JPH0610144A - 低蒸気圧材料供給装置 - Google Patents
低蒸気圧材料供給装置Info
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- JPH0610144A JPH0610144A JP4170510A JP17051092A JPH0610144A JP H0610144 A JPH0610144 A JP H0610144A JP 4170510 A JP4170510 A JP 4170510A JP 17051092 A JP17051092 A JP 17051092A JP H0610144 A JPH0610144 A JP H0610144A
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- JP
- Japan
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- flow rate
- vapor pressure
- low vapor
- pressure material
- inert gas
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気化した低蒸気圧材料の流量を制御すること
により、前記ガスを安定して供給する。 【構成】 流量制御装置２によって流量制御された不活
性ガス３がアンプル４内の低蒸気圧材料６をバブリング
した後、混合ガスを流量検出器７によって流量を検出す
る。不活性ガス３中の気化した低蒸気圧材料６の濃度の
変化を流量検出器７が検出し、その変化分を補正するた
めに不活性ガス３の流量を流量制御装置２で変化させる
ことによって供給される気化した低蒸気圧材料６の量が
一定に保たれる。さらに流量制御装置２によって変化さ
れた不活性ガス３の流量を補正するために流量制御装置
１の流量を調整することによって真空室内に導入される
不活性ガス３の流量も一定に保たれる。
により、前記ガスを安定して供給する。 【構成】 流量制御装置２によって流量制御された不活
性ガス３がアンプル４内の低蒸気圧材料６をバブリング
した後、混合ガスを流量検出器７によって流量を検出す
る。不活性ガス３中の気化した低蒸気圧材料６の濃度の
変化を流量検出器７が検出し、その変化分を補正するた
めに不活性ガス３の流量を流量制御装置２で変化させる
ことによって供給される気化した低蒸気圧材料６の量が
一定に保たれる。さらに流量制御装置２によって変化さ
れた不活性ガス３の流量を補正するために流量制御装置
１の流量を調整することによって真空室内に導入される
不活性ガス３の流量も一定に保たれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用区分】本発明はＣＶＤ（化学気相成長）
法において用いられる蒸気圧の低い液体または固体材料
を供給する装置に関する。
法において用いられる蒸気圧の低い液体または固体材料
を供給する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法は、基材の表面に薄膜を形成す
るため、たとえばＳｉの有機物、テトラクロロシランや
ケイ酸エチルなどを通常６００〜８００℃の温度で熱分
解して、基材の表面に主に酸化物状態で滞積させる方法
である。
るため、たとえばＳｉの有機物、テトラクロロシランや
ケイ酸エチルなどを通常６００〜８００℃の温度で熱分
解して、基材の表面に主に酸化物状態で滞積させる方法
である。
【０００３】従来、ＣＶＤ法において用いられる液体状
の低蒸気圧材料は、図４に示すような構成の装置で行な
われてきた。図２において低蒸気圧材料はアンプル１１
内に注入されており、アンプルは高温槽１２内に配置さ
れ、内部の低蒸気圧材料が気化しやすい温度まで加熱さ
れている。不活性ガス１３は流量制御装置１４によって
流量制御され、アンプル１１内に導入される。導入され
た不活性ガス１３は加熱された前記低蒸気圧材料をバブ
リングし、気化した低蒸気圧材料と不活性ガス１３は、
ヒータ１５によって高温槽より高い温度に加熱されたガ
ス導入管１６を通って真空室内に供給される。
の低蒸気圧材料は、図４に示すような構成の装置で行な
われてきた。図２において低蒸気圧材料はアンプル１１
内に注入されており、アンプルは高温槽１２内に配置さ
れ、内部の低蒸気圧材料が気化しやすい温度まで加熱さ
れている。不活性ガス１３は流量制御装置１４によって
流量制御され、アンプル１１内に導入される。導入され
た不活性ガス１３は加熱された前記低蒸気圧材料をバブ
リングし、気化した低蒸気圧材料と不活性ガス１３は、
ヒータ１５によって高温槽より高い温度に加熱されたガ
ス導入管１６を通って真空室内に供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法を用いて低蒸気圧材料を安定に気化供給するために
は、アンプル（低蒸気圧材料）の温度や圧力を精密に制
御しなければならないという問題がある。また気化した
低蒸気圧材料の流量を直接制御していないため装置構成
の変化にともない低蒸気圧材料の流量が変化するなどの
問題がある。
方法を用いて低蒸気圧材料を安定に気化供給するために
は、アンプル（低蒸気圧材料）の温度や圧力を精密に制
御しなければならないという問題がある。また気化した
低蒸気圧材料の流量を直接制御していないため装置構成
の変化にともない低蒸気圧材料の流量が変化するなどの
問題がある。
【０００５】蒸気圧の低い材料を気化しやすい温度に加
熱して高温で動作する流量制御装置を用いて流量を制御
する方法もあるが流量制御装置の温度は現段階では１５
０℃が限界であり、これ以上高い温度では使用できな
い。よって蒸気圧が低く１５０℃以下の温度では十分な
蒸気圧を確保できない材料の制御は困難である。以上説
明した通り、従来、蒸気圧の低い材料は直接流量を制御
する方法が無いために安定した材料の供給をすることが
困難であった。
熱して高温で動作する流量制御装置を用いて流量を制御
する方法もあるが流量制御装置の温度は現段階では１５
０℃が限界であり、これ以上高い温度では使用できな
い。よって蒸気圧が低く１５０℃以下の温度では十分な
蒸気圧を確保できない材料の制御は困難である。以上説
明した通り、従来、蒸気圧の低い材料は直接流量を制御
する方法が無いために安定した材料の供給をすることが
困難であった。
【０００６】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、気化した低蒸気圧材料の流量を制御できる低蒸気
圧材料供給装置を提供することを目的とする。
ため、気化した低蒸気圧材料の流量を制御できる低蒸気
圧材料供給装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の低蒸気圧材料供給装置は、加熱した液体ま
たは固体状の低蒸気圧材料中に不活性ガスを注入し、気
化した低蒸気圧材料と不活性ガスの混合ガスを真空室内
に導入する低蒸気圧材料供給装置において、前記混合ガ
スの流量を流量検出器によって検出し、気化した低蒸気
圧材料の流量が所定の流量になるように前記不活性ガス
の流量を流量制御装置によって調整する手段を備えたこ
とを特徴とする。
め、本発明の低蒸気圧材料供給装置は、加熱した液体ま
たは固体状の低蒸気圧材料中に不活性ガスを注入し、気
化した低蒸気圧材料と不活性ガスの混合ガスを真空室内
に導入する低蒸気圧材料供給装置において、前記混合ガ
スの流量を流量検出器によって検出し、気化した低蒸気
圧材料の流量が所定の流量になるように前記不活性ガス
の流量を流量制御装置によって調整する手段を備えたこ
とを特徴とする。
【０００８】前記構成においては、流量検出器が１５０
℃以上の温度で動作することが好ましい。また前記構成
においては、加熱した低蒸気圧材料中に注入される不活
性ガス以外に、真空室内に直接導入される不活性ガスを
有することが好ましい。
℃以上の温度で動作することが好ましい。また前記構成
においては、加熱した低蒸気圧材料中に注入される不活
性ガス以外に、真空室内に直接導入される不活性ガスを
有することが好ましい。
【０００９】また前記構成においては、真空室内に直接
導入される不活性ガスと、加熱した液体材料中に注入さ
れる不活性ガスの総流量が一定になるように、真空室内
に直接導入される不活性ガスの流量を流量制御装置によ
って調整する手段を備えることが好ましい。
導入される不活性ガスと、加熱した液体材料中に注入さ
れる不活性ガスの総流量が一定になるように、真空室内
に直接導入される不活性ガスの流量を流量制御装置によ
って調整する手段を備えることが好ましい。
【００１０】
【作用】前記した本発明の構成によれば、混合ガスの流
量を流量検出器によって検出し、気化した低蒸気圧材料
の流量が所定の流量になるように前記不活性ガスの流量
を流量制御装置によって調整する手段を備えたことによ
り、気化した低蒸気圧材料の流量を直接監視し不活性ガ
スの流量を調整し、気化した低蒸気圧材料の流量を制御
することができる。この結果、安定した供給が可能であ
る。
量を流量検出器によって検出し、気化した低蒸気圧材料
の流量が所定の流量になるように前記不活性ガスの流量
を流量制御装置によって調整する手段を備えたことによ
り、気化した低蒸気圧材料の流量を直接監視し不活性ガ
スの流量を調整し、気化した低蒸気圧材料の流量を制御
することができる。この結果、安定した供給が可能であ
る。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例を用いてさらに具体的
に説明する。本発明では加熱した低蒸気圧材料中に注入
される不活性ガスと気化した低蒸気圧材料との混合ガス
の流量を高温（１５０℃以上）で動作する流量検出器で
流量を検出し、気化した低蒸気圧材料の流量が所定の流
量になるように不活性ガスの流量を調整する（流量検出
器は流量を検出するが制御はできない）。さらに直接真
空室に導入する不活性ガスの流量を低蒸気圧材料内に注
入する不活性ガスの流量と同期させ、不活性ガスの総流
量が一定になるように調節する。
に説明する。本発明では加熱した低蒸気圧材料中に注入
される不活性ガスと気化した低蒸気圧材料との混合ガス
の流量を高温（１５０℃以上）で動作する流量検出器で
流量を検出し、気化した低蒸気圧材料の流量が所定の流
量になるように不活性ガスの流量を調整する（流量検出
器は流量を検出するが制御はできない）。さらに直接真
空室に導入する不活性ガスの流量を低蒸気圧材料内に注
入する不活性ガスの流量と同期させ、不活性ガスの総流
量が一定になるように調節する。
【００１２】本実施例では低蒸気圧材料として液体材料
であるＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 、不活性ガスとしてＡｒを
用いた場合について説明する。図１に本発明による低蒸
気圧材料供給装置の概略図を示す。３はＡｒ等の不活性
ガスであり流量制御装置１および流量制御装置２によっ
て流量制御される。流量制御装置１によって流量制御さ
れた不活性ガス３は直接真空室に導入される。流量制御
装置２によって流量制御された不活性ガス３は恒温漕５
によって適当な温度に加熱されたアンプル４内の液体材
料６をバブリングする。この不活性ガスとバブリングさ
れて気化した液体材料の混合ガスは流量検出器７に導入
され流量を検出された後、流量制御装置１によって流量
制御された不活性ガスと混合され真空室に導入される。
流量検出器７およびガス導入管８はヒータ９によって恒
温漕５と同じかそれより高い温度に加熱される。
であるＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 、不活性ガスとしてＡｒを
用いた場合について説明する。図１に本発明による低蒸
気圧材料供給装置の概略図を示す。３はＡｒ等の不活性
ガスであり流量制御装置１および流量制御装置２によっ
て流量制御される。流量制御装置１によって流量制御さ
れた不活性ガス３は直接真空室に導入される。流量制御
装置２によって流量制御された不活性ガス３は恒温漕５
によって適当な温度に加熱されたアンプル４内の液体材
料６をバブリングする。この不活性ガスとバブリングさ
れて気化した液体材料の混合ガスは流量検出器７に導入
され流量を検出された後、流量制御装置１によって流量
制御された不活性ガスと混合され真空室に導入される。
流量検出器７およびガス導入管８はヒータ９によって恒
温漕５と同じかそれより高い温度に加熱される。
【００１３】Ａｒのコンバージョンファクター（以下
ｃ．ｆ．とする）をＣfA、Ｔａ（ＯＣ 2 Ｈ5 ）5 のｃ．
ｆ．をＣfT、Ａｒの流量をＬ0 、Ａｒガス中Ｔａ（ＯＣ
2 Ｈ5）5 の濃度をｔ％、流量検出器７の表示値を
ＬM 、流量検出器はＡｒで流量を校正されているとする
と混合ガスのコンバージョンファクターＣf0は次式（数
１）で表わされる。
ｃ．ｆ．とする）をＣfA、Ｔａ（ＯＣ 2 Ｈ5 ）5 のｃ．
ｆ．をＣfT、Ａｒの流量をＬ0 、Ａｒガス中Ｔａ（ＯＣ
2 Ｈ5）5 の濃度をｔ％、流量検出器７の表示値を
ＬM 、流量検出器はＡｒで流量を校正されているとする
と混合ガスのコンバージョンファクターＣf0は次式（数
１）で表わされる。
【００１４】
【数１】
【００１５】混合ガスの実流量Ｆ0 は次式（数２）で表
わされる。
わされる。
【００１６】
【数２】
【００１７】ここで流量制御装置２の流量をＬ0 とする
と、Ａｒの流量は流量制御装置２によってＬ0 に制御さ
れているのでＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の流量ＬT は次式
（数３）で表わされる。
と、Ａｒの流量は流量制御装置２によってＬ0 に制御さ
れているのでＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の流量ＬT は次式
（数３）で表わされる。
【００１８】
【数３】
【００１９】Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の濃度がｔからｔ＋
Δｔに変化した場合変化後のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の流
量ＬT ’は次式（数４）で表わされる。
Δｔに変化した場合変化後のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の流
量ＬT ’は次式（数４）で表わされる。
【００２０】
【数４】
【００２１】ここでＬM ’は濃度ｔがｔ＋Δｔに変化し
たときの流量検出器７の表示値である。この式をＬM ’
について解くと次式（数５）のようになる。
たときの流量検出器７の表示値である。この式をＬM ’
について解くと次式（数５）のようになる。
【００２２】
【数５】
【００２３】よってこのときのＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の
流量ＬT ’は次式（数６）で表わされる。
流量ＬT ’は次式（数６）で表わされる。
【００２４】
【数６】
【００２５】Ａｒの流量とＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の流量
は比例すると考えられるのでＬT ’を元のＬT に変化さ
せるためにＡｒの流量をＬ0 ’に変化させると次式（数
７）のようになる。
は比例すると考えられるのでＬT ’を元のＬT に変化さ
せるためにＡｒの流量をＬ0 ’に変化させると次式（数
７）のようになる。
【００２６】
【数７】
【００２７】よって流量検出器７を通過するガスの通過
する混合ガスの実流量Ｆ0 ’は次式（数８）で表わされ
る。
する混合ガスの実流量Ｆ0 ’は次式（数８）で表わされ
る。
【００２８】
【数８】
【００２９】そのときの表示値ＬM ”は次式（数９）で
表わされる。
表わされる。
【００３０】
【数９】
【００３１】流量制御装置を通過するＡｒの流量が初期
状態でＬR であったとするとＬ0 がＬ0 ’に変化したの
でその変化分を打ち消すようにＬR をＬR ’にすると次
式（数１０）のようになる。
状態でＬR であったとするとＬ0 がＬ0 ’に変化したの
でその変化分を打ち消すようにＬR をＬR ’にすると次
式（数１０）のようになる。
【００３２】
【数１０】
【００３３】よってＡｒの総流量ＬArは次式（数１１）
のようになる。
のようになる。
【００３４】
【数１１】
【００３５】以上のような式にしたがって流量計算機１
０によって流量制御装置１、流量制御装置２および流量
検出器７を制御することによってＡｒおよびＴａ（ＯＣ
2 Ｈ 5 ）5 の流量はＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の濃度が変化
しても一定に保たれる。
０によって流量制御装置１、流量制御装置２および流量
検出器７を制御することによってＡｒおよびＴａ（ＯＣ
2 Ｈ 5 ）5 の流量はＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の濃度が変化
しても一定に保たれる。
【００３６】本実施例では混合ガスのコンバージョンフ
ァクターＣf0を前記式（数１）の様に表わしたがより正
確に制御するためには前記式（数１２）を用いた方がよ
い。混合ガス、ガス１およびガス２の密度をρ0 、
ρ1 、ρ2 、比熱をＭ0 、Ｍ1 、Ｍ2 、ガス１およびガ
ス２の濃度をｔ％、（１００−ｔ）％、混合ガス、ガス
１およびガス２の熱伝導率、粘性等が関与する係数をＮ
0 、Ｎ1 、Ｎ2 とするとＣ f0は次式（数１２）で表わさ
れる。
ァクターＣf0を前記式（数１）の様に表わしたがより正
確に制御するためには前記式（数１２）を用いた方がよ
い。混合ガス、ガス１およびガス２の密度をρ0 、
ρ1 、ρ2 、比熱をＭ0 、Ｍ1 、Ｍ2 、ガス１およびガ
ス２の濃度をｔ％、（１００−ｔ）％、混合ガス、ガス
１およびガス２の熱伝導率、粘性等が関与する係数をＮ
0 、Ｎ1 、Ｎ2 とするとＣ f0は次式（数１２）で表わさ
れる。
【００３７】
【数１２】
【００３８】ただしρ0 、Ｍ0 およびＮ0 は次式（数１
３〜１５）で表わされる。
３〜１５）で表わされる。
【００３９】
【数１３】
【００４０】
【数１４】
【００４１】
【数１５】
【００４２】本実施例では低蒸気圧材料として液体を用
いたが固体の場合も同様の効果が得られる。但し固体の
場合は図２に示すようにアンプル内にメッシュ３２を設
置し、その上部に低蒸気圧材料（固体）３１を乗せ、メ
ツシュ３２の下部から不活性ガスを導入するか、図３に
示すように固体材料に不活性ガスが直接当たらないよう
にするなど固体材料（粉末）がアンプル中でできるだけ
形状を変えないようにする事が望ましい。また不活性ガ
スとしてはＡｒ，Ｈｅ等が一般的でありＮ2 を用いても
よい。
いたが固体の場合も同様の効果が得られる。但し固体の
場合は図２に示すようにアンプル内にメッシュ３２を設
置し、その上部に低蒸気圧材料（固体）３１を乗せ、メ
ツシュ３２の下部から不活性ガスを導入するか、図３に
示すように固体材料に不活性ガスが直接当たらないよう
にするなど固体材料（粉末）がアンプル中でできるだけ
形状を変えないようにする事が望ましい。また不活性ガ
スとしてはＡｒ，Ｈｅ等が一般的でありＮ2 を用いても
よい。
【００４３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、混
合ガスの流量を流量検出器によって検出し、気化した低
蒸気圧材料の流量が所定の流量になるように前記不活性
ガスの流量を流量制御装置によって調整する手段を備え
たことにより、気化した低蒸気圧材料の流量を直接監視
し不活性ガスの流量を調整し、気化した低蒸気圧材料の
流量を制御することができる。この結果、安定した供給
が可能となる。また、精密な温度制御を必要とせず、温
度、圧力等の変化によって気化した低蒸気圧材料の濃度
が変化しても、供給される低蒸気圧材料の流量は変化し
にくいものとなる。
合ガスの流量を流量検出器によって検出し、気化した低
蒸気圧材料の流量が所定の流量になるように前記不活性
ガスの流量を流量制御装置によって調整する手段を備え
たことにより、気化した低蒸気圧材料の流量を直接監視
し不活性ガスの流量を調整し、気化した低蒸気圧材料の
流量を制御することができる。この結果、安定した供給
が可能となる。また、精密な温度制御を必要とせず、温
度、圧力等の変化によって気化した低蒸気圧材料の濃度
が変化しても、供給される低蒸気圧材料の流量は変化し
にくいものとなる。
【図１】本発明の一実施例における低蒸気圧材料供給装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図２】本発明の一実施例における低蒸気圧材料が固体
である場合の低蒸気圧材料供給装置の概略図である。
である場合の低蒸気圧材料供給装置の概略図である。
【図３】本発明の一実施例における低蒸気圧材料が固体
である場合の低蒸気圧材料供給装置の概略図である。
である場合の低蒸気圧材料供給装置の概略図である。
【図４】従来の低蒸気圧材料気化装置の概略図である。
１ 流量制御装置 ２ 流量制御装置 ３ 不活性ガス ４ アンプル ５ 恒温槽 ６ 低蒸気圧材料 ７ 流量検出器 ８ ガス導入管 ９ ヒータ １０ 流量計算機 １１ アンプル １２ 恒温槽 １３ 不活性ガス １４ 流量制御装置 １５ ヒータ １６ ガス導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 加熱した液体または固体状の低蒸気圧材
料中に不活性ガスを注入し、気化した低蒸気圧材料と不
活性ガスの混合ガスを真空室内に導入する低蒸気圧材料
供給装置において、前記混合ガスの流量を流量検出器に
よって検出し、気化した低蒸気圧材料の流量が所定の流
量になるように前記不活性ガスの流量を流量制御装置に
よって調整する手段を備えたことを特徴とする低蒸気圧
材料供給装置。 - 【請求項２】 流量検出器が１５０℃以上の温度で動作
する請求項１に記載の低蒸気圧材料供給装置。 - 【請求項３】 加熱した低蒸気圧材料中に注入される不
活性ガス以外に、真空室内に直接導入される不活性ガス
を有する請求項１に記載の低蒸気圧材料供給装置。 - 【請求項４】 真空室内に直接導入される不活性ガス
と、加熱した液体材料中に注入される不活性ガスの総流
量が一定になるように、真空室内に直接導入される不活
性ガスの流量を流量制御装置によって調整する手段を備
えた請求項１に記載の低蒸気圧材料供給装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4170510A JPH0610144A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 低蒸気圧材料供給装置 |
| US08/083,300 US5431733A (en) | 1992-06-29 | 1993-06-29 | Low vapor-pressure material feeding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4170510A JPH0610144A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 低蒸気圧材料供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0610144A true JPH0610144A (ja) | 1994-01-18 |
Family
ID=15906289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4170510A Pending JPH0610144A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 低蒸気圧材料供給装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5431733A (ja) |
| JP (1) | JPH0610144A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6030342A (en) * | 1996-06-12 | 2000-02-29 | Seiko Epson Corporation | Device for measuring calorie expenditure and device for measuring body temperature |
| JP2011003843A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Ebara Corp | 有機ガス供給装置の有機ガス濃度検出方法、有機ガス供給装置、及び有機ガス供給装置の運転方法 |
| JP2013249511A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tokyo Electron Ltd | 原料ガス供給装置、成膜装置、原料ガスの供給方法及び記憶媒体 |
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