個晶圓W之保持部243、244。板片242具有沿板片242之長度方向保持複數個晶圓W之保持部245、246。如此，保持於末端效應器124之4片晶圓W以相同高度(於同一平面上)保持。

感測器模組S1～S7以對應於2個板片241、242之方式，設置有2組。

於圖8所示之基板處理系統中，將晶圓W從加載互鎖真空室LLM搬送至各處理室PM1～6並處理之後，從各處理室PM1～6搬送至加載互鎖真空室LLM。因此，感測器模組S7為具有3個感測器31～33之感測器模組。再者，於進行連續搬送之構成中，針對感測器模組S1～6，亦可以於晶圓W之各路徑上至少將3感測器型感測器模組(參照圖3)各配置至少1個之方式，配置3感測器型感測器模組(參照圖3)。

將加載互鎖真空室LLM之載置部131～134所載置之晶圓W搬送至處理室PM1，載置於處理室PM1之載置部111～114。此處，於晶圓W通過感測器模組S7時，基於圖4所示之流程分別算出各晶圓W之半徑。又，於晶圓W通過感測器模組S1時，基於圖6所示之流程算出各晶圓W之中心位置。基於所算出之各晶圓W之中心位置，控制搬送裝置ARM1，調整晶圓W之載置位置。

圖4所示之流程係對各晶圓W逐個進行處理。圖6所示之流程基本上係對各晶圓W逐個進行處理。此處，於算出4片晶圓W中之第1～3晶圓W之中心位置(S206或S209)，而將第4晶圓W判定為S207・否之情形時，使晶圓W偏移後再插入。藉此，算出第4晶圓W之中心位置(S206或S209)。此時，第1晶圓W之凹口50與感測器模組S1之位置關係亦發生變化，由此存在下次將第1晶圓W判定為S207・否之虞。

於此情形時，可反覆進行再次偏移及再進入，重複該操作直至算出4片晶圓W之中心位置為止。又，亦可將因偏移而被判定為S207・否之第1晶圓W之中心位置作為偏移前所算出之中心位置。藉此，可減少重做次數。

10, 30:基準線 11, 12, 31, 32, 33:感測器 21, 22, 23, 24, 41, 42, 43, 44, 45, 46:檢測點 50:凹口(缺口部) 100:控制部 111, 112, 113, 114:載置部(第1載置部、第2載置部) 121:基台 122:第1連桿 123:第2連桿 124:末端效應器 131, 132, 133, 134:載置部(第1載置部、第2載置部) 144:末端效應器 151, 152, 153, 154, 155:路徑(搬送路徑) 240:基端部 241, 242:板片 243, 244:保持部 245, 246:保持部 ARM1:搬送裝置 ARM2:搬送裝置 ARM3:搬送裝置 C:載具 GV1, GV2, GV3, GV4, GV5, GV6, GV7:閘閥 GV8:閘閥 GV9:閘閥 LLM:加載互鎖真空室 LM1, LM2:承載器模組 LP1, LP2, LP3, LP4:負載埠 PM1, PM2, PM3, PM4, PM5, PM6:處理室(第1室、第2室) S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7:感測器模組(基板感測部) VTM:搬送室(第1室、第2室) W:晶圓

圖1係表示一實施方式之基板處理系統之一例之構成的俯視圖。 圖2係對感測器模組之構成及檢測要領進行說明的模式圖之一例。 圖3係對感測器模組之構成及檢測要領進行說明的模式圖之一例。 圖4係表示算出晶圓之半徑的處理之一例之流程圖。 圖5係表格之一例。 圖6係表示算出晶圓之中心位置的處理之一例之流程圖。 圖7係表示另一實施方式之基板處理系統之一例之構成的俯視圖。 圖8係表示又一實施方式之基板處理系統之一例之構成的俯視圖。

100:控制部

111:載置部

124:末端效應器

131:載置部

144:末端效應器

151:路徑

152:路徑

ARM1:搬送裝置

ARM2:搬送裝置

ARM3:搬送裝置

C:載具

GV1,GV2,GV3,GV4,GV5,GV6,GV7:閘閥

GV8:閘閥

GV9:閘閥

LLM:加載互鎖真空室

LM1,LM2:承載器模組

LP1,LP2,LP3,LP4:負載埠

PM1,PM2,PM3,PM4,PM5,PM6:處理室

S1,S2,S3,S4,S5,S6,S7:感測器模組

VTM:搬送室

W:晶圓

Claims (16)

1. 一種基板處理系統之控制方法，該基板處理系統具備： 第1室，其具有第1載置部； 第2室，其具有第2載置部； 搬送裝置，其將基板從上述第1室搬送至上述第2室； 第1感測器模組，其設置於從上述第1室向上述第2室之搬送路徑上，具有檢測上述基板之外緣位置之至少3個感測器；以及 控制部； 上述基板處理系統之控制方法包括如下步驟： 搬送上述基板，藉由上述第1感測器模組檢測上述基板之外緣位置；以及 判定上述第1感測器模組之檢測點是否在形成於上述基板之缺口部檢測出。
2. 如請求項1之基板處理系統之控制方法，其中 上述判定步驟包括如下步驟： 根據複數個上述檢測點形成複數個三角形； 根據所形成之複數個上述三角形之外接圓算出外接圓半徑； 算出複數個上述三角形之外接圓半徑之平均值； 產生複數個上述三角形之外接圓半徑與上述平均值之大小關係之圖形；以及 基於上述圖形，特定出於上述缺口部檢測出之檢測點。
3. 如請求項2之基板處理系統之控制方法，其中 上述控制部具有將上述圖形與於上述缺口部檢測出之檢測點建立對應關係之表格， 特定出上述檢測點之步驟係基於上述圖形及上述表格，而特定出於上述缺口部檢測出之檢測點。
4. 如請求項2或3之基板處理系統之控制方法，其進而具備如下步驟： 基於將在上述缺口部檢測出之檢測點排除後之複數個檢測點，算出基板半徑。
5. 如請求項4之基板處理系統之控制方法，其中 上述基板處理系統具備第2感測器模組，上述第2感測器模組設置於上述搬送路徑之較上述第1感測器模組更靠下游處，具有檢測上述基板之外緣位置之至少2個感測器， 算出上述基板半徑之步驟係基於上述第1感測器模組之檢測點，而算出上述基板半徑。
6. 如請求項5之基板處理系統之控制方法，其進而具備如下步驟： 基於所算出之上述基板半徑及上述第2感測器模組之檢測點，算出基板中心位置。
7. 如請求項6之基板處理系統之控制方法，其中 算出上述基板中心位置之步驟包括如下步驟： 根據複數個上述檢測點形成複數個三角形； 根據所形成之複數個上述三角形之外接圓算出外接圓中心； 基於複數個上述外接圓中心之偏差是否超過載置精度之範圍，判定有無於上述缺口部檢測出之檢測點；以及 於判定為複數個上述外接圓中心之偏差未超過上述載置精度之範圍，不存在於上述缺口部檢測出之檢測點之情形時，根據上述外接圓中心算出上述基板中心位置。
8. 如請求項7之基板處理系統之控制方法，其包括如下步驟： 於判定為複數個上述外接圓中心之偏差超過上述載置精度之範圍，存在於上述缺口部檢測出之檢測點之情形時，根據所形成之複數個上述外接圓算出外接圓半徑； 特定出具有視為與上述基板半徑同值之外接圓半徑之外接圓；以及 根據所特定出之上述外接圓之中心算出上述基板中心位置。
9. 如請求項8之基板處理系統之控制方法，其中 於存在複數個具有可視為與上述基板半徑同值之外接圓半徑之外接圓之情形時，使上述搬送路徑偏移，重新進行上述第2感測器模組之檢測。
10. 一種基板處理系統，其具備： 第1室，其具有第1載置部； 第2室，其具有第2載置部； 搬送裝置，其將基板從上述第1室搬送至上述第2室； 第1感測器模組，其設置於從上述第1室向上述第2室之搬送路徑上，具有檢測上述基板之外緣位置之至少3個感測器；以及 控制部； 上述控制部構成為， 判定上述第1感測器模組之檢測點是否在形成於上述基板之缺口部檢測出。
11. 如請求項10之基板處理系統，其中 上述判定為， 根據複數個上述檢測點形成複數個三角形， 根據所形成之複數個上述三角形之外接圓算出外接圓半徑， 算出複數個上述三角形之外接圓半徑之平均值， 產生複數個上述三角形之外接圓半徑與上述平均值之大小關係之圖形， 基於上述圖形，特定出於上述缺口部檢測出之檢測點。
12. 如請求項11之基板處理系統，其中 上述控制部具有將上述圖形與於上述缺口部檢測出之檢測點建立對應關係之表格， 上述檢測點之特定係 基於上述圖形及上述表格，而特定出於上述缺口部檢測出之檢測點。
13. 如請求項11或12之基板處理系統，其中 上述控制部構成為， 基於將在上述缺口部檢測出之檢測點排除後之複數個檢測點，算出基板半徑。
14. 如請求項10至13中任一項之基板處理系統，其進而具備第2感測器模組， 該第2感測器模組設置於上述搬送路徑之較上述第1感測器模組更靠下游處，具有檢測上述基板之外緣位置之至少2個感測器。
15. 如請求項13之基板處理系統，其進而具備第2感測器模組， 該第2感測器模組設置於上述搬送路徑之較上述第1感測器模組更靠下游處，具有檢測上述基板之外緣位置之至少2個感測器； 上述基板半徑之算出係 基於上述第1感測器模組之檢測點，而算出上述基板半徑。
16. 如請求項15之基板處理系統，其中 上述控制部構成為， 基於所算出之上述基板半徑及上述第2感測器模組之檢測點，算出基板中心位置。

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