JP2007165611A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高い光取り出し効率を得るとともに、駆動電圧（Ｖｆ）を低くした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度が、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度とされている構成とし、前記ｐ型半導体層と透光性導電酸化膜との接触抵抗を小さくしている。
【選択図】図１

Description

本発明は窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関し、特に、駆動電圧（Ｖｆ）が低い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関する。

近年、短波長光発光素子として窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が注目を集めている。この窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア単結晶をはじめ、種々の酸化物やＩＩＩ−Ｖ族化合物を基板として、この基板上に、有機金属気相化学反応法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等によって形成される。

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の特徴として、横方向への電流拡散が小さいことが挙げられる。このため、電極直下の半導体にのみ電流が注入され、電極直下の発光層で発光した光は電極に遮られてしまい、発光素子の外部に取り出すのが困難となる。そこで、このような発光素子では、通常、正極として透明電極が用いられ、正極を透過して光を取り出すように構成されている。

透明電極からなる正極には、Ｎｉ／ＡｕやＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）等の周知の導電材料が用いられる。Ｎｉ／Ａｕ等の金属は、ｐ型半導体層との接触抵抗は小さいものの、光の透過率が低い。これに対し、ＩＴＯなどの酸化物は、光の透過率は高いものの、接触抵抗が大きいという問題がある。

このため、従来、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に用いられる正極は、ＩＴＯなどの導電性に優れた金属酸化物層及びコンタクト金属層を組み合わせた構成とされていた（例えば、特許文献１）。
上述のコンタクト金属層の材料には、ｐ型半導体層との接触抵抗を小さくするために、ＰｔやＲｈ等、仕事関数の大きい金属が用いられている。

しかしながら、特許文献１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、正極に用いられているコンタクト金属層によってｐ型半導体層との接触抵抗を下げることは可能であるものの、コンタクト金属層の光透過率が低いため、十分な光取出し効率を得ることができず、発光出力が低くなるという問題がある。
特開平９−１２９９１９号公報

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、正極に光透過率の低いコンタクト金属層を用いず、透光性導電酸化膜のドーパント濃度を高くすることにより、高い光取り出し効率を得るとともにｐ型半導体層との接触抵抗を低減し、駆動電圧（Ｖｆ）を低くした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成した。
即ち、本発明は以下に関する。

（１）窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度が、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（２）前記透光性導電酸化膜のドーパント濃度が、該透光性導電酸化膜と前記ｐ型半導体層との界面の位置で最大となっていることを特徴とする上記（１）項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（３）前記窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との間に、該透光性導電酸化膜よりもドーパント濃度が高い領域である高ドーパント濃度領域が設けられていることを特徴とする上記（１）または（２）項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（４）前記高ドーパント濃度領域が、ドーパント単体、ドーパントの酸化物、および前記透光性導電酸化膜のドーパント濃度よりも高濃度のドーパントを含む透光性導電材料の内、いずれかが成膜されてなることを特徴とする上記（３）項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（５）前記高ドーパント濃度領域が、Ｓｎ、ＳｎＯ_２、および前記透光性導電酸化膜のＳｎ濃度よりも高濃度のＳｎを含むＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）の内、いずれかが成膜されてなることを特徴とする上記（４）項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

（６）前記窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面の、該透光性導電酸化膜のバルクよりもドーパント濃度が高い領域が、前記界面を中心にして０．１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に存在することを特徴とする上記（１）〜（５）項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（７）前記窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面の、該透光性導電酸化膜のバルクよりもドーパント濃度が高い領域が、前記界面を中心にして０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に存在することを特徴とする上記（１）〜（５）項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（８）前記窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面の、該透光性導電酸化膜のバルクよりもドーパント濃度が高い領域が、前記界面を中心にして０．１ｎｍ〜３ｎｍの範囲に存在することを特徴とする上記（１）〜（５）項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

（９）前記透光性導電酸化膜が、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）、ＡＺＯ（ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３）、ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−ＧｅＯ_２）からなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなることを特徴とする上記（１）〜（８）項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（１０）前記透光性導電酸化膜が、少なくともＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）を含有していることを特徴とする上記（９）項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（１１）前記透光性導電酸化膜の厚さが３５ｎｍ〜１００００ｎｍ（１０μｍ）の範囲内であることを特徴とする上記（１）〜（１０）項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
（１２）前記透光性導電酸化膜の厚さが１００ｎｍ〜１０００ｎｍ（１μｍ）の範囲内であることを特徴する上記（１）〜（１０）項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

（１３）窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層した後、２００℃〜９００℃の温度で熱アニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
（１４）窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層した後、３００℃〜６００℃の温度で熱アニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
（１５）窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層した後、エキシマレーザーを用いてレーザーアニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

（１６）窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上に、高ドーパント濃度を有する層及び透光性導電酸化膜をこの順で積層した後、２００℃〜９００℃の温度で熱アニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
（１７）窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上に、高ドーパント濃度を有する層及び透光性導電酸化膜をこの順で積層した後、３００℃〜６００℃の温度で熱アニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

（１８）上記（１）〜（１２）項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からなるランプ。
（１９）上記（１３）〜（１７）項のいずれか一項に記載の製造方法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からなるランプ。

本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子によれば、窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と透光性導電酸化膜との界面にドーパント濃度の高い領域を有した構成とすることにより、前記ｐ型半導体層と透光性導電酸化膜との接触抵抗を小さくし、Ｖｆを低下させることができるとともに、光取り出し効率の高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる。
また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子によれば、ドーパント濃度が高い領域を、窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と透光性導電酸化膜との界面近傍のみとし、該界面近傍以外の領域では比抵抗が最も小さくなるようなドーパント濃度を有する透光性導電酸化膜を用いることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の正極の抵抗をより小さくすることができ、Ｖｆを低下させることができるというものである。

以下に、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の一実施形態について、図１〜４を適宜参照しながら説明する。

図１に示す、本実施形態の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子１は、基板１１上に、ｎ型ＧａＮ層１２、発光層１３、及びｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）１４が、この順で積層された窒化ガリウム系化合物半導体素子の前記ｐ型ＧａＮ層１４上に、ドーパントを含む透光性導電酸化膜が成膜されてなる正極１５が積層され、ｐ型ＧａＮ層１４と正極（透光性導電酸化膜）１５との界面のドーパント濃度が、正極１５をなす透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高くなるように概略構成されている。

本発明で用いられる、透光性導電酸化膜からなる正極は、基板上にバッファ層を介して窒化ガリウム系化合物半導体を積層し、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を形成した従来公知の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に対し、何ら制限無く用いることができる。

基板１１には、サファイア単結晶（Ａｌ_２Ｏ_３；Ａ面、Ｃ面、Ｍ面、Ｒ面）、スピネル単結晶（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）、ＺｎＯ単結晶、ＬｉＡｌＯ_２単結晶、ＬｉＧａＯ_２単結晶、ＭｇＯ単結晶などの酸化物単結晶、Ｓｉ単結晶、ＳｉＣ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、ＡｌＮ単結晶、ＧａＮ単結晶およびＺｒＢ_２などのホウ化物単結晶などの公知の基板材料を何ら制限なく用いることができる。なお、基板の面方位は特に限定されない。また、ジャスト基板でも良いしオフ角を付与した基板であっても良い。

ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）１２、発光層１３、およびｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）１４としては、各種構造のものが周知であり、これら周知のものを何ら制限なく用いることができる。特に、ｐ型半導体層はキャリア濃度が一般的な濃度のものを用いれば良く、比較的キャリア濃度の低い、例えば１×１０^１７ｃｍ^−３程度のｐ型半導体層に対しても、本発明で用いる透光性の正極１５を適用することができる。

また、窒化ガリウム系化合物半導体として、一般式Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体が周知であり、本発明におけるｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を構成する窒化ガリウム系化合物半導体としても、一般式Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体を何ら制限なく用いることができる。

これらの窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は特に限定されず、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、などＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることが知られている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法としては、膜厚制御性、量産性の観点からＭＯＣＶＤ法である。ＭＯＣＶＤ法では、キャリアガスとして水素（Ｈ_２）または窒素（Ｎ_２）、ＩＩＩ族原料であるＧａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）またはトリエチルインジウム（ＴＥＩ）、Ｖ族原料であるＮ源としてアンモニア（ＮＨ_３）、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）などが用いられる。また、ドーパントとしては、ｎ型にはＳｉ原料としてモノシラン（ＳｉＨ_４）またはジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）を、Ｇｅ原料としてゲルマン（ＧｅＨ_４）を用い、ｐ型にはＭｇ原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ_２Ｍｇ）またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＥｔＣｐ）_２Ｍｇ）を用いる。

このような窒化ガリウム系化合物半導体の一例として、図３に示すような積層体構造を有した窒化ガリウム系化合物半導体２０のように、サファイアからなる基板２１上に、ＡｌＮからなる図示略のバッファ層を積層して、順次、ＧａＮ下地層２２、ｎ型ＧａＮコンタクト層２３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、ＩｎＧａＮからなる発光層２５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２６、ｐ型ＧａＮコンタクト層２７を積層したものを用いることができる。

また、図３に示すような、窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ型ＧａＮコンタクト層２７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２６、発光層２５、およびｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２４の一部をエッチングによって除去することにより、ｎ型ＧａＮコンタクト層２３を露出させ、該ｎ型ＧａＮコンタクト層２３上に、例えば、Ｔｉ／Ａｕからなる従来公知の負極を設け、ｐ型ＧａＮコンタクト層２７上に正極を設けることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を構成することができる。

正極１５は、少なくともｐ型半導体層（ｐ型ＧａＮ層１４）と接する透光性導電酸化膜層からなる。透光性導電酸化膜層上の一部には、回路基板またはリードフレーム等との電気接続のための正極ボンディングパッド１６が設けられる。

透光性導電酸化膜として使用する材料には、ドーパントを含む酸化物が用いられる。例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）、ＡＺＯ（ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３）、ＩＺＯ（ＺｎＯ−Ｉｎ_２Ｏ_３）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−ＧｅＯ_２）などの透光性と低比抵抗に優れた材料を使用することが好ましい。特に、Ｖｆを低減したい場合には、低比抵抗を得ることができるＩＴＯを使用すれば良い。また、ＡＺＯやＧＺＯを使用した場合、これらの比抵抗はＩＴＯの比抵抗よりも高いため、ＶｆはＩＴＯのＶｆよりも高くなるが、ＧａＮ上に成膜した場合、ＡＺＯやＧＺＯ中に存在するＺｎＯは粒界をもつもののエピタキシャル成長をするため、ＩＴＯに比べて結晶性が良い。従って、ＩＴＯよりも剥離等が少なく、強度特性に優れた透光性導電酸化膜を形成することが可能である。

透光性導電酸化膜は、その比抵抗が最も低くなるＳｎ濃度付近の組成を有するものを使用することが好ましい。例えば、ＩＴＯを透光性導電酸化膜として使用する場合、ＩＴＯ中のＳｎ濃度は５〜２０質量％の範囲であることが好ましい。さらに低い比抵抗を得るためには、Ｓｎ濃度が７．５〜１２．５質量％の範囲のＩＴＯを使用すれば良い。
また、透光性導電酸化膜の膜厚は、低比抵抗、高透過率を得ることができる３５ｎｍ〜１００００ｎｍ（１０μｍ）の範囲であることが好ましい。さらに、生産コストの観点から、透光性導電酸化膜の膜厚は１０００ｎｍ（１μｍ）以下であることが好ましい。

透光性導電酸化膜層を積層した後、２００℃〜９００℃の温度での熱アニール処理を実施することにより、透光性導電酸化膜内に均一に存在しているドーパントが拡散し、透光性導電酸化膜層とｐ型半導体層との界面近傍で、ドーパント濃度の高い高ドーパント濃度領域を形成することができる。また、熱アニール処理を行なうことにより、同時に透光性導電酸化膜層の透過率を上昇させることも可能である。
ドーパントの拡散は２００℃〜９００℃の温度での熱アニール処理によって生じるが、接触抵抗をさらに下げるためには、３００℃〜６００℃の温度での熱アニール処理を実施することが好ましい。
アニール処理時の雰囲気としては、どのようなガスを用いてもかまわないが、透過率を上げるためには酸素（Ｏ_２）ガスを含んでいることが好ましく、また、透光性導電酸化膜の比抵抗を下げるためには窒素（Ｎ_２）ガスや水素（Ｈ_２）ガスを含んでいることが好ましい。
また、エキシマレーザーを用いたレーザーアニール処理によって透光性導電酸化膜内のドーパントを拡散させることも可能である。

透光性導電酸化膜層からなる正極１５とｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）１４との界面近傍で高ドーパント濃度領域を形成することにより、正極１５とｐ型ＧａＮ層１４と間の接触抵抗を低減することができる。
このような、透光性導電酸化膜層とｐ型半導体層との間の接触抵抗を低減する機構については明らかではないが、透光性導電酸化膜の比抵抗が最も小さくなるドーパント濃度に対して、接触抵抗が最も小さくなるドーパント濃度が５〜１０質量％程度高いためであると考えられる。
接触抵抗を低減するために、透光性導電酸化膜全体のドーパント濃度を増加させると、透光性導電酸化膜の比抵抗が高くなるため、結果としてＶｆが高くなる。しかしながら、本発明のように、界面近傍でのみ透光性導電酸化膜のドーパント濃度を増加させることにより、透光性導電酸化膜の比抵抗を低く保ったままで、透光性導電酸化膜とｐ型半導体層との間の接触抵抗を下げることができる。

また、高ドーパント濃度領域を形成することで透光性導電酸化膜層とｐ型半導体層との間の接触抵抗を低減しているため、従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のような金属コンタクト層を積層する必要がない。このため、金属コンタクト層による光透過率の低減が生じず、発光出力の高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を実現することができる。

透光性導電酸化膜層とｐ型半導体層との界面近傍の高ドーパント濃度領域は、界面を中心にして０．１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に存在することが好ましい。また、透光性導電酸化膜の比抵抗をより低く保つためには、高ドーパント濃度領域が界面を中心にして０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に存在することがより好ましく、０．１ｎｍ〜３ｎｍの範囲に存在することが最も好ましい。
また、透光性導電酸化膜層のドーパント濃度は、透光性導電酸化膜層とｐ型半導体層との界面で最大濃度となっていることが好ましい。

このような界面近傍でのドーパントの拡散は、透光性導電酸化膜層の成膜方法によらず、周知の成膜方法をなんら制限なく用いることができる。例えば、スパッタ法や真空蒸着法等などを用いて透光性導電酸化膜層を成膜することができる。

なお、本発明の正極１５をなす透光性導電酸化膜を成膜する前に、ｐ型ＧａＮ層１４表面の洗浄を実施することが好ましい。このような成膜前の洗浄を行うことにより、透光性導電酸化膜層とｐ型ＧａＮ層１４の界面近辺での拡散を促進させる効果があると考えられるが、その機構については明らかでない。
上述のようなｐ型ＧａＮ層１４表面の洗浄には、フッ酸（ＨＦ）や塩酸（ＨＣｌ）等を用いれば良く、適宜採用することができる。

また、透光性導電酸化膜層を成膜する前に、透光性導電酸化膜のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度をもつ層を、図示略の透光性導電酸化膜コンタクト層としてｐ型ＧａＮ層１４上に成膜することにより、高ドーパント濃度領域を、正極１５（透光性導電酸化膜層）とｐ型ＧａＮ層１４（ｐ型半導体層）との界面近傍に形成することができる。
例えば、透光性導電酸化膜層としてＳｎＯ_２濃度が１０質量％であるＩＴＯを使用した場合、透光性導電酸化膜コンタクト層には、Ｓｎ（ドーパント単体）、ＳｎＯ_２（ドーパントの酸化物）、ＩＴＯ（ＳｎＯ_２＝１５〜２０質量％）等を用いることができる。また、透光性導電酸化膜コンタクト層には、透光性導電酸化膜層としてＡＺＯを使用した場合は、Ａｌ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡＺＯ（Ａｌ−ｒｉｃｈ）、ＩＺＯを使用した場合は、Ｚｎ、ＺｎＯ、ＩＺＯ（Ｚｎ−ｒｉｃｈ）、ＧＺＯを使用した場合は、Ｇｅ，Ｇｅ_２Ｏ_５，ＧＺＯ（Ｇｅ−ｒｉｃｈ）を用いることができる。このように、透光性導電酸化物膜のコンタクト層の材質には、透光性導電酸化膜層の材料に応じて適宜選択することができる。

このような透光性導電酸化膜コンタクト層は、透光性導電酸化膜層を成膜した後、正極１５（透光性導電酸化膜層）とｐ型ＧａＮ層１４（ｐ型半導体層）との間に独立した層構造を形成するとは限らず、例えば、透光性導電酸化膜層中の高ドーパント濃度領域として存在することが多くなるものと考えられる。
また、透光性導電酸化膜コンタクト層は、透光性導電酸化膜に含まれる物質で構成されることにより相互拡散が起こりやすく、Ｓｎ等の金属であっても酸化されて透光性になることから、金属コンタクト層にみられるような光透過率の低減が生じることがない。

透光性導電酸化膜コンタクト層を成膜した場合、熱アニールやレーザーアニール等の後処理を行わずに高ドーパント濃度領域を形成することが可能であるが、熱アニールやレーザーアニール等の後処理を行うことによって、より界面近傍に近い範囲で高ドーパント濃度領域を形成させることができ、また、透光性導電酸化膜の光透過率を上昇させることもできるため、Ｖｆの低減や光出力の向上を図るためにも熱アニール処理やレーザーアニール処理を実施することが好ましい。

正極１５とｐ型ＧａＮ層１４との界面におけるドーパント濃度は、当業者には周知の断面ＴＥＭのＥＤＳ分析法によって測定することができる。即ち、正極１５とｐ型ＧａＮ層１４の界面を中心にして、数点の断面ＴＥＭのＥＤＳ分析を行い、各点でのチャートから含まれる金属とその量を求めることができる。ドーパント濃度の測定に不十分な場合には、追加してさらに数点測定すればよい。

正極ボンディングパッド１６は、透光性導電酸化膜層からなる正極１５上に形成され、Ａｕ、Ａｌ、ＮｉおよびＣｕ等の材料を用いた各種構造が周知であり、これら周知の材料、構造のものを何ら制限無く用いることができる。
正極ボンディングパッド１６の厚さは、１００〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。また、ボンディングパッドの特性上、厚さが大きい方が、ボンダビリティーが高くなるため、正極ボンディングパッド１６の厚さは３００ｎｍ以上とすることがより好ましい。さらに、製造コストの観点から５００ｎｍ以下とすることが好ましい。

負極１７は、基板１１上に、ｎ型ＧａＮ層１２、発光層１３およびｐ型ＧａＮ層１４が順次積層された窒化ガリウム系化合物半導体のｎ型ＧａＮ層１２に接するように形成される。
このため、負極１７を形成する際は、発光層１３およびｐ型ＧａＮ層１４の一部を除去してｎ型ＧａＮ層１２を露出させる。そして、本発明では、残存したｐ型ＧａＮ層１４上に透光性の正極１５を形成し、露出させたｎ型ＧａＮ層１２上に負極１７を形成する。
負極１７の材料としては、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができる。

以上、説明したような本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、例えば、当業者周知の手段により、透明カバーを設けてランプを構成することができる。また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、蛍光体を有するカバーとを組み合わせることにより、白色のランプを構成することもできる。

また、例えば、図５に示すように、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、従来公知の方法を用いてなんら制限無くＬＥＤランプとして構成することができる。ランプとしては、一般用途の砲弾型、携帯のバックライト用途のサイドビュー型、表示器に用いられるトップビュー型等、何れの用途にも用いることができる。例えば、フェイスアップ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を砲弾型に実装する場合、図示例のように、２本のフレーム３１、３２の一方に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子１を樹脂などで接着し、正極ボンディングパッド及び負極ボンディングパッドを金等の材質からなるワイヤー３３、３４用いて、それぞれフレーム３１、３２に接合する。その後、透明樹脂で素子周辺をモールドすることにより（図５のモールド３５参照）、砲弾型のランプ３０を作製することができる。

本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、駆動電圧（Ｖｆ）が低く、また、光取り出し効率に優れていることから、高効率のランプを実現することができる。

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。

［実験例１］
図３に、本実施例の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に用いるために作製した、エピタキシャル構造体の断面模式図を示す。また、図１及び図２に、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面模式図、及び平面模式図を示し、以下、適宜参照しながら説明する。

（窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製）
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子２０の積層構造体は、サファイアのｃ面（（０００１）結晶面）からなる基板２１上に、ＡｌＮからなるバッファ層（図示せず）を介して、順次、アンドープＧａＮ下地層（層厚＝２μｍ）２２、Ｓｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層（層厚＝２μｍ、キャリア濃度＝１×１０^１９ｃｍ^−３）２３、Ｓｉドープｎ型Ａｌ_０．０７Ｇａ_０．９３Ｎクラッド層（層厚＝１２．５ｎｍ、キャリア濃度＝１×１０^１８ｃｍ^−３）２４、６層のＳｉドープＧａＮ障壁層（層厚＝１４．０ｎｍ、キャリア濃度＝１×１０^１８ｃｍ^−３）と５層のアンドープＩｎ_０．２０Ｇａ_０．８０Ｎの井戸層（層厚＝２．５ｎｍ）とからなる多重量子構造の発光層２５、Ｍｇドープｐ型Ａｌ_０．０７Ｇａ_０．９３Ｎクラッド層（層厚１０ｎｍ）２６、及びＭｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層（層厚＝１００ｎｍ）２７を積層して構成した。上記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子２０の積層構造体の各構成層２２〜２７は、一般的な減圧ＭＯＣＶＤ手段で成長させた。

上記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子２０のエピタキシャル構造体を用いて、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子（図１を参照）を作製した。まず、ｎ型電極を形成する領域に一般的なドライエッチングを施し、その領域に限り、Ｓｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層の表面を露出させた。

次に、ＨＦ及びＨＣｌを用いて、ｐ型ＧａＮコンタクト層２７表面を洗浄した後、該ｐ型ＧａＮコンタクト層２７上の正極を形成する領域にのみ、ＩＴＯからなる透光性導電酸化膜層をスパッタリング法にて形成した。ＩＴＯはＤＣマグネトロンスパッタによりおよそ４００ｎｍの膜厚で成膜した。スパッタには、ＳｎＯ_２濃度が１０質量％のＩＴＯターゲットを使用し、ＩＴＯ成膜時の圧力は約０．３Ｐａとした。そして、ＩＴＯからなる透光性導電酸化膜の成膜後、６００℃の温度で１分間の熱アニール処理を行った。このようにして、ｐ型ＧａＮコンタクト層２７上に、本発明の正極（図１及び図２の符号１５を参照）を形成した。

上述の方法で形成した正極は高い透光性を示し、４６０ｎｍの波長領域で９０％以上の透過率を有していた。なお、光透過率は、上記と同じ厚さの透光性導電酸化膜層をガラス板上に積層した透過率測定用のサンプルを用い、分光光度計によって測定した。なお、光透過率の値はガラス板のみで測定した光透過ブランク値を考慮のうえ算出した。

次に、真空蒸着法により、透光性導電酸化膜層（正極）上の一部、及びＳｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層２３上に、Ｃｒからなる第１の層（層厚＝４０ｎｍ）、Ｔｉからなる第２の層（層厚＝１００ｎｍ）、Ａｕからなる第３の層（層厚＝４００ｎｍ）を順に積層し、それぞれ正極ボンディングパッド及び負極を形成した。

正極ボンディングパッド及び負極を形成した後、サファイアからなる基板１１の裏面をダイヤモンド微粒などの砥粒を使用して研磨し、最終的に鏡面に仕上げた。その後、積層構造体を裁断し、３５０μｍ角の正方形の個別のチップへと分離し、リードフレーム状に載置した後、金（Ａｕ）線でリードフレームと結線した。

（駆動電圧（Ｖｆ）の測定）
これらのチップを、プローブ針による通電により、電流印加値２０ｍＡにおける順方向電圧（駆動電圧：Ｖｆ）を測定したところ、３．３Ｖであった。また、一般的な積分球で測定された発光出力（Ｐｏ）は１０ｍＷであり、発光面の発光分布は、正極１５の全面で発光していることが確認できた。

（Ｓｎ濃度の算出）
断面ＴＥＭのＥＤＸ分析により、ｐ型ＧａＮコンタクト層２７と透光性導電酸化膜層（正極）との界面を中心とする２０ｎｍの幅の領域におけるＳｎ濃度を見積もり、図４に示した。このＳｎ濃度は、界面付近に存在すると考えられる金属原子（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）との比率（原子％）で定義した。透光性導電酸化膜内のＳｎ濃度は、界面から２ｎｍ以上の領域では５〜１０原子％であるのに対して、界面２ｎｍ未満の領域では１５原子％程度のＳｎ濃度を確認することができた。

［実験例２−５］
ＩＴＯからなる透光性導電酸化膜層の成膜前に、約２ｎｍの透光性導電酸化膜コンタクト層を成膜し、実験例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例６］
実験例１と同様にＩＴＯからなる透光性導電酸化膜を成膜した後、ＫｒＦ２４８ｎｍのエキシマレーザーを用いてレーザーアニール処理を行なった。レーザーアニールは、１ショットの照射面積を３×３ｍｍとし、１ショットのエネルギーは１０ｍＪ、周波数２００Ｈｚの条件で実施した。

［実験例７］
ＩＴＯからなる透光性導電酸化膜を真空蒸着法にて成膜し、実験例１と同様の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例８］
透光性導電酸化膜層としてＡｌ_２Ｏ_３濃度が１０質量％であるＡＺＯをスパッタ法にて成膜し、実験例１と同様の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

（密着性の評価）
ＩＴＯ、ＡＺＯの密着性を評価するため、実験例１および実験例８と同様の条件でサファイア基板上にＩＴＯ膜とＡＺＯ膜を成膜して熱処理を施した後、膜剥離試験を実施した。剥離試験は、ＪＩＳに規定された方法（ＪＩＳ Ｈ８０６２−１９９２）に、ヒートショック試験を組み合わせた加速試験を採用した。
まず、ＩＴＯ膜およびＡＺＯ膜に、カッターナイフを用いて直線状の引っかき傷を１ｍｍ間隔の基盤目状で形成した。この引っかき傷の深さは、サファイア基板表面に到達する深さとした。次に、これらのサンプルを４００℃のオーブン内で３０分間加熱した後、温度２０℃の水中で急冷し、乾燥させた。このような加熱、冷却処理を５回繰り返した。
そして、引っかき傷を形成した膜表面部分に粘着テープ（ニチバン製：セロハンテープ、幅１２ｍｍ）を貼り付け、これを隙間なく密着させた後、テープを膜表面から引き剥がした。この際、引っかき傷によって区画された１ｍｍ四方の膜表面区画１００個の内、引き剥がされずに残った区画を計数した。即ち、残った区画が１００個であれば、膜剥がれがないものと判断できる。

［実験例９−１０］
アニール温度を表１に示す温度とした点を除き、実験例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例１１−１２］
透光性導電膜を表１に示す厚さとした点を除き、実験例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例１３］
６００℃の温度での熱アニール処理を行なわなかった点を除き、実験例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例１４］
透光性導電酸化膜成膜前の洗浄を実施しなかった点を除き、実験例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例１５］
透光性導電酸化膜コンタクト層にＰｔターゲットを使用して、約０．５ｎｍの層厚のＰｔを成膜し、実験例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例１６］
６００℃の温度での熱アニール処理を行なわかった点を除き、実験例８と同様にＡＺＯ透光性導電酸化膜層を用いた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例１７−１８］
アニール温度を表１に示す温度とした点を除き、実験例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

［実験例１９−２０］
透光性導電膜を表１に示す厚さとした点を除き、実験例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

上記実験例１〜２０の正極成膜条件、素子特性の一覧を表１に示す。また、表１には、ｐ型ＧａＮコンタクト層と透光性導電酸化膜層との界面から透光性導電酸化膜層側へ、それぞれ０、１、２、５、１０ｎｍ離れた位置におけるＳｎ濃度も併せて示す。

表１に示す素子特性の評価結果より、６００℃の温度で熱アニール処理を行なったチップは、ｐ型ＧａＮ層とＩＴＯ層との界面から２ｎｍ以内の位置におけるＳｎ濃度が高くなっており、Ｖｆに低減がみられる（例えば、実験例１等）。
また、熱アニール温度を８００℃（実験例９）とした場合や、２５０℃（実験例１０）とした場合も、界面から２ｎｍ以内の位置におけるＳｎ濃度が高くなっており、Ｖｆに低減がみられる。
また、透光性導電酸化膜の厚さを９００ｎｍ（実験例１１）とした場合や、６０ｎｍ（実験例１２）とした場合も、界面から２ｎｍ以内の位置におけるＳｎ濃度が高くなっており、Ｖｆに低減がみられる。

また、熱アニール処理を実施しないチップであっても、ＩＴＯ成膜前にＳｎを用いたコンタクト層を成膜することによってＳｎ濃度の高い領域を形成することができ、Ｖｆが低減している（実験例２）。
また、Ｓｎ等のコンタクト層を成膜し、熱アニール処理を行ったチップでは、Ｓｎ濃度の高い領域がより界面の近い位置に存在しており、さらにＶｆは低減する（実験例３〜５）。
また、６００℃の温度での熱アニール処理の代わりにレーザーアニールを実施したチップ（実験例６）や、ＩＴＯ膜を真空蒸着法で成膜したチップ（実験例７）も、同様にＳｎ濃度の高い領域が存在した。

また、ＡＺＯを透光性導電酸化膜として成膜した場合（実験例８）、ＶｆではＩＴＯ膜に劣る。しかしながら、ＩＴＯ膜の場合と同様、６００℃の温度での熱アニール処理により、ドーパントであるＡｌの濃度が高い領域を形成し、Ｖｆが低減している。また、剥離試験において、ＩＴＯ膜では剥がれずに残った区画が７０個程度であったのに対して、ＡＺＯ膜では１００個全てが残存した。ＡＺＯ膜は、ＩＴＯ膜に比べてＶｆでは劣るものの、密着性は優れていることがわかる。

また、透光性導電酸化膜の成膜後に熱アニールを行わなかった実験例１３では、ｐ型ＧａＮ層とＩＴＯ層との界面から１０ｎｍ迄の範囲において、特にＳｎ濃度が高い領域は見られなかった。実験例１３の発光素子は、Ｖｆが３．６Ｖであった。

また、透光性導電酸化膜の成膜前にｐ型ＧａＮ層の洗浄を実施しなかった実験例１４では、ｐ型ＧａＮ層とＩＴＯ層との界面から１ｎｍの範囲にＳｎ濃度の高い領域が認められた。実験例１４の発光素子は、Ｖｆが３．６Ｖであった。

また、透光性導電酸化膜コンタクト層にＰｔターゲットを使用して約０．５ｎｍの層厚のＰｔを成膜した実験例１５では、界面におけるドーパント濃度が３％となった。実験例１５の発光素子は、発光出力（Ｐｏ）が７ｍＷであった。

また、透光性導電酸化膜にＡＺＯを用い、６００℃の温度での熱アニール処理を実施しなかった実験例１６では、ｐ型ＧａＮ層とＩＴＯ層との界面から１０ｎｍ迄の範囲において、特にＳｎ濃度が高い領域は見られなかった。実験例１６の発光素子は、Ｖｆが３．７Ｖであった。

また、透光性導電酸化膜成膜後の熱アニール温度を１０００℃とした実験例１７では、界面から２ｎｍの範囲へのＳｎ濃度の偏析が促進されている。実験例１７の発光素子は、Ｖｆが３．６Ｖであった。

また、透光性導電酸化膜を成膜した後の熱アニール温度を２００℃とした実験例１８では、ｐ型ＧａＮ層とＩＴＯ層との界面から１０ｎｍ迄の範囲において、特にＳｎ濃度が高い領域は見られなかった。実験例１８の発光素子は、Ｖｆが３．６Ｖであった。

また、透光性導電酸化膜の厚さを１２００ｎｍと厚くした実験例１９では、界面から２ｎｍの範囲へのＳｎ濃度の偏析が促進されている。実験例１９の発光素子は、発光出力（Ｐｏ）が８ｍＷであった。

また、透光性導電酸化膜の厚さを３０ｎｍと薄くした実験例２０では、界面から２ｎｍの範囲へのＳｎ濃度の偏析が促進されている。実験例２０の発光素子は、Ｖｆが３．７Ｖであった。

以上の結果により、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が、光取り出し効率に優れているとともに起動電圧（Ｖｆ）が低く、高い素子特性を有していることが明らかとなった。

本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を模式的に説明する図であり、断面構造を示す図である。 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を模式的に説明する図であり、平面視構造を示す図である。 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を模式的に説明する図であり、窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造体の断面図である。 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施例を説明する図であり、ｐ型ＧａＮコンタクト層と透光性導電酸化膜層との界面を中心とする領域でのＳｎ濃度の見積り値を示すグラフである。 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を用いて構成したランプを模式的に説明する図である。

符号の説明

１…窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、１１…基板、１２…ｎ型ＧａＮ層、１３…発光層、１４…ｐ型ＧａＮ層、１５…正極（透光性導電酸化膜層）、１６…正極ボンディングパッド、１７…負極、２１…基板、２２…アンドープＧａＮ下地層、２３…ｎ型ＧａＮコンタクト層、２４…ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、２５…発光層、２６…ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、２７…ｐ型ＧａＮコンタクト層、３０…ランプ

Claims (19)

1. 窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
   前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度が、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
2. 前記透光性導電酸化膜のドーパント濃度が、該透光性導電酸化膜と前記ｐ型半導体層との界面の位置で最大となっていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
3. 前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との間に、該透光性導電酸化膜よりもドーパント濃度が高い領域である高ドーパント濃度領域が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
4. 前記高ドーパント濃度領域が、ドーパント単体、ドーパントの酸化物、および前記透光性導電酸化膜のドーパント濃度よりも高濃度のドーパントを含む透光性導電材料の内、いずれかが成膜されてなることを特徴とする請求項３に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
5. 前記高ドーパント濃度領域が、Ｓｎ、ＳｎＯ_２、および前記透光性導電酸化膜のＳｎ濃度よりも高濃度のＳｎを含むＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）の内、いずれかが成膜されてなることを特徴とする請求項３または４に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
6. 前記窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面の、該透光性導電酸化膜のバルクよりもドーパント濃度が高い領域が、前記界面を中心にして０．１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に存在することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
7. 前記窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面の、該透光性導電酸化膜のバルクよりもドーパント濃度が高い領域が、前記界面を中心にして０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に存在することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
8. 前記窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面の、該透光性導電酸化膜のバルクよりもドーパント濃度が高い領域が、前記界面を中心にして０．１ｎｍ〜３ｎｍの範囲に存在することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
9. 前記透光性導電酸化膜が、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）、ＡＺＯ（ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３）、ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−ＧｅＯ_２）からなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
10. 前記透光性導電酸化膜が、少なくともＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）を含有していることを特徴とする請求項９に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
11. 前記透光性導電酸化膜の厚さが３５ｎｍ〜１００００ｎｍ（１０μｍ）の範囲内であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
12. 前記透光性導電酸化膜の厚さが１００ｎｍ〜１０００ｎｍ（１μｍ）の範囲内であることを特徴する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
13. 窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
    前記ｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層した後、２００℃〜９００℃の温度で熱アニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
14. 窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
    前記ｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層した後、３００℃〜６００℃の温度で熱アニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
15. 窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
    前記ｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層した後、エキシマレーザーを用いてレーザーアニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
16. 窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上に、高ドーパント濃度を有する層及び透光性導電酸化膜をこの順で積層した後、２００℃〜９００℃の温度で熱アニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
17. 窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上に、高ドーパント濃度を有する層及び透光性導電酸化膜をこの順で積層した後、３００℃〜６００℃の温度で熱アニール処理を行うことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
18. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からなるランプ。
19. 請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の製造方法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からなるランプ。
    
    

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