[go: up one dir, main page]

TW202028909A - 濃度控制裝置以及零點調整方法、濃度控制裝置用程式 - Google Patents

濃度控制裝置以及零點調整方法、濃度控制裝置用程式 Download PDF

Info

Publication number
TW202028909A
TW202028909A TW109102466A TW109102466A TW202028909A TW 202028909 A TW202028909 A TW 202028909A TW 109102466 A TW109102466 A TW 109102466A TW 109102466 A TW109102466 A TW 109102466A TW 202028909 A TW202028909 A TW 202028909A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
concentration
gas
flow path
reference time
control device
Prior art date
Application number
TW109102466A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI830862B (zh
Inventor
志水徹
南雅和
Original Assignee
日商堀場Ｓｔｅｃ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商堀場Ｓｔｅｃ股份有限公司 filed Critical 日商堀場Ｓｔｅｃ股份有限公司
Publication of TW202028909A publication Critical patent/TW202028909A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI830862B publication Critical patent/TWI830862B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00—Control of flow ratio
    • G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/135—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
    • G05D11/138—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture by sensing the concentration of the mixture, e.g. measuring pH value
    • H10P72/0604—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • H10P72/0402—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Control Of Non-Electrical Variables (AREA)

Abstract

用於提供一種能夠在不中斷半導體製造工藝的情況下適當地實施濃度檢測機構的歸零的濃度控制裝置，濃度控制裝置具備：控制閥，其控制在導出流路中流動的氣體；濃度檢測機構，其對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測；濃度控制器，其以使由上述濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制上述控制閥；基準時刻判定部，其對存在於通過上述濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已被替換為其他氣體的時刻即基準時刻進行判定；以及調零部，其在基準時刻以後進行上述濃度檢測機構的歸零。

Description

濃度控制裝置以及零點調整方法、濃度控制裝置用程式
本發明涉及濃度控制裝置。
例如在半導體製造工藝中，對容納有液體或固體的材料的罐導入載氣，使材料汽化而產生材料氣體，從罐導出載氣和材料氣體的混合氣體。這樣的混合氣體中所含的材料氣體的濃度被濃度控制裝置保持在預先設定的設定濃度，並向腔室供給(參照專利文獻1)。
作為現有的壓力控制式濃度控制裝置，具備：設置於從罐導出混合氣體的導出流路的濃度檢測機構、在上述導出流路中控制混合氣體的總壓的控制閥、以及基於由濃度檢測機構檢測出的檢測濃度和預先設定的設定濃度來控制控制閥的濃度控制器。
為了保持這樣的濃度控制裝置中的濃度的控制精度，需要定期進行歸零，以使濃度檢測機構的檢測值不產生溫度漂移等誤差。
然而，如果為了濃度檢測機構的歸零，定期中斷半導體製造工藝而進行濃度檢測機構的歸零，則會產生產量降低這類問題。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開昭60-31043號公報。
技術問題
本發明是鑒於上述那樣的問題而做出的，其目的在於提供一種能夠在不中斷例如半導體製造工藝的情況下適當地實施濃度檢測機構歸零的濃度控制裝置。
技術方案
即，本發明的濃度控制裝置設置於汽化器，上述汽化器具備：容納有材料的罐、將上述材料汽化而成的材料氣體從上述罐向外部導出的導出流路、以及向上述導出流路導入與上述材料氣體不同的其他氣體的氣體供給流路，上述濃度控制裝置具備：控制閥，其控制在上述導出流路中流動的氣體；濃度檢測機構，其設置於上述導出流路，對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測；濃度控制器，其以使由上述濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制上述控制閥；基準時刻判定部，其對存在於通過上述濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已被替換為上述其他氣體的時刻即基準時刻進行判定；以及調零部，其在基準時刻以後進行上述濃度檢測機構的歸零。
作為這樣的濃度控制裝置，在例如從上述氣體供給流路對上述導出流路僅使其他氣體流動的情況下，能夠利用上述基準時刻判定部自動檢測對存在於通過上述濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已充分被上述其他氣體替換的基準時刻。因此，即使不對上述導出流路內抽真空，也對處於在上述導出流路不存在材料氣體而大致僅充滿其他氣體的狀態的情況自動檢測，而使上述調零部能夠適當調整上述濃度檢測機構的零點。
如作為例如ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沈積)等向腔室內導入材料氣體的材料氣體供給期間和僅導入其他氣體的吹掃氣體供給期間交替實施這樣的工藝，利用本發明的濃度控制裝置，能夠在不中斷工藝的情況下在僅其他氣體流動的吹掃氣體供給期間逐次進行上述濃度檢測機構的歸零。因此，能夠不降低產量，並保持濃度的檢測值的精度和濃度的控制精度。
為了能夠對例如上述導出流路內交替供給包含材料氣體的氣體和僅其他氣體，而將存在於上述檢測部的氣體替換為其他氣體且能夠自動開始歸零，上述汽化器還可以具備向上述罐導入作為上述其他氣體的載氣的導入流路，上述氣體供給流路可以是避開上述罐而將上述導入流路與上述導出流路之間連接的旁通流路，上述基準時刻判定部可以構成為：將在上述導出流路中流動的氣體已被替換為藉由上述旁通流路而供給的載氣的時刻判定為基準時刻。
為了使用稀釋氣體作為其他氣體對在上述導出流路中流動的氣體進行替換並進行歸零，上述氣體供給流路可以是向上述導入流路導入作為其他氣體的稀釋氣體的稀釋氣體流路，上述基準時刻判定部可以構成為：將在上述導出流路中流動的氣體已被替換為稀釋氣體的時刻判定為基準時刻。
為了能夠基於實測值對在上述導出流路內流動的氣體已被其他氣體替換的基準時刻進行判定，上述濃度控制裝置可以構成為：使上述基準時刻判定部基於從上述氣體供給流路對上述導出流路供給其他氣體的供給點至通過上述濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測點為止的容積和從上述氣體供給流路供給的其他氣體的流量來判定基準時刻。
為了即使存在於上述容積的氣體因位置而導致被其他氣體替換的狀態不同，也正確地推定上述容積內完全被其他氣體替換為止的時間，而縮短歸零開始以前的時間並且不降低其精度，上述容積可以包括形成上述導出流路的管道內的第一容積和使氣體從上述管道內流入並通過上述濃度檢測機構檢測濃度的單元的第二容積，上述基準時刻判定部可以構成為利用第一時間和第二時間來判定基準時刻，上述第一時間為第一容積的氣體被其他氣體替換的時間，上述第二時間為第二容積的氣體被其他氣體替換的時間。
為了能夠正確地計算至單元為止的管道內的氣體被其他氣體替換的時間，上述基準時刻判定部可以將其他氣體的累積流量所表示的體積達到上述第一容積為止的時間計算為上述第一時間。即，如果其他氣體流入到管道內，則管道內的氣體直接被推向單元，因此如果累積流量所表示的體積與第一容積一致則大致完成管道內的替換。
作為對單純的氣體推出而無法表現氣體替換的單元，也能夠正確地推定已足以被其他氣體替換的時刻的具體的構成例，可列舉上述基準時刻判定部基於作為材料氣體的殘留率的預測式的Ri =Ri-1 (Exp(-Q/V×Δt))來計算上述單元的氣體被其他氣體替換的時間作為第二時間。在此，Ri 為當前時刻的材料氣體的殘留率，Ri-1 為單位時間Δt前的材料氣體的殘留率，Q為其他氣體的流量，V為作為藉由其他氣體的替換對象的單元的第二容積。應予說明，對於其他氣體的流量，可以是檢測值，也可以是用於流量控制的設定值。
作為用於高精度地判定基準時刻的具體的構成例，可列舉上述濃度檢測機構具備：總壓感測器，其對存在於上述檢測部的氣體的總壓進行檢測；分壓感測器，其對存在於上述檢測部的氣體中的材料氣體的分壓進行檢測；以及濃度計算部，其基於由上述總壓感測器檢測出的總壓和由上述分壓感測器檢測出的分壓來計算在上述導出流路中流動的氣體中的材料氣體的濃度，上述基準時刻判定部基於由上述分壓感測器檢測出的分壓來判定基準時刻。
作為本發明的濃度控制裝置的另一方式，可列舉濃度控制裝置設置於汽化器，上述汽化器具備：容納有材料的罐、將上述材料汽化而成的材料氣體從上述罐向外部導出的導出流路、以及向上述導出流路導入與上述材料氣體不同的其他氣體的氣體供給流路，上述濃度控制裝置具備：控制閥，其控制在上述導出流路中流動的氣體；濃度檢測機構，其設置於上述導出流路，對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測；濃度控制器，其以使由上述濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制上述控制閥；基準時刻判定部，其對在通過上述濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部達到預定的真空度的時刻即基準時刻進行判定；以及調零部，其在基準時刻以後進行上述濃度檢測機構的歸零。
作為這樣的濃度控制裝置，在配方改變時和/或維護時等，也能夠自動檢測例如腔室內被抽真空而在上述導出流路內幾乎不存在氣體的情況，並適當進行歸零。在該情況下，在預先設定的工藝的時間表中保持預定真空度時能夠逐次歸零，因此能夠防止產量降低的情況。
作為用於對在上述導出流路中達到預定的真空度的時刻進行判定的具體的構成，可列舉上述濃度檢測機構具備：總壓感測器，其對存在於上述檢測部的氣體的總壓進行檢測；分壓感測器，其對存在於上述檢測部的氣體中的材料氣體的分壓進行檢測；以及濃度計算部，其基於由上述總壓感測器檢測出的總壓和由上述分壓感測器檢測出的分壓來計算存在於上述檢測部的氣體中的材料氣體的濃度，上述基準時刻判定部基於由上述總壓感測器檢測出的總壓或由上述分壓感測器檢測出的分壓來判定基準時刻。
為了對在上述導出流路內充分達到預定的真空度的情況進行檢測，判定上述基準時刻而進行歸零，上述濃度控制裝置還可以在上述導出流路中具備設置於上述濃度檢測機構的下游側的低壓用壓力感測器，上述基準時刻判定部可以將由上述低壓用壓力感測器檢測出的壓力變為預定值以下的時刻判定為基準時刻。
本發明的歸零方法的特徵在於，其是設置於汽化器的濃度控制裝置的歸零方法，上述汽化器具備：容納有材料的罐、將上述材料汽化而成的材料氣體從上述罐向外部導出的導出流路、以及向上述導出流路導入與上述材料氣體不同的其他氣體的氣體供給流路，上述濃度控制裝置具備：控制閥，其對在上述導出流路中流動的氣體進行控制；濃度檢測機構，其設置於上述導出流路，對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測；以及濃度控制器，其以使由上述濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制上述控制閥；上述歸零方法包括：基準時刻判定步驟，對存在於通過上述濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已被替換為上述其他氣體的時刻即基準時刻進行判定；以及歸零步驟，在基準時刻以後進行上述濃度檢測機構的歸零。
作為這樣的歸零方法，能夠在例如工藝中設置於上述導出流路的上述濃度檢測機構不存在材料氣體而已被其他氣體替換的狀態進行自動判定，在不停止工藝的情況下進行上述濃度檢測機構的歸零。
為了通過對用於現有的濃度控制裝置的程式進行升級而能夠發揮與本發明的濃度控制裝置相同的功能和效果，可以使用濃度控制裝置用程式，其是用於濃度控制裝置的濃度控制裝置用程式，上述濃度控制裝置設置於汽化器，上述汽化器具備：容納有材料的罐、將上述材料汽化而成的材料氣體從上述罐向外部導出的導出流路、以及向上述導出流路導入與上述材料氣體不同的其他氣體的氣體供給流路，上述濃度控制裝置具備：控制閥，其對在上述導出流路中流動的氣體進行控制；以及濃度檢測機構，其設置於上述導出流路，對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測，上述濃度控制裝置用程式使計算機作為濃度控制器、基準時刻判定部和調零部而發揮功能，上述濃度控制器以使由上述濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制上述控制閥，上述基準時刻判定部對存在於通過上述濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已被上述其他氣體替換的時刻即基準時刻進行判定，上述調零部在基準時刻以後進行上述濃度檢測機構的歸零。應予說明，濃度控制裝置用程式可以是通過電子傳送的程式，也可以是存儲於CD、DVD、閃速存儲器等程式存儲介質的程式。
技術效果
如此作為本發明的濃度控制裝置，能夠使裝置本身對存在於通過上述濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已被替換為其他氣體的時刻和/或達到了預定的真空度的時刻進行自動判定，適當實施正確的歸零。因此，能夠不進行為了決定開始歸零的時機而另行設置附加的感測器或者中斷工藝而進行歸零用的特殊的動作這類情況，一邊持續上述濃度檢測機構的歸零和一邊實施。因此，能夠不使產量降低並且持續進行正確的歸零而持續高度保持濃度檢測精度和/或濃度控制精度。
參照各圖對本發明的第一實施方式的濃度控制系統200和濃度控制裝置100進行說明。
第一實施方式的濃度控制系統200在半導體製造工藝中向例如成膜室等腔室CN內供給預先設定的設定濃度的氣體。在第一實施方式中，以例如被容納於腔室CN內的多片晶片為對象，通過ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沈積)工藝在晶片的表面逐層地堆積原子。因此，濃度控制系統200構成為交替重復地進行對腔室CN供給包含初級粒子的氣體和供給不包含初級粒子的吹掃用的氣體。
如圖1所示，該濃度控制系統200具備汽化器VP和濃度控制裝置100，汽化器VP向例如液體的材料供給載氣而使其汽化，並且生成載氣和材料汽化而成的材料氣體的混合氣體，濃度控制裝置100對通過汽化器VP生成的混合氣體中的材料氣體的濃度進行控制。
汽化器VP具備：容納有例如液體的材料的罐TN、向罐TN內導入載氣的導入流路CL、以及將氣體從罐TN中向罐TN外導出且到達腔室CN的導出流路ML。即，在向腔室CN內供給初級粒子期間，通過從導入流路CL供給的載氣使罐TN內的材料起泡，載氣和材料汽化而成的材料氣體的混合氣體在導出流路ML中流動而向腔室CN供給。在罐TN的周圍設置有包括恆溫槽、加熱器、溫度控制器等的調溫機構TC。通過調溫機構TC將罐TN內的溫度恆定地保持在例如適於使材料汽化的溫度。
另外，該汽化器VP具備稀釋氣體流路DL和旁通流路BL，稀釋氣體流路DL對導出流路ML直接供給用於稀釋混合氣體的稀釋氣體，旁通流路BL從導入流路CL避開罐TN而將導入流路CL與導出流路ML之間連接。在此，旁通流路BL用於在吹掃腔室CN內的期間使材料氣體不流到導出流路ML內而使載氣直接從導入流路CL流到導出流路ML。
在此，材料在罐TN內汽化而產生的氣體是材料氣體，載氣和稀釋氣體是其他氣體。混合氣體包括材料氣體和其他氣體作為成分。另外，旁通流路BL和稀釋氣體流路DL相當於將其他氣體嚮導出流路ML導入的氣體供給流路。
濃度控制裝置100具備：設置於導入流路CL的第一質量流量控制器MFC1、設置於稀釋氣體流路DL的第二質量流量控制器MFC2、設置於導出流路ML的濃度檢測機構1、以及以基於由濃度檢測機構1檢測出的檢測值對第一質量流量控制器MFC1和第二質量流量控制器MFC2設定設定流量的方式進行控制的控制機構COM。濃度控制裝置100還具備在導入流路CL中設置於比旁通流路BL的連接點靠近下游側的位置的第一開閉閥V1、在導出流路ML中設置於比旁通流路BL的連接點靠近上游側的位置的第二開閉閥V2、以及設置於旁通流路BL的第三開閉閥V3。構成為通過切換這些開閉閥的開閉，從而對使載氣經由罐TN或避開罐TN進行切換。
第一質量流量控制器MFC1構成為具備第一流量感測器、第一控制閥和第一流量控制器，並且使這些設備容納於箱體內且一體化為一個模塊。該第一質量流量控制器MFC1從控制機構COM接收第一設定流量，以使被導入到罐TN內的載氣的流量保持在第一設定流量的方式進行流量控制。具體而言，第一流量控制器以使由第一流量感測器檢測出的載氣的檢測流量與接收到的第一設定流量之間的偏差變小的方式對第一控制閥的開度進行流量反饋控制。
第二質量流量控制器MFC2構成為具備第二流量感測器、第二控制閥和第二流量控制器，並且使這些設備容納於箱體內且一體化為一個模塊。該第二質量流量控制器MFC2從控制機構COM接收第二設定流量，以使供給到導出流路ML的稀釋氣體的流量保持在第二設定流量的方式進行流量控制。具體而言，第二流量控制器以使由第二流量感測器檢測出的稀釋氣體的檢測流量與接收到的第二設定流量之間的偏差變小的方式對第二控制閥的開度進行流量反饋控制。
濃度檢測機構1基於混合氣體的總壓和材料氣體的分壓，對存在於檢測部內的混合氣體中的材料氣體的濃度進行檢測。具體而言，濃度檢測機構1具備：檢測混合氣體的總壓的總壓感測器11、檢測材料氣體的分壓的分壓感測器12、以及基於檢測出的總壓和分壓來計算混合氣體中的材料氣體的濃度的濃度計算部13。更具體而言，分壓感測器12設置在形成於導出流路ML的單元，總壓感測器11設置在將單元與罐之間進行連接的管道。在此，對於總壓感測器11，可以設置在單元，也可以設置在連接到單元的下游側的管道。應予說明，單元與管道的內徑相比，其流路面積擴大。濃度檢測機構1的檢測部可以定義為在該檢測部中從設置有例如總壓感測器11的地點至單元的出口為止。另外，在總壓感測器11設置於單元的情況下，檢測部可以定義為單元本身。
在此，總壓感測器11例如基於隔膜的變形量來檢測混合氣體的總壓。另一方面，分壓感測器12具備：發射包含材料氣體的吸收波帶的光的光源、接收穿過了混合氣體的光的受光器、以及輸出與受光器的輸出對應的分壓信號的信號處理器。從光源發射的光具有僅被材料氣體吸收且不被載氣或稀釋氣體吸收的波帶。因此，在受光器中僅檢測基於材料氣體的吸光率。信號處理器基於光的吸光率和標準曲線向濃度計算部13輸出表示對應的分壓的分壓信號。
濃度計算部13通過將檢測出的分壓除以檢測出的總壓從而計算混合氣體中的材料氣體的濃度。應予說明，濃度計算部13利用後述的控制機構COM的運算功能而構成。
接著，對控制機構COM的詳細情況進行說明。第一實施方式的控制機構COM通過控制第一質量流量控制器MFC1和第二質量流量控制器MFC2的動作，從而控制最終在導入流路CL中流動並供給到腔室CN的混合氣體的流量和混合氣體中的材料氣體的濃度。另外，該控制機構COM不僅進行上述的濃度控制，還具有自動進行濃度檢測機構1的歸零的功能。
具體而言，控制機構COM是具備CPU、存儲器、A/D轉換器、D/A轉換器和各種輸入輸出部的所謂的計算機。控制機構COM通過執行存儲於存儲器的濃度控制裝置用程式，使各種設備協作，從而如圖2所示至少發揮作為濃度控制器2、基準時刻判定部3、調零部4的功能。
濃度控制器2通過將第一設定流量輸入到第一質量流量控制器MFC1，且將第二設定流量輸入到第二質量流量控制器MFC2，從而控制第一控制閥和第二控制閥的開度。具體而言，向濃度控制器2輸入由使用者預先設定的混合氣體中所含的材料氣體的設定濃度、以及期望流到導出流路ML的氣體的目標總流量。作為載氣的目標流量的第一設定流量通過基於其設定濃度與檢測濃度之間的偏差的濃度反饋控制而被逐漸改變。另外，作為稀釋氣體的目標流量的第二設定流量被設定為使其與第一設定流量的合計量與目標總流量一致。
在第一實施方式中，如圖3所示，濃度保持在預定值的材料氣體供給期間與為了對腔室CN內進行吹掃而僅供給載氣且混合氣體中的材料氣體的濃度為零的吹掃期間交替重復。應予說明，在吹掃期間可以持續為以使至少在導出流路ML中的分壓感測器12的檢測點處在材料氣體供給期間所供給的材料氣體被在吹掃期間所供給的載氣完全替換的足夠的時間長度。
控制機構COM基於規定材料氣體供給期間和吹掃期間的氣體供給期間設定指令，在材料氣體供給期間打開第一開閉閥V1和第二開閉閥V2，並關閉第三開閉閥V3而使載氣經由罐TN內而進行起泡。另一方面，控制機構COM在吹掃期間關閉第一開閉閥V1和第二開閉閥V2並打開第三開閉閥V3而使載氣經由旁通流路BL直接供給到流出流路。
接著對基準時刻判定部3、以及由調零部4進行的濃度檢測機構1的自動歸零進行說明。在第一實施方式中，對ALD工藝中在上述的吹掃期間內材料氣體不流到流出流路，而僅載氣或稀釋氣體流到流出流路的情況進行自動檢測，而進行分壓感測器12的歸零。
即，基準時刻判定部3對在設置有上述濃度檢測機構1的位置處從混合氣體向載氣或稀釋氣體的替換完成的時刻即基準時刻進行判定。另外，基準時刻判定部3在例如ALD工藝結束且將腔室CN內抽真空而進行吹掃時也進行基準時刻的判定。
首先，對在導出流路ML內利用載氣或稀釋氣體進行了替換的情況下的基準時刻的判定動作進行說明。在第一實施方式中，基準時刻判定部3將濃度檢測機構1的檢測濃度的輸出滿足了預定條件的時刻作為基準時刻。即，以進入了吹掃期間的時刻觸發，基準時刻判定部3開始判定。如圖4的圖表所示，從吹掃期間開始且觸發產生的時刻起，設定預定時間不進行判定的判定待機時間。
基準時刻判定部3在判定待機時間經過之後，進行判定濃度檢測機構1的輸出是否為閾值以下的等級判定。在濃度檢測機構1的輸出變為閥值以下以後，基準時刻判定部3進行判定濃度檢測機構1的輸出的時間變化量的絕對值是否為預定值以下的斜率判定。斜率判定如圖5所示，在包含預定的連續的數據點數的斜率計算窗口內，通過最小二乘法等進行直線型y＝ax＋b的擬合，計算斜率a。應予說明，關於斜率，也可以不進行擬合，而通過斜率計算窗口內的最新數據和最舊數據這兩點求出斜率a。在斜率a的絕對值變為預定值以下的時刻，基準時刻判定部3將該時刻判定為基準時刻。如此，判定至少在檢測點處從包含材料氣體的混合氣體已替換為不包含材料氣體的載氣或稀釋氣體的時刻。應予說明，在該實施方式中，基準時刻判定部3基於由濃度檢測機構1檢測出的檢測濃度來進行判定，但也可以以基於由構成濃度檢測機構1的分壓感測器12檢測出的分壓來代替檢測濃度而判定基準時刻的方式構成基準時刻判定部3。
調零部4在基準時刻以後對濃度檢測機構1進行歸零的指示。在第一實施方式中，在基準時刻以後，再次待機追加待機時間，在該時刻下對濃度檢測機構1進行歸零的指示。濃度檢測機構1按照來自調零部4的指示，基於內部狀態來實施歸零。應予說明，關於在歸零中使用的內部狀態，可以設為某一時刻下的內部狀態，也可以是預定點數的平均值。
接著，對腔室CN內被抽真空，導出流路ML內也處於預定的真空度的情況下的基準時刻的判定進行說明。在該情況下，基準時刻判定部3接收例如由使用者發出的基於腔室CN的抽真空的吹掃指令信號和/或輸入等，以該時刻作為觸發而進行基準時刻的判定。或者，基準時刻判定部3也可以監視各開閉閥的切換信號，根據閥的狀態來判定是否進行導出流路ML內的抽真空。基準時刻判定部3基於總壓感測器11的輸出值來進行處於預定真空度以下的時刻即基準時刻的判定。應予說明，關於導出流路ML內是否處於預定的真空度的判定，通過與上述的利用載氣或稀釋氣體進行的替換的判定相同的算法來進行。
另外，在導出流路ML內達到了預定的真空度的情況下，調零部4在該時刻下對濃度檢測機構1進行歸零的指示。
根據如此構成的第一實施方式的濃度控制系統200，基準時刻判定部3能夠對在ALD工藝中在導出流路ML中僅存在載氣或稀釋氣體且不存在材料氣體的時刻進行自動判定。而且，由於能夠對在導出流路ML中沒有材料氣體且分壓感測器12的輸出值應為零的時刻進行判定，因此能夠基於此時的分壓感測器12的輸出值而自動進行歸零。
因此，能夠一邊實施ALD工藝一邊逐次進行濃度檢測機構1的歸零。因此，即使在濃度檢測機構1因溫度漂移等而產生了零點的偏差，也立即通過調零部4進行修正，因此能夠使混合氣體中的材料氣體的濃度的檢測值不易產生誤差。換言之，為了濃度檢測機構1的歸零，能夠以不供給各氣體而且也不進行導出流路ML的抽真空的方式進行濃度檢測機構1的歸零。
另外，即使在通過抽真空而使導出流路ML內處於預定的真空度的情況下，對濃度檢測機構1也可自動進行歸零。
由此，作為第一實施方式的濃度控制裝置100，無需為了決定開始濃度檢測機構1的歸零的時機而另行設置附加的感測器，或者，中斷工藝而進行歸零用的特殊的動作。因此，能夠降低工藝的中斷頻率，與以往相比提高產量。
接著對第一實施方式的變形例進行說明。
第一實施方式的基準時刻判定部3基於濃度檢測機構1的輸出值對進行歸零的時刻的成為基準的基準時刻進行了判定，但也可以不使用該輸出值而判定基準時刻。
即，基準時刻判定部3可以基於第一時間和第二時間這兩者來判定基準時刻，第一時間是導出流路ML的到單元為止的管道內的容積即第一容積的氣體被替換的時間，第二時間是設置於導出流路ML的單元的容積即第二容積的氣體被替換的時間。
具體而言，第一時間是從吹掃期間的開始時刻至由流量感測器檢測出的載氣或稀釋氣體的累積流量的所表示的體積為與到單元為止的管道內的容積即第一容積等同的時間。在用載氣進行替換的情況下，從旁通流路BL的第三開閉閥V3至單元為止的管道內的容積相當於第一容積。另外，在用稀釋氣體進行替換的情況下，從稀釋氣體流路DL與導出流路ML之間的匯流點至單元為止的管道內的容積相當於第一容積。
另外，如圖6的圖表所示，單元內的材料氣體的殘留率呈指數函數式地減少。在此，基準時刻判定部3根據第一時間的經過時刻，基於預測式Ri =Ri-1 (Exp(-Q/V×Δt))來判定第二時間。在此，Ri ：當前時刻的材料氣體的殘留率、Ri-1 ：單位時間Δt前的材料氣體的殘留率、Q：流入容積內的載氣或稀釋氣體的流量、V：作為混合氣體的替換對象的單元的容積即第二容積。
基準時刻判定部3將計算出的殘留率Ri 為預定值以下（例如0．1%以下）的時刻判定為單元的容積即第二容積已被載氣或稀釋氣體替換的第二時間。另外，基準時刻判定部3也可以將殘留率Ri 乘以濃度變化的初始值C0來計算當前的預測濃度，將該預測濃度充分低於濃度檢測機構1的檢測限度的時刻判定為第二時間。具體而言，可以將預測濃度變為濃度檢測機構1的檢測限度的1/10以下的時刻判定為第二時間。如此判定出的第二時間成為進行歸零的基準時刻。
基準時刻判定部3使用如此計算出的第一時間和第二時間來判定基準時刻。
應予說明，作為成為替換對象的容積的另一示例，可列舉從各質量流量控制器的閥或開閉閥至設置有濃度檢測機構1的部分為止的配管內的容積。例如在第二質量流量控制器MFC2處於全閉狀態，僅用載氣進行混合氣體的替換的情況下，相當於從第二開閉閥V2、第三開閉閥V3和第二質量流量控制器MFC2至濃度檢測機構1為止的容積與濃度檢測機構1本身的容積之和。
另外，對於流量Q，在僅供給載氣的情況下，可以使用第一質量流量控制器MFC1的檢測流量。在供給載氣和稀釋氣體這兩者的情況下，可以使用各質量流量控制器的檢測流量之和。應予說明，在各質量流量控制器的輸出值為質量流量的情況下，將使用氣體的溫度和壓力轉換為體積流量而得的值設為流量Q。
另外，作為在第一時間和第二時間的計算中使用的流量，可以使用設定流量來代替質量流量控制器的檢測流量。進一步地，在本實施方式中，按照實際的時間經過來計算出第一時間和第二時間，但也可以使用預先已知的設定流量來事先進行計算。
另外，對於容積，使用了導出流路ML和單元的設計值，但也可以是通過其他方法求出的值。例如可以是在工廠出貨時另行檢測氣體替換時的濃度變化，根據其結果，由上述預測式反推容積V而得的值。或者，也可以基於在ALD工藝中進行從混合氣體向載氣的替換時的濃度變化，根據上述預測式計算容積V。此時，為了即使在濃度檢測機構1中產生了零點的偏差也使計算出的容積V的精度不降低，優選使用濃度變化的初始區間。
另外，也可以基於使成為對象的容積內升壓，從第一壓力變化至第二壓力期間從容積流出的流量(相當於流出摩爾數)和氣體的狀態方程來計算容積V。
接著，參照圖7和圖8對本發明的第二實施方式的濃度控制系統200和濃度控制裝置100進行說明。應予說明，對與在第一實施方式中已說明的各部件對應的部件標注相同的符號。
第二實施方式的濃度控制系統200是進行如下濃度控制的系統：不是用稀釋氣體將從罐TN導出的混合氣體稀釋而使其接近設定濃度，而是通過不使用稀釋氣體地對在導出流路ML內流動的混合氣體的總壓進行控制，從而使混合氣體中所含的材料氣體的濃度接近設定濃度。
即，與第一實施方式相比，第二實施方式的濃度控制裝置100的不同之處在於，控制混合氣體的總壓的控制閥CV設置於導出流路ML上、以及濃度控制器2的輸出是用於通過第一質量流量控制器MFC1對載氣的流量進行控制的第一設定流量和控制閥CV的操作量。
更具體而言，第二實施方式的濃度控制器2進行如下控制：例如輸出固定的值作為第一設定流量，通過第一質量流量控制器MFC1向罐TN內始終持續供給一定流量的載氣。
另一方面，對於設置於導出流路ML上的控制閥CV的開度，濃度控制器2根據設定濃度與由濃度檢測機構1檢測出的檢測濃度之間的偏差來進行濃度反饋控制。具體而言，在相對於設定濃度而言檢測濃度小的情況下，濃度控制器2通過增大控制閥CV的開度而降低混合氣體的總壓，從而相對增大材料氣體的分壓，提高混合氣體中的材料氣體的濃度。另一方面，在相對於設定濃度而言檢測濃度大的情況下，濃度控制器2通過減小控制閥CV的開度而提高混合氣體的總壓，從而相對減小材料氣體的分壓，使混合氣體中的材料氣體中的濃度降低。在各情況下，對於控制閥CV的操作量的大小，設定為與設定濃度和檢測濃度之間的偏差對應的值。
另外，在第二實施方式中，在如圖3所示那樣的材料氣體供給期間和吹掃期間重復進行的情況下，在第二實施方式中，也與第一實施方式同樣地通過控制機構COM來控制各開閉閥的開閉的組合。即，控制機構COM在材料氣體供給期間打開第一開閉閥V1和第二開閉閥V2，並關閉第三開閉閥V3而使載氣經由罐TN內進行起泡。另一方面，控制機構COM在吹掃期間關閉第一開閉閥V1和第二開閉閥V2，並打開第三開閉閥V3而使載氣經由旁通流路BL直接供給到導出流路ML。
基準時刻判定部3和調零部4具有與第一實施方式相同的構成，例如在吹掃期間，基準時刻判定部3判定導出流路ML內的混合氣體被載氣替換的時刻，調零部4基於其判定結果而自動進行濃度檢測機構1的歸零。另外，腔室CN內被抽真空的情況也同樣，基準時刻判定部3判定導出流路ML內是否達到了預定的真空度，調零部4基於其判定結果而進行濃度檢測機構1的歸零。
如此，即使是像第二實施方式那樣的壓力式的濃度控制系統200，也能夠通過基準時刻判定部3和調零部4的動作，在不停止工藝或進行特殊的調整操作用的動作的情況下自動實施濃度檢測機構1的歸零。
接著，參照圖9和圖10對第三實施方式的濃度控制系統200和濃度控制裝置100進行說明。應予說明，對與在第一實施方式中已說明的各部件對應的部件標注相同的符號。
在第三實施方式的濃度控制系統200中，在導入流路CL上僅設置有控制閥CV，通過該控制閥CV對載氣的流量進行濃度反饋控制，由此以使在導出流路ML內流動的混合氣體中的材料氣體的濃度保持在設定濃度的方式進行控制。
即，與第一實施方式相比，第三實施方式的濃度控制裝置100的不同之處在於，具備設置於導入流路CL的控制閥CV、以及濃度控制器2根據設定濃度和由濃度檢測機構1檢測出的檢測濃度之間的偏差來控制導入流路CL上的控制閥CV。
在如此構成的第三實施方式中，基準時刻判定部3和調零部4的構成和動作與第一實施方式和第二實施方式相同。
即，在吹掃期間，控制機構COM藉由旁通流路BL而使載氣流動，在混合氣體已被載氣替換的時刻，分壓感測器12的歸零自動進行。另外，在腔室CN內已被抽真空的情況下在導出流路ML達到預定的真空度的時刻，總壓感測器11和分壓感測器12的歸零也自動實施。
對其他實施方式進行說明。
本發明的濃度控制裝置不僅能夠用於ALD工藝，還能夠用於其他半導體製造工藝或者除了半導體製造工藝以外還用於控制混合氣體中的材料氣體的濃度。即，本發明的用途不限於實施方式所示的用途。
濃度控制裝置可以是將各流體設備和控制設備模塊化而成的裝置。另外，濃度控制裝置可以構成為不具備各開閉閥而僅控制設置於汽化器的開閉閥的開閉控制。
容納於罐內的材料不限於液體，也可以是固體。
為了判定基準時刻，也可以不使用濃度檢測機構的輸出，而另行在導出流路設置低壓用壓力感測器，基準時刻判定部基於該低壓用壓力感測器的輸出來判定是否達到預定的真空度。在此，低壓用壓力感測器例如可以使用具有總壓感測器或分壓感測器的檢測限度的1/10左右的檢測能力的感測器。
通過基準時刻判定部進行的基準時刻的判定也可以不是進行等級判定和斜率判定這兩者，而僅根據其中任一者來判定基準時刻。另外，調零部也可以不是基於經過了追加待機時間之後的感測器的輸出值來進行歸零，而是在基準時刻進行歸零。
在第一實施方式中，稀釋流路與導入流路分別設置，但例如也可以在導入流路中使稀釋流路從第一質量流量控制器的上游側分支，並與導出流路匯流。如此，載氣與稀釋氣體可以是相同成分的氣體，也可以是不同成分。應予說明，載氣和稀釋氣體只要是不具有分壓感測器所使用的光的吸收波帶的成分即可。
作為濃度檢測機構，在各實施方式中對具備總壓感測器和分壓感測器的機構進行了示例，但也可以通過例如超聲波感測器檢測混合氣體中的材料氣體的濃度。即，也可以以通過使混合氣體中的材料氣體的濃度進行變化，從而利用音速變化的情況來檢測濃度的方式構成濃度檢測機構。在這樣的濃度檢測機構中，也能夠通過基準時刻判定部來判定氣體替換或預定的真空度結束的基準時刻，通過調零部自動進行歸零。
利用濃度控制系統進行的濃度控制不限於各實施方式所示的方式，也可以將各方式的一部分或全部進行組合，使混合氣體中的材料氣體的濃度保持在設定濃度。
此外，在不違反本發明的主旨的範圍內可以進行各種實施方式的組合和變形。
200:濃度控制系統 100:濃度控制裝置 1:濃度檢測機構 11:總壓感測器 12:分壓感測器 13:濃度計算部 2:濃度控制器 3:基準時刻判定部 4:調零部 CN:腔室 VP:汽化器 CV:控制閥 TN:罐 CL:導入流路 ML:導出流路 DL:稀釋氣體流路 BL:旁通流路 MFC1:第一質量流量控制器 MFC2:第二質量流量控制器 COM:控制機構 V1:第一開閉閥 V2:第二開閉閥 V3:第三開閉閥
圖1是顯示出本發明的第一實施方式的濃度控制系統和濃度控制裝置的示意圖。 圖2是顯示出第一實施方式的控制機構的詳情的功能方塊圖。 圖3是顯示出第一實施方式的材料氣體的濃度變化的一例示意圖。 圖4是顯示出第一實施方式的基準時刻判定部的基準時刻判定算法的應用例的示意性圖表。 圖5是顯示出第一實施方式的斜率判定的詳情的示意圖。 圖6是顯示出基於第一實施方式的變形例的基準時刻判定部的預測式的基準時刻的判定算法的應用例的示意性圖表。 圖7是顯示出本發明的第二實施方式的濃度控制系統和濃度控制裝置的示意圖。 圖8是顯示出第二實施方式的控制機構的詳情的功能方塊圖。 圖9是顯示出本發明的第三實施方式的濃度控制系統和濃度控制裝置的示意圖。 圖10是顯示出第一實施方式的控制機構的詳細的功能方塊圖。
200:濃度控制系統
100:濃度控制裝置
1:濃度檢測機構
11:總壓感測器
12:分壓感測器
CN:腔室
VP:汽化器
TN:罐
CL:導入流路
ML:導出流路
DL:稀釋氣體流路
BL:旁通流路
MFC1:第一質量流量控制器
MFC2:第二質量流量控制器
COM:控制機構
V1:第一開閉閥
V2:第二開閉閥
V3:第三開閉閥

Claims (13)

  1. 一種濃度控制裝置，係設置於汽化器，該汽化器包含：容納有材料的罐、將該材料汽化而成的材料氣體從該罐向外部導出的導出流路、以及向該導出流路供給與該材料氣體不同的其他氣體的氣體供給流路，該濃度控制裝置包含： 控制閥，其控制在該導出流路中流動的氣體； 濃度檢測機構，其設置於該導出流路，對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測； 濃度控制器，其以使由該濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制該控制閥； 基準時刻判定部，其對存在於通過該濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已被替換為該其他氣體的時刻即基準時刻進行判定；以及 調零部，其在基準時刻以後進行該濃度檢測機構的歸零。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之濃度控制裝置，其中該汽化器還包含向該罐導入作為該其他氣體的載氣的導入流路，該氣體供給流路是避開該罐而將該導入流路與該導出流路之間連接的旁通流路，該基準時刻判定部構成為將存在於該檢測部的氣體已被替換為藉由該旁通流路而供給的載氣的時刻判定為基準時刻。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之濃度控制裝置，其中該氣體供給流路是向該導入流路導入作為其他氣體的稀釋氣體的稀釋氣體流路，該基準時刻判定部構成為將存在於該檢測部的氣體已被替換為稀釋氣體的時刻判定為基準時刻。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之濃度控制裝置，其中該濃度控制裝置構成為使該基準時刻判定部基於從該氣體供給流路對該導出流路供給其他氣體的供給點至該濃度檢測機構為止的容積和從該氣體供給流路供給的其他氣體的流量來判定基準時刻。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的濃度控制裝置，其中該容積包括形成該導出流路的管道內的第一容積和使氣體從該管道內流入並通過該濃度檢測機構檢測濃度的單元的第二容積，該基準時刻判定部構成為利用第一時間和第二時間來判定基準時刻，該第一時間為第一容積的氣體被其他氣體替換的時間，該第二時間為第二容積的氣體被其他氣體替換的時間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之濃度控制裝置，其中該基準時刻判定部將其他氣體的累積流量所表示的體積達到該第一容積為止的時間計算為該第一時間。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之濃度控制裝置，其中該基準時刻判定部構成為基於下述的材料氣體的殘留率的預測式來計算該單元的氣體被其他氣體替換的時間作為第二時間， Ri =Ri-1 (Exp(-Q/V×Δt)) 其中，Ri 為當前時刻的材料氣體的殘留率，Ri-1 為單位時間Δt前的材料氣體的殘留率，Q為其他氣體的流量，V為作為藉由其他氣體的替換對象的單元的第二容積。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之濃度控制裝置，其中該濃度檢測機構包含： 總壓感測器，其對存在於該檢測部的氣體的總壓進行檢測； 分壓感測器，其對存在於該檢測部的氣體中的材料氣體的分壓進行檢測；以及 濃度計算部，其基於由該總壓感測器檢測出的總壓和由該分壓感測器檢測出的分壓來計算存在於該檢測部的氣體中的材料氣體的濃度，該基準時刻判定部基於由該分壓感測器檢測出的分壓來判定基準時刻。
  9. 一種濃度控制裝置，係設置於汽化器，該汽化器包含容納有材料的罐、將該材料汽化而成的材料氣體從該罐向外部導出的導出流路、以及向該導出流路導入與該材料氣體不同的其他氣體的氣體供給流路，該濃度控制裝置包含： 控制閥，其控制在該導出流路中流動的氣體； 濃度檢測機構，其設置於該導出流路，對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測； 濃度控制器，其以使由該濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制該控制閥； 基準時刻判定部，其對在通過該濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部達到預定的真空度的時刻即基準時刻進行判定；以及 調零部，其在基準時刻以後進行該濃度檢測機構的歸零。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之濃度控制裝置，其中該濃度檢測機構包含： 總壓感測器，其對存在於該檢測部的氣體的總壓進行檢測； 分壓感測器，其對存在於該檢測部的氣體中的材料氣體的分壓進行檢測；以及 濃度計算部，其基於由該總壓感測器檢測出的總壓和由該分壓感測器檢測出的分壓來計算存在於該檢測部的氣體中的材料氣體的濃度，該基準時刻判定部基於由該總壓感測器檢測出的總壓來判定基準時刻。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之濃度控制裝置，其中該濃度控制裝置還具備設置於該導出流路的低壓用壓力感測器，該基準時刻判定部將由該低壓用壓力感測器檢測出的壓力變為預定值以下的時刻判定為基準時刻。
  12. 一種歸零方法，係設置於汽化器的濃度控制裝置，該汽化器包含：容納有材料的罐、將該材料汽化而成的材料氣體從該罐向外部導出的導出流路、以及向該導出流路導入與該材料氣體不同的其他氣體的氣體供給流路，該濃度控制裝置包含：控制閥，其對在該導出流路中流動的包括材料氣體和其他氣體的混合氣體中所含的材料氣體的濃度進行控制；濃度檢測機構，其設置於該導出流路，對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測；以及 濃度控制器，其以使由該濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制該控制閥， 該歸零方法包含： 基準時刻判定步驟，對存在於通過該濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已被替換為該其他氣體的時刻即基準時刻進行判定；以及 歸零步驟，在基準時刻以後進行該濃度檢測機構的歸零。
  13. 一種濃度控制裝置用程式，係用於濃度控制裝置，該濃度控制裝置設置於汽化器，該汽化器具備：容納有材料的罐、將該材料汽化而成的材料氣體從該罐向外部導出的導出流路、以及向該導出流路導入與該材料氣體不同的其他氣體的氣體供給流路，該濃度控制裝置具備： 控制閥，其對在該導出流路中流動的氣體進行控制；以及 濃度檢測機構，其設置於該導出流路，對在該導出流路中流動的氣體中所含的材料氣體的濃度進行檢測，該濃度控制裝置用程式使計算機作為濃度控制器、基準時刻判定部和調零部而發揮功能， 該濃度控制器以使由該濃度檢測機構檢測出的檢測濃度與預先設定的設定濃度之間的偏差變小的方式控制該控制閥，該基準時刻判定部對存在於通過該濃度檢測機構進行濃度檢測的檢測部的氣體已被該其他氣體替換的時刻即基準時刻進行判定，該調零部在該基準時刻以後進行該濃度檢測機構的歸零。
TW109102466A 2019-01-28 2020-01-22 濃度控制裝置以及零點調整方法、濃度控制裝置用程式 TWI830862B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-012447 2019-01-28
JP2019012447A JP7281285B2 (ja) 2019-01-28 2019-01-28 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202028909A true TW202028909A (zh) 2020-08-01
TWI830862B TWI830862B (zh) 2024-02-01

Family

ID=71733375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109102466A TWI830862B (zh) 2019-01-28 2020-01-22 濃度控制裝置以及零點調整方法、濃度控制裝置用程式

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11365480B2 (zh)
JP (1) JP7281285B2 (zh)
KR (1) KR102773325B1 (zh)
CN (1) CN111488003A (zh)
TW (1) TWI830862B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7281285B2 (ja) * 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム
JP7543030B2 (ja) * 2020-08-26 2024-09-02 株式会社堀場エステック 原料気化システム、及び、これに用いられる濃度制御モジュール
DE102021117457A1 (de) 2021-07-06 2023-01-12 Aixtron Se Verdampfungsquelle für einen CVD-Reaktor
KR102670546B1 (ko) * 2022-03-21 2024-05-29 주식회사 테스 기판 처리 시스템에서 액체 유량계의 에러를 판단하는 장치 및 방법
CN114927433B (zh) * 2022-05-16 2024-11-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其控制方法
CN116841327A (zh) * 2023-05-10 2023-10-03 江苏冠联新材料科技股份有限公司 一种隔离剂浓度自动调节装置

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393013A (en) * 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
DE2831856B2 (de) 1978-07-20 1981-07-02 Drägerwerk AG, 2400 Lübeck Anordnung zum elektrisch gesteuerten Dosieren und Mischen von Gasen
US4436674A (en) * 1981-07-30 1984-03-13 J.C. Schumacher Co. Vapor mass flow control system
JPS6031043A (ja) 1983-07-30 1985-02-16 Matsushita Electric Works Ltd ガス検出装置
US4640221A (en) * 1985-10-30 1987-02-03 International Business Machines Corporation Vacuum deposition system with improved mass flow control
US4717596A (en) * 1985-10-30 1988-01-05 International Business Machines Corporation Method for vacuum vapor deposition with improved mass flow control
US5186120A (en) * 1989-03-22 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Mixture thin film forming apparatus
US5174855A (en) * 1989-04-28 1992-12-29 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Surface treating apparatus and method using vapor
JP2626925B2 (ja) 1990-05-23 1997-07-02 三菱電機株式会社 基板処理装置および基板処理方法
NL9002164A (nl) * 1990-10-05 1992-05-06 Philips Nv Werkwijze voor het voorzien van een substraat van een oppervlaktelaag vanuit een damp en een inrichting voor het toepassen van een dergelijke werkwijze.
JPH04295089A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導膜製造装置
JPH04354131A (ja) 1991-05-30 1992-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置製造装置
JPH05251375A (ja) 1992-01-07 1993-09-28 Nec Corp ガス流量制御装置
JPH0610144A (ja) * 1992-06-29 1994-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 低蒸気圧材料供給装置
JP2000252269A (ja) * 1992-09-21 2000-09-14 Mitsubishi Electric Corp 液体気化装置及び液体気化方法
DE69312436T2 (de) * 1992-12-15 1998-02-05 Applied Materials Inc Verdampfung von flüssigen Reaktionspartnern für CVD
US5431734A (en) * 1994-04-28 1995-07-11 International Business Machines Corporation Aluminum oxide low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system-fourier transform infrared (FTIR) source chemical control
US5648113A (en) * 1994-09-30 1997-07-15 International Business Machines Corporation Aluminum oxide LPCVD system
US5614247A (en) * 1994-09-30 1997-03-25 International Business Machines Corporation Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide
US5810928A (en) * 1994-11-21 1998-09-22 Mitsubishi Corporation Method of measuring gas component concentrations of special material gases for semiconductor, a semiconductor equipment, and an apparatus for supplying special material gases for semiconductor
US6089184A (en) * 1997-06-11 2000-07-18 Tokyo Electron Limited CVD apparatus and CVD method
EP0903577A3 (en) * 1997-07-29 2003-03-05 Leybold Inficon, Inc. Acoustic consumption monitor
US6022483A (en) * 1998-03-10 2000-02-08 Intergrated Systems, Inc. System and method for controlling pressure
US6007330A (en) * 1998-03-12 1999-12-28 Cosmos Factory, Inc. Liquid precursor delivery system
EP1073777A2 (en) * 1998-04-14 2001-02-07 CVD Systems, Inc. Film deposition system
US6136725A (en) * 1998-04-14 2000-10-24 Cvd Systems, Inc. Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate
US6296711B1 (en) * 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system
US20070119816A1 (en) * 1998-04-16 2007-05-31 Urquhart Karl J Systems and methods for reclaiming process fluids in a processing environment
JP4354059B2 (ja) 1999-11-08 2009-10-28 株式会社堀場エステック 標準ガス発生装置
US6772781B2 (en) 2000-02-04 2004-08-10 Air Liquide America, L.P. Apparatus and method for mixing gases
JP3905678B2 (ja) * 2000-02-28 2007-04-18 株式会社堀場製作所 薄膜堆積方法とその装置および薄膜堆積方法に用いるｆｔｉｒガス分析計並びに薄膜堆積方法に用いる混合ガス供給装置
KR20040019293A (ko) * 2001-05-24 2004-03-05 셀레리티 그룹 아이엔씨 소정 비율의 프로세스 유체를 제공하는 방법 및 장치
JP2003077782A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US6986471B1 (en) 2002-01-08 2006-01-17 Flame Spray Industries, Inc. Rotary plasma spray method and apparatus for applying a coating utilizing particle kinetics
JP3973605B2 (ja) 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
JP3945385B2 (ja) 2002-11-15 2007-07-18 オムロン株式会社 フローセンサ及び流量計測方法
US6868869B2 (en) * 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
JP2004363271A (ja) 2003-06-04 2004-12-24 Hitachi Cable Ltd 半導体製造装置の原料供給方法
US7156380B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asm International, N.V. Safe liquid source containers
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
EP1844178B1 (en) * 2004-12-30 2016-03-09 Msp Corporation High accuracy vapor generation and delivery for thin film deposition
JP4696561B2 (ja) * 2005-01-14 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 気化装置及び処理装置
US7438079B2 (en) 2005-02-04 2008-10-21 Air Products And Chemicals, Inc. In-line gas purity monitoring and control system
JP2006222133A (ja) 2005-02-08 2006-08-24 Hitachi Cable Ltd 原料ガス供給方法及びその装置
JP2006324532A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜堆積方法および薄膜堆積装置
JP4605790B2 (ja) * 2006-06-27 2011-01-05 株式会社フジキン 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。
US20080141937A1 (en) 2006-12-19 2008-06-19 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling a vapor delivery system
JP2008218760A (ja) 2007-03-06 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
US7975718B2 (en) 2007-04-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. In-situ monitor of injection valve
US8091575B2 (en) 2007-05-10 2012-01-10 Gammon Technical Products, Inc. Valve system
JP4472008B2 (ja) * 2007-08-30 2010-06-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5461786B2 (ja) 2008-04-01 2014-04-02 株式会社フジキン 気化器を備えたガス供給装置
JP4961381B2 (ja) 2008-04-14 2012-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
KR101578220B1 (ko) * 2008-10-31 2015-12-16 가부시키가이샤 호리바 세이샤쿠쇼 재료가스 농도 제어 시스템
JP2010109303A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Horiba Ltd 材料ガス濃度制御装置
US9181097B2 (en) * 2009-02-19 2015-11-10 Sundew Technologies, Llc Apparatus and methods for safely providing hazardous reactants
JP5419276B2 (ja) 2009-12-24 2014-02-19 株式会社堀場製作所 材料ガス濃度制御システム及び材料ガス濃度制御システム用プログラム
US20120085151A1 (en) * 2010-10-07 2012-04-12 Bayer Materialscience Ag Method and apparatus for characterizing polymers
JP6005334B2 (ja) 2010-12-24 2016-10-12 株式会社堀場エステック 材料ガス制御システム
JP5506655B2 (ja) 2010-12-28 2014-05-28 株式会社堀場エステック 材料ガス制御装置、材料ガス制御方法、材料ガス制御プログラム及び材料ガス制御システム
US8931512B2 (en) 2011-03-07 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Gas delivery system and method of use thereof
US8997775B2 (en) 2011-05-24 2015-04-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
JP6034383B2 (ja) 2011-09-22 2016-11-30 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 圧力サポート装置を監視するための及び制御するための方法並びに装置
JP5895712B2 (ja) * 2012-05-31 2016-03-30 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、成膜装置、原料ガスの供給方法及び記憶媒体
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
CN102872689B (zh) * 2012-08-20 2014-07-09 中国计量学院 基于红外差分光谱法沼气检测与提纯控制系统
JP6017359B2 (ja) 2013-03-28 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置の制御方法および基板処理システム
JP6142629B2 (ja) 2013-03-29 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、成膜装置及び原料ガス供給方法
US9335768B2 (en) 2013-09-12 2016-05-10 Lam Research Corporation Cluster mass flow devices and multi-line mass flow devices incorporating the same
US9605346B2 (en) * 2014-03-28 2017-03-28 Lam Research Corporation Systems and methods for pressure-based liquid flow control
JP2015190035A (ja) 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 ガス供給機構およびガス供給方法、ならびにそれを用いた成膜装置および成膜方法
TW201543191A (zh) 2014-05-01 2015-11-16 Graco Minnesota Inc 高暫態系統的流量控制校準之方法
JP2016040402A (ja) * 2014-08-12 2016-03-24 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置
US9951423B2 (en) * 2014-10-07 2018-04-24 Lam Research Corporation Systems and methods for measuring entrained vapor
JP6435175B2 (ja) * 2014-12-02 2018-12-05 株式会社堀場エステック 分解検出装置、分解検出方法、分解検出装置用プログラム、濃度測定装置、及び、濃度制御装置
JP6477075B2 (ja) 2015-03-17 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置及び成膜装置
US10526701B2 (en) * 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
JP6627474B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-08 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体
US10138555B2 (en) * 2015-10-13 2018-11-27 Horiba Stec, Co., Ltd. Gas control system and program for gas control system
JP6730140B2 (ja) * 2015-11-20 2020-07-29 株式会社日立ハイテクサイエンス 発生ガス分析方法及び発生ガス分析装置
JP6565645B2 (ja) 2015-12-02 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体
JP6959921B2 (ja) * 2016-08-05 2021-11-05 株式会社堀場エステック ガス制御システム及び該ガス制御システムを備えた成膜装置
WO2018052074A1 (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社堀場エステック 吸光度計及び該吸光度計を用いた半導体製造装置
US10983537B2 (en) * 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
JP6877188B2 (ja) * 2017-03-02 2021-05-26 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、ガス供給方法及び成膜方法
JP6914063B2 (ja) * 2017-03-10 2021-08-04 株式会社堀場エステック ガス制御システム、該ガス制御システムを備えた成膜装置、該ガス制御システムに用いるプログラム及びガス制御方法。
JP7027151B2 (ja) * 2017-12-13 2022-03-01 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、ガス制御システム、成膜装置、濃度制御方法、及び濃度制御装置用プログラム
US11241720B2 (en) * 2018-03-22 2022-02-08 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Pressure control strategies to provide uniform treatment streams in the manufacture of microelectronic devices
JP7182988B2 (ja) * 2018-10-12 2022-12-05 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、成膜装置及び原料ガス供給方法
JP7281285B2 (ja) * 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム
US11519070B2 (en) * 2019-02-13 2022-12-06 Horiba Stec, Co., Ltd. Vaporization device, film formation device, program for a concentration control mechanism, and concentration control method
JP7356237B2 (ja) * 2019-03-12 2023-10-04 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、原料消費量推定方法、及び、濃度制御装置用プログラム
JP7221127B2 (ja) * 2019-04-26 2023-02-13 株式会社堀場エステック 吸光分析装置、及び、吸光分析装置用プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
KR102773325B1 (ko) 2025-02-27
TWI830862B (zh) 2024-02-01
KR20200093448A (ko) 2020-08-05
CN111488003A (zh) 2020-08-04
JP7281285B2 (ja) 2023-05-25
US20200240015A1 (en) 2020-07-30
US11365480B2 (en) 2022-06-21
JP2020117795A (ja) 2020-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202028909A (zh) 濃度控制裝置以及零點調整方法、濃度控制裝置用程式
CN111690909B (zh) 浓度控制装置、原料消耗量推定方法以及程序存储介质
JP6916964B2 (ja) 遮断弁を用いたパルスガス供給方法および装置
KR101814210B1 (ko) 재료가스 제어장치, 재료가스 제어 방법, 재료가스 제어 프로그램 및 재료가스 제어 시스템
JP5538119B2 (ja) ガス供給装置用流量制御器の校正方法及び流量計測方法
TWI525734B (zh) And a raw material gas supply device for a semiconductor manufacturing apparatus
CN105651729B (zh) 分解检测装置、浓度测量装置和浓度控制装置
TW201714207A (zh) 氣體控制系統以及氣體控制系統用程式
CN111560600B (zh) 气化装置、成膜装置、程序记录介质及浓度控制方法
WO2013035232A1 (ja) 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置
JP7221127B2 (ja) 吸光分析装置、及び、吸光分析装置用プログラム
CN109715851B (zh) 气体控制系统、具备该气体控制系统的成膜装置、检测方法以及存储介质
KR100725098B1 (ko) 반도체 제조설비의 유량조절기 오동작 감지장치 및 그 방법
JP7226222B2 (ja) ガス供給装置及びガス供給方法
JP7543030B2 (ja) 原料気化システム、及び、これに用いられる濃度制御モジュール
JP3875596B2 (ja) 機能性超純水の製造方法及びそれに用いる装置
WO2022270019A1 (ja) 原料気化システム、これに用いられる濃度制御モジュール、濃度制御方法、及び、濃度制御プログラム
KR20230097287A (ko) 반도체 장치의 성능 진단 시스템 및 그것의 구동 방법
KR20080017117A (ko) 매스 플로우 콘트롤러