TW201824593A - 發光元件搭載用基板及其製造方法、以及搭載有發光元件之封裝體 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種於搭載並密封發光元件時能夠表現較高之氣密性之發光元件搭載用基板。 本發明之發光元件搭載用基板之特徵在於具備：氮化鋁基板2；配線電極4a、4b，其等設置於氮化鋁基板2之第1主面2a上，用以與發光元件連接；端子電極6a、6b，其等設置於氮化鋁基板2之第2主面2b上；通孔電極5a、5b，其等設置於氮化鋁基板2內，並將配線電極4a、4b與端子電極6a、6b連接；及框狀之光反射層3，其設置於氮化鋁基板2之第1主面2a上；且以自第1主面2a至第2主面2b之方式於氮化鋁基板2設置有通孔7a、7b，且於通孔7a、7b內配置有通孔電極5a、5b，通孔7a、7b由光反射層3密封。
Description
本發明係關於一種用以搭載發光二極體等發光元件之發光元件搭載用基板及其製造方法、以及使用該發光元件搭載用基板之搭載有發光元件之封裝體。
先前，為了搭載發光元件，而使用發光元件搭載用基板。作為搭載於發光元件搭載用基板之發光元件之一例的LED(Light Emitting Diode，發光二極體)為小型且消耗電力較低之光源。其中，白色LED作為代替白熾燈泡、或螢光燈之照明而受到關注。又，紫外LED於殺菌、空氣淨化、癌治療、或樹脂硬化等用途中作為紫外線光源而受到關注。 於下述專利文獻1中揭示有一種於氮化鋁基板上設置光反射層而成之發光元件搭載用基板。於專利文獻1中，在氮化鋁基板內設置有填孔。上述填孔將正面側電極與背面側電極連接。 又，於專利文獻1中揭示有一種於上述發光元件搭載用基板上搭載發光元件而成之發光裝置。上述發光元件連接於上述正面側電極。於專利文獻1中，以覆蓋上述發光元件之方式設置有樹脂，藉此將發光元件密封。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2015-144210號公報
[發明所欲解決之問題] 近年來，就更進一步提高殺菌或空氣淨化、或者樹脂硬化等性能之觀點而言，對深紫外線LED之關注不斷提高。於將深紫外線LED用作發光元件之情形時，需要進而更高之氣密性。 然而，專利文獻1之發光裝置係以發出可見光線之發光元件為前提，氣密性不充分。 本發明之目的在於提供一種於搭載並密封發光元件時能夠表現較高之氣密性之發光元件搭載用基板、該發光元件搭載用基板之製造方法、及使用該發光元件搭載用基板之搭載有發光元件之封裝體。 [解決問題之技術手段] 本發明之發光元件搭載用基板之特徵在於：其係用以搭載發光元件者，且具備：氮化鋁基板，其具有相互對向之第1及第2主面；配線電極，其設置於上述氮化鋁基板之上述第1主面上，用以與上述發光元件連接；端子電極，其設置於上述氮化鋁基板之上述第2主面上；通孔電極，其設置於上述氮化鋁基板內，並將上述配線電極與上述端子電極連接；及框狀之光反射層，其設置於上述氮化鋁基板之上述第1主面上；且以自上述第1主面至上述第2主面之方式於上述氮化鋁基板設置有通孔，於上述通孔內配置有上述通孔電極，上述通孔由上述光反射層密封。 本發明之發光元件搭載用基板較佳為上述光反射層由玻璃陶瓷構成。 本發明之發光元件搭載用基板之製造方法之特徵在於：其係按照本發明而構成之發光元件搭載用基板之製造方法，且包括以下步驟：於上述氮化鋁基板形成上述通孔；於上述氮化鋁基板中，在上述通孔內形成上述通孔電極，在上述第1及第2主面上分別形成上述配線電極及上述端子電極；以及於上述氮化鋁基板之上述第1主面上，以將上述通孔密封之方式形成上述光反射層。 本發明之搭載有發光元件之封裝體之特徵在於：其係用以將發光元件搭載並密封於內部者，且具備：發光元件搭載用基板，其按照本發明而構成；發光元件，其搭載於上述發光元件搭載用基板；玻璃蓋，其配置於上述發光元件搭載用基板中之上述光反射層之上部，將上述搭載有發光元件之封裝體內密封；及封接材料層，其配置於上述光反射層與上述玻璃蓋之間。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種於搭載並密封發光元件時能夠表現較高之氣密性之發光元件搭載用基板。
以下，對較佳之實施形態進行說明。但是，以下之實施形態僅為例示，本發明並不限定於以下之實施形態。又，於各圖式中，存在具有實質上相同之功能之構件係以相同之符號進行參照之情形。 [發光元件搭載用基板] 圖1係表示本發明之一實施形態之發光元件搭載用基板之模式性剖視圖。又，圖2係本發明之一實施形態之發光元件搭載用基板之模式性仰視圖。 如圖1所示，發光元件搭載用基板1具備氮化鋁基板2、光反射層3、配線電極4a、4b、通孔電極5a、5b及端子電極6a、6b。再者，發光元件搭載用基板1係用以搭載深紫外線LED等發光元件之基板。 氮化鋁基板2具有第1及第2主面2a、2b。第1及第2主面2a、2b相互對向。於氮化鋁基板2之第1主面2a上設置有配線電極4a、4b。配線電極4a、4b係用以與發光元件連接之電極。另一方面，於氮化鋁基板2之第2主面2b上設置有端子電極6a、6b。端子電極6a、6b係用以與外部連接之電極。 於氮化鋁基板2設置有通孔7a、7b。通孔7a、7b係以自第1主面2a至第2主面2b之方式設置。又，於通孔7a、7b內設置有通孔電極5a、5b。通孔電極5a、5b將配線電極4a、4b及端子電極6a、6b連接。 於氮化鋁基板2之第1主面2a設置有用以搭載發光元件之發光元件搭載區域2c。於第1主面2a上，以包圍該發光元件搭載區域2c之方式設置有框狀之光反射層3。光反射層3係以覆蓋通孔7a、7b之方式設置。更具體而言，光反射層3係以將通孔7a、7b密封之方式設置。再者，光反射層3例如可由玻璃陶瓷構成。 於本實施形態之發光元件搭載用基板1中，由於使用有氮化鋁基板2，故而散熱性優異。又，由於具有光反射層3，故而具有較高之反射率。進而，於發光元件搭載用基板1中，以覆蓋氮化鋁基板2之通孔7a、7b之方式設置有光反射層3，藉由光反射層3將通孔7a、7b密封。因此，能夠於搭載並密封發光元件時提高氣密性。關於該方面，於下述搭載有發光元件之封裝體之欄中詳細地進行說明。 再者，如圖1所示，於發光元件搭載用基板1中，光反射層3之內側面3a係以沿相對於氮化鋁基板2大致垂直之方向延伸之方式形成。但是，於本發明中，如圖3之變化例所示般，光反射層3之內側面3a亦可具有自下表面3c朝向上表面3b擴大之錐形狀。 又，於本發明中，亦可於光反射層3之內側面3a上設置有透光性之功能層。作為功能層，例如，可列舉：針對損傷或污漬或者化學性腐蝕等之保護塗層、波長過濾層、光擴散層、或干擾層等。 以下，對構成發光元件搭載用基板1等本發明之發光元件搭載用基板之各構件的詳細內容進行說明。 氮化鋁基板； 氮化鋁基板包含氮化鋁。氮化鋁基板亦可包含釔化合物、或鎢化合物等對氮化鋁進行燒結時之燒結助劑。 光反射層； 光反射層例如可由玻璃陶瓷構成。作為玻璃陶瓷之材料，可使用玻璃粉末及陶瓷粉末之混合粉末、或晶質玻璃粉末。 作為玻璃粉末，可使用SiO2
-B3
O3
系玻璃、SiO2
-RO系玻璃(R表示鹼土類金屬)、SiO2
-Al2
O3
系玻璃、SiO2
-ZnO系玻璃、SiO2
-R2
O系玻璃(R表示鹼金屬)、或SiO2
-TiO2
系玻璃等。該等玻璃粉末可單獨使用，亦可併用複數種。 作為陶瓷粉末，可使用氧化鋁、氧化鋯或氧化鈦等。該等陶瓷粉末可單獨使用，亦可併用複數種。 功能層； 作為功能層之材料，並無特別限定，可列舉：矽酸系玻璃等玻璃、氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化鉭、或氧化鈮等金屬氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、或聚丙烯酸酯等樹脂。該等材料可單獨使用，亦可併用複數種。 [發光元件搭載用基板之製造方法] 以下，參照圖4(a)～(d)，對發光元件搭載用基板1之製造方法進行說明。 首先，如圖4(a)所示，準備煅燒前之氮化鋁基板2A。繼而，如圖4(b)所示，於所準備之煅燒前之氮化鋁基板2A形成通孔7a、7b。作為通孔7a、7b之形成方法，並無特別限定，例如，可藉由利用鑽孔器之機械加工、或雷射加工而形成。 其次，如圖4(c)所示，形成配線電極4a、4b、通孔電極5a、5b及端子電極6a、6b。 作為各電極之形成方法，並無特別限定，例如，可藉由印刷而形成。作為印刷所使用之糊劑，並無特別限定，例如，可使用銀、銅、金、銀鈀合金、或銀鉑合金等糊劑。其等可單獨使用，亦可併用複數種。 再者，糊劑之印刷可藉由以下方法進行：首先，於通孔7a、7b內填充通孔電極5a、5b形成用糊劑，繼而，於煅燒前之氮化鋁基板2A印刷配線電極4a、4b形成用糊劑及端子電極6a、6b形成用糊劑。 其次，對煅燒前之氮化鋁基板2A及各糊劑進行煅燒。藉此，形成氮化鋁基板2、配線電極4a、4b、通孔電極5a、5b及端子電極6a、6b。此時，於對構成各糊劑之材料使用銅之情形時，於氮氣環境下進行煅燒。另一方面，於對構成各糊劑之材料使用金、銀、或包含銀之合金之情形時，於大氣中進行煅燒。於在大氣中進行煅燒之情形時，較佳為將煅燒溫度設為1200℃以下。若煅燒溫度超過1200℃，則存在氮化鋁之表面氧化而熱導率下降之情形。再者，各糊劑之煅燒亦可與形成下述光反射層3時之煅燒同時進行。 又，於對各電極進行鍍覆之情形時，例如可實施鍍金。作為鍍覆之方法，例如可列舉無電鍍、或電鍍，可根據鍍層之厚度適當選擇。 其次，如圖4(d)所示，於氮化鋁基板2上形成光反射層3。此時，光反射層3係以覆蓋通孔7a、7b之方式形成。藉此，可將通孔7a、7b密封，而獲得發光元件搭載用基板1。 光反射層3較佳為由玻璃陶瓷形成。於此情形時，能夠更進一步提高光之反射率，且能夠更進一步提高與氮化鋁基板2之接著性。 作為形成光反射層3之方法，並無特別限定，例如，可列舉網版印刷法或坯片積層法等。 於使用玻璃陶瓷並藉由網版印刷法形成光反射層3之情形時，可藉由以下方法進行：使用網版印刷機將藉由向玻璃陶瓷粉末中添加樹脂黏合劑及溶劑並進行混練而製作之高黏性之糊劑印刷至氮化鋁基板2。 又，於使用玻璃陶瓷並藉由坯片積層法形成光反射層3之情形時，首先，向玻璃陶瓷粉末中添加樹脂黏合劑、塑化劑及溶劑並進行混練，藉此製作漿料。繼而，使用刮刀等片材成形機將所製作之漿料成形為坯片。其次，將所獲得之坯片衝壓成光反射層3之形狀，並藉由壓接使其積層於氮化鋁基板2。 由於在網版印刷法及坯片積層法之任一方法中均使用有樹脂黏合劑，故而煅燒可以脫樹脂黏合劑以及使玻璃陶瓷粉末燒結之正式煅燒之2個階段進行。 於使用丙烯酸系樹脂及丁醛樹脂作為樹脂黏合劑之情形時，例如可於400℃～600℃下進行脫樹脂黏合劑。又，正式煅燒例如可於850℃～1000℃下進行。 再者，於需要進行錐形加工之情形時，利用鑽孔加工機等將煅燒前之光反射層3斜向切取，藉此能夠加工成錐形狀。 於發光元件搭載用基板1之製造方法中，由於使用氮化鋁基板2，故而散熱性優異。又，由於設置有光反射層3，故而具有較高之反射率。進而，於發光元件搭載用基板1中，由於以將氮化鋁基板2之通孔7a、7b密封之方式形成有光反射層3，故而於搭載並密封發光元件時能夠提高氣密性。關於該方面，於下述搭載有發光元件之封裝體之欄中詳細地進行說明。 [搭載有發光元件之封裝體] 圖5係表示本發明之一實施形態之搭載有發光元件之封裝體之模式性剖視圖。 如圖5所示，搭載有發光元件之封裝體21具備發光元件搭載用基板1、玻璃蓋8、封接材料層9及發光元件10。發光元件搭載用基板1係上述本發明之一實施形態之發光元件搭載用基板。 發光元件10係搭載於發光元件搭載用基板1。發光元件10連接於發光元件搭載用基板1之配線電極4a、4b。作為發光元件10，可列舉：深紫外線LED、或組合藍色LED與黃色蛍光體所得之白色LED。 又，於發光元件搭載用基板1中之光反射層3之上表面3b上配置有玻璃蓋8。玻璃蓋8係用以將搭載有發光元件之封裝體21內密封之構件。再者，在光反射層3與玻璃蓋8之間設置有封接材料層9。藉由封接材料層9將光反射層3與玻璃蓋8接合。 於搭載有發光元件之封裝體21中，由於在發光元件搭載用基板1使用有氮化鋁基板2，故而散熱性優異。又，由於在發光元件搭載用基板1使用有光反射層3，故而提高反射率。進而，於搭載有發光元件之封裝體21中，由於並非藉由樹脂而藉由玻璃蓋8進行密封，故而不會如樹脂般因紫外線而劣化，從而氣密性下降。又，由於以覆蓋氮化鋁基板2之通孔7a、7b之方式設置有光反射層3，故而通孔7a、7b被密封，而更進一步提高氣密性。進而，於搭載有發光元件之封裝體21中，由於構成材料全部為無機材料，故而對紫外線之耐久性優異。 再者，關於藉由利用光反射層3將通孔7a、7b密封而提高氣密性之理由，可以如下方式進行說明。 圖7係表示比較例之搭載有發光元件之封裝體之模式性剖視圖。 如圖7所示，於比較例之搭載有發光元件之封裝體101中，於俯視下，通孔107a、107b未設置於與光反射層103重疊之位置。更具體而言，通孔107a、107b未被光反射層103密封。因此，既便於藉由玻璃蓋108將發光元件搭載用基板100密封之情形時，亦存在水分經由通孔107a、107b而滲入之情況。更具體而言，存在如下情況：於通孔107a、107b內，水分自氮化鋁基板102與通孔電極105a、105b之界面滲入。因此，於比較例之搭載有發光元件之封裝體101中，未充分地提高氣密性。 相對於此，於本實施形態之搭載有發光元件之封裝體21中，通孔7a、7b由光反射層3密封。因此，可藉由光反射層3防止水分經由通孔7a、7b滲入。更具體而言，可藉由光反射層3防止水分自氮化鋁基板2與通孔電極5a、5b之界面滲入。如此，於搭載有發光元件之封裝體21中，由於能夠藉由光反射層3防止水分之滲入，故而提高了氣密性。 以下，對搭載有發光元件之封裝體21之製造方法之一例進行說明。 (製造方法) 圖6(a)～(d)係用以說明本發明之一實施形態之搭載有發光元件之封裝體之製造方法的模式性剖視圖。 於搭載有發光元件之封裝體21之製造方法中，首先，利用上述方法準備圖6(a)所示之發光元件搭載用基板1。繼而，如圖6(b)所示，於發光元件搭載用基板1上搭載發光元件10。發光元件10與發光元件搭載用基板1之連接例如可藉由利用焊料球之連接、或利用導線結合之連接而進行。 其次，於光反射層3之上表面3b上印刷封接材料。於印刷封接材料後，使其乾燥，並進行熱處理而使封接材料燒結，從而形成圖6(c)所示之封接材料層9。再者，封接材料層9亦可形成於玻璃蓋8側，或者亦可形成於玻璃蓋8側及光反射層3側兩者。 其次，如圖6(d)所示，於光反射層3之上表面3b上設置有封接材料層9之部分，配置玻璃蓋8。再者，玻璃蓋8係只要以於俯視下至少一部分與設置有封接材料層9之部分重疊之方式配置即可。但是，玻璃蓋8較佳為以於俯視下與設置有封接材料層9之部分完全重疊之方式配置。 其次，於在光反射層3之上表面3b上經由封接材料層9而配置有玻璃蓋8之狀態下，自雷射光源照射雷射，使封接材料層9軟化，從而使光反射層3及玻璃蓋8接合。藉此，將內部氣密式密封，而獲得搭載有發光元件之封裝體21。根據該方法，可僅對封接材料層9局部性地進行加熱，故而可不使深紫外線LED等耐熱性較低之發光元件10劣化地將封裝體內氣密式密封。作為上述雷射，例如，可使用波長為600 nm～1600 nm之雷射。 以下，對構成搭載有發光元件之封裝體21等本發明之搭載有發光元件之封裝體之各構件的詳細內容進行說明。 玻璃蓋； 作為構成玻璃蓋之玻璃，較佳為紫外線透過玻璃。作為構成玻璃蓋之玻璃之具體例，可列舉：SiO2
-B2
O3
-RO(R為Mg、Ca、Sr或Ba)系玻璃、SiO2
-B2
O3
-R'2
O(R'為Li、Na或Ka)系玻璃、SiO2
-B2
O3
-RO-R'2
O(R'為Li、Na或Ka)系玻璃等。 封接材料層； 用以形成封接材料層之封接材料較佳為包含Bi2
O3
系玻璃粉末、SnO-P2
O5
系玻璃粉末、V2
O5
-TeO2
系玻璃粉末等低熔點之封接玻璃。尤其是於照射雷射而進行密封之情形時，就以進而更短時間之加熱使封接材料軟化之必要性及更進一步提高接合強度之觀點而言，更佳為對封接玻璃使用軟化點較低之鉍系玻璃粉末。又，亦可於封接材料中包含低膨脹耐火性填料、或雷射吸收材等。作為低膨脹耐火性填料，例如可列舉：堇青石、矽鋅礦、氧化鋁、磷酸鋯系化合物、鋯英石、氧化鋯、氧化錫、石英玻璃、β-石英固溶體、β-鋰霞石、鋰輝石。又，作為雷射吸收材，例如可列舉選自Fe、Mn、Cu等之至少1種金屬或包含該金屬之氧化物等化合物。 以下，基於具體之實施例，對本發明進一步詳細地進行說明，但本發明不受以下實施例任何限定，可於不變更其主旨之範圍內適當進行變更而實施。 (實施例1) 於實施例1中，製作圖5所示之搭載有發光元件之封裝體21。 更具體而言，首先，於厚度0.3 mm之氮化鋁基板2之2個部位，使用半導體雷射形成直徑0.2 mm之通孔7a、7b。其次，經由金屬遮罩將銀糊劑填充至通孔7a、7b內，以0.2 mm之配線寬度印刷銀糊劑，並於氮化鋁基板2之第1及第2主面2a、2b進行電連接。其次，於第1主面2a印刷配線電極4a、4b形成用之銀糊劑。又，於第2主面2b印刷端子電極6a、6b形成用之銀糊劑。其次，將塗佈有各銀糊劑之氮化鋁基板2於大氣中以850℃之溫度煅燒20分鐘。 其次，將成為光反射層3之厚度200 μm之坯片衝壓成所需圖案，以積層6層之狀態即1200 μm之厚度且以80℃之溫度熱壓接至氮化鋁基板2。此時，於通孔7a、7b被光反射層3完全密封之位置進行熱壓接。 其次，於在氮化鋁基板2上形成有坯片之狀態下，使用電爐進行煅燒。為了使銀糊劑及坯片所包含之樹脂黏合劑氣化，而以500℃保持2小時，其後，為了使銀與玻璃陶瓷燒結，而以850℃保持1小時。 其次，對所獲得之發光元件搭載用基板1實施鍍鎳及鍍金，使用焊料球將作為發光元件10之深紫外線LED封裝。繼而，於光反射層3之上表面3b塗佈玻璃料，安裝作為玻璃蓋8之紫外線透過玻璃並進行雷射密封，藉此獲得封裝有深紫外線LED之搭載有發光元件之封裝體21。 (比較例1) 於比較例1中，製作圖7所示之搭載有發光元件之封裝體101。 具體而言，如圖7所示，於不與光反射層103重疊之位置形成通孔107a、107b，除此以外，以與實施例1相同之方式製作搭載有發光元件之封裝體101。 (評價) 關於實施例1及比較例1中所獲得之搭載有發光元件之封裝體21、101，分別於121℃、2氣壓及濕度100%之條件下，於壓力容器內保持24小時。其結果，於實施例1中未觀察到變化，但於比較例1中在封裝體內部觀察到結露。藉此，可確認：實施例1之搭載有發光元件之封裝體21與比較例1之搭載有發光元件之封裝體101相比氣密性提高。
1‧‧‧發光元件搭載用基板
2‧‧‧氮化鋁基板
2A‧‧‧煅燒前之氮化鋁基板
2a‧‧‧第1主面
2b‧‧‧第2主面
2c‧‧‧發光元件搭載區域
3‧‧‧光反射層
3a‧‧‧內側面
3b‧‧‧上表面
3c‧‧‧下表面
4a‧‧‧配線電極
4b‧‧‧配線電極
5a‧‧‧通孔電極
5b‧‧‧通孔電極
6a‧‧‧端子電極
6b‧‧‧端子電極
7a‧‧‧通孔
7b‧‧‧通孔
8‧‧‧玻璃蓋
9‧‧‧封接材料層
10‧‧‧發光元件
21‧‧‧搭載有發光元件之封裝體
100‧‧‧發光元件搭載用基板
101‧‧‧搭載有發光元件之封裝體
102‧‧‧氮化鋁基板
103‧‧‧光反射層
105a‧‧‧通孔電極
105b‧‧‧通孔電極
107a‧‧‧通孔
107b‧‧‧通孔
108‧‧‧玻璃蓋
圖1係表示本發明之一實施形態之發光元件搭載用基板的模式性剖視圖。 圖2係本發明之一實施形態之發光元件搭載用基板之模式性仰視圖。 圖3係表示本發明之一實施形態之發光元件搭載用基板之變化例的模式性剖視圖。 圖4(a)～(d)係用以說明本發明之一實施形態之發光元件搭載用基板之製造方法的模式性剖視圖。 圖5係表示本發明之一實施形態之搭載有發光元件之封裝體之模式性剖視圖。 圖6(a)～(d)係用以說明本發明之一實施形態之搭載有發光元件之封裝體之製造方法的模式性剖視圖。 圖7係表示比較例之搭載有發光元件之封裝體之模式性剖視圖。
Claims (4)
- 一種發光元件搭載用基板，其係用以搭載發光元件者，且具備： 氮化鋁基板，其具有相互對向之第1及第2主面； 配線電極，其設置於上述氮化鋁基板之上述第1主面上，用以與上述發光元件連接； 端子電極，其設置於上述氮化鋁基板之上述第2主面上； 通孔電極，其設置於上述氮化鋁基板內，並將上述配線電極與上述端子電極連接；及 框狀之光反射層，其設置於上述氮化鋁基板之上述第1主面上；且 以自上述第1主面至上述第2主面之方式，於上述氮化鋁基板設置有通孔， 於上述通孔內配置有上述通孔電極， 上述通孔由上述光反射層密封。
- 如請求項1之發光元件搭載用基板，其中上述光反射層由玻璃陶瓷構成。
- 一種發光元件搭載用基板之製造方法，其係如請求項1或2之發光元件搭載用基板之製造方法，且包括如下步驟： 於上述氮化鋁基板形成上述通孔； 於上述氮化鋁基板中，在上述通孔內形成上述通孔電極，在上述第1及第2主面上分別形成上述配線電極及上述端子電極；及 於上述氮化鋁基板之上述第1主面上，以將上述通孔密封之方式形成上述光反射層。
- 一種搭載有發光元件之封裝體，其係用以將發光元件搭載並密封於內部者，且具備： 如請求項1或2之發光元件搭載用基板； 發光元件，其搭載於上述發光元件搭載用基板； 玻璃蓋，其配置於上述發光元件搭載用基板中之上述光反射層之上部，將上述搭載有發光元件之封裝體內密封；及 封接材料層，其配置於上述光反射層與上述玻璃蓋之間。
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