TW201818478A - 半導體封裝體的遮罩方法 - Google Patents

Abstract

提供一種半導體封裝體的遮罩方法，其為了對半導體封裝體的既定區域精確地進行以電磁屏蔽處理為例的特定處理，能精確地遮罩除了既定區域以外的部分。

使具有被隔牆63所區劃的凹部61的保持用治具J吸附並保持在多孔台11，且將半導體封裝體P的每一者分別配置在凹部61的每一者中。針對穩定保持在凹部61內部的狀態下之半導體封裝體P，貼附遮罩帶T而完全被覆凸塊59。藉由針對既定區域已被覆的半導體封裝體P進行電磁屏蔽處理等，而可對除了被遮罩帶被覆的部分以外的區域精確地執行電磁屏蔽處理或雷射標記處理等之各種處理。

Description

半導體封裝體的遮罩方法

本發明係有關一種用於半導體裝置，特別是用於在密封型半導體封裝體的既定部位進行遮罩之半導體封裝體(semiconductor package)的遮罩方法(masking method)。

在智慧型手機等之無線通信設備中，會有從內建的半導體元件產生的電磁波干擾天線等而對接收性能造成影響之情況。作為防止因此種電磁波所致不良影響的方法，以往的主流是利用板金屏蔽物來覆蓋電路或設備以抑制電磁波之產生。

然而，近年來對通信設備等之薄型化等之需求強烈、安裝面積大的板金屏蔽物成為阻礙設備小型化、薄型化的原因。於是，在取代利用板金屏蔽物的抑制方法之方法，正摸索著以半導體元件等級即零件等級來抑制電磁波之產生的方法。

在半導體元件中，藉由用絕緣樹脂等來密封小片化(封裝化)的半導體晶片作成半導體封裝體以謀求保護半導體晶片(例如專利文獻1)。半導體封裝體係使小片化的半導體晶片在支撐帶上配置多數個，在以絕緣材 料密封半導體晶片後，形成凸塊或電路，並且再次透過切割處理進行小片化所製造。在作為以半導體等級來抑制電磁波的方法，已提案有藉由濺鍍處理、鍍敷處理、噴塗處理等之處理以遮斷電磁波的屏蔽材(電磁屏蔽)來覆蓋半導體封裝體每一者之方法(例如，專利文獻2)。

[先前技術文獻]

[專利文獻1]

日本特開2012-49502

[專利文獻2]

日本特開2012-39104

然而，就上述傳統方法而言具有以下問題。

亦即，當以電磁屏蔽覆蓋半導體封裝體時，難以利用電磁屏蔽精確地覆蓋半導體封裝體的目標區域，故而擔心有難以提高半導體元件等級的電磁波降低性能的問題。

此處，使用附圖針對傳統方法的問題作說明。如圖20(a)所示，半導體封裝體101具有層疊有基板層103和用絕緣樹脂覆蓋小片化的半導體晶片而成的密封樹脂層105的構成。在基板層103的表面上形成電路107，且具備有凸塊109。

如圖20(b)所示，在以由電磁屏蔽材構成的屏蔽層111覆蓋半導體封裝體101的每一者時，屏蔽層111 不接觸凸塊109，需要形成為充分地被覆密封樹脂層105和基板層103的側面。然而，如圖20(c)所示，當過度形成屏蔽層111時，形成由導體構成的屏蔽層111與凸塊109接觸，發生凸塊109的短路。

由於半導體封裝體尺寸非常小，所以伴隨的是難以在各個半導體封裝體實現所需精度之電磁屏蔽處理。關於在半導體封裝體中實現限定在所要求之範圍的精密處理之課題不限於電磁屏蔽處理，也會發生在雷射標記處理等之各種處理工序中。

本發明係有鑒於這種情況而完成者，其主要目的在於提供一種半導體封裝體的遮罩方法，係為對半導體封裝體中之既定區域精確地執行以電磁屏蔽處理為例的特定處理而能將該既定區域以外的部分精確地遮罩。

本發明為達成此種目的而採用以下之構成。

亦即，本發明的半導體封裝體的遮罩方法之特徵為具備：保持工序，係保持半導體封裝體，該半導體封裝體係由表面形成有凸塊的基板層、及將小片化的半導體元件用絕緣性材料覆蓋並加以密封的密封層疊層而成；及遮罩工序，係對所保持的前述半導體封裝體貼附遮罩帶且至少被覆前述凸塊。

(動作/效果)依據該方法，在保持工序中保持半導體封裝體，並且在遮罩工序中以至少被覆凸塊的方式貼附遮罩帶。由於半導體封裝的凸塊部分係在遮罩工序被被覆，所以之後在半導體封裝體上進行電磁屏蔽處 理等處置之情況，於凸塊部分進行該處置而能確實避免發生製品不良的情況。

又，較佳為：在上述發明中，具備設置保持部的保持部設置工序，該保持部具有與前述半導體封裝體相同形狀的槽(cell)部及將前述槽部彼此區劃的隔牆，於前述保持工序中，針對在前述保持部設置工序設置的前述保持部，使前述半導體封裝體每一者保持在前述槽部每一者的內部。

(作用/效果)依據該構成，半導體封裝體的每一者係以保持在由隔牆區劃的槽部內部的狀態下被貼附遮罩帶。槽部具有與半導體封裝體相同的形狀，並且藉由隔牆防止半導體封裝體的位置偏移。因此，每個半導體封裝體被更穩定地保持在槽部內部，從而能更精確地執行遮罩工序。

又，較佳為：在上述發明中，在前述保持工序中，係以前述隔牆的上表面的高度位在低於前述凸塊的頂部的高度且高於前述基板層的表面的高度之位置的方式保持前述半導體封裝體每一者。

(作用/效果)依據該構成，於保持工序中，隔牆的上面的高度係比凸塊的頂部的高度低，且成為比基板層的表面的高度高之位置。因此，在遮罩工序中能以遮罩帶確實地被覆凸塊。另一方面，因為可避免遮罩帶被覆到基板層的低位置，所以被遮罩處理的部分不會過度擴大。結果，由於可精確地限定遮罩處理的對象範圍，所以可對半導體封裝體的較寬部分執行電磁屏蔽處理 等之特定處理。

又，較佳為：在上述發明中，前述槽部係從上部朝向底部，前端逐漸變細的錐形。

(作用/效果)依據該構成，由於槽部係具有從上部向底部，前端逐漸變細的錐形形狀，所以在底部，與半導體封裝體的間隙變窄。因此，被保持在槽部的狀態之半導體封裝體能更確實地避免發生位置偏移。

另一方面，因為在槽部的上部，與半導體封裝體之間隙變寬，所以在遮罩工序中用以構成遮罩帶的黏著劑容易進入該間隙。結果，能更確實地以遮罩帶被覆需要遮罩的部分，例如凸塊或基板層的表面。因此，可享受半導體封裝的穩定性與遮罩的確實性。

又，較佳為：在上述發明中，前述保持部的外形係圓形。

(作用/效果)依據該構成，由於保持部的外形為圓形，所以可與設置有槽部的位置無關地而與半導體晶片等圓盤狀構成同樣地處理保持部。因此，可更容易且確實地對保持部進行搬送、配置等之處理。

又，較佳為：在上述發明中，在前述遮罩工序中，使貼附輥往既定方向轉動而將前述遮罩帶貼附於半導體封裝體。

(作用/效果)依據該構成，由於藉由貼附輥的轉動而將遮罩帶貼附於半導體封裝體，所以能更適當且確實地執行半導體封裝體的遮罩。

又，較佳為：在上述發明中，在前述遮罩工 序中，藉由前述貼附輥的轉動位置來控制前述貼附輥的按壓力。

(作用/效果)依據該構成，由於藉由貼附輥的轉動位置來控制貼附輥的按壓力，所以能可確實地避免因半導體封裝體每一者的配置位置而發生遮罩的偏差。

又，較佳為：在上述發明中，在前述遮罩工序中，使腔室內減壓，藉由壓差將前述遮罩帶貼附於半導體封裝體。

(作用/效果)依據該構成，由於腔室內被減壓，藉壓差將遮罩帶貼附在半導體封裝體上，所以能更適當且確實進行半導體封裝體的遮罩。此外，能更減低因半導體封裝體的配置位置所致遮罩的偏差。

1‧‧‧遮罩帶貼附裝置

3‧‧‧治具供給/回收部

5‧‧‧機械手臂

9‧‧‧對準台

11‧‧‧多孔台

12‧‧‧吸附孔

14‧‧‧吸引裝置

17‧‧‧貼附單元

19‧‧‧帶切斷裝置

21‧‧‧剝離單元

25‧‧‧刀刃

35‧‧‧貼附輥

51‧‧‧第1基板層

53‧‧‧接地層

57‧‧‧密封層

59‧‧‧凸塊

61‧‧‧凹部

63‧‧‧隔牆

65‧‧‧吸附孔

T‧‧‧遮罩帶

J‧‧‧保持用治具

P‧‧‧半導體封裝體

N‧‧‧切口

圖1係表示實施例的遮罩帶貼附裝置的基本構成之立體圖。

圖2係表示實施例的貼附單元的構成之側視圖。

圖3係說明實施例的半導體封裝體的構成之側視圖。

圖4係說明實施例的保持用治具的構成之圖。(a)係保持用治具的平面圖，(b)係(a)所示之保持用治具J的A-A剖面圖。

圖5係說明實施例的保持用治具及半導體封裝體的構成之圖。(a)係表示配置於保持用治具的半導體封裝體的狀態之剖面圖，(b)係表示保持用治具的凹部與半導體封裝體尺寸的相關之剖面圖。

圖6係說明實施例的遮罩帶貼附裝置的動作之流程圖。

圖7係說明步驟S1中載置保持用治具的狀態之圖。

圖8係說明步驟S2中半導體封裝體配置在凹部的狀態之圖。

圖9係表示步驟S3中的構成之圖。(a)係表示貼附遮罩帶的狀態之圖，(b)係(a)中用A所表示的區域之放大圖。

圖10係表示步驟S4中的構成之圖。

圖11係表示步驟S6中的構成之圖。(a)係表示帶搬送裝置將遮罩帶吸附保持的狀態之圖，(b)係表示吸附保持之後，帶搬送裝置將半導體封裝體連同遮罩帶封裝體一起搬送的狀態之圖。

圖12係表示比較例的構成之圖。(a)係表示在未以隔牆區劃之比較例中配置半導體封裝體的位置之平面圖，(b)係表示在比較例中貼附輥的按壓力與半導體封裝體的配置位置之關係的圖，(c)係表示藉由過度的按壓力對超過所需的範圍以上進行遮罩的狀態之圖，(d)係表示因按壓力不足而未能對需要的範圍進行遮罩的狀態之圖。

圖13係表示變形例(1)的構成之圖。(a)係表示在將腔室內減壓前的狀態之圖，(b)係表示將腔室內減壓而將帶貼附於半導體封裝體的狀態之圖。

圖14係表示變形例(2)的構成之圖。(a)係表示步驟S3中的裝置的構成之圖，(b)係表示在步驟S6中透過把持環框而搬送半導體封裝體及遮罩帶的狀態之圖。

圖15係表示變形例的構成之圖。(a)係表示變形例(3) 的構成之圖，(b)係表示變形例(4)的構成之圖。

圖16係表示變形例(6)的多孔台的構成之圖。

圖17係表示變形例(7)的構成之圖。(a)係表示使遮罩帶變形而使半導體封裝體與凹部分離的構成之圖，(b)係表示使保持用治具變形而使半導體封裝體與凹部分離的構成之圖。

圖18係表示變形例(8)的凹部的構成之剖面圖。

圖19係表示變形例(9)的保持用治具構成之圖。

圖20係說明針對半導體封裝體的處理之傳統問題點之圖。(a)係表示半導體封裝體的構成之剖面圖，(b)係表示對需要的範圍正確地作處理的狀態之一例的圖，(c)係表示超過需要範圍地作處理的狀態之一例的圖。

以下，參照附圖對本發明的實施例進行說明。圖1是表示實施例的遮罩帶貼附裝置1的整體構成的立體圖。

<整體構成之說明>

本實施例的遮罩帶貼附裝置1具備有：用於裝填收納著圓盤狀保持用治具J的匣C1的治具供給/回收部3；具有機械手臂5的治具搬送機構7；對準台9；用於載置保持用治具J及半導體封裝體P以進行吸附保持的多孔台11；以及裝填有用於收納已對半導體封裝體P進行貼附處理的遮罩帶(masking tape)T的匣C2之封裝體回收部12。

此外，作為未圖示的構成，遮罩帶貼附裝置1具備用於收納半導體封裝體P的封裝體收納部和用於將 半導體封裝體P傳送到多孔台11的封裝體搬送部。作為封裝體搬送部的一例，可例舉取放機器手臂(Pick & Place Robot)或黏晶機(die bonder)等。此外，作為一例，遮罩帶T具有層疊黏著層和基材層的構成。黏著層含有黏著劑並被覆遮罩對象部位。

具備有用於向載置在多孔台11的半導體封裝體P供給遮罩用遮罩帶T的帶供給部13、從帶供給部13供給之帶有隔離帶的遮罩帶T將隔離帶s剝離回收的隔離帶回收部15、對載置在多孔台11並被吸附保持的半導體封裝體P貼附遮罩帶T貼附單元17、將貼附到半導體封裝體P的遮罩帶T切斷成既定形狀的帶切斷裝置19、用於將貼附到半導體封裝體P且經切斷處理後之無用的遮罩帶剝離的剝離單元21、將經剝離單元21剝離的遮罩帶T捲取回收之帶回收部23等。

構成治具供給/回收部3的匣C1係能將圓盤狀保持用治具J以水平姿態多層地插入收納。設置在治具搬送機構7的機械手臂5係構成為能水平前退移動，且整體可驅動旋轉及升降。且在機械手臂5的前端具備馬蹄形的真空吸附式治具保持部5a。

治具保持部5a係插入以多層收納到匣C中的保持用治具J彼此間的間隙，將保持用治具J從背面吸附保持，並將已吸附保持的保持用治具J從匣C抽出並按照對準台9、多孔台11和治具供給/回收部3的順序搬送。對準台9係將藉治具搬送機構7而被搬入載置的保持用治具J依據形成在其外周的切口N等進行對位。

如下所述，多孔台11具有複數個吸附孔，且將從治具搬送機構7移載並以既定的對位姿態載置的保持用治具J真空吸附。另外，多孔台11構成為對設置在保持用治具J的凹部中的各半導體封裝體P進行真空吸附。此外取代多孔台11，也可使用由金屬、樹脂等所構成且具有複數個較大直徑(例如直徑約1mm)的吸附孔之工作台。

如圖2所示，帶供給部13係構成為將從供給線軸29送出之帶有隔離帶s的遮罩帶T被捲繞引導於1或2以上的導輥31，將已剝離隔離帶的遮罩帶T導向貼附單元17。供給線軸29係構成為賦予適當的旋轉阻力而不會過度地抽出帶。

隔離帶回收部15係形成用於捲繞從遮罩帶T剝離的隔離帶s的回收線軸33沿捲繞方向旋轉驅動。在貼附單元17中，水平向前地配備有貼附輥35，且藉由圖2所示的滑動引導機構37及未圖示出的螺旋進給型驅動機構而左右水平地往復驅動。

在剝離單元21中，剝離輥39向前水平地配置。剝離輥39構成為藉由滑動引導機構37及未圖示之螺旋進給型驅動機構而左右水平地往復驅動。

帶回收部23係形成用於捲繞無用的遮罩帶T，即不需要的帶T’的回收線軸41在捲繞方向旋轉驅動。不需要的帶T’可以例如是沿著晶圓W的外形切下之殘餘的遮罩帶片等。

如圖1所示，帶切割裝置19具備可動台43、旋 動軸44和一對支撐臂45。可動台43構成為可在上下方向移動(z方向)。旋動軸44設置在可動台43的自由端部處，且能繞上下方向(z方向)的軸線旋動。支撐臂45設置在從旋動軸44向下延伸的支撐構件的下端部，並以可朝水平方向滑動調整地貫通支撐。

在支撐臂45的自由端側備有刀具單元47，在刀具單元47裝設刀尖向下的刀刃25。亦即，藉由旋動軸44以縱軸心P為旋轉中心旋動，支撐臂45也會繞z方向的軸線旋動。藉由支撐臂45的旋轉移動使刀刃25沿著保持用治具J的外周移動而切下的遮罩帶T。

此外，藉由支撐臂45的滑動調整來調整刀刃25與作為旋轉中心的縱軸心P的距離。藉由此種構成，可對應保持用治具J的直徑來變更調整刀刃25的旋轉半徑。

此處，針對半導體封裝體P及保持用治具J的構成作說明。實施例的半導體封裝體P具有整體大致長方體的構成，如圖3所示，具有按第1基板層51、具備接地用接地(earth)的接地層53、第2基板層55及密封層57之順序積層的構成。第1基板層51在其表面上具有凸塊59。且在第1基板層51的表面形成有未圖示的電路。密封層57成為以絕緣材料密封被小片化之未圖示的半導體晶片的構造。半導體晶片藉由未圖示的凸塊等電連接到第2基板層55。

保持用治具J具有如圖4(a)所示的圓盤狀外形，且形成有定位用的切口N。保持用治具J的外形不限 於圓形，較佳為與SEMI標準或日本半導體製造裝置協會等所定義之晶圓的外形相同的形狀，作為保持用治具J的一較佳外形例，可例舉大致矩形等。

在保持用治具J的表面上形成有多數個凹部61。作為一例，每個凹部61呈二維矩陣配置，每個凹部61被隔牆63所區劃。凹部61的形狀與半導體封裝體P的外形大致相同。亦即，構成為藉由將半導體封裝體P的每一者配置在凹部61的每一者，可將半導體封裝體P穩定地保持在由隔牆63所區劃的凹部61的內部。

較佳為，構成保持用治具J的材料係具有可撓性及彎曲性的材料，例如樹脂，特佳為由具有彈性的橡膠等所構成。如圖4(b)所示，在各個凹部61的底部61a設置有吸附孔65。此外，保持用治具J相當於本發明中的保持部。凹部61相當於本發明的槽(cell)部。

圖5(a)表示在由多孔台11所吸引保持的保持用治具J的凹部61配置有各個半導體封裝體P的狀態。多孔台11具有複數個吸附孔12，且每個吸附孔12連接到吸引裝置14。構成為當將已定位的保持用治具J載置在多孔台11上時，設置在保持用治具J中的每個吸孔65與多孔台11的吸附孔12連通。

半導體封裝體P中，將從密封層57的底面到第1基材層51的表面的高度設為H1，從密封層57的底面到凸塊59的頂部的高度設為H2。在實施例的保持用治具J中，較佳為從凹部61的底面到隔牆63的上表面63a的高度R係如圖5(b)所示，比半導體封裝體P的高度H1高且比H2低。

此外，較佳為，隔牆63的上表面63a係進行非黏著處理。作為非黏著處理的一例，可例舉將用鋁所構成的上表面63a藉由鐵氟龍(註冊商標)進行塗布的構成等。此外從凹部61的底面到隔牆63的上表面63a的高度R也可因應要求利用遮罩帶T的被覆(遮罩)的範圍來適當變更。在實施例中，由於要求遮罩的範圍是凸塊59整體及第1基板層51的表面整體，所以高度R被調整到圖5(b)所示的程度。

<裝置的動作說明>

其次，說明使用實施例的遮罩帶貼附裝置1將遮罩帶T貼附到半導體封裝體P的每一者的一連串的動作。圖6是說明將保護用的遮罩帶T貼附在半導體封裝體P的工序之流程圖。

步驟S1(保持用治具的載置)

當發出貼附指令時，首先，治具搬送機構7中的機械手臂5朝被載置裝填於匣台的匣C1移動。機械手臂5將治具夾持部5a插入到收容於匣C中的保持用治具彼此的間隙，以治具保持部5a將圓盤狀保持用治具J從背面(下表面)吸附保持並搬出，再將已取出的保持用治具J移載到對準台9。

載置在對準台9上的保持用治具J係利用被形成在保持用治具J的外周上的切口N而對位。完成對位的保持用治具J再次由機械手臂5搬出而如圖7所示載置於多孔台11。載置於多孔台11的保持用治具J被旋動並以使保持用治具J的中心位在多孔台11的中心之上的方式對位 。此時，設置在凹部61的底面的吸附孔65的每一者係以與吸附孔12連通連接的方式進行對位。

在多孔台11上被對位的保持用治具J係藉由吸引裝置14而被吸引並保持在多孔台11上。亦即，吸引裝置14經由吸附孔12吸引保持用治具J。步驟S1的工序相當於本發明中的保持部設置工序。

此外，如圖2所示，貼附單元17和剝離單元21位在左側的初期位置。且帶切斷裝置19的刀刃25係位在上方的初期位置分別待機。

步驟S2(半導體封裝體的供給)

在使保持用治具J吸附保持在多孔台11之後，進行半導體封裝體P之供給。封裝體搬送部將收納在封裝體收納部的半導體封裝體P朝多孔台11供給搬送。然後，如圖8所示，在被吸附保持於多孔台11的保持用治具J的凹部61的每一者各配置一個半導體封裝體P。

由於吸附孔65的每一者與吸附孔12連通連接，所以配置在凹部61內部的半導體封裝體P每一者係經由吸附孔65及吸附孔12而藉由吸引裝置14被吸附保持於多孔台11。此外，凹部61每一者被隔牆63所區劃，凹部61的內部形狀與半導體封裝體P的外形大致相同。因此，藉由配置在保持用治具J的凹部61中，可避免半導體封裝體P在多孔台11上發生位置偏移。因此，半導體封裝體P每一者係穩定地保持在保持用治具J的凹部61中。使半導體封裝體P配置在各凹部61，使半導體封裝體P經由保持用治具J穩定地保持在多孔台11中，從而完成步驟S2的工序 。步驟S2的工序相當於本發明的保持工序。

步驟S3(帶貼附處理)

其次，如圖2中的假想線(兩點鏈線)所示，貼附單元17的貼附輥35下降，且藉由此貼附輥35一邊將遮罩帶T向下按壓一邊在晶圓W上往前方(在圖2中右方)轉動。結果，如圖9(a)所示，遮罩帶T被貼附到半導體封裝體P的整個表面。

如圖5(b)所示，隔牆63的高度R被調整為低於半導體封裝體P中的高度H2且高於高度H1。因此，於半導體封裝體P穩定地保持在凹部61的內部之狀態下，隔牆63的上表面63a係在高度方向(z方向)位在凸塊59的頂部與第1基板部51的上表面之間。

因此，如圖9(b)所示，被貼附的遮罩帶T的黏著層係藉由貼附輥35的按壓力而被覆至少半導體封裝體P的整個表面上(凸塊59整體及第1基板部51的上表面整體)。另一方面，設置有接地的接地層53未被遮罩帶T的黏著層所被覆。因此，可利用遮罩帶T的黏著層將電磁屏蔽處理之對象區域以外的部分、即凸塊59及第1基板部51的上表面完全被覆(掩蔽)。藉由以遮罩帶T遮蔽各半導體封裝體P的整個表面而完成步驟S3的帶貼附處理。步驟S3的工序相當於本發明中的遮罩工序。

步驟S4(帶切斷處理)

在帶貼附處理完成後，開始步驟S4的帶切斷處理。亦即，當貼附輥35轉動且貼附單元17到達終端位置時，如圖10所示，在上方待機的刀刃25下降並刺穿遮罩帶T 。然後，藉由旋動軸44繞z方向的軸線旋動而使支撐臂45旋動。伴隨之，刀刃25一邊與保持用治具J的外周緣滑接一邊旋動移動，所以遮罩帶T被沿著保持用治具J的外周切斷。

步驟S5(回收無用的帶)

當完成沿著保持用治具J的外周進行帶切斷之作業時，刀刃25被上升到原本的待機位置。接著，當剝離單元21一邊向前方移動一邊將在晶圓W上切下並切斷而殘餘的廢料帶T’捲起並剝離。當剝離單元21到達剝離作業的結束位置時，剝離單元21和貼附單元17往相反方向移動並返回初期位置。此時，廢料帶T’被捲繞到回收線軸41上，並且一定量的遮罩帶T從帶供給部13被抽出。

步驟S6(已處理完畢的封裝體之回收)

當迄至步驟S5為止的各處理結束時，進行已進行了帶貼附處理的半導體封裝體之回收。首先，控制吸引裝置14，解除半導體封裝體P在多孔台11中之吸附保持。之後，如圖11(a)所示，帶搬送裝置G吸附沿著保持用治具J的外周被切下的遮罩帶Tp的上表面。

遮罩帶Tp係以被覆各半導體封裝體P的整個表面之方式貼附。又，由於隔牆63的上表面63a被進行非黏著處理，所以遮罩帶T容易從保持用治具J剝離。因此，如圖11(b)所示，透過吸附保持有遮罩帶Tp的帶搬送裝置G向上方移動，各半導體封裝體P係從保持用治具J的凹部61分離，同時連同遮罩帶Tp一起向上方移動。

此時，以維持著保持用治具J被吸附保持在多 孔台11中者較佳。亦即，用於將保持用治具J吸附保持的吸附孔12及與吸附孔65連通連接並將半導體封裝體P吸附保持的吸附孔12係分別連接到其他的吸引裝置14，更佳為，作成將保持用治具J的吸附保持及半導體封裝體P的吸附保持獨立進行控制的構成。

已移往上方的遮罩帶Tp係連同各半導體封裝體P一起被移載到帶搬送裝置G，且被回收到圖1所示的封裝體回收部12的匣C2中。此外，殘留在多孔台11上的保持用治具J係視需要藉由機械手臂5回收到治具供給/回收部3中。以上，完成了一次遮罩帶貼附處理，然後將上述動作按順序重複進行。

被回收於封裝體回收部12的半導體封裝體P係為凸塊59整體及第1基板層51的整個表面被被覆的狀態。另一方面，藉由適當地調整隔牆63的高度及貼附輥的按壓力，接地層53及第2基板層55構成為不被遮罩帶T所被覆。

因此，藉由對經遮罩處理且被回收的半導體封裝體P，之後進行電磁屏蔽處理，可確實地避免在凸塊59或第1基板層51的表面形成電磁屏蔽層，且可確實地用電磁屏蔽材對接地層53及密封層57等進行被覆。亦即，可確實地避免電磁屏蔽層與凸塊59之接觸，且電磁屏蔽層係藉由接地層53而確實接地。因此，可製造能避免發生短路且能以半導體零件等級確實防止發生電磁波的設備。

又，由於成為遮罩對象之半導體封裝體P被小 片化，所以成為遮罩對象的接地層53及密封層57的面已露出，並且能加大半導體封裝體P彼此的距離。因此，可更容易且適當地執行在遮罩後的電磁屏蔽層的形成工序。

此外，對於經遮罩處理後的半導體封裝體P可執行不限於電磁屏蔽處理的各種處理。作為一例，可例舉雷射標記處理等。亦即，可藉由遮罩確實防護以凸塊59或形成於第1基板層51上表面的電路為例之所期望的部位且對被防護的部位以外之部分施予雷射標記處理。

此外，作為處理的其他例，還可例舉依據堆疊式封裝層疊(stacked package on package，PoP)的安裝處理等。亦即，在使被單片化的半導體封裝體P層疊而進行安裝處理的情況，藉由預先針對下層側的半導體封裝體P將凸塊59等遮罩，可適當避免下層側的封裝體的凸塊59因上層側的半導體封裝體P而承受應力的問題。

<依據實施例的構成之效果>

如上所述，本發明的遮罩帶貼附裝置1係在被小片化的狀態的半導體封裝體的表面貼附遮罩帶。藉由遮罩帶之貼附，形成在各半導體封裝體的表面上的凸塊59整體是被遮罩帶的黏著層適當被覆。因此，藉由遮罩帶可將凸塊59等之既定部分確實地防護並對既定的部分以外(密封層57、接地層53等)精確地實施電磁屏蔽處理等之特定處理。又，由於會對小片化後的各半導體封裝體進行遮罩處理，所以對未被遮罩的部位可更容易地進行特定處理。

實施例中在貼附遮罩帶之際，藉由使用保持 用治具J，能在多孔台11上更穩定地保持半導體封裝體P。亦即，對由隔牆63區劃的凹部61的每一者分別配置各個半導體封裝體P。由於凹部61的形狀與半導體封裝體P的外形相同，所以各半導體封裝體P在多孔台11上的位置係藉由隔牆63而更精確地保持。因此，在貼附遮罩帶T之際，可適當地避免因半導體封裝體P的位置偏移而發生遮罩不良。

此外，隔牆63係以朝半導體封裝體P的高度方向延伸的方式配設。且隔牆63的上表面的高度係以成為在凸塊59的頂部與第1基板層51的表面之間的方式被調整在適當位置。因此，可避免貼附輥35的按壓力在高度方向(z方向)以外的方向作用於半導體封裝體P。亦即，藉由保持用治具J的隔牆63可確實地防止因按壓力在高度方向以外的方向作用於半導體封裝體P而導致半導體封裝體P翻倒或變形的問題。因此，對於經小片化後的多數個半導體封裝體P能以較少的工序將遮罩處理適當且確實地完成，從而可大大提升遮罩處理的效率。

此外，藉由使半導體封裝體P配置在由隔牆63所區劃的凹部61的內部，可進一步獲得針對於各半導體封裝體P之防止遮罩偏差之功效。舉一例，在如圖12(a)所示，在工作台D之上未用隔牆63區劃的情況下而配置半導體封裝體P之情況，與左右的端部E相比，在中央部M配置有更多的半導體封裝體P。

此時，如圖12(b)所示，依據貼附輥35的轉動位置，從貼附輥35作用在半導體封裝體P上的按壓力C會 產生偏差，故而擔心有半導體封裝體P的遮罩不均勻的問題。亦即，由於相對過大的按壓力C會作用於被配置在端部E處的半導體封裝體P上，所以擔心有被遮罩帶T的黏著層被覆到接地層53之問題(圖12(c))。當對接地層53被遮罩的半導體封裝體P進行之後的電磁屏蔽處理時，因為所形成的電磁屏蔽層未接地，所以會產生起因於接地不良的問題。

另一方面，就配置在保持用治具J的中央部M的半導體封裝體而言，擔心因按壓力C的不足而在遮罩之際有凸塊59未被完全被覆的問題(圖12(d)。當在凸塊59的遮罩不完全的狀態下進行之後的電磁屏蔽處理時，由於電磁屏蔽層接觸凸塊59，所以會發生短路(參照圖20(c))。如此，在遮罩不均一的情況，難以對多數的半導體封裝體P的每一者精確地執行遮罩工序後的處理。

在本實施例中，藉由隔牆63進行半導體封裝體彼此間的區劃，且該隔牆63的高度高於半導體封裝體P的表面(第1基板層51的表面)。此時，由於貼附輥35的按壓力的偏差係因被調整到合適高度的隔牆63的上表面63a而被適當地減低，所以能更確實地避免因半導體封裝體P的配置位置而發生遮罩不均一。

此外，保持用治具J的外形與半導體晶片的外形同樣為圓形。具體言之，係與SEMI標準、日本半導體製造裝置協會等所定義的晶圓外形相同形狀。因此，在對保持用治具J進行搬送、配置、對位等之處理的情況，可適用對半導體晶片進行相同處理的裝置之構成，從而 可更容易地進行在遮罩帶貼附裝置1中之保持用治具J的操作之最佳化。

本發明不受限於上述實施例，可按如下方式進行變形。

(1)在實施例中，以使貼附輥35轉動並貼附遮罩帶T之輥型的構成為例進行遮罩帶貼附裝置1之說明，但亦可適用使用腔室並藉由在真空下的壓差來貼附遮罩帶T的構成。

在變形例(1)的腔室型的構成中，如圖13(a)所示，以上殼體71a和下殼體71b包夾遮罩帶T而形成腔室71。然後，在將由多孔台11保持的半導體封裝體P收納在腔室71的狀態下，使用未圖示的真空裝置開始上殼體71a和下殼體71b兩者的減壓。

此時，將下殼體71b的空間的氣壓控制成比上殼體71a的空間的氣壓低，藉此如圖13(b)所示，遮蔽帶T係因壓差Sp而被覆半導體封裝體P每一者的表面。透過採用一邊降低腔室內的壓力一邊貼附遮罩帶的構成，可在未受貼附輥的按壓力的偏差之影響下以遮罩帶T適當地貼附多個半導體封裝體P。

(2)在實施例及變形例每一者中，亦可在多孔台11的周圍進一步配置環框f。亦即，如圖14(a)所示，亦可適用環框f的上表面與半導體封裝體P的整個表面被遮罩帶T被覆的構成。

在此種變形例(2)中，於步驟S5中，沿著環框f切斷遮罩帶T。然後，如圖14(b)所示，於步驟S6藉由使 用搬送臂H等將環框f把持並朝上方移動，從而可在未將遮罩帶Tp的整個上表面吸附保持之下搬送半導體封裝體P的每一者。亦即在搬送之際，可避免不必要的力作用於遮罩帶Tp及半導體封裝體P，從而可防止帶或半導體封裝體損壞。

(3)在實施例及變形例每一者中，各凹部61的深度均為相同的構成，但不受限於此。亦即，也可適用依凹部61的位置而變更凹部61的底部61a之高度的構成。會有藉由保持用治具J的隔牆63雖可減低遮罩的偏差，但該偏差並非為零之情況。

作為一例，如圖12(b)所示，在利用輥的方式進行遮罩帶的貼附處理之構成中，在貼附輥35的轉動位置是在保持用治具J的端部E之上的情況，按壓力C大於貼附輥35的轉動位置是在保持用治具J的中央部M的情況。因此，與配置在中央部M的半導體封裝體P相比，配置在端部E的半導體封裝體P會有遮罩帶T被覆到半導體封裝體P的更下方之傾向。

於是，如圖15所示，因應於作用在半導體封裝體P的按壓力C之偏差，構成為在保持用治具J的端部E中，凹部61的底部61a的高度相對較低，在保持用治具J的中央部M中，底部61a的高度相對較高。

如此藉由使底部61a的高度依凹部61的位置而變化，可適當地調整半導體封裝體P被吸附保持的位置之高度。因此，即使是按壓力C有偏差時，亦可確實地避免因半導體封裝體P之配置位置而發生遮罩的偏差之問 題。

(4)此外，用於調整半導體封裝體P的高度的構成不限於使保持用治具J的底部61a的厚度變化的構造，如圖15(b)所示，亦可至少將保持用治具J的底部61a的一部分省略，且於多孔台11中將沿著z方向升降移動的銷75配設成位在每個凹部61的下部。藉由因應配置半導體封裝體P的位置來控制銷75的高度，可適當地調整將半導體封裝體P被吸附保持的位置之高度。此外，銷75亦可設置成將多孔台11在上下方向貫通。

(5)在實施例及各變形例中，亦可適用依貼附輥35的轉動位置使貼附輥35的按壓力變更的方式來控制貼附輥35之動作的構成。

作為一例，當在步驟S3中貼附輥35於保持用治具J的端部E上轉動時，以貼附輥35相對於遮罩帶T的按壓力C變較大的方式作控制。另一方面，當貼附輥35於保持用治具J的中央部M上轉動時，以按壓力C變較小的方式作控制。

如此藉由貼附輥35的轉動位置來控制按壓力C的大小，即使是保持用治具J的底部61a的高度固定的情況，亦可適當地避免因半導體封裝體P的配置位置而產生遮罩之偏差。

(6)在實施例及各變形例中，如圖16所示，凹部61和隔牆63亦可為與多孔台11一體形成的構成。

(7)在步驟S6中使半導體封裝體P從保持用治具J分離的構成中，不限於藉由如圖11(b)所示之藉由帶 搬送裝置G的吸附保持而使遮罩帶Tp的整體一體地從保持用治具J離開移動的構成。亦即，如圖17(a)所示，亦可藉由對切下的遮罩帶Tp的端部施力使其變形而讓半導體封裝體P從保持用治具J分離。

又，如圖17(b)所示，亦可藉由使保持用治具J彎曲變形，使半導體封裝體P從保持用治具J分離。在此種構成中，因為遮罩帶T未變形，所以可適當地避免應力施加於半導體封裝體P的問題及遮罩帶Tp自半導體封裝體剝離的問題。特別是，在保持用治具J是具有可撓性及彈性的材料(橡膠等)時，可更容易地執行圖17(b)所示的保持用治具J的彎曲變形。

(8)在實施例及各變形例中，如圖18所示，凹部61可以是朝向底部61a而前端變細的錐形。此時，由於底部61a的寬度W1比較窄，所以半導體封裝體P與隔牆63之間的間隙變小。因此，於設置在凹部61中的狀態下可更適當地避免半導體封裝體P的位置偏移。因此，在變形例(8)中，更佳為底部61a的寬度W1與半導體封裝體P的底部的寬度大致相同。

此外，在凹部61的上部61b中，寬度W2變得較寬。因此，構成遮罩帶T的黏著層容易進入半導體封裝體P與上部61b之間的間隙Ga。因此，在步驟S3的帶貼附處理中，至少凸塊59的整體和第1基板層51的整個表面可藉由遮罩帶T的黏著層確實地被覆。

(9)在實施例及各變形例中，說明了保持用治具J構成為如圖4所示的圓盤狀構造，但保持用治具J的外 形不限於圓形，如圖19所示，亦可因應凹部61的位置和數量適當地變更外形。

(10)在實施例和各變形例中，以批次型貼附裝置為例作了說明，但本發明的構成亦可應用於連續型的裝置。

(11)在實施例和各變形例中，係為多孔台11藉由吸附半導體封裝體P等進行保持的構成，但不受限於此。亦即，亦可適用使用不具有吸附機能的工作台來代替多孔台11而將保持用治具J或半導體封裝體P保持的構成。

(12)在實施例和各變形例中，係就使用保持用治具J具備吸附孔65之構成作了說明，但亦可將不具有吸附孔65的構成適用於保持用治具J。

(13)在實施例和各變形例中，係在使保持用治具J載置於多孔台11之後，將半導體封裝體P的每一者分別配置並保持在保持用治具J的凹部61，但不限於使保持用治具J和半導體封裝體P個別地配置的構成。亦即，亦可為使預先在凹部61的每一者配置有半導體封裝體P的保持用治具J裝填到匣C1中，並且在使該保持用治具J載置於多孔台11後再貼附遮罩帶T的構成。

在此種變形例中，將保持有多個已單片化的半導體封裝體P的保持用治具J(作為一例的托盤等)朝多孔台11搬送。因此，可縮短遮罩(masking)處理所需的時間和工序，從而可以大大提高產量。

Claims (8)

1. 一種半導體封裝體的遮罩方法，其特徵為具備：保持工序，係保持半導體封裝體，該半導體封裝體係表面形成有凸塊的基板層、及將小片化的半導體元件用絕緣性材料覆蓋並加以密封的密封層疊層而成；及遮罩工序，係對所保持的前述半導體封裝體貼附遮罩帶(masking tape)且至少被覆前述凸塊。
2. 如請求項1之半導體封裝體的遮罩方法，其中具備設置保持部的保持部設置工序，該保持部具有與前述半導體封裝體相同形狀的槽部及將前述槽部彼此區劃的隔牆，於前述保持工序中，針對在前述保持部設置工序中所設置的前述保持部，使前述半導體封裝體每一者保持在前述槽部每一者的內部。
3. 如請求項2之半導體封裝體的遮罩方法，其中在前述保持工序中，係以前述隔牆的上表面的高度位在低於前述凸塊的頂部的高度且高於前述基板層的表面的高度之位置的方式保持前述半導體封裝體每一者。
4. 如請求項2之半導體封裝體的遮罩方法，其中前述槽部係從上部朝向底部，而前端變細的錐形。
5. 如請求項2之半導體封裝體的遮罩方法，其中前述保持部的外形係圓形。
6. 如請求項1之半導體封裝體的遮罩方法，其中在前述遮罩工序中，使貼附輥往既定方向轉動而將前述遮罩帶 貼附於半導體封裝體。
7. 如請求項6之半導體封裝體的遮罩方法，其中在前述遮罩工序中，藉由前述貼附輥的轉動位置來控制前述貼附輥的按壓力。
8. 如請求項1之半導體封裝體的遮罩方法，其中在前述遮罩工序中，使腔室內減壓，藉由壓差將前述遮罩帶貼附於半導體封裝體。