TW201631630A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

提供可以防止過度廢棄藥液之基板處理方法。 在瓶體(11)、供給管(19)、貯存槽(15)、供給管(20)、包含泵(14)及過濾器(16)之供給管(21)，以及噴嘴(13)構成光阻之供給系統之光阻膜形成裝置(10)中，藉由被配置在供給管(19)之感測器(22)或供給管(21)中配置於過濾器(16)之下游的檢測器(23)檢測出微粒，並且於尺寸超過特定值之微粒之個數大於臨界值之時，實行虛擬分配而從光阻之供給系統廢棄光阻，但於非檢測出微粒而係檢測出氣泡，並且尺寸超過特定值之氣泡之個數大於臨界值之時，不廢棄光阻而使回流至瓶體(11)。

Description

基板處理方法及基板處理裝置

本發明係關於基板處理方法及基板處理裝置，尤其關於朝向基板吐出藥液之基板處理方法及基板處理裝置。

所知的有對當作基板之半導體晶圓(以下，單稱為「晶圓」)吐出當作藥液之光阻而在該晶圓上形成光阻膜之基板處理裝置。在如此之基板處理裝置中，雖然經由泵、閥或噴嘴朝向晶圓吐出被貯藏於瓶體之光阻，但是光阻從瓶體朝向噴嘴流動之時，有捲入通過泵或閥之時所產生之氣泡或由於泵或閥之動作所產生之輕微的金屬滓等之微粒的情形。此時，捲入氣泡或微粒之光阻在供給管線流動，其結果晶圓上之光阻膜含有微粒或氣泡，在光阻膜顯像圖案之時，由於微粒當作非預期的光罩而發揮功能，氣泡產生非預期的缺口而在光阻膜產生缺陷，故有不得不廢棄形成光阻膜之晶圓的情形。

於是，於將檢測出光阻中之微粒之感測器或檢測出氣泡之感測器適用於基板處理裝置，檢測出光阻中 之微粒或氣泡之時，進行中斷對晶圓吐出光阻(例如，參照專利文獻1或專利文獻2)。在如此之基板處理裝置中，當檢測出光阻中之微粒或氣泡而中斷對晶圓吐出光阻時，於實行虛擬分配而廢棄供給管線中之光阻，或是將瓶體更換成新的瓶體之後，再次開始對晶圓吐出光阻。

然而，於光阻中僅包含氣泡之時，該氣泡隨著時間經過消滅，此時便能使用該光阻。

〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開2004-327638號公報

〔專利文獻2〕日本特開2011-181766號公報

但是，如上述般，當於檢測出光阻中之微粒或氣泡之時，一定廢棄光阻的話，只要隨著時間經過就能使用之只含氣泡的光阻也會被廢棄，有過度廢棄光阻之問題。

本發明之目的在於提供可以防止過度廢棄藥液之基板處理法及基板處理裝置。

為了達成上述目的，本發明之基板處理方法係從藥液之供給系統朝向基板吐出上述藥液之基板處理裝置中的基板處理方法，其特徵在於：設置檢測出上述供給系統中之氣泡的檢測器，於上述檢測器檢測出上述供給系統中之氣泡之時，使上述藥液朝上述供給系統之上游部循環。

為了達成上述目的，本發明之基板處理裝置係朝向基板吐出藥液之基板處理裝置，其特徵在於具備：上述藥液之供給系統，和被設置在上述供給系統，檢測出上述供給系統中之氣泡的檢測器，和被設置在上述供給系統之上述檢測器之下游部的分歧點，和連接上述分歧點和上述檢測器之上游部的回流路，和於上述檢測器檢測出上述供給系統中之氣泡之時，使上述藥液在上述供給系統中經由上述回流路循環的控制部。

若藉由本發明時，於供給系統中之氣泡被檢測出時，藥液不會被廢棄而在供給系統中循環。依此，因氣泡消失時可以再供給之藥液不會被廢棄，故可以防止過度廢棄藥液。再者，因藥液在循環之期間氣泡消滅，故即使朝向基板吐出被循環之藥液，亦可以防止在基板中之藥液之凝固膜產生缺陷之情形。

W‧‧‧晶圓

10‧‧‧光阻膜形成裝置

11‧‧‧瓶體

16‧‧‧過濾器

17‧‧‧控制器

19、20、21‧‧‧供給管

22、23‧‧‧感測器

25‧‧‧回流管

圖1為概略性表示作為與本發明之實施型態有關之基板處理裝置之光阻膜形成裝置之構成的圖示。

圖2為概略性表示在圖1中之感測器之光學系統之構成的圖示。

圖3係概略性表示圖2中之開關及感測器之透過部之圖示，圖3(A)為表示透過部之構成的部分放大斜視圖，圖3(B)為表示開關及透過部之位置關係的放大剖面圖。

圖4為用以說明藉由圖1中之感測器進行的光阻中之微粒或氣泡之檢測時序之序列圖。

圖5為表示作為與本實施型態有關之基板處理方法之光阻吐出處理的流程圖。

圖6為表示圖5之光阻吐出處理之變形例的流程圖。

圖7為概略性表示在圖2之感測器之光學系統之第1變形例之構成的圖示。

圖8為概略性表示在圖2之感測器之光學系統之第2變形例之構成的圖示。

圖9為概略性表示在圖2之感測器之光學系統之第3變形例之構成的圖示。

圖10為概略性表示在圖2之感測器之光學系統之第4變形例之構成的圖示。

以下，針對本發明之實施型態，一面參照圖面一面予以詳細說明。

圖1為概略性表示作為與本實施型態有關之基板處理裝置之光阻膜形成裝置之構成的圖示。

在圖1中，光阻膜形成裝置10具備貯藏當作藥液之光阻的瓶體11(貯藏部)，和對被載置於平台12之晶圓W吐出光阻之噴嘴13、將貯藏於瓶體11之光阻壓送至噴嘴13之泵14，和被配置在瓶體11及泵14之間暫時性貯藏光阻之貯存槽15，和被配置在泵14及噴嘴13之間而除去光阻所含之大於特定尺寸的微粒之過濾器16，和控制光阻膜形成裝置10之各構成要素之動作的控制器17(控制部)。

再者，光阻膜形成裝置10具備從瓶體11排出光阻之排放管18、從瓶體11對貯存槽15供給光阻之供給管19、從貯存槽15對泵14供給光阻之供給管20，和從泵14經由過濾器16而對噴嘴13供給光阻之供給管21。

而且，光阻膜形成裝置10具備被配置在供給管19而分別檢測出在該供給管19內流動之光阻中之微粒(異物)或氣泡之感測器22(檢測器)，和在供給管21中被配置在過濾器16之下游(過濾器16及噴嘴13之間)而分別檢測出在供給管21內流動之光阻中之微粒或氣泡的感測器23(檢測器)。

感測器22係具有由使光透過之材料，例如玻璃或透明之樹脂所構成，使在供給管19內流動之光阻從外部可視化之透過部22a，和對該透過部22a照射雷射光之光學系統22b，和接受透射透過部22a之雷射光的檢測部22c。在透過部22a中，當微粒或氣泡在光阻中流動時，藉由該微粒或氣泡遮斷雷射光，檢測部22c接受到的雷射光之受光量變化，在光阻膜形成裝置10中，根據雷射光之受光量之時間性變化等，分別檢測出光阻中之微粒或氣泡。作為分別檢測出光阻中之微粒或氣泡之具體手法，使用例如PML(Particle Monitoring Technologies Ltd.)公司之IPSA(註冊商標)法。在本實施型態中，感測器23也具有與感測器22相同之構成，分別檢測出在供給管21內流動之光阻中之微粒或氣泡。

並且，光阻膜形成裝置10即使具備僅檢測出光阻中之微粒之微粒感測器，和僅檢測出光阻中之氣泡的氣泡感測器以取代感測器22或感測器23亦可。此時，從一對微粒感測器及氣泡感測器構成感測器組，將各感測器組配置在供給管19及在供給管21之過濾器16之下游。依此，與感測器22或感測器23相同，可以在相同處檢測微粒或氣泡。

在光阻膜形成裝置10中，使供給管21在感測器23及噴嘴13之間之分歧點24分歧，配置有光阻從該分歧點24回流至瓶體11之回流管25(回流路)。再者，在光阻膜形成裝置10中，有供給管19在感測器22 及貯存槽15之間之分歧點26分歧，配置使光阻從該分歧點26朝回流管25循環之回流管27，和從分歧點26排出光阻之排放管28，且在泵14配置從該泵14排出光阻之排放管29。而且，在光阻膜形成裝置10中，分別在排放管18、供給管19中之分歧點26及貯存槽15之間、回流管27、排放管28、排放管29、回流管25以及在供給管21之分歧點24及噴嘴13之間配置閥30~36。

在光阻膜形成裝置10中，瓶體11、供給管19、貯存槽15、供給管20、包含泵14及過濾器16之供給管21，以及噴嘴13構成光阻之供給系統，經該供給系統朝向晶圓W吐出光阻。被吐出之光阻在晶圓W上凝固，形成光阻膜。

在圖1之光阻膜形成裝置10中，於在供給系統中容易產生微粒或氣泡之瓶體11或泵14(產生源)之正下方分別配置感測器22或感測器23。此時，藉由特定感測器22及感測器23中之任一者是否檢測出微粒或氣泡，可以特定微粒或氣泡之產生源為瓶體11或泵14中之任一者，進而可以容易進行疑難排解。

圖2為概略性表示在圖1中之感測器之光學系統之構成的圖示。

在圖1之光阻膜形成裝置10中，為了方便表示1個噴嘴13，但光阻膜形成裝置10具備例如72個之噴嘴13，該些噴嘴13每12個匯集成1個光學模組。即是，光阻膜形成裝置10具有6個光學模組。再者，光阻 膜形成裝置10對應於6個光學模組具有6個透過部23a，1個透過部23a構成與12個噴嘴13對應之12條之供給管21之一部。即是，對應於1個光學模組而配置1個透過部23a，1個透過部23a包含12個供給管21之一部分。對應此，感測器23之光學系統23b對從1個雷射光源被照射之雷射光進行分光。

在圖2中，感測器23之光學系統23b具有雷射光源23d，和對應於6個光學模組而對從該雷射光源23d被照射之雷射光進行分光的雷射分光器23e，和將該被分光之雷射光選擇性地導光至1個透過部23a所包含之12個供給管21之一部分的各個的開關23f。並且，在光阻膜形成裝置10中，各光學模組具有1個雷射光鉗37，開關23f導光不僅對各供給管21之一部分也對雷射光鉗37導光被分光之雷射光。

開關23f並不同時將雷射光導光至複數之供給管21之一部分，在光阻膜形成裝置10中，1個模組中並不從複數之噴嘴13同時吐出光阻，總是僅從1個噴嘴13吐出光阻。因此，即使開關23f不同時將雷射光導光至複數之供給管21之一部分，亦可以檢測朝向晶圓W吐出之光阻中之微粒或氣泡。再者，因開關23f不同時將雷射光導光至複數之供給管21之一部分，將雷射光之照射目的地依序切換至複數之供給管21之一部分之各個，故不會有被導光至各供給管21之一部分的雷射光之強度由於 分光而極度下降之情形，進而可以防止光阻中之微粒或氣泡之檢測敏感度極度下降之情形。

圖3係概略性表示圖2中之開關及感測器之透過部之圖示，圖3(A)為表示透過部之構成的部分放大斜視圖，圖3(B)為表示開關及透過部之位置關係的放大剖面圖。在本實施型態中，雖然1個透過部23a包含12個供給管21之一部分，但是在圖3(A)及圖3(B)中，為了方便說明，表示1個透過部23a包含4個供給管21之一部分的狀態。

如圖3(A)及圖3(B)所示般，在透過部23a，各供給管21之一部分被配置成互相略等間隔並且平行，在各供給管21之一部分，雷射光L與光阻之流動方向垂直地被射入。

光學系統23b被配置成與透過部23a相向，與各供給管21之一部分之配列方向平行地移動。於感測器23檢測朝向晶圓W吐出之光阻中之微粒或氣泡之時，光學系統23b移動至與吐出光阻之噴嘴13對應之供給管21之一部分，即是光阻流動之供給管21之一部分之對向位置為止，朝向該供給管21之一部分而照射雷射光L。並且，檢測部23c總是夾著光學系統23b和透過部23a相向，配合光學系統23b之移動而移動。

圖4為用以說明藉由圖1中之感測器進行的光阻中之微粒或氣泡之檢測時序之序列圖。

如圖4所示般，在噴嘴13中，雖然從光阻之吐出開始至光阻安定被吐出為止，需要特定時間t，但是感測器22或感測器23之光學系統22b、23b與開始吐出光阻同時開始朝透過部22a、23a照射雷射光。另外，檢測部22c、23c係在經過特定時間t而光阻從噴嘴13安定被吐出之時，開始檢測光阻中之微粒或氣泡。

之後，雖然在噴嘴13中停止光阻之吐出，但是從噴嘴13之光阻之吐出至完全結束為止需要另外的特定時間T。另外，光學系統22b、23b係與停止在噴嘴13吐出光阻同時結束朝透過部22a、23a照射雷射光，檢測部22c、23c也與停止在噴嘴13吐出光阻同時結束檢測光阻中之微粒或氣泡。依此，不會有光阻被過度照射雷射光之情形，進而可以抑制由於雷射光產生光阻變質之情形。

圖5為表示作為與本實施型態有關之基板處理方法之光阻吐出處理的流程圖。

本處理係在光阻膜形成裝置10中，閥31、36開閥，閥30、32~35關閥而光阻從瓶體11被供給至噴嘴13，光阻從噴嘴13被吐出至晶圓W之時，因應特定之程式等而藉由控制器17被實行。

在圖5中，首先，感測器22或感測器23測量在供給管19內或供給管21內流動之光阻中之微粒及氣泡的各個尺寸及個數(步驟S51)。

接著，在步驟S51中，判別感測器22或感測器23是否檢測出微粒(步驟S52)。

步驟S52之判別之結果，於檢測出微粒之時(在步驟S52中YES)，判別被檢測出之微粒中尺寸超過特定值，例如在晶圓W之光阻膜中產生缺陷之微粒之尺寸之最小值(第2特定值)，具體而言，直徑超過20nm之微粒之個數是否大於臨界值(第2臨界值)，例如大於10個(步驟S53)。並且，微粒之尺寸之特定值或個數之臨界值因應光阻膜形成裝置10之規格而不同。再者，在步驟S53中即使進行複數之判別(例如，不僅直徑超過20nm之微粒之個數是否大於10個之判別，直徑超過100nm之微粒之個數是否大於5個之判別)亦可。而且，即使微粒之尺寸之特定值或個數之臨界值事先儲存於控制器17之記憶媒體亦可，即使於光阻吐出處理之前使用者輸入至光阻膜形成裝置10亦可。

步驟S53之判別之結果，於尺寸超過特定值之微粒之個數為臨界值以下之時(在步驟S53中NO)，繼續對晶圓W吐出光阻而持續進行光阻膜之形成處理(步驟S54)，之後結束本處理。

另外，於尺寸超過特定值之微粒之個數大於臨界值之時(在步驟S53中YES)，將閥36予以關閥而暫時中斷對晶圓W吐出光阻，從平台12除去晶圓W之後，將閥36予以開閥而實行繼續吐出光阻之虛擬分配而從光阻之供給系統廢棄光阻(步驟S55)，之後結束本處理。在步驟S55中實施虛擬分配之時，為了促進從光阻之 供給系統廢棄光阻，即使將閥30、33、34予以開閥而亦從排放管18、28、29排出光阻亦可。

步驟S52之判別之結果，於感測器22或感測器23非檢測出微粒而係檢測出氣泡之時(在步驟S52中NO)，判別被檢測出之氣泡中，尺寸超過特定值，例如在晶圓W之光阻膜中產生缺陷之氣泡之尺寸之最小值(第1特定值)之氣泡的個數是否大於臨界值(第1臨界值)(步驟S56)。並且，氣泡之尺寸之特定值或個數之臨界值因應光阻膜形成裝置10之規格而不同。再者，即使在步驟S56中，進行複數之判別亦可。而且，即使氣泡之尺寸之特定值或個數之臨界值也事先儲存於控制器17之記憶媒體亦可，即使使用者輸入至光阻膜形成裝置10亦可。

步驟S56之判別之結果，於尺寸超過特定值之氣泡之個數為臨界值以下之時(在步驟S56中NO)，繼續對晶圓W吐出光阻而持續進行光阻膜之形成處理(步驟S57)，之後結束本處理。

另外，尺寸超過特定值之氣泡之個數大於臨界值之時(在步驟S56中YES)，將閥36予以關閥而中斷從噴嘴13對晶圓W吐出光阻，並且將閥35予以開閥而將從泵14被壓送之光阻經由回流管25使回流至瓶體11，並且將閥31予以關閥，同時將閥32予以開閥，經由回流管27使光阻回流至瓶體11(步驟S58)。然而，光阻之供給系統中，因非一次以多量之光阻從瓶體11經由 供給管19被供給，僅以少量光阻繼續被供給，故回流至瓶體11之光阻不會立即被再供給。其結果，可以充分確保用以從回流至瓶體11之光阻消滅氣泡之時間，進而可以從光阻確實地消滅氣泡，可以再供給該光阻。之後，結束本處理。

若藉由圖5之光阻吐出處理時，雖然於光阻中之尺寸超過特定值之微粒之個數大於臨界值之時，實行虛擬分配而從光阻之供給系統廢棄光阻，但是於非檢測出微粒而係檢測出氣泡，並且光阻中之尺寸超過特定值之氣泡之個數大於臨界值之時，不廢棄光阻而使回流至瓶體11。依此，因氣泡消失時可以再供給之光阻不會被廢棄，故可以防止過度廢棄光阻。再者，因回流至瓶體11之光阻不會立即被再供給，而在瓶體11中從回流之光阻消滅氣泡，故即使朝向晶圓W吐出被回流之光阻，亦可以防止在晶圓W之光阻膜中產生缺陷之情形。

在上述圖5之光阻吐出處理中，於光阻中之尺寸超過特定值之微粒之個數為臨界值以下之時，或光阻中之尺寸超過特定值之氣泡之個數為臨界值以下之時，因繼續朝向晶圓W吐出光阻而持續進行光阻膜之形成處理，故可以使防止在晶圓W之光阻膜中產生缺陷，和防止處理量下降並存。

在上述圖5之光阻吐出處理中，於光阻中之尺寸超過特定值之微粒之個數大於臨界值之時，或非檢測出微粒而係檢測出氣泡，並且光阻中之尺寸超過特定值之 氣泡之個數大於臨界值之時，雖然中斷對晶圓W吐出光阻，但是即使與尺寸超過特定值之微粒或氣泡之個數成為大於臨界值之同時立即中斷對晶圓W吐出光阻亦可。例如，即使感測器23檢測出微粒或氣泡之時，若在感測器23和噴嘴13之間，未設置能夠產生微粒或氣泡之機構時，因至此通過感測器23而存在於感測器23至噴嘴13之間的光阻中，不會有尺寸超過特定值之微粒或氣泡之個數大於臨界值之情況，故即使直至存在於感測器23至噴嘴13之間的光阻全部被吐出為止，繼續對晶圓W吐出光阻，之後中斷光阻之吐出亦可。依此，亦可以防止過度廢棄光阻。並且，即使於噴嘴13之正前方又設置感測器，在噴嘴13之正前方測量光阻中之微粒及氣泡之各個的尺寸及個數亦可。

圖6表示圖5之光阻吐出處理之變形例的流程圖。

本處理係與圖5之光阻吐出處理為幾乎相同之處理，因僅實行後述之步驟S61及步驟S62取代圖5中之步驟S55及步驟S58之點，與圖5之光阻吐出處理不同，故以下僅針對與圖5之光阻吐出處理不同之點進行說明。

在圖6中，於步驟S53之判別之結果，於尺寸超過特定值之微粒之個數大於臨界值之時(步驟S53中YES)，將閥36予以關閥而中斷對晶圓W吐出光阻，並且將閥35予以開閥而使光阻經由回流管25而回流至瓶體 11，並且從瓶體11再供給被回流之光阻而使通過供給管22之過濾器16。即是，使光阻在供給系統中朝過濾器16之上游循環(步驟S61)。此時，有微粒從通過過濾器16之光阻被除去之情形，依此因該光阻中之微粒不被檢測，故可以將該光阻吐出至晶圓W。其結果，可以防止過度廢棄光阻。之後，結束本處理。

再者，步驟S56之判別之結果，於尺寸超過特定值之氣泡之個數大於臨界值之時(在步驟S56中YES)，將閥36予以關閥而暫時中斷對晶圓W吐出光阻，從平台12除去晶圓W之後，將閥36予以開閥而實行繼續吐出光阻之虛擬分配而從光阻之供給系統廢棄光阻(步驟S62)。此時，藉由將氣泡之尺寸之特定值設成即使使光阻回流至瓶體11也不消滅之氣泡之尺寸之最小值，可以防止進行包含多數不消滅之尺寸之氣泡的光阻的循環，進而可以維持處理量。並且，即使在圖6之處理中，於步驟S56中NO之時，非實行步驟S62而係實行步驟S57亦可。

再者，即使合成實行上述圖5之處理及圖6之處理亦可，例如在步驟S53中YES之時，即使更判定被檢測出之微粒之尺寸是否小於能夠以過濾器16除去之尺寸，當小於能夠以過濾器16除去之尺寸之時，實行步驟S55，當為能夠以過濾器16除去之尺寸以上之時，實行步驟S61亦可。再者，在步驟S56中YES之時，即使更判定被檢測出之氣泡之尺寸是否小於即使回流至瓶體 11也不消滅之氣泡之尺寸，當小於不消滅之氣泡之尺寸時，實行步驟S58，當為不消滅之氣泡之尺寸以上之時，實行步驟S62亦可。

以上，針對本發明，雖然使用上述實施型態予以說明，但是本發明並不限定於上述實施型態。

例如，感測器23之光學系統23b之構成不限定於圖2所示之構成，即使如圖7所示般，具有分別與6個光學模組對應之6個雷射光源23g，不對來自各雷射光源23g之雷射光進行分光而導光至與各光學模組對應之開關23f亦可。此時，因被導光至與各光學模組對應之透過部23a之雷射光之輸出不會由於分光而下降，故可以維持光阻中之微粒或氣泡之高檢測敏感度，並且比起對雷射光進行分光之時，可以使用輸出小之雷射光源以作為雷射光源。

再者，即使如圖8所示般，具有兩個與3個光學模組對應之雷射光源23h，藉由開關23i將來自各雷射光源23h之雷射光依序切換至分別與3個光學模組對應之開關23f之各個而進行導光亦可。此時，不會有被導光至與各光學模組對應之透過部23a之雷射光之輸出下降之情形，另外，比起圖7之光學系統23b，可以減少雷射光源之數量而簡化光學系統23b之構成。

而且，即使如圖9所示般，藉由雷射分光器23j將來自1個雷射光源23d之雷射光分光成兩個雷射光，將該被分光之兩個雷射光各藉由開關23i依序切換至 與3個光學模組對應之開關23f之各個而進行導光亦可。此時，比起圖2之光學系統23b，可縮小被分光之雷射光之輸出下降之程度。

再者，即使如圖10所示般，將來自1個雷射光源23d之雷射光藉由開關23k依序切換至分別與6個光學模組對應的開關23f之各個而進行導光亦可。此時，因不會有被導光至與各光學模組對應之透過部23a之雷射光之輸出下降之情形，故可以維持光阻中之微粒或氣泡之高檢測敏感度。

再者，本發明之目的也藉由將記錄有實現上述實施型態之功能的軟體之程式碼的記憶媒體供給至電腦，例如控制器17，並且控制器17之CPU讀出並實行被儲存於記憶媒體之程式碼而達成。

此時，自記憶媒體被讀出之程式碼本身實現上述各實施型態之功能，程式碼及記憶有其程式碼之記憶媒體構成本發明。

再者，作為用以供給程式碼之記憶媒體，若為例如RAM、NV-RAM、軟碟(註冊商標)、硬碟、光磁碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等之光碟、磁帶、非揮發性之記憶卡、其他之ROM等之可以記憶上述程式碼者即可。或是上述程式碼即使藉由自連接於網際網路、商用網路或是區域網路等之無圖式之其他電腦或資料庫等下載，而被供給至控制器17亦可。

再者，不僅藉由實行控制器17讀出之程式碼，實現上述各實施型態之功能，也包含根據其程式碼之指示，在CPU上運轉之OS(操作系統)等執行實際處理之一部分或全部，藉由其處理，實現上述實施型態之機能的情形。

而且，也包含自記憶媒體被讀出之程式碼，被寫入至插入至控制器17之功能擴充基板或連接於控制器17之功能擴充單元所具備之記憶體後，根據其程式碼之指示，其功能擴充基板或功能擴充單元所具備之CPU等執行實際處理之一部分或全部，並藉由其處理實現上述各實施型態之功能的情形。

上述程式碼之型態即使由目標碼、藉由編譯器所實行之程式碼、被供給至OS之腳本資料(script data)等之型態構成亦可。

Claims (11)

1. 一種基板處理方法，係從藥液之供給系統朝向基板吐出上述藥液之基板處理裝置中之基板處理方法，其特徵在於：設置檢測出上述供給系統中之氣泡的檢測器，於上述檢測器檢測出上述供給系統中之氣泡之時，使上述藥液朝上述供給系統之上游部循環。
2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中於檢測出上述氣泡之時，當尺寸超過第1特定值之上述氣泡之個數大於第1臨界值之時，中斷朝向上述基板吐出上述藥液，使上述藥液朝上述供給系統之上游部循環，當尺寸超過第1特定值之上述氣泡之個數為第1臨界值以下之時，繼續朝向上述基板吐出上述藥液。
3. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中於檢測出上述氣泡之時，使朝向設置在上述供給系統之上游部的貯留藥液之貯留部循環。
4. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中更設置檢測出上述供給系統中之異物的檢測器，上述供給系統具有除去上述異物之過濾器，於檢測出上述異物之檢測器檢測出上述供給系統中之異物時，當尺寸超過第2特定值之上述異物之個數大於第2臨界值之時，中斷朝向上述基板吐出上述藥液，不廢棄存在於上述供給系統之藥液而使上述藥液朝上述供給系統中較上述過濾器更上游循環，當尺寸超過第2特定值之上 述異物之個數為第2臨界值以下之時，繼續朝向上述基板吐出上述藥液。
5. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中上述檢測器係朝向上述藥液照射雷射光而分別檢測出上述供給系統中之上述異物及上述氣泡，上述檢測器係配合朝向上述基板吐出上述藥液之時序而朝向上述藥液照射上述雷射光。
6. 如請求項5所記載之基板處理方法，其中上述供給系統具備朝向上述基板吐出上述藥液之複數噴嘴，上述檢測器係將上述雷射光之照射目的地依序切換至被分流供給至上述複數噴嘴之上述藥液的各個流動。
7. 一種基板處理裝置，係朝向基板吐出藥液之基板處理裝置，其特徵在於具備：上述藥液之供給系統；檢測器，其係被設置在上述供給系統，檢測出上述供給系統中之氣泡；分歧點，其係被設置在上述供給系統之上述檢測器之下游部；回流路，其係連接上述分歧點和上述檢測器之上游部；及控制部，其係於上述檢測器檢測出上述供給系統中之氣泡時，使上述藥液在上述供給系統中經由上述回流路循環。
8. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中上述供給系統具有貯藏上述藥液之貯藏部，上述貯留部與上述回流路連接，上述控制部於上述檢測器檢測出上述供給系統中之上述氣泡時，藉由上述回流路使上述藥液回流至上述貯藏部。
9. 如請求項7或8所記載之基板處理裝置，其中上述控制部係於上述檢測器檢測出上述供給系統中之上述氣泡之時，當尺寸超過第1特定值之上述氣泡之個數大於第1臨界值之時，中斷朝向上述基板吐出上述藥液，使上述藥液經由上述回流路而朝上述檢測器之上游側循環，當尺寸超過第1特定值之上述氣泡之個數為第1臨界值以下之時，繼續朝向上述基板吐出上述藥液。
10. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中上述供給系統更設置檢測出上述供給系統中之異物的檢測器，在檢測出上述異物之檢測器之上游側具有除去上述異物之過濾器，具備控制部，其係於檢測出上述異物之檢測器檢測出上述供給系統之異物時，當尺寸超過第2特定值之上述異物之個數大於第2臨界值之時，中斷朝向上述基板吐出上述藥液，不廢棄存在於上述供給系統之藥液而使上述藥液朝上述供給系統中較上述過濾器更上游循環，當尺寸超過 第2特定值之上述異物之個數為第2臨界值以下之時，繼續朝向上述基板吐出上述藥液。
11. 如請求項7或8所記載之基板處理裝置，其中更具備複數上述檢測器，在上述供給系統中之異物或氣泡之複數產生源的各個下游，分別設置上述複數檢測器。