TW201936539A - 具有減少的靜電電荷的玻璃片及其生產方法 - Google Patents

Abstract

一種製造及處理玻璃製品之方法，其中製品之處理包含將電漿流（如包括大氣壓電漿噴流的電漿流）導向製品之主表面。上述處理可減少在主表面上的絕對量測電壓。

Description

具有減少的靜電電荷的玻璃片及其生產方法

本申請案根據專利法主張於2018年2月22日申請之美國臨時申請案序號第62/633,772號之優先權之權益，依據該案之內容且將該案之內容以其全文引用方式併入本文。

本揭示案一般而言關於具有減少的靜電電荷的玻璃片及其生產方法。

在玻璃製品之生產中，如用於顯示器應用（包含電視機及如電話及平板電腦的手持裝置）的玻璃片，通常存在多個處理步驟，其中玻璃之表面與其他表面之間的接觸可能在玻璃表面上產生靜電電荷。在玻璃表面上積聚上述電荷可能對併入上述玻璃製品的電子裝置之效能產生不利影響。因此，持續需要控制及減少在例如顯示器應用及其他電子裝置中使用的玻璃製品上的靜電電荷產生。

本文揭示的實施例包含用於製造玻璃製品的方法。該方法包含形成該玻璃製品。該玻璃製品包含第一主表面、第二主表面以及邊緣表面，該第二主表面與該第一主表面平行，該邊緣表面在與該第一主表面及該第二主表面垂直的方向上在該第一主表面與該第二主表面之間延伸。該方法亦包含將電漿流導向第一主表面。將電漿流導向第一主表面使該第一主表面上的絕對量測電壓減少至少約35%，並且改變該第一主表面之平均表面粗糙度Ra少於約20%。

本文揭示的實施例亦包含處理玻璃製品的方法。該玻璃製品包含第一主表面、第二主表面以及邊緣表面，該第二主表面與該第一主表面平行，該邊緣表面在與該第一主表面及該第二主表面垂直的方向上在該第一主表面與該第二主表面之間延伸。該方法包含將電漿流導向第一主表面。將電漿流導向第一主表面使該第一主表面上的絕對量測電壓減少至少約35%，並且改變該第一主表面之平均表面粗糙度Ra少於約20%。

本文揭示的實施例亦包含玻璃製品。該玻璃製品包含第一主表面、第二主表面以及邊緣表面，該第二主表面與該第一主表面平行，該邊緣表面在與該第一主表面及該第二主表面垂直的方向上在該第一主表面與該第二主表面之間延伸。第一主表面上的絕對量測電壓小於約0.25kV，及該第一主表面之平均表面粗糙度Ra小於約0.3 nm。

本文揭示的實施例之附加特徵及優點將於以下的實施方式中記載，並且部分地對於本領域熟知技術者而言從該實施方式將為顯而易見的，或藉由實踐本文所述的揭示的實施例而認知，本文包含以下的實施方式、申請專利範圍以及附圖。

應理解，前述一般性描述及以下實施方式兩者呈現欲提供用於理解本申請之實施例之本質及特性的概要或架構的實施例。本文包含附圖以提供進一步理解，且附圖併入此說明書中且構成此說明書之一部分。圖式繪示本揭示案之各種實施例，且圖式與說明一起用以解釋本揭示案之原理及操作。

現將詳細參照本揭示案之目前較佳實施例，該等實施例之實例繪示於附圖中。在圖式各處將儘可能使用相同的元件符號來指稱相同或相似的部件。然而，此揭示案可以許多不同的形式來實現，並且不應被解釋為限於本文記載的實施例。

在本文中可將範圍表示為從「約」一個特定值，及/或至「約」另一個特定值。當表示上述範圍時，另一個實施例包含從該個特定值及/或至該另一個特定值。類似地，當將數值表示為近似值時，例如藉由使用先行詞「約」，將理解該特定值形成另一個實施例。將進一步理解，每個範圍之端點關於另一個端點皆為有意義的並且獨立於該另一個端點。

本文使用的方向性用語──例如，上、下、右、左、前、後、頂部、底部──僅為參照所繪製的圖式而作出，而不欲暗示絕對定向。

除非另外明確說明，否則本文記載的任何方法決不欲解釋為要求以特定順序實行該方法的步驟，亦無要求以任何設備、特定的定向來實行。因此，當方法請求項實際上並未敘述該方法的步驟所要遵循的順序時，或當任何設備請求項實際上並未敘述對個別部件的順序或定向時，或當在申請專利範圍或說明中並未另外特定說明步驟將限於特定的順序時，或當並未敘述對設備之部件的特定順序或定向時，決不欲在任何態樣中推斷順序或定向。此適用於用於解釋的任何可能的非明白表示依據，包含：關於步驟之安排、操作流程、部件之順序或部件之定向之邏輯事項；自語法組織或標點符號得到的簡單含義，以及；說明書中描述的實施例之數量或類型。

如本文使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一」、「一個」及「該」包含複數指示物。因此，例如，除非上下文另有明確指示，否則對「一」部件的參照包含具有兩個或多於兩個上述部件的態樣。

如本文使用的，用語「電漿」指包括正離子及自由電子的游離氣體(ionized gas)。

如本文使用的，當提及大氣壓電漿噴流或線性大氣壓電漿流時用語「大氣壓」指從孔徑放電的電漿流，其中電漿壓力大約匹配周圍大氣之壓力，包含其中電漿壓力在101.325千帕（標準大氣壓）的90%與110%之間的條件。

如本文使用的，用語「絕對量測電壓」指如本文實例部分所述的藉由電壓量測技術(VMT)量測的電壓之絕對值。因此，用語「減少絕對量測電壓」指減少如本文實例部分所述的由VMT量測的量測電壓之絕對值。

如本文使用的，用語「表面粗糙度Ra」指JIS B 0031（1994）中規定的算術平均表面粗糙度。

如本文使用的，用語「清潔乾燥空氣」(clean dry air; CDA)指每千克的空氣中包括少於1克水蒸氣的空氣。

第1圖圖示示例性玻璃製造設備10。在一些實例中，玻璃製造設備10可包括玻璃熔爐12，玻璃熔爐12可包含熔化容器14。除了熔化容器14之外，玻璃熔爐12可任選地包含一或更多個另外的部件，如加熱元件（例如燃燒器或電極），其加熱原料並且將原料轉化成熔融玻璃。在進一步實例中，玻璃熔爐12可包含熱管理裝置（例如，絕緣部件），其減少從熔化容器附近損失的熱。在更進一步實例中，玻璃熔爐12可包含電子裝置及/或機電裝置，其促使將原料熔化成玻璃熔體。更進一步，玻璃熔爐12可包含支撐結構（例如，支撐底盤、支撐構件等）或其他部件。

玻璃熔化容器14通常由耐火材料構成，如耐火陶瓷材料，例如，包括氧化鋁或氧化鋯的耐火陶瓷材料。在一些實例中，玻璃熔化容器14可由耐火陶瓷磚構成。以下將更詳細地描述玻璃熔化容器14之具體實施例。

在一些實例中，玻璃熔爐可併入作為玻璃製造設備之部件以製造玻璃基板，例如，連續長度的玻璃帶。在一些實例中，本揭示案之玻璃熔爐可併入作為玻璃製造設備之部件，該玻璃製造設備包括流孔拉製(slot draw)設備、浮浴(float bath)設備、下拉(down-draw)設備（如熔合製程）、上拉(up-draw)設備、壓輥(press-rolling)設備、管拉製(tube drawing)設備或將受益於本文揭示的態樣的任何其他玻璃製造設備。作為實例，第1圖示意繪示玻璃熔爐12作為熔融下拉玻璃製造設備10之部件，用於熔融拉製玻璃帶以用於後續處理成個別玻璃片。

玻璃製造設備10（例如，熔融下拉設備10）可任選地包含上游玻璃製造設備16，上游玻璃製造設備16位於相對於玻璃熔化容器14的上游。在一些實例中，上游玻璃製造設備16之一部分或全部可併入作為玻璃熔爐12之一部分。

如繪示的實例所示，上游玻璃製造設備16可包含儲存倉(storage bin) 18、原料輸送裝置20及連接至該原料輸送裝置的馬達22。儲存倉18可配置成儲存定量的原料24，定量的原料24可進料至玻璃熔爐12之熔化容器14中，如箭頭26所指示。原料24通常包括一或更多種玻璃成型金屬氧化物及一或更多種改質劑。在一些實例中，原料輸送裝置20可由馬達22提供動力，使得原料輸送裝置20將預定量的原料24從儲存倉18輸送至熔化容器14。在進一步實例中，馬達22可為原料輸送裝置20提供動力以基於在熔化容器14的下游處感測到的熔融玻璃之水平(level)於受控速率下引入原料24。此後，可加熱熔化容器14內的原料24以形成熔融玻璃28。

玻璃製造設備10亦可任選地包含相對於玻璃熔爐12位於下游的下游玻璃製造設備30。在一些實例中，下游玻璃製造設備30之一部分可併入作為玻璃熔爐12之部分。在某些情況下，以下討論的第一連接導管32或下游玻璃製造設備30之其他部分可併入作為玻璃熔爐12之部分。下游玻璃製造設備之元件（包含第一連接導管32）可由貴金屬形成。適合的貴金屬包含選自由鉑、銥、銠、鋨、釕及鈀所組成的金屬群組的鉑族金屬或其合金。例如，玻璃製造設備之下游部件可由鉑-銠合金形成，其包含從約70%至約90%重量的鉑與從約10%至約30%重量的銠。然而，其他適合的金屬可包含鉬、鈀、錸、鉭、鈦、鎢及其合金。

下游玻璃製造設備30可包含第一調節（即，處理）容器，如澄清容器34，其位於熔化容器14的下游並且藉由上述第一連接導管32耦接至熔化容器14。在一些實例中，熔融玻璃28可藉由第一連接導管32從熔化容器14由重力供給至澄清容器34。例如，重力可導致熔融玻璃28經由第一連接導管32之內部路徑從熔化容器14流至澄清容器34。然而，應理解，其他調節容器可位於熔化容器14的下游，例如在熔化容器14與澄清容器34之間。在一些實施例中，可在熔化容器與澄清容器之間採用調節容器，其中將來自初級熔化容器的熔融玻璃進一步加熱以繼續熔化製程，或在進入澄清容器之前冷卻至低於熔化容器中熔融玻璃之溫度的溫度。

可藉由各種技術從澄清容器34內的熔融玻璃28移除氣泡。例如，原料24可包含多價化合物（即，澄清劑(fining agent)），如氧化錫，當加熱時，其經歷化學還原反應並且釋放氧。其他適合的澄清劑包含但不限於砷、銻、鐵及鈰。將澄清容器34加熱至高於熔化容器溫度的溫度，從而加熱熔融玻璃及澄清劑。由一或更多個澄清劑之溫度誘導的化學還原產生的氧氣泡上升經過澄清容器內的熔融玻璃，其中在熔化爐中產生的熔融玻璃中的氣體可擴散或聚結進入由澄清劑產生的氧氣泡中。然後，增大的氣泡可上升至澄清容器中熔融玻璃之自由表面，然後從澄清容器排出。氧氣泡可進一步引起澄清容器中熔融玻璃之機械性混合。

下游玻璃製造設備30可進一步包含另一個調節容器，如用於混合熔融玻璃的混合容器36。混合容器36可位於澄清容器34的下游。混合容器36可用於提供均質的玻璃熔體組成物，從而減少原本可能存在於離開澄清容器的經澄清的熔融玻璃內的化學或熱不均質性的波筋(cord)。如圖所示，澄清容器34可藉由第二連接導管38耦接至混合容器36。在一些實例中，熔融玻璃28可藉由第二連接導管38從澄清容器34重力進料至混合容器36。例如，重力可導致熔融玻璃28經由第二連接導管38之內部通道從澄清容器34流至混合容器36。應注意，儘管混合容器36圖示為在澄清容器34的下游，但混合容器36可位於澄清容器34的上游。在一些實施例中，下游玻璃製造設備30可包含多個混合容器，例如在澄清容器34的上游的混合容器及在澄清容器34的下游的混合容器。這些多個混合容器可具有相同的設計，或他們可具有不同的設計。

下游玻璃製造設備30可進一步包含另一個調節容器，如可位於混合容器36的下游的輸送容器40。輸送容器40可調節待供給至下游成型裝置的熔融玻璃28。例如，輸送容器40可作為累加器(accumulator)及/或流量控制器，以調整及/或提供一致的熔融玻璃28之流動藉由出口導管44流至成型體(forming body) 42。如圖所示，混合容器36可藉由第三連接導管46耦接至輸送容器40。在一些實例中，熔融玻璃28可藉由第三連接導管46從混合容器36重力供給至輸送容器40。例如，重力可驅動熔融玻璃28經由第三連接導管46之內部路徑從混合容器36至輸送容器40。

下游玻璃製造設備30可進一步包含成型設備48，成型設備48包括上述成型體42及入口導管50。出口導管44可定位成將熔融玻璃28從輸送容器40輸送至成型設備48之入口導管50。例如，出口導管44可嵌套在入口導管50之內表面內並且與該內表面間隔開，從而提供位於出口導管44之外表面與入口導管50之內表面之間的熔融玻璃之自由表面。在熔融下拉玻璃製作設備中的成型體42可包括位於成型體之上表面中的槽52及沿著成型體之底部邊緣56在拉製方向上會聚的會聚成型表面54。經由輸送容器40、出口導管44及入口導管50輸送至成型體槽的熔融玻璃溢出槽之側壁並且沿著會聚成型表面54下降而作為個別的熔融玻璃流。個別的熔融玻璃流在底部邊緣56下方且沿著底部邊緣56連接以產生單一玻璃帶58，藉由向玻璃帶施加張力（如藉由重力、邊緣輥72及拉引輥82）從底部邊緣56沿拉製或流動方向60拉製該單一玻璃帶58，以當玻璃冷卻並且玻璃之黏度增加時控制玻璃帶之尺寸。因此，玻璃帶58經過黏性-彈性過渡變化(visco-elastic transition)並且獲得給予玻璃帶58穩定的尺寸特性的機械性質。在一些實施例中，玻璃帶58可藉由玻璃分離設備100在玻璃帶之彈性區域中分離成個別玻璃片62。然後，機器人64可使用夾持工具65將個別玻璃片62傳送至輸送系統，於該處可進一步處理個別玻璃片。

玻璃片62可進一步藉由本領域具有通常知識者已知的一或更多種方法分離成個別玻璃磚(tile)，例如，藉由機械切割技術。示例性切割技術包含例如使用半導體切割鋸或機械劃線。玻璃片63亦可藉由其他技術分離成個別玻璃磚，例如，基於雷射的切割及分離技術。

第2圖圖示玻璃片62之透視圖，玻璃片62具有第一主表面162、第二主表面164及邊緣表面166，第二主表面164在與第一主表面大致平行的方向上延伸（在玻璃片62之與第一主表面相對的側上），邊緣表面166在第一主表面與第二主表面之間延伸並且在與第一及第二主表面162、164大致垂直的方向上延伸。

第3圖圖示使用電漿噴流402的玻璃片62之第一主表面162之處理製程之至少一部分之透視圖。如第3圖所示，處理製程包含經由電漿噴流402將電漿流導向第一主表面162，其中電漿噴頭400於由箭頭500所指示的方向上相對於第一主表面162移動。在某些示例性實施例中，電漿噴流402包括大氣壓電漿噴流。

第4圖示出使用電漿噴流402的主表面處理之示意前視圖。如第4圖所示，電漿噴頭400於由箭頭500所指示的方向上移動跨越玻璃片62之第一主表面162。具體而言，電漿噴頭400在從第4圖所示的透視圖所見的向下移動片之過程中交替地從左向右移動然後從右向左移動。電漿噴頭400亦可在由虛線箭頭500’所指示的方向上旋轉，同時大致上在由箭頭500所指示的方向上移動。儘管虛線箭頭500’示出大致上圓形的順時針移動，但應理解，本文揭示的實施例包括其他電漿噴頭400的移動，如大致上圓形的逆時針移動，以及以其他形狀（如橢圓形或多邊形）的順時針或逆時針移動。

電漿噴流402可在各種處理參數下導向第一主表面162。在某些示例性實施例中，電漿噴流402可以至少約300瓦的功率產生，如至少約500瓦的功率，包含從約300瓦至約800瓦的功率，並且進一步包含從約500瓦至約700瓦的功率。

在某些示例性實施例中，電漿噴流402經由直流高壓放電產生，該直流高壓放電產生脈衝電弧，如至少約5 kV的電壓放電，如從約5 kV至約15 kV。在某些示例性實施例中，電漿噴流402以至少約10 kHz的頻率產生，如從約10 kHz至約100 kHz，並且進一步如從約30 kHz至約70 kHz。在某些示例性實施例中，電漿噴流可具有從約5毫米至約40毫米的光束長度及從約0.5毫米至約15毫米的最寬光束寬度。

在某些示例性實施例中，電漿噴頭400之最靠近第一主表面162的部分之間的距離（本文稱為「間隙距離」）為至少約1毫米，如至少約5毫米，並且進一步如至少約10毫米，如從約1毫米至約25毫米，包含從約5毫米至約20毫米。

在某些示例性實施例中，電漿噴頭400與第一主表面162之間的相對移動速度（本文稱為「掃描速度」）可在從每秒約5毫米至每秒約250毫米的範圍內，如從每秒約10毫米至每秒約200毫米，並且進一步如從每秒約50毫米至每秒約150毫米。

第5圖示出使用線性電漿流452的玻璃片62之第一主表面162之處理製程之至少一部分之透視圖。如第5圖所示，處理製程包含經由線性電漿裝置450經由線性電漿流452將電漿流導向第一主表面162。在某些示例性實施例中，線性電漿流452包括線性大氣壓電漿流。

第6圖示出使用線性電漿流452的主表面處理之示意前視圖。如第6圖所示，線性電漿裝置450在由箭頭550所指示的方向上移動跨越玻璃片62之第一主表面162（線性電漿裝置跨越玻璃片62之第一主表面162的這種移動在本文中稱為「掃描」）。

在某些示例性實施例中，線性電漿裝置450可掃描玻璃片62之第一主表面162至少一次，如從1次至10次，並且進一步如從2次至6次。當線性電漿裝置450掃描玻璃片62之第一主表面162多於一次時，線性電漿裝置450可例如在奇數掃描上在箭頭550之方向上移動並且在偶數掃描上在箭頭550所指示的相反方向上移動。

線性電漿流452可在各種處理參數下導向第一主表面162。在某些示例性實施例中，線性電漿噴流452可以至少約300瓦的功率產生，如至少約500瓦的功率，包含從約300瓦至約800瓦的功率，並且進一步包含從約500瓦至約700瓦的功率。

在某些示例性實施例中，線性電漿流452經由頻率為至少約1 MHz的直接阻障放電(direct barrier discharge)產生，該頻率如從約1 MHz至約25 MHz，並且進一步如從約5 MHz至約15 MHz。

在某些示例性實施例中，線性電漿裝置450之最靠近第一主表面162的部分之間的間隙距離為至少約1毫米，如至少約5毫米，並且進一步如至少約10毫米，如從約1毫米至約25毫米，包含從約5毫米至約20毫米。

在某些示例性實施例中，線性電漿裝置450與第一主表面162之間的掃描速度可在從每秒約1毫米至每秒約100毫米的範圍內，如從每秒約10毫米至每秒約70毫米，並且進一步如從每秒約20毫米至每秒約40毫米。

儘管第3圖~第6圖示出經由電漿噴流402或線性流452將電漿流導向玻璃片62之第一主表面162，但應理解，本文揭示的實施例包含經由電漿噴流402或線性流452將電漿流導向玻璃片62之第二主表面164的實施例，如其中電漿流導向玻璃片62之第一主表面162及第二主表面164兩者的實施例。例如，本文揭示的實施例包含其中經由大氣壓電漿噴流或大氣壓線性流將電漿流同時或分別導向玻璃片62之第一主表面162及第二主表面164的實施例。

在某些示例性實施例中，在將電漿流導向主表面之前，第一主表面162及第二主表面164中之至少一者可例如藉由電阻加熱器或感應加熱器加熱至至少約100°C的溫度，如至少約200°C，並且進一步如至少約300°C，並且再進一步如至少約400°C，並且又再進一步如至少約500°C，包含從約100°C至約600°C的溫度範圍。示例性實施例亦包含其中在將電漿流導向主表面之後將主表面之溫度維持在上述範圍內達一段時間的實施例。

在某些示例性實施例中，經由電漿噴流402或線性流452的電漿包括選自由以下組成的群組的至少一種成分，如至少兩種成分，並且進一步如至少三種成分：氮、氬、氧、氦及CDA，其被激發並且至少部分轉變成電漿態。在某些示例性實施例中，電漿包括氮及選自由以下組成的群組的至少一種成分：氬、氧、氦及CDA。在某些示例性實施例中，電漿包括氮以及選自氬及氦的至少一種成分。

在某些示例性實施例中，經由電漿噴流402或線性流452的電漿包括至少約80 mol%的氮，如至少從約80 mol%至約100 mol%的氮，並且進一步如從約85 mol%至約95 mol%的氮。在某些示例性實施例中，電漿包括至少約80 mol%的氮及至少2 mol%（如至少5 mol%）的選自由以下組成的群組的至少一種成分：氬、氧、氦及CDA。在某些示例性實施例中，電漿包括至少約80 mol%的氮及至少2 mol%（如至少5 mol%）的選自由以下組成的群組的至少一種成分：氬及氦。

在某些示例性實施例中，經由電漿噴流402或線性流452的電漿實質上不含本領域熟知技術者已知的實質上蝕刻玻璃的成分，如實質上不含酸蝕刻劑。在某些示例性實施例中，經由電漿噴流402或線性流452的電漿實質上不含氟，包含任何含氟化合物。例如，本文揭示的實施例包含其中經由電漿噴流402或線性流452的電漿實質上不含HF、CF₄ 及SF₆ 的實施例。

根據本文的實施例經由電漿噴流402或線性流452將電漿流導向第一主表面162可將第一主表面上的絕對量測電壓與未承受電漿處理的玻璃表面相比減少至少約35%，如至少約40%，並且進一步如至少約50%，並且再進一步如至少約100%。

例如，根據本文的實施例經由電漿噴流402或線性流452將電漿流導向第一主表面162可造成第一主表面162上的絕對量測電壓小於約0.25kV，如小於約0.20kV，並且進一步如小於約0.15kV，並且再進一步如小於約0.10kV，並且又再進一步如小於約0.05kV，包含從約0kV至約0.25kV，並且進一步包含從約0.05kV至約0.20kV，並且更進一步包含從約0.10kV至約0.15kV。

此外，根據本文的實施例經由電漿噴流402或線性流452將電漿流導向第一主表面162可將第一主表面之平均表面粗糙度Ra改變少於約20%，如少於約15%，並且進一步如少於約10%，並且再進一步如少於約5%，包含從約0%至約20%，並且進一步包含從約5%至約15%。

例如，根據本文的實施例經由電漿噴流402或線性流452將電漿流導向第一主表面162可造成第一主表面162之平均表面粗糙度Ra小於約0.3 nm，如小於約0.25 nm，包含從約0.15 nm至約0.3 nm，並且進一步包含從約0.20 nm至約0.25 nm。

實例

參照以下非限制性實例進一步說明本文的實施例：

實例1

藉由如表1所記載的藉由大氣壓電漿噴流或藉由線性大氣壓電漿流使具有約0.5毫米的厚度及約100毫米乘以約100毫米的第一及第二主表面尺寸的Eagle XG®玻璃片之樣品承受主表面處理。在大氣壓電漿表面處理之前，每個樣品由含有約2.5wt%的可從Parker Hannifin獲得的Parker250或Semiclean KG洗滌劑的水溶液洗滌，然後在去離子水中進行六次快速傾洗(quick dump rinse; QDR)。

具有由大氣壓電漿噴流（在表1中稱為「噴流」）處理的主表面的每個樣品以與第4圖所繪示的類似的方式來掃描，其中電漿噴頭掃描速度每秒約100毫米，交流電源的頻率約50KHz，功率範圍從約500瓦至約650瓦。

具有由線性大氣壓電漿流（在表1中稱為「線性」）處理的主表面的每個樣品以與第6圖所繪示的類似的方式來掃描，其中掃描速度約每秒30毫米，每個樣品掃描四次，使用13.56MHz電源，功率範圍從約550瓦至約650瓦。

對於各種處理允許間隙距離（在表1中稱為「間隙」）變化，如表1中所記載的電漿組成及單位為標準升/分鐘(SLM)的流率亦允許變化。

電壓量測技術(VMT)

使用電壓量測技術(VMT)測定每個處理樣品之主表面上的量測電壓，其中每個樣品與不鏽鋼真空台以每秒約10毫米的分離速率分離，該不鏽鋼真空台施加約20 Pa的相對負壓並且具有至少與樣品之經處理表面相同的表面積。一旦樣品與真空台分離了約80毫米的距離，使用Monroe Electronics靜電場儀在離樣品約1英寸的距離處進行電壓量測。此量測在表1中稱為V80。在此量測之後，維持樣品與真空台之間的80毫米距離，並且大約1分鐘後進行第二次量測，在表1中稱為V穩定。

處理結果記載於表1中（其中絕對量測電壓為表中列出的每個量測電壓之絕對值）。未經處理的Eagle XG®玻璃對照樣品亦進行上述VMT並且具有約-0.35kV的主表面量測電壓（對應於約0.35kV的主表面絕對量測電壓）。

表1

儘管已參照熔融下拉製程描述了以上實施例，但應理解，上述實施例亦可應用於其他玻璃成型製程，如浮式製程、流孔拉製製程、上拉製程、管拉製製程及壓輥製程。

對於本領域熟知技術者而言將為顯而易見的是，可在不脫離本揭示案之精神及範疇的情況下對本揭示案之實施例作各種修改及變異。因此，預期本揭示案涵蓋上述修改及變異，只要上述修改及變異在所附申請專利範圍及其均等物之範疇內。

10‧‧‧玻璃製造設備/熔融下拉設備

12‧‧‧玻璃熔爐

14‧‧‧熔化容器

16‧‧‧上游玻璃製造設備

18‧‧‧儲存倉

20‧‧‧原料輸送裝置

22‧‧‧馬達

24‧‧‧原料

26‧‧‧箭頭

28‧‧‧熔融玻璃

30‧‧‧下游玻璃製造設備

32‧‧‧第一連接導管

34‧‧‧澄清容器

36‧‧‧混合容器

38‧‧‧第二連接導管

40‧‧‧輸送容器

42‧‧‧成型體

44‧‧‧出口導管

46‧‧‧第三連接導管

48‧‧‧成型設備

50‧‧‧入口導管

52‧‧‧槽

54‧‧‧會聚成型表面

56‧‧‧底部邊緣

58‧‧‧玻璃帶

60‧‧‧拉製或流動方向

62‧‧‧玻璃片

64‧‧‧機器人

65‧‧‧夾持工具

72‧‧‧邊緣輥

82‧‧‧拉引輥

100‧‧‧玻璃分離設備

162‧‧‧第一主表面

164‧‧‧第二主表面

166‧‧‧邊緣表面

400‧‧‧電漿噴頭

402‧‧‧電漿噴流

450‧‧‧線性電漿裝置

452‧‧‧線性電漿流

500‧‧‧箭頭

500’‧‧‧虛線箭頭

550‧‧‧箭頭

第1圖為示例熔融下拉玻璃製作設備及製程之示意圖；

第2圖為玻璃片之透視圖；

第3圖為使用電漿噴流的主表面處理製程之至少一部分之透視圖；

第4圖為使用電漿噴流的主表面處理之示意前視圖；

第5圖為使用線性(linear)電漿流的主表面處理之至少一部分之透視圖；及

第6圖為使用線性電漿流的主表面處理之示意前視圖。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無

Claims (16)

1. 一種用於製造一玻璃製品的方法，該方法包括以下步驟： 形成該玻璃製品，該玻璃製品包括一第一主表面、一第二主表面以及一邊緣表面，該第二主表面與該第一主表面平行，該邊緣表面在與該第一主表面及該第二主表面垂直的一方向上在該第一主表面與該第二主表面之間延伸；及將一電漿流導向該第一主表面，其中將該電漿流導向該第一主表面使該第一主表面上的絕對量測電壓減少至少約35%，並且改變該第一主表面之平均表面粗糙度Ra少於約20%。
2. 如請求項1所述之方法，其中該電漿流包括一大氣壓電漿噴流。
3. 如請求項1所述之方法，其中該電漿流包括一大氣壓線性流。
4. 如請求項1所述之方法，其中該電漿包括選自由以下組成的群組的至少一種成分：氮、氬、氧、氦及CDA。
5. 如請求項1所述之方法，其中該電漿實質上不含氟。
6. 如請求項1所述之方法，其中該電漿以至少約300瓦的一功率產生。
7. 一種由請求項1所述之方法製成的玻璃製品。
8. 一種用於處理一玻璃製品的方法，該玻璃製品包括一第一主表面、一第二主表面以及一邊緣表面，該第二主表面與該第一主表面平行，該邊緣表面在與該第一主表面及該第二主表面垂直的一方向上在該第一主表面與該第二主表面之間延伸，該方法包括以下步驟： 將一電漿流導向該第一主表面，其中將該電漿流導向該第一主表面使該第一主表面上的絕對量測電壓減少至少約35%，並且改變該第一主表面之平均表面粗糙度Ra少於約20%。
9. 如請求項8所述之方法，其中該電漿流包括一大氣壓電漿噴流。
10. 如請求項8所述之方法，其中該電漿流包括一大氣壓線性流。
11. 如請求項8所述之方法，其中該電漿包括選自由以下組成的群組的至少一種成分：氮、氬、氧、氦及CDA。
12. 如請求項8所述之方法，其中該電漿實質上不含氟。
13. 如請求項8所述之方法，其中該電漿以至少約300瓦的一功率產生。
14. 一種由請求項8所述之方法製成的玻璃製品。
15. 一種玻璃製品，該玻璃製品包括一第一主表面、一第二主表面以及一邊緣表面，該第二主表面與該第一主表面平行，該邊緣表面在與該第一主表面及該第二主表面垂直的一方向上在該第一主表面與該第二主表面之間延伸，其中該第一主表面上的一絕對量測電壓小於約0.25kV，及該第一主表面之一平均表面粗糙度Ra小於約0.3 nm。
16. 一種包括請求項15所述之玻璃製品的電子裝置。