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TW201803011A - 基板固持器及製造一基板固持器之方法 - Google Patents

基板固持器及製造一基板固持器之方法

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TW201803011A
TW201803011A TW106122758A TW106122758A TW201803011A TW 201803011 A TW201803011 A TW 201803011A TW 106122758 A TW106122758 A TW 106122758A TW 106122758 A TW106122758 A TW 106122758A TW 201803011 A TW201803011 A TW 201803011A
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TW106122758A
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薩帝許 艾堅達
摩米特 阿里 艾肯巴斯
比瓦多 安東諾夫
傑羅伊恩 鮑克奈格特
瓊斯特 威爾漢穆斯 瑪莉亞 法蘭肯
伊芙琳 瓦莉斯 帕西提
凱特 尼可拉斯 添
布魯斯 提瑞
真 唯霍夫
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荷蘭基金會科研院所
荷蘭阿姆斯特丹大學
荷蘭Ｖｕ基金會
Ａｓｍｌ荷蘭公司
Asml控股公司
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Abstract

本發明揭示一種基板固持器、一種製造一基板固持器之方法、一種包含該基板固持器之微影裝置及一種使用該微影裝置製造器件之方法。在一個配置中，提供用於一微影裝置中之一基板固持器。該基板固持器支撐一基板。該基板固持器包含一主體。該主體具有一主體表面。提供自該主體表面突出之複數個瘤節。每一瘤節具有一瘤節側表面及一遠端表面。每一瘤節之該遠端表面與該基板接合。該等瘤節之該等遠端表面大致上適形於一支撐平面且支撐該基板。將一碳基材料層提供於碳基材料之複數個分離區域中。該碳基材料層提供一表面，該表面具有比碳基材料之該複數個分離區域外部之該主體表面的一部分更小的一摩擦係數。該碳基材料層僅覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面的部分。替代地，該碳基材料層覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面及該瘤節側表面的至少一部分。

Description

基板固持器及製造一基板固持器之方法
本發明係關於基板固持器及製造一基板固持器之方法。
微影裝置係將所需之圖案塗覆至基板上(通常塗覆至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一個或幾個晶粒之部分)上。圖案之轉印通常係經由將圖案成像至基板上提供之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行。大體而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由將整個圖案一次性曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。 當將圖案自圖案化器件轉印時，將基板夾持至微影裝置中之基板固持器上。基板固持器通常具有用以支撐基板之複數個瘤節。與基板之總面積相比較，瘤節之接觸基板的總面積較小。因此，雜質粒子隨機地位於基板之表面上或基板固持器經截留於瘤節與基板之間的機會較小。再者，在基板固持器之製造中，相較於可將較大表面準確地製成扁平，可將瘤節之頂部更準確地製成共平面。 當首先將基板裝載至基板固持器上以為曝光做準備時，基板係藉由所謂的e銷釘支撐，該等e銷釘在三個位置處固持基板。雖然基板係由e銷釘固持，但該基板之自有重量將使其變形，例如在自上方檢視時變成凸面。為將基板裝載至基板固持器上，回縮e銷釘以使得基板係藉由基板固持器之瘤節支撐。隨著基板降低至基板固持器之瘤節上，在接觸其他場所(例如，近中心處)之前，基板將接觸一些場所，例如，近邊緣處。瘤節與基板之下表面之間的摩擦可防止基板完全地鬆弛至平坦的未受力狀態。 由於基板之硬度，當基板經支撐於e銷釘上時，由基板之重量所引起的曲率相對較小。此外，當基板在基板固持器之瘤節上時的確出現一些鬆弛。儘管如此，殘餘曲率可足以導致非所需疊對誤差。此外，基板有可能甚至在經支撐在e銷釘上之前為非平坦(例如，變形)的，其將增大誤差。
需要(例如)提供可減少疊對誤差之改良基板固持器。 根據本發明之一態樣，提供一種用於微影裝置中且經組態以支撐基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個瘤節，其自主體表面突出，其中 每一瘤節具有瘤節側表面及遠端表面，其中遠端表面經組態以與基板接合； 瘤節之遠端表面大致上適形於一支撐平面且經組態以用於支撐基板； 其中 將一碳基材料層提供於碳基材料之複數個分離區域中，該碳基材料層提供一表面，該表面具有比碳基材料之複數個分離區域外部的主體表面的一部分更小的摩擦係數；且 該碳基材料層僅覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面的部分或該碳基材料層覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面及瘤節側表面的至少一部分。 根據本發明之一態樣，提供一種製造一基板固持器之方法，該方法包含： 提供基板固持器板料，其具有具備主體表面之主體以及具有從主體表面突出的複數個瘤節，其中每一瘤節具有瘤節側表面和遠端表面，其中遠端表面經組態以與基板接合且瘤節之遠端表面大致上適形於支撐平面並且經組態以用於支撐基板； 在碳基材料之複數個分離區域中提供一碳基材料層，該碳基材料層提供一表面，該表面具有比碳基材料之複數個分離區域外部之主體表面的一部分更小的摩擦係數，及定位複數個分離區域使得該碳基材料層僅覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面的部分或該碳基材料層覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面及瘤節側表面的部分。 根據本發明之一態樣，提供一種用於微影裝置中且經組態以支撐基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個瘤節，其自主體表面突出，其中 每一瘤節具有瘤節側表面及遠端表面，其中該遠端表面經組態以與基板接合； 瘤節之遠端表面大致上適形於一支撐平面且經組態以用於支撐基板； 其中 提供一連續碳基材料層，該連續層包含各自具有第一厚度之複數個第一區域及具有第二厚度之至少一個第二區域，該碳基材料提供一表面，該表面具有比主體表面更小的摩擦係數， 複數個第一區域一起僅覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面的部分或覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面及瘤節側表面的至少一部分，及 第一厚度大於第二厚度。
圖1示意性地描繪一實施例之微影裝置。該裝置包含： - 一照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)； - 一支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM； - 一支撐台，例如，用以支撐一或多個感測器之感測台或經構建以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈產生基板) W之基板支撐裝置60，該支撐台連接至經組態以根據某些參數來準確地定位 (例如，基板W之)台之表面之第二定位器PW；及 - 一投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以藉由圖案化器件MA將賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或更多個晶粒)上。 照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。 支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件MA是否經固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所需位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用與更一般術語「圖案化器件」同義。 本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板W之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若經賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板W之目標部分中之所需圖案。大體而言，經賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。 圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡將圖案賦予至藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。 如本文所描繪，微影裝置為透射類型(例如，採用透射光罩)。替代地，微影裝置可為反射類型(例如，採用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或採用反射光罩)。 微影裝置可為具有兩個或多於兩個台(或載物台或支撐件) (例如，兩個或多於兩個基板台或一或多個基板台與一或多個感測器台或量測台之組合)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影設備可具有可以類似於基板台、感測器台及量測台之方式並行地使用之兩個或多於兩個圖案化器件台(或載物台或支撐件)。微影裝置可為具有以下之類型：量測站，在量測站處存在用於在曝光之前特性化生產基板之各種感測器；及曝光站，在曝光站處進行曝光。 微影裝置可為如下類型：其中基板W之至少一部分可由具有相對較高折射率之浸潤液體(例如，水，諸如超純水(UPW))覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的浸潤空間11。亦可將浸潤液體塗覆至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件MA與投影系統PS之間。浸潤技術可用以增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板W之結構必須浸沒於浸潤液體中，相反「浸潤」僅意謂浸潤液體在曝光期間位於投影系統PS與基板W之間。圖案化輻射光束B自投影系統PS至基板W之路徑完全穿過浸潤液體。在為投影系統PS之最終光學元件與基板W之間提供浸潤液體之配置中，液體限制結構12沿投影系統PS之最終光學元件100與面向投影系統PS之載物台或台的對向表面之間的浸潤空間之邊界的至少一部分延伸。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影裝置可為分離的實體。在此類情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適的導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當源SO為水銀燈時，源SO可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD一起(若需要)可被稱為輻射系統。 照明器IL可包含用於調整輻射光束B之角強度分佈之調整器AD。大體而言，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。與輻射源SO相似，可認為或不可認為照明器IL形成微影裝置之部分。舉例而言，照明器IL可為微影設備之整體部分或可為與微影設備分離之實體。在後一情況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL為可拆卸的且可經單獨提供 (例如，由微影裝置製造商或另一供應商)。 輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上且由圖案化器件MA圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉式器件、線性編碼器或電容感測器)，可準確地移動基板支撐裝置60 (例如)以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。 相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於(例如)在自光罩庫以機械方式取得之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。大體而言，憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組實現基板支撐裝置60之移動。 在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在將多於一個晶粒提供至圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記M1、M2可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，支撐結構MT及基板支撐裝置60基本上保持靜止，同時一次性將賦予至輻射光束B之完整圖案投影至目標部分C上(亦即，單一靜態曝光)。接著，使基板支撐裝置60在X及/或Y方向上轉換以使得可曝光不同的目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單一靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。 2. 在掃描模式中，同步地掃描支撐結構MT及基板支撐裝置60同時將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上(亦即單一動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板支撐裝置60相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單一動態曝光中之目標部分C之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度(及曝光場之大小)判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板支撐裝置60。在此模式中，通常採用脈衝式輻射源，且在基板支撐裝置60之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可採用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 控制器500控制微影裝置之總操作，且特別執行下文進一步所描述之操作過程。控制器500可被體現為經合適程式化之通用電腦，其包含中央處理單元、揮發性儲存構件及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出器件(諸如，鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接，及針對微影裝置之各種部分之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置之間的一對一關係係不必要的。一個電腦可控制多個微影裝置。多個經網路連接之電腦可用以控制一個微影裝置。控制器500亦可經組態以控制微影製造單元(lithocell)或叢集(cluster)中之一或多個相關聯程序器件及基板處置器件，微影裝置形成該微影製造單元或叢集之部分。控制器500亦可經組態以從屬於微影製造單元或叢集之監督控制系統及/或廠房(fab)之總控制系統。 基板支撐裝置60包含基板固持器WT。基板W在曝光期間通常被夾持至基板固持器WT。通常使用兩種夾持技術。在真空夾持中，例如，藉由將基板固持器WT與基板W之間的空間連接至低於基板W上之更高壓力的負壓而建立基板W兩端之壓力差。該壓力差引起將基板W固持至基板固持器WT之力。在靜電夾持中，使用靜電力將力施加於基板W與基板固持器WT之間。為了達成此情形，若干不同配置為吾人所知。在一個配置中，將第一電極提供於基板W之下表面上且將第二電極提供於基板固持器WT之上表面上。電位差經建立於第一電極與第二電極之間。在另一配置中，將兩個半圓形電極提供於基板固持器WT上且將導電層提供於基板W上。在兩個半圓形電極之間應用電位差以使得該兩個半圓形電極及基板上之導電層像串聯的兩個電容器作用。 為將基板W裝載至基板固持器WT上以用於曝光，由基板處置器機器人拾起基板W且將其降低至一組e銷釘上。e銷釘突出通過基板固持器WT。致動e銷釘以使得他們可延伸及回縮。e銷釘在其等的頂端處可具備抽吸開口以抓緊基板W。e銷釘可包含在基板固持器WT之中心周圍隔開的三個e銷釘。一旦基板W已停留在e銷釘上，該等e銷釘就回縮以使得基板W由基板固持器WT之瘤節支撐。雖然基板W係由e銷釘固持，但該基板W之自身重量將使其變形，例如自上方檢視時變成凸面。隨著基板W降低至瘤節上，在接觸其他場所(例如基板固持器WT之近中心處)的瘤節之前，基板W將接觸一些場所(例如基板固持器WT之近邊緣處)中之瘤節。瘤節與基板W之下表面之間的摩擦可防止基板W完全地鬆弛至平坦的未受力狀態。儘管由於基板W之硬度，當基板W經支撐於e銷釘上時其曲率較小且當基板W在基板固持器WT之瘤節上時的確出現一些鬆弛，但殘餘曲率仍然可足以產生非所需疊對誤差。 可將類金剛石碳(DLC)之層或塗層提供於基板固持器WT上。基板固持器WT可具備DLC層以改良基板固持器WT與基板W之間的介面性質。基板固持器WT上之DLC層減小平行於基板固持器WT之支撐平面(且因此，平行於基板W之表面)的方向中之摩擦。相較於由SiSiC製成之瘤節，DLC層可將瘤節與基板W之間的摩擦係數減小約2倍。當經置放於基板固持器WT上時，此允許基板W完全地鬆弛。此減少疊對誤差。使用DLC塗佈基板固持器WT具有增加基板固持器WT之壽命之額外優勢。DLC層之硬度及韌性減小基板固持器WT與基板W實體接觸時之磨損。 DLC層係可提供於基板固持器WT上以減小摩擦(且從而減小迭置誤差)及/或以減小基板固持器WT之磨損的碳基材料層的一個實例。將特定參考DLC而描述本發明之實施例。然而，具有比基板固持器WT之主體更小的摩擦係數之任何其他碳基材料可在替代實施例中額外地或代替DLC使用。該碳基材料可為固態及/或無機碳基材料。該碳基材料可具有比基板固持器WT之主體更高的耐磨性。碳基材料可包含石墨烯。舉例而言，碳基材料可選自由以下組成之群組：類金剛石碳、石墨烯、石墨、四面體非晶碳(ta-C)、非晶碳(a-C)、具有整合鎢的非晶碳(a-C:W)、具有整合鎢的四面體非晶碳(ta-C:W)、氫化非晶碳(a-C:H)、四面體氫化非晶碳(ta-C:H)、具有整合鎢的氫化非晶碳(a-C:H:W)、具有整合鎢的四面體氫化非晶碳(ta-C:H:W)、具有矽摻雜的氫化非晶碳(a-C:H:Si)、具有矽摻雜的四面體氫化非晶碳(ta-C:H:Si)、具有氟摻雜的氫化非晶碳(a-C:H:F)、具有氟摻雜的四面體氫化非晶碳(ta-C:H:F)、超奈米晶金剛石(UNCD)、金剛石、鎢碳化物、鉻碳化物、鈦碳化物、Cr2 C/a-C:H、石墨/TiC/Ti合金及併入於氧化鋁中之多壁碳奈米管(MWCNT)。此等碳基材料中之每一者證明較高耐磨性及較低摩擦性質。在下文描述之實施例中，代替或除DLC以外可使用此等特定碳基材料中之任一者。 諸位發明人已確認提供於基板固持器WT上之諸如DLC層之碳基材料層產生較高內部壓縮應力。此等內應力係由於生產過程及諸如DLC之碳基材料之材料性質。舉例而言，DLC層中之內應力可引起基板固持器WT之變形。變形可包含基板固持器WT之彎曲、基板固持器WT之捲曲或其他變形。諸位發明人已對塗佈有1 µm厚之DLC層之典型基板固持器WT執行量測並且發現約2.5微米的全域峰谷變形(global peak-valley deformation)。可藉由將基板W及基板固持器WT夾持至第二定位器PW上而部分地遏制此變形。然而，不可利用夾具系統支撐基板固持器WT之外邊緣。因此不能遏制由於DLC層之內應力引起之基板固持器WT之外邊緣的變形。在對典型基板固持器WT之量測中，發明人已發現此作用導致外邊緣之150 nm至200 nm向下捲曲因此，外邊緣可在微影裝置之焦點以外。補償基板固持器WT之全域變形之一個可能係在已塗覆DLC層之後校正基板固持器WT的平坦度。然而，此方法需要大規模且昂貴的後處理。即使應用該後處理，將不符合對於諸多微影過程的平坦度要求。 圖2描繪根據一實施例之用於微影裝置中的基板固持器WT。基板固持器WT支撐基板W。基板固持器WT包含主體21。主體21具有主體表面22。提供自主體表面22突出之複數個瘤節20。每一瘤節20之遠端表面20a與基板W接合。瘤節20之遠端表面20a大致上適形於一支撐平面且支撐基板W。主體21及瘤節20可由SiSiC形成，其為在矽基質中具有碳化矽(SiC)顆粒之陶瓷材料。替代地，主體21及瘤節20可由SiC形成。 複數個通孔89可形成於主體21中。通孔89允許e銷釘突出通過基板固持器WT以接納基板W。通孔89可允許將基板W與基板固持器WT之間的空間抽空。若基板W上方之空間亦未抽空，則抽空基板W與基板固持器WT之間的空間可提供夾持力。夾持力將基板W固持於適當位置。若基板W上方之空間亦經抽空，則在使用EUV輻射之微影裝置中情況將為：可將電極提供於基板固持器WT上以形成靜電夾具。 在一實施例中，基板固持器WT進一步包括密封件87。密封件87可自主體表面22突出。密封件87可具有密封端表面。密封件87可包圍通孔89。密封端表面可在通孔89周圍形成一連續環。在其它實施例中，密封件87可具有圍繞通孔89之任何其他形狀。密封件87之高度可大致上等於瘤節20之高度以使得密封端表面適形於由瘤節20的遠端表面20a限定之大致上平坦支撐平面。當基板W經放置於基板固持器WT之瘤節20上時，密封件87可接觸基板W。密封件87可接觸基板W以使得阻止通孔89與密封件87外部之區域之間的流體連通。藉由將低於基板W上方之壓力之負壓應用至通孔89，可將基板W夾持至基板固持器WT。替代地，密封件87可具有稍微短於瘤節20之高度以使得密封件87不接觸基板W。該密封件87減小至通孔89中之氣流以便引起負壓。視情況或替代地，可將邊緣密封件85提供於接近基板固持器WT之周邊處。邊緣密封件85為基板固持器WT之外部周圍之突出隆脊。邊緣密封件85可具有稍微短於瘤節20之高度且減小至基板W與基板固持器WT之間的空間中的氣流以便提供夾持力。 舉例而言，可提供其他結構以控制基板固持器WT與基板W之間的氣流及/或熱導率。基板固持器WT可具備電子組件。電子組件可包含加熱器及傳感器。加熱器及傳感器可用以控制基板固持器WT及基板W之溫度。 在圖3中放大展示瘤節20。在一實施例中，每一瘤節20具有瘤節側表面20b及遠端表面20a。瘤節20可具有在100 µm至500 µm之範圍內(例如，約150 µm)之高度h1 。瘤節20之遠端表面20a之直徑d1 可在100 µm至300 µm之範圍內，例如約200 µm。瘤節20之間距可在約0.5 mm至3 mm之範圍內，例如約1.5 mm。瘤節20之間距係兩個鄰近瘤節20之中心之間的距離。在一實施例中，所有瘤節20之遠端表面20a之總面積係在基板W或基板支架WT之總面積的1%至3%之範圍內。圖3中指示出：瘤節20在形狀上可為截頭圓錐形，其中瘤節側表面20b稍微傾斜。在一實施例中，瘤節側表面20b可為垂直的或甚至懸垂的。在一實施例中，瘤節20在平面中為圓形。視需要，瘤節20亦可以其他形狀形成。 在一實施例中，提供DLC層。在替代實施例中，提供除DLC層以外之碳基材料層。將DLC層或其他碳基材料層提供於碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23中。在一實施例中，碳基材料(例如，DLC)層覆蓋瘤節20之遠端表面20a及瘤節側表面20b的部分。將碳基材料(例如，DLC)層提供於瘤節20之遠端表面20a上以減小疊對誤差。實際上，製造方法可並非如此精確使得僅允許覆蓋瘤節20之遠端表面20a (且不覆蓋瘤節側表面20b)。由旨在準確地覆蓋瘤節20之遠端表面20a，存在碳基材料(例如，DLC)層僅與遠端表面20a重疊(而不是完全地覆蓋)的風險。此係由於可用的製造方法之不準確度。使用碳基材料(例如，DLC)覆蓋瘤節側表面20b之至少一部分允許提供碳基材料(例如，DLC)層之不準確度的容限。此使得碳基材料(例如，DLC)層的製造簡單且便宜。覆蓋瘤節側表面20b之一部分以及瘤節20之遠端表面20a的另一優勢係碳基材料(例如，DLC)層至瘤節20的黏著性經改良。此降低碳基材料(例如，DLC)層自瘤節20分離之風險。 在另一實施例中，碳基材料層僅覆蓋瘤節20之遠端表面20a之一部分(並非所有)。舉例而言，在可更容易地將碳基材料提供或較佳地附接至瘤節20之遠端表面20a上之特定區域的情況下，此係有利的。由SiSiC形成之瘤節包含矽基質中之SiC顆粒。相較於黏附至矽基質，碳基材料(例如石墨烯)可較好地黏附至SiC顆粒。此外，碳基材料(例如石墨烯)可選擇性地生長在SiC顆粒非而矽基質上。由碳基材料覆蓋之瘤節20之遠端表面20a的部分可為瘤節20之遠端表面20a上的SiC顆粒。僅覆蓋瘤節20之遠端表面20a的部分可使碳基材料層之製造更容易及/或更便宜。 可將碳基材料(例如，DLC)層提供於直接鄰近於瘤節20之遠端表面20a之瘤節側表面20b的部分上。換言之，提供於瘤節側表面20b之部分上之碳基材料(例如，DLC)可完全地包圍瘤節20之遠端表面20a。在一些實施例中，碳基材料(例如，DLC)層覆蓋瘤節側表面20b、遠端表面20a及主體表面22之一部分。碳基材料(例如，DLC)層可覆蓋直接鄰近於瘤節側表面20b之主體表面22之部分。此進一步增大使用可用的製造方法之不準確度的容限。碳基材料(例如，DLC)層之製造可因此更容易且更便宜。碳基材料(例如，DLC)層至瘤節20之黏著性經進一步改良。將碳基材料(例如，DLC)提供至除瘤節20之遠端表面20a以外之區域亦可改良此等區域之耐磨性，由此改良基板固持器壽命。 在一些實施例中，碳基材料(例如，DLC)層覆蓋密封件87之密封端表面。可額外地將碳基材料(例如，DLC)層提供於自主體表面22突出之任何其他構件的遠端表面上。可將碳基材料(例如，DLC)層提供於可接觸基板W之任何其他組件上。可將碳基材料(例如，DLC)層局部地提供至主體表面22以改良基板固持器WT上之被動水管理。可將碳基材料(例如，DLC)層局部地提供至主體表面22以使得更容易清理基板固持器WT。 在一些實施例中，將碳基材料(例如，DLC)層提供於基板固持器WT之所有瘤節20上。碳基材料(例如，DLC)層可覆蓋自主體表面22突出之複數個瘤節20中之每一者(亦即，所有)的遠端表面20a。因此將摩擦之整體降低最大化。將疊對誤差降至最小。然而，有可能僅將碳基材料(例如，DLC)層提供至某些瘤節20。舉例而言，可僅將碳基材料(例如，DLC)層提供至基板固持器WT之中心區域中之瘤節20處。在一實施例中，碳基材料(例如，DLC)層進一步覆蓋自主體表面22突出之複數個瘤節20中之每一者的瘤節側表面20b之至少部分。 將碳基材料(例如，DLC)層提供於碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域或斷開區域23中。碳基材料(例如，DLC)層可由碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23構成或組成。碳基材料(例如，DLC)之分離區域23中無一者連接至或與碳基材料(例如，DLC)之分離區域23中的另一者接觸。在碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23中提供碳基材料(例如，DLC)層降低碳基材料(例如，DLC)中之內應力對基板固持器WT之影響。相較於在提供單一的連續碳基材料(例如，DLC)層的情況下將產生的變形，此降低由碳基材料(例如，DLC)中之內應力引起的基板固持器WT之整體變形。 碳基材料(例如，DLC)的分離區域23中之每一者或提供於瘤節20上之碳基材料(例如，DLC)之分離區域23中之每一者可包含大體上相同的特徵及尺寸。替代地，碳基材料(例如，DLC)之分離區域23可彼此不同。可將碳基材料(例如，DLC)之分離區域23提供於瘤節20之遠端表面20a及瘤節側表面20b的部分上。碳基材料(例如，DLC)之分離區域23可覆蓋整個瘤節側表面20b及直接鄰近於瘤節側表面20b之主體表面22之部分20c。可將碳基材料(例如，DLC)之一或多個分離區域23提供於密封件87之遠端表面上。可將碳基材料(例如，DLC)之一或多個分離區域23提供於自主體表面22突出的任何其他構件上。當在平面中觀看時，碳基材料(例如DLC)之分離區域23可為圓形。替代地，碳基材料(例如，DLC)之分離區域23可以其他形狀形成。 在一實施例中，碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23中之一或多者中的每一者覆蓋單一瘤節20(亦即，一個且僅一個瘤節20)之瘤節側表面20b的一部分及遠端表面20a。此限制碳基材料(例如，DLC)之分離區域23之橫向尺寸，由此減小由碳基材料(例如，DLC)中的內應力引起之基板固持器WT之變形。碳基材料(例如，DLC)之分離區域23中之每一者可覆蓋單一瘤節20的遠端表面20a。換言之，可僅將碳基材料(例如，DLC)之分離區域23中之每一者提供於一個瘤節20但非第二個瘤節20上。提供於瘤節20上之碳基材料(例如，DLC)之分離區域23中的每一者可覆蓋單一瘤節20之遠端表面20a。替代地，可將碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23中之一或多者中的每一者提供於多個瘤節20，例如，一組鄰近瘤節20上。 當垂直於主體表面22觀看時，碳基材料(例如，DLC)之分離區域23可具有最小橫向尺寸或直徑d2 ，其大於瘤節20之遠端表面20a之直徑d1 。在一實施例中，當垂直於主體表面22觀看時，覆蓋單一瘤節20之瘤節側表面20b之部分及遠端表面20a的碳基材料(例如，DLC)之分離區域23中之每一者具有最大橫向尺寸或直徑d2 ，其小於該瘤節20之中心與最近的其他瘤節20之中心之間的距離。提供於瘤節20上之碳基材料(例如，DLC)之分離區域23可延伸至彼瘤節20之中心與最近的其他瘤節20之中心之間的中間點處。舉例而言，當在平面中觀看時，碳基材料(例如，DLC)之分離區域23可具有在100 µm至2 mm範圍內，或較佳在自200 µm至500 µm範圍內的直徑d2 或平均橫向尺寸。限制碳基材料(例如，DLC)之分離區域23之橫向尺寸會減小基板固持器WT的變形。 在一實施例中，碳基材料層包含DLC層且具有在0.5 µm至1.5 µm範圍內之厚度。由此，DLC之構成DLC層之分離區域23具有在0.5 µm至1.5 µm範圍內的厚度t1 。最小厚度0.5 µm允許在沈積之後處理DLC層(例如)以改良DLC層之頂部表面的平坦度。後處理可確保DLC層之頂部表面精確適形於支撐平面SP。最小厚度0.5 µm進一步允許將任何較小局部凹陷或突出整平。最大厚度1.5 µm確保將DLC層中之內部壓縮應力保持較低。在其它實施例中，碳基材料層包含除DLC以外之碳基材料且亦具有在0.5 µm至1.5 µm範圍內的厚度。此可提供關於DLC描述之相同優勢。 在一替代性實施例中，提供作為碳基材料之一實例之較薄DLC層，視需要其足夠薄以大致上遵循DLC層下方之表面。在一實施例中，DLC層具有在30 nm至200 nm之範圍內之厚度。在此情況下，DLC之構成DLC層之分離區域23具有在30 nm至200 nm範圍內的厚度t1 。提供該DLC薄層進一步減小DLC層中之內部壓縮應力。其他碳基材料層亦可具有在30 nm至200 nm範圍內的厚度。此進一步降低碳基材料層中之內部壓縮應力。 可選擇作為碳基材料層之一實例之DLC層的準確調配物(例如，非晶形氫化碳 a:C-H或四面體非晶形碳ta-C中之氫氣成分)以達成所需性質。所需性質可包括(例如)至主體21之材料之黏著性、至基板W的機械強度、牢固性及摩擦係數。可包括於DLC層中之合適的添加劑包括矽、氧氣、氮氣、鉬及氟氣。若基板固持器WT之主體21及瘤節20係由SiSiC或SiC形成，則在DLC層中包括矽可改良至基板固持器WT的黏著性。在一實施例中，可在瘤節表面20a、20b與DLC層之間提供黏著促進層。將氟添加至DLC層可進一步減小摩擦。亦可選擇由其他碳基材料組成之層之準確調配物以實現此等所需性質。 在一實施例中，與不具有DLC層但另外所有方面類似之SiSiC之基板固持器WT相比，DLC層將基板固持器WT與基板W之間的摩擦減小約2倍。在一實施例中，定義為法線力與牽拉力之比率的摩擦係數可為約0.1。藉由將一件基板W放置於基板固持器WT上且量測將基板W拖動過基板固持器WT所需的力之方式來量測摩擦係數。法線力宜約mN且可經由該件基板W之重量、置放於基板W之頂部上的額外重量或跨基板W之壓力差提供。環境濕度可對係數摩擦之量測有影響，因此，理想地在30°至70°之範圍內之相對濕度RH下來執行量測。其他碳基材料亦可顯著減小基板固持器WT與基板W之間的摩擦。 DLC層之額外優勢係相較於SiSiC，DLC更不剛硬。在一實施例中，DLC層具有低於純SiSiC約70%之剛度。此減小DLC之剛度以及DLC之高硬度可改良基板固持器WT之耐磨性。其他碳基材料亦改良基板固持器WT之耐磨性。 在一實施例中，碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23係藉由將碳基材料(例如，DLC)之區域自碳基材料(例如，DLC)之先前經沈積層選擇性地移除而形成。藉由自單一連續碳基材料層(例如，DLC)形成碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23確保碳基材料(例如，DLC)之分離區域23中之每一者之厚度及性質係恆定的。此確保瘤節20之遠端表面20a上之碳基材料(例如，DLC)層的頂部表面適形於大致上平坦支撐平面SP。 圖4描繪製造根據一實施例之基板固持器WT之方法。在第一步驟S1中，提供基板固持器板料或模板。基板固持器板料可由SiSiC組成。基板固持器板料具有主體21。主體21具有主體表面22。基板固持器板料具有自主體表面22突出之複數個瘤節20。每一瘤節20具有瘤節側表面20b及遠端表面20a。瘤節20之遠端表面20a大致上適形於一支撐平面且支撐基板W。每一瘤節20之遠端表面20a與基板W接合。替代地，可在第一步驟中使用已知製造方法製造基板固持器板料。 方法進一步包含在碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23中提供碳基材料(例如，DLC)層。將碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23定位使得碳基材料(例如，DLC)層覆蓋瘤節20之遠端表面20a及瘤節側表面20b之一部分。 在一實施例中，提供碳基材料(例如，DLC)層：藉由首先將單一連續碳基材料(例如，DLC)層提供S2於主體表面22及複數個瘤節20上。有可能僅對某些瘤節20 (例如，基板固持器WT之中心區域中之瘤節20)提供S2連續碳基材料(例如，DLC)層。替代地，可將連續碳基材料(例如，DLC)層提供S2至基板固持器WT之全部。舉例而言，可使用電漿沈積方法將連續碳基材料(例如，DLC)層提供至基板固持器WT。 接下來，將碳基材料(例如，DLC)之區域自連續碳基材料(例如，DLC)層移除S3以便形成碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23。換言之，連續碳基材料(例如，DLC)層係經圖案化，結構化或間斷。碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23可具有如上文所描述之特徵及性質。可藉由透過光罩(由(例如)光阻或金屬組成)蝕刻或研磨噴砂處理或電-放電機械加工(但不限於此等方法)來實現對碳基材料(例如，DLC)之選擇性移除S3。 在一替代性實施例中，由提供碳基材料(例如，DLC)層同時阻止該碳基材料(例如，DLC)層形成於除碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23以外之區域上的處理過程替代步驟S2及S3，由此形成碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23。舉例而言，在碳基材料(例如，DLC)層之沈積期間，可遮蔽除碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23以外之區域。 在視情況選用之其他步驟S4中，碳基材料(例如，DLC)之分離區域23可經歷後處理。後處理可用以確保碳基材料(例如，DLC)之分離區域23之上表面具有所需平坦度且精確適形於支撐平面SP。後處理步驟S3可涉及材料之選擇性移除，例如藉由雷射切除、離子蝕刻或離子束修形(IBF)。在後處理之後，基板固持器WT經測試S5且必要時，例如可藉由使用氧氣電漿處理或機械拋光對基板固持器WT進行重工。 首先提供S2單一連續碳基材料(例如，DLC)層之優勢為可極均一地沈積該層從而在連續碳基材料(例如DLC)層中產生恆定厚度及內部結構。因此，在選擇性移除S3碳基材料(例如，DLC)或圖案化連續碳基材料(例如，DLC)層之後，碳基材料(例如，DLC)的剩餘的分離區域23皆具有大致相同的性質及厚度。此確保碳基材料(例如，DLC)之分離區域23之頂部表面皆適形於相同的大致上平坦的支撐平面SP。此將對後處理之要求降至最小。 替代地，可藉由將碳基材料(例如，DLC)透過光罩沈積至板料或模板上以形成碳基材料(例如，DLC)之分離區域23使得將碳基材料(例如，DLC)提供至碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域23中之基板固持器WT。光罩可重複使用。替代地，光罩可由(例如)光阻或金屬之犧牲層組成。 在一實施例中，提供用於將影像投影至基板W上之微影裝置。微影裝置包含如上文所描述之基板固持器WT。 在一實施例中，微影裝置進一步包含經組態以支撐圖案化器件MA之支撐結構MT。投影系統PS將由圖案化器件MA圖案化之光束投影至基板W上。夾具系統將基板W夾持至基板固持器WT。 在一實施例中，提供使用微影裝置製造器件之方法。微影裝置具有如上文所描述之基板固持器WT及用於將基板W夾持至基板固持器WT之夾具系統。方法包含將基板W裝載至基板固持器WT上。方法進一步包含允許基板W之變形減輕。方法進一步包含接合該夾具系統。方法進一步包含將圖案曝光至基板W上。 藉由在接合夾具之前允許基板W之變形減輕可將疊對誤差降至最小。碳基材料(例如，DLC)層允許出現變形減輕而無任何延遲。 圖5至圖7描繪說明如何藉由使用DLC之分離區域23而非單一連續DLC層得到的經改良基板固持器WT平坦度的實驗性資料。每一圖包含實驗性資料之三個曲線圖，該實驗性資料展示根據三個不同量測之基板固持器WT之平坦度的偏差：(頂部)全域夾持形狀之偏差；(中間)基板固持器平坦度之疊對非可校正組件；及(底部)基板固持器平坦度之聚焦非可校正組件。在每一曲線圖下方提供展示在不同偏差位準下之像素之分佈及陰影鍵的直方圖。在圖5至圖7中之每一者中之頂部曲線圖中，中心較暗區域表示相對較大偏差，較淺灰色區域表示中等偏差及外周更暗區域表示相對較小偏差。在圖5至圖7中之每一者中之中間曲線圖中，曲線圖之大部分對應於相對較小偏差(對應於曲線圖下方提供之直方圖中之峰值之陰影)。在圖5至圖7中之每一者中之底部曲線圖中，曲線圖之大部分對應於相對較小偏差(對應於曲線圖下方之直方圖之雙成峰狀區域之陰影)，但更暗區域表示相對較大偏差。圖5至圖7展示單一連續DLC層之應用引起自平坦度的相對較大偏差，其藉由對圖6之底部曲線圖(在由單一連續層塗佈之後)與圖5之底部曲線圖(塗佈之前)進行比較可以最清楚地辨識。構造連續DLC層以提供DLC之分離區域23而顯著地減小自平坦度之偏差，藉由對圖6之底部曲線圖(在由單一連續DLC層塗佈之後)與圖7之底部曲線圖(在由DLC之分離區域23塗佈之後)進行比較可以最清楚地辨識。在圖7之底部曲線圖相較於圖6之底部中之小得多的量之較暗區域指示當使用DLC之分離區域23時之經改良的平坦度。在此特定實驗實例中，單一連續DLC層中之較高內應力引起基板固持器WT之彎曲及變形，其中基板固持器WT之外邊緣相對於基板固持器WT之中心向下捲曲約2.3 µm至2.5 µm。當提供DLC之分離區域23時變形顯著更低。當使用DLC之分離區域23時，所觀察到的平坦度之偏差與在使用DLC之任何塗佈之前看見的彼等偏差相似。更大體而言，本發明人已通過實驗方式發現約1微米之厚度之單一連續DLC層中的內應力可引起基板固持器WT中之微米級變形。 在圖3之實施例中，將碳基材料(例如，DLC)層提供於碳基材料(例如，DLC)之複數個分離區域或斷開區域23中。此等分離區域23之間不提供碳基材料。基板固持器WT之主體表面22因此曝光。諸位發明人已意識到在基板固持器WT之後處理期間，例如在離子束修形(IBF)期間，來自基板固持器WT之經曝光SiSiC或SiC主體表面22之材料可作為SiOx 或SiC粒子濺射離開。可將此類粒子再沈積於碳基材料層之頂部上以形成雜質層。此雜質層增大瘤節20之遠端表面20a之表面粗糙度且引起基板固持器WT與基板W之間的摩擦的增大。因此需要避免該雜質層之形成。 諸位發明人已發現，如圖8中所描繪，藉由提供連續碳基材料層可防止或緩解該雜質層之形成。連續層具有複數個第一區域23。每一第一區域23具有第一厚度t1 (亦即，相同厚度)。第一厚度t1 在每一第一區域23中係大致上均一。連續層進一步包含具有第二厚度t2 之至少一個第二區域25。第一厚度t1 大於第二厚度t2 。 複數個第一區域23一起僅覆蓋瘤節20中之至少一者之遠端表面20a的部分或瘤節20中之至少一者之遠端表面20a之至少一部分及瘤節側表面20b之至少一部分兩者。在實施例中，第一區域23具有與如上文參看圖3所描述之碳基材料之分離區域23之相同大小、形狀及/或位置。碳基材料之第一區域23亦提供一表面，該第一表面具有比基板固持器WT之主體表面22更小的摩擦係數且從而以與如上文所述之碳基材料之分離區域23之相同方式減小疊對誤差。 提供具有比第一區域23更小厚度之至少一個第二區域25允許提供一連續層，該連續層實現充分耐磨性同時相較於均一厚度之連續層之更小總內應力。此係因為在並未接觸基板W之區域中不需要足夠大以至於實現耐磨性的厚度。在不接觸基板W之該等區域中之至少一些中提供更薄的第二區域25減小內應力且對耐磨性不具有任何負面影響。每一第二區域25中之每一單位面積之內應力小於每一第一區域23中的每一單位面積之內應力。 與如上文參考圖3所描述之類型之實施例形成對比，提供連續碳基材料層 (使得碳基材料存在於第一區域23之間)確保無或至少更少的基板固持器WT之主體表面22經曝光。不能在由碳基材料之至少一個第二區域25覆蓋之基板固持器WT的主體表面22之區域上直接操作諸如離子束修形之後處理步驟。防止或減少後處理期間之碳基材料層之頂部上的雜質層之形成。至少一個第二區域25可覆蓋複數個第一區域23之間的全部或大體上全部區域。此確保無主體表面22之部分曝光於基板固持器WT之後處理，以使得將雜質層之形成的風險降至最小。 在一實施例中，至少一個第二區域25將第一區域23連接在一起以在基板固持器WT之主體表面22及瘤節20上形成一連續層。在一實施例中，直接在基板固持器WT之主體表面22及/或瘤節20上提供第一區域23及至少一個第二區域25。 在各種實施例中，在0.5 μm至1.5 μm範圍內選擇碳基材料之第一厚度t1 。已發現瘤節20之頂部上之0.5 μm及大於0.5 μm厚度之碳基材料(例如，DLC)提供充分耐磨性、提供用於在後處理(諸如離子束修形或搭接)中達成平坦度的切實可行的容限及促成目標表面之可信賴的充分的覆蓋度。已發現1.5 μm及小於1.5 μm厚度之碳基材料(例如，DLC)在第一區域23中提供足夠低以免促進過度疊對誤差的內應力。 在各種實施例中，在200 nm至300 nm範圍內選擇第二厚度t2 之碳基材料。已發現200 nm或更大之厚度降低後處理步驟(諸如，離子束修形)穿透基板固持器WT之主體表面22之風險，由此降低形成雜質層的風險。已發現低於300 nm之厚度可有效地確保作用於基板固持器WT之內應力經充分地減小以避免基板固持器WT邊緣之過度的向下捲曲及相關聯之疊對誤差。 除步驟S3中僅部分地(而不是完全地)自碳基材料之先前所沈積連續層之至少一個經選擇區域移除碳基材料，根據結合圖4所描述之方法可產生圖8之實施例。部分移除包含至少一個經選擇區域中之碳基材料之厚度的減小。未移除碳基材料之區域可形成第一區域23。已部分地移除碳基材料之至少一個區域可形成至少一個第二區域25。舉例而言，藉由透過光罩(例如，由光阻或金屬組成)蝕刻或研磨噴砂處理，藉由電-放電機械加工或藉由雷射切除可實施部分移除。 替代地，藉由首先提供一較薄連續的碳基材料層(例如，等於第二厚度，例如在200 nm至300 nm範圍內)可產生圖8之實施例。可接著將一更厚層添加至經選擇區域中以形成具有第一厚度(例如，在0.5 μm至1.5 μm範圍內)之第一區域23，例如，藉由添加碳基材料同時阻止碳基材料形成於除第一區域23以外之區域上。舉例而言，此可藉由在沈積期間遮蔽而實現。在另一實施例中，在第一步驟中(例如，藉由經遮蔽沈積)選擇性地形成更厚的第一區域23及以在後續步驟中藉由應用一連續薄層(在至少一個第二區域25及第一23區域兩者上)形成至少一個第二區域25。 可將除DLC以外之碳基材料提供於基板固持器WT上。針對DLC之一個此類替代例係石墨烯。石墨烯可作為潤滑劑且抗磨損塗層使用於瘤節20之遠端表面20a上。因此可將石墨烯層作為摩擦-減小且耐磨損塗層提供於基板固持器WT上以減小非所需疊對誤差的影響。可在石墨烯之複數個分離區域23中的基板支撐件WT上提供石墨烯層，如關於圖3之實施例所描述。此使得能夠在基板支撐件WT上簡單且高效地提供較高品質石墨烯。石墨烯表面之品質以及石墨烯與基板固持器WT之間的介面的品質直接影響石墨烯之耐磨性及其低摩擦性質。 石墨烯層可包含單層石墨烯或多層石墨烯。提供單層石墨烯顯著地足以減小基板固持器WT之磨損及基板固持器WT與基板W之間的摩擦。隨著將石墨烯層提供於基板固持器WT之瘤節20上，避免瘤節20與由瘤節20支撐的基板W之間的直接原子接觸，以使得不會形成引起較大摩擦及磨損的化學鍵。此外，石墨烯之較低缺陷密度使對基板W或對基板W上之有機雜質的黏著性降至最小。石墨烯層進一步補償瘤節20之遠端表面20a之任何固有不規律。石墨烯具有固有低表面能，其使針對由瘤節20上之毛細管(或水)橋所引起之摩擦力的比重降至最小。此類毛細管橋可由使用於微影裝置中之浸潤液體或空氣中之水蒸氣引起且可顯著地增大基板固持器WT之磨損率。因此，石墨烯將基板固持器WT上之磨損及磨損殘渣之產生有效地降低或降至最小。石墨烯係顯著地減小基板固持器WT之摩擦係數且改良耐磨性的碳基材料之實例。 提供多層石墨烯而單層非石墨烯可改良石墨烯層之耐磨性。此係因為磨損係較不可能穿透石墨烯與基板固持器WT之間的接觸介面。因此，磨損僅最低限度地影響多層石墨烯至基板固持器WT之黏著性。 提供具有石墨烯層之基板固持器WT之方法包括提供基板固持器WT，將基板固持器WT之至少部分浸沒在氫氣氛圍中及使用輻射光束B輻照基板固持器WT之至少部分。經輻照之基板固持器WT之部分可對應於關於圖3之實施例所論述的碳基材料之複數個分離區域23。方法可發生於微影裝置中。可由微影裝置提供氫氣氛圍及輻射光束。 基板固持器WT可由SiSiC或SiC所組成。使用由SiC所組成之基板固持器WT允許石墨烯直接在基板固持器WT上生長。此外，SiC基板固持器WT之均質結構允許基板固持器WT之每一瘤節20的機械接觸性質之精確定義。石墨烯可基於可(例如)在高溫下發生之矽原子之解吸附形成於SiC上。因此，石墨烯可直接地由SiC基板固持器WT之散裝材料形成。需要三個SiC雙層以形成一個石墨烯層。此係由具有(6√3×6√3)R30°結構之碳層間之形成而調介的。形成一額外石墨烯層再次引起(6√3×6√3)R30°結構之形成。同時，第一(6√3×6√3)R30°結構自至SiC基板固持器WT之其共價鍵結釋放且經轉化成真實石墨烯層。以此方式，全部石墨烯層經形成而具有相對於基板固持器WT之相同的30°旋轉。 在SiC基板固持器WT上之石墨烯之此生長可在微影裝置中原位實現。基板固持器WT之經選擇區域或整個基板固持器WT可曝光於微影裝置之輻射光束B，同時基板固持器WT由氫氣氛圍包圍。氫氣氛圍含有氫分子。此氫分子與輻射光束B互動時即刻分解成氫原子。SiC基板固持器WT之矽原子與原子氫之化學互動引起矽烷氣體SiH4 之形成且因此矽之解吸附。矽原子之解吸附之後，基板固持器WT之上層中之其餘的碳原子將自身重新組織成(6√3×6√3)R30°結構且隨後形成真實石墨烯層。可使用微影裝置之真空設備立刻將揮發性SiH4 自微影裝置抽空。 輻射光束B之波長不是臨界的。舉例而言，輻射光束B之波長可在可見能譜中(390 nm至700 nm)或在紅外能譜中(700 nm至1 mm)。替代地，可使用約193 nm (DUV)、約13.5 nm (EUV)之波長及甚至更短波長(BEUV)，因此使得可能出於生長石墨烯的目的而使用微影裝置之DUV、EUV或其他輻射光束B。輻射光束B可具有在5 nm至1 mm範圍內之波長。較佳地，輻射光束B具有在10 nm至200 nm範圍內之波長。此將不會導致SiC基板固持器WT之C或Si之內殼層的激發。此波長之輻射將導致外殼層激發及鍵斷裂或發熱。此波長的輻射有效地將氫分子分解成氫原子。微影裝置可為EUV微影裝置且EUV微影裝置之EUV輻射光束B可用以分解氫分子。替代地，微影裝置可為DUV微影裝置且DUV微影裝置之DUV輻射光束B可用以分解氫分子。 氫氣氛圍之壓力不是臨界的。壓力可(例如)為約1 Pa或數Pa，例如，在0.5 Pa至10 Pa範圍內。壓力可對應於微影裝置中之壓力，使得(例如)以約1 Pa之壓力提供氫氣氛圍。約1 Pa或數Pa之壓力足以有效地實現石墨烯在基板固持器WT上之生長。壓力係足夠低而不會或僅最低限度地干擾微影裝置之正常情況下的微影處理。 諸如EUV微影裝置中之石墨烯至氫氣氛圍之曝光可額外用於石墨烯之原子層級修復。舉例而言，由於磨損破壞之石墨烯層係對由於機械應力的斷裂敏感。在石墨烯之損害位點處曝光懸空鍵。氫原子可結合至此等懸空鍵且因此鈍化此等懸空鍵。此可顯著地延長石墨烯層之壽命、將其所需耐磨性及摩擦性質保持更長時段。類似地，如例如存在於DUV微影裝置中之水蒸氣中之氫氣可鍵結及鈍化石墨烯層之懸空鍵且因此延長石墨烯層之壽命。因此，EUV或DUV微影裝置中之基板固持器WT上之石墨烯層可在已延長時段內保持其所需性質。 隨著將基板W裝載至基板固持器WT上及自基板固持器WT卸載可磨損基板固持器WT上之石墨烯層。此還原基板固持器WT的低摩擦性質。可定期更新微影裝置內之石墨烯層，例如，當基板固持器WT之摩擦係數超出預定臨限值時。舉例而言，在單一基板W之裝載及卸載之後的每一時間或在預定數目個基板W之裝載及卸載之後的每一時間可更新石墨烯層。石墨烯層之更新頻率取決於石墨烯層之磨損率。當無基板W由基板固持器WT固持時，例如在自基板固持器WT卸載基板W之後及在將下一基板W裝載至基板固持器WT上之前，更新石墨烯層。提供石墨烯層之過程可要求其中無微影處理發生之較短時間間隔。然而，吾人預期石墨烯層之更新頻率係足夠低而不會顯著地干擾微影裝置之微影處理。 提供具有石墨烯層之基板固持器WT之替代方法包括提供基板固持器WT，及使用雷射光束輻照基板固持器WT之至少部分。基板固持器WT之經輻照部分可對應於如上文所述之碳基材料之複數個分離區域23。方法可原位發生於微影裝置中。 雷射光束局部加熱基板固持器WT之經輻照部分。經加熱之SiC表面層經分解成氣態Si及固態C，使得Si自SiC基板固持器WT解吸附。矽原子之解吸附之後，基板固持器WT之上層中之其餘的碳原子將自身重新組織成(6√3×6√3)R30°結構且隨後形成真實石墨烯層。 雷射光束可(例如)為CO2 雷射光束該CO2 雷射光束之波長可在9.4 µm至10.6 µm範圍內。 此替代方法之優勢係其不要求提供氫氣氛圍且可因此更容易地在現有DUV微影裝置中執行。 以上提供具有石墨烯層之基板固持器WT之方法已關於SiC基板固持器描述。然而，亦可將石墨烯層提供於包含Si基質中之SiC顆粒的SiSiC基板固持器WT上。石墨烯層可生長在遵循由上文所述的機械裝置中的一種解吸附Si原子之基板固持器WT的SiC顆粒上。因此，可將石墨烯層直接地提供在SiC顆粒上。可將SiC顆粒提供於基板固持器WT之瘤節20之遠端表面20a上。因此，可將石墨烯層僅提供於瘤節20之遠端表面20a之部分(僅在SiC顆粒上)而並非所有(而非容納SiC顆粒之Si基質)上。SiC顆粒係基板固持器WT之與基板W直接接觸之部分。因此尤其需要改良基板固持器WT之SiC顆粒之耐磨性及摩擦性質。 在提供具有石墨烯層之基板固持器WT之另一替代方法中，可藉由將石墨烯機械剝離至基板固持器WT之至少部分上而提供石墨烯層。可將石墨烯直接機械剝離至SiC或SiSiC基板固持器WT上或具有DLC及CrN塗層之基板固持器WT上。此使得在基板固持器WT上提供石墨烯層變得簡單。SiC基板固持器WT之較高結構均質性允許對SiC瘤節進行高度精確塑形及拋光，其允許石墨烯剝離至具有極小表面缺陷的SiC瘤節上。 替代地，可首先將黏著層提供於基板固持器WT之至少部分上以改良石墨烯對基板固持器WT之黏著性。基板固持器WT之具備黏著層之部分可對應於關於圖3之實施例所論述的碳基材料之複數個分離區域23。在提供石墨烯之前塗覆黏著層可使石墨烯之黏著性及表面性質最佳化且因此使其耐磨性及摩擦性質最佳化。 石墨烯可與具有多種電子結構之大範圍的材料，諸如，金屬、介電質、半導體及複合材料建立強鍵結。由於不完全地填充電子d頻道，石墨烯可化學鍵結至金屬及金屬合金。黏著層可因此為金屬或金屬合金，諸如鐵、鈷、鈀、鎳、鈦或鋼。由於石墨烯之較高電荷密度，石墨烯亦可靜電鍵結至介電質及半導體。石墨烯至介電質或半導體之黏著性隨介電質或半導體之介電常數ɛ增加。黏著層可具有大於2.5之介電常數ɛ。黏著層可(例如)選自由以下組成的群組：Al2 O (ɛ=9)、AIN (ɛ=9)、Cu2 O (ɛ=18)、Hf2 O (取決於結晶學，ɛ=20-77)、a-Zr2 O (ɛ=22)、金剛石(ɛ=10)、DLC (ɛ=2.5-6)、SiC (ɛ=10)或Si2 O (ɛ=4)。 藉由真空退火可進一步改良石墨烯至Hf2 O之黏著性。石墨烯可額外化學鍵結至介電質或半導體，諸如DLC或SiC，從而進一步改良石墨烯至此類材料之黏著性。藉由將黏著溶液之較薄(例如，原子)化學層塗覆至基板固持器WT上可進一步改良石墨烯至此等材料中之任一者之黏著性。黏著溶液可為有機的或無機的。黏著溶液可(例如)為乙烯-乙酸乙烯酯或以上關於黏著層所列之無機材料中的一種。 上文所述的將石墨烯提供至基板固持器WT之方法允許將石墨烯層塗覆至基板固持器WT上之經選擇區域。此等經選擇區域可對應於關於圖3之實施例所描述之碳基材料的複數個分離區域23。可選擇性地將石墨烯塗覆至瘤節20，該等瘤節20 (例如接近基板固持器WT之邊緣的外部瘤節20)最受基板W之磨損及滑動的影響。隨著允許基板固持器WT之每一瘤節20之摩擦力的局部調諧，選擇基板固持器WT上的在其上塗覆石墨烯之區域亦可改良基板W裝載網格。 儘管在本文中可特定參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之上下文中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層塗覆至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢查工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如，為了產生多層IC，以使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有一個或多個經處理層之基板。 本文所使用的術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有或約436 nm、405 nm、365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)。術語「透鏡」在上下文允許時可指包括折射及反射光學組件的各種類型之光學組件中之任一者或其組合。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。 本文所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。控制器可包括用於儲存此類電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以接收此媒體之硬體。因此，該等控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。 以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。 下列條款限定較佳實施例。本申請人保留對此等條款中所闡述之特徵之組合採取保護的權力。本申請案之技術方案係包含於自36頁向前的獨立部分中且以「請求項」開頭。 條款1：一種用於一微影設備中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個瘤節，其自主體表面突出，其中 每一瘤節具有瘤節側表面及遠端表面，其中該遠端表面經組態以與基板接合； 瘤節之遠端表面大致上適形於一支撐平面且經組態以用於支撐基板； 其中 將類金剛石碳層提供於類金剛石碳之複數個分離區域中；且 該類金剛石碳層覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面及瘤節側表面之至少一部分。 條款2：如條款1之基板固持器，其中該類金剛石碳層覆蓋瘤節側表面、遠端表面及直接鄰近於該等瘤節中之至少一者之瘤節側表面之主體表面之一部分。 條款3：如條款1或2之基板固持器，其中類金剛石碳之複數個分離區域中之一或多者中之每一者覆蓋單一瘤節之瘤節側表面之一部分及遠端表面。 條款4：如條款3之基板固持器，其中當垂直於主體表面觀看時，覆蓋單一瘤節之瘤節側表面之一部分及遠端表面的類金剛石碳之分離區域中之每一者具有最大橫向尺寸，該最大橫向尺寸小於瘤節之中心與最近的其他瘤節之中心之間的距離。 條款5：如前述條款中任一項之基板固持器，其中類金剛石碳層覆蓋自主體表面突出之複數個瘤節中之每一者的遠端表面。 條款6：如條款5之基板固持器，其中該類金剛石碳層進一步覆蓋自主體表面突出之複數個瘤節中之每一者的瘤節側表面之至少部分。 條款7：如前述條款中任一項之基板固持器，其中類金剛石碳層具有在0.5 µm至1.5 µm範圍內的厚度。 條款8：如條款1至6中任一項之基板固持器，其中類金剛石碳層具有在30 nm至200 nm範圍內的厚度。 條款9：如前述條款中任一項之基板固持器，其進一步包括自主體表面突出之密封件，該密封件具有一密封端表面， 其中，該類金剛石碳層覆蓋該密封端表面。 條款10：如前述條款中任一項之基板固持器，其中類金剛石碳之複數個分離區域係藉由將類金剛石碳區域自先前經沈積之類金剛石碳層選擇性地移除而形成。 條款11：一種製造一基板固持器之方法，該方法包含： 提供基板固持器板料，其具有具備主體表面之主體以及具有自主體表面突出的複數個瘤節，其中每一瘤節具有瘤節側表面及遠端表面，其中遠端表面經組態以與基板接合且瘤節之遠端表面大致上適形於一支撐平面且經組態以用於支撐基板； 將類金剛石碳層提供於類金剛石碳之複數個分離區域中，將該複數個分離區域定位使得類金剛石碳層覆蓋該等瘤節中之至少一者之遠端表面及瘤節側表面之一部分。 條款12：如條款11之方法，其中該類金剛石碳層之提供包含： 將連續類金剛石碳層提供於主體表面之至少部分及複數個瘤節上；及 將類金剛石碳之區域自該連續類金剛石碳層選擇性地移除以形成類金剛石碳之複數個分離區域。 條款13：如11條款之方法，其中類金剛石碳層之提供包含： 提供類金剛石碳層同時選擇性地阻止類金剛石碳層形成於除類金剛石碳之複數個分離區域以外的區域上，由此形成類金剛石碳之複數個分離區域。 條款14：一種用於將影像投影至基板上之微影裝置，該微影裝置包含： 基板固持器，其經組態以支撐根據條款1至10中任一項之基板。 條款15：如條款14之微影裝置，其進一步包含： 支撐結構，其經組態以支撐圖案化器件； 投影系統，其經配置以將由圖案化器件圖案化之光束投影至基板上；及 夾具系統，其用於將基板夾持至基板固持器。 條款16：一種使用微影裝置製造器件之方法，該微影裝置具有如條款1至10中任一項之基板固持器，及用於將基板夾持至基板固持器的夾具系統，該方法包含： 將基板裝載至基板固持器上； 允許基板之變形減輕； 與該夾具系統接合；及 將圖案曝光至該基板上。 條款17：一種用於微影裝置中且經組態以支撐基板之基板固持器，該基板固持器包含： 主體，其具有主體表面； 複數個瘤節，其自主體表面突出，其中 每一瘤節具有瘤節側表面及遠端表面，其中該遠端表面經組態以與基板接合； 瘤節之遠端表面大致上適形於支撐平面且經組態以用於支撐基板； 其中 將一碳基材料層提供於碳基材料之複數個分離區域中，該碳基材料層提供一表面，該表面具有比碳基材料之複數個分離區域外部的主體表面的一部分更小的摩擦係數；且 該碳基材料層僅覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面的部分或該碳基材料層覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面及瘤節側表面的至少一部分。 條款18：如條款17之基板固持器，其中該碳基材料係類金剛石碳。 條款19：如條款17或18之基板固持器，其中該碳基材料層覆蓋瘤節側表面、遠端表面及直接鄰近於該等瘤節中之至少一者之瘤節側表面的主體表面之一部分。 條款20：如條款17至19中任一項之基板固持器，其中碳基材料之複數個分離區域中之一或多者中之每一者覆蓋單一瘤節的瘤節側表面之一部分及遠端表面。 條款21：如條款20之基板固持器，其中當垂直於主體表面觀看時，覆蓋單一瘤節之瘤節側表面之一部分及遠端表面的碳基材料之分離區域中之每一者具有最大橫向尺寸，該最大橫向尺寸小於瘤節之中心與最近的其他瘤節之中心之間的距離。 條款22：如條款17至21中任一項之基板固持器，其中該碳基材料層覆蓋自主體表面突出之複數個瘤節中之每一者的遠端表面。 條款23：如條款22之基板固持器，其中該碳基材料層進一步覆蓋自主體表面突出之複數個瘤節中之每一者的瘤節側表面之至少部分。 條款24：如條款17至23中任一項之基板固持器，其中該碳基材料層具有在0.5 µm至1.5 µm範圍內的厚度。 條款25：如條款17至23中任一項之基板固持器，其中該碳基材料層具有在30 nm至200 nm範圍內的厚度。 條款26：如條款17至25中任一項之基板固持器，其進一步包含自主體表面突出之密封件，該密封件具有一密封端表面， 其中該碳基材料層覆蓋該密封端表面。 條款27：如條款17至26中任一項之基板固持器，其中碳基材料之該複數個分離區域係藉由將碳基材料的區域自碳基材料之先前經沈積層選擇性地移除而形成。 條款28：一種製造基板固持器之方法，該方法包含： 提供基板固持器板料，其具有具備主體表面之主體以及具有自主體表面突出的複數個瘤節，其中每一瘤節具有瘤節側表面及遠端表面，其中遠端表面經組態以與基板接合且瘤節之遠端表面大致上適形於一支撐平面且經組態以用於支撐基板； 在碳基材料之複數個分離區域中提供碳基材料層，該碳基材料層提供具有比碳基材料之該複數個分離區域外部之主體表面的一部分更小的摩擦係數的表面，及將該複數個分離區域定位使得該碳基材料層僅覆蓋瘤節中的至少一者之遠端表面的部分或該碳基材料層覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面及瘤節側表面之一部分。 條款29：如條款28之方法，其中該碳基材料層之提供包含： 將連續碳基材料層提供於主體表面之至少部分及該複數個瘤節上；及 將碳基材料之區域自連續碳基材料層選擇性地移除以形成碳基材料之複數個分離區域。 條款30：如條款28之方法，其中該碳基材料層之提供包含： 提供碳基材料層同時選擇性地阻止該碳基材料層形成於除碳基材料之複數個分離區域以外之區域上，由此形成碳基材料之複數個分離區域。 條款31：一種用於微影裝置中且經組態以支撐基板之基板固持器，該基板固持器包含： 主體，其具有主體表面； 複數個瘤節，其自主體表面突出，其中 每一瘤節具有瘤節側表面及遠端表面，其中該遠端表面經組態以與基板接合； 瘤節之遠端表面大致上適形於支撐平面且經組態以用於支撐基板； 其中 提供連續碳基材料層，該連續層包含各自具有第一厚度之複數個第一區域及具有第二厚度之至少一個第二區域，該碳基材料提供一表面，該表面具有比主體表面更小的摩擦係數， 複數個第一區域一起僅覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面的部分或覆蓋瘤節中之至少一者之遠端表面及瘤節側表面的至少一部分，及 第一厚度大於第二厚度。 條款32：如條款31之基板固持器，其中該第一厚度係在0.5 µm至1.5 µm範圍內及該第二厚度係在200 nm至300 nm範圍內。 條款33：一種用於將影像投影至基板上之微影裝置，該微影裝置包含： 基板固持器，其經組態以支撐如條款17至27或條款31至32中任一項之基板。 條款34：如條款33之微影裝置，其進一步包含： 支撐結構，其經組態以支撐圖案化器件； 投影系統，其經配置以將由圖案化器件圖案化之光束投影至基板上；及 夾具系統，其用於將基板夾持至基板固持器。 條款35：一種使用微影裝置製造器件之方法，該微影裝置具有如條款17至27或條款31至32中任一項之基板固持器，及用於將基板夾持至基板固持器之夾具系統，該方法包含： 將基板裝載至基板固持器上； 允許基板之變形減輕； 與該夾具系統接合；及 將圖案曝光至該基板上。
11‧‧‧浸潤空間
12‧‧‧液體限制結構
20‧‧‧瘤節
20a‧‧‧遠端表面
20b‧‧‧瘤節側表面
20c‧‧‧部分
21‧‧‧主體
22‧‧‧主體表面
23‧‧‧分離區域/第一區域
25‧‧‧第二區域
60‧‧‧基板支撐裝置
85‧‧‧邊緣密封件
87‧‧‧密封件
89‧‧‧通孔
100‧‧‧最終光學元件
500‧‧‧控制器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
SO‧‧‧輻射源
SP‧‧‧支撐平面
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板固持器
現在將參考隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中： 圖1示意性地描繪微影裝置； 圖2描繪根據一實施例之基板固持器的平面圖； 圖3描繪根據一實施例之基板固持器之瘤節的橫截面圖； 圖4描繪製造根據一實施例之基板固持器之方法； 圖5從上至下描繪展示在使用類金剛石碳塗佈之前基板固持器上方之位置之平坦度變化的實驗性資料之三個不同標繪圖：(頂部)全域夾持形狀之偏差；(中間)基板固持器平坦度之疊對非可校正組件；(底部)基板固持器平坦度之聚焦非可校正組件； 圖6從上至下描繪展示在使用單一連續類金剛石碳層塗佈之後，基板固持器上方位置之平坦度變化的實驗性資料之三個不同標繪圖：(頂部)全域夾持形狀之偏差；(中部)基板固持器平坦度之疊對非可校正組件；(底部)基板固持器平坦度之聚焦非可校正組件； 圖7從上至下描繪展示在基板固持器已具備類金剛石塗層之複數個分離區域之後基板固持器上方位置之平坦度變化的實驗性資料之三個不同標繪圖：(頂部)全域夾持形狀之偏差；(中部)基板固持器平坦度之疊對非可校正組件；(底部)基板固持器平坦度之聚焦非可校正組件；及 圖8描繪根據一替代實施例之基板固持器之瘤節之橫截面圖。
20‧‧‧瘤節
20a‧‧‧遠端表面
20b‧‧‧瘤節側表面
20c‧‧‧部分
23‧‧‧分離區域/第一區域
SP‧‧‧支撐平面
WT‧‧‧基板固持器

Claims (15)

  1. 一種用於一微影裝置中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個瘤節，其自該主體表面突出，其中 每一瘤節具有一瘤節側表面及一遠端表面，其中該遠端表面經組態以與該基板接合； 該等瘤節之該等遠端表面大致上適形於一支撐平面且經組態以用於支撐該基板； 其中 將一碳基材料層提供於碳基材料之複數個分離區域中，該碳基材料層提供一表面，該表面具有比碳基材料之該複數個分離區域外部的該主體表面的一部分更小的一摩擦係數；且 該碳基材料層僅覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面的部分，或該碳基材料層覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面及該瘤節側表面的至少一部分。
  2. 如請求項1之基板固持器，其中該碳基材料係類金剛石碳。
  3. 如請求項1或2之基板固持器，其中該碳基材料層覆蓋該等瘤節中之至少一者之該瘤節側表面、該遠端表面及直接地鄰近於該瘤節側表面的該主體表面之一部分。
  4. 如請求項1或2之基板固持器，其中碳基材料之該複數個分離區域中之一或多者中之每一者覆蓋一單一瘤節之該瘤節側表面之一部分及該遠端表面。
  5. 如請求項4之基板固持器，其中當垂直於該主體表面觀看時，覆蓋一單一瘤節之該瘤節側表面之一部分及該遠端表面的碳基材料之該等分離區域中之每一者具有一最大橫向尺寸，該最大橫向尺寸小於該瘤節之中心與一最近的其他瘤節之中心之間的距離。
  6. 如請求項1或2之基板固持器，其中該碳基材料層覆蓋自該主體表面突出之該複數個瘤節中之每一者的該遠端表面。
  7. 如請求項6之基板固持器，其中該碳基材料層進一步覆蓋自該主體表面突出之該複數個瘤節中之每一者的該瘤節側表面之至少部分。
  8. 如請求項1或2之基板固持器，其中該碳基材料層具有在0.5 µm至1.5 µm範圍內之一厚度。
  9. 如請求項1或2之基板固持器，其中該碳基材料層具有在30 nm至200 nm範圍內之一厚度。
  10. 如請求項1或2之基板固持器，其進一步包含自該主體表面突出的一密封件，該密封件具有一密封端表面， 其中該碳基材料層覆蓋該密封端表面。
  11. 一種製造一基板固持器之方法，該方法包含： 提供一基板固持器板料，其具有具備一主體表面之一主體，及具有自該主體表面突出之複數個瘤節，其中每一瘤節具有一瘤節側表面及一遠端表面，其中該遠端表面經組態以與一基板接合且該等瘤節之該等遠端表面大致上適形於一支撐平面並且經組態以用於支撐一基板； 在碳基材料之複數個分離區域中提供一碳基材料層，該碳基材料層提供具有比碳基材料之該複數個分離區域外部之該主體表面之一部分更小的一摩擦係數之一表面，且將該複數個分離區域定位使得該碳基材料層僅覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面的部分，或該碳基材料層覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面及該瘤節側表面之一部分。
  12. 如請求項11之方法，其中該碳基材料層之該提供包含： 將一連續碳基材料層提供於該主體表面之至少部分及該複數個瘤節上；及 將碳基材料之區域自該連續碳基材料層選擇性地移除以形成碳基材料之該複數個分離區域。
  13. 如請求項11之方法，其中該碳基材料層之該提供包含： 提供一碳基材料層同時選擇性地阻止該碳基材料層形成於除碳基材料之該複數個分離區域以外之區域上，由此形成碳基材料之該複數個分離區域。
  14. 一種用於一微影裝置中且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個瘤節，其自該主體表面突出，其中 每一瘤節具有一瘤節側表面及一遠端表面，其中該遠端表面經組態以與該基板接合； 該等瘤節之該等遠端表面大致上適形於一支撐平面且經組態以用於支撐該基板； 其中 提供一連續碳基材料層，該連續層包含各自具有一第一厚度之複數個第一區域及具有一第二厚度之至少一個第二區域，該碳基材料提供一表面，該表面具有比該主體表面更小的一摩擦係數， 該複數個第一區域一起僅覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面的部分或覆蓋該等瘤節中之至少一者之該遠端表面及該瘤節側表面的至少一部分，及 該第一厚度大於該第二厚度。
  15. 如請求項14之基板固持器，其中該第一厚度係在0.5 µm至1.5 µm範圍內，且該第二厚度係在200 nm至300 nm範圍內。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI759020B (zh) * 2019-12-31 2022-03-21 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 用於製造雙面靜電夾的系統和方法
TWI857264B (zh) * 2019-01-23 2024-10-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於微影設備中的基板固持器及器件製造方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3707559B1 (en) 2017-11-08 2023-04-19 ASML Netherlands B.V. A substrate holder and a method of manufacturing a device
EP3534211A1 (en) * 2018-03-02 2019-09-04 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for forming a patterned layer of material
WO2019166318A1 (en) * 2018-03-02 2019-09-06 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for forming a patterned layer of material
CN109148253B (zh) * 2018-08-21 2020-01-03 中国科学技术大学 制备阻性气体电子倍增器薄膜的方法和阻性气体电子倍增器薄膜
JP7335336B2 (ja) * 2018-12-28 2023-08-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用基板ホルダ及び基板ホルダの製造方法
WO2020216571A1 (en) * 2019-04-25 2020-10-29 Asml Netherlands B.V. A substrate holder for use in a lithographic apparatus
CN113785244B (zh) 2019-05-07 2024-09-03 Asml控股股份有限公司 光刻设备、衬底台和不均匀涂层方法
WO2020239373A1 (en) * 2019-05-24 2020-12-03 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, substrate table, and method
CN110491816B (zh) * 2019-08-30 2022-01-21 京东方科技集团股份有限公司 基板承载装置和涂胶显影设备
TW202408972A (zh) 2019-10-02 2024-03-01 日商佳能股份有限公司 晶圓夾頭、晶圓夾頭的製造方法、及曝光裝置
JP7536547B2 (ja) * 2019-10-02 2024-08-20 キヤノン株式会社 ウエハチャック、その製造方法、及び露光装置
WO2021083617A1 (en) * 2019-10-29 2021-05-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and electrostatic clamp designs
WO2021104791A1 (en) * 2019-11-29 2021-06-03 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with improved stability
JP7477652B2 (ja) * 2020-06-08 2024-05-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用基板ホルダ及び基板ホルダの製造方法
DE102020123660A1 (de) 2020-09-10 2022-03-10 Berliner Glas GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für eine Wafer-Lithographie
TWI853197B (zh) * 2020-11-27 2024-08-21 日商佳能股份有限公司 基板保持板和曝光裝置
US12009246B2 (en) 2021-03-26 2024-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate holder and methods of use
EP4068000A1 (en) * 2021-03-30 2022-10-05 ASML Netherlands B.V. Conditioning apparatus and method
WO2022214392A1 (en) * 2021-04-08 2022-10-13 Asml Holding N.V. Metrology systems, measurement of wear systems and methods thereof
US12221695B2 (en) 2021-05-18 2025-02-11 Mellanox Technologies, Ltd. CVD system with flange assembly for facilitating uniform and laminar flow
US12163228B2 (en) 2021-05-18 2024-12-10 Mellanox Technologies, Ltd. CVD system with substrate carrier and associated mechanisms for moving substrate therethrough
US12289839B2 (en) * 2021-05-18 2025-04-29 Mellanox Technologies, Ltd. Process for localized repair of graphene-coated lamination stacks and printed circuit boards
KR20230060460A (ko) 2021-10-27 2023-05-04 캐논 가부시끼가이샤 기판 보유반, 디바이스의 제조 방법, 및 노광 장치
JP7528314B2 (ja) * 2022-06-23 2024-08-05 キヤノン株式会社 基板保持盤、基板保持盤の製造方法、露光方法および露光装置
CN115440650B (zh) * 2022-09-20 2025-08-01 中国科学院光电技术研究所 柱销式衬底保持器及其制备方法
KR20250114311A (ko) * 2022-10-27 2025-07-29 아칸 세미컨덕터, 인크. 도구를 위한 다이아몬드 구조물들
CN116169088B (zh) * 2023-02-08 2023-08-18 北京智创芯源科技有限公司 一种剥离夹具、剥离机及剥离夹具的使用方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6595506B1 (en) 2000-11-17 2003-07-22 Epion Corporation Apparatus and method for reduced particulate generation during workpiece handling
JP4461102B2 (ja) 2006-01-11 2010-05-12 太平洋セメント株式会社 ピンチャック用部材
EP1840657A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-03 Carl Zeiss SMT AG Support structure for temporarily supporting a substrate
US8036481B2 (en) * 2006-07-14 2011-10-11 Eastman Kodak Company Image processing apparatus and image restoration method and program
US20080138504A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Coorstek, Inc. Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment
KR101534357B1 (ko) 2009-03-31 2015-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 지지 장치 및 기판 지지 방법
US20120315113A1 (en) 2010-02-05 2012-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate holder, substrate transfer apparatus, and substrate processing apparatus
CN103222043B (zh) 2010-09-08 2016-10-12 恩特格林斯公司 一种高传导静电夹盘
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
KR101063409B1 (ko) 2010-12-23 2011-09-07 한국기계연구원 나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
JP6140966B2 (ja) * 2011-10-14 2017-06-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
NL2009487A (en) 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
TWI458678B (zh) 2011-12-30 2014-11-01 Ind Tech Res Inst 石墨烯層的形成方法
WO2013113568A2 (en) 2012-02-03 2013-08-08 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder
JP6001675B2 (ja) * 2012-11-28 2016-10-05 京セラ株式会社 載置用部材およびその製造方法
HK1220546A1 (zh) 2013-05-23 2017-05-05 Nikon Corporation 基板保持方法和基板保持装置以及曝光方法和曝光装置
KR102411747B1 (ko) * 2013-10-30 2022-06-22 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2015076369A1 (ja) 2013-11-22 2015-05-28 京セラ株式会社 静電チャック
EP3317726B1 (en) 2015-07-02 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI857264B (zh) * 2019-01-23 2024-10-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於微影設備中的基板固持器及器件製造方法
US12243768B2 (en) 2019-01-23 2025-03-04 Asml Netherlands B.V. Substrate holder for use in a lithographic apparatus and a device manufacturing method
TWI759020B (zh) * 2019-12-31 2022-03-21 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 用於製造雙面靜電夾的系統和方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10719019B2 (en) 2020-07-21
NL2019191A (en) 2018-01-11
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