TW201843799A - 半導體封裝體配置裝置、製造裝置、半導體封裝體的配置方法以及電子零件的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明高精度地配置半導體封裝體。半導體封裝體配置裝置具備：吸附機構，用以吸附半導體封裝體；第1拍攝元件，用以拍攝吸附在吸附機構上的半導體封裝體；配置構件，用以配置吸附在吸附機構上的半導體封裝體；以及第2拍攝元件，用以拍攝配置構件的開口。吸附機構可在單軸方向上移動，第2拍攝元件安裝在吸附機構上。根據由第1拍攝元件所拍攝的半導體封裝體的拍攝數據與由第2拍攝元件所拍攝的開口的拍攝數據，進行半導體封裝體對於開口的對準，而將半導體封裝體配置在配置構件上。

Description

半導體封裝體配置裝置、製造裝置、半導體封裝體的配置方法以及電子零件的製造方法

本發明有關於一種半導體封裝體配置裝置、製造裝置、半導體封裝體的配置方法以及電子零件的製造方法。

例如在韓國專利第10-1590593號公報（專利文獻1）中揭示有一種藉由濺鍍而在球形陣列（Ball Grid Array，BGA）半導體封裝體上形成電磁干擾（Electromagnetic Interference，EMI）屏蔽的方法。專利文獻1中記載的方法如以下那樣進行。

首先，在形成有多個貫穿孔的模板上設置雙面接著部件。繼而，將模板的對應於貫穿孔的部位的雙面接著部件去除，而在雙面接著部件上形成多個開口。繼而，以球形電極（ball electrode）處於雙面接著部件的開口內的方式在雙面接著部件上配置BGA半導體封裝體。其後，藉由濺鍍而在BGA半導體封裝體的與球形電極側相反側的表面上形成作為金屬膜的電磁屏蔽膜。

但是，在專利文獻1中記載的方法中，在球形電極未處於雙面接著部件的開口內，球形電極上升至雙面接著部件上或模板上的情況下，有時在濺鍍時金屬粒子旋轉入BGA半導體封裝體的球形電極側而產生製品不良。因此，要求在雙面接著部件上高精度地配置BGA半導體封裝體，但在專利文獻1中，關於高精度地配置BGA半導體封裝體的技術未進行任何揭示。

根據此處所揭示的實施形態，可提供一種半導體封裝體配置裝置，其具備：吸附機構，用以吸附半導體封裝體；第1拍攝元件，用以拍攝吸附在吸附機構上的半導體封裝體；配置構件，用以配置吸附在吸附機構上的半導體封裝體；以及第2拍攝元件，用以拍攝配置構件的開口；吸附機構可在單軸方向上移動，第2拍攝元件安裝在吸附機構上，且根據由第1拍攝元件所拍攝的半導體封裝體的拍攝數據與由第2拍攝元件所拍攝的開口的拍攝數據，進行半導體封裝體對於開口的對準，而將半導體封裝體配置在配置構件上。

根據此處所揭示的實施形態，可提供一種製造裝置，其具備：半導體封裝體基板切斷裝置，為了製作半導體封裝體而用以切斷半導體封裝體基板；以及所述半導體封裝體配置裝置。

根據此處所揭示的實施形態，可提供一種半導體封裝體的配置方法，其包括：藉由吸附機構來吸附半導體封裝體的步驟；使吸附有半導體封裝體的吸附機構在單軸方向上移動至配置構件為止的步驟；在吸附機構的移動過程中藉由第1拍攝元件來拍攝吸附在吸附機構上的半導體封裝體的步驟；藉由安裝在吸附機構上的第2拍攝元件來拍攝配置構件的開口的步驟；根據由第1拍攝元件所拍攝的半導體封裝體的拍攝數據與由第2拍攝元件所拍攝的開口的拍攝數據，進行半導體封裝體對於開口的對準的步驟；以及將半導體封裝體配置在配置構件上的步驟。

根據此處所揭示的實施形態，可提供一種電子零件的製造方法，其包括：為了製作半導體封裝體而切斷半導體封裝體基板的步驟；藉由所述半導體封裝體的配置方法來將半導體封裝體配置在配置構件上的步驟；以及在配置在配置構件上的半導體封裝體上形成導電性膜的步驟。

本發明的所述及其他目的、特徵、局面及優點將根據與隨附的圖式相關聯來理解的關於本發明的以下的詳細說明而變得明確。

以下，對實施形態進行說明。再者，在用於實施形態的說明的圖式中，同一個參照符號表示同一部分或相當部分。

圖1表示實施形態的製造裝置的示意性的平面圖。圖1中所示的實施形態的製造裝置1具備：半導體封裝體基板供給裝置A（以下稱為“基板供給裝置A”）、半導體封裝體基板切斷裝置B（以下稱為“基板切斷裝置B”）、半導體封裝體配置裝置C（以下稱為“配置裝置C”）、及未圖示的導電性膜形成裝置（以下稱為“膜形成裝置”）。

基板供給裝置A具備用以將半導體封裝體基板4供給至基板切斷裝置B中的基板供給部3。在本實施形態中，基板供給裝置A也具備進行基板供給裝置A、基板切斷裝置B、配置裝置C、及膜形成裝置的所有動作的控制的控制部2。再者，並不限定於基板供給裝置A具備控制部2，也可以將控制部2設置在製造裝置1的其他裝置內。另外，也可以將控制部2分割成多個，並設置在基板供給裝置A、基板切斷裝置B、配置裝置C、及膜形成裝置中的至少兩者中。

半導體封裝體基板4是最終被切斷而單片化成多個半導體封裝體10的切斷對象物。半導體封裝體基板4例如可具備：包含印刷基板或引線框架等的基材、分別安裝在基材所具有的多個區域中的半導體晶片狀零件、及以一併覆蓋多個區域的方式形成的密封樹脂。

基板切斷裝置B具備：切斷台7，用以載置切斷前的半導體封裝體基板4或切斷後的半導體封裝體10；旋轉機構6，用以使切斷台7旋轉；移動機構5，用以使旋轉機構6及切斷台7移動；旋轉刀9，用以切斷半導體封裝體基板4；以及切斷機構8，具有旋轉刀9。

基板切斷裝置B例如以如下那樣進行動作。首先，在設置在旋轉機構6上的切斷台7上設置從基板供給裝置A朝X軸方向供給的半導體封裝體基板4。其次，移動機構5使切斷台7與旋轉機構6一同在Y軸方向上移動至半導體封裝體基板4的切斷位置為止。繼而，旋轉機構6使切斷台7旋轉，由此調整將被切斷的半導體封裝體基板4的方向，並且切斷機構8在X軸方向上移動，由此調整旋轉刀9對於半導體封裝體基板4的切斷位置。

繼而，藉由旋轉刀9來進行半導體封裝體基板4的切斷。將半導體封裝體基板4切斷並分割成多個半導體封裝體10後，使設置有分割成多個的半導體封裝體10的切斷台7朝與切斷前相反的方向，在Y軸方向上移動並回到原來的位置。由此，基板切斷裝置B的動作完成。

配置裝置C具備：檢查台12，用以設置半導體封裝體基板4的切斷後的半導體封裝體10並檢查半導體封裝體10；檢查機構11，用以檢查設置在檢查台12上的半導體封裝體10；以及保管台15，用以設置檢查後的半導體封裝體10。

另外，配置裝置C具備：吸附機構14，用以吸附半導體封裝體10；第1拍攝元件28，用以拍攝吸附在吸附機構14上的半導體封裝體10；以及第2拍攝元件27，用以拍攝用於配置吸附在吸附機構14上的半導體封裝體10的後述的配置構件22的開口33。在本實施形態中，吸附機構14僅可在X軸方向上移動，第2拍攝元件27安裝在吸附機構14的沿著X軸方向的位置上。

另外，配置裝置C具備：配置構件供給部19；配置構件22；配置台16，用以設置配置構件22；排列機構17，用以排列配置構件22；搬送機構（未圖示），使配置台16可在Y軸方向上移動；以及真空泵23。配置構件22例如為具備金屬製的模板等支撐基座20、及支撐基座20上的樹脂片18的貼合構件。

作為樹脂片18，例如可使用具備樹脂製的片狀基材、及包含塗佈在此片狀基材的至少一面上的接著劑的接著層（黏著層）的片。作為接著劑，例如可使用黏著劑（感壓接著劑：pressure sensitive adhesive）。作為樹脂片18，例如可使用將矽酮系黏著劑塗佈在聚醯亞胺膜的兩面上而成的樹脂片等。此處，在樹脂片18中，至少可在貼合半導體封裝體10之側的片狀基材的面上塗佈接著劑來形成接著層，但也可以在貼合半導體封裝體10之側的片狀基材的面及其相反側的片狀基材的面上塗佈接著劑來形成接著層。如此，在樹脂片18中的至少半導體封裝體10的配置面上設置接著層（黏著層），因此可將半導體封裝體10貼合在作為貼合構件的配置構件22上。

配置裝置C例如以如下那樣進行動作。首先，使載置有半導體封裝體10的檢查台12在X軸方向上移動。在此檢查台12的移動過程中，藉由檢查機構11來進行半導體封裝體10是否為良品的檢查。當藉由此檢查而判斷半導體封裝體10並非良品時，在此時間點廢棄半導體封裝體10。另一方面，當判斷半導體封裝體10為良品時，使半導體封裝體10反轉，而將半導體封裝體10設置在保管台15上。半導體封裝體10是以例如圖2的示意性的放大平面圖中所示的球形電極13朝向下側（保管台15側）的狀態設置在保管台15上。其後，保管台15在Y軸方向上移動至利用吸附機構14吸附半導體封裝體10的位置為止。

另外，從配置構件供給部19供給具備支撐基座20與支撐基座20上的樹脂片18的配置構件22。使配置構件22在X軸方向上移動，而將配置構件22設置在配置台16上。而且，對相當於例如圖3（a）的示意性的平面圖中所示的支撐基座20的開口32的樹脂片18的部位例如照射雷射光，由此例如如圖3（b）的示意性的平面圖所示，在樹脂片18上也形成多個開口33。

再者，配置構件22也可以設為如下的構成：使用金屬製等的框架狀構件支撐基座20，並以覆蓋此框架狀構件的開口的方式安裝有樹脂片18。在此情況下，僅在樹脂片18上形成多個開口。

另外，當使用形成有多個開口32的支撐基座20時，也可以設為進而在支撐基座20的外周上設置有金屬製等的框架狀構件的構成。在此情況下，例如也可以設為在相對於樹脂片18同一側配置支撐基座20與框架構件的構成。只要使樹脂片18的尺寸比形成有多個開口32的支撐基座20大，並將樹脂片18安裝在內側形成有比支撐基座20大的開口的框架狀構件上即可，進而可使框架狀構件的厚度比支撐基座20的厚度厚。藉由設為此種構成的配置構件22，可將框架狀構件用作搬送用構件。

圖4表示此階段的由圖1的虛線21所包圍的區域的示意性的放大平面圖。參照圖4～圖10對配置裝置C的此階段以後的動作進行說明。首先，吸附機構14在X軸方向上移動至配置在保管台15上的半導體封裝體10的吸附位置的上方為止。繼而，例如如圖5的示意性的側面圖所示，吸附機構14藉由吸附構件30來吸附半導體封裝體10的與球形電極13側相反之側。

再者，在圖5所示的例中，為便於說明，表示吸附機構14僅吸附一個半導體封裝體10的情況，但並不限定於此情況，例如如圖6的示意性的剖面圖所示，吸附機構14也可以同時吸附多個半導體封裝體10。再者，將圖6中所示的相鄰的吸附構件30之間的間隔設為L1。

繼而，吸附有半導體封裝體10的吸附機構14在X軸方向上，從半導體封裝體10的吸附位置的上方朝配置構件22的上方移動。此時，例如如圖7的示意性的側面圖所示，第1拍攝元件28從由吸附機構14所吸附的半導體封裝體10的下側取得此半導體封裝體10的拍攝數據。作為由第1拍攝元件28所取得的拍攝數據，例如可列舉半導體封裝體10的位置數據等。由第1拍攝元件28所取得的拍攝數據被發送至基板供給裝置A的控制部2中。

在藉由第1拍攝元件28來取得半導體封裝體10的拍攝數據後，吸附機構14進而在X軸方向上，從第1拍攝元件28的上方朝配置構件22的上方移動。其後，例如如圖8的示意性的側面圖所示，安裝在吸附機構14上的第2拍攝元件27從上方取得配置構件22的開口33的拍攝數據。作為由第2拍攝元件27所取得的拍攝數據，例如可列舉配置構件22的開口33的位置。由第2拍攝元件27所取得的拍攝數據也被發送至基板供給裝置A的控制部2中。

再者，第2拍攝元件27所拍攝的配置構件22的開口33可作為支撐基座20的開口32及樹脂片18的開口33的至少一者。

另外，在所述中，對在藉由第1拍攝元件28來取得半導體封裝體10的拍攝數據後，藉由第2拍攝元件27來取得配置構件22的開口33的拍攝數據的情況進行了說明，但也可以將第1拍攝元件28與第2拍攝元件27的取得拍攝數據的順序調換，在藉由第2拍攝元件27來取得配置構件22的開口33的拍攝數據後，藉由第1拍攝元件28來取得半導體封裝體10的拍攝數據。

其後，控制部2根據由第1拍攝元件28所拍攝的半導體封裝體10的拍攝數據與由第2拍攝元件27所拍攝的配置構件22的開口33的拍攝數據，進行半導體封裝體10對於配置構件22的開口33的對準。

配置構件22的對準例如可藉由如下方式等來進行：為了使多個開口33的排列方向與X軸平行而藉由旋轉機構（未圖示）來使配置構件22旋轉，並以配置構件22的多個開口33的排列方向與吸附機構14的軸方向（X軸方向）進行排列的方式，藉由搬送機構（未圖示）來使配置構件22在Y軸方向上移動。由此，半導體封裝體10對於配置構件22的開口33的Y軸方向的對準完成。

半導體封裝體10的對準例如如圖9的示意性的剖面圖所示，可藉由利用吸附機構14的半導體封裝體10朝X軸方向的移動、伴隨相鄰的吸附構件30之間的間隔從L1變更成L2的半導體封裝體10朝X軸方向的移動、或利用兩者的組合的半導體封裝體10朝X軸方向的移動來進行。由此，以半導體封裝體10的球形電極13處於接著層（黏著層）經由樹脂製基材31而配置在支撐基座20上的樹脂片18的開口33內的方式，完成半導體封裝體10對於配置構件22的開口33的X軸方向的對準。

例如以所述方式完成半導體封裝體10對於配置構件22的開口33的X軸方向及Y軸方向的對準後，例如如圖10的示意性的剖面圖所示，以半導體封裝體10的球形電極13處於配置構件22的開口33內的方式，將吸附在吸附構件30上的半導體封裝體10朝下方放下。由此將半導體封裝體10配置並貼合在配置構件22上。

例如，當半導體封裝體10為在半導體封裝體10的一個面上設置有球形電極13的BGA半導體封裝體時，例如如圖2所示，接近半導體封裝體10的邊緣10a來設置球形電極13，有時從半導體封裝體10的球形電極13至邊緣10a為止的距離變得非常短。在此情況下，例如如圖10所示，必須使球形電極13處於開口33內，並將從球形電極13至邊緣10a為止的短距離的區域均設置在開口33外，因此要求非常高精度的配置技術。

在實施形態的製造裝置的配置裝置C中，吸附機構14僅可在X軸方向上移動，拍攝配置構件22的開口33的第2拍攝元件27以相對於吸附機構14固定的狀態安裝。由此，不僅難以產生由第1拍攝元件28所引起的半導體封裝體10的檢測位置朝Y軸方向的偏移，也難以產生由第2拍攝元件27所引起的開口33的檢測位置朝Y軸方向的偏移。因此，能夠以球形電極13處於配置構件22的開口33內的方式，將半導體封裝體10高精度地配置在配置構件22上。

再者，在圖1及圖4中，表示第2拍攝元件27安裝在吸附機構14的在X軸方向上相鄰的位置上的樣子。第2拍攝元件27只要以相對於吸附機構14固定的狀態安裝即可，也可以安裝在吸附機構14的在Y軸方向上相鄰的位置上。

另外，在圖1及圖4中，對使用兩個吸附機構14的情況進行了說明，但也可以僅使用一個吸附機構14。當僅使用一個吸附機構14時，第1拍攝元件28及第2拍攝元件27也可以僅使用一個。

另外，在圖1及圖4中，在兩個吸附機構14上分別設置一個第1拍攝元件28及一個第2拍攝元件27，合計設置有兩個第1拍攝元件28及兩個第2拍攝元件27。也可以在兩個吸附機構14中共用第1拍攝元件28及第2拍攝元件27，而變成使用兩個吸附機構14、一個第1拍攝元件28、及一個第2拍攝元件27的構成。在此情況下，使一個第1拍攝元件28可在圖1及圖4的Y軸方向上移動，由此使兩個吸附機構14共用一個第1拍攝元件28。另外，以固定在兩個吸附機構14中的一者上的狀態安裝一個第2拍攝元件27，根據由第2拍攝元件27所取得的拍攝數據，例如生成配置構件22的開口33的坐標數據，由此可使兩個吸附機構14共用一個第2拍攝元件27。若表示一例，則只要藉由一個第2拍攝元件27來取得對應於兩個吸附機構14的配置構件22的開口33的拍攝數據，並根據此拍攝數據生成對應於兩個吸附機構14的配置構件22的開口33的坐標數據即可。作為此處的利用第1拍攝元件28及第2拍攝元件27取得拍攝數據的順序，例如也可以設為利用第1拍攝元件28拍攝吸附在第1吸附機構14上的半導體封裝體10、利用第2拍攝元件27拍攝對應於第1吸附機構14及第2吸附機構14的配置構件22的開口33、及利用第1拍攝元件28拍攝吸附在第2吸附機構14上的半導體封裝體10這一順序。

繼而，例如如圖11的示意性的剖面圖所示，藉由未圖示的膜形成裝置，利用例如包含金屬膜等的導電性膜25包覆半導體封裝體10的與球形電極13的設置側相反側的表面。其後，例如如圖12的示意性的剖面圖所示，從配置構件22中取出包含形成導電性膜25後的半導體封裝體10的電子零件24，由此電子零件24的製造完成。此處，作為膜形成裝置，可使用濺鍍裝置等。另外，作為在半導體封裝體10上形成導電性膜25的面，可設為球形電極13的設置面以外的所有面。例如，在半導體封裝體10的形狀為大致長方體的情況下，可在球形電極13的設置面以外的五個面上形成導電性膜25。另外，可使導電性膜25例如作為電磁屏蔽膜發揮功能。

對本發明的實施形態進行了說明，但本次所揭示的實施形態應認為在所有方面均為例示而非進行限制者。本發明的範圍由發明申請專利範圍表示，且意圖包含與發明申請專利範圍均等的含義及範圍內的所有變更。

1‧‧‧製造裝置

2‧‧‧控制部

3‧‧‧基板供給部

4‧‧‧半導體封裝體基板

5‧‧‧移動機構

6‧‧‧旋轉機構

7‧‧‧切斷台

8‧‧‧切斷機構

9‧‧‧旋轉刀

10‧‧‧半導體封裝體

10a‧‧‧邊緣

11‧‧‧檢查機構

12‧‧‧檢查台

13‧‧‧球形電極

14‧‧‧吸附機構

15‧‧‧保管台

16‧‧‧配置台

17‧‧‧排列機構

18‧‧‧樹脂片

19‧‧‧配置構件供給部

20‧‧‧支撐基座

21‧‧‧虛線

22‧‧‧配置構件

23‧‧‧真空泵

24‧‧‧電子零件

25‧‧‧導電性膜

27‧‧‧第2拍攝元件

28‧‧‧第1拍攝元件

30‧‧‧吸附構件

31‧‧‧樹脂製基材

32、33‧‧‧開口

A‧‧‧基板供給裝置/半導體封裝體基板供給裝置

B‧‧‧基板切斷裝置/半導體封裝體基板切斷裝置

C‧‧‧配置裝置/半導體封裝體配置裝置

L1、L2‧‧‧間隔

X、Y、Z‧‧‧軸

圖1是實施形態的製造裝置的示意性的平面圖。 圖2是半導體封裝體的一個面的一例的示意性的放大平面圖。 圖3（a）是支撐基座的表面的一例的示意性的平面圖，圖3（b）是形成開口後的黏著片的表面的一例的示意性的平面圖。 圖4是由圖1的虛線所包圍的區域的示意性的放大平面圖。 圖5是對吸附機構吸附半導體封裝體的動作的一例進行圖解的示意性的側面圖。 圖6是對吸附機構吸附半導體封裝體的動作的另一例進行圖解的示意性的剖面圖。 圖7是對第1拍攝元件從由吸附機構所吸附的半導體封裝體的下側取得半導體封裝體的拍攝數據的動作的一例進行圖解的示意性的側面圖。 圖8是對第2拍攝元件從上方取得配置構件的開口的拍攝數據的動作的一例進行圖解的示意性的側面圖。 圖9是對進行半導體封裝體的對準的動作的一例進行圖解的示意性的剖面圖。 圖10是對進行半導體封裝體的配置的動作的一例進行圖解的示意性的剖面圖。 圖11是對利用導電性膜包覆半導體封裝體的與球形電極的設置側相反側的表面的步驟的一例進行圖解的示意性的剖面圖。 圖12是藉由實施形態的製造裝置所製造的電子零件的一例的示意性的剖面圖。

Claims (11)

1. 一種半導體封裝體配置裝置，其包括： 吸附機構，用以吸附半導體封裝體； 第1拍攝元件，用以拍攝吸附在所述吸附機構上的所述半導體封裝體； 配置構件，用以配置吸附在所述吸附機構上的所述半導體封裝體；以及 第2拍攝元件，用以拍攝所述配置構件的開口； 所述吸附機構能夠在單軸方向上移動， 所述第2拍攝元件安裝在所述吸附機構上，且 根據由所述第1拍攝元件所拍攝的所述半導體封裝體的拍攝數據與由所述第2拍攝元件所拍攝的所述開口的拍攝數據，進行所述半導體封裝體對於所述開口的對準，而將所述半導體封裝體配置在所述配置構件上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝體配置裝置，其中所述吸附機構在所述半導體封裝體的吸附位置的上方與所述配置構件的上方之間，能夠在所述單軸方向上移動，且 在所述吸附機構的移動的期間內，所述第1拍攝元件從下方拍攝吸附在所述吸附機構上的所述半導體封裝體。
3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝體配置裝置，其中所述配置構件具備多個所述開口，且 所述半導體封裝體配置裝置還包括用於以所述開口的多個排列在所述單軸方向上的方式使所述配置構件旋轉的旋轉機構。
4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝體配置裝置，其還包括能夠使所述配置構件在與所述單軸方向正交的第2個單軸方向上移動的搬送機構。
5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的半導體封裝體配置裝置，其中所述配置構件是包含樹脂片的貼合構件。
6. 一種製造裝置，其包括： 半導體封裝體基板切斷裝置，為了製作所述半導體封裝體而用以切斷半導體封裝體基板；以及 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的半導體封裝體配置裝置。
7. 一種半導體封裝體的配置方法，其包括： 藉由吸附機構來吸附半導體封裝體的步驟； 使吸附有所述半導體封裝體的所述吸附機構在單軸方向上移動至配置構件為止的步驟； 在所述吸附機構的移動過程中藉由第1拍攝元件來拍攝吸附在所述吸附機構上的所述半導體封裝體的步驟； 藉由安裝在所述吸附機構上的第2拍攝元件來拍攝所述配置構件的開口的步驟； 根據由所述第1拍攝元件所拍攝的所述半導體封裝體的拍攝數據與由所述第2拍攝元件所拍攝的所述開口的拍攝數據，進行所述半導體封裝體對於所述開口的對準的步驟；以及 將所述半導體封裝體配置在所述配置構件上的步驟。
8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體封裝體的配置方法，其中在所述單軸方向上移動的步驟包含使吸附有所述半導體封裝體的所述吸附機構在所述單軸方向上，從所述半導體封裝體的吸附位置的上方移動至所述配置構件的上方為止的步驟， 藉由所述第1拍攝元件來進行拍攝的步驟包含所述第1拍攝元件從下方拍攝吸附在所述吸附機構上的所述半導體封裝體的步驟， 藉由所述第2拍攝元件來進行拍攝的步驟包含所述第2拍攝元件從上方拍攝所述開口的步驟。
9. 如申請專利範圍第7項所述的半導體封裝體的配置方法，其還包括以所述配置構件的所述開口的多個排列在所述單軸方向上的方式使所述配置構件旋轉的步驟。
10. 如申請專利範圍第7項至第9項中任一項所述的半導體封裝體的配置方法，其還包括使所述配置構件在與所述單軸方向正交的第2個單軸方向上移動的步驟。
11. 一種電子零件的製造方法，其包括： 為了製作半導體封裝體而切斷半導體封裝體基板的步驟； 藉由如申請專利範圍第7項至第10項中任一項所述的半導體封裝體的配置方法來將所述半導體封裝體配置在所述配置構件上的步驟；以及 在配置在所述配置構件上的所述半導體封裝體上形成導電性膜的步驟。