TW201814728A - 黑化金屬網格結構及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種黑化金屬網格結構，係包括一基板、至少一金屬層以及至少二黑化層。該基板係包括一第一表面以及一第二表面。該等金屬層係形成於該基板之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一，該等金屬層具有線路，該等金屬層係不與其它金屬層之對應位置重疊。該黑化層之數量係為該金屬層之兩倍。本發明更揭露一種黑化金屬網格結構，藉由上述之結構及方法，本發明利用該等黑化層覆蓋該等金屬層之線路，可控制該等黑化層之灰階與厚度。
Description
本發明係為一種黑化金屬網格結構及其製造方法，特別是一種利用黑化層覆蓋金屬層之線路，以控制黑化層之灰階與厚度之黑化金屬網格結構及其製造方法。
目前的金屬網格結構， 如中華民國專利公告號第I504697號，揭露一種黑化塗料及使用其之電極結構，其中黑化塗料具有抗腐蝕及降低金屬反光與人眼不可視性的功效，因此以本發明黑化塗料所形成之黑化層可代替傳統的抗蝕層，進而減化觸控面板的電極製程，以達到減少成本並降低金屬電極反光的功效。
中華民國專利公告號第M491203號，亦揭露一種觸控用電極結構，包含一基材層；至少一附著層，形成一具有線路圖案佈設於基材層表面；一導電電極，形成於附著層表面，並對應線路圖案形成一導電線路；一第一黑化層，形成於導電電極表面，並由易蝕刻性質的材料所製成；及一耐候層，形成於第一黑化層表面，並由耐蝕刻性質的材料所製成；其中，上述耐候層的厚度小於上述第一黑化層，上述第一黑化層使光線被上述第一黑化層吸收而無法進入上述導電電極，形成一能夠避免使用者直接視察到上述導電電極的遮蔽面，據此，本創作可達到避免人眼直接視見觸控面板下之導電電極的存在，以及降低導電電極發生的嚴重側向蝕刻現象，提升導電電極產品之生產良率。
中華民國專利公告第I509484號，亦揭露一種觸控面板裝置與其電極結構，電極結構可以金屬導電材料製作，為了有效抑制金屬反光，且不影響透光性與金屬導電率，實施例提出的電極結構主要結構有金屬導電層，削光粗化結構以及黑化層，其中電極結構與基板結合，電極結構中設有粗化結構，比如接續形成於金屬導電層之表面上，可用以將金屬反光散射掉，或是用以降低金屬導電層與基板兩者合成的反光，粗化結構的形成可以在金屬導電層上蝕刻或加工形成，或是利用電解、濺鍍、沈積或塗佈方法形成，黑化層係用以吸收射向金屬導電層的光線，以減少螢幕之色偏，並抗金屬反光。
然而，由於上述電極結構只能選擇特定材料，如銅、鐠、鈀、氧化鈀或氧化銅，使得氧化層非亮面金屬，而無法調整黑化層的灰階顏色。
因此，如何設計出一可調整黑化層的灰階顏色之黑化金屬網格結構及其製造方法，即成為相關設備廠商以及研發人員所共同期待的目標。
本發明人有鑑於習知技術之無法調整黑化層的灰階顏色之缺失，乃積極著手進行開發，以期可以改進上述既有之缺點，經過不斷地試驗及努力，終於開發出本發明。
本發明之第一目的，係提供一種黑化金屬網格結構。
本發明之第二目的，係提供一種黑化金屬網格結構之製造方法。
為了達成上述之目的，本發明之黑化金屬網格結構，係包括一基板、至少一金屬層以及至少二黑化層。
該基板係包括一第一表面以及一第二表面。該等金屬層係形成於該基板之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一，該等金屬層具有線路，且該等金屬層係不與其它金屬層之對應位置重疊。
該黑化層之數量係為該金屬層之兩倍，該等黑化層係分別在該第一表面以及該第二表面，直接形成於該等金屬層之上，以及對應該等金屬層之位置，形成於該第一表面或該第二表面之上，該等黑化層係為光阻。
為了達成上述之目的，本發明之黑化金屬網格結構之製造方法，係包括步驟： 步驟A：提供一基板，該基板係包括一第一表面以及一第二表面； 步驟B：在該基板之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一，形成至少一金屬層，該等金屬層具有線路，且該等金屬層係不與其它金屬層之對應位置重疊；以及 步驟C：分別在該第一表面以及該第二表面，直接於該等金屬層之上各形成一黑化層，以及對應該等金屬層之位置，於該第一表面或該第二表面之上形成另一黑化層，該等黑化層係為光阻； 利用該等黑化層覆蓋該等金屬層之線路，可控制該等黑化層之灰階與厚度。
藉由上述之結構及方法，本發明利用該等黑化層覆蓋該等金屬層之線路，可控制該等黑化層之灰階與厚度。
為使熟悉該項技藝人士瞭解本發明之目的，兹配合圖式將本發明之較佳實施例詳細說明如下。
請參考圖1以及圖2所示，本發明之黑化金屬網格結構(1)，係包括一基板(10)、至少一金屬層(11)、以及至少二黑化層(12)。
該基板(10)係包括一第一表面以及一第二表面。該等金屬層(11)係形成於該基板(10)之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一，該等金屬層(11)具有線路，且該等金屬層(11)係不與其它金屬層(11)之對應位置重疊。
該黑化層(12)之數量係為該金屬層(11)之兩倍，該等黑化層(12)係分別在該第一表面以及該第二表面，直接形成於該等金屬層(11)之上，以及對應該等金屬層(11)之位置，形成於該第一表面或該第二表面之上，該等黑化層(12)係為光阻。
本發明係利用該等黑化層(12)以二對一的方式，分別從該第一表面以及該第二表面覆蓋該等金屬層(11)之線路，以控制該等黑化層(12)之灰階與厚度。
在本發明之一較佳實施例中，其中直接設置於該等金屬層(11)之上的該等黑化層(12)，係各自包覆該等金屬層(11)。
請參考圖1、圖2以及圖3a至圖3h所示，在本發明之一較佳實施例中，該等金屬層(11)係利用物理氣相沉積鍍膜形成於該基板(10)之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一。
該等黑化層(12)之形成係藉由於該金屬層(11)進行光阻塗佈、光阻貼附與線路曝光、線路顯影與蝕刻、線路去光阻、在該第一面進行光阻曝光、在該第一面進行光阻顯影、在該第二面進行光阻曝光以及在該第二面進行光阻顯影。
其中該等黑化層(12)係為正型光阻或負型光阻。
請參考圖1、圖2以及圖4a至圖4c所示，在本發明之另一較佳實施例中，該等金屬層(11)係利用物理氣相沉積鍍膜形成於該基板(10)之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一。
該等黑化層(12)之形成係藉由於該金屬層(11)進行光阻塗佈、光阻貼附與線路曝光、線路顯影與蝕刻。
其中該等黑化層(12)係為正型光阻或負型光阻。
在本發明之一較佳實施例中，該等金屬層(11)之材質係為銅、鋁、鈀、銀、金、鉬或鉬-釹合金其中之一。
在本發明之又一較佳實施例中，該等黑化層(12)之光阻色差係小於1.0，該等黑化層(12)之光阻值係小於0.8。
在本發明之再一較佳實施例中，該基板(10)之材質係為透明材料，該基板(10)之光穿透度範圍係為85%至100%。
在本發明之另一較佳實施例中，該等黑化層(12)之光阻光學濃度範圍係為1至10，該等黑化層(12)之光阻線寬範圍1至5微米，該等黑化層(12)之厚度範圍係為0.1至2微米。
在本發明之再一較佳實施例中，該等黑化層(12)係包覆該等金屬層(11)之線路，或該等黑化層(12)之光阻線寬大於該等金屬層(11)之線路。
在本發明之另一較佳實施例中，該基板(10)之材質係為玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚環烯烴高分子、環烯聚合物或聚亞醯胺其中之一。
請參考圖1、圖2以及圖5所示，本發明之黑化金屬網格結構之製造方法(2)，係包括步驟： 步驟200：提供一基板(10)，該基板(10)係包括一第一表面以及一第二表面； 步驟201：在該基板(10)之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一，形成至少一金屬層(11)，該等金屬層(11)具有線路，且該等金屬層(11)係不與其它金屬層(11)之對應位置重疊；以及 步驟202：分別在該第一表面以及該第二表面，直接於該等金屬層(11)之上各形成一黑化層(12)，以及對應該等金屬層(11)之位置，於該第一表面或該第二表面之上形成另一黑化層(12)，該等黑化層(12)係為光阻； 利用該等黑化層(12)覆蓋該等金屬層之線路，可控制該等黑化層(12)之灰階與厚度。
在本發明之一較佳實施例中，其中直接設置於該等金屬層(11)之上的該等黑化層(12)，係各自包覆該等金屬層(11)。
請參考圖1、圖2、圖3a至圖3h以及圖5所示，在本發明之一較佳實施例中之步驟201，該等金屬層(11)係利用物理氣相沉積鍍膜形成於該基板(10)之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一。
在本發明之另一較佳實施例中之步驟202，該等黑化層(12)之形成係藉由於該金屬層(11)進行光阻塗佈、光阻貼附與線路曝光、線路顯影與蝕刻、線路去光阻、在該第一面進行光阻曝光、在該第一面進行光阻顯影、在該第二面進行光阻曝光以及在該第二面進行光阻顯影。
其中該等黑化層(12)係為正型光阻或負型光阻。
請參考圖1、圖2、圖4a至圖4c以及圖5所示，在本發明之另一較佳實施例中之步驟201，該等金屬層(11)係利用物理氣相沉積鍍膜形成於該基板(10)之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一。
在本發明之又一較佳實施例中之步驟202，該等黑化層(12)之形成係藉由於該金屬層(11)進行光阻塗佈、光阻貼附與線路曝光、線路顯影與蝕刻。
其中該等黑化層(12)係為正型光阻或負型光阻。
在本發明之一較佳實施例中，該等金屬層(11)之材質係為銅、鋁、鈀、銀、金、鉬或鉬-釹合金其中之一。
在本發明之又一較佳實施例中，該等黑化層(12)之光阻色差係小於1.0，該等黑化層(12)之光阻值係小於0.8。
在本發明之再一較佳實施例中，該基板(10)之材質係為透明材料，該基板(10)之光穿透度範圍係為85%至100%。
在本發明之另一較佳實施例中，該等黑化層(12)之光阻光學濃度範圍係為1至10，該等黑化層(12)之光阻線寬範圍1至5微米，該等黑化層(12)之厚度範圍係為0.1至2微米。
在本發明之一較佳實施例中，該等黑化層(12)之灰階可以選用不同金屬材料進行調整，或以同一黑色系光阻的不同厚度作調整，或選用不同金屬材料來調整，或不同黑色系光阻的同一厚度進行調整。
進一步來說，本發明係以該等金屬層(11)做好的線路當作遮罩(mask)，先塗覆一層黑化層(12)，進行光照顯影蝕刻後，再塗覆一層黑化層(12)，再進行光照顯影蝕刻，使任何一條線路上下都會有該等黑化層(12)。
在本發明之再一較佳實施例中，該等黑化層(12)係包覆該等金屬層(11)之線路，或該等黑化層(12)之光阻線寬大於該等金屬層(11)之線路。
在本發明之另一較佳實施例中，該基板(10)之材質係為玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚環烯烴高分子、環烯聚合物或聚亞醯胺其中之一。
透過上述之結構，本發明利用該等黑化層覆蓋該等金屬層之線路，不但可藉由光阻貼附與線路曝光與線路顯影與蝕刻，控制該等黑化層之灰階與厚度，更由於金屬層之材質可使用任何金屬材質，而可調整黑化層之灰階顏色。再者，其結構型態並非所屬技術領域中之人士所能輕易思及而達成者，實具有新穎性以及進步性無疑。
透過上述之詳細說明，即可充分顯示本發明之目的及功效上均具有實施之進步性，極具產業之利用性價值，且為目前市面上前所未見之新發明，完全符合發明專利要件，爰依法提出申請。唯以上所述著僅為本發明之較佳實施例而已，當不能用以限定本發明所實施之範圍。即凡依本發明專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應屬於本發明專利涵蓋之範圍內，謹請 貴審查委員明鑑，並祈惠准，是所至禱。
(1)‧‧‧黑化金屬網格結構
(10)‧‧‧基板
(11)‧‧‧金屬層
(12)‧‧‧黑化層
(2)‧‧‧黑化金屬網格結構之製造方法
步驟200~步驟202
圖1係本發明之黑化金屬網格結構之第一實施例之示意圖； 圖2係本發明之黑化金屬網格結構之第二實施例之示意圖； 圖3a係本發明利用物理氣相沉積鍍膜形成該等金屬層之示意圖； 圖3b係本發明光阻塗佈、光阻貼附與線路曝光之示意圖； 圖3c係本發明線路顯影與蝕刻之示意圖； 圖3d係本發明線路去光阻之示意圖； 圖3e係本發明在該第一面進行光阻曝光之示意圖； 圖3f係本發明在該第一面進行光阻顯影之示意圖； 圖3g係本發明在該第二面進行光阻曝光之示意圖； 圖3h係本發明在該第二面進行光阻顯影之示意圖； 圖4a係本發明利用物理氣相沉積鍍膜形成該等金屬層之示意圖； 圖4b係本發明光阻塗佈、光阻貼附與線路曝光之示意圖； 圖4c係本發明線路顯影與蝕刻之示意圖；以及 圖5係本發明之黑化金屬網格結構之製造方法的方法流程圖。
Claims (10)
- 一種黑化金屬網格結構，係包括： 一基板，係包括一第一表面以及一第二表面； 至少一金屬層，係形成於該基板之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一，該等金屬層具有線路，且該等金屬層係不與其它金屬層之對應位置重疊；以及 至少二黑化層，其數量係為該金屬層之兩倍，該等黑化層係分別在該第一表面以及該第二表面，直接形成於該等金屬層之上，以及對應該等金屬層之位置，形成於該第一表面或該第二表面之上，該等黑化層係為光阻； 利用該等黑化層覆蓋該等金屬層之線路，可控制該等黑化層之灰階與厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之黑化金屬網格結構，其中直接設置於該等金屬層之上的該等黑化層，係各自包覆該等金屬層。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之黑化金屬網格結構，其中該等金屬層係利用物理氣相沉積鍍膜形成於該基板之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一。
- 如申請專利範圍第3項所述之黑化金屬網格結構，其中該等黑化層之形成係藉由於該金屬層進行光阻塗佈、光阻貼附與線路曝光、線路顯影與蝕刻、線路去光阻、在該第一面進行光阻曝光、在該第一面進行光阻顯影、在該第二面進行光阻曝光以及在該第二面進行光阻顯影。
- 如申請專利範圍第4項所述之黑化金屬網格結構，其中該等黑化層係為正型光阻或負型光阻。
- 如申請專利範圍第3項所述之黑化金屬網格結構，其中該等黑化層之形成係藉由於該金屬層進行光阻塗佈、光阻貼附與線路曝光、線路顯影與蝕刻。
- 如申請專利範圍第6項所述之黑化金屬網格結構，其中該等黑化層係為正型光阻或負型光阻。
- 如申請專利範圍第1項所述之黑化金屬網格結構，其中該等金屬層之材質係為銅、鋁、鈀、銀、金、鉬或鉬-釹合金其中之一，該等黑化層之光阻色差係小於1.0，該等黑化層之光阻值係小於0.8，該基板之材質係為透明材料，該基板之光穿透度範圍係為85%至100%。
- 如申請專利範圍第1項所述之黑化金屬網格結構，其中該等黑化層之光阻光學濃度範圍係為1至10，該等黑化層之光阻線寬範圍1至5微米，該等黑化層之厚度範圍係為0.1至2微米，該等黑化層包覆該等金屬層之線路，或該等黑化層之光阻線寬大於該等金屬層之線路，該基板之材質係為玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚環烯烴高分子、環烯聚合物或聚亞醯胺其中之一。
- 一種黑化金屬網格結構之製造方法，係包括步驟： 步驟A：提供一基板，該基板係包括一第一表面以及一第二表面； 步驟B：在該基板之該第一表面以及該第二表面，或該第一表面以及該第二表面其中之一，形成至少一金屬層，該等金屬層具有線路，且該等金屬層係不與其它金屬層之對應位置重疊；以及 步驟C：分別在該第一表面以及該第二表面，直接於該等金屬層之上各形成一黑化層，以及對應該等金屬層之位置，於該第一表面或該第二表面之上形成另一黑化層，該等黑化層係為光阻； 利用該等黑化層覆蓋該等金屬層之線路，可控制該等黑化層之灰階與厚度。
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