TW201819492A

TW201819492A - 防護薄膜組件

Info

Publication number: TW201819492A
Application number: TW106117071A
Authority: TW
Inventors: 西村晃範
Original assignee: 信越化學工業股份有限公司
Priority date: 2016-05-26
Filing date: 2017-05-24
Publication date: 2018-06-01
Also published as: EP3249467B1; JP2017211516A; KR102418136B1; TWI760337B; EP3249467A1; EP3971646A1; CN107436534B; JP6532428B2; CN107436534A; TW202222936A; KR20220100823A; US10429730B2; KR20170134225A; KR20240095113A; US20170343895A1; TWI804221B; KR102808077B1

Abstract

本發明之目的在於提供一種防護薄膜組件，其在將防護薄膜框架與光罩貼合時，減少從防護薄膜框架往光罩傳遞之應力，可抑制光罩的扭曲。本發明之防護薄膜組件，包含框狀的防護薄膜框架、及張設於防護薄膜框架之上端面的防護薄膜而構成，其特徵為：於防護薄膜框架之與上端面相對向的下端面，涵蓋其全周地設置由凝膠狀物質形成的密封材層，並於防護薄膜框架之下端面一部分的複數處設置黏著劑層。

Description

防護薄膜組件

本發明係關於一種防護薄膜組件，作為在製造半導體元件、印刷基板、液晶顯示器等時的除塵構件使用。

在製造LSI（large-scale integration,大型積體電路）、超LSI等半導體或液晶顯示器等時，對半導體晶圓或液晶用原板照射光線以形成圖案，但此時若塵粒附著在使用之光罩或倍縮光罩（以下單以光罩稱之），則有邊緣變得不平整、基底變黑變髒等，損害尺寸、品質、外觀等問題。

因此，雖此等作業通常於無塵室進行，但即便如此仍難以恆常使光罩保持乾淨，故在將防護薄膜組件作為除塵構件貼附於光罩表面後施行曝光。此一情況，因異物並未直接附著於光罩之表面，而係附著於防護薄膜組件上，故若於微影時在光罩之圖案上對焦，則防護薄膜組件上的異物對轉印不造成影響。

一般而言，防護薄膜組件係以下述方式製造：於由鋁、不鏽鋼、聚乙烯等形成之防護薄膜框架的上端面塗布防護薄膜之良好溶媒後，使其風乾，黏接透光良好之由硝化纖維素、醋酸纖維素或氟樹脂等形成之透明防護薄膜（參考專利文獻1），或以丙烯樹脂、環氧樹脂等黏接劑黏接防護薄膜（參考專利文獻2及專利文獻3）。進一步，防護薄膜框架之下端，係以黏著層及剝離層（分離層）構成，該黏著層用於與光罩黏接，由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂、丙烯樹脂、矽氧樹脂等形成，該剝離層以保護該黏著層為目的。

而後，將此等防護薄膜組件安裝於光罩之表面，隔著光罩將形成在半導體晶圓或液晶用原版的光阻膜曝光時，塵粒等異物，附著於防護薄膜組件之表面而未直接附著於光罩之表面，因而若以使焦點位於形成在光罩之圖案上的方式照射曝光用之光線，則可避免塵粒等異物的影響。

而近年，半導體元件及液晶顯示器，漸漸高密集化、微細化。現今，亦實施將32nm程度之微細圖案形成在光阻膜的技術。若為32nm程度之圖案，則可藉由以下技術對應：將半導體晶圓或液晶用原版與投影透鏡之間，以超純水等液體填滿，利用氟化氬（ArF）準分子雷射，將光阻膜曝光之液浸曝光技術，或利用多重曝光等習知的準分子雷射之改良技術。

然則，對於新一代的半導體元件、液晶顯示器，要求形成更為微細化之圖案，若使用如同習知之防護薄膜組件及曝光技術，則難以形成更微細之圖案。

因而，近年作為用於形成更微細之圖案的方法，使用以13.5nm為主波長之EUV光的EUV曝光技術受到注目。 [習知技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開昭58－219023號公報專利文獻2：美國專利第4861402號專利文獻3：日本特公昭63－27707號公報

[本發明所欲解決的問題] 而隨著半導體元件、液晶顯示器之微細化，關於影響良率之防護薄膜組件，下述情況成為大問題：在將防護薄膜組件貼附於光罩時，光罩因其應力而扭曲（Pellicle Induced Distortion, PID,防護薄膜造成的失真），結果使形成之圖案的位置精度偏移，故難以形成微細圖案。

一般的防護薄膜組件，於防護薄膜框架之下端面涵蓋全周地設置黏著劑層，貼附防護薄膜組件與光罩時，光罩從防護薄膜框架之一方的端面全體受到應力，因此應力而產生光罩扭曲等問題。若光罩因從防護薄膜框架受到的應力而扭曲，則依扭曲之程度而變得難以形成目標的微細圖案。

因而，為了解決上述問題，本發明之目的在於提供一種防護薄膜組件，其在將防護薄膜框架與光罩貼合時，減少從防護薄膜框架往光罩傳遞之應力，可抑制光罩的扭曲。

本案發明人等，為了達成上述目的而重複精心檢討後，發現下述情形，因而提出本發明：若於防護薄膜框架之下端面，涵蓋其全周地設置柔軟的由凝膠狀物質形成之密封材層，且於其下端面一部分的複數處形成黏著材層，則相較於涵蓋防護薄膜框架之全周連續地形成黏著材層的習知情況，降低從防護薄膜組件給予光罩的應力，可將PID抑制為微小。 [解決問題之技術手段]

亦即，本發明之防護薄膜組件，包含框狀的防護薄膜框架、及張設於防護薄膜框架之上端面的防護薄膜而構成，其特徵為：於防護薄膜框架之與上端面相對向的下端面，涵蓋其全周地設置由凝膠狀物質形成的密封材層，並於防護薄膜框架之下端面一部分的複數處設置黏著劑層。

此外，本發明之防護薄膜組件，其特徵為：於防護薄膜框架設置複數個延伸部，且於該延伸部之下端面設置黏著劑層。而此一情況之黏著劑層的面積，相對於除了延伸部以外之防護薄膜框架下端面的面積，宜為1～80%。

進一步，本發明所使用之凝膠狀物質，宜為矽氧凝膠，其刺透度宜為40～150。黏著劑層，宜由矽氧黏著劑或丙烯黏著劑形成。 [本發明之效果]

若依照本發明，則相較於過去，可降低從防護薄膜組件給予光罩的應力，可抑制PID。因此，PID之影響並未特別成為問題，可在EUV微影等有效地利用。

以下，雖對本發明之一實施形態詳細地予以說明，但本發明並未限定於此一形態。

本發明之防護薄膜組件，在應用於光罩的扭曲特別成為問題之半導體製造的用途時效果特別明顯，但並未限定於此一用途。例如，不僅用於製造一邊為150mm左右之半導體，甚至用於製造一邊為200～300mm之印刷基板、及用於製造一邊為500～近2000mm之液晶或有機EL顯示器，可應用在防護薄膜組件貼附所造成之光罩變形成為問題的全部防護薄膜組件。

本發明之防護薄膜組件，係包含框狀的防護薄膜框架、及張設於防護薄膜框架之上端面的防護薄膜而構成。作為防護薄膜框架之材質，可使用下述等習知材質：鋁合金、鋼鐵、不鏽鋼、黃銅、恆範鋼（Invar）、超恆範鋼（Super Invar）等金屬或合金，PE、PA、PEEK等工程塑膠，GFRP、CFRP等纖維複合材料。

此外，宜施行處理以使其表面成為黑色，並因應必要施行用於防止發塵的塗層等表面處理。例如，在使用鋁合金之情況，宜施行氧皮鋁處理或轉化處理等表面處理，係鋼鐵、不鏽鋼等之情況，宜施行鍍黑鉻等表面處理。

為了捕集或固定浮游異物，亦宜於防護薄膜框架之內面，塗布丙烯系黏著劑、矽氧系黏著劑等黏著性物質。此外，以防止發塵為目的，亦宜於防護薄膜框架之僅內面、或其全面，形成丙烯系樹脂、氟系樹脂等非黏著性樹脂的被覆膜。此等黏著性樹脂、非黏著性樹脂的被覆膜之形成，可藉由噴塗、浸漬、粉末塗層、電沉積塗層等習知方法施工。

此外，為了操控等用途，亦可於防護薄膜框架之外表面，設置複數個治具孔、溝等，此外，亦宜藉由機械刻印或雷射標示施行型號、製造號或條碼等的表示。

進一步，為了調整防護薄膜組件的貼附後之內部的氣壓，亦可設置通氣孔，於其外側為了防止異物之侵入而安裝由PTFE等多孔質薄膜構成的過濾件。此時之過濾件的安裝，可設置適當材質之黏著層等，直接貼附於防護薄膜框架之外表面等。而此等通氣孔與過濾件之配置位置、個數、其形狀，可考慮所需之流通性與操控的方便性等而決定。

防護薄膜，可因應使用之曝光光源，從纖維素系樹脂、氟系樹脂等材料選擇最適者，自透射率、機械性強度等觀點來看，從0.1～10μm程度之範圍選擇最佳膜厚而製作，並因應必要，附加反射防止層。尤其是在利用EUV光作為曝光光源之情況，亦可使用膜厚為1μm以下之極薄的矽膜、或石墨烯膜。而於防護薄膜框架之上端面張設防護薄膜所用的黏接劑，可使用丙烯系黏接劑、氟系黏接劑、矽氧系黏接劑等習知之黏接劑。

本發明之防護薄膜組件，其特徵為：在防護薄膜框架的與張設有防護薄膜之上端面相對向的下端面，涵蓋其全周地設置由凝膠狀物質形成的密封材層，並於此防護薄膜框架之下端面一部分的複數處設置黏著劑層。

此處的凝膠狀物質，係指特別柔軟之彈性體，並未以組成或構造等加以限定。更具體而言，使其係彈性係數為10⁵ N／mm² 以下之彈性體的固體。

作為此等凝膠狀物質，可任意選擇所謂的高分子凝膠、聚氨酯凝膠等，但特別宜使用耐光性優良之矽氧凝膠。矽氧凝膠，係將矽氧橡膠之交聯密度減小之物質，主要作為灌封材使用。

具體而言，可列舉下述等產品：KE-104Gel（65）、KE-1051J（A/B）、KE-1052（A/B）、KE-110Gel、KE-1056、KE-57（信越化學工業株式會社；製品名）；WACKER SilGel 612、WACKER SilGel 610、SEMICOSIL 911、SEMICOSIL 912、SEMICOSIL 914、SEMICOSIL 915 HT、SEMICOSIL 920 LT、SEMICOSIL 924、CENUSIL GEL 100（Wacker Asahikasei Silicone Co., Ltd.；製品名）；JCR 6107、JCR 6109、JCR 6109S、JCR 6110、EG-3810、527、SE 1896FR EG、EG-3000、EG-3100、CY 52-272、CY 52-276、SE 4430、SE 4440-LP、SE 4445 CV（Dow Corning Toray Co., Ltd.；製品名）；TSJ3195-W、TSJ3185、TSJ3187、TSJ3175、TSE3051、TSE3051-FR、TSE3051-L、TSE3062、TSE3070（Momentive Performance Materials Inc.；製品名）。

此凝膠狀物質之硬度，可藉由JIS K 6249：2003（JIS K 2220：2013, ISO 2137：2007）所規定之刺透度測試予以評價。具體而言，測定1/4圓錐（總負載：9.38±0.025）在規定時間（5±0.1秒間）進入之深度，使獲得的值（1／10mm）為刺透度。

本發明所使用的凝膠狀物質之刺透度，宜為40～150，特別宜為60～120。若刺透度越大，則對光罩造成的影響越小，但若刺透度超過150變得過大，則過於柔軟而難以保持密封材層之形狀。此外，若未滿40則過硬，從防護薄膜組件對光罩造成的影響（扭曲）變大而不適宜。此外，此凝膠狀物質，若為雙液型之矽氧凝膠，則可藉由調節硬化劑的摻合比而調整刺透度，故為適宜態樣。

此外，凝膠狀物質亦可具有微黏著性，但若黏著力過強則PID（Pellicle Induced Distortion,薄膜造成的失真）與一般的防護薄膜組件同樣地變大。吾人認為此係因防護薄膜組件，尤其是防護薄膜框架的形狀對光罩的形狀造成影響，在黏著力強之情況，其應力所造成的形狀變化受到保持之故。

另，此處所述之微黏著性，係指如同後述比較例2般地，在防護薄膜框架下端面之框部僅設置由凝膠狀物質形成的層時，在長期貼附測試下無法保持90日之程度的黏著力。因此，此微黏著性，係相對性的評價，該凝膠狀物質是否具有微黏著性，因防護薄膜組件之大小、素材、重量等而相異。

由凝膠狀物質形成的密封材層，雖可藉由其自黏性，設置於防護薄膜框架之下端面，但亦可因應必要，藉由黏著劑或黏接劑設置密封材層。

本發明之防護薄膜組件中，在防護薄膜框架之下端面的複數處不連續地設置黏著劑層，但此一情況，黏著劑層，可設置於在防護薄膜框架之下端面涵蓋其全周地設置之密封材層的外周側，亦可設置於密封材層的內周側。

此外，例如，如圖1所示，宜於防護薄膜框架1設置複數個延伸部3，在此延伸部3形成黏著劑層4。此一情況之延伸部3，係構成防護薄膜框架1的一部分。進一步，若防護薄膜框架1具有足夠的寬度，則亦可不形成延伸部3，而於防護薄膜框架1之下端面使密封材層5與黏著劑層4部分並列地形成（未圖示）。

設置黏著劑層4及延伸部3的位置並未特別限定，例如，可如圖1地設置於防護薄膜框架長邊之四隅附近，亦可僅設置於短邊，或設置於長邊與短邊雙方。然則，防護薄膜框架1之四隅，容易成為防護薄膜組件的脫落起始點，故宜於防護薄膜框架1之四隅附近設置黏著劑層4及延伸部3。

此外，黏著劑層4及延伸部3的面積，考慮到黏著劑之黏著力、防護薄膜組件之重量等，須設定為能夠長期間穩定地保持。亦即，若黏著劑之黏著力越大則為小面積即可，若黏著力越小則需要大面積。另一方面，若黏著力過大，則從光罩剝離防護薄膜組件時的殘渣可能成為問題，故必須選擇具有適當黏著力之黏著劑。

本發明，藉由在防護薄膜框架之下端面不連續地設置黏著劑層，而可降低防護薄膜組件給予光罩的應力。若黏著劑層的面積越小，則其效果越大，可使PID減小。因此，黏著劑層的面積，雖可與除了延伸部以外之防護薄膜框架下端面的面積相同，但若相對於除了延伸部以外之防護薄膜框架下端面的面積為1～80%，則可使PID更小故較佳，進一步若考慮將防護薄膜組件長期穩定地保持在光罩，則更宜為4～50%。

作為黏著劑層之材質，可使用橡膠系黏著劑、聚氨酯系黏著劑、丙烯系黏著劑、SEBS黏著劑、SEPS黏著劑、矽氧黏著劑等習知之黏著劑。尤其是，在利用EUV光作為曝光光源之情況，宜使用耐光性等優良之矽氧黏著劑。此外，宜採用可能構成霧霾（haze）之產生原因的釋放氣體較少量之黏著劑。

為了確保光罩之裝設後的穩定性與進一步減少防護薄膜組件對光罩造成的影響，宜使黏著劑層與密封材層之表面，平坦度成為30μm以下。此外，因應必要，亦可將剖面形成為凸形。

此外，黏著劑層與密封材層之厚度，宜為幾近相同，但若在將防護薄膜組件裝設於光罩時，密封材層可與光罩密接，則厚度相異亦可。然則，形成黏著劑層與密封材層時，在製程上宜同時推抵石英基板等而施行平坦化處理，若如此地進行，則黏著劑層與密封材層之厚度，成為幾近相同。

於黏著劑層與密封材層之表面，可為了保護而安裝對厚度50～300μm程度的PET製膜等之表面給予剝離性的分離層。亦可藉由防護薄膜組件之殼體或防護薄膜組件之支持手段等方式而將分離層省略。

本發明，藉由在防護薄膜框架之下端面不連續地設置黏著劑層，而可降低防護薄膜組件給予光罩的應力，故可藉由PID的值評價防護薄膜組件裝設後之光罩的扭曲，此PID的值越小越佳。此處，PID，係利用Corning Tropel社製的FlatMaster，使防護薄膜組件貼附前後的正方向與負方向之最大扭曲量的和為PID之數值（大小）。

此外，於防護薄膜框架之下端面，涵蓋其全周地設置由凝膠狀物質形成的密封材層。此密封材層，與光罩密接而防止異物往防護薄膜組件內的侵入。進一步，構成此密封材層之凝膠狀物質，相較於習知之黏著劑等非常柔軟，故可減少對光罩的影響。 [實施例]

以下，顯示實施例及比較例而具體說明本發明。以下所示之實施例，係在防護薄膜框架設置延伸部之情況，但本發明並未受限於此等實施例。

〈實施例1〉實施例1為，如圖1所示地設置延伸部3，於此處形成黏著劑層4之情況。此一情況，設置於延伸部3之黏著劑層4的面積，相對於除了延伸部3以外的防護薄膜框架1之下端面的面積成為4%。

此實施例1，首先，準備超恆範鋼製的防護薄膜框架1，其外部尺寸為149.4mm×116.6mm，內部尺寸為145.4mm×112.6mm，高度為1.7mm，且在長邊之四隅附近設置有4處3.2mm×3.2mm，高度為1.7mm的延伸部3。此外，於此防護薄膜框架1之短邊的中央部，亦設置直徑為10mm之過濾孔。

接著，以純水洗淨準備好的防護薄膜框架1後，於防護薄膜框架1之上端面、及防護薄膜框架1的延伸部3之下端面，塗布矽氧黏著劑（KE-101A/B；信越化學工業株式會社製品名）。進一步，於防護薄膜框架框部2之下端面，塗布刺透度為65的矽氧凝膠（KE-1052A/B；信越化學工業株式會社製品名）。

其後，將以多孔部支持之由單晶矽形成的防護薄膜，貼附於防護薄膜框架1之上端面，去除較防護薄膜框架1更往外側突出的防護薄膜，藉而完成防護薄膜組件。

將製作出的防護薄膜組件貼附於150mm見方之光罩基板，在使防護薄膜組件位於下方的狀態下將溫度保持為80℃，施行90日之長期貼附測試。防護薄膜組件維持貼附於光罩90日，進一步在貼附經過120日後仍未從光罩掉落。

此外，將製作出的防護薄膜組件貼附於150mm見方之光罩基板，施行PID的評價後，將實施例1的防護薄膜組件裝設於光罩時之PID的值為21nm。另，此處，使對光罩貼附防護薄膜組件之條件，為負載5kgf、負載時間30秒。

〈實施例2〉實施例2，除了下述部分不同以外，以與實施例1相同的方式製作防護薄膜組件：使防護薄膜框架1之延伸部3的大小為10.2mm×10.2mm，高度為1.7mm；使黏著劑層4的面積，相對於除了延伸部3以外之防護薄膜框架下端面的面積成為40%。

對於製作出的防護薄膜組件，與實施例1同樣地評價後，在長期貼附測試中，防護薄膜組件維持貼附於光罩90日，進一步在貼附經過120日後仍未從光罩掉落。此外，將防護薄膜組件裝設於光罩時之PID的值為23nm。

〈實施例3〉實施例3，除了下述部分不同以外，以與實施例1相同的方式製作防護薄膜組件：使防護薄膜框架1之延伸部3的大小為2.3mm×2.3mm，高度為1.7mm；使黏著劑層4的面積，相對於除了延伸部3以外之防護薄膜框架下端面的面積成為2%。

對於製作出的防護薄膜組件，與實施例1同樣地評價後，在長期貼附測試中，防護薄膜組件於第76日從光罩脫落，但將防護薄膜組件裝設於光罩時之PID的值為21nm。此一實施例3，可使防護薄膜組件之保持期間為較長的76日，PID亦抑制在小值，為充分達到本發明之目的的態樣。

〈實施例4〉實施例4，除了下述部分不同以外，以與實施例1相同的方式製作防護薄膜組件：使防護薄膜框架1之延伸部3的大小為12.5mm×12.5mm，高度為1.7mm；使黏著劑層4的面積，相對於除了延伸部3以外之防護薄膜框架下端面的面積成為60%。

對於製作出的防護薄膜組件，與實施例1同樣地評價後，在長期貼附測試中，防護薄膜組件維持貼附於光罩90日，進一步在貼附經過120日後仍未從光罩掉落。此外，將防護薄膜組件裝設於光罩時之PID的值為37nm。

〈實施例5〉實施例5，除了下述部分不同以外，以與實施例1相同的方式製作防護薄膜組件：使防護薄膜框架1之延伸部3的大小為14.5mm×14.5mm，高度為1.7mm；使黏著劑層4的面積，相對於除了延伸部3以外之防護薄膜框架下端面的面積成為80%。

對於製作出的防護薄膜組件，與實施例1同樣地評價後，在長期貼附測試中，防護薄膜組件維持貼附於光罩90日，進一步在貼附經過120日後仍未從光罩掉落。此外，將防護薄膜組件裝設於光罩時之PID的值為49nm。

〈實施例6〉實施例6，除了下述部分不同以外，以與實施例1相同的方式製作防護薄膜組件：使防護薄膜框架1之延伸部3的大小增大為16.2mm×16.2mm，高度為1.7mm；使形成在延伸部3之黏著劑層4的面積，相對於除了延伸部3以外之防護薄膜框架下端面的面積成為100%（相同面積）。

對於製作出的防護薄膜組件，與實施例1同樣地評價後，雖黏著劑層的面積在1～80%之範圍外，但與實施例1～5之情況相同，在長期貼附測試中，防護薄膜組件維持貼附於光罩90日，進一步在貼附經過120日後仍未從光罩掉落。然而，將防護薄膜組件裝設於光罩時之PID的值為略大的60nm，但在實際應用上並無問題。

〈比較例1〉比較例1為，係習知之一般防護薄膜組件的情況。首先，準備超恆範鋼製的防護薄膜框架，其外部尺寸為149.4mm×116.6mm，內部尺寸為145.4mm×112.6mm，高度為1.7mm。此外，於此防護薄膜框架短邊的中央部，亦設置直徑10mm之過濾孔。

接著，以純水洗淨準備好的防護薄膜框架後，於防護薄膜框架之上端面與下端面，涵蓋其全周而連續地塗布矽氧黏著劑（KE-101A/B；信越化學工業株式會社製品名）。

其後，將以多孔部支持之由單晶矽形成的防護薄膜，貼附於防護薄膜框架之上端面，去除較防護薄膜框架更往外側突出的防護薄膜，藉而完成防護薄膜組件。

對於製作出的防護薄膜組件，與實施例1同樣地評價後，在長期貼附測試中，防護薄膜組件維持貼附於光罩90日，進一步在貼附經過120日後仍未從光罩掉落，但因涵蓋全周地設置黏接劑層，故將防護薄膜組件裝設於光罩時之PID的值為大值82nm，光罩從防護薄膜框架接收到巨大應力。

〈比較例2〉比較例2，係未於防護薄膜框架下端面設置黏著劑層，而僅設置由凝膠狀物質形成的密封材層之情況。首先，準備超恆範鋼製的防護薄膜框架，其外部尺寸為149.4mm×116.6mm，內部尺寸為145.4mm×112.6mm，高度為1.7mm。此外，亦於此防護薄膜框架短邊的中央部，設置直徑10mm之過濾孔。

接著，以純水洗淨準備好的防護薄膜框架後，於防護薄膜框架之上端面塗布矽氧黏著劑（KE-101A/B；信越化學工業株式會社製品名）。進一步，於防護薄膜框架框部之下端面，塗布刺透度為65的矽氧凝膠（KE-1052A/B；信越化學工業株式會社製品名）。

對於製作出的防護薄膜組件，與實施例1同樣地評價後，在長期貼附測試中，防護薄膜組件於第55日從光罩脫落，而將防護薄膜組件裝設於光罩時之PID的值為22nm。

此比較例2，未於防護薄膜框架下端面設置黏著劑層，而僅設置由凝膠狀物質形成的密封材層，故黏著劑的應力所造成之影響小，亦可將PID抑制在小值，但另一方面，其保持期間為短期間之55日故並不實用。

1‧‧‧防護薄膜框架

2‧‧‧防護薄膜框架框部

3‧‧‧防護薄膜框架延伸部

4‧‧‧黏著劑層

5‧‧‧密封材層

圖1係從防護薄膜框架的下端面側觀察本發明之防護薄膜組件的概略示意圖。

無

Claims

一種防護薄膜組件，包含框狀的防護薄膜框架、及張設於該防護薄膜框架之上端面的防護薄膜而構成，其特徵為：於該防護薄膜框架之與上端面相對向的下端面，涵蓋其全周地設置由凝膠狀物質形成的密封材層，並於該防護薄膜框架之下端面一部分的複數處設置黏著劑層。
如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，於該防護薄膜框架，設置複數個延伸部，且於該延伸部之下端面設置黏著劑層。
如申請專利範圍第1或2項之防護薄膜組件，其中，該黏著劑層的面積，係為除了該延伸部以外之防護薄膜框架下端面的面積的1～80%。
如申請專利範圍第1或2項之防護薄膜組件，其中，該凝膠狀物質為矽氧凝膠。
如申請專利範圍第1或2項之防護薄膜組件，其中，該黏著劑層，係由矽氧黏著劑或丙烯黏著劑形成。
如申請專利範圍第1或2項之防護薄膜組件，其中，該凝膠狀物質之刺透度為40～150。