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TW201633092A - 位置輸入裝置及具有位置輸入功能之顯示裝置 - Google Patents

位置輸入裝置及具有位置輸入功能之顯示裝置 Download PDF

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TW201633092A
TW201633092A TW104137946A TW104137946A TW201633092A TW 201633092 A TW201633092 A TW 201633092A TW 104137946 A TW104137946 A TW 104137946A TW 104137946 A TW104137946 A TW 104137946A TW 201633092 A TW201633092 A TW 201633092A
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TW
Taiwan
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electrode
electrodes
position detecting
floating
detecting
Prior art date
Application number
TW104137946A
Other languages
English (en)
Inventor
Takenori Maruyama
Kazutoshi Kida
Kenshi Tada
Hiroyuki Ogawa
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
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Abstract

本發明之觸控面板圖案TPP包括：複數個檢測電極38，其等沿著第1方向延伸，並且沿著與第1方向正交之第2方向排列配置；複數個驅動電極39，其等以各自相對於複數個檢測電極38於俯視時重疊之形式沿著第2方向延伸並且沿著第1方向排列配置，且於與檢測電極38之間形成靜電電容；複數個浮動電極45，其等以各自相對於複數個檢測電極38於俯視時相鄰之形式配置，並且以相對於複數個驅動電極39於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之檢測電極38之間、及與重疊之驅動電極39之間分別形成靜電電容；及寬幅檢測電極49，其包含於複數個檢測電極38中且於第2方向上位於最端部，並且其寬度較中央側之檢測電極更寬。

Description

位置輸入裝置及具有位置輸入功能之顯示裝置
本發明係關於一種位置輸入裝置、及具有位置輸入功能之顯示裝置。
近年來，於平板型筆記型電腦或攜帶型資訊終端等電子機器中，為了提高操作性及可用性，而推進觸控面板之搭載。觸控面板可藉由例如由手指或觸控筆觸碰而輸入顯示面板之顯示面之面內之位置資訊。藉此，使用者可進行直接觸碰顯示於顯示面板之圖像般之直感的操作。作為此種觸控面板之一例，已知有下述專利文獻1所記載者。
於該專利文獻1中記載有如下構成，即，觸控面板控制器包括：驅動部，其針對形成於驅動線DL1~DL4與感測線SL3之間之靜電電容C31~C34及形成於驅動線DL1~DL4與感測線SL4之間之靜電電容C41~C44，根據碼序列，對驅動線DL1~DL4進行驅動，而輸出來自靜電電容C31~C34之第1線性和輸出，且輸出來自靜電電容C41~C44之第2線性和輸出；差動放大器，其將第1線性和輸出與第2線性和輸出之差量放大；及飽和防止控制部，其對靜電電容C31~C34之電容值與靜電電容C41~C44之電容值之線依存性進行修正。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]
日本專利特開2013-3603號公報
然而，與複數條感測線中位於最端部之感測線相關之靜電電容有比與位於較其更靠中央側之感測線相關之靜電電容小的傾向。因此，與於中央側相互相鄰之感測線之間之靜電電容之差相比，位於最端部之感測線和與之相鄰之感測線之間之靜電電容之差相對變大。此處，若如上述專利文獻1所記載般藉由獲得相鄰之感測線之靜電電容之差量而進行位置檢測，則有於位於最端部之感測線和與之相鄰之感測線之間獲得靜電電容之差量時產生較大之雜訊而位置檢測靈敏度局部降低之虞。
本發明係根據如上所述之情況而完成者，其目的在於抑制位置檢測靈敏度局部降低。
本發明之第1位置輸入裝置包括：複數個第1位置檢測電極，其等沿著第1方向延伸，並且沿著與上述第1方向正交之第2方向排列配置；複數個第2位置檢測電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時重疊之形式沿著上述第2方向延伸並且沿著上述第1方向排列配置，且於與上述第1位置檢測電極之間形成靜電電容；複數個浮動電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時相鄰之形式配置，並且以相對於複數個上述第2位置檢測電極於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之上述第1位置檢測電極之間、及與重疊之上述第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容；及寬幅第1位置檢測電極，其包含於複數個上述第1位置檢測電極中且於上述第2方向上位於最端部，並且其寬度較中央側之第1位置檢測電極更寬。
如此一來，於第1位置檢測電極和與其重疊之第2位置檢測電極 之間形成靜電電容，除此以外，於浮動電極和與其相鄰之第1位置檢測電極之間、及浮動電極和與其重疊之第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容，因此，位置檢測靈敏度(S/N比(Signal Noise Ratio，雜訊噪音比))更高。然而，沿著第2方向排列之複數個第1位置檢測電極中於第2方向上位於最端部者與位於中央側者相比，有與相鄰之浮動電極之間所形成之靜電電容相對容易變小而其電容值之差變大的傾向，因此，擔心位置檢測時產生較大之雜訊而位置檢測靈敏度局部降低。關於該方面，將包含於複數個第1位置檢測電極中且於第2方向上位於最端部者設為寬度較中央側之第1位置檢測電極更寬的寬幅第1位置檢測電極，因此，與相鄰之浮動電極之間所形成之靜電電容變大，而會與中央側之第1位置檢測電極之間產生之電容值之差得到緩和。藉此，位置檢測時寬幅第1位置檢測電極不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
本發明之第2位置輸入裝置包括：複數個第1位置檢測電極，其等沿著第1方向延伸，並且沿著與上述第1方向正交之第2方向排列配置；複數個第2位置檢測電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時重疊之形式沿著上述第2方向延伸，並且沿著上述第1方向排列配置，且於與上述第1位置檢測電極之間形成靜電電容；複數個浮動電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時相鄰之形式配置，並且以相對於複數個上述第2位置檢測電極於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之上述第1位置檢測電極之間、及與重疊之上述第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容；分支型第1位置檢測電極，其係包含於複數個上述第1位置檢測電極中且於上述第2方向上位於最端部者，且係將沿著上述第1方向延伸並且沿著上述第2方向排列配置之複數個分支電極相互連接而成；及分支電極間浮動電極，其以夾於複數個上述分支電極之間之形式配置，且於與 複數個上述分支電極之間形成靜電電容。
如此一來，於第1位置檢測電極和與其重疊之第2位置檢測電極之間形成靜電電容，除此以外，於浮動電極和與其相鄰之第1位置檢測電極之間、及浮動電極和與其重疊之第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容，因此，位置檢測靈敏度(S/N比)更高。然而，沿著第2方向排列之複數個第1位置檢測電極中於第2方向位於最端部者與位於中央側者相比，有與相鄰之浮動電極之間所形成之靜電電容相對容易變小而其電容值之差變大的傾向，因此，擔心位置檢測時產生較大之雜訊而位置檢測靈敏度局部降低。關於該方面，將包含於複數個第1位置檢測電極中且於第2方向上位於最端部者設為將沿著第1方向延伸並且沿著第2方向排列配置之複數個分支電極相互連接而成的分支型第1位置檢測電極，複數個分支電極係設為與夾於其等之間之分支電極間浮動電極之間形成靜電電容者，因此，分支型第1位置檢測電極之靜電電容較大，而會與中央側之第1位置檢測電極之間產生之電容值之差得到緩和。藉此，位置檢測時分支型第1位置檢測電極不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
作為本發明之第2位置輸入裝置之實施態樣，較佳為以下構成。
(1)上述分支型第1位置檢測電極係以複數個上述分支電極之合計寬度與複數個上述第1位置檢測電極中之中央側者之寬度相等的方式構成。如此一來，可將分支型第1位置檢測電極與中央側之第1位置檢測電極於該位置輸入裝置中之佔有面積設為相等。即，可將複數個第1位置檢測電極之專有面積維持為與先前相等，並且亦可藉由將複數個分支電極連接而成之分支型第1位置檢測電極來抑制位置檢測靈敏度局部降低。
本發明之第3位置輸入裝置包括：複數個第1位置檢測電極，其等沿著第1方向延伸，並且沿著與上述第1方向正交之第2方向排列配 置；複數個第2位置檢測電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時重疊之形式沿著上述第2方向延伸，並且沿著上述第1方向排列配置，且於與上述第1位置檢測電極之間形成靜電電容；複數個第1浮動電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時相鄰之形式配置，並且以相對於複數個上述第2位置檢測電極於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之上述第1位置檢測電極之間、及與重疊之上述第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容；及第2浮動電極，其以相對於相對於複數個上述第1位置檢測電極中於上述第2方向上位於最端部者於上述第2方向上於端側相鄰之上述第1浮動電極、進而於上述第2方向上於端側相鄰的形式配置，並且以不與上述第2位置檢測電極重疊之方式配置，且於與位於最端部之上述第1位置檢測電極之間形成靜電電容。
如此一來，於第1位置檢測電極和與其重疊之第2位置檢測電極之間形成靜電電容，除此以外，於第1浮動電極和與其相鄰之第1位置檢測電極之間、及第1浮動電極和與其重疊之第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容，因此，位置檢測靈敏度(S/N比)更高。然而，沿著第2方向排列之複數個第1位置檢測電極中於第2方向位於最端部者與位於中央側者相比，有與相鄰之第1浮動電極之間所形成之靜電電容相對容易變小而其電容值之差變大的傾向，因此，擔心位置檢測時產生較大之雜訊而位置檢測靈敏度局部降低。關於該方面，第2浮動電極與位於最端部之第1位置檢測電極之間形成靜電電容，上述第2浮動電極以相對於相對於複數個第1位置檢測電極中於第2方向上位於最端部者於第2方向上於端側相鄰之第1浮動電極、進而於第2方向上於端側相鄰的形式配置，並且以不與第2位置檢測電極重疊之方式配置，因此，位於最端部之第1位置檢測電極之靜電電容較大，而會與中央側之第1位置檢測電極之間產生之電容值之差得到緩和。藉此，位置 檢測時位於最端部之第1位置檢測電極不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
作為本發明之第3位置輸入裝置之實施態樣，較佳為以下構成。
(1)上述第1浮動電極包括以各自相對於複數個上述第2位置檢測電極重疊之方式於上述第1方向上被分割的複數個分割第1浮動電極，相對於此，上述第2浮動電極係以與上述分割第1浮動電極相比於上述第1方向上較長地延伸之形式設置。如此一來，位置檢測時，複數個第2位置檢測電極中之某個第2位置檢測電極和構成第1浮動電極之複數個分割第1浮動電極中之與上述第2位置檢測電極重疊之分割第1浮動電極之間所形成的靜電電容不易受相對於上述第2位置檢測電極相鄰之其他第2位置檢測電極之電位之影響。相對於此，第2浮動電極係設為與第2位置檢測電極不重疊之配置，因此，不易受複數個第2位置檢測電極之電位之影響。因此，能以如下形式設置第2浮動電極，即，以相較分割第1浮動電極於第1方向更長之方式延伸，藉此，可將與相鄰之第1位置檢測電極之間形成之靜電電容設為更大者。
(2)上述第2浮動電極包含與上述第1浮動電極相同之透明電極膜。如此一來，可削減設置第1浮動電極及第2浮動電極所需之成本。
(3)上述第1浮動電極之形成層與上述第2浮動電極之形成層設為互不相同者，且具備以介置於其等之間之形式配置之絕緣層。如此一來，藉由絕緣層使第1浮動電極與第2浮動電極絕緣之確實性較高。
作為本發明之第1位置輸入裝置、第2位置輸入裝置、或第3位置輸入裝置之實施態樣，較佳為以下構成。
(1)複數個上述浮動電極或複數個上述第1浮動電極中包含窄幅浮動電極或窄幅第1浮動電極，該窄幅浮動電極或窄幅第1浮動電極係於上述第2方向上位於最端部且其寬度較中央側者更窄。複數個浮動電極或複數個第1浮動電極中之中央側者係由於存在2個相鄰之第1位置 檢測電極，故而與其等2個第1位置檢測電極之間形成靜電電容。另一方面，複數個浮動電極或複數個第1浮動電極中於第2方向上位於最端部者其相鄰之第1位置檢測電極僅為1個，而於與該1個第1位置檢測電極之間形成靜電電容。因此，藉由將複數個浮動電極或複數個第1浮動電極中於第2方向上位於最端部者設為寬度較中央側者更窄之窄幅浮動電極或窄幅第1浮動電極，而使複數個第1位置檢測電極分別擔當之於第2方向之位置檢測範圍均等化。若如此般使複數個浮動電極或複數個第1浮動電極包含窄幅浮動電極或窄幅第1浮動電極，則擔心於第2方向位於最端部之第1位置檢測電極之靜電電容變小，但是，藉由採用如上所述之構成，可增大於第2方向位於最端部之第1位置檢測電極之靜電電容，藉此，位置檢測時於第2方向上位於最端部之第1位置檢測電極不易受雜訊之影響，因此，不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
其次，為了解決上述問題，本發明之具有位置輸入功能之顯示裝置係至少包括上述位置輸入裝置、及包含上述位置輸入裝置之顯示面板者。
根據此種具有位置輸入功能之顯示裝置，藉由包括顯示面板與位置輸入裝置，而使用者之位置輸入與顯示面板之顯示之鏈結順利，於謀求使用感之提高之方面較佳。
作為本發明之具有位置輸入功能之顯示裝置之實施態樣，較佳為以下構成。
(1)上述顯示面板包括：陣列基板，其至少包含配置於顯示圖像之顯示區域之顯示元件；及對向基板，其與上述陣列基板以形成對向狀之形式空開間隔而配置；將上述第2位置檢測電極於上述對向基板中之朝向上述陣列基板側之板面設置於上述顯示區域，與此相對，將上述第1位置檢測電極與上述浮動電極或上述第1浮動電極於上述對向 基板中之朝向與上述陣列基板側為相反側之板面設置於上述顯示區域，藉此將上述位置輸入裝置與上述顯示面板一體化。如此一來，由於位置輸入裝置與顯示面板一體化，因此，與假設將位置輸入裝置設為與顯示面板為不同零件之情形相比，於謀求該具有位置輸入功能之顯示裝置之薄型化或低成本化等方面較佳。
根據本發明，可抑制位置檢測靈敏度局部降低。
10‧‧‧液晶顯示裝置(具有位置輸入功能之顯示裝置)
11‧‧‧液晶面板(顯示面板)
11a‧‧‧陣列基板
11b‧‧‧CF基板(對向基板)
11c‧‧‧液晶層
12‧‧‧背光裝置
13‧‧‧底座
14‧‧‧框架
15‧‧‧帶槽框
16‧‧‧驅動器
17‧‧‧軟性基板
18‧‧‧控制電路基板
19‧‧‧TFT(顯示元件)
19a‧‧‧閘極電極
19b‧‧‧源極電極
19c‧‧‧汲極電極
19d‧‧‧通道部
20‧‧‧像素電極
20a‧‧‧狹縫
21‧‧‧閘極配線
22‧‧‧源極配線
23‧‧‧共通電極
24‧‧‧彩色濾光片
25‧‧‧遮光部
26‧‧‧平坦化膜
27‧‧‧底塗膜
28‧‧‧半導體膜
29‧‧‧閘極絕緣膜
30‧‧‧第1金屬膜
31‧‧‧第1層間絕緣膜
32‧‧‧第2金屬膜
33‧‧‧平坦化膜
34‧‧‧第1透明電極膜
35‧‧‧第2層間絕緣膜
36‧‧‧第2透明電極膜
37‧‧‧單片電路部
38‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
39‧‧‧驅動電極(第2位置檢測電極)
39S‧‧‧分割驅動電極
40‧‧‧位置檢測配線部
40a‧‧‧第1配線部
40b‧‧‧第2配線部
40c‧‧‧第3配線部
41‧‧‧觸控面板用軟性基板
42‧‧‧CF基板側接點部
43‧‧‧陣列基板側接點部
44‧‧‧透明電極膜
45‧‧‧浮動電極(第1浮動電極)
45S‧‧‧分割浮動電極(分割第1浮動電極)
46‧‧‧金屬膜
47‧‧‧虛設配線部
48‧‧‧窄幅浮動電極
49‧‧‧寬幅檢測電極(寬幅第1位置檢測電極)
50‧‧‧分支型檢測電極(分支型第1位置檢測電極)
51‧‧‧分支電極
52‧‧‧分支電極間浮動電極
53‧‧‧橋接部
54‧‧‧第2浮動電極
55‧‧‧絕緣層
56‧‧‧第2透明電極膜
57‧‧‧接地電極
111a‧‧‧陣列基板
138‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
139‧‧‧驅動電極(第2位置檢測電極)
145‧‧‧浮動電極(第1浮動電極)
148‧‧‧窄幅浮動電極
238‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
248‧‧‧窄幅浮動電極
250‧‧‧分支型檢測電極(分支型第1位置檢測電極)
251‧‧‧分支電極
252‧‧‧分支電極間浮動電極
253‧‧‧橋接部
311a‧‧‧陣列基板
337‧‧‧單片電路部
338‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
339‧‧‧驅動電極(第2位置檢測電極)
340‧‧‧位置檢測配線部
344‧‧‧透明電極膜
345‧‧‧浮動電極(第1浮動電極)
345S‧‧‧分割浮動電極(分割第1浮動電極)
348‧‧‧窄幅浮動電極
411a‧‧‧陣列基板
438‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
444‧‧‧透明電極膜
445‧‧‧浮動電極(第1浮動電極)
454‧‧‧第2浮動電極
511a‧‧‧陣列基板
538‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
539‧‧‧驅動電極(第2位置檢測電極)
545‧‧‧浮動電極(第1浮動電極)
548‧‧‧窄幅浮動電極
549‧‧‧寬幅檢測電極(寬幅第1位置檢測電極)
554‧‧‧第2浮動電極
611a‧‧‧陣列基板
638‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
639‧‧‧驅動電極(第2位置檢測電極)
645‧‧‧浮動電極(第1浮動電極)
648‧‧‧窄幅浮動電極
650‧‧‧分支型檢測電極(分支型第1位置檢測電極)
651‧‧‧分支電極
652‧‧‧分支電極間浮動電極
654‧‧‧第2浮動電極
711a‧‧‧陣列基板
738‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
745‧‧‧浮動電極(第1浮動電極)
749‧‧‧寬幅檢測電極(寬幅第1位置檢測電極)
811a‧‧‧陣列基板
838‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
850‧‧‧分支型檢測電極(分支型第1位置檢測電極)
857‧‧‧接地電極
AA‧‧‧顯示區域
CH1‧‧‧接觸孔
CH2‧‧‧接觸孔
GS‧‧‧玻璃基板
NAA‧‧‧非顯示區域
PX‧‧‧像素部
TPP‧‧‧觸控面板圖案(位置輸入裝置)
圖1係本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之剖視圖。
圖2係設於液晶顯示裝置之液晶面板之俯視圖。
圖3係構成液晶面板之陣列基板之俯視圖。
圖4係構成液晶面板之CF基板之俯視圖。
圖5係構成液晶面板之CF基板之仰視圖。
圖6係將陣列基板之中央側部分放大所得之俯視圖。
圖7係圖6之vii-vii線剖視圖。
圖8係圖6之viii-viii線剖視圖。
圖9係將CF基板中短邊方向之兩端側部分放大所得之俯視圖。
圖10係將CF基板中長邊方向之與端子部側為相反側之端部中之短邊方向之端側部分放大所得的仰視圖。
圖11係將CF基板中長邊方向之端子部側之端部中之短邊方向之端側部分放大所得的仰視圖。
圖12係將CF基板中長邊方向之與端子部側為相反側之端部中之短邊方向之端側部分進一步放大所得的仰視圖。
圖13係表示比較實驗1中檢測電極之寬度之相對值與檢測電極之電容值之關係的曲線圖。
圖14係將本發明之實施形態2之CF基板中短邊方向之兩端側部分 放大所得的俯視圖。
圖15係將本發明之實施形態3之CF基板中短邊方向之兩端側部分放大所得的俯視圖。
圖16係表示比較實驗2中與比較例1、實施例1、及實施例2之各檢測電極之電容值之關係的曲線圖。
圖17係表示比較實驗3中比較例1、實施例1、及實施例2之各檢測電極之寬度之相對值與各檢測電極之電容值之關係的曲線圖。
圖18係將本發明之實施形態4之CF基板中短邊方向之兩端側部分放大所得的俯視圖。
圖19係將CF基板中短邊方向之端側部分沿著短邊方向切斷所得的剖視圖。
圖20係表示比較實驗4中比較例2之檢測電極之位置與檢測電極之電容值之關係的曲線圖。
圖21係表示比較實驗4中實施例3之檢測電極之位置與檢測電極之電容值之關係的曲線圖。
圖22係將本發明之實施形態5之CF基板中短邊方向之端側部分沿著短邊方向切斷所得的剖視圖。
圖23係將本發明之實施形態6之CF基板中短邊方向之兩端側部分放大所得的俯視圖。
圖24係將本發明之實施形態7之CF基板中短邊方向之兩端側部分放大所得的俯視圖。
圖25係將本發明之實施形態8之CF基板中短邊方向之兩端側部分放大所得的俯視圖。
圖26係將本發明之實施形態9之CF基板中短邊方向之兩端側部分放大所得的俯視圖。
<實施形態1>
利用圖1至圖13對本發明之實施形態1進行說明。於本實施形態中，對具備位置輸入功能之液晶顯示裝置(具有位置輸入功能之顯示裝置)10進行例示。再者，於各圖式之一部分中示出X軸、Y軸及Z軸，且以各軸方向成為各圖式中所示之方向之方式進行描繪。又，關於上下方向，以圖2等為基準，且將該圖上側設為正側，並且將該圖下側設為背側。
如圖1及圖2所示，液晶顯示裝置10包括：液晶面板(具有位置輸入功能之顯示面板)11，其可顯示圖像，並且可根據其顯示之圖像檢測使用者所輸入之位置資訊；及背光裝置(照明裝置)12，其係對液晶面板11供給用於顯示之光之外部光源。又，液晶顯示裝置10包括：底座13，其收容背光裝置12；框架14，其與底座13之間保持背光裝置12；及帶槽框(保持構件)15，其與框架14之間保持液晶面板11。其中，背光裝置12係設為至少包括光源(例如冷陰極管、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、有機EL(electroluminescence，電致發光)等)、及具有轉換為自光源發出之面狀等光學功能之光學構件而成者。
本實施形態之液晶顯示裝置10係用於行動電話(包含智慧型手機等)、筆記型電腦(包含平板型筆記型電腦等)、攜帶型資訊終端(包含電子書或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)等)、數位相框、攜帶型遊戲機等各種電子機器(未圖示)者。因此，構成液晶顯示裝置10之液晶面板11之畫面大小係設為數英吋~十幾英吋左右，一般地，設為分類為小型或中小型之大小。
對液晶面板11進行說明。如圖2所示，液晶面板11整體上形成縱長之方形狀(矩形狀)，其長邊方向與Y軸方向一致，且短邊方向與X軸方向一致。液晶面板11劃分為可顯示圖像之顯示區域(主動區域)AA、 及形成包圍顯示區域AA之邊框狀(框狀)並且不能顯示圖像之非顯示區域(非主動區域)NAA。於該液晶面板11中，於其長邊方向上之靠近一端部側(圖2所示之上側)之位置配置有顯示區域AA。又，非顯示區域NAA包括包圍顯示區域AA之大致框狀之區域(下述之CF(Color Filter，彩色濾光片)基板11a中之邊框部分)、及確保於長邊方向之另一端部側(圖2所示之下側)之區域(下述之陣列基板11b中未與CF基板11a重疊而露出之部分)，其中之後者成為安裝驅動液晶面板11之驅動器(面板驅動部)16、及軟性基板(外部連接零件)17之安裝區域。軟性基板17具有可撓性，並且可將液晶面板11與外部之作為信號供給源之控制電路基板18連接而將自控制電路基板18供給之各種信號傳輸至驅動器16等。驅動器16包括在內部包含驅動電路之LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)晶片，對自控制電路基板18供給之輸入信號進行處理並產生輸出信號，並將其輸出信號向液晶面板11之顯示區域AA輸出。再者，於圖2中，比CF基板11a小一圈之框狀之一點鏈線表示顯示區域AA之外形，較該一點鏈線更靠外側之區域成為非顯示區域NAA。
如圖2及圖7所示，液晶面板11包括一對基板11a、11b、及介置於兩基板11a、11b間且包含光學特性會隨著施加電場而發生變化之物質即液晶分子之液晶層(液晶)11c，兩基板11a、11b以維持相當於液晶層11c之厚度之間隙之狀態藉由未圖示之密封部而貼合。一對基板11a、11b中正側(正面側)設為CF基板(對向基板)11a，背側(背面側)設為陣列基板(元件基板、主動矩陣基板)11b。該等CF基板11a及陣列基板11b包括大致透明(具有較高之透光性)之玻璃基板GS，且係於該玻璃基板GS上利用已知之光微影法等積層形成各種膜而成。其中，CF基板11a係如圖2所示，短邊尺寸與陣列基板11b大致相等，但是長邊尺寸小於陣列基板11b，並且相對於陣列基板11b以將長邊方向上之一側 (圖2所示之上側)之端部對齊之狀態貼合。因此，陣列基板11b中長邊方向之另一側(圖2所示之下側)之端部係設為於特定範圍內CF基板11a不重合而正背兩板面露出至外部的狀態，此處確保有已敍述之驅動器16及軟性基板17之安裝區域。於兩基板11a、11b之內表面側，將用於使液晶層11c中所包含之液晶分子配向之配向膜(未圖示)分別以直接面向液晶層11c之形式形成。又，於兩基板11a、11b之外表面側分別貼附有偏光板(未圖示)。
對存在於陣列基板11b及CF基板11a中之顯示區域AA內之構成簡單地進行說明。於陣列基板11b之內表面側(液晶層11c側、與CF基板11a之對向面側)之顯示區域AA，如圖6及圖7所示，將作為切換元件之TFT(薄膜電晶體(Thin Film Transistor)、顯示元件)19及像素電極20各多個排列設置成矩陣狀，並且於該等TFT19及像素電極20之周圍，以包圍之方式配設有呈格子狀之閘極配線21及源極配線22。換言之，於呈格子狀之閘極配線21及源極配線22之交叉部，呈矩陣狀排列配置有TFT19及像素電極20。閘極配線21與源極配線22分別連接於TFT19之閘極電極19a及源極電極19b，像素電極20連接於TFT19之汲極電極19c。該等TFT19、像素電極20、閘極配線21、及源極配線22係構成用於顯示圖像之電路即顯示用電路之一部分。再者，關於TFT19之詳細構成，將於下文進行說明。像素電極20係形成俯視時縱長之方形狀(矩形狀)。而且，於陣列基板11b設置有共通電極23，該共通電極23藉由被供給共通電位(基準電位)而與上述像素電極20之間形成電場。即，本實施形態之液晶面板11係將動作模式設為對IPS(In-Plane Switching，共平面切換)模式進一步進行改良所得之FFS(Fringe Field Switching，邊緣場切換)模式，且係於陣列基板11b側一併形成像素電極20及共通電極23且將該等像素電極20與共通電極23配置於不同之層而成。於像素電極20，間斷地排列形成有於俯視時沿著相對於X軸方 向及Y軸方向之斜方向延伸之狹縫20a。因該狹縫20a而於像素電極20與配置於不同之層之共通電極23之間產生電位差時，施加除包含沿著陣列基板11b之板面之成分外亦包含相對於陣列基板11b之板面之法線方向之成分的橫向邊緣電場(斜向電場)，可利用其橫向邊緣電場恰當地切換液晶層11c中所包含之液晶分子之配向狀態。
另一方面，於CF基板11a之內表面側(液晶層11c側、與陣列基板11b之對向面側)之顯示區域AA，如圖7所示，設置有彩色濾光片24，該彩色濾光片24中，R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)等之各著色部以與陣列基板11b側之各像素電極20於俯視時重疊之方式呈矩陣狀並列配置有多個。於形成彩色濾光片24之各著色部間，形成有用於防止混色之大致格子狀之遮光部(黑矩陣)25。遮光部25係設為與上述閘極配線21及源極配線22於俯視時重疊之配置。於彩色濾光片24及遮光部25之表面設置有平坦化膜(保護膜、外塗膜)26。再者，於該液晶面板11中，藉由R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)之3色之著色部及與其等對向之3個像素電極20之組而構成作為顯示單位之1個顯示像素。顯示像素包括R、G、B之3色之像素部PX。各像素部PX係由像素電極20和與其形成對向狀之著色部之組構成。該等各色之像素部PX係藉由在液晶面板11之板面沿著列方向(X軸方向)重複排列配置而構成像素部群，該像素部群沿著行方向(Y軸方向)排列配置有多個。再者，上述遮光部25係以將相互相鄰之像素部PX之間分隔之形式配置。
其次，對在陣列基板11b之內表面側利用已知之光微影法等而積層形成之各種膜之具體之積層順序等詳細地進行說明。於陣列基板11b主要設置有用於發揮液晶面板11所具有之功能中之顯示圖像之功能(顯示功能)之構造物。詳細而言，於陣列基板11b，如圖7所示，自下層側(玻璃基板GS側、背側)依次積層形成有底塗膜27、半導體膜28、閘極絕緣膜(無機絕緣膜)29、第1金屬膜(閘極金屬膜)30、第1層 間絕緣膜(無機絕緣膜)31、第2金屬膜(源極金屬膜)32、平坦化膜(有機絕緣膜)33、第1透明電極膜34、第2層間絕緣膜(無機絕緣膜)35、第2透明電極膜36。又，雖省略圖示，但於第2層間絕緣膜35及第2透明電極膜36之上層側形成有已敍述之配向膜。
底塗膜27係設為覆蓋形成陣列基板11b之玻璃基板GS之表面之整體之整面狀之圖案，且包含例如氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)等。半導體膜28係積層於底塗膜27之上層側，並且以分別配置於顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式圖案化。半導體膜28係至少於顯示區域AA相應於下述之TFT19之配置而圖案化為島狀。半導體膜28係包含作為經多結晶化之矽薄膜(多晶矽薄膜)之一種之CG矽(Continuous Grain Silicon，連續晶粒矽)薄膜。CG矽薄膜係藉由在例如非晶矽薄膜中添加金屬材料並以約550℃以下之低溫進行短時間之熱處理而形成，藉此，矽結晶之晶粒界處之原子排列具有連續性。閘極絕緣膜29係積層於底塗膜27及半導體膜28之上層側，並且設為跨及顯示區域AA與非顯示區域NAA之形式之整面狀之圖案，且包含例如氧化矽(SiO2)。
第1金屬膜30係積層於閘極絕緣膜29之上層側，並且以分別配置於顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式圖案化，由例如鈦(Ti)及銅(Cu)之積層膜形成。利用該第1金屬膜30，構成已敍述之閘極配線21及閘極電極19a等。第1層間絕緣膜31係積層於閘極絕緣膜29及第1金屬膜30之上層側，並且設為跨及顯示區域AA與非顯示區域NAA之形式之整面狀之圖案，且包含例如氧化矽(SiO2)。利用該第1層間絕緣膜31，而將已敍述之閘極配線21與源極配線22之交叉部間保持為絕緣狀態。第2金屬膜32係積層於第1層間絕緣膜31之上層側，並且以分別配置於顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式圖案化，且由例如鈦(Ti)及銅(Cu)之積層膜形成。利用該第2金屬膜32，構成已敍述之源極配線 22、源極電極19b、及汲極電極19c等。平坦化膜33係積層於第1層間絕緣膜31及第2金屬膜32之上層側，並且設為跨及顯示區域AA與非顯示區域NAA之形式之整面狀之圖案，且包含例如聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA，Polymethyl Methacrylate)等丙烯酸系樹脂材料等。平坦化膜33係設為其膜厚與作為無機絕緣膜之其他絕緣膜29、31、35相比相對較大者。因此，平坦化膜33可較佳地使陣列基板11b中之液晶層11c側之面(配置配向膜之面)平坦化。
第1透明電極膜34係積層於平坦化膜33之上層側，並且至少於顯示區域AA形成為大致整面狀之圖案，且包含例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)或ZnO(Zinc Oxide，氧化鋅)等透明電極材料。利用該第1透明電極膜34，構成為大致整面狀之圖案之共通電極23。第2層間絕緣膜35係積層於平坦化膜33及第1透明電極膜34之上層側，並且設為跨及顯示區域AA與非顯示區域NAA之形式之整面狀之圖案，且包含例如氮化矽(SiNx)。第2透明電極膜36係積層於第2層間絕緣膜35之上層側，並且於顯示區域AA相應於TFT19之配置而圖案化為島狀，且包含例如ITO(Indium Tin Oxide)或ZnO(Zinc Oxide)等透明電極材料。利用該第2透明電極膜36構成像素電極20。再者，於閘極絕緣膜29、第1層間絕緣膜31、平坦化膜33、及第2層間絕緣膜35，藉由在陣列基板11b之製造步驟中圖案化，而於各自之特定之位置形成接觸孔CH1、CH2等開口。
如圖7所示，配置於陣列基板11b中之顯示區域AA之TFT19包括包含半導體膜28之通道部19d、以相對於通道部19d介隔閘極絕緣膜29重疊於上層側之形式配置之閘極電極19a、及相對於閘極電極19a介隔第1層間絕緣膜31配置於上層側之源極電極19b及汲極電極19c，且設為所謂之頂閘極型(交錯型)。其中，源極電極19b及汲極電極19c係通過分別開口形成於閘極絕緣膜29及第1層間絕緣膜31之接觸孔CH1而 連接於通道部19d，藉此，電子可於源極電極19b與汲極電極19c之間遷移。形成通道部19d之半導體膜28係如所敍述般設為包含CG矽薄膜者。與非晶矽薄膜等相比，該CG矽薄膜之電子遷移率更高，例如為200~300cm2/Vs左右，因此，藉由將包含該CG矽薄膜之半導體膜28設為TFT19之通道部19d，可使TFT19小型化並使像素電極20之透過光量極大化，因此，於謀求高精細化及低消耗電力化之方面較佳。於TFT19之汲極電極19c，通過分別開口形成於平坦化膜33及第2層間絕緣膜35之接觸孔CH2而連接有包含第2透明電極膜36之像素電極20。藉此，若將TFT19之閘極電極19a通電，則電流經由通道部19d而於源極電極19b與汲極電極19c之間流動，並且對像素電極20施加特定之電位。再者，包含第1透明電極膜34之共通電極23係設為以將第2層間絕緣膜35夾入之形式與各像素電極20於俯視時重疊的配置。再者，如所敍述般，於設為大致整面狀之圖案之共通電極23中與平坦化膜33及第2層間絕緣膜35之接觸孔CH2於俯視時重疊的位置，形成有用於供像素電極20之接點部分通過之開口。
其次，對存在於陣列基板11b中之非顯示區域NAA內之構成進行說明。於陣列基板11b之非顯示區域NAA中之相對於顯示區域AA於X軸方向(液晶面板11之短邊方向)相鄰之位置，如圖3所示，設置有與TFT19等一同構成顯示用電路之單片電路部(元件驅動部)37。單片電路部37係以將顯示區域AA於X軸方向自兩側夾入之形式設置有一對，且遍及沿著Y軸方向跨及顯示區域AA之大致全長延伸之範圍設置。單片電路部37係藉由與自顯示區域AA引出之閘極配線21連接，從而可進行用於將來自驅動器16之輸出信號供給至TFT19之控制。單片電路部37係將與顯示區域AA內之TFT19相同之半導體膜28作為基底而單片地形成於陣列基板11b上，藉此，包含用於控制對於TFT19之輸出信號之供給之控制電路及其電路元件。形成該控制電路之電路元件 中，例如包含使用半導體膜28作為通道部之未圖示之電路用TFT(電路用薄膜電晶體)等。控制電路中包含使用第1金屬膜30及第2金屬膜32之未圖示之電路用配線部等。單片電路部37包含掃描電路，該掃描電路將來自驅動器16之輸出信號中包含之掃描信號以特定之時序供給至各閘極配線21而依次對各閘極配線21進行掃描。又，單片電路部37亦可包括位準偏移器電路或ESD(Electrostatic Discharge，靜電放電)保護電路等附屬電路。再者，單片電路部37係藉由形成於陣列基板11b上之未圖示之連接配線而連接於驅動器16。
然而，如所敍述般，本實施形態之液晶面板11同時具有顯示圖像之顯示功能、及根據所顯示之圖像檢測由使用者輸入之位置資訊的位置輸入功能，且內置(內嵌化)有用於發揮其中之位置輸入功能之觸控面板圖案(位置輸入裝置)TPP。觸控面板圖案TPP係設為所謂之投影型靜電電容方式，且其檢測方式設為相互電容方式。該觸控面板圖案TPP專門設置於CF基板11a。詳細而言，如圖4及圖5所示，觸控面板圖案TPP係至少包含CF基板11a中設置於外表面側(與液晶層11c側為相反側、正側、顯示面側)之檢測電極(第1位置檢測電極、接收電極)38、及設置於內表面側(液晶層11c側、背側、與顯示面側為相反側)之驅動電極(第2位置檢測電極、發送電極)39而成。根據該觸控面板圖案TPP，係設為可根據因有無將檢測電極38與驅動電極39之間形成之電場遮蔽之物質(使用者之手指等)所引起之靜電電容之差而檢測位置輸入(觸控操作)之有無者。構成觸控面板圖案TPP之檢測電極38及驅動電極39係配置於CF基板11a之顯示區域AA。因此，液晶面板11中之顯示區域AA與可檢測輸入位置之觸控區域大致一致，且非顯示區域NAA與不能檢測輸入位置之非觸控區域大致一致。而且，於CF基板11a之內表面中之非觸控區域(非顯示區域NAA)之短邊方向(X軸方向)之兩端部，分別設置有連接於驅動電極39而用於對驅動電極39 傳輸信號之位置檢測配線部40。
又，於CF基板11a中之非觸控區域之長邊方向(Y軸方向)之一端部(圖4及圖5所示之下側之端部)之外表面側，連接有用於在未圖示之觸控面板控制器與檢測電極38之間傳輸信號之觸控面板用軟性基板41。觸控面板用軟性基板41係設為與連接於液晶面板11之顯示用之軟性基板17於俯視時大致重疊的配置。又，於CF基板11a之內表面中之非觸控區域中與觸控面板用軟性基板41重疊的部分，設置有一對CF基板側接點部(信號供給部、對向基板側信號供給部)42，該CF基板側接點部(信號供給部、對向基板側信號供給部)42連接於位置檢測配線部40中與連接於驅動電極39之側為相反側之端部。相對於此，於陣列基板11b中之內表面中之非顯示區域NAA中與CF基板側接點部42重疊的部分，設置有一對陣列基板側接點部(元件基板側信號供給部)43，該陣列基板側接點部(元件基板側信號供給部)43相對於CF基板側接點部42導通連接。陣列基板側接點部43係經由形成於陣列基板11b之內表面之未圖示之連接配線而連接於驅動器16。因此，來自未圖示之觸控面板控制器之信號係依次經由軟性基板17、驅動器16、陣列基板側接點部43、CF基板側接點部42、及位置檢測配線部40而傳輸至驅動電極39。再者，CF基板側接點部42及陣列基板側接點部43係設為與用於將液晶層11c密封之密封部(未圖示)於俯視時重疊的配置，並且經由該密封部中含有之導電性粒子而實現相互之導通連接。
如圖4及圖9所示，檢測電極38係以於CF基板11a之外表面中之顯示區域AA沿著長邊方向即Y軸方向(第1方向)延伸的形式設置，且平面形狀呈縱長之方形狀。檢測電極38係與像素電極20或共通電極23等同樣地，設為包含使用ITO(Indium Tin Oxide)或ZnO(Zinc Oxide)等透明電極材料之透明電極膜44者。因此，檢測電極38雖然配置於CF基板11a之顯示區域AA，但不易被使用者視認。檢測電極38係其長度尺 寸大於下述之浮動電極45之長度尺寸，除此以外，進而大於顯示區域AA之長邊尺寸，且其一端部(圖4所示之下側之端部)到達至非顯示區域NAA並且連接於觸控面板用軟性基板41。檢測電極38之線寬若與顯示像素(像素部PX)之X軸方向之尺寸等相比則成為較大者，具有橫跨於複數個顯示像素(像素部PX)之間之大小(參照圖7)。具體而言，檢測電極38之線寬設為約數mm，遠大於顯示像素(像素部PX)之X軸方向之尺寸即約數百μm。
如圖4及圖9所示，檢測電極38係於CF基板11a之外表面中之顯示區域AA，於短邊方向即X軸方向(第2方向、檢測電極38之排列方向)空開間隔而排列配置有複數條(圖4中為12條)。於X軸方向相鄰之檢測電極38之間之間隔分別相等，可認為複數個檢測電極38等間距排列。於CF基板11a之外表面中之顯示區域AA，以各自相對於各檢測電極38於俯視時於X軸方向相鄰之形式設置有複數個浮動電極45。複數個浮動電極45中包含以夾於在X軸方向相互相鄰之檢測電極38之間之形式配置者、及以相對於在X軸方向位於最端部之檢測電極38而於X軸方向相鄰於端側之形式配置者。各浮動電極45係與各檢測電極38物理性地及電性地分離而成為浮島狀，且至少與在X軸方向相鄰之檢測電極38之間形成靜電電容。因此，複數個浮動電極45中以被夾於在X軸方向上相互相鄰之檢測電極38之間之形式配置者係於與在X軸方向左右上相鄰之2個檢測電極38之間分別形成靜電電容，相對於此，於X軸方向上位於最端部者係於與在X軸方向上位於最端部之1個檢測電極38之間形成靜電電容。藉由設置此種浮動電極45，檢測電極38之電容值變得更大，而於謀求提升位置檢測靈敏度(S/N比)之方面較佳。各浮動電極45係設為亦相對於下述之驅動電極39於俯視時重疊之配置，因此，於與重疊之驅動電極39之間形成靜電電容。浮動電極45包含與檢測電極38相同之透明電極膜44，且於CF基板11a之外表面與檢測電 極38配置於同層。即，形成浮動電極45及檢測電極38時，於CF基板11a之外表面上將整面狀之透明電極膜44成膜後，藉由將該透明電極膜44圖案化，而形成相互電性獨立之浮動電極45及檢測電極38。藉由該浮動電極45，CF基板11a中於X軸方向上相鄰之檢測電極38之間之區域之透過率成為與檢測電極38之配置區域之透過率相等，因此，檢測電極38之存在不易被使用者視認。
如圖9所示，相對於檢測電極38於X軸方向上相鄰之浮動電極45包括以各自相對於下述之複數個驅動電極39重疊之方式於Y軸方向上被分割的複數個分割浮動電極(分割第1浮動電極)45S。分割浮動電極45S係平面形狀呈縱長之方形狀，其長邊尺寸(Y軸方向上之尺寸)設為較檢測電極38之長邊尺寸短且與下述之驅動電極39之寬度尺寸(Y軸方向上之尺寸)相等。而且，複數個分割浮動電極45S係以各自相對於沿著Y軸方向排列之複數個驅動電極39於俯視時重疊的方式配置。藉此，各分割浮動電極45S係於與重疊之各驅動電極39之間分別個別地形成靜電電容，而不易受不重疊之其他驅動電極39之電位之影響。又，構成1個浮動電極45之分割浮動電極45S之數量(浮動電極45之分割數)係與沿著Y軸方向排列之驅動電極39之數量一致。
如圖5及圖10所示，驅動電極39係以於CF基板11a之內表面中之顯示區域AA中，沿著與檢測電極38之延伸方向即Y軸方向(第1方向)正交之X軸方向(第2方向)延伸的形式設置。驅動電極39係其長度尺寸設為與顯示區域AA之短邊尺寸相等，相對於此，其線寬設為寬於檢測電極38之線寬。驅動電極39係於CF基板11a之顯示區域AA之內表面沿著與其延伸方向正交之Y軸方向(第1方向、驅動電極39之排列方向)排列配置有複數個。將於Y軸方向上相鄰之驅動電極39之間之間隔設為各自相等，複數個驅動電極39可說是等間距排列。而且，驅動電極39之一部分與檢測電極38及浮動電極45於俯視時交叉，其交叉部位彼 此隔著CF基板11a之玻璃基板GS而呈對向狀，並且可於其等之間分別形成靜電電容。該驅動電極39係設為由金屬膜46構成者，該金屬膜46設為與構成檢測電極38及浮動電極45之透明電極膜44相比導電性較優異者，藉此，可謀求配線電阻之降低。構成驅動電極39之金屬膜46係設為包含例如鋁、鉬、鈦、鎢、銅、銀、金等金屬材料者。再者，利用構成驅動電極39之金屬膜46構成CF基板側接點部42。
構成驅動電極39之金屬膜46雖然導電性優異，但幾乎不具有透光性，因此，擔心配置於CF基板11a之顯示區域AA之驅動電極39被使用者視認。因此，如圖8及圖12所示，驅動電極39係設為如下配置，即，包含複數條分割驅動電極(分割第2位置檢測電極、單位驅動電極、分支驅動電極)39S，並且其等各分割驅動電極39S與CF基板11a之遮光部25之一部分於俯視時重疊。構成驅動電極39之複數條分割驅動電極39S係沿著X軸方向(第2方向)延伸，並且以積層於遮光部25中沿著X軸方向延伸之部分之上層側(陣列基板11b側、液晶層11c側、與玻璃基板GS側為相反側)的形式設置。藉由如此般設為由使用者觀察時驅動電極39由遮光部25遮住之配置，而不易產生在驅動電極39反射外界光之現象，並且不易產生驅動電極39被使用者視認之現象。分割驅動電極39S係以於Y軸方向(第1方向)空開間隔而排列複數個之形式配置，其間隔與於Y軸方向相鄰之閘極配線21之間之間隔(Y軸方向上之像素部PX間之排列間距、像素電極20之長度尺寸)相等。各分割驅動電極39S係設為亦與閘極配線21於俯視時重疊之配置。而且，構成驅動電極39之分割驅動電極39S係設為其線寬較遮光部25中之沿著X軸方向延伸之部分之寬度尺寸小者，因此，即便於例如於CF基板11a之製造過程中將遮光部25或驅動電極39圖案化時產生相對之位置偏移的情形時，分割驅動電極39S與遮光部25重疊配置之確實性亦較高。又，分割驅動電極39S係設為其線寬較檢測電極38之線寬小者。
如圖5及圖10所示，位置檢測配線部40係以如下形式佈線形成，即，於CF基板11a之內表面中之非顯示區域NAA，一端部連接於驅動電極39之一端部，相對於此，另一端部連接於CF基板側接點部42，且該位置檢測配線部40以其大部分沿著與驅動電極39之延伸方向正交之Y軸方向(第1方向)延伸的形式設置。詳細而言，位置檢測配線部40包括：第1配線部40a，其連接於驅動電極39之一端部；第2配線部40b，其自第1配線部40a沿著Y軸方向延伸；及第3配線部40c，其係自第2配線部40b到達至CF基板側接點部42為止設為彎曲之平面形狀。位置檢測配線部40係隨著自驅動電極39向CF基板側接點部42靠近而線寬逐漸變窄，第1配線部40a之線寬與驅動電極39之線寬大致相等，與此相對，第2配線部40b之線寬較第1配線部40a之線寬窄，進而，第3配線部40c之線寬較第2配線部40b之線寬窄。位置檢測配線部40之沿面距離係自成為連接對象之驅動電極39到達至CF基板側接點部42為止。因此，與距離CF基板側接點部42相對較近之驅動電極39連接之位置檢測配線部40的沿面距離相對較短，與此相對，與距離CF基板側接點部42相對較遠之驅動電極39連接之位置檢測配線部40的沿面距離相對較長。
位置檢測配線部40係包含與驅動電極39相同之金屬膜46，且於CF基板11a之內表面與驅動電極39配置於同層。如此般，位置檢測配線部40設為包含金屬膜46者，故而其配線電阻十分低，藉此，不易於傳輸至驅動電極39之信號產生遲鈍等。位置檢測配線部40係由於包含金屬膜46，故而幾乎不具有透光性，但是，由於配置於CF基板11a中之非顯示區域NAA，故而不易對顯示品質造成不良影響。
如圖5及圖10所示，位置檢測配線部40係以將驅動電極39自其延伸方向之兩側夾入之形式分別配置有複數個。即，位置檢測配線部40係於非顯示區域NAA(非觸控區域)中於X軸方向隔著顯示區域AA(觸 控區域)之左右兩側分別分開配置有複數個。而且，該等位置檢測配線部40係以與設置於陣列基板11b之非顯示區域NAA之各單片電路部37於俯視時重疊的形式分別配置。藉此，即便於自各單片電路部37產生雜訊之情形時，亦可藉由分別為複數個之位置檢測配線部40將其雜訊遮蔽，因此，觸控面板圖案TPP之位置檢測性能不易劣化。位置檢測配線部40中與一側(例如圖5所示之右側)之單片電路部37重疊之一側之位置檢測配線部40係與驅動電極39之延伸方向上之一端部連接，相對於此，與另一側(例如圖5所示之左側)之單片電路部37重疊之另一側之位置檢測配線部40係與驅動電極39之延伸方向上之另一端部連接。沿著Y軸方向排列之複數個驅動電極39係設為如下排列，即，一端部連接於一側之位置檢測配線部40者與另一端部連接於另一側之位置檢測配線部40者於Y軸方交替地排列。更詳細而言，於Y軸方向自CF基板側接點部42側數為第奇數個之驅動電極39係連接於另一側之位置檢測配線部40，相對於此，第偶數個驅動電極39係連接於一側之位置檢測配線部40。
於CF基板11a之內表面中之非顯示區域NAA，如圖5及圖10所示，以相對於各驅動電極39中之與連接於位置檢測配線部40之側為相反側之端部於X軸方向相鄰的形式設置有虛設配線部47。虛設配線部47係設為Y軸方向上之尺寸與驅動電極39之線寬(Y軸方向上之尺寸)大致相等者，且針對沿著X軸方向排列之複數個驅動電極39中之每一個個別地配置。詳細而言，虛設配線部47中包含以相對於連接於一側之位置檢測配線部40之驅動電極39中之另一端部相鄰之形式配置者、及以相對於連接於另一側之位置檢測配線部40之驅動電極39中之一端部相鄰之形式配置者。虛設配線部47係以夾入於在X軸方向相鄰之驅動電極39與在Y軸方向相鄰於距離CF基板側接點部42較遠之一側之構成位置檢測配線部40之第2配線部40b之間的形式配置。虛設配線部47係 設為X軸方向之尺寸較將該虛設配線部47夾入之驅動電極39與第2配線部40b之間之間隔小者。因此，若將於Y軸方向距離CF基板側接點部42較近之虛設配線部47與距離CF基板側接點部42較遠之虛設配線部47進行比較，則前者與後者相比，其X軸方向之尺寸較小。該虛設配線部47係包含與驅動電極39及位置檢測配線部40相同之金屬膜46，且於CF基板11a之內表面與驅動電極39及位置檢測配線部40配置於同層。再者，虛設配線部47與相鄰之第2配線部40b之間之間隔較佳為包含於例如3μm~100μm之範圍內。
而且，虛設配線部47係以與設置於陣列基板11b之非顯示區域NAA之單片電路部37於俯視時重疊的形式配置。詳細而言，以相對於連接於另一側之位置檢測配線部40之驅動電極39中之一端部相鄰之形式配置的虛設配線部47係與一單片電路部37於俯視時重疊，相對於此，以相對於連接於一側之位置檢測配線部40之驅動電極39中之另一端部相鄰之形式配置的另一虛設配線部47係與另一單片電路部37於俯視時重疊。該等虛設配線部47(除距離CF基板側接點部42最遠者外)係以填埋驅動電極39中與連接於位置檢測配線部40之側為相反側之端部、與相對於其於X軸方向相鄰之位置檢測配線部40之第2配線部40b之間所空出之間隙的形式配置。而且，虛設配線部47係與在X軸方向相鄰之驅動電極39之端部、換言之、驅動電極39中之與連接於位置檢測配線部40之側為相反側之端部連接。藉此，即便於自單片電路部37產生雜訊之情形時，位置檢測配線部40及虛設配線部47亦可協動地以高效率將其雜訊遮蔽。而且，於製造過程中，於在CF基板11a之內表面將構成驅動電極39、位置檢測配線部40、CF基板側接點部42、及虛設配線部47之金屬膜46成膜並將該金屬膜46圖案化的狀態下，藉由將構成導通檢查裝置之導通檢查墊靠於CF基板側接點部42與虛設配線部47並試著通電，而可檢測是否於驅動電極39及位置檢測配線部40 產生斷線等不良。即，可將虛設配線部47用於驅動電極39及位置檢測配線部40之通電檢查。再者，該虛設配線部47係設為對於位置輸入功能而不特別發揮功能者。
如圖10及圖11所示，位置檢測配線部40係設為第2配線部40b之線寬根據成為連接對象之驅動電極39而異者。詳細而言，位置檢測配線部40係以如下方式構成，即，第1配線部40a及第3配線部40c之線寬不拘於成為連接對象之驅動電極39而設為大致固定，與此相對，關於第2配線部40b之線寬，係與距離CF基板側接點部42越近之驅動電極39連接者越窄，與距離CF基板側接點部42越遠之驅動電極39連接者越寬。此處，和與距離CF基板側接點部42較近之驅動電極39連接之位置檢測配線部40相比，相對而言，與距離CF基板側接點部42較遠之驅動電極39連接之位置檢測配線部40的沿面距離相對較長，因此，配線電阻容易變高，但是，藉由如上述般使第2配線部40b之線寬相對較寬，從而可將配線電阻抑製得較低。藉此，可緩和與距離CF基板側接點部42較遠之驅動電極39連接之位置檢測配線部40和與距離CF基板側接點部42較近之驅動電極39連接之位置檢測配線部40之間會產生的配線電阻之差，藉此，位置檢測性能不易劣化。再者，位置檢測配線部40之第1配線部40a之Y軸方向上之尺寸(線寬)係設為大致固定，但是，第1配線部40a之X軸方向上之尺寸係越是連接於靠近CF基板側接點部42之驅動電極39則越小。
其次，對在CF基板11a之內表面側(液晶層11c側、與陣列基板11b之對向面側)利用已知之光微影法等而積層形成之各種膜進行說明。如圖7及圖8所示，於CF基板11a，自下層(玻璃基板GS、正側)側依次積層形成有遮光部25及彩色濾光片24、金屬膜46、平坦化膜26。又，雖省略圖示，但於平坦化膜26之上層側積層有已敍述之配向膜。又，於本實施形態中，雖省略圖示，但於平坦化膜26之上層側設置有感光 性間隔件部，該感光性間隔件部形成以朝向陣列基板11b側貫通液晶層11c之形式突出之柱狀，可主要於顯示區域AA單元間隙維持為固定。
如圖7及圖8所示，遮光部25係以於形成CF基板11a之玻璃基板GS之表面跨及顯示區域AA與非顯示區域NAA的形式配置，藉由例如使感光性樹脂材料含有遮光材料(例如碳黑)而具有較高之遮光性。遮光部25中配置於顯示區域AA之部分於俯視時圖案化為格子狀，相對於此，配置於非顯示區域NAA之部分於俯視時圖案化為邊框狀(框狀)。遮光部25中配置於顯示區域AA之部分係將沿著Y軸方向延伸之部分與沿著X軸方向延伸之部分相互連接而成，利用該等部分劃定像素部PX。詳細而言，顯示區域AA中，遮光部25中沿著Y軸方向延伸之部分係如圖12所示，於X軸方向空開相當於像素部PX之短邊尺寸之間隔(X軸方向上之排列間距)而間斷地排列配置有多條，相對於此，沿著X軸方向延伸之部分係於Y軸方向空開相當於像素部PX之長邊尺寸之間隔(Y軸方向上之排列間距)而間斷地排列配置有多條。如圖7及圖8所示，彩色濾光片24係配置於顯示區域AA，並且相應於下述之陣列基板11b側之像素電極20之配置而圖案化為島狀，使例如感光性樹脂材料含有用於著色之顏料而成。詳細而言，彩色濾光片24包括在CF基板11a之顯示區域AA中與陣列基板11b側之各像素電極20於俯視時重疊之位置呈矩陣狀(matrix)平面配置的多個著色部。各著色部係形成俯視時縱長之方形狀(未圖示)。彩色濾光片24係設為如下配置，即，分別呈現紅色、綠色、藍色之各著色部藉由沿著列方向(X軸方向)交替地重複排列而構成著色部群，且其著色部群沿著行方向(Y軸方向)排列多個。又，顯示區域AA中相鄰之著色部之間係藉由利用遮光部25中之格子狀之部分分隔而防止像素部PX間之混色。金屬膜46係積層於遮光部25之上層側，且以於顯示區域AA中與遮光部25之呈格子 狀之部分中之沿著X軸方向延伸之部分重疊的方式設為橫紋狀之圖案，藉此，構成驅動電極39(圖14)。金屬膜46中配置於非顯示區域NAA之部分分別構成位置檢測配線部40、CF基板側接點部42、及虛設配線部47。平坦化膜26係積層於遮光部25、彩色濾光片24、及金屬膜46之上層側，並且以跨及顯示區域AA與非顯示區域NAA之形式設為整面狀之圖案，且包含例如聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)等丙烯酸系樹脂材料等。平坦化膜26係藉由使其膜厚較彩色濾光片24、遮光部25、及金屬膜46大，而較佳地將CF基板11a中之液晶層11c側之面(配置配向膜之面)平坦化。平坦化膜26係以自陣列基板11b側覆蓋包含金屬膜46之驅動電極39、位置檢測配線部40、虛設配線部47之形式配置。
且說，沿著X軸方向排列之複數個浮動電極45中於X軸方向位於最端部者係如圖9所示，與位於中央側之浮動電極相比，寬度尺寸(X軸方向上之尺寸)相對變小，以下，將此特別稱為窄幅浮動電極48。窄幅浮動電極48之寬度尺寸係設為中央側之浮動電極45之寬度尺寸之約一半左右。對複數個浮動電極45中包含此種窄幅浮動電極48之理由進行說明。於X軸方向配置於中央側之浮動電極45係由於相鄰之檢測電極38存在2個，故而與其等2個檢測電極38之間形成靜電電容，相對於此，位於最端部之窄幅浮動電極48係相鄰之檢測電極38僅為1個而與其1個檢測電極38之間形成靜電電容。因此，藉由將複數個浮動電極45中於X軸方向位於最端部者設為寬度較中央側之浮動電極窄之窄幅浮動電極48，而使複數個檢測電極38分別擔當之於X軸方向之位置檢測範圍均等化。
然而，若如此般使複數個浮動電極45包含窄幅浮動電極48，則於X軸方向位於最端部之檢測電極38於與在X軸方向相鄰於端側之窄幅浮動電極48及相鄰於中央側之浮動電極45之間形成的靜電電容與位 於中央側之檢測電極38於與相鄰之2個浮動電極45之間形成的靜電電容相比相對容易變小。即，於X軸方向位於最端部之檢測電極38之電容值與相對於其相鄰於中央側之檢測電極38之電容值之間產生的差係較於X軸方向配置於中央側而相互相鄰之2個檢測電極38之電容值之差大。因此，進行觸控位置檢測時，為了提高雜訊耐性而採用獲取於X軸方向相鄰之檢測電極38之電容值之差量之檢測方式的情形時，擔心因上述電容值之差變大而導致產生較大之雜訊，從而位置檢測靈敏度僅於X軸方向上之端側局部降低。再者，關於獲取於X軸方向相鄰之檢測電極38之電容值之差量的檢測方式，揭示於例如日本專利特開2013-3603號公報中，將其揭示內容之全部援用於本說明書中。
因此，複數個檢測電極38中於X軸方向位於最端部者係設為如圖9所示般寬度尺寸(X軸方向上之尺寸)較位於中央側之檢測電極38大的寬幅檢測電極(寬幅第1位置檢測電極)49。如此一來，複數個檢測電極38中於X軸方向位於最端部之寬幅檢測電極49於與在X軸方向相鄰於端側之窄幅浮動電極48及相鄰於中央側之浮動電極45之間形成的靜電電容若與假設將複數個檢測電極38中於X軸方向位於最端部者設為與中央側之檢測電極38相同之寬度的情形相比，則成為較大者。因此，可將於X軸方向位於最端部之寬幅檢測電極49之電容值設為與位於中央側之檢測電極38之電容值更接近之值，藉此，可緩和電容值之差。藉此，進行觸控位置檢測時，為了提高雜訊耐性而採用獲取於X軸方向相鄰之檢測電極38之電容值之差量之檢測方式的情形時，寬幅檢測電極49亦不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。再者，於將複數個檢測電極38中除寬幅檢測電極49以外之中央側之檢測電極38之寬度尺寸設為例如15μm左右的情形時，較佳為將寬幅檢測電極49之寬度尺寸設為例如30μm左右、即2倍左右。
繼而，為了關於使檢測電極38之寬度變化時其電容值如何變化獲得見解，而進行以下之比較實驗1。於比較實驗1中，於將檢測電極38之寬度設為特定之基準值(相對值1.0)之情形、將檢測電極38之寬度設為基準值之2倍(相對值2.0)之情形、及將檢測電極38之寬度設為基準值之3倍(相對值3.0)之情形時分別測定電容值，並將其結果示於圖13。於圖13中，橫軸表示關於檢測電極38之寬度將基準值設為1.0時之相對值，縱軸表示電容值(單位為「pF(微微法拉)」)。
對比較實驗1之實驗結果進行說明。根據圖13可知，使檢測電極38之寬度越寬，則檢測電極38之電容值越大。此表示檢測電極38之電容值有與檢測電極38之面積成正比之傾向，認為其原因在於，檢測電極38之面積越大，與相鄰之浮動電極45等之間形成之靜電電容越大。根據該比較實驗1之實驗結果，藉由將複數個檢測電極38中於X軸方向位於最端部者設為寬度較中央側之檢測電極38寬的寬幅檢測電極49，並使其寬度最佳化，可使擔心電容值局部降低之寬幅檢測電極49之電容值與中央側之檢測電極38之電容值接近、更佳為相等，藉此，緩和寬幅檢測電極49之電容值與中央側之檢測電極38之電容值之間會產生的差，因此，可抑制在X軸方向上之端側位置檢測靈敏度局部降低而謀求位置檢測靈敏度之均衡化。
如以上說明所述，本實施形態之觸控面板圖案(位置輸入裝置)TPP包括：複數個檢測電極(第1位置檢測電極)38，其等沿著第1方向(Y軸方向)延伸，並且沿著與第1方向正交之第2方向(X軸方向)排列配置；複數個驅動電極(第2位置檢測電極)39，其等以各自相對於複數個檢測電極38於俯視時重疊之形式沿著第2方向延伸並且沿著第1方向排列配置，且與檢測電極38之間形成靜電電容；複數個浮動電極45，其等以各自相對於複數個檢測電極38於俯視時相鄰之形式配置並且以相對於複數個驅動電極39於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰 之檢測電極38之間、及與重疊之驅動電極39之間分別形成靜電電容；及寬幅檢測電極(寬幅第1位置檢測電極)49，其包含於複數個檢測電極38，於第2方向位於最端部，並且其寬度較中央側之檢測電極38寬。
如此一來，於檢測電極38和與其重疊之驅動電極39之間形成靜電電容，除此以外，於浮動電極45和與其相鄰之檢測電極38之間、及浮動電極45和與其重疊之驅動電極39之間分別形成靜電電容，因此，位置檢測靈敏度(S/N比)更高。然而，沿著第2方向排列之複數個檢測電極38中於第2方向位於最端部者與位於中央側者相比，有與相鄰之浮動電極45之間形成之靜電電容相對容易變小而其電容值之差變大的傾向，因此，擔心位置檢測時產生較大之雜訊而位置檢測靈敏度局部降低。關於該方面，將包含於複數個檢測電極38且於第2方向位於最端部者設為寬度較中央側之檢測電極38寬的寬幅檢測電極49，因此，與相鄰之浮動電極45之間形成之靜電電容變大，而與中央側之檢測電極38之間會產生之電容值之差得到緩和。藉此，位置檢測時寬幅檢測電極49不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
又，複數個浮動電極45中包含窄幅浮動電極48，該窄幅浮動電極48於第2方向位於最端部，並且其寬度較中央側之浮動電極45窄。複數個浮動電極45中之中央側之浮動電極45係由於相鄰之檢測電極38存在2個，故而與其等2個檢測電極38之間形成靜電電容。另一方面，複數個浮動電極45中於第2方向位於最端部者係相鄰之檢測電極38僅為1個，而與其1個檢測電極38之間形成靜電電容。因此，藉由將複數個浮動電極45中於第2方向位於最端部者設為寬度較中央側之浮動電極45窄的窄幅浮動電極48，而使複數個檢測電極38分別擔當之於第2方向之位置檢測範圍均等化。若如此般使複數個浮動電極45包含窄幅 浮動電極48，則雖然擔心於第2方向位於最端部之檢測電極38之靜電電容變小，但藉由採用如上所述之構成，可使於第2方向位於最端部之檢測電極38之靜電電容增大，藉此，位置檢測時於第2方向位於最端部之檢測電極38不易受雜訊之影響，因此，不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
又，本實施形態之液晶顯示裝置(具有位置輸入功能之顯示裝置)10至少包括上述觸控面板圖案TPP、及包含觸控面板圖案TPP之液晶面板(顯示面板)11。
根據此種具有位置輸入功能之顯示裝置，藉由包括液晶面板11與觸控面板圖案TPP，使用者之位置輸入與液晶面板11之顯示之鏈結變得順利，而於謀求使用感之提高之方面較佳。
又，液晶面板11包括：陣列基板11b，其至少包含配置於顯示圖像之顯示區域AA之TFT(顯示元件)19；及CF基板(對向基板)11a，其與陣列基板11b以形成對向狀之形式空開間隔而配置；將驅動電極39於CF基板11a中之朝向陣列基板11b側之板面設置於顯示區域AA，相對於此，將檢測電極38與浮動電極45或浮動電極345於CF基板11a中之朝向與陣列基板11b側為相反側之板面設置於顯示區域AA，藉此將觸控面板圖案TPP與液晶面板11一體化。如此一來，由於觸控面板圖案TPP與液晶面板11一體化，因此，與假設將觸控面板圖案設置於與液晶面板11為不同零件之觸控面板的情形相比，於謀求該液晶顯示裝置10之薄型化或低成本化等之方面較佳。
<實施形態2>
利用圖14對本發明之實施形態2進行說明。於本實施形態2中，表示將複數個檢測電極138中於X軸方向上位於最端部者之構成加以變更而得者。再者，對與上述實施形態1相同之構造、作用及效果省略重複之說明。
如圖14所示，將本實施形態之複數個檢測電極138中亦於X軸方向(第2方向)上位於最端部者，設為將複數個分支電極51相互連接而成之分支型檢測電極(分支型第1位置檢測電極)50。進而，於複數個分支電極51之間，以夾入之形式設置有於與複數個分支電極51之間形成靜電電容之分支電極間浮動電極52。分支電極51係沿著Y軸方向(第1方向)延伸，並且沿著X軸方向空開間隔而排列配置有2條。分支電極51係設為其寬度較中央側之檢測電極138之寬度更窄者，具體而言，其寬度為中央側之檢測電極138之寬度之約一半左右。因此，構成分支型檢測電極50之2條分支電極51之合計寬度係與中央側之檢測電極138之寬度大致相等。換言之，構成分支型檢測電極50之2條分支電極51之合計面積係與中央側之檢測電極138之面積大致相等。又，2條分支電極51係藉由其延伸方向之兩端部分別利用橋接部(連接部、連結部)53橋接而相互連接。分支電極間浮動電極52係以夾於在X軸方向上相鄰之2條分支電極51之間之形式配置，且其寬度略窄於上述2條分支電極51之間之間隔。分支電極間浮動電極52之寬度係較複數個浮動電極145中之中央側之浮動電極145之寬度窄，而為與最端部之窄幅浮動電極148之寬度相等。分支電極間浮動電極52係設為於與相鄰之2條分支電極51之間分別形成靜電電容者。再者，分支電極間浮動電極52係與其他浮動電極145(包含窄幅浮動電極148)同樣地，於Y軸方向上被分割為複數個。
如此般，構成分支型檢測電極50之2條分支電極51係其寬度較中央側之檢測電極138之寬度窄，但是，於與分支電極間浮動電極52之間分別形成有靜電電容，因此，於各分支電極51與分支電極間浮動電極52之間往來之電力線之密度較於中央側之檢測電極138與中央側之浮動電極145之間往來之電力線之密度高。因此，分支型檢測電極50之靜電電容成為較大者，而與中央側之檢測電極138之間會產生之電 容值之差得到緩和。藉此，位置檢測時分支型檢測電極50不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。而且，構成分支型檢測電極50之2條分支電極51之合計寬度與中央側之檢測電極138之寬度大致相等，因此，於分支型檢測電極50與中央側之檢測電極138，CF基板111a(觸控面板圖案TPP)之面內之專有面積相等。即，可將複數個檢測電極138之專有面積維持得與從前相等，並且亦可藉由將2條分支電極51連接而成之分支型檢測電極50而抑制位置檢測靈敏度局部降低。
如以上說明所述，根據本實施形態，包括：複數個檢測電極138，其等沿著第1方向(Y軸方向)延伸，並且沿著與第1方向正交之第2方向(X軸方向)排列配置；複數個驅動電極139，其等以各自相對於複數個檢測電極138於俯視時重疊之形式沿著第2方向延伸並且沿著第1方向排列配置，且於與檢測電極138之間形成靜電電容；複數個浮動電極145，其等以各自相對於複數個檢測電極138於俯視時相鄰之形式配置，並且以相對於複數個驅動電極139於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之檢測電極138之間、及與重疊之驅動電極139之間分別形成靜電電容；分支型檢測電極50，其係包含於複數個檢測電極138中且於第2方向上位於最端部的分支型檢測電極(分支型第1位置檢測電極)50，且係將沿著第1方向延伸並且沿著第2方向排列配置之複數個分支電極51相互連接而成；及分支電極間浮動電極52，其以夾於複數個分支電極51之間之形式配置，且於與複數個分支電極51之間形成靜電電容。
如此，於檢測電極138和與其重疊之驅動電極139之間形成靜電電容，除此以外，於浮動電極145和與其相鄰之檢測電極138之間、及浮動電極145和與其重疊之驅動電極139之間分別形成靜電電容，因此，位置檢測靈敏度(S/N比)更高。然而，沿著第2方向排列之複數個 檢測電極138中於第2方向上位於最端部者與位於中央側者相比，有與相鄰之浮動電極145之間形成之靜電電容相對容易變小而其電容值之差變大的傾向，因此，擔心位置檢測時產生較大之雜訊而位置檢測靈敏度局部降低。關於該方面，將包含於複數個檢測電極138中且於第2方向上位於最端部者設為分支型檢測電極50，該分支型檢測電極50係將沿著第1方向延伸並且沿著第2方向排列配置之複數個分支電極51相互連接而成，複數個分支電極51係與夾於其等之間之分支電極間浮動電極52之間形成靜電電容，因此，分支型檢測電極50之靜電電容成為較大者，而與中央側之檢測電極138之間會產生之電容值之差得到緩和。藉此，位置檢測時分支型檢測電極50不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
又，分支型檢測電極50係以複數個分支電極51之合計寬度與複數個檢測電極138中之中央側之檢測電極138之寬度相等的方式構成。如此一來，可於分支型檢測電極50與中央側之檢測電極138使該觸控面板圖案TPP中之佔有面積相等。即，可將複數個檢測電極138之專有面積維持為與從前相等，並且亦可藉由將複數個分支電極51連接而成之分支型檢測電極50而抑制位置檢測靈敏度局部降低。
<實施形態3>
利用圖15至圖17對本發明之實施形態3進行說明。於本實施形態3中，表示根據上述實施形態2對分支型檢測電極250之分支數及分支電極間浮動電極252之設置數進行變更所得者。再者，對與上述實施形態2相同之構造、作用及效果省略重複之說明。
如圖15所示，本實施形態之分支型檢測電極250係設為將於X軸方向空開間隔而排列配置之3條分支電極251相互連接而成者。分支電極251係設為其寬度較中央側之檢測電極238之寬度窄者，具體而言，設為中央側之檢測電極238之寬度之約1/3左右。因此，構成分支型檢 測電極250之2條分支電極251之合計寬度係與中央側之檢測電極238之寬度大致相等。又，3條分支電極251係藉由其延伸方向之兩端部分別利用橋接部253橋接而相互連接。分支電極間浮動電極252係以夾於X軸方向上之中央側之分支電極251與兩端側之各分支電極251之間的形式配置有2個，且其寬度略窄於相鄰之2條分支電極251之間之間隔。分支電極間浮動電極252之寬度進而較最端部之窄幅浮動電極248之寬度窄。各分支電極間浮動電極252係設為與隔著自身相鄰之2條分支電極251之間分別形成靜電電容者。
繼而，為了關於將檢測電極設為分支構造之情形及不設為分支構造之情形時其電容值如何變化獲得見解，並且關於根據設為分支構造之情形時之分支數而電容值如何變化獲得見解，而進行以下之比較實驗2。於比較實驗2中，將不將檢測電極238設為分支構造之情形設為比較例1，將檢測電極設為分支構造且其分支數設為2之情形設為實施例1，將檢測電極238設為分支構造且其分支數設為3之情形設為實施例2，然後測定各自之電容值，並將其結果示於圖16。比較例1係與本實施形態中本段落以前所記載之中央側之檢測電極238相同之構成，實施例1係與上述實施形態2所記載之分支型檢測電極(參照圖14)相同之構成，實施例2係與本實施形態中本段落以前所記載之分支型檢測電極250相同之構成。再者，於實施例1、2中，以夾於構成各分支型檢測電極之各分支電極之間之形式配置有分支電極間浮動電極。於圖16中，橫軸表示關於檢測電極238之寬度將基準值設為1.0時之相對值，縱軸表示電容值(單位為「pF(微微法拉)」)。於該比較實驗2中，將比較例1、實施例1、及實施例2之各檢測電極之寬度之相對值設為約2.0。再者，於圖16中，以菱形之繪圖表示比較例1，以四邊形之繪圖表示實施例1，以三角形之繪圖表示實施例2。
對比較實驗2之實驗結果進行說明。根據圖16可知，若將比較例 1與實施例1進行比較，則將檢測電極設為分支構造之實施例1較之不將檢測電極238設為分支構造之比較例1而言，其檢測電極之電容值變大。認為其原因在於，如亦於上述實施形態2中所說明般，構成實施例1之分支型檢測電極之2條分支電極係與夾於其等之間之分支電極間浮動電極之間分別形成靜電電容，因此，於各分支電極與分支電極間浮動電極之間往來之電力線之密度較比較例1之於檢測電極和與其相鄰之浮動電極之間往來之電力線之密度高，藉此，分支型檢測電極之靜電電容變大。若將實施例1與實施例2進行比較，則可知將分支數設為3之實施例2較之將分支數設為2之實施例1而言，其檢測電極之電容值變大。認為其原因在於，構成實施例2之分支型檢測電極之3條分支電極係與夾於各者之間之各分支電極間浮動電極之間分別形成有靜電電容，因此，於各分支電極與各分支電極間浮動電極之間往來之電力線之密度進而高於在構成實施例1之分支型檢測電極之2條分支電極與夾於其等之間之1條分支電極間浮動電極之間往來之電力線之密度，藉此，實施例2之分支型檢測電極之靜電電容變得更大。
進而，為了關於使上述比較實驗2之比較例1、實施例1、及實施例2之各檢測電極之寬度變化時其電容值如何變化獲得見解，而進行以下之比較實驗3。於比較實驗3中，於將比較例1、實施例1、及實施例2之各檢測電極之寬度設為特定之基準值(相對值1.0)之情形、設為基準值之2倍(相對值2.0)之情形、及設為基準值之3倍(相對值3.0)之情形時，分別測定電容值，並將其結果示於圖17。於圖17中，橫軸表示關於比較例1、實施例1、及實施例2之各檢測電極之寬度而將基準值設為1.0時之相對值，縱軸表示電容值(單位為「pF(微微法拉)」)。再者，關於實施例2，僅缺漏將檢測電極之寬度設為基準值之3倍之情形時之資料。
對比較實驗3之實驗結果進行說明。根據圖17可知，使檢測電極 之寬度越寬，則檢測電極之電容值越大，除此以外，將檢測電極設為分支構造且使其分支數越多，則檢測電極之電容值變得越大。因此，藉由將複數個檢測電極中於X軸方向位於最端部者設為分支構造後使其分支數及寬度最佳化，可使其電容值與中央側之檢測電極之電容值接近、更佳為相等。藉此，緩和於在X軸方向位於最端部之分支型檢測電極之電容值與中央側之檢測電極238之電容值之間會產生的差，因此，可抑制位置檢測靈敏度於X軸方向上之端側局部降低而謀求位置檢測靈敏度之均衡化。
<實施形態4>
利用圖18至圖21對本發明之實施形態4進行說明。於本實施形態4中，表示根據上述實施形態1對複數個檢測電極338中於X軸方向位於最端部者之構成進行變更並且於CF基板311a之非顯示區域NAA設置有第2浮動電極54者。再者，對與上述實施形態1相同之構造、作用及效果省略重複之說明。
如圖18所示，本實施形態之複數個檢測電極338中亦於X軸方向(第2方向)位於最端部者係其寬度設為與中央側之檢測電極之寬度相同。即，沿著X軸方向排列之複數個檢測電極338全部設為同一寬度。另一方面，於CF基板311a之非顯示區域NAA設置有第2浮動電極54，該第2浮動電極54與在X軸方向位於最端部之檢測電極338之間形成靜電電容。第2浮動電極54係於CF基板311a之非顯示區域NAA中之兩長邊部、即相對於配置有各檢測電極338、各浮動電極(第1浮動電極)345、及驅動電極339之顯示區域AA於X軸方向相鄰之兩邊部分別各設置有1個。因此，第2浮動電極54係設為與配置於顯示區域AA之各檢測電極338、各浮動電極345、及驅動電極339於俯視時不重疊的配置。再者，各第2浮動電極54係以如下形式分別配置，即，與設置於CF基板311a之內表面中之非顯示區域NAA之各位置檢測配線部340 於俯視時重疊，並且與設置於陣列基板之非顯示區域NAA之各單片電路部337於俯視時重疊。
如圖18所示，第2浮動電極54係以相對於複數個浮動電極345中於X軸方向位於最端部之窄幅浮動電極348進而相鄰於端側的形式配置。第2浮動電極54係與各檢測電極338及各浮動電極345物理性地及電性地分離而成為浮島狀，且與在X軸方向位於最端部之檢測電極338之間形成靜電電容。藉此，於X軸方向位於最端部之檢測電極338除與重疊之驅動電極339、相鄰於中央側之浮動電極345、及相鄰於端側之窄幅浮動電極348之間形成靜電電容以外，亦與第2浮動電極54之間形成靜電電容，因此，其電容值成為更大者，而於謀求位置檢測靈敏度(S/N比)之提高之方面較佳。而且，第2浮動電極54係以如下形式設置，即，以平面形狀呈縱長之方形狀之方式沿著Y軸方向(第1方向)延伸，其長度尺寸大於構成浮動電極345之各分割浮動電極(分割第1浮動電極)345S之長度尺寸，且與顯示區域AA之長邊尺寸相等或者進而大於顯示區域AA之長邊尺寸。第2浮動電極54之長度尺寸亦可設為與檢測電極338之長度尺寸相等。
如圖19所示，第2浮動電極54係設置於CF基板311a之外表面中之非顯示區域NAA。因此，第2浮動電極54包含與檢測電極338及浮動電極345相同之透明電極膜344，且於CF基板311a之外表面與檢測電極338及浮動電極345配置於同層。即，形成第2浮動電極54、浮動電極345及檢測電極338時，於CF基板311a之外表面上成膜整面狀之透明電極膜344之後，藉由使其透明電極膜344圖案化，而形成相互電性獨立之第2浮動電極54、浮動電極345及檢測電極338。
繼而，為了關於在X軸方向位於最端部之檢測電極338之電容值根據有無第2浮動電極54如何變化獲得見解，而進行以下之比較實驗4。於比較實驗4中，將不包含第2浮動電極54之情形設為比較例2，將 包含第2浮動電極54之情形設為實施例3，然後測定各個中之各檢測電極338之電容值，並將其結果示於圖20及圖21。比較例1係自本實施形態中本段落以前所記載之CF基板311a將第2浮動電極54去除後所得的構成，實施例3係與本實施形態中本段落以前所記載之CF基板311a相同之構成。圖20表示比較例2之實驗結果，圖21表示實施例3之實驗結果。於圖20及圖21中，橫軸表示X軸方向上之檢測電極338之位置，縱軸表示電容值(單位為「pF(微微法拉)」)。若進行捕捉，則於圖20及圖21之橫軸，記載有以於X軸方向位於圖18之左端之檢測電極338為起點的順序，位於圖18之左端之檢測電極338成為「1」，位於圖18之右端之檢測電極338成為「12」。
對比較實驗4之實驗結果進行說明。於比較例2中，如圖20所示，於X軸方向位於兩端之各檢測電極338之電容值與中央側之各檢測電極338之電容值相比局部較小。因此，於X軸方向為最端部之檢測電極338和與其相鄰之檢測電極338之間之電容值之差係與相互相鄰之中央側之各檢測電極338之間之電容值之差相比相對較大。因此，進行觸控位置檢測時，為了提高雜訊耐性而採用獲取於X軸方向相鄰之檢測電極338之電容值之差量之檢測方式的情形時，擔心因上述電容值之差變大而導致產生較大之雜訊，從而位置檢測靈敏度僅於X軸方向上之端側局部降低。相對於此，於實施例3中，如圖21所示，於X軸方向位於兩端之各檢測電極338之電容值設為與中央側之各檢測電極338之電容值相等。認為其原因在於，係藉由在X軸方向位於兩端之各檢測電極338與配置於非顯示區域NAA之各第2浮動電極54之間形成靜電電容，而實現電容值之提高。因此，於X軸方向為最端部之檢測電極338和與其相鄰之檢測電極338之間之電容值之差係設為與相互相鄰之中央側之各檢測電極338之間之電容值之差相等。藉此，進行觸控位置檢測時，為了提高雜訊耐性而採用獲取於X軸方向相鄰之 檢測電極338之電容值之差量之檢測方式的情形時，於X軸方向為最端部之檢測電極338亦不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
如以上說明所述，根據本實施形態，包括：複數個檢測電極338，其等沿著第1方向(Y軸方向)延伸，並且沿著與第1方向正交之第2方向(X軸方向)排列配置；複數個驅動電極339，其等以各自相對於複數個檢測電極338於俯視時重疊之形式沿著第2方向延伸並且沿著第1方向排列配置，且於與檢測電極338之間形成靜電電容；複數個浮動電極(第1浮動電極)345，其等以各自相對於複數個檢測電極338於俯視時相鄰之形式配置並且以相對於複數個驅動電極339於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之檢測電極338之間、及與重疊之驅動電極339之間分別形成靜電電容；及第2浮動電極54，其以相對於相對於複數個檢測電極338中於第2方向位於最端部者於第2方向相鄰於端側之浮動電極345進而於第2方向相鄰於端側的形式配置並且以與驅動電極339不重疊之方式配置，且與位於最端部之檢測電極338之間形成靜電電容。
如此一來，於檢測電極338和與其重疊之驅動電極339之間形成靜電電容，除此以外，於浮動電極345和與其相鄰之檢測電極338之間、及浮動電極345和與其重疊之驅動電極339之間分別形成靜電電容，因此，位置檢測靈敏度(S/N比)更高。然而，沿著第2方向排列之複數個檢測電極338中於第2方向位於最端部者與位於中央側者相比，有與相鄰之浮動電極345之間形成之靜電電容相對容易變小而其電容值之差變大的傾向，因此，擔心位置檢測時產生較大之雜訊而位置檢測靈敏度局部降低。關於該方面，第2浮動電極54與位於最端部之檢測電極338之間形成靜電電容，該第2浮動電極54係以相對於相對於複數個檢測電極338中於第2方向位於最端部者於第2方向相鄰於端側之 浮動電極345進而於第2方向相鄰於端側的形式配置並且以與驅動電極339不重疊之方式配置，因此，位於最端部之檢測電極338之靜電電容成為較大者，而與中央側之檢測電極338之間會產生之電容值之差得到緩和。藉此，位置檢測時，位於最端部之檢測電極338不易受雜訊之影響，而不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
又，浮動電極345包括以各自相對於複數個驅動電極339重疊之方式於第1方向上被分割的複數個分割浮動電極(分割第1浮動電極)345S，相對於此，第2浮動電極54係以與分割浮動電極345S相比於第1方向上較長地延伸之形式設置。如此一來，位置檢測時，複數個驅動電極339中之某驅動電極339和構成浮動電極345之複數個分割浮動電極345S中之與上述驅動電極339重疊之分割浮動電極345S之間所形成的靜電電容不易受相對於上述驅動電極339相鄰之其他驅動電極339之電位之影響。與此相對，第2浮動電極54係設為與驅動電極339不重疊之配置，因此，不易受複數個驅動電極339之電位之影響。因此，能以如下形式設置第2浮動電極54，即，以相較分割浮動電極345S於第1方向更長之方式延伸，藉此，可將與相鄰之檢測電極338之間形成之靜電電容設為更大者。
又，第2浮動電極54包含與浮動電極345相同之透明電極膜。如此一來，可削減設置浮動電極345及第2浮動電極54所需之成本。
<實施形態5>
利用圖22對本發明之實施形態5進行說明。於本實施形態5中，表示根據上述實施形態4對第2浮動電極454之形成層進行變更所得者。再者，對與上述實施形態4相同之構造、作用及效果省略重複之說明。
如圖22所示，本實施形態之第2浮動電極454係配置於與檢測電極438及浮動電極445之形成層不同之形成層，且於其等形成層間以介 置之形式設置有絕緣層55。詳細而言，構成檢測電極438及浮動電極445之透明電極膜(第1透明電極膜)444配置於CF基板411a之外表面中之最下層，相對於此，絕緣層55以積層之形式配置於其上層側。而且，第2浮動電極454係設為包含積層於絕緣層55之上層側之第2透明電極膜56者。根據此種構成，使第2浮動電極454與檢測電極438及浮動電極445絕緣之確實性較高。
如以上說明所述，根據本實施形態，浮動電極445之形成層與第2浮動電極454之形成層設為互不相同者，且包括以介置於其等之間之形式配置之絕緣層55。如此一來，藉由絕緣層55使浮動電極445與第2浮動電極454絕緣之確實性較高。
<實施形態6>
利用圖23對本發明之實施形態6進行說明。於本實施形態6中，表示將實施形態4記載之第2浮動電極554組合於上述實施形態1記載之構成所得者。再者，對與上述實施形態1、4相同之構造、作用及效果省略重複之說明。
如圖23所示，本實施形態之第2浮動電極554係以於CF基板511a之非顯示區域NAA相對於複數個浮動電極545中於X軸方向位於最端部之窄幅浮動電極548進而相鄰於端側的形式配置。第2浮動電極554係與各檢測電極538及各浮動電極545物理性地及電性地分離而成為浮島狀，且與在X軸方向位於最端部之寬幅檢測電極549之間形成靜電電容。藉此，於X軸方向位於最端部之寬幅檢測電極549除與重疊之驅動電極539、相鄰於中央側之浮動電極545、及相鄰於端側之窄幅浮動電極548之間形成靜電電容外，亦與第2浮動電極554之間形成靜電電容，因此，其電容值成為更大者，而於謀求位置檢測靈敏度(S/N比)之提高之方面較佳。
<實施形態7>
利用圖24對本發明之實施形態7進行說明。於本實施形態7中，表示將實施形態4記載之第2浮動電極654組合於上述實施形態2記載之構成所得者。再者，對與上述實施形態2、4相同之構造、作用及效果省略重複之說明。
如圖24所示，本實施形態之第2浮動電極654係以於CF基板611a之非顯示區域NAA相對於複數個浮動電極645中於X軸方向位於最端部之窄幅浮動電極648進而相鄰於端側的形式配置。第2浮動電極654係與各檢測電極638及各浮動電極645物理性地及電性地分離而成為浮島狀，且與在X軸方向位於最端部之分支型檢測電極650之間形成靜電電容。藉此，於X軸方向位於最端部之分支型檢測電極650除與重疊之驅動電極639、相鄰於中央側之浮動電極645、相鄰於端側之窄幅浮動電極648、及夾於分支電極651間之分支電極間浮動電極652之間形成靜電電容外，亦與第2浮動電極654之間形成靜電電容，因此，其電容值成為更大者，而於謀求位置檢測靈敏度(S/N比)之提高之方面較佳。
<實施形態8>
利用圖25對本發明之實施形態8進行說明。於本實施形態8中，表示於上述實施形態1記載之CF基板711a之非顯示區域NAA設置有接地電極57者。再者，對與上述實施形態1相同之構造、作用及效果省略重複之說明。
於本實施形態之CF基板711a之非顯示區域NAA，如圖25所示，設置有接地電極(ground electrode)57。接地電極57係包含與檢測電極738及浮動電極745相同之透明電極膜744，且於CF基板711a之外表面與檢測電極738及浮動電極745配置於同層。接地電極57係以自X軸方向上之兩側將檢測電極738及浮動電極745群夾入之形式配置有一對。即，接地電極57係分別配置於非顯示區域NAA中於X軸方向隔著顯示 區域AA(觸控區域)之左右兩側。而且，接地電極57係以具有與顯示區域AA之長邊尺寸相等之長度之方式沿著Y軸方向延伸，並且以與設置於陣列基板(省略圖示)之非顯示區域NAA之單片電路部737於俯視時重疊的形式配置。藉此，即便於自單片電路部737產生雜訊之情形時，亦可藉由各接地電極57將其雜訊遮蔽，因此，觸控面板圖案之位置檢測性能不易劣化。尤其是，複數個檢測電極738中於X軸方向位於最端部之寬幅檢測電極749之電容值不易產生變動等，因此，更不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。進而，接地電極57係以亦與位置檢測配線部740於俯視時重疊之形式配置。藉此，可避免於位置檢測配線部740與檢測電極738之間產生多餘之電容耦合，因此，觸控面板圖案之位置檢測性能更不易劣化。
<實施形態9>
利用圖26對本發明之實施形態9進行說明。於本實施形態9中，表示於上述實施形態2記載之CF基板811a之非顯示區域NAA設置有上述實施形態8記載之接地電極857者。再者，對與上述實施形態2、8相同之構造、作用及效果省略重複之說明。
根據本實施形態之接地電極857，如圖26所示，即便於自單片電路部837產生雜訊之情形時，亦可將其雜訊遮蔽，因此，觸控面板圖案之位置檢測性能不易劣化。尤其是，複數個檢測電極838中於X軸方向位於最端部之分支型檢測電極850之電容值不易產生變動等，因此，更不易產生位置檢測靈敏度於端側局部降低之現象。
<其他實施形態>
本發明並不限定於根據上述記述及圖式所說明之實施形態，例如如下之實施形態亦包含於本發明之技術範圍內。
(1)於上述各實施形態中，表示將檢測電極(包含寬幅檢測電極及分支型檢測電極)、浮動電極(包含窄幅浮動電極)、分支電極間浮動電 極、第2浮動電極、及接地電極分別設置於CF基板之外表面的情形，但於例如採用在CF基板之正側以積層之形式配置蓋板之構成的情形時，亦可將自該等各電極中適當地選擇之1個或複數個設置於上述蓋板中之CF基板側之板面。
(2)於上述實施形態4~9中，表示將第2浮動電極及接地電極分別設置於CF基板之外表面的情形，但亦可將該等第2浮動電極及接地電極中之任一者設置於CF基板之內表面。
(3)於上述各實施形態中，表示於CF基板之內表面設置驅動電極之情形，但亦可將例如設置於陣列基板之內表面之共通電極以成為與上述驅動電極相同之平面構成之方式圖案化，並且使其同時具有驅動電極之功能。於該情形時，將用於顯示之信號與用於位置檢測之信號於時間上前後錯開地輸入至陣列基板之共通電極即可。
(4)關於上述實施形態1、6、8記載之寬幅檢測電極之具體之寬度(與中央側之檢測電極之寬度之差)，除圖示以外，亦可適當進行變更。
(5)關於上述實施形態2、3、7、9記載之分支型檢測電極之分支數、各分支電極之寬度、分支電極間浮動電極之寬度等具體之數值，除圖示以外，亦可適當進行變更。
(6)亦可對上述實施形態3記載之構成組合設置實施形態4、5記載之第2浮動電極。
(7)亦可對上述實施形態3記載之構成組合設置實施形態8、9記載之接地電極。
(8)亦可將實施形態5記載之構成(將第2浮動電極設置於與檢測電極及浮動電極不同之形成層之構成)組合於上述實施形態6、7記載之構成。
(9)亦可設為如下構成，即，將上述實施形態8、9記載之接地電 極與實施形態5記載之第2浮動電極同樣地設置於與檢測電極及浮動電極不同之形成層。
(10)於上述各實施形態中，對如下構成之液晶面板(FFS模式之液晶面板)進行了例示，即，於陣列基板側一併配置有像素電極與共通電極，並且像素電極與共通電極以於中間介置有絕緣膜之形式重疊，但亦可對如下構成之液晶面板(VA(Vertical Alignment，垂直配向)模式之液晶面板)應用本發明，即，於陣列基板側配置像素電極並且於CF基板側配置共通電極，並且像素電極與共通電極以於中間介置有液晶層之形式重疊。除此以外，亦可對所謂之IPS模式之液晶面板應用本發明。
(11)亦可於上述各實施形態所記載之構成中省略虛設配線部、單片電路部等。
(12)於上述各實施形態中，示出觸控面板圖案之觸控區域與液晶面板之顯示區域相互一致之構成者，但兩者並非必須完全一致，例如觸控面板圖案之觸控區域亦可設定為跨及液晶面板之顯示區域之整個區域與非顯示區域之一部分(靠近顯示區域之部分)的範圍。
(13)於上述各實施形態中，例示將半導體膜設為CG矽薄膜(多晶矽薄膜)之情形，但除此以外，亦可將例如氧化物半導體或非晶矽用作半導體膜之材料。
(14)於上述各實施形態中，例示液晶面板之彩色濾光片設為紅色、綠色及藍色之3色構成者，但亦可對具備對紅色、綠色及藍色之各著色部添加黃色之著色部而設為4色構成之彩色濾光片者應用本發明。
(15)於上述各實施形態中，對具備作為外部光源之背光裝置之透過型之液晶顯示裝置進行了例示，但本發明亦可應用於利用外界光進行顯示之反射型液晶顯示裝置，於該情形時，可省略背光裝置。又， 本發明亦可應用於半透過型液晶顯示裝置。
(16)於上述各實施形態中，對分類為小型或中小型且用於攜帶型資訊終端、行動電話(包含智慧型手機)、筆記型電腦(包含平板型筆記型電腦)、數位相框、攜帶型遊戲機等各種電子機器等之液晶面板進行了例示，但亦可對畫面大小為例如20英吋~90英吋而分類為中型或大型(超大型)的液晶面板應用本發明。於該情形時，可將液晶面板用於電視接收裝置、電子看板(數位標牌)、電子黑板等電子機器。
(17)於上述各實施形態中，對設為在一對基板間夾持有液晶層之構成之液晶面板進行了例示，但亦可對在一對基板間夾持有液晶材料以外之功能性有機分子之顯示面板應用本發明。
(18)於上述各實施形態中，使用TFT作為液晶面板之切換元件，但亦可應用於具備使用TFT以外之切換元件(例如薄膜二極體(TFD，Thin Film Diode))之液晶面板之液晶顯示裝置，除具備彩色顯示之液晶面板之液晶顯示裝置以外，亦可應用於具備黑白顯示之液晶面板之液晶顯示裝置。
(19)於上述各實施形態中，對使用液晶面板作為顯示面板之液晶顯示裝置進行了例示，但亦可對使用其他類型之顯示面板(PDP(Plasma Display Panel，電漿顯示面板)、有機EL面板、EPD(electrophoretic display，電泳顯示器)(電泳顯示面板)等)之顯示裝置應用本發明。於該情形時，亦可省略背光裝置。
11a‧‧‧陣列基板
37‧‧‧單片電路部
38‧‧‧檢測電極(第1位置檢測電極)
39‧‧‧驅動電極(第2位置檢測電極)
39S‧‧‧分割驅動電極
40‧‧‧位置檢測配線部
40a‧‧‧第1配線部
40b‧‧‧第2配線部
44‧‧‧透明電極膜
45‧‧‧浮動電極(第1浮動電極)
45S‧‧‧分割浮動電極(分割第1浮動電極)
46‧‧‧金屬膜
47‧‧‧虛設配線部
48‧‧‧窄幅浮動電極
49‧‧‧寬幅檢測電極(寬幅第1位置檢測電極)
AA‧‧‧顯示區域
NAA‧‧‧非顯示區域
TPP‧‧‧觸控面板圖案(位置輸入裝置)

Claims (10)

  1. 一種位置輸入裝置，其包括：複數個第1位置檢測電極，其等沿著第1方向延伸，並且沿著與上述第1方向正交之第2方向排列配置；複數個第2位置檢測電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時重疊之形式沿著上述第2方向延伸，並且沿著上述第1方向排列配置，且於與上述第1位置檢測電極之間形成靜電電容；複數個浮動電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時相鄰之形式配置，並且以相對於複數個上述第2位置檢測電極於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之上述第1位置檢測電極之間、及與重疊之上述第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容；及寬幅第1位置檢測電極，其包含於複數個上述第1位置檢測電極中且於上述第2方向上位於最端部，並且其寬度較中央側之第1位置檢測電極更寬。
  2. 一種位置輸入裝置，其包括：複數個第1位置檢測電極，其等沿著第1方向延伸，並且沿著與上述第1方向正交之第2方向排列配置；複數個第2位置檢測電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時重疊之形式沿著上述第2方向延伸，並且沿著上述第1方向排列配置，且於與上述第1位置檢測電極之間形成靜電電容；複數個浮動電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時相鄰之形式配置，並且以相對於複數個上述第2位 置檢測電極於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之上述第1位置檢測電極之間、及與重疊之上述第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容；分支型第1位置檢測電極，其係包含於複數個上述第1位置檢測電極中且於上述第2方向上位於最端部者，且係將沿著上述第1方向延伸並且沿著上述第2方向排列配置之複數個分支電極相互連接而成；及分支電極間浮動電極，其以夾於複數個上述分支電極之間之形式配置，且於與複數個上述分支電極之間形成靜電電容。
  3. 如請求項2之位置輸入裝置，其中上述分支型第1位置檢測電極係以複數個上述分支電極之合計寬度與複數個上述第1位置檢測電極中之中央側者之寬度相等的方式構成。
  4. 一種位置輸入裝置，其包括：複數個第1位置檢測電極，其等沿著第1方向延伸，並且沿著與上述第1方向正交之第2方向排列配置；複數個第2位置檢測電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時重疊之形式沿著上述第2方向延伸，並且沿著上述第1方向排列配置，且於與上述第1位置檢測電極之間形成靜電電容；複數個第1浮動電極，其等以各自相對於複數個上述第1位置檢測電極於俯視時相鄰之形式配置，並且以相對於複數個上述第2位置檢測電極於俯視時重疊之形式配置，且於與相鄰之上述第1位置檢測電極之間、及與重疊之上述第2位置檢測電極之間分別形成靜電電容；及第2浮動電極，其以相對於相對於複數個上述第1位置檢測電極中於上述第2方向上位於最端部者於上述第2方向上於端側相 鄰之上述第1浮動電極、進而於上述第2方向上於端側相鄰的形式配置，並且以不與上述第2位置檢測電極重疊之方式配置，且於與位於最端部之上述第1位置檢測電極之間形成靜電電容。
  5. 如請求項4之位置輸入裝置，其中上述第1浮動電極包括以各自相對於複數個上述第2位置檢測電極重疊之方式於上述第1方向上被分割的複數個分割第1浮動電極，相對於此，上述第2浮動電極係以與上述分割第1浮動電極相比於上述第1方向上較長地延伸之形式設置。
  6. 如請求項4或5之位置輸入裝置，其中上述第2浮動電極包含與上述第1浮動電極相同之透明電極膜。
  7. 如請求項4或5之位置輸入裝置，其中上述第1浮動電極之形成層與上述第2浮動電極之形成層設為互不相同者，且包括以介置於其等之間之形式配置之絕緣層。
  8. 如請求項1至7中任一項之位置輸入裝置，其中複數個上述浮動電極或複數個上述第1浮動電極中包含在上述第2方向上位於最端部且其寬度較中央側者更窄之窄幅浮動電極或窄幅第1浮動電極。
  9. 一種具有位置輸入功能之顯示裝置，其至少包括如請求項1至8中任一項位置輸入裝置、及包含上述位置輸入裝置之顯示面板。
  10. 如請求項9之具有位置輸入功能之顯示裝置，其中上述顯示面板包括：陣列基板，其至少包含配置於顯示圖像之顯示區域之顯示元件；及對向基板，其與上述陣列基板以形成對向狀之形式空開間隔而配置；將上述第2位置檢測電極於上述對向基板中之朝向上述陣列基板側之板面設置於上述顯示區域，相對於此，將上述第1位置檢 測電極與上述浮動電極或上述第1浮動電極於上述對向基板中之朝向與上述陣列基板側為相反側之板面設置於上述顯示區域，藉此將上述位置輸入裝置與上述顯示面板一體化。
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