TW201741474A - 沈積罩幕及其製造方法、有機ｅｌ顯示裝置的製造方法 - Google Patents
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Abstract
表面上有凹凸的沈積基板的底部即使只有既定場所沈積沈積材料的情況下，也提供沈積罩幕與沈積基板之間無空隙，可以只在所希望的場所沈積之沈積罩幕及其製造方法。製作具有對應沈積基板的表面形狀的凹凸之假基板(S1)；假基板的凹凸面上塗佈液狀的樹脂材料，形成樹脂塗佈膜(S2)；使樹脂塗佈膜的溫度上升，鍛燒樹脂塗佈膜，形成樹脂鍛燒膜(S3)。其次，附著在假基板上的樹脂鍛燒膜上，藉由形成所希望的開口部圖案，形成具有所希望的開口部圖案之樹脂膜(S4)。之後，從假基板剝離樹脂膜，形成沈積罩幕(S6)。
Description
本發明係關於沈積有機EL顯示裝置的有機層之際等使用的沈積罩幕及其製造方法。更詳細說來，係關於即使表面具有凹凸的基板在既定場所沈積沈積材料的情況下，多餘的場所不沈澱沈積材料，在既定的場所也能夠正確沈積沈積材料之沈積罩幕、其製造方法、及使用其沈積罩幕的有機EL顯示裝置的製造方法。
製造有機EL顯示裝置時，例如形成TFT等的開關元件的基板上有機層對應每一畫素層壓。因此，基板上配置沈積罩幕，經由其沈積罩幕沈積有機材料，只有必要的畫素層上層壓必要的有機層。作為其沈積罩幕，使用習知的金屬罩幕，但近年來，為了形成更精細的圖案，有取代金屬罩幕經常使用樹脂膜的傾向。
又，沈積基板上，設置例如PET或聚醯胺(polyamide)等的膜狀罩幕用構件，對其罩幕用構件照射雷射光，設置開口，因此形成罩幕，經由其罩幕的開口，沈積有機
材料等，之後剝離其罩幕的方法係眾所周知的(例如參照專利文件1)。
[專利文件1]日本專利第2013-20764號公開公報
如前述，使用金屬罩幕或樹脂膜構成的沈積罩幕，要在具有表面凹凸的沈積基板上沈積時，因為沈積罩幕只接觸沈積基板的凸部表面，本來應被沈積罩幕覆蓋的沈積基板的凹部內也進入沈積材料的可能性很大。例如，沈積有機EL顯示裝置的有機層時，TFT等的凹凸，暫且以其上設置的平坦化膜平坦化，但其平坦化膜上形成區分各畫素的堤部。其堤部的上面，載置沈積罩幕沈積。因此，沈積罩幕的下側的堤部的側壁也沈澱沈積材料。結果，使有機EL顯示裝置的各畫素發光之際，從堤部的側壁上沈積的沈積材料往斜方向放射光，與鄰接的畫素的光混合，具有影像變得不鮮明的的問題。
又，如上述專利文件1所示，例如，沈積表面上有凹凸的TFT基板的有機材料的場所上，裝載膜狀罩幕用構件，對其罩幕用構件照射雷射光形成開口，藉此即使形成罩幕，因為以膜的狀態裝載在凹凸的表面上，不覆蓋TFT基板的凹部。此方法，通過罩幕用構件看見直接陽極電極的同時，罩幕用構件中形成開口，預料罩幕的開口部與TFT基板沈積的既
定位置可以正確位置相符，但如上述的沈積罩幕與TFT基板的沈積場所之間沈積材料沈澱的問題不能解除。即，TFT基板的表面上有凹凸時，罩幕構件與TFT基板不能完全密合。例如製造有機EL顯示裝置時，即使堤部上重疊沈積膜狀的沈積罩幕，堤部的側壁上也沈澱沈積材料，也從堤部的側壁往斜方向放射光，也產生畫素間的混色問題。
又，如上述，在TFT基板上直接形成罩幕構件，維持原狀作為沈積罩幕沈積有機材料等時，形成沈積罩幕的開口之際，一定要照射雷射光，也有有害TFT的元件特性的問題。又，例如RGB的的子畫素中，電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層等中，即使RGB的各子畫素由2個以上使用共同的有機材料時，RGB分別的子畫素中一定也全部形成有機材料的層壓膜。即，RGB的各子畫素中，即使相同層構造的部分沈積相同的材料的情況下，也必須各子畫素分別再度沈積相同的材料，不只是浪費材料，也有製造工時大幅增加的問題。又，例如R的子畫素的層壓結束後，必須除去沈積罩幕再度形成其他的G的子畫素用的沈積罩幕，也擔心對已層壓的R的子畫素的有機材料的壞影響。
因為本發明係用以解決如此的問題而形成，在於提供沈積罩幕、及其製造方法，即使只在表面上有凹凸的沈積基板的底部的既定場所沈積沈積材料的情況下，也沈積罩幕與沈積基板之間無空隙，可以只在所希望的場所沈積。
本發明的其他目的，在於提供沈積罩幕、及其製造方法，沈積沈積材料時，不妨礙來自沈積源的沈積材料，可
以確實在所希望的場所沈積沈積材料。
本發明的又其他目的，在於提供沈積罩幕的製造方法，沈積基板與沈積罩幕之間根據線膨脹係數差，為了不產生圖案差距，調整沈積罩幕的線膨脹率。
本發明的其他目的，在於提供沈積方法，使用上述沈積罩幕製造有機EL顯示裝置的製造方法，更詳細地說，在其製造之際，不沉積在不用沈積材料的場所。
本發明的沈積罩幕，係表面上具有凹凸的沈積基板的表面在既定的場所用以以沈積形成層壓膜的沈積罩幕，以樹脂膜形成，一面是平坦面，另一面具有對應上述沈積基板的凹凸形狀的反轉形狀之凹凸形狀，對應上述既定的場所的部分具有開口部。
上述開口部，從上述一面往另一面側形成開口變小的錐形，上述錐形的錐形角度，最好等於從沈積材料源飛來的沈積材料的沈積角度，或是縮小形成，藉此沈積罩幕不會阻止飛來的沈積材料。
在此，所謂的錐形角度，係錐形的稜線與錐形的底邊形成的角度，例如第5A圖所示，意味開口部13的底邊(與錐形的中心軸垂直的面)與壁面之問形成的角度α，即，形成開口部13的結果，留下的凸部12a的底邊與壁面之間形成的角度α，或是假堤部33的錐形部的底邊與斜面形成的角度β，所謂沈積角度，如第5B~5D圖的θ所示，係根據沈積源的容器開口部的形狀決定的角度。從沈積源放射的沈積材料(沈積粒
子)的放射角度(放射的沈積材料的擴張角的最大角)的1/2的餘角，即，沈積材料的最大擴張角時的沈積粒子的軌跡與水平面形成的銳角。
本發明的沈積罩幕的製造方法，係表面上具有凹凸的沈積基板的表面為了在既定的場所形成層壓膜，在上述既定場所用以沈積沈積材料之沈積罩幕的製造方法，特徵在於製作具有對應上述沈積基板的表面形狀的凹凸之假基板；上述假基板的凹凸面上塗佈液狀的樹脂材料直到表面大致變成平坦為止，藉此形成樹脂塗佈膜；使上述樹脂塗佈膜的溫度上升直到上述樹脂材料硬化的溫度為止，鍛燒上述樹脂塗佈膜，藉此形成樹脂鍛燒膜；附著在上述假基板上的上述樹脂鍛燒膜上，藉由照射雷射光加工，在上述樹脂鍛燒膜上形成所希望的開口部圖案，藉此形成具有所希望的開口部圖案之樹脂膜；以及從上述假基板剝離上述樹脂膜，形成沈積罩幕。
藉由照射上述雷射光形成上述開口部圖案之際，用以形成上述開口部圖案的雷射罩幕的開口周圍，形成越進行到上述開口的端緣雷射光的透過率越下降的雷射光透過率的漸減區域，藉此上述開口部的圖案的各開口部在上述樹脂膜的厚度方向可以形成錐形。
一邊調整上述樹脂材料的塗佈厚、上述鍛燒時的鍛燒溫度、上述鍛燒的時間以及鍛燒溫度與鍛燒時間的概況圖中至少一個，一邊進行上述樹脂塗佈膜的鍛燒，經由鍛燒形成的上述鍛燒膜的線膨脹率與上述沈積基板的線膨脹率間的差可以在3ppm(百萬分比)/℃以下。
本發明的有機EL顯示裝置的製造方法，特徵在於製作具有對應疊層有機層的沈積基板的表面的凹凸的假基板；上述假基板的凹凸面上塗佈液狀的樹脂材料直到表面大致變成平坦為止，對鍛燒的樹脂鍛燒膜照射雷射光，形成開口部的圖案，藉此形成樹脂膜；從上述假基板剝離上述樹脂膜，形成沈積罩幕；在裝置基板上形成TFT及第1電極，形成區分各畫素的堤部的沈積基板上上述沈積罩幕位置相符重疊，藉由沈積有機材料，在上述沈積基板上層壓有機層；以及除去上述沈積罩幕形成第2電極。
上述堤部在剖面形狀中形成頭尖的錐形，上述堤部的堆形的角度，成為從上述有機材料的沈積源飛來的沈積材料的沈積角度以下，形成上述堤部，藉此不妨礙來自沈積源的沈積材料飛來，變得容易在所希望的場所沈積。又，錐形角度及沈積角度，與上述意義相同。
本發明的沈積罩幕，表面是平坦的，但因為背面具有對應沈積基板的凹凸形狀的反轉形狀之凹凸形狀，即使表面上具有凹凸的沈積基板上重疊沈積罩幕的情況下，也凹凸嵌合，沈積罩幕對沈積基板正確位置相符。又，因為嵌合沈積基板的表面凹凸，段差部分也完全覆蓋。結果，例如即使使用作為有機EL顯示裝置的沈積罩幕的情況下，因為堤部的側壁也由沈積罩幕覆蓋，除去沈積罩幕後，堤部的側壁上未沉澱有機材料。即，表面上有凹凸的沈積基板上即使沉積沈積材料的情況下，也不在不希望的場所沉澱所有的沈積材料。
又，沈積罩幕上形成的開口形成往沈積罩幕的厚度方向變細成錐狀(往內變細)，錐狀的前端的小開口係形成沈積所希望的沈積材料的既定區域，還有其錐形角度形成沈積源的沉積角度以下，藉此從沈積源飛來的沈積材料不會被沈積罩幕阻擋，因為在所希望的沈積場所以所希望的厚度均勻沈積，是理想的。
根據本發明的沈積罩幕的製造方法，因為具有與沈積基板的表面凹凸相同的凹凸的假基板上塗佈液狀的樹脂材料形成沈積罩幕，容易形成與沈積基板的凹凸嵌合的罩幕。又，因為既定的場所以外的部分由沈積罩幕覆蓋，不希望的場所不會沉澱沉積材料。作為假基板，沉積原本的沉積材料的沉積基板的1片作為假基板也可以，以金屬板等形成模仿表面形狀的基板也可以。為了鍛燒沉積罩幕的樹脂材料並固化，因為必須提高溫度至500℃左右，必須耐得住這種程度的溫度的耐熱性，但只要有耐熱性，也可以使用其他的材料。又，不是實際上使用的沉積基板，例如不形成以平坦化膜隱藏的元件等，只形成在其平坦化膜上形成的例如堤部等也可以。
根據本發明的有機EL顯示裝置的製造方法，因為堤部的側壁上不沈澱有機材料，不與其他的畫素混色，又，因為各畫素都可以以從均勻的有機層發光的均勻光構成顯示器，得到特別顯示成色優異的有機EL顯示裝置。
10、10B、10R、10G‧‧‧沈積罩幕
10a‧‧‧第1面
10b‧‧‧第2面
11‧‧‧樹脂膜
11a‧‧‧樹脂材料
11b‧‧‧樹脂塗佈膜
11c‧‧‧樹脂鍛燒膜
11d‧‧‧短波長吸收層
12‧‧‧凹凸形狀部
12a‧‧‧凸部
12b‧‧‧凹部
13‧‧‧開口部
14‧‧‧框體
20‧‧‧沈積基板
21‧‧‧TFT基板
22‧‧‧第1電極
23‧‧‧堤部
24‧‧‧有機材料
25(25R)‧‧‧有機層
25m‧‧‧沈積材料
26‧‧‧第2電極
27‧‧‧保護膜
30‧‧‧假基板
31‧‧‧假TFT基板
32‧‧‧假電極
33‧‧‧假堤部
41‧‧‧雷射用罩幕
41a‧‧‧開口部
41a1‧‧‧第1部分
41a2‧‧‧第2部分
41a3‧‧‧第3部分
41b‧‧‧遮光薄膜
42‧‧‧光學鏡片
60‧‧‧沈積源
[第1圖]係顯示本發明的一實施例的沈積罩幕的製造方
法的流程圖；[第2A圖]係第1圖的S3的步驟的平面說明圖；[第2B圖]係第1圖的S4的步驟的平面說明圖；[第2C圖]係第1圖的S5的步驟的平面說明圖；[第2D圖]係第1圖的S6的步驟的平面說明圖；[第3A圖]係第1圖的S3的步驟的剖面說明圖；[第3B圖]係第1圖的S4的步驟的剖面說明圖；[第3C圖]係第1圖的S5的步驟的剖面說明圖；[第3D圖]係第1圖的S6的步驟的剖面說明圖；[第4A圖]係顯示本發明的有機EL顯示裝置的製造方法的一實施例的製造步驟的剖面說明圖；[第4B圖]係顯示本發明的有機EL顯示裝置的製造方法的一實施例的製造步驟的剖面說明圖；[第4C圖]係顯示本發明的有機EL顯示裝置的製造方法的一實施例的製造步驟的剖面說明圖；[第4D圖]係顯示本發明的有機EL顯示裝置的製造方法的一實施例的製造步驟的剖面說明圖；[第5A圖]係本發明的沈積罩幕的開口部的錐形角度的說明圖；[第5B圖]係使用本發明的沈積罩幕，沈積沈積材料之際的說明圖；[第5C圖]係沈積罩幕的開口部的錐形角度比沉積源的沉積角度大的情況下的問題說明圖；[第5D圖]TFT基板的堤部的錐形角度比沈積罩幕的開口
部的錐形角度大的情況下的問題說明圖；[第6圖]係形成第2A圖的樹脂塗佈膜的一範例說明圖；[第7A圖]係以雷射光的照射形成沈積罩幕的開口部之際的說明圖；[第7B圖]係以雷射光的照射形成沈積罩幕的開口部之際的說明圖；以及[第7C圖]係以雷射光的照射形成沈積罩幕的開口部之際的說明圖。
其次，一邊參照圖面，一邊以有機EL顯示裝置的製造方法為例說明本發明的沈積罩幕其及製造方法。第1圖中係顯示本發明的一實施例的沈積罩幕的製造方法的流程圖，而第2A~3D圖分別顯示其第1圖的S3~S6在各步驟中的平面及剖面的說明圖。
根據本實施例的沈積罩幕，係表面上具有凹凸的沈積基板的表面在既定的場所用以以沈積形成層壓膜的沈積罩幕10，如第3D圖中部分剖面的說明圖所示，以樹脂膜11形成，一面10a是平坦面，另一面10b具有對應沈積基板20(參照第4A圖)的凹凸形狀的反轉形狀之凹凸形狀部12，對應既定的場所的部分具有開口部13。如第3D圖所示的範例中，形成樹脂膜11的開口部13的結果，剩下的凸部12a成為錐形，開口部13以頭尖的錐形形成。後述關於形成此錐形的理由及其錐形角度的細節。
此樹脂膜11，如後述，塗佈液狀的樹脂材料，以
鍛燒形成。因此，即使表面上有凹凸的沈積基板20(參照第4A圖)，也容易形成具有對應其凹凸的反轉凹凸形狀部12之沈積罩幕10。作為材料，後述，但能使用具有耐熱性的樹脂。理想是以能根據鍛燒條件調整線膨脹率的聚醯胺(polyamide)膜構成。不過，不限定於此。因為此聚醯胺(polyamide)在鍛燒前的狀態為液狀，黏度某種程度很小，不限定沈積基板20的表面的凹凸形狀，可以對應各種凹凸。例如後述的範例，以形成TFT等的表面上形成平坦膜，其表面上區分各子畫素的堤部23(參照第4A圖)形成的凹凸的範例說明，但形成TFT等的凹凸表面上直接沈積有機材料的情況下，也能形成符合其凹凸的沈積罩幕10。
為了製造此沈積罩幕10，第1圖中顯示其流程圖，如第2A~3D圖中分別顯示第1圖的S3~S6的各步驟的平面及其一部分剖面的說明圖，製作具有對應沈積基板20(參照第4A圖)的表面形狀的凹凸之假基板30(參照第3A圖)(S1)。於是，藉由假基板30的凹凸面上塗佈液狀的樹脂材料11a(參照第6圖)，形成樹脂塗佈膜11b(參照第6圖)(S2)。之後，上升樹脂塗佈膜11b的溫度直到樹脂材料硬化的溫度為止，藉由鍛燒樹脂塗佈膜11b，如第2A及3A圖所示，形成樹脂鍛燒膜11c(S3)。在此之際，樹脂鍛燒膜11c與假基板30之間形成短波長吸收層11d。其次，附著在假基板30的樹脂鍛燒膜11c上，如第7A圖所示，經由雷射用罩幕41，藉由照射雷射光加工，如第2B及3B圖所示，樹脂鍛燒膜11c中形成所希望的開口部13的圖案，藉此形成具有所希望的開口部13的圖案之樹
脂膜11(S4)。之後，如第2C及3C圖所示，樹脂膜11的周圍安裝框體14(S5)。之後，由於從假基板30剝離樹脂膜11，形成沈積罩幕10(S6)。
即，本發明中，樹脂膜構成的沈積罩幕10，係在假基板30上塗佈樹脂材料11a鍛燒而形成。因此，沈積基板20(參照第4A圖)的表面不必是平坦的，即使具有凹凸的沈積基板20也具有沿著其凹凸形成沈積罩幕10的特徵。結果，即使具有凹凸的沈積基板上重疊沈積罩幕的情況下，覆蓋其凹凸全體，因為可以只露出所希望的場所，可以得到特別高性能的裝置。例如，製造有機EL顯示裝置時，區分平坦化膜上形成的各子畫素的堤部23上裝載沈積罩幕10(參照第4A圖)，平板狀的沈積罩幕中，堤部23的上面、與沈積沉積材料的堤部23的底側部的子畫素區域之間產生段差，堤部23的側壁上沉澱沉積材料。但是，本發明中，因為此側壁部也以沉積罩幕10覆蓋，沒有既定場所以外沉積材料沈澱的問題。
其次，此沉積罩幕10的製造方法，根據具體例更詳細說明。首先，製作表面上具有對應沈積沉積材料的沈積基板20(參照第4A圖)的表面凹凸的凹凸之假基板30(參照第3A圖)(第1圖的S1)。假基板30，做成用以塗佈燒成樹脂材料11a(參照第6圖)的基板的同時，製造的樹脂膜11的背面與沈積基板20的表面凹凸咬合，形成與沈積基板20相同的凹凸。即，假TFT基板31的表面上，形成對應沈積基板20(參照第4A圖)的第1電極22及堤部23的表面凹凸之假電極32及假堤部33，且以能耐得住樹脂材料11a的鍛燒溫度的材料形成。
例如，形成有機EL顯示裝置的沈積罩幕時，因為沈積基板20不論多少片都總括製造，其中之一片可以使用作為假基板30。
但是，沈積基板20的堤部23以丙烯酸樹脂等形成時，因為常耐不住樹脂塗佈膜11b鍛燒時的溫度，最好以SiOx或SiNy等的無機物形成。又，因為沈積罩幕10，最好比實際的沈積基板20大一尺寸，所以最好實際的沈積基板20的周圍形成突出部或框體在樹脂膜11的周圍的外側形成。又，只要是表面形狀相同即可，在平坦化膜(未圖示，但TFT基板21的表面側的層)的下側形成的TFT等沒有也可以。這些TFT基板21，因為形成相同的形狀，使用任意一片作為假基板30製造沈積罩幕10，即使在其他的TFT基板上作為沈積罩幕10使用的情況下，也完全吻合沈積基板20的凹凸不會產生空隙。又，以不同於TFT基板21的金屬等其他材料形成也可以。但，耐得住樹脂材料11a的鍛燒溫度(50℃左右)的同時，最好是與實際的沈積基板20的線膨脹率具有3ppm左右以下的線膨脹率差的材料。此理由，與以下相同。
即，作為有機EL顯示裝置的有機層的沈積罩幕使用時，形成有機層的沈積基板上，因為固定此沈積罩幕，與沈積基板的線膨脹率的差變大時，意圖作為沈積基板的畫素的沈積區域與沈積罩幕的開口位置產生偏離。例如顯示面板的一邊的大小是100公分，開口(沈積的有機層的每一色的子畫素)的一邊的大小為60μm(微米)角，位置偏離容許值為9μm(相對於60μm，15%)的話，上述線膨脹率差是3ppm時，以3℃上升(沈積之際的溫度上升)將發生9μm的位置偏離(容許值上限)。此
子畫素的大小，係顯示面板的一邊的大小是100公分時的範例，但一般顯示面板的一邊與子畫素的一邊，如果解析度相同的話，大致成比例改變，例如50公分的顯示面板要成為相同的解析度(前述的範例係5.6k的解析度)時，子畫素的一邊的長度為30μm。因此，50公分的長度容許位置偏離的容許值為4.5μm(15%)。即，因為容許因3℃ 4.5μm/50公分的膨脹，線膨脹率為3ppm/℃，對任何大小的顯示裝置，此關係也都成立。
因此，使用沈積罩幕10與此罩幕的基板(沈積基板20)的線膨脹率的差在3ppm/℃以下是必要的。另一方面，此樹脂材料形成的樹脂膜11與假基板30之間的線膨脹率的差大時，雷射加工形成細微圖案的樹脂膜11在室溫下從假基板30剝離後，熱變形的影響樹脂膜11容易捲曲。鍛燒樹脂塗佈膜11b之際的溫度，因為成為400℃以上500℃的相當高溫，鍛燒時的熱膨脹引起的尺寸差變大，但因為雷射加工產生的細微圖案的形成在室溫下進行，不產生圖案的位置偏離問題。但是，雷射加工之際，照射毫微微(femto)秒左右非常小的脈衝寬的雷射光的話，局部加熱下樹脂膨脹幾乎不成問題，但通常的μsec(微秒)左右的脈衝寬的雷射光時，預估數℃左右的溫度上升。因此，此樹脂膜11與假基板30之間的線膨脹率的差也最好在3ppm/℃以下左右。即，作為沈積罩幕使用之際的基板的線膨脹率、與此假基板30的線膨脹率的差，考慮±3ppm/℃，理想是6ppm/℃以下，更理想是3ppm/℃。
其次，假基板30上塗佈液狀的樹脂材料11a(參照第6圖)，形成樹脂塗佈膜11b(參照第6圖)(第1圖的S2)。此
液狀的樹脂材料11a的塗佈，如果是可以控制膜厚的方法的話，任何方法都可以，例如前述第6圖所述，使用狹縫式塗佈(Slit Coat)的方法可以塗佈。即，對SlotDie5供給樹脂材料11a的同時，一邊從SlotDie5的前端部帶狀吐出液狀樹脂材料11a，一邊依序移動SlotDie5塗佈。樹脂材料11a的吐出量不完全均勻的情況等，塗佈的狀態不完全平坦，表面上可能起伏。原因是為了形成厚度從數μm到數十μm程度的塗佈膜，某程度提高材料的黏度。不過，即使表面上起伏，也大致成為平坦狀態，之後的鍛燒步驟中經由加熱，一旦黏度下降就平坦化。因此，最終成為平坦面。於是，假基板30的凸面上，形成3μm以上10μm以下程度的樹脂塗佈膜11b，表面大致平坦化。又，藉由塗佈液狀樹脂材料11a，即使捲入氣泡，因為樹脂塗佈膜11b的厚處(假基板30的凹部之處)也在20μm左右以下，100nm(毫微米)以上的氣泡也全沒有，遍及形成開口部13的細微圖案形成區域全面，形成密合假基板30的樹脂塗佈膜11b。又，此樹脂材料11a的塗佈，即使不是狹縫式塗佈，例如以旋轉塗佈等其他的方法塗佈也可以。旋轉塗佈，形成大的樹脂膜時材料的使用效率方面不適合，但得到密合假基板30且表面平坦的樹脂塗佈膜11b。
作為樹脂材料11a，是能夠鍛燒的材料，而且只要是吸收雷射加工的雷射光的材料即可。不過，如上述，使用樹脂膜11作為沈積罩幕10時，裝載沈積罩幕10的沈積基板20及形成樹脂塗佈膜11b的假基板30之間最好是線膨脹率的差小的材料。因為一般使用玻璃板作為有機EL顯示裝置的基
板，根據其觀點，最好是聚醯胺(polyamide)。聚醯胺(polyamide)係包含醯亞胺(imide)結合的高分子樹脂的總稱，以加熱.鍛燒前驅物的聚醯胺酸(常溫是液體)，促進醯亞胺化反應，藉此能夠成為膜狀的聚醯胺。又，因為可以根據鍛燒時的條件調整線膨脹率，容易符合上述有機EL顯示裝置的沈積基板20或假基板30的線膨脹率的方面尤其理想。一般的聚醯胺的線膨脹率在20ppm/℃以上60ppm/℃以下程度，但根據鍛燒條件，能夠接近玻璃的線膨脹率4ppm/℃。例如，藉由進行更高溫．長時間的鍛燒，可以縮小線膨脹率。作為裝置基板，不是玻璃板，也常使用樹脂膜等其他的基板材料，也選擇樹脂材料符合其基板材料的線膨脹率，聚醯胺以外也能使用透明聚醯胺、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(甲酸乙二醇酯)、COP(環烯烴聚合體)、COC(環烯烴共聚合體)、PC(聚碳酸酯)等。
其次，如第2A及3A圖所示，上升樹脂塗佈膜11b的溫度至樹脂材料11a硬化的溫度例如450℃左右，藉由鍛燒樹脂塗佈膜11b形成樹脂鍛燒膜11c(第1圖的S3)。此鍛燒之際，樹脂鍛燒膜11c與假基板30之間的界面如第3A圖所示，形成短波長吸收層11d。短波長吸收層11d，在鍛燒樹脂塗佈膜11b鍛燒之際，因為與假基板30(例如ITO(氧化銦錫)或氮化矽膜)的樹脂材料不同的材料相接，藉由樹脂材料11a的接觸面變質而形成。結果，變得比樹脂材料11a更容易吸收紫外線等的短波長的光。作為短波長吸收層11d的厚度，係5nm(毫微米)以上100nm以下程度。為了形成特別容易吸收此短波長的層，在此鍛燒前，在假基板30上以極薄層塗佈矽烷耦合
(silane coupling)劑等的密合性改善.表面改質劑之後，最好形成樹脂塗佈膜11b。藉由此鍛燒，得到經由短波長吸收層11d密合假基板30的樹脂鍛燒膜11c。又，本發明中，樹脂塗佈膜11b與假基板30之間密合，樹脂塗佈膜11b與假基板30之間不可能形成浮起，但如果形成氣泡時，其浮起部分不形成短波長吸收層11d，樹脂鍛燒膜11c與假基板30之間形成空隙部。因此，容易剝離是相同的。
此鍛燒，例如不是假基板30的加熱，爐內以全體加熱進行。不過，從假基板30的背面加熱也可以。此加熱之際的溫度概況，能夠根據目的改變。
即，第1，樹脂鍛燒膜11c的背面形成氣泡時，其次的開口部13形成之際，容易產生突出等。因此，燒成此樹脂塗佈膜11b之際，最好確實阻止捲入氣泡。如前述，樹脂塗佈膜11b，因為以塗佈液狀的樹脂材料11a形成，不太捲入氣泡。不過，假基板30的表面有凹凸，在假基板30上塗佈液狀的樹脂材料11a之際可能捲入氣泡。因此，鍛燒的初期最好在100℃以下的溫度，維持10分鐘以上60分鐘以下左右。低溫中的長時間加熱，樹脂塗佈膜11b中捲入的氣泡最好從樹脂塗佈膜11b的表面放出。如果100℃以下的話，不發生硬化，反而流動性增加，因為捲入的氣泡也膨脹，從10μm以上20μm以下程度的樹脂塗佈膜11b的表面氣泡容易跑掉。又，因為鍛燒，溫度上升之際，不見得全面均勻溫度上升。根據這點，由於溫度上升初期確保充分的時間，也有樹脂塗佈膜11b的溫度容易變均勻的效果。
第2，樹脂材料11a，使用聚醯胺時，如前述，根據其鍛燒條件，線膨脹率變化。因此，根據此鍛燒條件，如前述，樹脂膜11，可以以接近沈積基板20、假基板30的線膨脹率的條件鍛燒。例如，聚醯胺時以450℃左右鍛燒，還使溫度上升至接近500℃，放置10分鐘以上60分鐘以下程度時，可以縮小線膨脹率。又，以450℃左右鍛燒後，又藉由維持其溫度30分鐘以上，也可以縮小樹脂膜11的線膨脹率。相反地，藉由溫度上升大的步驟(大幅上升溫度，長時間維持其溫度的步驟)的概況燒成，可以增大樹脂膜11的線膨脹率。根據這些觀點，使樹脂塗佈膜11b的鍛燒每5分鐘以上120分鐘以下以10℃以上200℃以下的溫度階段性上升，最好上升至鍛燒溫度。此範圍，還可以根據作為目的的樹脂膜的特性、樹脂材料等明確指定。
其次，如第2B及3B圖所示，藉由對附著至假基板30的狀態之樹脂鍛燒膜11c照射雷射光加工，形成樹脂鍛燒膜11c上具有所希望的開口部13之樹脂膜11(S4)。
此雷射光的照射，例如第7A圖所示，從其表面側經由具有所希望的開口部41a的圖案之雷射用罩幕41與光學鏡片42照射雷射光，藉此縮小複製雷射用罩幕41的開口部41a的圖案。此雷射光照射裝置根據步驟移動，在大鍛燒膜11c上依次形成開口部13的圖案，藉此形成樹脂膜11(因為完全形成開口部13成為樹脂膜11，未圖示)。光學鏡片42不是必要的，但在取得加工面的照射能量密度之際有效。此時，光學鏡片42，配置於比雷射用罩幕41在雷射光進行方向的更下流側(樹
脂鍛燒膜11c側)，聚集雷射光。例如，使用10倍的光學鏡片42時，能量密度成為100倍，但雷射用罩幕41的複製圖案成為10分之1的縮尺。經由此雷射光的照射，透過雷射用罩幕41的開口部41a的雷射光燒掉樹脂鍛燒膜11c的一部分。結果，配合被照射雷射光的雷射用罩幕41的開口部41a的圖案，與其圖案相同或是縮小的開口部13的細微圖案在樹脂鍛燒膜11c上形成。因此，具有細微圖案的樹脂膜11在假基板30上形成。
雷射光照射的條件，根據加工的樹脂鍛燒膜11c的材料、厚度、加工的開口部13的大小或形狀等不同，但一般而言，雷射光的脈衝頻率是1Hz(赫茲)以上60Hz以下，脈衝寬是1nsec(毫微秒)以上15毫微秒以下，每1脈衝的照射面中的雷射光的能量密度在0.01J/cm2(焦耳/平方公分)以上1J/cm2以下的條件下進行。
為了形成沉積有機EL顯示裝置的有機層之際的沈積罩幕10，例如60μm角的開口以60μm左右的間隔形成矩陣狀時，波長355nm(YAG雷射的3倍波)的雷射光，在60Hz的脈衝頻率、脈衝寬為7nsec、照射面上的雷射光的能量密度每一脈衝0.36J/cm2(焦耳/平方公分)發射數量(照射的脈衝數量)是100的條件下，對聚醯胺構成的5μm厚的樹脂鍛燒膜11c照射。
不過，照射的雷射光，不限定於YAG雷射。只要是能吸收樹脂材料的波長的雷射即可。因此，使用準分子雷射(Excimer laser)、He-Cd(氦-鎘)雷射等其他的雷射光也可
以。當然，又是雷射光源改變，又是樹脂材料改變時，當然照射條件改變。上述範例中，為了形成開口部的圖案，進行100發的照射，5μm厚的聚醯胺膜上以50發左右打開貫通孔。
此開口部13，如第5A圖所示(第5A圖中，假堤部33的兩側只各記載開口部13的一半)，從沈積罩幕10(參照第3D圖)的一面10a到另一面10b側開口變小，即，最好形成頭尖的錐形。更具體而言，開口部13的錐形角度α，即形成開口部13的結果，剩下的凸部12a的錐形角度α(錐形的底面與斜面形成的角度)，最好與沈積源60(參照第5B圖)放射的沈積材料的沈積光束的沈積角度θ(沈積材料的放射角度的1/2的餘角)相同或較小。此沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α，與沈積源60的沈積角度θ相等，或是小的角度α1的話，沈積之際，如第5B圖所示，即使沈積源60放射的沈積光束的側緣的沈積粒子，也不會被沈積罩幕10阻斷，在開口部13的底面露出的第1電極22的端部沈澱。另一方面，如第5C圖所示，此開口部13的錐形角度α，是比沈積角度θ大的角度α2時，放射的沈積材料被沈積罩幕10的凸部12a阻斷，變得不在開口部13的底面的端部堆積沈積材料。
具有錐形的開口部13的沈積罩幕，例如經由前述的雷射用罩幕41(參照第7A圖)的開口部41a的周圍部越往周端部雷射光的透過率越下降形成而得到。上述的雷射用罩幕41，例如如下形成。即，如第7B圖所示，透過石英玻璃板等的雷射光的透明基板上，形成鉻等的遮光薄膜41b，之後，根據其遮光薄膜41b的圖案化形成開口部41a。因此，此遮光薄
膜41b，例如第7C圖中概念顯示，由點式形成可以形成。第7C圖中，畫成開口部41a權宜性地劃分為第1部分41a1、第2部分41a2、第3部分41a3，但不那樣區分也可以。於是，此第1部分41a1，因為完全不形成遮光薄膜41b，100%透過，第2部分41a2，稀疏形成遮光薄膜41b，形成其面積20%左右。結果，此第2部分41a2，成為透光率80%。又，第3部分41a3，以遮光薄膜41b的量在面積上50%左右形成。結果，此第3部分41a3的透過率成為50%左右。往此周端緣的透過率變化急劇地形成雷射用罩幕41，藉此開口部13的錐形角度α變大，透過率的變化緩慢地形成，藉此開口部13的錐形角度α變小。
此範例中，為了容易了解說明，分割說明第1部分41a1、第2部分41a2、第3部分41a3，成為分散遮光薄膜41b形成的圖，實際上，因為雷射光的複製分解能是2μm，例如2μm角是縱橫5等分，全部25個分段的一部分形成遮光薄膜41b，藉此可以調整雷射光的透過率。此透過率越連續往周圍進行變越小，藉此可以形成錐狀的開口部13。
如此一來，雷射光的透過率慢慢降低時，入射樹脂鍛燒膜11c的電射光變弱，使樹脂鍛燒膜11c揮發的的力道變弱。結果，從表面側除去的量在周圍變弱，形成錐狀的開口部13。
其次，如第2C及3C圖所示，形成開口部13的樹脂鍛燒膜11c的周圍黏貼框體14(S5)。此框體14的黏貼，係樹脂鍛燒膜11c從假基板30剝離形成沈積罩幕10後，用以使樹脂膜11不破損容易處理。此框體14黏貼至樹脂膜11的周
圍時，之後沈積之際，不發生不要的氣體放出的接合劑，例如最好使用像環氧樹脂完全硬化型的接合劑。
習知的製造方法，對樹脂膜11施加張力的同時，因為必須黏貼至框體14，要求框體14能耐得住其張力的剛力，使用厚度25mm(毫米)以上50mm以下的金屬板。將此稱作伸展步驟。不過本發明的實施例中，因為樹脂鍛燒膜11c與假基板30接合的狀態下黏貼框體14，可以省略伸展步驟。因此，框體14不是必要的，沒有也沒關係。因此，此框體14，只要有某程度的機械強度即可，例如可以使用1mm以上20mm以下程度的厚度的金屬板或塑膠板等。不過，考慮沈積之際的固定時，作為框體14，使用有磁性的金屬板，因為可以以磁性固定較理想。如上述，因為最好沈積罩幕10比沈積基板20大，假基板30的大小與實際的沈積大小相同時，其外圍最好安裝框體14。
之後，如第2D及3D圖所示，樹脂膜11從假基板30剝離，得到沈積罩幕10(S6)。藉由從假基板30剝離樹脂膜11，樹脂膜11的另一面(背面)10b側形成凹部12b。為了從假基板30剝離此樹脂膜11，以雷射光的照射產生的短波長光吸收層11d更加變質進行。即，形成上述的開口部13之際的雷射光照射，只有形成開口部13的部分以樹脂膜11容易吸收的雷射光的照射進行，那部分的短波長吸收層11d也消失，但此步驟中，全面照射樹脂膜11幾乎不吸收的雷射光。因此，樹脂鍛燒膜11c本身照射不變質程度的弱雷射光。根據此觀點，不是雷射光也可以，只要放射氙氣(Xenon)燈、高壓水銀燈、
紫外線LED等波長短的光的光源即可。
藉由全面照射如此的短波長光，樹脂膜11中沒任何變化，短波長吸收層11d更變質，失去有凹凸的假基板30與樹脂膜11之間的結合力，樹脂膜11容易從假基板30分離。因此，不是像以往平板狀的膜之類，使用在離子內浸泡分離的麻煩方法，還有也變得沒有使有機層附著不理想的水分的機會，而且不會損傷開口部13的圖案，簡單從假基板30分離樹脂膜11。結果，得到沈積罩幕10。又，根據需要，形成樹脂塗佈膜10b前，在假基板30的表面先塗佈脫模劑，可以更容易剝離。
其次，說明使用如此製造的樹脂膜構成的沈積罩幕10製造有機EL顯示裝置的方法。沈積罩幕10以外的製造方法，因為可以以眾所周知的方法執行，只說明關於使用沈積罩幕10的有積層的層壓方法。
本發明的有機EL顯示裝置的製造方法，首先，根據上述方法形成沈積罩幕10。即，製作具有與層壓有機層的沈積基板20(參照第4A圖)的表面對應的凹凸之假基板30。其假基板30的凹凸面上塗佈樹脂材料11a直到表面大致平坦為止，對鍛燒的樹脂鍛燒膜11c照射雷射光，形成開口部13的圖案，藉此形成樹脂膜11，從假基板30剝離樹脂膜11，形成沈積罩幕10。形成此沈積罩幕10之際，RGB的各子畫素中如果是沈積相同的有機材料時的沈積罩幕的話，如上述第3D圖所示，各子畫素全部形成開口的沈積罩幕10即可，但RGB的各子畫素中沈積不同的有機材料時，只有子畫素R預先形成開
口的沈積罩幕10R，只有子畫素G預先形成開口的沈積罩幕10G，只有子畫素B預先形成開口的沈積罩幕10B。R及G的子畫素是相同的有機材料的沈積，只有B的子畫素不同的情況下，預先形成R及G的子畫素開口而B的子畫素不開口的沈積罩幕10RG(不圖示)等各種組合的沈積罩幕10。
於是，如第4A圖所示，基板上形成TFT、平坦化膜等形成的TFT基板21、第1電極22及區分各畫素的堤部23之沈積基板20上，位置符合重疊上述的沈積罩幕10(10R等)，藉由沈積有機材料，在沈積基板20上層壓有機層25(25R)。此沈積罩幕10R，因為假基板30的表面凹凸形狀形成與此沈積基板20的表面大致相同的形狀，緊密嵌合，也覆蓋堤部23的側壁。第4A~4C圖中，為了使沈積罩幕10與沈積基板20的邊界明確，因為畫成其邊界部放入空隙，側壁部的沈積罩幕10拉開，成為不自然的圖，但實際上無空隙，側壁上只覆蓋薄的沈積罩幕10，有機層25也一直形成到堤部23的側壁根源。
TFT基板21，未圖示，但例如玻璃板等，各畫素的每一RGB子畫素形成TFT等的開關元件，連接其開關元件的第1電極(例如陽極)22及配線，在平坦化膜上，以Ag或APC等的金屬膜與ITO膜的組合形成。子畫素之間，如第4A圖所示，形成阻斷子畫素間的SiO2等構成的絕緣堤部23。如此的TFT基板21的堤部23上，上述沈積罩幕10位置符合固定。又，沈積罩幕10的開口部13，如上述形成錐形。
此狀態下，沈積裝置內沈積有機材料24，只有沈積罩幕10的開口部13中沈積有機材料24，所希望的子畫素的
第1電極22上形成有機層25(25R)。此沈積，例如，線狀(往圖面的正反面(垂直)方向延伸)的坩堝等構成的沈積源60往圖面的左右方向掃描，藉此沈積在形成複數個沈積基板20的大尺寸的全面上。如上述，沈積源60，從根據其放射口的形狀決定的沈積角度θ在中心軸側的範圍內放射沈積材料。因此，例如，沈積罩幕10的開口部13接近直角時，沈積罩幕10的開口部13底面(第1電極22的露出面)的周圍，沈積材料難以送到，變得不能得到均勻的層壓膜。不過，沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α(參照第5A圖)在沈積角度θ以下的話，如第5B圖所示，底面的周緣也以均勻的膜厚形成有機層25的層壓。
有機層25中，發光層，堆積按照RGB的各色之材料的有機層。又，電洞輸送層、電子輸送層等，如果重視發光性能的話，最好以適合發光層的材料分別堆積。不過，考慮材料成本方面，也有可能RGB的2色或3色共同以相同的材料層壓。以2色以上的子畫素層壓共同的材料時，共同的子畫素上形成形成開口部13的沉積罩幕。各個子畫素中沈積層不同時，例如R的子畫素中使用1個沈積罩幕10R，可以連續沈積各有機層，且以RGB堆積共同的有機層時，直到其共同層的下側為止，形成各子畫素的有機層的沈積，在共同的有機層之處，RGB中使用形成開口的沈積罩幕10一起形成全畫素的有機層的沈積。
第4A圖中，顯示只有R的子畫素中沈積有機層的範例，但只有G的子畫素疊層有機層時，如第4B圖所示，只
有G的子畫素形成開口部13，使用覆蓋其他的R及B的子畫素的沈積罩幕10G。在此情況下，R的子畫素，因為已經形成有機層25R，沈積罩幕10G最好是漏掉其部分的罩幕，有機層25即使沈積全部的有機層，因為是500nm左右，忽視也沒那麼成為問題。
之後，如第4C圖所示，沈積罩幕10換成B用的沈積罩幕10B，與上述的範例相同只在B的子畫素沈積沈積材料。又，此範例中，說明RGB分別的子畫素中沈積有機層，但RGB中是共同的有機材料時，統一這些畫素，沈積相同的材料。
第4A~4C圖中，簡單以1層顯示有機層25，但實際上，有機層25以不同的材料構成的複數層的層壓膜形成。例如，作為連接陽極(第1電極)22的層，有可能設置使電洞的注入性提高的離子化能量的整合性佳的材料構成的電洞注入層。此電洞注入層上，提高電洞穩定輸送的同時，可以關入(能量障壁)往發光層電子的電洞輸入層，例如以胺(amine)系材料形成。又，其上根據發光波長選擇的發光層，例如對於紅色、綠色，Alq3內摻雜紅色或綠色的有機物螢光材料而形成。又，作為藍色系的材料，使用DSA系的有機材料。發光層上，使電子的注入性更提高的同時，穩定輸入電子的電子輸送層，以Alq3等形成。這些的各個層分別層壓數十nm左右，藉此形成有機層25。又，此有機層25與金屬電極之間也常設置提高LiF或Liq等的電子注入性之電子注入層。
於是，全部的有機層25及LiF層等的電子注入層
的形成結束後，除去沈積罩幕10，全面形成第2電極(例如陰極)26。第4D圖所示的範例，因為是頂部發光(TOP EMISSION)型，成為從上側發光的方式，第2電極26是透光的材料，例如，以薄膜的Mg-Ag共晶膜形成。其他，可以使用Al等。又，從TFT基板21側放射光的底部發光型的情況下，第1電極22使用ITO、In3O4等，作為第2電極26，可以使用工作函數小的金屬，例如Mg、K、Li、Al等。此第2電極26的表面上，例如形成Si3N4等構成的保護膜27。又，此全體，以未圖示的玻璃、樹脂膜等構成的密封層密封，構成為有機層25或第2電極26不吸收水分或氧氣等。又，有機層25盡量共同化，其表面側也可以形成設置濾色器的構造。
上述的堤部23，剖面形狀形成頭尖的錐形，其錐形的角度β(參照第5A圖)，最好形成與從上述有機材料的沈積源60放射的沈積材料的沈積角度θ相等或較小的角度β1(參照第5B圖)。原因是堤部23的錐形角度β比沈積角度θ大時，與上述沈積罩幕10的開口部13的錐形形狀相同，從沈積源60放射的沈積光束在側緣放射的沈積粒子被堤部23阻斷，第1電極22的堤部23側的端部沒充分沈澱沈積材料。又，堤部23的錐形角度β，最好比沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α小。堤部23的錐形角度β是比沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α大的角度β2時，堤部23變成不被沈積罩幕10的凸部12a覆蓋。結果，如第5D圖所示，沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α1在沈積源60的沈積角度θ以下形成的沈積罩幕10中露出堤部23，堤部23的肩部或側壁上沈澱沈積材料
25m。結果，沈積有機材料的情況下，也從堤部23的側壁往斜方向放射光，與鄰接的畫素之間串擾顯示成色下降。因此，為了疊層有機EL顯示裝置的均勻有機層25，沈積基板20側的堤部23的形狀必須也形成具有沈積角度θ以下的錐形角度，更理想是沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α以下的錐形角度的形狀。為了形成具有如此的錐形角度的堤部23，可以以其次的方法執行。
即，例如，堤部23以SiO2、Si3N4等的無機物形成的情況下，使用乾蝕刻或濕蝕刻進行時，根據適當化與抗蝕膜的材料間的密合力的調整或膜厚的調整等的抗蝕膜的形成條件及蝕刻劑的選定，可以調整錐形角度。
又，堤部23以有機物構成的情況下，其有機物以感光性樹脂構成時，藉由調整離焦等的曝光條件、顯像液或溫度等的顯像條件、及預烤溫度或固化溫度等的鍛燒溫度的條件，得到所希望的錐形角度。堤部23是非感光性樹脂時，與上述無機物構成時同樣地進行，藉此得到所希望的錐形角度。
此堤部23的錐形角度β，根據第5A圖，很清楚地，最好與沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α相同或較小。原因是即使縮小沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α藉以防止沈積材料的阻斷，堤部23的錐形角度大時阻斷也變得沒有意義的同時，如第5D圖所示，堤部23的肩部及側壁上沈澱沈積材料25m。即，最好α≧β。另一方面，如上述，沈積罩幕10的開口部13的錐形角度α，最好在沈積源60的沈積角度θ以下。結果，沈積角度θ、沈積罩幕10的開口部13的錐形角度
α及堤部23(假堤部33)的錐形角度β之間，最好有θ≧α≧β的關係。
S1‧‧‧製作具有對應沈積基板凹凸的凹凸之假基板
S2‧‧‧假基板的凹凸面上塗佈樹脂材料，形成樹脂塗佈膜
S3‧‧‧鍛燒樹脂塗佈膜，形成樹脂鍛燒膜
S4‧‧‧經由對樹脂鍛燒膜照射雷射光，形成具有所希望的開口部之樹脂膜
S5‧‧‧黏貼框體至樹脂膜的周圍
S6‧‧‧從假基板剝離樹脂膜，形成沈積罩幕
Claims (14)
- 一種沈積罩幕，係表面上具有凹凸的沈積基板的表面在既定的場所用以沈積形成層壓膜的沈積罩幕；其中，以樹脂膜形成，一面是平坦面，另一面具有對應上述沈積基板的凹凸形狀的反轉形狀之凹凸形狀，對應上述既定的場所的部分具有開口部。
- 如申請專利範圍第1項所述的沈積罩幕，其中，上述開口部，從上述一面往上述另一面側形成開口變小的錐形，上述錐形的錐形角度，等於從沈積材料源飛來的沈積材料的沈積角度，或是縮小形成。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的沈積罩幕，其中，為了上述樹脂膜的線膨脹率與上述沈積基板的線膨脹率的差在3ppm(百萬分比)/℃以下，上述樹脂以聚醯胺形成。
- 一種沈積罩幕的製造方法，係表面上具有凹凸的沈積基板的表面為了在既定的場所形成層壓膜，在上述既定場所用以沈積沈積材料之沈積罩幕的製造方法，包括下列步驟：製作假基板步驟，製作具有對應上述沈積基板的表面形狀的凹凸之假基板；形成樹脂塗佈膜步驟，上述假基板的凹凸面上塗佈液狀的樹脂材料直到表面大致變成平坦為止，藉此形成樹脂塗佈膜；形成樹脂鍛燒膜步驟，使上述樹脂塗佈膜的溫度上升直到上述樹脂材料硬化的溫度為止，鍛燒上述樹脂塗佈膜，藉此形成樹脂鍛燒膜； 形成樹脂膜步驟，附著在上述假基板上的上述樹脂鍛燒膜上，藉由照射雷射光加工，在上述樹脂鍛燒膜上形成所希望的開口部圖案，藉此形成具有所希望的開口部圖案之樹脂膜；以及形成沈積罩幕步驟，從上述假基板剝離上述樹脂膜，形成沈積罩幕。
- 如申請專利範圍第4項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，藉由照射上述雷射光形成上述開口部圖案之際，用以形成上述開口部圖案的雷射罩幕的開口周圍，形成越進行到上述開口的端緣雷射光的透過率越下降的雷射光透過率的漸減區域，藉此上述開口部的圖案的各開口部在上述樹脂膜的厚度方向形成錐形。
- 如申請專利範圍第4或5項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，一邊調整上述樹脂材料的塗佈厚、上述鍛燒時的鍛燒溫度、上述鍛燒的時間以及鍛燒溫度與鍛燒時間的概況圖中至少一個，一邊進行上述樹脂塗佈膜的鍛燒，經由鍛燒形成的上述樹脂鍛燒膜的線膨脹率與上述沈積基板的線膨脹率間的差在3ppm(百萬分比)/℃以下。
- 如申請專利範圍第4至6項中任一項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，一邊調整上述樹脂材料的塗佈厚、上述鍛燒時的鍛燒溫度、上述鍛燒的時間以及鍛燒溫度與鍛燒時間的概況圖中至少一個，一邊進行上述樹脂塗佈膜的鍛燒，經由鍛燒形成的上述樹脂鍛燒膜的線膨脹率與上述假基板的線膨脹率間的差要在3ppm(百萬分比)/℃以下，選定 上述假基板的材料。
- 如申請專利範圍第4至7項中任一項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，每5分鐘以上120分鐘以下以10℃以上200℃以下的溫度階段性上升，上升至鍛燒溫度，進行上述樹脂材料的鍛燒。
- 如申請專利範圍第4至8項中任一項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，以上述雷射光照射的加工，係沈積基板上的每一畫素上用以形成沈積有機材料的沈積罩幕的加工。
- 如申請專利範圍第4至9項中任一項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，上述雷射光，係脈衝雷射。
- 如申請專利範圍第4至10項中任一項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，從上述假基板剝離上述樹脂膜前，上述樹脂膜的周圍形成框體。
- 如申請專利範圍第4至11項中任一項所述的樹脂膜的製造方法，其中，從上述假基板剝離上述樹脂膜之際，上述樹脂膜與上述假基板之間的界面照射焦點一致的短波長光，藉此減弱上述樹脂膜與上述假基板之間的密合力再剝離。
- 一種有機EL顯示裝置的製造方法，係在沈積基板上疊層有機層製造有機EL顯示裝置的製造方法，包括下列步驟：製作假基板步驟，製作具有對應疊層有機層的沈積基板的表面的凹凸的假基板；形成沈積罩幕步驟，上述假基板的凹凸面上塗佈液狀的樹脂材料直到表面大致變成平坦為止，對鍛燒的樹脂鍛燒膜照射雷射光，形成開口部的圖案，藉此形成樹脂膜，從上 述假基板剝離上述樹脂膜，形成沈積罩幕；層壓有機層步驟，在裝置基板上形成TFT及第1電極，形成區分各畫素的堤部的沈積基板上上述沈積罩幕位置相符重疊，藉由沈積有機材料，在上述沈積基板上層壓有機層；以及形成第2電極步驟，除去上述沈積罩幕形成第2電極。
- 如申請專利範圍第13項所述的有機EL顯示裝置的製造方法，其中，上述堤部在剖面形狀中形成頭尖的錐形，上述堤部的錐形的角度，成為從上述有機材料的沈積源飛來的沈積材料的沈積角度以下，形成上述堤部。
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