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TW201811137A - 藉由黏著劑轉移之電路製備 - Google Patents

藉由黏著劑轉移之電路製備 Download PDF

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TW201811137A
TW201811137A TW106112662A TW106112662A TW201811137A TW 201811137 A TW201811137 A TW 201811137A TW 106112662 A TW106112662 A TW 106112662A TW 106112662 A TW106112662 A TW 106112662A TW 201811137 A TW201811137 A TW 201811137A
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約翰 達克 李
傑佛瑞 威廉 麥考特席恩
摩西斯 米卡拉 大衛
宏 夕恩 川恩
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３Ｍ新設資產公司
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Abstract

包括電路之多層物品係藉由電路元件至一黏著劑表面的黏著劑轉移來製備。使用了許多不同的方法，其中所有方法均包括在一離型基材上使用單層的電路形成材料以及結構化以產生電路元件，該等電路元件可經轉移至一黏著劑表面。在一些方法中，一結構化離型基材係用於自離型基材上的突起部或自離型基材上的凹陷處的任一者選擇性轉移電路形成材料。在其他方法中，使用一未結構化離型基材，且係經壓紋以形成一結構化離型基材或者與一結構化黏著劑層接觸以選擇性轉移電路形成材料。

Description

藉由黏著劑轉移之電路製備
此揭露大致上係關於電路及用於製備電路之方法。
電子產業需要廣範圍的電路。此等電路之大小已變得越來越小，使其等之製備愈加困難。大致上，兩類型的程序係用於製備電路，加成法程序(additive process)及減成法程序(subtractive process)。
在加成法程序中，電路元件係藉由添加一材料至一表面而形成於一表面上。在一些程序中，以形成電路之一圖案將材料施加至表面。合適程序之實例包括如印刷一導電油墨至一表面者。在此程序之其他實例中，表面係經遮罩。在此等程序中，可藉由(例如)以濺鍍沉積一薄金屬層來添加一毯式塗層(blanket coating)。當移除遮罩時，僅未經遮罩的部分具有一薄金屬層。
在減成法程序中，一連續材料層(例如一薄金屬層)係經選擇性移除以形成電路。合適的移除程序之實例包括蝕刻及雷射剝蝕。再次，表面可經遮罩以保護在移除程序前不被移除的部分。
此等程序之各者具有優點及缺點。在一些情況下，所欲的是在表面上存在可能對此等程序有問題的一小電路，因為表面可對 此等程序敏感。此一類表面的一實例係一黏著劑表面。黏著劑的性質大致上係彈性或黏彈性的，且因此表面可受到金屬沉積等之損壞。另外，由於黏著劑係非剛性的，其可能難以在黏著劑表面上形成電路。電路在黏著劑表面上之形成特別所欲的係形成在其中將電路定位於一黏著劑層與一基材層之間的層壓板。
已使用許多方法，該等方法涉及電路或電路前驅物結合黏著劑層。例如，美國專利第5,761,801號(Gebhardt等人)說明一用於製作一導電膜複合物之方法，該導電膜複合物含有一控制流介電質熱固性樹脂膜層及一導熱及導電之金屬箔層，該金屬箔層直接以黏著劑與該樹脂膜的一側接合。該方法涉及將一導電金屬箔層黏著地接合至該介電質熱固性樹脂膜層。
美國專利第5,110,384號(Dudek等人)說明一用於在一基材上製作一導電圖案之程序，其包括在該基材上形成一圖案化黏著劑層，施加一導電金屬粉末至該黏著劑層，以及在一第二塗佈階段中施加含有補充元素的一粉末至該圖案。該圖案化基材係經燒製以使該黏著劑層揮發及燒結該等粉末。
本文所揭示者係在一表面上製備電路之方法以及包括電路之多層物品。雖然所揭示的係許多不同的方法，所有方法均包含在一離型基材上使用單層的電路形成材料以及結構化以產生電路元件，該等電路元件可經轉移至一黏著劑表面。
該第一方法涉及一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含提供一結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一系列突起部及凹陷處，在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層。該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面。一電路形成材料層係形成在該結構化離型基材之該表面上的該離型層上。一黏著劑層係接觸該結構化離型基材之突起部上的該電路形成材料。該黏著劑層係自該結構化離型基材之該表面移除，使得該結構化離型基材之該等突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
該第一方法可進一步延伸以在一黏著劑表面上形成一不同的電路。在此實施例中，實行上述步驟，即一結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一系列突起部及凹陷處，在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層。該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面。一電路形成材料層係形成在該結構化離型基材之該表面上的該離型層上。一黏著劑層係接觸該結構化離型基材之突起部上的該電路形成材料。該黏著劑層係自該結構化離型基材之該表面移除，使得該結構化離型基材之該等突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。所得之離型基材係與一黏著劑層或一預黏著劑層接觸，使得該黏著劑層或預黏著劑層接觸經定位於該結構化離型基材之該等凹陷處中之該電路形成材料。若該黏著劑層係一預黏著劑層，該預黏著劑層係經固化以形成一黏著劑層，該黏著劑層係自該 結構化離型基材之該表面移除，使得該結構化離型基材之該等凹陷處中之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
該第二方法涉及一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含提供一未結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面。一電路形成材料層係形成在該離型基材之該表面上的該離型層上。包含具有突起部及凹陷處的一表面之一壓紋工具係以壓力抵靠該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層進行壓紋，以在該離型基材之該表面上於該離型層上之該電路形成材料層中製備一經壓紋表面。此壓紋包括施加壓力或熱及壓力之組合。自該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層移除該壓紋工具。一黏著劑層係接觸在該離型基材之該經壓紋表面的該等經壓紋突起部上的該電路形成材料。該黏著劑層係自該離型基材之該經壓紋表面移除，使得該離型基材之該等經壓紋突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
該第三方法涉及一在一表面上製備一電路之方法，該方法包含提供一未結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面。一電路形成材料層係形成在該離型基材之該表面上的該離型層上。包含具有突起部及凹陷處的一表面之一結構化黏著劑層係接觸在該離型 基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層，使得僅該結構化黏著劑層之該等突起部接觸該電路形成材料層。該黏著劑層係自該離型基材移除，使得該結構化黏著劑層之該等突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
該第三方法可進一步延伸以在一黏著劑表面上形成一不同的電路。在此實施例中，實行上述步驟，即提供一未結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面。一電路形成材料層係形成在該離型基材之該表面上的該離型層上。包含具有突起部及凹陷處的一表面之一結構化黏著劑層係接觸在該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層，使得僅該結構化黏著劑層之該等突起部接觸該電路形成材料層。該黏著劑層係自該離型基材移除，使得該結構化黏著劑層之該等突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。所得之離型基材係與一黏著劑層或一預黏著劑層接觸，使得該黏著劑層或預黏著劑層接觸餘留在該未結構化離型基材上之該電路形成材料。若該黏著劑層係一預黏著劑層，該預黏著劑層係經固化以形成一黏著劑層，該黏著劑層係自該未結構化離型基材之該表面移除，使得經定位於該未結構化離型基材之該表面上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
亦揭示含有電路之多層物品。在一些實施例中，該多層物品包含一黏著劑層，其包含一第一主要表面及一第二主要表面；一電路，其與該黏著劑層之該第一主要表面的至少一部分接觸；及一結構化離型基材，其具有一第一主要表面及一第二主要表面，其中該第二主要表面包含一結構化表面，在該離型基材之該表面上包含一系列突起部及凹陷處，且在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層。該離型基材之該第二主要表面的至少一部分與該電路接觸。在該多層物品之一些進一步的實施例中，該離型基材已經移除以暴露該電路及該黏著劑層。
1‧‧‧片材
100a‧‧‧結構化熱塑性片材
100b‧‧‧離型基材
100c‧‧‧物品
100d‧‧‧物品
100e‧‧‧物品
100f‧‧‧物品
110a‧‧‧突起部
110b‧‧‧突起部
110c‧‧‧突起部
110d‧‧‧突起部
110e‧‧‧突起部
120a‧‧‧凹陷處
120b‧‧‧凹陷處
120c‧‧‧凹陷處
120d‧‧‧凹陷處
120e‧‧‧凹陷處
130b‧‧‧離型塗層
130c‧‧‧離型層
130d‧‧‧離型層
130e‧‧‧離型層
140c‧‧‧電路形成材料層
140d‧‧‧電路形成材料層
140e‧‧‧電路形成材料層
145f‧‧‧電路元件
150d‧‧‧黏著劑層
150f‧‧‧黏著劑層
160d‧‧‧可選背襯層
160f‧‧‧可選背襯層
200a‧‧‧離型基材/物品
200b‧‧‧物品
200c‧‧‧物品
200d‧‧‧物品
210a‧‧‧突起部
210b‧‧‧突起部
210c‧‧‧突起部
220a‧‧‧凹陷處
220b‧‧‧凹陷處
220c‧‧‧凹陷處
225d‧‧‧黏著劑層結構
230a‧‧‧離型層
230b‧‧‧離型層
230c‧‧‧離型層
240a‧‧‧電路形成材料層
240b‧‧‧電路形成材料層
245d‧‧‧電路元件
270b‧‧‧黏著劑層
270d‧‧‧黏著劑層
280b‧‧‧可選背襯層
280d‧‧‧可選背襯層
300a‧‧‧未結構化熱塑性片材
300b‧‧‧離型基材
300c‧‧‧物品
300d‧‧‧物品
300e‧‧‧物品
300f‧‧‧物品
300g‧‧‧物品
300h‧‧‧物品
300i‧‧‧物品
310e‧‧‧突起部
310f‧‧‧突起部
310h‧‧‧突起部
311d‧‧‧凹陷處
311e‧‧‧凹陷處
320e‧‧‧凹陷處
320f‧‧‧凹陷處
320h‧‧‧凹陷處
321d‧‧‧突起部
321e‧‧‧突起部
330b‧‧‧離型塗層
330c‧‧‧離型層
330e‧‧‧離型塗層
330f‧‧‧離型層
330h‧‧‧離型層
340c‧‧‧電路形成材料層
340f‧‧‧電路形成材料層
345i‧‧‧電路元件
350i‧‧‧黏著劑層
360i‧‧‧可選背襯層
3a‧‧‧片材
3b‧‧‧未結構化熱塑性片材
3e‧‧‧熱塑性片材
400a‧‧‧未結構化熱塑性片材
400b‧‧‧離型基材
400c‧‧‧物品
400d‧‧‧結構化黏著劑物品
400e‧‧‧物品
400f‧‧‧物品
400g‧‧‧物品
400h‧‧‧物品
400i‧‧‧物品
411d‧‧‧凹陷處
411e‧‧‧凹陷處
421d‧‧‧突起部
421e‧‧‧突起部
421f‧‧‧黏著劑層結構
430b‧‧‧離型塗層
430c‧‧‧離型層
430e‧‧‧離型塗層
430g‧‧‧離型層
430h‧‧‧離型層
440c‧‧‧電路形成材料層
440e‧‧‧電路形成材料層
440g‧‧‧電路形成材料層
440h‧‧‧電路形成材料層
445f‧‧‧電路元件
445i‧‧‧電路元件
470h‧‧‧黏著劑層
470i‧‧‧黏著劑層
480h‧‧‧可選背襯層
480i‧‧‧可選背襯層
490d‧‧‧黏著劑層
490e‧‧‧黏著劑層
490f‧‧‧黏著劑層
495d‧‧‧可選背襯層
495e‧‧‧可選背襯層
495f‧‧‧可選背襯層
4a‧‧‧片材
4b‧‧‧未結構化熱塑性片材
4d‧‧‧結構化工具基底
4e‧‧‧熱塑性片材
4g‧‧‧熱塑性片材
H,H'‧‧‧高度
P,P'‧‧‧節距
W,W'‧‧‧寬度
結合隨附圖式來考量本揭露之各種實施例的下述實施方式可更完全瞭解本申請案。
圖1係本揭露之一用於製備一電路之方法的一實施例的截面圖， 其含有子圖1a至1f。該方法與實例1相符。
圖2係本揭露之一用於製備一電路之方法的另一實施例的截面 圖，其含有子圖2a至2d。該方法與實例2相符。
圖3係本揭露之一用於製備一電路之方法的再另一實施例的截面 圖，其含有子圖3a至3i。該方法與實例3相符。
圖4係本揭露之一用於製備一電路之方法的再另一實施例的截面 圖，其含有子圖4a至4i。該方法與實例4相符。
在以下所繪示實施例的說明中係參照隨附圖式，圖式中圖解說明可實施本揭露的各種實施例。應瞭解，該等實施例可經採用 並可進行結構變更而不偏離本揭露之範疇。圖式非必然按比例繪製。在圖式中所使用的類似數字(like numbers)指稱類似組件。但是，將明白，在給定圖式中使用元件符號指稱組件，並非意圖限制在另一圖式中具有相同元件符號之組件。
電路在一黏著劑層上之形成特別所欲的係形成在其中將電位定位於一黏著劑層與一基材層之間的層壓板。已使用各種技術，該等技術涉及直接將電路印刷至一黏著劑層表面上，或藉由將一電路蝕刻至黏附至該黏著劑層表面的一金屬層。然而，此類程序可能損壞黏著劑表面。另外，由於黏著劑層係一非剛性層，在一非剛性表面上印刷或自該非剛性表面蝕刻可能難以實現精密度。甚至在非剛性表面層中的小移動可能在電路中產生缺陷。
在一黏著劑層上形成一電路有許多優點，因為即使用非常薄的電路，黏著劑在處理期間保有電路的完整性。另外，一黏著劑層上的電路不僅可用於藉由層壓至黏著劑層來形成層壓板物品，電路亦可自黏著劑層轉移至一不同的黏著劑表面。以此方式，黏著劑層可作用為一載體層以將電路運送至一不同表面。
如上文所提及者，不僅電路的長度及寬度，電路的厚度亦變得越來越小型化。由金屬形成小型特徵可能係問題，且在形成時，小型薄金屬層係非常易碎且難以處理的。因此，所欲的是找出新的方式來形成及處理電路。
用於電路之小型薄金屬特徵之形成可係非常困難的。相比之下，使用例如濺鍍及真空沉積之技術形成連續薄金屬層係相對容易進行。然而，此類技術難以適應於製作小型金屬特徵。用於自連續薄金屬層製作小型金屬特徵之兩個常見方法係遮罩之使用及蝕刻之使用。當使用遮罩時，將一遮罩放置於一表面上方，使得濺鍍金屬僅通過未經遮罩的位置到達表面。此可係非常有效的，但隨著金屬特徵的大小變得越來越小而變得不切實際。當使用蝕刻時，非所欲的金屬部分係經移除以留下所欲的金屬特徵，但隨著金屬特徵變得越來越小，再次蝕刻亦變得不切實際。同樣地，在兩種情況下，一旦製成電路，電路係非常易碎且可能係難以處理的。
在此揭露中，描述用於在一黏著劑表面上藉由黏著劑轉移來製備電路之方法。此等方法涉及在一離型基材表面上形成一金屬塗層；以及使該離型基材表面上之電路與一黏著劑層或一預黏著劑層接觸，以使部分的金屬塗層與黏著劑層選擇性接觸。一預黏著劑層係一材料層，其一經固化便形成一黏著劑層。若該層係一預黏著劑層，則該層係經固化以形成一黏著劑層。接著自離型基材移除黏著劑層，並將經選擇性接觸之金屬自離型基材表面轉移至黏著劑層表面。經選擇性轉移之金屬包含一電路。以此方式，可形成具有黏附至其表面之一電路的一黏著劑層，而沒有直接於黏著劑表面上形成電路的過程中固有之困難。
用於實現一電路至一黏著劑層之轉移有三種不同方法。全部的方法均涉及一結構化表面之使用以實現轉移。該等方法中的兩 者涉及一結構化離型基材之使用，另一方法涉及一結構化黏著劑層之使用。
在第一方法中，包含一系列突起部的一結構化聚合物片材係藉由一離型層之電漿沉積而轉換成一結構化離型襯墊。此電漿沉積係在下文詳細解釋，且其形成一離型表面，該離型表面足夠強健以允許經真空沉積之金屬的離型。接著以一或多種金屬塗佈由一離型層之電漿沉積所產生的離型襯墊以形成一薄金屬塗層。接著使經金屬塗佈之離型襯墊接觸一黏著劑層或預黏著劑層。若使用一預黏著劑層，則預黏著劑層係經固化以形成一黏著劑層。接著自離型襯墊移除黏著劑層，使得僅部分存在於離型襯墊之突起部上的金屬塗層經轉移至黏著劑層。經轉移之金屬包含存在於黏著劑層上的一電路。
在第二方法中，一未結構化聚合物片材係藉由一離型層之電漿沉積而轉換成一離型襯墊。此電漿沉積係在下文詳細解釋，且其形成一離型表面，該離型表面足夠強健以允許經真空沉積之金屬的離型。接著以一或多種金屬塗佈由一離型層之電漿沉積所產生的離型襯墊以形成一薄金屬塗層。接著使經金屬塗佈之離型襯墊接觸一壓紋工具，其將包含一系列突起部的一結構化圖案授予經金屬塗佈之離型襯墊。接著使經金屬塗佈之結構化離型襯墊接觸一黏著劑層或預黏著劑層。若使用一預黏著劑層，則預黏著劑層係經固化以形成一黏著劑層。接著自離型襯墊移除黏著劑層，使得僅部分存在於離型襯墊之突起部上的金屬塗層經轉移至黏著劑層。經轉移之金屬包含存在於黏著劑層上的一電路。
在第三方法中，一未結構化聚合物片材係藉由一離型層之電漿沉積而轉換成一離型襯墊。此電漿沉積係在下文詳細解釋，且其形成一離型表面，該離型表面足夠強健以允許一經薄型塗佈之金屬層的離型。接著以一或多種金屬塗佈由一離型層之電漿沉積所產生的離型襯墊以形成一薄金屬塗層。接著使經金屬塗佈之離型襯墊與一結構化黏著劑層接觸。結構化黏著劑層具有包含一系列突起部的一表面形貌。接著自離型襯墊移除黏著劑層，使得僅部分接觸黏著劑層之突起部的金屬塗層經轉移至黏著劑層。經轉移之金屬包含存在於黏著劑層上的一電路。
除非另有指明，否則說明書及申請專利範圍中用以表達特徵之大小、數量以及物理特性的所有數字，皆應理解為在所有情況下以「約(about)」一詞修飾之。因此，除非另有相反指示，否則在前述說明書以及隨附申請專利範圍中所提出的數值參數係近似值，其可依據所屬技術領域中具有通常知識者運用本文所揭示之教示所欲獲得的所欲特性而有所不同。由端點表述的數值範圍包括在該範圍之內包含的所有數字(例如，1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4、及5)以及該範圍內的任何範圍。
如本說明書以及隨附申請專利範圍中所使用，單數形「一(a、an)」以及「該(the)」涵蓋具有複數個係指物的實施例，除非內文明確另有所指。舉例而言，提及「一層(a layer)」時涵蓋具有一層、兩層或更多層之實施例。如本說明書以及隨附之申請專利範圍中 所使用，除非內文明確另有所指，否則用語「或(or)」一般係以包括「及/或(and/or)」之含義使用。
如本文中使用之「黏著劑(adhesive)」一詞係指可用於將兩個黏附體黏著在一起之聚合組成物。黏著劑之實例為熱活化黏著劑及壓敏性黏著劑。
熱活化黏著劑在室溫下無膠黏性，但是在升高溫度下變成具膠黏性且能夠接合至基材。這些黏著劑通常具有高於室溫之Tg或熔點(Tm)。當溫度升高至高於Tg或Tm時，儲存模數通常減小且黏著劑變得具膠黏性。
所屬技術領域中具有通常知識者所熟知壓敏性黏著劑組成物於室溫所具備的性質包括下列：(1)強力且持久的黏性；(2)以不超過手指壓力來黏著；(3)足以固持在一黏附體上的能力；及(4)足以從黏附體乾淨地移除的內聚強度。已發現具良好PSA作用的材料係經設計及配製以呈現必要黏彈性而導致膠黏性(tack)、剝離黏附力(peel adhesion)、及剪切保持力(shear holding power)間之所欲平衡的聚合物。獲得適當的特性平衡不是一簡單的程序。
用語「玻璃轉移溫度(glass transition temperature)」及「Tg」係可互換地使用。除非另有註明，Tg在測量時係使用標準技術(一般係每分鐘10℃之加熱速率)使用DSC(示差掃描測熱法)來測量。更一般而言，Tg係未經測量而是使用單體供應商所提供之單體Tg值以已充分了解的Fox方程式來計算，如聚合物技術領域中具有通常知識者所充分了解者。
如本文中所使用之用語「離型表面(release surface)」係指一表面，其提供對黏著劑，尤其是壓敏性黏著劑，低的黏著強度。離型表面的實例包括離型襯墊的表面。
如本文中所使用之用語「離型襯墊(release liner)」係指含有至少一個離型表面之物品。當黏附至一黏著劑層時，離型襯墊僅稍微黏附且係容易移除的。一離型襯墊可係一單層(僅具有基層)或者其可係一多層構造(除了基層以外具有一或多層塗層或額外層)。離型襯墊亦可含有一結構或圖案(例如一微結構)。
除非另有註明，如本文中所使用之用語「分子量(molecular weight)」一般係指數量平均分子量。分子量的單位係每莫耳克或道耳頓(Dalton)。
如本文中所使用之用語「奈米粒子(nanoparticle)」(除非特定個別內文另外暗示)大致上將係指粒子、粒子群、微粒分子(亦即，小型個體群或鬆散關聯的分子群)、及微粒分子群，其等雖然可能在特定幾何形狀中有所變化，但具有可在一奈米尺寸上測量的一有效或平均直徑(亦即小於約100奈米)。
如本文中所使用，用語「電路形成材料」係指當一材料經沉積於一離型基材上並黏著地轉移至一黏著劑層表面時，該材料在黏著劑表面上形成一電路。電路形成材料之實例包括金屬(例如銀、銅、及類似者)、金屬合金、及導電金屬氧化物(例如ITO(氧化銦錫)及類似者)。由於金屬係最常見的電路形成材料，除非上下文指 示所指涉者係一特定材料(例如在實例一節中)，用語「金屬」係可與電路形成材料互換地使用。
本文所揭示者係在一黏著劑表面上製備一電路之方法。在一些實施例中，該方法包含提供一結構化離型基材，其具有一氟化離型表面；在該離型基材之該表面上製備一薄電路形成材料層(例如一金屬層)；提供一黏著劑層或一預黏著劑層；使該黏著劑層或預黏著劑層接觸該離型基材之該結構化表面上的該電路形成材料層。若該黏著劑層包含一預黏著劑層，該預黏著劑層係經固化以形成一黏著劑層，且接著自該離型基材之該表面移除該黏著劑層。該黏著劑層一經移除，該電路形成材料層接觸該黏著劑層之該等部分至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
在其他實施例中，該方法包含提供一未結構化離型基材，其具有一氟化離型表面；在該離型基材之該表面上製備一薄電路形成材料層(例如一金屬層)；以及以一結構化壓紋工具壓紋該離型基材以形成一結構化離型基材，其在該表面上具有一結構化電路形成材料層。使一黏著劑層或一預黏著劑層接觸該離型基材之該結構化表面上的該電路形成材料層。若該黏著劑層包含一預黏著劑層，該預黏著劑層係經固化以形成一黏著劑層，且接著自該離型基材之該表面移除該黏著劑層。該黏著劑層一經移除，該電路形成材料層接觸該黏著劑層之該等部分至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
在又其他實施例中，該方法包含提供一未結構化離型基材，其具有一氟化離型表面；在該離型基材之該表面上製備一薄電路形成材料層(例如一金屬層)；提供一結構化黏著劑層；使該結構化黏著劑層接觸該離型基材上的該電路形成材料層。接著自該離型基材之該表面移除該黏著劑層。該黏著劑層一經移除，該電路形成材料層與該黏著劑層接觸之該等部分至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
此類型的程序有時係稱為「黏著劑轉移」，且係指一材料由一非黏著劑層轉移至一黏著劑層表面。例如，此類黏著劑轉移技術有時係與圖像物品併用。
合適的離型基材之實例係離型襯墊。所屬技術領域中具有通常知識者充分了解離型襯墊所作為的物品係在其中可藉由施加一離型層或塗層至一熱塑性材料片材而實現減少對任何施加至其等之層的黏附性。一般而言，離型塗層係使用習知的塗佈技術來施加(例如藉由溶劑塗佈或熱熔性塗佈)。然而，適於在此揭露中使用的離型塗層係較藉由習知塗佈技術所製備者更為強健。雖然不希望受理論束縛，咸信以習知方式塗佈之離型襯墊並不適於與電路形成材料塗層(例如金屬塗層)併用，因為其等未能有效地使經塗佈的電路形成材料離型，或者若其等確實使材料離型，部分的離型材料與電路形成材料一起轉移，因此污染電路形成材料。
施加離型塗層至支撐載體膜表面的一種方法為電漿沉積。此類電漿沉積技術係在下列申請案中說明：於2014年10月20日 提出申請之代理人案號第75869US002號之發明名稱為「Insulated Glazing Units and Microoptical Layer Comprising Microstructured Diffuser and Methods」。寡聚物可被用來產生電漿交聯離塗層。該寡聚物在塗佈前可為液體形式或固體形式。一般而言，寡聚物具有大於1,000g/mol的分子量。同樣地，寡聚物一般具有小於10,000g/mol的分子量，使得寡聚物不會太具揮發性。分子量大於10,000g/mol的寡聚物通常過於不揮發，導致塗佈過程形成液滴。在一實施例中，寡聚物具有大於3,000g/mol且小於7,000g/mol的分子量。在另一實施例中，寡聚物具有大於3,500g/mol且小於5,500g/mol的分子量。通常寡聚物具有提供低磨擦表面塗佈之特性。合適的寡聚物包括含聚矽氧的烴類、含三烷氧基矽烷的反應性聚矽氧、芳香烴、脂肪烴、氟化物以及其組合。例如，合適的樹脂包括但不限於二甲基聚矽氧、基於烴之聚醚(hydrocarbon based polyether)、氟化物聚醚、乙烯四氟乙烯及氟矽酮。氟矽烷表面化學、真空沉積及表面氟化亦可用來提供離型塗層。
電漿聚合薄膜構成可用作離型層或塗層之與習知聚合物不同種類的材料。在電漿聚合物中，聚合係隨機的，交聯程度非常高，且所產生的聚合物膜與對應之「習用」聚合物膜非常不同。因此，電漿聚合物被所屬技術領域中具有通常知識者視為一獨特不同類別的材料，且可用於所揭示的物品中。此外，有其他方法可將離型塗層施加至模板層上，包括但不限於起霜(blooming)、塗佈、共擠壓、噴霧塗佈、電塗或浸塗。離型塗層或層可為含氟材料、含矽材料、氟 聚合物、聚矽氧聚合物、或從包含具有12至30個碳原子之烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯之單體所衍生的聚(甲基)丙烯酸酯。在一個實施例中，烷基可係支鏈。有用的氟聚合物及聚矽氧聚合物的說明性實例可見於美國專利第4,472,480號(Olson)、第4,567,073號、及第4,614,667號(二者均為Larson等人)。有用的聚(甲基)丙烯酸酯的說明性實例可見於美國專利申請公開案第2005/118352號(Suwa)。
經電漿聚合的含氟化合物離型表面係特別適於用在此揭露之方法及物品中。使用「習知」的離型襯墊表面可能成問題的一個問題係部分的離型表面可能轉移至黏著劑層或電路，如上文所討論者。此類轉移係極度非所欲的。雖然不希望受理論束縛，咸信經電漿聚合之含氟化合物表面中之高位準交聯預防含氟化合物成分至黏著劑或電路的此類轉移。
如上文所提及，用於製備電路之三個不同但緊密相關的方法係在此揭露中說明。第一方法採用一離型基材，其包含一結構化表面。結構化表面係以一電路形成材料層塗佈且與一黏著劑層接觸。一經移除黏著劑層，電路形成材料便藉由黏著劑轉移選擇性地轉移至黏著劑層。第二方法採用一平坦或未結構化離型基材，其係以電路形成材料塗佈且接著以一結構化工具壓紋，以在離型基材及經塗佈之電路形成材料層上形成一結構化圖案。此結構化基材係與一黏著劑層接觸。一經移除黏著劑層，電路形成材料便藉由黏著劑轉移選擇性地轉移至黏著劑層。第三方法採用一平坦或未結構化離型基材，其係以電路形成材料塗佈且接著與一結構化黏著劑層接觸。一經移除黏著劑 層，電路形成材料便藉由黏著劑轉移選擇性地轉移至黏著劑層的突出結構。此等方法之各者將在下文更詳細地論述。
在第一方法之實施例中，離型基材包含一結構化及/或圖案化離型表面。藉此，其意指離型基材表面係不平坦的，但具有一結構化及/或圖案化表面。結構化及圖案化離型表面在所屬技術領域中係眾所周知且經了解的，如離型基材表面在其中係經改質以包括一結構陣列，該結構陣列係一規則陣列(一圖案)或一隨機分布陣列。此結構化表面係一蓄意形成的表面，且係不同於所有表面中固有的表面粗糙度。
一般而言，結構化及/或圖案化離型表面係藉由壓紋來製備。此意指離型基材具有一可壓紋表面，其係以施加壓力及/或熱而接觸一結構化工具，以形成一經壓紋表面。此經壓紋表面係一結構化表面。在經壓紋表面上的結構係與在工具表面上的結構相反，也就是說，在工具表面上的一突起部將形成在經壓紋表面中的一凹陷處，而在工具表面上的一凹陷處則將形成在經壓紋表面上的一突起部。
一般而言，該等結構係微結構，意指該等結構係具有至少2個維度係微觀大小的結構之微結構特徵。結構特徵可呈現各種形狀。代表性實例包括半球體、稜柱(例如方形稜柱、矩形稜柱、圓柱稜柱、及其他類似的多邊形特徵)、稜錐體、橢圓體、凹槽(例如V型槽)、溝槽、及類似者。
此揭露之結構化離型基材一般係藉由下列來製備：將一圖案壓紋至一平坦可壓紋熱塑性材料片材中，且接著通過上述之電漿 沉積程序在結構化表面上形成離型表面。熱塑性材料片材之壓紋一般係藉由使用壓力或熱與壓力的組合使熱塑性材料片材之表面與一壓紋工具接觸來實行。此類程序在所屬技術領域中係眾所周知。壓紋工具含有與經壓紋表面層相反的一圖案，換言之，壓紋工具上的一突起部在經壓紋表面層中產生一凹陷處，而壓紋工具中的一凹陷處在經壓紋表面層中產生一突起部。壓紋工具可由金屬或聚合物材料製備，且在其等之表面中可具有一廣範圍的壓紋圖案。
熱塑性材料片材可由一廣範圍的聚合物材料製備，且可具有一廣範圍的厚度。合適材料的實例包括例如聚酯材料，例如PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、聚烯烴材料，例如PE(聚乙烯)及PP(聚丙烯)、聚丙烯酸酯，例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚胺甲酸酯、及其組合或混合物。一般而言，熱塑性材料片材較厚，通常係比壓紋工具上之結構的高度厚上許多。
接著以一離型層電漿塗佈經壓紋熱塑性片材以產生一結構化離型基材。接著施加一電路形成材料層至結構化離型基材的離型層。一般而言，電路材料層相對薄，其厚度大約為100奈米上至1微米。蒸發沉積係一特別適於形成薄電路形成材料層的方法。在蒸發沉積中，來源材料係在真空中蒸發。真空允許蒸氣粒子直接行進至目標物體(基材)，蒸氣粒子在該處凝聚回到一固體狀態。例如，當電路形成材料係金屬時，金屬蒸發技術係特別適於形成一薄金屬層。
在一些特別所欲的實施例中，經壓紋至離型基材表面中的結構使得離型表面中的突起部呈所欲的電路形狀。如下文所述，以 此方式，在將電路形成材料施加至結構化表面時，電路形成材料係經定位於突起部上以及在凹陷處中。僅經定位於離型基材之突起部上的電路形成材料係藉由黏著劑層轉移。一般而言，接觸結構化表面的黏著劑層僅接觸突起部，且不會流入經定位於突起部之間的凹陷處。以此方式，當移除黏著劑層時，由於離型基材一般係一含氟化合物基表面，電路形成材料無法良好地黏附至此表面且係輕易被移除。然而，經定位於凹陷處內的電路形成材料未經移除。
合適的電路形成材料之實例包括導電及半導電材料(例如金屬及金屬氧化物)。合適的金屬之實例包括銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、及鎢、或者以適當的施體雜原子摻雜或含有氧缺陷的二元金屬氧化物。合適的導電二元金屬氧化物可包含：氧化鋅、二氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、三氧化鉬、三氧化鎢、及五氧化二釩。具體地，有用的經摻雜導電金屬氧化物包括以Sb摻雜的氧化錫、以Al摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化錫、及以Sb摻雜的氧化鋅。
一般而言，相對於黏著劑層的厚度，電路形成材料層當存在於離型基材上時係非常薄的。一般而言，電路形成材料層具有從約100奈米至約1微米的平均厚度。在一些實施例中，厚度係100奈米至500奈米、或者甚至150奈米至250奈米。
在涉及金屬蒸氣沉積之形成電路形成材料層的實施例中，各種技術均係合適的，其中真空沉積係特別合適的。合適的金屬之實例包括例如銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、及鎢。一般而言，金屬層 係相對薄，例如介於100奈米至約1微米之間。在一些實施例中，厚度係100奈米至500奈米、或者甚至150奈米至250奈米。
本揭露之此第一方法尚有另一實施例係採用離型基材者，自該離型基材，電路形成材料已自結構化表面之突起部移除。此離型基材包含一結構化表面，其中突起部係無電路形成材料，且凹陷處包含電路形成材料，一般係沿著凹陷處的側面及沿著凹陷處的底部兩者。大致上，沿著凹陷處側面之電路形成材料的厚度小於凹陷處底部處之電路形成材料的厚度。此厚度差大致上係電路形成材料之沉積方法的人為誤差。
施加一可流動預黏著劑組成物至此離型基材允許以預黏著劑填充凹陷處。預黏著劑組成物一經固化便產生一黏著劑層，該黏著劑層與無電路形成材料之離型基材的突起部接觸以及與含有電路形成材料之離型基材的凹陷處接觸。常施加一背襯至預黏著劑層或黏著劑層以更容易處理黏著劑層。當自離型基材移除黏著劑層時，來自凹陷處的電路形成材料係經轉移至黏著劑層且自離型基材移除。或者，只要黏著劑層具有足夠的黏性流性質以致流入離型基材之凹陷處並接觸電路形成材料，就可使用一黏著劑層取代可固化預黏著劑材料。由於此類黏性流一般遠較一預黏著劑組成物的流動更慢，隨後經固化之預黏著劑組成物大致上更為合適。
此方案有許多優點。相同的離型基材可用於製備及以黏著劑轉移兩不同電路。第一電路可如上述在離型基材之突起部上製備且以黏著劑轉移。第二電路可於離型基材之凹陷處中製備且通過使用 經固化之後移除的一預黏著劑組成物以黏著劑轉移。在一些實施例中，例如，具有一相對寬截面的一電路可使用相對寬的突起部輕易地製備，且具有相對薄截面的電路可使用相對窄的凹陷處製備。一般而言，突起部具有較凹陷處寬的截面，使得當一黏著劑層接觸突起部時，黏著劑不會流入凹陷處並接觸凹陷處之側面及底部上的金屬。以此方式，唯一轉移至黏著劑層的電路形成材料係來自突起部的電路形成材料。此致使電路元件分離而無電路形成材料經定位於電路元件之間。例如，若電路元件係電路形成材料(例如金屬)的直線，則唯一經轉移的金屬係在直線內轉移，使得基本上無金屬經定位在線之間的區域中。以此方式，一電流僅在直線方向中流動而在橫向中無任何電流流動。
另外，若僅關注生產藉由經定位於離型基材之凹陷處中之電路形成材料所產生的薄型電路，則可遵循相同程序且僅捨棄經定位於突起部上的電路形成材料。此電路形成材料可藉由如上述之黏著劑轉移或藉由一些其他方法(例如擦刷、擦拭、抽真空、及類似者)來移除。一旦自突起部移除電路形成材料(無論藉由黏著劑轉移或一些其他手段)，所得之物品係一離型基材，其具有經定位於離型基材之結構化表面之凹陷處內的電路元件。例如，以此方式，若電路形成材料係一薄金屬層，則敏感薄金屬電路元件係被環抱在離型基材之凹陷處內。此允許金屬電路元件在一個位置中產生且運送至另一位置以供黏著劑轉移。
如上文所提及，此揭露之離型基材具有非常強健的離型表面，允許以一電路形成材料層塗佈該等表面，且不像習知的離型基材，其等藉由黏著劑轉移來輕易地使電路形成材料離型至黏著劑層而不污染電路形成材料。另外，離型基材的強健度亦允許離型基材經重複使用。藉此，其意指在將所有電路形成材料轉移至黏著劑層後，接著可再次以適於轉移之電路形成材料塗佈離型基材。以此方式，可使用相同的離型基材製作多個完全相同的電路。可想像一連續程序，其中一薄金屬層，例如係經塗佈在離型基材上，離型基材接著可與一第一黏著劑層接觸，該第一黏著劑層一經移除便自離型基材之結構化表面的突起部轉移金屬，一預黏著劑可經施加及固化以產生一第二黏著劑層，該第二黏著劑層一經移除便自離型基材之結構化表面的凹陷處轉移金屬。離型基材接著可返回至程序的開始，該程序可再次始於金屬塗佈。因此，一種類型之電路或超過一種類型之電路的產生可在一基於卷材(web-based)之連續程序中實行。
如上述之第二方法涉及在一未結構化離型基材上使用一電路形成材料層，該未結構化離型基材接著經壓紋以不僅結構化離型基材表面且亦結構化電路形成材料層的表面。大致上，壓紋係在離型基材之電路形成材料層側實行。在此方法中，一熱塑性材料片材(例如上述者)並非經壓紋以在熱塑性材料片材之表面上形成一圖案，而是藉由上述之電漿沉積程序將一離型層沉積至熱塑性材料片材的表面上。
在表面上具有一電漿沉積離型層的未結構化離型片材接著具有沉積於其上的一電路形成材料層。如上述般沉積電路形成材料層。具有沉積於其上之一薄電路形成材料層的未結構化離型片材接著係通過離型片材之電路形成材料層側以一結構化壓紋工具壓紋。合適的壓紋工具已在上文說明。壓紋一般係藉由使用壓力或熱與壓力的一組合使熱塑性材料片材之表面與一壓紋工具接觸來實行。
壓紋程序的結果係具有一結構化電路形成材料層的一結構化離型基材。結構化電路形成材料層類似於上述之第一方法中所製備的結構化電路形成材料層，但亦有一些不同。具體地，當電路形成材料層係以壓紋工具藉由壓紋來結構化時，電路形成材料層傾向於在形成結構的點處斷裂。例如，當電路形成材料層係一薄金屬層時，當壓紋工具突起部接觸薄金屬層且向下按壓以在離型基材中形成凹陷處時，金屬層傾向於斷裂。以此方式，當壓紋在金屬層上方突然終止於突起部的末端處且在凹陷處的側面上未傾向於有金屬存在，僅在凹陷處底部有金屬存在時。以此方式，一連續金屬層係藉由壓紋程序以不連續方式製成。
經定位於突起部上的電路形成材料接著可如上述般以黏著劑轉移以在一黏著劑層上形成一電路。另外，經定位於凹陷處之基底處的電路形成材料亦可使用如上述之一預黏著劑材料以黏著劑轉移以在一黏著劑層上形成一第二不同的電路。
在此揭露之第三方法中，一薄電路形成材料層係如第二方法般沉積在一未結構化離型基材上，但取代以一壓紋工具壓紋此表 面，該表面係替代地與一結構化黏著劑層接觸。以此方式，僅黏著劑層之突起部接觸薄電路形成材料層。黏著劑層一經移除，與黏著劑接觸之電路形成材料便至少部分地黏附至黏著劑層且自離型基材移除，而未與黏著劑層接觸之電路形成材料則餘留在離型基材上。
此方法較不普遍，且較上述的其他兩方法更難以施行。若干因素控制此方法之施行，例如，若薄電路形成材料層非足夠易碎以在黏著劑層一經移除時斷裂，轉移可能不乾淨，意指可轉移較少或較多的電路形成材料。若所轉移的少於所欲的量，則形成於黏著劑層上的電路可係不完整或未充分導電的。同樣地，若所轉移的多於所欲的量，電路可不正確地形成，而非僅在一個方向中的傳導，可能存在於非所欲方向中的傳導。控制因素(例如薄電路形成材料層自離型基材的離型力、薄電路形成材料層之內部強度、及黏著劑層之黏著力)可用於依所欲定製此程序。須注意上述之方法一及方法二相較於方法三更具彈性且具有更大的普遍適用性。
協助第三方法之程序的一個技術係使用非常薄的電路形成材料層。一般而言，電路形成材料層較上述用於第一方法及第二方法的層薄。在一些實施例中，電路形成層具有小於100奈米的厚度。在一些實施例中，電路形成層具有從50至100奈米的厚度。
廣泛各式的電路可經轉移至黏著劑層表面。合適電路的實例包括一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
如上文所述，各方法亦包含提供一黏著劑層或一預黏著劑層，使該黏著劑層或預黏著劑層接觸離型基材表面上的薄電路形成材料層。廣泛各式的黏著劑層或預黏著劑層均係合適的。
在一些實施例中，該層包含一黏著劑層。在此揭露之方法中可使用廣範圍的黏著劑層。在許多實施例中，黏著劑層包含經塗佈於一背襯、片材、或膜上的一黏著劑層。包含經塗佈於一背襯、片材、或膜上之一黏著劑層的物品通常稱為膠帶。
在該層包含一黏著劑層的實施例中，黏著劑包含一壓敏性黏著劑或一熱活化黏著劑。此兩類別的黏著劑係非常類似，兩者均係黏彈性材料。兩類別的黏著劑之間的主要差異在於壓敏性黏著劑在室溫下係永久且強力地膠黏，而熱活化黏著劑如其名稱所意味者，需要施加熱以變得膠黏。廣泛各式的壓敏性黏著劑或熱活化黏著劑係合適的。可用於本揭露之黏著劑包括增黏的天然橡膠、合成橡膠、苯乙烯嵌段共聚物、聚乙烯醚、聚(甲基)丙烯酸酯、聚-α-烯烴、及聚矽氧。黏著劑亦可包括添加劑，此類材料一般係例如增黏劑、塑化劑、填料、及類似者。
在一些實施例中，黏著劑層(無論是一壓敏性黏著劑、熱活化黏著劑、或由一預黏著劑組成物所形成者)係一導電黏著劑層。一般而言，導電黏著劑層具有添加的導電填料，以允許所施加的電路在一總成中經接地及/或進一步互連以達成一電氣連接。例如，經轉移至具有導電填料之一黏著劑層表面的一電路允許電路接地，且在例如EMI屏蔽中提供改善的性能。電路轉移方法可用於產生一導電單 塗層膠帶，或者若電路經轉移至一轉移膠帶的兩個主要表面，則可形成一雙塗層導電膠帶。存在於黏著劑層中的導電填料可聯結兩導電表面的導電率。廣範圍的導電填料係合適的，且可含有各種組成物，包括無機物(例如金屬或金屬氧化物粒子或片狀體)、有機金屬(例如金屬化聚合物)、或有機物(例如導電聚合物)，並可以各種形式呈現，包括片狀體、粒子、纖維、不織布纖維層、織品、及各種摻合物與混合物。合適的實例包括鎳片狀體或粒子、經銀電鍍之玻璃球體、金屬化聚合物或碳不織布、或者織品(例如經鎳-銅-鎳電鍍之聚酯不織布或織品)。同樣合適的係其他金屬(例如銀、金等)。
各種導電黏著劑係市面上可購得的，且適於用作此揭露之方法及物品中的黏著劑層。可用於製作本發明之接地版本的導電黏著劑包括導電黏著劑膠帶，例如3M ECATT 9707(導電黏著劑轉移膠帶9707)、3M ECATT 9750(導電黏著劑轉移膠帶9750)、3M導電雙面膠帶9711S-80、9711S-130、9711S-140、9711S-150、及9711S-50、以及3M XYZ軸導電黏著劑轉移膠帶9719。
在一些實施例中，壓敏性黏著劑或熱活化黏著劑可係光學透明的，意指當使用習知技術測量時，黏著劑層之可見光透射大於90%，且霧度係5%或更小。合適的光學透明壓敏性黏著劑的實例包括可購自3M Company之光學透明(甲基)丙烯酸酯基壓敏性黏著劑轉移膠帶(例如「3M OCA 8171」)。轉移膠帶係獨立的黏著劑層，且一般係在兩離型襯墊間提供。轉移膠帶可依所提供的使用或者可藉由移 除離型襯墊之一者以及層壓一背襯層(例如一背襯膜)至一表面而輕易轉換成一習知膠帶。
在一些實施例中，該層包含一預黏著劑層。預黏著劑層係一經固化便形成一黏著劑層的一層。合適的預黏著劑層的實例係UV可固化組成物及熱固性組成物。
在該層包含一預黏著劑層的實施例中，預黏著劑層係在與離型基材及薄電路形成材料層接觸時經固化。此固化的性質取決於預黏著劑層的性質。若預黏著劑層係UV可固化的，則預黏著劑層係曝露至UV光以實現固化。若預黏著劑層係一熱固性組成物，則預黏著劑層係曝露至升高溫度以實現固化。在一些實施例中，為了容易處理，預黏著劑層係在固化前與一背襯層接觸。在一些情況下，預黏著劑層係在具有一背襯就位的情況下接觸離型基材及薄電路形成材料層，在其他實施例中，預黏著劑層係形成於離型基材及薄電路形成材料層上，且接著使背襯接觸預黏著劑層。一合適的UV可固化液體預黏著劑組成物的一實例係可購自Norland之「NOA 72」。
該方法進一步包含自離型基材移除黏著劑層以形成一物品，該物品包含具有在其表面上之一電路的一黏著劑層。此物品可以此形式使用。在物品包括一經固化之預黏著劑層的實施例中尤其如此。在其他實施例中，此物品係用於形成層壓板物品。
層壓板物品係含有一第一基材/一黏著劑層/及一第二基材者。在此揭露之層壓板物品中，層壓板所具有的類型係第一基材/黏著劑層/電路/第二基材。在此等層壓板物品中，藉由自離型基材移除黏 著劑層而形成之物品所具有的類型係第一基材/黏著劑層/電路，其中第一基材如上述般包含一背襯、片材、或膜。此物品接著可經層壓至一第二基材以形成一層壓板，其所具有的類型係第一基材/黏著劑層/電路/第二基材。以此方式，黏著劑層黏附至第一基材及第二基材兩者。
廣泛各式的可能性均適於第二基材。第二基材可係剛性、半剛性、或可撓性。剛性基材之實例包括玻璃板、相對厚聚合物板(例如聚碳酸酯(PC)板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)板)、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。半剛性基材之實例包括相對厚聚合物膜(單片膜或多層膜之任一者)及類似者。可撓性基材之實例包括膠帶背襯、膜(包括光學膜及非光學膜兩者)、及離型襯墊。基材之選擇可依據層壓板物品所欲之使用而廣泛地改變。
上述方法可通過圖1至圖4而進一步了解，該等圖式對應下文之實例一節的實例1至4。
圖1再經細分為圖1a至圖1f，且顯示上述之第一方法的截面圖。圖1a顯示結構化熱塑性片材100a的截面圖，該熱塑性片材包含片材1，其具有突起部110a及凹陷處120a。結構化熱塑性片材100a之突起部與凹陷處的特定尺寸係在實例1中說明，但大致上突起部具有遠較凹陷處寬的截面。
結構化熱塑性片材100a係經歷步驟1以產生圖1b所示之離型基材100b，其包含具有一離型塗層130b的結構化熱塑性片材100a。如上文所述，步驟1包含一離型層的電漿沉積。突起部110b及凹陷處120b仍存在於離型基材100b中。
離型基材100b係經歷步驟2以在離型基材100b上產生一電路形成材料塗層以產生圖1c所示之物品100c。在此物品中，離型層130c係由電路形成材料層140c覆蓋。在許多實施例中，電路形成材料層140c包含一薄金屬層。雖然不必在圖中顯示，咸信電路形成材料層在凹陷處120c的側面上比在凹陷處120c的底部上或突起部110c的頂部上更薄。步驟2可係各種不同的沉積技術，其中真空沉積係一特別合適者。
物品100c係經歷步驟3以產生圖1d所示之物品100d。在此物品中，使具有可選背襯層160d的一黏著劑層150d接觸覆蓋離型層130d的電路形成材料層140d。黏著劑層150d僅接觸突起部110d而不會延伸進入凹陷處120d。步驟3可係各種用於使黏著劑層150d接觸電路形成材料層140d的技術(例如層壓)。
物品100d係經歷步驟4，自離型基材移除黏著劑層，以產生圖1e所示之物品100e及圖1f所示之物品100f。物品100e係移除黏著劑層後的離型基材。物品100e具有離型層130e、突起部110e、及凹陷處120e。突起部110e缺乏電路形成材料層140e，且該電路形成材料層僅存在於凹陷處120e的側面及底部上。物品100f係自離型基材移除黏著劑層後的黏著劑層。物品100f具有黏著劑層150f及電路元件145f，該黏著劑層具有可選背襯層160f，該等電路元件包含自離型基材之突起部移除的電路形成材料。
圖2再經細分為圖2a至圖2d，且顯示上述之第一方法的另一實施例的截面圖。在此實施例中，上述之離型基材100e係用於 產生一第二電路。圖2a顯示一離型基材200a的截面圖，該離型基材等同於上述之離型基材100e。在離型基材200a中，含有離型層230a，且具有無電路形成材料之突起部210a，以及在凹陷處220a之側面及底部上含有電路形成材料層240a的凹陷處220a。物品200a可經由上述圖1之步驟產生，或者存在於突起部210a上的電路形成材料層可藉由其他手段(例如擦拭、真空移除、及類似者)移除。
物品200a係經歷步驟5以產生物品200b，添加一預黏著劑材料隨後固化以形成具有可選背襯層280b之黏著劑層270b，使得黏著劑層270b不僅接觸突起部210b上的離型層230b，且亦含有經定位於凹陷處210b之側面及底部上的電路形成材料層240b。
物品200b係經歷步驟6以產生圖2c之物品200c及圖2d之物品200d。物品200c係移除黏著劑層後的離型基材。物品200c具有離型層230c、突起部210c、及凹陷處220c。突起部210c及凹陷處220c兩者全無電路形成材料。物品200d係自離型基材移除黏著劑層後的黏著劑層。物品200d具有黏著劑層270d及電路元件245d，該黏著劑層具有可選背襯層280d，該等電路元件包含自離型基材之凹陷處移除的電路形成材料，且係經定位於黏著劑層結構225d上，該等黏著劑層結構於黏著劑層270d之表面上方突出，且對應於物品200c中之離型基材的凹陷處220c的大小與形狀。
圖3再經細分為圖3a至圖3i，且顯示上述之第二方法的一實施例的截面圖。圖3a顯示未結構化熱塑性片材300a的截面圖，該熱塑性片材包含片材3a。
未結構化熱塑性片材300a係經歷步驟7以產生圖3b所示之離型基材300b，其包含具有一離型塗層330b的未結構化熱塑性片材3b。如上文所述，步驟7包含一離型層的電漿沉積。
離型基材300b係經歷步驟8以在離型基材300b上產生一電路形成材料塗層以產生圖3c所示之物品300c。在此物品中，離型層330c係由電路形成材料層340c覆蓋。在許多實施例中，電路形成材料層340c包含一薄金屬層。步驟8可係各種不同的沉積技術，其中真空沉積係一特別合適者。
物品300c係經歷步驟9，其提供圖3d所示之物品300d。物品300d包含一結構化工具基底4d，其具有突起部321d及凹陷處311d。突起部321d係經設計以在結構化工具300d將其壓紋之物品中形成凹陷處，且凹陷處311d係經設計以在結構化工具300d將其壓紋之物品中形成突起部。結構化工具300d之突起部與凹陷處的特定尺寸係在實例3中說明，但大致上突起部具有遠較凹陷處窄的截面。結構化工具可由廣泛系列的材料形成，包括金屬及聚合物材料，如在結構化技術中已充分了解者。
物品300c及物品300d係經歷步驟10，工具300d將物品300c壓紋以形成如圖3e所示之物品300e。此壓紋係通過壓力及可選地包括熱的使用來實行。物品300e包括熱塑性片材3e，其具有一離型塗層330e，該離型塗層具有下列之已形成的結構：凹陷處320e，其等係由自結構化工具300d之基底4e突出之突起部321e的壓痕所形 成；及突起部310e，其等係由基底4e或結構化工具300d之凹陷處311e所形成。
物品300e係經歷步驟11，其係自離型基材移除壓紋工具300d，以產生壓紋工具300d(未圖示)及圖3f所示之物品300f。物品300f具有離型層330f及電路形成材料層340f且係類似於上述之物品100c，除了考慮到在物品100c中，電路形成材料層基本上係連續的，而在物品300f中，電路形成材料層340f係存在於突起部310f之頂部上及凹陷處320f之底部上，但電路形成材料層340f並未存在於凹陷處320f之側面上。此係上述壓紋程序的一人為誤差，其導致電路形成材料層中的一斷裂。
物品300f係經歷步驟12以產生圖3g所示之物品300g。在此物品中，使具有可選背襯層360d的一黏著劑層350d接觸覆蓋離型層330d的電路形成材料層340d。黏著劑層350d僅接觸突起部310d而不會延伸進入凹陷處320d。步驟12可係各種用於使黏著劑層350d接觸電路形成材料層340d的技術(例如層壓)。
物品300g係經歷步驟13，自離型基材移除黏著劑層，以產生圖3h所示之物品300h及圖3i所示之物品300i。物品300h係移除黏著劑層後的離型基材。物品300h具有離型層330h、突起部310h、及凹陷處320h。突起部310h缺乏電路形成材料層340h，且該電路形成材料層僅存在於凹陷處320h的底部上。物品300i係自離型基材移除黏著劑層後的黏著劑層。物品300i具有黏著劑層350i及電 路元件345i，該黏著劑層具有可選背襯層360i，該等電路元件包含自離型基材之突起部移除的電路形成材料。
圖4再經細分為圖4a至圖4i，且顯示上述之第三方法的一實施例的截面圖。圖4a顯示未結構化熱塑性片材400a的截面圖，該熱塑性片材包含片材4a。
未結構化熱塑性片材400a係經歷步驟14以產生圖4b所示之離型基材400b，其包含具有一離型塗層430b的未結構化熱塑性片材4b。如上文所述，步驟14包含一氟化離型層的電漿沉積。
離型基材400b係經歷步驟15以在離型基材400b上產生一電路形成材料塗層以產生圖4c所示之物品400c。在此物品中，離型層430c係由電路形成材料層440c覆蓋。在許多實施例中，電路形成材料層440c包含一薄金屬層，一般係一非常薄的金屬層。步驟15可係各種不同的沉積技術，其中真空沉積係一特別合適者。
物品400c係經歷步驟16，其提供圖4d所示之結構化黏著劑物品400d。物品400d包含一黏著劑物品，其已藉由使黏著劑層接觸一結構化工具而經結構化。雖然可藉由使黏著劑層接觸一結構化工具來直接結構化黏著劑層，一般而言，此結構化係在黏著劑層由一離型襯墊覆蓋時完成。黏著劑物品400d具有黏著劑層490d，其具有突起部421d及凹陷處411d以及可選背襯層495d。黏著劑物品400d之突起部與凹陷處的特定尺寸係在實例節中說明，但大致上突起部具有遠較凹陷處寬的截面。
物品400c及物品400d係經歷步驟17，使結構化黏著劑物品400d接觸物品400c以形成如圖4e所示之物品400e。物品400e包括熱塑性片材4e，其具有一離型塗層430e及電路形成材料層440e。自黏著劑層490e之基底突出的突起部421e接觸電路形成材料層440e，但黏著劑層490d之凹陷處411e並未接觸電路形成材料層440e。可選背襯層495e亦顯示為攻擊黏著劑層490d。
物品400e係經歷步驟18，其自離型基材移除黏著劑物品400d，以產生圖4f所示之物品400f及圖4g所示之物品400g。物品400f係自離型基材移除黏著劑層後的黏著劑層。物品400f具有黏著劑層490f及電路元件445f，該黏著劑層具有可選背襯層495f，該等電路元件包含自離型基材移除的電路形成材料，且係經定位於黏著劑層結構421f上，該等黏著劑層結構於黏著劑層490f之基底上方突出。物品400g包括熱塑性片材4g，其具有一離型層430g及不連續的電路形成材料層440g。
物品400g係經歷步驟19以產生物品400h，添加一預黏著劑材料隨後固化以形成具有可選背襯層480h之黏著劑層470h，使得黏著劑層470h不僅接觸離型層430h，且亦接觸不連續的電路形成材料層440h之突起部。
物品400h係經歷步驟20以產生圖4b之離型基材(未圖示)及圖4i之物品400i。物品400i係自離型基材移除黏著劑層後的黏著劑層。物品400i具有黏著劑層470i及電路元件445i，該黏著 劑層具有可選背襯層480i，該等電路元件包含自離型基材移除的電路形成材料。
亦揭示者係多層物品，其等係藉由上述方法來製備。該等多層物品包含一黏著劑層，其包含一第一主要表面及一第二主要表面；一電路，其與該黏著劑層之該第一主要表面的至少一部分接觸；及一離型基材，其具有一第一主要表面及一第二主要表面，其中該第二主要表面包含一氟化離型表面，且其中該第二主要表面的至少一部分與該電路接觸。此類多層物品係(例如)圖1d所示之物品100d、圖2b所示之物品200b、圖3g所示之物品300g、及圖4h所示之物品400h所示之中間物品。
如上文所討論者，各種離型基材均係合適的。具體地，合適的離型基材係具有藉由電漿沉積所製備之一氟化離型表面者。離型基材具有一結構化及/或圖案化離型表面，如上文詳細說明者。結構化及/或圖案化離型表面一般係在以離型層塗佈前或以離型層及電路形成材料層塗佈後藉由壓紋來製備。
電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
多層物品可包括額外的層。在一些實施例中，黏著劑層包含經塗佈於一背襯、片材、或膜上的一黏著劑層。在其他實施例中，黏著劑層係由已經塗佈及固化的一預黏著劑材料形成。在此等實施例中，可將經固化之預黏著劑材料層塗佈至一背襯、片材、或膜上，或者經固化之預黏著劑材料層可係獨立的層。
亦揭示者係多層物品，其中離型基材已經移除以暴露電路及黏著劑層。在此等物品中，如上文所述，可將黏著劑層塗佈在一背襯、片材、或膜上，或者黏著劑層可係經固化之預黏著劑材料層，其係一獨立的層。
如上文所述，已在其中移除離型基材使電路及黏著劑層暴露的多層物品可依原樣使用，或者可使黏著劑層接觸一第二基材以形成一多層層壓板物品。廣泛各式的可能性均適於第二基材。第二基材可係剛性、半剛性、或可撓性。剛性基材之實例包括玻璃板、相對厚聚合物板(例如聚碳酸酯(PC)板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)板)、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。半剛性基材之實例包括相對厚聚合物膜(單片膜或多層膜之任一者)及類似者。可撓性基材之實例包括膠帶背襯、膜(包括光學膜及非光學膜兩者)、及離型襯墊。基材之選擇可依據層壓板物品所欲之使用而廣泛地改變。
本揭露包括下列實施例：
該等實施例中包含在一表面上製備電路之方法。
實施例1包括一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含提供一結構化離型基材，其在該離型基材之該表面上包含一系列突起部及凹陷處，且在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含由電漿沉積所製備的一離型表面；製備一電路形成材料層，其在該結構化離型基材之該表面上的該離型層上；提供一黏著劑層；使該黏著劑層接觸該結構化離型基材之突起部上的該電路形成材料；以及自該結構化離型基材之該表面移除該黏著劑層，使 得該結構化離型基材之該等突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
實施例2係如實施例1之方法，其中該離型基材之該表面上的該系列突起部及凹陷處包含半球體、稜柱、稜錐體、橢圓體、凹槽、或溝槽的一圖案。
實施例3係如實施例1或2之方法，其中該電路形成層包含一金屬層。
實施例4係如實施例3之方法，其中該金屬包含銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、鎢、或其組合。
實施例5係如實施例1或2之方法，其中該電路形成層包含一導電或半導電金屬氧化物層。
實施例6係如實施例5之方法，其中該導電或半導電金屬氧化物包含二元金屬氧化物，其等包含氧化鋅、二氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、三氧化鉬、三氧化鎢、及五氧化二釩；或者經摻雜之導電金屬氧化物，其等包含以Sb摻雜的氧化錫、以Al摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化錫、及以Sb摻雜的氧化鋅。
實施例7係如實施例1至6中任一者之方法，其中該電路形成層具有從100奈米至1微米的厚度。
實施例8係如實施例1至7中任一者之方法，其中該結構化離型層之該等突起部包含從1.0至3.0毫米的平均截面寬度。
實施例9係如實施例1至8中任一者之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路係呈一圖案，該圖案與該離型基材之突起部的圖案相符。
實施例10係如實施例1至9中任一者之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
實施例11係如實施例1至10中任一者之方法，其進一步包含使其上具有一電路的該黏著劑表面接觸一第二基材表面以形成一層壓構造。
實施例12係如實施例11之方法，其中該第二基材包含一剛性基材、一半剛性基材、或一可撓性基材。
實施例13係如實施例12之方法，其中該第二基材包含一剛性基材，該剛性基材係選自玻璃板、聚碳酸酯(PC)聚合物板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物板、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。
實施例14係如實施例12之方法，其中該第二基材包含一半剛性基材，該半剛性基材係選自單片聚合物膜或多層聚合物膜。
實施例15係如實施例12之方法，其中該第二基材包含一可撓性基材，該可撓性基材係選自膠帶背襯、光學膜、非光學膜、及離型襯墊。
實施例16係如實施例1至15中任一者之方法，其中該黏著劑層包含一光學透明黏著劑層。
實施例17係如實施例1至16中任一者之方法，其中該黏著劑層包含(甲基)丙烯酸酯基壓敏性黏著劑或聚矽氧基壓敏性黏著劑。
實施例18係如實施例1至17中任一者之方法，其中該黏著劑層包含一導電黏著劑層。
實施例19包括一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含提供一結構化離型基材，其在該離型基材之該表面上包含一系列突起部及凹陷處，且在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含由電漿沉積所製備的一離型表面；製備一電路形成材料層，其在該結構化離型基材之該表面上的該離型層上；自該離型基材之該等突起部移除該電路形成材料；提供一黏著劑層或一預黏著劑層；使該黏著劑層或該預黏著劑層接觸該結構化離型基材之該等凹陷處中的該電路形成材料；若該黏著劑層係一預黏著劑層，固化該預黏著劑層以形成一黏著劑層；以及自該結構化離型基材之該表面移除該黏著劑層，使得該結構化離型基材之該等凹陷處中之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
實施例20係如實施例19之方法，其中該離型基材之該表面上的該系列突起部及凹陷處包含半球體、稜柱、稜錐體、橢圓體、凹槽、或溝槽的一圖案。
實施例21係如實施例19或20之方法，其中該電路形成層包含一金屬層。
實施例22係如實施例21之方法，其中該金屬包含銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、鎢、或其組合。
實施例23係如實施例19或20之方法，其中該電路形成層包含一導電或半導電金屬氧化物層。
實施例24係如實施例23之方法，其中該導電或半導電金屬氧化物包含二元金屬氧化物，其等包含氧化鋅、二氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、三氧化鉬、三氧化鎢、及五氧化二釩；或者經摻雜之導電金屬氧化物，其等包含以Sb摻雜的氧化錫、以Al摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化錫、及以Sb摻雜的氧化鋅。
實施例25係如實施例19至24中任一者之方法，其中該電路形成層具有從100奈米至1微米的厚度。
實施例26係如實施例19至25中任一者之方法，其中該結構化離型層之該等突起部包含從1.0至3.0毫米的平均截面寬度。
實施例27係如實施例19至26中任一者之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路係呈一圖案，該圖案與該離型基材之凹陷處的圖案相符。
實施例28係如實施例19至27中任一者之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
實施例29係如實施例19至28中任一者之方法，其進一步包含使其上具有一電路的該黏著劑表面接觸一第二基材表面以形成一層壓構造。
實施例30係如實施例29之方法，其中該第二基材包含一剛性基材、一半剛性基材、或一可撓性基材。
實施例31係如實施例30之方法，其中該第二基材包含一剛性基材，該剛性基材係選自玻璃板、聚碳酸酯(PC)聚合物板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物板、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。
實施例32係如實施例30之方法，其中該第二基材包含一半剛性基材，該半剛性基材係選自單片聚合物膜或多層聚合物膜。
實施例33係如實施例30之方法，其中該第二基材包含一可撓性基材，該可撓性基材係選自膠帶背襯、光學膜、非光學膜、及離型襯墊。
實施例34係如實施例19至33中任一者之方法，其中自該離型基材之該等突起部移除該電路形成材料包含黏著劑轉移、擦拭、或真空移除。
實施例35係如實施例19至34中任一者之方法，其中該預黏著劑層包含UV可固化組成物或熱固性組成物。
實施例36係如實施例19至35中任一者之方法，其中該預黏著劑組成物包含導電預黏著劑組成物。
實施例37係如實施例19至36中任一例之方法，其進一步包含使一背襯層接觸該黏著劑層或預黏著劑層。
實施例38包括一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含提供一未結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面；製備一電路形成材料層，其在該離型基材之該表面上的該離型層上；提供一壓紋工具，該壓紋工具包含具有突起部及凹陷處的一表面；使該壓紋工具以壓力抵靠該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層進行壓紋，以在該離型基材之該表面上於該離型層上之該電路形成材料層中製備一經壓紋表面；在該離型基材之該表面上自該離型層上之該電路形成材料層移除該壓紋工具；提供一黏著劑層；使該黏著劑層接觸在該離型基材之該經壓紋表面的該等經壓紋突起部上的該電路形成材料；以及自該離型基材之該經壓紋表面移除該黏著劑層，使得該離型基材之該等經壓紋突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
實施例39係如實施例38之方法，其中該離型基材之該表面上之該離型層上的該電路形成材料層中之該經壓紋表面中的該系列突起部及凹陷處包含半球體、稜柱、稜錐體、橢圓體、凹槽、或溝槽的一圖案。
實施例40係如實施例38或39之方法，其中該電路形成層包含一金屬層。
實施例41係如實施例40之方法，其中該金屬包含銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、鎢、或其組合。
實施例42係如實施例38或39之方法，其中該電路形成層包含一導電或半導電金屬氧化物層。
實施例43係如實施例42之方法，其中該導電或半導電金屬氧化物包含二元金屬氧化物，其等包含氧化鋅、二氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、三氧化鉬、三氧化鎢、及五氧化二釩；或者經摻雜之導電金屬氧化物，其等包含以Sb摻雜的氧化錫、以Al摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化錫、及以Sb摻雜的氧化鋅。
實施例44係如實施例38至43中任一者之方法，其中該電路形成層具有從100奈米至1微米的厚度。
實施例45係如實施例38至44中任一者之方法，其中該離型基材之該表面上之該離型層上的該電路形成材料層中的該等突起部包含從1.0至3.0毫米的平均截面寬度。
實施例46係如實施例38至45中任一者之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路係呈一圖案，該圖案與該離型基材之突起部的圖案相符。
實施例47係如實施例38至46中任一者之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
實施例48係如實施例38至47中任一者之方法，其進一步包含使其上具有一電路的該黏著劑表面接觸一第二基材表面以形成一層壓構造。
實施例49係如實施例48之方法，其中該第二基材包含一剛性基材、一半剛性基材、或一可撓性基材。
實施例50係如實施例49之方法，其中該第二基材包含一剛性基材，該剛性基材係選自玻璃板、聚碳酸酯(PC)聚合物板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物板、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。
實施例51係如實施例49之方法，其中該第二基材包含一半剛性基材，該半剛性基材係選自單片聚合物膜或多層聚合物膜。
實施例52係如實施例49之方法，其中該第二基材包含一可撓性基材，該可撓性基材係選自膠帶背襯、光學膜、非光學膜、及離型襯墊。
實施例53係如實施例38至52中任一者之方法，其中該黏著劑層包含一光學透明黏著劑層。
實施例54係如實施例38至53中任一者之方法，其中該黏著劑層包含(甲基)丙烯酸酯基壓敏性黏著劑或聚矽氧基壓敏性黏著劑。
實施例55係如實施例38至54中任一者之方法，其中該黏著劑層包含一導電黏著劑層。
實施例56係如實施例38至55中任一者之方法，其進一步包含提供該離型基材，其具有一經壓紋表面以及在該經壓紋表面之該等凹陷處中的電路形成材料；提供一黏著劑層或一預黏著劑層；使該黏著劑層或該預黏著劑層接觸該經壓紋離型基材之該等凹陷處中的該電路形成材料；若該黏著劑層係一預黏著劑層，固化該預黏著劑層以形成一黏著劑層；以及自該結構化離型基材之該表面移除該黏著劑層，使得該結構化離型基材之該等凹陷處中之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
實施例57包括一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含提供一未結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面；製備一電路形成材料層，其在該離型基材之該表面上的該離型層上；提供一結構化黏著劑層，該結構化黏著劑層包含具有突起部及凹陷處的一表面；使該結構化黏著劑層抵靠該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層產生接觸，使得僅該結構化黏著劑層之該等突起部接觸該電路形成材料層；自該離型基材移除該黏著劑層，使得該結構化黏著劑層之該等突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
實施例58係如實施例57之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該系列突起部及凹陷處包含半球體、稜柱、稜錐體、橢圓體、凹槽、或溝槽的一圖案。
實施例59係如實施例57或58之方法，其中該電路形成層包含一金屬層。
實施例60係如實施例59之方法，其中該金屬包含銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、鎢、或其組合。
實施例61係如實施例57或58之方法，其中該電路形成層包含一導電或半導電金屬氧化物層。
實施例62係如實施例61之方法，其中該導電或半導電金屬氧化物包含二元金屬氧化物，其等包含氧化鋅、二氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、三氧化鉬、三氧化鎢、及五氧化二釩；或者經摻雜之導電金屬氧化物，其等包含以Sb摻雜的氧化錫、以Al摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化錫、及以Sb摻雜的氧化鋅。
實施例63係如實施例57至62中任一者之方法，其中該電路形成層具有小於100奈米的厚度。
實施例64係如實施例57至62中任一者之方法，其中該電路形成層具有從50至100奈米的厚度。
實施例65係如實施例57至64中任一者之方法，其中該黏著劑層之該等突起部包含從1.0至3.0毫米的平均截面寬度。
實施例66係如實施例57至65中任一者之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路係呈一圖案，該圖案與該離型基材之突起部的圖案相符。
實施例67係如實施例57至66中任一者之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
實施例68係如實施例57至67中任一者之方法，其進一步包含使其上具有一電路的該黏著劑表面接觸一第二基材表面以形成一層壓構造。
實施例69係如實施例68之方法，其中該第二基材包含一剛性基材、一半剛性基材、或一可撓性基材。
實施例70係如實施例69之方法，其中該第二基材包含一剛性基材，該剛性基材係選自玻璃板、聚碳酸酯(PC)聚合物板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物板、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。
實施例71係如實施例69之方法，其中該第二基材包含一半剛性基材，該半剛性基材係選自單片聚合物膜或多層聚合物膜。
實施例72係如實施例69之方法，其中該第二基材包含一可撓性基材，該可撓性基材係選自膠帶背襯、光學膜、非光學膜、及離型襯墊。
實施例73係如實施例57至72中任一者之方法，其中該黏著劑層包含一光學透明黏著劑層。
實施例74係如實施例57至73中任一者之方法，其中該黏著劑層包含(甲基)丙烯酸酯基壓敏性黏著劑或聚矽氧基壓敏性黏著劑。
實施例75係如實施例57至74中任一者之方法，其中該黏著劑層包含一導電黏著劑層。
實施例76係如實施例57至75中任一者之方法，其進一步包含：使一可固化液體黏著劑接觸該離型基材之該表面，部分的電路形成材料已自該離型基材之該表面移除；固化該液體黏著劑以形成一黏著劑層；以及移除該黏著劑層，使得該離型基材上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
實施例77係如實施例76之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
實施例78係如實施例76至77中任一者之方法，其進一步包含使其上具有一電路的該黏著劑表面接觸一第二基材表面以形成一層壓構造。
實施例79係如實施例78之方法，其中該第二基材包含一剛性基材、一半剛性基材、或一可撓性基材。
實施例80係如實施例79之方法，其中該第二基材包含一剛性基材，該剛性基材係選自玻璃板、聚碳酸酯(PC)聚合物板或聚 甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物板、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。
實施例81係如實施例79之方法，其中該第二基材包含一半剛性基材，該半剛性基材係選自單片聚合物膜或多層聚合物膜。
實施例82係如實施例79之方法，其中該第二基材包含一可撓性基材，該可撓性基材係選自膠帶背襯、光學膜、非光學膜、及離型襯墊。
實施例83係如實施例76至82中任一者之方法，其中該預黏著劑層包含UV可固化組成物或熱固性組成物。
實施例84係如實施例76至83中任一者之方法，其中該預黏著劑層包含導電預黏著劑組成物。
實施例85係如實施例76至84中任一例之方法，其進一步包含使一背襯層接觸該黏著劑層或預黏著劑層。
亦揭露者係多層物品。
實施例86包括一種多層物品，該物品包含：一黏著劑層，其包含一第一主要表面及一第二主要表面；一電路，其與該黏著劑層之該第一主要表面的至少一部分接觸；以及一結構化離型基材，其具有一第一主要表面及一第二主要表面，其中該第二主要表面包含一結構化表面，其在該離型基材之該表面上包含一系列突起部及凹陷處，且在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層；且其中該離型基材之該第二主要表面的至少一部分與該電路接觸。
實施例87係如實施例86之多層物品，其中該離型基材之該表面上的該系列突起部及凹陷處包含半球體、稜柱、稜錐體、橢圓體、凹槽、或溝槽的一圖案。
實施例88係如實施例86或87之多層物品，其中該電路包含金屬。
實施例89係如實施例88之多層物品，其中該金屬包含銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、鎢、或其組合。
實施例90係如實施例86或87之多層物品，其中該電路包含一導電或半導電金屬氧化物。
實施例91係如實施例90之多層物品，其中該導電或半導電金屬氧化物包含二元金屬氧化物，其等包含氧化鋅、二氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、三氧化鉬、三氧化鎢、及五氧化二釩；或者經摻雜之導電金屬氧化物，其等包含以Sb摻雜的氧化錫、以Al摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化錫、及以Sb摻雜的氧化鋅。
實施例92係如實施例86至91中任一者之多層物品，其中該電路具有從100奈米至1微米的厚度。
實施例93係如實施例86至92中任一者之多層物品，其中該結構化離型層之該等突起部包含從1.0至3.0毫米的平均截面寬度。
實施例94係如實施例86至93中任一者之多層物品，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
實施例95係如實施例86至94中任一者之多層物品，其中該黏著劑層包含一光學透明黏著劑層。
實施例96係如實施例86至95中任一者之多層物品，其中該黏著劑層包含(甲基)丙烯酸酯基壓敏性黏著劑或聚矽氧基壓敏性黏著劑。
實施例97係如實施例86至96中任一者之多層物品，其中該黏著劑層包含一導電黏著劑層。
實施例98係如實施例86至97中任一者之多層物品，其中該離型基材已經移除以暴露該電路及該黏著劑層。
實施例99係如實施例98之多層物品，其中該經暴露的電路及黏著劑層係與一第二基材的表面接觸。
實施例100係如實施例99之多層物品，其中該第二基材包含一剛性基材、一半剛性基材、或一可撓性基材。
實施例101係如實施例100之多層物品，其中該第二基材包含一剛性基材，該剛性基材係選自玻璃板、聚碳酸酯(PC)聚合物板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物板、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。
實施例102係如實施例100之多層物品，其中該第二基材包含一半剛性基材，該半剛性基材係選自單片聚合物膜或多層聚合物膜。
實施例103係如實施例100之多層物品，其中該第二基材包含一可撓性基材，該可撓性基材係選自膠帶背襯、光學膜、非光學膜、及離型襯墊。
實施例104包括一種多層物品，該物品包含：一結構化黏著劑層，其包含一第一主要表面及一第二主要表面，其中該第二主要表面包含一結構化表面，其在該黏著劑層之該第二主要表面的該表面上包含一系列突起部及凹陷處；一電路，其與該黏著劑層之該第二主要表面的至少一部分接觸；及一離型基材，其具有一第一主要表面及一第二主要表面，且在該離型基材之該第一主要表面上具有一氟化離型層；且其中該離型基材之該第一主要表面的至少一部分與該電路接觸。
實施例105係如實施例104之多層物品，其中該黏著劑層之該表面上的該系列突起部及凹陷處包含半球體、稜柱、稜錐體、橢圓體、凹槽、或溝槽的一圖案。
實施例106係如實施例104或105之多層物品，其中該電路包含金屬。
實施例107係如實施例106之多層物品，其中該金屬包含銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、鎢、或其組合。
實施例108係如實施例104或105之多層物品，其中該電路包含一導電或半導電金屬氧化物。
實施例109係如實施例108之多層物品，其中該導電或半導電金屬氧化物包含二元金屬氧化物，其等包含氧化鋅、二氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、三氧化鉬、三氧化鎢、及五氧化二釩；或者經摻雜之導電金屬氧化物，其等包含以Sb摻雜的氧化錫、以Al摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化錫、及以Sb摻雜的氧化鋅。
實施例110係如實施例104至109中任一者之多層物品，其中該電路具有從50至100奈米的厚度。
實施例111係如實施例104至110中任一者之多層物品，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
實施例112係如實施例104至111中任一者之多層物品，其中該黏著劑層包含一光學透明黏著劑層。
實施例113係如實施例104至112中任一者之多層物品，其中該黏著劑層包含(甲基)丙烯酸酯基壓敏性黏著劑。
實施例114係如實施例104至113中任一者之多層物品，其中該離型基材已經移除以暴露該電路及該黏著劑層。
實施例115係如實施例114之多層物品，其中該經暴露的電路及黏著劑層係與一第二基材的表面接觸。
實施例116係如實施例115之多層物品，其中該第二基材包含一剛性基材、一半剛性基材、或一可撓性基材。
實施例117係如實施例116之多層物品，其中該第二基材包含一剛性基材，該剛性基材係選自玻璃板、聚碳酸酯(PC)聚合物板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物板、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。
實施例118係如實施例116之多層物品，其中該第二基材包含一半剛性基材，該半剛性基材係選自單片聚合物膜或多層聚合物膜。
實施例119係如實施例116之多層物品，其中該第二基材包含一可撓性基材，該可撓性基材係選自膠帶背襯、光學膜、非光學膜、及離型襯墊。
實施例120係如實施例104至119中任一者之多層物品，其中該結構化黏著劑層包含一導電黏著劑層。
實施例121包括一種多層物品，該物品包含：一黏著劑層，其包含一第一主要表面及一第二主要表面；一電路，其與該黏著劑層之該第二主要表面的至少一部分接觸，其中該電路包含電路元件，該等電路元件包含不連續的導電材料；及一離型基材，其具有一第一主要表面及一第二主要表面，且在該離型基材之該第一主要表面上具有一氟化離型層；且其中該離型基材之該第一主要表面的至少一部分與該電路接觸且與該黏著劑層之該第二主要表面接觸。
實施例122係如實施例121之多層物品，其中該等電路元件包含金屬。
實施例123係如實施例122之多層物品，其中該金屬包含銅、鉻、鋁、鎳、金、銀、鎢、或其組合。
實施例124係如實施例121之多層物品，其中該等電路元件包含一導電或半導電金屬氧化物。
實施例125係如實施例124之多層物品，其中該導電或半導電金屬氧化物包含二元金屬氧化物，其等包含氧化鋅、二氧化鈦、氧化錫、氧化鋁、氧化銦、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、三氧化鉬、三氧化鎢、及五氧化二釩；或者經摻雜之導電金屬氧化物，其等包含以Sb摻雜的氧化錫、以Al摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化鋅、以In摻雜的氧化錫、及以Sb摻雜的氧化鋅。
實施例126係如實施例121至125中任一者之多層物品，其中該電路具有從50至100奈米的厚度。
實施例127係如實施例121至126中任一者之多層物品，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
實施例128係如實施例121至127中任一者之多層物品，其中該黏著劑層包含一光學透明黏著劑層。
實施例129係如實施例121至128中任一者之多層物品，其中該黏著劑層包含(甲基)丙烯酸酯基壓敏性黏著劑或聚矽氧基壓敏性黏著劑。
實施例130係如實施例121至129中任一者之多層物品，其中該黏著劑層包含一導電黏著劑層。
實施例131係如實施例121至130中任一者之多層物品，其中該離型基材已經移除以暴露該電路及該黏著劑層。
實施例132係如實施例131之多層物品，其中該經暴露的電路及黏著劑層係與一第二基材的表面接觸。
實施例133係如實施例132之多層物品，其中該第二基材包含一剛性基材、一半剛性基材、或一可撓性基材。
實施例134係如實施例133之多層物品，其中該第二基材包含一剛性基材，該剛性基材係選自玻璃板、聚碳酸酯(PC)聚合物板或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物板、陶瓷、金屬板、或者裝置之外部表面。
實施例135係如實施例133之多層物品，其中該第二基材包含一半剛性基材，該半剛性基材係選自單片聚合物膜或多層聚合物膜。
實施例136係如實施例133之多層物品，其中該第二基材包含一可撓性基材，該可撓性基材係選自膠帶背襯、光學膜、非光學膜、及離型襯墊。
實例
除非另有說明，本說明書中之實例及其餘部分中的份數、百分率、比率等皆依重量計。使用常見的縮寫，例如mm代表毫米，及lbs代表磅。
測試方法及製備流程 結構化聚合物片材
具有向下網溝槽的一聚丙烯膜片材係藉由擠出複製來形成，其中經複製的物品呈現一複製母版工具的相反結構。此膜片材係以ExxonMobil PP1024聚丙烯均聚物樹脂製作。結構化物品可藉由三個參數來說明：節距，其係經定義為自一個結構上的一點至下一個最接近結構上的對應點的距離；高度，其係高出基底或有時稱作「台面(land)」之突起部的高度，突起部的高度可替代地視為凹陷處的深度；及寬度，凹陷處的寬度。此等特徵係顯示於圖1a，其中節距為「P」，高度為「H」，且寬度為「W」。在此等實例中，節距係3.00mm，高度係0.17mm，且寬度係0.20mm。
未結構化聚合物片材
實例3及實例4中所用的未結構化聚合物片材係一5密耳(127微米)厚的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜。
黏著劑膠帶
黏著劑膠帶係由可購自3M Company,St.Paul,MN之黏著劑轉移膠帶「3M OCA 8172」製備，將黏著劑轉移膠帶層壓至5密耳(127微米)厚的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜上。
壓紋工具
藉由標準CNC加工裝置來製作一鋁壓紋工具。藉由與用於定義上文之結構化聚合物片材相同的參數，即節距、高度、及寬度，來定義壓紋工具，如圖3d所示。在本實例所用的壓紋工具中，節距係3.0mm，高度係0.18mm，且寬度係0.20mm。
結構化黏著劑膠帶
結構化黏著劑膠帶係由可購自3M Company,St.Paul,MN之黏著劑轉移膠帶「3M OCA 8172」所製備。移除一離型襯墊，且將黏著劑表面層壓至5密耳(127微米)厚的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜以形成在另一黏著劑表面上具有一離型襯墊的一膠帶。黏著劑膠帶係在一液壓熱壓機中使用壓紋工具通過離型襯墊側進行壓紋。液壓熱壓機係設定為350℉(177℃)，且壓力係設定為20,000lbs(89,000牛頓(Newton))持續7分鐘。
用於離型表面之電漿處理
電漿處理以產生一含氟化合物離型表面係如下列申請案所述運行：於2014年10月20日提出申請之代理人案號第 75869US002號之發明名稱為「Insulated Glazing Units and Microoptical Layer Comprising Microstructured Diffuser and Methods」。電漿處理係在一真空批次塗佈機中實行，使用150SCCM的C3F8作為程序氣體，1000瓦的電漿功率持續2分鐘的時間。
金屬化程序
銅金屬導電層係藉由習知的氣相沉積法來沉積以形成0.2微米厚度的膜(除了實例4以外，在實例4中的金屬厚度係50奈米)。
電氣連續性測試
跡線的電氣連續性係使用一手持式Fluke 115多用電表來查核，且電阻值係以歐姆記錄。
實例 實例1：自結構化聚合物膜轉移之電路
針對此實例，一結構化聚合物片材係如圖1b所示使用電漿處理程序經離型塗佈，且接著如圖1c所示經金屬化。使黏著劑膠帶接觸所得之離型基材物品的經金屬化之結構化側，如圖1d所示。一經自離型基材物品剝離黏著劑膠帶，則直接與黏著劑膠帶接觸之金屬塗層的該部分便自膜工具移除，得到圖1e所示之離型基材及圖1f所 示之經定位於一黏著劑層上的電路(亦稱為經轉移之導電圖案)。黏著劑膠帶上之電路的電阻係經測量，且跡線之間的電氣不連續性(如藉由一「開路(open)」電阻所佐證者)係經確認。
實例2：自結構化聚合物膜負轉移之圖案
針對此實例，遵循類似於實例1的程序，其中一結構化聚合物片材係經離型塗佈及金屬化。同樣類似於實例1，使黏著劑膠帶接觸離型基材之經金屬化的結構化側，且自離型基材剝離黏著劑膠帶以產生圖2a所示之物品(其係與圖1e之物品相同)。不像實例1，其中經定位於離型基材之突起部上的金屬係經轉移以產生一黏著劑層上的電路，在此實例中，離型基材之凹陷處內所含的殘餘金屬係經轉移至一黏著劑層以產生一電路。將一UV可固化液體黏著劑(可購自Norland之NOA 72)塗佈至在離型基材之凹陷處中含有金屬之圖2a的物品，且液體黏著劑層係以5密耳(127微米)厚的PET膜背襯覆疊，如圖2b所示。按照由液體黏著劑之製造商所提供的方向以UV光固化所得物品。一經自離型基材剝離PET膜背襯及經UV固化之黏著劑層，殘餘金屬便轉移至經UV固化之黏著劑層以產生圖2c所示之 無金屬離型基材，且電路(亦稱為經轉移之導電圖案)係經定位於圖2d所示的一黏著劑層上。以此方式，實例2中所形成的電路可視為實例1中所產生之電路的一圖像負圖案。黏著劑轉移膠帶上之跡線的電阻係經測量，且跡線之間的電氣不連續性(如藉由一「開路(open)」電阻所佐證者)係經確認。
實例3：自經壓紋金屬化離型襯墊轉移之金屬圖案
針對此實例，圖3a所示之一未結構化聚合物片材係經電漿處理以產生如圖3b所示的一離型表面，且如圖3c所示般經金屬化。為了提供型貌於此離型基材，在一液壓熱壓機中將壓紋工具(上述及圖3d所示者)之突起部施加至未結構化離型基材之經金屬化的表面。液壓熱壓機係設定為350℉(177℃)，且壓力係設定為20,000lbs(89,000牛頓(Newton))持續5分鐘，如圖3e所示。壓紋步驟使先前的未結構化離型基材轉變成具有型貌結構的一離型基材。所得之物品係顯示於圖3f中，且除了壓紋程序打斷金屬層的連續性，使得在圖3f之物品的凹陷處的側面上不存在金屬以外，該物品係非常類似於圖1c的物品。使黏著劑膠帶接觸圖3f所示之所得的離型基材之經金屬化的 結構化側，以產生如圖3g所示之物品。一經自離型基材物品剝離黏著劑膠帶，則直接與黏著劑膠帶接觸之金屬塗層的該部分便自膜工具移除，得到圖3h所示之離型基材及圖3i所示之經定位於一黏著劑層上的電路(亦稱為經轉移之導電圖案)。黏著劑膠帶上之電路的電阻係經測量，且跡線之間的電氣不連續性(如藉由一「開路(open)」電阻所佐證者)係經確認。
實例4：使用經壓紋的黏著劑膠帶轉移之金屬圖案
針對此實例，圖4a所示之一未結構化聚合物片材係經電漿處理以產生如圖4b所示的一離型表面，且如圖4c所示般經金屬化。此係非常類似於上文實例3中所述之程序，除了在此例中，金屬層僅50奈米厚(相對於實例3中的0.20mm)。使具有一結構化型貌的一黏著劑膠帶(上述及圖4d所示者)接觸未結構化離型基材之經金屬化的表面。所得物品係顯示於圖4e中。一經自離型基材物品剝離黏著劑膠帶，則直接與黏著劑膠帶之突起部接觸之金屬塗層的該部分便自離型基材移除，得到圖4f所示之離型基材及圖4g所示之經定位於一黏著劑層上的電路(亦稱為經轉移之導電圖案)。
圖4f所示之離型基材包含部分的暴露離型表面及部分的薄金屬。將一UV可固化液體黏著劑(可購自Norland之NOA 72)塗佈至此物品，且液體黏著劑層係以5密耳(127微米)厚的PET膜背襯覆疊，如圖4g所示。按照由液體黏著劑之製造商所提供的方向以UV光固化所得物品。一經自離型基材剝離PET膜背襯及經UV固化之黏著劑層，殘餘金屬便轉移至經UV固化之黏著劑層以產生圖4h所示之無金屬離型基材，且電路(亦稱為經轉移之導電圖案)係經定位於圖4i所示的一黏著劑層上。以此方式，實例之此部分中所形成的電路可視為實例之第一部分中所產生之電路的一圖像負圖案。黏著劑轉移膠帶上之跡線的電阻係經測量，且跡線之間的電氣不連續性(如藉由一「開路(open)」電阻所佐證者)係經確認。
比較例C1：具有非離型基材之經壓紋的黏著劑膠帶
針對此實例，如上文實例4中所用的一未結構化聚合物片材係在無電漿處理的情況下使用，且係經金屬化以得到具有50奈米厚度的一金屬層。使如上文實例4中所述之具有一結構化型貌的一黏 著劑膠帶接觸未結構化基材之經金屬化的表面。一經自基材剝離黏著劑膠帶，並無金屬被轉移至黏著劑。
1‧‧‧片材
100a‧‧‧結構化熱塑性片材
110a‧‧‧突起部
120a‧‧‧凹陷處
H‧‧‧高度
P‧‧‧節距
W‧‧‧寬度

Claims (23)

  1. 一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含：提供一結構化離型基材，其在該離型基材之該表面上包含一系列突起部及凹陷處，且在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面；製備一電路形成材料層，其在該結構化離型基材之該表面上的該離型層上；提供一黏著劑層；使該黏著劑層接觸該結構化離型基材之突起部上的該電路形成材料；及自該結構化離型基材之該表面移除該黏著劑層，使得該結構化離型基材之該等突起部上的該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層的該表面以形成在其上具有一電路的一黏著劑表面。
  2. 如請求項1之方法，其中該離型基材之該表面上的該系列突起部及凹陷處包含半球體、稜柱、稜錐體、橢圓體、凹槽、或溝槽的一圖案。
  3. 如請求項1之方法，其中該電路形成層包含一金屬層。
  4. 如請求項1之方法，其中該結構化離型層之該等突起部包含1.0至3.0毫米的一平均截面寬度。
  5. 如請求項1之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路係呈一圖案，該圖案與該離型基材之突起部的圖案相符。
  6. 如請求項1之方法，其中該黏著劑層之該表面上的該電路包含一RFID天線、一LED電路、一EMI屏蔽、一穿戴式電子感測器、或一觸控螢幕電路。
  7. 如請求項1之方法，其中該黏著劑層包含一導電黏著劑層。
  8. 如請求項1之方法，其進一步包含使其上具有一電路的該黏著劑表面接觸一第二基材表面以形成一層壓構造。
  9. 一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含：提供一結構化離型基材，其在該離型基材之該表面上包含一系列突起部及凹陷處，且在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面；製備一電路形成材料層，其在該結構化離型基材之該表面上的該離型層上；自該離型基材之該等突起部移除該電路形成材料；提供一黏著劑層或一預黏著劑層；使該黏著劑層或該預黏著劑層接觸該結構化離型基材之該等凹陷處中的該電路形成材料；若該黏著劑層係一預黏著劑層，固化該預黏著劑層以形成一黏著劑層；及自該結構化離型基材之該表面移除該黏著劑層，使得該結構化離型基材之該等凹陷處中的該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層的該表面以形成在其上具有一電路的一黏著劑表面。
  10. 如請求項9之方法，其中該電路形成層包含一金屬層。
  11. 如請求項9之方法，其中自該離型基材之該等突起部移除該電路形成材料包含黏著劑轉移、擦拭、或真空移除。
  12. 如請求項9之方法，其中該預黏著劑層包含UV可固化組成物或熱固性組成物。
  13. 一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含：提供一未結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一氟化 離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面；製備一電路形成材料層，其在該離型基材之該表面上的該離型層上；提供一壓紋工具，該壓紋工具包含具有突起部及凹陷處的一表面；使該壓紋工具以壓力抵靠該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層進行壓紋，以在該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層中製備一經壓紋表面；自該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層移除該壓紋工具；提供一黏著劑層；使該黏著劑層接觸在該離型基材之該經壓紋表面的該等經壓紋突起部上之該電路形成材料；及自該離型基材之該經壓紋表面移除該黏著劑層，使得該離型基材之該等經壓紋突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路的一黏著劑表面。
  14. 如請求項13之方法，其中該電路形成層包含一金屬層。
  15. 如請求項13之方法，其進一步包含使其上具有一電路的該黏著劑表面接觸一第二基材表面以形成一層壓構造。
  16. 一種在一表面上製備一電路之方法，該方法包含：提供一未結構化離型基材，在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層，其中該氟化離型層包含藉由電漿沉積製備之一離型表面；製備一電路形成材料層，其在該離型基材之該表面上的該離型層上；提供一結構化黏著劑層，該結構化黏著劑層包含具有突起部及凹 陷處的一表面；使該結構化黏著劑層抵靠該離型基材之該表面上的該離型層上之該電路形成材料層產生接觸，使得僅該結構化黏著劑層之該等突起部接觸該電路形成材料層；自該離型基材移除該黏著劑層，使得該結構化黏著劑層之該等突起部上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
  17. 如請求項16之方法，其進一步包含：使一可固化液體黏著劑接觸該離型基材之該表面，部分的電路形成材料已自該離型基材之該表面移除；固化該液體黏著劑以形成一黏著劑層；及移除該黏著劑層，使得該離型基材上之該電路形成材料的至少一部分一經移除便至少部分地黏附至該黏著劑層之該表面以形成在其上具有一電路之一黏著劑表面。
  18. 如請求項16之方法，其中該電路形成層包含一金屬層，該金屬層具有小於100奈米的厚度。
  19. 如請求項17之方法，其進一步包含使其上具有一電路的該黏著劑表面接觸一第二基材表面以形成一層壓構造。
  20. 一多層物品，其包含：一黏著劑層，其包含一第一主要表面及一第二主要表面；一電路，其與該黏著劑層之該第一主要表面的至少一部分接觸；及一結構化離型基材，其具有一第一主要表面及一第二主要表面，其中該第二主要表面包含一結構化表面，其在該離型基材之該表面上包含一系列突起部及凹陷處，且在該離型基材之該表面上具有一氟化離型層；且其中該離型基材之該第二主要表面的至少一部分係 與該電路接觸。
  21. 如請求項20之多層物品，其中該離型基材已經移除以暴露該電路及該黏著劑層。
  22. 如請求項21之多層物品，其中該經暴露的電路及黏著劑層係與一第二基材的表面接觸。
  23. 如請求項20之多層物品，其中該黏著劑層包含一導電黏著劑層。
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