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TW202032667A - 氮化膜之成膜方法及氮化膜之成膜裝置 - Google Patents

氮化膜之成膜方法及氮化膜之成膜裝置 Download PDF

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TW202032667A
TW202032667A TW108147960A TW108147960A TW202032667A TW 202032667 A TW202032667 A TW 202032667A TW 108147960 A TW108147960 A TW 108147960A TW 108147960 A TW108147960 A TW 108147960A TW 202032667 A TW202032667 A TW 202032667A
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村上博紀
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可用低溫形成氮化膜且可減少破壞形成氮化膜之基材的技術。 本發明之氮化膜之成膜方法，重複進行多數次包含以下步驟的循環：將包含氮化之元素的原料氣體供給至基板，接著在前述基板上形成包含前述元素之層；使包含氫氣之改質氣體電漿化，接著藉由已電漿化之前述改質氣體將包含前述元素之層改質；及用熱活化包含氮之氮化氣體，接著藉由已用熱活化之前述氮化氣體熱將包含前述元素之層氮化。

Description

氮化膜之成膜方法及氮化膜之成膜裝置
本發明係關於氮化膜之成膜方法及氮化膜之成膜裝置。
專利文獻1記載氮化矽膜之形成方法。該形成方法係以反應物形成步驟、氯去除步驟及氮化矽膜形成步驟作為1循環並重複進行多數次該循環。反應物形成步驟係供給二氯矽烷至收納基板之反應室內，接著在基板上形成與二氯矽烷反應之反應物。氯去除步驟係供給氫至電漿產生室而形成氫自由基，接著將形成之氫自由基由電漿產生室供給至反應室。氮化矽膜形成步驟係將氨供給至電漿產生室而形成氨自由基，接著將形成之氨自由基由電漿產生室供給至反應室內。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-283385號公報
本揭示之一態樣提供一種可用低溫形成氮化膜且可減少破壞形成氮化膜之基材的技術。
本揭示一態樣之氮化膜之成膜方法係重複進行多數次循環，該循環包含以下步驟： 將包含氮化之元素的原料氣體供給至基板，接著在前述基板上形成包含前述元素之層； 使包含氫氣之改質氣體電漿化，接著藉由已電漿化之前述改質氣體改質包含前述元素之層；及 用熱活化包含氮之氮化氣體，接著藉由用熱活化之前述氮化氣體熱氮化包含前述元素之層。
依據本揭示之一態樣，可用低溫形成氮化膜且可減少破壞形成氮化膜之基材。
以下，參照圖式說明本揭示之實施形態。此外，各圖中相同或對應之結構賦予相同或對應之符號並省略說明。
(成膜裝置) 圖1係顯示一實施形態之成膜裝置的圖。成膜裝置1藉由ALD(原子層沉積(Atomic Layer Deposition))法在基板上形成氮化膜。氮化膜係例如氮化矽膜。氮化矽膜係藉由將原料氣體(例如二氯矽烷氣體)及氮化氣體(例如氨氣)交互地供給至基板而形成在基板上。成膜裝置1具有例如：處理單元10、除害裝置50、排氣源51及控制部100。
圖2係顯示一實施形態之處理單元的圖。圖2所示之處理單元10係對多數片基板一起進行熱處理之批式縱型熱處理裝置。但是，處理單元10不限於縱型熱處理裝置。例如，處理單元10可為一次處理一片基板2之單片式裝置。此外，處理單元10亦可為半批式裝置。半批式裝置使環繞旋轉檯之旋轉中心線配置的多數片基板2與旋轉檯一起旋轉，使其依序通過供給不同氣體之多數區域。
如圖2所示地，處理單元10具有：處理容器11，其在內部形成處理基板2之空間；蓋體20，其氣密地封閉處理容器11之下端的開口；及基板保持器30，其保持基板2。基板2係例如半導體基板且更詳而言之係例如矽晶圓。基板保持器30亦稱為晶舟。
處理容器11具有開放下端的有頂板圓筒狀處理容器本體12。處理容器本體12係由例如石英形成。凸緣部13形成在處理容器本體12之下端。此外，處理容器11具有例如圓筒狀之歧管14。歧管14係由例如不鏽鋼形成。凸緣部15形成在歧管14之上端，且處理容器本體12之凸緣部13設置在該凸緣部15上。O環等之密封構件16配置在凸緣部15與凸緣部13之間。
蓋體20透過O環等之密封構件21氣密地安裝在歧管14下端之開口上。蓋體20係由例如不鏽鋼形成。朝垂直方向貫穿蓋體20之貫穿孔形成在蓋體20之中央部。旋轉軸24配置在該貫穿孔中。蓋體20與旋轉軸24之間隙被磁性流體密封部23密封。旋轉軸24之下端部可自由旋轉地被支持在升降部25之臂部26上。旋轉板27設置在旋轉軸24之上端部。基板保持器30透過保溫台28設置在旋轉板27上。
基板保持器30在垂直方向上間隔地保持多數片基板2。多數片2分別地被保持成水平。基板保持器30係由例如石英(SiO2 )或碳化矽(SiC)形成。使升降部25上升時，蓋體20及基板保持器30上升，藉此基板保持器30被搬入處理容器11之內部且處理容器11下端之開口被蓋體20密閉。此外，使升降部25下降時，蓋體20及基板保持器30下降，基板保持器30被搬出至處理容器11之外部。另外，使旋轉軸24旋轉時，基板保持器30與旋轉板27一起旋轉。
處理單元10具有4根氣體供給管40A、40B、40C、40D。氣體供給管40A、40B、40C、40D係由例如石英(SiO2 )形成。氣體供給管40A、40B、40C、40D供給氣體至處理容器11之內部。本實施形態中使用4種氣體，因此設置4根氣體供給管40A、40B、40C、40D。氣體之種類在稍後說明。此外，1根氣體供給管可依序噴吐多數種氣體。另外，多數根氣體供給管亦可同時地噴吐相同種類之氣體。
氣體供給管40A、40B、40C具有例如垂直地配置在處理容器11之內部的垂直管41A、41B、41C。該垂直管41A、41B、41C在垂直方向上間隔地具有多數供氣口42A、42B、42C。多數供氣口42A、42B、42C水平地噴吐氣體。氣體供給管40A、40B、40C具有水平地貫穿歧管14之水平管43A、43B、43C。供給至水平管43A、43B、43C之氣體被送至垂直管41A、41B、41C並由供氣口42A、42B、42C水平地噴吐。另一方面，氣體供給管40D具有水平地貫穿歧管14之水平管43D。供給至水平管43D之氣體水平地噴吐至歧管14之內部。
處理單元10具有排氣管45。排氣管45使處理容器11之內部排氣。為使處理容器11之內部排氣，排氣口18形成在處理容器本體12中。該排氣口18配置成與供氣口42A、42B、42C對向。由供氣口42A、42B、42C水平地噴吐之氣體通過排氣口18後，由排氣管45排氣。
如圖1所示地，排氣管45連接處理容器11及除害裝置50且將由處理容器11排出之氣體送至除害裝置50。除害裝置50去除排出氣體之有害成分後將排出氣體釋放至大氣中。開關閥47及排氣源51由上游側向下游側依序設置在排氣管45之中途。開關閥47開關排氣管45之內部。開關閥47同時作為控制處理容器11之內部氣壓的壓力控制閥。排氣源51包含真空泵且吸引處理容器11內部之氣體並送至除害裝置50。
如圖2所示地，處理單元10具有處理容器加熱部60。處理容器加熱部60藉由加熱處理容器11之內部，提高供給至處理容器11內部之氣體的處理能力。處理容器加熱部60配置在處理容器11之外部且由處理容器11之外側加熱處理容器11之內部。例如，處理容器加熱部60以包圍處理容器本體12之方式形成圓筒狀。處理容器加熱部60係由例如電熱器構成。
如圖1所示地，處理單元10具有：原料氣體供給機構70、改質氣體供給機構75、氮化氣體供給機構80及沖洗氣體供給機構85。原料氣體供給機構70供給原料氣體至處理容器11之內部。原料氣體包含氮化之元素(例如矽)。
原料氣體使用例如二氯矽烷(DCS：SiH2 Cl2 )氣體。此外，本實施形態之原料氣體係DCS氣體，但本揭示之技術不限於此。除了DCS氣體以外，原料氣體亦可使用例如：單氯矽烷(MCS：SiH3 Cl)氣體、三氯矽烷(TCS：SiHCl3 )氣體、四氯化矽(STC：SiCl4 )氣體、六氯二矽烷(HCDS：Si2 Cl6 )氣體等。藉由供給該等氣體至基板2，可在基板2上形成含矽(Si)之含Si層。除了Si以外，含Si層亦包含鹵素元素。這是因為原料氣體包含鹵素元素的緣故。
原料氣體供給機構70具有：原料氣體供給源71、原料氣體配管72及原料氣體流量控制閥73。原料氣體配管72連接原料氣體供給源71及氣體供給管40A並將原料氣體由原料氣體供給源71送至氣體供給管40A。原料氣體由垂直管41A之供氣口42A向基板2水平地噴吐。原料氣體流量控制閥73設置在原料氣體配管72之中途且控制原料氣體之流量。
改質氣體供給機構75係藉由供給改質氣體至處理容器11之內部來改質含Si層。含Si層之改質包含例如去除含Si層包含之鹵素元素。藉由去除鹵素元素，可形成Si之懸鍵(Dangling Bond)。結果，可活化含Si層，因此可促進含Si層之氮化。改質氣體包含氫(H2 )氣或惰性氣體。改質氣體可為單獨氫氣、單獨惰性氣體及氫氣與惰性氣體之混合氣體中之任一者。惰性氣體可使用Ar氣體等之稀有氣體、N2 氣體等。此外，使用N2 氣體作為惰性氣體時，在可抑制含Si層之氮化的條件下進行改質。
改質氣體供給機構75具有：改質氣體供給源76、改質氣體配管77及改質氣體流量控制閥78。改質氣體配管77連接改質氣體供給源76及氣體供給管40B並將改質氣體由改質氣體供給源76送至氣體供給管40B。改質氣體由垂直管41B之供氣口42B向基板2水平地噴吐。改質氣體流量控制閥78設置在改質氣體配管77之中途且控制改質氣體之流量。
氮化氣體供給機構80藉由供給氮化氣體至處理容器11之內部來氮化含Si層。氮化氣體可使用例如：氨(NH3 )氣體、有機肼化合物氣體、胺系氣體、NO氣體、N2 O氣體或NO2 氣體。有機肼化合物氣體可使用肼(N2 H4 )氣體、二氮烯(N2 H2 )氣體或單甲肼(MMH)氣體等。胺系氣體可使用例如單甲胺氣體等。
氮化氣體供給機構80具有：氮化氣體供給源81、氮化氣體配管82及氮化氣體流量控制閥83。氮化氣體配管82連接氮化氣體供給源81及氣體供給管40C並將氮化氣體由氮化氣體供給源81送至氣體供給管40C。氮化氣體由垂直管41C之供氣口42C向基板2水平地噴吐。氮化氣體流量控制閥83設置在氮化氣體配管82之中途且控制氮化氣體之流量。
沖洗氣體供給機構85藉由供給沖洗氣體至處理容器11之內部，去除殘留在處理容器11內部之原料氣體、改質氣體及氮化氣體。沖洗氣體可使用例如惰性氣體。惰性氣體可使用Ar氣體等之稀有氣體或N2 氣體。
沖洗氣體供給機構85具有：沖洗氣體供給源86、沖洗氣體配管87及沖洗氣體流量控制閥88。沖洗氣體配管87連接沖洗氣體供給源86及氣體供給管40D並將沖洗氣體由沖洗氣體供給源86送至氣體供給管40D。沖洗氣體由水平管43D水平地噴吐至歧管14之內部。沖洗氣體流量控制閥88設置在沖洗氣體配管87之中途且控制沖洗氣體之流量。
圖3係顯示一實施形態之電漿產生機構的圖。如圖3所示地，開口部17形成在處理容器本體12之周方向一部份中。收納部19係設置成包圍該開口部17。收納部19形成為由處理容器本體12朝徑向外側突出且例如從垂直方向來觀察時形成U形。
收納部19收納改質氣體用之垂直管41B及氮化氣體用之垂直管41C。改質氣體由垂直管41B之供氣口42B向開口部17水平地噴吐且透過開口部17供給至處理容器本體12之內部。同樣地，氮化氣體由垂直管41C之供氣口42C向開口部17水平地噴吐且透過開口部17供給至處理容器本體12之內部。
另一方面，原料氣體用之垂直管41A係在收納部19之外部且配置在處理容器本體12之內部。
此外，在後述比較例2中為使氮化氣體電漿化，在本實施形態中將氮化氣體用之垂直管41C配置在收納部19之內部，但本揭示之技術不限於此。在後述實施例1至4中，因為未使氮化氣體電漿化，所以氮化氣體用之垂直管41C與原料氣體用之垂直管41A同樣地在收納部19之外部且配置在處理容器本體12之內部。
電漿產生機構90具有例如：一對電極91、92，其配置在收納部19兩側；及高頻電源93，其在一對電極91、92之間施加高頻電壓。一對電極91、92與改質氣體用之垂直管41B同樣地朝垂直方向細長地形成。
藉由在一對電極91、92之間施加高頻電壓，在收納部19之內部空間中施加高頻電場。改質氣體在收納部19之內部空間中被高頻電場電漿化。改質氣體包含氫氣時氫氣被電漿化且生成氫自由基。此外，改質氣體包含氮氣時，氮氣被電漿化且生成氮自由基。另外，改質氣體包含氬氣時，氬氣被電漿化且生成氬自由基。該等活性種透過開口部17被供給至處理容器本體12之內部並改質含Si層。
含Si層之改質包含例如去除含Si層包含之鹵素元素。藉由去除鹵素元素，可形成Si之懸鍵。結果，可活化含Si層，因此可促進含Si層之氮化。含Si層之氮化在本實施形態中係在含Si層之改質後進行。
因為改質含Si層，所以可在未使氮化氣體電漿化之情形下，用低溫(例如600℃以下)實施含Si層之熱氮化。因為不必使氮化氣體電漿化，所以可減少對基材之破壞。若使氮化氣體電漿化，雖然可在未改質含Si層之情形下氮化含Si層，但對基材之破壞很大。這是因為電漿化之氮化氣體容易與含Si層反應，另一方面亦容易越過含Si層與基材反應。此外，因為不必使氮化氣體電漿化，所以可抑制堆積物由處理容器11之剝離，因此可減少處理容器11之清洗處理的頻率。這是因為電漿化之氮化氣體亦容易與堆積在處理容器11中之堆積物反應，因此容易剝離堆積物。堆積物由處理容器11剝離時，剝離之堆積物會附著在基板2上而形成顆粒。
如圖1所示地，成膜裝置1具有控制部100。控制部100係由例如電腦構成且具有CPU(中央處理單元(Central Processing Unit))101及記憶體等之記憶媒體102。控制成膜裝置1中實行之各種處理的程式儲存在記憶媒體102中。控制部100使CPU 101實行記憶在記憶媒體102中之程式，藉此控制成膜裝置1之動作。此外，控制部100具有輸入介面103及輸出介面104。控制部100藉由輸入介面103接收來自外部之信號且藉由輸出介面104發送信號至外部。
該程式記憶於可由電腦讀取之記憶媒體中或由該記憶媒體安裝在控制部100之記憶媒體102中。可由電腦讀取之記憶媒體可舉例如：硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等。此外，程式可透過網路由伺服器安裝且安裝在控制部100之記憶媒體102中。
(成膜方法) 圖4係顯示一實施形態之成膜方法的流程圖。圖4所示之步驟係在控制部100之控制下更換基板2而重複實施。
成膜方法具有將基板2搬入處理容器11之內部的搬入步驟S11。在搬入步驟S11中，首先在處理容器11之外部，搬送裝置將多數基板2裝入基板保持器30中。基板保持器30將多數基板2在垂直方向上間隔地保持成水平。接著，使升降部25上升，藉此使蓋體20及基板保持器30上升。基板2與基板保持器30一起被搬入處理容器11之內部且處理容器11之下端的開口被蓋體20密閉。
成膜方法具有在基板2上形成氮化膜之成膜步驟S12。在成膜步驟S12中，一面使處理容器11排氣以使處理容器11之內部氣壓成為預定值，一面輪流供給多種氣體至處理容器11之內部，接著在與基板保持器30一起旋轉之基板2上形成氮化膜。在成膜步驟S12中，處理容器加熱部60加熱處理容器11之內部，藉此提高成膜速度。成膜步驟S12後，供給沖洗氣體，接著停止處理容器11內部之排氣，使處理容器11之內部氣壓返回常壓。
成膜方法具有將基板2搬出至處理容器11之外部的搬出步驟S13。在搬出步驟S13中，使升降部25下降，藉此使蓋體20及基板保持器30下降。蓋體20開放處理容器11之下端開口，接著基板2與基板保持器30一起被搬出處理容器11之外部。然後，搬送裝置由基板保持器30取出基板2。接著，使升降部25上升，藉此使蓋體20及基板保持器30上升。基板保持器30被搬入處理容器11之內部，接著處理容器11之下端開口被蓋體20密閉。
圖5係顯示圖4所示之氮化膜的成膜例的流程圖。圖5所示之步驟S121至S127係在控制部100之控制下實施。圖6係顯示圖5所示之1循環的動作時點例的圖。
成膜步驟S12係例如重複下述循環到循環數達到目標次數為止。循環包含例如：沖洗(步驟S121)、含Si層之形成(步驟S122)、沖洗(步驟S123)、含Si層之改質(步驟S124)、沖洗(步驟S125)及含Si層之氮化(步驟S126)。重複實施循環期間，基板2之溫度係例如400℃以上600℃以下且處理容器11之內部氣壓係例如13Pa以上665Pa以下。
沖洗(步驟S121)由圖6所示之時刻t0進行到時刻t1。在該步驟S121中，一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由沖洗氣體供給機構85供給沖洗氣體至處理容器11之內部。藉此，用沖洗氣體置換殘留在處理容器11內部之氣體。沖洗氣體之流量係例如10sccm以上5000sccm以下。步驟S121之時間係例如3秒以上10秒以下。不限於沖洗氣體供給機構85，亦可由其他氣體供應機構供給沖洗氣體。此外，如圖6所示地，沖洗氣體由時刻t0到時刻t6不停地供給至處理容器11之內部。沖洗氣體係用適合步驟之流量供給。
含Si層之形成(步驟S122)由圖6所示之時刻t1進行到時刻t2。在該步驟S122中，一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由原料氣體供給機構70供給原料氣體至處理容器11之內部。原料氣體係例如DCS氣體。藉此，在基板2上形成含Si層。原料氣體之流量係例如10sccm以上3000sccm以下。步驟S122之時間係例如1秒以上10秒以下。
沖洗(步驟S123)由圖6所示之時刻t2進行到時刻t3。在該步驟S123中，一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由沖洗氣體供給機構85供給沖洗氣體至處理容器11之內部。藉此，用沖洗氣體置換殘留在處理容器11內部之氣體。沖洗氣體之流量係例如10sccm以上5000sccm以下。步驟S123之時間係例如3秒以上10秒以下。不限於沖洗氣體供給機構85，亦可由其他氣體供給機構供給沖洗氣體。
含Si層之改質(步驟S124)由圖6所示之時刻t3進行到時刻t4。在該步驟S124中，一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由改質氣體供給機構75供給改質氣體至處理容器11之內部。此外，在該步驟S124中，藉由電漿產生機構90使改質氣體電漿化。改質氣體係例如氫氣與氮氣之混合氣體。藉由已電漿化之改質氣體來改質含Si層。改質含Si層包含例如去除含Si層包含之鹵素元素。藉由去除鹵素元素，可形成Si之懸鍵。結果，可活化含Si層，因此可促進含Si層之氮化。改質氣體之流量係例如10sccm以上5000sccm以下。高頻電源93之功率係例如50W以上300W以下。步驟S124之時間係例如3秒以上60秒以下。
沖洗(步驟S125)由圖6所示之時刻t4進行到時刻t5。在該步驟S125中，一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由沖洗氣體供給機構85供給沖洗氣體至處理容器11之內部。藉此，用沖洗氣體置換殘留在處理容器11內部之氣體。沖洗氣體之流量係例如500sccm以上5000sccm以下。步驟S125之時間係例如3秒以上10秒以下。不限於沖洗氣體供給機構85，亦可由其他氣體供給機構供給沖洗氣體。
含Si層之氮化(步驟S126)由圖6所示之時刻t5進行到時刻t6。在該步驟S126中，一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由氮化氣體供給機構80供給氮化氣體至處理容器11之內部。在該步驟S126中，未藉由電漿產生機構90使氮化氣體電漿化。氮化氣體係例如氨氣。藉由用熱活化之氨氣來熱氮化含Si層。氮化氣體之流量係例如10sccm以上10000sccm以下。步驟S126之時間係例如5秒以上120秒以下。
循環數小於目標次數時(步驟S127，否)，因為氮化矽膜之膜厚平均值未達到目標值，所以控制部100再實施步驟121以後之處理。另一方面，循環數係目標次數時(步驟S127，是)時，因為氮化矽膜之膜厚平均值達到目標值，所以控制部100結束此次之處理。
此外，本實施形態之循環雖然在含Si層之形成(步驟S122)後且在含Si層之氮化(步驟S126)前包含含Si層之改質(步驟S124)，但本揭示之技術不限於此。循環可在含Si層之形成(步驟S122)後且在含Si層之氮化(步驟S126)後包含含Si層之改質(步驟S124)。此時，第n+1(n係1以上之自然數)次循環之含Si層之形成(步驟S122)前，可改質未藉由第n次循環之含Si層之氮化(步驟S126)而氮化的部份。藉由第n+1次循環之含Si層之氮化(步驟S126)可氮化改質之部份。
圖7係顯示1循環之動作時點變形例的圖。本變形例之循環包含在含Si層之形成(步驟S122)後且在含Si層之氮化(步驟S126)前及在含Si層之形成(步驟S122)後且在含Si層之氮化(步驟S126)後兩者中都包含含Si層之改質(步驟S124)。圖7所示之1循環之動作時點係與圖6所示之1循環之動作時點同樣由時刻t0到時刻t6。以下，說明圖7所示之1循環之動作時點與圖6所示之1循環之動作時點的不同點。
本變形例之循環由時刻t6到時刻t7係與時刻t2到時刻t3同樣地一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由沖洗氣體供給機構85供給沖洗氣體至處理容器11之內部。藉此，用沖洗氣體置換殘留在處理容器11內部之氣體。但是，如圖7所示地，沖洗氣體由時刻t0到時刻t8不停地供給至處理容器11之內部。
本變形例之循環由時刻t7到時刻t8係與時刻t3到時刻t4同樣地一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由改質氣體供給機構75供給改質氣體至處理容器11之內部。此外，由時刻t7到時刻t8，藉由電漿產生機構90使改質氣體電漿化。改質氣體係例如氫氣與氮氣之混合氣體。藉由已電漿化之改質氣體來改質含Si層。
本變形例之循環在由時刻t5到時刻t6進行含Si層之氮化(步驟S126)後，再包含含Si層之改質。在第n+1(n係1以上之自然數)次循環之含Si層之形成(步驟S122)前，可改質未藉由第n次循環之含Si層之氮化(步驟S126)而氮化之部份。藉由第n+1次循環之含Si層之氮化(步驟S126)可氮化改質之部份。
(實施例與比較例) 在實施例1中，藉由在圖6所示之動作時點實施77次圖5所示之循環(步驟S121至S126)，在矽晶圓上形成氮化矽膜。原料氣體使用DSC氣體。改質氣體使用包含91體積%之H2 氣體、9體積%之N2 氣體者。改質氣體未電漿化。沖洗氣體使用N2 氣體。重複循環期間，矽晶圓之溫度維持在550℃。
在比較例1中，除了未進行含Si層之改質(步驟S124)與該步驟之前之沖洗(步驟S123)及將矽晶圓之溫度維持在630℃以外，與實施例1同樣地形成氮化矽膜。
在比較例2中，除了未進行含Si層之改質(步驟S124)與該步驟之前之沖洗(步驟S123)及在含Si層之氮化(步驟S126)中使氮化氣體電漿化以外，與實施例1同樣地形成氮化矽膜。即，在比較例2中，除了在含Si層之氮化(步驟S126)中使氮化氣體電漿化及將矽晶圓之溫度維持在550℃以外，與比較例1同樣地形成氮化矽膜。
實施例1、比較例1及比較例2之成膜條件及氮化矽膜的評價結果顯示在表1中。此外，實施例1、比較例1及比較例2之成膜後的階梯覆蓋性都良好。
[表1]
  實施例1 比較例1 比較例2
成膜條件 原料氣體 DCS DCS DCS
改質氣體 (H2 ：N2 ) 91：9 - -
有無改質氣體之電漿化 有 - -
氮化氣體 NH3 NH3 NH3
有無氮化氣體之電漿化 無 無 無
基板之溫度 (℃) 550 630 550
膜之評價 氯含有率 (原子/毫升) 5.7×1019 1.7×1020 1.3×1020
膜密度 (g/cm3 ) 2.89 2.87 2.81
WER (Å/分) 4.8 5.3 10.5
Jg@5MV/cm (A/cm2 ) 1.6×10-6 2.7×10-4 4.2×10-6
「氯含有率」係氯元素佔氮化矽膜之單位體積的數目。氯含有率係藉由二次離子質量分析法(SIMS)測量。膜密度係藉由X射線反射率法(XRR)測量。「WER」係濕式蝕刻率。使用氫氟酸濃度為0.5%之稀氫氟酸(DHF)作為濕式蝕刻液。此外，實施例1、比較例1及比較例2之濕式蝕刻後的階梯覆蓋性都良好。「Jg@5MV/cm」表示每單位面積之洩漏電流。
在表1中，由比較實施例1與比較例1可知，因為依據實施例1改質含Si層，所以可在未使氮化氣體電漿化之情形下，用低溫(例如600℃以下)實施含Si層之熱氮化。在實施例1中進行含Si層之改質亦可由氯含有率低了解。此外，依據實施例1可知，雖然膜質(膜密度及WER等)為同程度但洩漏電流小，因此藉由用低溫熱氮化可減少對基材之破壞。基材破壞係影響洩漏電流之要素。
此外，在表1中，由比較實施例1與比較例2可知，依據實施例1，不必使氮化氣體電漿化即可用低溫氮化含Si層，因此可減少對基材之破壞。可減少對基材之破壞意味洩漏電流小。
另外，除了將矽晶圓之溫度維持在550℃以外，與實施例1同樣地形成氮化矽膜，結果製得與實施例1相同膜密度之氮化矽膜。膜密度相同意味膜質相同。由該結果可知，依據本揭示之技術，即使矽晶圓之溫度小於550℃，亦可在不使氮化氣體電漿化之情形下氮化含Si層。若矽晶圓之溫度小於550℃，可進一步抑制預形成在矽晶圓上之電子電路等的熱劣化。
此外，在實施例1中，如上所述地，藉由在圖6所示之動作時點實施77次圖5所示之循環(步驟S121至S126)，在矽晶圓上形成氮化矽膜。氮化矽膜之膜厚平均值係73.72Å且每1循環之成膜速度係0.96Å。
在比較例3中，除了未進行含Si層之改質(步驟S124)及該步驟之前之沖洗(步驟S123)以外，與實施例1同樣地進行處理。氮化矽膜之膜厚平均值係13.97Å且每1循環之成膜速度係0.18Å。
在比較例4中，除了未進行含Si層之氮化(步驟S126)及該步驟之前之沖洗(步驟S125)以外，與實施例1同樣地進行處理。氮化矽膜之膜厚平均值係17.97Å且每1循環之成膜速度係0.23Å。
實施例1、比較例3及比較例4之成膜條件及氮化矽膜的評價結果顯示在表2中。此外，在實施例1、比較例1及比較例2中製得之氮化矽膜的膜厚平均值顯示於圖8中。
[表2]
  實施例1 比較例3 比較例4
成膜條件 原料氣體 DCS DCS DCS
改質氣體 (H2 ：N2 ) 91：9 - 91：9
有無改質氣體之電漿化 有 - 有
氮化氣體 NH3 NH3 -
有無氮化氣體之電漿化 無 無 -
基板之溫度 (℃) 550 550 550
循環數 77 77 77
膜之評價 膜厚之平均值 (Å) 73.72 13.97 17.97
成膜速度 (Å/循環) 0.96 0.18 0.23
在表2及圖8中，由比較實施例1與比較例3可知，依據實施例1，因為在熱氮化含Si層前進行含Si層之改質，所以可促進含Si層之熱氮化，因此可提高成膜速度。在比較例3中，因為未進行含Si層之改質，所以成膜速度過低，因此難以獲得目標值之膜厚。
此外，在表2及圖8中，由比較實施例1、比較例3及比較例4可知，實施例1之含Si層的改質係在可抑制含Si層之氮化的條件下進行。因為在比較例4中，只與比較例3同程度地進行成膜。
接著，說明變更改質氣體之氫含有率的情形。此外，在實施例1中，如上所述地使用包含91體積%之H2 氣體、9體積%之N2 氣體者作為改質氣體。
在實施例2中，除了使用H2 氣體100體積%者以外，與實施例1同樣地形成氮化矽膜。
在實施例3中，除了使用N2 氣體100體積%者以外，與實施例1同樣地形成氮化矽膜。
實施例1、實施例2及實施例3之成膜條件及氮化矽膜的評價結果顯示在表3中。
[表3]
  實施例1 實施例2 實施例3
成膜條件 原料氣體 DCS DCS DCS
改質氣體 (H2 ：N2 ) 91：9 100：0 0：100
有無改質氣體之電漿化 有 有 有
氮化氣體 NH3 NH3 NH3
有無氮化氣體之電漿化 無 無 無
基板之溫度 (℃) 550 550 550
膜之評價 WER (Å/分) 4.8 3.0 3.9
由表3可知，實施例2之「WER」最小，實施例3之「WER」第2小且實施例1之「WER」最大。由該結果可知，單獨使用H2 氣體作為改質氣體時，可獲得最高之改質效果。
接著，說明使用DCS氣體以外之氣體作為原料氣體之情形。此外，在實施例1中，如上所述地使用DCS氣體作為原料氣體。
在實施例4中，除了使用HCDS氣體作為原料氣體及將矽晶圓之溫度維持在400℃、將循環數設定為150次以外，與實施例1同樣地形成氮化矽膜。
在比較例5中，除了未進行含Si層之改質(步驟S124)及該步驟之前之沖洗(步驟S123)以外，與實施例4同樣地形成氮化矽膜。
實施例4及比較例5之成膜條件及氮化矽膜的評價結果顯示在表4中。此外，在實施例4及比較例5中製得之氮化矽膜的膜厚平均值顯示於圖9中。
[表4]
  實施例4 比較例5
成膜條件 原料氣體 DCS HDCS
改質氣體 (H2 ：N2 ) 91：9 -
有無改質氣體之電漿化 有 -
氮化氣體 NH3 NH3
有無氮化氣體之電漿化 無 無
基板之溫度 (℃) 400 400
循環數 150 150
膜之評價 膜厚之平均值 (Å) 67.80 41.36
成膜速度 (Å/循環) 0.45 0.28
依據比較例5，使用HCDS作為原料氣體時，即使未進行含Si層之改質(步驟S124)，亦可在未使氮化氣體電漿化之情形下用400℃實施含Si層之熱氮化。但是，依據實施例4，使用HCDS作為原料氣體時，藉由進行含Si層之改質(步驟S124)，可促進含Si層之熱氮化，因此提高成膜速度。
接著，參照圖10、圖11及圖12說明形成之膜係除了氮以外，亦包含選自於碳、氧、硼及氟中之至少一個不純物的氮化膜的情形。以下，主要說明與形成之膜係未包含上述不純物之氮化膜時不同的點。
如圖10所示地，處理單元10除了原料氣體供給機構70、改質氣體供給機構75、氮化氣體供給機構80及沖洗氣體供給機構85以外，更具有導入氣體供給機構61。導入氣體供給機構61將導入氣體供給至處理容器11之內部。導入氣體包含選自於碳、氧、硼及氟中之至少一個不純物且對氮化矽膜等之氮化膜導入上述不純物。導入氣體用之氣體供給管雖然省略圖示，但與圖2所示之原料氣體用氣體供給管40A同樣地具有垂直地配置在處理容器11之內部的垂直管。
導入氣體供給機構61具有：導入氣體供給源62、導入氣體配管63及導入氣體流量控制閥64。導入氣體配管63連接導入氣體供給源62及氣體供給管之垂直管並由導入氣體供給源62將導入氣體送至垂直管。導入氣體流量控制閥64設置在導入氣體配管63之中途且控制導入氣體之流量。
導入碳作為不純物時，使用碳氫化合物氣體等作為導入氣體。碳氫化合物氣體之具體例可舉C4 H6 氣體為例。導入氧作為不純物時，使用O2 、O3 、N2 O、NO、CO、CO2 等作為導入氣體。導入硼作為不純物時，使用BCl3 、B2 H6 、TDMAB(參二甲胺甲硼烷)等作為導入氣體。導入氟作為不純物時，使用F2 、HF、SiF4 等作為導入氣體。
如圖11所示，成膜步驟S12係例如重複下述循環到循環數達到目標次數為止。例如，除了沖洗(步驟S121)、含Si層之形成(步驟S122)、沖洗(步驟S123)、含Si層之改質(步驟S124)、沖洗(步驟S125)及含Si層之氮化(步驟S126)以外，循環亦包含沖洗(步驟S131)及不純物之導入(步驟S132)。重複實施循環期間，基板2之溫度係例如400℃以上600℃以下且處理容器11之內部氣壓係例如13Pa以上2000Pa以下。
沖洗(步驟S131)由圖12所示之時刻t4進行到時刻t11。在該步驟S131中，一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由沖洗氣體供給機構85供給沖洗氣體至處理容器11之內部。藉此，用沖洗氣體置換殘留在處理容器11內部之氣體。沖洗氣體之流量係例如10sccm以上5000sccm以下。步驟S131之時間係例如3秒以上10秒以下。不限於沖洗氣體供給機構85，亦可由其他氣體供應機構供給沖洗氣體。此外，如圖12所示地，沖洗氣體由時刻t0到時刻t6不停地供給至處理容器11之內部。沖洗氣體係用適合步驟之流量供給。
不純物之導入(步驟S132)由圖12所示之時刻t11進行到時刻t12。在該步驟S132中，一面藉由排氣源51使處理容器11之內部排氣，一面藉由導入氣體供給機構61供給導入氣體至處理容器11之內部。導入氣體係例如C4 H6 氣體。藉此，可將C導入含Si層中作為不純物。導入氣體之流量係例如10sccm以上3000sccm以下。步驟S132之時間係例如1秒以上60秒以下。導入氣體未被電漿產生機構90電漿化。
本變形例之循環與圖5所示之循環同樣地包含含Si層之改質(步驟S124)。因此，如上所述地，可在不使氮化氣體電漿化之情形下，用低溫(例如600℃以下，且較佳為550℃以下)實施含Si層之熱氮化。因為不必使氮化氣體電漿化，所以可抑制堆積物由處理容器11之剝離，因此可減少處理容器11之清洗處理的頻率。
此外，本變形例之循環與圖5所示之循環同樣地在含Si層之形成(步驟S122)後且在含Si層之氮化(步驟S126)前包含含Si層之改質(步驟S124)。在第n次循環形成之含Si層可在其上形成新含Si層前進行改質及氮化。因此，改質及氮化之效率佳。
另外，循環亦可在含Si層之形成(步驟S122)後且在含Si層之氮化(步驟S126)後包含含Si層之改質(步驟S124)。此時，在第n次循環形成之含Si層中的未氮化部分可在其上形成新含Si層前進行改質。改質之部份及在第n+1次循環形成之含Si層，可在第n+1次循環予以氮化。此外，循環可在含Si層之氮化(步驟S126)之前後都包含含Si層之改質(步驟S124)。
本變形例之循環與圖5所示之循環不同且更包含不純物之導入(步驟S132)。依據本變形例，如上所述地不必使氮化氣體電漿化，因此可抑制由含Si層取出不純物(例如C)。若使氮化氣體電漿化，氮化前導入之不純物在氮化時由含Si層取出，因此不純物之含量降低。
此外，本變形例在含Si層之改質(步驟S124)後且在含Si層之氮化(步驟S126)前包含不純物之導入(步驟S132)。在第n(n係1以上之自然數)次循環形成之含Si層可在其上形成新含Si層前進行改質、碳化及氮化。
另外，循環可在含Si層之改質(步驟S124)後且在含Si層之氮化(步驟S126)後包含不純物之導入(步驟S132)。可抑制在第n+1次循環之氮化時由含Si層取出在第n次循環導入之不純物。此外，為了增加不純物之導入量，循環可在含Si層之氮化(步驟S126)之前後都包含不純物之導入(步驟S132)。
(實施例及比較例) 在實施例5中，藉由在圖12所示之動作時點實施99次圖11所示之循環(步驟S121至S126、S131至S132)，在矽晶圓上形成碳氮化矽膜。使用DSC氣體作為原料氣體。使用包含91體積%之H2 氣體、9體積%之N2 氣體者作為改質氣體。改質氣體電漿化。使用C4 H6 氣體作為導入氣體。導入氣體未電漿化。不純物之導入(步驟S132)中之處理容器11的內部氣壓係1200Pa(9托耳)。使用NH3 氣體作為氮化氣體。氮化氣體未電漿化。使用N2 氣體作為沖洗氣體。重複循環期間，矽晶圓之溫度維持在550℃。
在實施例6中，除了不純物之導入(步驟S132)中之處理容器11的內部氣壓由1200Pa(9托耳)變更為1733Pa(13托耳)以外，與實施例5同樣地形成碳氮化矽膜。
在比較例6中，除了未進行含Si層之改質(步驟S124)及該步驟之前之沖洗(步驟S123)、及在含Si層之氮化(步驟S126)中使氮化氣體電漿化以外，與實施例5同樣地形成碳氮化矽膜。
在比較例7中，除了在含Si層之氮化(步驟S126)中使氮化氣體電漿化以外，與實施例5同樣地形成碳氮化矽膜。
實施例5、實施例6、比較例6及比較例7之成膜條件及碳氮化矽膜之化學組成的測量結果顯示在表5中。此外，實施例5、實施例6、比較例6及比較例7之成膜後的階梯覆蓋性都良好。
[表5]
  實施例5 實施例6 比較例6 比較例7
成膜條件 原料氣體 DCS DCS DCS DCS
改質氣體 (H2 ：N2 ) 91：9 91：9 - 91：9
有無改質氣體之電漿化 有 有 - 有
導入氣體 C4 H6 C4 H6 C4 H6 C4 H6
有無導入氣體之電漿化 無 無 無 無
導入氣體供給時之氣壓(Pa) 1200 1733 1200 1200
氮化氣體 NH3 NH3 NH3 NH3
有無氮化氣體之電漿化 無 無 有 有
基板之溫度 (℃) 550 550 550 550
膜之組成 Si含量 (莫耳%) 38.5 38.5 38.1 38.6
C含量 (莫耳%) 2.1 4.9 0.7 0.9
N含量 (莫耳%) 47.9 46.9 49.4 50.5
O含量 (莫耳%) 11.5 9.7 11.8 10.0
碳氮化矽膜之化學組成係藉由X射線光電子光譜法(XPS)測量。
由表5可知，依據實施例5至6，因為改質含Si層，所以可在未使氮化氣體電漿化之情形下，用比較低溫之550℃實施含Si層之熱氮化。熱氮化之實行可由N含量了解。
此外，在表5中，由比較實施例5與比較例6至7可知，依據實施例5，因為不必使氮化氣體電漿化，所以可抑制由含Si層取出預導入之C。
另外，除了將矽晶圓之溫度維持在500℃以外，與實施例5同樣地形成碳氮化矽膜，結果製得與實施例5相同膜密度之碳氮化矽膜。膜密度相同意味膜質相同。由該結果可知，依據本揭示之技術，即使矽晶圓之溫度小於550℃，亦可在不使氮化氣體電漿化之情形下氮化含Si層。若矽晶圓之溫度小於550℃，可進一步抑制預形成在矽晶圓上之電子電路等的熱劣化。
如以上說明地，形成之膜可為氮化膜，且除了氮以外，亦可為包含氧、碳、硼、氟中之任一個或多數個的氮化膜。例如，除了SiN以外，氮化矽膜可為SiON、SiCN、SiOCN、SiBN、SiBCN、SiBOCN、SiFN或SiCFN等。選自於氧、碳、硼及氟中之1個以上元素可在含Si層之改質(步驟S124)、含Si層之氮化(步驟S126)或在新設之步驟中加入含Si層。該加入步驟只要在形成氮化膜之循環中進行即可。
此外，在本說明書中，將氮化矽膜以矽(Si)與氮(N)之比率無關之方式表示為SiN。「SiN」包含例如用3：4含有矽與氮者(Si3 N4 )。關於「SiON」、「SiCN」、「SiOCN」、「SiBN」、「SiBCN」、「SiBOCN」、「SiFN」及「SiCFN」亦相同。
以上，雖然說明了本揭示之成膜方法及成膜裝置的實施形態，但本揭示不限於上述實施形態等。在申請專利範圍記載之範疇內，可進行各種變更、修正、置換、附加、刪除及組合。該等變更、修正、置換、附加、刪除及組合亦當然屬於本揭示之技術的範圍。
例如，形成之膜只要是氮化膜即可，不限於氮化矽膜。本揭示之技術亦可適用於例如：氮化鈦膜、氮化硼膜、氮化鎢膜、氮化鋁膜等。形成氮化鈦膜時，使用例如TiCl4 作為原料氣體。形成氮化硼膜時，使用例如BCl3 作為原料氣體。形成氮化鎢膜時，使用例如WCl6 作為原料氣體。形成氮化鋁膜時，使用例如AlCl3 作為原料氣體。
此外，使原料氣體電漿化之方法不限於在收納部19之內部空間中施加高頻電場的方法。亦可使用其他之電感耦合電漿及微波電漿等。
基板2不限於矽晶圓等之半導體基板，亦可為玻璃基板等。
1:成膜裝置 2:基板 10:處理單元 11:處理容器 12:處理容器本體 13,15:凸緣部 14:歧管 16,21:密封構件 17:開口部 18:排氣口 19:收納部 20:蓋體 23:磁性流體密封部 24:旋轉軸 25:升降部 26:臂部 27:旋轉板 28:保溫台 30:基板保持器 40A,40B,40C,40D:氣體供給管 41A,41B,41C:垂直管 42A,42B,42C:供氣口 43A,43B,43C,43D:水平管 45:排氣管 47:開關閥 50:除害裝置 51:排氣源 60:處理容器加熱部 61:導入氣體供給機構 62:導入氣體供給源 63:導入氣體配管 64:導入氣體流量控制閥 70:原料氣體供給機構 71:原料氣體供給源 72:原料氣體配管 73:原料氣體流量控制閥 75:改質氣體供給機構 76:改質氣體供給源 77:改質氣體配管 78:改質氣體流量控制閥 80:氮化氣體供給機構 81:氮化氣體供給源 82:氮化氣體配管 83:氮化氣體流量控制閥 85:沖洗氣體供給機構 86:沖洗氣體供給源 87:沖洗氣體配管 88:沖洗氣體流量控制閥 90:電漿產生機構 91,92:電極 93:高頻電源 100:控制部 101:CPU 102:記憶媒體 103:輸入介面 104:輸出介面 S11:搬入步驟 S12:成膜步驟 S13:搬出步驟 S121~S127:步驟 t0~t8,t11,t12:時刻
圖1係顯示一實施形態之成膜裝置的圖。 圖2係顯示一實施形態之處理單元的圖。 圖3係顯示一實施形態之電漿產生機構的圖。 圖4係顯示一實施形態之成膜方法的流程圖。 圖5係顯示圖4所示之氮化膜的成膜例的流程圖。 圖6係顯示圖5所示之1循環的動作時點例的圖。 圖7係顯示1循環之動作時點變形例的圖。 圖8係顯示實施例1、比較例3及比較例4中製得之氮化矽膜的膜厚平均值的圖。 圖9係顯示實施例4及比較例5中製得之氮化矽膜的膜厚平均值的圖。 圖10係顯示變形例之成膜裝置的圖。 圖11係顯示使用圖10所示之成膜裝置的成膜方法例的流程圖。 圖12係顯示圖11所示之1循環的動作時點例的圖。
t0~t6:時刻

Claims (14)

  1. 一種氮化膜之成膜方法，其重複進行多數次包含以下步驟的循環： 將包含氮化之元素的原料氣體供給至基板，接著在該基板上形成包含該元素之層； 使包含氫氣之改質氣體電漿化，接著藉由已電漿化之該改質氣體將包含該元素之層改質；及 用熱活化包含氮之氮化氣體，接著藉由已用熱活化之該氮化氣體將包含該元素之層熱氮化。
  2. 如請求項1之氮化膜之成膜方法，其中該改質氣體包含氫氣及惰性氣體。
  3. 一種氮化膜之成膜方法，其重複進行多數次包含以下步驟的循環： 將包含氮化之元素的原料氣體供給至基板，接著在該基板上形成包含該元素之層； 使包含惰性氣體之改質氣體電漿化，接著藉由已電漿化之該改質氣體將包含該元素之層改質；及 用熱活化包含氮之氮化氣體，接著藉由已用熱活化之該氮化氣體將包含該元素之層熱氮化。
  4. 如請求項1至3中任一項之氮化膜之成膜方法，其中，該循環包含在該基板上形成包含該元素之層的步驟之後且在將包含該元素之層熱氮化的步驟之前將包含該元素之層改質的步驟。
  5. 如請求項1至4中任一項之氮化膜之成膜方法，其中，該循環包含在該基板上形成包含該元素之層的步驟之後且在將包含該元素之層熱氮化的步驟之後將包含該元素之層改質的步驟。
  6. 如請求項1至5中任一項之氮化膜之成膜方法，其中，該循環包含在該基板上形成包含該元素之層的步驟之後且在將包含該元素之層熱氮化的步驟之前，及在該基板上形成包含該元素之層的步驟之後且在將包含該元素之層熱氮化的步驟之後兩者，都將包含該元素之層改質的步驟。
  7. 如請求項1至6中任一項之氮化膜之成膜方法，其中該循環更包含以下步驟：將包含選自於碳、氧、硼及氟中之至少一個以上不純物的導入氣體供給至該基板，接著對於包含該元素之層導入該不純物。
  8. 如請求項7之氮化膜之成膜方法，其中，該循環包含在將包含該元素之層改質的步驟之後且在將包含該元素之層熱氮化的步驟之前，對於包含該元素之層導入該不純物的步驟。
  9. 如請求項1至8中任一項之氮化膜之成膜方法，其中在重複進行多數次該循環之期間，該基板之溫度小於550℃。
  10. 一種氮化膜之成膜裝置，具有： 處理容器； 加熱部，將收納在該處理容器之內部的基板加熱； 原料氣體供給機構，將包含氮化之元素的原料氣體供給至該處理容器之內部； 改質氣體供給機構，將包含氫氣之改質氣體供給至該處理容器之內部； 電漿產生機構，使該改質氣體電漿化； 氮化氣體供給機構，將包含氮之氮化氣體供給至該處理容器之內部；及 控制部，其控制該加熱部、該原料氣體供給機構、該改質氣體供給機構、該電漿產生機構及該氮化氣體供給機構， 該控制部重複實行多數次包含以下步驟之循環： 將該原料氣體供給至基板，接著在該基板上形成包含該元素之層； 藉由已電漿化之該改質氣體將包含該元素之層改質；及 藉由用熱活化之該氮化氣體將包含該元素之層熱氮化。
  11. 如請求項10之氮化膜之成膜裝置，其中該改質氣體包含氫氣及惰性氣體。
  12. 一種氮化膜之成膜裝置，具有： 處理容器； 加熱部，將收納在該處理容器之內部的基板加熱； 原料氣體供給機構，將包含氮化之元素的原料氣體供給至該處理容器之內部； 改質氣體供給機構，將包含惰性氣體之改質氣體供給至該處理容器之內部； 電漿產生機構，使該改質氣體電漿化； 氮化氣體供給機構，將包含氮之氮化氣體供給至該處理容器之內部；及 控制部，控制該加熱部、該原料氣體供給機構、該改質氣體供給機構、該電漿產生機構及該氮化氣體供給機構， 該控制部重複實行多數次包含以下步驟之循環： 將該原料氣體供給至基板，接著在該基板上形成包含該元素之層； 藉由已電漿化之該改質氣體將包含該元素之層改質；及 藉由用熱活化之該氮化氣體將包含該元素之層熱氮化。
  13. 如請求項10至12中任一項之氮化膜之成膜裝置，其中更具有供給導入氣體至該處理容器之內部的導入氣體供給機構，該導入氣體對於包含該元素之層導入選自於碳、氧、硼及氟中之至少一個以上不純物， 該控制部更控制該導入氣體供給機構， 該循環更包含對於包含該元素之層導入該不純物的步驟。
  14. 如請求項10至13中任一項之氮化膜之成膜裝置，其中該控制部在重複進行多數次該循環之期間將該基板之溫度保持在小於550℃。
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