TW201838898A - 基板的脫離方法及基板的脫離裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種基板的脫離方法及基板的脫離裝置，係一面可更確實地避免以晶圓為例之基板的破損或損傷等，一面可使基板自吸附保持該基板的保持台脫離。

使具有扁平面70a的抑制構件70接近於被吸附保持在保持台7的晶圓W。在扁平面70a接近於晶圓W的狀態下使氣體A供給到保持台7和晶圓W之間的間隙。由於透過氣體A的供給而解除了該間隙的減壓狀態，保持台7對晶圓W的保持力係確實地減低。再者，自流路74的流通孔73噴出氣體A而致使晶圓W朝上方的移動係藉由抑制構件70的扁平面70a受到抑制。因此，可防止因減壓狀態的殘留所致之晶圓W的延遲脫離，同時也可避免因氣體A的不均勻推壓力導致部分晶圓W突出，晶圓W發生變形、破損的狀況。

Description

基板的脫離方法及基板的脫離裝置

本發明係有關用以將已進行既定處理的基板自吸附保持該基板的保持台脫離之基板的脫離方法及基板的脫離裝置。

具電子電路的基板類、特別是由半導體晶圓(以下，適當地稱為「晶圓」)製造晶片(chip)零件的情況，於晶圓表面形成電路圖案處理之後，以於晶圓表面貼附有保護用黏著帶的狀態進行背面研磨，使之薄型化。在將保護帶從已完成背面研磨處理的晶圓剝離並搬送至切割工程前，為強化晶圓，會透過支持用黏著帶(切割帶)將晶圓接著保持於環形框架。

針對薄型化的晶圓進行黏著帶的貼附處理或切割處理等之各種處理的情況，一般而言會使晶圓載置於例如夾盤台(chuck table)等的保持台上，以藉由真空吸引等大範圍地吸附保持晶圓的下面部分之狀態來進行各種處理。進行了各種處理後，使晶圓脫離保持台並朝既定的位置搬送。

單純使藉保持台之真空吸引停止後讓晶圓脫 離的這種一般構成中，會有晶圓的下面部分的一部分與保持台之間殘留減壓區域的情況。於此情況，因減壓區域的殘留而於晶圓的一部分發生延遲脫離，其結果會有晶圓破損的情況。

於是，提議有一種在各種處理完成後，使保持台之吸引停止，且一面於保持台和晶圓的下面部分之間供給氣體使減壓區域解除，一面使晶圓脫離的方法。就該脫離方法而言，藉由自設於保持台的1或2個以上的噴射孔噴射氣體而供給氣體(例如，參照專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2005-109157號公報

然而，上述習知裝置會有下述的問題。

專利文獻1之習知的脫離方法中，因自噴射孔噴射氣體而會對晶圓作用不均勻的推壓力。亦即，由於在噴射孔周遭的晶圓被特別強力地上推，會產生因不均勻的推壓力致使晶圓產生變形及破損等之問題的疑慮。尤其是在因切割處理或隱形切割處理等致使晶圓的強度降低的情況，因噴射氣體而產生剪力，於切割部分等的晶圓會變得容易斷裂。其結果，明顯地會發生晶圓破損或部分晶圓散失這樣的問題。

本發明係有鑑於上述情況而完成者，主要目 的為提供基板的脫離方法及基板的脫離裝置，該方法及裝置可更加確實地避免晶圓破損或損傷且可使以晶圓為例之基板自吸附保持該基板的保持台脫離。

本發明為達成上述目的，將採用以下的構成。

亦即，本發明係一種使基板自吸附保持前述基板的保持台脫離之基板的脫離方法，其特徵為具備：接近過程，使具有扁平面且抑制前述基板的抑制構件接近或者抵接於前述基板，並使前述基板和前述扁平面間的距離維持在預先設定的既定值；氣體供給過程，在使前述抑制構件接近或者抵接於前述基板的狀態下，於前述基板和前述保持台之間供給氣體，俾使前述保持台的保持力降低；及脫離過程，使前述基板自前述保持台脫離。

(作用、效果)根據此構成，以使保持台的保持力降低的方式在基板與保持台之間供給氣體。在呈吸附保持狀態的保持台與基板之間形成為減壓狀態的區域，係因氣體的供給而確實地消除該減壓狀態。因此，可避免在使基板自保持台脫離之時，因殘留有減壓狀態的區域而致之延遲脫離。亦即，可防止因延遲脫離而導致的基板變形及破損。

又，氣體的供給係在使具有扁平面的抑制構件接近或抵接於基板的狀態下，以使保持台的保持力降低的方式在基板與保持台之間供給氣體。於此情況，由 於供給氣體時，基板會藉由抑制構件的扁平面迅速地被抑制，所以可防止因所供給之氣體的不均勻推壓力導致基板的一部分朝上方突出。因此，可一面更確實地避免因突出而導致基板變形或破損等的發生，一面可使基板自保持力已降低之保持台脫離。

再者，於上述發明中，較佳為：前述脫離過程，係在前述抑制構件保持著前述基板的狀態下，透過前述抑制構件與前述基板一起自前述保持台脫離而執行。此情況，由於藉由具有保持功能的抑制構件可連續執行基板的抑制與基板的脫離兩者，所以能更適宜地實現縮短處理時間及簡化裝置構成。

再者，於上述發明中，前述既定值為0.5mm以下係較佳。於此情況，因為使抑制構件充分地接近或抵接於基板，所以即便是基板藉由所供給之氣體而朝上方被推壓的情況，該基板也會被抑制構件迅速地抑制。從而，可更加確實地避免因氣體不均勻地推壓所致之基板的變形及破損。

本發明係為達成那樣的目的，亦可採如下之構成。

亦即，本發明之基板的脫離裝置，其特徵為具備：保持台，係載置保持基板；吸附機構，係設置於前述保持台，使前述基板吸附保持於前述保持台；抑制構件，係具扁平面且抑制前述基板；接近機構，係進行使前述抑制構件接近或抵接於前述基板，並使前述扁平面與前述基板間的距離維持在預先設定的既定值之控制；及氣 體供給手段，係在前述抑制構件接近或抵接於前述基板的狀態下，於前述保持台和前述基板之間供給氣體，俾使前述保持台的保持力降低。

(作用、效果)根據此構成，具備：使氣體供給至前述保持台和前述基板之間，俾使前述保持台的保持力降低之氣體供給手段。呈吸附保持狀態的保持台與基板之間形成為減壓狀態的區域，會因氣體的供給而確實地消除該減壓狀態。因此，可避免在使基板自保持台脫離之時，因殘留有減壓狀態的區域而致之延遲脫離。亦即，可防止因延遲脫離而導致的基板變形及破損。

又，氣體的供給係在使具有扁平面的抑制構件接近或抵接於基板的狀態下，以使保持台的保持力降低的方式在基板與保持台之間供給氣體。於此情況，由於供給氣體時，基板可迅速地被抑制構件的扁平面所抑制，所以可防止因所供給之氣體的不均勻推壓力導致基板的一部分朝上方突出。因此，可一面更確實地避免因突出而導致基板變形或破損等的發生，一面可使基板自保持力已降低之保持台脫離。

再者，於上述發明中，較佳為，具備：保持機構，係設置於前述抑制構件，使前述基板保持於前述抑制構件；前述抑制構件係一面保持前述基板，一面自保持力降低之前述保持台脫離，藉此使前述基板自前述保持台脫離。此情況，由於藉由具有保持機構的抑制構件可連續執行基板的抑制與基板的脫離兩者，所以能更適宜地實現縮短處理時間及簡化裝置構成。

再者，於上述發明中，較佳為：前述扁平面較前述基板更寬廣，前述接近機構係以前述扁平面與前述基板面對面的方式使前述抑制構件接近或抵接於前述基板。於此情況，由於扁平面係均勻地抵接於基板的整面，故當基板被抑制構件抑制時，可確實地避免斥力不均勻地作用於基板之情形。從而，可更加確實地防止基板的變形及破損發生。

再者，於上述發明中，較佳為前述保持台具有保持環形框架的框架保持部；具備：貼附機構，其將黏著帶涵蓋前述保持台所保持之前述環形框架及前述基板而貼附並作成安裝框架。

(作用、效果)根據此構成，涵蓋基板與環形框架而貼附黏著帶且作成安裝框架後，在使抑制構件接近的狀態下進行氣體的供給，使保持台對基板的保持力降低。由於可一面藉由抑制構件抑制基板，一面將基板與保持台之間的減壓狀態確實地解除，於所作成的安裝框架中，可更加確實地避免發生基板的變形及破損。從而，可實施更適宜的安裝框架的作成工程。

再者，於上述發明中，前述既定值為0.5mm以下係較佳。於此情況，由於使抑制構件充分地接近基板，因而即便是因所供給的氣體讓基板被朝上方推壓的情況，該基板係透過抑制構件迅速地被抑制。從而，可更加確實地避免因氣體的不均勻推壓所致之基板的變形及破損。

根據本發明之基板的脫離方法及基板的脫離裝置，可更加確實地避免基板的破損或損傷等，且可使該基板自吸附保持基板的保持台脫離。

7‧‧‧保持台

10‧‧‧框架搬送機構

60‧‧‧吸附墊

62‧‧‧貼附輥

70‧‧‧抑制構件

70a‧‧‧扁平面

71‧‧‧晶圓支持台

72‧‧‧框架支持部

73‧‧‧流通孔

74‧‧‧流路

76‧‧‧真空裝置

77‧‧‧氣體供給裝置

79‧‧‧控制部

W‧‧‧晶圓

PT‧‧‧保護帶

DT‧‧‧支持帶

f‧‧‧環形框架

MF‧‧‧安裝框架

圖1係顯示實施例之晶圓安裝裝置的整體構成之俯視圖。

圖2係顯示實施例之晶圓安裝裝置的整體構成之前視圖。

圖3係實施例之晶圓搬送機構的前視圖。

圖4係顯示實施例之晶圓搬送機構的主要部分之俯視圖。

圖5係實施例之框架搬送機構的前視圖。

圖6係顯示實施例之保持台的構成的圖，圖6(a)為俯視圖；圖6(b)為縱剖面圖。

圖7係實施例之黏著帶貼附部的俯視圖。

圖8係實施例之黏著帶貼附部的前視圖。

圖9係實施例之抑制機構的前視圖。

圖10係實施例之各工程的流程圖，圖10(a)係說明晶圓安裝裝置的動作概要之流程圖；圖10(b)係說明步驟S6之晶圓脫離工程的詳情之流程圖。

圖11係顯示實施例之步驟S1及步驟S2的動作之縱剖面圖。

圖12係顯示實施例之步驟S3的動作的縱剖面圖。

圖13係顯示實施例之步驟S3的動作的縱剖面圖。

圖14係顯示實施例之步驟S4的動作的縱剖面圖。

圖15係顯示實施例之步驟S5的動作的縱剖面圖。

圖16係顯示實施例之步驟S6-2的動作的縱剖面圖。

圖17係顯示實施例之步驟S6-3的動作的縱剖面圖。

圖18係顯示實施例之步驟S6-4的動作的縱剖面圖。

圖19係顯示實施例之步驟S6-5的動作的縱剖面圖。

圖20係說明不具有氣體供給過程之習知例的問題點的圖，圖20(a)係顯示排出氣體並吸附保持晶圓之狀態圖；圖20(b)係顯示氣體排出停止後，減壓狀態區域留存之狀態圖；圖20(c)係顯示在減壓狀態區域殘留的狀態下使晶圓脫離之問題點的圖。

圖21係說明具有氣體供給過程之習知例的問題點的圖，圖21(a)係顯示供給氣體之狀態的圖；圖21(b)係顯示因氣體的供給而解除減壓狀態的區域之狀態的圖；圖21(c)係顯示因氣體的供給所造成的不均勻推壓力而致使晶圓變形之狀態的圖；圖21(d)係顯示進行半切割處理之晶圓的圖；圖21(e)係顯示因氣體的供給而使部分晶圓突出而破損之狀態的圖。

圖22係說明藉由實施例之構成產生的效果之圖，圖22(a)係顯示以抑制構件與晶圓抵接的方式使抑制構件接近於晶圓之狀態的圖；圖22(b)係顯示藉由接近狀態的抑制構件而抑制晶圓的狀態的圖。

圖23係說明變形例之構成的圖，圖23(a)係顯示以抑制構件與晶圓之間空出微小距離的方式使抑制構件接近於晶圓之狀態的圖；圖23(b)係顯示一面藉由接近狀態 的抑制構件抑制晶圓，一面於晶圓與保持台之間適宜地供給氣體之狀態的圖。

圖24係說明變形例之黏著帶的轉印工程的動作的圖，圖24(a)係顯示沿著晶圓的外形將事先貼附於晶圓的下表面之支持帶切斷的狀態之縱剖面圖；圖24(b)係顯示在涵蓋新環形框架與晶圓的上表面而貼附新支持帶的狀態之縱剖面圖；圖24(c)係顯示在抑制構件接近晶圓的狀態下供給氣體的動作的縱剖面圖。

圖25係說明使用未貼附黏著帶的晶圓的變形例之步驟S6-2的工程的縱剖面圖。

圖26係顯示在具備具有吸附保持功能的抑制構件之變形例中，使晶圓與抑制構件一起脫離之動作的縱剖面圖。

圖27係顯示安裝框架之整體構成的立體圖。

<整體構成的說明>

以下，參照圖式說明本發明的實施例。圖1係顯示實施例中具備基板脫離裝置之晶圓安裝裝置的整體構成的俯視圖、圖2係晶圓安裝裝置的前視圖。又，本實施例中的「左右方向」、「前後方向」、及「上下方向」係根據晶圓安裝裝置的前視圖而決定，分別設為相當於以符號x、y、及z所顯示的方向。本實施例中將列舉使用半導體晶圓的構成作為基板的一例進行說明。

如圖27所示，此晶圓安裝裝置係涵蓋於表面 形成有電路圖案之半導體晶圓(以下，僅稱為「晶圓」)W的背面與環形框架f而貼附支持用黏著帶(以下，簡稱為「支持帶」)DT，作成安裝框架MF。

晶圓安裝裝置係如圖1及圖2所示，工件搬送裝置1係於裝置前側於左右方向配置成長狀，且於其左右中央的裏側，涵蓋環形框架f和晶圓W而貼附黏著帶DT以作成安裝框架MF之黏著帶貼附部2係配置成往裏側突出。

於左右方向中心靠右側的裝置前側，設有將晶圓W積層收容於匣盒(Cassette)3而供給的晶圓供給部4。而於左右方向中心靠左側的前側，配備有將環形框架f積層收容於匣盒5而供給的框架供給部6。再者，於左右方向接近中心的裏側，配備有可前後移動的保持台7，該保持台7係載置晶圓W與環形框架f並送入至黏著帶貼附部2。

工件搬送裝置1具備晶圓搬送機構9及框架搬送機構10，該晶圓搬送機構9係以可左右往返移動的方式被支持在於左右方向呈水平架設之導引軌道8的右側；該框架搬送機構10係以可左右移動的方式被支持於導引軌道8的左側。再者，於右裏側設有利用缺口或定向平面(orientation flat)進行晶圓W的定位之對準器11。又，於框架供給部6的裏側設有進行環形框架f的定位之對準器12。

晶圓搬送機構9係構成為可將從匣盒3取出的晶圓W在左右及前後方向搬送，且可將晶圓W的姿勢 進行表背翻轉。其詳細構造係如圖3及圖4所示。

如圖3所示，裝備有可沿導引軌道8左右移動且前後較長的左右移動可動台14。並且裝備有可沿此左右移動可動台14所具備的導引軌道15前後移動之前後移動可動台16。再者，在此前後移動可動台16的下部裝設有可上下移動的晶圓保持單元17。

晶圓保持單元17係由與前後移動可動台16的下部連結之倒L字形的支持框架26、沿此支持框架26的縱框部藉馬達27進行螺桿進給升降之升降台28、以隔介轉動軸29可繞縱向支軸p旋轉的方式軸支於升降台28之轉動台30、隔介轉帶(belt)31而被捲繞連動於轉動軸29之旋轉用馬達32、以隔介轉動軸33可繞水平方向支軸q反轉轉動的方式軸支於轉動台30的下部之晶圓保持臂34、隔介轉帶35而被捲繞連動於轉動軸33之反轉用馬達36等所構成。

如圖4所示，於晶圓保持臂34的前端側設有具備真空吸附孔37之U形的吸附部。藉由利用上述的可動構造，可將被晶圓保持臂34吸附保持的晶圓W前後移動、左右移動、及繞縱向支點p旋轉移動，且可透過繞水平方向支點q的反轉轉動而將晶圓W進行表背反轉。

如圖2所示，在框架供給部6的左側，配設有將已作成的安裝框架MF裝載並回收之收納部39。此收納部39係具備：與裝置框架40連結固定的縱軌道41、沿此縱軌道41藉馬達42螺桿進給升降的升降台43。因 此，構成為將安裝框架MF載置於升降台43並以間距進給(pitch feeding)的方式下降。

框架搬送機構10係以可將被積層載置於框架供給部6的環形框架f自最上層起依序取出、並搬送至左右及前後方向的方式構成，其左右移動構造及前後移動構造係與晶圓搬送機構9相同。

亦即，如圖5所示，裝備有可沿導引軌道8左右移動且前後方向為長形之左右移動可動台44，並裝備有可沿此左右移動可動台44所具備的導引軌道45前後移動之前後移動可動台46。再者，框架保持單元47係以可上下移動的方式裝備在此前後移動可動台46的下部。

框架保持單元47係由與前後移動可動台46的下部連結之縱框56、被支持成可沿此縱框56滑動升降之升降框57、使升降框57上下移動之伸縮連桿機構58、將此伸縮連桿機構58正反伸縮驅動的馬達59、裝備於升降框57下端的前後左右處之吸附墊60等所構成。因此，形成為可將被裝載於升降台43的環形框架f自最上層者起依序藉由吸附墊60吸附保持並升高，且搬送至前後左右方向。又，吸附墊60係做成為因應環形框架f的尺寸而可在水平方向上滑動調節。

保持台7係如圖6(a)及圖6(b)所示，具備保持晶圓W之圓形的晶圓支持台71、圍繞晶圓支持台71而配置之環狀的框架保持台72。保持台7係構成為可沿著未圖示的導引軌道在圖1中以實線所示的載置位置與 圖1中以虛線所示之帶貼附位置之間往返移動。

在晶圓支持台71的上面分散形成有複數個流通孔73，且各流通孔73係與形成於晶圓支持台71內部的流路74連接。流路74係兼具作為氣體之排氣用通路的功能及作為氣體之供給用通路的功能，透過電磁閥75而與真空裝置76連通。藉由真空裝置76的作動而形成為可在晶圓支持台71的上面吸附保持晶圓W。真空裝置76相當於本發明之吸附機構。

且保持台7具備氣體供給裝置77及電磁閥78，氣體供給裝置77係透過電磁閥78與流路74連通。氣體供給裝置77供給的氣體係經由流路74而自流通孔73朝保持台7的外部釋放。電磁閥75及電磁閥78藉由其開閉來調整流路74內部的壓力。真空裝置76及氣體供給裝置77的作動、以及電磁閥75及電磁閥78的開閉係藉由控制部79各別被控制。氣體供給裝置77相當於本發明的氣體供給手段。

於框架保持台72的上面形成有與環形框架f的外形一致的較淺地凹入階差80。藉由將環形框架f嵌入至此凹入階差80，可將環形框架f定位保持在與中央的晶圓W同心的位置。且，以嵌入至凹入階差80之環形框架f的上面與被吸附保持於晶圓支持台71之晶圓W的上面形成為大致齊平的方式構成。

如圖7及圖8所示，黏著帶貼附部2具備帶供給部61、貼附輥62、帶切斷機構63、剝離輥64、帶回收部65等。

帶供給部61係以具備裝填呈捲筒之寬幅的支持帶DT的供給筒管61a，並自該供給筒管61a放出支持帶DT而朝貼附輥62導引的方式構成。又，以給予供給筒管61a適度的旋轉阻力而不會使過多的帶放出之方式構成。

貼附輥62係推壓從帶供給部61放出的支持帶DT，涵蓋晶圓W及環形框架f而貼附支持帶DT。帶切斷機構63係將被貼附在環形框架f及晶圓W的支持帶DT切斷成比環形框架的內徑還要大的圓形。

帶切斷機構63係如圖7及圖14所示，具備可繞支軸63a旋轉的上下移動之凸座(boss)部63b。凸座部63b具備2條支持臂63c。支持臂63c係以凸座部63b為中心朝徑向延伸。在支持臂63c的前端裝設有將圓板形刀具(cutter)63d水平軸支之刀具托架(cutter bracket)。

剝離輥64係將藉由帶切斷機構63裁切成圓形後之不要的支持帶Tn自環形框架f剝離。帶回收部65係將剝離輥64所剝離之不要的支持帶Tn捲取回收。

在實施例的晶圓安裝裝置中，工件搬送裝置1更進一步具備導引軌道66及抑制機構67。導引軌道66及抑制機構67係如圖7所示，配置在位於載置位置之保持台7的上方。導引軌道66係在前後方向水平地被架設，並在前後方向導引抑制機構67。另外，於明確地圖示出保持台7的情況下，在圖1中省略圖示抑制機構67。

抑制機構67係如圖9所示，具備可動台68 與缸體69及抑制構件70，於晶圓W的脫離時抑制晶圓W。可動台68構成為可沿導引軌道66前後移動。缸體69配設在可動台68的下部，且依控制部79的控制而驅動。

抑制構件70係構成為具備比晶圓W更寬廣的扁平面70a之平板狀者，且與缸體69的下部連接。抑制構件70係構成為依缸體69的驅動而可上下移動。在z方向之抑制構件70的位置則藉由控制部79而被控制至任意的位置。又，抑制構件70的傾斜度係始終受到控制，俾使扁平面70a與晶圓W的面相面對。控制部79相當於本發明中的接近機構。

抑制構件70係隨控制部79的控制而下降，接近於被保持在保持台7之晶圓W的上面。構成抑制構件70的材料較佳為具有可抑制會被氣體供給裝置77所供給的氣體而上推的晶圓W之程度的硬度，可列舉出樹脂、橡膠、海綿、金屬等作為該材料之例。

<動作的說明>

接著，使用實施例之晶圓安裝裝置來針對將支持帶DT涵蓋晶圓W的背面和環形框架f而貼附並作成安裝框架MF的動作進行說明。在晶圓W的電路形成面(表面)係做成貼附有保護用的黏著帶PT(以下，簡稱為「保護帶PT」)。圖10(a)為顯示晶圓安裝裝置1的動作之流程圖。於初始狀態，保持台7係位在圖1中以實線所示的載置位置。

步驟S1(晶圓的搬送)

一旦發出了安裝框架MF的作成指令，首先於晶圓搬送機構9，以晶圓保持臂34吸附保持的晶圓W會自匣盒3被送至對準器11進行對位。經對位之晶圓W係再次以晶圓保持臂34吸附保持後，以將貼附有保護帶PT的表面向下的姿勢搬入至保持台7，並如圖11所示載置於晶圓支持台71的上面。

保持台7係吸附保持所載置的晶圓W。吸附保持係藉由真空裝置76將形成於晶圓支持台71的內部之流路74內的氣體A排氣來實施。亦即，控制部79使電磁閥75開放，並將真空裝置76的動作設為開(on)，藉此晶圓W的下面與保持台7之間的間隙因排氣而減壓。因此，晶圓W係隔介保護帶PT而被保持台7吸附保持。

步驟S2(環形框架的搬送)

另一方面，於框架搬送機構10，以吸附墊60吸附保持的環形框架f會自框架供給部6被送至對準器12進行對位。經對位之環形框架f係再次以吸附墊60吸附保持後，搬入至保持台7，並如圖11所示嵌入至框架保持台72的凹入階差80。由於嵌入至凹入階差80，環形框架f係被載置成與晶圓W呈同心狀。又，步驟S1及步驟S2的順序可顛倒，亦可同時進行。

步驟S3(支持帶的貼附)

晶圓W及環形框架f的搬送完成後，開始貼附支持帶。如圖12所示，初始狀態中，貼附輥62及剝離輥64位在靠正移動到帶貼附位置之支持台7的右側，且帶切斷機構63位在正移動到帶貼附位置之支持台7的上方。

在此，載置了晶圓W和環形框架f的保持台7係搬送至圖1中之虛線所示的帶貼附位置為止。如圖13所示，一旦保持台7被搬入到帶貼附位置、貼附輥62係一面自以虛線所示的初始位置朝向以實線所示的終端位置行進、一面使支持帶DT涵蓋晶圓W與環形框架f的上面貼附。藉由支持帶DT的貼附而作成安裝框架MF。

步驟S4(支持帶的切斷)

支持帶DT的貼附完成之後，開始切斷支持帶。亦即，如圖14所示，使帶切斷機構63自以虛線顯示的初始位置朝以實線顯示的切斷位置下降。已移動到切斷位置的帶切斷機構63係繞著與晶圓中心同心之軸心P旋轉移動，刀具63d隨著該旋轉，於環形框架f的上方切斷被貼附於環形框架f及晶圓W的支持帶DT。藉由該切斷，帶狀的支持帶DT係被裁切成比環形框架內徑還大的圓形。

步驟S5(支持帶的剝離)

一旦支持帶DT的切斷完成，就開始剝離支持帶。亦即，如圖15所示，剝離輥63係一面自以虛線所示的 初始位置朝向以實線所示的終端位置行進，一面將殘留在切斷線的外側之不要的支持帶Tn從環形框架f剝離。由於支持帶Tn的剝離，面朝背部的安裝框架MF殘留在保持台7上。

在吸附保持了面朝背部的安裝框架MF的狀態下，保持台7由位於黏著帶貼附部2內部的帶貼附位置朝位於工件搬送裝置1內部的載置位置而被搬出移動到晶圓安裝裝置的跟前側。在此期間，貼附輥62及剝離輥63會移動到原本的初始位置。同時，從帶供給部61放出的支持帶DT被供給至貼附位置的上方，且不要的支持帶Tn會被捲取回收至帶回收部65。

步驟S6(晶圓的脫離)

剝離支持帶後，使晶圓從已移動到載置位置的保持台7脫離。亦即，藉由在使抑制機構67接近於保持台7上的晶圓W之狀態下對晶圓支持台71及晶圓W之間供給氣體，使保持台7對晶圓W的保持力降低。之後，框架保持單元47的吸附墊60係吸附環形框架f並使安裝框架MF自保持台7脫離。有關晶圓的脫離工程的詳情容待後述。

步驟S7(安裝框架的回收)

吸附墊60係將自保持台7脫離的安裝框架MF收納到框架供給部6的原本位置。又，晶圓安裝裝置1亦可再度具備未圖示之安裝框架收納部，將安裝框架MF收 納於該安裝框架收納部。以上，結束作成安裝框架MF的一連串動作，之後，重複進行相同的處理。

<晶圓脫離工程的詳細>

在此針對本發明中之具特徵性的步驟S6之晶圓的脫離工程進行詳細說明。步驟S6之晶圓的脫離工程係按照以圖10(b)的流程圖顯示之步驟S6-1至步驟S6-5的工程進行。初始狀態中，抑制機構67位於朝載置位置移動之保持台7的上方。

步驟6-1(氣體排出的停止)

晶圓脫離工程中，首先停止氣體排出。亦即，控制部79係使電磁閥75關閉且將真空裝置76控制為關(off)的狀態。透過控制部79的控制，停止藉由真空吸引所進行之流路74內的氣體的排出。

步驟6-2(抑制構件的接近移動)

氣體排出的停止完成後，進行抑制構件的接近移動。亦即如圖16所示，控制部79係控制缸體69等，使抑制構件70自以虛線顯示的初始位置朝以實線顯示的抑制位置下降。藉由控制部79的控制，抑制構件70係接近於載置在保持台7的晶圓W。又，步驟S6-2的工程亦可在步驟S6-1前進行。

本實施例中，藉由抑制構件70朝抑制位置移動，抑制位置的高度係以扁平面70a抵接於被貼附在晶 圓W的支持帶DT的方式被事先制定。亦即，扁平面70a係在抑制位置隔介支持帶DT抵接於晶圓W。且，至後述之步驟S6-3的工程完成為止，控制部79係持續控制抑制構件70的位置，俾使抑制構件70維持與支持帶DT抵接的狀態。亦即，藉由控制部79使抑制構件70被固定在抑制位置，抑制構件70與晶圓W之間的距離保持為零。步驟S6-2的工程相當於本發明之接近過程。

步驟6-3(氣體的供給)

使抑制構件70朝晶圓W接近移動後，開始氣體的供給。亦即，如圖17所示，控制部79係將氣體供給裝置77控制為開(on)的狀態，且使電磁閥78開放。氣體供給裝置77係依據控制部79的控制，將氣體A供給到流路74的內部。被供給到流路74的氣體A係從流通孔73排出。

從流通孔73排出的氣體係將保持台7在吸附保持著晶圓W時進入流通孔73孔內之保護帶PT的一部分趕出至晶圓支持台71的表面。再者，由於從流通孔73噴出的氣體係供給於貼附在晶圓W的保護帶PT及晶圓支持台71之間，因此在保護帶PT及晶圓支持台71之間的減壓狀態能確實地被解除。藉由該減壓狀態的解除，保持台7對晶圓W整體的保持力係均勻地降低。

步驟S6-3中，由於從流通孔73排出的氣體，向上的推壓力會作用於晶圓W。但晶圓W的整面係隔介支持帶DT而抵接於抑制構件70的扁平面70a，該抑制 構件70的位置係藉由控制部79而維持在抑制位置。

因此，因氣體A的推壓力所致使晶圓W朝上方的移動係藉由抑制構件70而確實地被抑制。因此，可確實地避免因不均勻地作用於晶圓W之推壓力所致之晶圓W的變形或破損等。藉由自氣體供給裝置77供給氣體而解除晶圓支持台71與保護帶PT之間的減壓狀態，步驟S6-3的工程即完成。有關步驟S6-3的工程係相當於本發明中的氣體供給過程。

步驟6-4(抑制構件的分離移動)

供給氣體及解除減壓狀態完成後，開始進行抑制構件的分離移動。步驟S6-4中，首先停止對流路74供給氣體。亦即，控制部79在使電磁閥78關閉的同時，將氣體供給裝置77控制為關(off)的狀態。

使氣體的供給停止後，使抑制構件與晶圓W分離。亦即，如圖18所示，控制部79控制缸體69等，使抑制構件70自抑制位置朝初始位置上升移動。由於抑制構件70的分離移動係在氣體之供給停止後進行，所以可避免在使抑制構件70與晶圓W分離後的工程中晶圓W發生變形、破損之狀況。

步驟6-5(晶圓的分離移動)

使抑制構件70與晶圓W分離後，進行晶圓的分離移動。亦即，如圖19所示，框架搬送機構10所具備的吸附墊60係接近於環形框架f並吸附保持環形框架f的 上面。然後吸附墊60一面維持該吸附保持，一面根據控制部79的控制朝上方移動。

藉由吸附墊60以與保持台7分離的方式朝上方移動，安裝框架MF將自保持台7脫離。亦即，晶圓W係與環形框架f或支持帶DT等一起自保持台7朝上方脫離。

因步驟S6-5的工程完成，有關步驟S6的一連串工程係全部完成。之後朝步驟S7前進，在吸附墊60吸附保持著環形框架f的狀態下使安裝框架MF被收納到既定的位置。

<實施例的構成所產生之效果>

在對晶圓進行以切割處理或黏著帶之貼附處理等為例的各種處理之情況，使晶圓載置於平坦的保持台來進行該處理。此時，為防止所載置的晶圓的位置偏移，一般而言會於保持台配備真空裝置來吸附保持晶圓。

亦即如圖20(a)所示，透過真空裝置使氣體A自位於保持台Tb內部的流路Tk排出，藉此使晶圓被吸附保持在保持台Tb。然後該處理完成後，透過停止氣體A的排出來解除吸附保持，使晶圓W自保持台Tb朝上方脫離。

在這樣的習知構成中，將止於進行使氣體A排出停止的操作。因此，如圖20(b)所示，會發生在晶圓W的下面與保持台Tb的保持面間之邊界的一部分G無法充分地解除減壓狀態的狀況。在此情況，保持台Tb 對晶圓W的保持力在區域G中無法充分地減低。

因而如圖20(c)所示，將晶圓W抬升使其脫離時在區域G中抵接於保持台Tb之晶圓W的一部分會發生延遲脫離。於此情況，在使晶圓W脫離之際，由於在區域G的周邊會產生特別強的剪力，所以會有晶圓W的變形或破損等產生之疑慮。

為解決因殘存這種減壓狀態所致之延遲脫離的問題，在專利文獻1的構成中不僅僅停止氣體A的排出，且進行氣體的供給。亦即如圖21(a)所示，透過流路Tk對晶圓W的下面(圖中為被貼附於晶圓W之黏著帶T1的下面)與保持台Tb之間供給氣體A。如圖21(b)所示，因為藉由所供給之氣體A而區域G中的減壓狀態被解除，藉由於氣體供給後使晶圓W脫離，可防止晶圓W的延遲脫離。

然而根據發明人探討的結果，得到了在供給氣體A後再使晶圓W脫離之專利文獻1的構成係難以確實地避免晶圓變形及破損的問題這樣的見解。亦即，由於所供給之氣體A係自流路Tk的孔朝上方噴射，故在設有流路Tk的區域中晶圓W係特別強力地被上推。因此如圖21(c)所示，因為向上的推壓力Pa係不均勻地作用於晶圓W，所以晶圓W的至少一部分會朝上方突出，有晶圓W發生變形的情況之疑慮。

特別是對晶圓W進行切割處理、半切割(half dicing)處理、隱形切割(stealth dicing)處理等使晶圓W的強度降低的情況，部分晶圓破損或散失之問題將更明 顯地發生。圖21(e)係顯示受到半切割處理之晶圓W作為一例。亦即，因為推壓力Pa不均勻地作用於晶圓W，故在配設有流路Tk之區域的周邊，較強的推壓力Pa會朝上作用於晶圓W，另一方面位在流路Tk的配設區域較遠的區域，推壓力Pa相較之下變得較弱。

為此，如圖21(e)所示，因為推壓力Pa的差會產生剪力，且由於藉由半切割而區分之晶圓W的一部分Wa斷裂而和其他部分Wb分解，因此晶圓W會破損。再者，在晶圓W的上面未貼附黏著帶T2的情況，會發生斷裂的晶圓W的一部分Wa被向上推壓而飛散的狀況。因此，在供給氣體之習知的晶圓脫離工程中，獲得了因所供給之氣體的剪力而產生新的問題的這種見解。

於是，如圖22(a)所示，實施例之基板脫離工程中，在使抑制構件70的扁平面70a抵接於晶圓W的狀態下，對被貼附於晶圓W的保護帶PT及保持台7之間供給氣體。亦即，一面利用接近的抑制構件70抑制晶圓W，一面供給氣體而使保持台7的保持力降低後，使晶圓W自保持台7脫離。

在這樣的實施例的構成中，由於在供給氣體A而解除減壓區域G後使晶圓W自保持台7脫離，因而可防止因延遲脫離所致之晶圓的變形或破損等。然後，如圖22(b)所示，即便藉由所供給之氣體A的推壓力Pa欲將晶圓W上推，也能藉由與晶圓W抵接的抑制構件70而迅速地抑制晶圓W。亦即，抑制構件70係以維持與晶圓W接近的位置(抑制位置)之方式受到控制。

因此，由於藉由推壓力Pa而將要朝上方移動的晶圓W係在抑制位置迅速地被扁平面70a制止，而不會從抑制位置朝上方移動，所以可避免晶圓W的至少一部分朝上方向突出的情況。從而，可確實地解決因氣體的供給致使晶圓的一部分突出而發生之晶圓W的變形或破損及散逸等的問題。

再者，從初始位置向抑制位置移動的抑制構件70並非推壓晶圓W，而是維持與晶圓W抵接的狀態。因此，在沒有推壓力Pa作用於晶圓W的情況，由於不會發生晶圓被抑制構件70不必要地朝下方推壓的情形，所以可確實地避免晶圓W的變形或破損等。

另一方面，在推壓力Pa作用於晶圓W的情況，由於抑制構件70係受到維持抑制位置的控制，所以可避免抑制構件70受到推壓力Pa而自抑制位置被往上推的情形。從而，透過抑制位置的維持控制，抑制構件70係可確實且迅速地抑制晶圓W的至少一部分自保持台7離開移動。

又，抑制構件70的扁平面70a係較晶圓W的整面更寬廣，且以與晶圓W的面相面對的方式構成。因此，由於扁平面70a係均勻地抵接於晶圓W的整面，所以當晶圓W被抑制構件70抑制時，可確實地避免斥力不均勻地作用於晶圓W的面之情形。從而，可防止在晶圓W被抑制時發生晶圓W的變形或破損。

藉由具備這樣的構造，可在實施例的晶圓脫離工程中，一面避免因氣體的供給所致晶圓W的變形或 破損等、一面適當地減低保持台7對晶圓整體的保持力。因此，可確實地解決以下兩種問題：因減壓狀態的區域的殘留致使晶圓W延遲脫離而發生變形、破損之問題、以及因被供給的氣體A自流通孔73噴出而將晶圓W剪斷致使晶圓發生變形、破損之問題。

本發明並不受限於上述實施形態，亦可以下述之變形例實施。

(1)實施例中，雖然抑制構件70的抑制位置係以抑制構件70抵接於晶圓W的位置的方式設定，但不限於此。亦即如圖23(a)所示，在步驟S6-2中亦可構成為藉由使抑制構件70移動至抑制位置(接近晶圓W)，使扁平面70a和晶圓W以空出預先決定的微小距離D1接近並相對。

亦即，本發明之接近過程除了包含如實施例之「使抑制構件70以與晶圓W抵接的程度靠近的構成」外、亦包含如本變形例之「使抑制構件70以與晶圓之間空出微小距離接近並相對的程度靠近的構成」。又，微小距離D1的長度係因應晶圓W的厚度或保護帶PT的材料等各項條件而改變。變形例(1)中，作為一例，微小距離D1較佳為1mm以下、更佳為0.5mm以下。

在這種變形例(1)的構成中，預先將與晶圓W距離微小距離D1的位置設定作為抑制位置。然後在步驟S6-2，控制部79係藉由使抑制構件70朝抑制位置移動而朝晶圓W接近，且使抑制構件70維持在該抑制位置直到步驟S6-3的工程完成為止。

因此，在步驟S6-3中將氣體A供給至流路74時，即便是藉由氣體A致使推壓力Pa作用於晶圓W的情況，晶圓W係受到位於距離微小距離D1的位置之扁平面70a所抑制。亦即，由於可將因推壓力Pa所致之晶圓W移動的距離抑制在微小距離D1以下，所以可更加確實地防止因晶圓W的一部分在上方大幅移動而發生之晶圓W的變形或破損。

再者，變形例(1)的構成中，於步驟S6-3存在有空間上的裕度，該空間上的裕度係可讓晶圓W朝上方進行最大為微小距離D1的移動。藉由因推壓力Pa而使晶圓W朝上方進行微小距離的移動，在被貼附於晶圓W的保護帶PT和保持台7之間形成最大為微小距離D1的間隙。亦即，被供給至流路74的氣體A恰好可進入所形成之該間隙，因此可更確實地解除在真空吸引停止後可能殘留的減壓區域G。

(2)在實施例及各變形例中，於晶圓的安裝處理工程，雖取以使晶圓W自保持台7脫離的情況為例來進行說明，但本發明之基板脫離裝置及基板脫離方法係可適當地適用於使晶圓自吸附保持該晶圓的保持台脫離之構成。

亦即，不論對被保持於保持台的晶圓所進行之處理的內容為何，皆可適用本發明之使用抑制構件之基板脫離裝置的構成。可列舉出對晶圓W進行黏著帶貼附處理、背面研磨處理、切割處理、黏著帶轉印處理等，作為可適用的處理之例。

在此舉出適用於安裝框架的轉印處理之例為一例來進行說明。亦即，如圖24(a)所示，使支持帶DT1涵蓋晶圓W的一面與環形框架f1貼附而構成之安裝框架MF1吸附保持於保持台7，並藉由刀具刃C沿著晶圓W的外形將支持帶DT1切斷。然後將環形框架f1搬出之後搬入新的環形框架f2，藉由涵蓋晶圓W的另一面與環形框架f2來貼附支持帶DT2，進行對新的安裝框架MF2之轉印(圖24(b))。

轉印處理完成後，藉由實施本發明的晶圓脫離工程，可一面防止晶圓W破損且一面使安裝框架MF2自保持台7脫離。亦即，圖24(c)所示，在使抑制構件70抵接或接近晶圓W的狀態下，透過流路74而於安裝框架MF2與保持台7之間供給氣體A。藉由供給氣體A來解除減壓狀態使保持台7的保持力減低之後，使安裝框架MF2自保持台7分離。

(3)在實施例及各變形例中，係以使雙面貼附有黏著帶之狀態的晶圓W自保持台7脫離的構成為例進行了說明，但並不限於此。亦即，即便是晶圓W的表面及背面之中，有一方或兩方露出的情況，皆可適用於本發明的基板脫離裝置及基板脫離方法。再者如圖25所示，使抑制構件70直接抵接於上面露出之晶圓W的情況，構成抑制構件70的材料更佳為以彈性體或海棉等為例的這種可避免因抑制構件70與晶圓的上面接觸而導致晶圓損傷的材料。

(4)在實施例及各變形例中，抑制構件70亦 可為能保持晶圓W的構成。作為其一例，可舉出如下構成：抑制構件70係與未圖示的第2真空裝置連接，抑制構件70藉由第2真空裝置的作動進行利用真空吸引的吸附之構成。在如此之變形例(4)的晶圓脫離工程中完成步驟S6-3後，如圖26所示，抑制構件70係一面吸附保持晶圓W的上面，一面自保持台7朝上方脫離且使晶圓W收納到既定的收納部。

亦即，變形例(4)中抑制構件70係兼具有晶圓W的抑制、晶圓W的脫離(晶圓的抬升)、及搬送晶圓W之各項功能。因此，在變形例(4)中，由於可藉由抑制構件70連續執行步驟S6-4、步驟S6-5、及步驟S7的工程，因而能更適宜地實現縮短處理時間及簡化裝置構成。再者，並不限獨立於真空裝置76而新設第2真空裝置的構成，亦可為使真空裝置76和抑制構件70連接而使真空裝置76分別實行利用保持台7的吸附保持及利用抑制構件70的吸附保持之構成。

再者，變形例(4)的構成若為抑制構件70一面保持晶圓W並一面自保持台7脫離之構成的話，抑制構件70保持晶圓W的形態係可不限於藉由吸附來進行保持。就變形例(4)之構成的其他例而言，可列舉出配備於抑制構件70的把持臂把持晶圓W的構成等之藉由機械性的挾持(clamp)動作使抑制構件70保持晶圓W之構成。在變形例(4)中，第2真空裝置或把持臂相當於本發明之保持機構。

(5)在實施例及各變形例中，晶圓支持台71 及抑制構件70亦可為各自更具有內設加熱器之構成。此情況，在執行將黏著帶貼附於晶圓W的工程時，構成黏著帶的黏著劑及基材係藉由加熱器加熱而軟化。其結果，黏著帶將更容易變形。又，亦可為晶圓支持台71和抑制構件70之任一者具備加熱器之構成。

(6)在實施例及各變形例中，亦可適當地變更扁平面70a的尺寸。亦即並不限於比晶圓W整面還要寬大的尺寸，亦可為因應晶圓的電路形成區域之尺寸、也可為因應晶圓支持台71中形成有流通孔73的區域之尺寸。

(7)在實施例及各變形例中，只要可於保持台7和晶圓W之間供給氣體A之構成即可，並不限於經由內設於保持台7的流路74供給氣體A之構成。做為一例，可構成為：配備於保持台7的外部且供給口係隔介插入於保持台7和晶圓W的下面之間的管線將氣體A供給至保持台7和晶圓W之間。

(8)在實施例及各變形例中，保持台7的晶圓支持台71係亦可用以氧化鋁等為例之多孔質材料來構成。

(9)有關於實施例及各變形例的脫離裝置、雖然係以使晶圓W自保持台7脫離的構成為例進行了說明，但自保持台7脫離的對象並不限於晶圓。亦即，有關於本發明的脫離裝置之構成係可適用在使以印刷基板為例之一般的基板脫離的情況。

(10)於實施例及各變形例中，將晶圓W載置 於保持台7的動作、以及使晶圓W自保持台7脫離的動作當中，至少一者係亦可能以作業員手動來進行。作為一例，在將以手動進行使晶圓W自保持台7脫離的動作之構成適用於實施例的情況，在保持台7對晶圓W的保持力因氣體的供給而降低的狀態下，作業員係將晶圓W與環形框架f一起自保持台7抬升。再者，將環形框架f載置的動作也可適用於以手動進行的構成。

Claims (8)

1. 一種基板的脫離方法，係使基板自吸附保持前述基板的保持台脫離，其特徵為具備：接近過程，使具有扁平面且抑制前述基板的抑制構件接近或者抵接於前述基板，並使前述基板和前述扁平面間的距離維持在預先設定的既定值；氣體供給過程，在使前述抑制構件接近或者抵接於前述基板的狀態下，於前述基板和前述保持台之間供給氣體，俾使前述保持台的保持力降低；及脫離過程，使前述基板自前述保持台脫離。
2. 如請求項1之基板的脫離方法，其中前述脫離過程，係在前述抑制構件保持著前述基板的狀態下，藉由前述抑制構件與前述基板一起自前述保持台脫離而執行。
3. 如請求項1或2之基板的脫離方法，其中前述既定值為0.5mm以下。
4. 一種基板的脫離裝置，其特徵為具備：保持台，係載置保持基板；吸附機構，係設置於前述保持台，使前述基板吸附保持於前述保持台；抑制構件，係具扁平面且抑制前述基板；接近機構，係進行使前述抑制構件接近或抵接於前述基板，並使前述扁平面與前述基板間的距離維持在預先設定的既定值之控制；及氣體供給手段，係在前述抑制構件接近或抵接於 前述基板的狀態下，於前述保持台和前述基板之間供給氣體，俾使前述保持台的保持力降低。
5. 如請求項4之基板的脫離裝置，其具備：保持機構，係設置於前述抑制構件，使前述基板保持於前述抑制構件，前述抑制構件係一面保持前述基板，一面自保持力降低之前述保持台脫離，藉此使前述基板自前述保持台脫離。
6. 如請求項4或5之基板的脫離裝置，其中前述扁平面較前述基板更加寬廣，前述接近機構係以前述扁平面與前述基板面對面的方式使前述抑制構件接近或抵接前述基板。
7. 如請求項4或5之基板的脫離裝置，其中前述保持台具有保持環形框架的框架保持部，具備：貼附機構，其將黏著帶涵蓋前述保持台所保持之前述環形框架及前述基板而貼附並作成安裝框架。
8. 如請求項4或5之基板的脫離裝置，其中前述既定值為0.5mm以下。