TW201800538A - 接著劑組成物、層合體及層合體之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係提供一種藉由扇出型(Fan-Out)型技術，而可使用於形成密封體的層合體所使用的接著劑組成物，其係可形成具備高耐藥性且於高溫中可維持高黏彈性的接著層之接著劑組成物。

接著劑組成物係於將具備實裝有元件的配線層、元件與密封元件之密封材的密封體介由接著層層合於支撐密封體的支撐體上而得的層合體中，用以形成接著層的接著劑組成物，其中，接著劑組成物係含有嵌段共聚物聚合性單體與聚合起始劑。

Description

接著劑組成物、層合體及層合體之製造方法

本發明為有關一種接著劑組成物、層合體，及，層合體之製造方法。

含有半導體元件(電子零件)之半導體裝置(半導體PACKAGE)，已知有WLP(Wafer Level Package)等。WLP及PLP等之半導體裝置中，經由裸晶(Bare chip)端部的端子於晶片區域(Chip Area)內之再配置的扇入型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等之扇入型技術，與端子於晶片區域外之再配置的扇出(Fan-Out)型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等之扇出型技術等。特別是扇出型技術為，應用於面板上配置有半導體元件的裝置化之扇出型PLP(Fan-out Panel Level Package)，而可實現半導體裝置之集積化、薄型化及小型化等，而使該等扇出型(Fan-Out)型技術受到極大之注目。

專利文獻1中，為記載一種含有含丙烯酸系共聚物所形成之聚合物粒子的水系乳液，與有機系微粒 子，與可使上述丙烯酸系共聚物硬化的硬化劑，與四級銨化合物的光擴散性黏著劑組成物。

專利文獻2中，為記載一種含有苯乙烯-烯烴系嵌段共聚物，與(甲基)丙烯酸酯，與溶劑為必要成份的硬化性組成物。

專利文獻3中，為記載一種於支撐體上具有由含有連鎖性聚合性單體，逐次反應進行交聯之交聯劑，與可與該交聯劑反應之具有被交聯性基的被交聯性聚合物的樹脂組成物，經由連鎖性聚合及逐次的交聯反應而交聯的交聯浮雕形成層，且上述交聯浮雕形成層之25℃下的周波數100Hz的儲存彈性率E’(MPa)為滿足1≦E’≦30之關係，且，25℃下之拉伸斷裂時的最大伸長率L(%)為滿足30≦L≦300之關係的雷射彫刻型凸版(Flexo)印刷版原版。

專利文獻4中，為記載一種含有被研削基材，與，與上述被研削基材相接的接合層，與含有光吸收劑及熱分解性樹脂的光熱變換層，與光透過性支撐體，其中，上述光熱變換層為，與上述接合層為相反側的上述被研削基材之表面被研削後，經照射輻射能量後產生分解，而使研削後的基材與上述光透過性支撐體產生分離之層合體。

專利文獻5為記載一種含有，具有環烯烴結構之聚合物，與該聚合物相溶的(甲基)丙烯酸酯單體為特徵之接著劑組成物。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2010-053347號公報(2010年3月11日公開)

[專利文獻2]特開2010-077384號公報(2010年4月8日公開)

[專利文獻3]特開2011-206931號公報(2011年10月20日公開)

[專利文獻4]特開2004-64040號公報(2004年2月26日公開)

[專利文獻5]特開2014-105316號公報(2014年6月9日公開)

但，專利文獻1~5中，對於扇出型技術中，於製造密封體時所尋求的可形成具有高耐藥性、於高溫下加熱時，可維持高黏彈性的接著層之接著劑組成物，則未有任何揭示。

本發明者們，於扇出型技術中，發現使用含有嵌段共聚物與聚合性單體的硬化型接著劑組成物時，可形成具備高耐藥性、高溫下加熱時亦可維持高黏彈性的接 著層，且該接著層適合形成密封體等，因而完成本發明。

本發明為鑑於上述問題點所提出者，目的為提供一種可使用於扇出型技術中形成密封體的層合體所使用的接著劑組成物，其為可形成一種具備高耐藥性、於高溫下可維持高黏彈性的接著層之接著劑組成物，及其關連技術。

為解決上述之問題，本發明之接著劑組成物為，一種將具備有實裝於元件的配線層，與上述元件，與上述密封元件之密封材的密封體，藉由上述接著層層合於支撐密封體的支撐體上而得的層合體中，形成上述接著層的接著劑組成物，上述接著劑組成物為含有嵌段共聚物，與聚合性單體，與聚合起始劑為特徵。

又，本發明之層合體為一種將具備有實裝於元件的配線層，與上述元件，與上述密封元件之密封材的密封體，藉由上述接著層層合於支撐密封體的支撐體上而得的層合體，且上述接著層為含有嵌段共聚物，與聚合性單體之聚合物，與聚合起始劑為特徵。

本發明為提供一種經由扇出型技術而形成密封體時的層合體所使用之接著劑組成物，其可為可形成一種具備高耐藥性、於高溫下可維持高黏彈性的接著層之接 著劑組成物，及其關連技術，與可達成之效果。

1‧‧‧支撐體

3‧‧‧接著層

4‧‧‧配線層

5‧‧‧元件

6‧‧‧密封材

7、7’‧‧‧密封體

8、8’、9、9’‧‧‧層合體

[圖1]本發明之實施形態1的層合體之製造方法的說明圖。

[圖2]本發明之實施形態2的層合體之製造方法的說明圖。

[圖3]本發明之實施形態3的層合體之製造方法的說明圖。

[圖4]本發明之實施形態4的層合體之製造方法的說明圖。

[實施發明之形態] <接著劑組成物>

本發明之接著劑組成物為，一種將具備有實裝於元件的配線層，與上述元件，與上述密封元件之密封材的密封體，藉由上述接著層層合於支撐密封體的支撐體上而得的層合體之上述形成接著層的接著劑組成物。換言之，為一種將具備有實裝於元件的配線層，與上述元件，與上述密封元件之密封材的密封體，為於支撐體上形成接著層而於形成於該支撐體上的接著劑組成物。

接著劑組成物為一種形成接著層所使用的樹脂組成物，其為含有嵌段共聚物與聚合性單體，使該聚合性單體聚合之聚合起始劑，與調整該樹脂組成物的塗佈作業性所使用的稀釋溶劑。又，接著劑組成物為一種形成接著層所使用的樹脂組成物，其以使用嵌段共聚物與聚合性單體所形成之樹脂組成物者為更佳。

接著劑組成物，經由放置於加熱或減壓環境等之方式而去除稀釋溶劑，經由嵌段共聚物中之聚合起始劑使聚合性單體進行聚合而形成接著層。接著層，於含有嵌段共聚物時，可具備高耐藥性，經聚合性單體進行聚合結果，於加熱至高溫時亦可維持高黏彈性，即可維持高動態複數彈性率。因此，可形成一種適合使用於以各式各樣的光阻溶劑形成配線層時，及，於高溫中使用密封材而製得密封元件的扇出型技術中之接著層。

〔嵌段共聚物〕

嵌段共聚物為，具有由2種以上的由單體單位連續鍵結而得之嵌段部位所鍵結之聚合物、典型而言，為具有聚合物嵌段的熱可塑性彈性體。含有嵌段共聚物時，可形成具備有高洗淨性，及高耐藥性的接著層。

嵌段共聚物，以二嵌段共聚物或三嵌段共聚物為佳，以三嵌段共聚物為較佳。又，亦可將二嵌段共聚物與三嵌段共聚物組合使用。

又，嵌段共聚物，可使用改性劑使該嵌段共 聚物之末端經由官能基而改性。其中，官能基例如，胺基、酸酐基(較佳為馬來酸酐基)、醯亞胺基、胺基甲酸根基、環氧基、亞胺基、羥基、羧基、矽醇基，及烷氧基矽烷基(該烷氧基以碳數1~6為佳)等。如此，經由改性劑而改性之嵌段共聚物為彈性體且具有極性之官能基。因此，可提高接著層之柔軟性及接著性。

又，嵌段共聚物，以含有苯乙烯嵌段者為佳，又以主鏈之兩末端為苯乙烯嵌段的三嵌段共聚物為較佳。於使用兩末端配置苯乙烯嵌段的三嵌段共聚物時，可提高接著層的熱安定性。

含有苯乙烯嵌段之嵌段共聚物，例如，苯乙烯-烯烴系嵌段共聚物等。

苯乙烯-烯烴系嵌段共聚物，例如，聚苯乙烯-聚(伸乙基/伸丙基)嵌段共聚物(SEP)、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-伸丁基-苯乙烯嵌段共聚物(SBBS)，及，該些之氫化物、苯乙烯-伸乙基-伸丁基-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-伸乙基-伸丙基-苯乙烯嵌段共聚物(苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物)(SEPS)、苯乙烯-伸乙基-伸乙基-伸丙基-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)、苯乙烯嵌段為反應交聯型的苯乙烯-伸乙基-伸乙基-伸丙基-苯乙烯嵌段共聚物(SeptonV9461(KURARE股份有限公司製)、SeptonV9475(KURARE股份有限公司製))、苯乙烯嵌段為反應交聯型的苯乙烯 -伸乙基-伸丁基-苯乙烯嵌段共聚物(具有反應性的聚苯乙烯系硬嵌段、SeptonV9827(KURARE股份有限公司製))，及，聚苯乙烯-聚(伸乙基-伸乙基/伸丙基)嵌段-聚苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS-OH：末端羥基改性)等。

又，嵌段共聚物以氫化物為佳，更具體而言，可列舉如，以苯乙烯嵌段及共軛二烯嵌段的嵌段共聚物之氫化物為較佳。於使用嵌段共聚物之氫化物時，可提高對熱之安定性，而不易引起分解或聚合等之變質。此外，亦對烴系溶劑具有高度之相溶性，對光阻溶劑具有低相溶性，即對於光阻溶劑具有高度之耐性。

作為嵌段共聚物使用的市售品，例如，KURARE股份有限公司製「SEPTON(商品名)」、KURARE股份有限公司製「HYBRER(商品名)」、旭化成股份有限公司製「TUFTEC(商品名)」及JSR股份有限公司製「DYNARON(商品名)」等。

嵌段共聚物之苯乙烯嵌段之含量，以10重量%以上，65重量%以下為佳，以13重量%以上，45重量%以下為較佳。嵌段共聚物中，苯乙烯嵌段之含量越多時，於高加熱溫度時，顯示出維持高動態複數彈性率之傾向。又，苯乙烯嵌段之含量越少時，顯示出對烴系溶劑具有高相溶性之傾向。

又，嵌段共聚物之重量平均分子量，以50,000以上、150,000以下為佳，以60,000以上、 120,000以下為較佳。嵌段共聚物中，重量平均分子量越大時、於高加熱溫度時，顯示出維持高動態複數彈性率之傾向。又，重量平均分子量越小時，，顯示出例如對烴系溶劑具有高相溶性之傾向。

又，嵌段共聚物中，苯乙烯嵌段之含量，以調整為10重量%以上、65重量%以下，且，重量平均分子量為50,000以上、150,000以下時為最佳。接著劑組成物中，可使用苯乙烯嵌段之含量為上述之範圍內，重量平均分子量為上述之範圍內的1個嵌段共聚物亦可，將複數種類的嵌段共聚物混合後，再將苯乙烯嵌段之含量調整至上述範圍內的同時，重量平均分子量亦調整至上述之範圍內者亦可。

例如，可將苯乙烯單位之含量為30重量%之KURARE股份有限公司製之SEPTON(商品名)之Septon4033，與苯乙烯單位之含量為13重量%之SEPTON(商品名)之Septon2063，以重量比1比1進行混合時，可使苯乙烯含量相對於接著劑所含的嵌段共聚物全體為21~22重量%，因而為10重量%以上。又，例如，將苯乙烯單位為10重量%者，與60重量%者，以重量比1比1方式混合而形成35重量%，而達成上述之範圍內。本發明可為該些形態皆可。又，接著劑組成物所含的複數種類的彈性體，以苯乙烯嵌段之含量全部為上述之範圍內，且，為上述之範圍內的重量平均分子量者為最佳。

嵌段共聚物中，苯乙烯嵌段之含量調整至上 述範圍內的同時，亦將重量平均分子量調整至上述之範圍內時，可使接著層受到烴系溶劑而膨潤，使部份產生溶解而容易去除。又，對於光阻微影蝕刻所使用的光阻溶劑(例如，丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMA)等)、酸(氟化氫酸等)及鹼氫氧化四甲基銨(TMAH)等亦具有高度的耐性。又，苯乙烯嵌段之含量調整至上述範圍內的同時，亦將重量平均分子量調整至上述之範圍內時，可提高作為基底的樹脂之嵌段共聚物本身的耐熱性及高溫下的黏彈性，而可降低後述聚合性單體之添加量。

接著劑組成物所含的嵌段共聚物之量，例如，以嵌段共聚物與聚合性單體之合計量為100重量%時，以50重量%以上、99重量%以下之範圍內為佳，以60重量%以上、95重量%以下之範圍內為較佳，以80重量%以上、95重量%以下之範圍內為最佳。接著劑組成物所含的嵌段共聚物之量，於維持50重量%以上、99重量%以下之範圍內時，於接著層中，對於由嵌段共聚所產生之烴系溶劑可維持高度相溶性，而容易經由洗淨接著層之方式而去除。

〔聚合性單體〕

接著劑組成物中，為含有聚合性單體。聚合性單體，以經由自由基聚合而形成高分子化的單體為佳，典型而言，可列舉如，多官能(甲基)丙烯酸酯等。

多官能(甲基)丙烯酸酯，可為2官能以上 之(甲基)丙烯酸酯，或3官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯皆可。使用2官能或3官能以上的(甲基)丙烯酸酯時，於接著層的嵌段共聚物中，可經由(甲基)丙烯酸酯的聚合物而適當地形成三次元網目結構，而可提高接著層的耐藥性，與加熱至高溫時該接著層的黏彈性，即，可提高動態複數彈性率。

2官能之(甲基)丙烯酸酯，可列舉如，主鏈之重量平均分子量為200以上、1000以下的聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇主鏈之重量平均分子量為50以上、700以下的聚丙二醇二丙烯酸酯、氧乙烯基結構單位的聚合度為1以上、23以下的聚乙二醇二甲基丙烯酸酯等之聚醚二(甲基)丙烯酸酯等，氧乙烯基結構單位的聚合度為3以上、30以下的乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、氧乙烯基結構單位的聚合度為2.3以上、30以下之乙氧基化雙酚A二甲基丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯等之雙酚型二(甲基)丙烯酸酯等。又，乙氧基化聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、2-羥基-3-丙烯醯氧丙甲基丙烯酸酯、2,2雙〔4-(甲基丙烯酸基氧乙氧基)苯基〕丙烷、9,9-雙〔4-(2-丙烯醯基氧乙氧基)苯基〕茀、丙三醇二甲基丙烯酸酯、聚伸四甲基二醇二丙烯酸酯等之具有醚骨架的二(甲基)丙烯酸酯等，三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲 基)丙烯酸酯等之碳骨架，或具有環狀烴骨架的二(甲基)丙烯酸酯等。

又，就與嵌段共聚物之相溶性的觀點，於上述多官能(甲基)丙烯酸酯中，以具備烴骨架之酯為佳，以具備環狀烴骨架之酯為較佳。

作為2官能之(甲基)丙烯酸酯使用的市售品，例如，新中村化學股份有限公司製「701A(商品名)」、「A-200(商品名)」、「A-400(商品名)」、「A-600(商品名)」、「A-1000(商品名)」、「A-B1206PE(商品名)」、「ABE-300(商品名)」、「A-BPE-10(商品名)」、「A-BPE-20(商品名)」、「A-BPE-30(商品名)」、「A-BPE-4(商品名)」、「A-BPEF(商品名)」、「A-BPP-3(商品名)」、「A-DCP(商品名)」、「A-DOD-N(商品名)」、「A-HD-N(商品名)」、「A-NOD-N(商品名)」、「APG-100(商品名)」、「APG-200(商品名)」、「APG-400(商品名)」、「APG-700(商品名)」、「A-PTMG-65(商品名)」、「1G(商品名)」、「2G(商品名)」、「3G(商品名)」、「4G(商品名)」、「9G(商品名)」、「14G(商品名)」、「23G(商品名)」、「BPE-80N(商品名)」、「BPE-100(商品名)」、「BPE-200(商品名)」、「BPE-500(商品名)」、「BPE-900(商品名)」、「BPE-1300N(商品名)」、「DCP(商品名)」、「DOD-N(商品名)」、 「HD-N(商品名)」、「NOD-N(商品名)」、「NPG-N(商品名)」、「1206PE(商品名)」、「701(商品名)」及「9PG(商品名)」等。

作為多官能之(甲基)丙烯酸酯使用的市售品，例如，新中村化學股份有限公司製「A-9300(商品名)」、「A-9300-1CL(商品名)」、「A-GLY-9E(商品名)」、「A-GLY-20E(商品名)」、「A-TMM-3(商品名)」、「A-TMM-3-L(商品名)」、「A-TMM-3LM-N(商品名)」、「A-TMPT(商品名)」、「AD-TMP(商品名)」、「ATM-35E(商品名)」、「A-TMMT(商品名)」、「A-9550(商品名)」、「A-DPH(商品名)」及「TMPT(商品名)」等。

接著劑組成物所含的聚合性單體之量，例如，以嵌段共聚物與聚合性單體之合計量為100重量%時，以1重量%以上、50重量%以下之範圍內為佳，以1重量%以上，低於20重量%之範圍內為較佳。聚合性單體之量越多時，可提高接著層加熱至高溫時的動態複數彈性率。又，可提高接著層的耐藥性，特別是不僅對PGMA，對於環己酮、環戊酮，及N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)等之光阻溶劑亦可提高耐性。又，聚合性單體之量越少時，接著層於使用由嵌段共聚物所產生之烴系溶劑時，可保持高度的洗淨性。因此，接著劑組成物，經由調整嵌段共聚物中之苯乙烯嵌段之含量及重量平均分子量時，可提高嵌段共聚物本體的動態複數彈性率，故經由添 加較少量的聚合性單體時，以其可提高動態複數彈性率而為較佳。特別是，嵌段共聚物與聚合性單體之合計量為100重量%時，添加1重量%以上、低於20重量%之範圍內的聚合性單體時，可維持高黏彈性，及，容易經由溶劑而被去除，因此，可於一次取得二者之取捨關係，而同時解決二者之問題。

又，多官能(甲基)丙烯酸酯中，於加熱至高溫而不致降低黏彈性的程度時，可併用單官能(甲基)丙烯酸酯，及，例如，胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯苯，及，乙酸乙烯酯等聚合性單體。

(接著層之複數彈性率)

接著劑組成物所形成的接著層，經由嵌段共聚物，及聚合性單體之聚合物，可提高加熱至高溫時的複數彈性率。因此，於接著層上，於形成密封體時，可防止於高溫(100℃以上、400℃以下)、高壓(10kgf以上)之環境下的接著層之變形。其中，由接著劑組成物所形成的接著層之複數彈性率(E ＊)，依所適應之溫度條件而有所不同，例如，以1000Pa以上為佳，以10000Pa以上為較佳。適合形成密封體時之溫度中，接著層的動態複數彈性率(E ＊)只要為10000Pa以上時，於該高溫製程中，即可更適當地防止施加壓力時的接著層之變形。又，動態複數彈性率(E ＊)，為將接著劑組成物旋轉塗佈於6英吋 Si晶圓，而形成特定厚度之膜(接著層)。並將該膜剝離，切斷為特定大小的樣品即可。隨後，將該樣品於周波數1Hz的條件，以5℃/分鐘的昇溫速度升溫至形成密封體時的特定之溫度以上的溫度中，測定其動態複數彈性率(E ＊)即可。例如，形成密封體時特定溫度為100~200℃左右時，例如，可於溫度由50℃升溫至250℃的過程中，測定動態複數彈性率(E ＊)即可。

(稀釋溶劑)

接著劑組成物所含的稀釋溶劑，只要可溶解嵌段共聚物，及聚合性單體之溶劑即可，例如，可使用非極性之烴系溶劑、極性及無極性的石油系溶劑等。

較佳的稀釋溶劑為含縮合多環式烴者。溶劑含有縮合多環式烴時，可避免接著劑組成物以液狀形態(特別是低溫下)保存時所產生之白濁化現象，而可提高製品的安定性。

烴系溶劑，可列舉如，直鏈狀、分支狀或環狀之烴等。例如，己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等之直鏈狀之烴、碳數3至15的分支狀之烴；p-甲烷、o-甲烷、m-甲烷、二苯基甲烷、1,4-松節油、1,8-松節油、莰烷、降莰烷、蒎烷、側柏烷(thujane)、長松針烷(carane)、長葉烯(longifolene)等之飽和脂肪族烴、α-松油醇(terpinan)、β-松油醇、γ-松油醇、α-蒎烯、β-蒎 烯、α-側柏油(thujone)、β-側柏油等。

又，石油系溶劑，例如，環己烷、環庚烷、環辛烷、萘、十氫萘、四氫萘等。

又，縮合多環式烴，以使用2個以上的單環以各自的環之邊相互僅共有1個而得之縮合環之烴、2個單環經縮合而形成之烴等為佳。

該些烴，可列舉如，5員環及6員環之組合，或2個的6員環之組合等。5員環及6員環組合而得之烴，例如，茚、戊搭烯(pentalene)、茚烷、四氫茚等，2個的6員環組合而得之烴，例如，萘、四氫萘(四氫萘)及十氫萘(naphthane)等。

又，稀釋溶劑含有上述縮合多環式烴時，溶劑所含的成份可僅由上述縮合多環式烴亦可，又例如，可含有飽和脂肪族烴等其他成份。該情形中，縮合多環式烴之含量，於以烴系溶劑之全量為100重量份時，以40重量份以上為佳，以60重量份以上為較佳。縮合多環式烴的上述含量為40重量份以上時，對上述樹脂可發揮出高度溶解性。烴系溶劑含有縮合多環式烴與飽和脂肪族烴時，可緩和縮合多環式烴的臭氣。

又，本發明之接著劑組成物中，溶劑之含量，可配合使用該接著劑組成物進行成膜時的接著層之厚度作適當之調整即可，例如，以接著劑組成物之全量為100重量份時，以20重量份以上、90重量份以下之範圍為佳。稀釋溶劑之含量為上述範圍內時，則容易進行黏度 調整。

〔聚合起始劑〕

聚合起始劑，只要可使上述聚合性單體進行聚合者即可，並未有特別之限定，又以熱聚合起始劑或光聚合起始劑等為佳，以熱聚合起始劑為較佳。

(熱聚合起始劑)

熱聚合起始劑，例如，過氧化物及偶氮系聚合起始劑等。該些熱聚合起始劑，可經由加熱所產生之自由基使聚合性單體進行聚合。

過氧化物，例如，酮過氧化物、過氧化縮酮、氫過氧化物、二烷基過氧化物、過氧化酯、過氧化碳酸酯及過氧化縮酮等。具體而言，可列舉如，過氧化乙醯、過氧化二異丙苯、過氧化tert-丁酯、過氧化tert-丁基異丙苯、過氧化丙醯酯、過氧化苯甲醯酯(BPO)、過氧化2-氯苯甲醯酯、過氧化3-氯苯甲醯酯、過氧化4-氯苯甲醯酯、過氧化2,4-二氯苯甲醯酯、過氧化4-溴甲基苯甲醯酯、過氧化月桂醯酯、過硫酸鉀、過氧化碳酸二異丙酯、四氫萘氫過氧化物、1-苯基-2-甲基丙基-1-氫過氧化物、過三苯基乙酸-tert-丁酯、tert-丁基氫過氧化物、過甲酸tert-丁基、過乙酸tert-丁基、過安息香酸tert-丁酯、過苯基乙酸tert-丁酯、過4-甲氧基乙酸tert-丁酯及過N-(3-甲基苯甲醯)胺基甲酸tert-丁酯、二異丙苯基-過氧 化物、tert-丁基-過氧化-2-乙基己基-單碳酸酯、二(4-tert-丁基環己基)過氧化二碳酸酯、2,5-二甲基-2,5-二(tert-丁基過氧)己烷及1,1-二(tert-丁基過氧)環己烷等。

市售之過氧化物，例如，日本油脂股份有限公司製之商品名「過異丙苯酯(登記商標)」、商品名「過丁氧酯(登記商標)」、商品名「過辛酯(登記商標)」、「過油氧酯(登記商標)」及「過己氧酯(登記商標)」等。

偶氮系聚合起始劑，例如，2,2’-偶氮雙丙烷、2,2’-二氯-2,2’-偶氮雙丙烷、1,1’-偶氮(甲基乙基)二乙酸酯、2,2’-偶氮雙(2-胺二酮丙烷(amidinopropane))鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙(2-胺基丙烷)硝酸鹽、2,2’-偶氮雙異丁烷、2,2’-偶氮雙異丁基醯胺、2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙-2-甲基丙酸甲酯、2,2’-二氯-2,2’-偶氮雙丁烷、2,2’-偶氮雙-2-甲基丁腈、2,2’-偶氮雙異丁酸二甲基、1,1’-偶氮雙(1-甲基丁腈-3-磺酸鈉)、2-(4-甲基苯基偶氮)-2-甲基丙二腈4,4’-偶氮雙-4-氰基戊酸、3,5-二羥甲基苯基偶氮-2-烯丙基丙二腈、2,2’-偶氮雙-2-甲基戊腈、4,4’-偶氮雙-4-氰基戊酸二甲基、2,2’-偶氮雙-2,4-二甲基戊腈、1,1’-偶氮雙環己烷腈、2,2’-偶氮雙-2-丙基丁腈、1,1’-偶氮雙環己烷腈、2,2’-偶氮雙-2-丙基丁腈、1,1’-偶氮雙-1-氯苯基乙烷、1,1’-偶氮雙-1-環己烷甲腈、1,1’-偶氮雙-1-環庚烷腈、 1,1’-偶氮雙-1-苯基乙烷、1,1’-偶氮雙異丙苯、4-硝基苯基偶氮苄基氰基乙酸乙酯、苯基偶氮二苯基甲烷、苯基偶氮三苯基甲烷、4-硝基苯基偶氮三苯基甲烷、1,1’-偶氮雙-1,2-二苯基乙烷、聚(雙酚A-4,4’-偶氮雙-4-氰基戊酸酯)及聚(四乙二醇-2,2’-偶氮雙異丁酸酯)等。

熱聚合起始劑之添加量，相對於100重量份之聚合性單體，以0.1重量份以上、20重量份以下為佳，以1重量份以上、5重量份以下為較佳。如此，可使接著層所含之聚合性單體適當地進行聚合。又，熱聚合起始劑，可於使用接著劑組成物前，依公知的方法，添加於接著劑組成物中亦可。又，熱聚合起始劑，亦可於稀釋於後述添加溶劑之後，再添加於接著劑組成物中亦可。

熱聚合起始劑的1分鐘半衰溫度，以90℃以上、200℃以下為佳，以120℃以上、180℃以下為較佳。

又，熱聚合起始劑的1小時半衰溫度，以50℃以上、140℃以下為佳，以80℃以上、140℃以下為較佳。

熱聚合起始劑的1分鐘半衰溫度為90℃以上、200℃以下，1小時半衰溫度為50℃以上、140℃以下時，經添加於熱聚合起始劑之後，可延長聚合性單體進行聚合、凝膠化為止的時間。如此，可延長將接著劑組成物塗佈於支撐體上時的可作業時間。又，熱聚合起始劑的1分鐘半衰溫度為90℃以上、200℃以下，1小時半衰溫度為50℃以上、140℃以下時，於將接著劑組成物塗佈於支 撐體上後，經加熱去除稀釋溶劑時，可同時產生自由基，使聚合性單體進行預聚合。就可延長可作業時間之觀點，熱聚合起始劑的1分鐘半衰溫度及1小時半衰溫度以越高者為佳。又，就迅速形成凝膠化之觀點，熱聚合起始劑的1分鐘半衰溫度及1小時半衰時間以越低者為佳。

又，熱聚合起始劑的理論活性氧量，以3.0%以上、13.0%以下為佳，其可配合理論活性氧量，適當地調整熱聚合起始劑的添加量即可。

(光聚合起始劑)

接著劑組成物，可經由光聚合起始劑，使聚合性單體進行聚合，而可形成具備有高耐藥性，及，高耐熱性，且具備有高洗淨性的接著層。又，使用作為聚合起始劑的光聚合起始劑時，只要可將接著劑組成物包裝為可維持遮光狀態時，即可於添加光聚合起始劑的狀態使該接著劑組成物製品化。

光聚合起始劑，具體而言，可列舉如，1-羥基環己基苯酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-〔4-(2-羥基乙氧基)苯基〕-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、雙(4-二甲胺基苯基)酮、2-甲基-1-〔4-(甲基硫基)苯基〕-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、乙酮1-〔9-乙 基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基〕-1-(o-乙醯基肟)、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基次膦(phosphine)氧化物、4-苯甲醯基-4’-甲基二甲基硫醚、4-二甲胺基安息香酸、4-二甲胺基安息香酸甲基、4-二甲胺基安息香酸乙基、4-二甲胺基安息香酸丁基、4-二甲胺基-2-乙基己基安息香酸、4-二甲胺基-2-異戊基安息香酸、苄基-β-甲氧基乙基縮醛、苄基二甲基縮酮、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟、o-苯甲醯基安息香酸甲基、2,4-二乙基硫氧葱酮、2-氯硫氧葱酮、2,4-二甲基硫氧葱酮、1-氯-4-丙氧基硫氧葱酮、硫

、2-氯硫

、2,4-二乙基硫

、2-甲基硫

、2-異丙基硫

、2-乙基蒽醌、辛甲基蒽醌、1,2-苯併蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、偶氮雙異丁腈、苯甲醯基過氧化物、異丙苯過氧化物、2-氫硫基苯併咪唑、2-氫硫基苯併噁唑、2-氫硫基苯併噻唑、2-(o-氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(o-氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(p-甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2,4,5-三芳基咪唑二聚物、二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、4,4’-雙二甲胺基二苯甲酮(即，米勒(Michler’s)酮)、4,4’-雙二乙胺基二苯甲酮(即，乙基米勒(Michler’s)酮)、4,4’-二氯二苯甲酮、3,3-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、苄基、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香-n-丁醚、安息香異丁醚、安息香-t-丁醚、苯乙酮、2,2-二 乙氧基苯乙酮，p-二甲基苯乙酮，p-二甲胺基丙醯苯、二氯苯乙酮、三氯苯乙酮，p-t-丁基苯乙酮，p-二甲胺基苯乙酮，p-t-丁基三氯苯乙酮，p-t-丁基二氯苯乙酮、α,α-二氯-4-苯氧基苯乙酮、硫氧葱酮、2-甲基硫氧葱酮、2-異丙基硫氧葱酮、二苯併環庚酮、戊基-4-二甲胺基苯甲酸酯、9-苯基吖啶、1,7-雙-(9-吖啶基)庚烷、1,5-雙-(9-吖啶基)戊烷、1,3-雙-(9-吖啶基)丙烷，p-甲氧基三

、2,4,6-參(三氯甲基)-s-三

、2-甲基-4,6-雙(三氯甲基)-s-三

、2-〔2-(5-甲基呋喃-2-基)乙炔基〕-4,6-雙(三氯甲基)-s-三

、2-〔2-(呋喃-2-基)乙炔基〕-4,6-雙(三氯甲基)-s-三

、2-〔2-(4-二乙胺基-2-甲基苯基)乙炔基〕-4,6-雙(三氯甲基)-s-三

、2-〔2-(3,4-二甲氧基苯基)乙炔基〕-4,6-雙(三氯甲基)-s-三

、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三

、2-(4-乙氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三

、2-(4-n-丁氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三

、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯基-s-三

、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯基-s-三

、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯乙烯苯基-s-三

及2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯乙烯苯基-s-三

等。又，光聚合起始劑，亦可使用市售品的「IRGACURE OXE02」、「IRGACURE OXE01」,「IRGACURE 369」、「IRGACURE 651」及「IRGACURE 907」(商品名：皆為BASF公司製)及「NCI-831」(商品名：ADEKA公司 製)等。

光聚合起始劑之添加量，相對於100重量份之聚合性單體，以0.1重量份以上、20重量份以下為佳，以1重量份以上、5重量份以下為較佳。

(添加溶劑)

熱聚合起始劑及光聚合起始劑，以溶解於添加溶劑中在添加於接著劑組成物者為佳。添加溶劑，並未有特別之限定，一般可使用可溶解接著劑組成物所含的成份的有機溶劑。

有機溶劑，例如，只要可溶解接著劑組成物之各成份，形成均勻的溶液者即可，其可僅使用1個有機溶劑，或將2個以上的有機溶劑組合使用亦可。

有機溶劑之具體例，例如，具有作為極性基的氧原子、羰基或乙醯氧基等之萜烯溶劑，例如，香草醇(geraniol)、橙花醇(nerol)、沈香醇、檸檬醛、香茅醇、薄荷醇、異薄荷醇、新薄荷醇、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、松油醇(terpinan)-1-醇、松油醇(terpinan)-4-醇、二氫乙酸萜品酯、1,4-桉樹腦(Cineole)、1,8-桉樹腦(Cineole)、龍腦(borneol)、香旱芹酮(Carvone)、紫蘿酮(Ionone)、側柏烯(thujene)、樟腦等。又，γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙酮、環己酮(CH)、甲基-n-戊酮、甲基異戊酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二 醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯，或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵結的化合物、上述多元醇類或上述具有酯鍵結的化合物之單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚等之單烷醚或單苯醚等之具有醚鍵結的化合物等之多元醇類的衍生物(該些之中，又以丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMA)、丙二醇單甲醚(PGME)為佳)；二噁烷等之環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄醚、甲苯酚基甲醚、二苯醚、二苄醚、苯乙醚、丁基苯醚等之芳香族系有機溶劑等。

添加溶劑之含量，可配合熱聚合起始劑及光聚合起始劑的種類等作適當之調整即可，例如，溶解樹脂成份的稀釋溶劑(主溶劑)與添加溶劑之合計為100重量份時，添加溶劑之含量以1重量份以上、50重量份以下為佳，以1重量份以上、30重量份以下為較佳。添加溶劑之含量為上述範圍內時，可充分溶解熱聚合起始劑及光聚合起始劑。

<層合體>

本發明之一實施形態的層合體，為將具備有實裝於元件的配線層，與上述元件，與上述密封元件之密封材的密封體，藉由上述接著層層合於支撐密封體的支撐體上而得 的層合體，且上述接著層為含有嵌段共聚物，與聚合性單體之聚合物，與聚合起始劑。又，支撐體與接著層之間為具備有分離層。

本發明之一實施形態的層合體，可使用本發明之一實施形態的接著劑組成物而形成接著層。因此，於支撐體所形成之接著層上，可形成適當的配線層、適當的密封元件。因此，使用本發明之一實施形態的接著劑組成物之形成接著層的層合體亦包含於本發明之範疇。

〔密封體〕

密封體為，具備有實裝於元件的配線層，與元件，與密封元件之密封材。密封體以具備複數的元件者為佳，經由切割該些密封體，而可製得複數的電子零件。

(配線層)

配線層，亦稱為RDL(Redistribution Layer：再配線層)，其為構成連接元件的配線的薄膜之配線體，具有單層或複數層之結構者。舉一實施形態說明，配線層為，於介電體(例如，氧化矽(SiOx)、感光性環氧等之感光性樹脂等)上，形成由導電體(例如，鋁、銅、鈦、鎳、金及銀等之金屬及銀-錫合金等之合金)所得之配線者，但並不僅限定於此。

(元件)

元件為，半導體元件或其他元件，具有單層或複數層之結構者。又，元件為半導體元件時，經切割密封體而得的電子零件，可形成半導體裝置。

(密封材)

密封材，例如，可使用含有環氧樹脂的密封材等。密封材無須設置於每一元件上，以密封實裝於配線層的複數個元件使其全部形成一體者為佳。

〔支撐體〕

支撐體，只要於形成密封體時，具有防止密封體的各構成要素產生破損或變形的必要強度者即可。又，支撐體，可使用可透過具有使該支撐體上所形成之分離層產生變質的波長之光線的材料所形成。

支撐體之材料，例如，可使用玻璃、矽及丙烯酸系樹脂等，但並不僅限定於該些內容。支撐體之形狀，例如，可使用板狀的圓形支撐體，但並不僅限定於此。

〔接著層〕

接著層為，含有嵌段共聚物，與聚合性單體的聚合物，與聚合起始劑，其係使用於使密封體固定於支撐體上之目的，及保護分離層之目的所使用者。

其中，形成接著層的接著劑組成物，如上所 述般，嵌段聚合物、聚合性單體及聚合起始劑，為與上述說明之內容為相同，故省略該些之說明。

又，聚合性單體的聚合物，以多官能(甲基)丙烯酸酯之聚合物為佳。多官能(甲基)丙烯酸酯，為與上述說明之內容為相同，故省略該些之說明。

接著層之厚度，可配合支撐體及密封體之種類，及形成密封體時所實施的處理等作適當之設定即可，一般以0.1μm以上、50μm以下為佳，以1μm以上、10μm以下為較佳。為1μm以上時，可使密封體適當地固定於支撐體上。為10μm以下時，於隨後的步驟中，可容易地去除接著層。

〔分離層〕

分離層為，經由光之照射產生變質之層。將光線介由分離層照射支撐體，而使分離層產生變質結果，可使支撐體由密封體產生分離。

又，本說明書中，分離層形成「變質」之意，係指分離層於僅受到即產生破壞之狀態，或使分離層與其鄰接之層的接著力降低狀態之現象之意。經吸收光線所產生的分離層變質之結果，可使分離層喪失照射光線前的強度或接著性。即，經由吸收光線結果，而使分離層脆化。分離層之變質係指，分離層經吸收光線之能量而產生分解、立體配置產生變化或官能基產生解離等等之意。分離層之變質為受到吸收光線所生成之結果。

因此，例如，僅僅提取保護板(support flat)便使得分離層遭到破壞等變質，或保護板與基板容易產生分離等現象。更具體而言，可列舉如，於使用支撐體分離裝置等，將層合體中之基板及保護板之任一者固定於載置台，並使用具備有吸附手段的吸附墊(吸附部)等將另一者固定並提取，而使保護板與基板產生分離，或將保護板周邊部份端部之切角部位使用具備有氣弧燈(尖端部)等的分離板固定並施加壓力，使基板與保護板產生分離即可。又，例如，亦可於具備有可供應將接著劑剝離的剝離液之剝離手段的支撐體分離裝置，將保護板由層合體中之基板剝離。該剝離手段可對層合體中的接著層之周端部供應至少一部份的剝離液，經由使層合體中之接著層產生膨潤，於該接著層產生膨潤之際，將力量集中於分離層，並對基板與保護板施加力量。如此，可使基板與保護板適當地產生分離。

對層合體施加的力量，可配合層合體的大小等作適當之調整即可，並未有特別之限定，例如，為直徑300mm左右的層合體時，經由施加0.1~5kgf左右的力量時，即可使基板與保護板適當地產生分離。

分離層之厚度，例如，以0.05μm以上、50μm以下之範圍內為較佳，以0.3μm以上、1μm以下之範圍內為更佳。分離層之厚度集中於0.05μm以上、50μm以下之範圍時，經由短時間的光線照射及低能量的光線照射，可使分離層產生所期待的變質。又，分離層之厚 度，就生產性之觀點，以集中於1μm以下之範圍者為特佳。

又，分離層與支撐體之間可再形成其他層。該情形中，其他層可使用可透過光線的材料所構成者即可。如此，即不會妨礙光線射入分離層，其可適當地追加具有優良性質等之層。依構成分離層的材料種類之差異，會使所得光線之波長不同。因此，構成其他層的材料，並非全部需可透過光線，其可由穿透構成分離層的材料而不會使其產生變質的波長之光線，所可穿透的材料中，適當地選擇使用。

又，分離層以僅由具有吸收光線的結構之材料所形成者為佳，但於無損本發明本質特性之範圍中，亦可添加不具有吸收光線的結構之材料，而形成分離層皆可。又，分離層中，與接著層對向之側之面為平坦(無形成凹凸狀)者為佳，如此，可容易形成分離層，且於貼付過程中，亦可形成均勻的貼付狀態。

(氟化碳)

分離層可為由氟化碳所形成者。分離層經由氟化碳所構成時，可經由吸收光線而形成變質，其結果，將會喪失受到光線照射前的強度或接著性。因此，僅施加些許外力(例如，提取支撐體等)時，即會使分離層被破壞，而可容易地使支撐體與密封體分離。構成分離層的氟化碳，可使用電漿CVD(化學氣相堆積)法適當地形成膜。

氟化碳，依其種類而具有固定範圍波長的吸收光線。將可吸收分離層所使用的氟化碳範圍的波長光線照射分離層時，可使氟化碳產生適當的變質。又，分離層中，光線之吸收產率以80%以上為佳。

照射分離層之光線，配合可吸收氟化碳的波長，例如，可使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄雷射、LD雷射、纖維雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO₂雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光，或，非雷射光等。可使氟化碳變質的波長，並未限定於該些內容，例如，可使用600nm以下之範圍之波長。

(該重複單位含有具有光吸收性的結構之聚合物)

分離層，該重複單位含有具有光吸收性的結構之聚合物亦可。該聚合物可經由光線之照射而變質。該聚合物之變質，會受到照射上述結構的吸收光線而產生。分離層中，經由聚合物變質結果，會喪失受到光線照射前的強度或接著性。因此，即使施加些許之外力(例如，提升支撐體等)時，即會使分離層受到破壞，而容易使支撐體與密封體產生分離。

具有光吸收性的上述結構為，吸收光線後可使含有作為重複單位的該結構之聚合物產生變質的化學結構。該結構，例如，含有取代或無取代之苯環、縮合環或雜環所形成之共軛π電子系的原子團。更詳細言之，該結 構為，軸節型結構，或存在於上述聚合物之側鏈的二苯甲酮結構、二苯基亞碸結構、二苯基碸結構(雙苯基碸結構)、二苯基結構或二苯胺結構。

上述結構存在於上述聚合物之側鏈之情形，該結構可以下式表示。

(式中，R各自獨立表示烷基、芳基、鹵素、羥基、酮基、亞碸基、碸基或N(R⁴)(R⁵)(其中，R⁴及R⁵，各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)，Z可不存在，或為-CO-、-SO₂-、-SO-或-NH-，n為0或1~5之整數)。

又，上述聚合物，例如於其主鏈中，可含有以下之式中，以(a)~(d)之任一者表示的重複單位，或以(e)表示者，或(f)之結構。

(式中，l為1以上之整數，m為0或1~2之整數，X為(a)~(e)中之上述“化1”所示之任一者，或(f)中之上述“化1”所示之任一者，或不存在，Y₁及Y₂，各自獨立表示-CO-或SO₂-。l較佳為10以下之整數)。

上述之“化1”所示之苯環、縮合環及雜環之例，可列舉如，苯基、取代苯基、苄基、取代苄基、萘、取代萘、蒽、取代蒽、蒽醌、取代蒽醌、吖啶、取代吖啶、偶氮苯、取代偶氮苯、螢光胺(fluorime)、取代螢光胺(fluorime)、螢光酮(fluorimone)、取代螢光酮(fluorimone)、咔唑、取代咔唑，N-烷基咔唑、二苯併呋喃、取代二苯併呋喃、菲、取代菲、芘及取代芘等。所例示之取代基再具有取代基時，該取代基，可例如，由烷基、芳基、鹵素原子、烷氧基、硝基、醛、氰基、醯胺、 二烷胺基、碸醯胺、醯亞胺、羧酸、羧酸酯、磺酸、磺酸酯、烷胺基及芳胺基所選出者。

上述“化1”所示之取代基中，具有2個苯基的第5號之取代基中，該Z為-SO₂-之情形的例示，可列舉如，雙(2,4-二羥基苯基)碸、雙(3,4-二羥基苯基)碸、雙(3,5-二羥基苯基)碸、雙(3,6-二羥基苯基)碸、雙(4-羥基苯基)碸、雙(3-羥基苯基)碸、雙(2-羥基苯基)碸，及雙(3,5-二甲基-4-羥基苯基)碸等。

上述“化1”所示之取代基中，具有2個苯基的第5號之取代基中，該Z為-SO-之情形的例示，可列舉如，雙(2,3-二羥基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,3-二羥基苯基)亞碸、雙(2,4-二羥基苯基)亞碸、雙(2,4-二羥基-6-甲基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4-二羥基苯基)亞碸、雙(2,5-二羥基苯基)亞碸、雙(3,4-二羥基苯基)亞碸、雙(3,5-二羥基苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥基苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥基-6-甲基苯基)-亞碸、雙(5-氯-2,3,4-三羥基苯基)亞碸、雙(2,4,6-三羥基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4,6-三羥基苯基)亞碸等。

上述“化1”所示之取代基中，具有2個苯基的第5號之取代基中，該Z為-C(=O)-之情形的例示，可列舉如，2,4-二羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,2,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2,5,6’-四羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十二烷基氧二苯甲酮、2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲 酮、2,6-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、4-胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二乙胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-4’-甲氧基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2,4’-二羥基二苯甲酮，及4-二甲胺基-3,4’-二羥基二苯甲酮等。

上述結構存在於上述聚合物之側鏈時，含有上述結構的重複單位，於上述聚合物中所佔之比例，為於分離層之光線之穿透率為0.001%以上、10%以下之範圍內。只要製得該比例集中於該些範圍的聚合物時，分離層可充分地吸收光線，而可確實且迅速地變質。即，容易將支撐體由密封體去除，且可縮短去除過程中所必要的光線照射時間。

上述結構，可經由種類之選擇，而形成具有所期待範圍之波長的吸收光線。例如，可吸收上述結構的光線之波長，以100nm以上、2,000nm以下之範圍內為較佳。於該範圍內，可吸收上述結構的光線之波長，可於更短的波長側，例如，100nm以上、500nm以下之範圍內。例如，上述結構，較佳為受到具有約300nm以上、370nm以下範圍內的之紫外吸收光線，而使含有該結構的聚合物產生變質。

上述結構所可吸收之光線，例如，由高壓水銀燈(波長：254nm以上，436nm以下)、KrF準分子雷射(波長：248nm)、ArF準分子雷射(波長：193nm)，F₂準分子雷射(波長：157nm)、XeCl雷射 (波長：308nm)、XeF雷射(波長：351nm)或固體UV雷射(波長：355nm)所發出之光線，或g線(波長：436nm)、h線(波長：405nm)或i線(波長：365nm)等。

上述分離層，可含有作為重複單位的含有上述結構的聚合物，但分離層可再含有上述聚合物以外的成份。該成份，可列舉如，填料、可塑劑，及提高支撐體之剝離性的成份等。該些成份，可由吸收光線的上述結構，及不會妨礙或促進聚合物之變質的以往公知物質或材料中適當地選擇使用。

(無機物)

分離層，可由無機物所形成。分離層經由無機物而構成時，經由吸收光線而產生變質，其結果會喪失受到光線照射前的強度或接著性。因此，僅施加些許之外力(例如，提取支撐體1等)時，即會使分離層受到破壞，而容易使支撐體與密封體產生分離。

上述無機物，只要為可經由吸收光線而產生變質之構成即可，例如，金屬、金屬化合物及碳所成之群所選出之1種類以上的無機物皆可適當地使用。金屬化合物，係指含有金屬原子的化合物之意，例如，金屬氧化物、金屬氮化物等。該些無機物之例示，於此並未有特別之限定，一般例如，由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO₂、SiN、Si₃N₄、TiN，及碳所成之群所選出之1 種類以上的無機物等。又，碳為包含碳同位素之概念，例如，金剛石、富勒烯、類金剛石碳、碳奈米管等。

上述無機物，依其種類而具有固定範圍波長之吸收光線。經將可吸收分離層所使用的無機物之範圍的波長之光線照射分離層時，可使上述無機物適當地變質。

無機物所形成之照射分離層之光線，可配合可吸收上述無機物的波長，可適當地使用例如，YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄雷射、LD雷射、纖維雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO₂雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光，或，非雷射光。

無機物所形成之分離層，例如可經由濺鍍、化學蒸鍍(CVD)、鍍敷、電漿CVD、旋轉塗佈等公知之技術，形成於支撐體上。無機物所形成之分離層之厚度並未有特別之限定，只要具有可充分吸收所使用的光線之膜厚者即可，例如，以0.05μm以上、10μm以下之範圍內的膜厚為更佳。又，可於構成分離層的無機物所形成之無機膜(例如，金屬膜)之兩面或單面，預先塗佈接著劑，再貼附於支撐體亦可。

又，使用作為分離層之金屬膜時，依分離層之膜質、雷射光源之種類、雷射輸出等條件，會引起雷射之反射或使膜帶電等。因此，抗反射膜或抗靜電膜以設置於分離層之上下或其中任一者，以作為該些情形之對策者為佳。

(具有紅外線吸收性的結構之化合物)

分離層，可由具有紅外線吸收性的結構之化合物所形成者亦可。該化合物，可因吸收紅外線而變質。分離層，因化合物變質的結果，會喪失受到紅外線照射前的強度或接著性。因此，僅施加些許的外力(例如，提升支撐體等)時，將會使分離層受到破壞，而使支撐體與密封體容易分離。

具有紅外線吸收性的結構，或含有具有紅外線吸收性的結構之化合物，例如，鏈烷、烯烴(乙烯基、反式、順式、亞乙烯、三取代、四取代、共軛、疊烯類、環式)、炔烴(一取代、二取代)、單環式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇及酚類(自由OH、分子內氫鍵結、分子間氫鍵結、飽和二級、飽和三級、不飽和二級、不飽和三級)、縮醛、縮酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯醚、環氧乙烷環醚、過氧化物醚、酮、二烷基羰基、芳香族羰基、1,3-二酮之烯醇、o-羥基芳酮、二烷醛、芳香族醛、羧酸(二聚物、羧酸陰離子)、甲酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族酸氯化物、芳香族酸氯化物、酸酐(共軛、非共軛、環式、非環式)、一級醯胺、二級醯胺、內醯胺、一級胺(脂肪族、芳香族)、二級胺(脂肪族、芳香族)、三級胺(脂肪族、芳香族)、一級胺鹽、二級胺鹽、三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二醯亞 胺、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫代氰酸酯、脂肪族異硫代氰酸酯、芳香族異硫代氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝胺、亞硝胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝鍵結(脂肪族、芳香族、單體、二聚物)、硫醇(mercaptan)及硫酚及硫醇酸等之硫化合物、硫代羰基、亞碸、碸、氯化磺醯基、一級碸醯胺、二級碸醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵結、Si-A¹鍵結(A¹為H、C、O或鹵素)，p-A²鍵結(A²為H、C或O)，或Ti-O鍵結。

含有上述碳-鹵素鍵結之結構，例如，-CH₂Cl、-CH₂Br、-CH₂I、-CF₂-、-CF₃、-CH=CF₂、-CF=CF₂、氟化芳基，及氯化芳基等。

含有上述Si-A¹鍵結之結構，例如，SiH、SiH₂、SiH₃、Si-CH₃、Si-CH₂-、Si-C₆H₅、SiO-脂肪族、Si-OCH₃、Si-OCH₂CH₃、Si-OC₆H₅、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF₂，及SiF₃等。含有Si-A¹鍵結之結構，特別是以形成矽氧烷骨架及倍半矽氧烷骨架者為佳。

含有上述P-A²鍵結之結構，例如，pH、pH₂、p-CH₃、p-CH₂-，p-C₆H₅、A³ ₃-P-O(A³為脂肪族或芳香族)、(A⁴O)₃-P-O(A⁴為烷基)，p-OCH₃、p-OCH₂CH₃、p-OC₆H₅、p-O-P、p-OH，及O=P-OH等。

上述結構中，經由選擇其種類，而可吸收具有所期待之範圍的波長之紅外線。具體而言，可列舉如，可被上述結構吸收的紅外線之波長，例如以1μm以上、 20μm以下之範圍內、2μm以上、15μm以下之範圍內為更適合吸收。此外，上述結構為Si-O鍵結、Si-C鍵結及Ti-O鍵結時，為9μm以上、11μm以下之範圍內。又，各結構所可吸收的紅外線之波長為熟悉該項技術者所可容易理解者。例如，各結構中之吸收帶，請參考非專利文獻：SILVERSTEIN‧BASSLER‧MORRILL著「有機化合物之圖譜的標定法(第5版)-MS、IR，nMR、UV之併用-」(1992年發行)第146頁~第151頁所記載之內容。

形成分離層所使用的具有紅外線吸收性的結構之化合物，只要為具有上述等結構的化合物中，就塗佈之目的而可溶解於溶劑，且可固化形成固體層時，並未有特別限定之內容。但是，可使分離層中之化合物產生有效的變質，使支撐體與密封體容易分離者，以分離層中具有更大之紅外線的吸收，即，以紅外線照射分離層時，紅外線的穿透率更低者為佳。具體而言，可列舉如，分離層中之紅外線穿透率以低於90%者為佳，紅外線穿透率以低於80%者為更佳。

舉例說明時，即，可使用具有矽氧烷骨架之化合物，例如，可使用具有下述化學式(1)所表示之重複單位及下述化學式(2)所表示之重複單位的共聚物之樹脂，或下述化學式(1)所表示之重複單位及丙烯酸系化合物產生的重複單位的共聚物之樹脂。

(化學式(2)中，R⁶為氫、碳數10以下之烷基，或碳數10以下之烷氧基)。

其中，具有矽氧烷骨架的化合物，以上述化學式(1)所表示之重複單位及下述化學式(3)所表示之重複單位的共聚物之t-丁基苯乙烯(TBST)-二甲基矽氧烷共聚物為較佳，以上述化學式(2)所表示之重複單位及下述化學式(3)所表示之重複單位，以1：1含有的TBST-二甲基矽氧烷共聚物為更佳。

又，亦可使用具有倍半矽氧烷骨架的化合物，例如，下述化學式(4)所表示之重複單位及下述化 學式(5)所表示之重複單位的共聚物之樹脂。

(化學式(4)中，R⁷為氫或碳數1以上、10以下之烷基，化學式(5)中，R⁸為碳數1以上、10以下之烷基，或苯基)。

具有倍半矽氧烷骨架的化合物，除上述內容以外，又例如可適當地使用特開2007-258663號公報(2007年10月4日公開)、特開2010-120901號公報(2010年6月3日公開)、特開2009-263316號公報(2009年11月12日公開)，及特開2009-263596號公報(2009年11月12日公開)中所揭示之各倍半矽氧烷樹脂。

其中，具有倍半矽氧烷骨架的化合物，以下述化學式(6)所表示之重複單位及下述化學式(7)所表示之重複單位的共聚物為較佳，以下述化學式(6)所表示之重複單位及下述化學式(7)所表示之重複單位，以 7：3含有的共聚物為更佳。

具有倍半矽氧烷骨架的聚合物，可為無規結構、橋接結構，及籠型結構等，又亦可為任何的結構。

又，含有Ti-O鍵結之化合物，例如，(i)四-i-丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、四(2-乙基己基氧)鈦，及鈦-i-丙氧基伸辛基乙醇酸酯等之烷氧基鈦；(ii)二-i-丙氧基‧雙(乙醯基乙酸酯)鈦，及丙烷二氧鈦雙(乙基乙醯乙酸酯)等之螯合物鈦；(iii)i-C₃H₇O-[-Ti(O-i-C₃H₇)₂-O-]_n-i-C₃H₇，及n-C₄H₉O-[-Ti(O-n-C₄H₉)₂-O-]_n-n-C₄H₉等之鈦聚合物；(iv)三-n-丁氧基鈦單硬脂酸酯、鈦硬脂酸酯、二-i-丙氧基鈦二異硬脂酸酯，及(2-n-丁氧基羰基苯甲醯基氧)三丁氧基鈦等之醯酸酯鈦；(v)二-n-丁氧基‧雙(三乙醇 鋁酯)鈦等之水溶性鈦化合物等。

其中，含有Ti-O鍵結之化合物，又以二-n-丁氧基‧雙(三乙醇鋁酯)鈦(Ti(OC₄H₉)₂[OC₂H₄N(C₂H₄OH)₂]₂)為佳。

上述分離層，因含有具有紅外線吸收性的結構之化合物，故分離層可再含有上述化合物以外的成份。該成份，例如，填料、可塑劑，及可提高支撐體剝離性之成份等。該些成份，可由不會妨礙上述結構對紅外線之吸收，及化合物之變質，或可促進效果的以往公知物質或材料中適當的選擇。

(紅外線吸收物質)

分離層，可含有紅外線吸收物質。分離層，為具有含有紅外線吸收物質的構成時，可經由吸收光線而形成變質，其結果，將可使其喪失受到光線照射前的強度或接著性。因此，僅施加些許的外力(例如，提升支撐體等)時，將會使分離層受到破壞，而使支撐體與密封體容易分離。

紅外線吸收物質，只要具有經由吸收紅外線而產生變質的構成者即可，例如，可適當地使用碳黑、鐵粒子，或鋁粒子。紅外線吸收物質，依其種類而具有固定範圍波長之吸收光線。將可吸收分離層所使用的紅外線吸收物質之範圍的波長之光線照射分離層時，可使紅外線吸收物質適當地變質。

(反應性聚倍半矽氧烷)

分離層，可經由反應性聚倍半矽氧烷進行聚合而形成。如此，可使分離層具備有高耐藥性與高耐熱性。

本說明書中，反應性聚倍半矽氧烷，係指聚倍半矽氧烷骨架之末端具有矽醇基，或，經由水解而可形成矽醇基的官能基之聚倍半矽氧烷，經由形成該矽醇基或矽醇基的官能基進行縮合結果，而可形成相互聚合者。又，反應性聚倍半矽氧烷，只要具備有矽醇基，或，可形成矽醇基的官能基時，可採用具備有無規結構、籠型結構、橋接結構等倍半矽氧烷骨架的反應性聚倍半矽氧烷。

又，反應性聚倍半矽氧烷，以具有下述化學式(8)所示結構者為更佳。

化學式(8)中，R”各自獨立表示由氫及碳數1以上、10以下之烷基所成之群所選出者，又以由氫及碳數1以上、5以下之烷基所成之群所選出者為更佳。R”為氫或碳數1以上、10以下之烷基時，經由分離層之形成 步驟中之加熱處理，可使化學式(8)所表示的反應性聚倍半矽氧烷適當地進行縮合。

化學式(8)中，p以1以上、100以下之整數為佳，以1以上、50以下之整數為更佳。反應性聚倍半矽氧烷，經具備化學式(8)所表示之重複單位時，相較於使用其他材料所形成者，其Si-O鍵結之含量為更高，而可形成具有紅外線(0.78μm以上、1,000μm以下)，較佳為遠紅外線(3μm以上、1,000μm以下)，更佳為波長9μm以上、11μm以下的高吸光度之分離層。

又，化學式(8)中，R’各自獨立表示互相為相同或相異之有機基。其中，R例如，芳基、烷基，及，烯基等，該些有機基亦可具有取代基。

R’為芳基時，可列舉如，苯基、萘基、蒽基、菲基等，又以苯基為較佳。又，芳基可介由碳數1~5之伸烷基鍵結於聚倍半矽氧烷骨架。

R’為烷基時，烷基可列舉如，直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烷基。又，R為烷基時，以碳數為1~15為佳，以1~6為較佳。又，R為環狀之烷基時，可為單環狀或具有2~4環狀結構的烷基。

R’為烯基時，與烷基之情形相同般，可列舉如，直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烯基，烯基之碳數以2~15為佳，以2~6為較佳。又，R為環狀之烯基時，可為單環狀或具有2~4環狀結構的烯基。烯基，例如，乙烯 基，及烯丙基等。

又，R’所可具有的取代基，可列舉如，羥基及烷氧基等。取代基為烷氧基時，可列舉如，直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烷基烷氧基，烷氧基中之碳數為1~15為佳，以1~10為較佳。

又，於另一觀點中，反應性聚倍半矽氧烷的矽氧烷含量，以70莫耳%以上、99莫耳%以下為佳，以80莫耳%以上、99莫耳%以下為較佳。反應性聚倍半矽氧烷的矽氧烷含量為70莫耳%以上、99莫耳%以下時，經照射紅外線(較佳為遠紅外線，更較佳為波長9μm以上、11μm以下之光)時，可適當地變質而形成分離層。

又，於另一觀點中，反應性聚倍半矽氧烷的重量平均分子量(Mw)，以500以上、50,000以下為佳，以1,000以上、10,000以下為較佳。反應性聚倍半矽氧烷的重量平均分子量(Mw)為500以上、50,000以下時，可適當地溶解於溶劑，且可適當地塗佈於保護板上。

可作為反應性聚倍半矽氧烷使用的市售品，例如，小西化學工業股份有限公司製之SR-13、SR-21、SR-23及SR-33等。

<層合體之製造方法，及密封體之製造方法>

本發明之一實施形態的層合體之製造方法，為一將具備有實裝於元件的配線層，與上述元件，與上述密封元件之密封材的密封體，藉由上述接著層層合於支撐密封體的 支撐體上而得的層合體之製造方法，其特徵為，包含於上述支撐體上，經由塗佈上述接著劑組成物而形成上述接著層的接著層之形成步驟。其中，上述支撐體為，由可透過光線的材料所形成之支撐體，於上述接著層之形成步驟前，於上述支撐體上，可經由光線照射而產生變質的分離層。

又，本發明之一實施形態的密封體之製造方法為，經由本發明之一實施形態的層合體之製造方法，包含製造上述層合體的層合體製造步驟，與於上述層合體形成步驟後，介由上述支撐體照射光線，而使上述分離層產生變質，使上述支撐體由上述層合體分離之分離步驟，與分離步驟後，使用烴系溶劑將留存於上述密封體側的上述接著層之殘渣去除之去除接著層之步驟。

〔實施形態1〕

圖1為說明本發明之實施形態1之密封體之製造方法的各步驟圖。本實施形態之密封體之製造方法，為依分離層之形成步驟、接著層之形成步驟、密封體之形成步驟，及去除接著層之步驟之順序實施。

〔分離層之形成步驟〕

如圖1(a)所示般，分離層之形成步驟為，於可穿透光線的支撐體1的一側之平面部1a，例如使用化學氣相成長(CVD)法等，經由照射光線使其變質而形成分離 層2。又，「一側之平面部」係指，支撐體1所具有的平面部中之一個之意。又，「平面部」為可具有微細凹凸的實質上觀察為平面之程度者即可。

〔接著層之形成步驟〕

如圖1(b)所示般，接著層之形成步驟，例如，可使用旋轉塗佈、浸漬、滾輪塗佈、噴霧塗佈、縫隙塗佈等方法塗佈上述接著劑組成物，經加熱，或，放置於減壓環境下，而去除接著劑組成物所含的稀釋溶劑。隨後，接著層含有熱聚合起始劑時，可經由加熱，使該接著層所含有的聚合性單體進行聚合。又，接著層3之加熱條件，可依熱聚合起始劑中之1分鐘半衰溫度，及，1小時半衰溫度為基準適當設定即可，例如，於50℃以上、300℃以下範圍內的溫度、真空下或氮氣等惰性氣體氛圍下進行為佳，又以於氮氣等惰性氣體氛圍下進行者為更佳。

又，接著層含有光聚合起始劑時，可經由於氮氣等惰性氣體氛圍下進行曝光之方式，使該接著層所含的聚合性單體進行聚合為佳。又，曝光條件，可配合光聚合起始劑的種類作適當之設定即可。

〔密封體之形成步驟〕

如圖1(c)~(f)所示般，密封體之形成步驟為，於配線層4上形成密封體7之步驟。本實施形態中之密封體之形成步驟，為依配線層之形成步驟、實裝步驟、密封 步驟、薄化步驟，及去除接著層步驟之順序進行。

〔配線層之形成步驟〕

如圖1(c)所示般，配線層之形成步驟為，於接著層3上形成配線層4。

一實施形態中，配線層4之形成順序為，首先，於接著層3上，形成氧化矽(SiOx)、感光性樹脂等介電體層。氧化矽所形成之介電體層，例如，可使用濺鍍法、真空蒸鍍法等形成。感光性樹脂所形成之介電體層，例如，可使用旋轉塗佈、浸漬、滾輪塗佈、噴霧塗佈及縫隙塗佈等方法塗佈感光性樹脂之方式而形成。

隨後，於介電體層上，使用金屬等導電體形成配線。配線之形成方法，例如，可使用光微影蝕刻(光阻微影蝕刻)等微影蝕刻處理、蝕刻處理等公知的半導體製程之方法。

如以上說明，於進行光微影蝕刻處理，及蝕刻處理等中，接著層3為暴露於氟化氫酸等之酸、TMAH等之鹼，及，光阻溶劑中。特別是於扇出型技術中，除光阻溶劑之PGMA以外，可使用環戊酮，及環己酮等。但，接著層3於嵌段共聚物中，可經由聚合性單體之聚合而提高耐藥性。因此，不僅於酸、鹼之中，即使暴露於光阻溶劑時，也可防止接著層3產生溶解，或剝離。因此，接著層3上可適當地形成配線層4。

如圖1(d)所示般，實裝步驟為，將元件5 實裝於配線層4上。將元件5實裝於配線層4上之方法，例如，可使用晶片貼片機等進行。

如圖1(e)所示般，密封步驟為，將元件5使用密封材6予以密封。其並未有特別限定之內容，舉參考例如，將密封材6，例如，於加熱至100℃以上之狀態，維持高黏度狀態下，使用成形模予以射出成形。因此，元件5於使用密封材6密封時，接著層3為加壓至100℃以上之溫度。但是，接著層3，於嵌段共聚物中，經由聚合性單體進行聚合結果，可提高加熱至高溫時的動態複數彈性率。因此，於100℃以上之溫度進行加壓時，可防止元件5使用密封材6密封所形成之密封體7產生變形。因此，可於接著層3上，形成更佳的密封體7。

如圖1(f)所示般，薄化步驟為使密封材6薄化之步驟。密封材6，例如，可薄化至與元件5同等之厚度。

又，薄化步驟後可再進行於密封材上形成凸點，及，形成絕緣層等處理。

依以上步驟所得之如圖1(g)所示的層合體8，為依序層合一可穿透光線的支撐體1，與經由照射光線使其變質分離層2，與接著層3，與密封體7所得者，密封體7為具備有實裝有元件5的配線層4，與元件5，與密封元件5的密封材6，分離層2中，除與支撐體1相接之部份以外，其他皆被接著層3所被覆。該些層合體8，可僅為本發明的層合體之製造方法的過程中所製得 者，而可適用於製造單離的密封體7。

〔分離步驟〕

如圖1(h)所示般，分離步驟為，介由支撐體1，使光線L照射分離層2，而使分離層2產生變質。所照射的光線L之種類及波長，可配合支撐體1的透過性及分離層2之材質作適當之選擇即可，例如，可使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄雷射、LD雷射、纖維雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO₂雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光，或，非雷射光。經此處理，可使分離層2產生變質，而使支撐體1與密封體7容易形成可分離狀態。

又，照射雷射光之情形中的雷射光照射條件之一例，可列舉如以下之條件，但並不僅限定於此：雷射光線之平均輸出值，以1.0W以上、5.0W以下為佳，以3.0W以上、4.0W以下為較佳；雷射光線之重複周波數，以20kHz以上、60kHz以下為佳，以30kHz以上、50kHz以下為較佳；雷射光線之掃瞄速度，以100mm/s以上、10,000mm/s以下為佳。

隨後，如圖1(i)所示般，分離步驟為使支撐體1與密封體7分離。例如，經由將力量施加於使支撐體1與密封體7互相分離之方向的方式，使支撐體1，與密封體7產生分離。例如，支撐體1及密封體7中之一者 固定於平台之狀態下，另一者使用具備有伸縮墊等之吸附墊的分離板，於保持吸附狀態下向上提取之方式，即可使支撐體1與密封體7分離。

(洗淨步驟)

如圖1(h)所示般，洗淨步驟為，將由支撐體1分離的殘留於密封體7之接著層3與分離層2去除。例如，進行使用含有有機溶劑的洗淨液等去除接著層3及分離層2之殘渣的洗淨步驟。接著層3中，洗淨液以使用接著劑組成物所使用的稀釋溶劑，即，使用烴系溶劑為佳，特別是以使用p-甲烷等之萜烯系溶劑，及四氫萘等縮合環烴為更佳。

如以上之方法，即可製得單離的密封體7。

又，可對密封體7進行形成焊球形成、切割處理，及，形成氧化膜形成等處理。

〔實施形態2〕

本發明之另一實施形態(實施形態2)之說明，係如以下所示。又，於說明之簡便性上，對於具有與上述實施形態所說明之構件為機能的構件，將附註以相同之符號，並省略其說明。實施形態2的層合體之製造方法，及密封體之製造方法，為依分離層之形成步驟、接著層之形成步驟、密封體之形成步驟，及分離步驟洗淨步驟之順序實施，密封體之形成步驟中，為將元件配置於接著層3上。

〔分離層之形成步驟~接著層之形成步驟〕

如圖2之(a)及(b)所示般，分離層之形成步驟、分離層周邊部份之去除步驟及接著層之形成步驟，因皆與實施形態1為相同之內容，故其說明將予以省略。

〔密封體之形成步驟〕

如圖2之(c)~(f)所示般，密封體之形成步驟為，於接著層3上形成密封體7之步驟。本實施形態中之密封體之形成步驟，為依元件之配置步驟、密封步驟、薄化步驟，及配線層之形成步驟之順序進行。

如圖2之(c)所示般，元件之配置步驟為，於接著層3上配置元件5之步驟。於接著層3上配置元件5之步驟，可將接著層3於加熱狀態下，例如，使用晶片貼片機等進行。

如圖2之(d)所示般，密封步驟為使用密封材6密封元件5。密封材6，例如，使用成形模具進行射出成形。又，與實施形態1之情形相同般，於密封步驟中，對元件5進行密封時，同樣的可防止接著層3產生變形等效果將不再贅述。

如圖2之(e)所示般，薄化步驟為使密封材6薄化之步驟。密封材6，例如，只要薄化至可使元件5之端子部露出於密封材6即可。

如圖2之(f)所示般，配線層之形成步驟 為，於被密封材6密封的元件5上形成配線層4。

於該實施形態中，因配線層4之形成順序，可依與實施形態1相同方式進行，故該說明將予以省略。

經由以上之步驟，即可與實施形態1相同般，製得層合體9。

隨後，如圖2之(g)及(h)所示般，於分離步驟中，經由將光線由支撐體1向分離層2進行照射時，可經由使分離層2產生變質，而使支撐體1由層合體9分離。又，隨後，於洗淨步驟中，與實施形態1相同般，可使用烴系溶劑去除接著層3，而製得密封體7(圖2之(i))。

〔實施形態3〕

本發明之實施形態3之說明係如以下所示。又，於說明之簡便性上，對於具有與上述實施形態1及2所說明之構件為機能的構件，將附註以相同之符號，並省略其說明。實施形態3的層合體之製造方法，及密封體之製造方法，為依序實施分離層之形成步驟、去除分離層周邊部份之步驟、接著層之形成步驟、密封體之形成步驟，及去除接著層之步驟。

〔分離層之形成步驟〕

如圖3之(a)所示般，分離層之形成步驟，因與實施形態1及2為相同之內容，故其說明將予以省略。

〔去除分離層周邊部份之步驟〕

如圖3之(b)所示般，去除分離層周邊部份之步驟，例如，經由EBR(Edge Bead Removal)處理，而去除於支撐體1之周邊部份1b的全周所形成之分離層2。周邊部份1b為平面部1a之周邊部份。如此，如圖3之(b)所示般，於平面部1a上，由去除分離層2的周邊部份1b所包圍的部份，為形成分離層2之狀態。EBR處理之詳細內容，係如後所述。

〔接著層之形成步驟〕

如圖3之(c)所示般，接著層之形成步驟為，於支撐體1中的周邊部份1b全周之去除分離層2之側的面上，形成接著層3。如此，可使支撐體1上所形成之分離層2全面被接著層3所被覆。又，形成接著層3之方法，因與實施形態1~2為相同之方法，於其說明將予以省略。

〔密封體之形成步驟〕

如圖3之(d)~(g)所示般，密封體之形成步驟為，於接著層3上形成密封體7’之步驟。本實施形態中的密封體之形成步驟，為依配線層之形成步驟、元件之配置步驟、密封步驟，及薄化步驟之順序進行。

如圖3之(d)所示般，實施形態3為，於配 線層之形成步驟中，接著層3上所形成之配線層4的外周端部可經由修飾處理而去除。又，配線層4之修飾處理為，使用研磨等公知手段進行研削等方式去除即可。如此，於隨後的步驟中，將更容易於層合體8’(圖3)中進行EBR處理。

又，形成配線層4之方法，因與實施形態1及2為相同之方法，於其說明將予以省略。

如圖3之(e)~(g)所示般，實施形態3中，為進行元件之配置步驟、密封步驟，及薄化步驟。又，實施形態3中，元件之配置步驟、密封步驟，及薄化步驟，因與實施形態1為相同之方法，其說明將予以省略。

〔去除接著層之步驟〕

如圖3之(h)所示般，去除接著層之步驟，例如，經由EBR處理，而去除支撐體1之周邊部份1b的全周所形成之接著層3。接著層3中，於支撐體1之周邊部份1b的全周所形成之部份，因不介由分離層2之狀態，而接著於支撐體1與密封體7’，故經由去除該部份，可於分離層2產生變質時，使支撐體1與密封體7’圓滑地分離。

特別是，經由去除較支撐體1上所形成的分離層2的外周端部2a為更外側所形成之接著層3時，可使支撐體1與密封體7’必須介由分離層2形成接著之狀態，因此，使分離層2變質時，可使支撐體1與密封體7’ 更圓滑地分離。

〔分離步驟~洗淨步驟〕

如圖3之(i)~(k)所示般，其係與實施形態1相同般，可經由分離步驟，及洗淨步驟，而製造密封體7’。

(EBR處理)

上述之(A)去除分離層周邊部份之步驟中，去除支撐體1之周邊部份1b的全周所形成之分離層2所進行的EBR處理，及，於(B)去除接著層之步驟中，去除支撐體1之周邊部份1b的全周所形成之接著層3所進行的EBR處理方法，例如，(i)使用溶劑溶解去除之方法、(ii)使用刀具或刮片(blade)等進行物理性的切斷去除之方法、(iii)大氣壓下以灰化(ashing)方式去除之方法等。其中，就強度及實用性之觀點，以使用溶劑去除之方法為佳。

使用溶劑去除之方法所使用的溶劑，只要可溶解作為去除對象的分離層2或接著層3者即可，並未有特別之限定，熟悉該項技術之人士，可配合去除對象之組成，適當地選擇。例如，對於接著層3，特別是可使用p-甲烷等之萜烯系溶劑，及，四氫萘等之縮合環烴。又，對於分離層2，例如，可使用由單異丙醇胺(MIPA)等一級脂肪族胺、2-(甲胺基)乙醇(MMA)等二級脂肪族胺、三乙醇胺等三級之脂肪族胺、環己胺等之脂環式胺、苄胺 等芳香族胺及N-羥乙酯哌啶等雜環式胺所成之群所選出之至少1種的胺類，或，含有該些之溶劑。又，溶劑，於上述(添加溶劑)之欄所列舉之內容中，亦可使用萜烯溶劑以外的有機溶劑。

供給溶劑之方法，例如，經由噴出溶劑，而去除對象之供給溶劑之方法、將去除對象浸漬於溶劑中之方法等。

經由溶劑之噴出，對去除對象供給溶劑之方法，就可均勻地供給溶劑之目的，以將支撐體1於迴轉中，對去除對象供給溶劑之方法為佳。使支撐體1於迴轉中，供給溶劑之方法，例如，將噴出溶劑的噴嘴配置於緊接支撐體1之周邊部份1b的外側，使溶劑由緊接支撐體1之周邊部份1b滴入外側中，並使支撐體1使用旋轉塗佈器進行迴轉之方法等。如此，可使溶劑由緊接支撐體1之周邊部份1b的全周的外側進行供給。又，所配置之噴嘴數目並未有特別之限制，只要為1個以上即可。

伴隨支撐體1之迴轉及溶劑噴出的上述方法中，支撐體1之迴轉速度、由噴嘴供應溶劑時溶劑之流量，及溶劑的供給時間，可配合去除對象之組成內容、去除對象之厚度、所使用的溶劑之種類，及去除程度等的差異而進行，只要熟悉該項技術之人士，即可簡單地研究及決定其最佳之條件。

又，使用溶劑溶解去除對象之後，以將支撐體1等進行乾燥為佳。經過乾燥步驟，可去除不要的溶 劑、滲入非去除對象部份的分離層2或接著層3之溶劑。

乾燥方法，可使用旋轉塗佈器等於使支撐體1迴轉之方式進行之振動乾燥，使用N₂氣體等進行噴霧之氣體吹拂之乾燥、加熱器之乾燥，及減壓之乾燥等。又，該些乾燥方法中，任一之方法皆可單獨使用該方法，或將任意個2個以上之方法組合使用之方法皆為可能。

〔實施形態4〕

本發明之實施形態4之說明係如以下所示。又，於說明之簡便性上，對於具有與上述實施形態1~3所說明之構件為機能的構件，將附註以相同之符號，並省略其說明。實施形態4的層合體之製造方法，及密封體之製造方法，為依分離層之形成步驟、去除分離層周邊部份之步驟、接著層之形成步驟、密封體之形成步驟，及去除接著層之步驟之順序實施。

〔分離層之形成步驟~接著層之形成步驟〕

分離層之形成步驟、去除分離層周邊部份之步驟，及，接著層之形成步驟，與實施形態3為相同之方法，於其說明將予以省略。

〔密封體之形成步驟〕

密封體之形成步驟中，為將元件5配置於接著層3上之後，予以密封。即，經實施與實施形態2相同之步驟， 而形成密封體7’。隨後，如圖4之(a)所示般，經由修飾處理而去除密封體7’之外周端部。又，密封體4之修飾中，只要使用研磨等公知手段進行研削，將其去除即可。如此，於後述步驟中，適當地處理於層合體9’(圖4)中之胺R處理。

〔去除接著層之步驟〕

如圖4之(b)所示般，與實施形態3相同般，於實施形態4中，經由對密封體7’之外周端部進行修飾處理結果，而可去除較分離層2的外周端部2a為更外側所形成之接著層3。因此，使分離層2產生變質時，可使支撐體1與密封體7’被更圓滑地分離。

隨後，與實施形態1~3相同般，經使用烴系溶劑去除接著層3之方式，即可製造密封體7’。

〔其他之實施形態〕

本發明之一實施形態的接著劑組成物、層合體、層合體之製造方法，及密封體之製造方法，並不僅限定於上述之實施形態。上述實施形態1~4中，WLP技術中，支撐體1由上視面觀察中，適合使用作為形狀為圓形的支撐體1。但是，於半導體裝置之技術領域中，就更向上提升高密度集積化或生產效率等觀點，除使圓形的支撐體1之尺寸大型化以外，也開始研究於上視面中，形狀為四角形的大型面板作為支撐體使用的方法。使用該些四角形的大型 面板製造半導體裝置之方法，已知有PLP(Panel level Package)技術，而以實施扇出型技術而得。因此，本案之一實施形態的接著劑組成物，於使用含有嵌段共聚物與聚合性單體的硬化型接著劑組成物時，於加熱至高溫時時仍可維持高黏彈性。因此，於面板上中，配置元件予以密封之PLP(Panel level Package)技術中，亦可防止密封體產生變形。因此，於扇出型的PLP技術中所使用的實施形態，也屬於本發明實施形態的接著劑組成物、層合體、層合體之製造方法，及密封體之製造方法的本發明之範疇。又，PLP技術中，面板也適合使用由玻璃或矽等材料所形成之面板。

本發明並非限定於各實施形態者，其於請求項所示範圍中皆可進行各種的變更，依不同的實施形態所揭示之技術的手段適當地組合而得的實施形態，亦包含於本發明之技術範圍。

[實施例] <實施例>

使用以下所示的基礎聚合物(嵌段共聚物)、硬化單體(聚合性單體)，及聚合起始劑，製作接著劑組成物，並對使用該接著劑組成物所形成的接著層之耐藥性及洗淨性進行評估，及，測定動態複數彈性率。

〔接著劑組成物之製造，及接著層之形成〕 〔實施例1〕

首先，實施例1之接著劑組成物，為將80重量份之Septon2002(基礎聚合物：KURARE股份有限公司製、SEPS：苯乙烯-異丁烯-苯乙烯之三嵌段共聚物、苯乙烯含量30%、分子量53,000)，與20重量份之三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(硬化單體：新中村化學股份有限公司製、「A-DCP(商品名)」)溶解於四氫萘280重量份中，以製得接著劑組成物之主劑。其次，以相對於三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯20重量份，添加添加量為0.4重量份之硬化劑，使二烷基過氧化物(熱聚合起始劑：日本油脂股份有限公司製、「過異丙苯酯D(商品名)」)溶解於乙酸丁酯20重量份中。隨後，將上述硬化劑添加於上述主劑中，而製得接著劑組成物。

其次，將實施例1之接著劑組成物，使用旋轉塗佈法，塗佈於玻璃支撐體(玻璃支撐體、8英吋、厚度700μm)，於90℃及140℃中，分別進行5分鐘之燒焙，以去除接著層所含之溶劑。其次，於氮氣氛圍下，以200℃、1小時之條件，對接著層進行加熱，使硬化單體聚合。依此方式，而形成實施例1之接著層(膜厚5μm)。又，依相同之條件，分別於4枚的玻璃支撐體上形成接著層，將其分別使用於耐藥性評估及洗淨性評估。

(耐藥性評估)

耐藥性評估為，於23℃、5分鐘之條件下，分別將每1枚形成接著層的玻璃支撐體浸漬於環戊酮、環己酮及PGMA中，隨後，以觀察相對於各藥品時，層合體的重量變化及外觀變化為基準進行評估。耐藥性評估，未發現重量及外觀變化之情形判定為「○」，發現重量變化或外觀變化(有無龜裂)之情形則判定為「×」。結果係如表1所示。

(洗淨性評估)

將實施例1之形成接著層的玻璃支撐體，於1,000rpm之條件下進行迴轉，經供給剝離液之p-甲烷之方式，旋轉洗淨該玻璃支撐體。以顯微鏡觀察洗淨後之玻璃支撐體是否仍有殘渣。又，具有殘渣時，經由目視，由顯微鏡發出之高亮度之光線，會發現殘渣部份產生亂射之白色部份。發現殘渣過多之情形時，洗淨性評估為「×」，幾乎未發現殘渣之情形時，洗淨性評估為「△」，完全未發現殘渣之情形，洗淨性則評估為「○」。其結果係如表1所示。

〔實施例2~32〕

實施例2~32為，使用與實施例1不同之組成，添加基底樹脂、硬化單體，及聚合起始劑後，使用該些接著劑組成物形成接著層。隨後，依與實施例1相同之條件，進行耐藥性，及洗淨性之評估。實施例2~32之詳細組成內 容，及各評估結果係如表1~4所示。

〔比較例1、2〕

比較例1、2為製作不含硬化單體，及聚合起始劑之接著劑組成物，依實施例1中之200℃、1小時之條件，除不加熱接著層以外，其他皆依與實施例1相同順序，而玻璃支撐體上形成接著層。又，依與實施例1相同之條件，進行耐藥性，及洗淨性之評估。比較例1及比較例2之詳細組成內容，及各評估結果係如表5所示。

又，實施例2~32，及比較例1、2中，所使用的基礎聚合物、硬化單體，及起始劑，係如以下所示之內容。

〔基礎聚合物〕

‧以下之化學式(9)所示苯乙烯-異丁烯-苯乙烯的三嵌段共聚物：SEPS(KURARE公司製、「Septon2002(商品名)」、苯乙烯含量30%、分子量53000)

‧以下之化學式(9)所示苯乙烯-異丁烯-苯乙烯的三嵌段共聚物：SEPS(KURARE公司製、「Septon2004(商品名)」、苯乙烯含量18%、分子量90000)

〔硬化單體〕

‧以下之化學式(10)所示三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化學股份有限公司製、「A-DCP(商品名)」)

‧以下之化學式(11)所示三環癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯(新中村化學股份有限公司製、「DCP(商品名)」)

〔起始劑〕

‧二烷基過氧化物(1分鐘半衰溫度/175.2℃、1小時半衰溫度/135.7℃、理論活性氧量/5.92%：日本油脂股份有限公司製、「過異丙苯酯D(商品名)」)

‧過氧化酯(1分鐘半衰溫度/124.3℃、1小時半衰溫度/84.4℃、理論活性氧量/5.87%：日本油脂股份有限公司製、「過辛酯-O(商品名)」)

(各評估結果)

如表1~5所示般，於實施例1~32之任一接著層，對於光阻溶劑之環戊酮、環己酮，及，PGMA皆具有良好的耐藥性(○)。相對於此，不含硬化單體的比較例1及2之接著層，雖對於PGMA顯示出良好的耐藥性，但對於 環戊酮及環己酮之耐藥性卻為較低者(×)。由該些結果得知，確認於實施例1~32之形成有接著層的玻璃支撐體上，於進行光微影蝕刻處理時，可形成配線層。

又，硬化單體之含量為15重量%以下之實施例2~4、6~8、10~12、14~16、18~20、22~24、26~28及30~32，不僅耐藥性，其對於使用p-甲烷之洗淨性亦為優良(○)。因此，確認基礎聚合物之含量多於80重量%時，硬化單體之含量少於20重量%時，不僅具有高耐藥性，亦可形成具備有高洗淨性的接著層。

<接著層之動態複數彈性率測定試驗>

分別測定由上述實施例2、6之接著層劑組成物，與比較例1、2之接著劑組成物所形成的接著層中之動態複數彈性率(E ＊)。

將實施例2之接著劑組成物調整至固形成份濃度25%以上，並將其旋轉塗佈於6英吋的Si晶圓，分別於90℃及140℃各燒焙5分鐘，於氮氛圍下、進行200℃、1小時之處理，形成50μm的接著層(膜)。將該膜切取為20mm(測定寬度以10mm為準)×5mm大小之試驗片。動態複數彈性率(E ＊)，為使用動態黏彈性測定裝置Rheologel-E4000(UBM股份有限公司製)，於周波數1Hz之條件下，依5℃/分鐘之昇溫速度，由50℃將溫度上升至250℃為止之過程中進行測定。其結果係如表9所示。又，使用實施例6、比較例1，及比較例2的接著 劑組成物之接著層，依與實施例2的接著劑組成物為相同條件下，測定其動態複數彈性率。其測定結果係如以下表6所示。

如表6所示般，實施例2、6，確認出即使於250℃之高溫中，亦可維持高動態複數彈性率。又，使用比較例1、2之接著劑組成物所形成的接著層，於200℃以上之高溫中，樣品顯著軟化，而無法正確地測定其動態複數彈性率。因此，使硬化單體硬化而得之接著層，與不添加硬化單體的接著層相比較時，確認出特別是在200℃以上的高溫環境中，即使施加壓力時，也可防止產生變形。

<接著層所含的基礎聚合物之評估>

分別製造使用環烯烴聚合物替代比較例2中之基礎聚合物的S2004而得之比較例3的接著劑組成物，及，使用 環烯烴聚合物替代實施例22中之基礎聚合物的S2004而得之比較例4的接著劑組成物。其中，分別依與實施例22相同順序形成比較例4之接著層，依與比較例2相同順序形成比較例3之接著層。隨後，分別測定實施例22及比較例2~4之接著層中的動態複數彈性率(E ＊)。又，另外分別測定比較例2之接著劑組成物，與比較例3之接著劑組成物，所形成的接著層中之溶解速度。

比較例3及4之接著劑組成物之組成內容係如表7所示。又，比較例3及4之基礎聚合物，為使用以下化學式(12)所示環烯烴聚合物：三井化學股份有限公司製、「APL8008T(商品名)」(下述化學式(12)、Mw=100,000、Mw/Mn=2.1、m：n=80：20(莫耳比))。

(接著層的動態複數彈性率測定試驗)

對於使用實施例22、比較例3及比較例4之接著劑組成物的接著層，依與上述比較例2之接著劑組成物為相同之條件，測定其動態複數彈性率。測定結果係如以下表8所示。

如表8所示般，於比較實施例22及比較例4之接著層中之動態複數彈性率時，顯示出於50℃之條件中，比較例4之接著層顯示出更高的動態複數彈性率，但於更高溫度之150℃之條件時，則以實施例22之接著層顯示出更高的動態複數彈性率。由該結果確認出，實施例22之接著層，即使於更高的溫度條件時，也可維持高動 態複數彈性率。又，於比較比較例2與比較例3中之接著層的動態複數彈性率時，得知使用嵌段共聚物的比較例2之接著層，於更高的溫度中，可維持更高的動態複數彈性率。因此，確認出接著劑組成物中，基礎聚合物於使用嵌段共聚物時，即使於高溫度領域中，亦可維持高動態複數彈性率。

(溶解速度之測定)

將比較例2及3之接著劑組成物依與實施例1相同之條件塗佈於玻璃支撐體，依相同條件進行燒焙，而形成接著層(膜厚5μm)。將形成有接著劑層的支撐體，浸漬於保持25℃的p-甲烷中，測定接著劑層完全溶解為止之時間。由該溶解時間(T(sec))，與預先測定的接著劑層之厚度(L(nm))算出溶解速度(L/T(nm/sec))。溶解速度之測定結果係如表9所示。

如表9所示般，得知使用嵌段共聚物作為基礎聚合物的比較例2，相較於使用環烯烴系樹脂作為基礎聚合物使用的比較例3，具有更快的溶解速度。由該結果 得知，確認相較於環烯烴聚合物，使用嵌段共聚物作為基礎聚合物使用的接著層，經由洗淨得以迅速地被去除。

[產業上之利用性]

本發明可適合使用於特別是扇出型技術的半導體裝置之製造方法中。

Claims (20)

1. 一種接著劑組成物，其係於將具備實裝有元件的配線層，與上述元件，與上述密封元件之密封材的密封體，介由接著層層合於支撐上述密封體的支撐體上而得的層合體中，用以形成上述接著層的接著劑組成物，其特徵為，上述接著劑組成物為含有嵌段共聚物、聚合性單體，與聚合起始劑。
2. 如請求項1之接著劑組成物，其中，上述嵌段共聚物為二嵌段共聚物、三嵌段共聚物或此等之組合，並具有苯乙烯嵌段。
3. 如請求項2之接著劑組成物，其中，上述嵌段共聚物為兩末端具有苯乙烯嵌段的三嵌段共聚物。
4. 如請求項1~3中任一項之接著劑組成物，其中，相對於上述嵌段共聚物與上述聚合性單體之合計量，上述聚合性單體之量為1重量%以上、50重量%以下之範圍內。
5. 如請求項2之接著劑組成物，其中，上述嵌段共聚物之苯乙烯嵌段之含量為，10重量%以上、65重量%以下。
6. 如請求項1之接著劑組成物，其中，上述嵌段共聚物之重量平均分子量為50,000以上、150,000以下。
7. 如請求項1之接著劑組成物，其中，上述聚合性單體為(甲基)丙烯酸酯。
8. 如請求項7之接著劑組成物，其中，上述(甲基)丙烯酸酯為多官能之(甲基)丙烯酸酯。
9. 如請求項1之接著劑組成物，其中，上述聚合起始劑為熱聚合起始劑或光聚合起始劑。
10. 一種層合體，其係將具備實裝有元件的配線層、上述元件與上述密封元件之密封材的密封體，介由接著層層合於支撐上述密封體的支撐體上而得的層合體，其特徵為，上述接著層為含有嵌段共聚物、聚合性單體之聚合物，與聚合起始劑。
11. 如請求項10之層合體，其中，上述嵌段共聚物為二嵌段共聚物、三嵌段共聚物或此等之組合，並具有苯乙烯嵌段。
12. 如請求項11之層合體，其中，上述嵌段共聚物為兩末端具有苯乙烯嵌段之三嵌段共聚物。
13. 如請求項10~12中任一項之層合體，其中，相對於上述嵌段共聚物與上述聚合性單體之聚合物之合計量，上述聚合性單體之聚合物之量為1重量%以上、50重量%以下之範圍內。
14. 如請求項11之層合體，其中，上述嵌段共聚物 之苯乙烯嵌段之含量為10重量%以上、65重量%以下。
15. 如請求項10之層合體，其中，上述嵌段共聚物之重量平均分子量為50,000以上、150,000以下。
16. 如請求項10之層合體，其中，上述聚合性單體之聚合物為(甲基)丙烯酸酯之聚合物。
17. 如請求項16之層合體，其中，上述(甲基)丙烯酸酯之聚合物為多官能之(甲基)丙烯酸酯之聚合物。
18. 一種層合體之製造方法，其係將具備實裝有元件的配線層、上述元件與上述密封元件之密封材的密封體，介由接著層層合於支撐上述密封體的支撐體上而得的層合體之製造方法，其特徵為，包含藉由於上述支撐體上塗佈如請求項1~9中任一項之接著劑組成物而形成上述接著層之接著層形成步驟。
19. 一種層合體之製造方法，其係將具備實裝有元件的配線層、上述元件與上述密封元件之密封材的密封體，介由接著層層合於支撐上述密封體的支撐體上而得的層合體之製造方法，其特徵為，包含藉由於上述支撐體上塗佈如請求項9之接著劑組成物並予以加熱或曝光而形成上述接著層之接著層形成步驟。
20. 一種密封體之製造方法，其係包含藉由如請求項18或19之層合體之製造方法而製造層合體之層合體製造步驟，且上述層合體中，上述支撐體為透光支撐體，於該支撐 體與上述接著層之間，形成藉由吸收光線而變質的分離層，又包含，於層合體製造步驟之後介由上述支撐體而對上述分離層照射光之方式，使上述分離層變質，並將上述支撐體由層合體分離之分離步驟，與使殘留於上述密封體側之接著層藉由烴系溶劑予以去除之洗淨步驟。