JP7646781B1 - 配線基板及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】第１配線からの電界による悪影響を低減させる。
【解決手段】配線基板２１は、第１方向に沿って延在する第１配線２７と、第１方向に沿って延在する第２配線４０と、第２配線４０に接続される第１電極２９と、第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第３配線４２と、第１配線２７に接続されて、第２配線４０及び第３配線４２には非接続とされる信号供給部１２と、を備え、第１配線２７は、第２方向について間隔を空けて２つ配され、第２配線４０は、第２方向について間隔を空けた位置にて２つの第１配線２７に対して絶縁膜３５，３６を介して重畳して２つ配され、信号供給部１２は、２つの第１配線２７のうちの一方の第１配線２７αに対して第１信号を、２つの第１配線２７のうちの他方の第１配線２７βに対して第１信号とは極性が反転した第２信号を、それぞれ供給し、第３配線４２は、２つの第２配線４０に接続される。
【選択図】図６

Description

本明細書が開示する技術は、配線基板及び表示装置に関する。

従来、表示装置に備わる配線基板の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１には、配線基板としてディスプレイ装置の内蔵型タッチパネルのアレイ基板が記載されている。この内蔵型タッチパネルは、複数のサブピクセルを備えたアレイ基板と、前記アレイ基板上に設けられ、互いに交差して絶縁する複数のゲート線とデータ線と、同じ層に設置され、互いに独立する複数の自己容量電極と、各前記自己容量電極をそれぞれタッチ検出チップに接続した複数のタッチコントロール線と、を有し、前記複数のゲート線と前記データ線が互いに交差して前記複数のサブピクセルを画定し、各サブピクセルは、長辺及び短辺を有し、ピクセル電極を含み、前記タッチコントロール線が前記サブピクセルの短手方向に沿って延びるように設けられる。この内蔵型タッチパネルは、新たなピクセル構造によって設計されるため、タッチコントロール線の位置が最適化され、開口率を向上させ、消費電力を低減することができる。

特表２０１８－５０９６６２号公報

上記した特許文献１に記載された内蔵型タッチパネルにおいては、タッチコントロール線と同じ層に設置され互いに絶縁する複数の金属線が形成されており、これら複数の金属線が自己容量電極に対してビアホールを介して電気的に接続されることで、抵抗値の高い自己容量電極の抵抗を降下させることができる。しかしながら、例えば自己容量電極に対して金属線が正常に接続されていない場合には、自己容量電極と金属線との接続抵抗が高くなってしまう。このため、データ線からの電界が、金属線を介して金属線の近くに存在するスイッチング素子に悪影響を及ぼすおそれがある。

本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、第１配線からの電界による悪影響を低減させることを目的とする。

（１）本明細書に記載の技術に関わる配線基板は、第１方向に沿って延在する第１配線と、前記第１方向に沿って延在する第２配線と、前記第２配線に接続される第１電極と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第３配線と、前記第１配線に接続されて、前記第２配線及び前記第３配線には非接続とされる信号供給部と、を備え、前記第１配線は、前記第２方向について間隔を空けて２つ配され、前記第２配線は、前記第２方向について間隔を空けた位置にて２つの前記第１配線に対して絶縁膜を介して重畳して２つ配され、前記信号供給部は、２つの前記第１配線のうちの一方の前記第１配線に対して第１信号を、２つの前記第１配線のうちの他方の前記第１配線に対して前記第１信号とは極性が反転した第２信号を、それぞれ供給し、前記第３配線は、２つの前記第２配線に接続される。

（２）また、上記は、上記（１）に加え、前記第１方向に沿って延在していて前記第１電極に接続配線基板される第４配線と、前記第２方向に沿って延在する第５配線と、を備え、前記第４配線は、前記第２方向について間隔を空けて２つ配され、前記第１配線は、前記第２方向について間隔を空けた位置にて２つの前記第４配線に対して絶縁膜を介して重畳して２つ配され、前記信号供給部は、２つの前記第４配線に第３信号を、２つの前記第４配線と重畳する２つの前記第１配線のうちの一方の前記第１配線には第４信号を、２つの前記第４配線と重畳する２つの前記第１配線のうちの他方の前記第１配線には前記第４信号とは極性が反転した第５信号を、それぞれ供給し、前記第５配線は、２つの前記第４配線に接続されてもよい。

（３）また、上記配線基板は、上記（１）または上記（２）に加え、第２電極と、前記第１配線及び前記第２電極に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記第２配線は、その一部が前記スイッチング素子の少なくとも一部に対して絶縁膜を介して重畳して配されてもよい。

（４）また、上記配線基板は、上記（１）から上記（３）のいずれかに加え、前記第３配線は、前記第１方向について間隔を空けた位置に複数配され、複数の前記第３配線は、２つの前記第２配線のそれぞれに接続されてもよい。

（５）本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、上記（１）から上記（４）のいずれかに記載の配線基板と、前記配線基板に対して間隔を空けて対向して配される対向基板と、を備える。

本明細書に記載の技術によれば、第１配線からの電界による悪影響を低減させることができる。

実施形態１に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル、ドライバ及びフレキシブル基板などの平面図 実施形態１に係る液晶パネル、ドライバ及びフレキシブル基板などの断面図 実施形態１に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の電気的構成を示す回路図 実施形態１に係る液晶パネルのうちのソース配線、タッチ配線、第１接続配線及び画素電極付近の断面構成を示す断面図 実施形態１に係るアレイ基板のうちのＴＦＴ及びタッチ配線付近の断面構成を示す断面図 実施形態１に係るタッチ電極と、ゲート配線、ソース配線、タッチ配線、各接続配線及び各短絡配線と、の関係を概略的に示す平面図 実施形態１に係るアレイ基板のうちのＴＦＴ及び第１接続配線付近の断面構成を示す断面図 実施形態１に係るアレイ基板のうちの第１短絡配線及びゲート配線付近の断面構成を示す断面図 実施形態２に係るタッチ電極と、ゲート配線、ソース配線、タッチ配線、各接続配線及び各短絡配線と、の関係を概略的に示す平面図 実施形態３に係るタッチ電極と、ゲート配線、ソース配線、タッチ配線、各接続配線及び各短絡配線と、の関係を概略的に示す平面図 実施形態４に係るタッチ電極と、ゲート配線、ソース配線、タッチ配線、各接続配線及び各短絡配線と、の関係を概略的に示す平面図 実施形態５に係るタッチ電極と、ゲート配線、ソース配線、タッチ配線、各接続配線及び各短絡配線と、の関係を概略的に示す平面図

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図８によって説明する。本実施形態では、表示機能及びタッチパネル機能（位置入力機能）を備える液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図２，図４，図５，図７及び図８の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。

液晶表示装置１０は、図１に示すように、横長の方形状をなしていて画像を表示可能な液晶パネル（表示装置、表示パネル）１１と、液晶パネル１１に対して表示に利用するための光を照射する外部光源であるバックライト装置（照明装置）と、を少なくとも備える。バックライト装置は、液晶パネル１１に対して裏側（背面側）に配置され、白色の光（白色光）を発する光源（例えばＬＥＤなど）や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。液晶パネル１１は、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域ＡＡとされる。これに対し、液晶パネル１１の画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。

液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡには、図１に示すように、回路部（周辺回路部、ゲート回路部）１４が設けられている。回路部１４は、表示領域ＡＡをＸ軸方向について両側から挟み込む形で一対が配されている。回路部１４は、Ｙ軸方向に沿って延在する帯状の範囲に設けられている。回路部１４は、後述するゲート配線２６に走査信号を供給するためのものであり、後述するアレイ基板２１にモノリシックに設けられている。回路部１４は、ＧＤＭ（Gate Driver Monolithic）回路である。回路部１４は、走査信号を所定のタイミングで出力するシフトレジスタ回路や走査信号を増幅するためのバッファ回路等を含む。

液晶パネル１１に関して図１に加えて図２を参照して詳しく説明する。液晶パネル１１は、図１及び図２に示すように、一対の基板２０，２１を貼り合わせてなる。一対の基板２０，２１のうち表側（正面側）が対向基板（ＣＦ基板）２０とされ、裏側（背面側）がアレイ基板（配線基板）２１とされる。対向基板２０及びアレイ基板２１は、いずれもガラス基板（基板）２０ＧＳ，２１ＧＳの内面側に各種の膜が積層形成されてなる。一対の基板２０，２１間には、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）２２が介在して配される。一対の基板２０，２１の外周端部間には、液晶層２２をシールするシール部２３が介在して設けられている。シール部２３は、液晶層２２を取り囲むよう方形の枠状（無端環状）に形成されている。なお、両基板２０，２１の外面側には、それぞれ偏光板１５が貼り付けられている。

対向基板２０は、図１及び図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板２１の短辺寸法よりも短い。対向基板２０は、アレイ基板２１に対して短辺方向（Ｙ軸方向）についての一方の端部が揃う形で貼り合わせられている。従って、アレイ基板２１のうち、短辺方向についての他方の端部は、対向基板２０に対して側方に突き出して露出する露出部２１Ａとされる。この露出部２１Ａは、全域が非表示領域ＮＡＡであり、次述する表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するためのドライバ（信号供給部）１２及びフレキシブル基板１３が実装されている。

図１及び図２に示されるドライバ１２は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなる。ドライバ１２は、アレイ基板２１の露出部２１Ａに対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。ドライバ１２は、フレキシブル基板１３によって伝送される各種信号を処理する。ドライバ１２は、表示領域ＡＡの配線（具体的には後述するソース配線２７及びタッチ配線３０）に対して各種信号（例えば画像信号、タッチ信号など）を供給するものである。フレキシブル基板１３は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板１３は、図１及び図２に示すように、その一端側がアレイ基板２１の露出部２１Ａに、他端側が外部の回路基板（コントロール基板など）に、それぞれ接続されている。フレキシブル基板１３は、露出部２１Ａのうち、ドライバ１２に対してＹ軸方向について表示領域ＡＡ側とは反対側の端部に接続されている。

本実施形態に係る液晶パネル１１は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能と、を併有している。液晶パネル１１には、タッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンが一体化（インセル化）されている。このタッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図１に示すように、液晶パネル１１の板面内においてマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極（第１電極、位置検出電極）２９から構成されている。タッチ電極２９は、液晶パネル１１の表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１１の表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域（位置入力領域）とほぼ一致しており、非表示領域ＮＡＡが入力位置を検出不能な非タッチ領域（非位置入力領域）とほぼ一致している。そして、使用者が視認する液晶パネル１１の表示領域ＡＡの画像に基づいて位置入力をしようとして液晶パネル１１の表面（表示面）に導電体である指（位置入力体）を近づけると、その指とタッチ電極２９との間で静電容量が形成されることになる。これにより、指の近くにあるタッチ電極２９にて検出される静電容量には指が近づくのに伴って変化が生じ、指から遠くにあるタッチ電極２９とは異なるものとなるので、それに基づいて入力位置を検出することが可能となる。なお、図１での図示以外にも、タッチ電極２９の具体的な設置数は、適宜に変更可能である。タッチ電極２９は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数ｍｍ程度とされる。従って、タッチ電極２９は、平面に視た大きさが後述する画素よりも遙かに大きく、Ｘ軸方向及びＹ軸方向について複数ずつの画素に跨る範囲に配置されている。

複数のタッチ電極２９には、図１に示すように、液晶パネル１１に設けられた複数のタッチ配線（第４配線、位置検出配線）３０が選択的に接続されている。タッチ配線３０は、概ねＹ軸方向に沿って延在しており、一端側が非表示領域ＮＡＡにてドライバ１２に対して接続されるのに対し、他端側が表示領域ＡＡにてＹ軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極２９のうちの特定のタッチ電極２９に対して接続されている。さらにタッチ配線３０は、検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ１２に備えられていても構わないが、フレキシブル基板１３を介して液晶パネル１１の外部に備えられていても構わない。タッチ配線３０の詳しい構成については、後に改めて説明する。

次に、アレイ基板２１における表示領域ＡＡの構成について図３を用いて説明する。アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図３に示すように、ＴＦＴ（スイッチング素子、トランジスタ）２４及び画素電極（第２電極）２５が少なくとも設けられている。ＴＦＴ２４及び画素電極２５は、複数ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って間隔を空けて並んでマトリクス状（行列状）に設けられている。これらＴＦＴ２４及び画素電極２５の周りには、互いに直交（交差）するゲート配線（第６配線、走査配線）２６及びソース配線（第１配線、画像配線、信号配線）２７が配設されている。ゲート配線２６は、Ｘ軸方向に沿って延在し、Ｙ軸方向について間隔を空けて複数が配されている。ソース配線２７は、Ｙ軸方向（第１方向）に沿って延在し、Ｘ軸方向（第１方向と交差する第２方向）について間隔を空けて複数が配されている。ＴＦＴ２４は、ゲート配線２６に接続されるゲート電極２４Ａと、ソース配線２７に接続されるソース電極２４Ｂと、画素電極２５に接続されるドレイン電極２４Ｃと、ソース電極２４Ｂ及びドレイン電極２４Ｃに接続される半導体部２４Ｄと、を有する。そして、ＴＦＴ２４は、ゲート配線２６によってゲート電極２４Ａに供給される走査信号に基づいて駆動される。すると、ドライバ１２からソース配線２７によってソース電極２４Ｂに供給される画像信号（第１信号、第２信号、第４信号、第５信号）に係る電位が、半導体部２４Ｄを介してドレイン電極２４Ｃに供給される。その結果、画素電極２５は、画像信号に係る電位に充電される。画素電極２５は、ゲート配線２６とソース配線２７とに取り囲まれた領域に配されており、平面形状が例えば略長方形をなしている。また、複数の画素電極２５には、スリットがそれぞれ開口形成されている。なお、図３では、スリットの図示を省略している。

続いて、図４を用いて液晶パネル１１における画素電極２５の中央部付近の断面構成を説明する。液晶パネル１１を構成する対向基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、図４に示すように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ３１が設けられている。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ３１は、ゲート配線２６の延在方向（Ｘ軸方向）に隣り合うよう並んで配される。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ３１は、ソース配線２７の延在方向（概ねＹ軸方向）に沿って延在している。このように、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ３１は、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ３１は、アレイ基板２１側の各画素電極２５と平面に視て重畳する配置とされており、画素電極２５と共に表示単位である画素を構成している。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ３１は、その境界（色境界）がソース配線２７と重畳する配置とされる。対向基板２０における内面側には、カラーフィルタ３１の下層側に位置する遮光部（画素間遮光部、ブラックマトリクス）３２が設けられている。遮光部３２は、優れた遮光性を有する遮光性材料からなる。遮光部３２は、バックライト装置などから照射される光を遮ることができる。表示領域ＡＡにおいて遮光部３２は、平面形状が略格子状をなしており、隣り合う画素電極２５（画素）の間を仕切っている。遮光部３２は、アレイ基板２１側の少なくともゲート配線２６及びソース配線２７と平面に視て重畳する配置とされる。また、カラーフィルタ３１の上層側（液晶層２２側）には、平坦化のために対向基板２０のほぼ全域にわたってベタ状に配されるオーバーコート膜３３が設けられている。なお、両基板２０，２１のうち、液晶層２２に接する最内面（最上層）には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜がそれぞれ形成されている。

アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図４に示すように、全ての画素電極２５と重畳する形で共通電極２８が形成されている。共通電極２８は、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在している。共通電極２８は、画素電極２５に対して下層側（ガラス基板２１ＧＳ側）に後述する第３層間絶縁膜３８を介して配されている。共通電極２８には、共通電位（基準電位）とされる共通電位信号が供給される。ＴＦＴ２４の駆動に伴って画素電極２５がソース配線２７に伝送される画像信号に基づく電位に充電されると、画素電極２５と共通電極２８との間には電位差が生じる。すると、画素電極２５におけるスリットの開口縁と共通電極２８との間には、アレイ基板２１の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板２１の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じる。従って、このフリンジ電界を利用することで液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができ、この液晶分子の配向状態に基づいて所定の表示がなされる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。

共通電極２８は、図１に示すように、既述したタッチ電極２９を構成している。共通電極２８は、隣り合うタッチ電極２９の間を仕切る仕切開口部（仕切スリット）２８Ａを有する。仕切開口部２８Ａは、概ねＸ軸方向に沿って共通電極２８の全長にわたって横断する第１仕切開口部２８Ａ１と、概ねＹ軸方向に沿って共通電極２８の全長にわたって縦断する第２仕切開口部２８Ａ２と、からなり、全体としては平面に視て略格子状をなしている。共通電極２８は、仕切開口部２８Ａによって平面に視て略碁盤目状に分割されて相互が電気的に独立した複数のタッチ電極２９からなる。Ｙ軸方向に沿って並ぶタッチ電極２９は、第１仕切開口部２８Ａ１により仕切られるのに対し、Ｘ軸方向に沿って並ぶタッチ電極２９は、第２仕切開口部２８Ａ２により仕切られている。このようなタッチ電極２９に接続されたタッチ配線３０には、ドライバ１２から、画像表示機能に係る共通電位信号（第３信号）と、タッチパネル機能に係るタッチ信号（第３信号、位置検出信号）と、が時分割して供給されるようになっている。ドライバ１２からタッチ配線３０に共通電位信号が供給されるタイミングが表示期間であり、ドライバ１２からタッチ配線３０にタッチ信号が供給されるタイミングがセンシング期間（位置検出期間）である。この共通電位信号は、同じタイミング（表示期間）で全てのタッチ配線３０に伝送されることで、全てのタッチ電極２９が共通電位信号に基づく基準電位となって共通電極２８として機能する。

タッチ配線３０は、図４に示すように、ソース配線２７に対して平面に視て重畳して配されている。タッチ配線３０は、図１に示すように、Ｙ軸方向に隣り合うタッチ電極２９の間を仕切る第１仕切開口部２８Ａ１を横切って配される。

ここで、アレイ基板２１の内面側に積層形成された各種の膜について図５を参照しつつ説明する。図５には、アレイ基板２１のうちのＴＦＴ２４及びタッチ配線３０付近の断面構成が示されている。アレイ基板２１のガラス基板（基板）２１ＧＳには、図５に示すように、下層側（ガラス基板２１ＧＳ側）から順に第１金属膜、ゲート絶縁膜３４、半導体膜、第２金属膜（第１導電膜）、第１層間絶縁膜（絶縁膜）３５、平坦化膜（絶縁膜）３６、第３金属膜（第２導電膜）、第２層間絶縁膜（絶縁膜）３７、第１透明電極膜、第３層間絶縁膜（絶縁膜）３８、第２透明電極膜、配向膜が積層形成されている。

第１金属膜、第２金属膜及び第３金属膜は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜は、ゲート配線２６やＴＦＴ２４のゲート電極２４Ａ等を構成する。第２金属膜は、ソース配線２７、ＴＦＴ２４のソース電極２４Ｂ及びドレイン電極２４Ｃ等を構成する。第３金属膜は、タッチ配線３０等を構成する。第１透明電極膜及び第２透明電極膜は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等）からなる。第１透明電極膜は、共通電極２８（タッチ電極２９）等を構成する。第２透明電極膜は、画素電極２５等を構成する。配向膜は、既述した通りである。

半導体膜は、酸化物半導体材料からなり、ＴＦＴ２４の半導体部２４Ｄ等を構成する。半導体膜は、例えば、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち少なくとも１種の金属元素を含んでもよく、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体（例えば酸化インジウムガリウム亜鉛）であってよい。ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。半導体膜に用いるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。半導体膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の代わりに、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＩｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（例えばＩｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２－ＺｎＯ；ＩｎＳｎＺｎＯ）を含んでもよい。Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）およびＺｎ（亜鉛）の三元系酸化物である。あるいは、酸化物半導体層は、Ｗ（タングステン）を含んだＩｎ－Ｗ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｗ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ａｌ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドミウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｏ系半導体、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｈｆ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。半導体膜の酸化物半導体材料は、ポリシリコン半導体材料に比べると、電圧が印加されない状態（オフ状態）での抵抗値が高い特性を有する。また、半導体膜の酸化物半導体材料は、アモルファスシリコン半導体材料に比べると、高い電子移動度を有している。

ゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８の膜厚は、第１透明電極膜及び第２透明電極膜の膜厚よりも大きい。平坦化膜３６は、例えばＰＭＭＡ（アクリル樹脂）などの有機材料からなる。平坦化膜３６の膜厚は、ゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８の膜厚よりも遙かに大きい。この平坦化膜３６によりアレイ基板２１の内面（液晶層２２側の面）が平坦化される。ゲート絶縁膜３４は、下層側の第１金属膜と、上層側の半導体膜及び第２金属膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第１金属膜からなるゲート配線２６と、第２金属膜からなるソース配線２７と、の交差箇所は、ゲート絶縁膜３４により絶縁状態に保たれる。また、ＴＦＴ２４において、第１金属膜からなるゲート電極２４Ａと、半導体膜からなる半導体部２４Ｄと、の重畳箇所は、ゲート絶縁膜３４により絶縁状態に保たれる。第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６は、下層側の半導体膜及び第２金属膜と、上層側の第３金属膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第２金属膜からなるソース配線２７と、第３金属膜からなるタッチ配線３０と、の重畳箇所は、第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６により絶縁状態に保たれる。第２層間絶縁膜３７は、下層側の第３金属膜と、上層側の第１透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第３金属膜からなるタッチ配線３０と、第１透明電極膜からなる共通電極２８（タッチ電極２９）と、の重畳箇所は、第２層間絶縁膜３７により絶縁状態に保たれる。第３層間絶縁膜３８は、下層側の第１透明電極膜と、上層側の第２透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第１透明電極膜からなる共通電極２８（タッチ電極２９）と、第２透明電極膜からなる画素電極２５と、の重畳箇所は、第３層間絶縁膜３８により絶縁状態に保たれる。

ＴＦＴ２４の構成について詳しく説明する。ＴＦＴ２４は、図５に示すように、第１金属膜からなるゲート電極２４Ａが、半導体膜からなる半導体部２４Ｄに対してゲート絶縁膜３４を介して下層側に位置している。つまり、ＴＦＴ２４は、ボトムゲート型のトランジスタである、と言える。ゲート電極２４Ａは、Ｘ軸方向に沿って延在するゲート配線２６を部分的に拡幅して形成されている。第２金属膜からなるソース電極２４Ｂ及びドレイン電極２４Ｃは、Ｘ軸方向について間隔を空けた位置に配されており、一部ずつが半導体部２４Ｄに対して上層側に直接接する形で接続されている。ソース電極２４Ｂは、Ｙ軸方向に沿って延在するソース配線２７を部分的に拡幅して形成されている。ドレイン電極２４Ｃのうちの半導体部２４Ｄ側とは反対側の端部には、第３金属膜からなる中間電極３９が重畳して配されている。ドレイン電極２４Ｃと中間電極３９との間に介在する第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６には、第１画素コンタクトホールＣＨ１が連通して形成されている。ドレイン電極２４Ｃ及び中間電極３９は、第１画素コンタクトホールＣＨ１を通して接続されている。中間電極３９は、第２透明電極膜からなる画素電極２５の一部と重畳して配されている。中間電極３９と画素電極２５の一部との間に介在する第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８には、第２画素コンタクトホールＣＨ２が連通して形成されている。中間電極３９及び画素電極２５は、第２画素コンタクトホールＣＨ２を通して接続されている。また、共通電極２８のうち、第２画素コンタクトホールＣＨ２と重畳する部分には、画素電極２５を通すための開口が形成されている。

タッチ電極２９（共通電極２８）とタッチ配線３０との接続構造について説明する。第３金属膜からなるタッチ配線３０と、第１透明電極膜からなるタッチ電極２９と、の間には、図５に示すように、第２層間絶縁膜３７が介在している。第２層間絶縁膜３７には、タッチ配線３０とタッチ電極２９とを接続するための第１コンタクトホールＣＨ３が開口形成されている。第１コンタクトホールＣＨ３は、タッチ配線３０と、そのタッチ配線３０が接続対象とされるタッチ電極２９と、の双方と重畳する位置に配されている。詳しくは、第１コンタクトホールＣＨ３は、タッチ配線３０及びタッチ電極２９の双方と重畳する複数のＴＦＴ２４に含まれる所定のＴＦＴ２４に備わるソース電極２４Ｂ及び半導体部２４Ｄの一部ずつと重畳して配されている。第１コンタクトホールＣＨ３は、互いに接続されるタッチ電極２９及びタッチ配線３０に対して複数（図６では８つ）、Ｙ軸方向について間隔を空けた位置に配されている。タッチ配線３０は、ソース配線２７と同様に、部分的に拡幅されており、その拡幅部分がソース電極２４Ｂ及び半導体部２４Ｄの一部ずつと、第１コンタクトホールＣＨ３と、に対して重畳する配置となっている。

アレイ基板２１には、図６に示すように、タッチ電極２９に接続される複数の第１接続配線（第２配線）４０と、一部の第１接続配線４０に接続される第２接続配線４１と、が設けられている。図６では、複数のタッチ電極２９の中から１つのタッチ電極２９を取り上げて図示するとともに、そのタッチ電極２９と関係するゲート配線２６、ソース配線２７、タッチ配線３０、第１接続配線４０及び第２接続配線４１等を図示している。なお、図６では、タッチ配線３０に対して重畳するソース配線２７を、タッチ配線３０に対して図６の左側に隣り合うよう図示している。

第１接続配線４０は、図６に示すように、タッチ配線３０と同様に、概ねＹ軸方向に沿って延在する。第１接続配線４０は、接続対象のタッチ電極２９と重畳して配され、Ｙ軸方向についての形成範囲が、接続対象のタッチ電極２９の同形成範囲に限られている。第１接続配線４０は、接続対象のタッチ電極２９に対して複数箇所（図６では２箇所）で接続されている。このような第１接続配線４０によってタッチ電極２９の抵抗分布が低減される。第１接続配線４０は、ドライバ１２には非接続とされる。第１接続配線４０は、タッチ配線３０と同層に位置し、ソース配線２７に対して平面に視て重畳して配されている。なお、図６では、第１接続配線４０に対して重畳するソース配線２７を、第１接続配線４０に対して図６の左側に隣り合うよう図示している。第１接続配線４０は、ソース配線２７及びタッチ配線３０と同様に、Ｙ軸方向に沿って延在している。第１接続配線４０は、接続対象のタッチ電極２９と、そのタッチ電極２９に対してＹ軸方向について隣り合うタッチ電極２９と、の間を仕切る第１仕切開口部２８Ａ１を横切ることがない。

第１接続配線４０は、図６に示すように、接続対象のタッチ電極２９において、Ｘ軸方向について複数が偏った位置に纏めて配されている。具体的には、複数の第１接続配線４０は、接続対象のタッチ電極２９のうちの図６の右側の領域に偏在するよう配置されている。図６では、１２本の第１接続配線４０が、接続対象のタッチ電極２９のうちの図６の右側の領域に一纏めにして配置される場合を図示している。これに対し、タッチ配線３０は、複数が、タッチ電極２９のうちの図６の左側の領域に偏在するよう配置されている。図６では、４つのタッチ配線３０が、タッチ電極２９のうちの図６の左側の領域に一纏めにして配置される場合を図示している。図６に示される４つのタッチ配線３０のうち、右側の２つのタッチ配線３０が、主として図示されたタッチ電極２９に対して接続されるのに対し、左側の２つのタッチ配線３０が、図示されたタッチ電極２９とは別のタッチ電極２９に対して接続される。なお、複数の第１接続配線４０には、接続対象のタッチ電極２９のうちの図６の左端に位置していて、タッチ配線３０と後述する第２接続配線４１との間に挟まれる関係とされる１つの第１接続配線４０が含まれる。

タッチ電極２９と第１接続配線４０との接続構造について説明する。第１接続配線４０は、図７に示すように、タッチ配線３０と同じ第３金属膜からなる。図７には、アレイ基板２１のうちのＴＦＴ２４及び第１接続配線４０付近の断面構成が示されている。第３金属膜からなる第１接続配線４０と、接続対象のタッチ電極２９と、の間には、第２層間絶縁膜３７が介在している。第２層間絶縁膜３７には、タッチ電極２９と第１接続配線４０とを接続するための第２コンタクトホールＣＨ４が開口形成されている。第２コンタクトホールＣＨ４は、第１接続配線４０と、その第１接続配線４０が接続対象とされるタッチ電極２９と、の双方と重畳する位置に配されている。詳しくは、第２コンタクトホールＣＨ４は、タッチ電極２９及び第１接続配線４０の双方と重畳する複数のＴＦＴ２４に含まれる所定のＴＦＴ２４に備わるソース電極２４Ｂ及び半導体部２４Ｄの一部ずつと重畳して配されている。第２コンタクトホールＣＨ４は、１つの第１接続配線４０に対して複数（図６では２つ）、Ｙ軸方向について間隔を空けた位置に配されている。なお、第１接続配線４０は、ソース配線２７及びタッチ配線３０と同様に、部分的に拡幅されており、その拡幅部分がソース電極２４Ｂ及び半導体部２４Ｄの一部ずつと、第２コンタクトホールＣＨ４と、に対して重畳する配置となっている。また、第３金属膜からなる第１接続配線４０と、第１接続配線４０に対して重畳するソース配線２７と、の間には、第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６が介在していて絶縁状態に保たれている。

第２接続配線４１は、図６に示すように、Ｘ軸方向について隣り合うタッチ電極２９の間を仕切る第２仕切開口部２８Ａ２と重畳して配される。つまり、第２接続配線４１は、タッチ電極２９とは非重畳の配置とされる。第２接続配線４１は、Ｙ軸方向に隣り合うタッチ電極２９の間を仕切る第１仕切開口部２８Ａ１を横切ることがない。第２接続配線４１は、タッチ配線３０及び第１接続配線４０と同じ第３金属膜からなり、ソース配線２７に対して平面に視て重畳して配されている。第２接続配線４１に対して重畳する関係のソース配線２７は、第２仕切開口部２８Ａ２と重畳して配される。なお、図６では、第２接続配線４１に対して重畳するソース配線２７を、第２接続配線４１に対して図６の左側に隣り合うよう図示している。第２接続配線４１は、ソース配線２７、タッチ配線３０及び第１接続配線４０と同様に、Ｙ軸方向に沿って延在している。第２接続配線４１は、後述する第３短絡配線４４を介して所定の第１接続配線４０に接続されている。つまり、第２接続配線４１は、第３短絡配線４４及び第１接続配線４０を介してタッチ電極２９に間接的に接続されている。第２接続配線４１は、Ｙ軸方向についての形成範囲が、接続対象の第１接続配線４０及びタッチ電極２９の同形成範囲に限られている。

上記したように、第１接続配線４０がタッチ電極２９に対して接続されることで、タッチ電極２９の抵抗分布を低減することができる。一方、例えばタッチ電極２９に対して第１接続配線４０が正常に接続されていない場合には、タッチ電極２９と第１接続配線４０との接続抵抗が高くなる。このため、第１接続配線４０に対して第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳するソース配線２７からの電界が、第１接続配線４０を介して第１接続配線４０の近くに存在するＴＦＴ２４（他の素子）に悪影響を及ぼすおそれがある。タッチ電極２９の抵抗分布を低減させるには、タッチ電極２９に対する第１接続配線４０の接続箇所（第２コンタクトホールＣＨ４）を多くする手法も採り得る。しかしながら、タッチ電極２９に対する第１接続配線４０の接続箇所では、第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６に連通して形成される第２コンタクトホールＣＨ４に起因して、アレイ基板２１の内面に局所的な凹部が生じる。この凹部に起因して液晶層２２に含まれる液晶分子の配向が乱れ易く、光漏れが生じ易くなるため、タッチ電極２９に対する第１接続配線４０の接続箇所を多く確保するのが難しい、という事情がある。なお、本実施形態では、タッチ電極２９に対するタッチ配線３０の接続箇所数が、タッチ電極２９に対する第１接続配線４０の接続箇所数よりも多く設定されている。その理由は、タッチ配線３０により伝送される共通電位信号及びタッチ信号を、タッチ電極２９に供給する確実性を担保することが優先されるため、である。

そこで、本実施形態に係るアレイ基板２１には、図６に示すように、複数の第１接続配線４０同士を短絡する第１短絡配線（第３配線）４２が設けられている。第１短絡配線４２は、第１接続配線４０の延在方向（Ｙ軸方向）と交差するＸ軸方向（第２方向）に沿って延在する。第１短絡配線４２は、短絡対象の第１接続配線４０が接続対象とされるタッチ電極２９に対して平面に視て重畳して配されている。第１短絡配線４２は、短絡対象の第１接続配線４０が接続対象とされるタッチ電極２９のうちの図６の右側の領域、つまり短絡対象の第１接続配線４０の配置領域に配置されている。第１短絡配線４２は、タッチ電極２９のうちの図６の右側の領域に配された全ての第１接続配線４０（１２本の第１接続配線４０）に対して接続されている。従って、タッチ電極２９のうちの図６の右側の領域に配された複数の第１接続配線４０は、１つの第１短絡配線４２によって相互に短絡されている。第１短絡配線４２は、複数の第１接続配線４０のうちの図６の下端部に接続されるよう配されている。つまり、第１短絡配線４２は、タッチ電極２９のうちの図６の下端部付近に配されている。また、第１短絡配線４２は、ゲート配線２６に対して平面に視て重畳するよう配されている。なお、図６では、ゲート配線２６に対して重畳する第１短絡配線４２を、ゲート配線２６に対して図６の下側に隣り合うよう図示している。また、図６では、複数のゲート配線２６のうち、第１短絡配線４２や後述する第２短絡配線４３、第３短絡配線４４及び第４短絡配線４５に対して重畳する３つのゲート配線２６のみを図示している。第１短絡配線４２は、ドライバ１２には非接続とされる。

第１短絡配線４２は、図８に示すように、タッチ配線３０及び第１接続配線４０と同じ第３金属膜からなる。従って、第１短絡配線４２は、接続対象の第１接続配線４０に対して直接連なることで接続されている。図８には、アレイ基板２１のうちの第１短絡配線４２及びゲート配線２６付近を、Ｘ軸方向に沿って切断した断面構成が示されている。第３金属膜からなる第１短絡配線４２と、第１短絡配線４２に対して重畳するゲート配線２６と、の間には、ゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６が介在していて絶縁状態に保たれている。第３金属膜からなる第１短絡配線４２と、第１短絡配線４２に対して交差するソース配線２７と、の間には、第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６が介在していて絶縁状態に保たれている。第３金属膜からなる第１短絡配線４２と、第１短絡配線４２に対して重畳するタッチ電極２９と、の間には、第３層間絶縁膜３８が介在していて絶縁状態に保たれている。

ここで、図６に示される複数の第１接続配線４０に対して重畳する関係とされる複数のソース配線２７の中から、Ｘ軸方向について間隔（１つの画素電極２５の幅寸法分程度の間隔）を空けて隣り合う所定の２つのソース配線２７を、第１ソース配線（一方の第１配線）２７α及び第２ソース配線（他方の第１配線）２７βとして区別する。第１ソース配線２７αは、図６に示すように、Ｘ軸方向について間隔を空けて隣り合う２つのソース配線２７のうちの一方のソース配線２７である。第２ソース配線２７βは、上記した２つのソース配線２７のうちの一方のソース配線２７に対してＸ軸方向について隣り合う他方のソース配線２７である。ドライバ１２は、上記した２つのソース配線２７α，２７βのうちの第１ソース配線２７αに対して第１画像信号（第１信号）を、第２ソース配線２７βに対して第１画像信号とは極性が反転した第２画像信号（第２信号）を、それぞれ供給する。図６には、図示された複数のソース配線２７に対して供給される画像信号に係る正負の極性が「＋」、「－」の符号として各ソース配線２７の下側に図示されている。具体的には、第１ソース配線２７αに供給される第１画像信号の極性が「＋」とされる場合は、第２ソース配線２７βに供給される第２画像信号の極性は、「－」とされる。逆に、第１ソース配線２７αに供給される第１画像信号の極性が「－」とされる場合は、第２ソース配線２７βに供給される第２画像信号の極性は、「＋」とされる。つまり、ドライバ１２は、Ｘ軸方向に沿って並ぶ複数のソース配線２７のうち、Ｘ軸方向について一方の端側から数えて奇数番目のソース配線２７と、偶数番目のソース配線２７と、で供給する画像信号に係る極性を周期的に反転させる反転駆動を行っている。

本実施形態のように、タッチ電極２９のうちの図６の右側の領域に配された複数の第１接続配線４０が、１つの第１短絡配線４２によって相互に短絡されているから、複数の第１接続配線４０とタッチ電極２９との接続抵抗を低減することができる。しかも、複数の第１接続配線４０に含まれる２つの第１接続配線４０に対して第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳する２つのソース配線２７α，２７βには、ドライバ１２から互いに極性が反転した第１画像信号と第２画像信号とがそれぞれ供給されるので、第１画像信号が供給される第１ソース配線２７αから重畳する第１接続配線４０に作用する電界と、第２画像信号が供給される第２ソース配線２７βから重畳する第１接続配線４０に作用する電界と、を相殺することができる。２つのソース配線２７α，２７βに対して重畳する２つの第１接続配線４０に作用する電界が相殺されることで、２つの第１接続配線４０に対して一部ずつが重畳する関係とされる２つのＴＦＴ２４に備わる各半導体部２４Ｄのそれぞれに生じ得るバックチャネルの電界に差が生じ難くなる。これにより、上記した２つのＴＦＴ２４におけるトランジスタ特性が経時的に変動（シフト）し難くなるので、トランジスタ特性の変動に起因する表示品位の低下を抑制することができる。

アレイ基板２１には、図６に示すように、Ｘ軸方向について間隔（１つの画素電極２５の幅寸法分程度の間隔）を空けて隣り合う２つのタッチ配線３０を短絡する第２短絡配線（第５配線）４３が設けられている。第２短絡配線４３は、タッチ配線３０の延在方向（Ｙ軸方向）と交差するＸ軸方向に沿って延在する。第２短絡配線４３は、同じタッチ電極２９に対して接続される２つのタッチ配線３０に対して接続されている。第２短絡配線４３は、短絡対象のタッチ配線３０が接続対象とされるタッチ電極２９に対して平面に視て重畳して配されている。第２短絡配線４３は、短絡対象のタッチ配線３０と重畳するタッチ電極２９のうちの図６の左側の領域、つまり短絡対象のタッチ配線３０の配置領域に配置されている。第２短絡配線４３は、タッチ電極２９のうちの図６の左側の領域に配された４つのタッチ配線３０のうちの２つずつのタッチ配線３０に対してそれぞれ接続されるよう、２つ配されている。また、第２短絡配線４３は、ゲート配線２６に対して平面に視て重畳するよう配されている。なお、図６では、ゲート配線２６に対して重畳する第２短絡配線４３を、ゲート配線２６に対して図６の下側に隣り合うよう図示している。第２短絡配線４３は、タッチ配線３０を介してドライバ１２に対して間接的に接続されている。

第２短絡配線４３は、タッチ配線３０、第１接続配線４０及び第１短絡配線４２と同じ第３金属膜からなる（図８を参照）。従って、第２短絡配線４３は、接続対象のタッチ配線３０に対して直接連なることで接続されている。つまり、第２短絡配線４３とタッチ配線３０との関係は、第１短絡配線４２と第１接続配線４０との関係と同様とされる。また、第２短絡配線４３と、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ電極２９と、の関係は、第１短絡配線４２と、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ電極２９と、の関係と同様とされる。第３金属膜からなる第２短絡配線４３と、第２短絡配線４３に対して重畳するゲート配線２６と、の間には、ゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６が介在していて絶縁状態に保たれている。第３金属膜からなる第２短絡配線４３と、第２短絡配線４３に対して交差するソース配線２７と、の間には、第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６が介在していて絶縁状態に保たれている。第３金属膜からなる第２短絡配線４３と、第２短絡配線４３に対して重畳するタッチ電極２９と、の間には、第３層間絶縁膜３８が介在していて絶縁状態に保たれている。

ここで、図６に示される複数のタッチ配線３０に対して重畳する関係とされる複数のソース配線２７の中から、同じタッチ電極２９に対して接続されるとともに同じ第２短絡配線４３に接続される２つのタッチ配線３０に対して重畳する所定の２つのソース配線２７を、第３ソース配線（一方の第１配線）２７γ及び第４ソース配線（他方の第１配線）２７δとして区別する。第３ソース配線２７γと第４ソース配線２７δとは、図６に示すように、Ｘ軸方向について間隔（１つの画素電極２５の幅寸法分程度の間隔）を空けて隣り合って配される。第３ソース配線２７γは、Ｘ軸方向について間隔を空けて隣り合う２つのソース配線２７のうちの一方のソース配線２７である。第４ソース配線２７δは、上記した２つのソース配線２７のうちの一方のソース配線２７に対してＸ軸方向について隣り合う他方のソース配線２７である。ドライバ１２は、上記した２つのソース配線２７γ，２７δのうちの第３ソース配線２７γに対して第３画像信号（第３信号）を、第４ソース配線２７δに対して第３画像信号とは極性が反転した第４画像信号（第４信号）を、それぞれ供給する。具体的には、第３ソース配線２７γに供給される第３画像信号の極性が「＋」とされる場合は、第４ソース配線２７δに供給される第４画像信号の極性は、「－」とされる。逆に、第３ソース配線２７γに供給される第３画像信号の極性が「－」とされる場合は、第４ソース配線２７δに供給される第４画像信号の極性は、「＋」とされる。

本実施形態のように、２つのタッチ配線３０が、１つの第２短絡配線４３によって相互に短絡されているから、２つのタッチ配線３０とタッチ電極２９との接続抵抗を低減することができる。しかも、複数のタッチ配線３０に含まれる２つのタッチ配線３０に対して第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳する２つのソース配線２７γ，２７δには、ドライバ１２から互いに極性が反転した第３画像信号と第４画像信号とがそれぞれ供給されるので、第３画像信号が供給される第３ソース配線２７γから重畳するタッチ配線３０に作用する電界と、第４画像信号が供給される第４ソース配線２７δから重畳するタッチ配線３０に作用する電界と、を相殺することができる。２つのソース配線２７γ，２７δに対して重畳する２つのタッチ配線３０に作用する電界が相殺されることで、２つのタッチ配線３０に対して一部ずつが重畳する関係とされる２つのＴＦＴ２４に備わる各半導体部２４Ｄのそれぞれに生じ得るバックチャネルの電界に差が生じ難くなる。これにより、上記した２つのＴＦＴ２４におけるトランジスタ特性が経時的に変動（シフト）し難くなるので、トランジスタ特性の変動に起因する表示品位の低下を抑制することができる。このように、第１接続配線４０及びタッチ配線３０に対してそれぞれ重畳するソース配線２７α～２７δからの電界が、第１接続配線４０及びタッチ配線３０を介して各ＴＦＴ２４におけるトランジスタ特性を変動させる事態が生じ難くなる。

また、アレイ基板２１には、図６に示すように、複数の第１接続配線４０のうちの特定の２つの第１接続配線４０を短絡する第３短絡配線４４が設けられている。具体的には、第３短絡配線４４は、複数の第１接続配線４０が接続対象とされるタッチ電極２９のうちの図６の右端に位置する２つの第１接続配線４０に接続されている。第３短絡配線４４は、Ｘ軸方向に沿って延在している。第３短絡配線４４は、Ｙ軸方向について間隔を空けた位置に複数（図６では３つ）が配されている。また、第３短絡配線４４は、ゲート配線２６に対して平面に視て重畳するよう配されている。第３短絡配線４４は、ドライバ１２とは非接続とされる。第３短絡配線４４は、タッチ配線３０、第１接続配線４０、第１短絡配線４２及び第２短絡配線４３と同じ第３金属膜からなる（図８を参照）。従って、第２短絡配線４３は、接続対象の第１接続配線４０に対して直接連なることで接続されている。第３短絡配線４４と第１接続配線４０との関係は、第１短絡配線４２と第１接続配線４０との関係と同様とされる。また、第３短絡配線４４と、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ電極２９と、の関係は、第１短絡配線４２と、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ電極２９と、の関係と同様とされる。

また、アレイ基板２１には、図６に示すように、複数の第１接続配線４０のうちの特定の第１接続配線４０と第２接続配線４１とを短絡する第４短絡配線４５が設けられている。具体的には、第４短絡配線４５は、複数の第１接続配線４０が接続対象とされるタッチ電極２９のうちの図６の左端に位置する１つの第１接続配線４０と、その第１接続配線４０に対してＸ軸方向について隣り合う第２接続配線４１と、に接続されている。第４短絡配線４５は、Ｘ軸方向に沿って延在している。第４短絡配線４５は、Ｙ軸方向について間隔を空けた位置に複数（図６では３つ）が配されている。また、第４短絡配線４５は、ゲート配線２６に対して平面に視て重畳するよう配されている。第４短絡配線４５は、ドライバ１２とは非接続とされる。第４短絡配線４５は、タッチ配線３０、第１接続配線４０、第１短絡配線４２、第２短絡配線４３及び第３短絡配線４４と同じ第３金属膜からなる（図８を参照）。従って、第４短絡配線４５は、接続対象の第１接続配線４０及び第２接続配線４１に対して直接連なることで接続されている。第４短絡配線４５と第１接続配線４０及び第２接続配線４１との関係は、第１短絡配線４２と第１接続配線４０との関係と同様とされる。また、第４短絡配線４５と、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ電極２９と、の関係は、第１短絡配線４２と、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ電極２９と、の関係と同様とされる。

以上説明したように本実施形態のアレイ基板（配線基板）２１は、第１方向に沿って延在するソース配線（第１配線）２７と、第１方向に沿って延在する第１接続配線（第２配線）４０と、第１接続配線４０に接続されるタッチ電極（第１電極）２９と、第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第１短絡配線（第３配線）４２と、ソース配線２７に接続されて、第１接続配線４０及び第１短絡配線４２には非接続とされるドライバ（信号供給部）１２と、を備え、ソース配線２７は、第２方向について間隔を空けて２つ配され、第１接続配線４０は、第２方向について間隔を空けた位置にて２つのソース配線２７に対して絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳して２つ配され、ドライバ１２は、２つのソース配線２７のうちの一方のソース配線２７である第１ソース配線２７αに対して第１画像信号（第１信号）を、２つのソース配線２７のうちの他方のソース配線２７である第２ソース配線２７βに対して第１画像信号とは極性が反転した第２画像信号（第２信号）を、それぞれ供給し、第１短絡配線４２は、２つの第１接続配線４０に接続される。

タッチ電極２９には、２つの第１接続配線４０が接続されているので、タッチ電極２９の抵抗分布を低減することができる。一方、例えばタッチ電極２９に対して第１接続配線４０が正常に接続されていない場合には、タッチ電極２９と第１接続配線４０との接続抵抗が高くなる。このため、第１接続配線４０に対して絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳するソース配線２７からの電界が、第１接続配線４０を介して第１接続配線４０の近くに存在する他の素子に悪影響を及ぼすおそれがある。

その点、２つの第１接続配線４０は、第２方向に沿って延在する第１短絡配線４２によって接続されているので、２つの第１接続配線４０とタッチ電極２９との接続抵抗を低減することができる。しかも、２つの第１接続配線４０に対して絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳する２つのソース配線２７には、ドライバ１２から互いに極性が反転した第１画像信号と第２画像信号とがそれぞれ供給されるので、第１画像信号が供給される一方のソース配線２７である第１ソース配線２７αから重畳する第１接続配線４０に作用する電界と、第２画像信号が供給される他方のソース配線２７である第２ソース配線２７βから重畳する第１接続配線４０に作用する電界と、を相殺することができる。以上により、ソース配線２７からの電界が第１接続配線４０を介して第１接続配線４０の近くに存在する他の素子に悪影響を及ぼす事態を生じ難くすることができる。

また、第１方向に沿って延在していてタッチ電極２９に接続されるタッチ配線（第４配線）３０と、第２方向に沿って延在する第２短絡配線（第５配線）４３と、を備え、タッチ配線３０は、第２方向について間隔を空けて２つ配され、ソース配線２７は、第２方向について間隔を空けた位置にて２つのタッチ配線３０に対して絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳して２つ配され、ドライバ１２は、２つのタッチ配線３０に第３信号である共通電位信号やタッチ信号を、２つのタッチ配線３０と重畳する２つのソース配線２７のうちの一方のソース配線２７である第３ソース配線２７γには第３画像信号（第４信号）を、２つのタッチ配線３０と重畳する２つのソース配線２７のうちの他方のソース配線２７である第４ソース配線２７δには第３画像信号とは極性が反転した第４画像信号（第５信号）を、それぞれ供給し、第２短絡配線４３は、２つのタッチ配線３０に接続される。ドライバ１２から出力される第３信号である共通電位信号やタッチ信号は、２つのタッチ配線３０を介してタッチ電極２９に供給される。２つのタッチ配線３０は、第２方向に沿って延在する第２短絡配線４３によって接続されているので、２つのタッチ配線３０とタッチ電極２９との接続抵抗を低減することができる。しかも、２つのタッチ配線３０に対して絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳する２つのソース配線２７には、ドライバ１２から互いに極性が反転した第３画像信号と第４画像信号とがそれぞれ供給されるので、第３画像信号が供給される一方のソース配線２７である第３ソース配線２７γから重畳するタッチ配線３０に作用する電界と、第４画像信号が供給される他方のソース配線２７である第４ソース配線２７δから重畳するタッチ配線３０に作用する電界と、を相殺することができる。以上により、ソース配線２７からの電界がタッチ配線３０を介してタッチ配線３０の近くに存在する他の素子に悪影響を及ぼす事態を生じ難くすることができる。このように、第１接続配線４０及びタッチ配線３０に対してそれぞれ重畳するソース配線２７からの電界による悪影響を好適に低減させることができる。

また、画素電極（第２電極）２５と、ソース配線２７及び画素電極２５に接続されるＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、を備え、第１接続配線４０は、その一部がＴＦＴ２４の少なくとも一部に対して絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して重畳して配される。ドライバ１２から出力される第１画像信号は、２つのソース配線２７のうちの一方のソース配線２７である第１ソース配線２７αと一方のソース配線２７である第１ソース配線２７αに接続されたＴＦＴ２４とを介して接続対象の画素電極２５に供給される。ドライバ１２から出力される第２画像信号は、２つのソース配線２７のうちの他方のソース配線２７である第２ソース配線２７βと他方のソース配線２７である第２ソース配線２７βに接続されたＴＦＴ２４とを介して接続対象の画素電極２５に供給される。２つの第１接続配線４０が第１短絡配線４２に接続されることで、ソース配線２７からの電界が第１接続配線４０を介して第１接続配線４０に対して重畳するＴＦＴ２４に悪影響を及ぼす事態を生じ難くすることができる。

また、本実施形態の液晶パネル（表示装置）１１は、上記記載のアレイ基板２１と、アレイ基板２１に対して間隔を空けて対向して配される対向基板２０と、を備える。このような構成の液晶パネル１１によれば、ソース配線２７からの電界に起因して表示品位が低下する事態を生じ難くすることができる。

＜実施形態２＞
実施形態２を図９によって説明する。この実施形態２では、第１短絡配線１４２の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第１短絡配線１４２は、図９に示すように、タッチ電極１２９のうちの図９の右側の領域に配された全ての第１接続配線１４０のうちの図６の上端部に接続されるよう配されている。つまり、第１短絡配線１４２は、タッチ電極１２９のうちの図６の上端部付近に配されている。

＜実施形態３＞
実施形態３を図１０によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から第１短絡配線２４２の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第１短絡配線２４２は、図１０に示すように、タッチ電極２２９のうちの図１０の右側の領域に配された全ての第１接続配線２４０のうちの図６の上下方向についての中央部に接続されるよう配されている。つまり、第１短絡配線２４２は、タッチ電極２２９のうちの図６の上下方向についての中央部付近に配されている。

＜実施形態４＞
実施形態４を図１１によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１から第１短絡配線３４２の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第１短絡配線３４２は、図１１に示すように、Ｙ軸方向について間隔を空けた位置に複数（図１１では３つ）が配されている。具体的には、複数の第１短絡配線３４２には、第１接続配線３４０のうちの図１１の下端部に接続される第１短絡配線３４２と、第１接続配線３４０のうちの図１１の上端部に接続される第１短絡配線３４２と、第１接続配線３４０のうちの図１１の上下方向についての中央部に接続される第１短絡配線３４２と、が含まれる。複数の第１短絡配線３４２は、いずれもタッチ電極３２９のうちの図１１の右側の領域に配された全ての第１接続配線３４０に対してそれぞれ接続されている。このように、各第１接続配線３４０が複数の第１短絡配線３４２にそれぞれ接続されることで、各第１接続配線３４０とタッチ電極３２９との接続抵抗をさらに低減することができる。

以上説明したように本実施形態によれば、第１短絡配線３４２は、第１方向について間隔を空けた位置に複数配され、複数の第１短絡配線３４２は、２つの第１接続配線３４０のそれぞれに接続される。このように、２つの第１接続配線３４０が複数の第１短絡配線３４２にそれぞれ接続されることで、２つの第１接続配線３４０とタッチ電極３２９との接続抵抗をさらに低減することができる。

＜実施形態５＞
実施形態５を図１２によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１から第１短絡配線４４２の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第１短絡配線４４２は、図１２に示すように、２つずつの第１接続配線４４０に対してそれぞれ接続されるよう、複数がＸ軸方向について間隔を空けて配されている。第１短絡配線４４２は、Ｘ軸方向についての長さ寸法が、Ｘ軸方向について隣り合う２つの第１接続配線４４０（ソース配線４２７）の間の間隔程度であり、１つの画素電極２５（図４を参照）の幅寸法分程度でもある。Ｘ軸方向について隣り合う２つの第１短絡配線４４２の間の間隔は、１つの画素電極２５の幅寸法分程度とされる。第１短絡配線４４２によって短絡される２つの第１接続配線４４０に対して重畳する関係とされる２つのソース配線４２７には、ドライバ４１２から極性が反転した画像信号がそれぞれ供給されるようになっている。従って、本実施形態においても、実施形態１と同様に、各ソース配線４２７から重畳する各第１接続配線４４０に作用する電界を相殺することができる。また、複数の第１短絡配線４４２は、いずれも第１接続配線４４０のうちの図１２の上下方向についての中央部に接続されている。

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

（１）第１接続配線４０，１４０，２４０，３４０，４４０に対する第１短絡配線４２，１４２，２４２，３４２，４４２のＹ軸方向についての接続位置は、図示以外にも適宜に変更可能である。

（２）実施形態４に記載の構成において、第１短絡配線３４２の設置数は、２つまたは４つ以上に変更することも可能である。

（３）第１短絡配線４２，１４２，２４２，３４２，４４２によって短絡される第１接続配線４０，１４０，２４０，３４０，４４０の数は、図示以外にも適宜に変更可能である。

（４）第２短絡配線４３によって短絡されるタッチ配線３０の数は、図示以外にも適宜に変更可能である。

（５）第３短絡配線４４及び第４短絡配線４５の設置数は、図示以外にも適宜に変更可能である。

（６）第３短絡配線４４を省略することも可能である。

（７）第４短絡配線４５を省略することも可能である。その場合、第２接続配線４１をタッチ電極２９，１２９，２２９，３２９に対して接続する構成を採ることもできる。

（８）各短絡配線４２～４５，１４２，２４２，３４２，４４２は、ゲート配線２６とは非重畳となる配置であってもよい。

（９）タッチ電極２９，１２９，２２９，３２９に対するタッチ配線３０の接続箇所数は、図示以外にも適宜に変更可能である。

（１０）タッチ電極２９，１２９，２２９，３２９に対する第１接続配線４０，１４０，２４０，３４０，４４０の接続箇所数は、図示以外にも適宜に変更可能である。

（１１）ソース配線２７，４２７、タッチ配線３０及び第１接続配線４０，１４０，２４０，３４０，４４０は、部分的に拡幅しない構成でもよい。

（１２）タッチ配線３０に対してＴＦＴ２４のどの部分を重畳する関係とするかについては、図示以外にも適宜に変更可能である。同様に、第１接続配線４０，１４０，２４０，３４０，４４０に対してＴＦＴ２４のどの部分を重畳する関係とするかについては、図示以外にも適宜に変更可能である。

（１３）ＴＦＴ２４においてドレイン電極２４Ｃと画素電極２５との中間に位置する中間電極３９を省略することも可能である。

（１４）回路部１４を省略することも可能である。その場合、アレイ基板２１に回路部１４と同様の機能を有するゲートドライバを取り付けてもよい。また、回路部１４をアレイ基板２１における片側の辺部のみに設けることも可能である。

（１５）半導体部２４Ｄを構成する半導体膜の材料は、ポリシリコン（ＬＴＰＳ）やアモルファスシリコン等でもよい。

（１６）ＴＦＴ２４の構成は、ボトムゲート型以外にも、トップゲート型やダブルゲート型等でもよい。

（１７）画素電極２５と共通電極２８とのうちの上層側に位置する電極である「上層電極」が共通電極２８となり、下層側に位置する電極である「下層電極」が画素電極２５となっていてもよい。この場合、「上層電極」である共通電極２８にスリットが設けられる。

（１８）タッチパネルパターンは、自己容量方式以外にも相互容量方式であってもよい。

（１９）タッチパネルパターン（タッチパネル機能）を有さない液晶パネル１１でもよい。この場合、共通電極（第１電極）２８が非分割構造とされ、タッチ電極２９，１２９，２２９，３２９が非形成となる。また、タッチ配線３０に代えて、共通電極２８に接続されて共通電位信号（第３信号）を供給する共通配線（第３配線）が、第３金属膜を用いて設けられる。

（２０）カラーフィルタ３１は、アレイ基板２１に設けられてもよい。つまり、液晶パネル１１は、ＣＯＡ（Color Filter On Array）構造であってもよい。

（２１）カラーフィルタ３１の色数は、４色以上でもよい。追加するカラーフィルタ３１は、黄色を呈する黄色カラーフィルタや全波長領域の光を透過する透明カラーフィルタ等であってもよい。

（２２）液晶パネル１１の表示モードは、ＦＦＳモード以外にもＶＡモード、ＩＰＳモード等でもよい。

（２３）液晶パネル１１は、透過型以外にも反射型や半透過型であってもよい。液晶パネル１１を反射型とした場合は、バックライト装置を省略できる。

（２４）液晶パネル１１以外の表示パネル（有機ＥＬ表示パネル等）でもよい。

１１…液晶パネル（表示装置）、１２，４１２…ドライバ（信号供給部）、２０…対向基板、２１…アレイ基板（配線基板）、２４…ＴＦＴ（スイッチング素子）、２５…画素電極（第２電極）、２７，４２７…ソース配線（第１配線）、２７α…第１ソース配線（一方の第１配線）、２７β…第２ソース配線（他方の第１配線）、２７γ…第３ソース配線（一方の第１配線）、２７δ…第４ソース配線（他方の第１配線）、２９，１２９，２２９，３２９…タッチ電極（第１電極）、３０…タッチ配線（第４配線）、３５…第１層間絶縁膜（絶縁膜）、３６…平坦化膜（絶縁膜）、４０，１４０，２４０，３４０，４４０…第１接続配線（第２配線）、４２，１４２，２４２，３４２，４４２…第１短絡配線（第３配線）、４３…第２短絡配線（第５配線）

Claims (4)

1. 第１方向に沿って延在する第１配線と、
   前記第１方向に沿って延在する第２配線と、
   前記第２配線に接続される第１電極と、
   前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第３配線と、
   前記第１配線に接続されて、前記第２配線及び前記第３配線には非接続とされる信号供給部と、を備え、
   前記第１配線は、前記第２方向について間隔を空けて２つ配され、
   前記第２配線は、前記第２方向について間隔を空けた位置にて２つの前記第１配線に対して絶縁膜を介して重畳して２つ配され、
   前記信号供給部は、２つの前記第１配線のうちの一方の前記第１配線に対して第１信号を、２つの前記第１配線のうちの他方の前記第１配線に対して前記第１信号とは極性が反転した第２信号を、それぞれ供給し、
   前記第３配線は、２つの前記第２配線に接続されており、
   前記第１方向に沿って延在していて前記第１電極に接続される第４配線と、
   前記第２方向に沿って延在する第５配線と、を備え、
   前記第４配線は、前記第２方向について間隔を空けて２つ配され、
   前記第１配線は、前記第２方向について間隔を空けた位置にて２つの前記第４配線に対して絶縁膜を介して重畳して２つ配され、
   前記信号供給部は、２つの前記第４配線に第３信号を、２つの前記第４配線と重畳する２つの前記第１配線のうちの一方の前記第１配線には第４信号を、２つの前記第４配線と重畳する２つの前記第１配線のうちの他方の前記第１配線には前記第４信号とは極性が反転した第５信号を、それぞれ供給し、
   前記第５配線は、２つの前記第４配線に接続される配線基板。
2. 第２電極と、
   前記第１配線及び前記第２電極に接続されるスイッチング素子と、を備え、
   前記第２配線は、その一部が前記スイッチング素子の少なくとも一部に対して絶縁膜を介して重畳して配される請求項１記載の配線基板。
3. 前記第３配線は、前記第１方向について間隔を空けた位置に複数配され、
   複数の前記第３配線は、２つの前記第２配線のそれぞれに接続される請求項１または請求項２記載の配線基板。
4. 請求項１または請求項２記載の配線基板と、
   前記配線基板に対して間隔を空けて対向して配される対向基板と、を備える表示装置。

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