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TW201717384A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TW201717384A
TW201717384A TW105125920A TW105125920A TW201717384A TW 201717384 A TW201717384 A TW 201717384A TW 105125920 A TW105125920 A TW 105125920A TW 105125920 A TW105125920 A TW 105125920A TW 201717384 A TW201717384 A TW 201717384A
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layer
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pixel electrode
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沈秀姸
金光淑
朴常鎬
趙承奐
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三星顯示器有限公司
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Abstract

本發明如下提供一種有機發光顯示裝置。一薄膜電晶體設置於一基板上。一第一絕緣層覆蓋該薄膜電晶體。該第一絕緣層包含一阻障壁及一平坦部。該阻障壁自該平坦部突出。一畫素電極設置於被該阻障壁環繞之該平坦部上。該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體。一畫素界定層設置於該畫素電極上幷局部地暴露出該畫素電極。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法 【優先權聲明】
本申請案依據35 U.S.C.§119主張於2015年11月13日在韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)提出申請之第10-2015-0159698號韓國專利申請案之優先權，該韓國專利申請案之揭露內容以引用方式全文併入本文中。
本發明係關於一種有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置之方法。
有機發光顯示裝置包含一有機發光二極體，該有機發光二極體包含一電洞注入電極、及一電子注入電極、以及一有機發射層，該有機發射層位於該電洞注入電極與該電子注入電極之間。另外，有機發光顯示裝置係為自發射式。在該有機發射層中，經由該電洞注入電極注入之電洞與經由該電子注入電極注入之電子彼此相組合以產生激子，該等激子自一激發態降至一基態以產生光。
該等有機發光顯示裝置不需要一光源，且因此，該等有機發 光顯示裝置可以一低電壓運行並可被形成為輕量及薄的。另外，由於該等有機發光顯示裝置在一視角、對比度及回應速度上係為優越的，因而該等有機發光顯示裝置之應用領域近來已自例如MP3播放器及行動電話等個人可攜式器件擴展至電視機(television；TV)。
根據本發明之一實例性實施例，如下提供一種有機發光顯示裝置。一薄膜電晶體設置於一基板上。一第一絕緣層覆蓋該薄膜電晶體。該第一絕緣層包含一阻障壁及一平坦部。該阻障壁自該平坦部突出。一畫素電極設置於該平坦部上及該阻障壁之一第一側表面上。該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體。一畫素界定層設置於該畫素電極上並局部地暴露出該畫素電極。
根據本發明概念之一實例性實施例，如下提供一種製造一有機發光顯示裝置之方法。形成一薄膜電晶體於一基板上。形成一第一絕緣層於該薄膜電晶體及該基板上。該第一絕緣層覆蓋該薄膜電晶體且包含一平坦部及自該平坦部突出之一阻障壁。形成一畫素電極於該平坦部上及該阻障壁之一第一側表面上。該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體。形成一畫素界定層於該畫素電極上。該畫素界定層局部地暴露出該畫素電極。
根據本發明之一實例性實施例，如下提供一種有機發光顯示裝置。一薄膜電晶體設置於一基板上。一第一絕緣層覆蓋該薄膜電晶體。該第一絕緣層包含一阻障壁及一平坦部。該阻障壁係為環形的以環繞該平坦部。一畫素電極設置於該平坦部上及該阻障壁內。該畫素電極係與該阻障壁間隔開。該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體。一畫素界定層設置於該畫素電極上並局部地暴露出該畫素電極。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
2‧‧‧有機發光顯示裝置
3‧‧‧有機發光顯示裝置
4‧‧‧有機發光顯示裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
13‧‧‧閘極絕緣層
15‧‧‧層間絕緣層
15a‧‧‧第一層間絕緣層
15b‧‧‧第二層間絕緣層
17‧‧‧通路絕緣層/第一絕緣層
17'‧‧‧第一絕緣層
17a‧‧‧平坦部
17b‧‧‧阻障壁
19‧‧‧畫素界定層
19'‧‧‧第二絕緣層圖案
19"‧‧‧第二絕緣層
19a‧‧‧絕緣層
20‧‧‧第三導電層
110‧‧‧主動層
110a‧‧‧主動層
110b‧‧‧主動層
117‧‧‧溝槽
130‧‧‧閘電極
130a‧‧‧閘電極
130b‧‧‧閘電極/下部電極
130c‧‧‧上部電極
150‧‧‧汲電極
150a‧‧‧汲電極
150b‧‧‧汲電極
170‧‧‧源電極
170a‧‧‧源電極
170b‧‧‧源電極
210‧‧‧畫素電極
210a‧‧‧第一區
210b‧‧‧第二區
230‧‧‧有機發射層
250‧‧‧相對電極
260‧‧‧配線
B‧‧‧藍色畫素
C1‧‧‧接觸孔
C2‧‧‧接觸孔
CAP‧‧‧電容器
G‧‧‧綠色畫素
GAP‧‧‧間隙
IL1‧‧‧虛擬之第一直線
IL2‧‧‧虛擬之第二直線
IS‧‧‧虛擬四邊形
M1‧‧‧半色調遮罩
M1a‧‧‧光透射部
M1b‧‧‧半透射部
M1c‧‧‧光遮蔽部
M2‧‧‧半色調遮罩
M2a‧‧‧光遮蔽部
M2b‧‧‧半透射部
M2c‧‧‧光透射部
M3‧‧‧半色調遮罩
M3a‧‧‧光透射部
M3b‧‧‧半透射部
M3c‧‧‧光遮蔽部
M4‧‧‧半色調遮罩
M4a‧‧‧光遮蔽部
M4b‧‧‧半透射部
M4c‧‧‧光透射部
OLED‧‧‧有機發光二極體
P1‧‧‧第一頂點
P2‧‧‧第二頂點
PX‧‧‧畫素
PX1‧‧‧第一畫素
PX2‧‧‧第二畫素
PX3‧‧‧第三畫素
R‧‧‧紅色畫素
SP‧‧‧間隔體
t1‧‧‧第一厚度
t2‧‧‧第二厚度
t3‧‧‧第三厚度
TFT‧‧‧薄膜電晶體
TFT1‧‧‧第一薄膜電晶體
TFT2‧‧‧第二薄膜電晶體
VIA‧‧‧通路孔
I-I'‧‧‧截取線
II-II'‧‧‧截取線
θ‧‧‧夾角
θ1‧‧‧夾角
θ2‧‧‧夾角
藉由參照附圖詳細地闡述本發明之實例性實施例，本發明之此等及其他特徵將變得更加顯而易見，在附圖中：第1圖係為根據一實施例之一有機發光顯示裝置之局部平面圖；第2圖係為有機發光顯示裝置之平面圖，其係沿著第1圖所示線I-I'所截取；第3圖係為有機發光顯示裝置之剖視圖，其係沿著第1圖所示線I-I'所截取；第4A圖至第4I圖係為剖視圖，其顯示製造第1圖所示有機發光顯示裝置之製程；第5圖係為根據一實施例之一有機發光顯示裝置之局部平面圖；第6圖係為有機發光顯示裝置之剖視圖，其係沿著第5圖所示線II-II'所截取；第7A圖至第7H圖係為剖視圖，其顯示製造第5圖所示有機發光顯示裝置之製程；以及第8圖及第9圖係為根據一實施例之一有機發光顯示裝置之剖視圖。
下文將參照附圖詳細地闡述本發明之實例性實施例。然而，本發明可實施為不同形式，而不應理解為僅限於本文中所陳述之實施例。 在附圖中，為清晰起見，可擴大各層及區之厚度。亦將理解，當將一元件稱作位於另一元件或基板「上」時，其可係直接位於該另一元件或基板上，或者亦可能存在中間層。亦將理解，當將一元件稱作「耦合至」或「連接至」另一元件時，其可係直接耦合至或連接至該另一元件，或者亦可能存在中間元件。在本說明書通篇及所有附圖中，相同參考編號可指代相同元件。
為方便解釋，可擴大附圖中各組件之大小。換言之，由於附圖中各組件之大小及厚度係為方便解釋起見而任意地例示，因而以下實施例並不限於該等大小及厚度。
第1圖係為根據本發明概念之一實例性實施例，一有機發光顯示裝置1之局部平面圖。
參照第1圖，複數個畫素可排列於有機發光顯示裝置1之一顯示區域上。舉例而言，有機發光顯示裝置1可包含複數個第一畫素PX1、複數個第二畫素PX2及複數個第三畫素PX3。該等第一畫素PX1、該等第二畫素PX2及該等第三畫素PX3可係根據一預定圖案沿一行方向及一列方向重複地排列。
各該第一畫素PX1可具有較圍繞該第一畫素PX1鄰近之第二畫素PX2及第三畫素PX3之面積為小之一面積。第一畫素PX1可係為發射綠色光之一綠色畫素G。該等第一畫素PX1彼此間隔開且排列於一虛擬之第一直線IL1上。第一畫素PX1可具有一多邊形形狀(例如一四邊形形狀、一八邊形形狀)、一圓形形狀、一橢圓形形狀，且該多邊形形狀可具有複數個圓形頂點。
第一畫素PX1位於虛擬四邊形IS之中心處。第二畫素PX2位於虛擬四邊形IS之一對第一頂點P1上。第一頂點P1面朝彼此。第三畫素PX3位於虛擬四邊形IS之一對第二頂點P2上。第二頂點P2在虛擬多邊形IS中面朝彼此。虛擬四邊形IS可係為一正方形。
第二畫素PX2與第一畫素PX1及第三畫素PX3間隔開，且各該第二畫素PX2具有位於虛擬四邊形IS之第一頂點P1處之一中心點。各該第二畫素PX2可具有較相鄰第一畫素PX1之面積為大之一面積。第二畫素PX2可係為發射藍色光之一藍色畫素B。第二畫素PX2可具有一多邊形形狀(例如一四邊形形狀及一八邊形形狀)、一圓形形狀、及一橢圓形形狀，且該多邊形形狀可包含複數個圓形頂點。
第三畫素PX3與第一畫素PX1及第二畫素PX2間隔開，且各該第三畫素PX3具有位於虛擬四邊形IS中緊挨第一頂點P1之第二頂點P2處之一中心點。各該第三畫素PX3可具有較相鄰第一畫素PX1之面積為大之一面積。另外，第三畫素PX3可具有與第二畫素PX2之面積不同之一面積。舉例而言，第三畫素PX3可具有較第二畫素PX2之面積為大之一面積。在一實例性實施例中，第三畫素PX3可具有與第二畫素PX2之面積相同之面積。第三畫素PX3可係為發射紅色光之一紅色畫素R。第三畫素PX3可具有一多邊形形狀(例如一四邊形形狀及一八邊形形狀)、一圓形形狀、或一橢圓形形狀，且該多邊形形狀可具有複數個圓形頂點。
各該第三畫素PX3及各該第二畫素PX2交替地排列於一虛擬之第二直線IL2上，且因此，中心點位於第一頂點P1處之該等第二畫素PX2及中心點位於第二頂點P2處之該等第三畫素PX3環繞該等第一畫素PX1。
由於該等第二畫素PX2及該等第三畫素PX3係排列成環繞 該等第一畫素PX1，因而第一畫素PX1、第二畫素PX2及第三畫素PX3之開孔率可得以增大。此可用作使製造一有機發光顯示裝置所花費之時間及成本降低並使由該有機發光顯示裝置所顯示之影像之品質提高的一因素。
另外，根據該實施例之畫素排列結構，發射相同色彩之光之畫素彼此之間隔頗大，藉此提高了沈積可靠性。另外，發射不同色彩之光之畫素(亦即，紅色畫素、綠色畫素及藍色畫素)彼此之間隔頗窄，藉此提高了開孔率。
另外，根據該實施例之有機發光顯示裝置1中之畫素排列結構，第一畫素PX1、第二畫素PX2及第三畫素PX3分別發射綠色光、藍色光及紅色光，但一或多個實施例並不限於此情形。亦即，第一畫素PX1、第二畫素PX2及第三畫素PX3可發射色彩不同於綠色、藍色及紅色之光。舉例而言，第二畫素PX2及第三畫素PX3其中之一或多者可發射白色光。
第2圖係為有機發光顯示裝置1之局部平面圖，其係沿著第1圖所示線I-I'所截取。第3圖係為有機發光顯示裝置1之局部剖視圖，其係沿著第1圖所示線I-I'所截取。
沿著第1圖所示線I-I截取了第二畫素PX2之各視圖。第二畫素PX2之平面圖及剖視圖可與第一畫素PX1及第三畫素PX3之平面圖及剖視圖實質上相同，且因此，為方便說明起見，下文中將代表性地闡述一畫素PX。
參照第2圖及第3圖，有機發光顯示裝置1包含：一薄膜電晶體TFT，設置於一基板10之一顯示區域上；一通路絕緣層17，覆蓋薄膜電晶體TFT；一畫素電極210，設置於通路絕緣層17上並電性連接至薄膜電晶體 TFT；以及一畫素界定層19，局部地覆蓋畫素電極210。通路絕緣層17可被稱作一第一絕緣層17。
一畫素PX可包含一有機發光二極體(organic light-emitting diode；OLED)及用於驅動該有機發光二極體之一驅動電路。該有機發光二極體可包含畫素電極210、面朝畫素電極210之一相對電極、及設置於畫素電極210與該相對電極間之一有機發射層。該驅動電路可包含至少一個薄膜電晶體TFT及至少一個電容器。參照第3圖，為方便說明起見，僅闡述該有機發光二極體之畫素電極210、及該驅動電路中所包含之薄膜電晶體TFT。
薄膜電晶體TFT可包含：一主動層110，設置於一緩衝層11上；一閘電極130，與主動層110絕緣且至少局部地設置於主動層110上方；一源電極170；以及一汲電極150，電性連接至一畫素電極210。一閘極絕緣層13設置於主動層110與閘電極130之間，且一層間絕緣層15可設置於閘電極130與源電極170及汲電極150之間。源電極170及汲電極150可分別連接至主動層110之一源極區及一汲極區。
根據該實施例之薄膜電晶體TFT係為其中閘電極130設置於主動層110上方之一頂部閘極型，但本發明並不限於此類型。舉例而言，薄膜電晶體TFT可係為其中閘電極130設置於主動層110下方之一底部閘極型。
緩衝層11、閘極絕緣層13及層間絕緣層15可延伸至圍繞該顯示區域之一非顯示區域之一部分並且延伸至該顯示區域。根據一實例性實施例，緩衝層11、閘極絕緣層13及層間絕緣層15可設置於除基板10之一最外區以外之整個基板10上。
覆蓋薄膜電晶體TFT之通路絕緣層17可設置於薄膜電晶體 TFT上方。通路絕緣層17可為一後續製程提供一平坦化之上表面。通路絕緣層17可具有一單層結構或一多層結構，該單層結構或多層結構包含一有機材料。然而，本發明並不限於此情形。舉例而言，通路絕緣層17可具有包含一無機絕緣層及一有機絕緣層之一複合堆疊結構。
通路絕緣層17包含一通路孔VIA、一具有一第一厚度t1之平坦部17a、及一自平坦部17a突出至一第二厚度t2之阻障壁17b。在一平面圖中，通路絕緣層17之阻障壁17b之形狀可類似於畫素電極210之形狀。通路絕緣層17之阻障壁17b之一厚度大於畫素界定層19之厚度。在一實例性實施例中，阻障壁17b之厚度可足以防止在一沈積製程期間因一遮罩而使畫素電極210受損，且因此，該沈積製程之可靠性可得以提高，該沈積製程係使用一精細金屬遮罩(fine metal mask；FMM)來在發射不同色彩之光之畫素其中之每一者中形成一有機發射層。舉例而言，阻障壁17b之第二厚度t2可係為約3微米至約4微米。
平坦部17a之一上表面可平行於基板10之各表面。
阻障壁17b可具有一倒錐形狀，該倒錐形狀之一寬度遠離基板10或平坦部17a而逐漸地增大。舉例而言，阻障壁17b之寬度朝上逐漸地增大。然而，本發明並不限於此情形。舉例而言，阻障壁17b可具有一恆定寬度。亦即，阻障壁17b之一內側表面與基板10之一表面(亦即，平坦部17a之一上表面)間之一夾角θ可係為90°或更大。阻障壁17b沿著畫素電極210之各邊緣而環繞畫素電極210。在一實例性實施例中，畫素電極210可設置於一溝槽117之一底表面上，溝槽117係由阻障壁17b形成於通路絕緣層17中。阻障壁17b環繞溝槽117。溝槽117之一側表面由阻障壁17b界定，且溝槽117可具有內部寬度自一底部部分朝上減小之一倒錐形狀。
畫素電極210可經由位於溝槽117中之通路孔VIA而電性連接至薄膜電晶體TFT。通路孔VIA穿透平坦部17a，以暴露出汲電極150。畫素電極210被侷限於溝槽117內，且因此，畫素電極210係為設置於通路絕緣層17上之一獨立島類型。根據該實施例之畫素電極210被電性連接至汲電極150，但本發明並不限於此情形。舉例而言，畫素電極210可電性連接至源電極170。
畫素電極210包含一第一區210a及一第二區210b，第一區210a上面設置有一有機發射層，第二區210b位於第一區210a之周邊處。
畫素電極210之第一區210a可被形成為一多邊形(例如一四邊形及一八邊形)、一圓形或一橢圓形。該有機發射層(圖中未顯示)形成於畫素電極210之第一區210a上，且一相對電極(圖中未顯示)形成於該有機發射層上。畫素電極210中第一區210a之形狀可決定畫素PX之形狀。
畫素電極210之第二區210b被畫素界定層19覆蓋，且第二區210b之一部分可位於通路孔VIA上。第二區210b自第一區210a延伸之一方向可根據通路孔VIA之位置而變化。在第2圖之平面圖中，第二區210b自第一區210a朝上筆直地延伸，且通路孔VIA位於第二區210b之略靠上部分中。然而，本發明並不限於此情形。舉例而言，第二區210b延伸之方向可根據各該畫素PX中通路孔VIA之位置而變化。
畫素電極210位於被阻障壁17b環繞之平坦部17a上。畫素電極210與阻障壁17b間隔開一預定間隙GAP。畫素電極210與阻障壁17b間之間隙GAP之一大小可根據阻障壁17b之夾角θ而變化。
畫素界定層19可設置於畫素電極210與阻障壁17b間之間隙 GAP中。畫素界定層19填充畫素電極210與阻障壁17b間之間隙GAP，並覆蓋畫素電極210之第二區210b。阻障壁17b之第二厚度t2大於畫素界定層19之一第四厚度t4。
第4A圖至第4I圖係為剖視圖，其顯示對第1圖所示有機發光顯示裝置1之製造。
參照第4A圖，可設置薄膜電晶體TFT於基板10上。
在形成緩衝層11於基板10上之後，形成包含一半導體材料之一半導體層於緩衝層11上，並將該半導體層圖案化以形成主動層110。
基板10可包含各種材料，例如，玻璃、金屬及塑膠。根據該實施例，基板10可包含一撓性基板。此處，撓性基板表示一種可被彎曲、彎折、折疊、或捲起之基板。該撓性基板可包含超薄玻璃、金屬或塑膠。舉例而言，當基板10包含一塑膠材料時，基板10可包含聚醯亞胺(polyimide；PI)，但本發明並不限於此材料。
緩衝層11防止雜質元素滲入並將基板10之一表面平坦化。緩衝層11可設置於基板10上。緩衝層11可具有一單層結構或一多層結構，該單層結構或多層結構包含一無機材料，例如氮化矽(SiNx)及/或氧化矽(SiOx)。基板10與緩衝層11之間可更設置有一阻障層(圖中未顯示)。在一實例性實施例中，可省略緩衝層11。
主動層110包含一半導體材料，例如，包含一無機半導體材料(例如非晶矽或多晶矽)。然而，本發明並不限於此材料。舉例而言，主動層110可包含一有機半導體材料或氧化物半導體材料。
閘極絕緣層13可設置於基板10上方並覆蓋主動層110。閘極 絕緣層13可具有一單層結構或一多層結構，該單層結構或多層結構包含一無機材料。舉例而言，該閘極絕緣層可包含氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋅(ZrO2)、或其一組合。
形成包含一導電材料之一第一導電層於閘極絕緣層13上，並將該第一導電層圖案化以形成薄膜電晶體TFT之閘電極130。閘電極130可連接至複數個閘極線(圖中未顯示)且可包含一低電阻金屬材料，該等閘極線用於向薄膜電晶體TFT施加導通/關斷訊號。舉例而言，閘電極130可具有一單層結構或一多層結構，該單層結構或多層結構包含一或多種材料，包含鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、或銅(Cu)。閘電極130可與主動層110之至少一部分在一平面上交疊。
在一實例性實施例中，可利用閘電極130作為一遮罩而給主動層110摻雜n型或p型雜質。因此，主動層110可包含一源極區及一汲極區以及位於該源極區與該汲極區間之一通道區，該源極區及該汲極區摻雜有雜質。
接下來，形成層間絕緣層15於基板10上方。層間絕緣層15覆蓋閘電極130。層間絕緣層15可具有一單層結構或一多層結構，該單層結構或多層結構包含一無機材料。舉例而言，層間絕緣層15可包含氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋅(ZrO2)、或其一組合。
同時蝕刻層間絕緣層15及閘極絕緣層13，以形成暴露出主動 層110之至少二個接觸孔C1及C2。主動層110之源極區及汲極區可經由接觸孔C1及C2而被暴露出。
接下來，形成包含一導電材料之一第二導電層於層間絕緣層15上，並將該第二導電層圖案化以形成薄膜電晶體TFT之源電極170及汲電極150。源電極170及汲電極150可各自具有一單層結構或一多層結構，該單層結構或多層結構包含具有優越導電性之一導電材料。舉例而言，源電極170及汲電極150可包含與閘電極130之材料相同之材料。源電極170及汲電極150可分別經由接觸孔C1及C2而連接至主動層110之源極區及汲極區。
參照第4B圖，可形成包含一絕緣材料之一第一絕緣層17'於基板10上方，以覆蓋薄膜電晶體TFT。另外，將一半色調遮罩M1對準於第一絕緣層17'上方。
第一絕緣層17'可包含一感光性有機材料，例如一丙烯酸樹脂、苯並環丁烯(benzocyclobutene；BCB)、聚醯亞胺、及一酚醛系樹脂。此處，該感光性有機材料可係為一負型感光性材料或一正型感光性材料。
在第4B圖中，第一絕緣層17'包含一負型感光性材料，且在此種情形中，半色調遮罩M1可包含一光透射部M1a、一半透射部M1b及一光遮蔽部M1c。光透射部M1a對應於其中第一絕緣層17'將存留之一區，半透射部M1b對應於其中第一絕緣層17'將局部地被移除之一區，且光遮蔽部M1c對應於其中第一絕緣層17'將完全被移除之一區。
利用半色調遮罩M1將第一絕緣層17'暴露於光。
參照第4C圖，將已被暴露於光之第一絕緣層17'顯影，以形成通路絕緣層17。
與半色調遮罩M1之光遮蔽部M1c對應之第一絕緣層17'完全被移除，與半透射部M1b對應之第一絕緣層17'局部地被移除，且與光透射部M1a對應之第一絕緣層17'被存留。此處，第一絕緣層17'之與半透射部M1b對應之部分具有較與光透射部M1a對應之部分之厚度為小之一厚度，且與半透射部M1b對應之部分之厚度可藉由形成半透射部M1b之材料之一組分比率或一厚度來加以調整。
於第一絕緣層17'中，在與光遮蔽部M1c對應之部分中形成通路孔VIA，在與半透射部M1b對應之部分上形成平坦部17a，且可在與光透射部M1a對應之部分上形成阻障壁17b。因此，可形成包含通路孔VIA、平坦部17a及阻障壁17b之通路絕緣層17。舉例而言，可藉由利用半色調遮罩M1進行一個遮罩製程而形成包含通路孔VIA、平坦部17a及阻障壁17b之通路絕緣層17。
阻障壁17b可具有倒錐形狀，該倒錐形狀之寬度遠離平坦部17a而增大。另外，可在通路絕緣層17之被阻障壁17b環繞之平坦部17a之一空間上形成一預定空間(亦即，該倒錐形狀之溝槽117)。
通路孔VIA位於溝槽117中，且薄膜電晶體TFT之汲電極150之一部分可由通路孔VIA暴露出。
第4B圖及第4C圖例示了利用負型感光性材料來形成通路絕緣層17之實例性實施例。當使用負型感光性材料時，如第4C圖所示，一阻障壁可被圖案化成一倒錐形狀。然而，本發明並不限於此情形。舉例而言，可利用一正型感光性材料來形成通路絕緣層17。此處，半色調遮罩M1可包含一光遮蔽部M1a、一半透射部M1b及一光透射部M1c。光遮蔽部M1a被配置成對應於其中第一絕緣層17'將存留之一區，半透射部M1b被配置成對應 於其中第一絕緣層17'將局部地被移除之一區，且光透射部M1c被配置成對應於其中第一絕緣層17'將完全被移除之一區。在利用一正型感光性材料進行之一圖案化製程中，阻障壁17b可具有一垂直形狀或一錐形形狀，該錐形形狀之一寬度遠離平坦部17a而減小，亦即，阻障壁之一內側表面與基板之一表面間之一夾角係為90°或更小。當阻障壁具有一垂直形狀但不具有一錐形表面時，可藉由利用一各向同性蝕刻製程局部地蝕刻該阻障壁之一下部外表面而將該阻障壁之一上部寬度形成為不同於一下部寬度。
參照第4D圖，可形成包含一導電材料之一第三導電層20於通路絕緣層17上。
第三導電層20可係為一反射層，其包含銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、或其一化合物。在一實例性實施例中，除該反射層以外，第三導電層20可更包含一透明導電層，該透明導電層包含氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(zinc oxide；ZnO)、氧化銦(indium oxide；In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide；IGO)、或氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide；AZO)。
當第三導電層20形成於通路絕緣層17上時，第三導電層20因阻障壁17b之厚度而被分離成分別設置於平坦部17a之一上表面及阻障壁17b之一上表面上。另外，第三導電層20可因阻障壁17b之倒錐形狀而輕易地被隔開。
在一實例性實施例中，可利用包含一濺鍍製程之一定向沈積方法來沈積第三導電層20。舉例而言，由於濺鍍製程係沿例如基板之一垂線來提供欲沈積之反應物，因而該等反應物不會或很少使得第三導電層20沈積於阻障壁17b之倒錐形狀側壁上。
形成於由阻障壁17b所形成之溝槽117之底表面上之第三導電層20可電性連接至薄膜電晶體TFT之汲電極150。第三導電層20可完全填滿溝槽117中之通路孔VIA。形成於溝槽117之底表面上之第三導電層20隨後可充當畫素電極210。
由於阻障壁17b之倒錐形狀，第三導電層20可被形成為具有一預定間隙GAP而不接觸阻障壁17b之下部側表面。然而，本發明並不限於此情形。舉例而言，根據第三導電層20及/或形成第三導電層20之導電材料之厚度，第三導電層20可接觸阻障壁17b之下部側表面，而不形成間隙GAP。
參照第4E圖，可形成包含一絕緣材料之一第二絕緣層19"於第三導電層20上。另外，將一半色調遮罩M2對準於第二絕緣層19"上方。
第二絕緣層19"係形成於第三導電層20之一上表面上。第二絕緣層19"可完全填滿第三導電層20與阻障壁17b間之間隙GAP。第二絕緣層19"亦被阻障壁17b分離及隔開。
第二絕緣層19"可包含一感光性有機材料，例如一丙烯酸樹脂、苯並環丁烯、聚醯亞胺、及一酚醛系樹脂。此處，該感光性有機材料可係為一負型感光性材料或一正型感光性材料。下文將參照第4E圖來闡述其中第二絕緣層19"包含正型感光性材料之一實例。
半色調遮罩M2可包含一光遮蔽部M2a、一半透射部M2b及一光透射部M2c。光遮蔽部M2a被配置成對應於其中第二絕緣層19"最終將存留之一區，半透射部M2b被配置成對應於其中在一灰化製程之後第二絕緣層19"將局部地存留之一區，且光透射部M2c被配置成對應於其中第二絕緣層19"將完全被移除之一區。
利用半色調遮罩M2將第二絕緣層19"暴露於光。
第4F圖示意性地例示在將已被暴露於光之第二絕緣層19"顯影之後存留之一第二絕緣層圖案19'。
第二絕緣層19"之與半色調遮罩M2之光透射部M2c對應之部分完全被移除，第二絕緣層19"之與半透射部M2b對應之部分局部地被移除，且第二絕緣層19"之與光遮蔽部M2a對應之部分被存留。此處，第二絕緣層19"之與半透射部M2b對應之部分具有較第二絕緣層19"之與光遮蔽部M2a對應之部分之厚度為小之一厚度，且該厚度可藉由形成半透射部M2b之材料之組分比率或一厚度來加以調整。
由於自與光透射部M2c對應之部分完全移除了第二絕緣層19"，因而第三導電層20被暴露出。
參照第4G圖，使用在第4F圖所示製程之後存留之第二絕緣層圖案19'作為一蝕刻遮罩來移除暴露之第三導電層20。此處，可將第二絕緣層圖案19'蝕刻至一局部厚度。可藉由各種方法(例如一濕蝕刻方法或一干蝕刻方法)來執行該蝕刻步驟。
由於該蝕刻步驟，只有設置於溝槽117中之第三導電層20被存留，以形成畫素電極210。
參照第4H圖，可藉由一灰化製程來局部地移除第二絕緣層圖案19'。藉由該灰化製程，可減小第二絕緣層圖案19'之一高度。
第二絕緣層圖案19'之與半透射部M2b對應之部分被該灰化製程完全移除，俾使畫素電極210可局部地被暴露出。
第二絕緣層圖案19'之與光遮蔽部M2a對應之一部分被該灰 化製程降低了高度而被形成為畫素界定層19，畫素界定層19局部地覆蓋畫素電極210。畫素界定層19覆蓋畫素電極210中之一部分(例如，畫素電極210之第二區210b)之一上表面及一側表面。此後，可使畫素界定層19固化。在一實例性實施例中，可藉由利用半色調遮罩M2進行一個遮罩製程而獲得畫素電極210及畫素界定層19。
參照第4I圖，形成一有機發射層230於畫素電極210之一部分上，其中該部分由畫素界定層19暴露出，且形成一相對電極250於有機發射層230上以構造出一有機發光二極體OLED。
有機發射層230可包含一低分子量有機材料或一聚合物有機材料。可利用一精細金屬遮罩而在各該有機發光二極體OLED中設置該有機發射層，且在此種情形中，有機發光二極體OLED可根據其中所包含之有機發射層230之類型而發射紅色光、綠色光或藍色光。然而，本發明並不限於此情形，且可在一個有機發光二極體OLED中設置複數個有機發射層230。舉例而言，可將發射紅色光、綠色光及藍色光之複數個有機發射層230垂直堆疊或混合以發射白色光。在此種情形中，可更提供一色彩轉換層或一彩色濾光片，以將白色光轉換成一預定色彩。然而，上述紅色光、綠色光及藍色光係實例性地提供，且用於發射白色光之色彩組合並不限於此種組合。
雖然圖中未顯示，然而，可在畫素電極210與有機發射層230之間及/或在有機發射層230與相對電極250之間更設置一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層及一電子注入層其中之至少一個功能層。根據一實例性實施例，除上述層以外，可在畫素電極210與相對電極250之間更設置其他各種功能層。可利用一開口遮罩為複數個畫素中之該等有機發光二極體OLED將該等功能層形成為共同層。
相對電極250可包含各種導電材料。舉例而言，相對電極250可包含一半透射反射層(包含鋰、鈣、氟化鋰(lithium fluoride；LiF)、鋁、鎂、銀)或一光透射金屬氧化物(例如氧化銦錫、氧化銦鋅及氧化鋅)，且可具有一單層結構或一多層結構。
雖然附圖中未顯示，然而，根據一實例性實施例，相對電極250上可設置有一薄膜囊封層，其中該薄膜囊封層囊封有機發光二極體OLED且包含至少一個有機層及至少一個無機層。該薄膜囊封層將有機發光二極體OLED囊封成使得有機發光二極體OLED不會暴露於外部空氣或雜質。該薄膜囊封層之一厚度可達到使一撓性顯示裝置可彎曲且可折疊之程度。
第5圖係為根據一實例性實施例之一有機發光顯示裝置2之局部平面圖，且第6圖係為有機發光顯示裝置2之剖視圖，其係沿著第5圖所示線II-II'所截取。
參照第5圖及第6圖所例示之有機發光顯示裝置2與參照第1圖至第3圖所例示之有機發光顯示裝置1之不同在於更包含一配線260及一間隔體SP，且其他元件與有機發光顯示裝置1之元件相同。因此，為方便說明，省略了對與參照第1圖至第3圖所例示之元件相同之元件之說明。
參照第5圖及第6圖，複數個第一畫素PX1、複數個第二畫素PX2及複數個第三畫素PX3可根據一預定圖案重複地排列於有機發光顯示裝置2之一顯示區域上。
第一畫素PX1可係為綠色畫素G，第二畫素PX2可係為藍色畫素B，且第三畫素PX3可係為紅色畫素R。第5圖所示對第一畫素至第三畫 素PX1、PX2及PX3之平面型排列等同於第2圖所示平面型排列。
有機發光顯示裝置2包含：薄膜電晶體TFT，設置於基板10之顯示區域上；通路絕緣層17，覆蓋薄膜電晶體TFT；畫素電極210，設置於通路絕緣層17上並電性連接至薄膜電晶體TFT；以及畫素界定層19，局部地覆蓋畫素電極210。配線260及間隔體SP可在通路絕緣層17上圍繞畫素電極210被設置成與畫素電極210間隔開。
薄膜電晶體TFT包含：主動層110，設置於緩衝層11上；閘電極130，與主動層110絕緣且設置於主動層110之至少一部分上方；源電極170；以及汲電極150，電性連接至畫素電極210。閘極絕緣層13設置於主動層110與閘電極130之間，且層間絕緣層15可設置於閘電極130與源電極170之間及閘電極130與汲電極150之間。源電極170及汲電極150可分別連接至主動層110之源極區及汲極區。
覆蓋薄膜電晶體TFT之通路絕緣層17可設置於薄膜電晶體TFT上。
通路絕緣層17包含通路孔VIA、具有一第一厚度t1之平坦部17a、自平坦部17a突出至一第二厚度t2之阻障壁17b、以及自平坦部17a突出至一第三厚度t3之間隔體SP。
平坦部17a之一上表面可平行於基板10之一表面。
當自一平面觀看時(在一平面圖中)，阻障壁17b可具有與畫素電極210之形狀類似之一形狀。阻障壁17b之一內側表面與基板10之表面(亦即，平坦部17a之上表面)間之一夾角θ1可係為90°或更大。阻障壁17b沿著畫素電極210之各邊緣而環繞畫素電極210。在一實例性實施例中，畫 素電極210可設置於溝槽117之一底表面上，溝槽117係由阻障壁17b形成於通路絕緣層17中。
間隔體SP之一內側表面與基板10之表面(亦即，平坦部17a之上表面)間之一夾角θ2可係為90°或更大。舉例而言，間隔體SP可具有一倒錐形狀，該倒錐形狀之一寬度遠離平坦部17a而增大。作為另一實例，間隔體SP可具有一恆定寬度。間隔體SP可以一預定間隔設置於各畫素之間。間隔體SP可圍繞配線260設置，配線260與畫素電極210以相同層高度形成且包含與畫素電極210之材料相同之材料。在一實例性實施例中，夾角θ2與夾角θ1可實質上相同。在一實例性實施例中，夾角θ2與夾角θ1可彼此不同。
阻障壁17b之第二厚度t2及間隔體SP之第三厚度t3大於畫素界定層19之一第四厚度t4。舉例而言，阻障壁17b之第二厚度t2與間隔體SP之第三厚度t3可彼此相等，例如，約3微米至約4微米。
在該實施例中，阻障壁17b之厚度可足以防止在一沈積製程期間因一遮罩而對畫素電極210造成損壞，該沈積製程係利用一精細金屬遮罩來在發射不同色彩之光之畫素其中之每一者中形成一有機發射層，且間隔體SP之厚度可防止對與畫素電極210以相同層高度形成且包含相同材料之配線260造成損壞。因此，該沈積製程之可靠性可得以提高。
畫素電極210可經由位於溝槽117中之通路孔VIA而電性連接至薄膜電晶體TFT。畫素電極210可包含第一區210a及第二區210b，第一區210a上面設置有有機發射層，第二區210b位於第一區210a之周邊處。
每一畫素PX之形狀可相依於畫素電極210中第一區210a之形狀。畫素電極210之第二區210b被畫素界定層19覆蓋，且第二區210b之一 部分可位於通路孔VIA上。
畫素電極210與阻障壁17b因其之間形成有一預定間隙GAP而間隔開。畫素界定層19可設置於畫素電極210與阻障壁17b間之間隙GAP中。畫素界定層19覆蓋畫素電極210之第二區210b。畫素界定層19完全填滿畫素電極210與阻障壁17b間之間隙GAP。畫素電極210位於被阻障壁17b環繞之平坦部17a上。
配線260可與畫素電極210間隔開且位於阻障壁17b之一外側之平坦部17a上，亦即，位於至少二個阻障壁17b之間。配線260並不限於一特定種類。在一實例性實施例中，配線260可係為一資料線或一初始化電壓線或一電源電壓線等，且被電性連接至位於不同層處之複數個線以用作一輔助線。配線260之一上表面及一側表面可被一絕緣層19a(參見第7G圖)完全覆蓋，絕緣層19a包含與畫素界定層19相同之材料。間隔體SP可圍繞配線260而設置。間隔體SP可與配線260間隔開。絕緣層19a可因阻障壁17b而與畫素界定層19分離。
第7A圖至第7H圖係為剖視圖，其顯示製造第5圖所示有機發光顯示裝置2之製程。
參照第7A圖，形成薄膜電晶體TFT於基板10上，且可利用一絕緣材料形成一第一絕緣層17'以覆蓋薄膜電晶體TFT。另外，將一半色調遮罩M3對準於第一絕緣層17'上方。
由於上文已參照第4A圖闡述了形成薄膜電晶體TFT之製程，因而省略對該等製程之說明。在下文中，將省略上文參照第4A圖至第4I圖所述元件之說明。
第一絕緣層17'可包含一感光性有機材料。該感光性有機材料可係為一負型感光性材料。
半色調遮罩M3可包含一光透射部M3a、一半透射部M3b及一光遮蔽部M3c。光透射部M3a被配置成對應於其中第一絕緣層17'將存留之一區，半透射部M3b被配置成對應於其中第一絕緣層17'將局部地被移除之一區，且光遮蔽部M3c被配置成對應於其中第一絕緣層17'將完全被移除之一區。
利用半色調遮罩M3作為一遮罩而將第一絕緣層17'暴露於光。
參照第7B圖，將已被暴露於光之第一絕緣層17'顯影，以形成通路絕緣層17。
第一絕緣層17'之與半色調遮罩M3之光遮蔽部M3c對應之部分完全被移除，第一絕緣層17'之與半透射部M3b對應之部分局部地被移除，且第一絕緣層17'之與光透射部M3a對應之部分被存留。此處，第一絕緣層17'之與半透射部M3b對應之部分之一厚度小於第一絕緣層17'之與光透射部M3a對應之部分之厚度，且該厚度可利用形成半透射部M3b之材料之一組分比率或一厚度來加以調整。
在第一絕緣層17'中，可在與光遮蔽部M3c對應之部分中形成通路孔VIA，可在與半透射部M3b對應之部分上形成平坦部17a，且可在與光透射部M3a對應之部分上形成阻障壁17b及間隔體SP。因此，可獲得包含通路孔VIA、平坦部17a、阻障壁17b及間隔體SP之通路絕緣層17。舉例而言，可藉由利用半色調遮罩M3進行一個遮罩製程來形成包含通路孔VIA、平坦 部17a、阻障壁17b及間隔體SP之通路絕緣層17。
阻障壁17b及間隔體SP可各自具有具一傾斜側表面之倒錐形狀，該倒錐形狀之一寬度遠離平坦部17a而增大。另外，可在通路絕緣層17之平坦部17a之區上形成具有倒錐形狀之溝槽117。溝槽117可被阻障壁17b環繞。通路孔VIA位於溝槽117中，且薄膜電晶體TFT之汲電極150可由通路孔VIA局部地暴露出。
第7A圖及第7B圖例示了利用負型感光性材料所形成之通路絕緣層17。當使用負型感光性材料時，可如第7B圖所示圖案化出具有倒錐形狀之阻障壁17b及間隔體SP。然而，本發明並不限於此情形。舉例而言，可利用一正型感光性材料來形成通路絕緣層17。此處，半色調遮罩M3可包含一光遮蔽部M3a、一半透射部M3b及一光透射部M3c。光遮蔽部M3a被配置成對應於其中第一絕緣層17'將存留之一區，半透射部M3b被配置成對應於其中第一絕緣層17'將局部地被移除之一區，且光透射部M3c被配置成對應於其中第一絕緣層17'將完全被移除之一區。當該圖案化步驟係利用一正型感光性材料而執行時，阻障壁17b及間隔體SP可具有垂直形狀但不具有一錐形部。在此種情形中，可藉由一各向同性蝕刻製程局部地蝕刻阻障壁17b及間隔體SP之一下部外側表面，俾使阻障壁17b及間隔體SP可各自具有互不相同之一上部寬度與一下部寬度。
參照第7C圖，可形成包含一導電材料之第三導電層20於通路絕緣層17上。
當第三導電層20沈積於通路絕緣層17上時，第三導電層20由於阻障壁17b及間隔體SP而分離，且隨後被設置於平坦部17a之上表面上以及阻障壁17b及間隔體SP之上部部分上。另外，第三導電層20可由於阻障 壁17b及間隔體SP之倒錐形狀而被隔開，乃因導電層20並未沈積於阻障壁17b之倒錐形狀側壁及間隔體SP之倒錐形狀側壁上。
設置於由阻障壁17b所形成之溝槽117之一底表面上之第三導電層20可電性連接至薄膜電晶體TFT之汲電極150。第三導電層20可完全填滿溝槽117中之通路孔VIA。設置於溝槽117之底表面上之第三導電層20隨後可充當畫素電極210。
由於阻障壁17b及間隔體SP之倒錐形狀，第三導電層20可形成有設置於第三導電層20與阻障壁17b間之一預定間隙GAP而不接觸阻障壁17b之一下部側表面。然而，本發明並不限於此情形。舉例而言，根據第三導電層20及/或形成第三導電層20之導電材料之厚度，第三導電層20可接觸阻障壁17b及間隔體SP之下部側表面而不形成間隙GAP。
參照第7D圖，可形成包含一絕緣材料之第二絕緣層19"於第三導電層20上。另外，將一半色調遮罩M4對準於第二絕緣層19"上方。
形成第二絕緣層19"於第三導電層20之一上表面上。第二絕緣層19"可完全填滿形成於第三導電層20與阻障壁17b及間隔體SP間之間隙GAP。第二絕緣層19"亦被阻障壁17b及間隔體SP隔開。
第二絕緣層19"可包含一感光性有機材料。該感光性有機材料可係為一負型感光性材料或一正型感光性材料。在第7D圖中，第二絕緣層19"包含正型感光性材料。
半色調遮罩M4可包含一光遮蔽部M4a、一半透射部M4b及一光透射部M4c。光遮蔽部M4a被配置成對應於其中第二絕緣層19"最終將存留之一部分，半透射部M4b被配置成對應於其中第二絕緣層19"將局部地 存留且將藉由一灰化而移除之一部分，且光透射部M4c被配置成對應於其中第二絕緣層19"將完全被移除之一部分。
利用半色調遮罩M4作為一遮罩而將第二絕緣層19"暴露於光。
第7E圖示意性地例示在將已經由半色調遮罩M4被暴露於光之第二絕緣層19"顯影之後存留之一第二絕緣層圖案19'。
第二絕緣層19"之與光透射部M4c對應之部分完全被移除，第二絕緣層19"之與半透射部M4b對應之部分局部地被移除，且第二絕緣層19"之與光遮蔽部M4a對應之部分被存留。此處，第二絕緣層19"之與半透射部M4b對應之部分之一厚度小於第二絕緣層19"之與光遮蔽部M4a對應之部分之厚度，且該厚度可藉由形成半透射部M4b之材料之一組分比率或一厚度來加以調整。
由於第二絕緣層19"之與光透射部M4c對應之部分完全被移除，因而第三導電層20被暴露出。
參照第7F圖，可利用在第7E圖所示製程中存留之第二絕緣層圖案19'作為一蝕刻遮罩來蝕刻並移除暴露之第三導電層20。此處，可蝕刻一局部厚度之第二絕緣層圖案19'。可藉由各種方法(例如一濕蝕刻及一干蝕刻)來執行該蝕刻步驟。
藉由該蝕刻製程，第三導電層20之存留於溝槽117中之一部分被形成為畫素電極210，且第三導電層20之存留於溝槽117之一外部分上之一部分可被形成為配線260。
參照第7G圖，可藉由灰化製程來移除第二絕緣層圖案19'之 一部分。可由於一灰化製程而減小第二絕緣層圖案19'之一高度。
第二絕緣層圖案19'之與半透射部M4b對應之部分由該灰化步驟完全移除，且畫素電極210之一部分可被暴露出。
第二絕緣層圖案19'與光遮蔽部M4a對應之部分被該灰化製程降低了高度，藉此形成局部地覆蓋畫素電極210之畫素界定層19及完全覆蓋配線260之一絕緣層19a。
畫素界定層19覆蓋畫素電極210之一部分(例如，畫素電極210之第二區210b)之一上表面及一側表面。畫素界定層19可完全填滿畫素電極210與阻障壁17b間之間隙GAP。絕緣層19a覆蓋配線260之一上表面及一側表面。此後，可使畫素界定層19及絕緣層19a固化。在一實例性實施例中，可藉由利用半色調遮罩M4進行一個遮罩製程而形成畫素電極210、配線260、畫素界定層19及絕緣層19a。
參照第7H圖，形成有機發射層230於畫素電極210之被畫素界定層19暴露出之暴露部分上，且形成相對電極250於有機發射層230上以完成對一有機發光二極體OLED之形成。可在畫素電極210與相對電極250之間更設置各種功能層。可利用一開口遮罩為複數個畫素之複數個有機發光二極體OLED將該等功能層形成為共同層。
雖然附圖中未顯示，但可在相對電極250上設置一薄膜囊封層。該薄膜囊封層囊封有機發光二極體OLED且包含至少一個有機層及至少一個無機層。
第8圖及第9圖係為根據實例性實施例之有機發光顯示裝置3及4之剖視圖。
在第8圖中，該有機發光顯示裝置可包含用於驅動有機發光二極體之一驅動電路，該驅動電路包含一第一薄膜電晶體TFT1、一第二薄膜電晶體TFT2及一電容器CAP。有機發光顯示裝置3之其他組件與參照第3圖所例示實施例之元件相同。
在第9圖中，有機發光顯示裝置4可包含用於驅動一有機發光二極體之一驅動電路，該驅動電路包含一第一薄膜電晶體TFT1、一第二薄膜電晶體TFT2及一電容器CAP。其他元件與第6圖所示有機發光顯示裝置2之元件相同。
在下文中，將闡述第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體以及電容器。
第一薄膜電晶體TFT1可包含：一主動層110a，設置於緩衝層11上；一閘電極130a，與主動層110a絕緣且設置於主動層110a之至少一部分上方；一源電極170a；以及一汲電極150a。閘極絕緣層13設置於主動層110a與閘電極130a之間，且一第一層間絕緣層15a及一第二層間絕緣層15b可設置於閘電極130a與源電極170a之間以及閘電極130a與汲電極150a之間。
相較於第一薄膜電晶體TFT1，第二薄膜電晶體TFT2可具有一更長通道及一更大大小。第二薄膜電晶體TFT2包含：一主動層110b，設置於緩衝層11上；一閘電極130b，與主動層110b絕緣且設置於主動層110b之至少一部分上方；一源電極170b；以及一汲電極150b，電性連接至畫素電極210。當自上方觀察時(在一平面圖中)，主動層110b可具有具複數個彎曲部之各種形狀，例如，S形狀、M形狀、或W形狀。閘極絕緣層13設置於主動層110b與閘電極130b之間，且第一層間絕緣層15a及第二層間絕緣層15b可設置於閘電極130b與源電極170b之間以及閘電極130b與汲電極150b 之間。源電極170b及汲電極150b可分別連接至主動層110b之一源極區及一汲極區。
電容器CAP可在一垂直方向上交疊第二薄膜電晶體TFT2。電容器CAP可使用第二薄膜電晶體TFT2之閘電極130b作為一下部電極130b，且可包含設置於下部電極130b上方之一上部電極130c。第一層間絕緣層15a可設置於下部電極130b與上部電極130c之間。由於電容器CAP被設置成交疊第二薄膜電晶體TFT2，因而當有機發光顯示裝置3繼續按比例縮小時，電容可得以保全。
如上所述，根據實例性實施例之有機發光顯示裝置1至4可減少用於形成通路孔、畫素電極及畫素界定層之遮罩之數目，且因此，製造成本可得以降低且製程可得以簡化。
此外，在根據實例性實施例之有機發光顯示裝置1至4中，畫素電極之側表面可被畫素界定層及通路絕緣層之阻障壁完全覆蓋。
另外，在根據實例性實施例之有機發光顯示裝置1至4中，可與形成通路絕緣層同時地形成間隔體以防止在一精細金屬遮罩製程期間對畫素電極造成損壞，而無需為在畫素界定層上或圍繞畫素形成間隔體而執行一其他製程，且因此，遮罩製程之數目可得以減少。
根據該有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法，遮罩之數目可得以減少，以降低製造成本並簡化製造製程。
儘管已參照本發明之實例性實施例顯示及闡述了本發明，然而，此項技術中之通常知識者將易知，可對本發明作出各種形式及細節改變，此並不背離由以下申請專利範圍所界定之本發明精神及範圍。
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
13‧‧‧閘極絕緣層
15‧‧‧層間絕緣層
17‧‧‧通路絕緣層
17a‧‧‧平坦部
17b‧‧‧阻障壁
19‧‧‧畫素界定層
110‧‧‧主動層
117‧‧‧溝槽
130‧‧‧閘電極
150‧‧‧汲電極
170‧‧‧源電極
210‧‧‧畫素電極
210a‧‧‧第一區
210b‧‧‧第二區
GAP‧‧‧間隙
t1‧‧‧第一厚度
t2‧‧‧第二厚度
TFT‧‧‧薄膜電晶體
VIA‧‧‧通路孔
I-I'‧‧‧截取線
θ‧‧‧夾角

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一薄膜電晶體，設置於一基板上；一第一絕緣層，覆蓋該薄膜電晶體，其中該第一絕緣層包含一阻障壁及一平坦部，且其中該阻障壁自該平坦部突出；一畫素電極，設置於該第一絕緣層之被該阻障壁環繞之該平坦部上，其中該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體；以及一畫素界定層，設置於該畫素電極上並局部地暴露出該畫素電極。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該阻障壁之一寬度朝上逐漸地增大。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣層包含一負型感光性絕緣材料。
  4. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一配線，位於該第一絕緣層之該平坦部上且位於至少二個阻障壁之間，其中該配線及該畫素電極係由實質上相同之材料形成；以及一第二絕緣層，完全覆蓋該配線，其中該第二絕緣層及該畫素界定層係由實質上相同之材料形成。
  5. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該阻障壁具有較該畫素界定層之一厚度大之一厚度。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣層更包含：一間隔體，自該平坦部突出，其中該間隔體係與該阻障壁間隔開，且其中該配線夾置於該阻障壁與該間隔體之間。
  7. 如請求項6所述之有機發光顯示裝置，其中該阻障壁與該間隔體具有實質上相同之厚度。
  8. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣層更包含一通路孔，該通路孔穿透該第一絕緣層之被該阻障壁環繞之該平坦部且暴露出該薄膜電晶體之一電極之一部分。
  9. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一電容器，在與該基板之一表面之一垂直方向上交疊該薄膜電晶體，並包含一第一電極及一第二電極，其中該薄膜電晶體之一閘電極用作該第一電極，且其中該第二電極設置於該第一電極上。
  10. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一相對電極，面朝該畫素電極；以及一有機發射層，位於該畫素電極與該相對電極之間。
  11. 一種製造一有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：形成一薄膜電晶體於一基板上； 形成一第一絕緣層於該薄膜電晶體及該基板上，其中該第一絕緣層覆蓋該薄膜電晶體且包含一平坦部及自該平坦部突出之一阻障壁；形成一畫素電極於該第一絕緣層之被該阻障壁環繞之該平坦部上，其中該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體；以及形成一畫素界定層於該畫素電極上，其中該畫素界定層局部地暴露出該畫素電極。
  12. 如請求項11所述之方法，更包含：其中該形成該第一絕緣層之步驟包含：形成覆蓋該薄膜電晶體之一絕緣層；利用一半色調遮罩方法將光輻照至該絕緣層；以及局部地移除該絕緣層，以形成該阻障壁及一通路孔，該通路孔穿透該絕緣層。
  13. 如請求項12所述之方法，更包含：藉由局部地移除該絕緣層而形成一間隔體，其中該間隔體與該阻障壁係同時形成，其中該第一絕緣層更包含該間隔體。
  14. 如請求項11所述之方法，其中該形成該畫素電極及該畫素界定層之步驟包含：形成一導電層於該第一絕緣層上；形成一第二絕緣層於該導電層上； 利用一半色調遮罩方法將光輻照至該第二絕緣層上，並局部地移除該第二絕緣層以暴露出該導電層之一部分；蝕刻該導電層之該暴露部分以形成該畫素電極；以及局部地移除存留於該第一絕緣層之被該阻障壁環繞之該平坦部上之該第二絕緣層，以形成該畫素界定層，該畫素界定層暴露出該畫素電極之一部分。
  15. 如請求項14所述之方法，更包含：形成一配線於該第一絕緣層之位於至少二個阻障壁間之該平坦部上，其中該配線與該畫素電極係同時形成；以及形成完全覆蓋該配線之一絕緣層，其中該絕緣層與該畫素界定層係同時形成。
  16. 一種有機發光顯示裝置，包含：一薄膜電晶體，設置於一基板上；一第一絕緣層，覆蓋該薄膜電晶體，其中該第一絕緣層包含一阻障壁及一平坦部，且其中該阻障壁係為環形的以環繞該平坦部；一畫素電極，設置於該平坦部上及該阻障壁內，其中該畫素電極係與該阻障壁間隔開，且其中該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體；以及一畫素界定層，設置於該畫素電極上，其中該畫素界定層局部地暴露出該畫素電極。
  17. 如請求項16所述之有機發光顯示裝置，其中該畫素界定層完全填充該畫素電極與該阻障壁間之一間隙。
  18. 如請求項16所述之有機發光顯示裝置，其中該阻障壁之一寬度自該平坦部朝上逐漸地增大。
  19. 如請求項18所述之有機發光顯示裝置，其中該阻障壁之一厚度大於該畫素電極之一厚度。
  20. 如請求項16所述之有機發光顯示裝置，更包含：一通路孔，穿透該第一絕緣層之被該阻障壁環繞之該平坦部，其中該畫素電極經由該通路孔而電性連接至該薄膜電晶體。
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