TW201922984A - 燒成材料組合物、膜狀燒成材料的製造方法及附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係印刷適性優良的燒成材料組合物、使用該燒成材料組合物的膜狀燒成材料的製造方法、及附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法。將燒成材料組合物，其係燒結性金屬粒子10、膠合劑成分20、及對醋酸丁酯的相對蒸發速度為4.0以下的溶劑的糊料狀燒成材料組合物，上述溶劑的含量，對該燒成材料組合物的總質量為12～50質量%，網版印刷在支持體上，得到膜狀燒成材料1。

Description

燒成材料組合物、膜狀燒成材料的製造方法及附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法

本發明係關於燒成材料組合物、膜狀燒成材料的製造方法，及附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法。
本發明係主張以日本專利申請編號2017-192820為優先權其申請日為西元2017年10月2日，且其全部內容以參考資料包含於此。

近幾年伴隨著汽車、空調、個人電腦等的高電壓‧高電流化，對搭載於該等電力用半導體元件（功率裝置）需求變高。電力用半導體元件，由於使用於高電壓‧高電流下的特徵，來自半導體元件的發熱容易成為問題。
先前為將半導體元件所發的熱散熱，有時在半導體元件的周圍安裝散熱板片。但若在散熱板片與半導體元件之間的接合部的熱傳導性不良，則會阻礙有效的散熱。

熱傳導性優良的接合材料，例如，在專利文獻1揭示混合特定的加熱燒結性金屬粒子、特定的高分子分散劑及特定的揮發注分散劑的糊料狀金屬微粒子組合物。將該組合物燒結，則一般認為會成為熱傳導性優良的固體狀金屬。

但是，在如專利文獻1，燒成材料為糊料狀時，難以將糊的厚度均勻地塗佈，而有缺乏厚度穩定性的趨勢。
因此，膜狀的燒成材料，例如在專利文獻2上，揭示一種加熱接合用板片，其包含60～98質量%金屬微粒子，引伸彈性模數為10～3000MPa，在大氣氣氛下升溫到400℃之後，以能量分散型X射線分析所得碳濃度為15質量%以下。
［先前技術文獻］
［專利文獻］

專利文獻1：日本特開2014-111800號公報
專利文獻2：日本特開2016-121329號公報

［發明所欲解決的課題］

然而，燒成材料，係使用於例如將半導體晶圓藉由切割而個板片化的晶片與基板燒結接合。只要是糊料狀燒成材料，由於可直接對燒結接合的對象物塗佈使用，故不容易有問題，但欲將膜狀的燒成材料的形狀配合燒結接合對象物時，通常是先製作大面積的膜狀燒成材料之後，將其沖模加工成所期望的形狀。
但是，根據沖模加工的形狀，會發生許多切邊部，而由於切邊部將成為廢棄處分的對象，而會降低對原料的產率。同時，關係到產品之值上漲。特別是半導體晶圓為圓形狀，故將膜狀的燒成材料配合半導體晶圓的形狀裁切成圓形狀，則容易發生切邊部。再者，即使是不將膜狀的燒成材料沖模加工而使用時，不與燒結接合的對象物接觸的部分將被廢棄處分。如此，使用膜狀的燒成材料時，會發生廢棄損耗的問題。

因此，本發明者們，為解決廢棄損耗的問題，想到以網版印刷配合半導體晶圓等的燒結接合對象物的形狀製造膜狀的燒成材料。
在網版印刷中，首先，在形成影像圖案的網版印上滴下糊料材，使用刮板在網版的開口部填充糊料材。接著，使用刮刀將糊料材從網版的開口部擠出，使之與支持體（印刷對象）貼緊，邊將多餘的糊料材刮取，將在支持體上轉印影像圖案。
但是，以先前的糊料狀燒成材料未必為佳印刷適性。因此，將先前的糊料狀燒成材料使用於網版印刷，有時脫版性差而轉印不充分，或轉印物的形狀在使支持體上的轉印物乾燥之前崩壞。

本發明係有鑑於上述情況而完成，以提供印刷適性優良的燒成材料組合物為目標。此外，以提供使用該燒成材料組合物的膜狀燒成材料的製造方法、及附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法為目標。
［用於解決課題的手段］

本發明，具有以下的態樣。
[1]一種燒成材料組合物，其係包含燒結性金屬粒子、膠合劑成分、及對醋酸丁酯的相對蒸發速度為4.0以下的溶劑的糊料狀燒成材料組合物，
上述溶劑的含量，對該燒成材料組合物的總質量為12～50質量%。
[2]如[1]之燒成材料組合物，其中以溫度23℃、剪速度1sec^-1 測定的黏度為10～1000Pa‧s，以溫度23℃、剪速度1000sec^-1 測定的黏度為1～10Pa‧s。
[3]一種膜狀燒成材料的製造方法，其具有將[1]或[2]之燒成材料組合物網版印刷在支持體上的步驟。
[4]如[3]之膜狀燒成材料的製造方法，其中上述燒成材料組合物對上述支持體的接觸角為20～60∘。
[5]如[3]或[4]之膜狀燒成材料的製造方法，其中將上述燒成材料組合物網版印刷成圓形狀。
[6]如[5]之膜狀燒成材料的製造方法，其中膜狀燒成材料的為面積3.5～1600cm² ，厚度為10～200μm。
[7]一種附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法，其具有以[3]～[6]中任一項之膜狀燒成材料的製造方法得到膜狀燒成材料之後，將上述膜狀燒成材料設於支持板片上的步驟。
［發明效果］

根據本發明，可提供印刷適性優良的燒成材料組合物。此外，可提供使用該燒成材料組合物的膜狀燒成材料的製造方法、及附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法。

以下，參照適宜圖面說明關於本發明的一實施形態。
再者，以下的說明所使用的圖，係為容易了解本發明的特徵，方便上，有時將關鍵部分放大顯示，各構成要素的尺寸比例等並不一定與實際相同。

《燒成材料組合物》
本實施形態的燒成材料組合物，其係糊料狀，而包含燒結性金屬粒子、膠合劑成分、及對醋酸丁酯的相對蒸發速度4.0以下的溶劑。

＜燒結性金屬粒子＞
燒結性金屬粒子，係藉由金屬粒子的熔點以上的溫度加熱處理作為將燒成材料組合物網版印刷而得的膜狀燒成材料的燒成，使粒子相互熔融‧結合形成燒結體的金屬粒子。藉由形成燒粘體，可使膜狀燒成材料，及與其接觸燒成的物品燒結接合。具體而言，可經由膜狀燒成材料，將晶片與基板燒結接合。

燒結性金屬粒子的金屬種，可舉銀、金、銅、鐵、鎳、鋁、矽、鈀、鉑、鈦、鈦酸鋇、該等的氧化物或合金等，以銀及氧化銀為佳。燒結性金屬粒子可僅調配一種，亦可組合調配2種以上。

燒結性金屬粒子，係粒徑為100nm以下，以50nm以下為佳，進一步以20nm以下的銀粒子的銀奈米粒子。

包含於燒成材料組合物的燒結性金屬粒子的粒徑，只要可發揮上述燒結性，並無特別限制，可為100nm以下，亦可為50nm以下，亦可為30nm以下。例如，具有100nm以下的粒徑的佔全體的20質量%以上為佳。再者，所謂燒成材料組合物所包含的燒結性金屬粒子的粒徑，係以電子顯微鏡觀察的燒結性金屬粒子的粒徑的投影面積圓等值徑。
屬於上述粒徑範圍的燒結性金屬粒子，由於燒結性優良而佳。
燒成材料組合物所包含的燒結性金屬粒子的粒徑，對以電子顯微鏡被觀察的燒結性金屬粒子的粒徑的投影面積圓等值徑在100nm以下的粒子所求得的粒徑的數目平均可為0.1～95nm，亦可為0.3～50nm，亦可為0.5～30nm。再者，測定對象的燒結性金屬粒子，係對一個膜狀燒成材料隨意挑選100個以上，例如100個。

燒結性金屬粒子，在與膠合劑成分及溶劑等混合之前，亦可為事先作成沒有團聚物的狀態，預先分散在環己異龍腦酯、或癸醇等的沸點高的高沸點溶劑。高沸點溶劑的沸點，可例如為200～350℃。此時，使用高沸點溶劑，則由於該等幾乎不會在常溫揮發，故可防止金屬粒子的濃度變高，可提升作業性之外，亦可防止燒結性金屬粒子的再團聚等，品質上亦變得良好。分散法，可舉捏合機、三輥輪、珠磨機及超音波等。

在本實施形態的燒成材料組合物，在粒徑100nm以下的金屬粒子（燒結性金屬粒子）之外，亦可進一步調配，不符合其之粒徑超過100nm的金屬粒子的非燒結性金屬粒子。再者，非燒結性金屬粒子的粒徑，係以電子顯微鏡觀察的非燒結性金屬粒子的粒徑的投影面積圓等值徑。粒徑，可例如為超過100nm，5000nm以下，以具有100～2500nm的粒徑佔全體的5質量%以上為佳。粒徑超過100nm的非燒結性金屬粒子的粒徑，對以電子顯微鏡觀察的非燒結性金屬粒子的粒徑的投影面積圓等值徑超過100nm的粒子所求的粒徑的數目平均可為超過150nm，50000nm以下，亦可為150～10000nm，亦可為180～5000nm。

粒徑超過100nm的非燒結性金屬粒子的金屬種，可舉與例示作為上述燒結性金屬粒子的金屬種相同的，以銀、銅及該等氧化物為佳。
粒徑100nm以下的燒結性金屬粒子，與粒徑超過100nm的非燒結性金屬粒子，可相互為同一金屬種，亦可相互為不同的金屬種。可例如，粒徑100nm以下的燒結性金屬粒子為銀粒子，粒徑超過100nm的非燒結性金屬粒子為銀或氧化銀粒子。亦可例如，粒徑100nm以下的燒結性金屬粒子是銀或氧化銀粒子，粒徑超過100nm的非燒結性金屬粒子為銅或氧化銅粒子。

在本實施形態的燒成材料組合物，燒結性金屬配件粒子對所有金屬粒子的總質量（100質量%）的含量，可為10～100質量%，亦可為20～95質量%。

在燒結性金屬粒子及/或非燒結性金屬粒子表面，亦可以有機物披覆。藉由以有機物披覆，可提升與膠合劑成分的相溶性，可防止粒子的團聚，可均勻地分散。
在燒結性金屬粒子及/或非燒結性金屬粒子的表面有披覆有機物時，燒結性金屬粒子及非燒結性金屬粒子的質量，係以包含披覆物之值。

＜膠合劑成分＞
藉由調配膠合劑成分，可將燒成材料成形為膜狀，可賦予燒成前的膜狀燒成材料黏著性。膠合劑成分，可為可藉由作為燒成膜狀燒成材料的加熱處理熱分解的熱分解性。
膠合劑成分並無特別限定，膠合劑成分的較佳的一例，可舉樹脂。樹脂，可舉丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乳酸、纖維素衍生物的聚合物等，丙烯酸系樹脂為佳。丙烯酸系樹脂，包含（甲基）丙烯酸酯化合物的均聚體、2種以上的（甲基）丙烯酸酯化合物的共聚物、（甲基）丙烯酸酯化合物與別的共聚合性單體的共聚物。

在構成膠合劑成分的樹脂，來自（甲基）丙烯酸酯化合物的構成單位的含量，對構成單位的總質量（100質量%），以50～100質量%為佳，以80～100質量%更佳，進一步以90～100質量%為佳。
在此所謂「來自」，係指上述單體受到聚合所需的構造變化。

（甲基）丙烯酸酯化合物的具體例，（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）第三丁基丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸正戊酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸乙基己酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙烯酸十一酯、（甲基）丙烯酸十二酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸硬脂酯、（甲基）丙烯酸異硬脂酯等的（甲基）丙烯酸烷基酯；
（甲基）丙烯酸羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯、（甲基）丙烯酸3-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丁酯、（甲基）丙烯酸3-羥丁酯等的（甲基）丙烯酸羥基烷基酯；
（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯等的（甲基）丙烯酸苯氧基烷基酯；
（甲基）丙烯酸2-甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-乙氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-丙氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-丁氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-甲氧基丁酯等的（甲基）丙烯酸烴氧基烷酯；
（甲基）丙烯酸聚乙二醇單酯、（甲基）丙烯酸乙氧基二甘醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸苯氧基聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸壬基苯氧基聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸聚丙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯、（甲基）丙烯酸乙氧基聚丙二醇酯、（甲基）丙烯酸壬基苯氧基聚丙二醇酯等的（甲基）丙烯酸聚烷二醇酯；
（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸4-丁基環己酯、（甲基）丙烯酸二環戊酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯酯、（甲基）丙烯酸二環戊二烯酯、（甲基）丙烯酸冰板片酯、（甲基）丙烯酸異冰板片酯、（甲基）丙烯酸三環癸酯等的丙烯酸環烷基酯；
（甲基）丙烯酸苄基酯、（甲基）丙烯酸四氫糠酯等。以（甲基）丙烯酸烷基酯或（甲基）丙烯酸烷氧基烷基酯為佳，特別佳的（甲基）丙烯酸酯化含物，可舉（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸乙基己酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、及（甲基）丙烯酸2-乙氧基乙酯。

在本說明書，所謂「（甲基）丙烯酸酯」，係包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」的雙方的概念。
丙烯酸樹脂，以甲基丙烯酸酯為佳。藉由膠合劑成分包含來自甲基丙烯酸酯的構成單位，可以相對較低溫燒成，容易滿足用於得到在燒結後得到充分的黏著強度的條件。

在構成膠合劑成分的樹脂，來自甲基丙烯酸的構成單位的含量，對構成單位的總質量（100質量%），以50～100質量%為佳，以80～100質量%更佳，進一步以90～100質量%為佳。

別的共聚合性單體，只要是可與上述（甲基）丙烯酸酯化合物共聚合的化合物，並無特別限制，可舉例如（甲基）丙烯酸、乙烯基安息香酸、馬來酸、乙烯鄰苯二甲酸等的不飽和羧酸類；乙烯基苄基甲基醚、乙烯基縮水甘油基醚、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、丁二烯、異戊二烯等的含有乙烯基的自由基聚合性化合物。

構成膠合劑成分的樹脂的質量平均分子量（Mw），以1,000～1,000,000為佳，以10,000～800,000更佳。藉由使樹脂的質量平均分子量在上述範圍內，可顯現作為膜的充分的膜強度，且容易賦予柔軟性。
再者，在本說明書，所謂「質量平均分子量」，若無特別提及，係以凝膠滲透層析（GPC）法所測定的聚苯乙烯換算值。

構成膠合劑成分的樹脂的玻璃轉移溫度（Tg），以-60～50℃為佳，以-30～10℃更佳，進一步以-20℃以上未滿0℃為佳。藉由使樹脂的Tg在上述上限值以下，可提升膜狀燒成材料與被著體的燒成前接著力。並且，可提高膜狀燒成材料的柔軟性。另一方面，藉由使樹脂的Tg在上述下限值以上，可維持膜形狀，膜狀燒成材料從支持板片等的剝離變得更容易。
在本說明書，所謂「玻璃轉移溫度（Tg）」，係使用示差掃描熱量計，測定試料的DSC曲線，以所得DSC曲線的反曲點的溫度表示。

膠合劑成分，可為可藉由作為燒成膜狀燒成材料的加熱處理熱分解的熱分解性。膠合劑成分會被熱分解，可藉由膠合劑成分因燒成的質量減少而確認。再者，調配作為膠合劑的成分可藉由燒成大致被熱分解，惟亦可並非調配作為膠合劑成分的成分的全量，因燒成而熱分解。
膠合劑成分，可為燒成後的質量成為燒成前的膠合劑成分的總質量（100質量%）的10質量%以下，亦可為成為5質量%以下，亦可為成為3質量%以下，亦可為成為0質量%。

＜溶劑＞
對醋酸丁酯的相對蒸發速度為4.0以下的溶劑（以下，記述為「溶劑（A）」。），不容易在將燒成材料組合物網版印刷時，從燒成材料組合物滴在網版上，使用刮刀將多餘的燒成材料組合物刮取之間蒸發。因此，可容易的以刮刀刮取多餘的燒成材料組合物。此外，脫版性會變得良好。藉由調配溶劑（A），可得適於網版印刷的燒成材料組合物。
溶劑（A）對醋酸丁酯的相對蒸發速度以2.0以下為佳，以1.0以下更佳。此外，溶劑（A）對醋酸丁酯的相對蒸發速度以0.001以上為佳，以0.002以上更佳。

相對蒸發速度係遵照ASTM D3539所規定的試驗法所測定之值。對醋酸丁酯的相對蒸發進度，係以該測定法測定的醋酸丁酯的蒸發速度之值為1時的換算值。

溶劑（A），可舉丁基卡必醇、丙二醇甲醚、醋酸異丁酯、環己異龍腦酯、癸醇、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、環己酮、異佛爾酮、異丁醇等。溶劑（A），可僅調配一種，亦可以2種以上的組合調配。

溶劑（A）的至少一部分，可使用於作為分散上述燒結性金屬粒子的高沸點溶劑。

＜其他的添加劑＞
本實施形態的燒成材料組合物，在上述燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子、膠合劑成分及溶劑（A）之外，在不損害本發明的效果的範圍內，亦可含有不算是燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子、膠合劑成分及溶劑（A）的其他的添加劑。

可包含於本實施形態的燒成材料組合物的其他的添加劑，可舉分散劑、塑化劑、黏著賦予劑、儲存穩定劑、除泡劑、熱分解促進劑、及抗氧化劑等。添加劑，可僅含有1種，亦可含有2種以上。該等添加劑，並無特別限定，可適宜選擇使用通常在該領域使用的。

此外，本實施形態的燒成材料組合物，亦可在不損害本發明的效果的範圍內，含有對醋酸丁酯的相對蒸發速度超過4.0的溶劑（以下，記述為「別的溶劑（B）」。）。
可包含於本實施形態的燒成材料組合物的別的溶劑（B），可舉醋酸甲酯、醋酸乙酯、丙酮、四氫呋喃、乙醚等。

＜組成＞
本實施形態的燒成材料組合物，係可由燒結性金屬粒子、膠合劑成分、溶劑（A）、及其他的添加劑組成，而該等含量（質量%）的和成100質量%。
本實施形態的燒成材料組合物包含非燒結性金屬粒子時，燒成材料組合物，係燒結性金屬粒子、非燒結性金屬粒子、膠合劑成分、溶劑（A）、及其他的添加劑組成，而該等含量（質量%）的和成100質量%。

溶劑（A）對燒成材料組合物的總質量（100質量%）的含量為12～50質量%，以15～40質量%為佳，以20～30質量%更佳。藉由使溶劑（A）的含量在上述上限值以下，容易維持網版印刷後的燒成材料組合物（轉印物）的形狀。另一方面，藉由使溶劑（A）的含量在上述下限值以上，將燒成材料組合物網版印刷時的脫版性會變得良好。

溶劑以外的所有成分對燒成材料組合物的總質量（100質量%）（以下，記述為「固體份」。）的含量，以50～88質量%為佳，以60～85質量%更佳，進一步以70～80質量%為佳。

燒結性金屬粒子對在燒成材料組合物的固體份的總質量（100質量%）的含量，以15～98質量%為佳，以15～90質量%更佳，進一步以20～80質量%為佳。藉由使燒結性金屬粒子的含量在上述上限值以下，可充分確保膠合劑成分的含量，故變得容易維持將燒成材料組合物網版印刷而得的膜狀燒成材料的形狀。另一方面，藉由使燒結性金屬粒子的含量在上述下限值以上，在膜狀燒成材料的燒成時，燒結性金屬粒子相互，或燒結性金屬粒子與非燒結性金屬粒子熔接，在燒成後顯現高接合接著強度（剪接著力）。

燒成材料組合物包含非燒結性金屬粒子時，燒結性金屬粒子及非燒結性金屬粒子對在燒成材料組合物的固體份的總質量（100質量%）的總含量，以50～98質量%為佳，以70～95質量%更佳，進一步以80～90質量%為佳。

膠合劑成分對在燒成材料組合物的固體份的總質量（100質量%）的含量，以2～50質量%為佳，以5～30質量%更佳，進一步以5～20重量%為佳。由於藉由使膠合劑成分的含量在上述上限值以下，可充分確保燒結性金屬粒子的含量，故可提升膜狀燒成材料與被著體的接合接著力。另一方面，藉由使膠合劑成分的含量在上述下限值以上，可維持膜狀燒成材料的形狀。

在燒成材料組合物，燒結性金屬粒子與膠合劑成分的質量比例（燒結性金屬粒子︰膠合劑成分），以50︰1～1︰5為佳，以20︰1～1︰2更佳，進一步以10︰1～1︰1為佳。燒成材料組合物包含非燒結性金屬粒子時，燒結性金屬粒子及非燒結性金屬粒子與膠合劑成分的質量比例（（燒結性金屬粒子+非燒結性金屬粒子）︰膠合劑成分），以50︰1～1︰1為佳，以20︰1～2︰1更佳，進一步以9︰1～4︰1為佳。

別的溶劑（B）對燒成材料組合物的總質量（100質量%）的含量，以10質量%以下為佳，以5質量%更佳，進一步以3質量%以下為佳。
別的溶劑（B）的含量越少，有提升燒成材料組合物的印刷適性的趨勢。因此，燒成材料組合物實質上不含別的溶劑（B）為佳。
在此，所謂「實質上不含有」，係指別的溶劑（B）的含量，對燒成材料組合物的總質量（100質量），未滿0.1質量%。

＜黏度＞
本實施形態的燒成材料組合物，以溫度23℃，剪速度1sec^-1 測定的黏度（C）為10～1000Pa‧s，以溫度23℃，剪速度1000sec^-1 測定的黏度（D）以1～10Pa‧s的為佳。
黏度（C），以20～900Pa‧s更佳，進一步以25～800Pa‧s為佳。
黏度（D），以1Pa‧s以上未滿10Pa‧s更佳，進一步以2～9Pa‧s為佳。
黏度（C）及黏度（D），係遵照JIS Z 8803︰2011，使用動態黏彈性測定裝置（流變儀）測定之值。測定方法的細節將於後述。

將燒成材料組合物網版印刷時，會對燒成材料組合物施加剪應力。因此，施加剪應力時，燒成材料組合物最好流動性優良。但為提升流動性而使燒成材料組合物的黏度過度降低，則有難以維持印刷後的影像圖案形狀的趨勢。
藉由使黏度（D）在上述上限值以下，對燒成材料組合物施加剪應力時可顯現適度的流動性，網版印刷時的脫版性會更良好。藉由使黏度（C）在上述下限值以上，對燒成材料組合物的剪應力被解除時可顯現適當的黏性，而變得更容易維持印刷後影像圖案的形狀。
此外，藉由使黏度（C）在上述上限值以下，可使網版印刷時的脫版性更良好。藉由使黏度（D）在上述下限值以上，可更容易維持印刷後影像圖案的形狀。

黏度（C）及黏度（D），可藉由包含在燒成材料組合物中的溶劑（A）的相對蒸發速度或含量控制。具體而言，溶劑（A）對醋酸丁酯的相對蒸發速度變大，則黏度（C）及黏度（D）有變低的趨勢。此外，溶劑（A）的含量變少，則黏度（C）及黏度（D）有變高的趨勢。

＜製造方法＞
燒成材料組合物的製造方法，具有將燒結性金屬粒子、膠合劑成分及溶劑（A）、按照需要的非燒結性金屬粒子、其他的添加劑、別的溶劑（B）混合的步驟（混合步驟）。
如上所述，燒結性金屬粒子，可使用預先分散在高沸點溶劑的，亦可預先分散在別的溶劑（B）的（金屬粒子的分散液）。高沸點溶劑，可使用溶劑（A）。使用溶劑（A）作為高沸點溶劑時，使用於作為高沸點溶劑的溶劑（A），與使用於混合步驟的溶劑（A），可為同一種類，亦可為不同的種類。
此外，使用溶劑（A）作為高沸點溶劑時，將使用於作為高沸點溶劑的溶劑（A），及使用於混合步驟的溶劑（A）的共計量，調製成對燒成材料組合物的總質量為12～50質量%。

根據上述本實施形態的燒成材料組合物，由於含有保持定量的溶劑（A），故網版印刷時的脫版性良好。並且，在網版印刷後亦容易維持影像圖案的形狀。
如此，由於本實施形態的燒成材料組合物印刷適性優良，使用本實施形態的燒成材料組合物，可生產性良好地製造所期望形狀的膜狀燒成材料。

本實施形態的燒成材料組合物，其係包含燒結性金屬粒子、膠合劑成分、及對醋酸丁酯的相對蒸發速度為4.0以下的溶劑的糊料狀燒成材料組合物，上述溶劑的含量，對該燒成材料組合物的總質量為12～50質量%，燒成材料組合物，惟作為上述溶劑，使用相對蒸發速度為1.0×10^-5 ～1.0×10^-3 的分散劑，與相對蒸發速度為0.001～4.0的稀釋溶劑的混合溶劑為佳。
上述分散劑，以環己異龍腦酯、癸基乙醇、及該等的混合物為佳。稀釋溶劑，以選自由丁基卡必醇、丙二醇甲醚、及醋酸異丁酯所組成之群之1種或2種以上為佳。
此外，本實施形態的燒成材料組合物，溶劑對燒成材料組合物的總質量（100質量%）的含量，以15～40質量%的為佳，以上述分散劑的含量以10～20質量%，上述稀釋溶劑的含量以1～20質量%的更佳。

《膜狀燒成材料的製造方法》
膜狀燒成材料的製造方法，具有將上述燒成材料組合物網版印刷在支持體上的步驟。

支持體，可舉剝離膜。
剝離膜，可舉例如，聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯醋酸乙烯酯共聚物膜、離聚物樹脂膜、乙烯‧（甲基）丙烯酸共聚物膜、乙烯‧（甲基）丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟化樹脂膜等的透明膜。此外，亦可使用該等的架橋膜。再者，亦可為該等的層積膜。此外，可使用將該等著色的膜、不透明膜等。剝離膜，可藉由在表面塗佈剝離劑施以剝離處理而得。剝離劑，可舉例如，矽酮系、氟系、烯烴系、醇酸系、含有長鏈烷基的氨基甲酸酯等的剝離劑。

剝離膜的厚度，通常為10～500μm，以15～300μm為佳，以20～250μm的程度特別佳。

燒成材料組合物對支持體的接觸角，以20～60∘為佳，以30～55∘更佳，進一步以35～50∘為佳。藉由使接觸角在上述上限值以下，可使燒成材料組合物對支持體的密著性良好。並且，可抑制燒成材料組合物在印刷後在支持體上收縮，可更良好地維持影像圖案的形狀。另一方面，藉由使接觸角在上述下限值以上，可抑制燒成材料組合物在印刷後在支持體上沾濕擴大，可更良好地維持影像圖案的形狀。接觸角，係遵照JIS R3257：1999，以後述的測定方法測定。

燒成材料組合物的印刷，可以習知的網版印刷法進行，具體而言，可舉絲絹網印刷、輪轉網版印刷等的方法。
具體的網版印刷條件，可舉間隙0.5～5.0mm、刮刀印壓0.05～0.5MPa、刮板印壓0.05～0.5MPa、刮刀速度10～100mm/sec、刮板速度10～100mm/sec的條件。

印刷後，將支持體上的燒成材料組合物乾燥，藉由使包含在燒成材料組合物中的溶劑揮發，得到膜狀燒成材料。
燒成材料組合物的乾燥條件，並無特別限定，使之加熱乾燥為佳，此時，例如以70～250℃，例如以80～180℃，10秒～10分鐘的條件乾燥為佳。

＜膜狀燒成材料＞
藉由本發明所得的膜狀燒成材料，含有燒結性金屬粒子及膠合劑成分。
圖1係示意表示本發明所得膜狀燒成材料的一實施形態的剖面圖。膜狀燒成材料1，含有燒結性金屬粒子10及膠合劑成分20。

膜狀燒成材料可為1層（單層）所組成，亦可係由2層以上的複數層，例如2層以上10層以下的層所組成。膜狀燒成材料，由複數層組成時，該等複數層可互相相同亦可不同，該等複數層的組合，只要不損害本發明的效果，並無特別限定。由2層以上的複數層組成的膜狀燒成材料，可藉由網版印刷，將燒成材料料組合物重疊印刷而得。
再者，在本說明書，不僅限於膜狀燒成材料的情形，所謂「複數層可互相相同亦可不同」係指「所有的層可為相同，亦可所有的層都不同，亦可為只有一部分的層相同」的意思，進一步所謂「複數層互相不同」係指「各層的構成材料、構成材料的調配比、及厚度的至少一個互相不同」的意思。

膜狀燒成材料的形狀，只要配合燒結接合的對象的形狀適宜設定即可，以圓形或矩形為佳。圓形係以對應半導體晶圓的形狀的形狀。矩形係對應晶片的形狀的形狀。所謂對應的形狀，係指與燒結接合對象的形狀為同形狀或略同的形狀。
膜狀燒成材料為圓形時，圓的面積，可為3.5~1600cm² ，亦可為85~1400cm² 。膜狀燒成材料為矩形時，矩形的面積，可為0.01~25cm² ，亦可為0.25~9cm² 。

膜狀燒成材料的燒成前的厚度，並無特別限制，以10~200μm為佳，以20~150μm更佳，進一步以30~90μm為佳。
在此，所謂「膜狀燒成材料的厚度」，係指膜狀燒成材料全體的厚度，例如由複數層組成的膜狀燒成材料的厚度，係指構成膜狀燒成材料的所有層的合計厚度。

在本說明書，所謂「厚度」，係以任意5處所測定的厚度的平均所表示之值，可遵照JIS K1730，使用定壓厚度測定器取得。

根據上述本實施形態的膜狀燒成材料的製造方法，由於將印刷適性優良的本發明的燒成材料組合物，以網版印刷成形為膜狀，故可以均勻的厚度，生產性良好地製造所期望的形狀的膜狀燒成材料。因此，例如可配合半導體晶圓的形狀，將膜狀燒成材料製造成圓形狀，並不會發生具有沖膜加工時所產生的切邊部，可提升對原材料的產率，可減輕廢棄損耗。特別是包含於膜狀燒成材料的燒結性金屬粒子，由於係相對較高價的材料，故減少原材料的廢棄損耗，關係到產品價格的大幅下降，而非常有益。

再者，根據本實施形態的膜狀燒成材料的製造方法，可以膜狀燒成材料層積在支持體上的狀態提供。在使用時，只要將支持體剝離，將膜狀燒成材料配置在燒結接合的對象物上即可。支持體，亦具有作用作為用於預防膜狀燒成材料的損傷及附著髒污的保護膜的功能。支持體，只要設在膜狀燒成材料的至少一方的面即可，亦可設於膜狀燒成材料的雙側。

藉由本發明所得的膜狀燒成材料，可作成在至少一方的面（表面）設有支持板片的附支持板片的膜狀燒成材料。
以下，說明關於附支持板片的膜狀燒成材料的細節。

《附支持板片的膜狀燒成材料》
附支持板片的膜狀燒成材料，具備：上述膜狀燒成材料；及支持板片，其係設於上述膜狀燒成材料的至少一方的面（表面）。上述支持板片，係在基材膜上的全面或外周部設黏著劑層，在上述黏著劑層上，設上述膜狀燒成材料為佳。上述膜狀燒成材料，亦可直接接觸設在黏著劑層，亦可直接接觸設在基材膜。藉由採取本形態，可使用於作為將半導體晶圓個板片化成晶片時所使用的切割板片。並且使用刀板片等與半導體晶圓一起個板片化，可加工成與晶片同樣的形狀的膜狀燒成材料，且可製造附膜狀燒成材料的晶片。

以下，說明關於附支持板片的膜狀燒成材料的一實施形態說明。在圖2及圖3表示本實施形態的附支持板片的膜狀燒成材料的概略剖面圖。如圖2、圖3所示附本實施形態的支持板片的膜狀燒成材料100a、100b，係在外周部具有黏著部的支持板片2的內周部，可剝離地暫黏膜狀燒成材料1而成。支持板片2，如圖2所示，在基材膜3的上面具有黏著劑層4的黏著板片，該黏著劑層4的內周部表面，以膜狀燒成材料披覆，成為在外周部露出黏著部的構成。此外，如圖3所示，支持板片2，亦可係在基材膜3的外周部具有環狀的黏著劑層4的構成。

膜狀燒成材料1，係在支持板片2在內周部，以與黏貼的工件（半導體晶圓等）略同形狀形成而得。在支持板片2的外周部具有黏著部。在較佳的態樣，係較支持板片2小徑的膜狀燒成材料1，在圓形的支持板片2上，以同心圓狀層積。外周部的黏著部，係如圖所示，用於固定環形框5。

（基材膜）
基材膜3，並無特別限定，可使用例如，低密度聚乙烯（LDPE）、直鏈低密度聚乙烯（LLDPE）、乙烯．丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯‧醋酸乙烯酯共聚物，乙烯‧（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯‧（甲基）丙烯酸甲酯共聚物、乙烯‧（甲基）丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯‧醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯膜、離聚物樹脂等所組成的膜等。再者，在本說明書，所謂「（甲基）丙烯酸」係以包含丙烯酸及甲基丙烯酸的兩者的意思使用。
此外，對支持板片要求更高的耐熱性時，基材膜3，可舉聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等的聚酯膜、聚丙烯、聚甲基戊烯等的聚烯烴膜等。此外，亦可使用該等的架橋膜或以放射線‧放電等的改質膜。基材膜可為上述膜的層積體。

此外，該等膜，亦可層積2種以上，或組合使用。再者，亦可使用將該等膜著色的，或施以印刷的等。此外，膜係將熱塑性樹脂以擠出成形而板片化的，亦可為延伸的，將硬化性樹脂以既定手段薄膜化、硬化而板片化的。

基材膜的厚度，並無特別限定，以30～300μm為佳，以50～200μm更佳。藉由使基材膜的厚度在上述範圍，即使受到切割的砍入，亦不容易發生基材膜的斷裂。此外，為賦予附支持板片的膜狀燒成材料充分的可撓性，對工件（例如，半導體晶圓等）顯示良好的貼附性。

基材膜，亦可藉由將剝離劑塗佈在表面施以剝離處理而得。使用於剝離處理的剝離劑，可使用醇酸系、矽酮系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系等，特別是醇酸系、矽酮系、氟系的剝離劑，由於具有耐熱性而佳。

使用上述剝離劑，剝離處理基材膜的表面，將剝離劑原樣以無溶劑或以溶劑稀釋或乳膠化，以凹版塗佈機、棒材塗佈機、氣刀塗佈機、輥輪塗佈機等塗佈，將塗佈剝離劑的基材膜在常溫下或加熱下供給，或藉由電子線硬化，或以濕式層壓或乾式層壓、熱熔融層壓、熔融擠出層壓、共擠出加工等形成層積體即可。

（黏著劑層）
支持板片2，至少在其外周部具有黏著部。黏著部，係在附支持板片的膜狀燒成材料100a、100b的外周部，具有將環形框5一時固定的功能，在所需步驟後可剝離環形框5為佳。因此，在黏著劑層4，可使用弱黏著性的，亦可使用黏著力可藉由能量線照射而降低的能量線硬化性的。再剝離性黏著劑層，可藉由習知的各種的黏著劑（例如，橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、尿烷系、聚乙烯基醚系等的通用黏著劑、具有表面凹凸的黏著劑、能量線硬化型黏著劑、含有熱膨脹成分的黏著劑等）形成。

支持板片2，可如圖2所示，在基材膜3的上側全面具有黏著劑層4的通常的構成的黏著板片，該黏著劑層4的內周部表面，係以膜狀燒成材料披覆，黏著部露在外周部的構成。此時，黏著劑層4的外周部，係使用於固定上述環形框5，在內周部，可剝離地層積膜狀燒成材料。黏著劑層4，與上述同樣地，可使用弱黏著性的，此外，亦可使用源量線硬化性黏著劑。

此外，在圖3所示構成，在基材膜3的外周部形成環狀的黏著劑層4，作為黏著部。此時，黏著劑層4，可為上述黏著劑所組成的單層黏著劑層，亦可係將包含上述黏著劑所組成的黏著劑層的雙面膠帶裁切成環狀的。

弱黏著劑，可良好地使用丙烯酸系、矽酮系。此外，考慮膜狀燒成材料的剝離性，黏著劑層4，以23℃對SUS板的黏著力，以30～120mN/25mm為佳，以50～100mN/25mm更佳，進一步以60～90mN/25mm為佳。若該黏著力過低，則有時環形框會脫落。此外，若黏著力過高，則變得不容易從環形框剝離，而難以再利用環形框。

在圖2的構成的支持板片，使用能量線硬化性的再剝離性黏著劑層時，亦可在層積膜狀燒成材料的區域預先進行能量線照射，降低黏著性。此時，其他的區域亦可不進行能量線照射，例如以對環形框架5的接著為目標，維持高黏著力。為僅不對別的區域進行能量線照射，例如，對應於基材膜以外的區域，以印刷等設能量線遮蔽層，從基材膜側進行能量線照射即可。此外，在圖2的構成的支持板片，為使基材膜3與黏著劑層4的接著強固，在基材膜3的設置黏著劑層4的面，根據所期望，可施以噴砂或溶劑處理等的凹凸化處理、或電暈放電處理、電子線照射、電漿處理、臭氧‧紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等的氧化處理等。此外，亦可施以底層處理。

黏著劑層4的厚度，並無特別限定，以1～100μm為佳，以2～80μm更佳，以3～50μm特別佳。

（附支持板片的膜狀燒成材料）
附支持板片的膜狀燒成材料，係在外周部具有黏著部的支持板片的內周部可剝離地暫黏膜狀燒成材料而成。在圖2所示的構成例，附支持板片的膜狀燒成材料100a，係在基材膜3與黏著劑層4所組成的支持板片2的內周部可剝離地層積膜狀燒成材料1，在支持板片2的外周部露出黏著劑層4。在該構成例，徑較支持板片2小的膜狀燒成材料1，可剝離地以同心圓狀層積在支持板片2的黏著劑層4上。

上述構成的附支持板片的膜狀燒成材料100a，在露在支持板片2的外周部的黏著劑層4，黏貼環形框5。

此外，亦可在對環形框的糊白（在黏著板片的外周部露出的黏著劑層）上，進一步另項設置環狀的雙面膠或黏著劑層。雙面膠，具有黏著劑層/芯材/黏著劑層的構成，在雙面膠的黏著劑層，並無特別限定，可使用例如橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚乙烯基醚等的黏著劑。黏著劑層，係在製造後述的附晶片的基板時，在其外周部黏貼環形框。雙面膠的芯材，可良好地使用例如，聚酯膜、聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜、液晶聚合物膜等。

在圖3所示構成例，在基材膜3的外周部形成環狀的黏著劑層4，作為黏著部。在圖4表示圖3所示附支持板片的膜狀燒成材料100b的立體圖。此時，黏著劑層4，可為上述黏著劑所組成的單層黏著劑層，亦可係將含有上述黏著劑所組成的黏著劑層的雙面膠裁切成環狀的。膜狀燒成材料1，係可剝離地層積在以黏著部圍繞的基材膜3的內圓周部。在該構成例，徑較支持板片2小的膜狀燒成材料1，以可剝離地以同心圓狀層積在支持板片2的基材膜3上為佳。

附支持板片的膜狀燒成材料，在供於使用之前之間，在膜狀燒成材料及黏著部的任何一方或其雙方的表面，亦可為避免與外部接觸，以保護表面為目標設置剝離膜。

表面保護膜（剝離膜），可對先前列舉的聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯及聚丙烯等的基材膜表面，使用剝離劑施以上述剝離處理而得。使用於剝離處理的剝離劑，可舉在基材膜的說明先前例示的剝離劑。

附支持板片的膜狀燒成材料的厚度，以1～500μm為佳，以5～300μm更佳，進一步以10～150μm為佳。
在此，「附支持板片的膜狀燒成材料的厚度」，係指附支持板片的膜狀燒成材料全體的厚度，例如，所謂由複數層組成的附支持板片的膜狀燒成材料的厚度，係指構成附支持板片的膜狀燒成材料的所有層的厚度。

《附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法》
上述附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法，具有藉由上述的本發明的膜狀燒成材料的製造方法得到膜狀燒成材料之後，將上述膜狀燒成材料設在支持板片上的步驟。

例如，使用剝離膜作為支持體，藉由上述膜狀燒成材料的製造方法，在剝離膜上形成膜狀燒成材料，在膜伏燒成材料上層積別的剝離膜，預先，準備依序具有剝離膜/膜狀燒成材料/剝離膜的構成的層積體。然後，藉由邊從膜狀燒成材料剝離剝離膜，在膜狀燒成材料上層積支持板片，可製造依序具有支持板片/膜狀燒成材料/剝離膜的構成的附支持板片的膜狀燒成材料。膜狀燒成材料上的剝離膜，在形成層積結構之後，再按照需要去除即可。

此外，使用剝離膜作為支持體，藉由上述膜狀燒成材料的製造方法，在剝離膜上形成膜狀燒成材料，在膜狀燒成材料上層積別的剝離膜，預先，準備依序具有剝離膜/膜狀燒成材料/剝離膜的構成的層積體。在該等之外的剝離膜上，將黏著劑組合物塗層，按照需要使之乾燥，使溶劑揮發作成膜狀，在剝離膜上形成黏著劑層，接著，在黏著劑層上層積基材膜，準備依序具備基材膜/黏著劑層/剝離膜的構成的層積體。然後，分別從膜狀燒成材料及黏著劑層，邊將剝離膜剝離，藉由在基材膜上，對已層積的黏著劑層的露出面層積膜狀燒成材料，製造依序具備基材膜/黏著劑層/膜狀燒成材料/剝離膜的構成的附支持板片的膜狀燒成材料。膜狀燒成材料上的剝離膜，只要在形成層積結構之後，按照需要去除即可。

如此構成附支持板片的膜狀燒成材料的黏著劑層或膜狀燒成材料，均可事先形成在剝離膜上，以與目標物的層的表面黏貼的方法層積，按照必要適宜選擇採用如此的步驟的層，製造附支持板片的膜狀燒成材料即可。

再者，附支持板片的膜狀燒成材料，在設置所有所需的層之後，可在與該個支持板片的相反側的最表層的表面，以黏貼剝離膜的狀態保管。

此外，在上述的膜狀燒成材料的製造方法，亦可使用支持板片作為支持體，將本發明的燒成材料組合物網版印刷在支持板片上形成膜狀燒成材料。

《附晶片的基板的製造方法》
接著，將關於本發明的附支持板片的膜狀燒成材料的利用方法，以將該燒成材料使用於附晶片的基板的製造的情形為例進行說明。

作為本發明的一實施形態，使用附支持板片的膜狀燒成材料的晶片基板的製造方法，係將附支持板片的膜狀燒成材料的剝離膜剝離，在半導體晶圓（工件）的背面，黏貼附支持板片的膜狀燒成材料，將以下的步驟（1）～（2），可以（1）、（2）的順序，亦可將以下的步驟（1）～（4），以（1）、（2）、（3）、（4）的順序進行。

步驟（1）︰將依序層積支持板片、膜狀燒成材料、及半導體晶圓（工件）的層積體的半導體晶圓（工件）與膜狀燒成材料切割的步驟、
步驟（2）︰將膜狀燒成材料、及支持板片剝離，得到附膜狀燒成材料的晶片的步驟、
步驟（3）︰在基板的表面，黏貼附膜狀燒成材料的晶片的步驟、
步驟（4）︰將膜狀燒成材料燒成，將晶片與基板接合的步驟。

以下，說明進行上述步驟（1）～（4）的情形。
半導體晶圓，可為矽晶圓及碳化矽晶圓，此外，亦可為鎵‧砷等的化合物半導體晶圓。在半導體晶圓的表面上，亦可形成有電路。對晶圓表面的電路形成，可以包含蝕刻法、舉離法等的先前通用的方法的各式各樣的方法進行。接著，將半導體晶圓的電路面的相反側的面（背面）研磨。研磨法，並無特別限定，可以使用研磨機等的習知的手段研磨。背面研磨時，為保護表面的電路，在電路面黏貼稱為表面保護板片的黏著板片。背面研磨，係將晶圓的電路面側（即，表面保護板片側）以吸盤等固定，將沒有形成電路的背面以研磨機研磨。基板的研磨後的厚度，並無特別限定，通常為20～500μm程度。之後，按照需要，去除背面研磨時所產生的破碎層。破碎層的去除，可以化學蝕刻、或電漿蝕刻等進行。

接著，在半導體晶圓的背面，黏貼上述附支持板片的膜狀燒成材料的膜狀燒成材料。之後，將步驟（1）～（4），以（1）、（2）、（3）、（4）的順序進行。

將半導體晶圓/膜狀燒成材料/支持板片的層積體，依每個形成在晶圓表面的電路切割，得到晶片/膜狀燒成材料/支持板片的層積體。切割，係將半導體晶圓與膜狀燒成材料一起切斷地進行。根據本實施形態的附支持板片的膜狀燒成材料，由於在切割時可在膜狀燒成材料與支持板片之間發揮黏著力，故可防止破裂或晶片飛散，而切割適性優良。切割，並無特別限定，作為一例，可舉在半導體晶圓的切割時，將支持板片的周邊部（支持體的外周部）以環形框固定之後，藉由使用切割刀等的旋轉圓刀等的習知的手法進行半導體晶圓的個片化的方法等。以切割對支持板片的砍入深度，可將膜狀燒成材料完全切斷，從膜狀燒成材料與支持板片的界面，以0～30μm為佳。藉由對支持板片的砍入量變小，可抑制因切割刀的摩擦使構成支持板片的黏著劑層或基材膜的熔融或毛邊等的發生。
再者，特別將在表面形成電路的半導體晶圓個片化的（晶片），亦稱為元件或半導體元件。

之後，可將上述支持板片擴展。選擇伸展性優良的作為支持板片的基材膜時，支持板片具有優良的擴展性。以真空吸嘴等通用手段拾取切割的附膜狀燒成材料的晶片，將膜狀燒成材料與支持板片剝離。結果，可得在背面具有膜狀燒成材料的晶片（附膜狀燒成材料的晶片）。

接著，在基板表面，黏貼附膜狀燒成材料的晶片。在基板，包含導線架或散熱片等。
接著，將膜狀燒成材料燒成，使基板與晶片接合。此時，使附膜狀燒成材料的晶片的膜狀燒成材料的露出面，黏貼在基板，則可經由膜狀燒成材料，將晶片與上述基板燒結接合。

燒成膜狀燒成材料的加熱溫度，只要考慮膜狀燒成材料的種類適宜決定即可，以100～600℃為佳，以150～550℃更佳，進一步以250～500℃為佳。加熱時間只要考慮膜狀燒成材料的種類適宜決定即可，以1～60分鐘為佳，以1～30分鐘更佳，進一步以1～10分鐘為佳。

膜狀燒成材料的燒成，亦可進行對膜狀燒成材料施加壓力燒成的加壓燒成。加壓條件，作為一例，可為1～50MPa的程度。

根據本實施形態的附晶片的基板的製造方法，可將厚度均勻性高的膜狀燒成材料，不會發生切邊部而可簡便地形成在晶片背面，不容易發生切割步驟或封裝後的龜裂。此外，本實施形態的附晶片的基板的製造方法，無須在個別化的晶片背面，個別黏貼膜狀燒成材料，即可得到附膜狀燒成材料的晶片，可謀求製造步驟的簡化。然後，藉由將附膜狀燒成材料的晶片，配置在所期望的基板上燒成，可經由膜狀燒成材料，製造將晶片與基板燒結接合的附晶片的基板。

作為一實施形態，可得具備晶片與本發明的膜狀燒成材料的附膜狀燒成材料的晶片。附膜狀燒成材料的晶片，作為一例，可藉由上述附晶片的基板的製造方法製造。

再者，在上述實施形態，例示關於膜狀燒成材料的晶片與其基板的燒結接合，惟膜狀燒成材料的燒結接合對象，並非限定於上述所例示的，可對與膜狀燒成材料接觸燒結的各種物品燒結接合。

此外，在上述實施形態，藉由使用刀片等與半導體晶圓一起個片化，可將膜狀燒成材料加工成與晶片同樣的形狀，且可製造附膜狀燒成材料的晶片。即，在附膜狀燒成材料的晶片，膜狀燒成材料的接觸面與晶片的接觸面的大小（面積）相同，但該等亦可不同。亦可例如，以膜狀燒成材料的接觸面較晶片的接觸面大的狀態，經由膜狀燒成材料將基板與晶片黏合。具體而言，對基板配置所期望的大小的膜狀燒成材料，將接觸面較該膜狀燒成材料小的晶片黏貼在膜狀燒成材料上。
[實施例]

以下，藉由實施例等更具體地說明本發明，惟本發明的範圍不應限定於該等實施例等。

《實施例1～4、比較例1～3》
＜燒成材料組合物的製造＞
將使用於製造燒成材料組合物的製造的成分表示如下。

（金屬粒子分散液）
將作為燒結性金屬粒子的醇衍生物披覆銀奈米粒子（粒徑15～55nm），與作為非燒結性金屬粒子的銅粒子（粒徑2000～5000nm）、以質量比（燒結性金屬粒子︰非燒結性金屬粒子）1︰5，混合的混合粒子，分散在作為分散劑的環己異龍腦酯與癸醇的混合溶劑（以質量比，環己異龍腦酯︰癸基乙醇=1︰1），調製固體份濃度85質量%的金屬粒子分散液。
再者，環己異龍腦酯對醋酸丁酯的相對蒸發速度為1.1×10^-5 ，癸醇對醋酸丁酯的相對蒸發速度為1.0×10^{-3 。}

（膠合劑成分）
使用減壓濃縮機，以60℃、200hPa的條件，使市售的丙烯酸聚合物（甲基丙烯酸2-乙基己酯聚合物，質量平均分子量28,000，L-0818，日本合成化學公司製，MEK稀釋品，固體份54.5質量%）之中的MEK揮發的使用於作為膠合劑成分。

（稀釋溶劑）
‧丁基卡必醇（對醋酸丁酯的相對蒸發速度︰0.004）
‧丙二醇甲醚（對醋酸丁酯的相對蒸發速度︰0.71）
‧醋酸異丁酯（對醋酸丁酯的相對蒸發速度︰1.45）
‧環己烷（對醋酸丁酯的相對蒸發速度︰4.5）

各溶劑對醋酸丁酯的相對蒸發速度，係如下測定。
遵照ASTM D3539所規定的試驗法測定各溶劑的蒸發速度，換算成以同樣的方法測定的醋酸丁酯的蒸發速度值為1的相對蒸發速度。

將金屬粒子分散異液與膠合劑成分及稀釋溶劑混合，成表1所示調配組成，得到糊料狀的燒成材料組合物。表中的金屬粒子及膠合劑成分的調配量係固體份量。
再者，表1中，在分散劑的相對蒸發速度的欄的上段，表示環己異龍腦酯的相對蒸發速度，在下段表示癸醇的相對蒸發速度。

＜膜狀燒成材料的製造＞
在作為支持體的在一面施以剝離處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯系膜的剝離膜（LINTEC公司製，SP-PET382150，厚度38μm）的一面，將上述所得燒成材料組合物，使用直徑15cm的圓形網目版與金屬刮刀，以如下條件網版印刷，以150℃乾燥10分鐘，得到一面以剝離膜保護的圓形狀的膜狀燒成材料。

（印刷條件）
‧網版印刷機：MICROTEC公司製，MT-320TV
‧網版：SONOCOM公司製，3D網目（3D-80-225，印刷徑153mm）
‧間隙：1.5mm
‧刮刀印壓：0.18MPa
‧刮板印壓：0.134MPa
‧刮刀速度：60mm/sec
‧刮板速度：50mm/sec

＜燒成材料組合物及膜狀燒成材料的測定‧評估＞
對上述所得燒成材料組合物及膜狀燒成材料，測定及評估下述項目。

（厚度的測定）
遵照JIS K7130，使用定壓厚度測定器（TECLOCK公司製，PG-02）測定。將結果示於表1。

（黏度的測定）
使用動態黏彈性測定裝置（ANTON-PAAR公司製，MCR-302），在23℃的環境下，將剪速度從0.1sec^-1 變化到10000sec^-1 ，邊測定燒成材料組合物的黏度。讀取剪速度為1sec^-1 時的黏度（C）及剪速度為1000sec^-1 時的黏度（D）。將結果示於表1。

（接觸角的測定）
使用全自動接觸角計（協和界面科學公司製，DM-701），在溫度23℃、濕度50%RH的環境下，在支持體（剝離膜）在滴下1滴燒成材料組合物，測定液滴的切線與支持體表面所形成的角度。將結果示於表1。

（印刷適性的評估︰形狀維持性）
從網版印刷之後到乾燥前的約1分鐘之間，以目視確認是否保持印刷後的形狀，以如下評估基準評估。將結果示於表1。
1︰液（燒成材料組合物）在網版印刷之後不久開始馬上漏出擴散，其沾濕擴展的尺寸大，完全沒有保持印刷後的形狀。
2︰雖有保持網版印刷後的形狀，但液逐漸沾濕擴展，在乾燥前沾濕擴展的尺寸變大，沒有保持印刷後的形狀。
3︰網版印刷後不久到乾燥前，雖然形狀稍有變化，但在實用上是沒有問題的水準。
4︰網版印刷後不久到乾燥前，形狀並不會變化。

（印刷適性的評估︰印刷性）
連續進行5次網版印刷時，以目視確認燒成材料組合物從網版的脫版性、及轉印到支持體上的印刷後不久的燒成材料組合物的表面狀態，以如下評估基準評估。將結果示於表1。
1︰在第1次印刷，脫版性差，燒成材料組合物殘留在網版上，無法對支持體上轉印必要量的燒成材料組合物。此外，由於脫版性差，而轉印不充分，故可確認到沒有印刷的部分，或在印刷的部分有可以目視確認的水準的厚度不均。
2︰在第2次印刷，脫版性變差，燒成材料組合物殘留在網版上，無法對支持體上轉印必要量的燒成材料組合物。此外，由於脫版性差，而轉印不充分，故第2次印刷後不久的燒成材料組合物的表面狀態，可確認到可以目視確認的水準的厚度不均。
3︰第3次或第4次的印刷，脫版性稍微變差，燒成材料組合物殘留在網版上，但印刷後不久的燒成材料組合物的表面狀態良好（均勻），作為膜狀燒成材料，在實用上並沒有問題的水準。
4︰即使連續進行5次印刷，脫版性良好，印刷後不久的燒成材料組合物的表面狀態良好（均勻）。

[表1]

由表1可知實施例1～4的燒成材料組合物，與比較例1～3的燒成材料組合物比較，印刷適性優良，可穩定地製造圓形狀的膜狀燒成材料。

在各實施形態的各構成及該等的組合僅為一例，可在不脫離本發明的宗旨的範圍做構成的加成、省略、取代、及其他的變更。此外，本發明並非限定於各實施形態，僅以申請範圍（請求項）的範圍限定。

1‧‧‧膜狀燒成材料

2‧‧‧支持板片

3‧‧‧基材膜

4‧‧‧黏著劑層

5‧‧‧環形框

10‧‧‧燒結性金屬粒子

20‧‧‧膠合劑成分

100a‧‧‧附支持板片的膜狀燒成材料

100b‧‧‧附支持板片的膜狀燒成材料

［圖1］係示意表示本發明所得膜狀燒成材料的一實施形態的剖面圖。

［圖2］係示意表示本發明所得附支持板片的膜狀燒成材料的一實施形態的剖面圖。

［圖3］係示意表示本發明所得附支持板片的膜狀燒成材料的一實施形態的剖面圖。

［圖4］係示意表示將本發明所得附支持板片的膜狀燒成材料黏貼於環形框的狀態的一實施形態的立體圖。

Claims (7)

1. 一種燒成材料組合物，其係包含燒結性金屬粒子、膠合劑成分、及對醋酸丁酯的相對蒸發速度為4.0以下的溶劑的糊料狀燒成材料組合物， 上述溶劑的含量，對該燒成材料組合物的總質量為12～50質量%。
2. 如申請專利範圍第1項之燒成材料組合物，其中以溫度23℃、剪速度1sec^-1 測定的黏度為10～1000Pa‧s，以溫度23℃、剪速度1000sec^-1 測定的黏度為1～10Pa‧s。
3. 一種膜狀燒成材料的製造方法，其具有將申請專利範圍第1或2項之燒成材料組合物網版印刷在支持體上的步驟。
4. 如申請專利範圍第3項之膜狀燒成材料的製造方法，其中上述燒成材料組合物對上述支持體的接觸角為20～60∘。
5. 如申請專利範圍第3或4項之膜狀燒成材料的製造方法，其中將上述燒成材料組合物網版印刷成圓形狀。
6. 如申請專利範圍第5項之膜狀燒成材料的製造方法，其中膜狀燒成材料的為面積3.5～1600cm² ，厚度為10～200μm。
7. 一種附支持板片的膜狀燒成材料的製造方法，其具有以申請專利範圍第3至6項中任一項之膜狀燒成材料的製造方法得到膜狀燒成材料之後，將上述膜狀燒成材料設於支持板片上的步驟。