TW201700701A - 近紅外線吸收性組成物、近紅外線截止濾波器、近紅外線截止濾波器的製造方法、裝置、含銅聚合物的製造方法及含銅聚合物 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種近紅外線吸收性組成物、利用上述近紅外線吸收性組成物之紅外線截止濾波器及其製造方法、具有上述近紅外線截止濾波器之裝置、以及適當使用於上述近紅外線吸收性組成物之含銅聚合物及其製造方法，前述近紅外線吸收性組成物包含在聚合物側鏈具有銅錯合物部位之含銅聚合物及溶劑，前述銅錯合物部位具有選自對銅原子進行單座配位之部位及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之至少1種、及對銅原子進行多座配位之部位，聚合物主鏈與銅錯合物部位的銅原子經由對銅原子進行單座配位之部位或抗衡離子而鍵結。

Description

近紅外線吸收性組成物、近紅外線截止濾波器、近紅外線截止濾波器的製造方法、裝置、含銅聚合物的製造方法及含銅聚合物

本發明係有關一種近紅外線吸收性組成物、近紅外線截止濾波器、近紅外線截止濾波器的製造方法、裝置、含銅聚合物的製造方法及含銅聚合物。

攝像機、數碼相機、附帶相機功能之行動電話等中使用固態成像元件亦即電荷耦合元件（CCD）或互補金屬氧化物半導體（CMOS）感像器。固態成像元件為了在其受光部使用對近紅外線具有靈敏度之矽光電二極體，需要進行發光率校正，通常使用近紅外線截止濾波器。

作為近紅外線截止濾波器的材料，使用銅化合物等。 專利文獻1中記載有如下近紅外線吸收性組成物，其包含含銅聚合物，前述含銅聚合物由在主鏈具有芳香族烴基和/或芳香族雜環基並具有酸基或其鹽之聚合物與銅成分的反應獲得。 專利文獻2中記載有包含將具有磷酸基之聚合物與銅成分反應而獲得之含銅聚合物之近紅外線截止濾波器。 專利文獻3中記載有將具有乙烯基之磷酸酯銅錯合物聚合而成之近紅外線截止濾波器。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2015-4943號公報 [專利文獻2]日本特開2010-134457號公報 [專利文獻3]日本特開平11-52127號公報

本發明人等對專利文獻中記載之近紅外線截止濾波器進行深入研究的結果，得知專利文獻2、3中記載之近紅外線截止濾波器係耐熱性較差者。

並且，本發明人等對含銅聚合物進行深入研究的結果，得知藉由現有方法，依據配位基的種類，有時很難合成含銅聚合物。

藉此，本發明的目的在於，提供一種能夠形成耐熱性良好且具有近紅外線遮蔽性之膜之近紅外線吸收性組成物、近紅外線截止濾波器、近紅外線截止濾波器的製造方法、裝置、含銅聚合物的製造方法及含銅聚合物。

本發明人等對含銅聚合物進行各種深入研究的結果，發現藉由使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應，可輕鬆地製造耐熱性優異的含銅聚合物。 而且，對藉由該方法製造之含銅聚合物進行深入研究之結果，發現滿足以下（1）及（2）的任一個要件之含銅聚合物能夠形成耐熱性良好且具有較高的近紅外線遮蔽性之膜，由此完成了本發明。 （1）一種含銅聚合物，在聚合物側鏈具有銅錯合物部位，其中，銅錯合物部位具有選自對銅原子進行單座配位之部位及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之至少1種、及對銅原子進行多座配位之部位，聚合物主鏈與銅錯合物部位的銅原子經由對銅原子進行單座配位之部位或抗衡離子而鍵結。 （2）一種含銅聚合物，在聚合物側鏈具有銅錯合物部位，其中，在聚合物主鏈與銅錯合物部位之間具有包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基。其中，連結基包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，連結基包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。 本發明提供以下。 ＜1＞一種近紅外線吸收性組成物，其包含在聚合物側鏈具有銅錯合物部位之含銅聚合物及溶劑，其中， 銅錯合物部位具有選自對銅原子進行單座配位之部位及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之至少1種、及對銅原子進行多座配位之部位，聚合物主鏈與銅錯合物部位的銅原子經由對銅原子進行單座配位之部位或抗衡離子而鍵結。 ＜2＞一種近紅外線吸收性組成物，其包含在聚合物側鏈具有銅錯合物部位之含銅聚合物及溶劑，其中， 含銅聚合物在聚合物主鏈與銅錯合物部位之間具有包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， 其中，連結基包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，連結基包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞所述之近紅外線吸收性組成物，其中，含銅聚合物在聚合物主鏈與銅錯合物部位之間具有包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵及-NH-C（=S）NH-鍵之至少一種鍵之連結基。 ＜4＞一種近紅外線吸收性組成物，其包含： 含銅聚合物，使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應來獲得；及 溶劑。 ＜5＞如＜1＞～＜4＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物，其中，含銅聚合物相對於25℃的環己酮溶解10質量%以上。 ＜6＞如＜1＞～＜5＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物，其中，含銅聚合物中構成連結銅原子與聚合物主鏈之鏈之原子的數量為8以上。 ＜7＞如＜1＞～＜6＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物，其中，包含在聚合物側鏈具有由下述式（1）表示之基團之含銅聚合物，*-L¹ -Y¹ ……（1） 式（1）中，L¹ 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基，Y¹ 表示銅錯合物部位，*表示與聚合物的連接鍵； 其中，L¹ 包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，L¹ 包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。 ＜8＞如＜1＞～＜7＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物，含銅聚合物包含由下述式（A1-1）表示之構成單位； [化學式1]式（A1-1）中，R¹ 表示氫原子或烴基， L¹ 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， Y¹ 表示銅錯合物部位； 其中，L¹ 包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，L¹ 包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。 ＜9＞如＜1＞～＜8＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物，其中，含銅聚合物包含由下述式（A1-1-1）～（A1-1-3）表示之構成單位； [化學式2]式（A1-1-1）～（A1-1-3）中，R¹ 表示氫原子或烴基， L² 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， Y¹ 表示銅錯合物部位。 ＜10＞如＜1＞～＜9＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物，其中，含銅聚合物具有對銅原子進行4座配位或5座配位之部位。 ＜11＞如＜1＞～＜10＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物，其用於近紅外線截止濾波器。 ＜12＞一種近紅外線截止濾波器，其使用＜1＞～＜11＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物而成。 ＜13＞一種近紅外線截止濾波器的製造方法，所述方法使用＜1＞～＜11＞中任一個所述之近紅外線吸收性組成物。 ＜14＞一種裝置，其具有＜12＞所述之近紅外線截止濾波器，其中，裝置為選自固態成像元件、相機模組及圖像顯示裝置之至少一種。 ＜15＞一種含銅聚合物的製造方法，所述方法使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應。 ＜16＞一種含銅聚合物，其在聚合物側鏈具有銅錯合物部位，其中， 銅錯合物部位具有選自對銅原子進行單座配位之部位及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之至少1種、及對銅原子進行多座配位之部位，聚合物主鏈與銅錯合物部位的銅原子經由對銅原子進行單座配位之部位或抗衡離子而鍵結。 ＜17＞一種含銅聚合物，其在聚合物側鏈具有銅錯合物部位，其中， 含銅聚合物在聚合物主鏈與銅錯合物部位之間具有包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少1種鍵之連結基； 其中，連結基包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，連結基包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。 ＜18＞一種含銅聚合物，其使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應來獲得。 [發明效果]

依本發明，能夠提供一種可形成耐熱性良好且具有較高的近紅外線遮蔽性之膜之近紅外線吸收性組成物、近紅外線截止濾波器、近紅外線截止濾波器的製造方法、裝置、含銅聚合物的製造方法及含銅聚合物。

以下，對本發明的內容進行詳細說明。另外，本說明書中，“～”以作為下限值及上限值包含記載於其前後之數值之含義使用。 本說明書中，“（甲基）丙烯酸酯”表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，“（甲基）丙烯酸”表示丙烯酸及甲基丙烯酸，“（甲基）丙烯醯”表示丙烯醯及甲基丙烯醯。 本說明書中，“單體”區別為寡聚物及聚合物，是指分子量為2,000以下的化合物。 本說明書中，“聚合性化合物”是指具有聚合性基之化合物。“聚合性基”是指參與聚合反應之基團。 本說明書中的基團（原子團）的標記中，未記述取代及未取代之標記包含不具有取代基之基團（原子團）及具有取代基之基團（原子團）。 本說明書中，化學式中的Me表示甲基，Et表示乙基，Pr表示丙基，Bu表示丁基，Ph表示苯基。 本說明書中，“近紅外線”是指波長區域為700～2500nm的光（電磁波）。 本說明書中，“總固體成分”是指從組成物的總組成除去溶劑之成分的總質量。 本說明書中，“固體成分”是指25℃下之固體成分。 本說明書中，“重量平均分子量”及“數量平均分子量”定義為基於凝膠滲透色譜法（GPC）測定之聚苯乙烯換算值。

＜近紅外線吸收性組成物＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物含有後述之含銅聚合物及溶劑。 藉由使用本發明的近紅外線吸收性組成物，能夠製造近紅外線遮蔽性較高且耐熱性優異之膜。可獲得這種效果之理由雖不明確，但認為本發明中使用之含銅聚合物在聚合物側鏈具有銅錯合物部位，因此以銅原子作為起點，在聚合物的側鏈之間形成交聯結構，認為可獲得耐熱性優異的膜。

＜＜含銅聚合物＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物含有含銅聚合物。 本發明的近紅外線吸收性組成物中的含銅聚合物的含量為總固體成分的30質量%以上為較佳，50質量%以上更為佳，70～100質量%為進一步較佳，80～100質量%尤為佳。上限例如能夠設為99質量%以下，亦能夠設為98質量%以下，還能夠設為95質量%以下。藉由增加含銅聚合物的含量，能夠提高近紅外線遮蔽性。含銅聚合物能夠使用1種或2種以上。使用2種以上的含銅聚合物時，總計量係上述範圍為較佳。

本發明的含銅聚合物滿足以下（1）及（2）的任一個要件為較佳。 （1）一種含銅聚合物，其在聚合物側鏈具有銅錯合物部位，其中，銅錯合物部位具有選自對銅原子進行單座配位之部位及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之至少1種、及對銅原子進行多座配位之部位，聚合物主鏈與銅錯合物部位的銅原子經由對銅原子進行單座配位之部位或抗衡離子而鍵結。 （2）一種含銅聚合物，其在聚合物側鏈具有銅錯合物，其中，在聚合物主鏈與銅錯合物部位之間具有包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基。其中，連結基包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，連結基包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。

滿足上述要件之含銅聚合物能夠藉由使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應來製造（以下，還將該方法稱為本發明的製造方法）。 亦即，本發明的含銅聚合物係使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應來獲得之含銅聚合物亦較佳。

聚合物所具有之反應性部位與銅錯合物所具有之上述官能基的較佳組合、及藉由反應而形成之鍵可舉出以下（1）～（12），（1）～（6）為較佳。以下中，在左辺示出聚合物所具有之反應性部位及銅錯合物所具有之上述官能基，在右邊示出使兩者反應來獲得之鍵。R表示氫原子或烷基，或亦可鍵結於聚合物主鏈。Ｘ表示鹵素原子。 [化學式3]

上述（7）～（9）中，R鍵結於聚合物主鏈時，可舉出以下的結構。 [化學式4]

並且，滿足上述要件之含銅聚合物並不限定於上述之本發明的製造方法，亦能夠製造。 例如，滿足上述（1）的要件之含銅聚合物還能夠使在聚合物側鏈具有對銅原子進行單座配位之部位之聚合物、銅化合物、及具有對銅原子進行2座以上的配位之部位之化合物反應來製造。 並且，滿足上述（1）的要件之含銅聚合物還能夠使具有相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之聚合物、銅化合物、及具有對銅原子進行2座以上的配位之部位之化合物反應來製造。 並且，滿足上述（2）的要件之含銅聚合物還能夠使在聚合物側鏈經由包含上述鍵之連結基具有對銅原子進行單座配位之部位、或對銅原子進行2座以上的配位之部位之聚合物與銅化合物反應來製造。 並且，滿足上述（2）的要件之含銅聚合物還能夠使在聚合物側鏈經由包含上述鍵之連結基具有相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之聚合物與銅化合物反應來製造。

本發明的含銅聚合物相對於25℃的環己酮溶解10質量%以上為較佳。若相對於環己酮之溶解度較高，則能夠提高近紅外線吸收性組成物中的含銅聚合物的濃度。因此，能夠以厚膜塗佈，並能夠製造具有優異的近紅外線遮蔽性之膜。尤其，依本發明的製造方法，合成含銅聚合物時不易產生銅錯合物的變形等，因此能夠更加提高相對於環己酮之溶解性。另外，本發明中，含銅聚合物相對於環己酮之溶解度係藉由後述之實施例所示之方法測定之值。

本發明的含銅聚合物中，構成連結銅原子與聚合物主鏈之鏈之原子的數量為8以上為較佳，10以上更為佳，12以上為進一步較佳。上限例如為20以下為較佳。例如，以下情況下，構成連結銅原子與聚合物主鏈之鏈之原子的數量為14個。 [化學式5]

另外，本發明中的“聚合物主鏈”是指連結聚合物的構成單位彼此之鏈。例如，當為以下的聚合物時，連結標註數字之原子之鏈係聚合物主鏈。以下中，R^x1 表示取代基。 [化學式6]

本發明的含銅聚合物在聚合物側鏈具有由下述式（1）表示之基團為較佳。 *-L¹ -Y¹ ……（1） 式（1）中，L¹ 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基，Y¹ 表示銅錯合物部位，*表示與聚合物的連接鍵。 其中，L¹ 包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，L¹ 包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。

L¹ 係包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵及-NH-C（=S）NH-鍵之至少一種鍵之連結基為較佳。 L¹ 所表示之連結基可舉出：僅包含上述鍵之連結基；及組合上述鍵、與選自伸烷基、伸芳基、雜伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-C（=O）O-、-SO₂ -及-NR¹⁰ -（R¹⁰ 表示氫原子或者烷基，氫原子為較佳）之至少1種以上而成之連結基。其中，組合上述鍵與選自伸烷基、伸芳基、-CO-、-C（=O）O-及-NR¹⁰ -之至少1種而成之連結基為較佳，組合上述鍵與選自伸烷基、伸芳基及-C（=O）O-之至少1種而成之連結基更為佳。 伸烷基的碳原子數為1～30為較佳，1～15更為佳，1～10為進一步較佳。伸烷基可具有取代基，未取代為較佳。伸烷基可以係直鏈、分支、環狀中的任一個。並且，環狀的伸烷基可以係單環、多環的任一個。 伸芳基的碳原子數為6～18為較佳，6～14更為佳，6～10為進一步較佳，伸苯基尤為佳。 作為雜伸芳基，並無特別限定，5員環或6員環為較佳。作為構成雜伸芳基之雜原子的種類，可舉出氧原子、氮原子、硫原子。構成雜伸芳基之雜原子的數量為1～3為較佳。雜伸芳基可以係單環亦可以係縮合環，單環或縮合數係2～8的縮合環為較佳，單環或縮合數係2～4的縮合環更為佳。

Y¹ 表示銅錯合物部位。 銅錯合物部位具有銅原子及對銅原子進行配位之部位（配位部位）。作為對銅原子進行配位之部位，可舉出以陰離子或非共有電子對進行配位之部位。並且，銅錯合物部位具有對銅原子進行4座配位或5座配位之部位為較佳。依該態樣，能夠提高紅外線的吸光能力。以下，對銅錯合物部位進行說明。

（銅錯合物部位） 本發明中，銅錯合物部位具有含有至少2個配位部位之配位基（還稱為多座配位基）為較佳。多座配位基具有至少3個配位部位更為佳，具有3～5個為進一步較佳，具有4～5個尤為佳。多座配位基相對於銅成分，作為螯合配位基發揮作用。亦即，認為藉由多座配位基所具有之至少2個配位部位與銅原子螯合配位，銅錯合物的結構發生應變，可獲得可見區域中的較高的透射性，能夠提高紅外線的吸光能力，色價亦得到提高。藉此，即使長期使用近紅外線截止濾波器，亦無損其特性，並且還能夠穩定地製造相機模組。

多座配位基可僅具有2個以上的以陰離子進行配位之配位部位，亦可僅具有2個以上的以非共有電子對進行配位之配位部位，還可分別具有1個以上餓以陰離子進行配位之配位部位及以非共有電子對進行配位之配位部位。 作為配位部位為3個的形態，可舉出具有3個以陰離子進行配位之配位部位之情況、具有2個以陰離子進行配位之配位部位及1個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、具有1個以陰離子進行配位之配位部位及2個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、及具有3個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況。 作為配位部位為4個之形態，可舉出具有4個以陰離子進行配位之配位部位之情況、具有3個以陰離子進行配位之配位部位及1個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、具有2個以陰離子進行配位之配位部位及2個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、具有1個以陰離子進行配位之配位部位及3個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、及具有4個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況。 作為配位部位為5個之形態，可舉出具有5個以陰離子進行配位之配位部位之情況、具有4個以陰離子進行配位之配位部位及1個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、具有3個以陰離子進行配位之配位部位及2個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、具有2個以陰離子進行配位之配位部位及3個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、具有1個以陰離子進行配位之配位部位及4個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況、及具有5個以非共有電子對進行配位之配位部位之情況。

多座配位基中，陰離子為能夠對銅原子進行配位之陰離子即可，氧陰離子、氮陰離子或硫陰離子為較佳。 以陰離子進行配位之配位部位為選自以下的1價官能基組（AN-1）或2價官能基組（AN-2）之至少1種為較佳。另外，以下結構式中的波浪線係與構成多座配位基之原子團的鍵結位置。

組（AN-1） [化學式7]

組（AN-2） [化學式8]

上述以陰離子進行配位之配位部位中，X表示N原子或CR，R表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基為較佳。 烷基可以係直鏈狀、分支狀或環狀，直鏈狀為較佳。烷基的碳原子數為1～10為較佳，1～6更為佳，1～4為進一步較佳。作為烷基的例子，可舉出甲基。烷基可具有取代基。作為取代基，可舉出鹵素原子、羧基、雜環基。作為取代基的雜環基可以係單環亦可以係多環，並且可以係芳香族亦可以係非芳香族。構成雜環之雜原子的數量為1～3為較佳，1或2更為佳。構成雜環之雜原子為氮原子為較佳。烷基具有取代基時，取代基可進一步具有取代基。 烯基可以係直鏈狀、分支狀或環狀，直鏈狀為較佳。烯基的碳原子數為2～10為較佳，2～6更為佳。烯基可以係未取代亦可以具有取代基。作為取代基，可舉出上述者。 炔基可以係直鏈狀、分支狀或環狀，直鏈狀為較佳。炔基的碳原子數為2～10為較佳，2～6更為佳。炔基可以係未取代亦可以具有取代基。作為取代基，可舉出上述者。 芳基可以係單環亦可以係多環，單環為較佳。芳基的碳原子數為6～18為較佳，6～12更為佳，6為進一步較佳。芳基可以係未取代亦可以具有取代基。作為取代基，可舉出上述者。 雜芳基可以係單環亦可以係多環。構成雜芳基之雜原子的數量為1～3為較佳。構成雜芳基之雜原子為氮原子、硫原子、氧原子為較佳。雜芳基的碳原子數為1～18為較佳，1～12更為佳。雜芳基可以係未取代亦可以具有取代基。作為取代基，可舉出上述者。

多座配位基中，以非共有電子對進行配位之配位原子為氧原子、氮原子、硫原子或磷原子為較佳，氧原子、氮原子或硫原子更為佳，氧原子、氮原子為進一步較佳。 多座配位基中，以非共有電子對進行配位之配位原子為氮原子時，與氮原子相鄰之原子為碳原子或氮原子為較佳。

以非共有電子對進行配位之配位原子包含於環中或包含於選自以下的1價官能基組（UE-1）、2價官能基組（UE-2）、3價官能基組（UE-3）之至少1種部分結構為較佳。另外，以下結構式中的波浪線係與構成多座配位基之原子團的鍵結位置。 組（UE-1） [化學式9]

組（UE-2） [化學式10]

組（UE-3） [化學式11]

組（UE-1）～（UE-3）中，R¹ 表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基，R² 表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、氨基或醯基。

以非共有電子對進行配位之配位原子可包含於環。以非共有電子對進行配位之配位原子包含於環時，包含以非共有電子對進行配位之配位原子之環可以係單環亦可以係多環，並且可以係芳香族亦可以係非芳香族。包含以非共有電子對進行配位之配位原子之環為5～12員環為較佳，5～7員環更為佳。 包含以非共有電子對進行配位之配位原子之環可具有取代基。作為取代基，可舉出碳原子數1～10的直鏈狀、分支狀或環狀的烷基、碳原子數6～12的芳基、鹵素原子、矽原子、碳原子數1～12的烷氧基、碳原子數2～12的醯基、碳原子數1～12的烷硫基、羧基等。 包含以非共有電子對進行配位之配位原子之環具有取代基時，取代基可進一步具有取代基。取代基可舉出由包含以非共有電子對進行配位之配位原子之環構成之基團、包含選自上述組（UE-1）～（UE-3）之至少1種部分結構之基團、碳原子數1～12的烷基、碳原子數2～12的醯基、羥基。

以非共有電子對進行配位之配位原子包含於由組（UE-1）～（UE-3）表示之部分結構時，R¹ 表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基，R² 表示、氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷硫基、芳硫基、雜芳硫基、氨基或醯基。 烷基、烯基、炔基、芳基及雜芳基的含義與上述以陰離子進行配位之配位部位中說明之烷基、烯基、炔基、芳基及雜芳基相同，較佳範圍亦相同。 烷氧基的碳原子數為1～12為較佳，3～9更為佳。 芳氧基的碳原子數為6～18為較佳，6～12更為佳。 雜芳氧基可以係單環亦可以係多環。構成雜芳氧基之雜芳基的含義與上述以陰離子進行配位之配位部位中說明之雜芳基相同，較佳範圍亦相同。 烷硫基的碳原子數為1～12為較佳，1～9更為佳。 芳硫基的碳原子數為6～18為較佳，6～12更為佳。 雜芳硫基可以係單環亦可以係多環。構成雜芳硫基之雜芳基的含義與上述以陰離子進行配位之配位部位中說明之雜芳基相同，較佳範圍亦相同。 醯基的碳原子數為2～12為較佳，2～9更為佳。 R¹ 係氫原子、烷基、烯基、炔基為較佳，氫原子、烷基更為佳，烷基尤為佳。烷基的碳原子數為1～3亦較佳。藉由將N原子上的取代基亦即R¹ 設為烷基，可見區域中的透射性進一步得到提高。理由雖不明確，但推斷是因為藉由配位基軌道的能量等級發生變化，配位基與銅原子之間的電荷移動遷移發生短波長偏移。

多座配位基中，在1個分子内具有2個以上的以非共有電子對進行配位之配位原子時，可具有3個以上的以非共有電子對進行配位之配位原子，具有2～5個為較佳，具有4個更為佳。 連結以非共有電子對進行配位之配位原子彼此之原子數為1～6為較佳，1～3更為佳，2～3為進一步較佳。藉由設為該種結構，銅錯合物的結構變得更容易應變，因此能夠更加提高色價。 連結以非共有電子對進行配位之配位原子彼此之原子可以係1種或2種以上。連結以非共有電子對進行配位之配位原子彼此之原子係碳原子為較佳。

多座配位基由下述式（IV-1）～（IV-14）表示亦較佳。例如，多座配位基具有4個配位部位時，下述式（IV-3）、（IV-6）、（IV-7）、（IV-12）為較佳，從更牢固地配位於金屬中心，且易形成耐熱性較高且穩定的5配位錯合物之理由考慮，下述式（IV-12）更為佳。並且，例如，多座配位基具有5個配位部位時，下述式（IV-4）、（IV-8）～（IV-11）、（IV-13）、（IV-14）為較佳，從更牢固地配位於金屬中心，且易形成耐熱性較高且穩定的5配位錯合物之理由考慮、下述式（IV-9）～（IV-10）、（IV-13）、（IV-14）更為佳。 [化學式12]

式（IV-1）～（IV-14）中，Ｘ¹ ～Ｘ⁵⁹ 分別獨立地表示配位部位，L¹ ～L²⁵ 分別獨立地表示單鍵或2價連結基，L²⁶ ～L³² 分別獨立地表示3價連結基，L³³ ～L³⁴ 分別獨立地表示4價連結基。 Ｘ¹ ～Ｘ⁴² 分別獨立地表示選自由包含以非共有電子對進行配位之配位原子之環構成之基團、上述組（AN-1）或組（UE-1）之至少1種為較佳。 Ｘ⁴³ ～Ｘ⁵⁶ 分別獨立地表示選自由包含以非共有電子對進行配位之配位原子之環構成之基團、上述組（AN-2）或群（UE-2）之至少1種為較佳。 Ｘ⁵⁷ ～Ｘ⁵⁹ 分別獨立地表示選自上述組（UE-3）之至少1種為較佳。 L¹ ～L²⁵ 分別獨立地表示單鍵或2價連結基。作為2價連結基，碳原子數1～12的伸烷基、碳原子數6～12的伸芳基、-SO-、-O-、-SO₂ -或由該些組合構成之基團為較佳，碳原子數1～3的伸烷基、伸苯基、-SO₂ -或由該些組合構成之基團更為佳。 L²⁶ ～L³² 分別獨立地表示3價連結基。作為3價連結基，可舉出從上述2價連結基除去1個氫原子之基團。 L³³ ～L³⁴ 分別獨立地表示4價連結基。作為4價連結基，可舉出從上述2價連結基除去2個氫原子之基團。 其中，組（AN-1）～（AN-2）中的R及組（UE-1）～（UE-3）中的R¹ 可在R彼此、R¹ 彼此或者R與R¹ 之間連結而形成環。例如，作為式（IV-2）的具體例，可舉出下述式（IV-2A）。另外，Ｘ³ 、Ｘ⁴ 、Ｘ⁴³ 係以下示出之基團，L² 、L³ 係伸甲基，R¹ 係甲基。該R¹ 彼此連結而形成環，亦可成為下述式（IV-2Ｂ）或（IV-2C）。 [化學式13]

作為多座配位基的具體例，可舉出以下。

[化學式14][化學式15][化學式16][化學式17][化學式18][化學式19][化學式20][化學式21][化學式22][化學式23][化學式24][化學式25][化學式26][化學式27][化學式28][化學式29]

銅錯合物部位可具有2個以上的多座配位基。具有2個以上的多座配位基時，各個多座配位基可相同亦可不同。 銅錯合物部位例示4配位、5配位及6配位，4配位及5配位更為佳，5配位為進一步較佳。 並且，銅錯合物部位藉由銅原子與配位基形成選自5員環及6員環之至少1種為較佳。該種銅錯合物的形狀穩定，錯合物穩定性優異。

銅錯合物部位例如能夠使具有配位部位之化合物對銅成分（銅或包含銅之化合物）進行反應來獲得。 銅成分為包含2價銅之化合物為較佳。銅成分可僅使用1種亦可使用2種以上。 作為銅成分，例如能夠使用氧化銅或銅鹽。銅鹽例如為羧酸銅（例如，乙酸銅、乙基乙醯乙酸銅、甲酸銅、苯甲酸銅、硬脂酸銅、環烷酸銅、檸檬酸銅、2-乙基己酸銅等）、磺酸銅（例如，甲磺酸銅等）、磷酸銅、磷酸酯銅、膦酸銅、膦酸酯銅、次膦酸銅、醯胺銅、磺醯胺銅、醯亞胺銅、醯基磺醯亞胺銅、雙磺醯亞胺銅、甲基化銅、烷氧基銅、苯氧基銅、氫氧化銅、碳酸銅、硫酸銅、硝酸銅、高氯酸銅、氟化銅、氯化銅、溴化銅為較佳，羧酸銅、磺酸銅、磺醯胺銅、醯亞胺銅、醯基磺醯亞胺銅、雙磺醯亞胺銅、烷氧基銅、苯氧基銅、氫氧化銅、碳酸銅、氟化銅、氯化銅、硫酸銅、硝酸銅更為佳，羧酸銅、醯基磺醯亞胺銅、苯氧基銅、氯化銅、硫酸銅、硝酸銅為進一步較佳，羧酸銅、醯基磺醯亞胺銅、氯化銅、硫酸銅尤為佳。 與具有配位部位之化合物反應之銅成分的量以莫耳比例（具有配位部位之化合物：銅成分）計，設為1：0.5～1：8為較佳，設為1：0.5～1：4更為佳。 並且，使銅成分與具有配位部位之化合物反應時的反應條件例如設為在20～100℃下反應0.5小時以上為較佳。

銅錯合物部位可具有單座配位基。作為單座配位基，可舉出陰離子或以非共有電子對進行配位之單座配位基。作為以陰離子進行配位之單座配位基，可舉出鹵化物陰離子、羥化物陰離子、烷氧化物陰離子、苯氧化物陰離子、醯胺陰離子（包含被醯基或磺醯基取代之醯胺）、醯亞胺陰離子（包含被醯基或磺醯基取代之醯亞胺）、苯胺陰離子（包含被醯基或磺醯基取代之苯胺）、硫醇鹽陰離子、碳酸氫陰離子、羧酸陰離子、硫代羧酸陰離子、二硫代羧酸陰離子、硫酸氫陰離子、磺酸陰離子、磷酸二氫陰離子、磷酸二酯陰離子、膦酸單酯陰離子、膦酸氫陰離子、次膦酸陰離子、含氮雜環陰離子、硝酸陰離子、次氯酸陰離子、氰化物陰離子、氰酸鹽陰離子、異氰酸鹽陰離子、硫代氰酸鹽陰離子、異硫代氰酸鹽陰離子、疊氮化物陰離子等。作為以非共有電子對進行配位之單座配位基，可舉出水、醇、酚、醚、胺、苯胺、醯胺、醯亞胺、亞胺、腈、異腈、硫醇、硫醚、羰基化合物、硫代羰基化合物、亞碸、雜環或者碳酸、羧酸、硫酸、磺酸、磷酸、膦酸、次膦酸、硝酸或其酯。 單座配位基的種類及數量可依據對銅原子進行配位之多座配位化合物適當選擇。 作為單座配位基的具體例，可舉出以下的單座配位基，但並不限定於該些。 [化學式30]

上述結構式中，Ｘ表示CR¹ 或N原子。Y表示O原子、S原子或NR² 。 R、R¹ 及R² 分別獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基或磺醯基。

有時銅錯合物部位還依據以陰離子進行配位之配位部位的數量，除了不具有電荷之中性錯合物以外，還成為陽離子錯合物、陰離子錯合物。此時，為了中和銅錯合物的電荷，依據需要存在抗衡離子。

抗衡離子為負的抗衡離子（還稱為抗衡陰離子）時，例如可以係無機陰離子亦可以係有機陰離子。作為具體例，可舉出氫氧化物離子、鹵素陰離子（例如，氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子等）、取代或未取代的烷基羧酸離子（乙酸離子、三氟乙酸離子等）、取代或未取代的芳基羧酸離子（苯甲酸離子、六氟苯甲酸離子等）、取代或未取代的烷基磺酸離子（甲磺酸離子、三氟甲磺酸離子等）、取代或未取代的芳基磺酸離子（例如對甲苯磺酸離子、對氯苯磺酸離子、六氟苯磺酸離子等）、芳基二磺酸離子（例如1，3-苯二磺酸離子、1，5-萘二磺酸離子、2，6-萘二磺酸離子等）、烷基硫酸離子（例如甲基硫酸離子等）、硫酸離子、硫氰酸離子、硝酸離子、高氯酸離子、四氟硼酸離子、三氟氟烷基硼酸離子（例如，Ｂ^- Ｆ₃ CＦ₃ 等）、四芳基硼酸離子、五氟苯硼酸離子（例如，Ｂ^- （C₆ Ｆ₅ ）₄ 、Ｂ^- （C₆ Ｆ₅ ）₃ Ph等）、六氟磷酸鹽離子、苦味酸離子、醯亞胺離子（包含被醯基或磺醯基取代之醯亞胺離子。例如，N^- （SO₂ CＦ₃ ）₂ 、N^- （SO₂ Ｆ）₂ 、N^- （SO₂ CＦ₂ CＦ₃ ）₂ 、N^- （SO₂ CＦ₂ CＦ₂ CＦ₂ CＦ₃ ）₂ 及下述結構的醯亞胺離子等雙磺醯基醯亞胺離子、或N-（三氟甲烷磺醯基）三氟乙醯醯亞胺離子等醯基磺醯基醯亞胺離子）、甲基化離子（包含被醯基或磺醯基取代之甲基化離子。例如，C^- （SO₂ CＦ₃ ）₃ 等三磺醯基甲基化離子）。抗衡陰離子係鹵素陰離子、取代或未取代的烷基羧酸離子、硫酸離子、硝酸離子、四氟硼酸離子、三氟氟烷基硼酸離子（例如，Ｂ^- Ｆ₃ CＦ₃ 等）、四芳基硼酸離子、五氟苯硼酸離子（例如，Ｂ^- （C₆ Ｆ₅ ）₄ 、Ｂ^- （C₆ Ｆ₅ ）₃ Ph等）、六氟磷酸鹽離子、醯亞胺離子（包含被醯基或磺醯基取代之醯亞胺離子）、甲基化離子（包含被醯基或磺醯基取代之甲基化離子）為較佳。另外，Ph係苯基。 為了抑制求核反應或電子移動反應，抗衡陰離子係HOＭO（最高被占軌道）能級較低之抗衡陰離子為較佳。藉由使用HOMO能級較低之抗衡陰離子，耐熱性得到提高。進一步較佳地為被吸電子基取代之烷基羧酸離子（例如三氟乙酸離子）、被吸電子基取代之芳基羧酸離子（例如六氟苯甲酸離子）、取代或未取代的烷基磺酸離子、取代或未取代的芳基磺酸離子（例如六氟苯磺酸離子）、芳基二磺酸離子、四氟硼酸離子、三氟氟烷基硼酸離子、四芳基硼酸離子、五氟苯硼酸離子（例如，Ｂ^- （C₆ Ｆ₅ ）₄ 、Ｂ^- （C₆ Ｆ₅ ）₃ Ph等）、六氟磷酸鹽離子、醯亞胺離子（包含被醯基或磺醯基取代之醯亞胺離子）、甲基化離子（包含被醯基或磺醯基取代之甲基化離子）。進一步較佳地為被吸電子基取代之烷基磺酸離子（例如三氟甲磺酸離子）、被吸電子基取代之芳基磺酸離子（例如六氟苯磺酸離子）、四氟硼酸離子、三氟氟烷基硼酸離子、五氟苯硼酸離子、六氟磷酸鹽離子、雙磺醯基醯亞胺離子（例如，N^- （SO₂ CＦ₃ ）₂ 、或下述結構的醯亞胺陰離子）、醯基磺醯基醯亞胺離子（例如N-（三氟甲烷磺醯基）三氟乙醯醯亞胺離子）、三磺醯基甲基化離子（例如C^- （SO₂ CＦ₃ ）₃ ）。尤為佳地為五氟苯硼酸離子、雙磺醯基醯亞胺離子、三磺醯基甲基化離子。 [化學式31]

抗衡離子為正的抗衡離子時，例如可舉出無機或有機的銨離子（例如，四丁基銨離子等四烷基銨離子、三乙基苄基銨離子、吡啶離子等）、鏻離子（例如，四丁基鏻離子等四烷基鏻離子、烷基三苯鏻離子、三乙基苯鏻離子等）、鹼金屬離子或質子。

銅錯合物部位例如作為較佳的一例可舉出以下的（1）～（5）的態樣，（2）～（5）更為佳，（3）～（5）為進一步較佳，（4）為進一步更佳。 （1）具有1個或2個2座配位基之態様 （2）具有3座配位基之態様 （3）具有2座配位基及3座配位基之態様 （4）具有4座配位基之態様 （5）具有5座配位基之態様

上述（1）的態様中，2座配位基具有2個以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基、或具有以陰離子進行配位之配位部位及以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為較佳。並且，具有2個以上的2座配位基時，2個以上的2座配位基可相同亦可不同。 並且，（1）的態様中，銅錯合物部位還可進一步具有上述單座配位基。單座配位基的數量還可設為0個，亦可設為1～3個。作為單座配位基的種類，以陰離子進行配位之單座配位基、以非共有電子對進行配位之單座配位基均為佳，2座配位基具有2個以非共有電子對進行配位之配位部位時，從配位力較強之理由考慮，以陰離子進行配位之單座配位基更為佳，2座配位基具有以陰離子進行配位之配位部位及以非共有電子對進行配位之配位部位時，從整個錯合物不具有電荷之理由考慮，以非共有電子對進行配位之單座配位基更為佳。

上述（2）的態様中，3座配位基係具有以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為較佳，具有3個以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為進一步較佳。 並且，（2）的態様中，銅錯合物部位還可進一步具有上述單座配位基。單座配位基的數量還可設為0個。並且，還可設為1個以上，1～3個以上更為佳，1～2個為進一步較佳，2個為進一步更佳。作為單座配位基的種類，以陰離子進行配位之單座配位基、以非共有電子對進行配位之單座配位基均為佳，基於上述理由，以陰離子進行配位之單座配位基更為佳。

上述（3）的態様中，3座配位基係具有以陰離子進行配位之配位部位及以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為較佳，具有2個以陰離子進行配位之配位部位及1個以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基進一步較佳。而且，該2個以陰離子進行配位之配位部位不同尤為佳。並且，2座配位基係具有以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為較佳，具有2個以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為進一步較佳。其中，3座配位基係具有2個以陰離子進行配位之配位部位及1個以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基，2座配位基係具有2個以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基之組合尤為佳。 並且，（3）的態様中，銅錯合物部位還能夠進一步具有上述單座配位基。單座配位基的數量還可設為0個，亦可設為1個以上。0個更為佳。

上述（4）的態様中，4座配位基係具有以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為較佳，具有2個以上的以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基更為佳，具有4個以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基進一步較佳。 並且，（4）的態様中，銅錯合物部位還能夠進一步具有上述單座配位基。單座配位基的數量還可設為0個，還可設為1個以上，亦可設為2個以上。1個為較佳。作為單座配位基的種類，以陰離子進行配位之單座配位基、以非共有電子對進行配位之單座配位基均為佳。

上述（5）的態様中，5座配位基係具有以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為較佳，具有2個以上的以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基更為佳，具有5個以非共有電子對進行配位之配位部位之配位基為進一步較佳。 並且，（5）的態様中，銅錯合物部位還能夠進一步具有上述單座配位基。單座配位基的數量還可設為0個，亦可設為1個以上。單座配位基的數量為0個為較佳。

作為銅錯合物部位的具體例，例如可舉出以下。式中的波浪線表示與式（1）的L¹ 的鍵結部位。以下的式中，Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，Ph表示苯基。並且，Cu32表示Het為以下述任意結構表示之結構。所有Het可相同亦可不同。 [化學式32][化學式33][化學式34][化學式35][化學式36][化學式37][化學式38]

本發明的含銅聚合物包含以下述式（A1-1）表示之構成單位為較佳。 [化學式39]式（A1-1）中，R¹ 表示氫原子或烴基， L¹ 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， Y¹ 表示銅錯合物部位。 其中，L¹ 包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，L¹ 包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。

式（A1-1）中，R¹ 表示氫原子或烴基。作為烴基，可舉出直鏈狀、分支狀或環狀的脂肪族烴基或芳香族烴基。烴基可具有取代基，未取代為較佳。烴基的碳原子數為1～10為較佳，1～5更為佳，1～3為進一步較佳。烴基係甲基為較佳。R¹ 係氫原子或甲基為較佳。 式（A1-1）的L¹ 及Y¹ 的含義與上述式（1）的L¹ 及Y¹ 相同，較佳範圍亦相同。

作為由式（A1-1）表示之構成單位，例如可舉出由以下式（A1-1-1）～（A1-1-3）表示之構成單位。以下式（A1-1-1）為較佳。 [化學式40]

式中，R¹ 表示氫原子或烴基， L² 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， Y¹ 表示銅錯合物部位。

式（A1-1-1）～（A1-1-3）的R¹ 及Y¹ 的含義與式（A1-1）的R¹ 及Y¹ 相同，較佳範圍亦相同。

式（A1-1-1）～（A1-1-3）的L² 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基。L² 係包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵及-NH-C（=S）NH-鍵之至少一種鍵之連結基為較佳。 L² 所表示之連結基可舉出僅包含上述鍵之連結基；及組合上述鍵與選自伸烷基、伸芳基、雜伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-C（=O）O-、-SO₂ -及-NR¹⁰ -（R¹⁰ 表示氫原子或者烷基，氫原子為較佳）之至少1種以上而成之連結基。其中，上述鍵與選自伸烷基、伸芳基、-CO-、-C（=O）O-、-NR¹⁰ -以及此些組合而成的基為較佳，組合上述鍵與選自伸烷基、伸芳基及-C（=O）O-之至少1種而成之連結基更為佳。 L² 所表示之連結基係由下述式表示之連結基為較佳。 *¹ -L¹⁰¹ -L¹⁰² -L¹⁰³ -*² 式中，*¹ 表示與聚合物的連接鍵， *² 表示與銅錯合物部位的連接鍵， L¹⁰¹ 表示伸烷基， L¹⁰² 表示-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵或-NH-CO-鍵， L¹⁰³ 表示單鍵、伸烷基、伸芳基、雜伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-C（=O）O-、-SO₂ -、-NR¹⁰ -（R¹⁰ 表示氫原子或者烷基，氫原子為較佳）或將該些組合2種以上而成之基團。

本發明的含銅聚合物除了由式（A1-1）表示之構成單位以外，還可含有其他構成單位。 作為構成其他構成單位之成分，可參閱日本特開2010-106268號公報的段落編號0068～0075（對應之美國專利申請公開第2011/0124824號說明書的段落編號0112～0118）中公開之共聚合成分的記載，該些内容引入本說明書中。

含銅聚合物包含其他構成單位時，由式（A1-1）表示之構成單位與其他構成單位的莫耳比為95：5～20：80為較佳，90：10～40：60更為佳。

作為其他構成單位的較佳的其他構成單位，可舉出由下述式（A2-1）～（A2-6）表示之構成單位。

[化學式41]式中，R¹ 表示氫原子或烴基，L⁴ 、L^4a 、L^4b 及L^4c 分別獨立地表示單鍵或2價連結基，R⁶ ～R⁹ 分別獨立地表示烷基或芳基。

R¹ 的含義與式（A1-1）的R¹ 相同，較佳範圍亦相同。 L⁴ 、L^4a 、L^4b 及L^4c 分別獨立地表示單鍵或2價連結基。作為連結基，伸烷基、伸芳基、雜伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-C（=O）O-、-SO₂ -、-NR¹⁰ -（R¹⁰ 表示氫原子或烷基，氫原子為較佳）及將該些組合2種以上而成之基團為較佳。作為將上述基團組合2種以上而成之基團，伸烷基氧基（-（-O-Rx）_n -）為較佳。Rx表示伸烷基，n表示1以上的整數（1～20的整數為較佳）。

由R⁶ ～R⁹ 表示之烷基可以係直鏈狀、分支狀或環狀的任一個，直鏈狀或分支狀為較佳。烷基的碳原子數為1～30為較佳，1～20更為佳，1～10進一步較佳。烷基可具有取代基，作為取代基，可舉出上述取代基。 由R⁶ ～R⁹ 表示之芳基可以係單環亦可以係多環，單環為較佳。芳基的碳原子數為6～18為較佳，6～12更為佳，6為進一步較佳。

作為上述構成單位的具體例，可舉出以下。 [化學式42]

含銅聚合物包含上述其他構成單位時，其他構成單位在含銅聚合物的總構成單位中含有5～80莫耳%為較佳。上限為10莫耳%以上為較佳，20莫耳%以上為進一步較佳。下限為75莫耳%以下為較佳，70莫耳%以下為進一步較佳。

並且，本發明的含銅聚合物包含具有由Ｍ-Ｘ表示之部分結構之構成單位（以下，還稱為構成單位（MX））作為其他構成單位亦較佳。依該態様，易製造耐熱性更優異之膜。

構成單位（MX）中，M係選自Si、Ti、Zr及Al之原子，Si、Ti、Zr為較佳，Si更為佳。 構成單位（MX）中，Ｘ係選自羥基、烷氧基、醯基氧基、磷醯氧基、磺醯基氧基、氨基、肟基及O=C（R^a ）（R^b ）之1種，烷氧基、醯基氧基及肟基為較佳，烷氧基更為佳。另外，Ｘ為O=C（R^a ）（R^b ）時，以羰基（-CO-）的氧原子的非共有電子對與Ｍ鍵結。R^a 及R^b 分別獨立地表示1價有機基。 由Ｍ-Ｘ表示之部分結構中，Ｍ係Si且Ｘ係烷氧基之組合尤為佳。依該組合，具有適當的反應性，因此能夠使近紅外線吸收性組成物的保存穩定性良好。進而易形成耐熱性更優異之膜。

烷氧基的碳原子數為1～20為較佳，1～10更為佳，1～5為進一步較佳，1～2尤為佳。烷氧基可以係直鏈、分支、環狀的任一個，直鏈或分支為較佳，直鏈更為佳。烷氧基可以係未取代，亦可具有取代基，未取代為較佳。作為取代基，可舉出鹵素原子（氟原子為較佳）、聚合性基（例如，乙烯基、（甲基）丙烯醯基、苯乙烯基、環氧基、氧雜環丁烷基等）、氨基、異氰酸酯基、異氰脲酸酯基、脲基、巰基、硫醚基、磺基、羧基、羥基等。 作為醯基氧基，例如可舉出碳原子數2～30的取代或未取代的烷基羰氧基、碳原子數6～30的取代或未取代的芳基羰氧基等。例如，甲醯氧基、乙醯氧基、叔戊醯氧基、硬酯醯氧基、苯甲醯基氧基、對甲氧基苯基羰氧基等。作為取代基，可舉出上述取代基。 肟基的碳原子數為1～20為較佳，1～10更為佳，1～5為進一步較佳。例如，乙基甲基酮肟基等。 作為氨基，可舉出氨基、碳原子數1～30的取代或未取代的烷基氨基、碳原子數6～30的取代或未取代的芳基氨基、碳原子數0～30的雜環氨基等。例如可舉出氨基、甲基氨基、二甲基氨基、苯胺、N-甲基-苯胺、二苯氨基、N-1，3，5-三嗪-2-基氨基等。作為取代基，可舉出上述取代基。 作為R^a 及R^b 所表示之1價有機基，可舉出烷基、芳基、由-R¹⁰¹ -COR¹⁰² 表示之基團等。 烷基的碳原子數為1～20為較佳，1～10更為佳。烷基可以係直鏈、分支、環狀的任一個。烷基可以係未取代，亦可具有上述取代基。 芳基的碳原子數為6～20為較佳，6～12更為佳。芳基可以係未取代，亦可具有上述取代基。 由-R¹⁰¹ -COR¹⁰² 表示之基團中，R¹⁰¹ 表示伸芳基，R¹⁰² 表示烷基或芳基。 R¹⁰¹ 所表示之伸芳基的碳原子數為6～20為較佳，6～10更為佳。伸芳基可以係直鏈、分支、環狀的任一個。伸芳基可以係未取代，亦可具有上述取代基。 R¹⁰² 所表示之烷基及芳基可舉出R^a 、R^b 中說明者，較佳範圍亦相同。

作為構成單位（MX），例如可舉出下述式（MX2-1）～（MX2-4）等。

[化學式43]

Ｍ表示選自Si、Ti、Zr及Al之原子，Ｘ² 表示取代基或配位基，n個Ｘ² 中，至少1個為選自羥基、烷氧基、醯基氧基、磷醯氧基、磺醯基氧基、氨基、肟基及O=C（R^a ）（R^b ）之1種，Ｘ² 彼此可分別鍵結而形成環，R¹ 表示氫原子或烷基，L⁵ 表示單鍵或2價連結基，n表示Ｍ與Ｘ² 的鍵結鍵的數量。

Ｍ係選自Si、Ti、Zr及Al之原子，Si、Ti、Zr為較佳，Si更為佳。

Ｘ² 表示取代基或配位基，n個Ｘ² 中，至少1個為選自羥基、烷氧基、醯基氧基、磷醯氧基、磺醯基氧基、氨基、肟基及O=C（R^a ）（R^b ）之1種，n個Ｘ² 中，至少1個為選自烷氧基、醯基氧基及肟基之1種為較佳，n個Ｘ² 中，至少1個為烷氧基為進一步較佳，Ｘ² 全部為烷氧基尤為佳。 取代基或配位基中，羥基、烷氧基、醯基氧基、磷醯氧基、磺醯基氧基、氨基、肟基及O=C（R^a ）（R^b ）的含義與上述者相同，較佳範圍亦相同。 作為羥基、烷氧基、醯基氧基、磷醯氧基、磺醯基氧基、氨基、肟基以外的取代基，烴基為較佳。作為烴基，可舉出烷基、烯基、芳基等。 烷基可以係直鏈狀、分支狀或環狀的任一個。直鏈狀的烷基的碳原子數為1～20為較佳，1～12更為佳，1～8為進一步較佳。分支狀的烷基的碳原子數為3～20為較佳，3～12更為佳，3～8為進一步較佳。環狀的烷基可以係單環、多環的任一個。環狀的烷基的碳原子數為3～20為較佳，4～10更為佳，6～10為進一步較佳。 烯基的碳原子數為2～10為較佳，2～8更為佳，2～4為進一步較佳。 芳基的碳原子數為6～18為較佳，6～14更為佳，6～10為進一步較佳。 烴基可具有取代基，作為取代基，可舉出烷基、鹵素原子（氟原子為較佳）、聚合性基（例如，乙烯基、（甲基）丙烯醯基、苯乙烯基、環氧基、氧雜環丁烷基等）、氨基、異氰酸酯基、異氰脲酸酯基、脲基、巰基、硫醚基、磺基、羧基、羥基、烷氧基等。 Ｘ² 彼此可分別鍵結而形成環。

R¹ 表示氫原子或烷基。烷基的碳原子數為1～5為較佳，1～3為進一步較佳，1尤為佳。烷基係直鏈、分支均為佳，直鏈更為佳。烷基中，氫原子的一部分或全部可被鹵素原子（氟原子為較佳）取代。

L⁵ 表示單鍵或2價連結基。作為2價連結基，可舉出伸烷基、伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO₂ -、-NR¹⁰ -（R¹⁰ 表示氫原子或烷基，氫原子為較佳）或由該些的組合構成之基團，伸烷基、伸芳基及至少包含伸烷基之基團為較佳，伸芳基或伸烷基更為佳。 伸烷基的碳原子數為1～30為較佳，1～15更為佳，1～10為進一步較佳。伸烷基可具有取代基，未取代為較佳。伸烷基可以係直鏈、分支、環狀的任一個。並且，環狀的伸烷基可以係單環、多環的任一個。 伸芳基的碳原子數為6～18為較佳，6～14更為佳，6～10為進一步較佳，伸苯基尤為佳。

作為構成單位（MX）的具體例，可舉出以下。 [化學式44]

含銅聚合物包含構成單位（MX）時，構成單位（MX）在含銅聚合物的所有構成單位中含有5～80莫耳%為較佳。上限為10莫耳%以上為較佳，20莫耳%以上為進一步較佳。下限為70莫耳%以下為較佳，60莫耳%以下為進一步較佳。

含銅聚合物的重量平均分子量為2000以上為較佳，2000～200万更為佳，6000～200,000為進一步較佳。藉由將含銅聚合物的重量平均分子量設為該種範圍，具有所獲得之硬化膜的耐熱性更提高之傾向。 作為含銅聚合物的具體例，可舉出以下。 [化學式45][化學式46][化學式47][化學式48][化學式49][化學式50]

（含銅聚合物的製造方法） 接著，對本發明的含銅聚合物的製造方法進行說明。 本發明的含銅聚合物能夠使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物（A’）與具有可與聚合物（A’）所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物（Ｂ’）反應來製造。 聚合物所具有之反應性部位與銅錯合物（Ｂ’）所具有之上述官能基的較佳組合、及藉由反應形成之鍵可舉出上述（1）～（12），（1）～（6）為較佳。

聚合物（A’）只要係具有與銅錯合物（Ｂ’）所具有之官能基具有反應性之反應性部位者，則能夠較佳地使用任意者。在聚合物的側鏈具有反應性部位為較佳。 聚合物（A’）包含由下述式（A’1-1）表示之構成單位為較佳。 [化學式51]式（A’1-1）中，R¹ 表示氫原子或烴基，L²⁰⁰ 表示單鍵或連結基，Ｚ²⁰⁰ 表示反應性部位。

式（A’1-1）的R¹ 的含義與上述式（A1-1）的R¹ 相同，較佳範圍亦相同。 L²⁰⁰ 表示單鍵或連結基。作為連結基，可舉出組合選自伸烷基、伸芳基、雜伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-C（=O）O-、-SO₂ -及-NR¹⁰ -（R¹⁰ 表示氫原子或烷基，氫原子為較佳）之至少1種以上而成之連結基。 Ｚ²⁰⁰ 表示反應性部位。反應性部位只要係與銅錯合物（Ｂ）所具有之官能基具有反應性者即可。例如可舉出-NCO、-NCS、-C（=O）OC（=O）-R、鹵素原子等。R表示氫原子或烷基，或可鍵結於聚合物主鏈。

作為由式（A’1-1）表示之構成單位，例如可舉出由以下式（A’1-1-1）～（A’1-1-3）表示之構成單位。以下的式（A’1-1-1）為較佳。 [化學式52]

式中，R¹ 表示氫原子或烴基，L²⁰¹ 表示單鍵或連結基，Ｚ²⁰⁰ 表示反應性部位。

式（A’1-1-1）～（A’1-1-3）的R¹ 及Ｚ²⁰⁰ 的含義與式（A’1-1）的R¹ 及Ｚ²⁰⁰ 相同，較佳範圍亦相同。

式（A’1-1-1）～（A’1-1-3）的L²⁰¹ 表示單鍵或連結基。作為連結基，可舉出組合選自伸烷基、伸芳基、雜伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-C（=O）O-、-SO₂ -及-NR¹⁰ -（R¹⁰ 表示氫原子或烷基，氫原子為較佳）之至少1種以上而成之連結基。伸烷基為較佳。

聚合物（A’）可含有其他構成單位。作為其他構成單位，可舉出上述含銅聚合物中說明之由式（A2-1）～（A2-6）表示之構成單位或構成單位（MX）等。 聚合物（A’）的重量平均分子量為2000以上為較佳，2000～200万更為佳，6000～200,000為進一步較佳。藉由將聚合體（A’）的重量平均分子量設為該種範圍，具有所獲得之硬化膜的耐熱性更提高之傾向。 作為聚合物（A’）的具體例，例如可舉出以下所示者。 [化學式53][化學式54][化學式55][化學式56][化學式57][化學式58]

該些可藉由使構成上述構成單位之單體聚合反應來獲得。聚合反應能夠利用公知的聚合引發劑來使其反應。作為聚合引發劑，能夠使用偶氮聚合引發劑，具體而言，可舉出水溶性偶氮聚合引發劑、油溶性偶氮聚合引發劑、高分子聚合引發劑。聚合引發劑可僅使用1種，亦可同時使用2種以上。

作為單體，例如可舉出以下示出者。 [化學式59]

作為水溶性偶氮聚合引發劑，例如能夠使用作為市售品的VA-044、VA-046Ｂ、V-50、VA-057、VA-061、VA-067、VA-086等（商品名：均為Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製）。作為油溶性偶氮聚合引發劑，例如能夠使用作為市售品的V-60、V-70、V-65、V-601、V-59、V-40、VF-096、VAｍ-110等（商品名：均為Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製）。作為高分子聚合引發劑，例如能夠使用作為市售品的VPS-1001、VPE-0201等（商品名：均為Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製）。

銅錯合物（Ｂ’）具有含有至少2個配位部位之配位基（還稱為多座配位基）為較佳。具有銅原子及具有對銅原子進行配位之部位（配位部位）之配位基。作為對銅原子進行配位之部位，可舉出以陰離子或非共有電子對進行配位之部位。並且，配位基具有對銅原子進行4座配位或5座配位之部位為較佳。 銅錯合物（Ｂ’）可具有單座配位基及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子。對於多座配位基、單座配位基及抗衡離子，可舉出上述銅錯合物部位中說明者。 本發明中，多座配位基、單座配位基或抗衡離子具有可與聚合物（A’）所具有之反應性部位反應之官能基為較佳，單座配位基或抗衡離子具有前述官能基更為佳。 作為上述官能基，可舉出-OH、-SH、-NH₂ 、鹵素原子等。 能夠依據與聚合物（A’）所具有之反應性部位的反應性適當選擇。-OH、-SH、-NH₂ 為較佳。

作為銅錯合物（Ｂ’）的具體例，可舉出以下。以下式中，Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，Ph表示苯基。並且，Ｂ’-34表示Het由下述任意結構表示之結構。所有Het可相同亦可不同。 [化學式60][化學式61][化學式62][化學式63]

聚合物（A’）與銅錯合物（Ｂ’）的反應條件為20～150℃為較佳，40～100℃更為佳。 聚合物（A’）與銅錯合物（Ｂ’）的反應在溶劑中進行為較佳。作為溶劑，可舉出在後述溶劑一欄中說明之溶劑。考慮聚合物（A’）及銅錯合物（Ｂ’）的溶解性來選擇為較佳。例如，可舉出環己酮等。

（含銅聚合物的其他製造方法） 本發明的含銅聚合物還能夠使銅成分與含有由下述式（A’’1-1）表示之構成單位之聚合物（P）反應來製造。並且，式（A’’1-1）的Ｚ³⁰⁰ 係具有對銅原子進行單座配位之部位之基團或相對於銅錯合物骨架的抗衡離子時，進一步使具有對銅原子進行2座以上配位之部位之化合物進一步反應為較佳。 [化學式64]式（A’’1-1）中，R¹ 表示氫原子或烴基， L³⁰⁰ 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， Ｚ³⁰⁰ 表示具有1個以上的對銅原子進行配位之部位之基團或相對於銅錯合物骨架的抗衡離子。 其中，L³⁰⁰ 包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，L³⁰⁰ 包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。

L³⁰⁰ 所表示之連結基可舉出：僅包含上述鍵之連結基；組合上述鍵與選自伸烷基、伸芳基、雜伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-C（=O）O-、-SO₂ -及-NR¹⁰ -（R¹⁰ 表示氫原子或烷基，氫原子為較佳）之至少1種以上而成之連結基。其中，上述鍵與選自伸烷基、伸芳基、-CO-、-C（=O）O-、-NR¹⁰ -以及此些組合而成的基為較佳，組合上述鍵與選自伸烷基、伸芳基及-C（=O）O-之至少1種而成之連結基更為佳。 伸烷基的碳原子數為1～30為較佳，1～15更為佳，1～10為進一步較佳。伸烷基可具有取代基，未取代為較佳。伸烷基可以係直鏈、分支、環狀的任一個。並且，環狀的伸烷基可以係單環、多環的任一個。 伸芳基的碳原子數為6～18為較佳，6～14更為佳，6～10為進一步較佳，伸苯基尤為佳。 作為雜伸芳基，並無特別限定，5員環或6員環為較佳。作為構成雜伸芳基之雜原子的種類，可舉出氧原子、氮原子、硫原子。構成雜伸芳基之雜原子的數量為1～3為較佳。雜伸芳基可以係單環亦可以係縮合環，單環或縮合數為2～8的縮合環為較佳，單環或縮合數為2～4的縮合環更為佳。

Ｚ³⁰⁰ 表示具有1個以上的對銅原子進行配位之部位之基團或相對於銅錯合物骨架的抗衡離子。作為對銅原子進行配位之部位，可舉出以陰離子或非共有電子對進行配位之部位。 Ｚ³⁰⁰ 為具有對銅原子進行單座配位之部位之基團或相對於銅錯合物骨架的抗衡離子為較佳。作為具有1個以上的對銅原子進行配位之部位之基團及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子，可舉出在上述銅錯合物部位中說明之單座配位基及抗衡離子，任意部位中，與L³⁰⁰ 鍵結為較佳。

聚合物（P）可含有其他構成單位。作為其他構成單位，可舉出上述含銅聚合物中說明之由式（A2-1）～（A2-6）表示之構成單位或構成單位（MX）等。

聚合物（P）的重量平均分子量為2000以上為較佳，2000～200万更為佳，6000～200,000為進一步較佳。藉由將聚合物（P）的重量平均分子量設為該種範圍，具有所獲得之硬化膜的耐湿性更提高之傾向。 作為聚合物（P）的具體例，可舉出下述化合物及其鹽，但並不限定於該些。另外，作為構成鹽之原子，金屬原子為較佳，鹼金屬原子或鹼土類金屬原子更為佳。作為鹼金屬原子，可舉出鈉、鉀等。作為鹼土類金屬原子，可舉出鈣、鎂等。

[化學式65][化學式66][化學式67][化學式68]

＜＜低分子的銅錯合物＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物能夠進一步包含低分子的銅錯合物。作為低分子的銅錯合物，可舉出上述銅錯合物（Ｂ’）等。藉由含有低分子的銅錯合物，可獲得使近紅外線遮蔽性更加提高之效果。 低分子的銅錯合物的分子量為2000以下為較佳，1500以下更為佳，1200以下為進一步較佳。下限例如為500以上為較佳。 本發明的近紅外線吸收性組成物含有低分子的銅錯合物時，低分子的銅錯合物的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，為0.5～45質量%為較佳。下限為5質量%以上為較佳，10質量%以上更為佳。 並且，本發明的近紅外線吸收性組成物還能夠實際上不含有低分子的銅錯合物。藉由實際上不含有低分子的銅錯合物，能夠提高膜的耐溶劑性。實際上不含有低分子的銅錯合物是指相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.1質量%以下為較佳，0.01質量%以下更為佳，還能夠不含有。

＜＜其他近紅外線吸收性化合物＞＞ 為了更加提高近紅外線遮蔽性，本發明的近紅外線吸收性組成物可配合上述含銅聚合物以外的近紅外線吸收性化合物（以下，還稱為其他近紅外線吸收性化合物）。 其他近紅外線吸收性化合物只要係在700～2500nm，較佳為在700～1000nm的範圍内（近紅外線區域）具有最大吸收波長區域者，則並無特別限制。

其他近紅外線吸收性化合物可舉出吡咯並吡咯系化合物、花青系化合物、酞青系化合物、萘菁系化合物、亞胺系化合物、硫醇錯合物系化合物、過渡金屬氧化物系化合物、史奎百合系化合物、夸特銳烯系化合物、二硫醇金屬錯合物系化合物、克酮酸系化合物等等。

吡咯並吡咯系化合物可以係顔料亦可以係染料，從易獲得能夠形成耐熱性優異之膜之著色組成物之理由考慮，顔料為較佳。作為吡咯並吡咯系化合物，例如可舉出日本特開2009-263614號公報的段落編號0016～0058中記載的吡咯並吡咯化合物等。 花青系化合物、酞青系化合物、亞胺系化合物、史奎百合系化合物及克酮酸系化合物可使用日本特開2010-111750號公報的段落編號0010～0081中記載的化合物，該内容引入本說明書中。並且，花青系化合物例如能夠參閱“功能性色素、大河原信/松崗賢/北尾悌次郎/平嶋恆亮・著、Kodan-sha scientific”，該内容引入本說明書中。並且，酞青系化合物能夠參閱日本特開2013-195480號公報的段落編號0013～0029的記載，該內容引入本說明書中。

本發明的近紅外線吸收性組成物含有其他近紅外線吸收性化合物時，其他近紅外線吸收性化合物的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.1～45質量%為較佳。下限為0.5質量%以上為較佳，1質量%以上更為佳。

＜＜無機微粒子＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物可包含無機微粒子。無機微粒子可僅使用1種，亦可使用2種以上。 無機微粒子係主要起到遮蔽（吸收）紅外線之作用之粒子。在近紅外線遮蔽性更優異的點考慮，無機微粒子係金屬氧化物微粒子或金屬微粒子為較佳。 作為金屬氧化物微粒子，例如可舉出氧化銦錫（ITO）粒子、氧化銻錫（ATO）粒子、氧化鋅（ZnO）粒子、Al摻雜氧化鋅（Al摻雜ZnO）粒子、氟摻雜二氧化錫（Ｆ摻雜SnO₂ ）粒子、鈮摻雜二氧化鈦（Nb摻雜TiO₂ ）粒子等。 作為金屬微粒子，例如可舉出銀（Ag）粒子、金（Au）粒子、銅（Cu）粒子、鎳（Ni）粒子等。另外，為了兼顧近紅外線遮蔽性及光微影性，曝光波長（365-405nm）的透射率較高者為較佳，氧化銦錫（ITO）粒子或氧化銻錫（ATO）粒子為較佳。 無機微粒子的形狀並無特別限制，無論係球狀、非球狀，亦可以係片狀、線狀、軟管狀。

並且，作為無機微粒子可使用氧化鎢系化合物，具體而言，係以下述式（組成式）（I）表示之氧化鎢系化合物更為佳。 Ｍ_x Ｗ_y O_z ……（I） Ｍ表示金屬，Ｗ表示鎢，O表示氧。 0.001≤x/y≤1.1 2.2≤z/y≤3.0 作為Ｍ所表示之金屬，可舉出鹼金屬、鹼土類金屬、Mg、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Ｔl、Sn、Pb、Ti、Nb、V、Ｍo、Ｔa、Re、Be、Hf、Os、Bi，鹼金屬為較佳，Rb或Cs更為佳，Cs尤為佳。Ｍ的金屬可以係1種亦可以係2種以上。 藉由x/y為0.001以上，能夠充分遮蔽紅外線，藉由為1.1以下，能夠更可靠地避免氧化鎢系化合物中生成雜質相。 藉由z/y為2.2以上，能夠更加提高作為材料的化學穩定性，藉由為3.0以下，能夠充分遮蔽紅外線。 作為由式（I）表示之氧化鎢系化合物的具體例，可舉出Cs_0.33 WO₃ 、Rb_0.33 WO₃ 、Ｋ_0.33 WO₃ 、Ｂa_0.33 WO₃ 等，Cs_0.33 WO₃ 或Rb_0.33 WO₃ 為較佳，Cs_0.33 WO₃ 為進一步較佳。 氧化鎢系化合物例如可作為Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.的YMF-02等鎢微粒子的分散物來獲得。

無機微粒子的平均粒徑為800nm以下為較佳，400nm以下更為佳，200nm以下進一步較佳。藉由無機微粒子的平均粒徑在該種範圍，能夠提高可見區域中的透射性。並且，從避免光散射之觀點考慮，平均粒徑越小越佳，從製造時的易處理性等理由考慮，無機微粒子的平均粒徑通常為1nm以上。 無機微粒子的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.01～30質量%為較佳。下限為0.1質量%以上為較佳，1質量%以上為進一步較佳。上限為20質量%以下為較佳，10質量%以下為進一步較佳。

＜＜溶劑＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物含有溶劑為較佳。溶劑並無特別限制，只要係可均勻地溶解或分散各成分者，則能夠依據目的適當選擇。例如，能夠使用水、有機溶劑。 作為有機溶劑，例如可較佳地舉出醇類、酮類、酯類、芳香族烴類、鹵素化烴類、及二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞砜、環丁砜等。該些可單獨使用1種，亦可同時使用2種以上。 作為醇類、芳香族烴類、鹵素化烴類的具體例，可舉出日本特開2012-194534號公報的段落編號0136等中記載者，該內容引入本說明書中。 作為酯類、酮類、醚類的具體例，可舉出日本特開2012-208494號公報的段落編號0497（對應之美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的段落編號0609）中記載者。而且，可舉出乙酸-n-戊基、丙酸乙酯、苯二甲酸二甲酯、苯甲酸乙酯、硫酸甲酯、丙酮、甲基異丁基酮、二乙基醚、乙二醇單丁基醚乙酸酯等。 作為溶劑，使用選自1-甲氧基-2-丙醇、環戊酮、環己酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、乙酸丁酯、乳酸乙酯及丙二醇單甲醚之至少1種以上為較佳。

本發明中，作為溶劑，使用金屬含量較少之溶劑為較佳。溶劑的金屬含量例如為10質量ppb（parts per billion）以下為較佳。可依據需要使用質量ppt（parts per trillion）等級的溶劑，該種高純度溶劑例如由Toyo Gosei Co., Ltd提供（化學工業日報、2015年11月13日）。

作為從溶劑去除金屬等雜質之方法，例如可舉出蒸餾(分子蒸餾或薄膜蒸餾等)或使用過濾器之過濾。作為使用過濾器之過濾中的過濾器孔徑，細孔尺寸10nm以下為較佳，5nm以下更為佳，3nm以下為進一步較佳。作為過濾器的材質，聚四氟乙烯製、聚乙烯製、尼龍製過濾器為較佳。

溶劑可包含異構體（相同原子數且不同結構的化合物）。並且，異構體可僅包含1種亦可包含複數種。

關於溶劑的含量，本發明的近紅外線吸收性組成物的總固體成分成為5～60質量%之量為較佳。下限為10質量%以上更為佳。上限為40質量%以下更為佳。溶劑可僅為1種，亦可為2種以上。2種以上時，總計量成為上述範圍為較佳。

＜＜硬化性化合物＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物可含有硬化性化合物。 作為硬化性化合物，能夠使用可藉由自由基、酸、熱交聯之公知的化合物。例如，可舉出含有具有烯屬不飽和鍵之基團、環狀醚（環氧、氧雜環丁烷）基、羥甲基、烷氧基甲矽烷基等之化合物。作為具有烯屬不飽和鍵之基團，可舉出乙烯基、（甲基）烯丙基、（甲基）丙烯醯基等。

硬化性化合物可以係單體、寡聚物、預聚物、聚合物等化學形態的任一個。作為硬化性化合物，例如可參閱日本特開2014-41318號公報的段落編號0070～0191（對應之國際公開第2014/017669號小冊子的段落編號0071～0192）、日本特開2014-32380號公報的段落編號0045～0216等的記載，該內容引入本說明書中。

本發明中，硬化性化合物為聚合性化合物為較佳，自由基聚合性化合物更為佳。聚合性化合物可以係具有1個聚合性基之單官能化合物，亦可以係具有2個以上的聚合性基之多官能化合物，多官能化合物為較佳。近紅外線吸收性組成物藉由含有多官能化合物，能夠更加提高耐熱性。 作為聚合性化合物，可舉出單官能的（甲基）丙烯酸酯、多官能的（甲基）丙烯酸酯（3～6官能的（甲基）丙烯酸酯為較佳）、多元酸改性丙烯酸寡聚物、環氧樹脂、多官能的環氧樹脂等。

並且，本發明中，作為硬化性化合物，能夠使用具有由Ｍ-Ｘ表示之部分結構之化合物。Ｍ係選自Si、Ti、Zr及Al之原子。Ｘ係選自羥基、烷氧基、醯基氧基、磷醯氧基、磺醯基氧基、氨基、肟基及O=C（R^a ）（R^b ）之1種。R^a 及R^b 分別獨立地表示1價有機基。 藉由具有由Ｍ-Ｘ表示之部分結構之化合物來獲得之硬化物藉由牢固的化學鍵結而交聯，因此耐熱性優異。並且，難以產生與銅錯合物的相互作用，因此能夠抑制銅錯合物的特性下降。因此，能夠形成維持較高的近紅外線遮蔽性的同時耐熱性優異之硬化膜。

＜＜＜包含烯屬不飽和鍵之化合物＞＞＞ 本發明中，作為硬化性化合物，能夠使用包含烯屬不飽和鍵之化合物。作為包含烯屬不飽和鍵之化合物的例子，可參閱日本特開2013-253224號公報的段落編號0033～0034的記載，該內容引入本說明書中。 作為包含烯屬不飽和鍵之化合物，乙烯氧基改性季戊四醇四丙烯酸酯（作為市售品，NＫ酯ATM-35Ｅ；Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd製）、雙季戊四醇三丙烯酸酯（作為市售品，KAYARAD D-330；Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）、雙季戊四醇四丙烯酸酯（作為市售品，KAYARAD D-320；Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）、雙季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯（作為市售品 KAYARAD D-310；Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）、雙季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯（作為市售品、KAYARAD DPHA；Nippon Kayaku Co.,Ltd.製、A-ＤPH-12Ｅ；Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd製）、及該些（甲基）丙烯醯基經由乙二醇、丙二醇残基鍵結之結構為較佳。並且，亦可使用該些寡聚物類型。 並且，可參閱日本特開2013-253224號公報的段落編號0034～0038的聚合性化合物的記載，該內容引入本說明書中。 並且，可舉出日本特開2012-208494號公報的段落編號0477（對應之美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的段落編號0585）中記載的聚合性單體等，該些内容引入本說明書中。 並且，雙甘油EO（環氧乙烷）改性（甲基）丙烯酸酯（作為市售品 M-460；Toagosei CO.,Ltd.製）為較佳。季戊四醇四丙烯酸酯（Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd製、A-TMMT）、1，6-己二醇二丙烯酸酯（Nippon Kayaku Co.,Ltd.製、KAYARAD HDDA）亦較佳。亦可使用該些寡聚物類型。例如可舉出RP-1040（Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）等。

包含烯屬不飽和鍵之化合物可具有羧基、磺基、磷酸基等酸基。 作為包含酸基與烯屬不飽和鍵之化合物，可舉出脂肪族聚羥基化合物與不飽和羧酸的酯等。使非芳香族羧酸酐在脂肪族聚羥基化合物的未反應的羥基中反應來具有酸基之化合物為較佳，該酯中，脂肪族聚羥基化合物係季戊四醇和/或雙季戊四醇者尤為佳。作為市售品，例如，作為Toagosei CO.,Ltd.製的多元酸改性丙烯酸寡聚物，可舉出ARONIX系列的Ｍ-305、Ｍ-510、Ｍ-520等。 包含酸基及烯屬不飽和鍵之化合物的酸價為0.1～40mgKOH/ｇ為較佳。下限為5mgKOH/ｇ以上為較佳。上限為30mgKOH/ｇ以下為較佳。

＜＜＜具有環氧基或氧雜環丁基之化合物＞＞＞ 本發明中，作為硬化性化合物，能夠使用具有環氧基或氧雜環丁基之化合物。作為具有環氧基或氧雜環丁基之化合物，可舉出在側鏈具有環氧基之聚合物、在分子内具有2個以上的環氧基之單體或寡聚物等。例如，雙酚A型環氧樹脂、雙酚Ｆ型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。並且，還可舉出單官能或多官能縮水甘油醚化合物，多官能脂肪族縮水甘油醚化合物為較佳。 重量平均分子量為500～5000000為較佳，1000～500000更為佳。 該些化合物可使用市售品，可使用藉由向聚合物的側鏈導入環氧基而獲得之化合物。

作為市售品，例如可參閱日本特開2012-155288號公報的段落編號0191等的記載，該些內容引入本說明書中。 並且，可舉出DENACOL EX-212L、EX-214L、EX-216L、EX-321L、EX-850L（以上，Nagase chemtex corporation製）等多官能脂肪族縮水甘油醚化合物。該些為低氯品。同樣能夠使用非低氯品的EX-212、EX-214、EX-216、EX-321、EX-850等。 此外，亦可舉出ADEKA RESIN EP-4000S、ADEKA RESIN EP-4003S、ADEKA RESIN EP-4010S、ADEKA RESIN EP-4011S（以上、ADEKA CORPORATION製）、NC-2000、NC-3000、NC-7300、ＸＤ-1000、EPPN-501、EPPN-502（以上、ADEKA CORPORATION製）、JER1031S、CELLOXIDE2021P、CELLOXIDE2081、CELLOXIDE2083、CELLOXIDE2085、EHPE3150、EPOLEAD PB 3600、EPOLEAD PB 4700（以上、Daicel Corporation製）、CYCLOMER-P ACA 200M、CYCLOMER-P ACA 230AA､CYCLOMER-P ACA Z250､CYCLOMER-P ACA Z251､CYCLOMER-P ACA Z300､CYCLOMER-P ACA Z320（以上，Daicel Corporation製）等。 而且，作為苯酚酚醛清漆型環氧樹脂的市售品，可舉出JER-157S65、JER-152、JER-154、JER-157S70（以上，Mitsubishi Chemical Corporation製）等。 並且，作為在側鏈具有氧雜環丁基之聚合物、在分子内具有2個以上的氧雜環丁基之聚合性單體或寡聚物的具體例，可使用ARON OXETANE OXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX（以上，Toagosei CO.,Ltd.製）。 作為具有環氧基之化合物，還能夠使用縮水甘油（甲基）丙烯酸酯或烯丙基縮水甘油醚等具有縮水甘油基之化合物、或具有脂環式環氧基之化合物。作為該種化合物，例如可參閱日本特開2009-265518號公報的段落編號0045等的記載，該些內容引入本說明書中。 包含環氧基或氧雜環丁基之化合物，可包含具有作為構成單位的環氧基或氧雜環丁基之聚合體。

＜＜具有烷氧基甲矽烷基之化合物）＞＞ 本發明中，作為硬化性化合物，還能夠使用具有烷氧基甲矽烷基之化合物。烷氧基甲矽烷基可舉出單烷氧基甲矽烷基、二烷氧基甲矽烷基、三烷氧基甲矽烷基，二烷氧基甲矽烷基、三烷氧基甲矽烷基為較佳。

烷氧基甲矽烷基中的烷氧基的碳原子數為1～5為較佳，1～3更為佳，1或2尤為佳。烷氧基甲矽烷基在一個分子中具有2個以上為較佳，具有2～3個為進一步較佳。

作為具有烷氧基甲矽烷基之化合物的具體例，可舉出甲基三甲氧基矽烷基、二甲基二甲氧基矽烷基、苯三甲氧基矽烷基、甲基三乙氧基矽烷基、二甲基二乙氧基矽烷基、苯三乙氧基矽烷基、n-丙基三甲氧基矽烷基、n-丙基三乙氧基矽烷基、己基三甲氧基矽烷基、己基三乙氧基矽烷基、辛基三乙氧基矽烷基、癸基三甲氧基矽烷基、1，6-雙（三甲氧基甲矽烷）己烷、三氟丙基三甲氧基矽烷基、六甲基二矽氮烷、乙烯三甲氧基矽烷基、乙烯三乙氧基矽烷基、2-（3，4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷基、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷基、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷基、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷基、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷基、ｐ-苯乙烯三甲氧基矽烷基、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷基、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷基、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷基、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷基、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷基、N-2-（氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基矽烷基、N-2-（氨基乙基）-3-氨基丙基三甲氧基矽烷基、3-氨基丙基三甲氧基矽烷基、3-氨基丙基三乙氧基矽烷基、3-三乙氧基甲矽烷-N-（1，3-二甲基-亞丁基）丙基胺、N-苯-3-氨基丙基三甲氧基矽烷基、N-（乙烯基苄基）-2-氨基乙基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷基的鹽酸鹽、三-（三甲氧基甲矽烷丙基）異氰脲酸酯基、3-脲丙基三乙氧基矽烷基、3-巰丙基甲基二甲氧基矽烷基、3-巰丙基三甲氧基矽烷基、雙（三乙氧基甲矽烷丙基）四硫醚、3-異氰酸丙基三乙氧基矽烷基等。並且，除了上述以外，還能夠使用烷氧基寡聚物。並且，能夠使用下述化合物。 [化學式69]

作為市售品，可舉出Shin-Etsu Silicones Ltd.製的KBM-13､KBM-22､KBM-103､KBE-13､KBE-22､KBE-103､KBM-3033､KBE-3033､KBM-3063､KBM-3066､KBM-3086､KBE-3063､KBE-3083､KBM-3103､KBM-3066､KBM-7103､SZ-31､KPN-3504､KBM-1003､KBE-1003､KBM-303､KBM-402､KBM-403､KBE-402､KBE-403､KBM-1403､KBM-502､KBM-503､KBE-502､KBE-503､KBM-5103､KBM-602､KBM-603､KBM-903､KBE-903､KBE-9103､KBM-573､KBM-575､KBM-9659､KBE-585､KBM-802､KBM-803､KBE-846､KBE-9007､X-40-1053､X-41-1059A､X-41-1056､X-41-1805､X-41-1818､X-41-1810､X-40-2651､X-40-2655A､KR-513,KC-89S,KR-500､X-40-9225､X-40-9246､X-40-9250､KR-401N､X-40-9227､X-40-9247､KR-510､KR-9218､KR-213､X-40-2308､X-40-9238等。

＜＜＜其他硬化性化合物＞＞＞ 本發明中，作為硬化性化合物，可使用具有己內酯改性結構之聚合性化合物。 作為具有己內酯改性結構之聚合性化合物，可參閱日本特開2013-253224號公報的段落編號0042～0045的記載，該內容引入本說明書中。 具有己內酯改性結構之聚合性化合物例如可舉出由Nippon Kayaku Co.,Ltd.作為KAYARAD DPCA系列市售之DPCA-20､DPCA-30､DPCA-60､DPCA-120等、sartomer公司製的具有4個氧乙烯鏈之4官能丙烯酸酯亦即SR-494、具有3個異丁烯氧鏈之3官能丙烯酸酯亦即TPA-330等。

本發明的近紅外線吸收性組成物含有硬化性化合物時，硬化性化合物的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，1～90質量%為較佳。下限為5質量%以上為較佳，10質量%以上更為佳，20質量%以上為進一步較佳。上限為80質量%以下為較佳，75質量%以下更為佳。硬化性化合物可僅為1種，亦可為2種以上。2種以上時，總計量成為上述範圍為較佳。 本發明的近紅外線吸收性組成物還能夠實際上不含有硬化性化合物。“實際上不含有硬化性化合物”是指例如相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，為0.5質量%以下為較佳，0.1質量%以下更為佳，不含有為進一步更佳。

＜＜樹脂＞＞ 為了提高膜特性等，本發明的近紅外線吸收性組成物可包含樹脂。另外，本發明中的樹脂為不同於含銅聚合物之聚合物，表示不含有銅之聚合物。 作為樹脂，較佳地使用具有酸基之樹脂。藉由含有具有酸基之樹脂，對提高耐熱性等和塗佈適性的微調有效果。作為具有酸基之樹脂，可參閱日本特開2012-208494號公報的段落編號0558～0571（對應之美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的段落編號0685～0700）的記載，該些內容引入本說明書中。

樹脂還能夠使用上述含銅聚合物中說明之具有由式（A2-1）～（A2-6）表示之構成單位之樹脂、或具有構成單位（MX）之樹脂。例如能夠較佳地使用下述樹脂。 [化學式70]

樹脂的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，1～80質量%為較佳。下限為5質量%以上為較佳，7質量%以上更為佳。上限為50質量%以下為較佳，30質量%以下更為佳。

＜＜聚合引發劑＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物可包含聚合引發劑。作為聚合引發劑，只要具有藉由光、熱的任一方或者雙方引發聚合性化合物的聚合之能力，則並無特別限制，光聚合性化合物（光聚合引發劑）為較佳。藉由光引發聚合時，從紫外線區域對可見光線具有感光性者為較佳。並且，藉由熱引發聚合時，150～250℃下分解之聚合引發劑為較佳。

作為聚合引發劑，具有芳香族基之化合物為較佳。例如，醯基膦化合物、苯乙酮化合物、α-氨基酮化合物、二苯甲酮化合物、苯偶姻醚化合物、縮酮衍生物化合物、噻噸酮化合物、肟化合物、六芳基二咪唑化合物、三鹵甲基化合物、偶氮化合物、有機過氧化物、重氮化合物、碘鎓化合物、硫鎓化合物、吖嗪鎓化合物、茂金屬化合物等嗡鹽化合物、有機硼鹽化合物、二砜化合物、硫醇化合物等。 聚合引發劑可參閱日本特開2013-253224號公報的段落編號0217～0228的記載，該內容引入本說明書中。

聚合引發劑為肟化合物、苯乙酮化合物或醯基膦化合物為較佳。 作為肟化合物的市售品，可使用IRGACURE-OXE01（BASF公司製）、IRGACURE-OXE02（BASF公司製）、TR-PBG-304（常州強力電子新材料有限公司製）、ADEKA ARKLS NCI-831（ADEKA COPRORATION製）、ADEKA ARKLS NCI-930（ADEKA COPRORATION製）等。 作為苯乙酮化合物的市售品，可使用IRGACURE-907、IRGACURE-369、IRGACURE-379（商品名：均為BASF公司製造）等。 作為醯基膦化合物的市售品，可使用IRGACURE-819、DAROCUR-TPO（商品名：均為BASF公司製）等。 聚合引發劑的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.01～30質量%為較佳。下限為0.1質量%以上為較佳。上限為20質量%以下為較佳，15質量%以下更為佳。 聚合引發劑可僅為1種，亦可為2種以上。2種以上時，總計量成為上述範圍為較佳。

＜＜＜熱穩定性賦予劑＞＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物亦能夠含有肟化合物作為熱穩定性賦予劑。 作為肟化合物，可使用作為市售品的IRGACURE-OXE01､IRGACURE-OXE02､IRGACURE-OXE03､IRGACURE-OXE04(以上､BASF公司製）、TR-PBG-304（常州強力電子新材料有限公司製）、ADEKA ARKLS NCI-930（ADEKA CORPORATION製）、AEDKAOPTMER N-1919（ADEKA CORPORATION製、日本特開2012-14052號公報中記載的光聚合引發劑2）等。 作為肟化合物，能夠使用具有硝基之肟化合物。具有硝基之肟化合物設為二聚體亦較佳。作為具有硝基之肟化合物的具體例，可舉出日本特開2013-114249號公報的段落編號0031～0047中記載的化合物、日本特開2014-137466號公報的段落編號0008～0012、0070～0079中記載的化合物、日本專利第4223071號說明書的段落編號0007～0025中記載的化合物、ADEKA ARKLS NCI-831（ADEKA CORPORATION製）。 並且，作為肟化合物，還能夠使用具有苯并呋喃骨架之肟化合物。作為具體例，可舉出WO2015/036910A中記載之OE-01～OE-75。 並且，肟化合物可使用日本特開2016-21012號公報中記載的化合物。

熱穩定性賦予劑的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.01～30質量%為較佳。下限為0.1質量%以上為較佳。上限為20質量%以下為較佳，10質量%以下更為佳。

＜＜金屬催化劑＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物含有金屬催化劑為較佳。例如，含銅聚合物包含構成單位（MX）時或使用具有由Ｍ-Ｘ表示之部分結構之化合物作為硬化性化合物時，藉由近紅外線吸收性組成物含有金屬催化劑，促進含銅聚合物等的交聯，能夠製造更牢固的膜。

本發明中，金屬催化劑為選自氧化物、硫化物、鹵化物、碳酸塩、羧酸塩、磺酸塩、磷酸塩、硝酸塩、硫酸塩、醇鹽、氫氧化物及可具有取代基之乙醯丙酮錯合物之至少1種為較佳，該些包含選自由Na、Ｋ、Ca、Mg、Ti、Zr、Al、Zn、Sn、及Bi之至少1個金屬。 其中，選自上述金屬的、鹵化物、羧酸塩、硝酸塩、硫酸塩、氫氧化物及可具有取代基之乙醯丙酮錯合物之至少1種為較佳，乙醯丙酮錯合物進一步較佳。Al乙醯丙酮錯合物尤為佳。

作為金屬催化劑的具體例，例如，可舉出甲醇鈉、乙酸鈉、2-乙基己酸鈉、（2，4-戊二酮）鈉、丁醇鉀、乙酸鉀、2-乙基己酸鉀、（2，4-戊二酮）鉀、氟化鈣、氯化鈣、溴化鈣、碘化鈣、氧化鈣、硫化鈣、乙酸鈣、2-乙基己酸鈣、磷酸鈣、硝酸鈣、硫酸鈣、乙醇鈣、雙（2，4-戊二酮）鈣，氟化鎂、氯化鎂、溴化鎂、碘化鎂、氧化鎂、硫化鎂、乙酸鎂、2-乙基己酸鎂、磷酸鎂、硝酸鎂、硫酸鎂、乙醇鎂、雙（2，4-戊二酮）鎂、乙醇鈦、雙（2，4-戊二酮）二氧化鈦、乙醇鋯、四（2，4-戊二酮）鎬、氯化釩、氧化錳、雙（2，4-戊二酮）錳、氯化鉄、三（2，4-戊二酮）鉄、溴化鉄、氯化釕、氯化鈷、氯化銠、氯化銥、氯化鎳、雙（2，4-戊二酮）鎳、氯化鈀、乙酸鈀、雙（2，4-戊二酮）鈀、氯化鉑、氯化銅、氧化銅、硫酸銅、雙（2，4-戊二酮）銅、氯化銀、異丙醇鋁、雙（乙酸）羥基鋁、雙（2-乙基己酸）羥基鋁、硬脂酸二羥基鋁、雙硬脂酸羥基鋁、三硬脂酸鋁、三（2，4-戊二酮）鋁、氯化鋅、硝酸鋅、乙酸鋅、苯甲酸鋅、氧化鋅、硫化鋅、雙（2，4-戊二酮）鋅、2-乙基己烷鋅、氯化錫、2-乙基己酸錫、雙（2，4-戊二酮）二氯化錫、氯化鉛、2-乙基己酸鉍、硝酸鉍等。

本發明的近紅外線吸收性組成物含有金屬催化劑時，金屬催化劑的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.001質量%～20質量%為較佳。上限為15質量%以下為較佳，10質量%以下為進一步較佳，5質量%以下尤為佳。下限為0.05質量%以上為較佳，0.01質量%以上為進一步較佳，0.1質量%以上尤為佳。

＜＜界面活性劑＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物可含有界面活性劑。界面活性劑可僅使用1種亦可組合2種以上。界面活性劑的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.0001～5質量%為較佳。下限為0.005質量%以上為較佳，0.01質量%以上更為佳。上限為2質量%以下為較佳，1質量%以下更為佳。

作為界面活性劑，可使用氟系界面活性劑、非離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、矽酮系界面活性劑等各種界面活性劑。近紅外線吸收性組成物含有氟系界面活性劑及矽酮系界面活性劑的至少一個為較佳。降低被塗佈面與塗佈液之間的界面張力，從而向被塗佈面的潤濕性得到改善。因此，組成物的液特性（尤其流動性）得到提高，塗佈厚度的均勻性和省液性進一步得到改善。其結果，即使在以少量的液量形成數μｍ左右的薄膜時，亦可形成厚度不均較小的均勻厚度的膜。

氟系界面活性劑的含氟率為3～40質量%為較佳。下限為5質量%以上為較佳，7質量%以上為進一步較佳。上限為30質量%以下為較佳，25質量%以下為進一步較佳。含氟率在上述範圍内時，在塗佈膜的厚度的均勻性和省液性方面有效，溶解性亦良好。 作為氟系界面活性劑，具體而言，可舉出日本特開2014-41318號公報的段落編號0060～0064（對應之國際公開第2014/17669號小冊子的段落編號0060～0064）中記載的界面活性劑、日本特開2011-132503號公報的段落編號0117～0132中記載的界面活性劑，該些內容引入本說明書中。作為氟系界面活性劑的市售品，例如可舉出MEGAFAC F-171､MEGAFAC F-172､MEGAFAC F-173､MEGAFAC F-176､MEGAFAC F-177､MEGAFAC F-141､MEGAFAC F-142､MEGAFAC F-143､MEGAFAC F-144､MEGAFAC R30､MEGAFAC F-437､MEGAFAC F-475､MEGAFAC F-479､MEGAFAC F-482､MEGAFAC F-554､MEGAFAC F-780（以上，DIC CORPORATION製）、FLUORAD FC430､FLUORAD FC431､FLUORAD FC171（以上，3M Japan Limited製）、SURFLON S-382､SURFLON SC-101､SURFLON SC-103､SURFLON SC-104､SURFLON SC-105､SURFLON SC1068､SURFLON SC-381､SURFLON SC-383､SURFLON S393､SURFLON KH-40（以上，ASAHI GLASS CO., LTD.製）、PolyFox PF636､PF656､PF6320､PF6520､PF7002（OMNOVA公司製）等。

並且，氟系界面活性劑還可適當地使用具有氟原子的官能基之分子結構且若加熱則官能基的部分被切斷而氟原子揮發之丙烯酸系化合物。作為具有氟原子的官能基之分子結構且若加熱則官能基的部分被切斷而氟原子揮發之丙烯酸系化合物，可使用DIC CORPORATION製的MEGAFAC DS系列（化學工業日報、2016年2月22日）（日經產業新聞、2016年2月23日）、例如MEGAFAC DS-21。

氟系界面活性劑還可較佳地使用包含源自具有氟原子之（甲基）丙烯酸酯化合物之構成單位及源自具有2個以上（5個以上為較佳）伸烷基氧基（乙烯氧基、丙烯氧基為較佳）之（甲基）丙烯酸酯化合物之構成單位之含氟高分子化合物，下述化合物亦可例示為本發明中使用之氟系界面活性劑。 [化學式71]上述的化合物的重量平均分子量為3,000～50,000為較佳，例如為14,000。 並且，還能夠將在側鏈具有烯屬不飽和基之含氟聚合體用作氟系界面活性劑。作為具體例，可舉出日本特開2010-164965號公報的段落編號0050～0090及段落0289～0295中記載之化合物，例如可舉出DIC CORPORATION製造的MEGAFAC RS-101､RS-102､RS-718K等。

作為非離子系界面活性劑，具體而言，可舉出日本特開2012-208494號公報的段落編號0553（對應之美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的段落編號0679）等中記載的非離子系界面活性劑，該些內容引入本說明書中。 作為陽離子系界面活性劑，具體而言，可舉出日本特開2012-208494號公報的段落編號0554（對應之美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的段落編號0680）中記載的陽離子系界面活性劑，該些內容引入本說明書中。 作為陰離子系界面活性劑，具體而言，可舉出Ｗ004、Ｗ005、Ｗ017（YUSHO CO.,LTD.製）等。 作為矽酮系界面活性劑，例如可舉出日本特開2012-208494號公報的段落編號0556（對應之美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的段落編號0682）等中記載的矽酮系界面活性劑，該些內容引入本說明書中。

＜＜紫外線吸收劑＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物含有紫外線吸收劑為較佳。紫外線吸收劑為共軛二烯系化合物為較佳，由下述式（I）表示之化合物更為佳。 [化學式72]

式（I）中，R¹ 及R² 分別獨立地表示氫原子、碳原子數1～20的烷基或碳原子數6～20的芳基，R¹ 與R² 可彼此相同或亦可不同，但不會同時表示氫原子。

作為由式（I）表示之紫外線吸收劑的具體例，可舉出下述化合物。由式（I）表示之紫外線吸收劑的取代基的說明可參閱WO2009/123109A的段落編號0024～0033（對應之美國專利申請公開第2011/0039195號說明書的段落編號0040～0059）的記載，該些內容引入本說明書中。由式（I）表示之化合物的較佳的具體例可參閱WO2009/123109A的段落編號0034～0037（對應之美國專利申請公開第2011/0039195號說明書的段落編號0060）的例示化合物（1）～（14）的記載，該些內容引入本說明書中。 [化學式73]

作為紫外線吸收劑的市售品，例如可舉出UV503（DAITO CHEMICAL CO.,LTD.製）等。並且，紫外線吸收劑可使用氨基二烯系、水楊酸系、二苯甲酮系、苯并三唑系、丙烯腈系、三嗪系等紫外線吸收劑，作為具體例，可舉出日本特開2013-68814號公報中記載的化合物。作為苯并三唑系，可使用Miyoshi Oil & Fat Co., Ltd.製的MYUA系列（化學工業日報、2016年2月1日）。 紫外線吸收劑的含量相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.01～10質量%為較佳，0.01～5質量%更為佳。

＜＜脫水劑＞＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物含有脫水劑亦較佳。藉由含有脫水劑，能夠提高近紅外線吸收性組成物的保存穩定性。作為脫水劑的具體例，可舉出乙烯三甲氧基矽烷基、二甲基二甲氧基矽烷基、四乙氧基矽烷基、甲基三甲氧基矽烷基、甲基三乙氧基矽烷基、四甲氧基矽烷基、苯三甲氧基矽烷基、及二苯二甲氧基矽烷基等矽烷基化合物；原甲酸甲酯、原甲酸乙酯、原乙酸甲酯、原乙酸乙酯、原丙酸三甲酯、原丙酸三乙酯、原異丙酸三甲酯、原異丙酸三乙酯、原酪酸三甲酯、原酪酸三乙酯、原異酪酸三甲酯、原異酪酸三乙酯等原酸酯化合物；丙酮二甲基縮酮、二乙基酮二甲基縮酮、苯乙酮二甲基縮酮、環己酮二甲基縮酮、環己酮二乙基縮酮、二苯甲酮二甲基縮酮等縮酮化合物等。該些可單獨使用亦可同時使用2種以上。 脫水劑為矽烷基化合物及原酸酯化合物為較佳，原酸酯化合物更為佳。原酸酯化合物中，原乙酸甲酯、原乙酸乙酯、原丙酸三甲酯、原丙酸三乙酯、原異丙酸三甲酯、原異丙酸三乙酯、原酪酸三甲酯、原酪酸三乙酯、原異酪酸三甲酯、原異酪酸三乙酯為較佳，原乙酸甲酯、原乙酸乙酯、原丙酸三甲酯、原丙酸三乙酯、原異丙酸三甲酯、原異丙酸三乙酯更為佳，原乙酸甲酯、原乙酸乙酯為進一步較佳。

脫水劑的含量並無特別限定，相對於近紅外線吸收性組成物的總固體成分，0.5～20質量%為較佳，2～10質量%更為佳。

＜＜其他成分＞＞ 作為可在本發明的近紅外線吸收性組成物中同時使用之其他成分，例如可舉出分散劑、敏化劑、交聯劑、硬化促進劑、填充劑、熱硬化促進劑、熱聚合抑制劑、增塑劑等，可進一步同時使用對基材表面的黏附促進劑及其他助劑類（例如，導電性粒子、填充劑、消泡劑、阻燃劑、流平劑、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、表面張力調整剤、鏈轉移劑等）。 藉由適當含有該些成分，能夠調整作為目標的近紅外線截止濾波器的穩定性、膜物性等性質。 該些成分例如可參閱日本特開2012-003225號公報的段落編號0183之後（對應之美國專利申請公開第2013/0034812號說明書的段落編號0237）的記載、日本特開2008-250074號公報的段落編號0101～0104、0107～0109等的記載，該些內容引入本說明書中。

＜近紅外線吸收性組成物的製備、用途＞ 本發明的近紅外線吸收性組成物可混合上述各成分來製備。 製備組成物時，可一次性配合構成組成物之各成分，亦可將各成分溶解和/或分散於溶劑之後依次配合。並且，配合時的投入順序和操作條件並不特別受限。 本發明中，為了除去異物和減少缺陷，利用過濾器進行為較佳。作為過濾器，只要是以往用於過濾用途等者，則可不特別受限地使用。例如，可舉出基於聚四氟乙烯（PTFE）等氟樹脂、尼龍（例如尼龍-6、尼龍-6，6）等聚醯胺系樹脂、聚乙烯、聚丙烯（PP）等聚烯烴樹脂（包含高密度、超高分子量）等之過濾器。該些原材料中，聚丙烯（包含高密度聚丙烯）及尼龍為較佳。 過濾器的孔徑為0.01～7.0μm左右為適當，0.01～3.0μm左右為較佳，0.05～0.5μm左右為進一步較佳。藉由設為該範圍，能夠可靠地去除細微的異物。並且，使用纖維狀濾材亦較佳，作為濾材，例如可舉出聚丙烯纖維、尼龍纖維、玻璃纖維等，具體而言，可使用ROKITECHNO CO.,LTD.製造的SBP類型系列（SBP008等）、TPR類型系列(TPR002､TPR005等)､SHPX類型系列(SHPX003等）的濾筒。

使用過濾器時，可組合不同的過濾器。此時，第1過濾器中的過濾可僅進行1次亦可進行2次以上。 並且，可在上述範圍内組合不同孔徑的第1過濾器。此時的孔徑可參閱過濾器廠商的公稱值。作為市售的過濾器，例如可從Nihon Pall LTD.、 Advantec Toyo Kaisha, Ltd.、Nihon Entegris k.k.（旧Nihon Mykrolis k.k.）或KITZ MICRO FILTER CORPORATION等所提供之各種過濾器中選擇。 第2過濾器可使用由與上述第1過濾器相同的材料等形成者。第2過濾器的孔徑為0.2～10.0μm為較佳，0.2～7.0μm更為佳，0.3～6.0μm為進一步較佳。藉由設為該範圍，能夠在使組成物中含有之成分粒子殘留的狀態下去除異物。

本發明的近紅外線吸收性組成物能夠設為液狀，因此例如將本發明的近紅外線吸收性組成物適用於基材等，並使其乾燥，藉此可輕鬆地製造近紅外線截止濾波器。 關於本發明的近紅外線吸收性組成物的黏度，藉由塗佈形成近紅外線截止濾波器時，1～3000ｍPa·s為較佳。下限為10ｍPa·s以上為較佳，100ｍPa·s以上為進一步較佳。上限為2000ｍPa·s以下為較佳，1500ｍPa·s以下為進一步較佳。 本發明的近紅外線吸收性組成物的總固體成分依據塗佈方法而變更，例如，1～50質量%為較佳。下限為10質量%以上更為佳。上限為30質量%以下更為佳。

本發明的近紅外線吸收性組成物的用途並無特別限定，能夠較佳地用於近紅外線截止濾波器等的形成。例如，可較佳地使用於固態成像元件的受光側的近紅外線截止濾波器（例如，相對於晶圓級透鏡的近紅外線截止濾波器用等）、固態成像元件的背面側（受光側的相反側）的近紅外線截止濾波器等。尤其，能夠較佳地用作固態成像元件的受光側的近紅外線截止濾波器。 並且，依本發明的近紅外線吸收性組成物，可獲得耐熱性較高、能夠在可見區域中維持較高透射率之同時實現較高近紅外線遮蔽性之近紅外線截止濾波器。而且，能夠使近紅外線截止濾波器的膜厚較薄，有助於相機模組和圖像顯示裝置的低高度化。

＜近紅外線截止濾波器＞ 接著，對本發明的近紅外線截止濾波器進行說明。 本發明的近紅外線截止濾波器係使用上述本發明的近紅外線吸收性組成物而成者。 本發明的近紅外線截止濾波器中，光透射率滿足以下的（1）～（9）中的至少1個條件為較佳，滿足以下（1）～（8）的所有條件更為佳，滿足（1）～（9）的所有條件為進一步較佳。 （1）波長400nm下的光透射率為80%以上為較佳，90%以上更為佳，92%以上為進一步較佳，95%以上尤為佳。 （2）波長450nm下的光透射率為80%以上為較佳，90%以上更為佳，92%以上為進一步較佳，95%以上尤為佳。 （3）波長500nm下的光透射率為80%以上為較佳，90%以上更為佳，92%以上為進一步較佳，95%以上尤為佳。 （4）波長550nm下的光透射率為80%以上為較佳，90%以上更為佳，92%以上為進一步較佳，95%以上尤為佳。 （5）波長700nm下的光透射率為20%以下為較佳，15%以下更為佳，10%以下為進一步較佳，5%以下尤為佳。 （6）波長750nm下的光透射率為20%以下為較佳，15%以下更為佳，10%以下為進一步較佳，5%以下尤為佳。 （7）波長800nm下的光透射率為20%以下為較佳，15%以下更為佳，10%以下為進一步較佳，5%以下尤為佳。 （8）波長850nm下的光透射率為20%以下為較佳，15%以下更為佳，10%以下為進一步較佳，5%以下尤為佳。 （9）波長900nm下的光透射率為20%以下為較佳，15%以下更為佳，10%以下為進一步較佳，5%以下尤為佳。

近紅外線截止濾波器在波長400～550nm的所有範圍內的光透射率為85%以上為較佳，90%以上更為佳，95%以上為進一步較佳。可見區域中的透射率越高越佳，在波長400～550nm下成為高透射率為較佳。並且，在波長700～800nm的範圍的至少1點的光透射率為20%以下為較佳，在波長700～800nm的所有範圍內的光透射率為20%以下為進一步較佳。 近紅外線截止濾波器的膜厚可依據目的適當選擇。例如，500μm以下為較佳，300μm以下更為佳，250μm以下為進一步較佳，200μm以下尤為佳。膜厚的下限例如為0.1μm以上為較佳，0.2μm以上更為佳，0.5μm以上更為佳。 依本發明的近紅外線吸收性組成物，具有較高的近紅外線遮蔽性，因此能夠使近紅外線截止濾波器的膜厚變薄。

本發明的近紅外線截止濾波器在180℃下加熱1分鐘前後的由下述式表示之波長400nm下的吸光度的變化率為6%以下為較佳，3%以下尤為佳。並且，在180℃下加熱1分鐘前後的由下述式表示之波長800nm下的吸光度的變化率為6%以下為較佳，3%以下尤為佳。若吸光度的變化率在上述範圍，則耐熱性優異。 波長400nm下的吸光度的變化率（%）=|（試驗前的波長400nm的吸光度-試驗後的波長400nm的吸光度）/試驗前的波長400nm的吸光度|×100（%） 波長800nm下的吸光度的變化率（%）=|（試驗前的波長800nm的吸光度-試驗後的波長800nm的吸光度）/試驗前的波長800nm的吸光度|×100（%）

本發明的近紅外線截止濾波器在25℃的甲基丙二醇（MFG）中浸漬2分鐘前後的由下述表示之波長800nm下的吸光度的變化率為6%以下為較佳，3%以下尤為佳。 波長800nm下的吸光度的變化率（%）=|（試驗前的波長800nm的吸光度-試驗後的波長800nm的吸光度）/試驗前的波長800nm的吸光度|×100（%）

本發明的近紅外線截止濾波器用於具有吸收或截止近紅外線之功能之透鏡（數碼相機或行動電話或車載相機等相機用透鏡、f-θ透鏡、拾取透鏡等光學透鏡）及半導體受光元件用光學濾波器、為了節能而遮斷熱線之近紅外線吸收薄膜或近紅外線吸收板、以太陽光的選擇性利用為目的的農業用塗層劑、利用近紅外線的吸收熱之記錄介質、電子設備用或照片用近紅外線過濾器、護目鏡、太陽鏡、熱線遮斷過濾器、光學文字讀取記録、機密文件拷貝防止用、電子照片感光體、鐳射焊接等。並且，作為CCD相機用噪聲截止濾波器、CMOS感像器用過濾器亦有用。

＜近紅外線截止濾波器的製造方法＞ 本發明的近紅外線截止濾波器能夠使用本發明的近紅外線吸收性組成物來製造。具體而言，能夠經過將本發明的近紅外線吸收性組成物適用於支撐體等來形成膜之製程、乾燥膜之製程來製造。對於膜厚、層疊結構等，可依據目的適當選擇。並且，可進一步進行形成圖案之製程。並且，可將在支撐體上形成由本發明的近紅外線吸收組成物構成之膜之材料用作近紅外線截止濾波器，亦可從支撐體剝離前述膜，將從支撐體剝離之前述膜（單獨膜）用作近紅外線截止濾波器。

形成膜之製程例如能夠在支撐體上使用滴加法（滴鑄）、旋塗法、狹縫旋塗法、狹縫塗佈法、網版印刷、塗敷塗佈、噴墨等而適用本發明的近紅外線吸收性組成物來實施。作為基於噴墨之適用方法，只要能夠吐出近紅外線吸收組成物，則並無特別限定，例如可舉出“擴展、使用之噴墨-專利中出現的無限可能性-、2005年2月發行、Sumitbe Techon Research Co., Ltd.”中示出之專利公報中記載的方法（尤其115頁～133頁）、在日本特開2003-262716號公報、日本特開2003-185831號公報、日本特開2003-261827號公報、日本特開2012-126830號公報、日本特開2006-169325號公報中將吐出之組成物置換為本發明的近紅外線吸收組成物之方法。滴加法（滴鑄）時，在支撐體上形成以光阻劑作為隔壁之近紅外線吸收性組成物的滴加區域為較佳，以便獲得規定膜厚且均勻的膜。能夠調整近紅外線吸收性組成物的滴加量及固體成分濃度、滴加區域的面積來獲得所希望的膜厚。 作為乾燥後的膜的厚度，並無特別限制，可依據目的適當選擇。

支撐體可以係玻璃等透明基材。並且，亦可以係固態成像元件。並且，可以係設置於固態成像元件的受光側之其他基材。並且，亦可以係設置於固態成像元件的受光側之平坦化層等層。

乾燥膜之製程中，作為乾燥條件，依據各成分、溶劑的種類、使用比例等而不同。例如，在60～150℃的溫度下乾燥30秒鐘～15分鐘為較佳。

作為形成圖案之製程，例如可舉出包含在支撐體上適用本發明的近紅外線吸收性組成物來形成膜狀的組成物層之製程、將組成物層曝光為圖案狀之製程、及顯影去除未曝光部來形成圖案之製程之方法等。作為形成圖案之製程，可藉由光微影法形成圖案，亦可藉由乾式蝕刻法形成圖案。

近紅外線截止濾波器的製造方法中，可包含其他製程。作為其他製程，並無特別限制，可依據目的適當選擇。例如，可舉出基材的表面處理製程、前加熱製程（預烘製程）、硬化處理製程、後加熱製程（後烘製程）等。

＜＜前加熱製程・後加熱製程＞＞ 前加熱製程及後加熱製程中的加熱溫度為80～200℃為較佳。上限為150℃以下為較佳。下限為90℃以上為較佳。 前加熱製程及後加熱製程中的加熱時間為30～240秒為較佳。上限為180秒以下為較佳。下限為60秒以上為較佳。

＜＜硬化處理製程＞＞ 硬化處理製程係依據需要對所形成之上述膜進行硬化處理之製程，藉由進行該處理，近紅外線截止濾波器的機械強度得到提高。 作為硬化處理製程，並無特別限制，可依據目的適當選擇。例如可適當地舉出曝光處理、加熱處理等。其中，本發明中“曝光”用作不僅包含各種波長的光，還包含電子射線、X射線等放射線照射的含義。 曝光藉由放射線的照射來進行為較佳，作為可用於曝光時之放射線，尤其較佳地使用電子射線、KrF､ArF､g射線、h射線、i射線等紫外線或可見光。 作為曝光方式，可舉出步進曝光或基於高壓水銀燈之曝光等。 曝光量為5～3000ｍJ/cm² 為較佳。上限為2000ｍJ/cm² 以下為較佳，1000ｍJ/cm² 以下更為佳。下限為10ｍJ/cm² 以上為較佳，50ｍJ/cm² 以上更為佳。 作為曝光處理的方法，例如可舉出曝光所形成之膜的整面之方法。近紅外線吸收性組成物含有聚合性化合物時，藉由整面曝光，促進聚合性化合物的硬化，膜的硬化進一步進行，機械強度、耐久性得到改善。 作為曝光裝置，並無特別限制，可依據目的適當選擇，例如可適當地舉出超高壓水銀燈等紫外線曝光機。 並且，作為加熱處理的方法，可舉出加熱所形成之上述膜的整面之方法。藉由加熱處理，圖案的膜強度得到提高。 加熱溫度為100～260℃為較佳。下限為120℃以上為較佳，160℃以上更為佳。上限為240℃以下為較佳，220℃以下更為佳。若加熱溫度在上述範圍，則易獲得強度優異之膜。 加熱時間為1～180分鐘為較佳。下限為3分鐘以上為較佳。上限為120分鐘以下為較佳。 作為加熱裝置，並無特別限制，可從公知的裝置中依據目的適當選擇，例如可舉出乾式烘箱、加熱板、紅外線加熱器等。

＜固態成像元件、相機模組＞ 本發明的固態成像元件包含本發明的近紅外線截止濾波器。 本發明的相機模組具有固態成像元件及配置於固態成像元件的受光側之近紅外線截止濾波器。

圖1係表示具有本發明的一實施形態之近紅外線截止濾波器之相機模組的結構之概要剖面圖。 相機模組10例如具備固態成像元件11、設置於固態成像元件的主面側（受光側）之平坦化層12、近紅外線截止濾波器13、及配置於近紅外線截止濾波器的上方且在内部空間具有成像透鏡14之透鏡架15。 相機模組10中，使來自外部的入射光hν依次透射成像透鏡14、近紅外線截止濾波器13、平坦化層12之後，到達固態成像元件11的成像元件部。 固態成像元件11例如在基材16的主面依次具備光電二極體（未圖示）、層間絕緣膜（未圖示）、基底層（未圖示）、濾色器17、外塗層（未圖示）、微透鏡18。濾色器17（紅色濾色器、綠色濾色器、藍色濾色器）或微透鏡18分別配置成與固態成像元件11對應。 並且，亦可以係代替在平坦化層12的表面設置近紅外線截止濾波器13，而是在微透鏡18的表面、基底層與濾色器17之間或濾色器17與外塗層之間設置近紅外線截止濾波器13之形態。例如，近紅外線截止濾波器13可設置於距微透鏡表面2mm以内（1mm以内更為佳）的位置。若設置於該位置，則能夠簡略化形成近紅外線截止濾波器之製程，且能夠充分截斷向微透鏡的不必要的近紅外線，因此能夠更加提高近紅外線遮蔽性。 本發明的近紅外線截止濾波器的耐熱性優異，因此能夠用於迴流焊製程。藉由迴流焊製程製造相機模組，能夠實現需要進行焊接之電子組件安裝基板等的自動安裝化，與不使用迴流焊製程時相比，能夠格外提高生產率。而且，由於能夠自動進行，因此能夠實現低成本化。用於迴流焊製程時，暴露在250～270℃左右的溫度，因此近紅外線截止濾波器具有可承受迴流焊製程之耐熱性（以下，還稱為“耐迴流焊性”。）為較佳。 本說明書中，“具有耐迴流焊性”是指在180℃下進行1分鐘加熱前後保持作為近紅外線截止濾波器的特性。在230℃下進行10分鐘加熱前後保持特性更為佳。在250℃下進行3分鐘加熱前後保持特性為進一步較佳。不具有耐迴流焊性時，在上述條件下保持時，有時近紅外線截止濾波器的近紅外線遮蔽性下降或作為膜的功能變得不充分。 並且，本發明還係有關包含進行回流處理之製程之相機模組的製造方法者。本發明的近紅外線截止濾波器即使有回流製程，近紅外線遮蔽性亦被維持，因此不會損傷小型輕量、高性能化之相機模組的特性。

圖2～圖4係表示相機模組中的近紅外線截止濾波器周邊部分的一例之概要剖面圖。 如圖2所示，相機模組可依次具有固態成像元件11、平坦化層12、紫外、紅外光反射膜19、透明基材20、近紅外線吸收層（近紅外線截止濾波器）21及防反射層22。 紫外、紅外光反射膜19具有賦予或提高近紅外線截止濾波器的功能之效果，例如可參閱日本特開2013-68688號公報的段落編號0033～0039，該內容引入本說明書中。 透明基材20係透射可見區域的波長的光者，例如可參閱日本特開2013-68688號公報的段落編號0026～0032，該內容引入本說明書中。 近紅外線吸收層21能夠藉由塗佈上述本發明的近紅外線吸收性組成物來形成。 防反射層22係藉由防止入射於近紅外線截止濾波器之光的反射來提高透射率，且具有有效地利用入射光之功能者，例如可參閱日本特開2013-68688號公報的段落編號0040，該內容引入本說明書中。

如圖3所示，相機模組可依次具有固態成像元件11、近紅外線吸收層（近紅外線截止濾波器）21、防反射層22、平坦化層12、防反射層22、透明基材20、及紫外、紅外光反射膜19。 如圖4所示，相機模組可依次具有固態成像元件11、近紅外線吸收層（近紅外線截止濾波器）21、紫外、紅外光反射膜19、平坦化層12、防反射層22、透明基材20及防反射層22。

＜圖像顯示裝置＞ 本發明的圖像顯示裝置具有本發明的近紅外線截止濾波器。本發明的近紅外線截止濾波器還能夠用於液晶顯示裝置或有機電致發光（有機EL）顯示裝置等圖像顯示裝置。例如，藉由與各著色像素（例如紅色、綠色、藍色）一同使用，遮斷顯示裝置的背光源（例如白色發光二極體（白色LED））中包含之紅外光，可用於防止周邊設備的誤動作或用於除了各著色像素顯示以外形成紅外像素。

關於顯示裝置的定義和各顯示裝置的詳細內容，例如記載於“電子顯示設備（佐佐木 昭夫著、Kogyo Chosakai Publishing Co.,Ltd. 1990年發行）”、“顯示設備（伊吹 順章著、Sangyo Tosho Publishing Co.,Ltd.平成元年發行）”等。並且，關於液晶顯示裝置，例如記載於“下一代液晶顯示技術（內田 龍男編輯、Kogyo Chosakai Publishing Co.,Ltd. 1994年發行）”。能夠適用本發明之液晶顯示裝置並無特別限制，例如，能夠適用於上述“下一代液晶顯示技術”中記載之各種方式的液晶顯示裝置。

圖像顯示裝置可以係具有白色有機EL元件者。作為白色有機EL，串列結構為較佳。關於有機EL元件的串列結構，記載於日本特開2003-45676號公報、三上明義監修、“有機EL技術開發的最前線-高亮度・高精度・長壽命化・技術集-”、技術信息協會、326-328頁、2008年等。有機EL元件所發光之白色光的光譜在藍色區域（430nm-485nm）、綠色區域（530nm-580nm）及黄色區域（580nm-620nm）具有較強的最大發光峰值為較佳。除了該些發光峰值以外，進一步在紅色區域（650nm-700nm）具有最大發光峰值更為佳。 [實施例]

以下舉出實施例對本發明進一步進行具體說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理内容、處理順序等，只要不脫離本發明宗旨，則能夠適當變更。因此，本發明的範圍並不限定於以下所示之具體例。另外，除非另外指明，“份”、“%”係質量基準。

＜重量平均分子量（Ｍｗ）的測定＞ 重量平均分子量（Ｍｗ）藉由以下方法測定。 柱的種類：TSKgel Super AWM-H（TOSOH CORPORATION製、6.0mm（內徑）×15.0cm） 顯影溶劑：10mmol/L 溴化鋰NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶液 柱溫度：40℃ 流量（樣品注入量）：10μL 裝置名：HLC-8220（TOSOH CORPORATION製） 校準曲線基礎樹脂：聚苯乙烯

＜含銅聚合物的溶解度的測定＞ 0.1MPa的壓力下，向25℃的環己酮100ｇ添加含銅聚合物100ｇ。之後，在25℃的溫度下將所獲得之溶液攪拌30分鐘。接著，從攪拌後的溶液回收固體成分，藉由下述式測定含銅聚合物的溶解度。 溶解度（%）=｛（溶解於環己酮之前的含銅聚合物的質量-從溶解於環己酮之後的溶液回收之固體成分的質量）/溶解於環己酮之前的含銅聚合物的質量｝×100

＜含銅聚合物的合成＞ （合成例1） [化學式74]

向燒瓶導入硫酸銅五水合物14.92ｇ及水50ｇ，並在室温下攪拌，使其完全溶解。將向4-羥基甲基苯甲酸10.00ｇ添加50.9%氫氧化鈉水溶液5.07ｇ及水30ｇ而調整之4-羥基甲基苯甲酸鈉水溶液滴加於上述硫酸銅水溶液中。在室溫下將所獲得之溶液攪拌30分鐘，藉由過濾回收所生成之結晶，用水清洗之後使其風乾，藉此獲得了雙（4-羥基甲基苯甲酸）銅11.32ｇ。 向燒瓶添加雙（4-羥基甲基苯甲酸）銅5.00ｇ、甲醇60ｍL，在40℃下攪拌。對此添加三［（2-二甲基氨基）乙基］胺3.31ｇ，在40℃下攪拌30分鐘。接著，向所獲得之溶液添加鋰四（五氟苯）硼酸鹽（固體成分92%）11.21ｇ，在40℃下攪拌30分鐘。藉由過濾回收藉由向該反應液緩慢地滴加水來析出之結晶，用水清洗之後使其風乾，藉此獲得了低分子銅錯合物16.02ｇ。

[化學式75]

向燒瓶導入3-（三甲氧基甲矽烷）甲基丙烯酸丙酯3.81ｇ、2-乙基己基甲基丙烯酸酯3.81ｇ、2-異氰酸酯基甲基丙烯酸乙酯1.39ｇ、PGMEA（丙二醇單甲醚乙酸酯）21.00ｇ，進行攪拌並使其溶解。對此導入2，2’-偶氮雙（2-甲基丙酸）二甲基（Wako Pure Chemical Industries, Ltd.V-601）0.501ｇ，在80℃下攪拌4小時，接著在90℃下攪拌3小時並進行空冷。如此獲得了上述式的原料亦即聚合物的溶液（固體成分30%、異氰酸鹽0.992meq/g）。該聚合物的重量平均分子量為23830。 向燒瓶導入低分子銅錯合物0.892ｇ、環己酮2.08ｇ，在室溫下進行攪拌。對此添加上述中合成之聚合物溶液3.333ｇ、1滴NITTO KASEI CO.,LTD.製NEOSTANN Ｕ-600，在70℃下攪拌4小時並進行空冷。如此獲得了上述式所示之含銅聚合物（P-Cu-1）的溶液。含銅聚合物（P-Cu-1）相對於25℃的環己酮，溶解了10質量%以上。

（合成例2） [化學式76]向三口燒瓶添加雙（2-氯乙基）胺鹽酸鹽101g、水200ｍL，在室溫下進行攪拌。對此滴加50質量%二甲基胺水溶液600ｍL，在室温下攪拌7天。對所獲得之溶液添加氫氧化鈉150ｇ、t-丁基甲基醚100ｍL，用無水硫酸鈉對藉由分液獲得之有機相進行予備乾燥之後，進行減壓濃縮，藉此獲得了化合物（P-Cu-2A）24.4g。 向三口燒瓶添加N-（叔丁氧基羰基）-N-甲基甘氨酸15.0g、乙腈100ｍL、三乙基胺12ｇ，在室温下進行攪拌。對此添加O-（苯并三唑-1-基）-N，N，N’,N’-四甲基脲六氟磷酸酯（HBTU）38.1ｇ，接著添加化合物（P-Cu-2A）12.0ｇ，在40℃下攪拌4小時。對所獲得之溶液添加飽和氯化鈉水溶液100ｍL，作為中性水溶液。接著，用乙酸乙酯150ｍL將所獲得之水相清洗3次之後，添加飽和碳酸鉀水溶液100ｍL，作為鹼性水溶液。用無水硫酸鈉對藉由從該水溶液用乙酸乙酯150ｍL進行3次分液、提取來獲得之有機相進行予備乾燥之後，進行減壓濃縮，藉此獲得了化合物（P-Cu-2Ｂ）5.7ｇ。 向燒瓶添加化合物（P-Cu-2Ｂ）4.1g、水10ｍL，在室溫下一邊攪拌一邊添加濃塩酸3.7ｍL之後，在40℃下攪拌2小時。向該反應液添加氫氧化鈉來作為鹼性水溶液。之後，用無水硫酸鈉對藉由用叔丁基甲基醚進行分液·提取來獲得之有機相進行予備乾燥之後，進行減壓濃縮，藉此獲得了化合物（P-Cu-2C）3.0ｇ。 在氮氣氛下，向三口燒瓶添加氫化鋁鋰（LAH）3.78ｇ、脱水四氫呋喃60ｍL，冷卻至0℃。對此滴加化合物（P-Cu-2C）3.0ｇ的脱水四氫呋喃溶液40ｍL之後，進行2小時加熱回流之後，冷卻至室温。接著，一邊對所獲得之溶液進行水冷一邊依次緩慢滴加水4ｍL、15質量%氫氧化鈉水溶液4ｍL、水12ｍL。濾別所生成之白色沉澱之後，對濾液進行減壓濃縮來獲得之油再次溶解於叔丁基甲基醚，用無水硫酸鈉進行予備乾燥之後，再次進行減壓濃縮，藉此獲得了化合物（P-Cu-2D）1.1ｇ。 向燒瓶添加化合物（P-Cu-2D）1.08g、甲醇10ｍL，一邊攪拌一邊添加丙烯酸t-丁基0.80ｇ之後，進行2小時的加熱回流。藉由對反應液進行減壓濃縮，獲得了化合物（P-Cu-2E）1.4g。 向燒瓶添加化合物（P-Cu-2E）1.3g、水5ｍL，在室溫下一邊攪拌一邊添加濃塩酸2.0ｍL之後，在40℃下攪拌6小時。向該反應液添加甲苯并進行共沸脱水之後，對反應液進行濃縮，藉此作為黃色固體獲得了化合物（P-Cu-2F）的鹽酸鹽。對此添加甲醇並進行攪拌，若對該懸浮液添加三乙基胺，則化合物（P-Cu-2Ｆ）的鹽酸鹽完全溶解。若進一步添加三乙基胺、乙酸乙酯，則析出三乙基胺鹽酸鹽，對此進行濾別。反復進行該操作直至無法析出三乙基胺鹽酸鹽為止，最後對溶液進行濃縮，藉此獲得了化合物（P-Cu-2F）1.0g。 在氮氣氛下，向三口燒瓶添加氫化鋁鋰（LAH）0.50ｇ、脱水四氫呋喃10ｍL，冷卻至0℃。對此緩慢滴加化合物（P-Cu-2F）1.0g的脱水四氫呋喃溶液5ｍL，在0℃下攪拌2小時。向所獲得之溶液依次緩慢滴加水0.5ｍL、15質量%氫氧化鈉水溶液0.5ｍL、水1.5ｍL。對所生成之白色沉澱進行濾別之後，將對濾液進行減壓濃縮來獲得之油再次溶解於ｔ-丁基甲基醚，用無水硫酸鈉進行予備乾燥之後，再次進行減壓濃縮，藉此獲得了化合物（P-Cu-2G）0.5g。 向燒瓶添加氯化銅（II）二水合物0.25ｇ、甲醇8ｍL，在40℃下進行攪拌。對此添加化合物（P-Cu-2G）0.42g，攪拌30分鐘。對此滴加鋰四（五氟苯）硼酸鹽1.39g的甲醇溶液1.5ｍL，攪拌30分鐘。對所獲得之溶液滴加水5ｍL，藉由過濾回收所析出之固體，藉此獲得了低分子銅錯合物。 使用如此合成之低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-2）。原料聚合物的重量平均分子量為23830。含銅聚合物（P-Cu-2）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式77]

（合成例3） [化學式78]向燒瓶添加氯化銅（II）二水合物0.25ｇ、甲醇8ｍL，在40℃下進行攪拌。對此添加三［（2-二甲基氨基）乙基］胺0.36g，攪拌30分鐘。對此滴加三乙基銨三（五氟苯）（4-羥基苯）硼酸鹽1.30ｇ（合成法記載於日本特表平11-503113號公報）的甲醇溶液1.5ｍL，攪拌30分鐘。對所獲得之溶液滴加水5ｍL，藉由過濾回收所析出之固體，藉此獲得了低分子銅錯合物。 使用如此合成之低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-3）。原料聚合物的重量平均分子量為23830。含銅聚合物（P-Cu-3）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式79]

（合成例4） 藉由依照合成例1之方法，代替鋰四（五氟苯）硼酸鹽而使用雙（三氟甲烷磺醯基）醯亞胺鋰，合成低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-4）。原料聚合物的重量平均分子量為23830。含銅聚合物（P-Cu-4）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式80]

（合成例5） 藉由依照合成例1之方法，代替4-羥基甲基苯甲酸而使用4-羥基苯甲酸，合成低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-5）。原料聚合物的重量平均分子量為23830。含銅聚合物（P-Cu-5）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式81]

（合成例6） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替2-異氰酸酯甲基丙烯酸乙酯而使用2-異硫氰酸酯甲基丙烯酸乙酯，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-6）。原料聚合物的重量平均分子量為22960。含銅聚合物（P-Cu-6）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式82]

（合成例7） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替3-（三甲氧基甲矽烷）甲基丙烯酸丙酯而使用3-［二甲氧基（甲基）甲矽烷］甲基丙烯酸丙酯，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-7）。原料聚合物的重量平均分子量為20560。含銅聚合物（P-Cu-7）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式83]

（合成例8） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替2-乙基己基甲基丙烯酸酯而使用甲基丙烯酸芐酯，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-8）。原料聚合物的重量平均分子量為18330。含銅聚合物（P-Cu-8）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式84]

（合成例9） 藉由依照合成例1之方法，代替4-羥基甲基苯甲酸而使用4-巰甲基苯甲酸，合成低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-9）。原料聚合物的重量平均分子量為23830。含銅聚合物（P-Cu-9）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式85]

（合成例10） 使用合成例9中合成之低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-6）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-10）。原料聚合物的重量平均分子量為22960。含銅聚合物（P-Cu-10）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式86]

（合成例11） 藉由依照合成例1之方法，代替4-羥基甲基苯甲酸而使用4-氨基甲基苯甲酸，合成低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-11）。原料聚合物的重量平均分子量為23830。含銅聚合物（P-Cu-11）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式87]

（合成例12） 使用合成例11中合成之低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-6）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-12）。原料聚合物的重量平均分子量為22960。含銅聚合物（P-Cu-12）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式88]

（合成例13） 藉由依照合成例1之方法，代替鋰四（五氟苯）硼酸鹽而使用三（三氟甲烷磺醯基）甲基化鉀，合成低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-13）。原料聚合物的重量平均分子量為23830。含銅聚合物（P-Cu-13）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式89]

（合成例14） 藉由依照合成例1之方法，代替鋰四（五氟苯）硼酸鹽而使用鋰N，N-六氟-1，3-二磺醯基醯亞胺，合成低分子銅錯合物，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-14）。原料聚合物的重量平均分子量為23830。含銅聚合物（P-Cu-14）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式90]

（合成例15） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替2-乙基己基甲基丙烯酸酯而使用二甲基丙烯酸醯胺，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-15）。原料聚合物的重量平均分子量為18260。含銅聚合物（P-Cu-15）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式91]

（合成例16） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，將二甲基丙烯酸醯胺的一部分改為苯基馬來醯亞胺，依據與（P-Cu-15）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-16）。原料聚合物的重量平均分子量為23110。含銅聚合物（P-Cu-16）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式92]

（合成例17） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替苯基馬來醯亞胺而使用環己基馬來醯亞胺，依據與（P-Cu-16）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-17）。原料聚合物的重量平均分子量為19820。含銅聚合物（P-Cu-17）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式93]

（合成例18） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替2-乙基己基甲基丙烯酸酯而使用苯基馬來醯亞胺，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-18）。原料聚合物的重量平均分子量為25200。含銅聚合物（P-Cu-18）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式94]

（合成例19） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替2-異氰酸酯甲基丙烯酸乙酯而使用2-羥基甲基丙烯酸乙酯，依據與（P-Cu-18）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-19）。原料聚合物的重量平均分子量為19960。含銅聚合物（P-Cu-19）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式95]

（合成例20） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替3-（三甲氧基甲矽烷）甲基丙烯酸丙酯而使用3-（二甲氧基甲基甲矽烷）甲基丙烯酸丙酯，依據與（P-Cu-1）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-20）。原料聚合物的重量平均分子量為17000。含銅聚合物（P-Cu-20）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式96]

（合成例21） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替2-乙基己基甲基丙烯酸酯而使用二乙基丙烯酸醯胺，依據與（P-Cu-20）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-21）。原料聚合物的重量平均分子量為19000。含銅聚合物（P-Cu-21）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式97]

（合成例22） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替2-乙基己基甲基丙烯酸酯而使用二甲基丙烯酸醯胺，依據與（P-Cu-20）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-22）。原料聚合物的重量平均分子量為18000。含銅聚合物（P-Cu-22）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式98]

（合成例23） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，代替2-乙基己基甲基丙烯酸酯而使用苯基馬來醯亞胺，依據與（P-Cu-20）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-23）。原料聚合物的重量平均分子量為21000。含銅聚合物（P-Cu-23）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式99]

（合成例24） 使用合成例1中合成之低分子銅錯合物，將苯基馬來醯亞胺的一部分改為二甲基丙烯酸醯胺，依據與（P-Cu-23）相同的下述合成方案，合成了含銅聚合物（P-Cu-24）。原料聚合物的重量平均分子量為21000。含銅聚合物（P-Cu-24）相對於25℃的環己酮，溶解10質量%以上。 [化學式100]

＜近紅外線截止濾波器的製造＞ (實施例1） 混合94.9質量份（相當於聚合物固體成分）的合成例1中合成之含銅聚合物、5質量份的IRGACURE-OXE01（BASF公司製）、0.1質量份的三（2，4-戊二酮）鋁（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製）、66.7質量份的環己酮、0.5質量份的水來製備近紅外線吸收性組成物。利用旋塗機，在玻璃晶圓上以乾燥後的膜厚成為100μm之方式塗佈所獲得之近紅外線吸收性組成物，利用150℃的加熱板進行3小時的加熱處理，從而製造了近紅外線截止濾波器。

（實施例2～19） 使用合成例2～19中合成之含銅聚合物，以與實施例1相同的方法製備了近紅外線吸收性組成物。使用所獲得之近紅外線吸收性組成物，以與實施例1相同的方法製造了近紅外線截止濾波器。

（實施例20） 代替IRGACURE-OXE01使用IRGACURE-OXE02（BASF公司製），以與實施例1相同的方法製造了近紅外線截止濾波器。

（實施例21） 代替IRGACURE-OXE01而使用ADEKA ARKLS NCI-930（ADEKA COPRORATION製），以與實施例1相同的方法製造了近紅外線截止濾波器。

（實施例22～26） 使用合成例20～24中合成之含銅聚合物，以與實施例1相同的方法製備了近紅外線吸收性組成物。使用所獲得之近紅外線吸收性組成物，以與實施例1相同的方法製造了近紅外線截止濾波器。

（實施例27） 混合90質量份的（相當於聚合物固體成分）合成例1中合成之含銅聚合物、4.9質量份的銅錯合物1（下述結構）、5質量份的IRGACURE-OXE01（BASF公司製）、0.1質量份的三（2，4-戊二酮）鋁（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製）、66.7質量份的環己酮、0.5質量份的水來製備了近紅外線吸收性組成物。利用旋塗機，在玻璃晶圓上以乾燥後的膜厚成為100μm之方式塗佈所獲得之近紅外線吸收性組成物，利用150℃的加熱板進行3小時的加熱處理，從而製造了近紅外線截止濾波器。 銅錯合物1：下述結構 [化學式101]

（實施例28） 實施例27中，除了代替4.9質量份的銅錯合物1而使用4.9質量份的銅錯合物2（下述結構）以外，以與實施例27相同的方法製備了近紅外線吸收性組成物。使用所獲得之近紅外線吸收性組成物，以與實施例27相同的方法製造了近紅外線截止濾波器。 銅錯合物2：下述結構 [化學式102]

（實施例29） 實施例27中，除了代替4.9質量份的銅錯合物1而使用2.4質量份的銅錯合物1及2.5質量份的銅錯合物2以外，以與實施例27相同的方法製備了近紅外線吸收性組成物。使用所獲得之近紅外線吸收性組成物，以與實施例27相同的方法製造了近紅外線截止濾波器。

（實施例30） 混合80質量份（相當於聚合物固體成分）的合成例1中合成之含銅聚合物、2.9質量份的銅錯合物1、3.0質量份的銅錯合物2、9.0質量份的KBM-3066（Shin-Etsu Silicones.,Ltd.製）、5質量份的IRGACURE-OXE01（BASF公司製）、0.1質量份的三（2，4-戊二酮）鋁（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製）、66.7質量份的環己酮、0.5質量份的水來製備了近紅外線吸收性組成物。利用旋塗機，在玻璃晶圓上以乾燥後的膜厚成為100μm之方式塗佈所獲得之近紅外線吸收性組成物，利用150℃的加熱板進行3小時的加熱處理，從而製造了近紅外線截止濾波器。

（實施例31） 實施例30中，除了代替9.0質量份的KBM-3066（Shin-Etsu Silicones., Ltd.製造）而使用9.0質量份的樹脂1（下述結構）以外，以與實施例30相同的方法製備了近紅外線吸收性組成物。使用所獲得之近紅外線吸收性組成物，以與實施例30相同的方法製造了近紅外線截止濾波器。 樹脂1：下述結構（Mw=1.5万、標註於主鏈之數值為各構成單位的莫耳比） [化學式103]

（實施例32） 混合70質量份（相當於聚合物固體成分）的合成例1中合成之含銅聚合物、4.9質量份的銅錯合物1、5.0質量份的銅錯合物2、6.0質量份的KBM-3066（Shin-Etsu Silicones.,Ltd.製）、9質量份的樹脂1、5質量份的IRGACURE-OXE01（BASF公司製）、0.1質量份的三（2，4-戊二酮）鋁（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製）、66.7質量份的環己酮、0.5質量份的水來製備了近紅外線吸收性組成物。利用旋塗機，在玻璃晶圓上以乾燥後的膜厚成為100μm之方式塗佈所獲得之近紅外線吸收性組成物，利用150℃的加熱板進行3小時的加熱處理，從而製造了近紅外線截止濾波器。

（比較例1） 以記載於日本特開2010-134457號公報的實施例1的方法製造了近紅外線截止濾波器。

＜＜耐熱性評價＞＞ 在180℃下將如上述那樣獲得之近紅外線截止濾波器放置1分鐘。分別在耐熱性試驗前及耐熱性試驗後，測定近紅外線截止濾波器的波長400nm下的吸光度及波長800nm下的吸光度，根據下述式求出各波長下的吸光度的變化率。吸光度的測定中使用分光光度計Ｕ-4100（Hitachi High-Technologies Corporation.製）。 波長400nm下的吸光度的變化率（%）=|（試驗前的波長400nm的吸光度-試驗後的波長400nm的吸光度）/試驗前的波長400nm的吸光度|×100（%） 波長800nm下的吸光度的變化率（%）=|（試驗前的波長800nm的吸光度-試驗後的波長800nm的吸光度）/試驗前的波長800nm的吸光度|×100（%） 按以下基準評價各波長下的耐熱性。 A：吸光度的變化率≤3% B：3%＜吸光度的變化率≤6% C：6%＜吸光度的變化率

＜＜耐溶劑性評價＞＞ 將如上述那樣獲得之近紅外線截止濾波器在25℃的甲基丙二醇（MFG）中浸漬了2分鐘。分別在耐溶劑性試驗前及耐溶劑性試驗後，測定近紅外線截止濾波器的波長800nm下的吸光度，根據下述式求出波長800nm下的吸光度的變化率。吸光度的測定中使用了分光光度計U-4100（Hitachi High-Technologies Corporation.製）。 波長800nm下的吸光度的變化率（%）=|（試驗前的波長800nm的吸光度-試驗後的波長800nm的吸光度）/試驗前的波長800nm的吸光度|×100（%） 按以下基準評價耐溶劑性。 A：吸光度的變化率≤3% Ｂ：3%＜吸光度的變化率≤6% C：6%＜吸光度的變化率 [表1]

藉由上述結果，實施例的耐熱性優異。而且，耐溶劑性亦優異。 另一方面，比較例的耐熱性較差。

在從支撐體剝離實施例1～32的組成物來用作單獨膜時，亦可獲得相同效果。

10‧‧‧相機模組 11‧‧‧固態成像元件 12‧‧‧平坦化層 13‧‧‧近紅外線截止濾波器 14‧‧‧成像透鏡 15‧‧‧透鏡架 16‧‧‧基材 17‧‧‧濾色器 18‧‧‧微透鏡 19‧‧‧紫外、紅外光反射膜 20‧‧‧透明基材 21‧‧‧近紅外線吸收層 22‧‧‧防反射層

圖1係表示具有本發明的一實施形態之近紅外線截止濾波器之相機模組的結構之概要剖面圖。 圖2係表示相機模組中的近紅外線截止濾波器周邊部分的一例之概要剖面圖。 圖3係表示相機模組中的近紅外線截止濾波器周邊部分的一例之概要剖面圖。 圖4係表示相機模組中的近紅外線截止濾波器周邊部分的一例之概要剖面圖。

10‧‧‧相機模組

11‧‧‧固態成像元件

12‧‧‧平坦化層

13‧‧‧近紅外線截止濾波器

14‧‧‧成像透鏡

15‧‧‧透鏡架

16‧‧‧基材

17‧‧‧濾色器

18‧‧‧微透鏡

Claims (18)

1. 一種近紅外線吸收性組成物，其包含在聚合物側鏈具有銅錯合物部位之含銅聚合物及溶劑，其中， 前述銅錯合物部位具有選自對銅原子進行單座配位之部位及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之至少1種、及對銅原子進行多座配位之部位，聚合物主鏈與前述銅錯合物部位的銅原子經由對前述銅原子進行單座配位之部位或前述抗衡離子而鍵結。
2. 一種近紅外線吸收性組成物，其包含在聚合物側鏈具有銅錯合物部位之含銅聚合物及溶劑，其中， 前述含銅聚合物在聚合物主鏈與前述銅錯合物部位之間具有包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， 其中，前述連結基包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，前述連結基包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之近紅外線吸收性組成物，其中，前述含銅聚合物在聚合物主鏈與前述銅錯合物部位之間具有包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵及-NH-C（=S）NH-鍵之至少一種鍵之連結基。
4. 一種近紅外線吸收性組成物，其包含： 含銅聚合物，使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與前述聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應來獲得；及 溶劑。
5. 如申請專利範圍第1項、第2項及第4項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物，其中，前述含銅聚合物相對於25℃的環己酮溶解10質量%以上。
6. 如申請專利範圍第1項、第2項及第4項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物，其中，前述含銅聚合物中構成連結銅原子與聚合物主鏈之鏈之原子的數量為8以上。
7. 如申請專利範圍第1項、第2項及第4項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物，其中，包含在聚合物側鏈具有由下述式（1）表示之基團之含銅聚合物，*-L¹ -Y¹ ……（1） 式（1）中，L¹ 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基，Y¹ 表示銅錯合物部位，*表示與聚合物的連接鍵； 其中，L¹ 包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，L¹ 包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。
8. 如申請專利範圍第1項、第2項及第4項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物，前述含銅聚合物包含由下述式（A1-1）表示之構成單位；式（A1-1）中，R¹ 表示氫原子或烴基， L¹ 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， Y¹ 表示銅錯合物部位； 其中，L¹ 包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，L¹ 包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。
9. 如申請專利範圍第1項、第2項及第4項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物，其中，前述含銅聚合物包含由下述式（A1-1-1）～（A1-1-3）表示之構成單位；式（A1-1-1）～（A1-1-3）中，R¹ 表示氫原子或烴基， L² 表示包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少一種鍵之連結基， Y¹ 表示銅錯合物部位。
10. 如申請專利範圍第1項、第2項及第4項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物，其中，前述含銅聚合物具有對銅原子進行4座配位或5座配位之部位。
11. 如申請專利範圍第1項、第2項及第4項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物，其用於近紅外線截止濾波器。
12. 一種近紅外線截止濾波器，其使用申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物而成。
13. 一種近紅外線截止濾波器的製造方法，該方法利用申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之近紅外線吸收性組成物。
14. 一種裝置，其具有如申請專利範圍第12項所述之近紅外線截止濾波器，其中，前述裝置為選自固態成像元件、相機模組及圖像顯示裝置之至少一種。
15. 一種含銅聚合物的製造方法，該方法使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與前述聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應。
16. 一種含銅聚合物，其在聚合物側鏈具有銅錯合物部位，其中， 前述銅錯合物部位具有選自對銅原子進行單座配位之部位及相對於銅錯合物骨架的抗衡離子之至少1種、及對銅原子進行多座配位之部位，聚合物主鏈與前述銅錯合物部位的銅原子經由對前述銅原子進行單座配位之部位或前述抗衡離子而鍵結。
17. 一種含銅聚合物，其在聚合物側鏈具有銅錯合物部位，其中， 前述含銅聚合物在聚合物主鏈與前述銅錯合物部位之間具有包含選自-NH-C（=O）O-鍵、-NH-C（=O）S-鍵、-NH-C（=O）NH-鍵、-NH-C（=S）O-鍵、-NH-C（=S）S-鍵、-NH-C（=S）NH-鍵、-C（=O）O-鍵、-C（=O）S-鍵及-NH-CO-鍵之至少1種鍵之連結基； 其中，前述連結基包含-C（=O）O-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-C（=O）O-鍵，前述連結基包含-NH-CO-鍵時，具有至少1個以上的不直接鍵結於聚合物主鏈之-NH-CO-鍵。
18. 一種含銅聚合物，其使在聚合物側鏈具有反應性部位之聚合物與具有可與所述聚合物所具有之反應性部位反應之官能基之銅錯合物反應來獲得。