[go: up one dir, main page]

TW201826699A - 電子零件 - Google Patents

電子零件 Download PDF

Info

Publication number
TW201826699A
TW201826699A TW106129338A TW106129338A TW201826699A TW 201826699 A TW201826699 A TW 201826699A TW 106129338 A TW106129338 A TW 106129338A TW 106129338 A TW106129338 A TW 106129338A TW 201826699 A TW201826699 A TW 201826699A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electronic component
conductor pattern
strip conductor
conductor patterns
inductor
Prior art date
Application number
TW106129338A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI663834B (zh
Inventor
宮原邦浩
増田豊
元木幹太
南雲正二
Original Assignee
日商村田製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商村田製作所股份有限公司 filed Critical 日商村田製作所股份有限公司
Publication of TW201826699A publication Critical patent/TW201826699A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI663834B publication Critical patent/TWI663834B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/288—Shielding
    • H01F27/2885—Shielding with shields or electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/24—Magnetic cores
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
    • H01F27/36—Electric or magnetic shields or screens
    • H01F27/363—Electric or magnetic shields or screens made of electrically conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/03—Frequency selective two-port networks comprising means for compensation of loss
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1716—Comprising foot-point elements
    • H03H7/1725—Element to ground being common to different shunt paths, i.e. Y-structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1766—Parallel LC in series path
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F2017/008—Electric or magnetic shielding of printed inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0092—Inductor filters, i.e. inductors whose parasitic capacitance is of relevance to consider it as filter

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本發明一面確保屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。實施形態之電子零件(1)具有複數個介電層(Lyr1~Lyr14)之積層體。電子零件(1)具備電路圖案、及複數個帶狀導體圖案(BP11~BP14)。電路圖案包含配置於積層體之內部，且形成電感器之導體圖案。複數個帶狀導體圖案(BP11~BP14)接地。複數個帶狀導體圖案(BP11~BP14)覆蓋屏蔽面之一部分。內部面(DF)位於電路圖案與上表面(UF)之間。於屏蔽面(SF1)，形成有未由複數個帶狀導體圖案(BP11~BP14)之任一者覆蓋、且可供自電感器產生之磁通通過之非屏蔽區域。

Description

電子零件
本發明係關於一種具備屏蔽電極之電子零件。
構成積體電路之電子零件接近地配置於基板上之情況較多。因此，若於電子零件之內部產生之雜訊洩漏至外部，則有時會對與該電子零件接近之其他電子零件造成影響。
為了防止此種事態，有時會如日本專利特開平9-121093號公報(專利文獻1)中所揭示之屏蔽型積層電子零件般於電子零件之表面形成屏蔽電極。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平9-121093號公報
來自電子零件之內部或外部之雜訊經由屏蔽電極而被導入至接地電極。於具備屏蔽電極之電子零件中，可抑制來自外部之雜訊之侵入，並且可抑制磁通向外部之洩漏。以下亦將利用屏蔽電極所得之此種效果稱為屏蔽效應。
例如於如積層型低通濾波器般於電子零件之內部形成有電感器 (線圈)之情形時，若於電感器流通電流，則自電感器產生磁通。若該磁通由如專利文獻1般於零件表面之各面覆蓋大致全域之1個屏蔽電極遮蔽，則於屏蔽電極產生渦電流而使電子零件之插入損耗增加，因此可能會導致使電子零件之Q值變差。如此，屏蔽效應與Q值處於取捨之關係，因此必須使兩者恰當地平衡。
本發明係為了解決如上所述之課題而完成者，其目的係一面確保屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。
本發明之第1態樣之電子零件具有由複數個介電層所構成之積層體。電子零件具備電路圖案、及複數個帶狀導體圖案。電路圖案包含配置於積層體之內部，且形成電感器之導體圖案。複數個帶狀導體圖案接地。電子零件包含上表面、下表面、側面、及內部面。下表面係與上表面對向。側面連結上表面與下表面。內部面位於電路圖案與上表面之間，且與上表面平行。複數個帶狀導體圖案覆蓋屏蔽面之一部分。屏蔽面包含上表面、側面及內部面中之至少1個。於屏蔽面，形成有未由複數個帶狀導體圖案之任一者覆蓋、且可供自電感器產生之磁通通過之非屏蔽區域。
本發明之第2態樣之電子零件具有由複數個介電層所構成之積層體。電子零件具備電路圖案、及局部屏蔽部。電路圖案包含配置於積層體之內部，且形成電感器之導體圖案。電感器係以捲繞於捲繞軸周圍之方式形成。局部屏蔽部接地。電子零件包含上表面、下表面、側面、及內部面。下表面係與上表面對向。側面連結上表面與下表面。內部面位於電路圖案與上表面之間，且與上表面平行。局部屏蔽部覆蓋屏蔽面之一部分。屏蔽面包含上表面、側面、及內部面中之至少1個。於屏蔽面，形成有未由局部屏蔽部覆蓋之非屏蔽區域。非屏蔽區域係於自電感器之捲繞軸之方向俯視時，與電感器之空芯部之一部分重疊。
於本發明之第1態樣之電子零件中，藉由在屏蔽面配置複數個帶狀導體圖案以作為屏蔽電極，而於屏蔽面形成未由複數個帶狀導體圖案覆蓋之非屏蔽區域。因此，變為能夠於屏蔽面分別以各種形狀形成遮蔽自電子零件內部之電感器產生之磁通之區域及不遮蔽自電子零件內部之電感器產生之磁通之區域。根據本發明之第1態樣之電子零件，可容易地進行一面確保屏蔽效應、一面抑制Q值之降低之平衡調整。
於本發明之第2態樣之電子零件中，於自電感器之捲繞軸之方向俯視時，非屏蔽區域與電感器之空芯部之一部分重疊。因此，可防止因電感器空芯部之全域與屏蔽電極重疊而引起之電子零件之Q值之大幅度變差。因此，可一面提高與電感器之捲繞軸正交之方向上之屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。根據本發明之第2態樣之電子零件，可一面確保電子零件之屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。
1、1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1J、3、10、100‧‧‧低通濾波器
21、22、31~33、91、101、111、121、131、132、221、222、271~27‧‧‧線路導體圖案
41、51、52、61、71、72、81、231、241、242、251、261‧‧‧電容器導體圖案
BP11~BP14、BP11B~BP14B、BP21、BP22、BP21B~BP24B、BP31~BP34、BP31B~BP34B、BP41、BP42、BP41B~BP44B、BP131A~BP136A、BP131~BP134、BP141~BP144、BP281~BP284‧‧‧帶狀導體圖案
C1~C3、C21~C23、C33‧‧‧電容器
DM、DM1C、DM2‧‧‧方向識別標記
GND1、GND1B、GND2、GND4、GND21、GND24‧‧‧接地電極
L1、L2、L21~L23‧‧‧電感器
LC1、LC21~LC23‧‧‧並聯共振器
LC2‧‧‧串聯共振器
Lyr1~Lyr14、Lyr21~Lyr29‧‧‧介電層
P1、P2、P21、P22‧‧‧輸入輸出端子
PSE、SE、SE1、SE2、SE4‧‧‧屏蔽電極
V21、V22、V31~V33、V41、V51、V52、V61、V131、V132、V221、V222、V241、V242、V271~V274‧‧‧通孔導體圖案
圖1係作為實施形態1之電子零件之一例之低通濾波器1的電路圖。
圖2係圖1之低通濾波器之外觀立體圖。
圖3係圖1之低通濾波器之外觀透視圖。
圖4係表示圖1之低通濾波器之積層構造之分解立體圖。
圖5係示意性地表示自電感器產生之磁通之圖。
圖6係對來自低通濾波器之內部之磁通洩漏至外部之情況進行模擬所得之結果。
圖7係表示自電感器之捲繞軸方向(積層方向)俯視圖2所示之低通濾波器 時之透視圖的圖。
圖8係用以說明於低通濾波器中自接地電極至另一接地電極為止之路徑之一例之圖。
圖9係表示於自電感器之捲繞軸方向(積層方向)俯視作為實施形態1之變形例1之電子零件之一例的低通濾波器時之透視圖的圖。
圖10係用以說明於作為實施形態1之變形例2之電子零件之一例的低通濾波器中自接地電極至帶狀導體圖案之開放端為止之路徑之一例的圖。
圖11係作為實施形態1之變形例3之電子零件之一例之低通濾波器的外觀立體圖。
圖12係作為實施形態1之變形例4之電子零件之一例之低通濾波器的外觀立體圖。
圖13係作為實施形態1之變形例5之電子零件之一例之低通濾波器的外觀立體圖。
圖14係作為實施形態1之變形例6之電子零件之一例之低通濾波器的外觀立體圖。
圖15係作為實施形態1之變形例7之電子零件之一例之低通濾波器的外觀立體圖。
圖16係作為實施形態1之變形例8之電子零件之一例之低通濾波器的外觀立體圖。
圖17係作為實施形態1之變形例9之電子零件之一例之低通濾波器的外觀立體圖。
圖18係作為實施形態2之電子零件之一例之帶通濾波器的電路圖。
圖19係作為實施形態2之電子零件之一例之帶通濾波器的外觀立體圖。
圖20係圖19之帶通濾波器之外觀透視圖。
圖21係表示圖19之帶通濾波器之積層構造之分解立體圖。
圖22係作為實施形態3之電子零件之一例之低通濾波器的外觀立體圖。
圖23係表示於自電感器之捲繞軸方向(積層方向)俯視圖22所示之低通濾波器時之透視圖的圖。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態詳細地進行說明。再者，對圖中相同或相當之部分標註相同之符號，且不重複其說明。
[實施形態1]
圖1係作為實施形態1之電子零件之一例之低通濾波器1的電路圖。低通濾波器1係安裝於電路基板上之電子零件，且於內部形成有對應於圖1所示之電路之電路圖案。如圖1所示，低通濾波器1具備輸入輸出端子P1、輸入輸出端子P2、LC並聯共振器LC1、及LC串聯共振器LC2。
LC並聯共振器LC1包含電感器L1及電容器C1。電感器L1連接於輸入輸出端子P1與輸入輸出端子P2之間。電容器C1係於輸入輸出端子P1與輸入輸出端子P2之間相對於電感器L1並聯連接。
LC串聯共振器LC2包含電感器L2、電容器C2、及電容器C3。電感器L2之一端連接於接地點GND。電容器C2連接於輸入輸出端子P1與電感器L2之另一端之間。電容器C3連接於輸入輸出端子P2與電感器L2之另一端之間。
圖2係圖1之低通濾波器1之外觀立體圖。圖3係圖1之低通濾波器1之外觀透視圖。於圖3中，為了避免圖式之複雜化，未示出形成於低通濾波器1之內部之電路圖案。低通濾波器1係如以後使用圖4進行說明般將複數個介電層Lyr1~Lyr14於Z軸方向(積層方向)上積層而成之積層體。
如圖2及圖3所示，低通濾波器1例如為長方體狀。將垂直於積層 方向之低通濾波器1之最外層之面設為下表面BF及上表面UF。下表面BF係與上表面UF對向。將平行於積層方向之面中之與ZX平面平行之面設為側面SF1及SF3。將平行於積層方向之面中之與YZ平面平行之面設為側面SF2及SF4。側面SF1~SF4連結上表面UF與下表面BF。
於下表面BF，形成有輸入輸出端子P1、P2、及接地電極GND1~GND4。輸入輸出端子P1、P2、及接地電極GND1~GND4例如為於下表面BF規律地配置有平面電極之LGA(Land Grid Array，平台柵格陣列)端子。低通濾波器1係於下表面BF與未圖示之電路基板對向之狀態下安裝於電路基板上。
於上表面UF，形成有方向識別標記DM。方向識別標記DM係為了識別低通濾波器1之安裝時之朝向而配置。
內部面DF係最上位層之介電層Lyr14與自上而下第2個介電層Lyr13相接之面。於側面SF1~SF4及內部面DF，呈格子狀地配置有複數個帶狀導體圖案BP11~BP14、BP21、BP22、BP31~BP34、BP41、BP42、BP131~BP134，以作為屏蔽電極。側面SF1~SF4及內部面DF係對應於本發明之屏蔽面。屏蔽電極未形成於包含下表面BF之介電層Lyr1及包含上表面UF之介電層Lyr14之側面。
藉由屏蔽電極，可抑制來自外部之雜訊侵入至低通濾波器內，並且抑制自電路圖案發射之磁通洩漏至外部。自形成於低通濾波器1之內部之電感器L1、L2產生之磁通可通過未由帶狀導體圖案之任一者覆蓋之區域(非屏蔽區域)。
於實施形態1中，於自電感器L1之捲繞軸之方向(Z軸方向)俯視時可見之屏蔽面即內部面DF、及自與電感器L1之捲繞軸正交之方向(X軸方向及Y軸方向)俯視時可見之屏蔽面即側面SF1~SF4，均形成有非屏蔽區域。
於側面SF1，配置有帶狀導體圖案BP11~BP14。帶狀導體圖案BP11係於X軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP12~BP14係於X軸方向上隔開間隔 而配置。帶狀導體圖案BP12~BP14之各者係於Z軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP12~BP14之各者係於自Y軸方向俯視時，與帶狀導體圖案BP11形成十字形。帶狀導體圖案BP12係經由線路導體圖案21及通孔導體圖案V21而連接於接地電極GND1。
於側面SF2，配置有帶狀導體圖案BP21、BP22。帶狀導體圖案BP21係於Y軸方向上延伸，且連接於帶狀導體圖案BP11。帶狀導體圖案BP22係於Z軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP22係於自X軸方向俯視時，與帶狀導體圖案BP21形成十字形。
於側面SF3，配置有帶狀導體圖案BP31~BP34。帶狀導體圖案BP31係於X軸方向上延伸，且連接於帶狀導體圖案BP21。帶狀導體圖案BP32~BP34係於X軸方向上隔開間隔而配置。帶狀導體圖案BP32~BP34之各者係於Z軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP32~BP34之各者係於自Y軸方向俯視時，與帶狀導體圖案BP31形成十字形。帶狀導體圖案BP34係經由線路導體圖案22及通孔導體圖案V22而連接於接地電極GND4。
於側面SF4，配置有帶狀導體圖案BP41、BP42。帶狀導體圖案BP41係於Y軸方向上延伸，且連接於帶狀導體圖案BP11及BP31。帶狀導體圖案BP42係於Z軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP42係與帶狀導體圖案BP41形成十字形。
於內部面DF，配置有帶狀導體圖案BP131~BP134。帶狀導體圖案BP131係於X軸方向上延伸，且連接於帶狀導體圖案BP22及BP42。帶狀導體圖案BP132~BP134之各者係於Y軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP132~BP134之各者係與帶狀導體圖案BP131形成十字形。帶狀導體圖案BP132連接於帶狀導體圖案BP12及BP32。帶狀導體圖案BP133連接於帶狀導體圖案BP13及BP33。帶狀導體圖案BP134連接於帶狀導體圖案BP14及BP34。
圖4係表示圖1之低通濾波器1之積層構造之分解立體圖。低通濾波器1係複數個介電層之積層體。低通濾波器1具備介電層Lyr1~Lyr14作為複數個介電層。將介電層Lyr1設為下表面BF側，並將Lyr14設為上表面UF側，而依序於Z軸方向上積層。介電層Lyr1~Lyr14之各者之介電常數係為了使低通濾波器1之設計及製造變得容易而設為相同。
於介電層Lyr1之下表面BF，如已經說明般，形成有輸入輸出端子P1、P2、及接地電極GND1~GND4。
於介電層Lyr2，形成有線路導體圖案21及線路導體圖案22。線路導體圖案21係藉由通孔導體圖案V21而連接於接地電極GND1。線路導體圖案22係藉由通孔導體圖案V22而連接於接地電極GND4。
於介電層Lyr3，形成有線路導體圖案31~33。線路導體圖案31係藉由通孔導體圖案V31而連接於輸入輸出端子P1。線路導體圖案32係藉由通孔導體圖案V32而連接於接地電極GND2。線路導體圖案33係藉由通孔導體圖案V33而連接於輸入輸出端子P2。線路導體圖案32形成電感器L2。電感器L2係捲繞於平行於積層方向之捲繞軸周圍。
於介電層Lyr4，形成有電容器導體圖案41。電容器導體圖案41係藉由通孔導體圖案V41而連接於線路導體圖案32。
於介電層Lyr5，形成有電容器導體圖案51及52。電容器導體圖案51係藉由通孔導體圖案V51而連接於線路導體圖案31。電容器導體圖案52係藉由通孔導體圖案V52而連接於線路導體圖案33。
於自積層方向俯視時，電容器導體圖案51、52之各者與電容器導體圖案41重疊。電容器導體圖案41、51形成電容器C2。電容器導體圖案41、52形成電容器C3。
於介電層Lyr6，形成有電容器導體圖案61。於介電層Lyr7，形成 有電容器導體圖案71、72。電容器導體圖案71係藉由通孔導體圖案V51而連接於電容器導體圖案51。電容器導體圖案72係藉由通孔導體圖案V52而連接於電容器導體圖案52。於介電層Lyr8形成有電容器導體圖案81。
於自積層方向俯視時，電容器導體圖案71、72與電容器導體圖案61重疊。於自積層方向俯視時，電容器導體圖案81重疊於電容器導體圖案71、72。電容器導體圖案61、71、72、81形成電容器C1。
於介電層Lyr9，形成有線路導體圖案91。線路導體圖案91係藉由通孔導體圖案V51而連接於電容器導體圖案71。於介電層Lyr10，形成有線路導體圖案101。線路導體圖案101係藉由通孔導體圖案V51、V61而連接於線路導體圖案91。
於介電層Lyr11，形成有線路導體圖案111。線路導體圖案111係藉由通孔導體圖案V61而連接於線路導體圖案101。線路導體圖案111係藉由通孔導體圖案V52而連接於電容器導體圖案72。
於介電層Lyr12，形成有線路導體圖案121。線路導體圖案121係藉由通孔導體圖案V52、V61而連接於線路導體圖案111。線路導體圖案91、101、111、121形成電感器L1。電感器L1係捲繞於平行於積層方向之捲繞軸周圍。
於介電層Lyr1~Lyr12，形成有對應於圖1所示之電路之電路圖案。
於介電層Lyr13之內部面DF，如已經說明般形成有帶狀導體圖案BP131~BP134。內部面DF位於上表面UF與電路圖案之間，且平行於上表面UF。
於介電層Lyr14之上表面UF，如已經說明般形成有方向識別標記DM。
圖5係示意性地表示自電感器L1產生之磁通之圖。於圖5中，為了易於理解地表示自電感器L1產生磁通之情況，未示出屏蔽電極，而僅示出電 路圖案中之構成電感器L1之線路導體圖案121。圖5(a)係低通濾波器1之外觀立體圖。圖5(b)係自Y軸方向俯視低通濾波器1之圖。
電子零件之下表面係以密接之方式連接於電路基板。因此，來自電子零件內部之磁通易於自除下表面以外之面洩漏至外部。又，關於來自電子零件外部之雜訊，亦易於自除下表面以外之面侵入至內部。如圖5(a)及圖5(b)所示，於低通濾波器1中，磁通易於自垂直於電感器L1之捲繞軸之上表面UF、及平行於該捲繞軸之側面SF1~SF4洩漏至外部。因此，藉由在上表面UF或上表面UF與電路圖案之間之內部面、及側面SF1~SF4配置屏蔽電極，可抑制磁通自低通濾波器1向外部之洩漏。又，藉由屏蔽電極，可抑制雜訊自外部向低通濾波器1內部之侵入。
為了降低來自外部之雜訊對電子零件之影響、及向其他機器之對電子零件之影響，較理想為藉由屏蔽電極覆蓋儘可能多之面積。但是，若來自電感器L1之磁通由屏蔽電極遮蔽，則於屏蔽電極產生渦電流而使低通濾波器1之插入損耗增加，因此反而可能會導致使低通濾波器1之Q值變差，從而損害低通濾波器1之特性。如此，屏蔽效應與Q值處於取捨之關係，因此必須使兩者恰當地平衡。
因此，於實施形態1中，於內部面DF及側面SF1~SF4之各者呈格子狀地配置複數個帶狀導體圖案以作為屏蔽電極。於內部面DF及側面SF1~SF4之各者，形成有未由屏蔽電極覆蓋、且可供來自低通濾波器1內部之電感器之磁通通過之非屏蔽區域。藉由形成有非屏蔽區域，與屏蔽面全域由屏蔽電極覆蓋之情形相比，可抑制屏蔽電極對磁通之遮蔽。其結果，可取得屏蔽效應與Q值之平衡，而可一面確保屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。
圖6係對來自低通濾波器之內部之磁通洩漏至外部之情況進行模擬所得之結果。於圖6中，針對平行於YZ平面之1個側面，表示磁通洩漏至外部 之情況。圖6(a)係作為比較例1之電子零件之一例之低通濾波器10之模擬結果。於低通濾波器10中，除下表面以外之面之全域由屏蔽電極覆蓋。圖6(b)係圖2之低通濾波器1之模擬結果。圖6(c)係作為比較例2之電子零件之一例之低通濾波器100之模擬結果。於低通濾波器100中，於各面未配置屏蔽電極。於低通濾波器10、100之內部，配置有與低通濾波器1相同之圖4所示之電路圖案。
若針對低通濾波器1、低通濾波器10、低通濾波器100，對由屏蔽電極覆蓋之區域之大小進行比較，則依照低通濾波器10、低通濾波器1、低通濾波器100之順序變小。由屏蔽電極覆蓋之區域越小，洩漏至外部之磁通越大。
如圖6(a)~(c)所示，磁通MF10、磁通MF1、及磁通MF100分別自低通濾波器10、低通濾波器1、及低通濾波器100洩漏至外部。洩漏至外部之磁通係依照低通濾波器10、低通濾波器1、低通濾波器100之順序變大(磁通MF10<磁通MF1<磁通MF100)。
另一方面，由屏蔽電極覆蓋之區域越小，則於屏蔽電極產生之渦電流越小。若渦電流變小，則插入損耗變小，其結果，Q值變高。因此，若針對Q值進行比較，則依照低通濾波器10、低通濾波器1、低通濾波器100之順序變高。
於低通濾波器1中，洩漏至外部之磁通及Q值均為低通濾波器10與低通濾波器100之中間之值。低通濾波器1可取得屏蔽效應與Q值之平衡，而可一面確保屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。
來自電感器之磁通係集中地產生於電感器之空芯部。因此，若於自捲繞軸方向(於實施形態1中係積層方向)俯視電感器時，電感器之空芯部由屏蔽電極堵塞，則存在屏蔽電極中之渦電流之產生變得明顯，而Q值大幅度降低之情形。因此，於可某種程度地容許磁通向電感器之捲繞軸方向之洩漏之情形時，可藉由減少與電感器之空芯部重疊之屏蔽電極而減少多餘之屏蔽效應，從而有效地進行Q值之降低之抑制。
圖7係表示自電感器L1之捲繞軸方向(積層方向)俯視圖2所示之低通濾波器1時之透視圖之圖。如圖7所示，於低通濾波器1中，電感器L1之空芯部AC1之一部分與未由帶狀導體圖案BP131~BP134覆蓋之非屏蔽區域重疊。於實施形態1中，於可某種程度地容許磁通向電感器L1之捲繞軸方向之洩漏之情形時，可有效地進行Q值之降低之抑制。
來自電子零件之內部或外部之雜訊經由屏蔽電極而被導入至接地電極。於配置有複數個接地電極之情形時，若自某接地電極至另一接地電極為止之路徑之長度等於假定之雜訊(例如頻率為6GHz之雜訊)之有效波長的二分之一，則存在該路徑作為環形天線發揮作用而取入雜訊之情形。雜訊之有效波長係將雜訊之波長(於頻率為6GHz之情形時為約5cm)除以介電層之介電常數所得之值。因此，於低通濾波器1中，為了使自接地電極GND1至GND4為止之路徑不發揮環形天線之作用，以使該路徑之長度小於假定之雜訊之有效波長之二分之一的方式設計低通濾波器1之尺寸以及複數個帶狀導體圖案之配置及長度。
圖8係於低通濾波器1中強調地表示自接地電極GND1至接地電極GND4為止之路徑之一的圖。於低通濾波器1中，以自接地電極GND1至GND4為止之最長之路徑之長度變為小於假定之雜訊之有效波長之二分之一的方式，設計低通濾波器1之尺寸以及複數個帶狀導體圖案之配置及長度。因此，可抑制自接地電極GND1至GND4為止之路徑作為環形天線而發揮作用。其結果，可防止因自接地電極GND1至GND4為止之路徑作為天線發揮作用而取入雜訊。
以上，於實施形態1中，藉由將作為屏蔽電極之帶狀導體圖案配置成格子狀，而於屏蔽面形成非屏蔽區域。藉由恰當地選擇帶狀導體圖案之配置，可取得屏蔽效應與Q值之平衡，從而可一面確保屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。
又，於實施形態1中，於自電感器之捲繞軸方向俯視時，複數個帶狀導體圖案未覆蓋電感器之空芯部之全域。空芯部之一部分與非屏蔽區域重疊。根據實施形態1，可某種程度地容許磁通向電感器之捲繞軸方向之洩漏，因此可抑制Q值之降低。
進一步，於實施形態1中，自某接地電極至另一接地電極為止之路徑之長度被設為小於假定之雜訊之有效波長的二分之一。藉此，使得該路徑不作為環形天線而發揮作用。其結果，可防止藉由該路徑而取入雜訊。
[實施形態1之變形例1]
就抑制Q值之降低之觀點而言，較理想為電感器之空芯部之全域不與屏蔽電極重疊，而是與非屏蔽區域重疊。圖9係表示自電感器L1之捲繞軸方向(積層方向)俯視作為實施形態1之變形例1之電子零件之一例的低通濾波器1A時之透視圖的圖。如圖9所示，電感器L1之空芯部AC1不重疊於配置在內部面DF之帶狀導體圖案BP131A~BP136A，而是空芯部AC1之全域重疊於非屏蔽區域。根據實施形態1之變形例1，可進一步抑制因藉由配置於與電感器之捲繞軸平行之面之屏蔽電極遮蔽磁通而引起之Q值之降低。
[實施形態1之變形例2]
於連接有各帶狀電極圖案之接地電極為1個之情形時，若自接地電極至帶狀導體圖案之開放端(開路殘段(open stub))為止之路徑等於假定之雜訊之有效波長之四分之一，則存在該路徑作為偶極天線發揮作用而取入該雜訊之情形。因此，較理想為自接地電極至帶狀導體圖案之開放端(開路殘段)為止之最長之路徑之長度小於假定之雜訊之有效波長的四分之一。
圖10係於作為實施形態1之變形例2之電子零件之一例的低通濾波器1B中，強調地表示自接地電極至帶狀導體圖案之開放端為止之路徑之一的圖。於低通濾波器1B中，與低通濾波器1不同，帶狀導體圖案BP14未連接於接地 電極GND1。於低通濾波器1B中，各帶狀導體圖案之各者連接於接地電極GND4。
於圖10中，表示自接地電極GND4經由帶狀導體圖案BP41、BP21、BP11而至帶狀導體圖案BP12之開放端為止之路徑。於低通濾波器1B中，為了使該路徑不作為偶極天線而發揮作用，以該路徑之長度變為小於假定之雜訊之有效波長之四分之一的方式設計低通濾波器1B之尺寸以及複數個帶狀導體圖案之配置及長度。其結果，可防止藉由自接地電極至帶狀導體圖案之開放端為止之路徑而取入雜訊。
[實施形態1之變形例3]
於實施形態1中，在位於上表面UF與電路圖案之間之內部面DF配置有複數個帶狀導體圖案。複數個帶狀導體圖案亦可配置於上表面UF而非內部面DF。
圖11係作為實施形態1之變形例3之電子零件之一例之低通濾波器1C的外觀立體圖。如圖11所示，於低通濾波器1C之上表面UF，形成有帶狀導體圖案BP141~BP144、及方向識別標記DM1C。帶狀導體圖案BP141係於X軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP142~BP144係於X軸方向上隔開間隔而配置。帶狀導體圖案BP142~BP144之各者係於Y軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP142~BP144之各者係於自Z軸方向俯視時，與帶狀導體圖案BP141形成十字形。帶狀導體圖案BP142係經由低通濾波器1C內部之通孔導體圖案V131及線路導體圖案131而連接於帶狀導體圖案BP12。帶狀導體圖案BP144係經由低通濾波器1C內部之通孔導體圖案V132及線路導體圖案132而連接於帶狀導體圖案BP34。方向識別標記DM1C係以不與帶狀導體圖案BP141~BP144重疊之方式配置。
如低通濾波器1C般，複數個帶狀導體圖案亦可配置於上表面UF。藉由將複數個帶狀導體圖案配置於上表面UF，可使形成有電路圖案之介電層與垂直於積層方向之屏蔽面之距離和複數個帶狀導體圖案配置於內部面DF之情形相比變大。其結果，可進一步抑制電子零件之Q值之降低。
[實施形態1之變形例4及5]
於實施形態1中，於側面SF1~SF4及內部面DF之任一者均配置複數個帶狀導體圖案，並且於除下表面BF以外之各面形成有非屏蔽區域。無需於除下表面BF以外之各面形成有非屏蔽區域，只要於除下表面BF以外之任一面配置複數個帶狀導體圖案，並於該面形成有非屏蔽區域即可。
例如，如圖12所示之低通濾波器1D般，於側面SF1~SF4呈格子狀地配置複數個帶狀導體圖案而形成有非屏蔽區域，另一方面，亦可使上表面UF之全域由屏蔽電極SE覆蓋而於上表面UF未形成非屏蔽區域。低通濾波器1D例如被假定為與位於Z軸方向上之其他電子零件接近地配置，而必須於必要時防止自Z軸方向之雜訊之侵入或磁通之洩漏，因此將上表面UF之全域藉由屏蔽電極SE覆蓋。
又，如圖13所示之低通濾波器1E般，於上表面UF呈格子狀地配置複數個帶狀導體圖案而形成有非屏蔽區域，另一方面，亦可使側面SF1~SF4分別由屏蔽電極SE1~SE4覆蓋，而於側面SF1~SF4均未形成非屏蔽區域。低通濾波器1E例如被假定為與位於X軸方向及Y軸方向上之其他電子零件接近地配置，而必須於必要時防止自X軸方向及Y軸方向之雜訊之侵入或磁通之洩漏，因此將側面SF1~SF4之全域分別藉由屏蔽電極SE1~SE4覆蓋。
[實施形態1之變形例6~8]
於實施形態1中，複數個帶狀導體圖案配置成格子狀。又，於屏蔽面中，複數個帶狀導體圖案平行於電子零件之邊而配置。進一步，於屏蔽面中，帶狀導體圖案延伸之方向被分類成2個，該2個方向正交。複數個帶狀導體圖案之配置並非限定於實施形態1所示之配置。複數個帶狀導體圖案之配置只要為於除下表面以外之面形成非屏蔽區域之配置，則可為任意配置。
例如如圖14所示之低通濾波器1F般，複數個帶狀導體圖案亦可隔 開間隔而平行(條紋狀)地配置。
於低通濾波器1中，藉由將複數個帶狀導體圖案配置成格子狀，而使帶狀導體圖案彼此交叉。其結果，複數個帶狀導體圖案於屏蔽面上連接，可將接地電極共通化。於如低通濾波器1F般將複數個帶狀導體圖案配置成條紋狀之情形時，於屏蔽面上帶狀導體圖案彼此不交叉。就將接地電極共通化之觀點而言，較理想為於電子零件之內部形成連接複數個帶狀導體圖案之導體圖案。
或者，如圖15所示之低通濾波器1G般，複數個帶狀導體圖案亦可於屏蔽面相對於低通濾波器1G之邊傾斜地配置。
進一步，如圖16所示之低通濾波器1H般，於屏蔽面中複數個帶狀導體圖案延伸之方向亦可分類成3個，且亦可不正交。於屏蔽面中複數個帶狀導體圖案延伸之方向亦可分類成4個以上。
[實施形態1之變形例9]
於實施形態1中，對長方體狀之電子零件進行了說明。本發明之電子零件之形狀並不限定於長方體狀。本發明之電子零件之形狀例如亦可如圖17所示之低通濾波器1J般為圓柱狀。
[實施形態1之變形例10]
於實施形態1中，為了使電子零件之設計及製造變得容易，複數個介電層之各者之介電常數相同，但複數個介電層之各者之介電常數亦可不同。
於實施形態1中，來自電感器L1之磁通係於通過介電層Lyr13之後，通過配置於內部面DF之帶狀導體圖案而被導入至接地電極。因此，通過該帶狀導體圖案之磁通之有效波長成為將磁通之波長除以介電層Lyr13之介電常數所得之值。因此，藉由使介電層Lyr13之介電常數小於實施形態1中之介電層Lyr1~Lyr12之介電常數，可使通過配置於內部面DF之帶狀導體圖案之磁通之有效波長與實施形態1相比變大。因此，藉由不變更低通濾波器之尺寸，而減小介電層 Lyr13之介電常數，可使包含配置於內部面DF之帶狀導體圖案之路徑之長度小於有效波長的二分之一或四分之一。其結果，可防止該路徑作為天線而發揮作用。
藉由以上之實施形態1之變形例1~10，亦可一面確保屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。
[實施形態2]
於實施形態1中，形成於電子零件內部之電感器之捲繞軸係平行於積層方向。於實施形態2中，對電子零件內部之電感器之捲繞軸垂直於積層方向之情形進行說明。
圖18係作為實施形態2之電子零件之一例之帶通濾波器2的電路圖。帶通濾波器2係安裝於電路基板上之電子零件，且於內部包含對應於圖18所示之電路之電路圖案。
如圖18所示，帶通濾波器2具備：輸入輸出端子P21、輸入輸出端子P22、LC並聯共振器LC21、LC並聯共振器LC22、LC並聯共振器LC23、及電容器C33。
LC並聯共振器LC21包含電感器L21及電容器C21。電感器L21與電容器C21係於輸入輸出端子P21與接地點GND之間並聯連接。
LC並聯共振器LC23包含電感器L23及電容器C23。電感器L23與電容器C23係於輸入輸出端子P22與接地點GND之間並聯連接。
LC並聯共振器LC22包含電感器L22及電容器C22。電感器L22連接於電容器C22。電感器L22與電容器C22係連接於接地點GND。
電容器C33連接於輸入輸出端子P21與P22之間。
於相鄰之LC並聯共振器LC21與LC22之間，產生感應耦合(磁性耦合)M1。於相鄰之LC並聯共振器LC22與LC23之間，產生感應耦合M2。
圖19係作為實施形態2之電子零件之一例之帶通濾波器2的外觀 立體圖。圖20係圖19之帶通濾波器2之外觀透視圖。於圖20中，為了避免圖式之複雜化，未示出形成於帶通濾波器2之內部之電路圖案。帶通濾波器2係如以後使用圖21進行說明般將複數個介電層Lyr21~Lyr29於Z軸方向(積層方向)上積層而成之積層體。
參照圖19及圖20，帶通濾波器2例如為長方體狀。將垂直於積層方向之帶通濾波器2之面設為下表面BF2及上表面UF2。將平行於積層方向之面中之與ZX平面平行之面設為側面SF21及SF23。將平行於積層方向之面中之與YZ平面平行之面設為側面SF22及SF24。
於下表面BF2，形成有輸入輸出端子P21、P22、及接地電極GND21~GND24。輸入輸出端子P21、P22、及接地電極GND21~GND24例如為於下表面BF2規律地配置有平面電極之LGA端子。下表面BF2連接於電路基板。
於上表面UF2，形成有方向識別標記DM2。方向識別標記DM2係用於識別帶通濾波器2之安裝時之朝向。
於側面SF21配置有BP11B~BP14B。於側面SF22配置有BP21B~BP24B。於側面SF23配置有BP31B~BP34B。於側面SF24配置有BP41B~BP44B。於內部面DF2配置有BP281~BP284。內部面DF2係介電層Lyr28與介電層Lyr29相接之面。側面SF21~SF24及內部面DF2係對應於本發明之屏蔽面。屏蔽電極未形成於包含下表面BF2之介電層Lyr21及包含上表面UF2之介電層Lyr29之側面。
於側面SF21，配置有帶狀導體圖案BP11B~BP14B。帶狀導體圖案BP11B係於X軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP12B~BP14B係於X軸方向上隔開間隔而配置。帶狀導體圖案BP12B~BP14B之各者係於Z軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP12B~BP14B之各者係於自Y軸方向俯視時，與帶狀導體圖案BP11B形成十字形。
於側面SF22，配置有帶狀導體圖案BP21B~BP24B。帶狀導體圖案BP21B及BP23B係於Z軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP21B連接於帶狀導體圖案BP11B。帶狀導體圖案BP22B及BP24B係於Y軸方向上延伸。
由帶狀導體圖案BP21B~BP24B包圍之區域成為長方形狀之非屏蔽區域。藉由如此配置帶狀導體圖案BP21B~BP24B，而於自X軸方向(下述之電感器L21~L23之捲繞軸方向)俯視時，帶狀導體圖案BP21B~BP24B未與形成於帶通濾波器2之內部之電感器L21~L23之各者之空芯部重疊。
於側面SF23，配置有帶狀導體圖案BP31B~BP34B。帶狀導體圖案BP31B係於X軸方向上延伸，且連接於帶狀導體圖案BP23B。帶狀導體圖案BP32B~BP34B係於X軸方向上隔開間隔而配置。帶狀導體圖案BP32B~BP34B之各者係於Z軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP32B~BP34B之各者係與帶狀導體圖案BP31B形成十字形。帶狀導體圖案BP34B係經由形成於帶通濾波器內部之線路導體圖案222及通孔導體圖案V222而連接於接地電極GND24。
於側面SF24，配置有帶狀導體圖案BP41B~BP44B。帶狀導體圖案BP41B及BP43B係於Z軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP41B連接於帶狀導體圖案BP11B。帶狀導體圖案BP43B連接於帶狀導體圖案BP31B。帶狀導體圖案BP42B及BP44B係於Y軸方向上延伸。
由帶狀導體圖案BP41B~BP44B包圍之區域成為長方形狀之非屏蔽區域。藉由如此配置帶狀導體圖案BP41B~BP44B，而於自X軸方向(下述之電感器L21~L23之捲繞軸方向)俯視時，帶狀導體圖案BP41B~BP44B未與形成於帶通濾波器2之內部之電感器L21~L23之各者之空芯部重疊。
於內部面DF2，配置有帶狀導體圖案BP281~BP284。帶狀導體圖案BP281係於X軸方向上延伸，且連接於帶狀導體圖案BP24B及BP44B。帶狀導體圖案BP282~BP284之各者係於Y軸方向上延伸。帶狀導體圖案BP282~ BP284之各者係與帶狀導體圖案BP281形成十字形。帶狀導體圖案BP282連接於帶狀導體圖案BP12B及BP32B。帶狀導體圖案BP283連接於帶狀導體圖案BP13B及BP33B。帶狀導體圖案BP284連接於帶狀導體圖案BP14B及BP34B。
圖21係表示圖19之帶通濾波器2之積層構造之分解立體圖。帶通濾波器2具備介電層Lyr21~Lyr29作為複數個介電層。將介電層Lyr21設為下表面BF2側，並將Lyr29設為上表面UF2側，而依序於Z軸方向上積層。
於介電層Lyr21之下表面BF2，如已經說明般，形成有輸入輸出端子P21、P22、及接地電極GND21~GND24。
於介電層Lyr22，形成有線路導體圖案221及線路導體圖案222。線路導體圖案221係藉由通孔導體圖案V221而連接於輸入輸出端子P21。線路導體圖案222係藉由通孔導體圖案V222而連接於接地電極GND24。
於介電層Lyr23，形成有電容器導體圖案231。
於介電層Lyr24，形成有電容器導體圖案241及242。電容器導體圖案241係藉由通孔導體圖案V241而連接於線路導體圖案221。電容器導體圖案242係藉由通孔導體圖案V242而連接於輸入輸出端子P22。
電容器導體圖案241及242之各者係於自積層方向俯視之情形時，重疊於電容器導體圖案231。電容器導體圖案231、241、及242形成電容器C33。
於介電層Lyr25，形成有電容器導體圖案251。電容器導體圖案251係於自積層方向俯視時，重疊於電容器導體圖案241及242。電容器導體圖案241及251形成電容器C21。電容器導體圖案242及251形成電容器C23。
於介電層Lyr26，形成有電容器導體圖案261。電容器導體圖案261係於自積層方向俯視時，重疊於電容器導體圖案251。電容器導體圖案251及261形成電容器C22。
於介電層Lyr27，形成有線路導體圖案271~273。線路導體圖案271係藉由通孔導體圖案V241而連接於電容器導體圖案241。線路導體圖案271係藉由通孔導體圖案V271而連接於電容器導體圖案251。線路導體圖案271及通孔導體圖案V241、V271形成電感器L21。電感器L21係以捲繞於垂直於積層方向之捲繞軸周圍之方式形成。
線路導體圖案272係藉由通孔導體圖案V272而連接於電容器導體圖案251。線路導體圖案272係藉由通孔導體圖案V273而連接於電容器導體圖案261。線路導體圖案272及通孔導體圖案V272、V273形成電感器L22。電感器L22係以捲繞於垂直於積層方向之捲繞軸周圍之方式形成。
線路導體圖案273係藉由通孔導體圖案V242而連接於電容器導體圖案242。線路導體圖案273係藉由通孔導體圖案V274而連接於電容器導體圖案251。線路導體圖案273及通孔導體圖案V242、V274形成電感器L23。電感器L23係以捲繞於垂直於積層方向之捲繞軸周圍之方式形成。
於Lyr28之內部面DF2，如已經說明般形成有帶狀導體圖案BP281~BP284。內部面DF2位於上表面UF2與電路圖案之間。
於Lyr29，如已經說明般形成有方向識別標記DM2。
於自電感器L21~L23之捲繞軸之方向俯視時，電感器L21~L23之各者之空芯部之全域重疊於非屏蔽區域。
以上，於實施形態2中，配置複數個帶狀導體圖案以作為屏蔽電極，而於屏蔽面形成非屏蔽區域。藉由此種構成，可取得屏蔽效應與Q值之平衡，從而可一面確保屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。
進一步，於實施形態2中，於自電感器之捲繞軸之方向俯視時，電感器之空芯部之全域重疊於非屏蔽區域，因此可進一步抑制因藉由配置於與電感器之捲繞軸平行之面之屏蔽電極遮蔽磁通而引起之Q值之降低。
[實施形態3]
於實施形態1及實施形態2中，針對藉由在屏蔽面配置複數個帶狀導體圖案而形成非屏蔽區域之情形進行了說明。非屏蔽區域亦可不使用複數個帶狀導體圖案而形成。於實施形態3中，針對藉由在平板狀之屏蔽電極形成複數個孔而形成非屏蔽區域之情形進行說明。
實施形態3與實施形態1之差異在於藉由在平板狀之屏蔽電極形成複數個孔而形成非屏蔽區域之方面。除此以外之構成均相同，因此不重複進行說明。
圖22係作為實施形態3之電子零件之一例之低通濾波器3的外觀立體圖。如圖22所示，於低通濾波器3之側面SF1及SF4，分別配置有屏蔽電極SE1及SE4。雖未圖示，但於側面SF2及SF3，分別配置有屏蔽電極SE2及SE3。側面SF1~SF4之全域分別由屏蔽電極SE1~SE4覆蓋。
於上表面UF，配置有屏蔽電極PSE。於屏蔽電極PSE，形成有孔隙H1~H5。於上表面UF中形成有孔隙H1~H5之區域之各者為非屏蔽區域。屏蔽電極PSE係對應於本發明之局部屏蔽部。
圖23係表示自電感器L1之捲繞軸方向(積層方向)俯視圖22所示之低通濾波器3時之透視圖的圖。如圖23所示，於低通濾波器3中，電感器L1之空芯部AC1與由孔隙H3包圍之非屏蔽區域重疊。
以上，於實施形態3中，藉由在屏蔽電極形成孔隙，而於屏蔽面形成由該孔隙包圍之非屏蔽區域。其結果，可取得屏蔽效應與Q值之平衡，從而可一面確保屏蔽效應，一面抑制Q值之降低。
又，根據實施形態3，與藉由帶狀導體圖案形成非屏蔽區域之實施形態1相比，可對照電子零件之電路圖案而靈活地調整孔隙之位置及大小，因此能夠形成與電路圖案相符之非屏蔽區域。
進一步，根據實施形態3，可某種程度地容許磁通向電感器之捲繞軸方向之洩漏，因此可抑制Q值之降低。
此次揭示之實施形態及變形例亦預先規定了於不矛盾之範圍內適當組合而實施之情況。應明白此次揭示之實施形態之所有方面均為例示而非限制性者。本發明之範圍並非藉由上述說明表示而是藉由申請專利範圍表示，且意圖包含與申請專利範圍均等之意義及範圍內之所有變更。

Claims (14)

  1. 一種電子零件，具有由複數個介電層所構成之積層體，其特徵在於，具備：電路圖案，包含配置於上述積層體之內部，且形成電感器之導體圖案；及複數個帶狀導體圖案，其已接地；上述積層體包含：上表面；下表面，與上述上表面對向；側面，連結上述上表面與上述下表面；及內部面，位於上述電路圖案與上述上表面之間，且與上述上表面平行；上述複數個帶狀導體圖案覆蓋包含上述上表面、上述側面、及上述內部面中之至少1個之屏蔽面之一部分，於上述屏蔽面，形成有未由上述複數個帶狀導體圖案之任一者覆蓋、且可供自上述電感器產生之磁通通過之非屏蔽區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，上述複數個帶狀導體圖案包含於第1方向延伸之第1帶狀導體圖案、及於與上述第1方向不同之第2方向延伸之第2帶狀導體圖案。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，上述第1方向與上述第2方向正交。
  4. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，上述電感器係以捲繞於捲繞軸周圍之方式形成，上述屏蔽面係垂直於上述捲繞軸，上述電感器之空芯部之至少一部分區域係於自上述捲繞軸之方向俯視時，與上述非屏蔽區域重疊。
  5. 如申請專利範圍第4項之電子零件，其中，上述空芯部之全域係於自上述捲繞軸之方向俯視時，與上述非屏蔽區域重 疊。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之電子零件，其中，上述捲繞軸係與上述複數個介電層之積層方向平行。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件，其中，上述屏蔽面包含上述上表面。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件，其中，上述屏蔽面包含上述內部面。
  9. 如申請專利範圍第4或5項之電子零件，其中，上述捲繞軸係與上述複數個介電層之積層方向垂直。
  10. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件，其中，上述屏蔽面包含上述側面。
  11. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件，其中，進一步具備配置於上述下表面之複數個接地電極，上述複數個介電層之各者之介電常數相同，上述複數個帶狀導體圖案之各者連接於上述複數個接地電極中之任一者，上述複數個接地電極包含第1接地電極及第2接地電極，自上述第1接地電極經由上述複數個帶狀導體圖案而至上述第2接地電極之路徑之距離小於假定之雜訊之波長除以上述介電常數所得之有效波長的二分之一。
  12. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件，其中，進一步具備配置於上述下表面之接地電極，上述複數個介電層之各者之介電常數相同，上述複數個帶狀導體圖案之各者連接於上述接地電極，自上述接地電極經由上述複數個帶狀導體圖案而至上述複數個帶狀導體圖 案之開放端之路徑之距離小於假定之雜訊之波長除以上述介電常數所得之有效波長的四分之一。
  13. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件，其中，上述屏蔽面包含上述上表面及上述內部面中之至少一者，上述複數個介電層包含：第1介電層，包含上述屏蔽面；及第2介電層，形成有上述導體圖案；上述第1介電層之介電常數小於上述第2介電層之介電常數。
  14. 一種電子零件，係包含由複數個介電層所構成之積層體者，且具備：電路圖案，包含配置於上述積層體之內部，且形成以捲繞於捲繞軸周圍之方式形成之電感器之導體圖案；及局部屏蔽部，其已接地；上述電子零件包含：上表面；下表面，與上述上表面對向；側面，連結上述上表面與上述下表面；及內部面，位於上述電路圖案與上述上表面之間，且與上述上表面平行；上述局部屏蔽部覆蓋包含上述上表面、上述側面、及上述內部面中之至少1個之屏蔽面之一部分，於上述屏蔽面，形成有未由上述局部屏蔽部覆蓋之非屏蔽區域，上述非屏蔽區域係於自上述捲繞軸之方向俯視時，與上述電感器之空芯部之一部分重疊。
TW106129338A 2016-09-09 2017-08-29 Electronic parts TWI663834B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016176944 2016-09-09
JPJP2016-176944 2016-09-09
??PCT/JP2017/026771 2017-07-25
PCT/JP2017/026771 WO2018047488A1 (ja) 2016-09-09 2017-07-25 電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201826699A true TW201826699A (zh) 2018-07-16
TWI663834B TWI663834B (zh) 2019-06-21

Family

ID=61561775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106129338A TWI663834B (zh) 2016-09-09 2017-08-29 Electronic parts

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11276521B2 (zh)
JP (1) JP6750681B2 (zh)
CN (1) CN109661776B (zh)
TW (1) TWI663834B (zh)
WO (1) WO2018047488A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6900947B2 (ja) * 2018-12-28 2021-07-14 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP7545900B2 (ja) * 2021-01-05 2024-09-05 Tdk株式会社 積層型電子部品
WO2023048211A1 (ja) * 2021-09-24 2023-03-30 株式会社村田製作所 電子部品
WO2023048212A1 (ja) * 2021-09-24 2023-03-30 株式会社村田製作所 電子部品

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09121093A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Tdk Corp シールド型積層電子部品
JPH09205018A (ja) * 1996-01-24 1997-08-05 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ内蔵電子部品
JPH1131905A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分波器およびそれを用いた共用器および２周波帯域用移動体通信機器
JPH11261362A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Hitachi Metals Ltd 積層型バンドパスフィルタ
JP2000341087A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層回路素子の導電路形成方法
JP2001156569A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Murata Mfg Co Ltd 積層型ｌｃ複合部品
JP2002057543A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Murata Mfg Co Ltd 積層型ｌｃ部品
JP2002217059A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Murata Mfg Co Ltd 積層型ｌｃフィルタ
JP2003023332A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Kyocera Corp 電子回路用配線基板
JP2003198308A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型ｌｃフィルタ
JP3900104B2 (ja) * 2003-04-10 2007-04-04 松下電器産業株式会社 静電気対策部品
JP2006262239A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Soshin Electric Co Ltd フィルタ
JP2008054287A (ja) * 2006-07-27 2008-03-06 Murata Mfg Co Ltd ノイズフィルタアレイ
JP4995606B2 (ja) 2007-03-16 2012-08-08 双信電機株式会社 受動部品
US8228133B2 (en) * 2007-07-03 2012-07-24 Soshin Electric Co., Ltd. Unbalanced-balanced converter
WO2011033878A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社村田製作所 フィルタ
CN103190082B (zh) * 2010-11-24 2015-09-16 日立金属株式会社 电子部件
JP6064860B2 (ja) * 2013-10-09 2017-01-25 株式会社村田製作所 複合電子部品及び複合電子部品の製造方法
JP6277944B2 (ja) * 2014-11-20 2018-02-14 株式会社村田製作所 電子部品
JP6565555B2 (ja) * 2015-09-30 2019-08-28 Tdk株式会社 積層コモンモードフィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP6750681B2 (ja) 2020-09-02
TWI663834B (zh) 2019-06-21
CN109661776A (zh) 2019-04-19
US11276521B2 (en) 2022-03-15
JPWO2018047488A1 (ja) 2019-07-18
US20190198230A1 (en) 2019-06-27
WO2018047488A1 (ja) 2018-03-15
CN109661776B (zh) 2023-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6547707B2 (ja) 積層フィルタ
TWI656543B (zh) Electronic parts
TWI663834B (zh) Electronic parts
TW201929428A (zh) 積層帶通濾波器
JP6784184B2 (ja) バンドパスフィルタ
TW201820781A (zh) Ｌｃ濾波器
CN107210759A (zh) 高频开关模块
US11811381B2 (en) Filter element
TWI859695B (zh) 積層型濾波器
JP2017135636A (ja) 分波器
JP6711471B2 (ja) マルチプレクサ
JP2011049622A (ja) フィルタ部品
JP2015111784A (ja) 積層帯域除去フィルタ
JP2009088329A (ja) コイル部品
TW201807879A (zh) 積層濾波器
JP2011147090A (ja) 積層型マルチプレクサ、積層型トリプレクサ及びフィルタ回路
TW202002512A (zh) 積層複合濾波器裝置
JP6835094B2 (ja) 電子部品
TW202408077A (zh) 積層型電子零件
JP7737274B2 (ja) 積層型電子部品
TW202320093A (zh) 積層型電子零件
TW202320484A (zh) 積層型電子零件
JP2025152438A (ja) 積層型電子部品
JP2003298376A (ja) Ｌｃフィルタ
JPH06177692A (ja) 分布定数型ｌｃフィルタ