TW201809750A - 光學膜形成方法、電腦記憶媒體及光學膜形成裝置 - Google Patents
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Abstract
在基板適當地形成光學膜。
將偏光膜用塗佈液塗佈於玻璃基板,形成直線偏光膜(工程S1)。對直線偏光膜之周圍的氛圍進行減壓,使該直線偏光膜乾燥(工程S2)。對直線偏光膜進行加熱(工程S3)。對被形成於玻璃基板之畫素區域的直線偏光膜選擇性地塗佈固著材料,使該畫素區域的直線偏光膜固著(工程S4)。將洗淨液供給至玻璃基板,選擇性地去除在工程S4中未固著的直線偏光膜(工程S5)。
Description
本發明,係關於在基板形成光學膜之光學膜形成方法、程式、電腦記憶媒體及用以執行該光學膜形成方法之光學膜形成裝置。
在例如有機發光二極體(OLED:Organic Light Emitting Diode)中,為了防止外光之反射而使用圓偏光板。圓偏光板,係以使偏光軸以45度交叉的方式,層積直線偏光板與波長板(相位差板)而製作。又,在液晶顯示器(LCD:Liquid Crystal Display)中,亦為了控制顯示中之旋光性或雙折射性,而使用些直線偏光板與波長板。
又,有以使其偏光軸傾斜15度或75度之方式,僅形成例如波長板的情況。因此,必需以任意角度形成偏光板或波長板。而且,為了使偏光板或波長板的偏光軸以任意角度交叉,亦必需個別地形成偏光板或波長板。
以往,像這樣的偏光板或波長板,係使用例如延伸薄膜而製作。延伸薄膜,係以使薄膜往一方向延伸並貼附的方式,使其材料中之分子配向於一方向者。
然而,近年來,伴隨著OLED或LCD之薄型化,亦尋求偏光板或波長板的薄膜化。然而,在製作偏光板或波長板時,在如以往般地使用了延伸薄膜的情況下,對於縮小該延伸薄膜本身之膜厚具有極限,從而無法獲得充分的薄膜。
因此,在基板上塗佈具有預定材料的塗佈液而形成必需之膜厚的偏光板或波長板,藉此,可謀求薄膜化。具體而言,係將具有作為例如預定材料之液晶性的塗佈液塗佈於基板,並使其流延.配向。液晶化合物,係在塗佈液中形成超分子聚集體,當一面施加剪切應力,一面使塗佈液流動時,則超分子聚集體之長軸方向便配向於流動方向。
作為該塗佈液之塗佈方法,在例如專利文獻1中,係揭示有一面使用塗佈治具施加剪切應力,一面將塗佈液塗佈於基板整面的方法。作為塗佈治具,係列舉有例如狹縫噴嘴、塗佈輥、刮刀、塗佈棒等。
[專利文獻1]美國特許第6174394號公報
在此,在製作例如圓偏光板的情況下,直線偏光板與波長板,係只要僅被形成於基板之預定區域例如畫素區域即可。然而,在專利文獻1所記載的方法中,係將塗佈液塗佈於基板的整面,基板之畫素區域以外亦塗佈有塗佈液。在畫素區域的周圍,係設置有端子等,當塗佈液被塗佈於端子上時,則該端子有不能適當地發揮功能之虞。
本發明,係有鑑於該點而進行研究者,以在基板適當地形成光學膜為目的。
為了達成前述之目的,本發明,係一種在基板形成光學膜的形成方法,其特徵係,具有:第1工程,將包含有光學材料的塗佈液塗佈於基板整面,形成光學膜;及第2工程,對被形成於基板之預定區域的前述光學膜選擇性地塗佈固著材料,使該預定區域的前述光學膜固著。
在本發明之第1工程中,雖係將塗佈液塗佈於基板,但難以一面施加剪切應力,一面將塗佈液僅塗佈於預定區域。因此,在第1工程中,係將塗佈液塗佈於基板整面。另一方面,當光學膜被形成於基板的預定區域以外時,則如上述般,有對位於預定區域之周圍的部位產生影
響之虞。因此,在第2工程中,將固著材料選擇性地塗佈於預定區域的光學膜,使該預定區域的光學膜固著於基板。如此一來,其後,選擇性地去除未固著之光學膜,藉此,可僅在預定區域形成光學膜。因此,既可發揮預定區域之光學膜的功能,亦可發揮位於預定區域之周圍之零件的功能。
在前述光學膜形成方法中,係亦可在前述第2工程中,以噴墨方式,將前述固著材料選擇性地塗佈於前述預定區域的光學膜。
在前述光學膜形成方法中,亦可在前述第2工程後,去除未固著的前述光學膜。
在前述光學膜形成方法中,亦可在前述第1工程後且前述第2工程之前,對前述光學膜之周圍的氛圍進行減壓,使該光學膜乾燥。
根據另一觀點之本發明,提供一種以藉由塗佈處理裝置執行前述塗佈處理方法的方式,在控制該塗佈處理裝置之控制部的電腦上進行動作的程式。
又,根據另一觀點之本發明,提供一種儲存有前述程式之可讀取之電腦記憶媒體。
而且,另一觀點之本發明,係一種在基板形成光學膜的光學膜形成裝置,其特徵係,具有:塗佈處理部,將包含有光學材料的塗佈液塗佈於基板整面,形成光學膜;及膜固著部,對被形成於基板之預定區域的前述光學膜選擇性地塗佈固著材料,使該預定區域的前述光學膜
固著。
在前述光學膜形成裝置中,前述膜固著部,係亦可以噴墨方式,將前述固著材料選擇性地塗佈於前述預定區域的光學膜。
前述光學膜形成裝置,係亦可更具有:膜去除部,在藉由前述膜固著部使前述預定區域的光學膜固著後,去除未固著的前述光學膜。
前述光學膜形成裝置,係亦可更具有:減壓乾燥部,在藉由前述塗佈處理部形成了前述光學膜後且藉由前述膜固著部使前述預定區域的光學膜固著之前,對前述光學膜之周圍的氛圍進行減壓,使該光學膜乾燥。
根據本發明,可在基板適當地形成光學膜。
10‧‧‧塗佈處理裝置
100‧‧‧減壓乾燥裝置
200‧‧‧搬送區域
300‧‧‧加熱處理裝置
400‧‧‧膜固著裝置
500‧‧‧膜去除裝置
G‧‧‧玻璃基板
P1‧‧‧直線偏光膜(塗佈液)
P2‧‧‧直線偏光膜
Q1‧‧‧λ/4波長膜(塗佈液)
Q2‧‧‧λ/4波長膜
[圖1]表示本實施形態之塗佈處理裝置之構成之概略的橫剖面圖。
[圖2]表示本實施形態之塗佈處理裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖3]表示塗佈噴嘴之構成之概略的立體圖。
[圖4]表示本實施形態之減壓乾燥裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖5]表示本實施形態之塗佈處理裝置、乾燥處理裝置及搬送區域之配置的平面圖。
[圖6]表示本實施形態之加熱處理裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖7]表示本實施形態之膜固著裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖8]表示本實施形態之膜去除裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖9]表示本實施形態之光學膜形成處理之主要工程之例子的流程圖。
[圖10]表示工程S1中之玻璃基板與塗佈噴嘴之動作的說明圖。
[圖11]表示工程S1中之玻璃基板與塗佈噴嘴之動作的說明圖。
[圖12]表示工程S1中之玻璃基板與塗佈噴嘴之動作的說明圖。
[圖13]表示在工程S4中塗佈固著材料而使直線偏光膜之狀態的說明圖。
[圖14]表示在工程S4中使直線偏光膜固著之狀態的說明圖。
[圖15]表示在工程S5中去除了未固著之直線偏光膜之狀態的說明圖。
[圖16]表示在工程S5中去除了未固著之直線偏光膜之狀態的說明圖。
[圖17]表示工程S6中之玻璃基板與塗佈噴嘴之動作的說明圖。
[圖18]表示工程S6中之玻璃基板與塗佈噴嘴之動作的說明圖。
[圖19]表示工程S6中之玻璃基板與塗佈噴嘴之動作的說明圖。
[圖20]表示在工程S9中塗佈固著材料而使λ/4波長膜固著之狀態的說明圖。
[圖21]表示在工程S9中使λ/4波長膜固著之狀態的說明圖。
[圖22]表示在工程S10中去除了未固著之λ/4波長膜之狀態的說明圖。
[圖23]表示在工程S10中去除了未固著之λ/4波長膜之狀態的說明圖。
以下,參閱添加圖式,說明本發明之實施形態。另外,並非藉由以下所示之實施形態來加以限定該發明者。
首先,說明關於本實施形態之光學膜形成裝置的構成。在本實施形態中,係以在製作被使用於OLED之圓偏光板的情況下,在玻璃基板形成直線偏光膜(直線偏光板)
與λ/4波長膜(λ/4波長板)作為光學膜的情況為例而進行說明。另外,在形成直線偏光膜與λ/4波長膜之前的玻璃基板上,係層積並形成有例如複數個有機膜(未圖示)等。
光學膜形成裝置,係有塗佈處理裝置、減壓乾燥裝置、加熱處理裝置、膜固著裝置及膜去除裝置。以下,說明關於該些裝置之構成。另外,在以下所示的圖面中,係為了明確位置關係,而規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向,並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
圖1,係表示塗佈處理裝置之構成之概略的橫剖面圖。圖2,係表示塗佈處理裝置之構成之概略的縱剖面圖。在塗佈處理裝置10中,係將塗佈液塗佈於玻璃基板G的整面。
塗佈處理裝置10,係具有處理容器11。在處理容器11的側面,係形成有玻璃基板G之搬入搬出口(未圖示),在該搬入出口,係設置有開關閘門(未圖示)。
在處理容器11的內部,係設置有作為保持玻璃基板G之保持部的平台20。平台20,係以塗佈液被塗佈於玻璃基板G之表面朝向上方的方式,吸附保持其背面。又,平台20,係於俯視下具有小於玻璃基板G的形狀。
平台20,係被設置於該平台20之下面側,並被安裝於往X軸方向延伸的一對導軌21、21。而且,平台
20,係被構成為沿著導軌21移動自如。又,導軌21,係以至少玻璃基板G之2枚長度以上,往X軸方向延伸。藉此,於俯視下,平台20位於X軸方向負方向之端部的情況下之玻璃基板G(圖中之實線、基板位置A1)與平台20位於X軸方向正方向之端部的情況下之玻璃基板G(圖中之虛線、基板位置A2)不會重疊。在本實施形態中,係該些平台20與導軌21構成本發明之移動機構。另外,移動機構之構成,係不限定於本實施形態,例如可將平台20設成為自走式等,移動機構,係採取任意的構成。
在平台20的上方,係設置有將塗佈液塗佈於被保持在該平台20之玻璃基板G的塗佈噴嘴30。塗佈噴嘴30,係往與被保持在平台20之玻璃基板G的移動方向(X軸方向)相同之方向延伸之長條狀的狹縫噴嘴。如圖3所示,塗佈噴嘴30的下端面,係形成有將塗佈液吐出至玻璃基板G的吐出口31。如圖1及圖2所示,吐出口31,係沿著塗佈噴嘴30之長邊方向(X軸方向),在較玻璃基板G的移動範圍長之範圍亦即較基板位置A1與基板位置A2之間長之範圍延伸之狹縫狀的吐出口。
在塗佈噴嘴30,係設置有移動機構32。移動機構32,係使塗佈噴嘴30往與被保持在平台20之玻璃基板G的移動方向(X軸方向)正交之方向(Y軸方向)移動。塗佈噴嘴30,係在玻璃基板G的Y軸方向負方向側(圖中之實線、噴嘴位置B1)與玻璃基板G的Y軸方向正方向側(圖中之虛線、噴嘴位置B2)之間移動。又,塗佈噴嘴30,係被
構成為藉由移動機構32,亦往垂直方向移動自如。另外,移動機構32之構成,係不限定於本實施形態,移動機構,係採取任意的構成。
如此一來,平台20與塗佈噴嘴30,係往正交方向移動。而且,塗佈噴嘴30,係可將塗佈液塗佈於被保持在平台20的玻璃基板G。又,以控制平台20之移動速度與塗佈噴嘴30之移動速度的方式,可任意地控制被塗佈於玻璃基板G之塗佈液的塗佈方向。
另外,從塗佈噴嘴30所吐出的塗佈液,係包含有光學材料的塗佈液。具體而言,係用以形成直線偏光膜的偏光膜用塗佈液與用以形成λ/4波長膜的波長膜用塗佈液,分別例如含有向液性液晶化合物或向熱性液晶化合物等、任意的液晶化合物作為光學材料。
在平台20及塗佈噴嘴30的下方,係設置有塗佈液之回收部40。回收部40,係上面呈開口,可暫時儲存塗佈液。回收部40之X軸方向的長度,係較塗佈噴嘴30的吐出口31長。又,回收部40之Y軸方向的長度,係較塗佈噴嘴30之移動範圍長,亦即較噴嘴位置B1與噴嘴位置B2之間長。又,在回收部40的下面,係設置有排出所回收之塗佈液的排出管41。而且,從塗佈噴嘴30所吐出且未被塗佈於玻璃基板G而落下至下方的塗佈液,係被回收至回收部40,並從排出管41排出。所回收的塗佈液,係被再利用於其後所處理的玻璃基板G。
在以上的塗佈處理裝置10,係設置有控制部
50。控制部50,係例如電腦,具有程式程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部中,係儲存有控制塗佈處理裝置10中之塗佈處理的程式。該程式,係記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等之電腦可讀取之記憶媒體H者,亦可為由其記憶媒體H安裝於控制部50者。另外,控制部50,係亦控制光學膜形成裝置的其他裝置中之預定處理。
圖4,係表示減壓乾燥裝置之構成之概略的縱剖面圖。在減壓乾燥裝置100中,係對被形成於玻璃基板G的光學膜(直線偏光膜與λ/4波長膜)進行減壓乾燥。
減壓乾燥裝置100,係具有處理容器101。處理容器101,係具有蓋體102與本體103。蓋體102,係被構成為藉由升降機構(未圖示)升降自如。在將玻璃基板G搬入搬出至處理容器101之際,蓋體102,係從本體103往上方分離,在處理容器101的內部進行減壓乾燥處理之際,係蓋體102與本體103成為一體而形成密閉的空間。
在處理容器101的內部,係設置有載置玻璃基板G的載置台110。載置台110,係以使形成有光學膜之表面朝向上方的方式,載置玻璃基板G。又,在處理容器101的底部,係設置有氣體供給部120與排氣部121。氣體供給部120與排氣部121,係夾著載置台110而對向配置。可從氣體供給部120供給惰性氣體,並在玻璃基板G上,使惰性
氣體之氣流通過與玻璃基板G平行的氣流通過方向(X軸方向)。又,以從排氣部121進行排氣的方式,可使處理容器101的內部成為減壓氛圍。
另外,減壓乾燥裝置之構成,係不限定於本實施形態之減壓乾燥裝置100的構成,可任意地採取習知之減壓乾燥裝置的構成。
圖5,係表示塗佈處理裝置、乾燥處理裝置及搬送區域之配置的平面圖。
上述的塗佈處理裝置10與減壓乾燥裝置100,係經由搬送區域200而鄰接配置。在搬送區域200,係設置有搬送玻璃基板G的搬送裝置201。在搬送區域200的內部,係無降流等,且在無風狀態下搬送玻璃基板G。
圖6,係表示加熱處理裝置之構成之概略的縱剖面圖。在加熱處理裝置300中,係對被形成於玻璃基板G的光學膜(直線偏光膜與λ/4波長膜)進行加熱。
加熱處理裝置300,係具有處理容器301。處理容器301,係具有蓋體302與本體303。蓋體302,係被構成為藉由升降機構(未圖示)升降自如。在將玻璃基板G搬入搬出至處理容器301之際,蓋體302,係從本體303往上方分離,在處理容器301的內部進行加熱之際,係蓋體302
與本體303成為一體而形成密閉的空間。在蓋體302的上面中央部,係設置有排氣部304。處理容器301的內部,係從排氣部304予以排氣。
在處理容器301的內部,係設置有載置玻璃基板G的熱板310。熱板310,係以使形成有光學膜之表面朝向上方的方式,載置玻璃基板G。在熱板310,係內建有藉由供電而發熱的加熱器311。
本體303,係具備有:保持構件320,收容熱板310而保持熱板310的外周部;及支撐環321,包圍該保持構件320的外周。
另外,加熱處理裝置之構成,係不限定於本實施形態之加熱處理裝置300的構成,可任意地採取習知之加熱處理裝置的構成。
圖7,係表示膜固著裝置之構成之概略的縱剖面圖。在膜固著裝置400中,係以噴墨方式,將固著材料選擇性地塗佈於預定區域,本實施形態為玻璃基板G之畫素區域。
膜固著裝置400,係具有處理容器401。在處理容器401的側面,係形成有玻璃基板G之搬入搬出口(未圖示),在該搬入出口,係設置有開關閘門(未圖示)。
在處理容器401的內部,係設置有保持玻璃基板G的平台410。平台410,係以固著材料被塗佈於玻璃基
板G之表面朝向上方的方式,吸附保持其背面。
平台410,係被設置於該平台410之下面側,並被安裝於往X軸方向延伸的一對導軌411、411。導軌411,係被設置於往X軸方向延伸的工作台412。而且,平台410,係被構成為沿著導軌21移動自如。
又,導軌411,係夾著後述之塗佈噴嘴420,以至少玻璃基板G之2枚長度以上,往X軸方向延伸。藉此,於俯視下,平台410位於X軸方向負方向之端部的情況下之玻璃基板G(圖中之實線、基板位置C1)與平台410位於X軸方向正方向之端部的情況下之玻璃基板G(圖中之虛線、基板位置C2)不會重疊。
在平台410的上方,係設置有將固著材料塗佈於被保持在該平台410之玻璃基板G的塗佈噴嘴420。塗佈噴嘴420,係例如噴墨噴嘴,可使固著材料選擇性地塗佈於玻璃基板G之預定區域。另外,塗佈噴嘴420,係被構成為藉由移動機構(未圖示),亦往垂直方向移動自如。
另外,從塗佈噴嘴420吐出的固著材料,係只要為使光學膜固著於玻璃基板G之預定區域者,則可使用任意的材料。亦可置換例如光學膜之末端的官能基,抑或產生收縮反應而使其高分子化,並使該光學膜去活化(不溶化)而固著。抑或,亦可使光學膜固化而固著。
又,膜固著裝置之構成,係不限定於本實施形態之膜固著裝置400的構成,可任意地採取習知之噴墨方式之裝置的構成。而且,在膜固著裝置中選擇性地塗佈
固著材料的方法,係不限於噴墨方式,亦可使用其他方法。作為其他方法,亦可在例如預定區域以外區域設置遮罩,從其上方吐出固著材料,藉此,將固著材料選擇性地僅塗佈於預定區域。
圖8,係表示膜去除裝置之構成之概略的縱剖面圖。在膜去除裝置500中,係將洗淨液供給至玻璃基板G,並選擇性地去除在膜固著裝置400中未固著的光學膜(預定區域以外之光學膜)。
膜去除裝置500,係具有處理容器501。在處理容器501的側面,係形成有玻璃基板G之搬入搬出口(未圖示),在該搬入出口,係設置有開關閘門(未圖示)。
在處理容器501的內部,係設置有保持玻璃基板G而使其旋轉的旋轉卡盤510。旋轉卡盤510,係以洗淨液被供給至玻璃基板G之表面朝向上方的方式,吸附保持其背面。又,旋轉卡盤510,係可藉由例如馬達等的轉軸驅動部511以預定速度進行旋轉。
在旋轉卡盤510的周圍,係設置有接收並回收從玻璃基板G飛散或落下之洗淨液的罩杯520。在罩杯520的下面,係連接有:排出管521,排出所回收的固著材料;及排氣管522,對罩杯520內的內部進行排氣。
在旋轉卡盤510的上方,係設置有將洗淨液供給至被保持在該旋轉卡盤510之玻璃基板G的洗淨噴嘴
530。洗淨噴嘴530,係被構成為藉由移動機構531,往水平方向及垂直方向移動自如。
另外,從洗淨噴嘴530所供給的洗淨液,係可使用因應在膜固著裝置400所塗佈的固著材料之溶媒的材料。例如只要固著材料之溶媒為水,洗淨液則使用水,抑或只要固著材料之溶媒為有機溶劑,洗淨液則使用有機溶劑。
又,膜去除裝置之構成,係不限定於本實施形態之膜去除裝置500的構成,可任意地採取習知之旋轉塗佈方式之裝置的構成。而且,在膜去除裝置中選擇性地去除光學膜的方法,係不限於旋轉塗佈方式,亦可使用其他方法。作為其他方法,亦可使玻璃基板G浸泡於儲存有例如洗淨液的洗淨槽,而選擇性地去除光學膜。又,亦可進行雷射剝蝕來選擇性地去除光學膜,抑或進行光微影處理及蝕刻處理來選擇性地去除光學膜。
其次,說明關於利用如以上般所構成之光學膜形成裝置所進行的光學膜形成方法。圖9,係表示該光學膜形成處理之主要工程之例子的流程圖。在本實施形態中,係如上述般,以使偏光軸以45度交叉的方式,在玻璃基板G層積並形成直線偏光膜與λ/4波長膜來作為光學膜。工程S1~S5,係形成直線偏光膜的工程,工程S6~S10,係形成λ/4波長膜的工程。
首先,在塗佈處理裝置10中,將塗佈液塗佈於玻璃基板G的整面。該情況下之塗佈液,係用以形成直線偏光膜的偏光膜用塗佈液。
在塗佈處理裝置10中,係於基板位置A1,玻璃基板G被保持在平台20。而且,如圖10所示,不使玻璃基板G從基板位置A1移動,而使塗佈噴嘴30從噴嘴位置B1往噴嘴位置B2移動。
如圖10(a)所示,在將塗佈噴嘴30配置於噴嘴位置B1之際,塗佈噴嘴30,係被配置於因應塗佈液P1之目標膜厚的高度。接著,如圖10(b)及圖11所示,從塗佈噴嘴30吐出塗佈液P1的同時,使塗佈噴嘴30往Y軸方向正方向移動,塗佈液P1便被塗佈於玻璃基板G。而且,如圖10(c)及圖12所示,塗佈噴嘴30移動至噴嘴位置B2,塗佈液P1便被塗佈於玻璃基板G的整面。
此時,一面施加剪切應力(圖10中之區塊箭頭),一面塗佈塗佈液P1。由於玻璃基板G並不移動而塗佈噴嘴30往Y軸方向正方向移動,因此,剪切應力,係被施加至Y軸方向負方向
又,剪切應力(剪切率),係以玻璃基板G與塗佈噴嘴30之吐出口31的距離(間隙)除以塗佈速度(相對於玻璃基板G之塗佈噴嘴30的移動速度)的值。由於在塗佈噴嘴30,係使用狹縫噴嘴,因此,塗佈噴嘴30,係不會損傷玻
璃基板G而可充分地接近該玻璃基板G。因此,可縮小間隙。如此一來,以控制塗佈噴嘴30之移動速度的方式,可將足夠的剪切應力施加至塗佈液P1。又,其結果,可使塗佈液P1中之分子配向於一方向(Y軸方向)。
另外,在塗佈噴嘴30,雖係亦可使用狹縫噴嘴以外的其他噴嘴,但從可如上述般儘可能縮小間隙的觀點來看,狹縫噴嘴為適合。又,被塗佈於玻璃基板G之塗佈液P1的膜厚小,從該觀點來看,狹縫噴嘴亦為適合。
另外,從塗佈噴嘴30所吐出的塗佈液P1中之被被塗佈於玻璃基板G的塗佈液P1,係落下至下方而被回收至回收部40。所回收的塗佈液P1,係被再利用於其後所處理的玻璃基板G。又,由於平台20,係小於玻璃基板G,因此,塗佈液P1不會附著於平台20。因此,可抑制對每一玻璃基板G單片式地洗淨平台20。
如此一來,在塗佈處理裝置10中,係塗佈液P1被塗佈於玻璃基板G而形成直線偏光膜。在以下說明中,係將直線偏光膜設成為P1並進行說明。
其次,在減壓乾燥裝置100中,使玻璃基板G之直線偏光膜P1減壓乾燥。具體而言,係將玻璃基板G載置於載置台110,關閉蓋體102而形成在處理容器101之內部所密閉的空間。其後,從氣體供給部120供給惰性氣體,並且從排氣部121對處理容器101之內部進行排氣,使處理容器
101之內部成為減壓氛圍。而且,使直線偏光膜P1乾燥。
當使直線偏光膜P1乾燥時,則膜中之溶媒被去除。在上述的工程S1中,雖係以施加剪切應力的方式,使分子配向於一方向,但當以原本的狀態放置時,則分子之配向會有返回原處而紊亂之虞。因此,在工程S2去除膜中之溶媒,藉此,適當地維持分子之配向狀態。
又,從適當地維持分子之配向狀態的觀點來看,將塗佈處理裝置10與減壓乾燥裝置100間的搬送區域200設成為無風狀態,搬送玻璃基板G。當使下降流等在例如搬送區域200產生時,則衝撞玻璃基板G的風會變得不均勻,從而有分子之配向狀態變得不均勻之虞。因此,在本實施形態中,係將搬送區域200設成為無風狀態,抑制直線偏光膜P1紊亂而分子之配向狀態紊亂直至進行減壓乾燥處理為止。
其次,在加熱處理裝置300中,對玻璃基板G之直線偏光膜P1進行加熱。具體而言,係將玻璃基板G載置於熱板310,關閉蓋體302而形成在處理容器101之內部所密閉的空間。而且,藉由熱板310之加熱器311,直線偏光膜P1被加熱至預定溫度例如50℃。
例如即便在工程S2中,對直線偏光膜P1進行減壓乾燥,亦有溶媒在膜中無法被完全去除的情形。工程S3中之直線偏光膜P1的加熱,係像這樣般地確實去除殘存
於膜中的溶媒。另外,在工程S2中可完全去除膜中之溶媒的情況下,係工程S3亦可省略。
其次,在膜固著裝置400中,將固著材料塗佈於玻璃基板G之預定區域,本實施形態為畫素區域。
在膜固著裝置400中,係於基板位置C1,玻璃基板G被保持在平台410。而且,使玻璃基板G從基板位置C1往基板位置C2移動。
在玻璃基板G之移動中,如圖13所示,從塗佈噴嘴420將固著材料F塗佈於被形成在玻璃基板G之畫素區域的直線偏光膜P1。此時,由於膜固著裝置400,係採用噴墨方式,因此,可正確地將固著材料F塗佈於畫素區域的直線偏光膜P1。
固著材料F,係使直線偏光膜P1去活化(不溶化)。具體而言,係將直線偏光膜P1中之OH基等的水溶性之末端置換成其他的官能基。而且,去活化之直線偏光膜P1,係固著於玻璃基板G。以下,將塗佈有固著材料F而固著的直線偏光膜設成為P2並進行說明。亦即,在玻璃基板G的畫素區域以外,直線偏光膜P1,係未被去活化且未被固著。另一方面,在畫素區域中,直線偏光膜P2,係被去活化且固著。
而且,如圖14所示,可在玻璃基板G之所有的畫素區域形成去活化之直線偏光膜P2。另外,為了圖示方
便,雖例示玻璃基板之畫素區域亦即直線偏光膜P2為20處,但畫素區域的個數並不限於此。實際上,1枚玻璃基板G約有100處畫素區域。
其次,在膜去除裝置500中,將洗淨液供給至玻璃基板G,選擇性地去除在工程S4中未固著的直線偏光膜P1。
在膜去除裝置500中,係玻璃基板G被吸附保持於旋轉卡盤510。其後,一邊使被保持於旋轉卡盤510的玻璃基板G旋轉,一邊從洗淨噴嘴530將洗淨液供給至玻璃基板G的中心部。所供給的洗淨液,係藉由離心力而在玻璃基板G上擴散。此時,由於塗佈有固著材料F的直線偏光膜P2固著,因此,不會被洗淨液去除。另一方面,由於未塗佈有固著材料F的直線偏光膜P1未固著,因此,便被洗淨液去除。如此一來,如圖15及圖16所示,僅選擇性地去除直線偏光膜P1,在玻璃基板G上的畫素區域僅形成直線偏光膜P2。
如以上般,當在玻璃基板G形成直線偏光膜P2時,則其次,在玻璃基板G進一步形成λ/4波長膜。首先,在塗佈處理裝置10中,將塗佈液塗佈於玻璃基板G的整面。該情況下之塗佈液,係用以形成λ/4波長膜的波長膜用塗佈液。
在塗佈處理裝置10中,係於基板位置A1,玻璃基板G被保持在平台20。而且,如圖17所示,使玻璃基板G從基板位置A1往基板位置A2移動,並且使塗佈噴嘴30從噴嘴位置B1往噴嘴位置B2移動。此時,玻璃基板G之移動速度與塗佈噴嘴30之移動速度為相同。
如圖17(a)所示,在將塗佈噴嘴30配置於噴嘴位置B1之際,塗佈噴嘴30,係被配置於因應塗佈液Q1之目標膜厚的高度。接著,如圖17(b)及圖18所示,使玻璃基板G往X軸方向正方向移動,並且從塗佈噴嘴30吐出塗佈液Q1的同時,使塗佈噴嘴30往Y軸方向正方向移動,塗佈液Q1便被塗佈於玻璃基板G。而且,如圖17(c)及圖19所示,玻璃基板G移動至基板位置A2,且塗佈噴嘴30移動至噴嘴位置B2,塗佈液Q1便被塗佈於玻璃基板G的整面。
此時,一面施加剪切應力(圖17中之區塊箭頭),一面塗佈塗佈液Q1。亦即,由於玻璃基板G之移動速度與塗佈噴嘴30之移動速度相同,因此,剪切應力,係被施加至往Y軸方向負方向及X軸方向負方向傾斜45度方向。
如此一來,以控制玻璃基板G之移動速度與塗佈噴嘴30之移動速度的方式,可將足夠的剪切應力施加至塗佈液Q1。其結果,可使塗佈液Q1中之分子配向於一方向(傾斜45度方向)。
如此一來,在塗佈處理裝置10中,係塗佈液Q1被塗佈於玻璃基板G而形成λ/4波長膜。在以下說明中,
係將λ/4波長膜設成為Q1並進行說明。
其次,在減壓乾燥裝置100中,使玻璃基板G之λ/4波長膜Q1減壓乾燥。由於具體的減壓乾燥處理,係與工程S2相同,因此,省略說明。而且,去除λ/4波長膜Q1之溶媒,適當地維持膜中之分子的配向狀態。
其次,在加熱處理裝置300中,對玻璃基板G之λ/4波長膜Q1進行加熱。由於具體的加熱處理,係與工程S3相同,因此,省略說明。而且,λ/4波長膜Q1之溶媒被完全去除。另外,在工程S7中可完全去除膜中之溶媒的情況下,係工程S8亦可省略。
其次,在膜固著裝置400中,如圖20所示,從塗佈噴嘴420將固著材料F選擇性地塗佈於被形成在玻璃基板G之畫素區域的λ/4波長膜Q1。由於具體之固著材料F之選擇性的塗佈處理,係與工程S4相同,因此,省略說明。
固著材料F,係使λ/4波長膜Q1去活化(不溶化),該去活化之λ/4波長膜Q1,係固著於玻璃基板G。以下,將塗佈有固著材料F而固著的λ/4波長膜設成為Q2並進行說明。亦即,在玻璃基板G的畫素區域以外,λ/4波長膜
Q1,係未被去活化且未被固著。另一方面,在畫素區域(直線偏光膜P2)中,λ/4波長膜Q2,係被去活化且固著。
其次,在膜去除裝置500中,將洗淨液供給至玻璃基板G,選擇性地去除在工程S9中未固著的λ/4波長膜Q1。由於具體之λ/4波長膜Q1之選擇性的去除處理,係與工程S5相同,因此,省略說明。而且,如圖22及圖23所示,在玻璃基板G上的畫素區域僅形成λ/4波長膜Q2。
根據以上之實施形態,在塗佈處理裝置10中,由於被保持在平台20的玻璃基板G與塗佈噴嘴30分別往正交方向移動,因此,以控制該些玻璃基板G之移動速度與塗佈噴嘴30之移動速度的方式,可控制被塗佈於玻璃基板G之塗佈液的塗佈方向。如此一來,以簡單的構成及簡單的控制,可對玻璃基板G以任意的度塗佈塗佈液。而且,可使工程S1中之塗佈液P1的塗佈方向與工程S6中之塗佈液Q1的塗佈方向以45度交叉,並以使其偏光軸以45度交叉的方式,形成直線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1。
又,由於在工程S2中,對直線偏光膜P1進行減壓乾燥部,因此,可適當地維持直線偏光膜P1中之分子的配向狀態。相同地,由於在工程S6中,對λ/4波長膜Q1進行減壓乾燥部,因此,可適當地維持λ/4波長膜Q1中之分子的配向狀態。
另外,工程S2與工程S6,係只要為使直線偏
光膜P1與λ/4波長膜Q1乾燥者,則不限定於減壓乾燥。例如亦可分別使直線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1自然乾燥,或亦可進行加熱處理而使其乾燥,抑或以噴吹吹氣的方式,使其乾燥。
但是,由於本實施形態之減壓乾燥,係與自然乾燥相比,可在短時間內進行,故更為理想。又,在進行例如加熱處理或吹氣之噴吹的情況下,雖有膜中之溶媒對流而膜中之分子的配向狀態因該對流而紊亂之虞,但由於本實施形態之減壓乾燥,係可抑制膜中之溶媒的對流,故更為理想。
又,由於在工程S4中,將固著材料F選擇性地塗佈於畫素區域的直線偏光膜P1,並在工程S5中,選擇性地去除未塗佈有固著材料F而未固著的直線偏光膜P1,因此,僅在畫素區域形成直線偏光膜P2。相同地,以進行工程S9與工程S10的方式,僅在畫素區域形成λ/4波長膜Q2。
在此,如上述般,在製作例如圓偏光板的情況下,直線偏光膜與λ/4波長膜,係只要僅被形成於畫素區域即可。當膜被形成於畫素區域以外時,則被設置於畫素區域之周圍的端子有不能適當地發揮功用之虞。在本實施形態中,係由於膜未被形成於畫素區域以外,因此,既可發揮畫素區域之直線偏光膜P2與λ/4波長膜Q2的功能,亦發揮位於畫素區域之周圍之零件的功能。
又,在工程S1及S6中,雖係分別一面施加剪
切應力,一面塗佈塗佈液P1、Q1,但在此時,難以將塗佈液P1、Q1僅塗佈於畫素區域。因此,進行工程S4、S5、S9、S10而在畫素區域選擇性地形成直線偏光膜P2與λ/4波長膜Q2,係有助益的。
而且,假如在工程S1中,將塗佈液P1塗佈於玻璃基板G而形成直線偏光膜P1後,省略了工程S4中之固著材料F之選擇性塗佈的情況下,其後,當在工程S6中,將塗佈液Q1塗佈於玻璃基板G時,則有塗佈液Q1混入至直線偏光膜P1之虞。該觀點,如本實施形態般,以進行工程S4而形成不溶化之直線偏光膜P2的方式,可抑制混入有該直線偏光膜P2與塗佈液Q1者。其結果,可適當地形成直線偏光膜P2與λ/4波長膜Q2。
另外,在工程S4與工程S9中,膜固著裝置400,雖係以塗佈固著材料的方式,使直線偏光膜與λ/4波長膜固著,但亦可使用其他方法。作為其他方法,只要例如預先將與光產生反應的材料添加至直線偏光膜與λ/4波長膜,則可藉由光照射,使直線偏光膜與λ/4波長膜之結晶聚合,並使該直線偏光膜與λ/4波長膜不溶化而固著。
以上,雖參閱附加圖面說明了關於本發明之適當的實施形態,但本發明並不限定於該例。只要為具有該發明技術領域之通常知識者,則自當明確可於申請專利範圍所記載的思想範圍內思及各種變形例或修正例,且知悉該等當然亦屬於本發明之技術範圍。
在以上的本實施形態中,雖係以在製作被使
用於OLED之圓偏光板的情況下,在玻璃基板形成直線偏光膜(直線偏光板)與λ/4波長膜(λ/4波長板)作為光學膜的情況為例而進行說明,但本發明亦可應用於其他。在例如被使用於LED的偏光板或波長板,亦可應用本發明。又,波長板亦不限定於λ/4波長膜,在例如λ/2波長膜等的其他波長板,亦可應用本發明。
Claims (9)
- 一種光學膜形成方法,係在基板形成光學膜,該光學膜形成方法,其特徵係,具有:第1工程,將包含有光學材料的塗佈液塗佈於基板整面,形成光學膜;及第2工程,對被形成於基板之預定區域的前述光學膜選擇性地塗佈固著材料,使該預定區域的前述光學膜固著。
- 如申請專利範圍第1項之光學膜形成方法,其中,在前述第2工程中,以噴墨方式,將前述固著材料選擇性地塗佈於前述預定區域的光學膜。
- 如申請專利範圍第1或2項之光學膜形成方法,其中,在前述第2工程後,去除未固著的前述光學膜。
- 如申請專利範圍第1或2項之光學膜形成方法,其中,在前述第1工程後且前述第2工程之前,對前述光學膜之周圍的氛圍進行減壓,使該光學膜乾燥。
- 一種可讀取之電腦記憶媒體,係儲存有程式,該程式,係以藉由光學膜形成裝置來執行如申請專利範圍第1~3項中任一項之光學膜形成方法的方式,在控制該光學 膜形成裝置之控制部的電腦上動作。
- 一種光學膜形成裝置,係在基板形成光學膜,該光學膜形成裝置,其特徵係,具有:塗佈處理部,將包含有光學材料的塗佈液塗佈於基板整面,形成光學膜;及膜固著部,對被形成於基板之預定區域的前述光學膜選擇性地塗佈固著材料,使該預定區域的前述光學膜固著。
- 如申請專利範圍第6項之光學膜形成裝置,其中,前述膜固著部,係以噴墨方式,將前述固著材料選擇性地塗佈於前述預定區域的光學膜。
- 如申請專利範圍第6或7項之光學膜形成裝置,其中,更具有:膜去除部,在藉由前述膜固著部使前述預定區域的光學膜固著後,去除未固著的前述光學膜。
- 如申請專利範圍第6或7項之光學膜形成裝置,其中,更具有:減壓乾燥部,在藉由前述塗佈處理部形成了前述光學膜後且藉由前述膜固著部使前述預定區域的光學膜固著之前,對前述光學膜之周圍的氛圍進行減壓,使該光學膜乾 燥。
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