JP2001279424A - マスキング装置及び薄膜形成方法 - Google Patents
マスキング装置及び薄膜形成方法Info
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- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 title abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】凹凸を有する面に薄膜を容易に、かつ、高精度
のパターンで形成し得るマスキング装置及び薄膜形成方
法を提供する。 【解決手段】凹凸を有する面に薄膜を形成するために用
いられるマスキング装置である。このマスキング装置
は、薄膜を形成する面の凹凸に追従する凹部11及び凸
部12を有しており、更に、一面から、対向する他面側
に貫通する薄膜形成用開口部13を有する。
のパターンで形成し得るマスキング装置及び薄膜形成方
法を提供する。 【解決手段】凹凸を有する面に薄膜を形成するために用
いられるマスキング装置である。このマスキング装置
は、薄膜を形成する面の凹凸に追従する凹部11及び凸
部12を有しており、更に、一面から、対向する他面側
に貫通する薄膜形成用開口部13を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、凹凸を有する面に
薄膜を形成するために用いられるマスキング装置及びこ
のマスキング装置を用いた薄膜形成方法に関する。
薄膜を形成するために用いられるマスキング装置及びこ
のマスキング装置を用いた薄膜形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】圧電振動部品等の電子部品では、例え
ば、実開昭62−37438号公報、特開平7−192
276号公報等に開示されているように、圧電共振子を
収納するケースとして、有底凹部の内周縁に共振素子の
ための凸状支持段部を設け、有底凹部、支持段部及び外
周面に、電極を連続して形成する構造を採る場合があ
る。
ば、実開昭62−37438号公報、特開平7−192
276号公報等に開示されているように、圧電共振子を
収納するケースとして、有底凹部の内周縁に共振素子の
ための凸状支持段部を設け、有底凹部、支持段部及び外
周面に、電極を連続して形成する構造を採る場合があ
る。
【0003】しかしながら、相互間に凹凸段差を持つ有
底凹部、支持段部及び外周面に、連続する電極を形成す
ることは極めて困難である。例えば、電極形成手段とし
てよく知られているスクリーン印刷法では凹部内への印
刷が殆ど不可能である。また、凹部内への導電ペースト
の流れ込みを利用した印刷塗布では、内周縁にペースト
が溜り、膜厚が不均一になり、焼き付け時にクラック等
を発生する。
底凹部、支持段部及び外周面に、連続する電極を形成す
ることは極めて困難である。例えば、電極形成手段とし
てよく知られているスクリーン印刷法では凹部内への印
刷が殆ど不可能である。また、凹部内への導電ペースト
の流れ込みを利用した印刷塗布では、内周縁にペースト
が溜り、膜厚が不均一になり、焼き付け時にクラック等
を発生する。
【0004】また、最近、部品の小型化、高精度化等に
伴って、蒸着またはスパッタリング等の薄膜形成技術に
より、電子部品に薄膜電極を形成する必要性が高まって
いる。しかし、凹凸を有する面において、制限された領
域に、薄膜を形成する方法は、未だ知られていない。
伴って、蒸着またはスパッタリング等の薄膜形成技術に
より、電子部品に薄膜電極を形成する必要性が高まって
いる。しかし、凹凸を有する面において、制限された領
域に、薄膜を形成する方法は、未だ知られていない。
【0005】このため、実開昭62−37438号公
報、特開平7−192276号公報等に開示されている
ように、底凹部の内周縁に、共振素子のための凸状支持
段部を設けた圧電共振子収納ケースが、種々の利点を有
することは解っていても、実際には工業的に量産するこ
とができなかった。
報、特開平7−192276号公報等に開示されている
ように、底凹部の内周縁に、共振素子のための凸状支持
段部を設けた圧電共振子収納ケースが、種々の利点を有
することは解っていても、実際には工業的に量産するこ
とができなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、凹凸
を有する面に薄膜を容易に、かつ、高精度のパターンで
形成し得るマスキング装置及び薄膜形成方法を提供する
ことである。
を有する面に薄膜を容易に、かつ、高精度のパターンで
形成し得るマスキング装置及び薄膜形成方法を提供する
ことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るマスキング装置は、凹凸を有する面
に薄膜を形成するために用いられるものであって、一面
に、前記凹凸に追従する凹凸を有するとともに、前記一
面から対向する他面側に貫通する薄膜形成用開口部を有
する。
ため、本発明に係るマスキング装置は、凹凸を有する面
に薄膜を形成するために用いられるものであって、一面
に、前記凹凸に追従する凹凸を有するとともに、前記一
面から対向する他面側に貫通する薄膜形成用開口部を有
する。
【0008】凹凸を有する面に薄膜を形成するに当たっ
ては、対象物の凹凸を有する面に、本発明に係るマスキ
ング装置を当て、マスキング装置の開口部を通して、対
象物の凹凸を有する面に、蒸着またはスパッタリングに
より、薄膜を形成する。
ては、対象物の凹凸を有する面に、本発明に係るマスキ
ング装置を当て、マスキング装置の開口部を通して、対
象物の凹凸を有する面に、蒸着またはスパッタリングに
より、薄膜を形成する。
【0009】本発明に係るマスキング装置は、対象物の
凹凸を有する面の凹凸に追従する凹凸を有するから、マ
スキング装置を、対象物の薄膜を形成すべき面に、密着
させることができる。この状態で、マスキング装置に形
成された開口部を通して、対象物の凹凸を有する面に、
蒸着またはスパッタリングにより、薄膜を形成するの
で、回り込み現象等を回避して、開口部によって画定さ
れた領域に、薄膜を容易に、かつ、高精度で形成するこ
とができる。
凹凸を有する面の凹凸に追従する凹凸を有するから、マ
スキング装置を、対象物の薄膜を形成すべき面に、密着
させることができる。この状態で、マスキング装置に形
成された開口部を通して、対象物の凹凸を有する面に、
蒸着またはスパッタリングにより、薄膜を形成するの
で、回り込み現象等を回避して、開口部によって画定さ
れた領域に、薄膜を容易に、かつ、高精度で形成するこ
とができる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係るマスキング装
置の斜視図である。図は薄膜を形成すべき面に当接され
る面側を上にして示してある。図示されたマスキング装
置は、例えば、圧電振動部品において用いられる一個の
ケースに適用される。
置の斜視図である。図は薄膜を形成すべき面に当接され
る面側を上にして示してある。図示されたマスキング装
置は、例えば、圧電振動部品において用いられる一個の
ケースに適用される。
【0011】図2はこのようなケースの一例を示す図で
あり、ケース2は、有底凹部21の外周に、凸部22を
有しており、凹凸を有する面となっている。有底凹部2
1及び凸部22に、電極が連続して形成される。
あり、ケース2は、有底凹部21の外周に、凸部22を
有しており、凹凸を有する面となっている。有底凹部2
1及び凸部22に、電極が連続して形成される。
【0012】図1において、本発明に係るマスキング装
置1は、ケース2の凹凸に追従する凹部11、及び、凸
部12を有するとともに、一面から、対向する他面側に
貫通する薄膜形成用開口部13を有する。図示では開口
部13は3つであるが、その数及び形状は、ケース2に
おいて要求される薄膜の数、パターンに従って定まる。
マスキング装置1の凹部11は、ケース2の凸部22に
最小隙間で当接し、凸部12も、ケース2の凹部21に
最小隙間で当接する。
置1は、ケース2の凹凸に追従する凹部11、及び、凸
部12を有するとともに、一面から、対向する他面側に
貫通する薄膜形成用開口部13を有する。図示では開口
部13は3つであるが、その数及び形状は、ケース2に
おいて要求される薄膜の数、パターンに従って定まる。
マスキング装置1の凹部11は、ケース2の凸部22に
最小隙間で当接し、凸部12も、ケース2の凹部21に
最小隙間で当接する。
【0013】図3は図1に示したマスキング装置を用い
て、図2に示したケース2に薄膜電極を形成する工程を
示す図である。図示するように、ケース2の凹凸を有す
る面に薄膜を形成するに当たっては、ケース2の凹部2
1及び凸部22を有する面に、本発明に係るマスキング
装置1を当て、マスキング装置1の開口部13を通し
て、ケース2の凹部21及び凸部22を有する面に、蒸
着またはスパッタリングにより、薄膜を形成する。参照
符号3はスペーサ、参照符号4は裏板であり、これらに
よって、不要部分に薄膜が形成されるのを阻止する。
て、図2に示したケース2に薄膜電極を形成する工程を
示す図である。図示するように、ケース2の凹凸を有す
る面に薄膜を形成するに当たっては、ケース2の凹部2
1及び凸部22を有する面に、本発明に係るマスキング
装置1を当て、マスキング装置1の開口部13を通し
て、ケース2の凹部21及び凸部22を有する面に、蒸
着またはスパッタリングにより、薄膜を形成する。参照
符号3はスペーサ、参照符号4は裏板であり、これらに
よって、不要部分に薄膜が形成されるのを阻止する。
【0014】マスキング装置1は、ケース2の凹部21
及び凸部22に追従する凹部11及び凸部12を有する
から、マスキング装置1を、ケース2の薄膜を形成すべ
き面に密着させることができる。この状態で、マスキン
グ装置1に形成された開口部13を通して、ケース2の
凹凸を有する面に、蒸着またはスパッタリングにより、
薄膜を形成するので、回り込み現象等を回避して、開口
部13によって画定された領域に、薄膜を容易に、か
つ、高精度で形成することができる。開口部13によっ
て画定された領域に、凹部21及び凸22があっても何
ら問題はない。
及び凸部22に追従する凹部11及び凸部12を有する
から、マスキング装置1を、ケース2の薄膜を形成すべ
き面に密着させることができる。この状態で、マスキン
グ装置1に形成された開口部13を通して、ケース2の
凹凸を有する面に、蒸着またはスパッタリングにより、
薄膜を形成するので、回り込み現象等を回避して、開口
部13によって画定された領域に、薄膜を容易に、か
つ、高精度で形成することができる。開口部13によっ
て画定された領域に、凹部21及び凸22があっても何
ら問題はない。
【0015】図4は図3に示した薄膜形成工程を経て得
られたケース2の斜視図であり、凹部21及び凸部22
には、薄膜23、24、25が連続するように形成され
ている。
られたケース2の斜視図であり、凹部21及び凸部22
には、薄膜23、24、25が連続するように形成され
ている。
【0016】図5は本発明に係るマスキング装置の別の
例と、それを用いた薄膜形成方法を示している。図5に
示されたマスキング装置は、両側の開口部13の内端縁
131を、ケース2の凸部22の端縁221よりも後退
させてある。
例と、それを用いた薄膜形成方法を示している。図5に
示されたマスキング装置は、両側の開口部13の内端縁
131を、ケース2の凸部22の端縁221よりも後退
させてある。
【0017】図6は図5に示すマスキング装置を用いた
薄膜形成方法によって得られたケース2の斜視図であ
る。両側の薄膜23、25は、両側の凸部22上に延長
して形成されている。
薄膜形成方法によって得られたケース2の斜視図であ
る。両側の薄膜23、25は、両側の凸部22上に延長
して形成されている。
【0018】図7は本発明に係るマスキング装置の別の
実施例を示す図で、図7(a)はマスキング装置を上面
側(反当接面側)から見た斜視図、図7(b)は下面側
(当接面側)から見た斜視図である。電子部品の製造に
おいて、多数の電子部品を同一基板上に配列した集合体
の形態を採ることが多い。図7はそのような集合体に適
用されるマスキング装置を示している。実施例では、同
一の基体100に4つのマスキング部101〜104を
設けてある。マスキング部101〜104の内部には、
更に細分されたマスキング素子が含まれている。
実施例を示す図で、図7(a)はマスキング装置を上面
側(反当接面側)から見た斜視図、図7(b)は下面側
(当接面側)から見た斜視図である。電子部品の製造に
おいて、多数の電子部品を同一基板上に配列した集合体
の形態を採ることが多い。図7はそのような集合体に適
用されるマスキング装置を示している。実施例では、同
一の基体100に4つのマスキング部101〜104を
設けてある。マスキング部101〜104の内部には、
更に細分されたマスキング素子が含まれている。
【0019】図8はマスキング部101〜104の内部
の細分されたマスキング素子の一部を示している。図8
において、マスキング素子Q1〜Q4のそれぞれは、図
1に示した構造を持つ。
の細分されたマスキング素子の一部を示している。図8
において、マスキング素子Q1〜Q4のそれぞれは、図
1に示した構造を持つ。
【0020】図9は図7、8に示したようなマスキング
装置が適用されるケース集合体の斜視図である。ケース
集合体200には多数の凹部201が配列されている。
凹部201の周りは凸部202となっている。
装置が適用されるケース集合体の斜視図である。ケース
集合体200には多数の凹部201が配列されている。
凹部201の周りは凸部202となっている。
【0021】図10は図9に示したケース集合体200
に対する薄膜形成工程を示す図である。図示するよう
に、ケース集合体200に集合体用マスキング装置の基
板100を当接させ、蒸着またはスパッタリング等の薄
膜形成技術によって、薄膜を形成する。
に対する薄膜形成工程を示す図である。図示するよう
に、ケース集合体200に集合体用マスキング装置の基
板100を当接させ、蒸着またはスパッタリング等の薄
膜形成技術によって、薄膜を形成する。
【0022】図11は図10に示した薄膜形成方法によ
って薄膜が形成されたケース集合体の斜視図である。ケ
ース集合体200の一面には、凹部201のそれぞれ
と、その周囲の凸部202に連続する薄膜203が形成
されている。図11に図示されたケース集合体200か
ら、ケースの単品を得るには、切断線XーX、YーYに
沿って、ケース集合体200を分割すればよい。
って薄膜が形成されたケース集合体の斜視図である。ケ
ース集合体200の一面には、凹部201のそれぞれ
と、その周囲の凸部202に連続する薄膜203が形成
されている。図11に図示されたケース集合体200か
ら、ケースの単品を得るには、切断線XーX、YーYに
沿って、ケース集合体200を分割すればよい。
【0023】実施例では、ケース及びケース集合体に薄
膜を形成する場合を説明したが、本発明がそのような用
途に限定されないことは、言うまでもない。本発明は、
凹凸を有する面に薄膜を形成する場合に広く適用でき
る。
膜を形成する場合を説明したが、本発明がそのような用
途に限定されないことは、言うまでもない。本発明は、
凹凸を有する面に薄膜を形成する場合に広く適用でき
る。
【0024】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、凹
凸を有する面に薄膜を容易に、かつ、高精度のパターン
で形成し得るマスキング装置及び薄膜形成方法を提供す
ることができる。
凸を有する面に薄膜を容易に、かつ、高精度のパターン
で形成し得るマスキング装置及び薄膜形成方法を提供す
ることができる。
【図1】本発明に係るマスキング装置の斜視図である。
【図2】本発明に係るマスキング装置が適用されるケー
スの一例を示す斜視図である。
スの一例を示す斜視図である。
【図3】図1に示したマスキング装置を用いて、図2に
示したケースに薄膜電極を形成する工程を示す図であ
る。
示したケースに薄膜電極を形成する工程を示す図であ
る。
【図4】図3に示した薄膜形成工程を経て得られたケー
スの斜視図である。
スの斜視図である。
【図5】本発明に係るマスキング装置の別の例と、それ
を用いた薄膜形成方法を示す図である。
を用いた薄膜形成方法を示す図である。
【図6】図5に示すマスキング装置を用いた薄膜形成方
法によって得られたケースの斜視図である。
法によって得られたケースの斜視図である。
【図7】本発明に係るマスキング装置の別の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図8】図7に示したマスキング装置においてマスキン
グ部の内部の細分されたマスキング素子の一部を示す斜
視図である。
グ部の内部の細分されたマスキング素子の一部を示す斜
視図である。
【図9】図7、8に示したようなマスキング装置が適用
されるケース集合体の斜視図である。
されるケース集合体の斜視図である。
【図10】図9に示したケース集合体200に対する薄
膜形成工程を示す図である。
膜形成工程を示す図である。
【図11】図10に示した薄膜形成方法によって薄膜が
形成されたケース集合体の斜視図である。
形成されたケース集合体の斜視図である。
1 マスキング装置 11 凹部 12 凸部 13 開口部
Claims (3)
- 【請求項1】 凹凸を有する面に薄膜を形成するために
用いられるマスキング装置であって、 少なくとも一面に、前記凹凸に追従する凹凸を有してお
り、 前記一面から、対向する他面側に貫通する薄膜形成用開
口部を有するマスキング装置。 - 【請求項2】 凹凸を有する面に薄膜を形成する方法で
あって、 前記凹凸を有する面に、マスキング装置を当て、前記マ
スキング装置は請求項1に記載されたものでなり、 前記開口部を通して、前記凹凸を有する面に、蒸着また
はスパッタリングにより、薄膜を形成する薄膜形成方
法。 - 【請求項3】 請求項2に記載された方法であって、 前記マスキング装置の凹部の深さは、前記凹凸を有する
面の凹部の深さに等しい薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000095792A JP2001279424A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | マスキング装置及び薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000095792A JP2001279424A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | マスキング装置及び薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001279424A true JP2001279424A (ja) | 2001-10-10 |
Family
ID=18610648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000095792A Withdrawn JP2001279424A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | マスキング装置及び薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001279424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017119153A1 (ja) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスク及びその製造方法、有機el表示装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000095792A patent/JP2001279424A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017119153A1 (ja) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスク及びその製造方法、有機el表示装置の製造方法 |
| JPWO2017119153A1 (ja) * | 2016-01-06 | 2018-05-24 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスク及びその製造方法、有機el表示装置の製造方法 |
| CN108474101A (zh) * | 2016-01-06 | 2018-08-31 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模及其制造方法、有机el显示装置的制造方法 |
| JP2018184665A (ja) * | 2016-01-06 | 2018-11-22 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスク及びその製造方法、有機el表示装置の製造方法 |
| US10580985B2 (en) | 2016-01-06 | 2020-03-03 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Deposition mask, method for manufacturing thereof, and method for manufacturing organic EL display device |
| CN108474101B (zh) * | 2016-01-06 | 2020-11-27 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模及其制造方法、有机el显示装置的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |