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TW201812071A - 用於沉積鑭、氧化鑭及氮化鑭薄膜之鑭前驅物 - Google Patents

用於沉積鑭、氧化鑭及氮化鑭薄膜之鑭前驅物 Download PDF

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應用材料股份有限公司
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Abstract

金屬配位錯合物包含配位至至少一個氮雜-烯丙基配位體的金屬原子，該配位體具有由下式表示之結構：其中各個R1 -R4 獨立地選自由H、支鏈或非支鏈C1-C6烷基、支鏈或非支鏈C1-C6烯基、支鏈或非支鏈C1-C6炔基、具有1至6個碳原子範圍之環烷基、矽烷基及鹵素所組成之群組。亦描述了使用金屬配位錯合物及適宜反應物來沉積薄膜之方法。

Description

用於沉積鑭、氧化鑭及氮化鑭薄膜之鑭前驅物
本揭示大体而言係關於沉積薄膜之方法。特定言之，本揭示係關於鑭前驅物及沉積含鑭薄膜之方法。
鑭可用於閘極中作為高k金屬閘極氧化物材料或作為功函數調諧材料。用於閘極之前驅物應具有充分穩定性以在傳遞條件下安瓿壽命過程中維持不變。前驅物亦應在傳遞條件下具有充分蒸氣壓以在短時期內傳遞飽和劑量。適宜前驅物亦應與共反應物反應以產生所要LaO、LaN或La薄膜。
由此，在本領域中存在對用於沉積含鑭薄膜之鑭前驅物的需要。
本揭示之一或更多個實施例係關於金屬配位錯合物，其包含配位至至少一個氮雜-烯丙基配位體的金屬原子，該配位體具有由下式表示之結構：其中各個R1 -R4 獨立地選自由H、支鏈或非支鏈C1-C6烷基、支鏈或非支鏈C1-C6烯基、支鏈或非支鏈C1-C6炔基、具有在1至6個碳原子範圍之環烷基、矽烷基及鹵素組成之群組。
本揭示之另外實施例係關於包含鑭原子的金屬配位錯合物，其具有以下一般結構：其中各個R獨立地選自由H、支鏈或非支鏈C1-C6烷基、支鏈或非支鏈C1-C6烯基、支鏈或非支鏈C1-C6炔基、具有1至6個碳原子範圍之環烷基、矽烷基及鹵素組成之群組。
本揭示之進一步實施例係關於處理方法，其包含將基板表面暴露於金屬前驅物及反應物以在基板表面上沉積薄膜。金屬前驅物包含金屬配位錯合物，其具有配位至至少一個氮雜-烯丙基配位體的金屬原子，該配位體具有由下式表示之結構：其中各個R1 -R4 獨立地選自由H、支鏈或非支鏈C1-C6烷基、支鏈或非支鏈C1-C6烯基、支鏈或非支鏈C1-C6炔基、具有1至6個碳原子範圍之環烷基、矽烷基及鹵素組成之群組。
在描述本發明之若干例示性實施例之前，應瞭解本發明不限於在以下描述中闡述之構造或製程步驟之細節。本發明能夠具有其他實施例並且能夠以各種方式實踐或實行。
如本文所使用之「基板」指在製造過程期間在其上進行薄膜處理的任何基板或基板上形成之材料表面。例如，其上可進行處理之基板表面包括材料諸如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上矽(silicon on insulator; SOI)、碳摻雜之氧化矽、非晶矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石、及任何其他材料諸如金屬、金屬氮化物、金屬合金、及其他導電材料，取決於應用。基板包括但不限於半導體晶圓。基板可被暴露於預處理製程以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、UV固化、電子束固化及/或烘烤基板表面。除在基板本身的表面上直接進行薄膜處理之外，在本發明中，所揭示之任何薄膜處理步驟亦可如後文更詳細揭示在基板上形成之底層上進行，並且術語「基板表面」意欲根據語境所指示包括此類底層。因此，例如，在薄膜/層或部分膜/層已經沉積至基板表面上的情況下，新沉積之薄膜/層的暴露表面變為基板表面。
本揭示之實施例係關於一類新的結合氮雜-烯丙基配位體之金屬（例如，La）前驅物。式(1)顯示可與本揭示之各個實施例一起使用的氮雜-烯丙基配位體之一般結構。本揭示之一些實施例係關於金屬配位錯合物，其包含配位至至少一個配位體的金屬原子，該配位體具有由式(1)表示之結構：其中各個R1 -R4 獨立地選自由H、支鏈或非支鏈C1-C6烷基、支鏈或非支鏈C1-C6烯基、支鏈或非支鏈C1-C6炔基、具有1至6個碳原子範圍之環烷基、矽烷基及鹵素組成之群組。
一些實施例之氮雜-烯丙基配位體具有基本結構N-C=C，在基本原子各者上之取代基可係H、支鏈或非支鏈烷基、烯基、炔基、具有1至6個碳原子範圍之環烷基、矽烷基及鹵素。在一些實施例中，R基團中之一或兩個係具有4或5個碳原子的烷基並且其他R基團係氫。在一或更多個實施例中，R基團中之一或兩個係三甲基矽烷基並且其他R基團係氫。在一些實施例中，一或兩個R基團係三氟甲基並且其他R基團係氫。
不受限於任何特定操作理論，據信配位體係單陰離子的並且能夠經由ƞ1 -N及ƞ2 -CC鍵合模式結合至金屬原子。
在一些實施例中，二、三或四個配位體結合至各個金屬原子。該等化合物可係全同配位體（全部配位體係相同的）或不全同配位體（不同配位體）。在一或更多個實施例中，鑭原子使用ƞ1 -C及ƞ2 -CN鍵合模式平衡存在。
該金屬可係包括鑭系元素、釔或鈧中的任一者的任何適宜金屬。在一些實施例中，該金屬選自由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc及其組合組成之群組。實例及實施例可關於鑭原子論述；然而，熟習該項技術者應瞭解此僅僅係例示性並且不應視為限制本揭示之範疇。
不受限於任何特定操作理論，據信氮雜-烯丙基與鑭系元素之結合與方案2一致。
在用作原子層沉積或化學氣相沉積前驅物時，適宜化合物可與氮雜-烯丙基前驅物反應。在化學氣相沉積(chemical vapor deposition; CVD)製程中，允許氮雜-烯丙基前驅物及共反應物以氣相混合並反應以在基板表面上沉積。
在原子層沉積(atomic layer deposition; ALD)製程中，氮雜-烯丙基前驅物及共反應物單獨流入處理腔室中，或流入處理腔室之分開隔離部分中以防止或最小化任何氣相反應。在ALD製程中，允許氮雜-烯丙基前驅物化學吸附基板表面或在基板表面上之材料或者與該基板表面或該材料反應。該共反應物可隨後與經化學吸附之氮雜-烯丙基反應以形成目標薄膜。在ALD反應中，該前驅物及共反應物相繼地暴露於基板表面；意謂於任何時間前驅物及共反應物中之一者暴露至基板表面（或基板表面之部分）。
適宜共反應物包括但不限於氫、氨、肼、肼衍生物、氧、臭氧、水、過氧化物、其組合及電漿。在一些實施例中，該共反應物包含NH3 、肼、肼衍生物、NO2 、其組合、其電漿及/或氮電漿中的一或更多個以沉積金屬氮化物薄膜（例如，Lax Ny ）。在一些實施例中，該共反應物包含O2 、O3 、H2 O2 、水、其電漿及/或其組合中的一或更多個以沉積金屬氧化物薄膜（例如，Lax Oy ）。在一些實施例中，該共反應物包含H2 、肼、其組合、其電漿、氬電漿、氮電漿、氦電漿、Ar/N2 電漿、Ar/He電漿、N2 /He電漿及/或Ar/N2 、He電漿中的一或更多個以沉積金屬薄膜（例如，La）。
本揭示之一些實施例係關於鑭前驅物及沉積含鑭薄膜之方法。一些實施例之含鑭薄膜包含鑭金屬、鑭氧化物、鑭氮化物、鑭碳化物、鑭硼化物、鑭氮氧化物、鑭碳氧化物、鑭硼氧化物、鑭氮碳化物、鑭碳硼化物、鑭氮碳氧化物、鑭氮硼氧化物及/或鑭氮碳硼氧化物。熟習該項技術者應瞭解所沉積之薄膜可具有在原子基礎上之非化學計量量之金屬、氧、氮、碳及/或硼原子。硼及/碳原子可從金屬前驅物或反應物結合。
在本說明書全文中提及「一個實施例」、「某些實施例」、「一或更多個實施例」或「一實施例」意謂結合該實施例描述之特定特徵、結構、材料、或特性係包括在本發明之至少一個實施例中。因此，在本說明書全文各種位置出現用語如「在一或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」、或「在一實施例中」並非必須指本發明之相同實施例。此外，特定特徵、結構、材料、或特性可以任何適宜方式結合在一或更多個實施例中。
儘管本發明已經參考特定實施例描述，應理解此等實施例僅僅說明本發明之原理及應用。對熟習該項技術者顯而易見的是，在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，可對本發明之方法及設備做出各種修改及變化。因此，本發明意欲包括在隨附申請專利範圍之範疇中的修改及變化及其等效物。
無
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Claims (20)

  1. 一種金屬配位錯合物，其包含一金屬原子，該金屬原子配位至至少一個氮雜-烯丙基配位體，該配位體具有由下式表示之結構：其中各個R1 -R4 獨立地選自由H、支鏈或非支鏈C1-C6烷基、支鏈或非支鏈C1-C6烯基、支鏈或非支鏈C1-C6炔基、具有1至6個碳原子之範圍之環烷基、矽烷基及鹵素組成之群組。
  2. 如請求項1所述之金屬配位錯合物，其中各個或該等R基團獨立地選自H及支鏈或非支鏈C1-C6烷基。
  3. 如請求項1所述之金屬配位錯合物，其中該等R基團之一或兩個包含具有4或5個碳原子的一烷基。
  4. 如請求項1所述之金屬配位錯合物，其中該等R基團之一或兩個係一三甲基矽烷基。
  5. 如請求項1所述之金屬配位錯合物，其中該等R基團之一或兩個包含一三氟甲基。
  6. 如請求項1所述之金屬配位錯合物，其中該金屬原子選自由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc及其組合組成之群組。
  7. 如請求項6所述之金屬配位錯合物，其中該金屬原子包含La並且存在三個氮雜-烯丙基配位體。
  8. 一種包含鑭原子的金屬配位錯合物，具有以下一般結構：其中各個R獨立地選自由H、支鏈或非支鏈C1-C6烷基、支鏈或非支鏈C1-C6烯基、支鏈或非支鏈C1-C6炔基、具有1至6個碳原子之範圍之環烷基、矽烷基及鹵素組成之群組。
  9. 如請求項8所述之金屬配位錯合物，其中各個R選自由H及支鏈或非支鏈C1-C6烷基組成之群組。
  10. 如請求項8所述之金屬配位錯合物，其中該錯合物係全同配位體。
  11. 如請求項8所述之金屬配位錯合物，其中該錯合物係不全同配位體。
  12. 一種處理方法，其包含以下步驟：將一基板表面暴露於一金屬前驅物及一反應物以在該基板表面上沉積一薄膜，該金屬前驅物包含一金屬配位錯合物，該錯合物具有配位至至少一個氮雜-烯丙基配位體的一金屬原子，該配位體具有由下式表示之結構：其中各個R1 -R4 獨立地選自由H、支鏈或非支鏈C1-C6烷基、支鏈或非支鏈C1-C6烯基、支鏈或非支鏈C1-C6炔基、具有1至6個碳原子之範圍之環烷基、矽烷基及鹵素組成之群組。
  13. 如請求項12所述之處理方法，其中該金屬原子選自由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc及其組合組成之群組。
  14. 如請求項13所述之處理方法，其中該金屬原子包含La並且存在三個氮雜-烯丙基配位體。
  15. 如請求項14所述之處理方法，其中該金屬配位錯合物係全同配位體。
  16. 如請求項14所述之處理方法，其中該金屬配位錯合物係不全同配位體。
  17. 如請求項12所述之處理方法，其中該反應物包含NH3 、肼、肼衍生物、NO2 、其組合、其電漿或氮電漿中的一或更多個以沉積一金屬氮化物薄膜。
  18. 如請求項12所述之處理方法，其中該反應物包含O2 、O3 、H2 O2 、水、其電漿或其組合中的一或更多個以沉積一金屬氧化物薄膜。
  19. 如請求項12所述之處理方法，其中在一些實施例中該反應物，該共反應物包含H2 、肼、其組合、其電漿、氬電漿、氮電漿、氦電漿、Ar/N2 電漿、Ar/He電漿、N2 /He電漿或Ar/N2 /He電漿中的一或更多個以沉積一金屬薄膜。
  20. 如請求項12所述之處理方法，其中該金屬前驅物及該反應物相繼暴露至該基板表面。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI808951B (zh) * 2016-11-28 2023-07-21 美商應用材料股份有限公司 用於過渡金屬的金屬、金屬氮化物，及金屬氧化物系膜的沉積之前驅物

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI742092B (zh) * 2016-06-13 2021-10-11 美商應用材料股份有限公司 用於ald、cvd與薄膜摻雜之鑭系、釔與鈧前驅物及使用方法
US11473198B2 (en) 2019-01-25 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Homoleptic lanthanide deposition precursors
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KR20250082116A (ko) 2023-11-29 2025-06-09 에스케이트리켐 주식회사 란탄족 금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 란탄족 금속 함유 박막 형성 방법 및 상기 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR20250140035A (ko) 2024-03-15 2025-09-24 에스케이트리켐 주식회사 이트륨(Y), 스칸듐(Sc) 또는 란탄족(Ln) 금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR20250140001A (ko) 2024-03-15 2025-09-24 에스케이트리켐 주식회사 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6214729B1 (en) * 1998-09-01 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Metal complexes with chelating C-, N-donor ligands for forming metal-containing films
US6265222B1 (en) * 1999-01-15 2001-07-24 Dimeo, Jr. Frank Micro-machined thin film hydrogen gas sensor, and method of making and using the same
JP2003529748A (ja) * 1999-11-18 2003-10-07 アドバンスド．テクノロジー．マテリアルス．インコーポレイテッド 光学的水素検出装置
US7033560B2 (en) * 2002-08-30 2006-04-25 Air Products And Chemicals, Inc. Single source mixtures of metal siloxides
US20040215030A1 (en) * 2003-04-22 2004-10-28 Norman John Anthony Thomas Precursors for metal containing films
US20080248648A1 (en) * 2007-04-06 2008-10-09 Thompson David M Deposition precursors for semiconductor applications
US8142847B2 (en) * 2007-07-13 2012-03-27 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Precursor compositions and methods
JP2010094583A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Nippon Soda Co Ltd 有機薄膜の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI808951B (zh) * 2016-11-28 2023-07-21 美商應用材料股份有限公司 用於過渡金屬的金屬、金屬氮化物，及金屬氧化物系膜的沉積之前驅物

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