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TW201935077A - 電性檢查方法 - Google Patents

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TW201935077A
TW201935077A TW107141581A TW107141581A TW201935077A TW 201935077 A TW201935077 A TW 201935077A TW 107141581 A TW107141581 A TW 107141581A TW 107141581 A TW107141581 A TW 107141581A TW 201935077 A TW201935077 A TW 201935077A
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柴山勝己
廣瀬真樹
川合敏光
大山泰生
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日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
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Abstract

本發明之電性檢查方法具備如下步驟：準備晶圓，該晶圓構成有互相對向之第1鏡面部與第2鏡面部之間之距離藉由靜電力而變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部；及檢查複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之電性特性。

Description

電性檢查方法
本發明係關於一種用以獲得法布里-佩洛干涉濾光器之電性檢查方法。
作為先前之法布里-佩洛干涉濾光器，已知有具備基板、及於基板上介隔空隙互相對向之固定鏡面及可動鏡面者(例如參照專利文獻1)。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特表2013-506154號公報
[發明所欲解決之問題]
如上述之法布里-佩洛干涉濾光器由於係微細之構造體，故於製造法布里-佩洛干涉濾光器時，提高製造效率及良率之兩者較困難。
因此，本發明之目的在於提供一種能夠效率良好且良率良好地獲得複數個法布里-佩洛干涉濾光器之電性檢查方法。
[解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之電性檢查方法具備如下步驟：準備晶圓，該晶圓具備基板層、及二維配置於基板層上之複數對第1鏡面部及第2鏡面部，且藉由於互相對向之第1鏡面部與第2鏡面部之間形成空隙，而構成互相對向之第1鏡面部與第2鏡面部之間之距離藉由靜電力而變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部；及檢查複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之電性特性。
該電性檢查方法中，針對成為複數個法布里-佩洛干涉濾光器之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部，於晶圓狀態下實施電性特性之檢查。因此，該電性檢查方法能夠效率良好且良率良好地獲得複數個法布里-佩洛干涉濾光器。其理由如下所述。法布里-佩洛干涉濾光器係於經過直至自晶圓切出並裝配於例如光檢測裝置為止之各步驟期間，特性易變化之元件。因此，認為需要於最終階段之裝配時檢查法布里-佩洛干涉濾光器之特性。然而，本發明人等發現，晶圓狀態下為良品之法布里-佩洛干涉濾光器部即使其後特性發生變化，亦不易成為不良品之法布里-佩洛干涉濾光器。因此，藉由在晶圓狀態下檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部之電性特性，可於初始階段排除如晶圓狀態下為不良品之法布里-佩洛干涉濾光器直至最終階段之裝配之浪費，且可提高良品之法布里-佩洛干涉濾光器直至最終階段之裝配之機率。
並且，根據該電性檢查方法，可效率良好且精度良好地檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部之電性特性。其理由如下所述。例如，若欲針對各法布里-佩洛干涉濾光器實施電性特性之檢查，則例如為了使一對探針確實地與法布里-佩洛干涉濾光器之一對端子接觸，有必要針對每個法布里-佩洛干涉濾光器調整支持角度。藉由在晶圓狀態下檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部之電性特性，而可減少此種調整之負擔。又，於法布里-佩洛干涉濾光器中，電性特性亦根據溫度等環境條件變化。因此，若針對各法布里-佩洛干涉濾光器實施電性特性之檢查，則成為檢查結果之前提之環境條件於法布里-佩洛干涉濾光器間易變得不同。藉由在晶圓狀態下檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部之電性特性，可於穩定之環境條件下獲得檢查結果。
本發明之一態樣之電性檢查方法中，亦可於檢查電性特性之步驟中，為了使靜電力產生，而於設置於複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之一對端子間測定電容。藉此，可針對各法布里-佩洛干涉濾光器部，檢查第2鏡面部有無破損、設置於各法布里-佩洛干涉濾光器部之配線有無斷線等。
本發明之一態樣之電性檢查方法中，亦可於檢查電性特性之步驟中，為了使靜電力產生，而對設置於複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之一對端子間施加電壓並測定漏電流。藉此，可針對各法布里-佩洛干涉濾光器部，檢查異物有無混入至形成於互相對向之第1鏡面部與第2鏡面部之間之空隙、設置於各法布里-佩洛干涉濾光器部之配線有無斷線等。
本發明之一態樣之電性檢查方法亦可進而具備拍攝晶圓之步驟。藉此，可取得各法布里-佩洛干涉濾光器部之座標資訊，基於所取得之座標資訊，例如使一對探針與各法布里-佩洛干涉濾光器部之一對端子接觸。
[發明之效果]
根據本發明，可提供一種能夠效率良好且良率良好地獲得複數個法布里-佩洛干涉濾光器之電性檢查方法。
以下，參照圖式，針對本發明之實施形態進行詳細說明。再者，對各圖中相同或相當部分標註相同符號，並省略重複說明。
[法布里-佩洛干涉濾光器及虛設濾光器之構成]
於說明一實施形態之電性檢查方法之前，針對自其檢查對象即晶圓切出之法布里-佩洛干涉濾光器及虛設濾光器之構成進行說明。
如圖1、圖2及圖3所示，法布里-佩洛干涉濾光器1具備基板11。基板11具有互相對向之第1表面11a及第2表面11b。於第1表面11a，依序積層有抗反射層21、第1積層體22、中間層23及第2積層體24。於第1積層體22與第2積層體24之間，藉由框狀之中間層23劃定出空隙(氣隙)S。
自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形(俯視)時之各部之形狀及位置關係如下。基板11之外緣例如係矩形狀。基板11之外緣及第2積層體24之外緣互相一致。抗反射層21之外緣、第1積層體22之外緣及中間層23之外緣互相一致。基板11具有位於相對於空隙S之中心較中間層23之外緣更靠外側之外緣部11c。外緣部11c例如係框狀，自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍中間層23。空隙S例如係圓形狀。
法布里-佩洛干涉濾光器1於劃定於其中央部之光透過區域1a，使具有特定波長之光透過。光透過區域1a例如係圓柱狀之區域。基板11例如包含矽、石英或玻璃等。於基板11包含矽之情形時，抗反射層21及中間層23例如包含氧化矽。中間層23之厚度例如為數十nm~數十μm。
第1積層體22中對應於光透過區域1a之部分作為第1鏡面部31發揮功能。第1鏡面部31係固定鏡面。第1鏡面部31介隔抗反射層21配置於第1表面11a。第1積層體22係藉由複數個多晶矽層25與複數個氮化矽層26逐層交替地積層而構成。法布里-佩洛干涉濾光器1中，多晶矽層25a、氮化矽層26a、多晶矽層25b、氮化矽層26b及多晶矽層25c依序積層於抗反射層21上。構成第1鏡面部31之多晶矽層25及氮化矽層26之各者之光學厚度較佳為中心透過波長之1/4之整數倍。再者，第1鏡面部31亦可不介隔抗反射層21而直接配置於第1表面11a上。
第2積層體24中對應於光透過區域1a之部分作為第2鏡面部32發揮功能。第2鏡面部32係可動鏡面。第2鏡面部32於相對於第1鏡面部31的基板11之相反側介隔空隙S與第1鏡面部31對向。第1鏡面部31與第2鏡面部32互相對向之方向與垂直於第1表面11a之方向平行。第2積層體24介隔抗反射層21、第1積層體22及中間層23而配置於第1表面11a。第2積層體24係藉由複數個多晶矽層27與複數個氮化矽層28逐層交替地積層而構成。法布里-佩洛干涉濾光器1中，多晶矽層27a、氮化矽層28a、多晶矽層27b、氮化矽層28b及多晶矽層27c依序積層於中間層23上。構成第2鏡面部32之多晶矽層27及氮化矽層28之各者之光學厚度較佳為中心透過波長之1/4之整數倍。
再者，於第1積層體22及第2積層體24中，亦可取代氮化矽層而使用氧化矽層。又，作為構成第1積層體22及第2積層體24之各層之材料，亦可使用氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、氟化鎂、氧化鋁、氟化鈣、矽、鍺、硫化鋅等。又，此處，第1鏡面部31之空隙S側之表面(多晶矽層25c之表面)與第2鏡面部32之空隙S側之表面(多晶矽層27a之表面)介隔空隙S直接對向。但，亦可於第1鏡面部31之空隙S側之表面及第2鏡面部32之空隙S側之表面形成(不構成鏡面之)電極層、保護層等。於該情形時，第1鏡面部31及第2鏡面部32於使該等層介置於之間之狀態下，介隔空隙S互相對向。換言之，即使於此種情形時，亦可實現第1鏡面部31與第2鏡面部32之介隔空隙S之對向。
於第2積層體24中對應於空隙S之部分(自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時與空隙S重疊之部分)，形成有複數個貫通孔24b。各貫通孔24b自第2積層體24之與中間層23為相反側之表面24a到達空隙S。複數個貫通孔24b以對第2鏡面部32之功能實質不帶來影響之程度。複數個貫通孔24b係為了藉由蝕刻除去中間層23之一部分以形成空隙S而使用。
第2積層體24除了具有第2鏡面部32以外，進而具有被覆部33及周緣部34。第2鏡面部32、被覆部33及周緣部34以具有互相相同之積層構造之一部分且互相連續之方式，一體地形成。被覆部33於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時，包圍第2鏡面部32。被覆部33被覆中間層23之與基板11為相反側之表面23a、以及中間層23之側面23b(外側之側面、即與空隙S側為相反側之側面)、第1積層體22之側面22a及抗反射層21之側面21a，到達第1表面11a。即，被覆部33被覆中間層23之外緣、第1積層體22之外緣及抗反射層21之外緣。
周緣部34於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時，包圍被覆部33。周緣部34位於外緣部11c之第1表面11a上。周緣部34之外緣於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時，與基板11之外緣一致。周緣部34沿外緣部11c之外緣被薄化。即，周緣部34中沿外緣部11c之外緣之部分與周緣部34中除沿外緣之部分以外之其他部分相比變薄。法布里-佩洛干涉濾光器1中，周緣部34係藉由將構成第2積層體24之多晶矽層27及氮化矽層28之一部分除去而薄化。周緣部34具有與被覆部33連續之非薄化部34a、及包圍非薄化部34a之薄化部34b。薄化部34b中，除去了直接設置於第1表面11a上之多晶矽層27a以外之多晶矽層27及氮化矽層28。
第1表面11a至非薄化部34a之與基板11為相反側之表面34c的高度低於第1表面11a至中間層23之表面23a的高度。第1表面11a至非薄化部34a之表面34c的高度例如為100 nm~5000 nm。第1表面11a至中間層23之表面23a的高度例如為500 nm~20000 nm。薄化部34b之寬度(自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時之非薄化部34a之外緣與外緣部11c之外緣之間的距離)為基板11之厚度之0.01倍以上。薄化部34b之寬度例如為5 μm~400 μm。基板11之厚度例如為500 μm~800 μm。
於第1鏡面部31，以自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍光透過區域1a之方式，形成有第1電極12。第1電極12係藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使其低電阻化而形成。於第1鏡面部31，以自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包含光透過區域1a之方式，形成有第2電極13。第2電極13係藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使其低電阻化而形成。自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時，第2電極13之大小較佳為包含光透過區域1a整體之大小，但亦可與光透過區域1a之大小大致相同。
於第2鏡面部32，形成有第3電極14。第3電極14介隔空隙S與第1電極12及第2電極13對向。第3電極14係藉由於多晶矽層27a摻雜雜質使其低電阻化而形成。
一對端子15係以隔著光透過區域1a對向之方式設置。各端子15係配置於自第2積層體24之表面24a到達至第1積層體22之貫通孔內。各端子15經由配線12a與第1電極12電性連接。各端子15例如係藉由鋁或其合金等之金屬膜而形成。
一對端子16係以隔著光透過區域1a對向之方式設置。各端子16係配置於自第2積層體24之表面24a到達至第1積層體22之貫通孔內。各端子16經由配線13a與第2電極13電性連接，並且經由配線14a與第3電極14電性連接。端子16例如係藉由鋁或其合金等之金屬膜而形成。一對端子15對向之方向與一對端子16對向之方向正交(參照圖1)。
於第1積層體22之表面22b，設有複數個溝槽17、18。溝槽17以包圍配線13a之與端子16之連接部分之方式呈環狀延伸。溝槽17將第1電極12與配線13a電性絕緣。溝槽18沿第1電極12之內緣呈環狀延伸。溝槽18將第1電極12與第1電極12內側之區域(第2電極13)電性絕緣。各溝槽17、18內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。
於第2積層體24之表面24a，設有溝槽19。溝槽19以包圍端子15之方式呈環狀延伸。溝槽19將端子15與第3電極14電性絕緣。溝槽19內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。
於基板11之第2表面11b，依序積層有抗反射層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44。抗反射層41及中間層43各自具有與抗反射層21及中間層23相同之構成。第3積層體42及第4積層體44各自具有以基板11為基準與第1積層體22及第2積層體24對稱之積層構造。抗反射層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44具有抑制基板11之翹曲之功能。
第3積層體42、中間層43及第4積層體44沿外緣部11c之外緣被薄化。即，第3積層體42、中間層43及第4積層體44中沿外緣部11c之外緣之部分與第3積層體42、中間層43及第4積層體44中除沿外緣之部分以外之其他部分相比變薄。法布里-佩洛干涉濾光器1中，第3積層體42、中間層43及第4積層體44係藉由在自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時與薄化部34b重疊之部分，將第3積層體42、中間層43及第4積層體44之全部除去而薄化。
於第3積層體42、中間層43及第4積層體44，以自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包含光透過區域1a之方式，設有開口40a。開口40a具有與光透過區域1a之大小大致相同之直徑。開口40a於光出射側開口。開口40a之底面到達抗反射層41。
於第4積層體44之光出射側之表面，形成有遮光層45。遮光層45例如包含鋁等。於遮光層45之表面及開口40a之內表面，形成有保護層46。保護層46被覆第3積層體42、中間層43、第4積層體44及遮光層45之外緣，並且被覆外緣部11c上之抗反射層41。保護層46例如包含氧化鋁。再者，藉由將保護層46之厚度設為1~100 nm(較佳為30 nm左右)，可忽視保護層46之光學影響。
於如上般構成之法布里-佩洛干涉濾光器1中，若經由一對端子15、16對第1電極12與第3電極14之間施加電壓，則於第1電極12與第3電極14之間產生對應於該電壓之靜電力。藉由該靜電力，第2鏡面部32被吸引至固定於基板11之第1鏡面部31側，從而調整第1鏡面部31與第2鏡面部32之間之距離。如此，於法布里-佩洛干涉濾光器1中，第1鏡面部31與第2鏡面部32之間之距離藉由靜電力而變化。
透過法布里-佩洛干涉濾光器1之光之波長依存於光透過區域1a中之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間之距離。因此，可藉由調整施加至第1電極12與第3電極14之間之電壓，而適當選擇透過之光的波長。此時，第2電極13與第3電極14為相同電位。因此，第2電極13作為用以於光透過區域1a中將第1鏡面部31及第2鏡面部32保持為平坦之補償電極發揮功能。
於法布里-佩洛干涉濾光器1中，例如，一面使施加至法布里-佩洛干涉濾光器1之電壓變化(即，一面使法布里-佩洛干涉濾光器1中第1鏡面部31與第2鏡面部32之間之距離變化)，一面利用光檢測器檢測透過法布里-佩洛干涉濾光器1之光透過區域1a之光，藉此可獲得分光光譜。
如圖4所示，虛設濾光器2於在第2積層體24未形成複數個貫通孔24b之方面、及於中間層23未形成空隙S之方面，與上述法布里-佩洛干涉濾光器1不同。虛設濾光器2中，在第1鏡面部31與第2鏡面部32之間設有中間層23。即，第2鏡面部32未於空隙S上懸空，而配置於中間層23之表面23a。
[晶圓之構成]
其次，針對一實施形態之電性檢查方法之檢查對象即晶圓之構成進行說明。如圖5及圖6所示，晶圓100具備基板層110。基板層110例如呈圓板狀之形狀，於其一部分形成有定向平面OF。基板層110例如包含矽、石英或玻璃等。以下，將自基板層110之厚度方向觀察之情形時通過基板層110之中心且與定向平面OF平行之假想直線稱為第1直線3，將自基板層110之厚度方向觀察之情形時通過基板層110之中心且與定向平面OF垂直之假想直線稱為第2直線4。
於晶圓100，設有有效區域101及虛設區域102。虛設區域102係沿基板層110之外緣110c(即，晶圓100之外緣100a)之區域。有效區域101係虛設區域102之內側之區域。虛設區域102於自基板層110之厚度方向觀察之情形時包圍有效區域101。虛設區域102與有效區域101隣接。
於有效區域101，設有二維配置之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A。複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A係設置於有效區域101之整體。於虛設區域102，設有二維配置之複數個虛設濾光器部2A。複數個虛設濾光器部2A係設置於虛設區域102中除一對區域102a以外之區域。一區域102a係沿定向平面OF之區域。另一區域102a係沿基板層110之外緣110c中與定向平面OF為相反側之部分之區域。於有效區域101與虛設區域102之交界部分，法布里-佩洛干涉濾光器部1A與虛設濾光器部2A隣接。自基板層110之厚度方向觀察之情形時，法布里-佩洛干涉濾光器部1A之外形與虛設濾光器部2A之外形相同。複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A及複數個虛設濾光器部2A以對於互相正交之第1直線3及第2直線4之各者對稱之方式配置。再者，複數個虛設濾光器部2A亦可設置於虛設區域102之整體。又，複數個虛設濾光器部2A亦可設置於虛設區域102中除任一區域102a以外之區域。
複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個法布里-佩洛干涉濾光器1之預定之部分。複數個虛設濾光器部2A係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個虛設濾光器2之預定之部分。自基板層110之厚度方向觀察之情形時，複數條線5以沿與定向平面OF平行之方向之方式延伸，且複數條線5以沿與定向平面OF垂直之方向之方式延伸。作為一例，自基板層110之厚度方向觀察之情形時，各濾光器部1A、2A呈矩形狀時，各濾光器部1A、2A配置成二維矩陣狀，複數條線5以通過相鄰之濾光器部1A、1A間、相鄰之濾光器部1A、2A間、及相鄰之濾光器部2A、2A間之方式設定為格子狀。
圖7(a)係法布里-佩洛干涉濾光器部1A之剖視圖，圖7(b)係虛設濾光器部2A之剖視圖。如圖7(a)及(b)所示，基板層110係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個基板11之預定之層。基板層110具有互相對向之第1表面110a及第2表面110b。於基板層110之第1表面110a，設有抗反射層210。抗反射層210係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個抗反射層21之預定之層。於基板層110之第2表面110b，設有抗反射層410。抗反射層410係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個抗反射層41之預定之層。
於抗反射層210上，設有器件層200。器件層200具有第1鏡面層220、中間層230、及第2鏡面層240。第1鏡面層220係具有複數個第1鏡面部31之層，且係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個第1積層體22之預定之層。複數個第1鏡面部31介隔抗反射層210而二維配置於基板層110之第1表面110a。中間層230係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個中間層23之預定之層。第2鏡面層240係具有複數個第2鏡面部32之層，且係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個第2積層體24之預定之層。複數個第2鏡面部32經由中間層23而二維配置於第1鏡面層220上。
於抗反射層410上，設有應力調整層400。即，應力調整層400介隔抗反射層410而設置於基板層110之第2表面110b。應力調整層400具有複數個層420、430、440。層420係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個第3積層體42之預定之層。層430係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個中間層43之預定之層。層440係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個第4積層體44之預定之層。
於應力調整層400上，設有遮光層450及保護層460。遮光層450係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個遮光層45之預定之層。保護層460係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個保護層46之預定之層。
如圖7(a)所示，於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，在互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間形成有空隙S。即，於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，中間層23劃定出空隙S，第2鏡面部32於空隙S上懸空。於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，與上述法布里-佩洛干涉濾光器1之構成同樣地，設有與第1電極12、第2電極13、第3電極14、複數個端子15、16及開口40a等相關之構成。因此，複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A即便對於晶圓100，若經由一對端子15、16對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A施加電壓，則互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間之距離亦會藉由靜電力而變化。
如圖7(b)所示，於各虛設濾光器部2A中，在互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間設有中間層23。即，於虛設濾光器部2A中，中間層23未劃定空隙S，第2鏡面部32配置於中間層23之表面23a。因此，於各虛設濾光器部2A中，雖與上述虛設濾光器2之構成同樣地，設有與第1電極12、第2電極13、第3電極14、複數個端子15、16及開口40a等相關之構成，但互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間之距離不變。再者，亦可不於各虛設濾光器部2A設置與第1電極12、第2電極13、第3電極14、複數個端子15、16(構成各端子15、16之鋁等之金屬膜、用以配置各端子15、16之貫通孔等)及開口40a等相關之構成。
如圖6及圖7(a)所示，於器件層200，形成有於與基板層110為相反側開口之第1槽290。第1槽290係沿各線5形成。第1槽290於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A及各虛設濾光器部2A中，包圍第1鏡面部31、中間層23及第2鏡面部32。於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，第1鏡面部31、中間層23及第2鏡面部32係由呈環狀連續之第1槽290包圍。同樣地，於各虛設濾光器部2A中，第1鏡面部31、中間層23及第2鏡面部32係由呈環狀連續之第1槽290包圍。若著眼於相鄰之濾光器部1A、1A、相鄰之濾光器部1A、2A及相鄰之濾光器部2A、2A，則第1槽290與一濾光器部之周緣部34及另一濾光器部之周緣部34上之區域對應。第1槽290於有效區域101及虛設區域102中連接，自第1鏡面部31與第2鏡面部32互相對向之方向(以下簡稱為「對向方向」)觀察之情形時，到達基板層110之外緣110c。再者，第1槽290於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A及各虛設濾光器部2A中，只要至少包圍第2鏡面部32即可。
如圖7(b)所示，於應力調整層400，形成有於與基板層110為相反側開口之第2槽470。第2槽470係沿各線5形成。即，第2槽470係以對應於第1槽290之方式形成。此處，所謂第2槽470對應於第1槽290，意指自對向方向觀察之情形時，第2槽470與第1槽290重疊。因此，第2槽470於有效區域101及虛設區域102中連接，自對向方向觀察之情形時，到達基板層110之外緣110c。
[晶圓之製造方法]
其次，針對晶圓100之製作方法，參照圖8~圖13進行說明。圖8~圖13中，(a)係對應於法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分之剖視圖，(b)係對應於虛設濾光器部2A之部分之剖視圖。
首先，如圖8所示，於基板層110之第1表面110a形成抗反射層210，並且於基板層110之第2表面110b形成抗反射層410。繼而，藉由於各抗反射層210、410上交替地積層複數個多晶矽層及複數個氮化矽層，而於抗反射層210上形成第1鏡面層220，並且於抗反射層410上形成層420。
形成第1鏡面層220時，藉由蝕刻，以抗反射層210之表面露出之方式，將第1鏡面層220中沿各線5之部分除去。又，藉由雜質摻雜，使第1鏡面層220中之特定之多晶矽層部分地低電阻化，藉此於每個對應於基板11之部分，形成第1電極12、第2電極13及配線12a、13a。進而，藉由蝕刻，於每個對應於基板11之部分，在第1鏡面層220之表面形成溝槽17、18。
繼而，如圖9所示，於第1鏡面層220上、及露出之抗反射層210之表面，形成中間層230，並且於層420上形成層430。於對應於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分，中間層230包含對應於空隙S(參照圖3)之除去預定部50。繼而，藉由蝕刻，以基板層110之第1表面110a露出之方式，將中間層230及抗反射層210中沿各線5之部分除去。又，藉由該蝕刻，於每個對應於基板11之部分，在中間層230中對應於各端子15、16(參照圖3)之部分形成空隙。
繼而，如圖10所示，於基板層110之第1表面110a側及第2表面110b側之各者，交替地積層複數個多晶矽層及複數個氮化矽層，藉此於中間層230上及露出之基板層110之第1表面110a，形成第2鏡面層240，並且於層430上形成層440。
形成第2鏡面層240時，將沿線5互相對向之中間層230之側面230a、第1鏡面層220之側面220a及抗反射層210之側面210a以第2鏡面層240被覆。又，藉由雜質摻雜，使第2鏡面層240中之特定之多晶矽層部分地低電阻化，藉此於每個對應於基板11之部分，形成第3電極14及配線14a。
繼而，如圖11所示，藉由蝕刻，以第2鏡面層240所包含之多晶矽層27a(參照圖3)(即，位於最靠第1表面110a側之多晶矽層)之表面露出之方式，將第2鏡面層240中沿各線5之部分薄化。又，藉由該蝕刻，於每個對應於基板11之部分，在第2鏡面層240中對應於各端子15、16(參照圖3)之部分形成空隙。繼而，於每個對應於基板11之部分，在該空隙形成各端子15、16，將各端子15及配線12a連接，並且將各端子16與配線13a及配線14a之各者連接。
至此為止，於基板層110之第1表面110a形成抗反射層210及器件層200，並且於器件層200形成第1槽290。第1槽290係將器件層200沿各線5部分地薄化而成之區域。
繼而，如圖12(a)所示，於對應於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分，藉由蝕刻，將第2積層體24之表面24a到達至除去預定部50之複數個貫通孔24b形成於第2積層體24。此時，如圖12(b)所示，於對應於各虛設濾光器部2A之部分，未將複數個貫通孔24b形成於第2積層體24。繼而，如圖12所示，於層440上形成遮光層450。繼而，藉由蝕刻，以抗反射層410之表面露出之方式，將遮光層450及應力調整層400(即，層420、430、440)中沿各線5之部分除去。又，藉由該蝕刻，於每個對應於基板11之部分，形成開口40a。繼而，於遮光層450上、露出之抗反射層410之表面、及開口40a之內表面、面向第2槽470之應力調整層400之側面，形成保護層460。
至此為止，於基板層110之第2表面110b形成抗反射層410、應力調整層400、遮光層450及保護層460，並且於應力調整層400形成第2槽470。第2槽470係將應力調整層400沿各線5部分地薄化而成之區域。
繼而，如圖13(a)所示，於對應於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分，藉由經由複數個貫通孔24b之蝕刻(例如，使用氫氟酸氣體之氣相蝕刻)，將複數個除去預定部50自中間層230同時除去。藉此，於對應於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分，於每個對應於基板11之部分形成空隙S。此時，如圖13(b)所示，由於在對應於各虛設濾光器部2A之部分，複數個貫通孔24b未形成於第2積層體24，故於中間層230未形成空隙S。
藉由以上所述，於有效區域101中，如圖7(a)所示，藉由於互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間形成空隙S，而構成複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A。另一方面，於虛設區域102中，如圖7(b)所示，藉由於互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間設置中間層23，而構成複數個虛設濾光器部2A。
[電性檢查裝置之構成]
其次，針對實施一實施形態之電性檢查方法之電性檢查裝置之構成進行說明。如圖14所示，電性檢查裝置500具備晶圓支持部510、電壓施加部540、攝像部550及測定部570。晶圓支持部510、電壓施加部540及攝像部550係配置於暗箱(省略圖示)內。電性檢查裝置500之檢查對象係晶圓100。
晶圓支持部510以晶圓100之對向方向(即，第1鏡面部31與第2鏡面部32互相對向之方向)與基準線RL平行之方式，支持晶圓100。但，晶圓支持部510只要以晶圓100之對向方向沿基準線RL之方式支持晶圓100即可。即，晶圓支持部510無需以晶圓100之對向方向與基準線RL完全平行之方式支持晶圓100。晶圓支持部510具有載台511。載台511沿與基準線RL垂直之平面(至少沿與該平面平行且互相正交之2方向之各者)可移動地構成。再者，載台511亦可以平行於基準線RL之線為中心線可旋轉地構成。
電壓施加部540對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A施加電壓。電壓施加部540具有載台541、一對臂542及一對探針543。載台541沿與基準線RL平行之方向可移動地構成。一對臂542安裝於載台541。一對探針543安裝於一對臂542。一對臂542及一對探針543係構成為微操縱器。一對探針543之前端間之距離調整成各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中之一對端子15、16間之距離。再者，晶圓支持部510中載台511沿與基準線RL平行之方向可移動地構成之情形時，載台541亦可不構成為能夠移動。
攝像部550拍攝藉由晶圓支持部510支持之晶圓100(具體而言係晶圓100之表面)。攝像部550具有相機551及變焦透鏡552。相機551出射觀察用光L0，檢測於藉由晶圓支持部510支持之晶圓100之表面被反射之光L0，並將所獲得之圖像顯示於顯示器(省略圖示)。變焦透鏡552具有將晶圓100之表面之像放大之功能。自相機551出射之光L0藉由鏡面505，以於基準線RL上前進之方式被反射。由鏡面505反射後之光L0於基準線RL上前進，且於藉由晶圓支持部510支持之晶圓100之表面被反射。於晶圓100之表面被反射之光L0於同一光路上相反地前進，經由變焦透鏡552入射至相機551。再者，攝像部550亦可配置於基準線RL上。於該情形時，無需鏡面505。
測定部570具有作為LCR(Inductance Capacitance Resistance，電感電容電阻)測量計及電源量測單元之至少一者之功能。此處，測定部570具有作為LCR測量計及電源量測單元之兩者之功能，可根據檢查之目的切換其功能。
測定部570作為LCR測量計發揮功能之情形時，測定部570不使一對探針543產生電位差，於一對端子15、16間測定電容。測定部570亦可使一對探針543產生電位差，對一對端子15、16間施加電壓而測定電容。該電容相當於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中產生於第1電極12與第3電極14之間之靜電電容。藉由測定該電容，可檢查第2鏡面部32有無破損、配線12a、13a、14a有無斷線等。又，可藉由使施加至一對端子15、16間之電壓大小變化，於各電壓下測定電容，而取得施加電壓之大小與電容之關係。由於該電容對應於互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之距離，進而對應於透過互相對向之第1鏡面部31及第2鏡面部32之光之波長，故亦可基於施加電壓之大小與電容之關係，取得施加電壓之大小與透過之光之波長之關係。
測定部570作為電源量測單元發揮功能之情形時，測定部570使一對探針543產生電位差，對一對端子15、16間施加電壓，並測定漏電流。該漏電流相當於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中產生於端子15側(自端子15經由配線12a到達第1電極12之電性路線)與端子16側(自端子16經由配線13a到達第2電極13之電性路線、及自端子16經由配線14a到達第3電極14之電性路線)之間之漏電流。藉由測定該漏電流，可檢查異物有無混入至空隙S、配線12a、13a、14a有無斷線等。
於如上般構成之電性檢查裝置500中，藉由控制部(省略圖示)控制各部之動作，藉此如下實施電性檢查方法。首先，準備檢查對象即晶圓100，並藉由晶圓支持部510予以支持。此時，晶圓100係以對向方向沿基準線RL之方式，藉由晶圓支持部510予以支持。繼而，藉由攝像部550拍攝藉由晶圓支持部510支持之晶圓100，並將晶圓100之圖像顯示於顯示器。然後，例如目視顯示於顯示器之晶圓100之圖像，修正晶圓100(例如晶圓100之中心位置)自特定之初始位置(特定之座標)之偏移。藉此，控制部可取得藉由晶圓支持部510支持之晶圓100之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之座標資訊，作為距特定之初始位置之相對位置。再者，亦可攝像部550連接於控制部，控制部基於自攝像部550輸出之攝像資料，取得晶圓100之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之座標資訊。
繼而，使晶圓支持部510之載台511基於座標資訊動作，使1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A位於基準線RL上(以下，將位於基準線RL上之1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A簡稱為「1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A」)。繼而，使電壓施加部540之載台541動作，使電壓施加部540之一對探針543與1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之一對端子15、16接觸。繼而，使測定部570動作，檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之電性特性。具體而言，於一對端子15、16間測定電容。或者，對一對端子15、16間施加電壓，測定漏電流。藉此，控制部可基於自測定部570輸出之測定結果，針對1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A，判斷1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A是否為良品。
若1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之檢查結束，則使電壓施加部540之載台541動作，使電壓施加部540之一對探針543自1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之一對端子15、16離開。繼而，使下一個法布里-佩洛干涉濾光器部1A位於基準線RL上，同樣地實施該下一個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之檢查。以下，同樣地，依序實施各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之檢查。藉此，控制部可與晶圓100之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之座標資訊建立對應，記憶與各法布里-佩洛干涉濾光器部1A相關之資訊(檢查結果)。再者，亦可針對藉由預先之檢查(目視檢查等)已明確並非良品之法布里-佩洛干涉濾光器部1A，不使一對探針543與一對端子15、16接觸(省略電性檢查)，而針對下一個法布里-佩洛干涉濾光器部1A實施電性檢查，藉此提高檢查效率。又，亦可針對1片晶圓100之所有法布里-佩洛干涉濾光器部1A中特定比例之數量之法布里-佩洛干涉濾光器部1A實施電性檢查，藉此判斷作為該1片晶圓100是否為良品。即，針對法布里-佩洛干涉濾光器部1A之電性檢查亦可不必針對1片晶圓100之所有法布里-佩洛干涉濾光器部1A實施。
再者，如圖15所示，亦可對電壓施加部540應用探針卡。作為一例，電壓施加部540亦可具有支持部545、探針卡546及一對探針543。探針卡546係藉由支持部545支持。一對探針543設置於探針卡546。將一對探針543之前端間之距離調整成各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中之一對端子15、16間之距離。固定有支持部545之情形時，構成為於晶圓支持部510中載台511可沿平行於基準線RL之方向移動。又，攝像部550亦可配置於電壓施加部540之側方。該情形時，藉由於晶圓支持部510中載台511沿與基準線RL垂直之方向僅移動特定距離，而藉由攝像部550拍攝由晶圓支持部510支持之晶圓100。
[法布里-佩洛干涉濾光器之製造方法]
其次，針對自晶圓100切出法布里-佩洛干涉濾光器1之方法(法布里-佩洛干涉濾光器1之製造方法)，參照圖16及圖17進行說明。圖16及圖17中，(a)係對應於法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分之剖視圖，(b)係對應於虛設濾光器部2A之部分之剖視圖。
首先，如圖16所示，於保護層460上(即，第2表面110b側)貼附擴張片60。繼而，於第2表面110b側貼附有擴張片60之狀態下，自與擴張片60為相反側照射雷射光L，使雷射光L之聚光點位於基板層110之內部，且使雷射光L之聚光點沿各線5相對移動。即，使雷射光L自與擴張片60為相反側，經由第1槽290中露出之多晶矽層之表面入射至基板層110。
然後，藉由該雷射光L之照射，沿各線5於基板層110之內部形成改質區域7。改質區域7係密度、折射率、機械強度、其他物理特性與周圍成為不同狀態之區域，且係成為於基板層110之厚度方向伸展之龜裂之起點的區域。作為改質區域7，例如有熔融處理區域(意指暫時熔融後再固化之區域、熔融狀態中之區域及自熔融再固化之狀態中之區域中的至少任一者)、裂縫區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等，亦有其等混合而成之區域。進而，作為改質區域7，有基板層110之材料中改質區域7之密度與非改質區域之密度相比產生變化之區域、形成有晶格缺陷之區域等。基板層110之材料為單晶矽之情形時，改質區域7亦可稱為高錯位密度區域。再者，相對於各線5於基板層110之厚度方向排列之改質區域7之行數係根據基板層110之厚度而適當調整。
繼而，如圖17所示，藉由使貼附於第2表面110b側之擴張片60擴張，而使龜裂自形成於基板層110之內部之改質區域7於基板層110之厚度方向伸展，從而將基板層110沿各線5切斷成複數個基板11。此時，於第1槽290中將第2鏡面層240之多晶矽層沿各線5切斷，並且於第2槽470中將抗反射層410及保護層460沿各線5切斷。藉此，獲得於擴張片60上處於互相分離之狀態之複數個法布里-佩洛干涉濾光器1及複數個虛設濾光器2。
[光檢測裝置之構成]
其次，針對具備法布里-佩洛干涉濾光器1之光檢測裝置10之構成進行說明。如圖18所示，光檢測裝置10具備封裝71。封裝71係具有底座72及蓋73之CAN封裝。蓋73係由側壁74及頂壁75一體構成。底座72及蓋73係由金屬材料形成，互相氣密地接合。由金屬材料形成之封裝71中，側壁74之形狀係以線9為中心線之圓筒狀。底座72及頂壁75於平行於線9之方向上互相對向，分別蓋住側壁74之兩端。
於底座72之內表面72a，固定有配線基板76。作為配線基板76之基板材料，例如可使用矽、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。於配線基板76，安裝有光檢測器(光檢測部)77、及熱敏電阻等溫度檢測器(省略圖示)。光檢測器77配置於線9上。更具體而言，光檢測器77係以其受光部之中心線與線9一致之方式配置。光檢測器77例如係使用InGaAs等之量子型感測器、使用熱電堆或輻射熱計等之熱型感測器等紅外線感測器。檢測紫外線、可見光、近紅外線之各波長區域之光之情形時，作為光檢測器77，例如可使用矽光電二極體等。再者，於光檢測器77，可設置1個受光部，或者亦可將複數個受光部呈陣列狀設置。進而，亦可將複數個光檢測器77安裝於配線基板76。為能夠檢測法布里-佩洛干涉濾光器1之溫度變化，亦可將溫度檢測器配置於例如靠近法布里-佩洛干涉濾光器1之位置。
於配線基板76上，固定有複數個間隔件78。作為各間隔件78之材料，例如可使用矽、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。於複數個間隔件78上，例如藉由接著劑固定有法布里-佩洛干涉濾光器1。法布里-佩洛干涉濾光器1係配置於線9上。更具體而言，法布里-佩洛干涉濾光器1係以光透過區域1a之中心線與線9一致之方式配置。再者，間隔件78亦可與配線基板76一體構成。又，法布里-佩洛干涉濾光器1亦可並非藉由複數個間隔件78支持，而是藉由1個間隔件78支持。
於底座72，固定有複數個引線接腳81。更具體而言，各引線接腳81以維持與底座72之間之電性絕緣性及氣密性之狀態，貫通底座72。於各引線接腳81，藉由導線82而電性連接有設置於配線基板76之電極墊、光檢測器77之端子、溫度檢測器之端子、及法布里-佩洛干涉濾光器1之端子之各者。再者，光檢測器77、溫度檢測器及法布里-佩洛干涉濾光器1亦可經由配線基板76與各引線接腳81電性連接。例如，亦可將各個端子與設置於配線基板76之電極墊電性連接，將電極墊與各引線接腳81藉由導線82連接。藉此，能夠針對光檢測器77、溫度檢測器及法布里-佩洛干涉濾光器1之各者輸入輸出電性信號等。
於封裝71形成有開口71a。更具體而言，開口71a係以其中心線與線9一致之方式形成於蓋73之頂壁75。自平行於線9之方向觀察之情形時，開口71a之形狀為圓形狀。於頂壁75之內表面75a，以蓋住開口71a之方式配置有光透過構件83。光透過構件83與頂壁75之內表面75a氣密接合。光透過構件83具有於平行於線9之方向上互相對向之光入射面83a及光出射面(內表面)83b、以及側面83c。光透過構件83之光入射面83a於開口71a與頂壁75之外表面成為大致同一平面。光透過構件83之側面83c與封裝71之側壁74之內表面74a接觸。即，光透過構件83到達開口71a內及側壁74之內表面74a。此種光透過構件83係藉由在將開口71a設為下側之狀態下於蓋73之內側配置玻璃顆粒，使該玻璃顆粒熔融而形成。即，光透過構件83係藉由熔接玻璃而形成。
於光透過構件83之光出射面83b，藉由接著構件85而固定有帶通濾波器84。即，接著構件85經由接合於頂壁75之內表面75a之光透過構件83，而對頂壁75之內表面75a固定有帶通濾波器84。帶通濾波器84使透過光透過構件83之光中光檢測裝置10之測定波長範圍之光(係特定之波長範圍之光，應入射至法布里-佩洛干涉濾光器1之光透過區域1a之光)選擇性地透過(即，僅使該波長範圍之光透過)。帶通濾波器84之形狀為四邊形板狀。更具體而言，帶通濾波器84具有於平行於線9之方向上互相對向之光入射面84a及光出射面84b、以及4個側面84c。帶通濾波器84係於藉由光透過性材料(例如矽、玻璃等)形成為四邊形板狀之光透過構件之表面形成介電多層膜(例如包含TiO2 、Ta2 O5 等高折射材料與SiO2 、MgF2 等低折射材料之組合之多層膜)而成者。
接著構件85具有配置於帶通濾波器84之光入射面84a之整個區域之第1部分85a。即，第1部分85a係接著構件85中配置於互相對向之光透過構件83之光出射面83b與帶通濾波器84之光入射面84a之間的部分。進而，接著構件85具有自平行於線9之方向觀察之情形時自帶通濾波器84之外緣向外側突出之第2部分85b。第2部分85b到達側壁74之內表面74a，與側壁74之內表面74a接觸。又，第2部分85b與帶通濾波器84之側面84c接觸。
如上般構成之光檢測裝置10中，若光自外部經由開口71a、光透過構件83及接著構件85入射至帶通濾波器84，則使特定之波長範圍之光選擇性地透過。若透過帶通濾波器84之光入射至法布里-佩洛干涉濾光器1之光透過區域1a，則使特定之波長範圍之光中特定波長之光選擇性地透過。透過法布里-佩洛干涉濾光器1之光透過區域1a之光入射至光檢測器77之受光部，由光檢測器77檢測。即，光檢測器77將透過法布里-佩洛干涉濾光器1之光轉換成電性信號並輸出。例如，光檢測器77輸出對應於入射至受光部之光之強度的大小之電性信號。
[電性檢查方法之作用及效果]
上述電性檢查方法具備如下步驟：準備構成有複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之晶圓100；及檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之電性特性。該電性檢查方法中，針對成為複數個法布里-佩洛干涉濾光器1之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A，於晶圓100之狀態下實施電性特性之檢查。因此，該電性檢查方法能夠效率良好且良率良好地獲得複數個法布里-佩洛干涉濾光器1。其理由如下所述。法布里-佩洛干涉濾光器1係於經過直至自晶圓100切出並裝配於例如光檢測裝置10為止之各步驟期間，特性易變化之元件。因此，認為需要於最終階段之裝配時檢查法布里-佩洛干涉濾光器1之特性。然而，本發明人等發現，於晶圓100之狀態下為良品之法布里-佩洛干涉濾光器部1A即使其後特性發生變化，亦不易成為不良品之法布里-佩洛干涉濾光器1。因此，藉由在晶圓100之狀態下檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之電性特性，可於初始階段排除如在晶圓100之狀態下為不良品之法布里-佩洛干涉濾光器1直至最終階段之裝配之浪費，且可提高良品之法布里-佩洛干涉濾光器1直至最終階段之裝配之機率。
並且，根據該電性檢查方法，可效率良好且精度良好地檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之電性特性。其理由如下所述。例如，若欲針對各法布里-佩洛干涉濾光器1實施電性特性之檢查，則例如為了使一對探針543確實地與法布里-佩洛干涉濾光器1之一對端子15、16接觸，有必要針對每個法布里-佩洛干涉濾光器1調整支持角度。藉由在晶圓100之狀態下檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之電性特性，可減少此種調整之負擔。又，於法布里-佩洛干涉濾光器1中，電性特性亦根據溫度等環境條件變化。因此，若針對各個法布里-佩洛干涉濾光器1實施電性特性之檢查，則成為檢查結果之前提之環境條件於法布里-佩洛干涉濾光器1間易變得不同。藉由在晶圓100之狀態下檢查各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之電性特性，可於穩定之環境條件下獲得檢查結果。
又，上述電性檢查方法中，於檢查電性特性之步驟中，於設置於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之一對端子15、16間測定電容。藉此，可針對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A，檢查第2鏡面部32有無破損、配線12a、13a、14a有無斷線等。
又，上述電性檢查方法中，於檢查電性特性之步驟中，對設置於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之一對端子15、16間施加電壓，並測定漏電流。藉此，可針對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A，檢查異物有無混入至空隙S、配線12a、13a、14a有無斷線等。
又，上述電性檢查方法進而具備拍攝晶圓100之步驟。藉此，可取得各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之座標資訊，並基於所取得之座標資訊，例如使一對探針543與各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之一對端子15、16接觸。
又，由於晶圓100係構成有互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間之距離藉由靜電力變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A者，故亦能夠針對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A檢查光透過特性(透過互相對向之第1鏡面部31及第2鏡面部32之光之透過率等)。然而，預想此種光檢查方法需要較上述電性檢查方法更長之時間。因此，針對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A實施光檢查方法之情形時，只要在此之前針對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A實施電性檢查而掌握不良品，即可排除如針對不良品之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A實施光檢查方法之浪費。
再者，於晶圓100中，成為複數個法布里-佩洛干涉濾光器1之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A係設置於有效區域101。另一方面，於沿基板層110之外緣110c且包圍有效區域101之虛設區域102，設有複數個虛設濾光器部2A，於各虛設濾光器部2A中，在互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32之間設有中間層23。藉此，充分確保晶圓100整體之強度。因此，針對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A實施上述電性檢查方法時之晶圓100之處理變得容易。又，晶圓100變得不易翹曲，故可使一對探針543確實地與各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之一對端子15、16接觸。
又，於晶圓100之製造方法中，保持複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A為晶圓100之狀態下，於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中形成空隙S。藉此，與以各晶片級實施空隙S之形成之情形相比，效率極其高，可於第1鏡面部31與第2鏡面部32之間形成空隙S。並且，於有效區域101中，對二維配置之複數個除去預定部50同時實施中間層230之蝕刻等，於對應於基板層110內之任意基板11之部分、及對應於包圍其之周圍基板11之部分，製程同時進展，故可減少基板層110之面內之應力偏差。由此，根據晶圓100之製造方法，可獲得能夠穩定地量產高品質之法布里-佩洛干涉濾光器1之晶圓100。
又，藉由雷射光L之照射，而沿各線5於基板層110之內部形成改質區域7，藉此沿各線5將晶圓100切斷，該方法於製造法布里-佩洛干涉濾光器1方面極其有效，其理由如下。即，於使用雷射光L之晶圓100之切斷中，由於無需水，故不存在於空隙S上懸空之第2鏡面部32因水壓而破損、或水滲透至空隙S內而發生黏結(第2鏡面部32與第1鏡面部31接觸而變得無法移動之現象)的情況。由此，使用雷射光L之晶圓100之切斷於製造法布里-佩洛干涉濾光器1方面極其有效。
[變化例]
以上，雖已針對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。例如，各構成之材料及形狀並不限於上述材料及形狀，可採用各種材料及形狀。於晶圓100中，自基板層110之厚度方向觀察之情形時，法布里-佩洛干涉濾光器部1A之外形與虛設濾光器部2A之外形亦可不同。又，自晶圓100切出複數個法布里-佩洛干涉濾光器1時，亦可不切出所有虛設濾光器部2A(即，亦可不將所有虛設濾光器部2A單片化)。又，虛設區域102之構成並不限定於上述者。例如，於對應於虛設區域102之區域中，至少第2鏡面部32可不由呈環狀連續之第1槽290包圍(例如，第1槽290亦可僅橫穿對應於虛設區域102之區域)，亦可不於器件層200形成第1槽290。又，於對應於虛設區域102之區域中，亦可不設置器件層200之一部分層或器件層200之整體。即，成為本發明之檢查對象之晶圓中，虛設區域並非必需構成。又，上述實施形態中，測定法布里-佩洛干涉濾光器部1A中產生於第1電極12與第3電極14之間之靜電電容，但亦可將與第1電極12及第3電極14分開之電容測定用電極設置於第1鏡面部31及第2鏡面部32之各者，而測定產生於該電極間之靜電電容。
又，如圖16所示，於晶圓100中，亦可以對應於第1槽290之方式，於基板層110之內部形成改質區域7。此處，所謂改質區域7對應於第1槽290，意指自對向方向觀察之情形時，改質區域7與第1槽290重疊，尤其意指改質區域7沿各線5形成之狀態。藉此，可使龜裂自改質區域7於基板層110之厚度方向伸展，從而可容易且精度良好地自晶圓100切出複數個法布里-佩洛干涉濾光器1。於該情形時，亦可於基板層110之第2表面110b側貼附擴張片60。此時，貼附於晶圓100之擴張片60之外緣部係藉由環狀之框保持。藉此，即使係於基板層110之內部形成有改質區域7之狀態，亦可容易地處理晶圓100。再者，於基板層110之內部形成有改質區域7之晶圓100中，有龜裂自改質區域7意外伸展之虞。於晶圓100中，由於在虛設區域102中之一對區域102a未設置複數個虛設濾光器部2A以及第1槽290及第2槽470，故抑制龜裂之產生，並且即使龜裂進展，亦藉由一對區域102a使龜裂之伸展停止。
又，如圖19所示，亦可將藉由接合第1晶圓610與第2晶圓620而構成之晶圓600設為檢查對象。晶圓600包含複數個法布里-佩洛干涉濾光器部650A。複數個法布里-佩洛干涉濾光器部650A係藉由將晶圓600沿設定於第1晶圓610及第2晶圓620之各者之各線5切斷而成為複數個法布里-佩洛干涉濾光器650之預定部分。自晶圓600之厚度方向觀察之情形時，複數個法布里-佩洛干涉濾光器部650A係二維配置。
第1晶圓610具備基板層611、複數個第1鏡面部612及複數個驅動電極613。基板層611具有互相對向之表面611a及表面611b。基板層611係藉由光透過性材料形成。各第1鏡面部612例如係金屬膜、介電多層膜或其等之複合膜。各驅動電極613例如係藉由金屬材料形成。
第2晶圓620具備基板層621、複數個第2鏡面部622及複數個驅動電極623。基板層621具有互相對向之表面621a及表面621b。基板層621係藉由光透過性材料形成。各第2鏡面部622例如係金屬膜、介電多層膜或其等之複合膜。各驅動電極623例如係藉由金屬材料形成。
於晶圓600中，由1個第1鏡面部612、1個驅動電極613、1個第2鏡面部622及1個驅動電極623構成1個法布里-佩洛干涉濾光器部650A。以下，著眼於1個法布里-佩洛干涉濾光器部650A，針對晶圓600之構成進行說明。
於基板層611之表面611a，形成有凹部614。於凹部614之底面614a，設有凸部615。凸部615之高度小於凹部614之深度。即，凸部615之端面615a處於相對於基板層611之表面611a凹陷之狀態。第1鏡面部612設置於凸部615之端面615a。驅動電極613以包圍凸部615之方式，設置於凹部614之底面614a。驅動電極613例如經由設置於基板層611之配線(省略圖示)而與電極墊(省略圖示)電性連接。該電極墊例如設置於基板層611中能夠自外部存取之區域。
基板層621之表面621b藉由例如電漿聚合膜等而與基板層611之表面611a接合。於基板層621之表面621b，設有第2鏡面部622及驅動電極623。第2鏡面部622介隔空隙S與第1鏡面部612對向。驅動電極623以包圍第2鏡面部622之方式，設置於基板層621之表面621b，且介隔空隙S與驅動電極613對向。驅動電極623例如經由設置於基板層621之配線(省略圖示)而與電極墊(省略圖示)電性連接。該電極墊例如設置於基板層621中能夠自外部存取之區域。
於基板層621之表面621a，以自晶圓600之厚度方向觀察之情形時包圍第2鏡面部622及驅動電極623之方式，形成有槽621c。槽621c呈圓環狀延伸。基板層621中被槽621c包圍之部分係將形成有槽621c之部分作為隔膜狀之保持部621d，可於晶圓600之厚度方向移位。再者，隔膜狀之保持部621d亦可藉由將自晶圓600之厚度方向觀察之情形時包圍第2鏡面部622及驅動電極623之槽形成於基板層621之表面621a及表面621b之至少一者而構成。又，亦可藉由將自晶圓600之厚度方向觀察之情形時包圍第1鏡面部612及驅動電極613之槽形成於基板層611，而於基板層611構成隔膜狀之保持部。又，亦可取代隔膜狀之保持部而藉由呈放射狀配置之複數個樑構成保持部。
於如上般構成有各法布里-佩洛干涉濾光器部650A之晶圓600中，各法布里-佩洛干涉濾光器部650A中，若對驅動電極613與驅動電極623之間施加電壓，則對應於該電壓之靜電力產生於驅動電極613與驅動電極623之間。藉由該靜電力，基板層621中被槽621c包圍之部分被吸引至基板層611側，從而調整第1鏡面部612與第2鏡面部622之間之距離。藉此，具有對應於第1鏡面部612與第2鏡面部622之間之距離之波長的光透過。本發明中成為檢查對象之晶圓(100，600)只要具備基板層(110，611)、以及二維配置於基板層(110，611)上之複數對第1鏡面部(31，612)及第2鏡面部(32，622)，且藉由於互相對向之第1鏡面部(31，612)與第2鏡面部(32，622)之間形成空隙S，而構成互相對向之第1鏡面部(31，612)與第2鏡面部(32，622)之間之距離藉由靜電力變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部(1A，650A)即可。
1‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器
1a‧‧‧光透過區域
1A‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器部
2‧‧‧虛設濾光器
2A‧‧‧虛設濾光器部
3‧‧‧第1直線
4‧‧‧第2直線
5‧‧‧線
7‧‧‧改質區域
9‧‧‧線
10‧‧‧光檢測裝置
11‧‧‧基板
11a‧‧‧第1表面
11b‧‧‧第2表面
11c‧‧‧外緣部
12‧‧‧第1電極
12a‧‧‧配線
13‧‧‧第2電極
13a‧‧‧配線
14‧‧‧第3電極
14a‧‧‧配線
15‧‧‧端子
16‧‧‧端子
17‧‧‧溝槽
18‧‧‧溝槽
19‧‧‧溝槽
21‧‧‧抗反射層
21a‧‧‧側面
22‧‧‧第1積層體
22a‧‧‧側面
22b‧‧‧表面
23‧‧‧中間層
23a‧‧‧表面
24‧‧‧第2積層體
24a‧‧‧表面
24b‧‧‧貫通孔
25‧‧‧多晶矽層
25a‧‧‧晶矽層
25b‧‧‧多晶矽層
25c‧‧‧多晶矽層
26‧‧‧氮化矽層
26a‧‧‧氮化矽層
26b‧‧‧氮化矽層
27‧‧‧多晶矽層
27a‧‧‧多晶矽層
27b‧‧‧多晶矽層
27c‧‧‧多晶矽層
28‧‧‧氮化矽層
28a‧‧‧氮化矽層
28b‧‧‧氮化矽層
31‧‧‧第1鏡面部
32‧‧‧第2鏡面部
33‧‧‧被覆部
34‧‧‧周緣部
34a‧‧‧非薄化部
34b‧‧‧薄化部
34c‧‧‧表面
40a‧‧‧開口
41‧‧‧抗反射層
42‧‧‧第3積層體
43‧‧‧中間層
44‧‧‧第4積層體
45‧‧‧遮光層
46‧‧‧保護層
50‧‧‧除去預定部
60‧‧‧擴張片
71‧‧‧封裝
71a‧‧‧開口
72‧‧‧底座
72a‧‧‧內表面
73‧‧‧蓋
74‧‧‧側壁
74a‧‧‧內表面
75‧‧‧頂壁
76‧‧‧配線基板
77‧‧‧光檢測器
78‧‧‧間隔件
81‧‧‧引線接腳
82‧‧‧導線
83‧‧‧光透過構件
83a‧‧‧光入射面
83b‧‧‧光出射面
83c‧‧‧側面
84‧‧‧帶通濾波器
84a‧‧‧光入射面
84b‧‧‧光出射面
84c‧‧‧側面
85‧‧‧接著構件
85a‧‧‧第1部分
85b‧‧‧第2部分
100‧‧‧晶圓
100a‧‧‧外緣
101‧‧‧有效區域
102‧‧‧虛設區域
102a‧‧‧區域
110‧‧‧基板層
110a‧‧‧第1表面
110b‧‧‧第2表面
110c‧‧‧外緣
200‧‧‧器件層
210‧‧‧抗反射層
220‧‧‧第1鏡面層
230‧‧‧中間層
240‧‧‧第2鏡面層
290‧‧‧第1槽
400‧‧‧應力調整層
410‧‧‧抗反射層
420‧‧‧層
430‧‧‧層
440‧‧‧層
450‧‧‧遮光層
460‧‧‧保護層
470‧‧‧第2槽
500‧‧‧電性檢查裝置
505‧‧‧鏡面
510‧‧‧晶圓支持部
511‧‧‧載台
540‧‧‧電壓施加部
541‧‧‧載台
542‧‧‧臂
543‧‧‧探針
550‧‧‧攝像部
551‧‧‧相機
552‧‧‧變焦透鏡
570‧‧‧測定部
600‧‧‧晶圓
610‧‧‧第1晶圓
611‧‧‧基板層
611a‧‧‧表面
611b‧‧‧表面
612‧‧‧第1鏡面部
613‧‧‧驅動電極
614‧‧‧凹部
614a‧‧‧底面
615‧‧‧凸部
615a‧‧‧端面
620‧‧‧第2晶圓
621‧‧‧基板層
621a‧‧‧表面
621b‧‧‧表面
621c‧‧‧槽
621d‧‧‧保持部
622‧‧‧第2鏡面部
623‧‧‧驅動電極
650‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器
650A‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器部
L0‧‧‧光
OF‧‧‧定向平面
RL‧‧‧基準線
S‧‧‧空隙
圖1係自一實施形態之電性檢查方法之檢查對象即晶圓切出之法布里-佩洛干涉濾光器之俯視圖。
圖2係圖1所示之法布里-佩洛干涉濾光器之仰視圖。
圖3係沿圖1所示之Ⅲ-Ⅲ線之法布里-佩洛干涉濾光器之剖視圖。
圖4係自一實施形態之電性檢查方法之檢查對象即晶圓切出之虛設濾光器之剖視圖。
圖5係一實施形態之電性檢查方法之檢查對象即晶圓之俯視圖。
圖6係圖5所示之晶圓之一部分之放大俯視圖。
圖7(a)、(b)係圖5所示之晶圓之法布里-佩洛干涉濾光器部及虛設濾光器部之剖視圖。
圖8(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。
圖9(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。
圖10(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。
圖11(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。
圖12(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。
圖13(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。
圖14係實施一實施形態之電性檢查方法之電性檢查裝置之構成圖。
圖15係實施一實施形態之電性檢查方法之電性檢查裝置之變化例之構成圖。
圖16(a)、(b)係用以說明自圖5所示之晶圓切出法布里-佩洛干涉濾光器之方法之剖視圖。
圖17(a)、(b)係用以說明自圖5所示之晶圓切出法布里-佩洛干涉濾光器之方法之剖視圖。
圖18係具備法布里-佩洛干涉濾光器之光檢查裝置之剖視圖。
圖19係變化例之晶圓之剖視圖。

Claims (4)

  1. 一種電性檢查方法，其具備如下步驟： 準備晶圓，該晶圓具備基板層、及二維配置於上述基板層上之複數對第1鏡面部及第2鏡面部，且藉由於互相對向之上述第1鏡面部與上述第2鏡面部之間形成空隙，而構成互相對向之上述第1鏡面部與上述第2鏡面部之間之距離根據靜電力而變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部；及 檢查上述複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之電性特性。
  2. 如請求項1之電性檢查方法，其中於上述檢查電性特性之步驟中，為了使上述靜電力產生，而於設置於上述複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之一對端子間測定電容。
  3. 如請求項1或2之電性檢查方法，其中於上述檢查電性特性之步驟中，為了使上述靜電力產生，而對設置於上述複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之一對端子間施加電壓並測定漏電流。
  4. 如請求項1至3中任一項之電性檢查方法，其進而具備拍攝上述晶圓之步驟。
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