TW201800254A

TW201800254A - 複合體

Info

Publication number: TW201800254A
Application number: TW106105657A
Authority: TW
Inventors: 川口順二; 松下泰明; 浅倉孝郎
Original assignee: 富士軟片股份有限公司
Priority date: 2016-02-29
Filing date: 2017-02-21
Publication date: 2018-01-01
Also published as: US20180361710A1; EP3424697A4; CN108698360B; JP6563583B2; EP3424697A1; WO2017150099A1; CN108698360A; JPWO2017150099A1

Abstract

本發明的課題在於提供一種可製作外觀及透光性的任意者均優異的成形品的複合體。本發明的複合體包含於厚度方向上具有多個貫穿孔的鋁基材、及設於所述鋁基材的至少其中一個表面上的樹脂層，貫穿孔的平均開口直徑為0.1 μm～100 μm，貫穿孔的平均開口率為1%～50%。

Description

複合體

本發明是有關於一種鋁基材及樹脂層的複合體。

自先前便已知在樹脂成形品的表面蒸鍍金屬而使其成為金屬色澤風格，或使其成為半反射鏡風格，藉此提高樹脂成形品的裝飾性的方法。

例如，在專利文獻1中記載如下：「一種裝飾塑膠成形品，其是在表面形成有以金屬為主體的蒸鍍膜（3）的透光性塑膠成形品（1），其特徵在於：將總透光率設為形成蒸鍍膜（3）之前的總透光率的98%～50%的範圍。」（[請求項1]）。

而且，在專利文獻2中記載如下：「一種裝飾樹脂成形品，其是進行了蒸鍍的裝飾樹脂成形品，其特徵在於：包含形成於透明樹脂基材的外表面的蒸鍍膜層、及形成於蒸鍍膜層的表面的透明外塗層，自外表面側所看到的色調與自內表面側所看到的色調近似。」（[請求項1]）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2005-015867號公報 [專利文獻2]日本專利特開2015-196280號公報

[發明所欲解決之課題] 本發明者等人關於專利文獻1及專利文獻2等所記載的現有公知的裝飾塑膠成形品而進行了研究，結果可知難以兼顧外觀（例如金屬光澤等）與透光性。

因此，本發明的課題在於提供一種可製造外觀及透光性的任意者均優異的成形品的複合體。 [解決課題之手段]

本發明者等人為了解決所述課題而進行了銳意研究，結果發現若使用包含貫穿孔的平均開口直徑及平均開口率處於特定範圍內的鋁基材與樹脂層的複合體，則可製作外觀及透光性的任意者均優異的成形品，從而完成本發明。亦即，發現藉由以下的構成可解決所述課題。

[1] 一種複合體，其包含於厚度方向上具有多個貫穿孔的鋁基材、及設於鋁基材的至少其中一個表面的樹脂層，貫穿孔的平均開口直徑為0.1 μm～100 μm，貫穿孔的平均開口率為1%～50%。 [2] 如[1]所述的複合體，其中，在相對於鋁基材的表面而垂直的方向上切斷的剖面中的貫穿孔的平均有效直徑為700 nm以上。 [3] 如[1]或[2]所述的複合體，其中，樹脂層的平均厚度為12 μm～200 μm。 [4] 如[1]～[3]中任一項所述的複合體，其中，鋁基材的平均厚度為5 μm～1000 μm。 [發明的效果]

如以下所說明那樣，藉由本發明可提供能夠製作外觀及透光性的任意者均優異的成形品的複合體。

以下，關於本發明而加以詳細說明。以下所記載的構成要素的說明是基於本發明的代表性實施方式而成者，但本發明並不限定於此種實施方式。再者，在本說明書中，使用「～」而表示的數值範圍是表示包含「～」的前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。

[複合體] 本發明的複合體包含：於厚度方向上具有多個貫穿孔的鋁基材、及設於鋁基材的至少其中一個表面的樹脂層。而且，本發明的複合體的貫穿孔的平均開口直徑為0.1 μm～100 μm。進而，本發明的複合體的貫穿孔的平均開口率為1%～50%。

此處，貫穿孔的平均開口直徑是使用高分辨率掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）而以100倍～10000倍的倍率自正上方對鋁基材的表面進行攝影，在所獲得的SEM相片中抽選至少20個周圍連為環狀的貫穿孔，讀取其直徑而作為開口直徑，算出該些的平均值而作為平均開口直徑。再者，倍率可以獲得能夠抽選20個以上貫穿孔的SEM相片的方式而適宜選擇所述範圍的倍率。而且，開口直徑是測定貫穿孔部分的端部間距離的最大值。亦即，貫穿孔的開口部的形狀並不限定為略圓形狀，在開口部的形狀為非圓形狀的情況下，將貫穿孔部分的端部間距離的最大值作為開口直徑。因此，例如在如兩個以上貫穿孔一體化而成的形狀的貫穿孔的情況下，亦將其視為一個貫穿孔，將貫穿孔部分的端部間距離的最大值作為開口直徑。

而且，貫穿孔的平均開口率是在鋁基材的其中一面側設置平行光光學單元，使平行光透過，自鋁基材的另一個面，使用光學顯微鏡以100倍的倍率對鋁基材的表面進行攝影，獲得相片。關於所獲得的相片的10 cm×10 cm的範圍中的100 mm×75 mm的視野（5個部位），根據由於所透過的平行光而投影的貫穿孔的開口面積的合計與視野的面積（幾何學的面積），由比率（開口面積/幾何學的面積）而算出，算出各視野（5個部位）中的平均值作為平均開口率。

在本發明中，可藉由包含貫穿孔的平均開口直徑及平均開口率處於所述範圍內的鋁基材、及設於鋁基材的至少其中一個表面的樹脂層而製作外觀及透光性的任意者均優異的成形品。雖然其詳細原因並不明確，但本發明者等人如下所述地進行推測。亦即，由於鋁基材中所存在的貫穿孔的平均開口直徑及平均開口率為所述範圍內，因此變得難以藉由目視確認貫穿孔的存在，另一方面，可見光可透過貫穿孔，因此可並不損及金屬光澤等外觀地使光透過。而且，由於具有樹脂層，變得容易加工為在照明用途中所使用的金屬風格裝飾體等成形品。

其次，使用圖1對本發明的複合體的全體構成加以說明，然後關於具體的各構成而加以說明。圖1A及圖1B中所示的複合體10包含於厚度方向上具有多個貫穿孔5的鋁基材3、及設於鋁基材3的其中一個表面的樹脂層6。此處，圖1B所示的複合體10雖然貫穿孔5的孔壁面具有相對於鋁基材3的表面而垂直的表面，但在本發明中，亦可如後述的圖2A及圖2B所示那樣，貫穿孔的孔壁面具有凹凸形狀。而且，圖1B所示的複合體10雖然於鋁基材3的其中一個表面設有樹脂層6，但在本發明中，亦可如後述的圖4E所示那樣，於鋁基材3的兩個面具有樹脂層。

[鋁基材] 本發明的複合體所具有的鋁基材若為後述的具有貫穿孔者，則並無特別限定，例如可使用3000系（例如3003材等）、8000系（例如8021材等）等公知的鋁合金。作為此種鋁合金，例如可使用下述表1中所示的合金編號的鋁合金。

[表1]

＜貫穿孔＞所述鋁基材所具有的貫穿孔如下所示，貫穿孔的平均開口直徑為0.1 μm～100 μm，而且貫穿孔的平均開口率為1%～50%。此處，自與後述的樹脂層的密接性、抗拉強度、貫穿孔的視認性等觀點考慮，貫穿孔的平均開口直徑較佳為1 μm～100 μm，更佳為1 μm～70 μm，進而較佳為1 μm～40 μm。而且，自與後述的樹脂層的密接性、抗拉強度、透光性等觀點考慮，貫穿孔的平均開口率較佳為2%～45%，更佳為2%～30%，進而較佳為5%～30%，特佳為10%～30%。

在本發明中，自透光性變得更良好的理由考慮，較佳為在相對於鋁基材的表面而垂直的方向上切斷的剖面中的貫穿孔的平均有效直徑為700 nm以上，更佳為800 nm以上，進而較佳為1 μm～100 μm。此處，所謂「平均有效直徑」是指在相對於鋁基材的表面而垂直的方向切斷的剖面中的貫穿孔的孔壁面間的最短距離，其是指如圖2A及圖2B所示那樣垂線a與垂線b的距離X的平均值，所述垂線a是在貫穿孔的左壁面中，距基準線A的距離成為最大的點3a上的垂線a，所述垂線b是在貫穿孔的右孔壁面中，距基準線B的距離成為最大的點3b上的垂線b。在本發明中，平均有效直徑是在鋁基材的其中一個面側設置平行光光學單元，使平行光透過，自鋁基材的另一個面，使用光學顯微鏡以100倍的倍率對鋁基材的表面進行攝影，獲得相片。關於所獲得的相片的10 cm×10 cm的範圍中的100 mm×75 mm的視野（5部位），在各視野中抽選20個藉由所透過的平行光而投影的貫穿孔。測定所抽選的合計100個貫穿孔的直徑，算出該些的平均值而作為平均有效直徑。

＜厚度＞所述鋁基材的平均厚度較佳為5 m～1000 μm，自操作性的觀點考慮，更佳為5 μm～50 μm，進而較佳為8 μm～30 μm。此處，鋁基材的平均厚度是指使用接觸式膜厚測定計（數位電子測微計），測定任意5點的厚度的平均值。

[樹脂層] 本發明的複合體所具有的樹脂層若為藉由具有透明性的樹脂材料而形成的層，則並無特別限定，樹脂材料例如可列舉聚酯、聚烯烴等。作為聚酯，具體而言例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯等。作為其他樹脂材料，具體而言例如可列舉聚醯胺、聚醚、聚苯乙烯、聚酯醯胺、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚酯、聚氯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯等。此處，所謂「具有透明性」是表示可見光的透過率為60%以上，較佳為80%以上，特佳為90%以上。

＜厚度＞自操作性及加工性的觀點考慮，所述樹脂層的平均厚度較佳為12 μm～200 μm，更佳為12 μm～100 μm，進而較佳為25 μm～100 μm，特佳為50 μm～100 μm。此處，樹脂層的平均厚度是指使用接觸式膜厚測定計（數位電子測微計），測定任意5點的厚度的平均值。

[複合體的製造方法] 本發明的複合體的製造方法並無特別限定，例如可列舉包含如下步驟的方法（以下，亦略稱為「製造方法A」）：皮膜形成步驟，於鋁基材的至少其中一個表面形成氫氧化鋁皮膜；貫穿孔形成步驟，於形成皮膜形成步驟之後，進行貫穿孔形成處理而形成貫穿孔；皮膜除去步驟，於貫穿孔形成步驟之後，將氫氧化鋁皮膜除去；樹脂層形成步驟，於皮膜除去步驟之後，於具有貫穿孔的鋁基材的至少其中一個表面形成樹脂層；可列舉包含如下步驟的方法（以下，亦略稱為「製造方法B」）：樹脂層形成步驟，於鋁基材的其中一個表面形成樹脂層；皮膜形成步驟，於樹脂層形成步驟之後，於未設置樹脂層之側的鋁基材的表面形成氫氧化鋁皮膜；貫穿孔形成步驟，於皮膜形成步驟之後，進行貫穿孔形成處理而形成貫穿孔；皮膜除去步驟，於貫穿孔形成步驟之後，將氫氧化鋁皮膜除去；等方法。該些方法中較佳為製造方法A。

其次，使用圖3A～圖3E及圖4A～圖4E以及圖5A～圖5E而說明複合體的製造方法的各步驟之後，關於各步驟而加以詳述。

圖3A～圖3E及圖4A～圖4E是表示複合體的製造方法A的適宜的實施方式的一例的示意性剖面圖。複合體的製造方法A是如圖3A～圖3E及圖4A～圖4E所示那樣包含如下步驟的製造方法：皮膜形成步驟（圖3A及圖3B，圖4A及圖4B），對鋁基材1的其中一個表面（在圖4所示的實施方式中為兩個面）實施皮膜形成處理，形成氫氧化鋁皮膜2；貫穿孔形成步驟（圖3B及圖3C，圖4B及圖4C），於皮膜形成步驟之後實施電解溶解處理而形成貫穿孔5，製作包含具有貫穿孔的鋁基材3及具有貫穿孔的氫氧化鋁皮膜4的積層體；皮膜除去步驟（圖3C及圖3D，圖4C及圖4D），於貫穿孔形成步驟之後，將具有貫穿孔的氫氧化鋁皮膜4除去，製作具有貫穿孔的鋁基材3；樹脂層形成步驟（圖3D及圖3E，圖4D及圖4E），於皮膜除去步驟之後，在具有貫穿孔的鋁基材3的其中一個表面（在圖4所示的實施方式中為兩個面）形成樹脂層6，製作複合體。

圖5A～圖5E是表示複合體的製造方法B的適宜的實施方式的一例的示意性剖面圖。複合體的製造方法B是如圖5A～圖5E所示那樣包含如下步驟的製造方法：樹脂層形成步驟（圖5A及圖5B），對於鋁基材1的其中一個表面形成樹脂層6；皮膜形成步驟（圖5B及圖5C），對於鋁基材1的並未形成樹脂層6之側的表面實施皮膜形成處理，形成氫氧化鋁皮膜2；貫穿孔形成步驟（圖5C及圖5D），於皮膜形成步驟之後，實施電解溶解處理而形成貫穿孔5，製作包含具有貫穿孔的鋁基材3、具有貫穿孔的氫氧化鋁皮膜4與並未具有貫穿孔的樹脂層6的積層體；皮膜除去步驟（圖5D及圖5E），於貫穿孔形成步驟之後，將具有貫穿孔的氫氧化鋁皮膜4除去，製作包含具有貫穿孔的鋁基材3與並未具有貫穿孔的樹脂層6的複合體。

[皮膜形成步驟] 皮膜形成步驟是於鋁基材的表面實施皮膜形成處理，形成氫氧化鋁皮膜的步驟。

＜皮膜形成處理＞所述皮膜形成處理並無特別限定，例如可實施與現有公知的氫氧化鋁皮膜的形成處理同樣的處理。作為皮膜形成處理，例如可適宜採用日本專利特開2011-201123號公報的段落[0013]～段落[0026]中所記載的條件或裝置。

在本發明中，皮膜形成處理的條件可根據所使用的電解液而進行各種變化，因此並不一概而定，但通常適當的是電解液濃度為1質量%～80質量%、液溫為5℃～70℃、電流密度為0.5 A/dm² ～60 A/dm² 、電壓為1 V～100 V、電解時間為1秒～20分鐘，以成為所期望的皮膜量的方式進行調整。

在本發明中，較佳為使用硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸或草酸、或者該些酸的兩種以上的混酸作為電解液而進行電化學處理。在含有硝酸或鹽酸的電解液中進行電化學處理的情況下，可於鋁基材與相對電極之間施加直流電，亦可施加交流電。在對鋁基材施加直流電的情況下，電流密度較佳為1 A/dm² ～60 A/dm² ，更佳為5 A/dm² ～50 A/dm² 。在連續性進行電化學處理的情況下，較佳為藉由經由電解液對鋁基材供電的液體供電方式而進行。

在本發明中，藉由皮膜形成處理而形成的氫氧化鋁皮膜的量較佳為0.05 g/m² ～50 g/m² ，更佳為0.1 g/m² ～10 g/m² 。

[貫穿孔形成步驟] 貫穿孔形成步驟是於皮膜形成步驟之後實施電解溶解處理，形成貫穿孔的步驟。

＜電解溶解處理＞所述電解溶解處理並無特別限定，可使用直流電或交流電，在電解液中使用酸性溶液。其中，較佳為使用硝酸及鹽酸的至少一種酸而進行電化學處理，更佳為使用在該些酸中加入硫酸、磷酸及草酸的至少一種以上酸而成的混酸而進行電化學處理。

在本發明中，作為電解液的酸性溶液，除了所述酸以外，亦可使用美國專利第4,671,859號、美國專利第4,661,219號、美國專利第4,618,405號、美國專利第4,600,482號、美國專利第4,566,960號、美國專利第4,566,958號、美國專利第4,566,959號、美國專利第4,416,972號、美國專利第4,374,710號、美國專利第4,336,113號、美國專利第4,184,932號的各說明書等中所記載的電解液。

酸性溶液的濃度較佳為0.1質量%～2.5質量%，特佳為0.2質量%～2.0質量%。而且，酸性溶液的液溫較佳為20℃～80℃，更佳為30℃～60℃。

而且，以所述酸為主體的水溶液可於濃度為1 g/L～100 g/L的酸的水溶液中，於自1 g/L直至飽和的範圍內添加硝酸鋁、硝酸鈉、硝酸銨等具有硝酸根離子的硝酸化合物或氯化鋁、氯化鈉、氯化銨等具有鹽酸根離子的鹽酸化合物、硫酸鋁、硫酸鈉、硫酸銨等具有硫酸根離子的硫酸化合物的至少一種而使用。此處，所謂「以……為主體」是指在相對於水溶液中所添加的成分全體而含有30質量%以上、較佳為50質量%以上的水溶液中成為主體的成分。以下，於其他成分中亦同樣。而且，於以所述酸為主體的水溶液中，亦可溶解有鐵、銅、錳、鎳、鈦、鎂、二氧化矽等鋁合金中所含的金屬。較佳為使用於酸的濃度為0.1質量%～2質量%的水溶液中，以鋁離子成為1 g/L～100 g/L的方式添加有氯化鋁、硝酸鋁、硫酸鋁等的液體的方法較佳。

於電化學溶解處理中主要使用直流電流，但在使用交流電流的情況下，該交流電源波並無特別限定，可使用正弦波、矩形波、梯形波、三角波等，其中較佳為矩形波或梯形波，特佳為梯形波。

（硝酸電解）在本發明中，可藉由使用以硝酸為主體的電解液的電化學溶解處理（以下，亦略稱為「硝酸溶解處理」）而容易地形成平均開口直徑成為0.1 μm以上、不足100 μm的貫穿孔。此處，作為硝酸溶解處理，自容易控制形成貫穿孔的溶解點的理由考慮，較佳為在使用直流電流，將平均電流密度設為5 A/dm² 以上，且將電量設為50 C/dm² 以上的條件下實施的電解處理。再者，平均電流密度較佳為100 A/dm² 以下，電量較佳為10000 C/dm² 以下。而且，硝酸電解中的電解液的濃度或溫度並無特別限定，可使用高濃度、例如硝酸濃度為15質量%～35質量%的硝酸電解液而在30℃～60℃下進行電解，或者使用硝酸濃度為0.7質量%～2質量%的硝酸電解液而在高溫、例如80℃以上進行電解。而且，可使用在所述硝酸電解液中混合有濃度為0.1質量%～50質量%的硫酸、草酸、磷酸的至少一種的電解液而進行電解。

（鹽酸電解）在本發明中，亦可藉由使用以鹽酸為主體的電解液的電化學溶解處理（以下，亦略稱為「鹽酸溶解處理」）而容易地形成平均開口直徑成為1 μm以上、不足100 μm的貫穿孔。此處，作為鹽酸溶解處理，自容易控制形成貫穿孔的溶解點的理由考慮，較佳為在使用直流電流，將平均電流密度設為5 A/dm² 以上，且將電量設為50 C/dm² 以上的條件下實施的電解處理。再者，平均電流密度較佳為100 A/dm² 以下，電量較佳為10000 C/dm² 以下。而且，鹽酸電解中的電解液的濃度或溫度並無特別限定，可使用高濃度、例如鹽酸濃度為10質量%～35質量%的鹽酸電解液而在30℃～60℃下進行電解，或者使用鹽酸濃度為0.7質量%～2質量%的鹽酸電解液而在高溫、例如80℃以上進行電解。而且，可使用在所述鹽酸電解液中混合有濃度為0.1質量%～50質量%的硫酸、草酸、磷酸的至少一種的電解液而進行電解。

[皮膜除去步驟] 皮膜除去步驟是進行化學性溶解處理而除去氫氧化鋁皮膜的步驟。所述皮膜除去步驟例如可藉由實施後述的酸蝕刻處理或鹼蝕刻處理而將氫氧化鋁皮膜除去。

＜酸蝕刻處理＞所述溶解處理是使用與鋁相比而言更優先溶解氫氧化鋁的溶液（以下稱為「氫氧化鋁溶解液」）而使氫氧化鋁皮膜溶解的處理。

此處，作為氫氧化鋁溶解液，例如較佳為含有選自由硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸、草酸、鉻化合物、鋯系化合物、鈦系化合物、鋰鹽、鈰鹽、鎂鹽、矽氟化鈉、氟化鋅、錳化合物、鉬化合物、鎂化合物、鋇化合物及鹵素單質所組成的群組的至少一種的水溶液。

具體而言，鉻化合物例如可列舉氧化鉻（III）、無水鉻（VI）酸等。鋯系化合物例如可列舉氟鋯酸銨、氟化鋯、氯化鋯。鈦化合物例如可列舉氧化鈦、硫化鈦。鋰鹽例如可列舉氟化鋰、氯化鋰。鈰鹽例如可列舉氟化鈰、氯化鈰。鎂鹽例如可列舉硫化鎂。錳化合物例如可列舉高錳酸鈉、高錳酸鈣。鉬化合物例如可列舉鉬酸鈉。鎂化合物例如可列舉氟化鎂五水合物。鋇化合物例如可列舉氧化鋇、乙酸鋇、碳酸鋇、氯酸鋇、氯化鋇、氟化鋇、碘化鋇、乳酸鋇、草酸鋇、過氯酸鋇、硒酸鋇、亞硒酸鋇、硬脂酸鋇、亞硫酸鋇、鈦酸鋇、氫氧化鋇、硝酸鋇、或該等的水合物等。所述鋇化合物中，較佳為氧化鋇、乙酸鋇、碳酸鋇，特佳為氧化鋇。作為鹵素單質，例如可列舉氯、氟、溴。

其中，所述氫氧化鋁溶解液較佳為含有酸的水溶液，酸可列舉硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸、草酸等，亦可為兩種以上酸的混合物。其中，較佳為使用硝酸而作為酸。酸濃度較佳為0.01 mol/L以上，更佳為0.05 mol/L以上，進而較佳為0.1 mol/L以上。雖然上限並無特別設定，但一般情況下較佳為10 mol/L以下，更佳為5 mol/L以下。

溶解處理可藉由使形成有氫氧化鋁皮膜的鋁基材與所述溶解液接觸而進行。接觸的方法並無特別限定，例如可列舉浸漬法、噴霧法。其中較佳為浸漬法。

浸漬法是將形成有氫氧化鋁皮膜的鋁基材浸漬於所述溶解液中的處理。若在浸漬處理時進行攪拌，則進行並無不均的處理，因此較佳。浸漬處理的時間較佳為10分鐘以上，更佳為1小時以上，進而較佳為3小時以上、5小時以上。

＜鹼蝕刻處理＞鹼蝕刻處理是藉由使所述氫氧化鋁皮膜與鹼溶液接觸而使表層溶解的處理。

作為鹼溶液中所使用的鹼，例如可列舉苛性鹼、鹼金屬鹽。具體而言，苛性鹼例如可列舉氫氧化鈉（苛性鈉）、苛性鉀。而且，鹼金屬鹽例如可列舉偏矽酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鉀、矽酸鉀等鹼金屬矽酸鹽；碳酸鈉、碳酸鉀等鹼金屬碳酸鹽；鋁酸鈉、鋁酸鉀等鹼金屬鋁酸鹽；葡萄糖酸鈉、葡萄糖酸鉀等鹼金屬醛糖酸鹽；磷酸氫二鈉、磷酸氫二鉀、磷酸鈉、磷酸鉀等鹼金屬磷酸氫鹽。其中，自蝕刻速度快的方面及廉價的方面考慮，較佳為苛性鹼的溶液、及含有苛性鹼與鹼金屬鋁酸鹽此兩者的溶液。特佳為氫氧化鈉的水溶液。

鹼溶液的濃度較佳為0.1質量%～50質量%，更佳為0.2質量%～10質量%。在鹼溶液中溶解有鋁離子的情況下，鋁離子的濃度較佳為0.01質量%～10質量%，更佳為0.1質量%～3質量%。鹼溶液的溫度較佳為10℃～90℃。處理時間較佳為1秒～120秒。

作為使氫氧化鋁皮膜與鹼溶液接觸的方法，例如可列舉：使形成有氫氧化鋁皮膜的鋁基材通過放入有鹼溶液的槽中的方法、使形成有氫氧化鋁皮膜的鋁基材浸漬於放入有鹼溶液的槽中的方法、將鹼溶液噴於形成有氫氧化鋁皮膜的鋁基材的表面（氫氧化鋁皮膜）的方法。

[樹脂層形成步驟] 樹脂層形成步驟在製造方法A中是於皮膜除去步驟之後，於具有貫穿孔的鋁基材的表面形成樹脂層的步驟；在製造方法B中是於並未具有貫穿孔的鋁基材上形成樹脂層的步驟。形成樹脂層的方法並無特別限定，例如可列舉乾式層壓、濕式層壓、擠出層壓、膨脹層壓法等。如上所述，樹脂層的平均厚度為12 μm～200 μm（特別是25 μm～100 μm）的實施方式、及鋁基材的平均厚度為5 μm～1000 μm的實施方式是較佳的實施方式，因此該些方法中較佳為藉由乾式層壓而形成樹脂層的方法。作為乾式層壓，例如可適宜採用日本專利特開2013-121673號公報的段落[0067]～段落[0078]中所記載的條件或裝置。 [實施例]

以下，基於實施例而對本發明加以更詳細的說明。以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不偏離本發明的主旨，則可適宜地變更。因此，本發明的範圍並不由以下所示的實施例而限定性解釋。

[實施例1] ＜鋁基材的製作＞對平均厚度為20 μm、大小為200 mm×300 mm的鋁基材（JIS H-4160、合金編號：1085-H、鋁純度：99.85%）的表面實施以下所示的處理，製作具有貫穿孔的鋁基材。（a1）氫氧化鋁皮膜形成處理（皮膜形成步驟）使用保溫為50℃的電解液（硝酸濃度為1%、硫酸濃度為0.2%、鋁濃度為0.5%），將所述鋁基材作為陰極，實施電解處理，於鋁基材上形成氫氧化鋁皮膜。再者，藉由直流電源進行電解處理。直流電流密度設為33 A/dm² ，施加30秒。在形成氫氧化鋁皮膜後，進行利用噴霧的水洗。藉由SEM觀察利用聚焦離子束（Focused Ion Beam，FIB）切割加工而切出的剖面而測定氫氧化鋁皮膜的厚度，結果是1.5 μm。（b1）電解溶解處理（貫穿孔形成步驟）其次，使用保溫為50℃的電解液（硝酸濃度為1%、硫酸濃度為0.2%、鋁濃度為0.5%），將鋁基材作為陽極，將電流密度設為25 A/dm² ，在電量總和為700 C/dm² 的條件下實施電解處理，在鋁基材及氫氧化鋁皮膜上形成貫穿孔。再者，藉由直流電源而進行電解處理。在形成貫穿孔後，進行利用噴霧的水，然後使其乾燥。（c1）氫氧化鋁皮膜的除去處理（皮膜除去步驟）其次，將電解溶解處理後的鋁基材在氫氧化鈉濃度為5質量%、鋁離子濃度為0.5質量%的水溶液（液溫為35℃）中浸漬30秒後，在硫酸濃度為30%、鋁離子濃度為0.5質量%的水溶液（液溫為50℃）中浸漬20秒，藉此溶解氫氧化鋁皮膜而將其除去。其後，進行利用噴霧的水，然後使其乾燥，藉此製作具有貫穿孔的鋁基材。

＜複合體的製作（樹脂層的形成）＞使用厚度為100 μm的PET作為樹脂層，藉由日本專利特開2013-121673號公報中所記載的方法，於所述製作的鋁基材上層壓樹脂層，製作複合體。製作後的樹脂層的厚度為100 μm。

[實施例2] 在實施例1的電解溶解處理（b1）中，將電量的總和變更為850 C/dm² ，除此以外藉由與實施例1同樣的方法而製作複合體。

[實施例3] 在實施例1的電解溶解處理（b1）中，將電量的總和變更為1400 C/dm² ，除此以外藉由與實施例1同樣的方法而製作複合體。

[實施例4] 在實施例1的電解溶解處理（b1）中，將電量的總和變更為1800 C/dm² ，除此以外藉由與實施例1同樣的方法而製作複合體。

[比較例1] 依據國際公開第2008/078777號中所記載的方法而製作鋁基材。具體而言，對於結晶配向一致的鋁箔（厚度為20 μm），調整鹽酸電解液的溫度與電解處理的電量，製作具有平均開口直徑為3 μm的貫穿孔的鋁基材。除了使用所製作的鋁基材以外，藉由與實施例1同樣的方法形成樹脂層而製作複合體。

[比較例2] 依據國際公開第2008/078777號中所記載的方法而製作鋁基材。具體而言，於硬質鋁箔（厚度為20 μm）的表面，藉由抗蝕劑印刷而形成圖案，藉由鹼處理液實施化學蝕刻處理，藉此製作具有平均開口直徑為110 μm的貫穿孔的鋁基材。除了使用所製作的鋁基材以外，藉由與實施例1同樣的方法形成樹脂層而製作複合體。

[比較例3] 依據國際公開第2008/078777號中所記載的方法而製作鋁基材。具體而言，對於硬質鋁箔（厚度為20 μm），藉由沖孔模頭機械性地形成貫穿孔（平均開口直徑為300 μm），製作鋁基材。除了使用所製作的鋁基材以外，藉由與實施例1同樣的方法形成樹脂層而製作複合體。

[實施例5] 藉由與比較例1同樣的方法而製作鋁基材之後，將其於氫氧化鈉濃度為5質量%、鋁離子濃度為0.5質量%的水溶液（液溫為35℃）中浸漬120秒之後，於硫酸濃度為30%、鋁離子濃度為0.5質量%的水溶液（液溫為50℃）中浸漬20秒，藉此製作具有平均開口直徑為15 μm的貫穿孔的鋁基材。除了使用所製作的鋁基材以外，藉由與實施例1同樣的方法形成樹脂層而製作複合體。

[實施例6] 於平均厚度為9.0 μm、大小為200 mm×300 mm的鋁基材（JIS H-4160、合金編號：1085-H、鋁純度：99.85%）的其中一個表面，藉由日本專利特開2013-121673號公報中所記載的方法層壓厚度為125 μm的PET而作為樹脂層。其後，實施以下所示的處理而製作複合體。（a2）氫氧化鋁皮膜形成處理（皮膜形成步驟）使用保溫為50℃的電解液（硝酸濃度為1%、硫酸濃度為0.2%、鋁濃度為0.5%），將鋁基材作為陰極，實施電解處理，於未設置PET之側的鋁基材的表面形成氫氧化鋁皮膜。再者，藉由直流電源而進行電解處理。直流電流密度設為55 A/dm² ，施加30秒。於形成氫氧化鋁皮膜後進行利用噴霧的水洗。藉由SEM觀察利用聚焦離子束（FIB）切割加工而切出的剖面而測定氫氧化鋁皮膜的厚度，結果是1.5 μm。（b2）電解溶解處理（貫穿孔形成步驟）其次，使用保溫為50℃的電解液（硝酸濃度為1%、硫酸濃度為0.2%、鋁濃度為0.5%），將鋁基材作為陽極，將電流密度設為35 A/dm² ，在電量總和為400 C/dm² 的條件下實施電解處理，在鋁基材及氫氧化鋁皮膜上形成貫穿孔。再者，藉由直流電源而進行電解處理。在形成貫穿孔後，進行利用噴霧的水，然後使其乾燥。（c2）氫氧化鋁皮膜的除去處理（皮膜除去步驟）其次，將電解溶解處理後的鋁基材在氫氧化鈉濃度為35質量%、鋁離子濃度為0.5質量%的水溶液（液溫為35℃）中浸漬25秒，然後在硫酸濃度為30%、鋁離子濃度為0.5質量%的水溶液（液溫為50℃）中浸漬20秒，藉此溶解氫氧化鋁皮膜而將其除去。其後，進行利用噴霧的水洗，使其乾燥，藉此製作於具有貫穿孔的鋁基材上設有PET的複合體。

關於實施例1～實施例6及比較例1～比較例3中所製作的各複合體中的鋁基材的厚度、貫穿孔的平均開口率、平均開口直徑及平均有效直徑、以及樹脂層的厚度，將藉由所述方法而測定的值表示於下述表2中。

[評價] ＜外觀＞設置所製作的複合體、及於複合體的樹脂層側的下部離開1 cm的位置設置記載有直徑為2 cm的文字的PET片材。其次，在照度基準中的照度為1000勒克司的明環境下，自藉由相對於複合體傾斜45度的角度離開50 cm的位置，實施觀測者是否可識別PET片材上所書寫的文字的試驗。以10人實施所述試驗，藉由以下基準進行評價。再者，於實用上較佳的是評價為1或2。 1：可識別文字的人數為0人 2：可識別文字的人數為1人～2人 3：可識別文字的人數為3人～5人 4：可識別文字的人數為5人～10人

＜透光性＞在與所述外觀的試驗同樣的環境下，進而於PET片材的下部的離開4 cm的位置配置發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）燈（SG-355B：GENTOS公司製造），使其點亮，實施觀測者是否可識別PET片材上所書寫的文字的試驗。以10人實施所述試驗，藉由以下基準進行評價。再者，於實用上較佳的是評價為1～3，更佳為1或2。 1：可識別文字的人數為9～10人 2：可識別文字的人數為6～8人 3：可識別文字的人數為2～5人 4：可識別文字的人數為0～1人

[表2]

如所述表2所示，可知貫穿孔的平均開口率小於1%的複合體雖然外觀良好，但透光性差，綜合評價變差（比較例1）。而且，可知貫穿孔的平均開口直徑大於100 μm的複合體雖然透光性良好，但外觀差，綜合評價變差（比較例2及3）。相對於此，可知貫穿孔的平均開口直徑為0.1 μm～100 μm，貫穿孔的平均開口率為1%～50%的複合體的外觀及透光性均變良好，綜合評價變良好（實施例1～實施例6）。而且，根據實施例1～實施例4與實施例5的對比可知：若平均有效直徑為700 nm（0.7 μm）以上，則透光性變得更良好，綜合評價成為A。 [產業上的可利用性]

本發明的複合體除了照明用途中所使用的金屬風格裝飾體等成形品的用途以外，亦可用於光觸媒承載體、氫產生觸媒載體、酶電極、貴金屬吸收材料的載體、抗菌用載體、吸附劑、吸收劑、濾光片、遠紅外線截止濾光片、隔音/吸音材料、電磁波遮罩、建築用材料等中。

1‧‧‧鋁基材
2‧‧‧氫氧化鋁皮膜
3‧‧‧具有貫穿孔的鋁基材
3a、3b‧‧‧起點
4‧‧‧具有貫穿孔的氫氧化鋁皮膜
5‧‧‧貫穿孔
6‧‧‧樹脂層
10‧‧‧複合體
a、b‧‧‧垂線
A、B‧‧‧基準線
X‧‧‧垂線a與垂線b的距離

圖1A是表示本發明的複合體的一例的示意性俯視圖。圖1B是圖1A的B-B線剖面圖。圖2A是用以說明貫穿孔的平均有效直徑的鋁基材的剖面圖。圖2B是用以說明貫穿孔的平均有效直徑的其他鋁基材的剖面圖。圖3A是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的一例的示意性剖面圖中的鋁基材的示意性剖面圖。圖3B是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的一例的示意性剖面圖中的、表示對鋁基材實施皮膜形成處理，於表面形成氫氧化鋁皮膜的狀態的示意性剖面圖。圖3C是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的一例的示意性剖面圖中的、表示在皮膜形成處理後實施電化學溶解處理，於鋁基材及氫氧化鋁皮膜上形成貫穿孔的狀態的示意性剖面圖。圖3D是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的一例的示意性剖面圖中的、表示在電化學的溶解處理後將氫氧化鋁皮膜除去後的狀態的示意性剖面圖。圖3E是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的一例的示意性剖面圖中的、表示將氫氧化鋁皮膜除去後，在其中一個表面形成樹脂層的狀態的示意性剖面圖。圖4A是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的鋁基材的示意性剖面圖。圖4B是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的、表示對鋁基材實施皮膜形成處理，在表面及背面形成氫氧化鋁皮膜的狀態的示意性剖面圖。圖4C是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的、表示在皮膜形成處理後實施電化學溶解處理，於鋁基材及氫氧化鋁皮膜形成貫穿孔的狀態的示意性剖面圖。圖4D是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的、表示在電化學溶解處理後除去氫氧化鋁皮膜後的狀態的示意性剖面圖。圖4E是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的、表示除去氫氧化鋁皮膜後，在兩個面形成樹脂層的狀態的示意性剖面圖。圖5A是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的鋁基材的示意性剖面圖。圖5B是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的、表示在鋁基材的其中一個表面形成樹脂層的狀態的示意性剖面圖。圖5C是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的、表示對並未形成樹脂層之側的鋁基材的表面實施皮膜形成處理，在表面形成氫氧化鋁皮膜的狀態的示意性剖面圖。圖5D是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的、表示於皮膜形成處理後實施電化學溶解處理，於鋁基材及氫氧化鋁皮膜形成貫穿孔的狀態的示意性剖面圖。圖5E是用以說明本發明的複合體的適宜的製造方法的其他一例的示意性剖面圖中的、表示於電化學溶解處理後除去氫氧化鋁皮膜後的狀態的示意性剖面圖。

3‧‧‧具有貫穿孔的鋁基材

5‧‧‧貫穿孔

6‧‧‧樹脂層

10‧‧‧複合體

Claims

一種複合體，其包含於厚度方向上具有多個貫穿孔的鋁基材、及設於所述鋁基材的至少其中一個表面的樹脂層，所述貫穿孔的平均開口直徑為0.1 μm～100 μm，所述貫穿孔的平均開口率為1%～50%。
如申請專利範圍第1項所述的複合體，其中，在相對於所述鋁基材的表面而垂直的方向上切斷的剖面中的所述貫穿孔的平均有效直徑為700 nm以上。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的複合體，其中，所述樹脂層的平均厚度為12 μm～200 μm。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的複合體，其中，所述鋁基材的平均厚度為5 μm～1000 μm。
如申請專利範圍第3項所述的複合體，其中，所述鋁基材的平均厚度為5 μm～1000 μm。