TW201836071A

TW201836071A - 磁性記憶體裝置

Info

Publication number: TW201836071A
Application number: TW106131007A
Authority: TW
Inventors: 及川忠昭; 永瀨俊彥; 李永珉; 渡邉大輔; 澤田和也; 吉野健一; 大鳥博之; 金亮坤; 鄭求烈; 林鐘久; 李哉衡; 徐秀萬; 鄭星雄; 李泰榮
Original assignee: 日商東芝記憶體股份有限公司; 韓商愛思開海力士有限公司
Priority date: 2017-03-24
Filing date: 2017-09-11
Publication date: 2018-10-01
Also published as: US20180277745A1; TWI654719B; JP2018163921A; CN108630805B; CN108630805A

Abstract

根據一項實施例，一種磁性記憶體裝置包含一磁阻性元件，該磁阻性元件包含：一第一磁性層(20)，其具有一可變磁化方向；一第二磁性層(40)，其具有一固定磁化方向；及一非磁性層(30)，其經提供於該第一磁性層(20)與該第二磁性層(40)之間。該第一磁性層(20)包含各含有至少鐵(Fe)及硼(B)之第一及第二次磁性層(21、22)，且在該第一次磁性層(21)中含有之硼(B)之一濃度係不同於在該第二次磁性層(22)中含有之硼(B)之一濃度。

Description

磁性記憶體裝置

本文中所描述之實施例大體上係關於一種磁性記憶體裝置。

已經暗示其中一電晶體及一磁阻性元件經整合於一半導體基板上之一磁性記憶體裝置(半導體積體電路裝置)。上文磁阻性元件包含具有一可變磁化方向之一儲存層、具有一固定磁化方向之一參考層及在儲存層與參考層之間提供之一穿隧障壁層。在磁阻性元件中，根據儲存層之磁化方向儲存二進位資料。因此，重要的是意識到一磁阻性元件包括一最佳化儲存層以獲得一極佳磁性記憶體裝置。

一般而言，根據一項實施例，一種包含一磁阻性元件之磁性記憶體裝置，該磁阻性元件包含：一第一磁性層，其具有一可變磁化方方向；一第二磁性層，其具有一固定磁化方向；及一非磁性層，其提供在該第一磁性層與該第二磁性層之間；其中該第一磁性層包含各含有至少鐵(Fe)及硼(B)之第一及第二次磁性層，且在該第一次磁性層中含有之硼(B)之一濃度不同於在該第二次磁性層中含有硼(B)之一濃度。下文將參考隨附圖式描述實施例。 (實施例1) 圖1係示意性地展示根據一第一實施例在一磁性記憶體裝置中包含之一磁阻性元件之結構之一橫截面視圖。磁阻性元件亦稱為一磁性穿隧接面(MTJ)元件。在一下伏結構(未展示)上提供圖1中展示之磁阻性元件100。下伏結構包含一半導體基板、一MOS電晶體、一層間絕緣膜等。一底部電極(未展示)經連接至磁阻性元件之下表面。磁阻性元件100經由底部電極電連接至MOS電晶體。一頂部電極(未展示)經連接至磁阻性元件100之上表面。磁阻性元件100經由頂部電極電連接至一位元線(未展示)。如圖1中所示，磁阻性元件100包含一緩衝層10、一儲存層(第一磁性層) 20、一穿隧障壁層(非磁性層) 30、一參考層(第二磁性層) 40、一反鐵磁性層50及一罩蓋層60。儲存層20亦稱為一自由層。參考層40亦稱為一釘紮層。緩衝層10係用於控制儲存層等之結晶度及晶粒尺寸之一層。緩衝層10經形成為(例如)一Ta/Ru層或一Ta層。儲存層(第一磁性層) 20係具有一可變磁化方向之一鐵磁性層。儲存層20之磁化方向垂直於其主表面。儲存層20包含一第一次磁性層21及一第二次磁性層22。第一次磁性層21與第二次磁性層22接觸。第一次磁性層21及第二次磁性層22兩者具有結晶度，且包含至少鐵(Fe)及硼(B)。第一次磁性層21及第二次磁性層22除含有鐵(Fe)及硼(B)外亦可含有鈷(Co)。特定言之，第一次磁性層21及第二次磁性層22兩者係由FeCoB形成。在第一次磁性層21中含有之硼(B)之濃度不同於在第二次磁性層22中含有之硼(B)之濃度。在儲存層20與參考層40之間提供穿隧障壁層(非磁性層) 30，且穿隧障壁層(非磁性層) 30與儲存層20及參考層40接觸。穿隧障壁層30係由含有鎂(Mg)及氧(O)之一絕緣材料形成。特定言之，穿隧障壁層30係由MgO形成。此MgO層包括一體心立方晶格之結構，且具有(001)定向。參考層(第二磁性層) 40係具有一固定磁化方向之一鐵磁性層。參考層40之磁化方向垂直於其主表面。參考層40具有結晶度，且含有至少鐵(Fe)及硼(B)。參考層40除含有鐵(Fe)及硼(B)外亦可含有鈷(Co)。特定言之，參考層40係由FeCoB形成。反鐵磁性層50係提供於參考層40上，且對固定參考層40之磁化方向有作用。IrMn宜係用於反鐵磁性層50。然而，例如，PtMn、NiMn、OsMn、RuMn、RhMn或PdMn可被用於反鐵磁性層50。通常，在參考層40與反鐵磁性層50之間提供由一非磁性元素(諸如釕(Ru))形成之一層，使得參考層40之磁化方向係反平行於反鐵磁性層50之磁化方向。在反鐵磁性層50上提供罩蓋層60，且罩蓋層60經形成如一Ru層、一Ta層、一Ru/Ta/Ru層等。當在上述磁阻性元件100中之儲存層20的磁化方向係平行於參考層40的磁化方向時，磁阻性元件100係在一低電阻狀態中。當儲存層20之磁化方向係反平行於參考層40之磁化方向時，磁阻性元件100係在一高電阻狀態中。因此，磁阻性元件100能夠基於電阻狀態而儲存二進位資料。磁阻性元件100亦能夠基於磁阻性元件100中流動之電流之方向而設定電阻狀態(換言之，寫入二進位資料)。如上文所描述，在本實施例之磁阻性元件100中，儲存層20包含第一次磁性層21及第二次磁性層22。第一次磁性層21及第二次磁性層22兩者含有至少鐵(Fe)及硼(B)。應注意，在本實施例中，第一次磁性層21及第二次磁性層22除含有鐵(Fe)及硼(B)外亦含有鈷(Co)。在第一次磁性層21中含有之硼(B)之濃度係不同於在第二次磁性層22中含有之硼(B)之濃度。由於第一次磁性層21之B濃度不同於第二次磁性層22之B濃度，故可使第一次磁性層21之飽和度磁化Ms不同於第二次磁性層22之飽和度磁化Ms。因此，如下文所描述，可獲得具有極佳特性之一磁阻性元件。為實現磁阻性元件之更佳效能，寫入錯誤率(WER)之改良係重要的。為改良WER，在減小飽和度磁化(Ms)係有效的。例如，用於將一非磁性元素添加至儲存層以減小Ms之一方法係已知的。然而，添加非磁性元素以減小Ms導致垂直磁各向異性(K) (各向異性磁場[Hk])之減小。當減小飽和度磁化(Ms)時，亦減小磁阻比(MR)。因此，需要一磁阻性元件以防止由Ms減小而引起MR及K減小，並甚至當Ms係低的時維持適當MR及K。在本實施例中，藉由結構化儲存層20以包含第一次磁性層21及第二次磁性層22，並設定第一次磁性層21之B濃度以不同於第二次磁性層22之B濃度，而使第一次磁性層21之飽和度磁化(Ms)不同於第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms)。藉由設定第一次磁性層21之飽和度磁化(Ms)以不同於第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms)，可獲得可減小儲存層20之完全飽和度磁化並防止MR及Hk減小之一磁阻性元件。在下文進一步解釋此結構。圖2至圖5係示意性地展示本實施例之磁阻性元件之儲存層20 (包含第一次磁性層21及第二次磁性層22)之第一至第四結構實例之說明圖。在全部之第一至第四結構實例中，第一次磁性層21及第二次磁性層22係由FeCoB形成。在圖2中展示之第一實例中，第一次磁性層21之厚度與第二次磁性層22之厚度相同。進一步地，第一次磁性層21之B濃度低於第二次磁性層22之B濃度。在圖3中展示之第二結構實例中，第一次磁性層21之厚度與第二次磁性層22之厚度相同。進一步地，第一次磁性層21之B濃度高於第二次磁性層22之B濃度。在圖4中展示之第三結構實例中，第一次磁性層21薄於第二次磁性層22。進一步地，第一次磁性層21之B濃度低於第二次磁性層22之B濃度。在圖5中展示之第四結構實例中，第一次磁性層21厚於第二次磁性層22。進一步地，第一次磁性層21之B濃度高於第二次磁性層22之B濃度。在全部之第一至第四結構實例中，相較於儲存層20係由一單磁性層形成之一情況，藉由結構化存儲層20以包含第一次磁性層21及第二次磁性層22並設定第一次磁性層21之B濃度以不同於第二次磁性層22之B濃度而可獲得具有極佳特性之一磁阻性元件。例如，實際量測結果展示，甚至當第一至第四結構實例中之完全儲存層之總膜厚度、平均B濃度及飽和度磁化(Ms)相同於其中儲存層20係由一單磁性層形成之結構之總膜厚度、平均B濃度及飽和度磁化(Ms)時，在第一至第四結構實例中之各向異性磁場(Hk)及穿隧磁阻比(TMR)兩者大於在其中儲存層20係由一單磁性層形成之一結構中之各向異性磁場(Hk)及穿隧磁阻比(TMR)兩者。因此，當採用本實施例之結構時，甚至在儲存層20之完全飽和度磁化(Ms)係低的條件下，仍可獲得可改良各向異性磁場(Hk)、同時防止磁阻率(MR)減小之一磁阻性元件。如上文所解釋，在第一至第四結構實例中之各向異性磁場(Hk)及磁阻率(MR)兩者大於在其中儲存層20係由一單磁性層形成之一結構中之各向異性磁場(Hk)及磁阻率(MR)兩者。因此，只要第一次磁性層21之B濃度不同於第二次磁性層22之B濃度，第一次磁性層21之B濃度可高於或低於第二次磁性層22之B濃度。類似地，只要第一次磁性層21之B濃度不同於第二次磁性層22之B濃度，第一次磁性層21之厚度可相同於或大於或小於第二次磁性層22之厚度。如上文所解釋，藉由設定第一次磁性層21之B濃度以不同於第二次磁性層22之B濃度) (換言之，藉由設定第一次磁性層21之飽和度磁化(Ms)以不同於第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms))而可獲得具有極佳特性之一磁阻性元件。在下文分析此等原因。本說明書考量第二次磁性層22之B濃度高於第一次磁性層21之B濃度之一情況，換言之，第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms)低於第一次磁性層21之飽和度磁化(Ms)之一情況。磁阻率(MR)特性嚴重地受儲存層20與穿隧障壁層30之間之界面的狀態影響。當第二次磁性層22之B濃度高於第一次磁性層21之B濃度時，在第二次磁性層22中含有大量硼(B)。因此，第二次磁性層22之非晶系性質係相對高的。以此方式，改良儲存層20 (第二次磁性層22)與穿隧障壁層30之間之界面的平坦度，藉此淨化儲存層20與穿隧障壁層30之間的界面。因此，加速晶體生長的連續性，並改良儲存層20與穿隧障壁層30之間之界面的特性。進一步地，改良磁阻率(MR)。當第二次磁性層22之B濃度高於第一次磁性層21之B濃度時，在第一次磁性層21中含有小量硼(B)。因此，第一次磁性層21之結晶度係相對高的。以此方式，可實施極佳晶體生長。進一步地，可改良各向異性磁場(Hk) (垂直磁各向異性)。可獲得具有極佳特性之一磁阻性元件。現在，本說明書考量第二次磁性層22之B濃度低於第一次磁性層21之B濃度之一情況，換言之，第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms)高於第一次磁性層21之飽和度磁化(Ms) 之一情況。通常，TMR隨著增加之飽和度磁化(Ms)而增加。因此，當在穿隧障壁層30側上之第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms)係大時，完全儲存層20之TMR亦係大的。以此方式，可獲得具有極佳特性之一磁阻性元件。如上文所解釋，藉由設定第一次磁性層21之B濃度(硼之濃度)以不同於第二次磁性層22之B濃度(換言之，藉由設定第一次磁性層21之飽和度磁化(Ms)以不同於第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms))，可獲得具有極佳特性之一磁阻性元件。 (實施例2) 現在，本說明書根據一第二實施例解釋一磁性記憶體裝置。磁性記憶體裝置之基本結構及一磁阻性元件之基本結構與第一實施例之基本結構相同。省略在第一實施例中解釋之事物之解釋。參考圖1，在下文中解釋本實施例之磁性記憶體裝置中包含之磁阻性元件。以類似於第一實施例之磁阻性元件之方式之一方式，在本實施例之磁阻性元件中，一儲存層(第一磁性層) 20包含一第一次磁性層21及一第二次磁性層22。第一次磁性層21與第二次磁性層22接觸。以類似於第一實施例之方式之一方式，第一次磁性層21及第二次磁性層22兩者具有結晶度，且包含至少鐵(Fe)及硼(B)。第一次磁性層21及第二次磁性層22除含有鐵(Fe)及硼(B)外亦可含有鈷(Co)。特定言之，第一次磁性層21及第二次磁性層22兩者係由FeCoB形成。在本實施例中，第一次磁性層及第二次磁性層22兩者除含有鈷(Co)、鐵(Fe)及硼(B)外亦含有相同非磁性元素(一預定非磁性元素)。在第一次磁性層21中含有之預定非磁性元素之濃度不同於在第二次磁性層中含有之預定非磁性元素之濃度。預定非磁性元素選自矽(Si)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、錳(Mn)及銅(Cu)。通常，可藉由將上文非磁性元素添加至儲存層而減小飽和度磁化(Ms)。然而，如第一實施例中說明，當減小飽和度磁化(Ms)時，亦減小磁阻比(MR)。因此，添加非磁性元素以減小飽和度磁化(Ms)導致減小垂直磁各向異性(K) (各向異性磁場[Hk])。在本實施例中，就如第一實施例之相同理由而言，藉由結構化儲存層20以包含第一次磁性層21及第二次磁性層22，並設定在第一次磁性層21中之預定非磁性元素之濃度以不同於在第二次磁性層22中之預定非磁性元素之濃度，而使第一次磁性層21之飽和度磁化(Ms)不同於第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms)。以此方式，出於如第一實施例之相同理由，可獲得具有極佳特性之一磁阻性元件。特定言之，可獲得可防止MR及Hk減小、同時減小儲存層20之完全飽和度磁化(Ms)時之一磁阻性元件。以類似於第一實施例之方式之一方式，在本實施例中，只要在第一次磁性層21中之預定非磁性元素之濃度不同於在第二次磁性層22中之預定非磁性元素之濃度，在第一次磁性層21中之預定非磁性元素之濃度可高於或低於第二次磁性層22中之預定非磁性元素之濃度。類似地，只要在第一次磁性層21中之預定非磁性元素之濃度不同於在第二次磁性層22中之預定非磁性元素之濃度，第一次磁性層21之厚度可與第二次磁性層22之厚度相同於或大於或小於第二次磁性層22之厚度。 (實施例3) 現在，本說明書根據一第三實施例解釋一磁性記憶體裝置。磁性記憶體裝置之基本結構及一磁阻性元件之基本結構與第一實施例之基本結構相同。省略在第一實施例中解釋之事物之解釋。參考圖1，在下文中解釋本實施例之磁性記憶體裝置中包含之磁阻性元件。以類似於第一實施例之磁阻性元件之方式之一方式，在本實施例之磁阻性元件中，一儲存層(第一磁性層) 20包含一第一次磁性層21及一第二次磁性層22。第一次磁性層21與第二次磁性層22接觸。以類似於第一實施例之方式之一方式，第一次磁性層21及第二次磁性層22兩者具有結晶度，且含有至少鐵(Fe)及硼(B)。第一次磁性層21及第二次磁性層22除含有鐵(Fe)及硼(B)外亦可含有鈷(Co)。特定言之，第一次磁性層21及第二次磁性層22兩者係由FeCoB形成。在本實施例中，第一次磁性層21及第二次磁性層22之一者除含有鈷(Co)、鐵(Fe)及硼(B)外亦含有在第一次磁性層21及第二次磁性層22之另一者中不含有之一非磁性元素(一預定非磁性元素)。預定非磁性元素選自矽(Si)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、錳(Mn)及銅(Cu)。特定言之，考量下列兩個結構實例。在一第一結構實例中，第一次磁性層21及第二次磁性層22之一者含有上文預定非磁性元素之一者。第一次磁性層21及第二次磁性層22之另一者不含有上文預定非磁性元素之任一者。在一第二結構實例中，第一次磁性層21及第二次磁性層22之一者含有選自上文預定非磁性元素之一第一非磁性元素。第一次磁性層21及第二次磁性層22之另一者含有選自上文預定非磁性元素之一第二非磁性元素。第一非磁性元素不同於第二非磁性元素。在本實施例中，以類似於第一實施例之方式之一方式，可使第一次磁性層21之飽和度磁化(Ms)不同於第二次磁性層22之飽和度磁化(Ms)。因此，出於在第一實施例中解釋之相同原因，可獲得具有極佳特性之一磁阻性元件。特定言之，可獲得可防止MR減小、同時減小儲存層20之完全飽和度磁化(Ms)之一磁阻性元件。在本實施例中，只要第一次磁性層21及第二次磁性層22之一者含有在第一次磁性層21及第二次磁性層22之另一者中不含有之一預定非磁性元素，第一次磁性層21之厚度可與第二次磁性層22之厚度相同於或大於或小於第二次磁性層22之厚度。在上文所描述之第一、第二及第三實施例中，如圖1中所示，磁阻性元件100經結構化使得儲存層20、穿隧障壁層30、參考層40及反鐵磁性層50依此順序堆疊。然而，反鐵磁性層50、參考層40、穿隧障壁層30及儲存層20可依此順序堆疊。圖7係示意性地展示應用至第一、第二及第三實施例中展示之各磁阻性元件之一半導體積體電路裝置之通常結構之一實例之一橫截面視圖。在一半導體基板SUB中，形成一埋設閘MOS電晶體TR。MOS電晶體TR之閘電極用作一字線WL。一底部電極BEC經連接至MOS電晶體TR之源極/汲極區S/D之一者。一源極線接點SC經連接至源極/汲極區S/D之另一者。在底部電極BEC上形成一磁阻性元件MTJ。在磁阻性元件MTJ上形成一頂部電極TEC。一位元線BL經連接至頂部電極TEC。一源極線SL經連接至源極線接點SC。當在第一、第二及第三實施例中解釋之各磁阻性元件經應用至圖7中展示之半導體積體電路裝置時，可獲得一極佳半導體積體電路裝置。雖然已描述了某些實施例，但此等實施例僅藉由實例呈現，且並非旨在限制本發明之範疇。實際上，本文中所描述之新穎實施例可以多種其他形式體現；而且，可在不脫離本發明之精神之情況下對本文中所描述之實施例之形式作出各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等等效物旨在涵蓋如將落在本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。 [相關申請案之交叉參考] 本申請案係基於且主張2017年3月24日申請之日本專利申請案第2017-058937號之優先權權利，該案之全部內容係以引用方式併入本文中。

10‧‧‧緩衝層

20‧‧‧儲存層(第一磁性層)

21‧‧‧第一次磁性層

22‧‧‧第二次磁性層

30‧‧‧穿隧障壁層(非磁性層)

40‧‧‧參考層(第二磁性層)

50‧‧‧反鐵磁性層

60‧‧‧罩蓋層

100‧‧‧磁阻性元件

BEC‧‧‧底部電極

BL‧‧‧位元線

MTJ‧‧‧磁阻性元件

S/D‧‧‧源極/汲極區

SC‧‧‧源極線接點

SL‧‧‧源極線

SUB‧‧‧半導體基板

TEC‧‧‧頂部電極

TR‧‧‧埋設閘MOS電晶體

WL‧‧‧字線

圖1係示意性地展示根據第一、第二及第三實施例在各磁性記憶體裝置中包含之一磁阻性元件之結構之一橫截面視圖。圖2係示意性地展示根據第一實施例在磁阻性元件中提供之一儲存層之一第一結構實例之一說明圖。圖3係示意性地展示根據第一實施例在磁阻性元件中提供之儲存層之一第二結構實例之一說明圖。圖4係示意性地展示根據第一實施例在磁阻性元件中提供之儲存層之一第三結構實例之一說明圖。圖5係示意性地展示根據第一實施例在磁阻性元件中提供之儲存層之一第四結構實例之一說明圖。圖6係示意性地展示應用至在第一、第二及第三實施例中展示之各磁阻性元件之一半導體積體電路裝置之通常結構之一實例之一橫截面視圖。

Claims

一種包括一磁阻性元件之磁性記憶體裝置，該磁阻性元件包含：一第一磁性層，其具有一可變磁化方向；一第二磁性層，其具有一固定磁化方向；及一非磁性層，其經提供於該第一磁性層與該第二磁性層之間；其中該第一磁性層包含各含有至少鐵(Fe)及硼(B)之第一及第二次磁性層，及在該第一次磁性層中含有之硼(B)之一濃度係不同於在該第二次磁性層中含有之硼(B)之一濃度。
如請求項1之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層及該第二次磁性層進一步含有鈷(Co)。
如請求項1之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層之一飽和度磁化係不同於該第二次磁性層之一飽和度磁化。
如請求項1之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層及該第二次磁性層兩者具有結晶度。
如請求項1之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層係與該第二次磁性層接觸。
如請求項1之磁性記憶體裝置，其中該非磁性層含有鎂(Mg)及氧(O)。
一種包括一磁阻性元件之磁性記憶體裝置，該磁阻性元件包含：一第一磁性層，其具有一可變磁化方向；一第二磁性層，其具有一固定磁化方向；及一非磁性層，其經提供於該第一磁性層與該第二磁性層之間；其中該第一磁性層包含各含有至少鐵(Fe)及硼(B)之第一及第二次磁性層，該第一次磁性層及該第二次磁性層進一步含有一相同非磁性元素，及在該第一次磁性層中含有之該非磁性元素之一濃度係不同於在該第二次磁性層中含有之該非磁性元素之一濃度。
如請求項7之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層及該第二次磁性層進一步含有鈷(Co)。
如請求項7之磁性記憶體裝置，其中該非磁性元素係選自矽(Si)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、錳(Mn)及銅(Cu)。
如請求項7之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層之一飽和度磁化係不同於該第二次磁性層之一飽和度磁化。
如請求項7之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層及該第二次磁性層兩者具有結晶度。
如請求項7之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層係與該第二次磁性層接觸。
如請求項7之磁性記憶體裝置，其中該非磁性層含有鎂(Mg)及氧(O)。
一種包括一磁阻性元件之磁性記憶體裝置，該磁阻性元件包含：一第一磁性層，其具有一可變磁化方向；一第二磁性層，其具有一固定磁化方向；及一非磁性層，其經提供於該第一磁性層與該第二磁性層之間；其中該第一磁性層包含各含有至少鐵(Fe)及硼(B)之第一及第二次磁性層，及該第一次磁性層及該第二次磁性層之一者含有在該第一次磁性層及該第二次磁性層之另一者中不含有之一非磁性元素。
如請求項14之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層及該第二次磁性層進一步含有鈷(Co)。
如請求項14之磁性記憶體裝置，其中該非磁性元素係選自矽(Si)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、錳(Mn)及銅(Cu)。
如請求項14之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層之一飽和度磁化係不同於該第二次磁性層之一飽和度磁化。
如請求項14之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層及該第二次磁性層兩者具有結晶度。
如請求項14之磁性記憶體裝置，其中該第一次磁性層係與該第二次磁性層接觸。
如請求項14之磁性記憶體裝置，其中該非磁性層含有鎂(Mg)及氧(O)。