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TW201815516A - 晶圓的加工方法及切削裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題] 提供一種晶圓的加工方法及切削裝置，可防止帶電於裝置同時防止切削刀具的腐蝕，而防止切削刀具的壽命的短命化。 　　[解決手段] 一種晶圓的加工方法，該晶圓係具有在以交叉的複數個切削預定線而區劃的各區域分別形成裝置的表面，該晶圓的加工方法具備使晶圓的表面曝露的狀態下以夾台保持晶圓的保持步驟、對被該夾台所保持的晶圓的該切削預定線以切削刀具進行切削的切削步驟，其中在該切削步驟，係對晶圓的表面供應低比電阻值的切削水，同時一面對該切削刀具供應高比電阻值的切削水一面進行切削。

Description

晶圓的加工方法及切削裝置
[0001] 本發明有關以切削刀具對在表面形成複數個裝置的晶圓進行切削的晶圓的加工方法及切削裝置。
[0002] 在切削裝置，係以高速旋轉的切削刀具切入晶圓等的被加工物而實施切削，而一般而言，為了冷卻切削刀具及被加工物，或為了從被加工物上將切削屑沖走而除去，一面供應切削水一面實施切削加工。 　　[0003] 於切削加工中，係存在如下問題：由於高速旋轉的切削刀具與切削水的摩擦而在切削中所產生的靜電致使裝置發生靜電放電破壞，或切削屑附著於裝置。 　　[0004] 因此，透過將二氧化碳灌入純水中而使用比純水低的比電阻值的切削水，從而將靜電從被加工物上迅速放掉，防止帶電於裝置，而防止裝置的靜電放電破壞、污染物附著於裝置等。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0005] 　　[專利文獻1]日本專利特開2000-198044號公報
[發明所欲解決之問題] 　　[0006] 然而，若如上述般將二氧化碳灌入純水中而降低切削水的比電阻值，一面將低比電阻值的切削水對切削刀具供應一面實施切削，則恐由於切削水使得切削刀具腐蝕致使切削刀具的壽命短命化。 　　[0007] 若切削刀具的壽命短命化，則切削刀具的交換變頻繁，作業性不良化之下，具有裝置晶片的製造成本亦增加如此的問題。 　　[0008] 本發明係鑒於如此的問題點而創作者，其目的在於，提供一種晶圓的加工方法及切削裝置，可防止帶電於裝置同時防止切削刀具的腐蝕，而防止切削刀具的壽命的短命化。 [解決問題之技術手段] 　　[0009] 依請求項1的發明時，提供一種晶圓的加工方法，該晶圓係具有在以交叉的複數個切削預定線而區劃的各區域分別形成裝置的表面，該晶圓的加工方法具備使晶圓的表面曝露的狀態下以夾台保持晶圓的保持步驟、對被該夾台所保持的晶圓的該切削預定線以切削刀具進行切削的切削步驟，其中在該切削步驟，係對晶圓的表面供應低比電阻值的切削水，同時一面對該切削刀具供應高比電阻值的切削水一面進行切削。 　　[0010] 依請求項2的發明時，提供一種切削裝置，具備保持具有複數個裝置的晶圓的夾台、將被該夾台所保持的晶圓進行切削的切削刀具，該切削裝置進一步具備對晶圓的表面供應低比電阻值的切削水的低比電阻值切削水供應手段、對該切削刀具供應高比電阻值的切削水的高比電阻值切削水供應手段。 [對照先前技術之功效] 　　[0011] 依本發明的晶圓的加工方法時，在切削中對晶圓供應低比電阻值的切削水，同時對切削刀具係供應比對晶圓所供應的切削水具有高的比電阻值的高比電阻值的切削水。因此，防止帶電於裝置，同時防止切削刀具的腐蝕而防止切削刀具的壽命的短命化。 　　[0012] 因此，切削刀具的壽命不會短命化，故在可防止切削刀具的交換變頻繁使得作業性不良化之下，可減低裝置晶片的製造成本增加之虞。
[0014] 以下，參照圖式詳細說明本發明的實施方式。參照圖1時，示出第1實施方式的具備刀蓋的切削裝置的透視圖。在切削裝置2的前面側，係設置供操作員輸入加工條件等的對於裝置的指示用的操作面板4。在裝置上部，係設置CRT等的顯示單元6，顯示對於操作員的導引畫面、透過後述的攝像單元而攝像的影像等。 　　[0015] 如示於圖3，於作為切削對象的半導體晶圓(以下有時簡稱為晶圓)W的表面，係格狀地形成複數個切削預定線13，在由切削預定線13所區劃的各區域形成裝置15。 　　[0016] 晶圓W係貼合於作為黏著帶的切割帶T，形成切割帶T的外周緣部被貼合於環狀框架F的框架單元17。在示於圖1的收容盒8中係收容複數個(例如25個)框架單元17。收容盒8係載置於可上下動的載盒升降機9上。 　　[0017] 在收容盒8的後方，係配設搬出入單元10，從收容盒8搬出切削前的晶圓W，同時將切削後的晶圓W搬入至收容盒8。 　　[0018] 搬出入單元10係具有夾具11，夾具11把持框架單元17的環狀框架F，對於收容盒8將框架單元17搬出及搬入。搬出入單元10係於Y軸方向上直線移動。 　　[0019] 在收容盒8與搬出入單元10之間，係設置屬暫時載置作為搬出入對象的框架單元17的區域的暫置區域12，在暫置區域12，係配設將框架單元17的環狀框架F進行中心對準的一對的定位構材14。 　　[0020] 在暫置區域12的附近，係配設具有將框架單元17吸附而搬運的繞轉臂的搬運單元16，搬出至暫置區域12的框架單元17，係被搬運單元16吸附而搬運至夾台18上，被吸引保持於此夾台18的吸引保持部19，同時環狀框架F被複數個框夾21夾持而固定。 　　[0021] 夾台18，係被構成為可旋轉且可在X軸方向上往復移動，在夾台18的X軸方向的移動路徑之上方，係配設就晶圓W的應切削的切割道進行檢測的對準單元20。 　　[0022] 對準單元20，係具備具有就晶圓W的表面進行攝像的攝像元件及顯微鏡的攝像單元22，可基於透過攝像而取得的影像，透過圖案匹配等的影像處理而檢測出應切削的切削預定線。透過攝像單元22而取得的影像，係顯示於顯示單元6。 　　[0023] 在對準單元20的左側，係配設對於保持於夾台18的晶圓W實施切削加工的切削單元24。切削單元24係被與對準單元20一體而構成，兩者連動而移動於Y軸向及Z軸方向。 　　[0024] 切削單元24，係被在可旋轉的主軸26的頂端裝配切削刀具28而構成，使得可移動於Y軸向及Z軸方向。切削刀具28係位於攝像單元22的X軸方向的延長線上。 　　[0025] 25係吸附結束切削加工的框架單元17而搬運至旋轉洗淨單元27的搬運單元，在旋轉洗淨單元27係框架單元17被旋轉洗淨及旋轉乾燥。 　　[0026] 以下，說明有關使用上述的切削裝置2下的本發明實施方式相關的晶圓的加工方法。在此晶圓的加工方法，係首先如示於圖2，實施在將晶圓W的表面予以曝露的狀態下將晶圓W以夾台18的吸引保持部19進行保持的保持步驟。環狀框架F係以夾具21夾持而固定。 　　[0027] 如此般在以夾台18保持晶圓W的狀態下，實施就晶圓W的切削預定線13以切削刀具進行切削的切削步驟。關於第1實施方式的切削步驟，參照圖3進行說明。 　　[0028] 切削單元24，係包含可旋轉地收容於主軸殼30中的主軸26、可裝卸地裝配於主軸26的頂端部的切削刀具28。於主軸殼30，係安裝將切削刀具28的大致上半部覆蓋的刀蓋32。 　　[0029] 於刀蓋32，係安裝沿著切削刀具28的兩側在水平方向上伸長的一對的(僅圖示1個示)刀具冷卻噴嘴34。刀具冷卻噴嘴34係連通於連接管36，連接管36係連接於未圖示的由純水所成的高比電阻值切削水供應源。 　　[0030] 於刀蓋32係進一步安裝連接管38、40，連接管38係連通於朝切削刀具28的外周部的切刃而供應切削水的未圖示的噴灑嘴。連接管38亦連接於未圖示的由純水所成的高比電阻值切削供應源。 　　[0031] 另一方面，連接管40係連通於對晶圓W的表面供應切削水而洗淨晶圓表面的一對的噴嘴42。連接管40，係連接於未圖示的將二氧化碳灌入純水中的低比電阻值切削水供應源。 　　[0032] 在本實施方式，係進一步以伸長於與作為加工進給方向的X1方向正交的方向的方式，而配設在晶圓W的切削中供應低比電阻值的切削水的管44。管44係具有噴出低比電阻值的切削水45的複數個噴出口。此處，高比電阻值，係為純水的比電阻值的約1MΩ・cm，低比電阻值係0.1MΩ・cm～0.5MΩ・cm的範圍內。 　　[0033] 在本實施方式的切削步驟，係從刀具冷卻噴嘴34及未圖示的噴灑嘴供應由純水所成的高比電阻值的切削水，同時一面從噴嘴42及管44供應將二氧化碳灌入純水中的低比電阻值的切削水，一面以切削刀具28切入於晶圓W的切削預定線13直到到達切割帶T，一面將保持框架單元17的夾台18加工進給於箭頭X1方向，一面切削晶圓W。 　　[0034] 於晶圓W的切削中，係一面從刀具冷卻噴嘴34及未圖示的噴灑嘴將僅由純水所成的高比電阻值的切削水對切削刀具28供應一面進行切削，故可防止切削刀具28的腐蝕，防止切削刀具28的壽命的短命化。 　　[0035] 另一方面，對於晶圓W的表面，係一面從噴嘴42及管44供應將二氧化碳灌入純水中的比電阻值比對切削刀具供應的切削水低的低比電阻值的切削水，一面進行切削。因此，可有效防止帶電於形成於晶圓W的裝置15，防止裝置15的靜電放電破壞、污染物附著於裝置15等。 　　[0036] 接著，說明有關透過具備如示於圖4及圖5的刀蓋58的本發明第2實施方式的切削裝置而進行的晶圓的加工方法。如示於圖4，刀蓋58，係由第1蓋件60、透過例如緊固螺絲等可裝卸地固定於第1蓋件60的第2蓋件62而構成。 　　[0037] 刀蓋58，係由上頂部58a、與具有切削刀具28的頂端突出的開口64的上頂部58a相向的底部58b、將上頂部58a與底部58b連結的側壁部58c而構成。 　　[0038] 刀蓋58係界定空間部66，切削刀具28被插入於此空間部66中，除從開口64突出的作用為加工點的切削刀具28的頂端部以外，切削刀具28係被刀蓋58覆蓋。 　　[0039] 刀蓋58係具有切削水供應路徑68，切削水供應路徑68的一端係連接於由純水所成的高比電阻值切削水供應源70，另一端係形成使切削水噴出至切削刀具28被插入的空間部66的噴出口72。由切削水供應路徑68、切削水供應源70及切削水噴出口72而構成切削水供應手段。 　　[0040] 74係廢水回收手段，由流入路徑(筒體)76及吸引源80而構成，該筒體係一端連結於刀蓋58之側壁部58c，傾斜既定角度而被安裝，該吸引源係連接於筒體76的另一端部。 　　[0041] 流入路徑(筒體)76的傾斜角度，係優選上相對於夾台18的保持面19為30°以下。此傾斜角度越小，越可進行透過吸引源80下的穩定的連續吸引。廢水回收手段74，係配設於被供應至切削刀具28的切削水伴隨切削刀具28的旋轉而飛散之側。 　　[0042] 接著，參照圖5，而說明有關上述的第2實施方式的作用。作為被加工物的晶圓W，係如示於圖3，以隔著切割帶T被環狀框架F所支撐的框架單元17的狀態而被夾台18所吸引保持。 　　[0043] 在切削步驟，係如示於圖5，經由切削水供應路徑68一面對切削刀具28供應高比電阻值的切削水，一面使切削刀具28於箭頭A方向以30000rpm程度的高速進行旋轉，同時使晶圓W被切入於切削預定線13直到到達切割帶T，將夾台18加工進給於箭頭B方向，從而切削被位置對準的切削預定線13。 　　[0044] 透過切削刀具28就切削預定線13進行切削時，從低比電阻值切削水供應管44供應將二氧化碳灌入純水中的低比電阻值的切削水45，以切削水45填滿被夾台18所保持的晶圓W的刀蓋58的底部之間，同時一面從切削水噴出口72朝切削刀具28的切刃噴出高比電阻值的切削水，一面進行晶圓W的切削預定線13的切削。 　　[0045] 因切削而產生的切削屑的一部分係被與切削水一起伴隨切削刀具28的旋轉而帶往各處，包含切削屑的切削水的一部分係經由形成於刀蓋58之側壁部58c的吸引口66a而被如箭頭C所示般取入至廢水回收手段74的流入路徑(筒體)76內，透過吸引源80的作動而被吸引除去。 　　[0046] 由於形成為噴出口72被配設於切削水的流向之上游側，且供應至切削刀具28的切削水係對於切削刀具28的外周噴出於切線方向，故不會阻礙包含被伴隨切削刀具28的旋轉而帶往各處的切削屑的切削水的流動，而可有效排出包含切削屑的廢水。 　　[0047] 另一方面，因切削而產生，在切削中未被取入的剩餘的切削屑係漂浮於低比電阻值的切削水45中。此切削水45的一部分，係經由廢水回收手段74的流入路徑76的開口76a而被取入至流入路徑(筒體)76內，被透過吸引源80的作動而從晶圓W上吸引除去。 　　[0048] 在具備刀蓋58的本實施方式的切削裝置，係在晶圓W的切削中對切削刀具28經由切削水供應路徑68供應高比電阻值的切削水，對晶圓W的表面係從低比電阻值切削水供應管44供應將二氧化碳灌入純水中的低比電阻值的切削水，晶圓W係浸漬於具有比對切削刀具所供應的切削水低的比電阻值的低比電阻值的切削水45。 　　[0049] 因此，防止切削刀具28的腐蝕，防止切削刀具28的壽命的短命化，同時晶圓W被浸漬於低比電阻值的切削水45中，故可防止裝置15的帶電，防止裝置15的靜電放電破壞、污染物附著於裝置15等。
[0050]
W‧‧‧晶圓
T‧‧‧切割帶
F‧‧‧環狀框架
2‧‧‧切削裝置
17‧‧‧框架單元
18‧‧‧夾台
24‧‧‧切削單元
28‧‧‧切削刀具
32、58‧‧‧刀蓋
34‧‧‧刀具冷卻噴嘴
42‧‧‧噴灑嘴
44‧‧‧低比電阻值切削水供應管
68‧‧‧切削水供應路徑
70‧‧‧高比電阻值切削水供應源
74‧‧‧廢水回收手段
76‧‧‧流入路徑(筒體)
80‧‧‧吸引源
[0013] 　　[圖1]切削裝置的透視圖。 　　[圖2]就保持步驟進行繪示的局部剖面側視圖。 　　[圖3]就第1實施方式的切削步驟進行繪示的透視圖。 　　[圖4]第2實施方式的刀蓋的透視圖。 　　[圖5]就使用第2實施方式的刀蓋下的切削步驟進行繪示的縱剖面圖。

Claims (2)

  1. 一種晶圓的加工方法，該晶圓係具有在以交叉的複數個切削預定線而區劃的各區域分別形成裝置的表面， 　　該晶圓的加工方法具備： 　　使晶圓的表面曝露的狀態下以夾台保持晶圓的保持步驟； 　　對被該夾台所保持的晶圓的該切削預定線以切削刀具進行切削的切削步驟； 　　其中，在該切削步驟，係對晶圓的表面供應低比電阻值的切削水，同時一面對該切削刀具供應高比電阻值的切削水一面進行切削。
  2. 一種切削裝置，具備保持具有複數個裝置的晶圓的夾台、將被該夾台所保持的晶圓進行切削的切削刀具， 　　該切削裝置進一步具備： 　　對晶圓的表面供應低比電阻值的切削水的低比電阻值切削水供應手段； 　　對該切削刀具供應高比電阻值的切削水的高比電阻值切削水供應手段。
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