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TW201916236A - 具有動態支撐銷的晶圓載台 - Google Patents

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TW201916236A
TW201916236A TW106136113A TW106136113A TW201916236A TW 201916236 A TW201916236 A TW 201916236A TW 106136113 A TW106136113 A TW 106136113A TW 106136113 A TW106136113 A TW 106136113A TW 201916236 A TW201916236 A TW 201916236A
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wafer stage
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廖啟宏
吳旻政
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一種半導體製造方法，包括將一晶圓安裝在一第一晶圓載台上。第一晶圓載台包括支撐晶圓的一第一組銷。所述第一組銷在相鄰銷之間具有一第一間距。所述方法更包括形成一第一組疊對標記在晶圓上；以及將晶圓轉移至一第二晶圓載台上。第二晶圓載台包括在相鄰銷之間具有一第二間距的一第二組銷。所述第二組銷可單獨及垂直移動，且第二間距小於第一間距。所述方法更包括移動第二組銷的一部分，使得第二組銷的一剩餘部分支撐晶圓，並且剩餘部分在相鄰銷之間具有第一間距。

Description

具有動態支撐銷的晶圓載台
本發明實施例係關於一種半導體製造設備及方法，特別是有關於一種晶圓載台及其使用方法。
半導體積體電路(semiconductor integrated circuits)經歷了指數級的成長。在積體電路材料以及設計上的技術進步下，產生了多個世代的積體電路，其中每一世代較前一世代具有更小更複雜的電路。在積體電路發展的過程中，功能密度(亦即，每一晶片區域內互連元件的數目)通常會增加，而幾何尺寸(亦即，製程中所能產出的最小元件(或者線))則會縮小。一般而言，此種尺寸縮小的製程可以提供增加生產效率以及降低製造成本的好處，但是這樣縮小的尺寸也會增加製造與生產積體電路的複雜度。
例如，此種尺寸縮小的製程對於晶圓表面的平坦度具有更高的要求，因為在晶圓表面中相對較小的非平坦(例如凹陷(dip)或者凸起(bump))可能造成層錯位(layer misalignment)或甚至電路缺陷。隨著晶圓尺寸變大(例如，從200毫米(mm)至300毫米)，局部非平坦的問題變得更加明顯。現有的半導體製造設備及方法似乎未能圓滿地解決此問題，故需要在此方面提出改善。
本發明一些實施例提供一種半導體製造方法。所述方法包括將一晶圓安裝在一第一晶圓載台上，其中第一晶圓載台包括支撐晶圓的一第一組銷，第一組銷在相鄰銷之間具有一第一間距。所述方法更包括形成一第一組疊對標記在晶圓上；以及將晶圓轉移至一第二晶圓載台上。第二晶圓載台包括在相鄰銷之間具有一第二間距的一第二組銷。所述第二組銷可單獨及垂直移動，且第二間距小於第一間距。所述方法更包括移動第二組銷的一部分，使得第二組銷的一剩餘部分支撐晶圓，並且剩餘部分在相鄰銷之間具有第一間距。
本發明一些實施例提供一種半導體製造方法。所述方法包括用一晶圓載台支撐一晶圓，其中晶圓載台包括可獨立及垂直移動的一組銷，該組銷接觸晶圓的一第一側。所述方法更包括檢測與第一側相對的晶圓的一第二側上的一非平坦區域，以及移動該組銷中的至少一者，使得非平坦區域在晶圓的第二側上變得平坦。
本發明一些實施例提供一種晶圓載台。晶圓載台包括一平板。平板的頂面包括大於一矽晶圓的尺寸的一圓形區域。圓形區域具有均勻分布在圓形區域的整個區域內的多個孔。晶圓載台更包括多個晶圓支撐銷，其中晶圓支撐銷中的每一者可在所述孔中的一者中垂直移動。晶圓載台更包括位在晶圓支撐銷下方的一機構，並且機構配置用以單獨地垂直移動晶圓支撐銷的每一者。
10‧‧‧晶圓載台
10’‧‧‧晶圓載台
11‧‧‧平板
12‧‧‧上表面
13‧‧‧平板
14‧‧‧孔
15‧‧‧吸氣孔
16‧‧‧銷
17‧‧‧銷
18‧‧‧機構、微機電系統(MEMS)結構
20‧‧‧聯動裝置
30‧‧‧方法
32‧‧‧操作
34‧‧‧操作
40‧‧‧系統
50‧‧‧處理腔室
60‧‧‧運動機構
62‧‧‧光學感測器
70‧‧‧晶圓
72‧‧‧表面、頂面
73‧‧‧區域、非平坦區域
74‧‧‧表面、底面
76‧‧‧疊對標記
78‧‧‧疊對標記
80‧‧‧控制器
92‧‧‧金屬特徵
94‧‧‧電路特徵
96‧‧‧電路特徵
98‧‧‧電路特徵
100‧‧‧方法
102、104、106、108、110‧‧‧操作
200‧‧‧方法
202、204、206、208‧‧‧操作
300‧‧‧方法
302、304、306、308、310、312、314‧‧‧操作
D‧‧‧直徑
P‧‧‧間距、銷間距
X‧‧‧銷間距
Y‧‧‧第二銷間距
第1A圖顯示根據本揭露一些實施例，具有多個可單獨移動的支撐銷的一晶圓載台的部分的上視圖。
第1B圖顯示根據一些實施例，第1A圖中的晶圓載台的部份的側剖視圖。
第2A、2B、2C、2D及2E圖顯示根據一些實施例，第1A及1B圖中的晶圓載台的可單獨移動的支撐銷的移動機制。
第3圖顯示包括第1A及1B圖中的晶圓載台的實施例的一半導體製造系統的範例。
第4圖顯示根據本揭露一些實施例，利用第1A及1B圖中的晶圓載台的實施例的一半導體製造方法的流程圖。
第5A、5B及5C圖顯示根據一些實施例，第4圖中的方法的一些操作。
第6圖顯示根據本揭露一些實施例，利用第1A及1B圖中的晶圓載台的實施例的另一半導體製造方法的流程圖。
第7A、7B、8A及8B圖顯示根據一些實施例，第6圖中的方法的一些操作。
第9圖顯示根據本揭露一些實施例，利用第1A及1B圖中的晶圓載台的實施例的又另一半導體製造方法的流程圖。
第10A及10B圖顯示根據一些實施例，第9圖中的方法的一些操作。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列 方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含第一特徵與第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於第一特徵與第二特徵之間，而使第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
此外，空間相關用詞，例如“在...下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。
本揭露主要關於半導體製造設備及方法，特別是有關於晶圓載台及其使用方法。在本揭露的實施例中，晶圓載台是設計成具有多個可單獨(彼此獨立)及垂直(垂直於其上所支撐的晶圓表面)移動的晶圓支撐銷。這些可以移動的支撐銷均勻地分布在晶圓載台上比晶圓大(或者略大)的一區域內。晶圓可以具有200毫米、300毫米、450毫米、或者其他合適的尺寸，並且晶圓載台可以針對這樣一個尺寸而訂製，或者兼容於這些尺寸的多者。每一個晶圓支撐銷可以通過非連續的步進式調整或者連續的高度調整來上下移動。在一製造方法的範例中， 通過晶圓支撐銷將一晶圓支撐在一晶圓載台上，檢測與晶圓支撐銷相對的晶圓表面中的非平坦度(non-flatness)，並且調整一或多個晶圓支撐銷的高度，使得非平坦度的幅度減少或者完全消失。在晶圓表面中的非平坦度可能由晶圓的層中的微粒吸附或者不均勻的材料分布所導致。理論上，晶圓非完全剛性的，並且具有一定的可撓性。通過具有各種高度的銷來支撐晶圓，可以調整位在相對側的晶圓表面來抵銷表面非平坦度。根據本揭露的許多其他半導體製造方法可以受益於此種創新的晶圓載台。以下將進一步討論晶圓載台的各種實施例及其使用方法。
第1A圖顯示根據本揭露一些實施例，一晶圓載台10(在圖左側)的上視圖。第1A圖亦顯示晶圓載台10的部分(在圖右側)的放大圖。第1B圖顯示根據一些實施例的晶圓載台10的部分的剖視圖。請一併參照第1A及1B圖，晶圓載台10包括一平板11，其可以由一剛性材料製成，例如包括結晶或多晶碳化矽的碳化矽(SiC)、陶瓷碳化矽、或非氧化物陶瓷碳化矽(SiSiC或者SSiC)。平板11的上表面12包括比將由晶圓載台10支撐的一晶圓的尺寸還大的一圓形區域(亦即，第1A圖中左側的圓形區域或其部分)。例如，晶圓的尺寸可以是直徑200毫米、300毫米或450毫米、或者其他合適的晶圓尺寸，而前述圓形區域則具有一略大的直徑。
晶圓載台10包括均勻分布在圓形區域的整個區域內並且穿過平板11的孔14的陣列。在每一孔14內，存在能夠向上或向下移動(出或入第1A圖的紙面，或者沿著第1B圖中的垂 直方向Z)的一銷(或支撐銷或晶圓支撐銷)16。銷16構成均勻分布在圓形區域的整個區域內的一陣列。每一銷16由一剛性材料製成，例如包括結晶或多晶碳化矽的碳化矽(SiC)、陶瓷碳化矽、或非氧化物陶瓷碳化矽(SiSiC或者SSiC)。在一實施例中，平板11和銷16由相同的材料製成。在一替代實施例中，平板11和銷16由不同的材料製成。在本實施例中，銷16具有相同的尺寸，其直徑D可以在小於1微米至幾毫米的範圍內(在不同實施例中)。銷16以一間距P隔開，其範圍可以從略大於直徑D至大於直徑D數倍。
請繼續參照第1A圖，晶圓載台10更包括多個穿過平板11的吸氣孔15。在本實施例中，吸氣孔15的數量遠小於銷16的數量。吸氣孔15設置在晶圓載台10的選定位置和孔14之間。此外，在本實施例中，吸氣孔15的尺寸小於孔14。吸氣孔15由一真空吸氣系統使用，可對於由銷16支撐的晶圓產生一向下的吸力。真空吸氣系統和銷16共同將晶圓穩定地保持在一適當的位置。
請參照第1B圖，晶圓載台10更包括在平板11下方的另一平板13。在一些實施例中，平板11及13可以被連接或甚至製成一結構，或者，平板11及13為分開的平板。平板13包括在每一銷16下方的機構18。機構18和相應的銷16通過一聯動裝置(linkage)20連接。在一些實施例中，機構18直接連接到相應的銷16而不通過聯動裝置20。機構18可操作以產生垂直移動，其隨後直接或通過聯動裝置20傳遞到銷16。在一實施例中，機構18包括能夠產生垂直移動的一微機電系統(Micro Electro Mechanical System，MEMS)結構。例如，MEMS結構可以是MEMS電致動器、MEMS磁致動器、MEMS熱致動器、或其他類型的MEMS結構。晶圓載台10可包括一控制器(未圖示)，其可操作以基於一輸入控制檔案來控制各種機構18，以提高或降低銷16。
第2A至2E圖顯示由MEMS結構18驅動的一可單獨移動的銷16的移動機制，其基於施加在其上的電壓或電流來改變其體積。第2A圖顯示用於調整銷16的高度的一方法30的流程圖。方法30包括向MEMS結構18施加電壓或電流的操作32，使MEMS結構18和銷16產生移動。方法30還包括檢測由銷16支撐的晶圓表面中的平坦度(或非平坦度)的操作34。方法30更包括從操作34至操作32的一回授迴路。第2B至2E圖顯示由於MEMS結構18的體積改變而造成銷16的移動。以下將配合第2B至2E圖進一步討論方法30。
在操作32，一電壓或電流被施加至MEMS結構18(例如通過一未圖示的控制器)，使得其體積從第2B圖中的狀態增加到第2C圖中的狀態，如此造成銷16垂直向上移動。在操作34，檢測由晶圓載台10支撐的晶圓表面的平坦度(例如通過光學感測器或者準位(leveling)感測器)。接著，將表面非平坦度回授至操作32，以調整(增加或減少)施加至MEMS結構18的電壓或電流。電壓或電流的調整造成MEMS結構18的體積增加(如第2D圖所示)或減少(如第2E圖所示)。在一實施例中，增加施加至MEMS結構18的電壓或電流可增加其體積，而減少施加至MEMS結構18的電壓或電流可減少其體積。在一替代實施例 中，增加施加至MEMS結構18的電壓或電流可減少其體積，而減少施加至MEMS結構18的電壓或電流可增加其體積。晶圓載台10可利用任一實施例來使銷16產生垂直移動。
第3圖顯示根據一些實施例，利用具有可單獨及垂直移動的支撐銷16的晶圓載台10的一晶圓製造系統40。請參照第3圖，系統40包括處理腔室50、在處理腔室50內的具有銷16的晶圓載台10、耦合於晶圓載台10的一運動機構60、及一或多個光學感測器62。第3圖進一步顯示在處理腔室50內由銷16支撐的一晶圓70。晶圓70包括第一表面72及第二表面74，其中第二表面74與銷16接觸。系統40可進一步包括一真空吸氣系統(圖未示)，其通過晶圓載台10上的吸氣孔15(參照第1A圖)在表面74上產生一向下的吸力。向下的吸力和銷16的向上支撐力共同將晶圓70保持在一適當的位置。
處理腔室50可用於對晶圓70進行一或多個光微影(photolithography)操作，例如光阻塗佈、光阻曝光、材料沉積、材料蝕刻、磊晶、及其他合適的操作。運動機構60可操作以各種運動模式來驅動晶圓載台10及固定於其上的晶圓70，例如旋轉、橫向(或水平)移動、及/或垂直移動。光學感測器62可以是傳統光微影掃描機中使用的準位感測器。在本實施例中，光學感測器62可操作以檢測晶圓表面72的平坦度(或非平坦度)。系統40更包括一控制器80。在一實施例中，控制器80可操作以與光學感測器62通訊，來取得關於晶圓表面72的平坦度的資料。控制器80可進一步操作以與晶圓載台10通訊，來調整每一獨立銷16的高度。在一實施例中，系統40可執行第2A圖中的方法30， 其中第2A圖中的回授迴路可以由控制器80來實現。在一實施例中，控制器80可實現成具有軟體在其上運行的一電腦。例如，控制器80可以包括微處理器、輸入裝置、儲存裝置、及通過一或多個總線(buses)互連的通訊裝置，並且可以執行軟體指令，以從光學感測器62取得資料及向晶圓載台10發出命令或者直接控制晶圓載台10上的銷16。
第4圖顯示根據本揭露一些實施例，製造一或多個晶圓的一方法100的流程圖。方法100利用晶圓載台100的能力來改善晶圓良率(wafer yield)。簡要來說，方法100包括將一晶圓安裝在具有一第一銷間距的一第一晶圓載台上的操作102、形成一第一組疊對標記(overlay marks)在晶圓上的操作104、將晶圓轉移至具有多個動態(dynamic)支撐銷的一第二晶圓載台上的操作106、移動第二晶圓載台上的動態支撐銷以匹配第一銷間距的操作108、及形成一第二組疊對標記在晶圓上的操作110。方法100僅為一範例，並且非意圖將本揭露限制在申請專利範圍所明確記載的內容之外。在方法100之前、期間和之後可以提供額外的操作，並且對於不同實施例中的方法，可以替換、消除或移動所述的一些操作。以下將配合第5A至5C圖進一步討論方法100。
在操作102，方法100(第4圖)將一晶圓70安裝在一晶圓載台10’上，如第5A圖所示。晶圓載台10’可收容在一處理腔室(圖未示)中。晶圓載台10’包括複數個晶圓支撐銷17，具有一銷間距X。在一實施例中，晶圓支撐銷17固定(例如固定安裝)在晶圓載台10’上，換句話說，晶圓支撐銷17不可移動。在一 替代實施例中，類似於晶圓載台10上的晶圓支撐銷16，晶圓支撐銷17可在晶圓載台10’上垂直移動。晶圓70可以具有200毫米、300毫米、450毫米、或者其他合適尺寸的直徑。晶圓70包括一或多層材料或組合物。在一些實施例中，晶圓70包括例如矽或鍺的基本半導體、例如矽鍺、碳化矽、砷化鎵、砷化銦、氮化鎵及磷化銦的化合物半導體、或者例如碳化矽鍺(silicon germanium carbide)、磷砷化鎵(gallium arsenic phosphide)及磷化銦鎵(gallium indium phosphide)的合金半導體。晶圓70亦可以包括非半導體材料，包括鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、熔融二氧化矽(fused silica)、熔融石英(fused quartz)、氟化鈣(CaF2)、金屬層和/或其他合適的材料。晶圓70可以包括受到應變及/或應力能夠提高性能的絕緣層上覆矽(silicon on insulator，SOI)基材、包括磊晶區域、包括隔離區域、包括摻雜區域、及/或包括其他合適的特徵和層。
晶圓70具有第一表面72及第二表面74，其中銷17接觸第二表面74。晶圓70非完全剛性的，並且具有一定的可撓性。如第5A圖所示，一旦由銷17支撐，因為受到銷70向上支撐及真空吸力下拉的影響，晶圓表面72會表現出一些凸起和凹陷(或脊和谷)。特別地，凸起直接位在銷17之上方，而凹陷位在銷17之間的空間之上方。
在操作104，方法100(第4圖)在晶圓70的一或多個材料層中形成一組疊對標記76，此可能包括各種光微影處理，例如光阻塗佈、光阻曝光、光阻顯影、材料沉積、蝕刻、及平坦化。疊對標記76用於量測晶圓70上的兩層之間的疊對偏差 (overlay deviations)。疊對標記76可以設置在晶圓70的單元區域(cell region)或劃線區域(scribe line region)中。疊對標記76可以是反射式或者繞射式，並且可以具有任何合適的尺寸、形狀及構造，例如盒中盒(box-in-box)、框中框(frame-in-frame)、盒中交叉(cross-in-box)、帶中盒(box-in-bar)、帶中帶(bar-in-bar)、及繞射光柵(diffraction gratings)。在本實施例中，每一疊對標記76直接形成在一銷17之上方，且其幾何中心線與相應的銷17的幾何中心線對準，如第5A圖所示。要注意的是，為了簡單起見，第5A圖中僅示出疊對標記76，而未顯示與疊對標記76位在相同層中的其他特徵(例如摻雜區域、閘極、接點、內連線、隔離等)。將疊對標記76直接定位在銷17之上方對於減少層間錯位及減少由於過多的疊對誤差而造成晶圓報廢的數量是重要的。
在操作106，方法100(第4圖)將晶圓70轉移至具有動態支撐銷的一第二晶圓載台，其可以是如第5B圖中所示晶圓載台10的實施例。要注意的是，第二晶圓載台(以下稱作晶圓載台10)可收容在與晶圓載台10’不同的處理腔室中。兩個處理腔室可用於將不同的層沉積到晶圓70上。晶圓載台10的動態支撐銷16具有小於銷間距X的一第二銷間距Y。因為晶圓載台10’及10具有不同的銷間距，當由晶圓載台10支撐時，晶圓表面72會表現出和由晶圓載台10’支撐時不同的脊和谷。特別是，被形成為與銷17對準的疊對標記76可能不與銷16對準。如果銷16不能動態地移動，疊對標記76與銷16之間的這種錯位將造成後續的疊對標記偏離於疊對標記76。此外，疊對標記76與銷16之 間的錯位亦會造成疊對標記76傾斜，使後續的疊對標記難以與疊對標記76對準。然而，根據本揭露的動態可移動的銷17可以解決上述問題，如下面所討論。
在操作108，方法100(第4圖)移動可單獨移動的銷16，使晶圓載台10上的銷間距基本上匹配銷間距X，如第5C圖所示。請參照第5C圖，方法100降低銷16的一子集(subset)，使支撐晶圓70的銷16的一剩餘部分在相鄰銷之間具有銷間距X。在一實施例中，方法100使用晶圓載台10’及10的銷地圖(pin maps)來決定哪些銷16要被降低。在另一實施例中，方法100監測一或多個疊對標記76並且同時調整銷16，使所述一或多個疊對標記76的形狀及方位匹配預定的形狀及方位。在一實施例中，方法100使用內置在晶圓載台10中的控制器或者例如控制器80(第3圖)的外部控制器來移動動態支撐銷16。
在操作110，方法100(第4圖)在晶圓70的一或多個材料層中形成一第二組疊對標記78，此可能包括各種光微影處理，例如光阻塗佈、光阻曝光、光阻顯影、材料沉積、蝕刻、及平坦化。疊對標記78直接設置在疊對標記76之上方。在本實施例中，疊對標記76及78與銷16垂直對準，此有利於減少疊對誤差以及提高晶圓良率。從上面的敘述可以看出，晶圓載台10的一好處是，其可以適用於和其他晶圓載台一起工作，以便當晶圓被轉移至晶圓載台10時減少疊對誤差。
第6圖顯示根據本揭露一些實施例，製造一或多個晶圓的一方法200的流程圖，及顯示用於提高晶圓良率的晶圓載台10的另一應用。簡要來說，方法200包括用具有多個動態 支撐銷的一晶圓載台來支撐一晶圓的操作202、檢測晶圓上的非平坦區域(或非平坦度)的操作204、移動晶圓載台上的動態支撐銷以消除或減少非平坦度的操作206、及在晶圓上形成一層的操作208。方法200僅為一範例，並且非意圖將本揭露限制在申請專利範圍所明確記載的內容之外。在方法200之前、期間和之後可以提供額外的操作，並且對於不同實施例中的方法，可以替換、消除或移動所述的一些操作。以下將配合第7A至7B圖和第8A至8B圖進一步討論方法200。
在操作202，方法200(第6圖)用具有可單獨及垂直移動的銷16的晶圓載台10支撐一晶圓70，如第7A及8A圖所示。晶圓載台10及晶圓70可以收容在例如處理腔室50(第3圖)的處理腔室中。晶圓70具有頂面72及底面74。銷16接觸底面74。在本實施例中，一旦由晶圓載台10支撐，頂面72在晶圓70的一些區域73(非平坦區域73)中會表現出一定的非平坦度。在一實施例中，非平坦度可能由汙染所導致，例如第7A圖中所示吸附在底面74上或晶圓載台10上的外來微粒或化學殘留物。在另一實施例中，非平坦度可能由如第8A圖中所示晶圓的各個層中的不均勻厚度所導致。例如，當將材料沉積到晶圓70上時，材料分布可能不是理想均勻，而造成頂面72中的凸起及/或凹陷。如果沒有妥善處理，非平坦度可能導致後續的層發生錯位或後續的特徵發生傾斜，從而產生製造缺陷。如第7A及8A圖所示，非平坦度可能導致疊對標記76傾斜或歪斜，使後續的層難以與當前層對準。
在操作204，方法200(第6圖)檢測頂面72上的非平 坦區域73，此可以由例如光學感測器62(第3圖)的光學感測器或者準位感測器來執行。在一實施例中，方法200可以掃描整個平面72並監測表面72上的凸起及凹陷的座標、足跡大小(footprint sizes)及幅度。所檢測到的非平坦度可以一合適的檔案格式，例如文字格式或影像格式，傳送到例如控制器80(第3圖)的控制器或電腦。
在操作206，方法200(第6圖)基於所檢測到的非平坦度來移動銷16，使表面72上的非平坦度的幅度可以被減小或者完全消失。例如，如果非平坦度是表面72中的一凸起，方法200可以降低在凸起下方的一或多個銷16的高度，使得凸起在表面72上消失，如第7B及8B圖所示。在另一例子中，如果非平坦度是表面72中的一凹陷，方法200可以提高在凹陷下方的一或多個銷16的高度。在一實施例中，方法200可以反覆的方式執行操作204及206。例如，在操作206已經基於先前測量的表面非平坦度完成一輪銷的移動之後，方法200可以返回到操作204，並在表面72上執行另一非平坦度測量或檢測。然後，新測量的非平坦度可用於在操作206中進一步調整銷16。在一些實施例中，方法200可以反覆地重複執行操作204及206多次，直到表面72中的非平坦度小於一閾值(threshold)。
在操作208，方法200(第6圖)在晶圓70上，特別是在表面72上形成一層。例如，操作208可以在處理腔室50(第3圖)中執行。由於表面72已經被操作204及206弄平，所以該層更容易與先前的層對準(亦即，兩層中的疊對標記可以對準)，此有利於改善晶圓70的良率。方法20可以重複操作204、206及 208以在晶圓70上形成多個層。
第9圖顯示根據本揭露利用具有動態可調整銷的創新的晶圓載台的另一方法300的流程圖。不同於方法200是測量晶圓上的非平坦度並且調整銷以抵銷所測量的非平坦度，方法300是基於將在晶圓上形成的層中的特徵來先行移動銷。換句話說，方法300產生對應於要形成在晶圓上的下一層的一銷移動方案，並且依此來移動銷。在一些實施例中，方法200及300可由相同的系統來共同實施，以改善晶圓良率。方法300包括以下進一步討論的操作302、304、306、308、310、312及314。方法300僅為一範例，並且非意圖將本揭露限制在申請專利範圍所明確記載的內容之外。在方法300之前、期間和之後可以提供額外的操作，並且對於不同實施例中的方法，可以替換、消除或移動所述的一些操作。
在操作302，方法300(第9圖)提供具有多個動態支撐銷的一晶圓載台，例如具有動態可調整的銷16的晶圓載台10。晶圓載台10可收容在一處理腔室中，例如處理腔室50(第3圖)。在操作304，方法300取得要形成在晶圓上的一層的資料，此可以由例如控制器80(第3圖)的控制器或電腦來實施。
在操作306，方法300識別該層中的特徵，其相較於同層中的其他特徵可受益於晶圓載台的相對較強的支撐。例如，所識別的特徵可能比同層中的其他特徵具有更低的疊對誤差的容忍度。例如，所識別的特徵可能包括垂直的金屬特徵(例如第10A及10B圖中的金屬特徵92)，其若沒有由下方直接提供強力的支撐可能傾向於倒塌或傾斜。對於另一例子，所識別 的特徵可以包括疊對標記(例如第10A及10B圖中的疊對標記76)。如上所述，疊對標記之間的錯位(疊位誤差)可能降低晶圓良率。對於又另一例子，所識別的特徵可以包括相對較重的電路特徵(例如第10A圖中的電路特徵94和第10B圖中的電路特徵96及98)。在一實施例中，操作306可以由例如控制器80(第3圖)的控制器或電腦來實施。
在操作308，方法300(第9圖)確定移動晶圓載台10上的銷16的方案(“銷移動方案”)。在一實施例中，基於所識別的特徵的座標、銷16的尺寸、晶圓載台10上的銷間距、及/或其他資訊來產生銷移動方案。銷移動方案記明了那些銷16將被升高及那些銷16將被降低。在一實施例中，操作308可以由例如控制器80(第3圖)的控制器或電腦來實施。
在操作310，方法300(第9圖)基於銷移動方案移動所述銷16，可由一控制器或電腦來實施，例如控制器80(第3圖)或內置在晶圓載台10中的控制器(圖未示)。
在操作312，方法300(第9圖)將晶圓(晶圓70)安裝在如第10A及10B圖所示的晶圓載台10上，其中所述銷16中的一子集可能在操作310已經被升高，而所述銷16中的另一子集可能在操作310已經被降低。
在操作314，方法300(第9圖)在晶圓70上形成該層，如第10A及10B圖所示，其中在操作306中所識別的特徵直接形成在所述銷16中的被升高的子集之上方。由於這些特徵由銷16直接支撐，故在形成特徵的各種處理過程中，晶圓70可以獲得晶圓載台10的穩定支撐。
本揭露的一或多個實施例在晶圓製造上可以提供許多益處，但是並非用以作為限制。在一實施例中，晶圓載台被設計成具有多個均勻分布在等於或大於由晶圓載台支撐的晶片的整個區域內的可單獨及垂直移動的銷。可移動的銷可以動態地調整來匹配不同晶圓載台的支撐銷間距，以抵銷晶圓中的表面非平坦度，並且選擇性地支撐晶圓中的某些特徵，包括疊對標記。使用本揭露的晶圓載台，半導體製造商可以確保在晶圓中的一平坦表面，從而減少依序形成在晶圓上的層之間的錯位。
在一示例性實施例中，本揭露涉及一種半導體製造方法。所述方法包括將一晶圓安裝在一第一晶圓載台上，其中第一晶圓載台包括支撐晶圓的一第一組銷，第一組銷在相鄰銷之間具有一第一間距。所述方法更包括形成一第一組疊對標記在晶圓上；以及將晶圓轉移至一第二晶圓載台上。第二晶圓載台包括在相鄰銷之間具有一第二間距的一第二組銷。所述第二組銷可單獨及垂直移動，且第二間距小於第一間距。所述方法更包括移動第二組銷的一部分，使得第二組銷的一剩餘部分支撐晶圓，並且剩餘部分在相鄰銷之間具有第一間距。
在所述方法的一實施例中，第一組疊對標記中的每一者直接形成在第一組銷中的一者之上方。在另一實施例中，第一組疊對標記中的每一者直接形成在第二組銷的剩餘部分中的一者之上方。
在一實施例中，所述方法更包括形成一第二組疊對標記在晶圓上，其中第二組疊對標記中的每一者直接形成在 第一組疊對標記中的每一者之上方。在所述方法的另一實施例中，第一組銷中的每一者固定安裝在第一晶圓載台上。在所述方法的又另一實施例中，第一組銷中的部分可在第一晶圓載台上移動。
在另一示例性實施例中，本揭露涉及一種半導體製造方法。所述方法包括用一晶圓載台支撐一晶圓，其中晶圓載台包括可獨立及垂直移動的一組銷，該組銷接觸晶圓的一第一側。所述方法更包括檢測與第一側相對的晶圓的一第二側上的一非平坦區域，以及移動該組銷中的至少一者，使得非平坦區域在晶圓的第二側上變得平坦。
在所述方法的一實施例中，非平坦區域是在晶圓的第二側上的一凹陷。在進一步實施例中，所述移動包括提高該組銷中位在凹陷下方的該至少一者的高度。
在所述方法的另一實施例中，非平坦區域是在晶圓的第二側上的一凸起。在進一步實施例中，所述移動包括降低該組銷中位在凸起下方的該至少一者的高度。
在所述方法的一實施例中，所述檢測是用一或多個光學準位感測器來執行。在另一實施例中，所述移動包括調整該組銷中的該至少一者的高度，測量晶圓的第二側上的非平坦區域的一平坦度，以及根據測量的結果，重新調整該組銷中的該至少一者的高度。
在所述方法的一實施例中，非平坦區域由晶圓的第一側上的一或多個外來微粒所導致。在另一實施例中，非平坦區域由沉積在晶圓上的一或多層的厚度不均勻所導致。
在另一示例性實施例中，本揭露涉及一種製造晶圓的方法。所述方法包括提供一晶圓載台，其中晶圓載台包括可單獨及垂直移動的一組銷；取得關於要形成在晶圓的一第一側上的一層的資料；從該資料中識別該層中的一組特徵，其相較於其他特徵可受益於晶圓載台的較強的支撐；基於至少該資料及該組特徵確定用於移動該組銷的一銷移動方案，使得該層中的該組特徵將直接位於所述銷的一第一子集上方；基於銷移動方案移動該組銷；將晶圓安裝在晶圓載台上，其中所述銷的第一子集接觸與第一側相對的晶圓的一第二側；以及在晶圓的第一側上形成該層。
在所述方法的一實施例中，該組特徵比其他特徵具有更低的疊對誤差的容忍度。在另一實施例中，該組特徵包括垂直金屬特徵。在一實施例中，所述確定包括計算映射到(map to)該組特徵中的每一者的幾何中心的晶圓載台上的座標。
在所述方法的一實施例中，所述移動包括減少所述銷的一第二子集的高度，其中第一子集和第二子集是互補的。在另一實施例中，所述移動包括將所述銷的第一子集的高度提高至高於該組銷中的其他銷的高度。
在另一示例性實施例中，本揭露涉及一種晶圓載台。晶圓載台包括一平板。平板的頂面包括大於一矽晶圓的尺寸的一圓形區域。圓形區域具有均勻分布在圓形區域的整個區域內的多個孔。晶圓載台更包括多個晶圓支撐銷，其中晶圓支撐銷中的每一者可在所述孔中的一者中垂直移動。晶圓載台更 包括位在晶圓支撐銷下方的一機構，並且機構配置用以單獨地垂直移動晶圓支撐銷的每一者。
在晶圓載台的一實施例中，機構包括多個MEMS(微機電系統)結構，其中MEMS結構中的每一者是位在晶圓支撐銷中的一者下方，並且配置用以造成晶圓支撐銷中的該者的垂直移動。在進一步實施例中，MEMS結構中的每一者被配置成基於施加至其上的一電壓來改變其體積，並且其體積的改變造成相應的晶圓支撐銷的垂直移動。在另一進一步實施例中，MEMS結構中的每一者包括一MEMS磁致動器。此外，晶圓支撐銷中的每一者可包括碳化矽。
在另一示例性實施例中，本揭露涉及一種晶圓製造系統。所述系統包括用以在其上支撐晶圓的一晶圓載台。晶圓載台包括可單獨及垂直移動的一組晶圓支撐銷，該組晶圓支撐銷接觸晶圓的一第一表面。所述系統更包括一或多個準位感測器，用以檢測與第一表面相對的晶圓的一第二表面的非平坦度；以及一控制器，用以基於該一或多個準位感測器的一量測結果來調整該組晶圓支撐銷的高度，使得晶圓的第二表面的非平坦度由於調整而消失。在所述系統的一實施例中，控制器更用以基於晶圓上的疊對標記的位置來調整該組晶圓支撐銷的高度。
在又另一示例性實施例中，本揭露涉及一種晶圓製造系統。所述系統包括用以在其上支撐晶圓的一晶圓載台。晶圓載台包括可單獨及垂直移動的一組晶圓支撐銷，該組晶圓支撐銷接觸晶圓的一第一表面。所述系統更包括一控制器，用 以讀取要形成在與第一表面相對的晶圓的一第二表面上的下一層的資料，識別該下一層中的一組特徵，其相較於其他特徵可受益於晶圓載台的較強的支撐，以及調整該組晶圓支撐銷的高度，使得當形成時該組特徵中的每一者將直接位於晶圓支撐銷中的一者之上方。所述系統更包括一處理腔室，用以在晶圓的第二表面上形成該下一層。在所述系統的一實施例中，晶圓載台提供大於晶圓的尺寸的一圓形區域，其中晶圓支撐銷均勻地放置在圓形區域內。
前述內文概述了許多實施例的特徵，使本技術領域中具有通常知識者可以從各個方面更佳地了解本揭露。本技術領域中具有通常知識者應可理解，且可輕易地以本揭露為基礎來設計或修飾其他製程及結構，並以此達到相同的目的及/或達到與在此介紹的實施例等相同之優點。本技術領域中具有通常知識者也應了解這些相等的結構並未背離本揭露的發明精神與範圍。在不背離本揭露的發明精神與範圍之前提下，可對本揭露進行各種改變、置換或修改。

Claims (20)

  1. 一種半導體製造方法，包括：將一晶圓安裝在一第一晶圓載台上，其中該第一晶圓載台包括支撐該晶圓的一第一組銷，該第一組銷在相鄰銷之間具有一第一間距；形成一第一組疊對標記在該晶圓上；將該晶圓轉移至一第二晶圓載台上，其中該第二晶圓載台包括在相鄰銷之間具有一第二間距的一第二組銷，其中該第二組銷可單獨及垂直移動，且該第二間距小於該第一間距；以及移動該第二組銷的一部分，使得該第二組銷的一剩餘部分支撐該晶圓，並且該剩餘部分在相鄰銷之間具有該第一間距。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體製造方法，其中該第一組疊對標記中的每一者直接形成在該第一組銷中的一者之上方。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體製造方法，其中該第一組疊對標記中的每一者直接形成在該第二組銷的該剩餘部分中的一者之上方。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體製造方法，更包括：形成一第二組疊對標記在該晶圓上，其中該第二組疊對標記中的每一者直接形成在該第一組疊對標記中的每一者之上方。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半導體製造方法，其中該第一 組銷中的每一者固定安裝在該第一晶圓載台上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的半導體製造方法，其中該第一組銷中的部分可在該第一晶圓載台上移動。
  7. 一種半導體製造方法，包括：用一晶圓載台支撐一晶圓，其中該晶圓載台包括可獨立及垂直移動的一組銷，該組銷接觸該晶圓的一第一側；檢測與該第一側相對的該晶圓的一第二側上的一非平坦區域；以及移動該組銷中的至少一者，使得該非平坦區域在該晶圓的該第二側上變得平坦。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體製造方法，其中該非平坦區域是在該晶圓的該第二側上的一凹陷。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的半導體製造方法，其中該移動包括提高該組銷中位在該凹陷下方的該至少一者的一高度。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的半導體製造方法，其中該非平坦區域是在該晶圓的該第二側上的一凸起。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的半導體製造方法，其中該移動包括降低該組銷中位在該凸起下方的該至少一者的一高度。
  12. 如申請專利範圍第7項所述的半導體製造方法，其中該檢測是用一或多個光學準位感測器來執行。
  13. 如申請專利範圍第7項所述的半導體製造方法，其中該移動包括： 調整該組銷中的該至少一者的一高度；測量該晶圓的該第二側上的該非平坦區域的一平坦度；以及根據該測量的結果，重新調整該組銷中的該至少一者的該高度。
  14. 如申請專利範圍第7項所述的半導體製造方法，其中該非平坦區域由該晶圓的該第一側上的一或多個外來微粒所導致。
  15. 如申請專利範圍第7項所述的半導體製造方法，其中該非平坦區域由沉積在該晶圓上的一或多層的厚度不均勻所導致。
  16. 一種晶圓載台，包括：一平板，其中該平板的一頂面包括大於一矽晶圓的一尺寸的一圓形區域，該圓形區域具有均勻分布在該圓形區域的整個區域內的多個孔；多個晶圓支撐銷，其中該些晶圓支撐銷中的每一者可在該些孔中的一者中垂直移動；以及一機構，位在該些晶圓支撐銷下方，並且配置用以單獨地垂直移動該些晶圓支撐銷的每一者。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的晶圓載台，其中該機構包括多個微機電系統結構，其中該些微機電系統結構中的每一者是位在該些晶圓支撐銷中的一者下方，並且配置用以造成該些晶圓支撐銷中的該者的垂直移動。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的晶圓載台，其中該些微機電 系統結構中的每一者被配置成基於施加至其上的一電壓來改變其體積，並且其體積的改變造成相應的晶圓支撐銷的垂直移動。
  19. 如申請專利範圍第17項所述的晶圓載台，其中該些微機電系統結構中的每一者包括一微機電系統磁致動器。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的晶圓載台，其中該些晶圓支撐銷中的每一者包括碳化矽。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774329B (zh) * 2020-04-24 2022-08-11 日商信越化學工業股份有限公司 平坦度控制方法、塗膜的形成方法、平坦度控制裝置、及塗膜形成裝置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11450552B2 (en) * 2019-08-01 2022-09-20 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for adjusting surface topography of a substrate support apparatus
US11715665B2 (en) * 2020-02-11 2023-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Height adjustable semiconductor wafer support
JP7438018B2 (ja) * 2020-05-11 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置方法及び基板載置機構
KR102582696B1 (ko) * 2020-06-15 2023-09-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 리프트 핀 높이 편차 측정 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 처리 프로그램을 기록한 기록 매체
CN114815510A (zh) * 2021-01-28 2022-07-29 中国科学院微电子研究所 一种晶圆载物台、工件台、光刻机和涂胶显影机
JP7717553B2 (ja) * 2021-09-17 2025-08-04 キオクシア株式会社 接合装置及び接合方法
US12497697B2 (en) * 2021-10-08 2025-12-16 Applied Materials, Inc. Layer with discrete islands formed on a substrate support
EP4488758A1 (en) * 2023-07-05 2025-01-08 ASML Netherlands B.V. Object holder with a support surface having a plurality of support elements or optical element for a lithographic apparatus, comprising a metal-si multilayer, a metal-ge multilayer and/or a chromium nitride layer configured to provide a selectively changeable height of individual support elements or shape of the optical element via thermal treatment and method of correcting flatness of a surface of the object holder or the optical element
US20250191941A1 (en) * 2023-12-06 2025-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for bonding semiconductor substrate

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231291A (en) 1989-08-01 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer table and exposure apparatus with the same
US5563684A (en) * 1994-11-30 1996-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Adaptive wafer modulator for placing a selected pattern on a semiconductor wafer
US6030887A (en) * 1998-02-26 2000-02-29 Memc Electronic Materials, Inc. Flattening process for epitaxial semiconductor wafers
US6664549B2 (en) * 2000-01-28 2003-12-16 Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. Wafer chuck, exposure system, and method of manufacturing semiconductor device
US6534751B2 (en) * 2000-02-28 2003-03-18 Kyocera Corporation Wafer heating apparatus and ceramic heater, and method for producing the same
JP2002064132A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 被処理体の受け渡し方法、被処理体の載置機構及びプローブ装置
US6543513B1 (en) 2000-11-27 2003-04-08 Asm Assembly Automation Ltd. Wafer table for die bonding apparatus
JP4021614B2 (ja) * 2000-12-11 2007-12-12 株式会社東芝 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR100387525B1 (ko) * 2001-02-05 2003-06-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지시스템 및 그 방법
JP3908990B2 (ja) * 2002-07-22 2007-04-25 スピードファム株式会社 局所ドライエッチング方法
US6938505B2 (en) * 2002-08-13 2005-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chamber wafer detection
US6895818B2 (en) * 2002-12-20 2005-05-24 Robert Bosch Gmbh Differential in-plane tunneling current sensor
US6817244B2 (en) 2003-01-06 2004-11-16 Honeywell International Inc. Methods and systems for actively controlling movement within MEMS structures
EP1475666A1 (en) 2003-05-06 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for lithographic apparatus
US6805338B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-19 Lsi Logic Corporation Semiconductor wafer chuck assembly for a semiconductor processing device
US7749792B2 (en) 2004-06-02 2010-07-06 Carnegie Mellon University Self-assembling MEMS devices having thermal actuation
JP4559801B2 (ja) 2004-09-06 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 ウエハチャック
JP4866582B2 (ja) 2005-09-01 2012-02-01 株式会社ケミトロニクス 圧着機構
JP2007123560A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Toshiba Corp ウェハチャック及び半導体製造方法
US7570796B2 (en) * 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7659964B2 (en) 2006-03-28 2010-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Level adjustment systems and adjustable pin chuck thereof
JP4795899B2 (ja) 2006-08-31 2011-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構および基板受け渡し方法
KR20080026499A (ko) * 2006-09-20 2008-03-25 캐논 가부시끼가이샤 기판보유장치
US8068208B2 (en) 2006-12-01 2011-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for improving immersion scanner overlay performance
JP2008171892A (ja) 2007-01-09 2008-07-24 Toyota Motor Corp 半導体ウエハの支持装置
US20080304025A1 (en) 2007-06-08 2008-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US8264662B2 (en) 2007-06-18 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-line particle detection for immersion lithography
JP5063520B2 (ja) * 2008-08-01 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US8652260B2 (en) 2008-08-08 2014-02-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for holding semiconductor wafers
US8408262B2 (en) 2009-10-08 2013-04-02 International Business Machines Corporation Adaptive chuck for planar bonding between substrates
ITTO20091042A1 (it) 2009-12-24 2011-06-25 St Microelectronics Srl Giroscopio integrato microelettromeccanico con migliorata struttura di azionamento
AU2011224496B2 (en) 2010-03-08 2016-01-07 Johnson & Johnson Surgical Vision, Inc. Method for using microelectromechanical systems to generate movement in a phacoemulsification handpiece
US8840754B2 (en) 2010-09-17 2014-09-23 Lam Research Corporation Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins
KR20180065033A (ko) 2010-12-20 2018-06-15 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단
US9134628B2 (en) * 2012-01-13 2015-09-15 Nanya Technology Corporation Overlay mark and application thereof
JP5794194B2 (ja) * 2012-04-19 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9821469B2 (en) * 2012-11-30 2017-11-21 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device
US9852905B2 (en) 2014-01-16 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for uniform gas flow in a deposition chamber
KR101539674B1 (ko) 2014-03-07 2015-08-06 심경식 기판 리프트핀 및 기판 처리 장치
US9575415B2 (en) 2014-05-22 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer stage temperature control
JP2016143706A (ja) 2015-01-30 2016-08-08 株式会社東芝 基板保持装置および半導体装置の製造方法
US9570334B2 (en) * 2015-03-31 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for positioning wafer in semiconductor manufacturing fabrication
US10345905B2 (en) * 2015-09-08 2019-07-09 Apple Inc. Electronic devices with deformable displays
US10804821B2 (en) * 2016-11-04 2020-10-13 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Apparatus and method for monitoring the relative relationship between the wafer and the chuck

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774329B (zh) * 2020-04-24 2022-08-11 日商信越化學工業股份有限公司 平坦度控制方法、塗膜的形成方法、平坦度控制裝置、及塗膜形成裝置

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