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TW201703293A - 發光元件 - Google Patents

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TW201703293A
TW201703293A TW105104582A TW105104582A TW201703293A TW 201703293 A TW201703293 A TW 201703293A TW 105104582 A TW105104582 A TW 105104582A TW 105104582 A TW105104582 A TW 105104582A TW 201703293 A TW201703293 A TW 201703293A
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黃逸儒
莊東霖
沈志銘
許聖宗
黃冠傑
黃靖恩
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新世紀光電股份有限公司
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Abstract

一種發光元件，包括一磊晶結構、一黏著層、一第一反射層、一第二反射層、一阻擋層、一第一電極以及一第二電極。磊晶結構包括一基板、一第一半導體層、一發光層以及一第二半導體層。黏著層設置於磊晶結構之第二半導體層上。第一反射層設置於黏著層上。第二反射層設置於第一反射層上且延伸至黏著層上。自第二反射層朝磊晶結構的方向定義一投影方向。第二反射層在投影方向上之投影面積大於第一反射層在投影方向上之投影面積。阻擋層設置於第二反射層上且具有導電性。第一電極電性連接於第一半導體層。第二電極電性連接於第二半導體層。

Description

發光元件
本發明關於一種發光元件，尤指一種可有效增加反射面積之發光元件。
請參閱第1圖，第1圖為先前技術之發光元件1的示意圖。如第1圖所示，發光元件1包括一磊晶結構10、一歐姆接觸層12、一反射層14、一阻擋層16以及二電極18，其中歐姆接觸層12、反射層14、阻擋層16與電極18皆設置於磊晶結構10上。反射層14用以將磊晶結構10之發光層100發出的光線反射，阻擋層16則用以吸收光線。一般而言，反射層14之材料係為具有高反射率的銀或銀合金。由於銀的化學性質較為活潑，在高溫時不穩定，容易亂竄，因此，習知技術會將反射層14的面積限制在一定的範圍內，以避免反射層14在後續製程中因溫度提高而流竄至磊晶結構10，進而影響出光表現。相對地，反射層14之反射面積也受到限制，可反射的光線有限，使得發光元件1的整體出光效率無法有效提升。
本發明提供一種可有效增加反射面積之發光元件，以解決上述問題。
根據一實施例，本發明之發光元件包括一磊晶結構、一黏著層、一第一反射層、一第二反射層、一阻擋層、一第一電極以及一第二電極。磊晶結構包括一基板、一第一半導體層、一發光層以及一第二半導體層。黏著層設置於磊晶結構之第二半導體層上。第一反射層設置於黏著層上。第二反射層設置於第一反射層上且延伸至黏著層上。自第二反射層朝磊晶結構的方向定義一投影方向。第二反射層在投影方向上之投影面積大於第一反射層在投影方向上之投影面積。阻擋層設置於第二反射層上且具有導電性。第一電極電性連接於第一半導體層。第二電極電性連接於第二半導體層。
在一實施例中，第一反射層之材料可為銀或銀合金，且第二反射層之材料可為非銀金屬、非銀合金或由多層非銀金屬層所組成，其中第一反射層之反射率大於第二反射層之反射率，且第二反射層之反射率大於或等於80%。
另一實施例中，第一反射層之材料可為鋁或鋁合金，且第二反射層之材料可為非金屬材料或絕緣性的多層材料層所組成，例如包括但不限於是布拉格反射層，其中第一反射層之反射率小於第二反射層之反射率，且第二反射層之反射率大於或等於80%。
綜上所述，本發明係於第一反射層上增設第二反射層，且使第二反射層延伸至黏著層上，使得第二反射層之投影面積大於第一反射層之投影面積。換言之，本發明可先將化學性質較為活潑的第一反射層（例如，銀或銀合金）設置在黏著層上的一定範圍內，以避免第一反射層材料在後續製程中因溫度提高而流竄至磊晶結構。接著，再將化學性質較不活潑的第二反射層（例如，非銀金屬或非銀合金或絕緣性材料）設置於第一反射層上，且使第二反射層延伸至黏著層上。藉此，本發明即可利用第二反射層有效增加整體的反射面積，進而提升發光元件之整體出光效率。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
請參閱第2圖，第2圖為根據本發明第一實施例之發光元件3的示意圖。如第2圖所示，發光元件3包括一磊晶結構30、一黏著層32、一第一反射層34、一第二反射層36、一阻擋層38、一第一電極40以及一第二電極42。磊晶結構30包括一基板300、一第一半導體層302、一發光層304以及一第二半導體層306，其中第一半導體層302位於基板300上，發光層304位於第一半導體層302上，且第二半導體層306位於發光層304上。基板300之材料可為藍寶石，但不以此為限。第一電極40電性連接於第一半導體層302，且第二電極42電性連接於第二半導體層306。第一半導體層302 可為N型半導體層（例如，N型氮化鎵層），且第二半導體層306可為P型半導體層（例如，P型氮化鎵層）。此時，第一電極40即為N型電極，且第二電極42即為P型電極。
黏著層32設置於磊晶結構30之第二半導體層306上。於此實施例中，黏著層32可為金屬薄膜或金屬氧化物層，例如氧化銦錫（Indium tin oxide, ITO），其中金屬薄膜的厚度小於20nm。第一反射層34設置於黏著層32上。於此實施例中，第一反射層34之材料可為銀或銀合金。第二反射層36設置於第一反射層34上且延伸至黏著層32上。於此實施例中，第二反射層36之材料可為非銀金屬、非銀合金或由多層金屬層所組成，例如鋁或鋁合金。阻擋層38設置於第二反射層36上且具有導電性。於此實施例中，阻擋層38之材料可為鉑、金、鎢、鈦或鈦鎢合金。此外，第二反射層36與阻擋層38可在同一道製程成型，使得第二反射層36之側表面360與阻擋層38之側表面380切齊。第二電極42係設置於阻擋層38上，以經由阻擋層38、第二反射層36與黏著層32電性連接於磊晶結構30之第二半導體層306。
另一實施例中，第一反射層34之材料可為鋁或鋁合金。第二反射層36之材料可為非銀金屬、非銀合金或由多層絕緣材料層所組成。其中阻擋層38設置於第二反射層36上且不具有導電性。阻擋層38之材料可與第二反射層36具相同材料且可在同一道製程成型。第二電極42係設置於阻擋層38上，並以電性連接於磊晶結構30之第二半導體層306。
如第2圖所示，自第二反射層36朝磊晶結構30的方向定義一投影方向D。由於第二反射層36設置於第一反射層34上且延伸至黏著層32上，因此，第二反射層36在投影方向D上之投影面積A1大於第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2且第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2與發光層304在投影方向D上之投影面積A4之比值小於30%，其中一實施例中，第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2與發光層304在投影方向D上之投影面積A4之比值小於10%。本發明可先將化學性質較為活潑的第一反射層34（例如，銀或銀合金）設置在黏著層32上的一定範圍內，以避免第一反射層34在後續製程中因溫度提高而流竄至磊晶結構30。接著，再將化學性質較不活潑的第二反射層36（例如，非銀金屬或非銀合金）設置於第一反射層34上，且使第二反射層36延伸至黏著層32上。藉此，本發明即可利用第二反射層36有效增加整體的反射面積，進而提升發光元件3之整體出光效率。於此實施例中，第二反射層36之反射率大於阻擋層38之反射率，且第二反射層36之反射率大於或等於80%。
配合第2圖，請參閱第3圖，第3圖為根據本發明第二實施例之發光元件5的示意圖。發光元件5與上述的發光元件3的主要不同之處在於，發光元件5之第二反射層36之側表面360、阻擋層38之側表面380與黏著層32之側表面320切齊。換言之，第二反射層36在投影方向D上之投影面積A1可等於黏著層32在投影方向D上之投影面積A3且第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2與發光層304在投影方向D上之投影面積A4之比值小於30%，其中一實施例中，第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2與發光層304在投影方向D上之投影面積A4之比值小於10%，以進一步增加整體的反射面積。
配合第3圖，請參閱第4圖，第4圖為根據本發明第三實施例之發光元件7的示意圖。發光元件7與上述的發光元件5的主要不同之處在於，發光元件7之第二反射層36進一步延伸至磊晶結構30之第二半導體層306上，使得第二反射層36在投影方向D上之投影面積A1大於黏著層32在投影方向D上之投影面積A3且第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2與發光層304在投影方向D上之投影面積A4之比值小於30%，其中在一實施例中，第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2與發光層304在投影方向D上之投影面積A4之比值小於10%。藉此，可再進一步增加整體的反射面積。
配合第4圖，請參閱第5圖，另一實施例中，第5圖為根據本發明第四實施例之發光元件9的示意圖。第二反射層36之材料可為非銀金屬、非銀合金，或由多層絕緣材料層所組成，例如包括但不限於是布拉格反射層。第一反射層34之材料可為鋁或鋁合金，其中阻擋層38設置於第二反射層36上且不具有導電性。阻擋層38之材料可與第二反射層36具相同材料且可在同一道製程成型。第二電極42係設置於阻擋層38上，並以電性連接於磊晶結構30之第二半導體層306。發光元件9與上述的發光元件7的主要不同之處在於，發光元件9之第二反射層36進一步延伸至磊晶結構30之第一半導體層302上，使得第二反射層36在投影方向D上之投影面積A1大於發光層304在投影方向D上之投影面積A4且第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2與發光層304在投影方向D上之投影面積A4之比值小於30%，其中在一實施例中，第一反射層34在投影方向D上之投影面積A2與發光層304在投影方向D上之投影面積A4之比值小於10%。藉此，可再進一步增加整體的反射面積。
綜上所述，本發明係於第一反射層上增設第二反射層，且使第二反射層延伸至黏著層上，使得第二反射層之投影面積大於第一反射層之投影面積。換言之，本發明可先將化學性質較為活潑的第一反射層（例如，銀或銀合金）設置在黏著層上的一定範圍內，以避免第一反射層在後續製程中因溫度提高而流竄至磊晶結構。接著，再將化學性質較不活潑的第二反射層（例如，非銀金屬或非銀合金）設置於第一反射層上，且使第二反射層延伸至黏著層上。藉此，本發明即可利用第二反射層有效增加整體的反射面積，進而提升發光元件之整體出光效率。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1、3、5、7、9‧‧‧發光元件
10、30‧‧‧磊晶結構
12‧‧‧歐姆接觸層
14‧‧‧反射層
16、38‧‧‧阻擋層
18‧‧‧電極
32‧‧‧黏著層
34‧‧‧第一反射層
36‧‧‧第二反射層
40‧‧‧第一電極
42‧‧‧第二電極
100、304‧‧‧發光層
300‧‧‧基板
302‧‧‧第一半導體層
306‧‧‧第二半導體層
320、360、380‧‧‧側表面
D‧‧‧投影方向
A1、A2、A3、A4‧‧‧投影面積
第1圖為先前技術之發光元件的示意圖。 第2圖為根據本發明第一實施例之發光元件的示意圖。 第3圖為根據本發明第二實施例之發光元件的示意圖。 第4圖為根據本發明第三實施例之發光元件的示意圖。 第5圖為根據本發明第四實施例之發光元件的示意圖。
3‧‧‧發光元件
30‧‧‧磊晶結構
32‧‧‧黏著層
34‧‧‧第一反射層
36‧‧‧第二反射層
38‧‧‧阻擋層
40‧‧‧第一電極
42‧‧‧第二電極
300‧‧‧基板
302‧‧‧第一半導體層
304‧‧‧發光層
306‧‧‧第二半導體層
360、380‧‧‧側表面
D‧‧‧投影方向
A1、A2‧‧‧投影面積

Claims (10)

  1. 一種發光元件，包括： 一磊晶結構，包括一基板、一第一半導體層、一發光層以及一第二半導體層； 一黏著層，設置於該磊晶結構之該第二半導體層上； 一第一反射層，設置於該黏著層上； 一第二反射層，設置於該第一反射層上且延伸至該黏著層上，自該第二反射層朝該磊晶結構的方向定義一投影方向，該第二反射層在該投影方向上之投影面積大於該第一反射層在該投影方向上之投影面積； 一阻擋層，設置於該第二反射層上； 一第一電極，電性連接於該第一半導體層；以及 一第二電極，電性連接於該第二半導體層。
  2. 如請求項1所述之發光元件，其中該第一反射層之材料為銀或銀合金，且該第二反射層之材料為非銀金屬、非銀合金或由多層金屬層所組成。
  3. 如請求項1所述之發光元件，其中該第一反射層之材料為鋁或鋁合金，且該第二反射層之材料為非銀金屬、非銀合金或由多層絕緣材料層所組成。
  4. 如請求項1所述之發光元件，其中該第二反射層之反射率大於該阻擋層之反射率。
  5. 如請求項1所述之發光元件，其中該第二反射層之反射率大於或等於80%。
  6. 如請求項1所述之發光元件，其中該阻擋層之材料為鉑、金、鎢、鈦或鈦鎢合金。
  7. 如請求項1所述之發光元件，其中該黏著層為金屬薄膜或金屬氧化物層。
  8. 如請求項1所述之發光元件，其中該第二反射層之側表面與該阻擋層之側表面切齊。
  9. 如請求項8所述之發光元件，其中該第二反射層之側表面、該阻擋層之側表面與該黏著層之側表面切齊。
  10. 如請求項1所述之發光元件，其中該第二反射層在該投影方向上之投影面積大於該黏著層在該投影方向上之投影面積。
TW105104582A 2015-02-17 2016-02-17 發光元件 TWI697139B (zh)

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TW105104564A TW201631795A (zh) 2015-02-17 2016-02-17 發光元件
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TW105104669A TW201703279A (zh) 2015-02-17 2016-02-17 高壓發光二極體及其製造方法
TW105104614A TW201631799A (zh) 2015-02-17 2016-02-17 發光元件
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TW104123854A TWI583019B (zh) 2015-02-17 2015-07-23 Light emitting diode and manufacturing method thereof
TW105104588A TW201707244A (zh) 2015-02-17 2016-02-17 發光裝置及其製作方法
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TW105104669A TW201703279A (zh) 2015-02-17 2016-02-17 高壓發光二極體及其製造方法
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Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105104545A TW201703295A (zh) 2015-02-17 2016-02-17 發光元件
TW108129531A TW201943100A (zh) 2015-02-17 2016-02-17 發光二極體裝置的製作方法
TW107121028A TWI677112B (zh) 2015-02-17 2016-02-17 發光二極體裝置的製作方法
TW105104548A TW201631794A (zh) 2015-02-17 2016-02-17 發光二極體晶片

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US (10) US20160247982A1 (zh)
CN (9) CN105895774B (zh)
TW (12) TWI583019B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI820539B (zh) * 2021-12-16 2023-11-01 隆達電子股份有限公司 發光裝置及其形成方法
TWI859532B (zh) * 2022-04-26 2024-10-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014202424A1 (de) * 2014-02-11 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer reflektierenden Schichtenfolge und Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schichtenfolge
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
CN107689409B (zh) * 2016-08-03 2019-09-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
US10134950B2 (en) 2016-08-18 2018-11-20 Genesis Photonics Inc. Micro light emitting diode and manufacturing method thereof
US10580932B2 (en) 2016-12-21 2020-03-03 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
KR102707425B1 (ko) * 2017-01-06 2024-09-20 서울바이오시스 주식회사 전류 차단층을 가지는 발광 소자
CN108336075B (zh) * 2017-01-20 2020-03-27 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块及其成形方法
US10529780B2 (en) * 2017-02-28 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10497845B2 (en) 2017-03-27 2019-12-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US10749076B2 (en) * 2017-06-29 2020-08-18 Epistar Corporation Light-emitting device
TWI757187B (zh) * 2017-09-13 2022-03-01 晶元光電股份有限公司 半導體元件
CN107808921A (zh) * 2017-10-27 2018-03-16 扬州乾照光电有限公司 一种led显示模块、制造方法及其封装方法
CN108365061B (zh) * 2018-02-06 2020-01-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led芯片及其制造方法
TWI794127B (zh) * 2018-02-20 2023-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製作方法
CN108550679A (zh) * 2018-04-16 2018-09-18 绍兴职业技术学院 一种白光数码管显示器件及其封装工艺
TWI821302B (zh) * 2018-11-12 2023-11-11 晶元光電股份有限公司 半導體元件及其封裝結構
CN111200047A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 诺沛半导体有限公司 全让位发光二极管载板
US10635626B1 (en) * 2019-02-01 2020-04-28 I/O Interconnect, Ltd. Connecting method and docking station for connecting electronic device and computer
CN211980634U (zh) * 2019-03-21 2020-11-20 晶元光电股份有限公司 发光元件及含该发光元件的封装结构和光电系统
CN110137126B (zh) * 2019-03-25 2022-01-11 苏州芯海半导体科技有限公司 一种半导体晶圆双膜切割方法
TWI740148B (zh) * 2019-05-24 2021-09-21 李宛儒 一種表面修飾化之發光晶片及其製備方法
US11075328B2 (en) * 2019-06-05 2021-07-27 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of forming conductive area at top surface of light-emitting diode
TWI818070B (zh) * 2019-08-30 2023-10-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
CN110931619A (zh) * 2019-11-20 2020-03-27 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 倒装led芯片及其制造方法
CN215989229U (zh) * 2020-02-10 2022-03-08 东友精细化工有限公司 天线堆叠结构和包括天线堆叠结构的显示装置
CN112968105B (zh) * 2020-04-24 2021-12-21 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种Micro LED芯片巨量转移方法及一种显示背板
TWI724911B (zh) * 2020-05-26 2021-04-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
US20230154902A1 (en) * 2020-07-16 2023-05-18 Enkris Semiconductor, Inc. Semiconductor structure and manufacturing method therefor
CN216793640U (zh) * 2020-09-30 2022-06-21 深圳市晶相技术有限公司 一种半导体外延结构及其应用
KR102721854B1 (ko) * 2020-11-26 2024-10-24 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 그를 포함하는 표시 장치
KR20220095289A (ko) * 2020-12-29 2022-07-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
CN112928196B (zh) * 2021-01-29 2022-07-29 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN113053328B (zh) * 2021-03-23 2022-07-29 高创(苏州)电子有限公司 发光器件及其驱动方法和发光基板及其驱动方法
CN113328017B (zh) * 2021-05-24 2022-06-21 厦门乾照光电股份有限公司 一种通孔式垂直结构led芯片及其制作方法
CN113363370A (zh) * 2021-06-02 2021-09-07 厦门乾照光电股份有限公司 一种垂直结构led芯片及其制作方法
CN113488495B (zh) * 2021-06-16 2022-09-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113871518B (zh) * 2021-09-27 2025-01-24 京东方科技集团股份有限公司 发光器件和显示基板
US12471426B2 (en) 2022-04-25 2025-11-11 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro element structure and display device
TWI806571B (zh) * 2022-04-25 2023-06-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體結構與微型發光二極體顯示裝置

Family Cites Families (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3239061B2 (ja) * 1996-02-29 2001-12-17 シャープ株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
DE69839300T2 (de) * 1997-12-15 2009-04-16 Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose Licht-emittierende Vorrichtung
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
TW518771B (en) * 2001-09-13 2003-01-21 United Epitaxy Co Ltd LED and the manufacturing method thereof
JP2004006498A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
CN1185721C (zh) * 2002-06-25 2005-01-19 光磊科技股份有限公司 发光二极管
US20040188696A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
TWI220076B (en) * 2003-08-27 2004-08-01 Au Optronics Corp Light-emitting device
TWI281269B (en) * 2003-12-02 2007-05-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light emitting diode and backlight module
US7179670B2 (en) * 2004-03-05 2007-02-20 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
JP2006066868A (ja) * 2004-03-23 2006-03-09 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子および固体素子デバイス
WO2006006555A1 (ja) * 2004-07-12 2006-01-19 Rohm Co., Ltd. 半導体発光素子
JP2006100420A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
CN100369277C (zh) * 2004-12-28 2008-02-13 中华映管股份有限公司 发光二极管
US7045375B1 (en) * 2005-01-14 2006-05-16 Au Optronics Corporation White light emitting device and method of making same
JP4778745B2 (ja) * 2005-07-27 2011-09-21 パナソニック株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US20070131947A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Lg Innotek Co., Ltd Light-emitting device
JP2007165611A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
EP1966833A1 (en) * 2005-12-19 2008-09-10 Showa Denko K.K. Flip-chip type semiconductor light-emitting device, method for manufacturing flip-chip type semiconductor light-emitting device, printed circuit board for flip-chip type semiconductor light-emitting device, mounting structure for flip-chip type semiconductor light-emitting device-and light-emitting diode lamp
TWI301331B (en) * 2006-05-17 2008-09-21 Epistar Corp Light emitting device
JP2008027722A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
US8158990B2 (en) * 2006-10-05 2012-04-17 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device using GaN LED chip
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
TWI338383B (en) * 2006-12-18 2011-03-01 Delta Electronics Inc Electroluminescence device and manufacturing method thereof
TWI398015B (zh) * 2006-12-26 2013-06-01 發光二極體之製造方法
CN100438110C (zh) * 2006-12-29 2008-11-26 北京太时芯光科技有限公司 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
US9196799B2 (en) * 2007-01-22 2015-11-24 Cree, Inc. LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating
JP2008192782A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Toyota Central R&D Labs Inc 電極及びそれを有するｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP4521013B2 (ja) * 2007-05-15 2010-08-11 株式会社日立製作所 照明装置および該照明装置を用いた液晶表示装置
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8552444B2 (en) * 2007-11-19 2013-10-08 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same
US7906786B2 (en) * 2008-01-11 2011-03-15 Industrial Technology Research Institute Light emitting device
GB0801509D0 (en) * 2008-01-28 2008-03-05 Photonstar Led Ltd Light emitting system with optically transparent thermally conductive element
TWI416755B (zh) * 2008-05-30 2013-11-21 晶元光電股份有限公司 光源模組、其對應之光棒及其對應之液晶顯示裝置
CN101604715A (zh) * 2008-06-10 2009-12-16 普光科技（广州）有限公司 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
TW201007898A (en) * 2008-08-06 2010-02-16 Harvatek Corp Wafer level LED package structure for increasing conductive area and heat-dissipating area
TWI419360B (zh) * 2008-08-11 2013-12-11 璨圓光電股份有限公司 Solid crystal light-emitting device having an insulating layer and a method for manufacturing the same
KR20100030472A (ko) * 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법, 상기 방법을 이용하여 제조한 발광 소자 및 발광 장치
US7982409B2 (en) * 2009-02-26 2011-07-19 Bridgelux, Inc. Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs
TWI422075B (zh) * 2009-03-13 2014-01-01 榮創能源科技股份有限公司 覆晶式半導體光電元件之結構及其製造方法
JP2011077496A (ja) * 2009-04-28 2011-04-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子および発光素子の製造方法
US8211722B2 (en) * 2009-07-20 2012-07-03 Lu Lien-Shine Flip-chip GaN LED fabrication method
JP5392611B2 (ja) * 2009-09-14 2014-01-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
TWI403003B (zh) * 2009-10-02 2013-07-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體及其製造方法
US8593825B2 (en) * 2009-10-14 2013-11-26 Wintec Industries, Inc. Apparatus and method for vertically-structured passive components
CN102074636B (zh) * 2009-11-19 2013-04-10 亿光电子工业股份有限公司 一种倒装芯片结构的发光二极管装置
US8637888B2 (en) * 2009-12-11 2014-01-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, light emitting device using semiconductor light emitting element, and electronic apparatus
KR101258586B1 (ko) * 2009-12-21 2013-05-02 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법
KR101763972B1 (ko) * 2010-02-09 2017-08-01 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
JP5494005B2 (ja) * 2010-02-26 2014-05-14 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP5381822B2 (ja) * 2010-03-10 2014-01-08 豊田合成株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR101047739B1 (ko) * 2010-04-28 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템
JP5414627B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
CN102339922B (zh) * 2010-07-28 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
JPWO2012026068A1 (ja) * 2010-08-24 2013-10-28 パナソニック株式会社 発光素子
US8664684B2 (en) * 2010-08-31 2014-03-04 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing
CN102437254A (zh) * 2010-09-29 2012-05-02 展晶科技(深圳)有限公司 切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法
US9478719B2 (en) * 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
TWI435471B (zh) * 2010-11-16 2014-04-21 Epistar Corp 發光二極體晶粒及其製法
WO2012081568A1 (ja) * 2010-12-16 2012-06-21 シャープ株式会社 蛍光体基板、表示装置および照明装置
US9136432B2 (en) * 2010-12-28 2015-09-15 Seoul Viosys Co., Ltd. High efficiency light emitting diode
KR20120091839A (ko) * 2011-02-10 2012-08-20 삼성전자주식회사 플립칩 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
TW201238043A (en) * 2011-03-11 2012-09-16 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device and method for manufacturing the same
KR20120106568A (ko) * 2011-03-18 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
CN202049992U (zh) * 2011-04-06 2011-11-23 南通同方半导体有限公司 一种GaN基发光二极管结构
KR20120116257A (ko) * 2011-04-12 2012-10-22 한국광기술원 발광 다이오드의 휘도 향상 방법 및 그에 의한 발광 다이오드
JP5777705B2 (ja) * 2011-04-20 2015-09-09 株式会社エルム 発光装置及びその製造方法
US9269878B2 (en) * 2011-05-27 2016-02-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting apparatus
US8574938B2 (en) * 2011-07-19 2013-11-05 Ncku Research And Development Foundation Using isolated epitaxial structures in glue bonding for multiple group-III nitride LEDS on a single substrate
JP5949294B2 (ja) * 2011-08-31 2016-07-06 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TWI606618B (zh) * 2012-01-03 2017-11-21 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
JP5639626B2 (ja) * 2012-01-13 2014-12-10 シャープ株式会社 半導体発光素子及び電極成膜方法
TW201336123A (zh) * 2012-02-17 2013-09-01 華新麗華股份有限公司 高壓發光二極體晶片及其製造方法
TW201338200A (zh) * 2012-03-02 2013-09-16 華夏光股份有限公司 發光二極體裝置
TWM434309U (en) * 2012-03-30 2012-07-21 N Tec Corp LED wafer thinning structure
TWI473298B (zh) * 2012-04-20 2015-02-11 Genesis Photonics Inc 半導體發光元件及覆晶式封裝元件
TWI472064B (zh) * 2012-06-06 2015-02-01 Achrolux Inc Ｌｅｄ封裝件及其製法
US9129834B2 (en) * 2012-07-10 2015-09-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Submount for LED device package
CN102856459B (zh) * 2012-09-06 2015-09-16 安徽三安光电有限公司 发光二极管反射电极的钝化方法
CN102931314B (zh) * 2012-09-29 2015-02-11 安徽三安光电有限公司 一种防止金属迁移的半导体发光器件
CN102881797B (zh) * 2012-10-18 2015-02-25 安徽三安光电有限公司 具有电流扩展结构的氮化镓基发光二极管
JP2014112669A (ja) * 2012-11-12 2014-06-19 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP5611492B1 (ja) * 2012-12-10 2014-10-22 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
TWM453969U (zh) * 2012-12-26 2013-05-21 Genesis Photonics Inc 發光裝置
KR102091831B1 (ko) * 2013-01-08 2020-03-20 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US9318674B2 (en) * 2013-02-05 2016-04-19 Cree, Inc. Submount-free light emitting diode (LED) components and methods of fabricating same
TWM460409U (zh) * 2013-02-22 2013-08-21 B S J Entpr Co Ltd 發光元件
KR102031967B1 (ko) * 2013-05-07 2019-10-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
TW201444115A (zh) * 2013-05-10 2014-11-16 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光裝置及其製造方法
CN106252489A (zh) * 2013-05-13 2016-12-21 新世纪光电股份有限公司 发光二极管封装结构
TWI527263B (zh) * 2013-07-17 2016-03-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體結構
TWI520383B (zh) * 2013-10-14 2016-02-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體封裝結構
US9419189B1 (en) * 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
TWI542047B (zh) * 2014-01-13 2016-07-11 邱羅利士公司 發光二極體封裝結構之製法
JP2015173142A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5919484B2 (ja) * 2014-05-13 2016-05-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
CN203910851U (zh) * 2014-05-23 2014-10-29 晶科电子（广州）有限公司 一种白光led芯片
CN104253194A (zh) * 2014-09-18 2014-12-31 易美芯光（北京）科技有限公司 一种芯片尺寸白光led的封装结构及方法
US20160181476A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Apple Inc. Micro led with dielectric side mirror
US20160190406A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI820539B (zh) * 2021-12-16 2023-11-01 隆達電子股份有限公司 發光裝置及其形成方法
TWI859532B (zh) * 2022-04-26 2024-10-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件

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